半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法
【課題】半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ＤＬＣ皮膜を形成する方法であって、ＤＬＣ皮膜中のタングステン組成を調整することが容易であり、プローブピンがはんだと接触した際にはんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法を用いる。
【解決手段】半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法を用いる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法に関し、特に、プローブピンがはんだと接触した際にはんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を基材上に形成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体検査装置用コンタクトプローブピンは、半導体検査において、プローブピンの相手側材料であるはんだと繰り返し接触するため、その際に、はんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着する場合がある。凝着したスズが酸化されると、抵抗の増大が発生し、検査の際に不具合を引き起こすこととなる。このため、スズの凝着は、プローブピンとしての耐久性を低下させる原因となっている。
【０００３】
プローブピン表面へのスズの凝着を抑制し、かつ導電性を良好にするため、プローブピン基材の表面にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）皮膜を形成することが提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、タングステンまたはレニウムタングステンからなるプローブにおいて、先端側接触部の少なくとも先端部にタングステン等の金属を含むＤＬＣ膜を形成することが提案されている。金属を含むＤＬＣ膜は、カーボンターゲットと金属ターゲットとを用いてスパッタリングを行うことによりプローブユニットの表面に形成されることが開示されている。また、特許文献２では、半導体素子等の検査装置用の接続装置において、接触端子の少なくとも先端近傍の表面にタングステン等の金属元素を含有させた炭素皮膜を形成することが提案されている。金属元素を含有させた炭素皮膜は、カーボンターゲットと金属ターゲットとを用いたスパッタリング法で形成することが好ましい旨が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２８９８７４号公報
【特許文献２】特開２００２−３１８２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＤＬＣ膜を基材上に形成する方法としては、上記のようにターゲットとして固体炭素源を使用したスパッタリング法の他に、炭化水素ガスをプラズマ中で分解する化学気相蒸着（ＣＶＤ）法も知られている。一方で、ＤＬＣ膜にタングステン等の金属を含有させる方法としては、特許文献１や特許文献２が提案するようにカーボンターゲットと金属ターゲットを併用してスパッタリングを行う成膜方法だけでなく、炭化水素ガスを分解するＣＶＤ法を利用しつつ金属ターゲットを用いてスパッタリングを行う成膜方法も考えられる。
【０００７】
しかし、本発明者等の検討によれば、後者の方法では、ＣＶＤ法はガスを分解するために、ＣＶＤ法によるＤＬＣの成膜速度がスパッタリング法による金属の成膜速度より大きくなり、成膜速度差が生じることにより、ＤＬＣ膜中の金属の組成を調整することが困難であった。
【０００８】
また、本発明者等の検討によれば、炭化水素ガスを含むガス中でスパッタリング法を行ってタングステンを含有するＤＬＣ膜を形成する場合に、用いる金属ターゲットがタングステンターゲットであるかタングステン合金ターゲットであるかによって、得られるＤＬＣ膜の表面性状が異なり、それが耐スズ凝着性に影響することも明らかになった。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ＤＬＣ皮膜を形成する方法であって、ＤＬＣ皮膜中のタングステン組成を調整することが容易であり、プローブピンがはんだと接触した際にはんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一局面は、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ＤＬＣ皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ＤＬＣ皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法である。
