保護膜被覆装置及びレーザー加工装置
【課題】ウエーハの加工面に段差があったり、電極等の金属バンプが配設されていても確実且つ経済的に保護膜を被覆できる保護膜被覆装置を提供する。
【解決手段】ウエーハＷの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置３０であって、ウエーハＷを吸引保持し回転するスピンナーテーブル４８と、該スピンナーテーブル４８に吸引保持されたウエーハＷに液状樹脂を塗布する塗布手段とを具備し、該塗布手段は、液状樹脂を霧状にして噴射するスプレー手段６８と、該スプレー手段６８を支持するアーム７０と、該アーム７０に支持されたスプレー手段６８を少なくともウエーハＷの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する揺動手段７２とを含んでいることを特徴とする。
【解決手段】ウエーハＷの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置３０であって、ウエーハＷを吸引保持し回転するスピンナーテーブル４８と、該スピンナーテーブル４８に吸引保持されたウエーハＷに液状樹脂を塗布する塗布手段とを具備し、該塗布手段は、液状樹脂を霧状にして噴射するスプレー手段６８と、該スプレー手段６８を支持するアーム７０と、該アーム７０に支持されたスプレー手段６８を少なくともウエーハＷの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する揺動手段７２とを含んでいることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置及び保護膜被覆装置を備えたレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイヤウエーハ等のウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に広く利用される（特開２００４−３２２１６８号公報参照）。
【０００３】
上記公開公報には、ウエーハの加工面にレーザービームを照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが飛散してウエーハの加工面に付着し、デバイスの品質を著しく低下させることから、レーザー加工する前にウエーハの加工面に液状樹脂を塗布して保護膜を形成し、その後ウエーハをレーザー加工する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３２２１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ウエーハの加工面に段差があったり、電極等の金属バンプが配設されていると、特許文献１に開示された液状樹脂のスピンコート法によると、ウエーハの加工面に液状樹脂を均一に塗布することができず、部分的に保護膜が被覆されない部分が発生するという問題がある。
【０００５】
また、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）等の液状樹脂は比較的高価であるにも拘わらず、スピンコート法による液状樹脂の塗布では実質的に９０％以上の液状樹脂がウエーハの加工面から飛散して廃棄されており、不経済であるという問題がある。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの加工面に段差があったり、電極等の金属バンプが配設されていても、確実に且つ経済的に保護膜を被覆できる保護膜被覆装置を提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、保護膜被覆装置を備えたレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明によると、ウエーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置であって、ウエーハを吸引保持し回転するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに吸引保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する塗布手段とを具備し、該塗布手段は、液状樹脂を霧状にして噴射するスプレー手段と、該スプレー手段を支持するアームと、該アームに支持されたスプレー手段を少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する第１揺動手段とを含んでいることを特徴とする保護膜被覆装置が提供される。
【０００９】
好ましくは、スプレー手段は、液状樹脂供給通路と、エアー供給通路と、液状樹脂供給通路とエアー供給通路とが合流し霧状の液状樹脂を噴射する噴射口とを含んでいる。
【００１０】
好ましくは、保護膜被覆装置は更に、レーザー加工後のウエーハを洗浄する洗浄手段と、洗浄後のウエーハを乾燥する乾燥手段とを具備している。洗浄手段及び乾燥手段とも、アームの先端に水又はエアーを噴射する噴射ノズルが取り付けられて構成され、アームに支持された噴射ノズルは少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動される。
【００１１】
請求項５記載の発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの加工面にレーザービームを照射して加工を施すレーザービーム照射手段とを備えたレーザー加工装置であって、レーザー加工前のウエーハの加工面に保護膜を被覆する請求項１〜４の何れかに記載の保護膜被覆装置を更に具備したことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の保護膜被覆装置によると、液状樹脂を霧状にしてウエーハの加工面に塗布して保護膜を被覆するので、ウエーハの加工面に段差があったり、電極等の金属バンプが配設されていても確実にウエーハの加工面に保護膜を被覆できる。
【００１３】
また、液状樹脂を霧状にして塗布すると、従来のスピンコートによる塗布に比べて液状樹脂の使用量は１０％〜１５％に減少し、経済性が格段に向上する。即ち、従来直径３００ｍｍのウエーハの加工面に保護膜を被覆するのに要した液状樹脂の量は４０〜５０ｍＬであったものが、本発明の保護膜被覆装置によると５〜６ｍＬに減少した。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の保護膜被覆装置を具備し、ウエーハをレーザー加工して個々のチップ（デバイス）に分割することのできるレーザー加工装置２の外観を示している。
【００１５】
レーザー加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００１６】
図２に示すように、加工対象の半導体ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交されて形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のデバイスＤが形成されている。
