説明

半導体回路、半導体装置、故障診断方法、及び故障診断プログラム

【課題】選択回路のスイッチの故障を自己診断することができる半導体回路、半導体装置、故障診断方法、及び故障診断プログラムを提供する。
【解決手段】セル選択SW20の高電位側SWの故障診断を行う場合、低電位側SW及び高電位側SWを全てオフ状態(全オフ状態)にして出力電圧Voutを検出する。出力電圧Vout=0Vの場合は、高電位側SWは故障が無いと判定し、出力電圧Vout≠0Vの場合は、高電位側SWが故障していると判定する。低電位側SWの故障診断を行う場合、全オフ状態のままテストスイッチTSW5をオン状態にして電圧供給部24から電圧VREFを配線25に供給して出力電圧Voutを検出する。出力電圧Vout=1/2VREFの場合は、低電位側SWは故障が無いと判定し、出力電圧Vout≠1/2VREFの場合は、低電位側SWが故障していると判定する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体回路、半導体装置、故障診断方法、及び故障診断プログラム、特に電池監視用の半導体回路、半導体装置、故障診断方法、及び故障診断プログラムに関するものである。
【背景技術】
【0002】
一般に、ハイブリッド自動車や電気自動車のモータ駆動等に用いられる大容量で高出力なバッテリーとして、複数の電池(電池セル)が直列に接続されたバッテリー(具体的一例としては、リチウムイオンバッテリー等が挙げられる)が用いられている。当該バッテリーの電池の電圧を監視するための電池監視システムが知られている。
【0003】
従来の電池監視システムは、複数の電池セルを含む電池セル群と、当該電池セル群に含まれる電池セルの電圧を監視する半導体回路と、を備えて構成されている。
【0004】
このような電池セルの電圧を監視する半導体回路としては、例えば特許文献1に記載の電池電圧検出装置のように、監視対象である個々の電池セルの低電位側に接続されたスイッチと高電位側に接続されたスイッチとを備え、電池セルを選択する場合に、選択する電池セルの低電位側に接続されたスイッチと高電位側に接続されたスイッチがオン状態になる選択回路と、選択回路により選択された電池セルの高電位側の電位と低電位側の電位との差分をA/Dコンバータに出力する差動増幅器やレベルシフタ等のアンプと、を備えた半導体回路が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2007−285714号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
このような特許文献1等に記載の電池監視システムの半導体回路では、電池セルを選択する選択回路のスイッチの故障(リーク)が問題視される。従って、このような選択回路のスイッチのリークを正確に検知し、自己診断する機能が求められている。
【0007】
本発明は、選択回路のスイッチの故障を自己診断することができる半導体回路、半導体装置、故障診断方法、及び故障診断プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の半導体回路は、複数の電池の各々の高電位側にそれぞれ接続された複数の高電位スイッチと、前記複数の電池の各々の低電位側にそれぞれ接続された複数の低電位スイッチと、を備え、前記複数の電池のいずれか1つを選択するよう指示された場合に、選択する電池の高電位側に接続された高電位スイッチと低電位側に接続された低電位スイッチとがオン状態になる選択回路と、前記選択回路により選択された電池の高電位側の高電位電圧が入力され、かつ前記選択回路により選択された電池の低電位側の低電位電圧が入力されると共に、前記高電位電圧と前記低電位電圧との差の電圧値を出力する差分検出回路と、前記低電位スイッチの故障診断を行う場合に、前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に、故障診断用電圧を供給する高電位側電圧供給手段と、を備える。
【0009】
請求項10に記載の半導体装置は、直列に接続された複数の電池と、前記複数の電池のいずれか1つを選択する選択回路を備えた、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の半導体回路と、を備える。
【0010】
請求項11に記載の故障診断方法は、複数の電池の各々の高電位側にそれぞれ接続された複数の高電位スイッチと、前記複数の電池の各々の低電位側にそれぞれ接続された複数の低電位スイッチと、を備え、前記複数の電池のいずれか1つを選択するよう指示された場合に、選択する電池の高電位側に接続された前記高電位スイッチと低電位側に接続された前記低電位スイッチとがオン状態になる選択回路と、前記選択回路により選択された電池の高電位側の高電位電圧が入力され、かつ前記選択回路により選択された電池の低電位側の低電位電圧が入力されると共に、前記高電位電圧と前記低電位電圧との差の電圧値を出力する差分検出回路と、前記低電位スイッチの故障診断を行う場合に、前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に、故障診断用電圧を供給する高電位側電圧供給手段と、を備えた半導体回路において、前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチを全てオフ状態にして、前記差分検出回路の出力を検出する第1工程と、前記第1工程により検出された前記差分検出回路の出力が、0であるとみなす所定の範囲の値である場合は、前記高電位スイッチが故障していないと判定する第2工程と、を備えた、前記高電位スイッチの故障診断工程と、前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチを全てオフ状態にし、かつ前記高電位側電圧供給手段により前記故障診断用電圧を前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に供給して、前記差分検出回路の出力を検出する第3工程と、前記第3工程により検出された前記差分検出回路の出力が、予め定められた所定の範囲の値である場合は、前記低電位スイッチが故障していないと判定する第4工程と、を備えた、前記低電位スイッチの故障診断工程と、を備える。
