半導体封止プロセス用離型フィルム、およびそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法
【課題】半導体チップを樹脂封止した後、金型構造や離型剤によることなく成形品を容易に離型でき、かつ成形品に皺や欠け等の外観不良を生じさせることのない半導体封止プロセス用離型フィルムを提供する。
【解決手段】表面層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む半導体封止プロセス用離型フィルムであって、前記表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下である。
【解決手段】表面層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む半導体封止プロセス用離型フィルムであって、前記表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止プロセス用離型フィルムに関し、特に金型内に半導体チップを配置して樹脂を注入成形する際に、半導体チップと金型内面との間に配置される半導体封止プロセス用離型フィルム、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの小型軽量化に伴い、封止樹脂の使用量を減らすことが検討されている。そして、封止樹脂の使用量を減らしても、半導体チップと樹脂との界面を強固に接着できるようにするため、封止樹脂に含まれる離型剤の量を減らすことが望まれている。このため、硬化成形後の封止樹脂と金型との離型性を得る方法として、金型内面と半導体チップとの間に離型フィルムを配置する方法が採られている。
【０００３】
このような離型フィルムとして、離型性および耐熱性に優れる、フッ素系樹脂フィルム（例えば、特許文献１〜２）、ポリ４−メチル−１−ペンテン樹脂フィルム（例えば、特許文献３）等が提案されている。しかしながら、これらの離型フィルムは、金型内面に装着された際に皺が発生し易く、この皺が成形品の表面に転写されて外観不良を生じるという問題があった。
【０００４】
これに対して、離型層と、耐熱層とを有する離型フィルムが提案されている（例えば、特許文献４〜６）。これらの離型フィルムは、離型層で離型性を得るとともに、耐熱層で皺を抑制しようとするものである。例えば、特許文献４の離型フィルムは、アクリル樹脂やシリコーン樹脂等の離型層と、無延伸ナイロン６樹脂等の耐熱層と、を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３１０３３６号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０７２２号公報
【特許文献３】特開２００２−３６１６４３号公報
【特許文献４】特許第４０９６６５９号公報
【特許文献５】特開２００２−１５８２４２号公報
【特許文献６】特開２００１−２５０８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献４の離型フィルムは、離型層がアクリル樹脂であると、硬化成形後の封止樹脂との離型性が不十分であった。また離型層がシリコーン樹脂であると、離型性は良好であるが、硬化成形後の封止樹脂や金型を汚染することがあった。特許文献５および６の離型フィルムは、いずれも皺の発生を十分に抑制できるものではなかった。
【０００７】
このように、良好な離型性、金型追従性を有しつつも、皺の発生が少ない離型フィルムが望まれている。本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、樹脂封止後の成形品を、金型構造や離型剤量によることなく容易に離型でき、かつ皺や欠け等の外観不良のない成形品を得ることができる半導体封止プロセス用離型フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［１］ 表面層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む半導体封止プロセス用離型フィルムであって、前記表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下である、半導体封止プロセス用離型フィルム。
［２］ 前記耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である、［１］に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［３］ 前記表面層Ａが、フッ素樹脂および４−メチル−１−ペンテン共重合体からなる群より選ばれた樹脂を含む、［１］または［２］に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［４］ 前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位５５〜１００質量％と、エチレンに由来する構成単位０〜４５質量％とを有するテトラフルオロエチレン共重合体である、［３］に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［５］ 前記４−メチル−１−ペンテン共重合体が、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位９６〜９９質量％と、４−メチル−１−ペンテン以外の炭素原子数２〜２０のオレフィンに由来する構成単位１〜４質量％とを有する共重合体である、［３］に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［６］ 前記表面層Ａが、さらにポリアミド−６、ポリアミド−６６、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を３〜３０質量％含む、［３］〜［５］のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［７］ 前記耐熱樹脂層Ｂが、ポリアミド−６、ポリアミド−６６およびポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を含む、［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［８］ 前記表面層Ａが、前記耐熱樹脂層Ｂの両面に配置されている、［１］〜［７］のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【０００９】
［９］ 樹脂封止半導体の製造方法であって：成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、前記成形金型内面に、［１］〜［８］のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記表面層Ａが前記半導体装置と対向するように配置する工程と、前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程とを有する、樹脂封止半導体の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムを用いることで、半導体チップを樹脂封止して得られる成形品を容易に離型できるとともに、皺や欠けなどの外観不良のない成形品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムの一例を示す模式図である。
【図２】本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムの他の例を示す模式図である。
【図３Ａ】本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。
【図３Ｂ】本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。
【図４】図３Ａおよび図３Ｂの樹脂封止半導体の製造方法で得られた樹脂封止半導体の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１．半導体封止プロセス用離型フィルム
本発明の半導体封止プロセス用離型フィルム（以下、単に「離型フィルム」ともいう）は、成形品や金型に対する離型性を有する表面層Ａと、該表面層Ａを支持する耐熱樹脂層Ｂと、を含む。
【００１３】
本発明の離型フィルムは、成形金型の内部で半導体素子を樹脂封止するときに、成形金型の内面に配置される。このとき、離型フィルムの表面層Ａを、樹脂封止される半導体素子（成形品）側に配置することが好ましい。本発明の離型フィルムを配置することで、樹脂封止された半導体素子を、金型から容易に離型することができる。
【００１４】
前記の通り、表面層Ａは成形品側に配置されるので、樹脂封止工程における表面層Ａでの皺の発生を抑制することが好ましい。発生した皺が成形品に転写されて、成形品の外観不良が生じる可能性が高いためである。そのため、表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下であることが好ましく、５０ＭＰａ以上９０ＭＰａ以下であることがより好ましい。表面層Ａの樹脂が、１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が４５ＭＰａ未満の軟らかい樹脂であると、耐熱樹脂層Ｂがどれだけ硬くても、樹脂封止工程において皺が発生し易く、その皺が成形品に転写されて外観不良を生じる可能性が高い。一方、表面層Ａの１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が１０５ＭＰａ超の硬い樹脂であると、金型追従性に劣るため、端部において封止樹脂が充填され難く、成形品に欠けが発生するなどの外観不良を生じる可能性が高い。