【００１７】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示したウエーハカセット８中にウエーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウエーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００１８】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザー加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００１９】
ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２０】
３０は本発明実施形態に係る保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置３０は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域１２の近傍には、ウエーハＷと一体となったフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されている。
【００２１】
仮置き領域１２に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて保護膜被覆装置３０に搬送される。保護膜被覆装置３０では、後で詳細に説明するようにウエーハＷの加工面に保護膜が被覆される。
【００２２】
加工面に保護膜が被覆されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、チャックテーブル１８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）１９によりフレームＦが固定されることでチャックテーブル１８上に保持される。
【００２３】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００２４】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００２５】
アライメント手段２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウエーハＷに対してレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット２４が配設されている。レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６中には後で詳細に説明するレーザービーム発振手段等が収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザービームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器２８が装着されている。
【００２６】
レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図３のブロック図に示すように、レーザービーム発振手段３４と、レーザービーム変調手段３６が配設されている。
【００２７】
レーザービーム発振手段３４としては、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザービーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザービームパルス幅設定手段４０と、レーザービーム波長設定手段４２を含んでいる。
【００２８】
レーザービーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザービームパルス幅設定手段４０及びレーザービーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
【００２９】
レーザービーム照射ユニット２４によりレーザー加工が終了したウエーハＷは、チャックテーブル１８をＸ軸方向に移動してから、Ｙ軸方向に移動可能な搬送手段３２により把持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置３０まで搬送される。保護膜被覆装置３０では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハを洗浄する。
【００３０】
洗浄後、ウエーハＷを高速回転（例えば３０００ｒｐｍ）させながらエアーノズルからエアーを噴出させてウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【００３１】
次に、本発明実施形態に係る保護膜被覆装置３０について図４乃至図８を参照して詳細に説明する。まず図４を参照すると、保護膜被覆装置３０の一部破断斜視図が示されている。
【００３２】
保護膜被覆装置３０は、スピンナーテーブル機構４４と、スピンナーテーブル機構４４を包囲して配設された洗浄水受け機構４６を具備している。スピンナーテーブル機構４４は、スピンナーテーブル４８と、スピンナーテーブル４８を回転駆動する電動モータ５０と、電動モータ５０を上下方向に移動可能に支持する支持機構５２とから構成される。
【００３３】
スピンナーテーブル４８は多孔性材料から形成された吸着チャック４８ａを具備しており、吸着チャック４８ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル４８は、吸着チャック４８ａにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック４８ａ上にウエーハを吸引保持する。
【００３４】
スピンナーテーブル４８は、電動モータ５０の出力軸５０ａに連結されている。支持機構５２は、複数の（本実施形態においては３本）の支持脚５４と、支持脚５４にそれぞれ連結され電動モータ５０に取り付けられた複数（本実施形態においては３本）のエアーシリンダ５６とから構成される。
【００３５】
このように構成された支持機構５２は、エアーシリンダ５６を作動することにより、電動モータ５０及びスピンナーテーブル４８を図５に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図６に示す加工位置である作業位置に位置付け可能である。
【００３６】
洗浄水受け機構４６は、洗浄水受け容器５８と、洗浄水受け容器５８を支持する３本（図４には２本のみ図示）の支持脚６０と、電動モータ５０の出力軸５０ａに装着されたカバー部材６２とから構成される。
【００３７】
洗浄水受け容器５８は、図５及び図６に示すように、円筒状の外側壁５８ａと、底壁５８ｂと、内側壁５８ｃとから構成される。底壁５８ｂの中央部には、電動モータ５０の出力軸５０ａが挿入される穴５１が設けられており、内側壁５８ｃはこの穴５１の周辺から上方に突出するように形成されている。
【００３８】
また、図４に示すように、底壁５８ｂには廃液口５９が設けられており、この廃液口５９にドレンホース６４が接続されている。カバー部材６２は円盤状に形成されており、その外周辺から下方に突出するカバー部６２ａを備えている。
【００３９】