【0011】
請求項12に記載の故障診断プログラムは、複数の電池の各々の高電位側にそれぞれ接続された複数の高電位スイッチと、前記複数の電池の各々の低電位側にそれぞれ接続された複数の低電位スイッチと、を備え、前記複数の電池のいずれか1つを選択するよう指示された場合に、選択する電池の高電位側に接続された前記高電位スイッチと低電位側に接続された前記低電位スイッチとがオン状態になる選択回路と、前記選択回路により選択された電池の高電位側の高電位電圧が入力され、かつ前記選択回路により選択された電池の低電位側の低電位電圧が入力されると共に、前記高電位電圧と前記低電位電圧との差の電圧値を出力する差分検出回路タと、前記低電位スイッチの故障診断を行う場合に、前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に、故障診断用電圧を供給する高電位側電圧供給手段と、を備えた半導体回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチの故障を診断する処理をコンピュータに実行させるための故障診断プログラムであって、前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチをオフ状態にして、前記差分検出回路の出力を検出する第1ステップと、前記第1ステップにより検出された前記差分検出回路の出力が、0であるとみなす所定の範囲の値である場合は、前記高電位スイッチが故障していないと判定する第2ステップと、を備えた、前記高電位スイッチの故障診断ステップと、前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチをオフ状態にし、かつ前記高電位側電圧供給手段により前記故障診断用電圧を前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に供給して、前記差分検出回路の出力を検出する第3ステップと、前記第3ステップにより検出された前記差分検出回路の出力が、予め定められた所定の範囲の値である場合は、前記低電位スイッチが故障していないと判定する第4ステップと、を備えた、前記低電位スイッチの故障診断ステップと、を備えた処理をコンピュータに実行させるためのものである。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、選択回路のスイッチの故障を自己診断することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】第1の実施の形態に係る電池監視システムの概略構成の一例を示す回路図である。
【図2】第1の実施の形態に係る半導体回路の概略構成の一例を示す回路図である。
【図3】第1の実施の形態に係る故障診断動作の流れの一例を示すフローチャートである。
【図4】第2の実施の形態に係る半導体回路の概略構成の一例を示す回路図である。
【図5】第2の実施の形態に係る故障診断動作の流れの一例を示すフローチャートである。
【図6】図5に示した故障診断動作の流れの一例の続きの一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0014】
[第1の実施の形態]
【0015】
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態の電池監視システムについて詳細に説明する。
【0016】
まず、本実施の形態の電池監視システムの構成について説明する。本実施の形態の電池監視システムの概略構成の一例を図1に示す。図1に示した本実施の形態の電池監視システム10は、複数の電池セルを含む電池セル群12と、電池セル群12の各電池セルの電圧を測定し、監視する半導体回路14と、判定回路16と、を備えて構成されている。
【0017】
判定回路16は、半導体回路14から出力される出力電圧Voutに基づいて半導体回路14のセル選択SW20(図2参照、詳細後述)が故障しているか否かを判定することにより、故障診断を行う機能を有するものである。本実施の形態では、判定回路16はマイクロコンピュータを含んで構成され、CPU(Central Processing Unit)17、ROMおよびRAMを含むメモリ18、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部19を含んで構成されており、メモリ18に記憶されているプログラムをCPU17で実行することにより故障診断を行う機能を有するものである。
【0018】
なお、本実施の形態では、セル選択SW20に備えられた低電位側SW及び高電位側SW(図2参照、いずれも詳細後述)のリーク(電流漏れ)やオン状態での固着(オン状態になったまま戻らない状態)により、電流が流れた状態になってしまう場合を故障と称している。
【0019】
図2に本実施の形態の半導体回路14の一概略構成の一例を示す。なお、本実施の形態では、具体的一例として、電池セル群12は、電圧値が3.5Vに設定された4つのセルC(C1〜C4)を含み、最下位セルC1の低電位側の電圧値をグランドレベル(0V)としている。
【0020】
図2に示した半導体回路14は、セル選択SW20、レベルシフタ22、及び電圧供給部24を備えて構成されている。
【0021】
