刃の薄膜コーティング
本発明は、カミソリ刃を形成する方法に関する。本方法は、ａ）基板を準備する工程と、ｂ）３０°未満の夾角及び１，０００オングストローム未満の先端半径を有する楔形の鋭利な縁部を基板上に形成する工程と、ｃ）この基板を真空チャンバ内に配置する工程と、ｄ）第１の固体ターゲットをこの真空チャンバ内に配置する工程と、ｅ）イオン化されるガスをこの真空チャンバ内に供給する工程と、ｆ）負電圧を第１の固体ターゲットにパルスで印加することによって、基板上の楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを第１の固体ターゲットから生成する工程と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、改善されたカミソリ及びカミソリ刃並びに鋭利で耐久性のある切削縁部を有するカミソリ刃又は同様の切削器具を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カミソリ刃は典型的に、金属又はセラミックなどの好適な基板材料から形成される。縁部は、約１，０００オングストローム未満の半径を有する最終的な縁部又は先端部を有する、楔形の構成でカミソリ刃内に形成され、この楔形の表面は、３０°未満の夾角を有する。髭剃り行為が激しくなると、しばしば刃縁部のダメージとなるので、剃り能力（shavability）を強めるために、補足的なコーティング材料の１つ以上の層の使用が、髭剃りの容易化並びに／又は髭剃り縁部の硬度、強度及び／又は耐腐食性を増加させるために提案されてきた。高分子材料、金属及び合金、並びにダイヤモンド及びダイヤモンド様カーボン材料を含む他の材料などの、多くのこのようなコーティング材料が提案されてきた。ダイヤモンド及びダイヤモンド様カーボン材料は、ｓｐ３炭素結合、２．５グラム／ｃｍ３を超える質量密度及び約１３３ｃｍ−１付近（ダイヤモンド）又は約１５５０ｃｍ−１付近（ダイヤモンド様カーボン）でのラマンピークを有するとして、特徴付けられることがある。髭剃り縁部の形状及び切削効率に悪影響を与えることなく、その一方で、それぞれのこのような層又は補足的材料の層は、望ましくは、改善された剃り能力、改善された硬度、縁部の強度及び／又は耐腐食性などの特徴をもたらす。しかしながら、このような提案は、ダイヤモンド又はダイヤモンド様コーティングされた縁部が、接着性に乏しく、基板の楔形の縁部から剥がれ落ちるという傾向のため、満足できるものではなかった。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明は、カミソリ刃を形成する方法を目的とする。本方法は、
ａ）基板を準備する工程と、
ｂ）３０°未満の夾角及び１，０００オングストローム未満の先端部半径を有する楔形の鋭利な縁部をこの基板上に形成する工程と、
ｃ）この基板を真空チャンバ内に配置する工程と、
ｄ）第１の固体ターゲットをこの真空チャンバ内に配置する工程と、
ｅ）イオン化されるガスをこの真空チャンバ内に供給する工程と、
ｆ）負電圧をこの第１の固体ターゲットにパルスで印加することによって、基板上の楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを第１固体ターゲットから生成する工程と、を含む、方法。
【０００４】
第１の固体ターゲットは、金属、炭素又はホウ素であってもよい。金属は、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｏ、及び、これらの元素のいずれかの組み合わせを含む合金からなる群より選択されてもよい。
【０００５】
本方法は、ｇ）第２のより低い負電圧を第１の固体ターゲットにパルスで印加することによって、基板上の楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成する追加のイオンを第１の固体ターゲットから生成する追加の工程、を含んでもよい。
【０００６】
本方法は、ｇ）この基板を工程ｆ）中にある軸線を中心として回転させる追加の工程、を含んでもよい。
【０００７】
本方法は、ｇ）第２の固体ターゲットを真空チャンバ内に配置する工程と、ｈ）負電圧をこの第２のターゲットにパルスで印加することによって、基板上の楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを第２の固体ターゲットから生成する追加の工程と、を含んでもよい。第２の固体ターゲットは、この基板に対してこの第１の固体ターゲットとは異なる位置に配置されてもよい。
【０００８】
工程ｆ）のパルスは、ピーク電力密度が上昇して０．１ｋＷ／ｃｍ２〜２０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のパルスとなるような方法で供給されてもよい。工程ｆ）のパルスは、５Ｈｚ〜１０，０００Ｈｚの範囲のパルス周波数で供給されてもよい。工程ｆ）のパルスは、−１００Ｖ〜−１００００Ｖの範囲の電圧を有するように生成されてもよい。工程ｆ）のパルスは、１０μｓ〜１００００のμｓの範囲の持続時間を有するように生成されてもよい。工程ｆ）のパルスは、ターゲット上に０．１〜１０Ａ／ｃｍ２の範囲の電流密度を有するように生成されてもよい。
【０００９】
基板は、−２０Ｖ〜−１０００Ｖの範囲でバイアスされてもよい。１４。
【００１０】
ガスは、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガス、Ｎ２、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、０２などの反応性ガス並びに不活性及び反応性ガスを含む全ての可能な組み合わせからなる群より選択されてもよい。ガスは、０．１３〜１．３（１〜１０ミリトール）の範囲の圧力であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本明細書は、本発明を構成するとみなされる対象を具体的に指摘し、明確に請求する請求項をもって結論とするが、本発明は添付の図面とともに考慮される次の説明からよりよく理解されるものと考えられる。
【図１】本発明による髭剃りユニットの斜視図。
【図２】本発明による別の髭剃りユニットの斜視図。
【図３】本発明によるカミソリ刃の縁部の形状の一実施例を示す概略図。
【図４】本発明の方法を実施する装置の概略図。
【図５】本発明の方法を実施する代替装置の概略図。