このように構成されたカバー部材６２は、電動モータ５０及びスピンナーテーブル４８が図６に示す作業位置に位置付けられると、カバー部６２ａが洗浄水受け容器５８を構成する内側壁５８ｃの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。
【００４０】
保護膜被覆装置３０は、スピンナーテーブル４８に保持された加工前の半導体ウエーハに液状樹脂を塗布する塗布手段６６を具備している。塗布手段６６は、スピンナーテーブル４８に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて液状樹脂を霧状にして噴射するスプレーノズル６８と、スプレーノズル６８を支持する概略Ｌ形状のアーム７０と、アーム７０に支持されたスプレーノズル６８を少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する正転・逆転可能な電動モータ７２とから構成される。スプレーノズル６８はアーム７０を介して図示しない液状樹脂供給源に接続されている。
【００４１】
保護膜被覆装置３０はレーザー加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、保護膜被覆装置３０は、スピンナーテーブル４８に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段７４及びエアー供給手段７６を具備している。
【００４２】
洗浄水供給手段７４は、スピンナーテーブル４８に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７８と、洗浄水ノズル７８を支持するアーム８０と、アーム８０に支持された洗浄水ノズル７８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ８２とから構成される。洗浄水噴射ノズル７８はアーム８０を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。
【００４３】
エアー供給手段７６は、スピンナーテーブル４８に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアーを噴出するエアーノズル８４と、エアーノズル８４を支持するアーム８６と、アーム８６に支持されたエアーノズル８４を揺動する正転・逆転可能な電動モータ（図示せず）を備えている。エアーノズル８４はアーム８６を介して図示しないエアー供給源に接続されている。
【００４４】
図７に示すように、スプレーノズル６８とアーム７０は一体的に形成されている。スプレーノズル６８は、例えば０．２ＭＰａ液状樹脂供給源９０に接続された液状樹脂供給通路８８と、例えば０．４ＭＰａエアー供給源９４に接続されたエアー供給通路９２と、液状樹脂供給通路８８とエアー供給通路９２とが合流し霧状の液状樹脂を噴射する噴射口９６を含んでいる。
【００４５】
次に、このように構成された保護膜被覆装置３０の作用について説明する。ウエーハ搬送手段１６の旋回動作によって加工前の半導体ウエーハが保護膜被覆装置３０のスピンナーテーブル４８に搬送され、吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００４６】
この時、スピンナーテーブル４８は図５に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられており、スプレーノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアーノズル８４は図４及び図５に示すように、スピンナーテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００４７】
加工前のウエーハが保護膜被覆装置３０のスピンナーテーブル４８上に保持されたならば、ウエーハＷの加工面である表面に液状樹脂を噴霧して保護膜を被覆する保護膜被覆工程を実行する。
【００４８】
保護膜被覆工程を実施するには、まず、スピンナーテーブル４８を図６及び図８に示すように作業位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル４８を１０〜１００ｒｐｍ（好ましくは３０〜５０ｒｐｍ）で矢印Ａ方向に回転させながら、スプレーノズル６８をウエーハＷの外周部に位置付けて霧状の液状樹脂を噴射しつつ約４０秒かけてウエーハＷの中心部手前(例えばウエーハの半径の約４／５)に至り、その後ウエーハの中心部から霧状の液状樹脂を噴射しつつ約４０秒かけてウエーハＷの外周部に戻り、矢印Ｂで示すようにスプレーノズル６８の一往復でウエーハの加工面上に保護膜を被覆する。尚、中心部までスプレーノズル６８を移動すると中心部の膜厚が厚くなるので中心部の手前で折り返している。
【００４９】
本実施形態の液状樹脂のスプレー塗布方法によって、直径３００ｍｍのウエーハの加工面に１０μｍ厚の保護膜を被覆するのに要した液状樹脂の量は約５〜６ｍＬであった。比較のために、従来のスピンコート塗布方法によると、液状樹脂の量は４０〜５０ｍＬ必要であり、本発明の液状樹脂のスプレー塗布方法によると、液状樹脂の使用量は従来量の１０％〜１５％と顕著に減少し、経済性が格段に向上することが判明した。
【００５０】
液状樹脂を噴射しながらスプレーノズル６８を矢印Ｂに示すように一往復させる代わりに、ウエーハＷの外周部から約８０秒かけてウエーハの中心部に至り液状樹脂のスプレーを終了する方法も採用可能である。或いは、スプレーノズル６８を約８０秒かけてウエーハの外周部から中心を通り他の外周部まで揺動させるようにしても良い。尚、この場合ウエーハの中心部においてスプレーノズル６８を比較的速い速度で通過させる事が好ましい。
【００５１】
ウエーハの加工面にスプレーノズル６８により塗布された液状樹脂は経時的に硬化して、図９に示すように半導体ウエーハＷの表面に保護膜９８を形成する。保護膜９８の厚さは０．５〜１０μｍ程度が好ましい。
【００５２】
保護膜９８を形成する液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
【００５３】
保護膜被覆工程によって半導体ウエーハＷの表面に保護膜９８が被覆されたならば、スピンナーテーブル４８を図５に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル４８に保持されているウエーハの吸引保持を解除する。
【００５４】
そして、スピンナーテーブル４８上のウエーハＷは、ウエーハ搬送手段１６によってチャックテーブル１８に搬送され、チャックテーブル１８により吸引保持される。さらに、チャックテーブル１８がＸ軸方向に移動してウエーハＷは撮像手段２２の直下に位置付けられる。
【００５５】
撮像手段２２でウエーハＷの加工領域を撮像して、レーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット２４の集光器２８とストリートＳとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザービーム照射位置のアライメントが遂行される。
【００５６】
