光制御装置とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器

【課題】高開口率の光制御装置を提供する。
【解決手段】本発明の光制御装置は、基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有し、複数の前記遮光板のうち少なくとも２つの前記遮光板が、互いに異なる移動平面を有するとともに、前記光透過領域から後退した位置で少なくとも部分的に重なることを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光制御装置とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光記憶／記録、光論理演算等に利用される光変調手段として、基板開口部上に複数の遮光板を設け、これを移動させることによって開口部を通る光の透過／非透過を制御するメカニカル光シャッター（光制御装置）が提案されている（例えば特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３９１２７６０号公報
【特許文献２】特開平９−２１８３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１には、開口部に対して側方から進退する２枚のシャッターを設け、かかるシャッターにより光の透過／非透過を制御する構成が開示されている。しかしながら、かかる構成ではシャッターを開口部と同じ若しくは開口部を超える大きさとしなければならず、構造上開口率を５０％とすることはできなかった。また、開口部の両側から進出させたシャッターを開口部上で密着させて光を遮断するため、シャッター同士の合わせの精度を達成できないと光漏れが大きくなるという課題があった。
【０００５】
これに対して、特許文献２には、開口部に対して進退する２枚の遮光板を、開口部を遮蔽する位置で部分的に重ね合わせる構成が開示されている。しかしながら、かかる構成でも遮光板は開口部と同じ若しくは開口部を超える大きさとしなければならず、やはり開口率を５０％以上とすることはできなかった。また、２枚の遮光板の先端部を重ねるために遮光板が複雑な形状となっており、さらに動作不具合を回避するために複雑な制御が必要であった。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、高開口率の光制御装置とその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光制御装置は、基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有し、複数の前記遮光板のうち少なくとも２つの前記遮光板が、互いに異なる移動平面を有するとともに、前記光透過領域から後退した位置で少なくとも部分的に重なることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、光透過領域から遮光板を後退させたときに、２枚の遮光板が重なって配置されるため、遮光板の退避領域を狭小化することができる。これにより、貫通孔の平面領域を大きくすることが可能になり、高開口率を達成することができる。
【０００９】
すべての前記遮光板が、前記基板の一方の主面側に形成されている構成とすることができる。
この構成によれば、基板の一面側に遮光板を形成するので、連続した工程ですべての遮光板を形成することができる。
【００１０】
前記基板の両面に、それぞれ前記遮光板が形成されている構成とすることもできる。
この場合、基板のそれぞれの面における配線層を比較的少なくすることができる。
【００１１】
複数の前記遮光板が、前記光透過領域上に進出した位置で互いに部分的に重なることが好ましい。
この構成によれば、光遮断状態における光漏れを減少させることができる。
【００１２】
前記遮光板に、静電アクチュエーターが接続されていることが好ましい。すなわち、遮光板を駆動する手段が、静電アクチュエーターであることが好ましい。
かかる構成によれば、比較的簡素な構成で動作制御も容易な光制御装置を得ることができる。
【００１３】
本発明の光制御装置の製造方法は、基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有する光制御装置の製造方法であって、前記基板上の第１デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、前記第１デバイス形成層とは異なる第２デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
この製造方法によれば、互いに異なる第１及び第２デバイス形成層にそれぞれ遮光板を形成するので、互いに干渉することなく水平移動可能な遮光板を基板上に形成することができる。これにより、光透過領域から後退した位置で互いに重なり合う複数の遮光板を基板上に容易に形成することができる。その結果、遮光板の退避領域が狭小化され、開口率が向上した光制御装置を製造することができる。
【００１５】
本発明の光制御装置の製造方法は、基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有する光制御装置の製造方法であって、前記基板上の第１デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、前記基板とは異なる暫定基板上の前記第２デバイス形成層に一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、前記暫定基板と前記第２デバイス形成層のうち少なくとも前記第２デバイス形成層を前記基板と貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
この製造方法によれば、別々に形成した第１及び第２デバイス形成層を貼り合わせるので、第１デバイス形成層に形成された遮光板と第２デバイス形成層に形成された遮光板は必然的に異なる層に配置されることとなる。したがって、光透過領域から後退した位置で互いに重なり合う複数の遮光板を基板上に容易に形成することができる。その結果、遮光板の退避領域が狭小化され、開口率が向上した光制御装置を製造することができる。
【００１７】
前記基板の一方の主面に、前記第１デバイス形成層と前記第２デバイス形成層とを積層することもできる。
この製造方法によれば、基板の一方の面に、互いに干渉することなく水平移動可能な複数の遮光板が形成された光制御装置を製造することができる。
【００１８】