【００１１】
この方法によれば、タングステン含有ＤＬＣ皮膜の表面性状が平滑になることにより、はんだ中のスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上に形成することができ、また、ＤＬＣ皮膜中のタングステン組成を容易に調整することができ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上に形成することができる。
【００１２】
また、この方法において用いる炭化水素ガスは、メタン（ＣＨ４）ガスおよび／またはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスであることが、ＤＬＣ皮膜中の炭素に対するタングステンの組成比をより容易に調整することができる観点から、好ましい。
【００１３】
さらに、前記炭化水素ガスの濃度は、アルゴンガスに対して１〜２０体積％であることが、ＤＬＣ皮膜中のタングステン含有量を容易に制御することができる観点から、好ましい。
【００１４】
また、前記スパッタリングは、アンバランストマグネトロンスパッタリングであることが、タングステン含有ＤＬＣ皮膜の表面性状を平滑にする観点から、好ましい。
【００１５】
さらに、形成されるタングステン含有ＤＬＣ皮膜の表面粗さ（Ｒａ）は、原子間力顕微鏡で４μｍ２の走査範囲において０．２ｎｍ以下であることが好ましい。この範囲であれば、スズがプローブピンの接触部に凝着するのをほぼ完全に防ぐことができる。
【００１６】
また、本発明の他の一局面は、上記の方法を用いて得られるタングステン含有ＤＬＣ皮膜を備える半導体検査装置用コンタクトプローブピンである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の方法によれば、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上に形成されるタングステン含有ＤＬＣ皮膜であって、特に、ＤＬＣ皮膜中のタングステン組成を調整することが容易であって、はんだ中のスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を製造することができる。また、この方法を用いて、耐久性を向上させたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を備えた半導体検査装置用コンタクトプローブピンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の一局面は、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ＤＬＣ皮膜を製造する方法であり、前記タングステン含有ＤＬＣ皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより、コンタクトプローブピンの基材上に形成される。
【００１９】
以下、このタングステン含有ＤＬＣ皮膜を基材上に形成する方法について、その実施形態を説明する。
［ターゲット］
本実施形態に係るスパッタリング法に用いるターゲットは、タングステン炭化物（ＷＣ）ターゲットである。すなわち、ＷＣターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、ＤＬＣ皮膜中にタングステン（Ｗ）を導入する。
【００２０】
本発明者等は、炭化水素ガスを含むガス中でスパッタリング法を行ってタングステンを含有するＤＬＣ膜を基材上に形成する試験を行う過程において、ＤＬＣ膜中にタングステンを導入するために用いるターゲットとして、タングステン（Ｗ）ターゲットを用いた場合とタングステン炭化物（ＷＣ）ターゲットを用いた場合について、得られるＤＬＣ膜の表面性状を対比する検討を行った。その結果、ＷＣターゲットを用いた場合には、Ｗターゲットを用いた場合に比べて、Ｗ含有ＤＬＣ膜として、より平滑な表面性状を有するものが得られることを見出した。本発明者等は更に、表面が平滑なＷ含有ＤＬＣ膜では、表面が粗いＷ含有ＤＬＣ膜に比して、Ｗ含有ＤＬＣ膜への耐スズ凝着性が著しく改善されることも見出した。
【００２１】
ＷＣターゲットを用いた場合に、Ｗターゲットを用いた場合に比べて、より平滑な表面をもつＷ含有ＤＬＣ膜が得られる理由について、本発明者等は次のように考えている。ＷＣターゲットを用いた成膜では、金属Ｗと結合したカーボン（Ｃ）元素が基板に到達してゆくために、平滑なアモルファス状の表面が形成されやすい。これに対して、Ｗターゲットを用いた成膜では、表面はアモルファス状となるが、皮膜形成の際にＷ粒子を基点としてクラスター状の構造が形成されやすくなるため、クラスターに起因した微細な凹凸が形成されやすい。結果として、Ｗターゲットを用いた場合の皮膜表面の粗さは、ＷＣターゲットを用いた場合のそれに比べて増大するものと考えられる。