セル選択SW20は、電池セル12に含まれるセルC(C1〜C4)各々の低電位側に接続されたスイッチSW0、SW1_1、SW2_1、SW3_1(以下、総称する場合は、低電位側SWという)、及び高電位側に接続されたスイッチSW1_2、SW2_2、SW3_2、SW4(以下、総称する場合は、高電位側SWという)を備えて構成されており、入力された制御信号に基づいて、内部SW(SW0〜SW4)のオン・オフを切り替えて指定されたセルC(C1〜C4)を選択する機能を有するものである。
【0022】
レベルシフタ22は、抵抗R1〜R4、レベルシフタアンプ30(以下、レベルシフタ30という)を備えて構成されており、レベルシフタ30の非反転端子には、セル選択SW20により選択されたセルC(C1〜C4)の高電位側の電位(高電位電圧)が入力されると共に、反転端子には、低電位側の電位(低電位電圧)が入力され、高電位電圧と低電位電圧との差分を出力電圧Voutとして出力する。なお、レベルシフタ22から出力された出力電圧Voutは、図示を省略したA/D(アナログ/デジタル)コンバータによりデジタル値に変換され、半導体回路14の外部に出力される。図1に示した判定回路16には、当該A/Dコンバータによりデジタル値に変換された出力電圧Voutが入力される。また、当該A/Dコンバータには一般的に変換の上限値が設定されており、本実施の形態では、具体的一例として、上限値が4.7VのA/Dコンバータを用いている。
【0023】
また、本実施の形態では、具体的一例として、レベルシフタ22のレベルシフタ30は、駆動電圧がグランドレベル(0V)からVDD(4.7V)のオペアンプを用いており、また、抵抗R1〜R4の抵抗値は同じ値としている。従って、レベルシフタ22から出力される出力電圧Voutは0〜4.7Vの範囲の値となる。
【0024】
電圧供給部24は、レベルシフタ30の非反転端子に各セルC(C1〜C4)の高電位電圧を入力するための配線25に電圧VREF(4.7V)を供給する機能を有するものである。電圧供給部24は、セル選択SW20の故障の判定を行う場合に、判定回路16から入力される制御信号によりテストスイッチTSW5がオン状態になり、電圧VREFを配線25に供給する機能を有している。
【0025】
次に本実施の形態の半導体回路14を用いたセル選択SW20の低電位側SW及び高電位側SWの故障診断を行う故障診断動作について説明する。
【0026】
図3に、本実施の形態の故障診断動作の流れの一例のフローチャートを示す。故障診断動作を行う際には、判定回路16において、メモリ18の所定の領域に予め記憶されているプログラムがCPU17により実行される。なお、初期状態では、電圧供給部24のテストスイッチTSW5はオフ状態になっている。
【0027】
まず、高電位側SWの故障を判定するために、ステップ100では、セル選択SW20の全スイッチ(低電位側SW及び高電位側SW)をオフ状態にしてセルC1〜C4のいずれも接続していない状態にする。次のステップ102では、この状態でレベルシフタ22から出力された出力電圧Voutを検出する。
【0028】
次のステップ104では、検出した出力電圧Vout=0Vであるか否か判断する。レベルシフタ22では、セルC1〜C4のいずれからも低電位電圧及び高電位電圧の入力がないため、セル選択SW20の高電位側SWに故障が無ければ出力電圧Vout=0Vになる。一方、高電位側SWに故障が有る場合は、レベルシフタ22(レベルシフタ30)の非反転端子に電圧が入力されるため、出力電圧Vout≠0Vになる。従って、出力電圧Vout=0Vの場合は、肯定されてステップ106へ進み、ステップ106では、高電位側SWに故障が無いと判定してステップ110へ進む。一方、出力電圧Vout=0Vではない場合は、否定されてステップ108へ進み、ステップ108では、高電位側SWに故障が有ると判定してステップ110へ進む。
【0029】
なお、低電位側SWに故障が有る場合、レベルシフタ22(レベルシフタ30)の反転端子に電圧が入力されても、高電位側SWに故障が生じていなければ、出力電圧Vout=非反転端子入力(高電位電圧)−反転端子入力(低電位電圧)となるが、レベルシフタ22では、非反転端子入力−反転端子入力≦0Vの場合は、出力電圧Vout=0Vになる。このように、上述と同様に出力電圧Vout=0Vとなるため、低電位側SWが故障しているか否かをこのままでは判定できない。そのため、次に、低電位側SWの故障の判定を行う。
【0030】
低電位側SWの故障を判定するために、ステップ110では、テストスイッチTSW5をオン状態にする。これにより、電圧VREFが配線25に供給される。次のステップ112では、この状態(低電位側SW及び高電位側SWがオフ状態、テストスイッチTSW5がオン状態)でレベルシフタ22から出力された出力電圧Voutを検出する。
【0031】
次のステップ114では、検出した出力電圧Vout=1/2VREFであるか否か判断する。レベルシフタ22では、非反転端子側の入力に電圧VREFが供給されるため、レベルシフタ30の非反転端子には電圧VREFが抵抗R1、R2により抵抗分圧された電圧1/2VREFが供給される。従って、セル選択SW20の低電位側SWに故障が無ければ出力電圧Vout=1/2VREFになる。一方、低電位側SWに故障が有る場合は、レベルシフタ22(レベルシフタ30)の非反転端子に電圧が入力されるため、出力電圧Vout≠1/2VREFになる。従って、出力電圧Vout=1/2VREFの場合は、肯定されてステップ116へ進み、ステップ116では、低電位側SWに故障が無いと判定して本処理を終了する。一方、出力電圧Vout=1/2VREFではない場合は、否定されてステップ118へ進み、ステップ118では、低電位側SWに故障が有ると判定して本処理を終了する。
【0032】
なお、上述の出力電圧Vout=1/2VREFとなる場合は、低電位側SWに故障が有り、レベルシフタ22の反転端子側入力に1/2VREFの電圧が入力される場合も出力電圧Vout=VREF−1/2VREF=1/2VREFとなるため、当該場合との判別ができない。