前記基板の一方の主面に前記第１デバイス形成層を設け、前記基板の他方の主面に前記第２デバイス形成層を設けることもできる。
この製造方法によれば、基板のそれぞれの面に遮光板が形成された構成の光制御装置を製造することができる。
【００１９】
本発明の光制御装置の製造方法は、第１基板と第２基板とを貼り合わせてなる基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有する光制御装置の製造方法であって、前記第１基板上の第１デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、前記第２基板上の第２デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、前記第１基板の前記第１デバイス形成層と反対側の面と、前記第２基板の前記第２デバイス形成層と反対側の面とを貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
この製造方法によれば、基板の両面にそれぞれ遮光板が形成された構成の光制御装置を容易に製造することができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置は、先に記載の光制御装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高開口率の画素を具備し、高輝度の表示が得られる電気光学装置を提供することができる。
【００２２】
本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
また本発明の電子機器は、先に記載の光制御装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高開口率の光変調手段を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】光制御装置の第１実施形態を示す平面図。
【図２】光制御部を拡大して示す図。
【図３】光遮断状態の光制御部を示す平面図。
【図４】光通過状態の光制御部を示す平面図。
【図５】図３，４に対応する断面図。
【図６】第１実施形態に係る製造工程を示す図。
【図７】第１実施形態に係る製造工程を示す図。
【図８】第１実施形態に係る製造工程を示す図。
【図９】光制御装置の第２実施形態を示す平面図。
【図１０】光制御装置の第２実施形態を示す平面図。
【図１１】第２実施形態に係る光制御装置の動作説明のための断面図。
【図１２】第２実施形態に係る製造工程を示す図。
【図１３】第２実施形態に係る製造工程を示す図。
【図１４】第２実施形態に係る製造工程を示す図。
【図１５】電気光学装置の実施形態を示す図。
【図１６】電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
【００２５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の光制御装置の第１実施形態を示す平面図であり、図１（ａ）はアクチュエーターを可視化した図、図１（ｂ）は遮光板の配置状態を示す説明図である。
図２は、図１に示す光制御部を拡大して示す図であり、図２（ａ）は光制御部の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すＡ−Ａ’線に沿う位置の断面図である。
【００２６】
図１に示すように、光制御装置１００は、基体としての基板１８と、基板１８上に形成された複数の光制御部１０（１０Ａ、１０Ｂ）を備えている。
光制御部１０は、図１及び図２に示すように、それぞれ、基板１８を貫通して形成された貫通孔１９（光透過領域）と、貫通孔１９上に進退する遮光板１６及び遮光板１７と、遮光板１６を駆動する第１アクチュエーター２１と、遮光板１７を駆動する第２アクチュエーター２２とを備えている。
【００２７】
基板１８は、例えばシリコンやガラス等からなり、その表面に遮光膜や絶縁膜が形成されたものであってもよい。基板１８には、平面視矩形状を成して基板１８を厚さ方向に貫通する貫通孔１９が形成されている。本実施形態の場合、平面視矩形状の貫通孔１９の一辺に沿う位置に第１アクチュエーター２１が形成されており、第１アクチュエーター２１が配置された辺と対向する貫通孔１９の一辺に第２アクチュエーター２２が形成されている。
【００２８】
なお、基板１８がガラス基板等の透明基板である場合には、貫通孔１９に対応する開口部を有する遮光膜を基板１８の表面に形成し、光制御部１０の光透過領域とすればよい。ただし、基板１８が透明基板であっても貫通孔１９を形成することは妨げられない。
【００２９】
第１アクチュエーター２１は、貫通孔１９の一辺に沿う位置に形成された櫛歯状の第１固定電極１１と、第１固定電極１１に噛み合う櫛歯状の第１可動電極１２とを有する。第１固定電極１１から図示下方に延出された梁部１１ａと、梁部１１ａの先端に形成された固定部１１ｂとにより、第１固定電極１１は基板１８上に支持されている。第１可動電極１２から図示上方に延出された弾性梁部１２ａと、弾性梁部１２ａの先端に形成された支持部１２ｂとにより、第１可動電極１２は基板１８上に支持されている。
【００３０】
第１固定電極１１は、梁部１１ａ及び固定部１１ｂを介して基板１８上に形成された図示略の配線に接続されている。また第１可動電極１２は、弾性梁部１２ａ及び支持部１２ｂを介して基板１８上の図示略の配線に接続されている。光制御装置１００の動作時には、上記の配線を介して、図示略の電位制御回路から第１固定電極１１及び第１可動電極１２に所定の電位が入力される。
【００３１】
第１固定電極１１及び第１可動電極１２は、例えば不純物をドープした多結晶シリコンや金属材料からなり、いずれも平面視略櫛歯状に形成されている。第１固定電極１１は、図２に示すように、図示上下方向に延在する幹電極１１ｃと、幹電極１１ｃから第１可動電極１２側（図示左側）に延出された複数（図示では８本）の枝電極１１ｄとを有する。複数の枝電極１１ｄの先端は貫通孔１９の外周部に配置されている。
第１可動電極１２は、図示上下方向に延在する幹電極１２ｃと、幹電極１２ｃから第１固定電極１１側に延出された複数（図１では８本）の枝電極１２ｄとを有する。
【００３２】
第１固定電極１１と第１可動電極１２とは、互いの枝電極１１ｄ、１２ｄを噛み合わせるようにして基板１８上に配置されている。第１固定電極１１及び第１可動電極１２の長手方向（図示上下方向）において、第１固定電極１１の枝電極１１ｄと第１可動電極１２の枝電極１２ｄとが交互に配置されている。
【００３３】