【００２２】
ＷＣターゲットとしては、一般的な超硬合金を使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ５５０１−１９９６に規定された各種の超硬合金を使用することができる。特に、ＪＩＳ Ｈ ５５０１−１９９６のＧ種およびＤ種は、Ｔｉを実質的に含まず、アモルファスのＷ含有ＤＬＣ膜が好適に形成され、かつ表面粗さが小さいＷ含有ＤＬＣ膜が得られるため、好ましい。なお、前記ＪＩＳ Ｈ ５５０１−１９９６に規定された各種の超硬合金には、Ｗ、Ｃｏ、Ｃ以外のその他の元素を２原子％以下含有するものも含まれる。
［プロセスガス］
本実施形態に係るスパッタリング法においては、プロセスガスとして、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いる。すなわち、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを真空チャンバ内に導入して、所定の条件で反応性スパッタリングを行うことにより、ＤＬＣ皮膜を形成する。
【００２３】
炭化水素ガスとしては、メタン（ＣＨ４）ガスおよび／またはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスを用いることが好ましい。反応性スパッタリングにより形成されるＷ含有ＤＬＣ皮膜において、Ｗは上述したＷＣターゲットからＤＬＣ皮膜中に導入され、一方ＤＬＣ皮膜中のカーボンはＷＣターゲットからだけでなく炭化水素ガス中のＣからも導入されるため、炭化水素ガスとしてＣＨ４ガスおよび／またはＣ２Ｈ２ガスを用いることで、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜中のＣに対するＷの組成比をより容易に調整することができる。
【００２４】
炭化水素ガスの濃度は、アルゴンガスに対して１〜２０体積％であることが好ましく、更に好ましくは２〜１０体積％である。アルゴンガスに対する炭化水素ガスの混合比を変化させて、ＤＬＣ皮膜中のＣ含有量を調整することで、ＤＬＣ皮膜中のＷ含有量を制御することができる。炭化水素ガスの濃度がアルゴンガスに対して１体積％未満では、ＤＬＣの成膜速度がＷのＤＬＣへの導入速度に比して相対的に小さくなりやすく、２０体積％を超えると、ＤＬＣの成膜速度がＷのＤＬＣへの導入速度に比して相対的に大きくなりやすく、成膜速度差が生じやすい。
［スパッタリング］
本実施形態において、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜は、ＷＣターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中で反応性スパッタリングを行うことにより、コンタクトプローブピンの基材上に形成される。
【００２５】
スパッタリングとしては、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜の表面性状を平滑にする観点からは、マグネトロンスパッタリングが好ましく、アンバランストマグネトロンスパッタリングがより好ましい。この方法によれば、プラズマ空間を基板付近まで広げることができるため、Ａｒイオン量を増やすとともに、基板へＡｒイオンを照射することも可能となる。Ａｒイオンの照射によってＡｒイオンの運動エネルギーは、基板へ到達したスパッタ粒子の熱エネルギー向上へ寄与する。スパッタ粒子の熱エネルギーが向上することで、基板上での粒子の移動が容易になり、膜が緻密化し平滑な膜が得られる。これらの効果をさらに増大させるために、基板へバイアスを印加することでＡｒイオンのエネルギーを制御でき、表面平滑性をさらに高めることができる。
［Ｗ含有ＤＬＣ皮膜］
本実施形態の方法によりコンタクトプローブピンの基材上に形成されるＷ含有ＤＬＣ皮膜は、その表面性状が平滑であることにより、はんだ中のスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐことができる。
【００２６】
本実施形態のＷ含有ＤＬＣ皮膜としては、その外表面の表面粗さ（Ｒａ）が、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で４μｍ２の走査範囲において０．２ｎｍ以下である表面性状を有するＷ含有ＤＬＣ皮膜を形成することが好ましい。表面粗さ（Ｒａ）がこの範囲であれば、後述する実施例が示すように、はんだ中のスズがプローブピンの接触部に凝着するのをほぼ完全に防ぐことができる。
【００２７】
