光モジュール
【課題】光ファイバーからの光信号を受光素子で受ける、または発光素子からの光信号を光ファイバーで受ける構成のいずれであっても、光結合効率が向上する光モジュールを提供する。
【解決手段】第１溝１ａと第２溝１ｂとが連続して形成された基板１と、第１溝１ａ内に設けられた内部導波路１６と、第１溝１ａの先端部に設けられた光路変換用のミラー部１５とを備えている。基板１の表面に実装された光素子１２ａ，１２ｂと、コア部１７と光学的に接続されるファイバーコア部２１を有する光ファイバー２とを備えている。第２溝１ｂ内において、光ファイバー２の両側に設置された光ファイバー位置決め体４０を備え、光ファイバー位置決め体４０の少なくとも一側は樹脂構造体４０（Ａ）である。
【解決手段】第１溝１ａと第２溝１ｂとが連続して形成された基板１と、第１溝１ａ内に設けられた内部導波路１６と、第１溝１ａの先端部に設けられた光路変換用のミラー部１５とを備えている。基板１の表面に実装された光素子１２ａ，１２ｂと、コア部１７と光学的に接続されるファイバーコア部２１を有する光ファイバー２とを備えている。第２溝１ｂ内において、光ファイバー２の両側に設置された光ファイバー位置決め体４０を備え、光ファイバー位置決め体４０の少なくとも一側は樹脂構造体４０（Ａ）である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を送信あるいは受信する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光モジュールとしては、特許文献１に記載されている光モジュールが知られている。この光モジュールでは、図２３に示すように、基板３０に形状の異なる２つのＶ溝３１，３２が形成されている。一方のＶ溝３１には、光ファイバー３３のクラッド部３３ｂが固定されている。クラッド部３３ｂは、Ｖ溝３１，３２の境部分の立ち上がり傾斜部３６によって位置決めされている。
【０００３】
他方のＶ溝３２の先端には、ミラー（反射面）３４が形成されている。このミラー３４によって、光ファイバー３３のコア部３３ａの光軸が変えられる。そして、基板３０に実装される受光素子３５は、光ファイバー３３からの光信号を受光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−５４２２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の光モジュールでは、光ファイバー３３のコア部３３ａの先端３３ｃからミラー３４までの距離が長い。そのため、コア部３３ａから出射された光束が広がるので、光結合効率が低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、光ファイバーからの光信号を受光素子で受ける、または発光素子からの光信号を光ファイバーで受ける構成のいずれであっても、光結合効率が向上する光モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために、本発明は、表面において、少なくとも１本の第１溝と前記第１溝よりも深い第２溝とが連続して形成された基板と、前記基板の第１溝内に設けられた内部導波路と、前記第１溝の先端部に設けられた光路変換用のミラー部と、前記ミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を出射し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子と、前記内部導波路のコア部と光学的に接続されるファイバーコア部およびファイバークラッド部を有する光ファイバーと、前記第２溝内において、前記光ファイバーの両側に設置された光ファイバー位置決め体とを備え、前記光ファイバー位置決め体の少なくとも一側は樹脂構造体であることを特徴とする光モジュールを提供するものである。
【０００８】
前記第１溝と前記第２溝の境界面は、前記基板の表面に対して略垂直である構成とすることができる。
【０００９】
前記第２溝は、少なくとも前記樹脂構造体が位置する部位の底面が平面である構成とすることができる。
【００１０】
前記樹脂構造体は、前記内部導波路と同一の材料である構成とすることができる。
【００１１】
前記光ファイバー位置決め体は、前記基板の端部から前記第１溝の方向に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有する構成とすることができる。
【００１２】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有する構成とすることができる。
【００１３】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に広くなる斜面を有する構成とすることができる。
【００１４】
前記光ファイバー位置決め体間の隙間が、前記光ファイバーのファイバークラッド部の外径よりも狭く設定されている構成とすることができる。
【００１５】
前記樹脂構造体における前記光ファイバーと接する面と反対側の面側に空間が形成されている構成とすることができる。
【００１６】
前記樹脂構造体に、この樹脂構造体の厚み方向全体を貫通するスリットが形成されている構成とすることができる。
【００１７】
前記樹脂構造体に、前記光ファイバーの先端部を当て止める部位が形成されている構成とすることができる。
【００１８】
前記第１溝は、断面形状が略台形状であり、前記第１溝の底面は前記内部導波路のコア部よりも幅は広い構成とすることができる。
【００１９】
前記基板の表面に、前記第２溝よりも深い第３溝が形成され、前記第３溝には、前記光ファイバーの被覆部が設置されている構成とすることができる。
【００２０】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記別基板に、前記光ファイバーの前記被覆部が固定されている構成とすることができる。
【００２１】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記光ファイバーの外周に被覆体が固定されて、前記別基板に、前記被覆体が固定されている構成とすることができる。
【００２２】
複数の前記第１溝の各々は、互いに分離して前記基板に配置されている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板の第１溝にコア部を有する内部導波路を設け、基板の第２溝内に設置した光ファイバーのファイバーコア部を内部導波路のコア部と光学的に接続するようにしている。そして、光素子が発光素子である場合においてミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を出射し、光素子が受光素子である場合においてミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光するようになる。
【００２４】
このように、光ファイバーのファイバーコア部の先端とミラー部との間に内部導波路を介在させているから、発光素子から出射された光束、および光ファイバーのファイバーコア部から出射された光束のいずれも広がらない。したがって、光ファイバーのファイバーコア部の先端とミラー部との間の光信号の伝搬ロスがほとんど無くなるため、光結合効率が向上するようになる。
【００２５】
また、第２溝内において光ファイバーの両側に設置した、少なくとも一側は樹脂構造体である光ファイバー位置決め体を設けることで、光ファイバーを位置決めすることができる。これにより、光ファイバーのファイバーコア部を内部導波路のコア部と光学的に正確に接続できるようなる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態に係る光モジュールの概略側面図である。
【図２】図１の発光側の光モジュールの第１基板であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】発光素子、押さえブロック等を省略した第１基板の平面図である。
【図４】第１基板であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は内部導波路と樹脂構造体を形成した斜視図、（ｃ）は発光素子を実装した斜視図である。
【図５】第１基板であり、（ａ）は光ファイバーを設置した斜視図、（ｂ）は押さえブロックを固定した斜視図、（ｃ）は光ファイバーの要部斜視図である。
【図６】（ａ）はＳｉ異方性エッチングを用いた場合の第１基板の斜視図、（ｂ）はコア部の成形時の断面図である。
【図７】（ａ）は第１溝と第２溝の境界面が斜面である第１基板の側面断面図、（ｂ）は樹脂構造体の隙間に斜面が位置している第１基板の正面断面図、（ｃ）（ｄ）は樹脂構造体が位置する部位の底面が斜面である場合のパターニングを説明するための第１基板の正面断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）はコア部と樹脂構造体とを同時に形成する工程の説明図である。
【図９】（ａ）は樹脂構造体の第１変形例の平面図、（ｂ）は樹脂構造体の第２変形例の正面断面図である。
【図１０】（ａ）は樹脂構造体の第３変形例の正面断面図、（ｂ）は樹脂構造体の第４変形例の正面断面図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）は樹脂構造体の第５変形例の正面断面図、（ｃ）（ｄ）は樹脂構造体の第５変形例の正面断面図である。
【図１２】（ａ）は比較例の樹脂構造体の正面断面図、（ｂ）は多チャンネルの場合の脂構造体の第５変形例の正面断面図である。
【図１３】（ａ）は樹脂構造体の隙間に気泡が混入した状況を説明するための正面断面図、（ｂ）〜（ｄ）は、樹脂構造体の第６〜８変形例の平面図である。
【図１４】（ａ）は樹脂構造体の第９変形例の平面図、（ｂ）は（ａ）の側面断面図である。
【図１５】（ａ）は樹脂構造体の第１０変形例の正面断面図、（ｂ）（ｃ）は第１基板の斜視図である。
【図１６】（ａ）は内部導波路のコア部の第１変形例の平面図、（ｂ）は（ａ）の正面断面図、（ｃ）（ｄ）は第１変形例の他の例の平面図である。
【図１７】（ａ）は内部導波路のコア部の第２変形例の平面図、（ｂ）は（ａ）の正面断面図、（ｃ）（ｄ）は第２変形例の他の例の平面図である。
【図１８】第３溝を形成した第１基板の斜視図である。
【図１９】第２基板に光ファイバーの被覆部を接着固定した側面断面図である。
【図２０】第２基板に光ファイバーの被覆部とファイバークラッド部とを接着固定した側面断面図である。
【図２１】第２基板に光ファイバーの被覆部と被覆体とを接着固定した側面断面図である。
【図２２】複数本の第１溝を形成した多チャンネル用第１基板であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）の正面断面図である。
【図２３】特許文献１の光モジュールであり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図２は図１の発光側の光モジュールの第１基板１を示す図であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は内部導波路１６のクラッド部１８、発光素子１２ａ、押さえブロック２４、光学接着剤１４等を省略した第１基板１の平面図である。
【００２８】
図４（ａ）〜（ｃ）は第１基板１を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は内部導波路と樹脂構造体を形成した斜視図、（ｃ）は発光素子１２ａを実装した斜視図である。図５は第１基板１を示す図であり、（ａ）は光ファイバー２を設置した斜視図、（ｂ）は押さえブロック２４を固定した斜視図、（ｃ）は光ファイバー２の要部斜視図である。
【００２９】
図６（ａ）はＳｉ異方性エッチングを用いた場合の第１基板１の斜視図、図６（ｂ）はコア部１７の成形時の断面図である。
【００３０】
図１において、光モジュールは、発光側の基板である第１基板（マウント基板）１と、受光側の基板である第１基板（マウント基板）３と、この第１基板１，３を光学的に結合する光ファイバー２とを備えている。なお、以下の説明においては、図１の上下方向（矢印Ｙの方向）を上下方向（高さ方向）、紙面と直交する方向を左右方向（幅方向）、図１の左側を前方、右側を後方という。
【００３１】
実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、第１基板１，３には、剛性が必要である。また、光伝送の場合には、発光素子から受光素子までの光伝送のために所定割合以上の効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１，３として、本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）基板が採用されている。
【００３２】
第１基板１，３がシリコン基板であれば、第１基板１，３は、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能である。この溝を利用して高精度なミラー部１５（後述）を形成することが可能である。この溝の内部に内部導波路１６（後述）を形成することが可能になる。また、シリコン基板の平坦性は良好である。