第２アクチュエーター２２は、第１固定電極１１とは反対側の貫通孔１９の一辺に沿う位置に形成された櫛歯状の第２固定電極１３と、第２固定電極１３と噛み合う櫛歯状の第２可動電極１４とを有する。第２固定電極１３から図示下方に延出された梁部１３ａと、梁部１３ａの先端に形成された固定部１３ｂとにより、第２固定電極１３は基板１８上に支持されている。第２可動電極１４から図示上方に延出された弾性梁部１４ａと、弾性梁部１４ａの先端に形成された支持部１４ｂとにより、第２可動電極１４は基板１８上に支持されている。
【００３４】
第２固定電極１３は、梁部１３ａ及び固定部１３ｂを介して基板１８上に形成された図示略の配線に接続されている。また第２可動電極１４は、弾性梁部１４ａ及び支持部１４ｂを介して基板１８上の図示略の配線に接続されている。光制御装置１００の動作時には、上記の配線を介して、図示略の電位制御回路から第２固定電極１３及び第２可動電極１４に所定の電位が入力される。
【００３５】
第２固定電極１３及び第２可動電極１４は、例えば不純物をドープした多結晶シリコンや金属材料からなり、いずれも平面視略櫛歯状に形成されている。第２固定電極１３は、図２に示すように、図示上下方向に延在する幹電極１３ｃと、幹電極１３ｃから第２可動電極１４側（図示右側）に延出された複数（図示では８本）の枝電極１３ｄとを有する。複数の枝電極１３ｄの先端は貫通孔１９の外周部に配置されている。
第２可動電極１４は、図示上下方向に延在する幹電極１４ｃと、幹電極１４ｃから第２固定電極１３側に延出された複数（図１では８本）の枝電極１４ｄとを有する。
【００３６】
第２固定電極１３と第２可動電極１４とは、互いの枝電極１３ｄ、１４ｄを噛み合わせるようにして基板１８上に配置されている。第２固定電極１３及び第２可動電極１４の長手方向（図示上下方向）において、第２固定電極１３の枝電極１３ｄと第２可動電極１４の枝電極１４ｄとが交互に配置されている。
【００３７】
図２（ｂ）に示す断面図を見ると、基板１８を厚さ方向に貫通する貫通孔１９が形成されている。貫通孔１９の側方の基板１８上には配線２５が形成されている。配線２５が形成された層の上層には、第１デバイス形成層３１と、第２デバイス形成層３２とが基板１８側から順に形成されている。下層側の第１デバイス形成層３１には、第１アクチュエーター２１（第１固定電極１１、第１可動電極１２など）が形成されている。上層側の第２デバイス形成層３２には、第２アクチュエーター２２（第２固定電極１３、第２可動電極１４など）が形成されている。
【００３８】
基板１８上の配線２５上は、第１デバイス形成層３１に形成された第１固定電極１１の固定部１１ｂが配置され、固定部１１ｂから延びた柱状部１１ｅを介して第１固定電極１１と配線２５とが接続されている。
さらに固定部１１ｂ上には、第２デバイス形成層３２に形成された第２固定電極１３の固定部１３ｂが配置され、固定部１３ｂから延びた柱状部１３ｅを介して第２固定電極１３と第１固定電極１１とが接続されている。したがって、配線２５は、第１固定電極１１及び第２固定電極１３と電気的に接続されている。
【００３９】
図２（ｂ）に示すように、本実施形態では、第１可動電極１２と第２可動電極１４が、それぞれ異なるデバイス形成層に形成されており、光制御部１０の動作時に互いに干渉しない構成とされている。なお、図示は省略しているが、第１可動電極１２及び第２可動電極１４についても、それぞれ支持部１２ｂ、１４ｂを介して基板１８上の配線と接続され、当該配線を介して電源から電位入力可能に構成されている。
【００４０】
［動作説明］
次に、図３から図５を参照しつつ光制御装置１００の動作について説明する。
図３は、光遮断状態の光制御部１０Ａ，１０Ｂを示す平面図であり、図３（ａ）はアクチュエーターの状態、図３（ｂ）は遮光板の状態を示している。
図４は、光通過状態の光制御部１０Ａ，１０Ｂを示す平面図であり、図４（ａ）はアクチュエーターの状態、図４（ｂ）は遮光板の状態を示している。
図５（ａ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿う位置における断面図であり、図５（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿う位置における断面図である。
【００４１】
光制御装置１００は、第１可動電極１２及び第２可動電極１４をそれぞれ水平移動させることで貫通孔１９上に遮光板１６，１７を進退させる。これにより、貫通孔１９から射出される光を遮光板１６，１７により通過、遮断することで、光の透過／非透過を制御する。
【００４２】
まず、図３及び図５（ａ）に示す光遮断状態は、光制御部１０Ａ、１０Ｂの初期状態である。すなわち、第１及び第２固定電極１１，１３、第１及び第２可動電極１２，１４に何ら電位を入力しない状態では、光制御部１０Ａ、１０Ｂはいずれも光遮断状態となる。
あるいは、第１固定電極１１と第１可動電極１２とを同電位、第２固定電極１３と第２可動電極１４とを同電位に保持してもよい。
【００４３】
光遮断状態の光制御部１０Ａ、１０Ｂでは、図３（ｂ）に示すように、遮光板１６及び遮光板１７はいずれも貫通孔１９上に位置し、これら２枚の遮光板１６，１７により貫通孔１９が覆われている。さらに、遮光板１６の第２アクチュエーター２２側の辺縁部と、遮光板１７の第１アクチュエーター２１側の辺縁部とが、平面視で重なるように配置されている。
【００４４】
一方、図５（ａ）に示すように、遮光板１６と遮光板１７とは、基板１８上の異なる層（第１及び第２デバイス形成層３１，３２）に形成されているため、平面視で重なって配置されていても、遮光板１６及び第１可動電極１２と、遮光板１７及び第２可動電極１４とが接触することはない。
【００４５】
次に、図４及び図５（ｂ）に示す光通過状態に移行させるには、図３に示した光遮断状態において、第１固定電極１１と第１可動電極１２との間に電圧が印加され、例えば、第１固定電極１１が相対的に低電位、第１可動電極１２が相対的に高電位とされる。なお、固定電極と可動電極の電位の高低関係は逆であってもよい。
このように電圧が印加されると、第１固定電極１１と第１可動電極１２との間の静電引力が生じ、第１可動電極１２が第１固定電極１１側へ引き寄せられる。これにより、第１可動電極１２上に配設されている遮光板１６が第１固定電極１１側へ移動し、貫通孔１９上から退避される。
【００４６】
また、第２固定電極１３と第２可動電極１４との間に電圧が印加され、例えば、第２固定電極１３が相対的に低電位、第２可動電極１４が相対的に高電位とされる。なお、固定電極と可動電極の電位の高低関係は逆であってもよい。
このように電圧が印加されると、第２固定電極１３と第２可動電極１４との間に生じる静電引力により、第２可動電極１４が第２固定電極１３側へ引き寄せられる。これにより、第２可動電極１４上に配設されている遮光板１７が第２固定電極１３上に移動し、貫通孔１９上から退避される。