【図６】本発明の方法を実施する別の代替装置の概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１を参照すると、髭剃りユニット１０は、カミソリのハンドルに取り付けるための構造体及び、前方の横に延在する皮膚に接触する面１４を画定する構造体を含む耐衝撃性プラスチックで成形されたプラットフォーム部材１２を含む。プラットフォーム部材１２に実装されているのは、鋭利な縁部１８及び鋭利な縁部２２を有する次の刃２０を有する先導刃１６である。成形されたプラスチックのキャップ部材２４は、皮膚に接触する面２６を画定する構造体を有し、これは刃の縁部２２の後方に配置され、髭剃り補助合成物２８であるキャップ部材２４に取り付けられる。
【００１３】
図２に示されている髭剃りユニット３０は、ジェイコブソン（Jacobson）の米国特許第４，５８６，２５５号に示されているタイプであり、前側部分３４及び後側部分３６を有する成形された本体３２を含む。本体３２に弾力的に固定されているのは、ガード部材３８、先導刃ユニット４０及び後続刃ユニット４２である。刃ユニット４０、４２はそれぞれ、鋭利な縁部４６を有する刃部材４４を含む。髭剃り補助合成物４８は、後側部分３６の凹部内で、摩擦で固定されている。
【００１４】
刃１６、２０及び４４の縁部領域の概略図が、図３に示されている。刃は、研削作業、粗砥石作業及び仕上げ砥石作業を含む一連の縁部形成作業で形成される楔形の鋭利な縁部を有するステンレス鋼の本体部分５０を含み、この一連の作業は、約３０°未満の角度で分岐し、粗砥石ファセット５８、６０と融合する仕上げ砥石ファセット５４及び５６を有する、典型的に１，０００オングストローム未満の半径を有する先端部分５２を形成する。より好ましくは、先端部分５２は７５０オングストローム未満の半径及び約３０°未満の夾角（includes angle）の半径を有し、最も好ましくは、先端部分５２は、５００オングストローム未満の半径及び約２５°未満の夾角を有する。先端５２及びファセット５４〜６０上に配置されているのは、約３，０００オングストローム未満の、より好ましくは約２，０００オングストローム未満の、そして最も好ましくは約１，０００オングストローム未満の厚さを有する、窒化クロムの薄膜層又はコーティング６２である。薄膜層６２上に配置されているのは、任意の接着性テロマー層６８である。
【００１５】
図３に示されているタイプの刃を加工する装置７０が、図４に概略的に示されている。装置７０は、壁構造体７２、ドア７３及び基本構造体７４を有するステンレス鋼の真空チャンバ７１を含み、その中に、適した真空ポンプシステム（図示せず）に連結されたポート７６が形成されている。真空チャンバ７１内に実装されているのは、直立した支持部材８０を有する支持体７８であり、その上には、それらの鋭利な縁部８４が整列され、支持部材８０から外側に面するカミソリ刃の積み重ね８２が配置されている。また、真空チャンバ７１内に配置されているのは、クロム（Ｃｒ）のターゲット部材８６用の支持構造体８５である。ターゲット８６は、幅約１２ｃｍ及び長さ約３７ｃｍの、垂直に配置されたプレートである。支持構造体７８及び８５は、真空チャンバ７１から電気的に絶縁されており、電気的接続は、刃の積み重ね８２をスイッチ９３を介してバイアス電源９２に、ターゲット８６をスイッチ９５を介して電源９８に接続するために供給される。シャッター構造体１００は、開放位置とその隣接するターゲットを覆う位置との間の動きのために、ターゲット８６に隣接して配置される。
【００１６】
支持部材８０は、対向するターゲット８６から約７ｃｍ離間して、刃の縁部８４を有する刃の積み重ね８２を支持する。支持部材８０は、鋭利な刃縁部が、ターゲット部材８６に関して異なる角度で配置されることができるように、軸線の周囲で回転可能であってもよい。
【００１７】
特別な加工シーケンスでは、刃の積み重ね８２（高さ３０ｃｍ）は、支持部材８０に固定されている。真空チャンバ７１は、排気される。ターゲット８６は、高電力パルススパッタ（HIPIMS）によって５分間、清浄化される。ＨＩＰＩＭＳは、高電力を使用する短パルス（インパルス）スパッタリング方法である。ターゲット８６の清浄化は、０．４Ｐａ（３ミリトール）のアルゴン雰囲気で実施される。スイッチ９５が開かれ、電力は、−１２００Ｖの電圧、１６００Ａの電流及びこのプロセス中に徐々に上昇される１．６ｋＷ／ｃｍ２のピーク電力で電源９８によって供給される。パルス周波数は、４０μｓのパルス持続時間で１００Ｈｚに設定される。
【００１８】
ターゲット８６の清浄化は、０．１３〜０．６７Ｐａ（１〜５ミリトール）の範囲の気圧、−５００Ｖ〜−２５００Ｖの範囲の電圧、５００Ａ〜２５００Ａの範囲の電流、０．１ｋＷ／ｃｍ２〜２０．０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のピーク電力、５０Ｈｚ〜２００Ｈｚの範囲のパルス周波数及び１０μｓ〜５００μｓの範囲のパルス持続時間など他の設定で実施されてもよい。
【００１９】
刃８２は、次いで、アルゴン雰囲気で、０．１３Ｐａ（１ミリトール）の気圧で５分間前処理される又はイオンエッチングされる。シャッター１００は、開放位置にある。電力は、−１０００Ｖの電圧、１５００Ａのパルス電流及び、この加工中に徐々に上昇される１．２５ｋＷ／ｃｍ２のピーク電力で電源９８によってターゲット８６に供給される。パルス周波数は、５０μｓのパルス持続時間で１０５Ｈｚに設定される。刃は、電源９２から供給される電力によって、低い値から、−５００Ｖ〜−１０００Ｖの範囲まで及び平均電流２．５Ａまで上昇され得る高電圧までバイアスされる。シャッター１００は、開放されたままである。これらの条件で、刃へのイオン電流密度は、ピークで０．２Ａｃｍ−２である。スパッタされた金属フラックスの大部分が、３０％に到達する金属イオン分率でイオン化される。金属イオンの有意な部分が、二重にイオン化される。これらの条件下で、刃縁部の高エネルギー金属イオン衝撃が発生する。イオン衝撃は、エッチング金属、すなわちクロムを刃縁部の中に、約３０ｎｍの深さまで組み込む効果を有する。このような組み込みは、刃縁部の個々の結晶粒上で局部化されたエピタキシャルコーティング成長のメカニズムを通じて、刃縁部へのコーティングのより良好な接着につながる。スイッチ９３及び９５は次いで、イオンエッチングサイクルの終わりに閉じられる。
【００２０】