【００３３】
第１基板１，３は、それよりもサイズが大きい第２基板（別基板、例えば、インタポーザ基板）６の表面（上面）にそれぞれ設置されている。各第２基板６の裏面（下面）には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ７がそれぞれ取付けられている。
【００３４】
第１基板１の表面（上面）には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面を下向きとしてバンプ１２ｃ（図２参照）で実装されている。また、第２基板６の表面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。
【００３５】
発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。
【００３６】
ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動するドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板４ａは、第１基板１の表面と第２基板６の表面に形成された配線パターンに接続されている。
【００３７】
第１基板１の表面には、図４（ａ）に示すように、断面形状が略台形状の第１溝（導波路形成用溝）１ａと、断面形状が略矩形状で、第１溝１ａよりも深く、かつ幅が広い第２溝１ｂが前後方向に連続して形成されている。なお、第２溝１ｂは、Ｓｉ異方性エッチングを用いる場合には、第１溝１ａ側の角部分は図４（ａ）のような直角ではなく、図６（ａ）のようなコーナ状の肩となる。
【００３８】
第１溝１ａの先端部には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０度屈曲させるための光路変換用のミラー部１５が形成されている。ミラー部１５には、光の反射効率を高めるため金属等の薄膜を設けることが望ましく、例えば通信波長が赤外域の場合では、Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ等が良好な反射率を有する。さらに、第１基板１の表面に形成された配線パターンと同一材料とすることで、ミラー部１５の金属薄膜と配線パターンとを同時形成することも可能である。
【００３９】
第１基板１の第１溝１ａ内には、図２（ｃ）に示すように、第１基板１の発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路１６が設けられている。この内部導波路１６は、ミラー部１５から第２溝１ｂの方向に延在している。
【００４０】
内部導波路１６は、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されている。
【００４１】
図２（ｃ）のように、コア部１７の左右の両面（両側面）は、クラッド部１８で覆われている。また、図示されていないが、コア部１７の上面も、クラッド部１８で薄く覆われている。
【００４２】
図４（ｃ）のように、内部導波路１６が設けられた第１基板１の表面の所定位置には、発光素子１２ａが実装されている。この発光素子１２ａと第１基板１との間の空間には、図２（ａ）（ｃ）に示されるように、アンダーフィル材（接着性の光学透明樹脂）１３が充填されている。
【００４３】
図１に戻って、受光側の第１基板３について説明する。この受光側の第１基板３の基本的な構成は、発光側の第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側の第１基板３の表面（上面）に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが受光面を下向きとしてバンプで実装されている。また、第２基板６の表面に、この受光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側の第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤが採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。
【００４４】
発光側の第１基板１と受光側の第１基板３およびＩＣ基板４ａ，４ｂは、第２基板６の表面に取付けられたシールドケース８によってそれぞれシールドされている。光ファイバー２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通している。
【００４５】
次に、光ファイバー２を説明する。光ファイバー２は、図１および図５（ｃ）に示すように、発光側の第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と受光側の第１基板３の内部導波路１６のコア部１７とを光学的に結合可能なファイバーコア部２１を有している。光ファイバー２は、ファイバーコア部２１と、このファイバーコア部２１の外周を包囲するファイバークラッド部２２と、このファイバークラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバーコア部２１とファイバークラッド部２２と被覆部２３は、同心状に配置され、これらで構成される光ファイバー２は、円形断面を有する。
【００４６】
光ファイバー２は、図１のように、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通しており、第１基板１の第２溝１ｂの手前付近で被覆部２３が剥がされている。したがって、この剥がされた部分において、ファイバークラッド部２２が露出されている。
【００４７】
図２（ａ）（ｂ）および図５（ａ）（ｂ）のように、第１基板１の第２溝１ｂの底部には、光ファイバー２のファイバークラッド部２２が設置されている。
【００４８】
第２溝１ｂ内には、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の両側に、第２溝１ｂの左右方向の略全長に亘って延在する、矩形状の光ファイバー位置決め体４０が設置されている。本例では、両側の光ファイバー位置決め体４０がいずれも樹脂構造体４０（Ａ）である。そして、ファイバークラッド部２２は、両側の樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に挟み込まれた状態で、下方向と左右方向が位置決めされている。このときに、第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と光ファイバー２のファイバーコア部２１の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合される。
【００４９】
第１基板１の上側には、図２（ａ）および図５（ｂ）のように、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の上部には押えブロック２４が配置されている。この押えブロック２４と第２溝１ｂとの間の空間には、光学接着剤１４が充填されている。
【００５０】
このように、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の先端側の部位は、押えブロック２４によって第２溝１ｂに押え付けられた状態となっている。この先端側の部位は、押えブロック２４とともに第１基板１に光学接着剤１４によって接着固定される。
【００５１】
前記のように構成した光モジュールでは、第１基板１の第１溝１ａにおいて、コア部１７とクラッド部１８とからなる内部導波路１６が設けられている。また、第１基板１の第２溝１ｂ内に設置された光ファイバー２のファイバーコア部２１は、内部導波路１６のコア部１７と光学的に接続されている。そして、光素子が発光素子１２ａである発光側の第１基板１では、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を出射する。また、光素子が受光素子１２ｂである受光側の第１基板３では、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する。
【００５２】
このように、光ファイバー２のファイバーコア部２１の先端とミラー部１５との間に内部導波路１６が介在しているから、発光素子１２ａから出射された光束、および光ファイバー２のファイバーコア部２１から出射された光束のいずれもが広がることがない。したがって、光ファイバー２のファイバーコア部２１の先端とミラー部１５との間の光信号の伝搬ロスがほとんど無くなるため、光結合効率が向上する。
【００５３】
また、第２溝１ｂ内において光ファイバー２の両側に設置した、少なくとも一側は樹脂構造体４０（Ａ）である光ファイバー位置決め体４０を設けることで、光ファイバー２を位置決めすることができる。これにより、光ファイバー２のファイバーコア部２１を内部導波路１６のコア部１７と光学的に正確に接続できるようなる。
【００５４】
さらに、第１溝１ａの底面を内部導波路１６のコア部１７よりも広い幅にすれば、図６（ｂ）のように、コア部１７の成形時において、内部導波路１６のコア部１７をパターニング（光硬化）する際、底面での不要な反射がなくなる。したがって、この場合、高精度なコア形状を得ることができる。
【００５５】
図２（ａ）のように、第１溝１ａと第２溝１ｂの境界面４２は、第１基板１の表面に対して略垂直としている。これにより、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の先端部を内部導波路１６の端部に近づけることができるから、内部導波路１６と光ファイバー２との距離が近くなるため、光結合効率が向上する。また光ファイバー２の先端部を境界面４２に当て止めるだけで、光ファイバー２の光軸方向の位置決めができるので、生産性が向上する。
【００５６】
因みに、境界面４２が図７（ａ）のような斜面であると、内部導波路１６と光ファイバー２との距離が大きくなる。また、光軸方向に光ファイバー２を挿入すると境界面４２である斜面に乗り上げて、光軸ずれが発生するおそれがある。
【００５７】
また、図２（ｂ）のように、第２溝１ｂは、少なくとも樹脂構造体４０（Ａ）が位置する部位の底面を平面とすれば、樹脂構造体４０（Ａ）をパターニング（光硬化）させる際に、底面が平面であると、パターン精度が向上する。なお、図７（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に斜面１ｄが位置してもよい。
【００５８】
因みに、図７（ｃ）（ｄ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）が位置する部位の底面が斜面１ｄであると、樹脂構造体４０（Ａ）をパターニング（光硬化）させる際に、光が斜面１ｄで反射してパターン精度が低下するおそれがある。
【００５９】
さらに、樹脂構造体４０（Ａ）は、内部導波路１６のコア部１７と同一の材料とすることができる。例えば、図８（ａ）のように、第１基板１に第１溝１ａと第２溝１ｂとを形成した後、図８（ｂ）のように、第１溝１ａと第２溝１ｂにコア部１７の材料（ハッチング参照）を充填する。その後、図８（ｃ）のように、パターニングでコア部１７と樹脂構造体４０（Ａ）とを同時に形成することができる。なお、樹脂構造体４０（Ａ）は、内部導波路１６のクラッド部１８と同一の材料とすることも可能である。
【００６０】
このようにすれば、内部導波路１６のコア部１７と光ファイバー２の位置決め用の樹脂構造体４０（Ａ）とを同時に形成できるため、第１基板１の水平方向の光軸ずれを低減することができ、形成工程も減少させることができる。
【００６１】
図９（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）は、第１基板１の端部から第１溝１ａの方向に向かって、樹脂構造体４０（Ａ）間の隙間Ｗ１が徐々に狭くなる内斜面４０ａを有してもよい。
【００６２】
このようにすれば、樹脂構造体４０（Ａ）の内斜面４０ａが誘い込み構造となる。したがって、両側の樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に光ファイバー２を挿入する際に、光ファイバー２の位置合わせがラフであっても、内部導波路１６のコア部１７と正確に光軸合わせができるので、生産性が向上する。
【００６３】
図９（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）は、第２溝１ｂの底面から第１基板１の表面に向かって、樹脂構造体４０（Ａ）間の隙間Ｗ２が徐々に狭くなる内斜面４０ｂを有してもよい。
【００６４】
このようにすれば、樹脂構造体４０（Ａ）をその弾性で左右方向（矢印ａ参照）に無理開きしながら、光ファイバー２を上部の隙間から挿入するだけで仮止めされる。したがって、光ファイバー２を光学接着剤１４で本接着するまでの位置ずれが発生しにくくなって、作業性が向上する。
【００６５】
図１０（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）は、第２溝１ｂの底面から第１基板１の表面に向かって、樹脂構造体４０（Ａ）間の隙間Ｗ２が徐々に広くなる内斜面４０ｃを有してもよい。
【００６６】