なお、上記の表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義される算術平均粗さを３次元で求めたものであり、例えば、次のようにして算出することができる。すなわち、画像データとしては、ＡＦＭ装置（ＳＩＩ社製ＳＰＩ４０００）を用いて２μｍ×２μｍの走査範囲における画像を、この装置に付属の表面処理ソフトで、平均傾き補正をＸ方向、Ｙ方向の両方向で施した画像データを用い、表面処理ソフト（ＰｒｏＡｎａ３Ｄ）にて処理を行って、算出することができる。
【００２８】
Ｗ含有ＤＬＣ皮膜中のＷ含有比率は、１０〜５０原子％であることが好ましく、２０〜４０原子％であることがより好ましい。Ｗはスズ凝着性を低いレベルに抑えながら、電気伝導特性の小さいＤＬＣ皮膜の電導性を上げることができる。Ｗの含有比率が５０原子％を超えると、スズの凝着が生じ、スズ成分が酸化することで電気抵抗が増大しやすくなるので、半導体検査の信頼性が低下しやすくなる。また、１０原子％未満では、Ｗによる電導性付与効果が低下しやすい。
【００２９】
Ｗ含有ＤＬＣ皮膜の厚さは、５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。皮膜の厚さが１０００ｎｍを超えると、外表面の凹凸が大きくなりやすく、５０ｎｍ未満になると、皮膜が摩耗して基材が露出しやすくなる。皮膜の厚さは、薄いほど表面が平滑になるとともに、内部応力が小さくなって皮膜が剥離しにくくなることから、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、３００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３０】
なお、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜は、コンタクトプローブピンの基材との間に中間層を介して、基材上に形成されていてもよい。中間層は、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜の基材表面への密着性を強化する役割を有する。中間層は、ＷおよびＣを含み、Ｃに対するＷの原子数の割合が、基材表面からＷ含有ＤＬＣ皮膜に向かう厚み方向において減少する傾斜組成を有していてもよい。また、中間層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ等の純金属からなる層であってもよいし、純金属からなる層と傾斜組成を有する層とを組み合わせたものであってもよい。中間層の厚さは５〜４００ｎｍであることが好ましく、５〜２００ｎｍであることがさらに好ましい。４００ｎｍ以下とすることにより、中間層に含まれるＷの結晶粒の成長が抑えられるため、中間層の上に形成されるＷ含有ＤＬＣ皮膜の外表面の凹凸を小さくすることができる。中間層をプローブピンの基材上に形成するための方法としては、スパッタリング法、特にアンバランストマグネトロンスパッタリング法を用いることが好ましい。その場合は、先に導電性基材上に中間層を形成し、その後に中間層の上にＷ含有ＤＬＣ皮膜を形成することができる。
【００３１】
また、基材の材質は特に限定されるものではなく、各種の金属または合金基材を使用することができる。基材の表面にはめっきが施されていてもよい。めっきとしては、例えば、クロム、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、金などからなる群から選択される１種の純金属または２種以上の合金を含むものを使用することができる。
【００３２】
以上、本発明の実施の形態が詳細に説明されたが、上記の説明は全ての局面において例示であって、本発明はそれらに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、本発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【実施例】
【００３３】
以下に、本発明に関する実施例が示されるが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３４】
（Ｗ含有ＤＬＣ皮膜の形成）
神戸製鋼社製アンバランストマグネトロンスパッタ装置（ＵＢＭ２０２）を用いて成膜を行った。ターゲットとしては、Ｗターゲット（純度：９９．９％）、またはＷＣターゲット（超硬合金ターゲット、ＪＩＳ Ｈ ５５０１−１９９６のＧ種２号に相当、バインダーとしてＣｏを使用）を用いた（表１参照）。基板は、基板ステージの上に配置した基板ホルダーに、ターゲットと平行になるように設置し、テーブルを回転させて成膜を実施した。基材としては、ガラス基板を用いた。基材を装置内に導入後、１×１０−３Ｐａ以下に排気した後に、成膜を実施した。
【００３５】
プロセスガスとしては、アルゴンガスと炭化水素ガスとの混合ガスを用い、炭化水素ガスとしてはＣＨ４ガスまたはＣ２Ｈ２ガスを用いた。アルゴンガスと炭化水素ガスとの混合ガスをチャンバ内に導入し成膜を実施した。表１に、用いた炭化水素ガスの濃度をアルゴンガスに対する体積％で示した。成膜時のガス圧は０．６Ｐａで一定とし、成膜時の基板印加バイアスは−１００Ｖで一定とした。成膜時の混合ガス比を変化させて、ＤＬＣ皮膜中のＣ含有量を調整することで、ＤＬＣ皮膜中のＷ含有量を制御した。