このようにして、チャックテーブル１８上に保持されているウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２を検出し、レーザービーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル１８をレーザービームを照射する集光器２８が位置するレーザービーム照射領域に移動し、ウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２に沿って集光器２８からレーザービームを保護膜９８を通して照射する。
【００５７】
レーザービーム照射工程においては、図１０に示すようにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット２４の集光器２８からウエーハＷの加工面である表面側から保護膜９８を通して所定のストリートＳに向けてパルスレーザービームを照射しながら、チャックテーブル１８をＸ軸方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動する。
【００５８】
尚、レーザー加工条件は例えば以下の通りである。
【００５９】
光源 ：ＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザーの第３高調波）
出力 ：３．０Ｗ
繰り返し周波数 ：２０ｋＨｚ
集光スポット径 ：１．０μｍ
送り速度 ：１００ｍｍ／秒
レーザービーム照射工程を実施することによって、ウエーハＷはストリートＳに沿って分割される。この時、図１０に示すようにレーザービームの照射によりデブリ１００が発生しても、このデブリ１００は保護膜９８によって遮断され、デバイスＤの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。
【００６０】
このようにして、半導体ウエーハＷを個々のデバイスＤに分割したら、チャックテーブル１８は最初にウエーハＷを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハＷの吸引保持を解除する。そして、ウエーハＷは搬送手段３２によって保護膜形成装置３０のスピンナーテーブル４８に搬送され、吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００６１】
この時、スプレーノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアーノズル８４は、図４及び図５に示すようにスピンナーテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００６２】
そして、実質的にスプレーノズル６８と同じ構成で純水源とエアー源に接続された洗浄水ノズル７８から純水とエアーとから成る洗浄水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハＷを洗浄する。
【００６３】
この時、洗浄水ノズル７８は、図８に示したスプレーノズル６８と同様にウエーハの外周部から回転中心部に至る領域で水平方向に揺動されながら洗浄水を噴射する。尚、洗浄ノズル７８はウエーハの中心部まで至り、全面を洗浄する。
【００６４】
その結果、ウエーハＷの表面に被覆されていた保護膜９８は水溶性の樹脂によって形成されているので、図１１に示すように保護膜９８を容易に洗い流すことができるとともに、レーザー加工時に発生したデブリ１００も除去される。
【００６５】
洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル７８を待機位置に位置付けるとともに、エアーノズル８４の噴出口をスピンナーテーブル４８上に保持されたウエーハＷの外周部上方に位置付ける。
【００６６】
そして、スピンナーテーブル４８を例えば３０００ｒｐｍで回転しつつエアーノズル８４からスピンナーテーブル４８に保持されているウエーハＷに向けてエアーを噴出する。この時、エアーノズル８４から噴出されたエアーがスピンナーテーブル４８に保持されたウエーハＷの外周部に当たる位置から中心部に当たる位置までの揺動範囲で揺動される。その結果、ウエーハＷの表面が乾燥される。
【００６７】
ウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】レーザー加工装置の外観斜視図である。
【図２】フレームと一体化されたウエーハを示す斜視図である。
【図３】レーザービーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】保護膜被覆装置の一部破断斜視図である。
【図５】スピンナーテーブルが上昇された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図６】スピンナーテーブルが下降された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図７】スプレーノズルの縦断面図である。
【図８】スプレーノズルの揺動範囲を説明する説明図である。
【図９】保護膜が被覆された半導体ウエーハの拡大断面図である。
【図１０】レーザービーム照射工程を示す説明図である。
【図１１】洗浄工程により保護膜が除去された状態のウエーハの拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
２ レーザー加工装置
１８ チャックテーブル
２４ レーザービーム照射ユニット
２８ 集光器
３０ 保護膜被覆装置
４８ スピンナーテーブル
６６ 液状樹脂塗布手段
６８ スプレーノズル
７０ アーム
７２ 電動モータ
７４ 洗浄手段
７８ 洗浄水ノズル
７６ 乾燥手段
８４ エアーノズル
８８ 液状樹脂供給通路
９２ エアー供給通路
９６ 噴射口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置及び保護膜被覆装置を備えたレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイヤウエーハ等のウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に広く利用される（特開２００４−３２２１６８号公報参照）。
【０００３】
上記公開公報には、ウエーハの加工面にレーザービームを照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが飛散してウエーハの加工面に付着し、デバイスの品質を著しく低下させることから、レーザー加工する前にウエーハの加工面に液状樹脂を塗布して保護膜を形成し、その後ウエーハをレーザー加工する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３２２１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ウエーハの加工面に段差があったり、電極等の金属バンプが配設されていると、特許文献１に開示された液状樹脂のスピンコート法によると、ウエーハの加工面に液状樹脂を均一に塗布することができず、部分的に保護膜が被覆されない部分が発生するという問題がある。
【０００５】