【００１５】
貯蔵弾性率Ｅ’（引張粘弾性）は、例えば、動的粘弾性装置ＲＳＡ−ＩＩ（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて、引張モード：振動周波数１Ｈｚ、測定温度：−１０℃から３℃／分の速度で昇温してサンプルが融解して測定不能になるまでの温度、測定方向：フィルムの搬送方向で、１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’を測定することによって求められる。
【００１６】
表面層Ａを構成する樹脂は、１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下であれば特に限定されないが、成形品に対する離型性を高めるため、フッ素樹脂または４−メチル−１−ペンテン共重合体を含む樹脂であることが好ましい。これらの樹脂の貯蔵弾性率Ｅ’は、モノマー構成単位の構造や、共重合比や、樹脂組成などによって調整することができる。
【００１７】
表面層Ａに含まれるフッ素樹脂は、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位を含む樹脂でありうる。テトラフルオロエチレンの単独重合体であってもよいが、他のオレフィンとの共重合体であってもよい。他のオレフィンの例には、エチレンが含まれる。モノマー構成単位としてテトラフルオロエチレンとエチレンとを含む共重合体における、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位の割合は５５〜１００質量％であり、エチレンに由来する構成単位の割合は０〜４５質量％であることが好ましい。
【００１８】
表面層Ａに含まれる４−メチル−１−ペンテン共重合体は、４−メチル−１−ペンテンと、それ以外の炭素原子数２〜２０のオレフィン（以下「炭素原子数２〜２０のオレフィン」という）との共重合体でありうる。４−メチル−１−ペンテンの単独重合体は、前述の貯蔵弾性率Ｅ’が高すぎることがあるので、表面層Ａを構成する樹脂としては適さないことがある。
【００１９】
４−メチル−１−ペンテンと共重合される炭素原子数２〜２０のオレフィンは、４−メチル−１−ペンテンに可とう性を付与し得る。炭素原子数２〜２０のオレフィンの例には、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン等が含まれる。これらのオレフィンは、単独であってもよいし、２種以上を組み合せてもよい。
【００２０】
４−メチル−１−ペンテン共重合体における、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位の割合は９６〜９９質量％であり、それ以外の炭素原子数２〜２０のオレフィンに由来する構成単位の割合が１〜４質量％であることが好ましい。炭素原子数２〜２０のオレフィンの含有量が少なすぎると、１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が高くなり、表面層Ａが硬すぎて金型追従性が低下することがある。一方、炭素原子数２〜２０のオレフィンの含有量が多すぎると、１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が低くなり、表面層Ａが柔らかくなりすぎて、封止工程における皺が発生しやすいことがある。
【００２１】
４−メチル−１−ペンテン共重合体は、公知の方法で製造されうる。例えば、チーグラ・ナッタ触媒、メタロセン系触媒等の公知の触媒を用いた方法により製造されうる。４−メチル−１−ペンテン共重合体は、結晶性の高い共重合体であることが好ましい。結晶性の共重合体としては、アイソタクチック構造を有する共重合体、シンジオタクチック構造を有する共重合体のいずれであってもよいが、特にアイソタクチック構造を有する共重合体であることが好ましく、また入手も容易である。さらに、４−メチル−１−ペンテン共重合体は、フィルム状に成形でき、金型成形時の温度や圧力等に耐える強度を有していれば、立体規則性や分子量も、特に制限されない。４−メチル−１−ペンテン共重合体は、例えば、三井化学株式会社製ＴＰＸ等、市販の共重合体であってもよい。
【００２２】
表面層Ａは、フッ素樹脂または４−メチル−１−ペンテン共重合体のほかに、さらに他の樹脂を含んでもよい。他の樹脂の硬度も比較的高いことが好ましい。他の樹脂の例には、ポリアミド−６、ポリアミド−６６、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートが含まれる。このように、表面層Ａが、例えば柔らかい樹脂を多く含む場合（例えば、炭素原子数２〜２０のオレフィンを多く含む場合）でも、硬度の比較的高い樹脂をさらに含むことで、貯蔵弾性率Ｅ’を上記範囲に調整することができる。
【００２３】
これらの他の樹脂の含有量は、表面層Ａを構成する樹脂成分に対して３〜３０質量％であることが好ましい。他の樹脂の含有量が３質量％未満であると、添加による効果がほとんどなく、３０質量％超では金型や成形品に対する離型性が低下することがあるためである。
【００２４】
また表面層Ａは、フッ素樹脂または４−メチル−１−ペンテン共重合体に加えて、本発明の目的を損なわない範囲で、耐熱安定剤、耐候安定剤、発錆防止剤、耐銅害安定剤、帯電防止剤等、ポリオレフィンに一般的に配合される公知の添加剤を含んでもよい。これらの添加剤の含有量は、フッ素樹脂または４−メチル−１−ペンテン共重合体１００重量部に対して、例えば０．０００１〜１０重量部である。
【００２５】
表面層Ａの厚みは、成形品に対する離型性が十分であれば、特に制限はないが、通常１〜５０μｍであり、好ましくは５〜３０μｍである。
【００２６】
表面層Ａの表面は、必要に応じて凹凸形状を有していてもよく、それにより離型性を向上させることができる。表面層Ａの表面に凹凸を付与する方法は、特に制限はないが、エンボス加工等の一般的な方法が採用できる。
【００２７】
耐熱樹脂層Ｂは、表面層Ａを支持し、かつ金型温度による皺や変形などの発生を抑制する機能を有する。耐熱樹脂層Ｂは、１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である樹脂を含むことが好ましく、例えばポリエステル樹脂やポリアミド樹脂等を含むが、特に限定されない。１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ未満の樹脂は、強度が十分でなく、皺や破れを生じ易く、離型フィルムとして機能しないことがある。一方、１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が２５０ＭＰａ超の樹脂は、金型追従性に劣り、端部などで封止樹脂の未充填が生じて、成形品に欠けが発生したかのような外観不良を生じさせる可能性が高い。
【００２８】
１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である樹脂の例には、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド−６、ポリアミド−６６等が含まれる。１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、前述と同様に測定することができる。
【００２９】
耐熱樹脂層Ｂの厚みは、フィルム強度を確保できれば、特に制限はないが、通常１〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍである。
【００３０】
本発明の離型フィルムは、表面層Ａと耐熱樹脂層Ｂとの間に、必要に応じて接着層を有してもよい。接着層は、表面層Ａと耐熱樹脂層Ｂとを強固に接着でき、樹脂封止工程や離型工程においても剥離しないものであれば、特に制限されない。
【００３１】
例えば、表面層Ａが４−メチル−１−ペンテン共重合体を含む場合は、接着層は、不飽和カルボン酸等によりグラフト変性された変性４−メチル−１−ペンテン系共重合体樹脂、４−メチル−１−ペンテン系共重合体とα−オレフィン系共重合体とからなるオレフィン系接着樹脂等であることが好ましい。表面層Ａがフッ素樹脂を含む場合は、接着層は、ポリエステル系、アクリル系、フッ素ゴム系等の粘着剤であることが好ましい。接着層の厚みは、表面層Ａと耐熱樹脂層Ｂとの接着性を向上できれば、特に制限はないが、例えば０．５〜１０μｍである。
【００３２】
本発明の離型フィルムの総厚みは、例えば１０〜３００μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることがより好ましい。離型フィルムの総厚みが上記範囲にあると、巻物として使用する際のハンドリング性が良好であるとともに、フィルムの廃棄量が少ないため好ましい。
【００３３】
以下、本発明の離型フィルムの好ましい実施形態について説明する。図１は、３層構造の離型フィルムの一例を示す模式図である。図１に示されるように、離型フィルム１０は、耐熱樹脂層１２と、その片面に接着層１４を介して形成された表面層１６とを有する。
【００３４】
表面層１６は前述の表面層Ａであり、耐熱樹脂層１２は前述の耐熱樹脂層Ｂであり、接着層１４は前述の接着層である。表面層１６は、封止プロセスにおいて封止樹脂と接する側に配置されることが好ましく；耐熱樹脂層１２は、封止プロセスにおいて金型の内面と接する側に配置されることが好ましい。
【００３５】
図２は、５層構造の離型フィルムの一例を示す模式図である。図１と同一の機能を有する部材には同一の符号を付する。図２に示されるように、離型フィルム２０は、耐熱性樹脂層１２と、その両面に接着層１４を介して形成された表面層１６Ａおよび表面層１６Ｂとを有する。
【００３６】