イオンエッチングは、０．０６７〜０．６７Ｐａ（０．５〜５ミリトール）の範囲の気圧で、１〜１０分間などの他の設定で実施されてもよい。電力は、−５００Ｖ〜−３０００Ｖの範囲の電圧、５００Ａ〜３０００Ａの範囲の電流、０．１〜２０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のピーク電力、５０〜３００Ｈｚの範囲のパルス周波数及び１〜１０００μｓの範囲のパルス持続時間で、電源９８によってターゲット８６に供給されてもよい。刃は、低い値から−５００Ｖ〜−１０００Ｖの範囲まで上昇され得る高電圧まで、１．０〜２．５Ａの範囲の電流まで、電源９２から供給される電力によってバイアスされてもよい。刃へのピークイオン電流密度は、０．０１〜０．５Ａｃｍ−２であってもよい。
【００２１】
刃８２は、次いで、ＣｒＮの薄膜コーティングで、アルゴン及び窒素雰囲気でコーティングされる。基板洗浄化サイクル後、シャッターは開放されたままであり、窒素ガス２００ｓｃｃｍ及びアルゴンガス１５０ｓｃｃｍが、チャンバ７１内に流れ始め、カソード電力及びバイアス電圧は、同時にスイッチが入れられる。アルゴンは、０．２７Ｐａ（２ミリトール）の分圧であり、窒素は、０．１３Ｐａ（１ミリトール）の分圧である。シャッター１００は、開放位置では、クロムターゲット８６の前にある。電力は、−７００Ｖの電圧、７００Ａの電流及び０．５ＭＷのピーク電力で、このプロセス中、一定でクロムターゲット８６に電源９８によって、供給される。パルス周波数は、１００μｓのパルス持続時間で２００Ｈｚに設定される。刃は、電源９２から供給される電力によって、−５０Ｖ〜−１０００Ｖの範囲の高圧及び平均電流１Ａまでバイアスされる。これらの条件では、刃へのピークイオン電流密度は、０．４Ａｃｍ−２である。イオンフラックスの相当な部分が、１５％に到達する金属イオン分率でイオン化される。金属イオンの有意な部分が二重にイオン化され、窒素分子の有意な部分が解離する。これらの条件下で、刃縁部の高エネルギー金属イオンの衝撃が発生する。イオン衝撃は、刃縁部の上に金属をコーティングする。刃縁部上の金属コーティングの厚さは、５０〜５，０００オングストロームであってもよい。
【００２２】
刃のコーティングは、窒素ガス２５〜５００ｓｃｃｍ、アルゴンガス２５〜５００ｓｃｃｍ、０．１３〜１．３Ｐａ（１〜１０ミリトール）の範囲のアルゴン圧、０．１３〜１．３Ｐａ（１〜１０ミリトール）の範囲の窒素圧など他の設定で実施されてもよい。電力は、−１００Ｖ〜１００００Ｖの範囲の電圧、１００Ａ〜５０００Ａの範囲の電流、０．１〜２０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のピーク電力、５〜１００００Ｈｚの範囲のパルス周波数及び１０〜１００００μｓの範囲のパルス持続時間で、クロムターゲット８６に、電源９８によって供給されてもよい。刃は、電源９２から供給される電力によって、−２０Ｖ〜−１０００Ｖの範囲の高圧及び０．１Ａ〜１０Ａの範囲の電流まで、バイアスされてもよい。刃へのイオン電流密度は、ピークで０．０１〜０．５Ａｃｍ−２の範囲であってもよい。
【００２３】
ターゲット部材８６は金属、炭素又はホウ素からなってもよい。ターゲット部材８６用の金属は、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｏ、及び、これらの元素のいずれかの組み合わせを含む合金からなる群より選択されてもよい。
【００２４】
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の任意のコーティングは、米国特許第３，５１８，１１０号の教示に従って、刃のＣｒＮコーティングされた縁部に塗布することができる。この方法は、アルゴンの中性雰囲気で刃を加熱する工程と、刃の切削縁部上に接着及び摩擦を低減する固体ＰＴＦＥのポリマーコーティングを供給する工程と、を含む。テロマーコーティングは、１００〜２，０００オングストロームの範囲の厚さを有してもよい。
【００２５】
次に、図５を参照すると、図３に示されている種類の刃を加工する代替装置１７０が示されている。装置１７０は、壁構造体１７２、ドア１７３及び基本構造体を有するステンレス鋼の真空チャンバ１７１を含み、その中に、適した真空システム（図示せず）に連結されたポート１７６が形成されている。真空チャンバ１７１内に実装されているのは、直立した支持部材１８０を有する支持体１７８であり、その上には、支持部材１８０から外側に面する、それらの鋭利な縁部１８４を有するカミソリ刃の積み重ね１８２が配置されている。また、真空チャンバ１７１内に配置されているのは、ターゲット部材１８６用の支持構造体１８５である。ターゲット１８６は、幅約１２ｃｍ及び長さ約３７ｃｍの、垂直に配置されたプレートである。支持構造体１７８及び１８５は、真空チャンバ１７１から電気的に絶縁されており、電気的接続は、刃の積み重ね１８２をスイッチ１９３を介してバイアス電源１９２に、ターゲット１８６をスイッチ１９５を介して電源１９８に接続するために提供される。シャッター構造体２００は、開放位置とその隣接するターゲットを見えなくする位置との間の動きのために、ターゲット１８６に隣接して配置される。
【００２６】
支持部材１８０は、対向するターゲット１８６から約７ｃｍ離間して、刃縁部１８４を有する刃の積み重ね１８２を支持する。支持部材１８０は、鋭利な刃縁部が、ターゲット部材１８６に関して異なる角度で位置決めされることができるように、回転軸線１７９の周囲で回転可能である。矢印２０２及び２０３は、回転軸線１７９の周囲で刃縁部１８４を有する刃の積み重ね１８２を運ぶ支持部材１８０の回転の動きの方向を示す。刃縁部１８４を回転軸線１７９の周囲で回転させることによって、楔形の鋭利な縁部の複数のファセットを、ＣｒＮの薄膜コーティングでコーティングすることができる。回転はイオンエッチング又は薄膜コーティング作業の１つ又は両方で行われてもよい。
【００２７】