また、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）等の液状樹脂は比較的高価であるにも拘わらず、スピンコート法による液状樹脂の塗布では実質的に９０％以上の液状樹脂がウエーハの加工面から飛散して廃棄されており、不経済であるという問題がある。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの加工面に段差があったり、電極等の金属バンプが配設されていても、確実に且つ経済的に保護膜を被覆できる保護膜被覆装置を提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、保護膜被覆装置を備えたレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明によると、ウエーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置であって、ウエーハを吸引保持し回転するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに吸引保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する塗布手段とを具備し、該塗布手段は、液状樹脂を霧状にして噴射するスプレー手段と、該スプレー手段を支持するアームと、該アームに支持されたスプレー手段を少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する第１揺動手段とを含んでいることを特徴とする保護膜被覆装置が提供される。
【０００９】
好ましくは、スプレー手段は、液状樹脂供給通路と、エアー供給通路と、液状樹脂供給通路とエアー供給通路とが合流し霧状の液状樹脂を噴射する噴射口とを含んでいる。
【００１０】
好ましくは、保護膜被覆装置は更に、レーザー加工後のウエーハを洗浄する洗浄手段と、洗浄後のウエーハを乾燥する乾燥手段とを具備している。洗浄手段及び乾燥手段とも、アームの先端に水又はエアーを噴射する噴射ノズルが取り付けられて構成され、アームに支持された噴射ノズルは少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動される。
【００１１】
請求項５記載の発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの加工面にレーザービームを照射して加工を施すレーザービーム照射手段とを備えたレーザー加工装置であって、レーザー加工前のウエーハの加工面に保護膜を被覆する請求項１〜４の何れかに記載の保護膜被覆装置を更に具備したことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の保護膜被覆装置によると、液状樹脂を霧状にしてウエーハの加工面に塗布して保護膜を被覆するので、ウエーハの加工面に段差があったり、電極等の金属バンプが配設されていても確実にウエーハの加工面に保護膜を被覆できる。
【００１３】
また、液状樹脂を霧状にして塗布すると、従来のスピンコートによる塗布に比べて液状樹脂の使用量は１０％〜１５％に減少し、経済性が格段に向上する。即ち、従来直径３００ｍｍのウエーハの加工面に保護膜を被覆するのに要した液状樹脂の量は４０〜５０ｍＬであったものが、本発明の保護膜被覆装置によると５〜６ｍＬに減少した。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の保護膜被覆装置を具備し、ウエーハをレーザー加工して個々のチップ（デバイス）に分割することのできるレーザー加工装置２の外観を示している。
【００１５】
レーザー加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００１６】
図２に示すように、加工対象の半導体ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交されて形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のデバイスＤが形成されている。
【００１７】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示したウエーハカセット８中にウエーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウエーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００１８】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザー加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００１９】
ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２０】
３０は本発明実施形態に係る保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置３０は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域１２の近傍には、ウエーハＷと一体となったフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されている。
【００２１】
仮置き領域１２に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて保護膜被覆装置３０に搬送される。保護膜被覆装置３０では、後で詳細に説明するようにウエーハＷの加工面に保護膜が被覆される。
【００２２】
加工面に保護膜が被覆されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、チャックテーブル１８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）１９によりフレームＦが固定されることでチャックテーブル１８上に保持される。
【００２３】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００２４】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００２５】
アライメント手段２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウエーハＷに対してレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット２４が配設されている。レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６中には後で詳細に説明するレーザービーム発振手段等が収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザービームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器２８が装着されている。
【００２６】
レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図３のブロック図に示すように、レーザービーム発振手段３４と、レーザービーム変調手段３６が配設されている。
【００２７】