表面層１６Ａおよび１６Ｂの組成は、互いに同一でも異なってもよい。表面層１６Ａおよび１６Ｂの厚みも、互いに同一でも異なってもよい。ただし、表面層１６Ａおよび１６Ｂが互いに同一の組成および厚みを有すると、対称な構造となり、離型フィルム自体の反りが生じ難くなるため好ましい。特に、本発明の離型フィルムには、封止プロセスにおける加熱により応力が生じることがあるので、反りを抑制することが好ましい。このように、表面層１６Ａおよび１６Ｂが、耐熱樹脂層１２の両面に形成されていると、成形品および金型内面のいずれおいても、良好な離型性が得られるため好ましい。
【００３７】
２．離型フィルムの製造方法
本発明の離型フィルムは、任意の方法で製造されうる。例えば、１）表面層Ａと耐熱樹脂層Ｂを共押出成形して積層することにより、離型フィルムを製造する方法（共押出し形成法）、２）耐熱樹脂層Ｂとなるフィルム上に、表面層Ａや接着層となる樹脂の溶融樹脂を塗布・乾燥したり、または表面層Ａや接着層となる樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液を塗布・乾燥したりして、離型フィルムを製造する方法（塗布法）、３）予め表面層Ａとなるフィルムと、耐熱樹脂層Ｂとなるフィルムとを製造しておき、これらのフィルムを積層（ラミネート）することにより、離型フィルムを製造する方法（ラミネート法）などがある。
【００３８】
１）共押出し成形法は、表面層Ａとなる樹脂層と耐熱樹脂層Ｂとなる樹脂層との間に、異物が噛み込む等による欠陥や、離型フィルムの反りが生じ難い点で好ましい。３）ラミネート法による場合は、必要に応じてフィルム同士の界面に適切な接着層を形成することが好ましい。フィルム同士の接着性を高める上で、フィルム同士の界面に、必要に応じてコロナ放電処理等の表面処理を施してもよい。
【００３９】
離型フィルムは、必要に応じて１軸または２軸延伸されていてもよく、それによりフィルムの膜強度を高めることができる。
【００４０】
塗布手段は、特に限定されないが、例えばロールコータ、ダイコータ、スプレーコータ等の各種コータが用いられる。溶融押出手段は、特に限定されないが、例えばＴ型ダイやインフレーション型ダイを有する押出機などが用いられる。
【００４１】
３．樹脂封止半導体の製造方法
図３Ａおよび図３Ｂは、本発明の離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。図４は、図３Ａおよび図３Ｂの製造方法により得られた成形品の一例を示す模式図である。
【００４２】
図３Ａに示されるように、本発明の離型フィルム２２を、ロール状の巻物からロール２４およびロール２６により、成形金型２８内に供給する（工程ａ）。次いで、離型フィルム２２を上型３０の内面３０Ａに配置する（工程ｂ）。必要に応じて、上型内面３０Ａを真空引きして、離型フィルム２２を上型内面３０Ａに密着させてもよい。次いで、成形金型２８内に、樹脂封止すべき半導体チップ３４（基板３４Ａに固定された半導体チップ３４）を配置するとともに、封止樹脂材料３６をセットし（工程ｃ）、型締めする（工程ｄ）。
【００４３】
次いで、図３Ｂに示されるように、所定の加熱および加圧条件下、成形金型２８内に封止樹脂材料３６を注入する（工程ｅ）。このときの成形金型２８の温度（成形温度）は、例えば１６５〜１８５℃であり、成形圧力は、例えば７〜１２ＭＰａであり、成形時間は、例えば９０秒程度である。そして、一定時間保持した後、上型３０と下型３２を開き、樹脂封止された半導体パッケージ４０や離型フィルム２２、を同時にまたは順次離型する（工程ｆ）。
【００４４】
そして、図４に示されるように、得られた半導体パッケージ４０のうち、余分な樹脂部分４２を除去することで、所望の半導体パッケージ４４を得ることができる。離型フィルム２２は、そのまま他の半導体チップの樹脂封止に使用してもよいが、成形が１回終了するごとに、新たに離型フィルム２２を成形金型２８に供給することが好ましい。
【００４５】
離型フィルム２２を成形金型２８の内面に配置する工程と、半導体チップ３４を成形金型２８内に配置する工程の前後は、特に限定されず、同時に行ってもよいし、半導体チップ３４を配置した後、離型フィルム２２を配置してもよいし、離型フィルム２２を配置した後、半導体チップ３４を配置してもよい。また、図３で示したような、固体の封止樹脂材料３６を加圧加熱する圧縮成型法に限らず、流動状態の封止樹脂材料３６を注入するトランスファーモールド法を採用してもよい。
【００４６】
このように、離型フィルム２２は、離型性の高い表面層Ａを有するため、半導体パッケージ４０を容易に離型することができる。また、離型フィルム２２は、適度な柔軟性を有するので、金型形状に対する追従性に優れながらも、成形金型２８の熱によって皺になり難い。このため、半導体パッケージ４０の樹脂封止面に皺が転写されたり、樹脂が充填されない部分（樹脂欠け）が生じたりすることなく、外観の良好な半導体パッケージ４０を得ることができる。
【００４７】
本発明の離型フィルムは、半導体素子を樹脂封止する工程に限らず、成型金型を用いて各種成形品を成形および離型する工程に好ましく使用できる。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これにより何ら限定されるものではない。
【００４９】
〔実施例１〕
耐熱樹脂層Ｂとして、旭化成製ポリアミド−６６（レオナ１７００Ｓ）を３００℃で溶融押出し、膜厚３０μｍのポリアミドフィルムを得た。このポリアミドフィルムの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、２４０ＭＰａであった。このポリアミドフィルムの片面に、ポリエステル系接着剤を乾燥後の塗膜厚さが１μｍとなるように塗布し、接着層を形成した。この接着層を有するポリアミドフィルムを、押出ラミネート装置に設置した。
【００５０】
表面層Ａとして、テトラフルオロエチレンとエチレンとの共重合体（エチレン含有量：４１質量％）を３２０℃で溶融押出して、Ｔ型ダイのスリット幅を調整することにより、押出された後のフッ素樹脂層の膜厚が１５μｍとなるようにした。
押し出されたフッ素樹脂フィルムを、バックロールを用いて、前述のポリアミドフィルムの接着層面に１３０℃でラミネートし、３層構造（表面層Ａ／接着層／耐熱樹脂層Ｂ）の離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は４５ＭＰａであった。
【００５１】
表面層Ａおよび耐熱樹脂層Ｂの貯蔵弾性率Ｅ’（引張粘弾性）は、以下の条件で測定した。
装置：動的粘弾性装置ＲＳＡ−ＩＩ（ＴＡ Instruments社製）
測定条件：引張モード、
振動周波数：１Ｈｚ、
測定温度：−１０℃から３℃／分の速度で昇温し、サンプルが融解して測定不能になるまでの温度
測定方向：フィルムの長手方向（フィルム搬送方向）
評価項目：１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’
【００５２】
〔実施例２〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンとダイアレン１６８（三菱化学（株）製、炭素数１６と１８のα−オレフィンの混合物）との共重合体（ダイアレン１６８の含有量：１．５質量％）と、接着層として、無水マレイン酸をグラフトした４−メチル−１−ペンテン共重合体と、耐熱樹脂層Ｂとして、旭化成製ポリアミド−６６（レオナ１７００Ｓ）とを、Ｔ型ダイ多層共押出成形機を用いて共押出しすることにより、５層構造（表面層Ａ／接着層／耐熱樹脂層Ｂ／接着層／表面層Ａ）の離型フィルムを得た。
【００５３】
得られた離型フィルムの各層の厚さは、表面層Ａ／接着層／耐熱樹脂層Ｂ／接着層／表面層Ａの順に、１５μｍ／５μｍ／２５μｍ／５μｍ／１５μｍであった。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１００ＭＰａであった。
【００５４】
〔実施例３〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：２．５質量％）を用いた以外は、実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は６５ＭＰａであった。
【００５５】
〔実施例４〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：３．５質量％）を用いた以外は、実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は５４ＭＰａであった。
【００５６】
〔実施例５〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：２．５質量％）９０質量％と、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート（ノバテック５０２０）１０質量％と、からなる樹脂組成物を使用した以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は７５ＭＰａであった。
【００５７】
〔実施例６〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有：２．５質量％）７０質量％と、旭化成製ポリアミド−６６（レオナ１７００Ｓ）３０質量％と、からなる樹脂組成物を用いた以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は８０ＭＰａであった。
【００５８】
〔実施例７〕
耐熱樹脂層Ｂとして、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート（ノバテック５０２０）を用いた以外は実施例３と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、１１０ＭＰａであった。