このようにすれば、樹脂構造体４０（Ａ）の内斜面４０ｃが誘い込み構造となる。したがって、両側の樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に光ファイバー２を挿入する際に、光ファイバー２の位置合わせがラフであっても、内部導波路１６のコア部１７と正確に光軸合わせができるので、生産性が向上する。なお、内斜面４０ｃの全体が傾斜している必要はなく、図１０（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）の上部のみが傾斜した内斜面４０ｃであってもよい。
【００６７】
図１１（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）の隙間Ｗ３を、光ファイバー２のクラッファイバークラッド部２２の外径Ｗ４よりも狭く設定してもよい。
【００６８】
このようにすれば、図１１（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）をその弾性で左右方向（矢印ａ参照）に無理開きしながら、光ファイバー２を上部の隙間から挿入することができる。したがって、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の外径Ｗ４に対して樹脂構造体４０（Ａ）の隙間Ｗ３をマイナス公差としても、光ファイバー２を設置することができる。また、光ファイバー２は樹脂構造体４０（Ａ）の弾性で挟み込まれるので、がたつきがなくなって光軸ずれを低減できる。
【００６９】
なお、図１１（ｃ）のように、図の左側の樹脂構造体４０（Ａ）を図の右側の樹脂構造体４０（Ａ）よりも厚くすれば、図１１（ｄ）のように、図の右側の薄い樹脂構造体４０（Ａ）のみが右方向（矢印ａ参照）に無理開きする。したがって、図の左側の厚い樹脂構造体４０（Ａ）が基準面となるので、光ファイバー２の位置決めが正確になる。
【００７０】
図１１（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）における光ファイバー２と接する面と反対側の面側に空間４３を形成してもよい。
【００７１】
このようにすれば、空間４３を形成することで、図１１（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）が弾性変形しやすくなって、樹脂構造体４０（Ａ）の破損を防ぐことができる。
【００７２】
因みに、図１２（ａ）のように空間がないと、樹脂構造体４０（Ａ）の塑性変形または破損（符号ｂ参照）を招く可能性がある。その結果、発生したパーティクルが光ファイバー２または内部導波路１６の端面に付着することによる光学ロスの増加や、樹脂構造体４０（Ａ）の破損した部位に、光学接着樹脂等が充填されずに気泡となり、信頼性を低下させるおそれがある。
【００７３】
なお、図１２（ｂ）は後述する多チャンネルの例であり、多チャンネルであっても、空間４３を形成しておくことが好ましい。
【００７４】
図１３（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に光学接着剤１４を充填して光ファイバー２を接着した際に、充填時に混入した気泡ｃが樹脂構造体４０（Ａ）の隙間の下部から抜けなくなる。
【００７５】
そこで、図１３（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）に、この樹脂構造体４０（Ａ）の厚み（上下）方向全体を貫通するスリット４０ｄを形成する。図１３（ｂ）では、短片状の樹脂構造体４０（Ａ）を一定の間隔を隔てて並べることでスリット４０ｄを形成している。
【００７６】
このようにすれば、スリット４０ｄを形成することで、光ファイバー２を接着剤接着する際に混入した気泡ｃが上方に抜けやすくなって、接着の信頼性が向上する。
【００７７】
なお、スリット４０ｄは、図１３（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）を櫛歯状にすることで形成でき、あるいは、図１３（ｄ）のように、短片状の樹脂構造体４０（Ａ）を一定の間隔を隔てて斜め状に並べることでも形成できる。
【００７８】
図１４（ａ）（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）に、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の先端部を当て止める鉤状部位４０ｅを形成することができる。
【００７９】
このようにすれば、光ファイバー２の光軸方向に対する位置決めができるので、生産性が向上する。
【００８０】
前記実施形態では、第２溝１ｂの左右両側の光ファイバー位置決め体４０がいずれも樹脂構造体４０（Ａ）であった。これに対して、例えば第２溝１ｂの左側の樹脂構造体４０（Ａ）を省略して、図１５（ａ）〜（ｃ）のように、エッチングで形成できる第１基板１の張り出し部１ｅを光ファイバー位置決め構造体４０として、光ファイバー２を位置決めすることもできる。
【００８１】
一方、光素子が発光素子１２ａである発光側の第１基板１では、図１６（ａ）（ｂ）のように、内部導波路１６のコア部１７は、下記のように形成することができる。すなわち、ミラー部１５から光ファイバー２のファイバーコア部２１との接続端部に向かって、両側面１７ａの幅Ｗ５が直線的に徐々に細くなるような斜面状に形成する。また、両側面１７ａは、図１６（ｃ）のような段階的な直線の斜面状、あるいは図１６（ｄ）のような曲線の斜面状に形成することもできる。
【００８２】
逆に、光素子が受光素子１２ｂである受光側の第１基板３では、図１７（ａ）（ｂ）のように、内部導波路１６のコア部１７は、下記のように形成することができる。すなわち、光ファイバー２のファイバーコア部２１との接続端部からミラー部１５に向かって、両側面１７ａの幅Ｗ５が直線的に徐々に細くなるような斜面状に形成する。また、両側面１７ａは、図１７（ｃ）のような段階的な直線の斜面状、あるいは図１７（ｄ）のような曲線の斜面状に形成することもできる。
【００８３】
このようにすれば、光素子が発光素子１２ａのときは、内部導波路１６のコア部１７を先細り（すなわち、前方へ行くにしたがって細くなる形状）とすることによって、発光素子１２ａから出射された光束が収束される。また、光素子が受光素子１２ｂのときは、内部導波路１６のコア部１７を後細り（すなわち、後方へ行くにしたがって細くなる形状）とすることによって、光ファイバー２のファイバーコア部２１から出射された光束が収束される。したがって、いずれの場合でも光結合効率がより向上するようになる。
【００８４】
また、内部導波路１６のコア部１７の幅は、第１溝１ａの上端の幅よりも狭くすることができる。
【００８５】
このようにすれば、内部導波路１６のコア部１７の幅が第１溝１ａの上端の幅と同じである場合には、発光素子１２ａからの光束がコア部１７で幅方向に広がって、光束の一部が光ファイバー２のファイバーコア部２１に至らないおそれがある。そこで、コア部１７の幅を第１溝１ａの上端の幅よりも狭く、好ましくは、ファイバーコア部２１の幅と略同幅とすることで、光束のほぼ全部を光ファイバー２のファイバーコア部２１に至らせることができるので、光結合効率が向上する。
【００８６】
さらに、図２（ｃ）のように、第１溝１ａは、断面形状が略台形状であり、第１溝１ａの底面は内部導波路１６のコア部１７よりも幅を広くすることができる。
【００８７】
このようにすれば、第１溝１ａの底面を内部導波路１６のコア部１７よりも広い幅にしたから、コア部１７の成形時に、内部導波路１６のコア部１７をパターニング（光硬化）する際、底面での不要な反射がなくなるので、高精度なコア形状を得ることができる。
【００８８】
因みに、特許文献１に示されるようなＶ溝であると、光が反射してパターニング精度が著しく低下する懸念がある。
【００８９】
図１８のように、第１基板１の表面には、第２溝１ｂに連続して、第２溝１ｂよりも深い第３溝１ｃを形成して、第３溝１ｃに光ファイバー２の被覆部２３を設置することが可能である。
【００９０】
このようにすれば、光ファイバー２の被覆部２３も第１基板１の第３溝１ｃに設置できるから、ファイバークラッド部２２の被覆部２３との境界部分に光ファイバー２からの応力が集中するのを防止することができる。
【００９１】
ファイバークラッド部２２と同様に、被覆部２３を第３溝１ｃに接着剤で接着固定すれば、光ファイバー２の固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバー２に曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路１６との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下することがない。
【００９２】
なお、第３溝１ｃの光ファイバー２の被覆部２３の両側に、第２溝１ｂと同様の樹脂構造体４０（Ａ）を設置して、光ファイバー２を位置決めすることもできる。
【００９３】
また、第１基板１は、第１基板１よりもサイズが大きい第２（別）基板６に設置されている場合には、図１９のように、第２基板６の表面に肉盛りされた接着剤２０によって、光ファイバー２の被覆部２３を第２基板６に固定することが可能である。
【００９４】
このようにすれば、光ファイバー２の被覆部２３を第２基板６に設置して固定できるから、光ファイバー２の固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバー２に曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路１６との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下しなくなる。さらに、光ファイバー２の被覆部２３を第１基板１の第３溝１ｃに設置して固定する構造を併用すれば、より固定強度が向上する。
【００９５】
なお、図２０のように、第１基板１に第３溝１ｃが無い場合には、光ファイバー２の被覆部２３を第２基板６の上方まで後退させて、第２基板６の表面に肉盛りされた接着剤２０によって、光ファイバー２の被覆部２３とファイバークラッド部２２とを同時に第２基板６に固定することも可能である。
【００９６】
図２１のように、光ファイバー２の被覆部２３にチューブ状の被覆体２５が嵌め込まれる場合には、第２基板６に、光ファイバー２の被覆部２３と被覆体２５とを接着剤２０で固定することができる。この被覆体２５は、各基板１，６に光ファイバー２を平行状態に維持できる外径に設定されている。なお、被覆体２５は、被覆部２３の外周を覆うものであれば、被覆部２３に嵌め込むものに限らない。
【００９７】
被覆部２３は、例えばＵＶ硬化性樹脂で形成された厚さ５〜１０μｍ程度の層であり、被覆体２５は、例えばＰＶＣやナイロン、または熱可塑性ポリエステルエラストマー〔例えば、ハイトレル（登録商標）〕で形成され、単心では外径が９００ミクロン程度のものである。
【００９８】
このように構成すれば、被覆体２５は、第２基板６に設置され、光ファイバー２の被覆部２３とともに第２基板６に固定されることが可能である。それによって、光ファイバー２の固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバー２に曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路１６との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下しなくなる。さらに、光ファイバー２の被覆部２３を第１基板１の第３溝１ｃに設置して固定する構造を併用すれば、より固定強度が向上する。加えて、光ファイバー２の自重による撓みを被覆体２５の厚みによって抑制することができ、光ファイバー２を各基板１，６に平行状態で固定できる。それによって、光ファイバー２と内部導波路１６との光結合部に応力が発生しにくいので、光結合効率が低下しにくくなる。なお、第２基板６に被覆体２５のみを接着剤２０で固定しても、同様の作用効果を奏することができる。
【００９９】
被覆体２５は、シールドケース８の貫通孔８ａから外部に出る光ファイバー２の被覆部２３の曲げに対する保護のために、貫通孔８ａの前後部分の被覆部２３に嵌め込む短いタイプ（例えば２０〜４０ｍｍ長さ）がある。また、被覆体２５は、光ファイバー２の全体の強度保護および難燃対応のために、モジュール間を繋ぐ被覆部２３の全長を覆う長いタイプがある。
【０１００】
前記実施形態では、１つの第１基板１の表面に第１溝１ａおよび第２溝１ｂがそれぞれ１本ずつ形成された例が示されているが、これに限定されるものではない。すなわち、図２２（ａ）（ｂ）のように、複数本（本例では４本）の第１溝１ａを第１基板１の表面に平行に形成して多チャンネル化してもよい。
【０１０１】
このようにすれば、複数の第１溝１ａが互いに第１基板１の材料によって分離された状態で配置されているので、第１溝１ａの各々を通る光信号が隣接する第１溝１ａへ漏洩（クロストーク）することを抑制することが可能である。
【０１０２】
また、第２溝１ｂが互いに樹脂構造体４０（Ａ）によって分離された状態で配置されているので、第２溝１ｂを通る光ファイバー２の光信号が漏洩（クロストーク）することを抑制することが可能である。
【０１０３】