レーザービーム発振手段３４としては、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザービーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザービームパルス幅設定手段４０と、レーザービーム波長設定手段４２を含んでいる。
【００２８】
レーザービーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザービームパルス幅設定手段４０及びレーザービーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
【００２９】
レーザービーム照射ユニット２４によりレーザー加工が終了したウエーハＷは、チャックテーブル１８をＸ軸方向に移動してから、Ｙ軸方向に移動可能な搬送手段３２により把持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置３０まで搬送される。保護膜被覆装置３０では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハを洗浄する。
【００３０】
洗浄後、ウエーハＷを高速回転（例えば３０００ｒｐｍ）させながらエアーノズルからエアーを噴出させてウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【００３１】
次に、本発明実施形態に係る保護膜被覆装置３０について図４乃至図８を参照して詳細に説明する。まず図４を参照すると、保護膜被覆装置３０の一部破断斜視図が示されている。
【００３２】
保護膜被覆装置３０は、スピンナーテーブル機構４４と、スピンナーテーブル機構４４を包囲して配設された洗浄水受け機構４６を具備している。スピンナーテーブル機構４４は、スピンナーテーブル４８と、スピンナーテーブル４８を回転駆動する電動モータ５０と、電動モータ５０を上下方向に移動可能に支持する支持機構５２とから構成される。
【００３３】
スピンナーテーブル４８は多孔性材料から形成された吸着チャック４８ａを具備しており、吸着チャック４８ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル４８は、吸着チャック４８ａにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック４８ａ上にウエーハを吸引保持する。
【００３４】
スピンナーテーブル４８は、電動モータ５０の出力軸５０ａに連結されている。支持機構５２は、複数の（本実施形態においては３本）の支持脚５４と、支持脚５４にそれぞれ連結され電動モータ５０に取り付けられた複数（本実施形態においては３本）のエアーシリンダ５６とから構成される。
【００３５】
このように構成された支持機構５２は、エアーシリンダ５６を作動することにより、電動モータ５０及びスピンナーテーブル４８を図５に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図６に示す加工位置である作業位置に位置付け可能である。
【００３６】
洗浄水受け機構４６は、洗浄水受け容器５８と、洗浄水受け容器５８を支持する３本（図４には２本のみ図示）の支持脚６０と、電動モータ５０の出力軸５０ａに装着されたカバー部材６２とから構成される。
【００３７】
洗浄水受け容器５８は、図５及び図６に示すように、円筒状の外側壁５８ａと、底壁５８ｂと、内側壁５８ｃとから構成される。底壁５８ｂの中央部には、電動モータ５０の出力軸５０ａが挿入される穴５１が設けられており、内側壁５８ｃはこの穴５１の周辺から上方に突出するように形成されている。
【００３８】
また、図４に示すように、底壁５８ｂには廃液口５９が設けられており、この廃液口５９にドレンホース６４が接続されている。カバー部材６２は円盤状に形成されており、その外周辺から下方に突出するカバー部６２ａを備えている。
【００３９】
このように構成されたカバー部材６２は、電動モータ５０及びスピンナーテーブル４８が図６に示す作業位置に位置付けられると、カバー部６２ａが洗浄水受け容器５８を構成する内側壁５８ｃの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。
【００４０】
保護膜被覆装置３０は、スピンナーテーブル４８に保持された加工前の半導体ウエーハに液状樹脂を塗布する塗布手段６６を具備している。塗布手段６６は、スピンナーテーブル４８に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて液状樹脂を霧状にして噴射するスプレーノズル６８と、スプレーノズル６８を支持する概略Ｌ形状のアーム７０と、アーム７０に支持されたスプレーノズル６８を少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する正転・逆転可能な電動モータ７２とから構成される。スプレーノズル６８はアーム７０を介して図示しない液状樹脂供給源に接続されている。
【００４１】
保護膜被覆装置３０はレーザー加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、保護膜被覆装置３０は、スピンナーテーブル４８に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段７４及びエアー供給手段７６を具備している。
【００４２】
洗浄水供給手段７４は、スピンナーテーブル４８に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７８と、洗浄水ノズル７８を支持するアーム８０と、アーム８０に支持された洗浄水ノズル７８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ８２とから構成される。洗浄水噴射ノズル７８はアーム８０を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。
【００４３】
エアー供給手段７６は、スピンナーテーブル４８に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアーを噴出するエアーノズル８４と、エアーノズル８４を支持するアーム８６と、アーム８６に支持されたエアーノズル８４を揺動する正転・逆転可能な電動モータ（図示せず）を備えている。エアーノズル８４はアーム８６を介して図示しないエアー供給源に接続されている。
【００４４】
図７に示すように、スプレーノズル６８とアーム７０は一体的に形成されている。スプレーノズル６８は、例えば０．２ＭＰａ液状樹脂供給源９０に接続された液状樹脂供給通路８８と、例えば０．４ＭＰａエアー供給源９４に接続されたエアー供給通路９２と、液状樹脂供給通路８８とエアー供給通路９２とが合流し霧状の液状樹脂を噴射する噴射口９６を含んでいる。
【００４５】
次に、このように構成された保護膜被覆装置３０の作用について説明する。ウエーハ搬送手段１６の旋回動作によって加工前の半導体ウエーハが保護膜被覆装置３０のスピンナーテーブル４８に搬送され、吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００４６】