【００５９】
〔実施例８〕
耐熱樹脂層Ｂとして、東レ製ポリアミド−６（アミランＣＭ１０４１）を用いた以外は実施例３と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１４３ＭＰａであった。
【００６０】
〔実施例９〕
耐熱樹脂層Ｂとして、東レ製共重合ポリアミド（アミランＣＭ６０４１）を用いた以外は実施例３と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は７８ＭＰａであった。
【００６１】
〔比較例１〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：６．５質量％）を使用した以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は３５ＭＰａであった。
【００６２】
〔比較例２〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンの単独重合体を使用した以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１３０ＭＰａであった。
【００６３】
〔比較例３〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：２．５質量％）３０質量％と、旭化成製ポリアミド−６６（レオナ１７００Ｓ）７０質量％と、からなる樹脂組成物を用いた以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１８０ＭＰａであった。
【００６４】
〔比較例４〕
表面層Ａとして、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート（ノバテック５０２０）を用いた以外は実施例１と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１１０ＭＰａであった。
【００６５】
〔比較例５〕
耐熱樹脂層Ｂとして、三井化学製ポリエチレンテレフタレートを用いた以外は比較例１と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は４５０ＭＰａであった。
【００６６】
実施例１〜９および比較例１〜５で得られた離型フィルムをそれぞれ用いて、以下のように半導体チップを樹脂封止した。
【００６７】
得られた離型フィルムを、図３Ａに示されるように、上型と下型との間に１ＭＰａの張力を印加した状態で配置した後、上型のパーティング面に真空吸着させた。次いで、基板に固定された半導体チップを下型に配置し、型締めした。このとき、成形金型の温度（成形温度）を１７５℃、成形圧力を１０ＭＰａ、成形時間を９０秒とした。そして、図３Ｂに示されるように、半導体チップを封止樹脂で封止した後、樹脂封止された半導体チップ（半導体パッケージ）を離型フィルムから離型した。樹脂封止後の離型フィルムおよび半導体パッケージを、以下のように評価した。
【００６８】
１）離型性
離型フィルムの離型性を、以下の基準で評価した。
○：離型フィルムが、金型の開放と同時に自然に剥がれる
△：離型フィルムは自然には剥がれないが、手で引っ張ると（張力を加えると）簡単に剥がれる
×：離型フィルムの一部が、半導体パッケージの樹脂封止面に残る
××：離型フィルムが、半導体パッケージの樹脂封止面に密着しており、手では剥がせない
２）金型追従性
離型フィルムの金型追従性を、以下の基準で評価した。
○：半導体パッケージに、樹脂欠けが全くない
×：半導体パッケージの端部に、樹脂欠けがある（ただし皺による欠けは除く）
３）皺および破れ
離型フィルム、および半導体パッケージの樹脂封止面の皺の状態を、以下の基準で評価した。
○：離型フィルムおよび半導体パッケージのいずれにも皺が全くない
△：離型フィルムにはわずかに皺があるが、半導体パッケージへの皺の転写はなし
×：離型フィルムはもちろん、半導体パッケージにも多数の皺あり
この結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
【００７０】
表１に示されるように、表面層Ａの貯蔵弾性率Ｅ’が４５〜１０５ＭＰａの範囲にある実施例１〜９の離型フィルムは、いずれも良好な金型追従性および離型性を有しつつ、離型フィルムの皺が転写されることによる半導体パッケージの外観不良も生じなかった。さらに、耐熱性樹脂層Ｂの貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａよりも高い実施例３、７〜８の離型フィルムは、実施例９の離型フィルムと比較して、樹脂封止工程で皺を生じ難くなることがわかった。
【００７１】
これに対して、表面層Ａの貯蔵弾性率Ｅ’が上記範囲外である比較例１〜５の離型フィルムは、離型性、金型追従性、および皺の抑制をバランスよく有するものはなかった。具体的には、表面層Ａの貯蔵弾性率Ｅ’が４５ＭＰａよりも低い比較例１と５の離型フィルムは、樹脂封止工程において皺になり易く、この皺が半導体パッケージの樹脂封止面に転写されることがわかった。特に比較例１および５を比較すると、耐熱樹脂層Ｂの貯蔵弾性率Ｅ’が極めて高く、硬い場合であっても、表面層Ａが軟らすぎると皺が生じることがわかった。表面層Ａの貯蔵弾性率Ｅ’が１０５ＭＰａよりも高い比較例２〜４の離型フィルムは、樹脂封止工程において皺は生じないものの、金型追従性が低く、半導体パッケージの樹脂欠けが生じることがわかった。また、比較例３および４から、表面層Ａに含まれる４−メチル−１−ペンテン共重合体の量が少ないほど、離型性も低くなることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムを用いることで、半導体チップを樹脂封止して半導体パッケージを成形する際、離形フィルムを金型に装填することで、特殊な金型構造を用いたり、封止樹脂に離型剤を添加したりしなくても、成形品を良好に離型することができる。また離形フィルムの金型への装填時や成形時に、離型フィルムが変形して皺が入ったり、破損したりしないので、外観不良のないパッケージ成形を実現できる。このように、本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムは、半導体パッケージに限らず、種々の金型成形に用いることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１０、２０、２２ 離型フィルム
１２ 耐熱樹脂層
１４ 接着層
１６、１６Ａ、１６Ｂ 表面層
２４、２６ ロール
２８ 成形金型
３０ 上型
３２ 下型
３４ 半導体チップ
３４Ａ 基板
３６ 封止樹脂材料
４０、４４ 半導体パッケージ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止プロセス用離型フィルムに関し、特に金型内に半導体チップを配置して樹脂を注入成形する際に、半導体チップと金型内面との間に配置される半導体封止プロセス用離型フィルム、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの小型軽量化に伴い、封止樹脂の使用量を減らすことが検討されている。そして、封止樹脂の使用量を減らしても、半導体チップと樹脂との界面を強固に接着できるようにするため、封止樹脂に含まれる離型剤の量を減らすことが望まれている。このため、硬化成形後の封止樹脂と金型との離型性を得る方法として、金型内面と半導体チップとの間に離型フィルムを配置する方法が採られている。
【０００３】
このような離型フィルムとして、離型性および耐熱性に優れる、フッ素系樹脂フィルム（例えば、特許文献１〜２）、ポリ４−メチル−１−ペンテン樹脂フィルム（例えば、特許文献３）等が提案されている。しかしながら、これらの離型フィルムは、金型内面に装着された際に皺が発生し易く、この皺が成形品の表面に転写されて外観不良を生じるという問題があった。
【０００４】
これに対して、離型層と、耐熱層とを有する離型フィルムが提案されている（例えば、特許文献４〜６）。これらの離型フィルムは、離型層で離型性を得るとともに、耐熱層で皺を抑制しようとするものである。例えば、特許文献４の離型フィルムは、アクリル樹脂やシリコーン樹脂等の離型層と、無延伸ナイロン６樹脂等の耐熱層と、を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３１０３３６号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０７２２号公報
【特許文献３】特開２００２−３６１６４３号公報
【特許文献４】特許第４０９６６５９号公報
【特許文献５】特開２００２−１５８２４２号公報
【特許文献６】特開２００１−２５０８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献４の離型フィルムは、離型層がアクリル樹脂であると、硬化成形後の封止樹脂との離型性が不十分であった。また離型層がシリコーン樹脂であると、離型性は良好であるが、硬化成形後の封止樹脂や金型を汚染することがあった。特許文献５および６の離型フィルムは、いずれも皺の発生を十分に抑制できるものではなかった。
【０００７】
このように、良好な離型性、金型追従性を有しつつも、皺の発生が少ない離型フィルムが望まれている。本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、樹脂封止後の成形品を、金型構造や離型剤量によることなく容易に離型でき、かつ皺や欠け等の外観不良のない成形品を得ることができる半導体封止プロセス用離型フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［１］ 表面層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む半導体封止プロセス用離型フィルムであって、前記表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下である、半導体封止プロセス用離型フィルム。