【0033】
そのため、レベルシフタ22の低電位側にグランド電位を供給し、電圧VREFとグランド電位との差分に応じて出力される出力電圧Voutに基づいて低電位側SWの故障を検出することが好ましい。レベルシフタ22の低電位側にグランド電位を供給するように構成することにより、低電位側SWに故障が無い場合には、出力電圧Vout=VREF−グランド電位(0V)=VREFとなり、一方、低電位側に故障が有る場合は、出力電圧Vout=VREF−反転端子入力電圧となり、確実に出力電圧Vout<電圧VREFになる。上述のように低電位側SWの故障によりレベルシフタ22の反転端子側入力に1/2VREFの電圧が入力される場合では、出力電圧Vout=VREF−1/2VREFであるため、故障が無い場合と出力電圧Voutの値が確実に異なる。従って、このような構成及び検出方法を採用することで、低電位側SWの故障を確実に判断することができる。
【0034】
なお、本実施の形態において上述のようにレベルシフタ22の低電位側にグランド電位を供給して電圧VREFとグランド電位との差分に応じて出力される出力電圧Voutに基づいて低電位側SWの故障を検出する場合には、電圧供給部24から供給する電圧(本実施の形態では電圧VREF)がレベルシフタ30の出力の限界値を越えていないことが好ましい。電圧供給部24から供給する電圧がレベルシフタ30の出力の限界値を超えている場合には、低電位側SWに故障が有り、反転端子に電圧が入力されても、レベルシフタ30から出力される出力電圧Voutは、出力電圧Vout=非反転端子−反転端子であるため、非反転端子の入力電圧が大きく、非反転端子−反転端子≧レベルシフタ30の出力の限界値(本実施の形態では4.7V)の場合、出力電圧Vout=レベルシフタ30の出力の限界値(4.7V)となってしまう場合があるためである。
【0035】
以上説明したように、本実施の形態の電池監視システム10の半導体回路14では、セル選択SW20の高電位側SWの故障診断を行う場合、低電位側SW及び高電位側SWを全てオフ状態(全オフ状態)にし、全オフ状態の場合の出力電圧Voutを検出し、検出した出力電圧Voutが0Vであるか否かを判断する。出力電圧Vout=0Vの場合は、高電位側SWは故障が無いと判定し、出力電圧Vout≠0Vの場合は、高電位側SWが故障していると判定する。また、低電位側SWの故障診断を行う場合、全オフ状態のままテストスイッチTSW5をオン状態にして電圧供給部24から電圧VREFを配線25に供給し、この状態で出力電圧Voutを検出し、検出した出力電圧Voutが1/2VREFであるか否かを判断する。出力電圧Vout=1/2VREFの場合は、低電位側SWは故障が無いと判定し、出力電圧Vout≠1/2VREFの場合は、低電位側SWが故障していると判定する。
【0036】
単に低電位側SW及び高電位側SWが全オフ状態の場合の出力電圧Voutを検出するだけでは、上述のように低電位側SWの故障を判定することができなかったが、このように本実施の形態では、電圧供給部24により、レベルシフタ22の非反転端子側入力に電圧VREFを供給するため、低電位側SWの故障を判定することができる。
【0037】
従って、本実施の形態の電池監視システム10では、セル選択SW20の低電位側SW及び高電位側SWの故障(リーク及びオン状態での固着)を自己診断することができる。
【0038】
なお、低電位側SWが故障している場合、レベルシフタ22の反転端子側の入力に電圧が入力され、レベルシフタ30から出力される出力電圧Vout=非反転端子入力−反転端子入力であるため、非反転端子の入力電圧が大きい場合、低電位側SWの故障状態にかかわらず、出力電圧Vout=限界値(4.7V)になってしまい、低電位側SWの故障状態を適切に診断することができない場合がある。そのため、電圧供給部24から供給する電圧(本実施の形態では電圧VREF)は、レベルシフタ30の出力の限界値(本実施の形態では4.7V)を越えないことが好ましい。
【0039】
なお、本実施の形態の故障診断(図3参照)では、高電位側SWの故障の判定を行った後に低電位側SWの故障の判定を行っているが判定の順番はこれに限らず、低電位側SWの故障の判定を行った後に高電位側SWの故障の判定を行うようにしてもよい。
【0040】
また、本実施の形態の故障診断(図3参照)では、高電位側SWに故障が有ると判定した後、さらに低電位側SWの故障の判定を行っているがこれに限らず、故障が有ると判定した場合は、低電位側SWの故障の判定を行わず処理を終了してもよい。
【0041】
なお、半導体回路14と判定回路16とは、同一基板上に形成されるものであってもよいし、別個の基板上に形成されるものであってもよい。また判定回路16は、判定結果を外部に出力するものであってもよいし、内部に記憶しておくものであってもよい。
【0042】
[第2の実施の形態]
【0043】
以下、図面を参照して本発明の第2の実施の形態の半導体装置である電池監視システム(半導体回路)及び故障診断動作について詳細に説明する。
【0044】
第1の実施の形態において、例えば、レベルシフタ22(レベルシフタ30)やレベルシフタ22の後段のA/Dコンバータが正常に動作していない場合等は、低電位側SW及び高電位側SWの故障診断が適切に行えないことがある。そのため、本実施の形態の電池監視システムは、さらにレベルシフタ22(レベルシフタ30)が正常に動作しているか(異常ではないか)の自己診断機能を有する。
【0045】
なお、本実施の形態の電池監視システム(半導体回路)及び故障診断動作は、第1の実施の形態と略同一の構成・動作を含むため、第1の実施の形態と略同一の構成・動作である部分にはその旨を示して同一符号を付し、詳細な説明を省略する。
【0046】