この時、スピンナーテーブル４８は図５に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられており、スプレーノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアーノズル８４は図４及び図５に示すように、スピンナーテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００４７】
加工前のウエーハが保護膜被覆装置３０のスピンナーテーブル４８上に保持されたならば、ウエーハＷの加工面である表面に液状樹脂を噴霧して保護膜を被覆する保護膜被覆工程を実行する。
【００４８】
保護膜被覆工程を実施するには、まず、スピンナーテーブル４８を図６及び図８に示すように作業位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル４８を１０〜１００ｒｐｍ（好ましくは３０〜５０ｒｐｍ）で矢印Ａ方向に回転させながら、スプレーノズル６８をウエーハＷの外周部に位置付けて霧状の液状樹脂を噴射しつつ約４０秒かけてウエーハＷの中心部手前(例えばウエーハの半径の約４／５)に至り、その後ウエーハの中心部から霧状の液状樹脂を噴射しつつ約４０秒かけてウエーハＷの外周部に戻り、矢印Ｂで示すようにスプレーノズル６８の一往復でウエーハの加工面上に保護膜を被覆する。尚、中心部までスプレーノズル６８を移動すると中心部の膜厚が厚くなるので中心部の手前で折り返している。
【００４９】
本実施形態の液状樹脂のスプレー塗布方法によって、直径３００ｍｍのウエーハの加工面に１０μｍ厚の保護膜を被覆するのに要した液状樹脂の量は約５〜６ｍＬであった。比較のために、従来のスピンコート塗布方法によると、液状樹脂の量は４０〜５０ｍＬ必要であり、本発明の液状樹脂のスプレー塗布方法によると、液状樹脂の使用量は従来量の１０％〜１５％と顕著に減少し、経済性が格段に向上することが判明した。
【００５０】
液状樹脂を噴射しながらスプレーノズル６８を矢印Ｂに示すように一往復させる代わりに、ウエーハＷの外周部から約８０秒かけてウエーハの中心部に至り液状樹脂のスプレーを終了する方法も採用可能である。或いは、スプレーノズル６８を約８０秒かけてウエーハの外周部から中心を通り他の外周部まで揺動させるようにしても良い。尚、この場合ウエーハの中心部においてスプレーノズル６８を比較的速い速度で通過させる事が好ましい。
【００５１】
ウエーハの加工面にスプレーノズル６８により塗布された液状樹脂は経時的に硬化して、図９に示すように半導体ウエーハＷの表面に保護膜９８を形成する。保護膜９８の厚さは０．５〜１０μｍ程度が好ましい。
【００５２】
保護膜９８を形成する液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
【００５３】
保護膜被覆工程によって半導体ウエーハＷの表面に保護膜９８が被覆されたならば、スピンナーテーブル４８を図５に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル４８に保持されているウエーハの吸引保持を解除する。
【００５４】
そして、スピンナーテーブル４８上のウエーハＷは、ウエーハ搬送手段１６によってチャックテーブル１８に搬送され、チャックテーブル１８により吸引保持される。さらに、チャックテーブル１８がＸ軸方向に移動してウエーハＷは撮像手段２２の直下に位置付けられる。
【００５５】
撮像手段２２でウエーハＷの加工領域を撮像して、レーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット２４の集光器２８とストリートＳとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザービーム照射位置のアライメントが遂行される。
【００５６】
このようにして、チャックテーブル１８上に保持されているウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２を検出し、レーザービーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル１８をレーザービームを照射する集光器２８が位置するレーザービーム照射領域に移動し、ウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２に沿って集光器２８からレーザービームを保護膜９８を通して照射する。
【００５７】
レーザービーム照射工程においては、図１０に示すようにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット２４の集光器２８からウエーハＷの加工面である表面側から保護膜９８を通して所定のストリートＳに向けてパルスレーザービームを照射しながら、チャックテーブル１８をＸ軸方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動する。
【００５８】
尚、レーザー加工条件は例えば以下の通りである。
【００５９】
光源 ：ＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザーの第３高調波）
出力 ：３．０Ｗ
繰り返し周波数 ：２０ｋＨｚ
集光スポット径 ：１．０μｍ
送り速度 ：１００ｍｍ／秒
レーザービーム照射工程を実施することによって、ウエーハＷはストリートＳに沿って分割される。この時、図１０に示すようにレーザービームの照射によりデブリ１００が発生しても、このデブリ１００は保護膜９８によって遮断され、デバイスＤの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。
【００６０】
このようにして、半導体ウエーハＷを個々のデバイスＤに分割したら、チャックテーブル１８は最初にウエーハＷを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハＷの吸引保持を解除する。そして、ウエーハＷは搬送手段３２によって保護膜形成装置３０のスピンナーテーブル４８に搬送され、吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００６１】
この時、スプレーノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアーノズル８４は、図４及び図５に示すようにスピンナーテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００６２】
そして、実質的にスプレーノズル６８と同じ構成で純水源とエアー源に接続された洗浄水ノズル７８から純水とエアーとから成る洗浄水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハＷを洗浄する。
【００６３】
この時、洗浄水ノズル７８は、図８に示したスプレーノズル６８と同様にウエーハの外周部から回転中心部に至る領域で水平方向に揺動されながら洗浄水を噴射する。尚、洗浄ノズル７８はウエーハの中心部まで至り、全面を洗浄する。
【００６４】
その結果、ウエーハＷの表面に被覆されていた保護膜９８は水溶性の樹脂によって形成されているので、図１１に示すように保護膜９８を容易に洗い流すことができるとともに、レーザー加工時に発生したデブリ１００も除去される。