［２］ 前記耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である、［１］に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［３］ 前記表面層Ａが、フッ素樹脂および４−メチル−１−ペンテン共重合体からなる群より選ばれた樹脂を含む、［１］または［２］に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［４］ 前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位５５〜１００質量％と、エチレンに由来する構成単位０〜４５質量％とを有するテトラフルオロエチレン共重合体である、［３］に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［５］ 前記４−メチル−１−ペンテン共重合体が、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位９６〜９９質量％と、４−メチル−１−ペンテン以外の炭素原子数２〜２０のオレフィンに由来する構成単位１〜４質量％とを有する共重合体である、［３］に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［６］ 前記表面層Ａが、さらにポリアミド−６、ポリアミド−６６、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を３〜３０質量％含む、［３］〜［５］のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［７］ 前記耐熱樹脂層Ｂが、ポリアミド−６、ポリアミド−６６およびポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を含む、［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
［８］ 前記表面層Ａが、前記耐熱樹脂層Ｂの両面に配置されている、［１］〜［７］のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【０００９】
［９］ 樹脂封止半導体の製造方法であって：成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、前記成形金型内面に、［１］〜［８］のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記表面層Ａが前記半導体装置と対向するように配置する工程と、前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程とを有する、樹脂封止半導体の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムを用いることで、半導体チップを樹脂封止して得られる成形品を容易に離型できるとともに、皺や欠けなどの外観不良のない成形品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムの一例を示す模式図である。
【図２】本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムの他の例を示す模式図である。
【図３Ａ】本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。
【図３Ｂ】本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。
【図４】図３Ａおよび図３Ｂの樹脂封止半導体の製造方法で得られた樹脂封止半導体の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１．半導体封止プロセス用離型フィルム
本発明の半導体封止プロセス用離型フィルム（以下、単に「離型フィルム」ともいう）は、成形品や金型に対する離型性を有する表面層Ａと、該表面層Ａを支持する耐熱樹脂層Ｂと、を含む。
【００１３】
本発明の離型フィルムは、成形金型の内部で半導体素子を樹脂封止するときに、成形金型の内面に配置される。このとき、離型フィルムの表面層Ａを、樹脂封止される半導体素子（成形品）側に配置することが好ましい。本発明の離型フィルムを配置することで、樹脂封止された半導体素子を、金型から容易に離型することができる。
【００１４】
前記の通り、表面層Ａは成形品側に配置されるので、樹脂封止工程における表面層Ａでの皺の発生を抑制することが好ましい。発生した皺が成形品に転写されて、成形品の外観不良が生じる可能性が高いためである。そのため、表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下であることが好ましく、５０ＭＰａ以上９０ＭＰａ以下であることがより好ましい。表面層Ａの樹脂が、１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が４５ＭＰａ未満の軟らかい樹脂であると、耐熱樹脂層Ｂがどれだけ硬くても、樹脂封止工程において皺が発生し易く、その皺が成形品に転写されて外観不良を生じる可能性が高い。一方、表面層Ａの１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が１０５ＭＰａ超の硬い樹脂であると、金型追従性に劣るため、端部において封止樹脂が充填され難く、成形品に欠けが発生するなどの外観不良を生じる可能性が高い。
【００１５】
貯蔵弾性率Ｅ’（引張粘弾性）は、例えば、動的粘弾性装置ＲＳＡ−ＩＩ（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて、引張モード：振動周波数１Ｈｚ、測定温度：−１０℃から３℃／分の速度で昇温してサンプルが融解して測定不能になるまでの温度、測定方向：フィルムの搬送方向で、１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’を測定することによって求められる。
【００１６】
表面層Ａを構成する樹脂は、１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下であれば特に限定されないが、成形品に対する離型性を高めるため、フッ素樹脂または４−メチル−１−ペンテン共重合体を含む樹脂であることが好ましい。これらの樹脂の貯蔵弾性率Ｅ’は、モノマー構成単位の構造や、共重合比や、樹脂組成などによって調整することができる。
【００１７】
表面層Ａに含まれるフッ素樹脂は、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位を含む樹脂でありうる。テトラフルオロエチレンの単独重合体であってもよいが、他のオレフィンとの共重合体であってもよい。他のオレフィンの例には、エチレンが含まれる。モノマー構成単位としてテトラフルオロエチレンとエチレンとを含む共重合体における、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位の割合は５５〜１００質量％であり、エチレンに由来する構成単位の割合は０〜４５質量％であることが好ましい。
【００１８】
表面層Ａに含まれる４−メチル−１−ペンテン共重合体は、４−メチル−１−ペンテンと、それ以外の炭素原子数２〜２０のオレフィン（以下「炭素原子数２〜２０のオレフィン」という）との共重合体でありうる。４−メチル−１−ペンテンの単独重合体は、前述の貯蔵弾性率Ｅ’が高すぎることがあるので、表面層Ａを構成する樹脂としては適さないことがある。
【００１９】
４−メチル−１−ペンテンと共重合される炭素原子数２〜２０のオレフィンは、４−メチル−１−ペンテンに可とう性を付与し得る。炭素原子数２〜２０のオレフィンの例には、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン等が含まれる。これらのオレフィンは、単独であってもよいし、２種以上を組み合せてもよい。
【００２０】
４−メチル−１−ペンテン共重合体における、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位の割合は９６〜９９質量％であり、それ以外の炭素原子数２〜２０のオレフィンに由来する構成単位の割合が１〜４質量％であることが好ましい。炭素原子数２〜２０のオレフィンの含有量が少なすぎると、１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が高くなり、表面層Ａが硬すぎて金型追従性が低下することがある。一方、炭素原子数２〜２０のオレフィンの含有量が多すぎると、１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が低くなり、表面層Ａが柔らかくなりすぎて、封止工程における皺が発生しやすいことがある。
【００２１】
４−メチル−１−ペンテン共重合体は、公知の方法で製造されうる。例えば、チーグラ・ナッタ触媒、メタロセン系触媒等の公知の触媒を用いた方法により製造されうる。４−メチル−１−ペンテン共重合体は、結晶性の高い共重合体であることが好ましい。結晶性の共重合体としては、アイソタクチック構造を有する共重合体、シンジオタクチック構造を有する共重合体のいずれであってもよいが、特にアイソタクチック構造を有する共重合体であることが好ましく、また入手も容易である。さらに、４−メチル−１−ペンテン共重合体は、フィルム状に成形でき、金型成形時の温度や圧力等に耐える強度を有していれば、立体規則性や分子量も、特に制限されない。４−メチル−１−ペンテン共重合体は、例えば、三井化学株式会社製ＴＰＸ等、市販の共重合体であってもよい。