本実施の形態の電池監視システムは、図1に示した第1の実施の形態の電池監視システム10と同様の構成であるためここでは説明を省略する。図4に、本実施の形態の半導体回路15の概略構成の一例を示す。本実施の形態の半導体回路15は、さらに、セルC(C1〜C4)の低電位電圧をレベルシフタ22の反転端子側入力に入力するための配線29に電圧VSSを供給する機能を有する電圧供給部26、及び配線29に電圧VREFを供給する機能を有する電圧供給部28を備えて構成されている。なお、本実施の形態では、一例として、電圧VSSは電池セル群12の最下位セル(セルC1)の低電位側の電圧値(本実施の形態ではグランドレベル=0V)としている。またさらに、レベルシフタ30の出力と非反転端子とを短絡させる機能を有するテストスイッチTSW8を備えて構成されている。
【0047】
本実施の形態の電圧供給部24、26、28は何れも、抵抗素子及びスイッチング素子(テストスイッチTSW5、TSW6、TSW7)を含んで構成されている。なお、本実施の形態では、電圧供給部26の抵抗R5は、セル選択SW20が備える1個当たりのスイッチング素子(例えば、スイッチSW0)のオン抵抗値よりも大きな抵抗値の抵抗素子である。
【0048】
図5及び図6に本実施の形態の故障診断動作の一例のフローチャートを示す。本実施の形態の故障診断動作では、第1の実施の形態と同様に、まず、セル選択SW20の高電位側SWの故障を判定する。ステップ200は第1の実施の形態(図3)のステップ100に対応し、ステップ202はステップ102に対応し、ステップ204はステップ104に対応している。高電位側SWに故障が無く、テストスイッチTSW5にも故障が無ければ出力電圧Vout=0Vであるため、第1の実施の形態と同様に、出力電圧Vout=0Vの場合は、肯定されてステップ206へ進み、ステップ206では、高電位側SW及びテストスイッチTSW5に故障が無いと判定してステップ210へ進む。一方、出力電圧Vout=0Vではない場合は、否定されてステップ208へ進み、ステップ208では、高電位側SW及びテストスイッチTSW5(または、高電位側SW及びテストスイッチTSW5のいずれか)に故障が有ると判定してステップ210へ進む。
【0049】
本実施の形態では、次に、レベルシフタ22(レベルシフタ30)及びA/Dコンバータの中間レンジの動作判定を行う。
【0050】
ステップ210では、テストスイッチTSW5及びテストスイッチTSW8をオン状態にする。これにより、電圧VREFが配線25に供給される。なお、ここでテストスイッチTSW8をオン状態にするのは、レベルシフタ22の反転端子側入力に接続されている低電位側SW、及び電圧供給部26、28の故障による影響を排除するためである。低電位側SW、及び電圧供給部26、28が故障している場合、レベルシフタ22の反転端子側入力に電圧が供給されてしまうため、当該電圧の影響を排除するために、テストスイッチTSW8によりレベルシフタ30の出力と非反転端子とを短絡させる。
【0051】
次のステップ212では、この状態(低電位側SW及び高電位側SWがオフ状態、テストスイッチTSW5及びテストスイッチTSW8がオン状態)でレベルシフタ22から出力された出力電圧Voutを検出する。
【0052】
次のステップ214では、検出した出力電圧Vout=1/2VREFであるか否か判断する。レベルシフタ22では、非反転端子側の入力に電圧VREFが供給されるため、レベルシフタ30の非反転端子には電圧VREFが抵抗R1、R2により抵抗分圧された1/2VREFが供給される。従って、レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の動作に異常が無く正常であれば出力電圧Vout=1/2VREFになる。一方、異常が有る場合は、出力電圧Vout≠1/2VREFになる。従って、出力電圧Vout=1/2VREFの場合は、肯定されてステップ216へ進み、ステップ216では、レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の中間レンジの電圧検出動作に異常が無いと判定してステップ220へ進む。一方、出力電圧Vout=1/2VREFではない場合は、否定されてステップ218へ進み、ステップ218では、レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の中間レンジの電圧検出動作に異常が有ると判定してステップ220へ進む。
【0053】
本実施の形態では、次に、低電位側SWの故障の判定を行う。ステップ220では、テストスイッチTSW8をオフ状態にし、次のステップ222ではレベルシフタ22から出力された出力電圧Voutを検出する。当該ステップ222は、第1の実施の形態のステップ112に対応しており、第1の実施の形態と同様に、低電位側SW及び高電位側SWがオフ状態、テストスイッチTSW5がオン状態でレベルシフタ22から出力された出力電圧Voutを検出する。
【0054】
次のステップ224では、検出した出力電圧Vout=1/2VREFであるか否か判断する。セル選択SW20の低電位側SWに故障が無く、テストスイッチTSW6及びテストスイッチTSW7にも故障が無ければ出力電圧Vout=1/2VREFであるため、第1の実施の形態と同様に、出力電圧Vout=1/2VREFの場合は、肯定されてステップ226へ進み、ステップ226では、低電位側SW及びテストスイッチTSW6、テストスイッチTSW7に故障が無いと判定してステップ230(図6)へ進む。一方、出力電圧Vout=1/2VREFではない場合は、否定されてステップ228へ進み、ステップ228では、低電位側SW及びテストスイッチTSW6、テストスイッチTSW7(または、高電位側SW及びテストスイッチTSW6、テストスイッチTSW7のいずれか)に故障が有ると判定してステップ230へ進む。
【0055】