以上のように、本実施形態の光モジュールは、表面において、少なくとも１本の第１溝と前記第１溝よりも深い第２溝とが連続して形成された基板と、前記基板の第１溝内に設けられた内部導波路と、前記第１溝の先端部に設けられた光路変換用のミラー部と、前記ミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を出射し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子と、前記内部導波路のコア部と光学的に接続されるファイバーコア部およびファイバークラッド部を有する光ファイバーと、前記第２溝内において、前記光ファイバーの両側に設置された光ファイバー位置決め体とを備え、前記光ファイバー位置決め体の少なくとも一側は樹脂構造体であることを特徴とするものである。
【０１０４】
これによれば、基板の第１溝にコア部を有する内部導波路を設け、基板の第２溝内に設置した光ファイバーのファイバーコア部を内部導波路のコア部と光学的に接続するようにしている。そして、光素子が発光素子である場合においてミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を出射し、光素子が受光素子である場合においてミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光するようになる。
【０１０５】
このように、光ファイバーのファイバーコア部の先端とミラー部との間に内部導波路を介在させているから、発光素子から出射された光束、および光ファイバーのファイバーコア部から出射された光束のいずれも広がらない。したがって、光ファイバーのファイバーコア部の先端とミラー部との間の光信号の伝搬ロスがほとんど無くなるため、光結合効率が向上するようになる。
【０１０６】
また、第２溝内において光ファイバーの両側に設置した、少なくとも一側は樹脂構造体である光ファイバー位置決め体を設けることで、光ファイバーを位置決めすることができる。これにより、光ファイバーのファイバーコア部を内部導波路のコア部と光学的に正確に接続できるようなる。
【０１０７】
前記第１溝と前記第２溝の境界面は、前記基板の表面に対して略垂直である構成とすることができる。
【０１０８】
これによれば、光ファイバーの先端部を内部導波路の端部に近づけることができるから、内部導波路と光ファイバーとの距離が近くなるため、光結合効率が向上する。また光ファイバーの先端部を境界面に当て止めるだけで、光ファイバーの光軸方向の位置決めができるので、生産性が向上する。
【０１０９】
前記第２溝は、少なくとも前記樹脂構造体が位置する部位の底面が平面である構成とすることができる。
【０１１０】
これによれば、樹脂構造体をパターニング（光硬化）させる際に、底面が平面であると、パターン精度が向上する。
【０１１１】
前記樹脂構造体は、前記内部導波路と同一の材料である構成とすることができる。
【０１１２】
これによれば、内部導波路と光ファイバーの位置決め用の樹脂構造体とを同時に形成できるため、基板の水平方向の光軸ずれを低減することができ、形成工程も減少することができる。
【０１１３】
前記光ファイバー位置決め体は、前記基板の端部から前記第１溝の方向に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有する構成とすることができる。
【０１１４】
これによれば、光ファイバー位置決め体間の斜面が誘い込み構造となって、両側の光ファイバー位置決め体間の隙間に光ファイバーを挿入する際に、光ファイバーの位置合わせがラフであっても、内部導波路のコア部と正確に光軸合わせができるので、生産性が向上する。
【０１１５】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有する構成とすることができる。
【０１１６】
これによれば、光ファイバー位置決め体をその弾性で無理開きしながら、光ファイバーを光ファイバー位置決め体間の上部の隙間から挿入するだけで仮止めされるので、光ファイバーを光学接着剤で本接着するまでの位置ずれが発生しにくくなって、作業性が向上する。
【０１１７】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に広くなる斜面を有する構成とすることができる。
【０１１８】
これによれば、光ファイバー位置決め体間の斜面が誘い込み構造となって、両側の光ファイバー位置決め体間の隙間に光ファイバーを挿入する際に、光ファイバーの位置合わせがラフであっても、内部導波路のコア部と正確に光軸合わせができるので、生産性が向上する。
【０１１９】
前記光ファイバー位置決め体間の隙間が、前記光ファイバーのファイバークラッド部の外径よりも狭く設定されている構成とすることができる。
【０１２０】
これによれば、光ファイバー位置決め体をその弾性で無理開きしながら、光ファイバーを光ファイバー位置決め体間の上部の隙間から挿入することができるから、光ファイバーのファイバークラッド部の外径に対して光ファイバー位置決め体間の隙間をマイナス公差としても、光ファイバーを設置することができる。また、光ファイバーは光ファイバー位置決め体の弾性で挟み込まれるので、がたつきがなくなって光軸ずれを低減できる。
【０１２１】
前記樹脂構造体における前記光ファイバーと接する面と反対側の面側に空間が形成されている構成とすることができる。
【０１２２】
これによれば、空間を形成することで、樹脂構造体が弾性変形しやすくなって、樹脂構造体の破損を防ぐことができる。因みに、空間がないと、樹脂構造体の塑性変形または破損を招く可能性がある。結果、発生したパーティクルが光ファイバーまたは光導波路端面に付着することによる光学ロスの増加や、樹脂構造体の破損した部位に、光学接着樹脂が充填されずに気泡となり、信頼性を低下させるおそれがある。
【０１２３】
前記樹脂構造体に、この樹脂構造体の厚み方向全体を貫通するスリットが形成されている構成とすることができる。
【０１２４】
これによれば、スリットを形成することで、光ファイバーを光学接着剤で接着した際に混入した気泡が上方に抜けやすくなって、接着の信頼性が向上する。
【０１２５】
前記樹脂構造体に、前記光ファイバーの先端部を当て止める部位が形成されている構成とすることができる。
【０１２６】
これによれば、光ファイバーの光軸方向に対する位置決めができるので、生産性が向上する。
【０１２７】
前記第１溝は、断面形状が略台形状であり、前記第１溝の底面は前記内部導波路のコア部よりも幅は広い構成とすることができる。
【０１２８】
これによれば、第１溝の底面を内部導波路のコア部よりも広い幅にしたから、コア部の成形時に、内部導波路のコア部をパターニング（光硬化）する際、底面での不要な反射がなくなるので、高精度なコア形状を得ることができる。因みに、特許文献１に示されるようなＶ溝であると、光が反射してパターニング精度が著しく低下する懸念がある。
【０１２９】
前記基板の表面に、前記第２溝よりも深い第３溝が形成され、前記第３溝には、前記光ファイバーの被覆部が設置されている構成とすることができる。
【０１３０】
これによれば、光ファイバーの被覆部も第１基板の第３溝に設置できるから、ファイバークラッド部の被覆部との境界部分に光ファイバーからの応力が集中するのを防止することができる。
【０１３１】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記別基板に、前記光ファイバーの前記被覆部が固定されている構成とすることができる。
【０１３２】
これによれば、光ファイバーの被覆部を別基板に設置して固定できるから、光ファイバーの固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバーに曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下しなくなる。
【０１３３】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記光ファイバーの外周に被覆体が固定されて、前記別基板に、前記被覆体が固定されている構成とすることができる。
【０１３４】
これによれば、被覆体を別基板に設置して固定できるから、光ファイバーの固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバーに曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下しなくなる。加えて、光ファイバーの自重による撓みを被覆体の厚みで抑制して、光ファイバーを各基板に平行状態で固定できる。それによって、内部導波路との光結合部に応力が発生しにくいので、光結合効率が低下しにくくなる。
【０１３５】
複数の前記第１溝の各々は、互いに分離して前記基板に配置されている構成とすることができる。
【０１３６】
これによれば、複数の第１溝が互いに分離された状態で第１基板に配置されて多チャンネル化されているので、第１溝の各々を通る光信号が漏れて隣接する第１溝を通る光信号へ影響を与える現象、いわゆるクロストークの発生を抑えることが可能である。また、それによって、各々の第１溝における光結合効率が高くなる。
【符号の説明】
【０１３７】
１ 第１基板
１ａ 第１溝
１ｂ 第２溝
１ｃ 第３溝
２ 光ファイバー
６ 第２基板（別基板）
１２ａ 発光素子（光素子）
１２ｂ 受光素子（光素子）
１３ アンダーフィル材
１４ 光学接着剤
１５ ミラー部
１６ 内部導波路
１７ コア部
１８ クラッド部
２１ ファイバーコア部
２２ ファイバークラッド部
２３ 被覆部
２５ 被覆体
４０ 光ファイバー位置決め体
４０（Ａ） 樹脂構造体
４２ 境界面
４３ 空間
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を送信あるいは受信する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光モジュールとしては、特許文献１に記載されている光モジュールが知られている。この光モジュールでは、図２３に示すように、基板３０に形状の異なる２つのＶ溝３１，３２が形成されている。一方のＶ溝３１には、光ファイバー３３のクラッド部３３ｂが固定されている。クラッド部３３ｂは、Ｖ溝３１，３２の境部分の立ち上がり傾斜部３６によって位置決めされている。
【０００３】
他方のＶ溝３２の先端には、ミラー（反射面）３４が形成されている。このミラー３４によって、光ファイバー３３のコア部３３ａの光軸が変えられる。そして、基板３０に実装される受光素子３５は、光ファイバー３３からの光信号を受光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−５４２２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の光モジュールでは、光ファイバー３３のコア部３３ａの先端３３ｃからミラー３４までの距離が長い。そのため、コア部３３ａから出射された光束が広がるので、光結合効率が低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、光ファイバーからの光信号を受光素子で受ける、または発光素子からの光信号を光ファイバーで受ける構成のいずれであっても、光結合効率が向上する光モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために、本発明は、表面において、少なくとも１本の第１溝と前記第１溝よりも深い第２溝とが連続して形成された基板と、前記基板の第１溝内に設けられた内部導波路と、前記第１溝の先端部に設けられた光路変換用のミラー部と、前記ミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を出射し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子と、前記内部導波路のコア部と光学的に接続されるファイバーコア部およびファイバークラッド部を有する光ファイバーと、前記第２溝内において、前記光ファイバーの両側に設置された光ファイバー位置決め体とを備え、前記光ファイバー位置決め体の少なくとも一側は樹脂構造体であることを特徴とする光モジュールを提供するものである。
【０００８】
前記第１溝と前記第２溝の境界面は、前記基板の表面に対して略垂直である構成とすることができる。
【０００９】
前記第２溝は、少なくとも前記樹脂構造体が位置する部位の底面が平面である構成とすることができる。
【００１０】
前記樹脂構造体は、前記内部導波路と同一の材料である構成とすることができる。
【００１１】
前記光ファイバー位置決め体は、前記基板の端部から前記第１溝の方向に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有する構成とすることができる。
【００１２】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有する構成とすることができる。
【００１３】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に広くなる斜面を有する構成とすることができる。
【００１４】
前記光ファイバー位置決め体間の隙間が、前記光ファイバーのファイバークラッド部の外径よりも狭く設定されている構成とすることができる。