【００２２】
表面層Ａは、フッ素樹脂または４−メチル−１−ペンテン共重合体のほかに、さらに他の樹脂を含んでもよい。他の樹脂の硬度も比較的高いことが好ましい。他の樹脂の例には、ポリアミド−６、ポリアミド−６６、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートが含まれる。このように、表面層Ａが、例えば柔らかい樹脂を多く含む場合（例えば、炭素原子数２〜２０のオレフィンを多く含む場合）でも、硬度の比較的高い樹脂をさらに含むことで、貯蔵弾性率Ｅ’を上記範囲に調整することができる。
【００２３】
これらの他の樹脂の含有量は、表面層Ａを構成する樹脂成分に対して３〜３０質量％であることが好ましい。他の樹脂の含有量が３質量％未満であると、添加による効果がほとんどなく、３０質量％超では金型や成形品に対する離型性が低下することがあるためである。
【００２４】
また表面層Ａは、フッ素樹脂または４−メチル−１−ペンテン共重合体に加えて、本発明の目的を損なわない範囲で、耐熱安定剤、耐候安定剤、発錆防止剤、耐銅害安定剤、帯電防止剤等、ポリオレフィンに一般的に配合される公知の添加剤を含んでもよい。これらの添加剤の含有量は、フッ素樹脂または４−メチル−１−ペンテン共重合体１００重量部に対して、例えば０．０００１〜１０重量部である。
【００２５】
表面層Ａの厚みは、成形品に対する離型性が十分であれば、特に制限はないが、通常１〜５０μｍであり、好ましくは５〜３０μｍである。
【００２６】
表面層Ａの表面は、必要に応じて凹凸形状を有していてもよく、それにより離型性を向上させることができる。表面層Ａの表面に凹凸を付与する方法は、特に制限はないが、エンボス加工等の一般的な方法が採用できる。
【００２７】
耐熱樹脂層Ｂは、表面層Ａを支持し、かつ金型温度による皺や変形などの発生を抑制する機能を有する。耐熱樹脂層Ｂは、１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である樹脂を含むことが好ましく、例えばポリエステル樹脂やポリアミド樹脂等を含むが、特に限定されない。１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ未満の樹脂は、強度が十分でなく、皺や破れを生じ易く、離型フィルムとして機能しないことがある。一方、１７５℃での貯蔵弾性率Ｅ’が２５０ＭＰａ超の樹脂は、金型追従性に劣り、端部などで封止樹脂の未充填が生じて、成形品に欠けが発生したかのような外観不良を生じさせる可能性が高い。
【００２８】
１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である樹脂の例には、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド−６、ポリアミド−６６等が含まれる。１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、前述と同様に測定することができる。
【００２９】
耐熱樹脂層Ｂの厚みは、フィルム強度を確保できれば、特に制限はないが、通常１〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍである。
【００３０】
本発明の離型フィルムは、表面層Ａと耐熱樹脂層Ｂとの間に、必要に応じて接着層を有してもよい。接着層は、表面層Ａと耐熱樹脂層Ｂとを強固に接着でき、樹脂封止工程や離型工程においても剥離しないものであれば、特に制限されない。
【００３１】
例えば、表面層Ａが４−メチル−１−ペンテン共重合体を含む場合は、接着層は、不飽和カルボン酸等によりグラフト変性された変性４−メチル−１−ペンテン系共重合体樹脂、４−メチル−１−ペンテン系共重合体とα−オレフィン系共重合体とからなるオレフィン系接着樹脂等であることが好ましい。表面層Ａがフッ素樹脂を含む場合は、接着層は、ポリエステル系、アクリル系、フッ素ゴム系等の粘着剤であることが好ましい。接着層の厚みは、表面層Ａと耐熱樹脂層Ｂとの接着性を向上できれば、特に制限はないが、例えば０．５〜１０μｍである。
【００３２】
本発明の離型フィルムの総厚みは、例えば１０〜３００μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることがより好ましい。離型フィルムの総厚みが上記範囲にあると、巻物として使用する際のハンドリング性が良好であるとともに、フィルムの廃棄量が少ないため好ましい。
【００３３】
以下、本発明の離型フィルムの好ましい実施形態について説明する。図１は、３層構造の離型フィルムの一例を示す模式図である。図１に示されるように、離型フィルム１０は、耐熱樹脂層１２と、その片面に接着層１４を介して形成された表面層１６とを有する。
【００３４】
表面層１６は前述の表面層Ａであり、耐熱樹脂層１２は前述の耐熱樹脂層Ｂであり、接着層１４は前述の接着層である。表面層１６は、封止プロセスにおいて封止樹脂と接する側に配置されることが好ましく；耐熱樹脂層１２は、封止プロセスにおいて金型の内面と接する側に配置されることが好ましい。
【００３５】
図２は、５層構造の離型フィルムの一例を示す模式図である。図１と同一の機能を有する部材には同一の符号を付する。図２に示されるように、離型フィルム２０は、耐熱性樹脂層１２と、その両面に接着層１４を介して形成された表面層１６Ａおよび表面層１６Ｂとを有する。
【００３６】
表面層１６Ａおよび１６Ｂの組成は、互いに同一でも異なってもよい。表面層１６Ａおよび１６Ｂの厚みも、互いに同一でも異なってもよい。ただし、表面層１６Ａおよび１６Ｂが互いに同一の組成および厚みを有すると、対称な構造となり、離型フィルム自体の反りが生じ難くなるため好ましい。特に、本発明の離型フィルムには、封止プロセスにおける加熱により応力が生じることがあるので、反りを抑制することが好ましい。このように、表面層１６Ａおよび１６Ｂが、耐熱樹脂層１２の両面に形成されていると、成形品および金型内面のいずれおいても、良好な離型性が得られるため好ましい。
【００３７】
２．離型フィルムの製造方法
本発明の離型フィルムは、任意の方法で製造されうる。例えば、１）表面層Ａと耐熱樹脂層Ｂを共押出成形して積層することにより、離型フィルムを製造する方法（共押出し形成法）、２）耐熱樹脂層Ｂとなるフィルム上に、表面層Ａや接着層となる樹脂の溶融樹脂を塗布・乾燥したり、または表面層Ａや接着層となる樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液を塗布・乾燥したりして、離型フィルムを製造する方法（塗布法）、３）予め表面層Ａとなるフィルムと、耐熱樹脂層Ｂとなるフィルムとを製造しておき、これらのフィルムを積層（ラミネート）することにより、離型フィルムを製造する方法（ラミネート法）などがある。
【００３８】
１）共押出し成形法は、表面層Ａとなる樹脂層と耐熱樹脂層Ｂとなる樹脂層との間に、異物が噛み込む等による欠陥や、離型フィルムの反りが生じ難い点で好ましい。３）ラミネート法による場合は、必要に応じてフィルム同士の界面に適切な接着層を形成することが好ましい。フィルム同士の接着性を高める上で、フィルム同士の界面に、必要に応じてコロナ放電処理等の表面処理を施してもよい。
【００３９】
離型フィルムは、必要に応じて１軸または２軸延伸されていてもよく、それによりフィルムの膜強度を高めることができる。
【００４０】
塗布手段は、特に限定されないが、例えばロールコータ、ダイコータ、スプレーコータ等の各種コータが用いられる。溶融押出手段は、特に限定されないが、例えばＴ型ダイやインフレーション型ダイを有する押出機などが用いられる。
【００４１】
３．樹脂封止半導体の製造方法
図３Ａおよび図３Ｂは、本発明の離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。図４は、図３Ａおよび図３Ｂの製造方法により得られた成形品の一例を示す模式図である。
【００４２】
図３Ａに示されるように、本発明の離型フィルム２２を、ロール状の巻物からロール２４およびロール２６により、成形金型２８内に供給する（工程ａ）。次いで、離型フィルム２２を上型３０の内面３０Ａに配置する（工程ｂ）。必要に応じて、上型内面３０Ａを真空引きして、離型フィルム２２を上型内面３０Ａに密着させてもよい。次いで、成形金型２８内に、樹脂封止すべき半導体チップ３４（基板３４Ａに固定された半導体チップ３４）を配置するとともに、封止樹脂材料３６をセットし（工程ｃ）、型締めする（工程ｄ）。
【００４３】
次いで、図３Ｂに示されるように、所定の加熱および加圧条件下、成形金型２８内に封止樹脂材料３６を注入する（工程ｅ）。このときの成形金型２８の温度（成形温度）は、例えば１６５〜１８５℃であり、成形圧力は、例えば７〜１２ＭＰａであり、成形時間は、例えば９０秒程度である。そして、一定時間保持した後、上型３０と下型３２を開き、樹脂封止された半導体パッケージ４０や離型フィルム２２、を同時にまたは順次離型する（工程ｆ）。
【００４４】
そして、図４に示されるように、得られた半導体パッケージ４０のうち、余分な樹脂部分４２を除去することで、所望の半導体パッケージ４４を得ることができる。離型フィルム２２は、そのまま他の半導体チップの樹脂封止に使用してもよいが、成形が１回終了するごとに、新たに離型フィルム２２を成形金型２８に供給することが好ましい。
【００４５】