次に、図６を参照すると、図３に示されている種類の刃を加工する代替装置２７０が示されている。装置２７０は、壁構造体２７２、ドア２７３及び基本構造体２７４を有するステンレス鋼真空チャンバ２７１を含み、その中には適した真空システム（図示せず）に連結されたポート２７６が形成されている。真空チャンバ２７１内に実装されているのは、直立した支持部材２８０を有する支持体２７８であり、その上には、支持部材２８０から外側に面しているそれらの鋭利な縁部２８４を有するカミソリ刃の積み重ね２８２が配置されている。また、真空チャンバ２７１内に配置されているのは、ターゲット部材２８６用の２つの支持構造体２８５である。それぞれのターゲット２８６は、幅約１２ｃｍ及び長さ約３７ｃｍの垂直に配置されたプレートである。支持構造体２７８及び２８５は、真空チャンバ２７１から電気的に絶縁されており、電気的接続は、刃の積み重ね２８２をスイッチ２９３を介して電源２９２に、ターゲット２８６をスイッチ２９５を介して電源２９８に接続するために供給される。シャッター構造体３００は、開放位置とその隣接したターゲットを覆う位置との間の動きのために、それぞれのターゲット２８６に隣接して配置される。
【００２８】
それぞれのターゲット２８６は、楔形の鋭利な縁部のファセットに関して異なる角度であるように、チャンバ２７１内で、刃の積み重ね２８２に対して異なる位置で配置される。両方のターゲットは、イオンエッチング及び薄膜コーティング作業の両方で使用される。
【００２９】
本明細書に開示される寸法及び値は、列挙された正確な数値に厳しく限定されるものとして理解されるべきではない。それよりむしろ、特に規定がない限り、こうした各寸法は、列挙された値とその値周辺の機能的に同等の範囲との両方を意味することを意図している。例えば、「４０ｍｍ」として開示した寸法は、「約４０ｍｍ」を意味することを意図したものである。
【００３０】
「発明を実施するための形態」で引用した全ての文献は、その関連部分において本明細書に参照により組み込まれ、いかなる文献の引用も、それが本発明に対する先行技術であることを認めるものと解釈すべきではない。本書における用語のいずれかの意味又は定義が、参考として組み込まれた文献における同一の用語のいずれかの意味又は定義と相反する限りにおいては、本書においてその用語に与えられた意味又は定義が適用されるものとする。
【００３１】
本発明の特定の諸実施形態を図示し、記載したが、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく他の様々な変更及び修正を実施できることは当業者には自明であろう。したがって、本発明の範囲内にあるそのような全ての変更及び修正を、添付の特許請求の範囲で扱うものとする。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、改善されたカミソリ及びカミソリ刃並びに鋭利で耐久性のある切削縁部を有するカミソリ刃又は同様の切削器具を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カミソリ刃は典型的に、金属又はセラミックなどの好適な基板材料から形成される。縁部は、約１，０００オングストローム未満の半径を有する最終的な縁部又は先端部を有する、楔形の構成でカミソリ刃内に形成され、この楔形の表面は、３０°未満の夾角を有する。髭剃り行為が激しくなると、しばしば刃縁部のダメージとなるので、剃り能力（shavability）を強めるために、補足的なコーティング材料の１つ以上の層の使用が、髭剃りの容易化並びに／又は髭剃り縁部の硬度、強度及び／又は耐腐食性を増加させるために提案されてきた。高分子材料、金属及び合金、並びにダイヤモンド及びダイヤモンド様カーボン材料を含む他の材料などの、多くのこのようなコーティング材料が提案されてきた。ダイヤモンド及びダイヤモンド様カーボン材料は、ｓｐ３炭素結合、２．５グラム／ｃｍ３を超える質量密度及び約１３３ｃｍ−１付近（ダイヤモンド）又は約１５５０ｃｍ−１付近（ダイヤモンド様カーボン）でのラマンピークを有するとして、特徴付けられることがある。髭剃り縁部の形状及び切削効率に悪影響を与えることなく、その一方で、それぞれのこのような層又は補足的材料の層は、望ましくは、改善された剃り能力、改善された硬度、縁部の強度及び／又は耐腐食性などの特徴をもたらす。しかしながら、このような提案は、ダイヤモンド又はダイヤモンド様コーティングされた縁部が、接着性に乏しく、基板の楔形の縁部から剥がれ落ちるという傾向のため、満足できるものではなかった。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明は、カミソリ刃を形成する方法を目的とする。本方法は、
ａ）基板を準備する工程と、
ｂ）３０°未満の夾角及び１，０００オングストローム未満の先端部半径を有する楔形の鋭利な縁部をこの基板上に形成する工程と、
ｃ）この基板を真空チャンバ内に配置する工程と、
ｄ）第１の固体ターゲットをこの真空チャンバ内に配置する工程と、
ｅ）イオン化されるガスをこの真空チャンバ内に供給する工程と、
ｆ）負電圧をこの第１の固体ターゲットにパルスで印加することによって、基板上の楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを第１固体ターゲットから生成する工程と、を含む、方法。
【０００４】
第１の固体ターゲットは、金属、炭素又はホウ素であってもよい。金属は、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｏ、及び、これらの元素のいずれかの組み合わせを含む合金からなる群より選択されてもよい。
【０００５】
本方法は、ｇ）第２のより低い負電圧を第１の固体ターゲットにパルスで印加することによって、基板上の楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成する追加のイオンを第１の固体ターゲットから生成する追加の工程、を含んでもよい。
【０００６】
本方法は、ｇ）この基板を工程ｆ）中にある軸線を中心として回転させる追加の工程、を含んでもよい。
【０００７】
本方法は、ｇ）第２の固体ターゲットを真空チャンバ内に配置する工程と、ｈ）負電圧をこの第２のターゲットにパルスで印加することによって、基板上の楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを第２の固体ターゲットから生成する追加の工程と、を含んでもよい。第２の固体ターゲットは、この基板に対してこの第１の固体ターゲットとは異なる位置に配置されてもよい。
【０００８】