なお、図１及び図２に示した状態は、上記動作によって第２可動電極１４を途中まで動かした状態に対応する。
【００４７】
以上の動作により、図４及び図５（ｂ）に示すように、遮光板１６，１７が貫通孔１９の外側に退避され、貫通孔１９から射出される光が光制御部１０Ａ、１０Ｂを通過する状態となる。また、図５（ｂ）に示すように、遮光板１６及び第１可動電極１２と、遮光板１７及び第２可動電極１４とは、互いに干渉することなく水平移動が可能であるため、光通過状態では、第１固定電極１１側へ引き寄せられた第１可動電極１２及び遮光板１６と、第２固定電極１３側へ引き寄せられた第２可動電極１４及び遮光板１７とが、平面視でほぼ重なった状態となる。
【００４８】
なお、図４及び図５（ｂ）に示す光通過状態から、固定電極及び可動電極への電圧印加を停止すると、第１可動電極１２（及び遮光板１６）は弾性梁部１２ａの弾性復帰力により図３に示した光遮断状態の位置に復帰する。また第２可動電極１４も弾性梁部１４ａの弾性復帰力により図４に示した光遮断状態の位置に復帰する。
【００４９】
以上詳細に説明したように、本実施形態の光制御装置１００は、第１及び第２固定電極１１，１３と、第１及び第２可動電極１２，１４の電位状態を制御することで第１及び第２アクチュエーター２１，２２を駆動し、これによって遮光板１６，１７を貫通孔１９に対して水平に進退させることで、貫通孔１９から射出される光の通過／遮断状態を自在に切り換えることができる。
【００５０】
そして、本実施形態の光制御装置１００では、第１可動電極１２及び遮光板１６と、第２可動電極１４及び遮光板１７とが、互いに干渉することなく自在に水平移動可能とされている。これにより、図４及び図５（ｂ）に示したように、光遮断状態において、遮光板１６と遮光板１７とが平面視で重なった状態とすることができる。したがって、遮光板１６，１７を貫通孔１９上から後退させたときに配置される領域を小さくすることができる。その結果、貫通孔１９の開口径を大きくし、開口率を向上させることができる。
【００５１】
また、本実施形態の光制御装置１００では、光遮断状態において遮光板１６，１７が平面視で部分的に重なるように配置することができる。これにより、貫通孔１９から射出した光を遮光板１６と遮光板１７とにより確実に遮断することができ、光漏れの生じにくい構造とすることができる。
【００５２】
［製造方法］
次に、上記実施形態の光制御装置１００の製造方法について、図６から図８を参照して説明する。図６から図８に示す工程図は、図３のＤ−Ｄ’線に沿う位置における各工程での状態を示す断面図である。
【００５３】
まず、図６（ａ）に示すように、例えばシリコンからなる基板１８を用意する。
図示は省略しているが、用意した基板１８の少なくとも図示上面側には絶縁膜が形成されている。この絶縁膜は、シリコンからなる基板１８を熱酸化して形成してもよいし、ＣＶＤ法やスパッタ法などの成膜法を用いて形成してもよい。また、絶縁膜としては、シリコン酸化物膜に限らず、シリコン窒化物やシリコン酸化窒化物膜であってもよい。
【００５４】
次に、図６（ｂ）に示すように、基板１８上に、例えば不純物をドープした多結晶シリコンや金属材料からなる配線２５を形成する。
具体的には、例えば不純物をドープした多結晶シリコンからなる導電膜をスパッタ法などの公知の成膜法により基板１８上に形成した後、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によって導電膜をパターニングすることで、所定の平面形状の配線２５を形成する。
配線２５は、多結晶シリコンの他、アルミニウムやアルミ銅合金などの金属材料を用いて形成してもよく、導電性の高分子材料を用いて形成してもよい。
【００５５】
次に、図６（ｃ）に示すように、例えばシリコン酸化物膜からなる第１犠牲層４１を、例えばＣＶＤ法などを用いて形成する。この第１犠牲層４１上の配線層が、本発明における第１デバイス形成層となる。
次いで、図６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によって、第１犠牲層４１を貫通して配線２５に達するコンタクトホール４１ａ、４１ａを形成する。
【００５６】
次に、第１犠牲層４１を覆うように、例えば不純物をドープした多結晶シリコンからなる導電膜をスパッタ法などの公知の成膜法により形成する。その後、この導電膜をフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程でパターニングすることで、図６（ｅ）に示すように、第１固定電極１１（梁部１１ａ、固定部１１ｂ）、第１可動電極１２（弾性梁部１２ａ、支持部１２ｂ）を形成する。
第１固定電極１１及び第１可動電極１２は、多結晶シリコンの他、アルミニウムやアルミ銅合金などの金属材料を用いて形成してもよく、導電性の高分子材料を用いて形成してもよい。
【００５７】
次に、図７（ａ）に示すように、基板１８上の全面に第２犠牲層４２を形成する。その後、第２犠牲層４２の表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などの処理により平坦化する。この平坦化処理により第２犠牲層４２を部分的に除去することで、図７（ａ）に示すように、少なくとも第１可動電極１２を露出させる。
【００５８】
第２犠牲層４２は、先の第１犠牲層４１と同様の材料を用いて形成してもよいし、異なる材料を用いて形成してもよい。第２犠牲層４２と第１犠牲層４１とで異なる材料を用いる場合には、同等のエッチング速度が得られる材料を用いることが好ましい。第２犠牲層４２は、例えばシリコン酸化物膜やシリコン窒化物膜とすることができる。
【００５９】
次に、第２犠牲層４２や第１固定電極１１、第１可動電極１２を覆うように、例えばアルミニウムからなる金属膜を成膜する。その後、この金属膜をフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によってパターニングすることで、図７（ｂ）に示すように、第１可動電極１２上に遮光板１６を形成する。遮光板１６は、アルミニウムの他、クロムやアルミ銅合金、白金、チタン、タングステンなどを用いて形成してもよい。以上により、第１犠牲層４１上の第１デバイス形成層３１に第１アクチュエーター２１が形成される。
【００６０】
次に、図７（ｃ）に示すように、遮光板１６や第２犠牲層４２、第１固定電極１１を覆うように、第３犠牲層４３を形成する。第３犠牲層４３の構成材料は第２犠牲層４２と同様に選択することができる。この第３犠牲層４３上の配線層が、本発明における第２デバイス形成層となる。第１アクチュエーター２１が形成された第１デバイス形成層と、第２デバイス形成層とは、第３犠牲層４３を介して離間される。