【００１５】
前記樹脂構造体における前記光ファイバーと接する面と反対側の面側に空間が形成されている構成とすることができる。
【００１６】
前記樹脂構造体に、この樹脂構造体の厚み方向全体を貫通するスリットが形成されている構成とすることができる。
【００１７】
前記樹脂構造体に、前記光ファイバーの先端部を当て止める部位が形成されている構成とすることができる。
【００１８】
前記第１溝は、断面形状が略台形状であり、前記第１溝の底面は前記内部導波路のコア部よりも幅は広い構成とすることができる。
【００１９】
前記基板の表面に、前記第２溝よりも深い第３溝が形成され、前記第３溝には、前記光ファイバーの被覆部が設置されている構成とすることができる。
【００２０】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記別基板に、前記光ファイバーの前記被覆部が固定されている構成とすることができる。
【００２１】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記光ファイバーの外周に被覆体が固定されて、前記別基板に、前記被覆体が固定されている構成とすることができる。
【００２２】
複数の前記第１溝の各々は、互いに分離して前記基板に配置されている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板の第１溝にコア部を有する内部導波路を設け、基板の第２溝内に設置した光ファイバーのファイバーコア部を内部導波路のコア部と光学的に接続するようにしている。そして、光素子が発光素子である場合においてミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を出射し、光素子が受光素子である場合においてミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光するようになる。
【００２４】
このように、光ファイバーのファイバーコア部の先端とミラー部との間に内部導波路を介在させているから、発光素子から出射された光束、および光ファイバーのファイバーコア部から出射された光束のいずれも広がらない。したがって、光ファイバーのファイバーコア部の先端とミラー部との間の光信号の伝搬ロスがほとんど無くなるため、光結合効率が向上するようになる。
【００２５】
また、第２溝内において光ファイバーの両側に設置した、少なくとも一側は樹脂構造体である光ファイバー位置決め体を設けることで、光ファイバーを位置決めすることができる。これにより、光ファイバーのファイバーコア部を内部導波路のコア部と光学的に正確に接続できるようなる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態に係る光モジュールの概略側面図である。
【図２】図１の発光側の光モジュールの第１基板であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】発光素子、押さえブロック等を省略した第１基板の平面図である。
【図４】第１基板であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は内部導波路と樹脂構造体を形成した斜視図、（ｃ）は発光素子を実装した斜視図である。
【図５】第１基板であり、（ａ）は光ファイバーを設置した斜視図、（ｂ）は押さえブロックを固定した斜視図、（ｃ）は光ファイバーの要部斜視図である。
【図６】（ａ）はＳｉ異方性エッチングを用いた場合の第１基板の斜視図、（ｂ）はコア部の成形時の断面図である。
【図７】（ａ）は第１溝と第２溝の境界面が斜面である第１基板の側面断面図、（ｂ）は樹脂構造体の隙間に斜面が位置している第１基板の正面断面図、（ｃ）（ｄ）は樹脂構造体が位置する部位の底面が斜面である場合のパターニングを説明するための第１基板の正面断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）はコア部と樹脂構造体とを同時に形成する工程の説明図である。
【図９】（ａ）は樹脂構造体の第１変形例の平面図、（ｂ）は樹脂構造体の第２変形例の正面断面図である。
【図１０】（ａ）は樹脂構造体の第３変形例の正面断面図、（ｂ）は樹脂構造体の第４変形例の正面断面図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）は樹脂構造体の第５変形例の正面断面図、（ｃ）（ｄ）は樹脂構造体の第５変形例の正面断面図である。
【図１２】（ａ）は比較例の樹脂構造体の正面断面図、（ｂ）は多チャンネルの場合の脂構造体の第５変形例の正面断面図である。
【図１３】（ａ）は樹脂構造体の隙間に気泡が混入した状況を説明するための正面断面図、（ｂ）〜（ｄ）は、樹脂構造体の第６〜８変形例の平面図である。
【図１４】（ａ）は樹脂構造体の第９変形例の平面図、（ｂ）は（ａ）の側面断面図である。
【図１５】（ａ）は樹脂構造体の第１０変形例の正面断面図、（ｂ）（ｃ）は第１基板の斜視図である。
【図１６】（ａ）は内部導波路のコア部の第１変形例の平面図、（ｂ）は（ａ）の正面断面図、（ｃ）（ｄ）は第１変形例の他の例の平面図である。
【図１７】（ａ）は内部導波路のコア部の第２変形例の平面図、（ｂ）は（ａ）の正面断面図、（ｃ）（ｄ）は第２変形例の他の例の平面図である。
【図１８】第３溝を形成した第１基板の斜視図である。
【図１９】第２基板に光ファイバーの被覆部を接着固定した側面断面図である。
【図２０】第２基板に光ファイバーの被覆部とファイバークラッド部とを接着固定した側面断面図である。
【図２１】第２基板に光ファイバーの被覆部と被覆体とを接着固定した側面断面図である。
【図２２】複数本の第１溝を形成した多チャンネル用第１基板であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）の正面断面図である。
【図２３】特許文献１の光モジュールであり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図２は図１の発光側の光モジュールの第１基板１を示す図であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は内部導波路１６のクラッド部１８、発光素子１２ａ、押さえブロック２４、光学接着剤１４等を省略した第１基板１の平面図である。
【００２８】
図４（ａ）〜（ｃ）は第１基板１を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は内部導波路と樹脂構造体を形成した斜視図、（ｃ）は発光素子１２ａを実装した斜視図である。図５は第１基板１を示す図であり、（ａ）は光ファイバー２を設置した斜視図、（ｂ）は押さえブロック２４を固定した斜視図、（ｃ）は光ファイバー２の要部斜視図である。
【００２９】
図６（ａ）はＳｉ異方性エッチングを用いた場合の第１基板１の斜視図、図６（ｂ）はコア部１７の成形時の断面図である。
【００３０】
図１において、光モジュールは、発光側の基板である第１基板（マウント基板）１と、受光側の基板である第１基板（マウント基板）３と、この第１基板１，３を光学的に結合する光ファイバー２とを備えている。なお、以下の説明においては、図１の上下方向（矢印Ｙの方向）を上下方向（高さ方向）、紙面と直交する方向を左右方向（幅方向）、図１の左側を前方、右側を後方という。
【００３１】
実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、第１基板１，３には、剛性が必要である。また、光伝送の場合には、発光素子から受光素子までの光伝送のために所定割合以上の効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１，３として、本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）基板が採用されている。
【００３２】
第１基板１，３がシリコン基板であれば、第１基板１，３は、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能である。この溝を利用して高精度なミラー部１５（後述）を形成することが可能である。この溝の内部に内部導波路１６（後述）を形成することが可能になる。また、シリコン基板の平坦性は良好である。
【００３３】
第１基板１，３は、それよりもサイズが大きい第２基板（別基板、例えば、インタポーザ基板）６の表面（上面）にそれぞれ設置されている。各第２基板６の裏面（下面）には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ７がそれぞれ取付けられている。
【００３４】
第１基板１の表面（上面）には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面を下向きとしてバンプ１２ｃ（図２参照）で実装されている。また、第２基板６の表面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。
【００３５】
発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。
【００３６】
ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動するドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板４ａは、第１基板１の表面と第２基板６の表面に形成された配線パターンに接続されている。
【００３７】
第１基板１の表面には、図４（ａ）に示すように、断面形状が略台形状の第１溝（導波路形成用溝）１ａと、断面形状が略矩形状で、第１溝１ａよりも深く、かつ幅が広い第２溝１ｂが前後方向に連続して形成されている。なお、第２溝１ｂは、Ｓｉ異方性エッチングを用いる場合には、第１溝１ａ側の角部分は図４（ａ）のような直角ではなく、図６（ａ）のようなコーナ状の肩となる。
【００３８】
第１溝１ａの先端部には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０度屈曲させるための光路変換用のミラー部１５が形成されている。ミラー部１５には、光の反射効率を高めるため金属等の薄膜を設けることが望ましく、例えば通信波長が赤外域の場合では、Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ等が良好な反射率を有する。さらに、第１基板１の表面に形成された配線パターンと同一材料とすることで、ミラー部１５の金属薄膜と配線パターンとを同時形成することも可能である。
【００３９】
第１基板１の第１溝１ａ内には、図２（ｃ）に示すように、第１基板１の発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路１６が設けられている。この内部導波路１６は、ミラー部１５から第２溝１ｂの方向に延在している。
【００４０】
内部導波路１６は、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されている。
【００４１】
図２（ｃ）のように、コア部１７の左右の両面（両側面）は、クラッド部１８で覆われている。また、図示されていないが、コア部１７の上面も、クラッド部１８で薄く覆われている。
【００４２】
図４（ｃ）のように、内部導波路１６が設けられた第１基板１の表面の所定位置には、発光素子１２ａが実装されている。この発光素子１２ａと第１基板１との間の空間には、図２（ａ）（ｃ）に示されるように、アンダーフィル材（接着性の光学透明樹脂）１３が充填されている。
【００４３】
図１に戻って、受光側の第１基板３について説明する。この受光側の第１基板３の基本的な構成は、発光側の第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側の第１基板３の表面（上面）に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが受光面を下向きとしてバンプで実装されている。また、第２基板６の表面に、この受光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側の第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤが採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。
【００４４】
発光側の第１基板１と受光側の第１基板３およびＩＣ基板４ａ，４ｂは、第２基板６の表面に取付けられたシールドケース８によってそれぞれシールドされている。光ファイバー２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通している。
【００４５】
次に、光ファイバー２を説明する。光ファイバー２は、図１および図５（ｃ）に示すように、発光側の第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と受光側の第１基板３の内部導波路１６のコア部１７とを光学的に結合可能なファイバーコア部２１を有している。光ファイバー２は、ファイバーコア部２１と、このファイバーコア部２１の外周を包囲するファイバークラッド部２２と、このファイバークラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバーコア部２１とファイバークラッド部２２と被覆部２３は、同心状に配置され、これらで構成される光ファイバー２は、円形断面を有する。