工程ｆ）のパルスは、ピーク電力密度が上昇して０．１ｋＷ／ｃｍ２〜２０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のパルスとなるような方法で供給されてもよい。工程ｆ）のパルスは、５Ｈｚ〜１０，０００Ｈｚの範囲のパルス周波数で供給されてもよい。工程ｆ）のパルスは、−１００Ｖ〜−１００００Ｖの範囲の電圧を有するように生成されてもよい。工程ｆ）のパルスは、１０μｓ〜１００００のμｓの範囲の持続時間を有するように生成されてもよい。工程ｆ）のパルスは、ターゲット上に０．１〜１０Ａ／ｃｍ２の範囲の電流密度を有するように生成されてもよい。
【０００９】
基板は、−２０Ｖ〜−１０００Ｖの範囲でバイアスされてもよい。１４。
【００１０】
ガスは、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガス、Ｎ２、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、０２などの反応性ガス並びに不活性及び反応性ガスを含む全ての可能な組み合わせからなる群より選択されてもよい。ガスは、０．１３〜１．３（１〜１０ミリトール）の範囲の圧力であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本明細書は、本発明を構成するとみなされる対象を具体的に指摘し、明確に請求する請求項をもって結論とするが、本発明は添付の図面とともに考慮される次の説明からよりよく理解されるものと考えられる。
【図１】本発明による髭剃りユニットの斜視図。
【図２】本発明による別の髭剃りユニットの斜視図。
【図３】本発明によるカミソリ刃の縁部の形状の一実施例を示す概略図。
【図４】本発明の方法を実施する装置の概略図。
【図５】本発明の方法を実施する代替装置の概略図。
【図６】本発明の方法を実施する別の代替装置の概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１を参照すると、髭剃りユニット１０は、カミソリのハンドルに取り付けるための構造体及び、前方の横に延在する皮膚に接触する面１４を画定する構造体を含む耐衝撃性プラスチックで成形されたプラットフォーム部材１２を含む。プラットフォーム部材１２に実装されているのは、鋭利な縁部１８及び鋭利な縁部２２を有する次の刃２０を有する先導刃１６である。成形されたプラスチックのキャップ部材２４は、皮膚に接触する面２６を画定する構造体を有し、これは刃の縁部２２の後方に配置され、髭剃り補助合成物２８であるキャップ部材２４に取り付けられる。
【００１３】
図２に示されている髭剃りユニット３０は、ジェイコブソン（Jacobson）の米国特許第４，５８６，２５５号に示されているタイプであり、前側部分３４及び後側部分３６を有する成形された本体３２を含む。本体３２に弾力的に固定されているのは、ガード部材３８、先導刃ユニット４０及び後続刃ユニット４２である。刃ユニット４０、４２はそれぞれ、鋭利な縁部４６を有する刃部材４４を含む。髭剃り補助合成物４８は、後側部分３６の凹部内で、摩擦で固定されている。
【００１４】
刃１６、２０及び４４の縁部領域の概略図が、図３に示されている。刃は、研削作業、粗砥石作業及び仕上げ砥石作業を含む一連の縁部形成作業で形成される楔形の鋭利な縁部を有するステンレス鋼の本体部分５０を含み、この一連の作業は、約３０°未満の角度で分岐し、粗砥石ファセット５８、６０と融合する仕上げ砥石ファセット５４及び５６を有する、典型的に１，０００オングストローム未満の半径を有する先端部分５２を形成する。より好ましくは、先端部分５２は７５０オングストローム未満の半径及び約３０°未満の夾角（includes angle）の半径を有し、最も好ましくは、先端部分５２は、５００オングストローム未満の半径及び約２５°未満の夾角を有する。先端５２及びファセット５４〜６０上に配置されているのは、約３，０００オングストローム未満の、より好ましくは約２，０００オングストローム未満の、そして最も好ましくは約１，０００オングストローム未満の厚さを有する、窒化クロムの薄膜層又はコーティング６２である。薄膜層６２上に配置されているのは、任意の接着性テロマー層６８である。
【００１５】
図３に示されているタイプの刃を加工する装置７０が、図４に概略的に示されている。装置７０は、壁構造体７２、ドア７３及び基本構造体７４を有するステンレス鋼の真空チャンバ７１を含み、その中に、適した真空ポンプシステム（図示せず）に連結されたポート７６が形成されている。真空チャンバ７１内に実装されているのは、直立した支持部材８０を有する支持体７８であり、その上には、それらの鋭利な縁部８４が整列され、支持部材８０から外側に面するカミソリ刃の積み重ね８２が配置されている。また、真空チャンバ７１内に配置されているのは、クロム（Ｃｒ）のターゲット部材８６用の支持構造体８５である。ターゲット８６は、幅約１２ｃｍ及び長さ約３７ｃｍの、垂直に配置されたプレートである。支持構造体７８及び８５は、真空チャンバ７１から電気的に絶縁されており、電気的接続は、刃の積み重ね８２をスイッチ９３を介してバイアス電源９２に、ターゲット８６をスイッチ９５を介して電源９８に接続するために供給される。シャッター構造体１００は、開放位置とその隣接するターゲットを覆う位置との間の動きのために、ターゲット８６に隣接して配置される。
【００１６】
支持部材８０は、対向するターゲット８６から約７ｃｍ離間して、刃の縁部８４を有する刃の積み重ね８２を支持する。支持部材８０は、鋭利な刃縁部が、ターゲット部材８６に関して異なる角度で配置されることができるように、軸線の周囲で回転可能であってもよい。
【００１７】
特別な加工シーケンスでは、刃の積み重ね８２（高さ３０ｃｍ）は、支持部材８０に固定されている。真空チャンバ７１は、排気される。ターゲット８６は、高電力パルススパッタ（HIPIMS）によって５分間、清浄化される。ＨＩＰＩＭＳは、高電力を使用する短パルス（インパルス）スパッタリング方法である。ターゲット８６の清浄化は、０．４Ｐａ（３ミリトール）のアルゴン雰囲気で実施される。スイッチ９５が開かれ、電力は、−１２００Ｖの電圧、１６００Ａの電流及びこのプロセス中に徐々に上昇される１．６ｋＷ／ｃｍ２のピーク電力で電源９８によって供給される。パルス周波数は、４０μｓのパルス持続時間で１００Ｈｚに設定される。
【００１８】
ターゲット８６の清浄化は、０．１３〜０．６７Ｐａ（１〜５ミリトール）の範囲の気圧、−５００Ｖ〜−２５００Ｖの範囲の電圧、５００Ａ〜２５００Ａの範囲の電流、０．１ｋＷ／ｃｍ２〜２０．０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のピーク電力、５０Ｈｚ〜２００Ｈｚの範囲のパルス周波数及び１０μｓ〜５００μｓの範囲のパルス持続時間など他の設定で実施されてもよい。