なお、低電位側SW及びテストスイッチTSW6、テストスイッチTSW7(または、高電位側SW及びテストスイッチTSW6、テストスイッチTSW7のいずれか)に故障が有り、レベルシフタ22の反転端子側入力に1/2VREFの電圧が入力される場合、出力電圧Vout=VREF−1/2VREF=1/2VREFとなる。このように出力電圧Vout=1/2VREFとなるため、この場合については、このままでは判定できない。そのため、本実施の形態では、さらに次の処理を行うことにより低電位側SW及びテストスイッチTSW6、テストスイッチTSW7の故障の判定を適切に行う。
【0056】
次のステップ230では、テストスイッチTSW7をオン状態にし、次のステップ232ではレベルシフタ22から出力された出力電圧Voutを検出する。当該ステップ232では、低電位側SW及び高電位側SWがオフ状態、テストスイッチTSW5及びテストスイッチTSW7がオン状態でレベルシフタ22から出力された出力電圧Voutを検出する。すなわち、レベルシフタ22の非反転端子側入力及び反転端子側入力の両方に電圧VREFを供給した状態で出力電圧Voutを検出する。
【0057】
次のステップ234では、検出した出力電圧Vout=0Vであるか否か判断する。レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の動作に異常が無く正常であれば出力電圧Vout=VREF−VREF=0Vになる。また、低電位側SW及びテストスイッチTSW6、テストスイッチTSW7が故障しており、レベルシフタ22の反転端子側入力に1/2VREFの電圧が入力される場合、出力電圧Vout>0Vになる。従って、出力電圧Vout=0Vの場合は、肯定されてステップ236へ進み、レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の中間レンジの電圧検出動作に異常が無く、低電位側SW及びテストスイッチTSW5、テストスイッチTSW7に故障が無いと判定してステップ244へ進む。一方、出力電圧Vout≠0Vの場合は、否定されてステップ238へ進む。本実施の形態では、出力電圧Voutが0V未満になることは無いため、出力電圧Vout>0Vであるので、ステップ238では、低電位側SW及びテストスイッチTSW5、テストスイッチTSW7(または、低電位側SW及びテストスイッチTSW5、テストスイッチTSW7のいずれか)に故障が有ると判定してステップ240へ進む。
【0058】
本実施の形態では、次に、レベルシフタ22(レベルシフタ30)及びA/Dコンバータの最大レンジの動作判定を行う。
【0059】
ステップ240では、テストスイッチTSW7をオフ状態にし、さらに次のステップ242では、テストスイッチTSW6をオン状態にする。これにより、レベルシフタ22の非反転端子側入力には電圧供給部24により電圧VREFが配線25に供給され、レベルシフタ22の反転端子はテストスイッチTSW6によりVSS(グランド)に接地された状態になる。
【0060】
次のステップ244では、この状態(低電位側SW及び高電位側SWがオフ状態、テストスイッチTSW5及びテストスイッチTSW6がオン状態)でレベルシフタ22から出力された出力電圧Voutを検出する。
【0061】
次のステップ246では、検出した出力電圧Vout=VREFであるか否か判断する。レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の動作に異常が無く正常であれば出力電圧Vout=VREF−0=VREFになる。一方、異常が有る場合は、出力電圧Vout≠VREFになる。また、本実施の形態では、電圧供給部26の抵抗R5の抵抗値は、セル選択SW20が備える1個当たりのスイッチング素子のオン抵抗値よりも大きいため、低電位側SW及びテストスイッチTSW7に故障が有る場合は、レベルシフタ22の反転端子側入力に電圧が入力されるため、出力電圧Vout≠VREFになる。
【0062】
従って、出力電圧Vout=VREFの場合は、肯定されてステップ248へ進み、ステップ248では、レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の最大レンジの電圧検出動作に異常が無く、また、低電位側SW及びテストスイッチTSW7の故障が無いと判定して本処理を終了する。一方、出力電圧Vout=VREFではない場合は、否定されてステップ250へ進み、ステップ250では、レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の最大レンジの電圧検出動作に異常が有り、低電位側SW及びテストスイッチTSW7(または、レベルシフタ22(及びA/Dコンバータ)の最大レンジの電圧検出動作、低電位側SW及びテストスイッチTSW7のいずれか)に故障が有ると判定して本処理を終了する。
【0063】
以上説明したように、本実施の形態の電池監視システム10の半導体回路15では、レベルシフタ22の反転端子側入力にVSS(グランド)電位を供給する電圧供給部26及び電圧VREFを供給する電圧供給部28をさらに備えるため、レベルシフタ22(レベルシフタ30)及びA/Dコンバータの検出動作が正常に行われているかを確認することができる。
【0064】
従って、本実施の形態の電池監視システム10では、より適切に、セル選択SW20の低電位側SW及び高電位側SWの故障(リーク及びオン状態での固着)を自己診断することができる。
【0065】
なお、電圧供給部26が供給する電位は、グランド電位である0V(セルC1C1の低電位側の電圧値)であることが好ましい。本実施の形態では、上述のステップ240〜250の処理において、テストスイッチTSW6をオンにして電圧供給部26からグランド電位を供給しているが、供給する電位がグランド電位ではない場合、出力電圧Vout≠VREFとなるが、レベルシフタ22の動作異常、及び低電位側SW、テストスイッチTSW7の故障に起因して出力電圧Vout≠VREFとなっているのか見分けがつかない場合が生じる。一方、本実施の形態のように、グランド電位を供給する場合は、レベルシフタ22の動作異常、及び低電位側SW、テストスイッチTSW7の故障の場合のみ出力電圧Vout≠VREFとなるため判定が1回で行えるため容易になるため、好ましい。