【００４６】
光ファイバー２は、図１のように、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通しており、第１基板１の第２溝１ｂの手前付近で被覆部２３が剥がされている。したがって、この剥がされた部分において、ファイバークラッド部２２が露出されている。
【００４７】
図２（ａ）（ｂ）および図５（ａ）（ｂ）のように、第１基板１の第２溝１ｂの底部には、光ファイバー２のファイバークラッド部２２が設置されている。
【００４８】
第２溝１ｂ内には、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の両側に、第２溝１ｂの左右方向の略全長に亘って延在する、矩形状の光ファイバー位置決め体４０が設置されている。本例では、両側の光ファイバー位置決め体４０がいずれも樹脂構造体４０（Ａ）である。そして、ファイバークラッド部２２は、両側の樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に挟み込まれた状態で、下方向と左右方向が位置決めされている。このときに、第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と光ファイバー２のファイバーコア部２１の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合される。
【００４９】
第１基板１の上側には、図２（ａ）および図５（ｂ）のように、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の上部には押えブロック２４が配置されている。この押えブロック２４と第２溝１ｂとの間の空間には、光学接着剤１４が充填されている。
【００５０】
このように、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の先端側の部位は、押えブロック２４によって第２溝１ｂに押え付けられた状態となっている。この先端側の部位は、押えブロック２４とともに第１基板１に光学接着剤１４によって接着固定される。
【００５１】
前記のように構成した光モジュールでは、第１基板１の第１溝１ａにおいて、コア部１７とクラッド部１８とからなる内部導波路１６が設けられている。また、第１基板１の第２溝１ｂ内に設置された光ファイバー２のファイバーコア部２１は、内部導波路１６のコア部１７と光学的に接続されている。そして、光素子が発光素子１２ａである発光側の第１基板１では、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を出射する。また、光素子が受光素子１２ｂである受光側の第１基板３では、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する。
【００５２】
このように、光ファイバー２のファイバーコア部２１の先端とミラー部１５との間に内部導波路１６が介在しているから、発光素子１２ａから出射された光束、および光ファイバー２のファイバーコア部２１から出射された光束のいずれもが広がることがない。したがって、光ファイバー２のファイバーコア部２１の先端とミラー部１５との間の光信号の伝搬ロスがほとんど無くなるため、光結合効率が向上する。
【００５３】
また、第２溝１ｂ内において光ファイバー２の両側に設置した、少なくとも一側は樹脂構造体４０（Ａ）である光ファイバー位置決め体４０を設けることで、光ファイバー２を位置決めすることができる。これにより、光ファイバー２のファイバーコア部２１を内部導波路１６のコア部１７と光学的に正確に接続できるようなる。
【００５４】
さらに、第１溝１ａの底面を内部導波路１６のコア部１７よりも広い幅にすれば、図６（ｂ）のように、コア部１７の成形時において、内部導波路１６のコア部１７をパターニング（光硬化）する際、底面での不要な反射がなくなる。したがって、この場合、高精度なコア形状を得ることができる。
【００５５】
図２（ａ）のように、第１溝１ａと第２溝１ｂの境界面４２は、第１基板１の表面に対して略垂直としている。これにより、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の先端部を内部導波路１６の端部に近づけることができるから、内部導波路１６と光ファイバー２との距離が近くなるため、光結合効率が向上する。また光ファイバー２の先端部を境界面４２に当て止めるだけで、光ファイバー２の光軸方向の位置決めができるので、生産性が向上する。
【００５６】
因みに、境界面４２が図７（ａ）のような斜面であると、内部導波路１６と光ファイバー２との距離が大きくなる。また、光軸方向に光ファイバー２を挿入すると境界面４２である斜面に乗り上げて、光軸ずれが発生するおそれがある。
【００５７】
また、図２（ｂ）のように、第２溝１ｂは、少なくとも樹脂構造体４０（Ａ）が位置する部位の底面を平面とすれば、樹脂構造体４０（Ａ）をパターニング（光硬化）させる際に、底面が平面であると、パターン精度が向上する。なお、図７（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に斜面１ｄが位置してもよい。
【００５８】
因みに、図７（ｃ）（ｄ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）が位置する部位の底面が斜面１ｄであると、樹脂構造体４０（Ａ）をパターニング（光硬化）させる際に、光が斜面１ｄで反射してパターン精度が低下するおそれがある。
【００５９】
さらに、樹脂構造体４０（Ａ）は、内部導波路１６のコア部１７と同一の材料とすることができる。例えば、図８（ａ）のように、第１基板１に第１溝１ａと第２溝１ｂとを形成した後、図８（ｂ）のように、第１溝１ａと第２溝１ｂにコア部１７の材料（ハッチング参照）を充填する。その後、図８（ｃ）のように、パターニングでコア部１７と樹脂構造体４０（Ａ）とを同時に形成することができる。なお、樹脂構造体４０（Ａ）は、内部導波路１６のクラッド部１８と同一の材料とすることも可能である。
【００６０】
このようにすれば、内部導波路１６のコア部１７と光ファイバー２の位置決め用の樹脂構造体４０（Ａ）とを同時に形成できるため、第１基板１の水平方向の光軸ずれを低減することができ、形成工程も減少させることができる。
【００６１】
図９（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）は、第１基板１の端部から第１溝１ａの方向に向かって、樹脂構造体４０（Ａ）間の隙間Ｗ１が徐々に狭くなる内斜面４０ａを有してもよい。
【００６２】
このようにすれば、樹脂構造体４０（Ａ）の内斜面４０ａが誘い込み構造となる。したがって、両側の樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に光ファイバー２を挿入する際に、光ファイバー２の位置合わせがラフであっても、内部導波路１６のコア部１７と正確に光軸合わせができるので、生産性が向上する。
【００６３】
図９（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）は、第２溝１ｂの底面から第１基板１の表面に向かって、樹脂構造体４０（Ａ）間の隙間Ｗ２が徐々に狭くなる内斜面４０ｂを有してもよい。
【００６４】
このようにすれば、樹脂構造体４０（Ａ）をその弾性で左右方向（矢印ａ参照）に無理開きしながら、光ファイバー２を上部の隙間から挿入するだけで仮止めされる。したがって、光ファイバー２を光学接着剤１４で本接着するまでの位置ずれが発生しにくくなって、作業性が向上する。
【００６５】
図１０（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）は、第２溝１ｂの底面から第１基板１の表面に向かって、樹脂構造体４０（Ａ）間の隙間Ｗ２が徐々に広くなる内斜面４０ｃを有してもよい。
【００６６】
このようにすれば、樹脂構造体４０（Ａ）の内斜面４０ｃが誘い込み構造となる。したがって、両側の樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に光ファイバー２を挿入する際に、光ファイバー２の位置合わせがラフであっても、内部導波路１６のコア部１７と正確に光軸合わせができるので、生産性が向上する。なお、内斜面４０ｃの全体が傾斜している必要はなく、図１０（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）の上部のみが傾斜した内斜面４０ｃであってもよい。
【００６７】
図１１（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）の隙間Ｗ３を、光ファイバー２のクラッファイバークラッド部２２の外径Ｗ４よりも狭く設定してもよい。
【００６８】
このようにすれば、図１１（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）をその弾性で左右方向（矢印ａ参照）に無理開きしながら、光ファイバー２を上部の隙間から挿入することができる。したがって、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の外径Ｗ４に対して樹脂構造体４０（Ａ）の隙間Ｗ３をマイナス公差としても、光ファイバー２を設置することができる。また、光ファイバー２は樹脂構造体４０（Ａ）の弾性で挟み込まれるので、がたつきがなくなって光軸ずれを低減できる。
【００６９】
なお、図１１（ｃ）のように、図の左側の樹脂構造体４０（Ａ）を図の右側の樹脂構造体４０（Ａ）よりも厚くすれば、図１１（ｄ）のように、図の右側の薄い樹脂構造体４０（Ａ）のみが右方向（矢印ａ参照）に無理開きする。したがって、図の左側の厚い樹脂構造体４０（Ａ）が基準面となるので、光ファイバー２の位置決めが正確になる。
【００７０】
図１１（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）における光ファイバー２と接する面と反対側の面側に空間４３を形成してもよい。
【００７１】
このようにすれば、空間４３を形成することで、図１１（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）が弾性変形しやすくなって、樹脂構造体４０（Ａ）の破損を防ぐことができる。
【００７２】
因みに、図１２（ａ）のように空間がないと、樹脂構造体４０（Ａ）の塑性変形または破損（符号ｂ参照）を招く可能性がある。その結果、発生したパーティクルが光ファイバー２または内部導波路１６の端面に付着することによる光学ロスの増加や、樹脂構造体４０（Ａ）の破損した部位に、光学接着樹脂等が充填されずに気泡となり、信頼性を低下させるおそれがある。
【００７３】
なお、図１２（ｂ）は後述する多チャンネルの例であり、多チャンネルであっても、空間４３を形成しておくことが好ましい。
【００７４】
図１３（ａ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）の隙間に光学接着剤１４を充填して光ファイバー２を接着した際に、充填時に混入した気泡ｃが樹脂構造体４０（Ａ）の隙間の下部から抜けなくなる。
【００７５】
そこで、図１３（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）に、この樹脂構造体４０（Ａ）の厚み（上下）方向全体を貫通するスリット４０ｄを形成する。図１３（ｂ）では、短片状の樹脂構造体４０（Ａ）を一定の間隔を隔てて並べることでスリット４０ｄを形成している。
【００７６】
このようにすれば、スリット４０ｄを形成することで、光ファイバー２を接着剤接着する際に混入した気泡ｃが上方に抜けやすくなって、接着の信頼性が向上する。
【００７７】
なお、スリット４０ｄは、図１３（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）を櫛歯状にすることで形成でき、あるいは、図１３（ｄ）のように、短片状の樹脂構造体４０（Ａ）を一定の間隔を隔てて斜め状に並べることでも形成できる。
【００７８】
図１４（ａ）（ｂ）のように、樹脂構造体４０（Ａ）に、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の先端部を当て止める鉤状部位４０ｅを形成することができる。
【００７９】
このようにすれば、光ファイバー２の光軸方向に対する位置決めができるので、生産性が向上する。
【００８０】
前記実施形態では、第２溝１ｂの左右両側の光ファイバー位置決め体４０がいずれも樹脂構造体４０（Ａ）であった。これに対して、例えば第２溝１ｂの左側の樹脂構造体４０（Ａ）を省略して、図１５（ａ）〜（ｃ）のように、エッチングで形成できる第１基板１の張り出し部１ｅを光ファイバー位置決め構造体４０として、光ファイバー２を位置決めすることもできる。
【００８１】