【００１９】
刃８２は、次いで、アルゴン雰囲気で、０．１３Ｐａ（１ミリトール）の気圧で５分間前処理される又はイオンエッチングされる。シャッター１００は、開放位置にある。電力は、−１０００Ｖの電圧、１５００Ａのパルス電流及び、この加工中に徐々に上昇される１．２５ｋＷ／ｃｍ２のピーク電力で電源９８によってターゲット８６に供給される。パルス周波数は、５０μｓのパルス持続時間で１０５Ｈｚに設定される。刃は、電源９２から供給される電力によって、低い値から、−５００Ｖ〜−１０００Ｖの範囲まで及び平均電流２．５Ａまで上昇され得る高電圧までバイアスされる。シャッター１００は、開放されたままである。これらの条件で、刃へのイオン電流密度は、ピークで０．２Ａｃｍ−２である。スパッタされた金属フラックスの大部分が、３０％に到達する金属イオン分率でイオン化される。金属イオンの有意な部分が、二重にイオン化される。これらの条件下で、刃縁部の高エネルギー金属イオン衝撃が発生する。イオン衝撃は、エッチング金属、すなわちクロムを刃縁部の中に、約３０ｎｍの深さまで組み込む効果を有する。このような組み込みは、刃縁部の個々の結晶粒上で局部化されたエピタキシャルコーティング成長のメカニズムを通じて、刃縁部へのコーティングのより良好な接着につながる。スイッチ９３及び９５は次いで、イオンエッチングサイクルの終わりに閉じられる。
【００２０】
イオンエッチングは、０．０６７〜０．６７Ｐａ（０．５〜５ミリトール）の範囲の気圧で、１〜１０分間などの他の設定で実施されてもよい。電力は、−５００Ｖ〜−３０００Ｖの範囲の電圧、５００Ａ〜３０００Ａの範囲の電流、０．１〜２０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のピーク電力、５０〜３００Ｈｚの範囲のパルス周波数及び１〜１０００μｓの範囲のパルス持続時間で、電源９８によってターゲット８６に供給されてもよい。刃は、低い値から−５００Ｖ〜−１０００Ｖの範囲まで上昇され得る高電圧まで、１．０〜２．５Ａの範囲の電流まで、電源９２から供給される電力によってバイアスされてもよい。刃へのピークイオン電流密度は、０．０１〜０．５Ａｃｍ−２であってもよい。
【００２１】
刃８２は、次いで、ＣｒＮの薄膜コーティングで、アルゴン及び窒素雰囲気でコーティングされる。基板洗浄化サイクル後、シャッターは開放されたままであり、窒素ガス２００ｓｃｃｍ及びアルゴンガス１５０ｓｃｃｍが、チャンバ７１内に流れ始め、カソード電力及びバイアス電圧は、同時にスイッチが入れられる。アルゴンは、０．２７Ｐａ（２ミリトール）の分圧であり、窒素は、０．１３Ｐａ（１ミリトール）の分圧である。シャッター１００は、開放位置では、クロムターゲット８６の前にある。電力は、−７００Ｖの電圧、７００Ａの電流及び０．５ＭＷのピーク電力で、このプロセス中、一定でクロムターゲット８６に電源９８によって、供給される。パルス周波数は、１００μｓのパルス持続時間で２００Ｈｚに設定される。刃は、電源９２から供給される電力によって、−５０Ｖ〜−１０００Ｖの範囲の高圧及び平均電流１Ａまでバイアスされる。これらの条件では、刃へのピークイオン電流密度は、０．４Ａｃｍ−２である。イオンフラックスの相当な部分が、１５％に到達する金属イオン分率でイオン化される。金属イオンの有意な部分が二重にイオン化され、窒素分子の有意な部分が解離する。これらの条件下で、刃縁部の高エネルギー金属イオンの衝撃が発生する。イオン衝撃は、刃縁部の上に金属をコーティングする。刃縁部上の金属コーティングの厚さは、５０〜５，０００オングストロームであってもよい。
【００２２】
刃のコーティングは、窒素ガス２５〜５００ｓｃｃｍ、アルゴンガス２５〜５００ｓｃｃｍ、０．１３〜１．３Ｐａ（１〜１０ミリトール）の範囲のアルゴン圧、０．１３〜１．３Ｐａ（１〜１０ミリトール）の範囲の窒素圧など他の設定で実施されてもよい。電力は、−１００Ｖ〜１００００Ｖの範囲の電圧、１００Ａ〜５０００Ａの範囲の電流、０．１〜２０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のピーク電力、５〜１００００Ｈｚの範囲のパルス周波数及び１０〜１００００μｓの範囲のパルス持続時間で、クロムターゲット８６に、電源９８によって供給されてもよい。刃は、電源９２から供給される電力によって、−２０Ｖ〜−１０００Ｖの範囲の高圧及び０．１Ａ〜１０Ａの範囲の電流まで、バイアスされてもよい。刃へのイオン電流密度は、ピークで０．０１〜０．５Ａｃｍ−２の範囲であってもよい。
【００２３】
ターゲット部材８６は金属、炭素又はホウ素からなってもよい。ターゲット部材８６用の金属は、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｏ、及び、これらの元素のいずれかの組み合わせを含む合金からなる群より選択されてもよい。
【００２４】
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の任意のコーティングは、米国特許第３，５１８，１１０号の教示に従って、刃のＣｒＮコーティングされた縁部に塗布することができる。この方法は、アルゴンの中性雰囲気で刃を加熱する工程と、刃の切削縁部上に接着及び摩擦を低減する固体ＰＴＦＥのポリマーコーティングを供給する工程と、を含む。テロマーコーティングは、１００〜２，０００オングストロームの範囲の厚さを有してもよい。
【００２５】
次に、図５を参照すると、図３に示されている種類の刃を加工する代替装置１７０が示されている。装置１７０は、壁構造体１７２、ドア１７３及び基本構造体を有するステンレス鋼の真空チャンバ１７１を含み、その中に、適した真空システム（図示せず）に連結されたポート１７６が形成されている。真空チャンバ１７１内に実装されているのは、直立した支持部材１８０を有する支持体１７８であり、その上には、支持部材１８０から外側に面する、それらの鋭利な縁部１８４を有するカミソリ刃の積み重ね１８２が配置されている。また、真空チャンバ１７１内に配置されているのは、ターゲット部材１８６用の支持構造体１８５である。ターゲット１８６は、幅約１２ｃｍ及び長さ約３７ｃｍの、垂直に配置されたプレートである。支持構造体１７８及び１８５は、真空チャンバ１７１から電気的に絶縁されており、電気的接続は、刃の積み重ね１８２をスイッチ１９３を介してバイアス電源１９２に、ターゲット１８６をスイッチ１９５を介して電源１９８に接続するために提供される。シャッター構造体２００は、開放位置とその隣接するターゲットを見えなくする位置との間の動きのために、ターゲット１８６に隣接して配置される。