離型フィルム２２を成形金型２８の内面に配置する工程と、半導体チップ３４を成形金型２８内に配置する工程の前後は、特に限定されず、同時に行ってもよいし、半導体チップ３４を配置した後、離型フィルム２２を配置してもよいし、離型フィルム２２を配置した後、半導体チップ３４を配置してもよい。また、図３で示したような、固体の封止樹脂材料３６を加圧加熱する圧縮成型法に限らず、流動状態の封止樹脂材料３６を注入するトランスファーモールド法を採用してもよい。
【００４６】
このように、離型フィルム２２は、離型性の高い表面層Ａを有するため、半導体パッケージ４０を容易に離型することができる。また、離型フィルム２２は、適度な柔軟性を有するので、金型形状に対する追従性に優れながらも、成形金型２８の熱によって皺になり難い。このため、半導体パッケージ４０の樹脂封止面に皺が転写されたり、樹脂が充填されない部分（樹脂欠け）が生じたりすることなく、外観の良好な半導体パッケージ４０を得ることができる。
【００４７】
本発明の離型フィルムは、半導体素子を樹脂封止する工程に限らず、成型金型を用いて各種成形品を成形および離型する工程に好ましく使用できる。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これにより何ら限定されるものではない。
【００４９】
〔実施例１〕
耐熱樹脂層Ｂとして、旭化成製ポリアミド−６６（レオナ１７００Ｓ）を３００℃で溶融押出し、膜厚３０μｍのポリアミドフィルムを得た。このポリアミドフィルムの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、２４０ＭＰａであった。このポリアミドフィルムの片面に、ポリエステル系接着剤を乾燥後の塗膜厚さが１μｍとなるように塗布し、接着層を形成した。この接着層を有するポリアミドフィルムを、押出ラミネート装置に設置した。
【００５０】
表面層Ａとして、テトラフルオロエチレンとエチレンとの共重合体（エチレン含有量：４１質量％）を３２０℃で溶融押出して、Ｔ型ダイのスリット幅を調整することにより、押出された後のフッ素樹脂層の膜厚が１５μｍとなるようにした。
押し出されたフッ素樹脂フィルムを、バックロールを用いて、前述のポリアミドフィルムの接着層面に１３０℃でラミネートし、３層構造（表面層Ａ／接着層／耐熱樹脂層Ｂ）の離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は４５ＭＰａであった。
【００５１】
表面層Ａおよび耐熱樹脂層Ｂの貯蔵弾性率Ｅ’（引張粘弾性）は、以下の条件で測定した。
装置：動的粘弾性装置ＲＳＡ−ＩＩ（ＴＡ Instruments社製）
測定条件：引張モード、
振動周波数：１Ｈｚ、
測定温度：−１０℃から３℃／分の速度で昇温し、サンプルが融解して測定不能になるまでの温度
測定方向：フィルムの長手方向（フィルム搬送方向）
評価項目：１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’
【００５２】
〔実施例２〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンとダイアレン１６８（三菱化学（株）製、炭素数１６と１８のα−オレフィンの混合物）との共重合体（ダイアレン１６８の含有量：１．５質量％）と、接着層として、無水マレイン酸をグラフトした４−メチル−１−ペンテン共重合体と、耐熱樹脂層Ｂとして、旭化成製ポリアミド−６６（レオナ１７００Ｓ）とを、Ｔ型ダイ多層共押出成形機を用いて共押出しすることにより、５層構造（表面層Ａ／接着層／耐熱樹脂層Ｂ／接着層／表面層Ａ）の離型フィルムを得た。
【００５３】
得られた離型フィルムの各層の厚さは、表面層Ａ／接着層／耐熱樹脂層Ｂ／接着層／表面層Ａの順に、１５μｍ／５μｍ／２５μｍ／５μｍ／１５μｍであった。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１００ＭＰａであった。
【００５４】
〔実施例３〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：２．５質量％）を用いた以外は、実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は６５ＭＰａであった。
【００５５】
〔実施例４〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：３．５質量％）を用いた以外は、実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は５４ＭＰａであった。
【００５６】
〔実施例５〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：２．５質量％）９０質量％と、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート（ノバテック５０２０）１０質量％と、からなる樹脂組成物を使用した以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は７５ＭＰａであった。
【００５７】
〔実施例６〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有：２．５質量％）７０質量％と、旭化成製ポリアミド−６６（レオナ１７００Ｓ）３０質量％と、からなる樹脂組成物を用いた以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は８０ＭＰａであった。
【００５８】
〔実施例７〕
耐熱樹脂層Ｂとして、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート（ノバテック５０２０）を用いた以外は実施例３と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、１１０ＭＰａであった。
【００５９】
〔実施例８〕
耐熱樹脂層Ｂとして、東レ製ポリアミド−６（アミランＣＭ１０４１）を用いた以外は実施例３と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１４３ＭＰａであった。
【００６０】
〔実施例９〕
耐熱樹脂層Ｂとして、東レ製共重合ポリアミド（アミランＣＭ６０４１）を用いた以外は実施例３と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は７８ＭＰａであった。
【００６１】
〔比較例１〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：６．５質量％）を使用した以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は３５ＭＰａであった。
【００６２】
〔比較例２〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンの単独重合体を使用した以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１３０ＭＰａであった。
【００６３】
〔比較例３〕
表面層Ａとして、４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体（１−デセンの含有量：２．５質量％）３０質量％と、旭化成製ポリアミド−６６（レオナ１７００Ｓ）７０質量％と、からなる樹脂組成物を用いた以外は実施例２と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１８０ＭＰａであった。
【００６４】
〔比較例４〕
表面層Ａとして、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート（ノバテック５０２０）を用いた以外は実施例１と同様にして離型フィルムを得た。表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は１１０ＭＰａであった。
【００６５】
〔比較例５〕
耐熱樹脂層Ｂとして、三井化学製ポリエチレンテレフタレートを用いた以外は比較例１と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’は４５０ＭＰａであった。
【００６６】
実施例１〜９および比較例１〜５で得られた離型フィルムをそれぞれ用いて、以下のように半導体チップを樹脂封止した。
【００６７】
得られた離型フィルムを、図３Ａに示されるように、上型と下型との間に１ＭＰａの張力を印加した状態で配置した後、上型のパーティング面に真空吸着させた。次いで、基板に固定された半導体チップを下型に配置し、型締めした。このとき、成形金型の温度（成形温度）を１７５℃、成形圧力を１０ＭＰａ、成形時間を９０秒とした。そして、図３Ｂに示されるように、半導体チップを封止樹脂で封止した後、樹脂封止された半導体チップ（半導体パッケージ）を離型フィルムから離型した。樹脂封止後の離型フィルムおよび半導体パッケージを、以下のように評価した。
【００６８】
１）離型性
離型フィルムの離型性を、以下の基準で評価した。
○：離型フィルムが、金型の開放と同時に自然に剥がれる
△：離型フィルムは自然には剥がれないが、手で引っ張ると（張力を加えると）簡単に剥がれる
×：離型フィルムの一部が、半導体パッケージの樹脂封止面に残る
××：離型フィルムが、半導体パッケージの樹脂封止面に密着しており、手では剥がせない
２）金型追従性
離型フィルムの金型追従性を、以下の基準で評価した。
○：半導体パッケージに、樹脂欠けが全くない
×：半導体パッケージの端部に、樹脂欠けがある（ただし皺による欠けは除く）
３）皺および破れ
離型フィルム、および半導体パッケージの樹脂封止面の皺の状態を、以下の基準で評価した。
○：離型フィルムおよび半導体パッケージのいずれにも皺が全くない
△：離型フィルムにはわずかに皺があるが、半導体パッケージへの皺の転写はなし