【００６５】
洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル７８を待機位置に位置付けるとともに、エアーノズル８４の噴出口をスピンナーテーブル４８上に保持されたウエーハＷの外周部上方に位置付ける。
【００６６】
そして、スピンナーテーブル４８を例えば３０００ｒｐｍで回転しつつエアーノズル８４からスピンナーテーブル４８に保持されているウエーハＷに向けてエアーを噴出する。この時、エアーノズル８４から噴出されたエアーがスピンナーテーブル４８に保持されたウエーハＷの外周部に当たる位置から中心部に当たる位置までの揺動範囲で揺動される。その結果、ウエーハＷの表面が乾燥される。
【００６７】
ウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】レーザー加工装置の外観斜視図である。
【図２】フレームと一体化されたウエーハを示す斜視図である。
【図３】レーザービーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】保護膜被覆装置の一部破断斜視図である。
【図５】スピンナーテーブルが上昇された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図６】スピンナーテーブルが下降された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図７】スプレーノズルの縦断面図である。
【図８】スプレーノズルの揺動範囲を説明する説明図である。
【図９】保護膜が被覆された半導体ウエーハの拡大断面図である。
【図１０】レーザービーム照射工程を示す説明図である。
【図１１】洗浄工程により保護膜が除去された状態のウエーハの拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
２ レーザー加工装置
１８ チャックテーブル
２４ レーザービーム照射ユニット
２８ 集光器
３０ 保護膜被覆装置
４８ スピンナーテーブル
６６ 液状樹脂塗布手段
６８ スプレーノズル
７０ アーム
７２ 電動モータ
７４ 洗浄手段
７８ 洗浄水ノズル
７６ 乾燥手段
８４ エアーノズル
８８ 液状樹脂供給通路
９２ エアー供給通路
９６ 噴射口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置であって、
ウエーハを吸引保持し回転するスピンナーテーブルと、
該スピンナーテーブルに吸引保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する塗布手段とを具備し、
該塗布手段は、液状樹脂を霧状にして噴射するスプレー手段と、該スプレー手段を支持するアームと、該アームに支持されたスプレー手段を少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する第１揺動手段とを含んでいることを特徴とする保護膜被覆装置。
【請求項２】
該スプレー手段は、液状樹脂供給通路と、エアー供給通路と、該液状樹脂供給通路と該エアー供給通路とが合流し霧状の液状樹脂を噴射する噴射口とを含んでいることを特徴とする請求項１記載の保護膜被覆装置。
【請求項３】
洗浄液を噴射する洗浄水ノズルと、該洗浄水ノズルを支持する第２アームと、該第２アームに支持された該洗浄水ノズルを少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する第２揺動手段とを有する洗浄手段を更に具備した請求項１又は２記載の保護膜被覆装置。
【請求項４】
エアーを噴射するエアーノズルと、該エアーノズルを支持する第３アームと、該第３アームに支持された該エアーノズルを少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する第３揺動手段とを有する乾燥手段を更に具備した請求項３記載の保護膜被覆装置。
【請求項５】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの加工面にレーザービームを照射して加工を施すレーザービーム照射手段とを備えたレーザー加工装置であって、
レーザー加工前のウエーハの加工面に保護膜を被覆する請求項１〜４の何れかに記載の保護膜被覆装置を更に具備したことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項１】
ウエーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置であって、
ウエーハを吸引保持し回転するスピンナーテーブルと、
該スピンナーテーブルに吸引保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する塗布手段とを具備し、
該塗布手段は、液状樹脂を霧状にして噴射するスプレー手段と、該スプレー手段を支持するアームと、該アームに支持されたスプレー手段を少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する第１揺動手段とを含んでいることを特徴とする保護膜被覆装置。
【請求項２】
該スプレー手段は、液状樹脂供給通路と、エアー供給通路と、該液状樹脂供給通路と該エアー供給通路とが合流し霧状の液状樹脂を噴射する噴射口とを含んでいることを特徴とする請求項１記載の保護膜被覆装置。
【請求項３】
洗浄液を噴射する洗浄水ノズルと、該洗浄水ノズルを支持する第２アームと、該第２アームに支持された該洗浄水ノズルを少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する第２揺動手段とを有する洗浄手段を更に具備した請求項１又は２記載の保護膜被覆装置。
【請求項４】
エアーを噴射するエアーノズルと、該エアーノズルを支持する第３アームと、該第３アームに支持された該エアーノズルを少なくともウエーハの回転中心部から外周部に至る領域で水平方向に揺動する第３揺動手段とを有する乾燥手段を更に具備した請求項３記載の保護膜被覆装置。
【請求項５】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの加工面にレーザービームを照射して加工を施すレーザービーム照射手段とを備えたレーザー加工装置であって、
レーザー加工前のウエーハの加工面に保護膜を被覆する請求項１〜４の何れかに記載の保護膜被覆装置を更に具備したことを特徴とするレーザー加工装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１０−１２５０８（Ｐ２０１０−１２５０８Ａ）
【公開日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１７６５３６（Ｐ２００８−１７６５３６）
【出願日】平成２０年７月７日（２００８．７．７）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月７日（２００８．７．７）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
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