その後、図７（ｄ）に示すように、第３犠牲層４３を貫通して第１固定電極１１の固定部１１ｂに達するコンタクトホール４３ａ、４３ａを、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程により形成する。
【００６１】
次に、第３犠牲層４３上に例えば多結晶シリコンからなる導電膜をスパッタ法などの公知の成膜法により形成する。その後、この導電膜をフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程でパターニングすることで、図８（ａ）に示すように、第２固定電極１３（梁部１３ａ、固定部１３ｂ）、第２可動電極１４（弾性梁部１４ａ、支持部１４ｂ）を形成する。
第２固定電極１３及び第２可動電極１４は、多結晶シリコンの他、アルミニウムやアルミ銅合金などの金属材料を用いて形成してもよく、導電性の高分子材料を用いて形成してもよい。
【００６２】
次に、図８（ｂ）に示すように、基板１８上の全面に第４犠牲層４４を形成し、かかる第４犠牲層４４の表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などの処理により平坦化する。この平坦化処理により第４犠牲層４４を部分的に除去することで、少なくとも第２可動電極１４を露出させる。第４犠牲層４４は、先の第２及び第３犠牲層４２，４３と同様に選択することができる。
【００６３】
その後、第４犠牲層４４や第２固定電極１３、第２可動電極１４を覆うように、例えばアルミニウムからなる金属膜を成膜する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によってパターニングすることで、図８（ｂ）に示すように、第２可動電極１４上に遮光板１７を形成する。遮光板１７は、アルミニウムの他、クロムやアルミ銅合金、白金、チタン、タングステンなどを用いて形成してもよい。以上により、第２デバイス形成層３２に第２アクチュエーター２２が形成される。
【００６４】
次に、図８（ｃ）に示すように、第４犠牲層４４や遮光板１７、第２固定電極１３を覆うように、第５犠牲層４５を形成する。その後、基板１８の裏面（図示下面）側から、異方性エッチングにより貫通孔１９を形成する。貫通孔１９のエッチング処理では、第１犠牲層４１がエッチングストッパーとなる。
【００６５】
次に、図８（ｄ）に示すように、フッ酸系のエッチング液やエッチングガスを用いたエッチング工程により、第１犠牲層４１〜第５犠牲層４５を除去する。これにより、基板１８上に、貫通孔１９上で水平移動可能の遮光板１６を備えた第１アクチュエーター２１、及び遮光板１７を備えた第２アクチュエーター２２を具備した光制御部１０が形成される。
以上の工程により、光制御装置１００を製造することができる。
【００６６】
なお、以上に説明した製造方法は一例であり、本発明の技術範囲内で適宜変更することができる。例えば、上記実施形態では第１デバイス形成層３１に第１アクチュエーター２１を形成した後、さらに連続して第２デバイス形成層３２に第２アクチュエーター２２を形成しているが、第１アクチュエーター２１と第２アクチュエーター２２とを別々の基板を用いて形成してもよい。すなわち、基板１８とは異なる暫定基板上に第２アクチュエーター２２を形成した後、基板１８上に形成した第１アクチュエーター２１上に第２アクチュエーター２２を貼り付け、その後に暫定基板を除去する製造方法を採用することもできる。
【００６７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について、図９から図１１を参照して説明する。
なお、以下で参照する各図において、先の図１から図８と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【００６８】
図９及び図１０は、本発明の第２実施形態である光制御装置２００を示す平面図であり、図９はアクチュエーターを可視化した図、図１０は遮光板の配置状態を示す説明図である。
また図９（ａ）及び図１０（ａ）は、光制御装置２００を第１面（＋Ｚ側の面）から見た平面図であり、図９（ｂ）及び図１０（ｂ）は、光制御装置２００を第２面（−Ｚ側の面）から見た平面図である。
【００６９】
図９及び図１０に示すように、光制御装置２００は、基体としての基板１８と、基板１８に形成された複数の光制御部１０（１０Ａ、１０Ｂ）を備えている。
光制御部１０は、図９及び図１０に示すように、それぞれ、基板１８を貫通して形成された貫通孔１９（光透過領域）と、貫通孔１９上に進退する遮光板１６及び遮光板１７と、遮光板１６を駆動する第１アクチュエーター２１と、遮光板１７を駆動する第２アクチュエーター２２とを備えている。
そして、本実施形態の場合、光制御部１０の第１アクチュエーター２１が基板１８の第１面に形成されており、第２アクチュエーター２２が基板１８の第２面に形成されている。
【００７０】
第１アクチュエーター２１は、基板１８の第１面において、貫通孔１９の一辺に沿う位置に形成された櫛歯状の第１固定電極１１と、第１固定電極１１に噛み合う櫛歯状の第１可動電極１２とを有する。第１可動電極１２上に、遮光板１６が設けられており、第１可動電極１２と一体に水平移動可能とされている。
【００７１】
第２アクチュエーター２２は、基板１８の第２面において、第１アクチュエーター２１とは反対側の貫通孔１９の一辺に沿う位置に形成された櫛歯状の第２固定電極１３と、第２固定電極１３に噛み合う櫛歯状の第２可動電極１４とを有する。第２可動電極１４上に、遮光板１７が設けられており、第２可動電極１４と一体に水平移動可能とされている。
【００７２】
図１１は、図９のＥ−Ｅ’線に沿う位置の光制御装置２００の断面図である。なお、図１１（ａ）は、光遮断状態の光制御装置２００を示しており、図９とは遮光板１７の位置が異なっている。
図１１（ａ）に示すように、基板１８の第１面（図示上面）には、配線２５と、第１固定電極１１と、第１可動電極１２と、遮光板１６とが設けられている。第１固定電極１１は、図９に示した固定部１１ｂを介して配線２５と接続されている。
また、基板１８の第２面（図示下面）には、配線２６と、第２固定電極１３と、第２可動電極１４と、遮光板１７とが設けられている。第２固定電極１３は、図９に示した固定部１３ｂを介して配線２６と接続されている。
【００７３】
［動作説明］
次に、図１１を参照して光制御装置２００の動作について説明する。