【００２６】
支持部材１８０は、対向するターゲット１８６から約７ｃｍ離間して、刃縁部１８４を有する刃の積み重ね１８２を支持する。支持部材１８０は、鋭利な刃縁部が、ターゲット部材１８６に関して異なる角度で位置決めされることができるように、回転軸線１７９の周囲で回転可能である。矢印２０２及び２０３は、回転軸線１７９の周囲で刃縁部１８４を有する刃の積み重ね１８２を運ぶ支持部材１８０の回転の動きの方向を示す。刃縁部１８４を回転軸線１７９の周囲で回転させることによって、楔形の鋭利な縁部の複数のファセットを、ＣｒＮの薄膜コーティングでコーティングすることができる。回転はイオンエッチング又は薄膜コーティング作業の１つ又は両方で行われてもよい。
【００２７】
次に、図６を参照すると、図３に示されている種類の刃を加工する代替装置２７０が示されている。装置２７０は、壁構造体２７２、ドア２７３及び基本構造体２７４を有するステンレス鋼真空チャンバ２７１を含み、その中には適した真空システム（図示せず）に連結されたポート２７６が形成されている。真空チャンバ２７１内に実装されているのは、直立した支持部材２８０を有する支持体２７８であり、その上には、支持部材２８０から外側に面しているそれらの鋭利な縁部２８４を有するカミソリ刃の積み重ね２８２が配置されている。また、真空チャンバ２７１内に配置されているのは、ターゲット部材２８６用の２つの支持構造体２８５である。それぞれのターゲット２８６は、幅約１２ｃｍ及び長さ約３７ｃｍの垂直に配置されたプレートである。支持構造体２７８及び２８５は、真空チャンバ２７１から電気的に絶縁されており、電気的接続は、刃の積み重ね２８２をスイッチ２９３を介して電源２９２に、ターゲット２８６をスイッチ２９５を介して電源２９８に接続するために供給される。シャッター構造体３００は、開放位置とその隣接したターゲットを覆う位置との間の動きのために、それぞれのターゲット２８６に隣接して配置される。
【００２８】
それぞれのターゲット２８６は、楔形の鋭利な縁部のファセットに関して異なる角度であるように、チャンバ２７１内で、刃の積み重ね２８２に対して異なる位置で配置される。両方のターゲットは、イオンエッチング及び薄膜コーティング作業の両方で使用される。
【００２９】
本明細書に開示される寸法及び値は、列挙された正確な数値に厳しく限定されるものとして理解されるべきではない。それよりむしろ、特に規定がない限り、こうした各寸法は、列挙された値とその値周辺の機能的に同等の範囲との両方を意味することを意図している。例えば、「４０ｍｍ」として開示した寸法は、「約４０ｍｍ」を意味することを意図したものである。
【００３０】
「発明を実施するための形態」で引用した全ての文献は、その関連部分において本明細書に参照により組み込まれ、いかなる文献の引用も、それが本発明に対する先行技術であることを認めるものと解釈すべきではない。本書における用語のいずれかの意味又は定義が、参考として組み込まれた文献における同一の用語のいずれかの意味又は定義と相反する限りにおいては、本書においてその用語に与えられた意味又は定義が適用されるものとする。
【００３１】
本発明の特定の諸実施形態を図示し、記載したが、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく他の様々な変更及び修正を実施できることは当業者には自明であろう。したがって、本発明の範囲内にあるそのような全ての変更及び修正を、添付の特許請求の範囲で扱うものとする。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カミソリ刃を形成する方法であって、
ａ）基板を準備する工程と、
ｂ）３０°未満の夾角及び１，０００オングストローム未満の先端部半径を有する楔形の鋭利な縁部を前記基板上に形成する工程と、
ｃ）前記基板を真空チャンバ内に配置する工程と、
ｄ）第１の固体ターゲットを前記真空チャンバ内に配置する工程と、
ｅ）イオン化されるガスを前記真空チャンバ内に供給する工程と、
ｆ）負電圧を前記第１の固体ターゲットにパルスで印加することによって、前記基板上の前記楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを前記第１固体ターゲットから生成する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記第１固体ターゲットが、金属、炭素又はホウ素である、請求項１の方法。
【請求項３】
前記金属が、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｏ、及び、これらの元素のいずれかの組み合わせを含む合金からなる群より、選択される、請求項２の方法。
【請求項４】
ｇ）第２のより低い負電圧を前記第１固体ターゲットにパルスで印加することによって、前記基板上の前記楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成する追加のイオンを前記第１固体ターゲットから生成する工程を、更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ｇ）前記基板を工程ｆ）中にある軸線を中心として回転させる工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ｇ）第２の固体ターゲットを前記真空チャンバ内に配置する工程と、
ｈ）負電圧を前記第２の固体ターゲットにパルスで印加することによって、前記基板上の前記楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを前記第２の固体ターゲットから生成する工程と、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の固体ターゲットが、前記基板に対して前記第１の固体ターゲットとは異なる位置に配置される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