一方、光素子が発光素子１２ａである発光側の第１基板１では、図１６（ａ）（ｂ）のように、内部導波路１６のコア部１７は、下記のように形成することができる。すなわち、ミラー部１５から光ファイバー２のファイバーコア部２１との接続端部に向かって、両側面１７ａの幅Ｗ５が直線的に徐々に細くなるような斜面状に形成する。また、両側面１７ａは、図１６（ｃ）のような段階的な直線の斜面状、あるいは図１６（ｄ）のような曲線の斜面状に形成することもできる。
【００８２】
逆に、光素子が受光素子１２ｂである受光側の第１基板３では、図１７（ａ）（ｂ）のように、内部導波路１６のコア部１７は、下記のように形成することができる。すなわち、光ファイバー２のファイバーコア部２１との接続端部からミラー部１５に向かって、両側面１７ａの幅Ｗ５が直線的に徐々に細くなるような斜面状に形成する。また、両側面１７ａは、図１７（ｃ）のような段階的な直線の斜面状、あるいは図１７（ｄ）のような曲線の斜面状に形成することもできる。
【００８３】
このようにすれば、光素子が発光素子１２ａのときは、内部導波路１６のコア部１７を先細り（すなわち、前方へ行くにしたがって細くなる形状）とすることによって、発光素子１２ａから出射された光束が収束される。また、光素子が受光素子１２ｂのときは、内部導波路１６のコア部１７を後細り（すなわち、後方へ行くにしたがって細くなる形状）とすることによって、光ファイバー２のファイバーコア部２１から出射された光束が収束される。したがって、いずれの場合でも光結合効率がより向上するようになる。
【００８４】
また、内部導波路１６のコア部１７の幅は、第１溝１ａの上端の幅よりも狭くすることができる。
【００８５】
このようにすれば、内部導波路１６のコア部１７の幅が第１溝１ａの上端の幅と同じである場合には、発光素子１２ａからの光束がコア部１７で幅方向に広がって、光束の一部が光ファイバー２のファイバーコア部２１に至らないおそれがある。そこで、コア部１７の幅を第１溝１ａの上端の幅よりも狭く、好ましくは、ファイバーコア部２１の幅と略同幅とすることで、光束のほぼ全部を光ファイバー２のファイバーコア部２１に至らせることができるので、光結合効率が向上する。
【００８６】
さらに、図２（ｃ）のように、第１溝１ａは、断面形状が略台形状であり、第１溝１ａの底面は内部導波路１６のコア部１７よりも幅を広くすることができる。
【００８７】
このようにすれば、第１溝１ａの底面を内部導波路１６のコア部１７よりも広い幅にしたから、コア部１７の成形時に、内部導波路１６のコア部１７をパターニング（光硬化）する際、底面での不要な反射がなくなるので、高精度なコア形状を得ることができる。
【００８８】
因みに、特許文献１に示されるようなＶ溝であると、光が反射してパターニング精度が著しく低下する懸念がある。
【００８９】
図１８のように、第１基板１の表面には、第２溝１ｂに連続して、第２溝１ｂよりも深い第３溝１ｃを形成して、第３溝１ｃに光ファイバー２の被覆部２３を設置することが可能である。
【００９０】
このようにすれば、光ファイバー２の被覆部２３も第１基板１の第３溝１ｃに設置できるから、ファイバークラッド部２２の被覆部２３との境界部分に光ファイバー２からの応力が集中するのを防止することができる。
【００９１】
ファイバークラッド部２２と同様に、被覆部２３を第３溝１ｃに接着剤で接着固定すれば、光ファイバー２の固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバー２に曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路１６との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下することがない。
【００９２】
なお、第３溝１ｃの光ファイバー２の被覆部２３の両側に、第２溝１ｂと同様の樹脂構造体４０（Ａ）を設置して、光ファイバー２を位置決めすることもできる。
【００９３】
また、第１基板１は、第１基板１よりもサイズが大きい第２（別）基板６に設置されている場合には、図１９のように、第２基板６の表面に肉盛りされた接着剤２０によって、光ファイバー２の被覆部２３を第２基板６に固定することが可能である。
【００９４】
このようにすれば、光ファイバー２の被覆部２３を第２基板６に設置して固定できるから、光ファイバー２の固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバー２に曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路１６との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下しなくなる。さらに、光ファイバー２の被覆部２３を第１基板１の第３溝１ｃに設置して固定する構造を併用すれば、より固定強度が向上する。
【００９５】
なお、図２０のように、第１基板１に第３溝１ｃが無い場合には、光ファイバー２の被覆部２３を第２基板６の上方まで後退させて、第２基板６の表面に肉盛りされた接着剤２０によって、光ファイバー２の被覆部２３とファイバークラッド部２２とを同時に第２基板６に固定することも可能である。
【００９６】
図２１のように、光ファイバー２の被覆部２３にチューブ状の被覆体２５が嵌め込まれる場合には、第２基板６に、光ファイバー２の被覆部２３と被覆体２５とを接着剤２０で固定することができる。この被覆体２５は、各基板１，６に光ファイバー２を平行状態に維持できる外径に設定されている。なお、被覆体２５は、被覆部２３の外周を覆うものであれば、被覆部２３に嵌め込むものに限らない。
【００９７】
被覆部２３は、例えばＵＶ硬化性樹脂で形成された厚さ５〜１０μｍ程度の層であり、被覆体２５は、例えばＰＶＣやナイロン、または熱可塑性ポリエステルエラストマー〔例えば、ハイトレル（登録商標）〕で形成され、単心では外径が９００ミクロン程度のものである。
【００９８】
このように構成すれば、被覆体２５は、第２基板６に設置され、光ファイバー２の被覆部２３とともに第２基板６に固定されることが可能である。それによって、光ファイバー２の固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバー２に曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路１６との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下しなくなる。さらに、光ファイバー２の被覆部２３を第１基板１の第３溝１ｃに設置して固定する構造を併用すれば、より固定強度が向上する。加えて、光ファイバー２の自重による撓みを被覆体２５の厚みによって抑制することができ、光ファイバー２を各基板１，６に平行状態で固定できる。それによって、光ファイバー２と内部導波路１６との光結合部に応力が発生しにくいので、光結合効率が低下しにくくなる。なお、第２基板６に被覆体２５のみを接着剤２０で固定しても、同様の作用効果を奏することができる。
【００９９】
被覆体２５は、シールドケース８の貫通孔８ａから外部に出る光ファイバー２の被覆部２３の曲げに対する保護のために、貫通孔８ａの前後部分の被覆部２３に嵌め込む短いタイプ（例えば２０〜４０ｍｍ長さ）がある。また、被覆体２５は、光ファイバー２の全体の強度保護および難燃対応のために、モジュール間を繋ぐ被覆部２３の全長を覆う長いタイプがある。
【０１００】
前記実施形態では、１つの第１基板１の表面に第１溝１ａおよび第２溝１ｂがそれぞれ１本ずつ形成された例が示されているが、これに限定されるものではない。すなわち、図２２（ａ）（ｂ）のように、複数本（本例では４本）の第１溝１ａを第１基板１の表面に平行に形成して多チャンネル化してもよい。
【０１０１】
このようにすれば、複数の第１溝１ａが互いに第１基板１の材料によって分離された状態で配置されているので、第１溝１ａの各々を通る光信号が隣接する第１溝１ａへ漏洩（クロストーク）することを抑制することが可能である。
【０１０２】
また、第２溝１ｂが互いに樹脂構造体４０（Ａ）によって分離された状態で配置されているので、第２溝１ｂを通る光ファイバー２の光信号が漏洩（クロストーク）することを抑制することが可能である。
【０１０３】
以上のように、本実施形態の光モジュールは、表面において、少なくとも１本の第１溝と前記第１溝よりも深い第２溝とが連続して形成された基板と、前記基板の第１溝内に設けられた内部導波路と、前記第１溝の先端部に設けられた光路変換用のミラー部と、前記ミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を出射し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子と、前記内部導波路のコア部と光学的に接続されるファイバーコア部およびファイバークラッド部を有する光ファイバーと、前記第２溝内において、前記光ファイバーの両側に設置された光ファイバー位置決め体とを備え、前記光ファイバー位置決め体の少なくとも一側は樹脂構造体であることを特徴とするものである。
【０１０４】
これによれば、基板の第１溝にコア部を有する内部導波路を設け、基板の第２溝内に設置した光ファイバーのファイバーコア部を内部導波路のコア部と光学的に接続するようにしている。そして、光素子が発光素子である場合においてミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を出射し、光素子が受光素子である場合においてミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光するようになる。
【０１０５】
このように、光ファイバーのファイバーコア部の先端とミラー部との間に内部導波路を介在させているから、発光素子から出射された光束、および光ファイバーのファイバーコア部から出射された光束のいずれも広がらない。したがって、光ファイバーのファイバーコア部の先端とミラー部との間の光信号の伝搬ロスがほとんど無くなるため、光結合効率が向上するようになる。
【０１０６】
また、第２溝内において光ファイバーの両側に設置した、少なくとも一側は樹脂構造体である光ファイバー位置決め体を設けることで、光ファイバーを位置決めすることができる。これにより、光ファイバーのファイバーコア部を内部導波路のコア部と光学的に正確に接続できるようなる。
【０１０７】
前記第１溝と前記第２溝の境界面は、前記基板の表面に対して略垂直である構成とすることができる。
【０１０８】
これによれば、光ファイバーの先端部を内部導波路の端部に近づけることができるから、内部導波路と光ファイバーとの距離が近くなるため、光結合効率が向上する。また光ファイバーの先端部を境界面に当て止めるだけで、光ファイバーの光軸方向の位置決めができるので、生産性が向上する。
【０１０９】
前記第２溝は、少なくとも前記樹脂構造体が位置する部位の底面が平面である構成とすることができる。
【０１１０】
これによれば、樹脂構造体をパターニング（光硬化）させる際に、底面が平面であると、パターン精度が向上する。
【０１１１】
前記樹脂構造体は、前記内部導波路と同一の材料である構成とすることができる。
【０１１２】
これによれば、内部導波路と光ファイバーの位置決め用の樹脂構造体とを同時に形成できるため、基板の水平方向の光軸ずれを低減することができ、形成工程も減少することができる。
【０１１３】
前記光ファイバー位置決め体は、前記基板の端部から前記第１溝の方向に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有する構成とすることができる。
【０１１４】
これによれば、光ファイバー位置決め体間の斜面が誘い込み構造となって、両側の光ファイバー位置決め体間の隙間に光ファイバーを挿入する際に、光ファイバーの位置合わせがラフであっても、内部導波路のコア部と正確に光軸合わせができるので、生産性が向上する。
【０１１５】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有する構成とすることができる。
【０１１６】
これによれば、光ファイバー位置決め体をその弾性で無理開きしながら、光ファイバーを光ファイバー位置決め体間の上部の隙間から挿入するだけで仮止めされるので、光ファイバーを光学接着剤で本接着するまでの位置ずれが発生しにくくなって、作業性が向上する。
【０１１７】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に広くなる斜面を有する構成とすることができる。
【０１１８】
これによれば、光ファイバー位置決め体間の斜面が誘い込み構造となって、両側の光ファイバー位置決め体間の隙間に光ファイバーを挿入する際に、光ファイバーの位置合わせがラフであっても、内部導波路のコア部と正確に光軸合わせができるので、生産性が向上する。
【０１１９】
前記光ファイバー位置決め体間の隙間が、前記光ファイバーのファイバークラッド部の外径よりも狭く設定されている構成とすることができる。
【０１２０】
これによれば、光ファイバー位置決め体をその弾性で無理開きしながら、光ファイバーを光ファイバー位置決め体間の上部の隙間から挿入することができるから、光ファイバーのファイバークラッド部の外径に対して光ファイバー位置決め体間の隙間をマイナス公差としても、光ファイバーを設置することができる。また、光ファイバーは光ファイバー位置決め体の弾性で挟み込まれるので、がたつきがなくなって光軸ずれを低減できる。