図１１（ａ）は、光遮断状態の光制御部１０Ａ，１０Ｂを示す断面図であり、図１１（ｂ）は、光通過状態の光制御部１０Ａ，１０Ｂを示す断面図である。
【００７４】
光制御装置２００は、光制御装置１００と同様に、第１可動電極１２及び第２可動電極１４をそれぞれ水平移動させることで貫通孔１９上に遮光板１６，１７を進退させる。これにより、貫通孔１９から射出される光を遮光板１６，１７により通過、遮断することで、光の透過／非透過を制御する。
【００７５】
まず、図１１（ａ）に示す光遮断状態は、光制御部１０Ａ、１０Ｂの初期状態である。すなわち、第１及び第２固定電極１１，１３、第１及び第２可動電極１２，１４に何ら電位を入力しない状態では、光制御部１０Ａ、１０Ｂはいずれも光遮断状態となる。
あるいは、第１固定電極１１と第１可動電極１２とを同電位、第２固定電極１３と第２可動電極１４とを同電位に保持してもよい。
【００７６】
光遮断状態の光制御部１０Ａ、１０Ｂでは、図１１（ａ）に示すように、遮光板１６及び遮光板１７はいずれも貫通孔１９上に位置し、平面視したときには、これら２枚の遮光板１６，１７により貫通孔１９が覆われている。さらに、遮光板１６の貫通孔１９中央部側の辺縁部と、遮光板１７の貫通孔１９中央部側の辺縁部とが、平面視で重なるように配置されている。図１１（ａ）に示すように、遮光板１６と遮光板１７とは、基板１８の異なる面にそれぞれ形成されているため、遮光板１６及び第１可動電極１２と、遮光板１７及び第２可動電極１４とが接触することはない。
【００７７】
次に、図１１（ｂ）に示す光通過状態に移行させるには、図１１（ａ）に示した光遮断状態において、第１固定電極１１と第１可動電極１２との間に電圧が印加され、例えば、第１固定電極１１が相対的に低電位、第１可動電極１２が相対的に高電位とされる。なお、固定電極と可動電極の電位の高低関係は逆であってもよい。
このように電圧が印加されると、第１固定電極１１と第１可動電極１２との間の静電引力が生じ、第１可動電極１２が第１固定電極１１側へ引き寄せられる。これにより、第１可動電極１２上に配設されている遮光板１６が第１固定電極１１側へ移動し、貫通孔１９上から退避される。
【００７８】
また、第２固定電極１３と第２可動電極１４との間に電圧が印加され、例えば、第２固定電極１３が相対的に低電位、第２可動電極１４が相対的に高電位とされる。なお、固定電極と可動電極の電位の高低関係は逆であってもよい。
このように電圧が印加されると、第２固定電極１３と第２可動電極１４との間に生じる静電引力により、第２可動電極１４が第２固定電極１３側へ引き寄せられる。これにより、第２可動電極１４上に配設されている遮光板１７が第２固定電極１３上に移動し、貫通孔１９上から退避される。なお、図１及び図２に示した状態は、上記動作によって第２可動電極１４を途中まで動かした状態に対応する。
【００７９】
以上の動作により、図４及び図５（ｂ）に示すように、遮光板１６，１７が貫通孔１９の外側に退避され、貫通孔１９から射出される光が光制御部１０Ａ、１０Ｂを通過する状態となる。また、図１１（ｂ）に示すように、遮光板１６及び第１可動電極１２と、遮光板１７及び第２可動電極１４とは、それぞれ基板１８の異なる面に形成されているため、光通過状態では、第１可動電極１２及び遮光板１６と、第２可動電極１４及び遮光板１７とが、平面視でほぼ重なった状態となる。
【００８０】
以上詳細に説明したように、本実施形態の光制御装置２００は、第１実施形態の光制御装置１００と同様に、第１及び第２固定電極１１，１３と、第１及び第２可動電極１２，１４の電位状態を制御することで第１及び第２アクチュエーター２１，２２を駆動し、これによって遮光板１６，１７を貫通孔１９に対して水平に進退させることで、貫通孔１９から射出される光の通過／遮断状態を自在に切り換えることができる。
【００８１】
そして、本実施形態の光制御装置２００では、第１可動電極１２及び遮光板１６と、第２可動電極１４及び遮光板１７とが、基板１８の異なる面に形成されている。これにより、図１１（ｂ）に示したように、光遮断状態において、遮光板１６と遮光板１７とが平面視で重なった状態とすることができる。したがって、遮光板１６，１７を貫通孔１９上から後退させたときに配置される領域を小さくすることができる。その結果、貫通孔１９の開口径を大きくし、開口率を向上させることができる。
【００８２】
また、本実施形態の光制御装置２００でも、光遮断状態において遮光板１６，１７が平面視で部分的に重なるように配置することができる。これにより、貫通孔１９から射出した光を遮光板１６と遮光板１７とにより確実に遮断することができ、光漏れの生じにくい構造とすることができる。
【００８３】
［製造方法］
次に、上記実施形態の光制御装置１００の製造方法について、図１２から図１４を参照して説明する。図１２から図１４に示す工程図は、図９のＦ−Ｆ’線に沿う位置における各工程での状態を示す断面図である。
【００８４】
まず、図１２（ａ）に示すように、例えばシリコンからなる第１基板１８Ａを用意する。
図示は省略しているが、用意した第１基板１８Ａの少なくとも図示上面側には絶縁膜が形成されている。この絶縁膜は、シリコンからなる第１基板１８Ａを熱酸化して形成してもよいし、ＣＶＤ法やスパッタ法などの成膜法を用いて形成してもよい。また、絶縁膜としては、シリコン酸化物膜に限らず、シリコン窒化物やシリコン酸化窒化物膜であってもよい。
【００８５】
次に、図１２（ｂ）に示すように、第１基板１８Ａ上に、例えば不純物をドープした多結晶シリコンや金属材料からなる配線２５をパターン形成する。配線２５は、多結晶シリコンの他、アルミニウムやアルミ銅合金などの金属材料を用いて形成してもよく、導電性の高分子材料を用いて形成してもよい。
【００８６】
次に、図１２（ｃ）に示すように、例えばシリコン酸化物膜からなる第１犠牲層４１を、例えばＣＶＤ法などを用いて形成する。この第１犠牲層４１上の配線層が第１デバイス形成層３１となる。
次いで、図１２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によって、第１犠牲層４１を貫通して配線２５に達するコンタクトホール４１ａ、４１ａを形成する。
【００８７】
次に、第１犠牲層４１を覆うように、例えば多結晶シリコンからなる導電膜をスパッタ法などの公知の成膜法により形成する。その後、この導電膜をフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程でパターニングすることで、図１２（ｅ）に示すように、第１固定電極１１（梁部１１ａ、固定部１１ｂ）、第１可動電極１２（弾性梁部１２ａ、支持部１２ｂ）を形成する。
第１固定電極１１及び第１可動電極１２は、多結晶シリコンの他、アルミニウムやアルミ銅合金などの金属材料を用いて形成してもよく、導電性の高分子材料を用いて形成してもよい。