×：離型フィルムはもちろん、半導体パッケージにも多数の皺あり
この結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
【００７０】
表１に示されるように、表面層Ａの貯蔵弾性率Ｅ’が４５〜１０５ＭＰａの範囲にある実施例１〜９の離型フィルムは、いずれも良好な金型追従性および離型性を有しつつ、離型フィルムの皺が転写されることによる半導体パッケージの外観不良も生じなかった。さらに、耐熱性樹脂層Ｂの貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａよりも高い実施例３、７〜８の離型フィルムは、実施例９の離型フィルムと比較して、樹脂封止工程で皺を生じ難くなることがわかった。
【００７１】
これに対して、表面層Ａの貯蔵弾性率Ｅ’が上記範囲外である比較例１〜５の離型フィルムは、離型性、金型追従性、および皺の抑制をバランスよく有するものはなかった。具体的には、表面層Ａの貯蔵弾性率Ｅ’が４５ＭＰａよりも低い比較例１と５の離型フィルムは、樹脂封止工程において皺になり易く、この皺が半導体パッケージの樹脂封止面に転写されることがわかった。特に比較例１および５を比較すると、耐熱樹脂層Ｂの貯蔵弾性率Ｅ’が極めて高く、硬い場合であっても、表面層Ａが軟らすぎると皺が生じることがわかった。表面層Ａの貯蔵弾性率Ｅ’が１０５ＭＰａよりも高い比較例２〜４の離型フィルムは、樹脂封止工程において皺は生じないものの、金型追従性が低く、半導体パッケージの樹脂欠けが生じることがわかった。また、比較例３および４から、表面層Ａに含まれる４−メチル−１−ペンテン共重合体の量が少ないほど、離型性も低くなることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムを用いることで、半導体チップを樹脂封止して半導体パッケージを成形する際、離形フィルムを金型に装填することで、特殊な金型構造を用いたり、封止樹脂に離型剤を添加したりしなくても、成形品を良好に離型することができる。また離形フィルムの金型への装填時や成形時に、離型フィルムが変形して皺が入ったり、破損したりしないので、外観不良のないパッケージ成形を実現できる。このように、本発明の半導体封止プロセス用離型フィルムは、半導体パッケージに限らず、種々の金型成形に用いることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１０、２０、２２ 離型フィルム
１２ 耐熱樹脂層
１４ 接着層
１６、１６Ａ、１６Ｂ 表面層
２４、２６ ロール
２８ 成形金型
３０ 上型
３２ 下型
３４ 半導体チップ
３４Ａ 基板
３６ 封止樹脂材料
４０、４４ 半導体パッケージ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む半導体封止プロセス用離型フィルムであって、
前記表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下である、半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項２】
前記耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である、請求項１に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項３】
前記表面層Ａが、フッ素樹脂および４−メチル−１−ペンテン共重合体からなる群より選ばれた樹脂を含む、請求項１または２に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項４】
前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位５５〜１００質量％と、エチレンに由来する構成単位０〜４５質量％とを有する、テトラフルオロエチレン共重合体である、請求項３に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項５】
前記４−メチル−１−ペンテン共重合体が、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位９６〜９９質量％と、４−メチル−１−ペンテン以外の炭素原子数２〜２０のオレフィンに由来する構成単位１〜４質量％とを有する共重合体である、請求項３に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項６】
前記表面層Ａが、さらにポリアミド−６、ポリアミド−６６、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を３〜３０質量％含む、請求項３〜５のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項７】
前記耐熱樹脂層Ｂが、ポリアミド−６、ポリアミド−６６およびポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項８】
前記表面層Ａが、前記耐熱樹脂層Ｂの両面に配置されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項９】
樹脂封止半導体の製造方法であって、
成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、
前記成形金型内面に、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記表面層Ａが前記半導体装置と対向するように配置する工程と、
前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程と、
を有する、樹脂封止半導体の製造方法。
【請求項１】
表面層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む半導体封止プロセス用離型フィルムであって、
前記表面層Ａの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下である、半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項２】
前記耐熱樹脂層Ｂの１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である、請求項１に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項３】
前記表面層Ａが、フッ素樹脂および４−メチル−１−ペンテン共重合体からなる群より選ばれた樹脂を含む、請求項１または２に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項４】
前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位５５〜１００質量％と、エチレンに由来する構成単位０〜４５質量％とを有する、テトラフルオロエチレン共重合体である、請求項３に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項５】
前記４−メチル−１−ペンテン共重合体が、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位９６〜９９質量％と、４−メチル−１−ペンテン以外の炭素原子数２〜２０のオレフィンに由来する構成単位１〜４質量％とを有する共重合体である、請求項３に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項６】
前記表面層Ａが、さらにポリアミド−６、ポリアミド−６６、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を３〜３０質量％含む、請求項３〜５のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項７】
前記耐熱樹脂層Ｂが、ポリアミド−６、ポリアミド−６６およびポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項８】
前記表面層Ａが、前記耐熱樹脂層Ｂの両面に配置されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
【請求項９】
樹脂封止半導体の製造方法であって、
成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、
前記成形金型内面に、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記表面層Ａが前記半導体装置と対向するように配置する工程と、
前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程と、
を有する、樹脂封止半導体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【公開番号】特開２０１０−２０８１０４（Ｐ２０１０−２０８１０４Ａ）
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５５５６３（Ｐ２００９−５５５６３）
【出願日】平成２１年３月９日（２００９．３．９）
【出願人】（０００００５８８７）三井化学株式会社 (2,318)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月９日（２００９．３．９）
【出願人】（０００００５８８７）三井化学株式会社 (2,318)
【Ｆターム（参考）】
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