【0066】
なお、本実施の形態の故障診断(図5、6参照)では、高電位側SWの故障の判定、レベルシフタ22の中間レンジの動作判定、低電位側SWの故障の判定、レベルシフタ22の最小レンジの動作判定及び低電位側SWの故障の判定、レベルシフタ22の最大レンジの動作判定を当該順番で行っているが、各判定動作の順番は、特に限定されず順番を入れ替えてもよい。
【0067】
また、本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様に、判定した結果故障や動作異常が有った場合は、その他の判定動作を行わずに処理を終了してもよい。
【0068】
なお、半導体回路15と判定回路16とは、同一基板上に形成されるものであってもよいし、別個の基板上に形成されるものであってもよい。
【0069】
なお、第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、セルC(C1〜C4)の高電位電圧及び低電位電圧が入力され、高電位電圧と低電位電圧との差分を出力電圧Voutとして出力する差分検出回路としてレベルシフタ30を用いているがこれに限らず、高電位電圧と低電位電圧との差を検出可能な差分検出回路であれば特に限定されない。
【0070】
なお、第1の実施の形態及び第2の実施の形態で示したセルCの数や電圧値等は、一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内であれば変更可能であることは言うまでもない。
【0071】
また、第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、電池セル群12からセルCを選択する半導体回路14、15のセル選択SW20の低電位側SW及び高電位側SWの故障の判定、及びレベルシフタ22の動作判定を行う場合について説明したがこれに限らず、セルC以外の同様な電圧を測定するシステム等に適用可能である。
【符号の説明】
【0072】
10 電池監視システム
12 電池セル群
14、15 半導体回路
16 判定回路
20 セル選択SW
22 レベルシフタ
30 レベルシフタ
24、26、28 電圧供給部
SW0、SW1_1、SW2_1、SW3_1 低電位側SW
SW1_2、SW2_2、SW3_2、SW4 高電位側SW
TSW5、TSW6、TSW7、TSW8 テストスイッチ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の電池の各々の高電位側にそれぞれ接続された複数の高電位スイッチと、前記複数の電池の各々の低電位側にそれぞれ接続された複数の低電位スイッチと、を備え、前記複数の電池のいずれか1つを選択するよう指示された場合に、選択する電池の高電位側に接続された高電位スイッチと低電位側に接続された低電位スイッチとがオン状態になる選択回路と、
前記選択回路により選択された電池の高電位側の高電位電圧が入力され、かつ前記選択回路により選択された電池の低電位側の低電位電圧が入力されると共に、前記高電位電圧と前記低電位電圧との差の電圧値を出力する差分検出回路と、
前記低電位スイッチの故障診断を行う場合に、前記高電位電圧を前記レベルシフタに入力するための配線に、故障診断用電圧を供給する高電位側電圧供給手段と、
を備えた半導体回路。
【請求項2】
前記高電位側電圧供給手段が供給する電圧は、前記差分検出回路の出力の上限値を超えない電圧である、請求項1に記載の半導体回路。
【請求項3】
前記故障診断用電圧を、前記低電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に供給する低電位側第1電圧供給手段を備えた、請求項1または請求項2に記載の半導体回路。
【請求項4】
前記故障診断用電圧よりも小さい電圧値の電圧を、前記低電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に供給する低電位側第2電圧供給手段と、
前記差分検出回路の出力側と前記低電位電圧が入力される入力側とを短絡させる短絡手段と、
を備えた、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体回路。
【請求項5】
前記低電位側第2電圧供給手段は、前記複数の電池のうち最下位の電池の低電位側と同じ電圧値の電圧を供給する、請求項4に記載の半導体回路。
【請求項6】
前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチが全てオフ状態である全オフ状態の場合に前記差分検出回路から出力された電圧値に基づいて前記高電位スイッチの故障診断を行い、かつ前記全オフ状態で前記高電位側電圧供給手段から前記故障診断用電圧が供給された場合に前記差分検出回路から出力された電圧値に基づいて前記低電位スイッチの故障診断を行う故障診断回路を備えた、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体回路。
【請求項7】
前記故障診断回路は、前記低電位スイッチの故障診断をさらに、前記全オフ状態で前記高電位側電圧供給手段から前記故障診断用電圧が供給され、かつ前記低電位側第1電圧供給手段から前記故障診断用電圧が供給された場合に前記差分検出回路から出力された電圧値に基づいて行う、請求項6に記載の半導体回路。
【請求項8】