【００８８】
次に、図１３（ａ）に示すように、第１基板１８Ａ上の全面に第２犠牲層４２を形成し、ＣＭＰ処理などにより第２犠牲層４２の表面を部分的に除去して第１可動電極１２を露出させる。そして、第１可動電極１２上にアルミニウム等からなる遮光板１６をパターン形成する。以上の工程により、第１基板１８Ａ上の第１デバイス形成層３１に第１アクチュエーター２１が形成される。
【００８９】
次に、図１３（ｂ）に示すように、第１アクチュエーター２１を覆うように、第３犠牲層４３を形成した後、第１基板１８Ａの裏面（図示下面）側から、異方性エッチングにより第１貫通孔１９Ａを形成する。第１貫通孔１９Ａのエッチング処理では、第１犠牲層４１がエッチングストッパーとなる。
以上の工程により、第１アクチュエーター２１が形成された第１基板１８Ａを作製することができる。
【００９０】
次に、図１３（ｃ）に示すように、第１基板１８Ａとは別に用意した第２基板１８Ｂに対して、先の第１基板１８Ａに対する工程を繰り返し行い、第２基板１８Ｂ上に、配線２６と、第２固定電極１３と、第２可動電極１４と、これらの間を埋める第１犠牲層４１、第２犠牲層４２、及び第３犠牲層４３を形成する。さらに、第２基板１８Ｂの裏面（図示下面）側から第２貫通孔１９Ｂを形成する。
以上の工程により、第２デバイス形成層３２に第２アクチュエーター２２が形成された第２基板１８Ｂを作製することができる。
【００９１】
次に、図１４（ａ）に示すように、図１３（ｂ）に示した第１基板１８Ａの裏面１８ａと、図１３（ｃ）に示した第２基板１８Ｂの裏面１８ｂとを対向させて、２枚の基板１８Ａ、１８Ｂを貼り合わせる。これにより、第１基板１８Ａと第２基板１８Ｂとを貼り合わせてなる基板１８の内部に、第１貫通孔１９Ａと第２貫通孔１９Ｂとからなる貫通孔１９が形成される。
【００９２】
次に、図１４（ｂ）に示すように、フッ酸系のエッチング液やエッチングガスを用いたエッチング工程により、第１犠牲層４１、第２犠牲層４２、及び第３犠牲層４３を除去する。
これにより、基板１８の第１面（図示上面）に、貫通孔１９上で水平移動可能の遮光板１６を備えた第１アクチュエーター２１が形成され、第２面（図示下面）に遮光板１７を備えた第２アクチュエーター２２が形成された光制御部１０を得ることができる。
以上の工程により、光制御装置２００を製造することができる。
【００９３】
なお、本実施形態の製造方法についても、本発明の技術範囲内で製造工程を適宜変更できるのはもちろんである。例えば、上記実施形態では、第１アクチュエーター２１が形成された第１基板１８Ａと、第２アクチュエーター２２が形成された第２基板１８Ｂとを裏面同士で貼り合わせることとしたが、暫定基板を用いた製造方法を適用することも可能である。
【００９４】
暫定基板を用いる場合、図１３（ｃ）に示した第２アクチュエーター２２を、暫定基板上に形成する。そして、かかる第２アクチュエーター２２を、図１３（ｂ）に示す第１アクチュエーター２１が形成された第１基板１８Ａの裏面１８ａに貼り付け、その後に暫定基板を取り除くことで光制御装置２００と同等の構成を備えた光制御装置を製造することができる。
【００９５】
また、場合によっては、１枚の基板を用いて製造してもよい。すなわち、第１基板１８Ａに第１アクチュエーター２１を形成し、第１アクチュエーター２１を覆う第３犠牲層４３を形成した後（図１３（ｂ））、第１基板１８Ａの裏面１８ａに第２アクチュエーター２２を形成してもよい。
【００９６】
（電気光学装置）
図１５は、先の実施形態の光制御装置１００を備えた電気光学装置４０の概略平面図である。
電気光学装置４０は、図１５に示すように、基板１８と、基板１８上に形成された表示領域５０と、表示領域５０の側方（図示下方）に形成された駆動回路６０とを備えて構成されている。表示領域５０には、複数の光制御装置１００が平面視マトリクス状に配列されており、各々の光制御装置１００は、図示略の配線を介して駆動回路６０に接続されている。
【００９７】
本実施形態の電気光学装置４０は、光制御装置１００を画素として備えており、各々の光制御装置１００において、貫通孔１９から射出される光の通過／遮断状態を遮光板１６，１７の水平移動によって独立に制御することができる。
【００９８】
先に説明したように、本発明に係る光制御装置１００は、光通過状態において遮光板１６と遮光板１７とが重なって配置されるため、遮光板１６，１７及びアクチュエーターの設置領域を狭小化することができ、高い開口率を得ることができる。したがって、本実施形態の電気光学装置４０によれば、表示領域を構成する画素において高い開口率を得ることができる。
【００９９】
なお、本実施形態では、電気光学装置４０の画素として光制御装置１００を用いた場合について説明したが、上述した光制御装置２００を備えた光制御装置によって画素を構成してもよいのはもちろんである。
【０１００】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の一実施形態について説明する。
図１６は、上記実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例であるプロジェクターを示す図である。
【０１０１】
図１６に示すように、プロジェクター４００は、三原色に対応する原色光を各々出力する光源装置５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂと、透過型ライトバルブ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂと、ダイクロイックプリズム５４と、投射光学系５５とを備えている。
透過型ライトバルブ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂは、先に説明した本発明に係る電気光学装置４０からなり、透過型の光制御装置１００を画素として備えたライトバルブである。
【０１０２】
光源装置５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂは、それぞれ赤色光、緑色光、青色光を射出し、射出された各色光は、それぞれ透過型ライトバルブ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂに入射して変調される。変調された各色光は、ダイクロイックプリズム５４によって合成され、合成された光は投射光学系５５によってスクリーン等に投射される。
【０１０３】