電力密度が上昇して０．１ｋＷ／ｃｍ２〜２０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のパルスとなるような方法で、工程ｆ）の前記パルスが供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
工程ｆ）の前記パルスが、５Ｈｚ〜１００００Ｈｚの範囲のパルス周波数で供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
工程ｆ）の前記パルスが、−１００Ｖ〜−１００００Ｖの範囲の電圧を有するように生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
工程ｆ）の前記パルスが、１０μｓ〜１００００μｓの範囲の持続時間を有するように生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
工程ｆ）の前記パルスが、ピークで前記ターゲット上に０．０１〜０．５Ａ／ｃｍ２の範囲の電流密度を有するように生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板が、−２０Ｖ〜−１０００Ｖの範囲でバイアスされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１】
カミソリ刃を形成する方法であって、
ａ）基板を準備する工程と、
ｂ）３０°未満の夾角及び１，０００オングストローム未満の先端部半径を有する楔形の鋭利な縁部を前記基板上に形成する工程と、
ｃ）前記基板を真空チャンバ内に配置する工程と、
ｄ）第１の固体ターゲットを前記真空チャンバ内に配置する工程と、
ｅ）イオン化されるガスを前記真空チャンバ内に供給する工程と、
ｆ）負電圧を前記第１の固体ターゲットにパルスで印加することによって、前記基板上の前記楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを前記第１固体ターゲットから生成する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記第１固体ターゲットが、金属、炭素又はホウ素である、請求項１の方法。
【請求項３】
前記金属が、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｏ、及び、これらの元素のいずれかの組み合わせを含む合金からなる群より、選択される、請求項２の方法。
【請求項４】
ｇ）第２のより低い負電圧を前記第１固体ターゲットにパルスで印加することによって、前記基板上の前記楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成する追加のイオンを前記第１固体ターゲットから生成する工程を、更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ｇ）前記基板を工程ｆ）中にある軸線を中心として回転させる工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ｇ）第２の固体ターゲットを前記真空チャンバ内に配置する工程と、
ｈ）負電圧を前記第２の固体ターゲットにパルスで印加することによって、前記基板上の前記楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを前記第２の固体ターゲットから生成する工程と、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の固体ターゲットが、前記基板に対して前記第１の固体ターゲットとは異なる位置に配置される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
電力密度が上昇して０．１ｋＷ／ｃｍ２〜２０ｋＷ／ｃｍ２の範囲のパルスとなるような方法で、工程ｆ）の前記パルスが供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
工程ｆ）の前記パルスが、５Ｈｚ〜１００００Ｈｚの範囲のパルス周波数で供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
工程ｆ）の前記パルスが、−１００Ｖ〜−１００００Ｖの範囲の電圧を有するように生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
工程ｆ）の前記パルスが、１０μｓ〜１００００μｓの範囲の持続時間を有するように生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
工程ｆ）の前記パルスが、ピークで前記ターゲット上に０．０１〜０．５Ａ／ｃｍ２の範囲の電流密度を有するように生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板が、−２０Ｖ〜−１０００Ｖの範囲でバイアスされる、請求項１に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公表番号】特表２０１０−５３３０５０（Ｐ２０１０−５３３０５０Ａ）
【公表日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５１６６３２（Ｐ２０１０−５１６６３２）
【出願日】平成２０年７月１５日（２００８．７．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００８／０５２８４２
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０１３６６７
【国際公開日】平成２１年１月２９日（２００９．１．２９）
【出願人】（５９３０９３２４９）ザ ジレット カンパニー (349)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月１５日（２００８．７．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００８／０５２８４２
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０１３６６７
【国際公開日】平成２１年１月２９日（２００９．１．２９）
【出願人】（５９３０９３２４９）ザ ジレット カンパニー (349)
【Ｆターム（参考）】
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