【０１２１】
前記樹脂構造体における前記光ファイバーと接する面と反対側の面側に空間が形成されている構成とすることができる。
【０１２２】
これによれば、空間を形成することで、樹脂構造体が弾性変形しやすくなって、樹脂構造体の破損を防ぐことができる。因みに、空間がないと、樹脂構造体の塑性変形または破損を招く可能性がある。結果、発生したパーティクルが光ファイバーまたは光導波路端面に付着することによる光学ロスの増加や、樹脂構造体の破損した部位に、光学接着樹脂が充填されずに気泡となり、信頼性を低下させるおそれがある。
【０１２３】
前記樹脂構造体に、この樹脂構造体の厚み方向全体を貫通するスリットが形成されている構成とすることができる。
【０１２４】
これによれば、スリットを形成することで、光ファイバーを光学接着剤で接着した際に混入した気泡が上方に抜けやすくなって、接着の信頼性が向上する。
【０１２５】
前記樹脂構造体に、前記光ファイバーの先端部を当て止める部位が形成されている構成とすることができる。
【０１２６】
これによれば、光ファイバーの光軸方向に対する位置決めができるので、生産性が向上する。
【０１２７】
前記第１溝は、断面形状が略台形状であり、前記第１溝の底面は前記内部導波路のコア部よりも幅は広い構成とすることができる。
【０１２８】
これによれば、第１溝の底面を内部導波路のコア部よりも広い幅にしたから、コア部の成形時に、内部導波路のコア部をパターニング（光硬化）する際、底面での不要な反射がなくなるので、高精度なコア形状を得ることができる。因みに、特許文献１に示されるようなＶ溝であると、光が反射してパターニング精度が著しく低下する懸念がある。
【０１２９】
前記基板の表面に、前記第２溝よりも深い第３溝が形成され、前記第３溝には、前記光ファイバーの被覆部が設置されている構成とすることができる。
【０１３０】
これによれば、光ファイバーの被覆部も第１基板の第３溝に設置できるから、ファイバークラッド部の被覆部との境界部分に光ファイバーからの応力が集中するのを防止することができる。
【０１３１】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記別基板に、前記光ファイバーの前記被覆部が固定されている構成とすることができる。
【０１３２】
これによれば、光ファイバーの被覆部を別基板に設置して固定できるから、光ファイバーの固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバーに曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下しなくなる。
【０１３３】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記光ファイバーの外周に被覆体が固定されて、前記別基板に、前記被覆体が固定されている構成とすることができる。
【０１３４】
これによれば、被覆体を別基板に設置して固定できるから、光ファイバーの固定強度が向上する。また、モジュール外部から光ファイバーに曲げ力や引っ張り力が作用しても、内部導波路との光結合部に影響しないために、光結合効率が低下しなくなる。加えて、光ファイバーの自重による撓みを被覆体の厚みで抑制して、光ファイバーを各基板に平行状態で固定できる。それによって、内部導波路との光結合部に応力が発生しにくいので、光結合効率が低下しにくくなる。
【０１３５】
複数の前記第１溝の各々は、互いに分離して前記基板に配置されている構成とすることができる。
【０１３６】
これによれば、複数の第１溝が互いに分離された状態で第１基板に配置されて多チャンネル化されているので、第１溝の各々を通る光信号が漏れて隣接する第１溝を通る光信号へ影響を与える現象、いわゆるクロストークの発生を抑えることが可能である。また、それによって、各々の第１溝における光結合効率が高くなる。
【符号の説明】
【０１３７】
１ 第１基板
１ａ 第１溝
１ｂ 第２溝
１ｃ 第３溝
２ 光ファイバー
６ 第２基板（別基板）
１２ａ 発光素子（光素子）
１２ｂ 受光素子（光素子）
１３ アンダーフィル材
１４ 光学接着剤
１５ ミラー部
１６ 内部導波路
１７ コア部
１８ クラッド部
２１ ファイバーコア部
２２ ファイバークラッド部
２３ 被覆部
２５ 被覆体
４０ 光ファイバー位置決め体
４０（Ａ） 樹脂構造体
４２ 境界面
４３ 空間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面において、少なくとも１本の第１溝と前記第１溝よりも深い第２溝とが連続して形成された基板と、
前記基板の第１溝内に設けられた内部導波路と、
前記第１溝の先端部に設けられた光路変換用のミラー部と、
前記ミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を出射し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子と、
前記内部導波路のコア部と光学的に接続されるファイバーコア部およびファイバークラッド部を有する光ファイバーと、
前記第２溝内において、前記光ファイバーの両側に設置された光ファイバー位置決め体とを備え、前記光ファイバー位置決め体の少なくとも一側は樹脂構造体であることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記第１溝と前記第２溝の境界面は、前記基板の表面に対して略垂直であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記第２溝は、少なくとも前記樹脂構造体が位置する部位の底面が平面であることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記樹脂構造体は、前記内部導波路と同一の材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記光ファイバー位置決め体は、前記基板の端部から前記第１溝の方向に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に広くなる斜面を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記光ファイバー位置決め体間の隙間が、前記光ファイバーのファイバークラッド部の外径よりも狭く設定されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記樹脂構造体における前記光ファイバーと接する面と反対側の面側に空間が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記樹脂構造体に、この樹脂構造体の厚み方向全体を貫通するスリットが形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記樹脂構造体に、前記光ファイバーの先端部を当て止める部位が形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１２】
前記第１溝は、断面形状が略台形状であり、前記第１溝の底面は前記内部導波路のコア部よりも幅は広いことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１３】
前記基板の表面に、前記第２溝よりも深い第３溝が形成され、前記第３溝には、前記光ファイバーの被覆部が設置されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１４】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記別基板に、前記光ファイバーの前記被覆部が固定されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１５】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記光ファイバーの外周に被覆体が固定されて、前記別基板に、前記被覆体が固定されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１６】
複数の前記第１溝の各々は、互いに分離して前記基板に配置されていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１】
表面において、少なくとも１本の第１溝と前記第１溝よりも深い第２溝とが連続して形成された基板と、
前記基板の第１溝内に設けられた内部導波路と、
前記第１溝の先端部に設けられた光路変換用のミラー部と、
前記ミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を出射し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子と、
前記内部導波路のコア部と光学的に接続されるファイバーコア部およびファイバークラッド部を有する光ファイバーと、
前記第２溝内において、前記光ファイバーの両側に設置された光ファイバー位置決め体とを備え、前記光ファイバー位置決め体の少なくとも一側は樹脂構造体であることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記第１溝と前記第２溝の境界面は、前記基板の表面に対して略垂直であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記第２溝は、少なくとも前記樹脂構造体が位置する部位の底面が平面であることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記樹脂構造体は、前記内部導波路と同一の材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記光ファイバー位置決め体は、前記基板の端部から前記第１溝の方向に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に狭くなる斜面を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記光ファイバー位置決め体は、前記第２溝の底面から前記基板の表面に向かって、前記光ファイバー位置決め体間の隙間が徐々に広くなる斜面を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記光ファイバー位置決め体間の隙間が、前記光ファイバーのファイバークラッド部の外径よりも狭く設定されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記樹脂構造体における前記光ファイバーと接する面と反対側の面側に空間が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記樹脂構造体に、この樹脂構造体の厚み方向全体を貫通するスリットが形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記樹脂構造体に、前記光ファイバーの先端部を当て止める部位が形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１２】
前記第１溝は、断面形状が略台形状であり、前記第１溝の底面は前記内部導波路のコア部よりも幅は広いことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１３】
前記基板の表面に、前記第２溝よりも深い第３溝が形成され、前記第３溝には、前記光ファイバーの被覆部が設置されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１４】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記別基板に、前記光ファイバーの前記被覆部が固定されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１５】
前記基板は、前記基板よりもサイズが大きい別基板に設置され、前記光ファイバーの外周に被覆体が固定されて、前記別基板に、前記被覆体が固定されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項１６】
複数の前記第１溝の各々は、互いに分離して前記基板に配置されていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１３−５７７２１（Ｐ２０１３−５７７２１Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９４７６７（Ｐ２０１１−１９４７６７）
【出願日】平成２３年９月７日（２０１１．９．７）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月７日（２０１１．９．７）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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