また、本実施形態のプロジェクター４００は、照度均一化光学系５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂを含んでいる。照度均一化光学系５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂは、レーザー光源やＬＥＤ光源を備えた光源装置５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂから射出された出力光の照度分布を均一化する。照度均一化光学系５２Ｒは、ホログラム４２１Ｒとフィールドレンズ４２２Ｒ等により構成されている。照度均一化光学系５２Ｇ、５２Ｂは、照度均一化光学系５２Ｒと同様に、ホログラム４２１Ｇ、４２１Ｂ、フィールドレンズ４２２Ｇ、４２２Ｂを備えた構成になっている。
【０１０４】
透過型ライトバルブ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂの各々により変調された色光は、ダイクロイックプリズム５４に入射する。ダイクロイックプリズム５４は４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面（直角プリズムの表面）に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。３つの色光は、これらの誘電体多層膜によって合成され、カラー画像を表す光になる。合成された光が投射光学系５５によりスクリーンや壁等の被投射面４５０に拡大投射されることにより、投射画像が表示される。
【０１０５】
本実施形態のプロジェクター４００によれば、透過型ライトバルブ４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂとして、本発明に係る電気光学装置４０を備えているので、高輝度、高コントラストの表示が得られるプロジェクターとなっている。
【０１０６】
なお、上記したプロジェクターの構成は一例であり、その構成は適宜変更することができる。例えば、プロジェクター４００では色光合成素子としてダイクロイックプリズムを用いているが、ダイクロイックミラーをクロス配置とし色光を合成するものや、ダイクロイックミラーを平行に配置し色光を合成するもの等を用いた構成としてもよい。
【符号の説明】
【０１０７】
１００，２００光制御装置、４０電気光学装置、１０，１０Ａ，１０Ｂ光制御部、１１第１固定電極、１２第１可動電極、１３第２固定電極、１４第２可動電極、１６，１７遮光板、１９貫通孔（光透過領域）、２１第１アクチュエーター、２２第２アクチュエーター、３１第１デバイス形成層、３２第２デバイス形成層

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有し、
複数の前記遮光板のうち少なくとも２つの前記遮光板が、互いに異なる移動平面を有するとともに、前記光透過領域から後退した位置で少なくとも部分的に重なることを特徴とする光制御装置。
【請求項２】
すべての前記遮光板が、前記基板の一方の主面側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光制御装置。
【請求項３】
前記基板の両面に、それぞれ前記遮光板が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光制御装置。
【請求項４】
複数の前記遮光板が、前記光透過領域上に進出した位置で互いに部分的に重なることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光制御装置。
【請求項５】
前記遮光板に、静電アクチュエーターが接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光制御装置。
【請求項６】
基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有する光制御装置の製造方法であって、
前記基板上の第１デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、
前記第１デバイス形成層とは異なる第２デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、
を有することを特徴とする光制御装置の製造方法。
【請求項７】
基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有する光制御装置の製造方法であって、
前記基板上の第１デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、
前記基板とは異なる暫定基板上の前記第２デバイス形成層に一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、
前記暫定基板と前記第２デバイス形成層のうち少なくとも前記第２デバイス形成層を前記基板と貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする光制御装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板の一方の主面に、前記第１デバイス形成層と前記第２デバイス形成層とを積層することを特徴とする請求項６又は７に記載の光制御装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板の一方の主面に前記第１デバイス形成層を設け、前記基板の他方の主面に前記第２デバイス形成層を設けることを特徴とする請求項６又は７に記載の光制御装置の製造方法。
【請求項１０】
第１基板と第２基板とを貼り合わせてなる基板と、前記基板に形成された光透過領域と、前記基板上で水平移動することで前記光透過領域に対して進退する複数の遮光板と、を有する光制御装置の製造方法であって、
前記第１基板上の第１デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、
前記第２基板上の第２デバイス形成層に、一又は複数の前記遮光板を形成する工程と、
前記第１基板の前記第１デバイス形成層と反対側の面と、前記第２基板の前記第２デバイス形成層と反対側の面とを貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする光制御装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から５のいずれか１項に記載の光制御装置を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

【図１】