前記故障診断回路は、前記差分検出回路の故障診断を、前記全オフ状態で前記高電位側電圧供給手段から前記故障診断用電圧が供給され、かつ前記低電位側第1電圧供給手段から前記故障診断用電圧が供給された場合に前記差分検出回路から出力された電圧値と、前記全オフ状態で前記高電位側電圧供給手段から前記故障診断用電圧が供給され、かつ前記短絡手段により前記差分検出回路の出力側と前記低電位電圧が入力される入力側とを短絡させた場合に前記差分検出回路から出力された電圧値と、前記全オフ状態で前記高電位側電圧供給手段から前記故障診断用電圧が供給され、かつ前記低電位側第2電圧供給手段から前記故障診断用電圧よりも小さい電圧値の電圧が供給された場合に前記差分検出回路から出力された電圧値と、に基づいて行う、請求項6または請求項7に記載の半導体回路。
【請求項9】
前記差分検出回路は、前記高電位電圧が非反転端子に入力され、かつ前記低電位電圧が反転端子に入力されると共に、前記高電位電圧と前記低電位電圧との差の電圧値を出力するレベルシフタである、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体回路。
【請求項10】
直列に接続された複数の電池と、
前記複数の電池のいずれか1つを選択する選択回路を備えた、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の半導体回路と、
を備えた半導体装置。
【請求項11】
複数の電池の各々の高電位側にそれぞれ接続された複数の高電位スイッチと、前記複数の電池の各々の低電位側にそれぞれ接続された複数の低電位スイッチと、を備え、前記複数の電池のいずれか1つを選択するよう指示された場合に、選択する電池の高電位側に接続された前記高電位スイッチと低電位側に接続された前記低電位スイッチとがオン状態になる選択回路と、前記選択回路により選択された電池の高電位側の高電位電圧が入力され、かつ前記選択回路により選択された電池の低電位側の低電位電圧が入力されると共に、前記高電位電圧と前記低電位電圧との差の電圧値を出力する差分検出回路と、前記低電位スイッチの故障診断を行う場合に、前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に、故障診断用電圧を供給する高電位側電圧供給手段と、を備えた半導体回路において、
前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチを全てオフ状態にして、前記差分検出回路の出力を検出する第1工程と、前記第1工程により検出された前記差分検出回路の出力が、0であるとみなす所定の範囲の値である場合は、前記高電位スイッチが故障していないと判定する第2工程と、を備えた、前記高電位スイッチの故障診断工程と、
前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチを全てオフ状態にし、かつ前記高電位側電圧供給手段により前記故障診断用電圧を前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に供給して、前記差分検出回路の出力を検出する第3工程と、前記第3工程により検出された前記差分検出回路の出力が、予め定められた所定の範囲の値である場合は、前記低電位スイッチが故障していないと判定する第4工程と、を備えた、前記低電位スイッチの故障診断工程と、
を備えた故障診断方法。
【請求項12】
複数の電池の各々の高電位側にそれぞれ接続された複数の高電位スイッチと、前記複数の電池の各々の低電位側にそれぞれ接続された複数の低電位スイッチと、を備え、前記複数の電池のいずれか1つを選択するよう指示された場合に、選択する電池の高電位側に接続された前記高電位スイッチと低電位側に接続された前記低電位スイッチとがオン状態になる選択回路と、前記選択回路により選択された電池の高電位側の高電位電圧が入力され、かつ前記選択回路により選択された電池の低電位側の低電位電圧が入力されると共に、前記高電位電圧と前記低電位電圧との差の電圧値を出力する差分検出回路と、前記低電位スイッチの故障診断を行う場合に、前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に、故障診断用電圧を供給する高電位側電圧供給手段と、を備えた半導体回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチの故障を診断する処理をコンピュータに実行させるための故障診断プログラムであって、
前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチをオフ状態にして、前記差分検出回路の出力を検出する第1ステップと、前記第1ステップにより検出された前記差分検出回路の出力が、0であるとみなす所定の範囲の値である場合は、前記高電位スイッチが故障していないと判定する第2ステップと、を備えた、前記高電位スイッチの故障診断ステップと、
前記選択回路の前記高電位スイッチ及び前記低電位スイッチをオフ状態にし、かつ前記高電位側電圧供給手段により前記故障診断用電圧を前記高電位電圧を前記差分検出回路に入力するための配線に供給して、前記差分検出回路の出力を検出する第3ステップと、前記第3ステップにより検出された前記差分検出回路の出力が、予め定められた所定の範囲の値である場合は、前記低電位スイッチが故障していないと判定する第4ステップと、を備えた、前記低電位スイッチの故障診断ステップと、
を備えた処理をコンピュータに実行させるための故障診断プログラム。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【公開番号】特開2012−93261(P2012−93261A)
【公開日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−241381(P2010−241381)
【出願日】平成22年10月27日(2010.10.27)
【出願人】(308033711)ラピスセミコンダクタ株式会社 (898)
【Fターム(参考)】