【００３６】
ＷターゲットまたはＷＣターゲットへの投入電力を２．０ｋＷとした。膜厚は２００ｎｍ程度で一定となるように、成膜時間の調整を行った。膜厚は、触針式表面粗さ計（ＤＥＫＴＡＫ６Ｍ）で測定した。
【００３７】
（ＤＬＣ皮膜中のＷ含有量の分析）
得られたＤＬＣ皮膜中のＷ含有量については、ＳＥＭ−ＥＤＸにより分析を行った。
【００３８】
ＷＣターゲットを用いて得たＷ含有ＤＬＣ皮膜についてはバインダ成分であるＣｏも若干検出されたが、ＷとＣの２元素で１００原子％となるようにＷ含有量を算出した。
【００３９】
（比抵抗の測定）
得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜の比抵抗の測定は、４探針測定により行った。
【００４０】
（スズ凝着性の評価）
スズ凝着性の評価には、スズめっきボールを用いた摺動試験を実施した。摺動試験はボールオンディスク試験装置（ＣＳＭ社製：Tribometer）により回転摺動試験を実施した。回転半径は１．５ｍｍで、回転速度は０．２ｃｍ／ｓ、荷重は０．２Ｎとし、ボールにはＳＵＪ２（直径９．５ｍｍ）上に１０μｍのスズめっきしたものを使用した。摺動距離は０．５ｍ一定とし、摺動試験後のスズ付着量によって評価を行った。
【００４１】
スズ付着量の評価には、摺動円周上の４点を表面粗さ計で測定し、各箇所の付着断面積を求め４点の平均値を表１中に示した。値がゼロのものはスズの付着が発生していないものである。
【００４２】
（表面性状の評価）
表面性状を評価するため、ＡＦＭ装置（ＳＩＩ社製ＳＰＩ４０００）を用いて、表面粗さを測定した。探針には付属のＳＮ−ＡＦ０１探針の長さが１００μｍのものを使用した。測定は大気中で実施し、走査範囲は１０μｍ×１０μｍでコンタミ等の無い部位を確認した後、２μｍ×２μｍでの測定を実施した。表面粗さのパラメータとして、算術平均粗さ（Ｒａ）を用い、Ｒａの算出には、２μｍ×２μｍの画像を装置（ＳＰＩ４０００）に付属の表面処理ソフトで、平均傾き補正をＸ方向、Ｙ方向の両方向で施した画像データを用い、表面処理ソフト（ＰｒｏＡｎａ３Ｄ）で算出した値を表１に示した。
【００４３】
（結果）
結果を表１に示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
試料番号１〜４は、Ｗターゲットを用いて、試料番号５〜８は、ＷＣターゲットを用いて、それぞれ、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中で反応性スパッタリングを行うことにより得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜である。
【００４６】
すべてのＷ含有ＤＬＣ皮膜において、Ｗ含有比率は、２０〜４０原子％の範囲に制御されている。また、すべてのＷ含有ＤＬＣ皮膜で、比抵抗は１×１０−３Ω・ｃｍ以下の値を示している。
【００４７】
しかし、スズめっきボールを用いた摺動試験後のスズ付着量は、ＷＣターゲットを用いて得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜（試料番号５〜８）では、まったくスズの付着が生じないのに対して、ＷＣターゲットを用いて得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜（試料番号１〜４）では、スズの付着が発生する。
【００４８】
さらに、表面粗さ（Ｒａ）については、Ｗターゲットを用いて得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜（試料番号１〜４）では、０．３ｎｍ以上であるのに対して、ＷＣターゲットを用いて得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜（試料番号５〜８）では、０．２ｎｍ以下である。試料番号１〜４では、表面粗さとスズ付着量との間には相関関係がみられ、表面が平滑な方がスズ付着量は少ないことがわかる。そして、試料番号５〜８では、表面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍ以下となり、スズの付着がまったく発生しない。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法に関し、特に、プローブピンがはんだと接触した際にはんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を基材上に形成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体検査装置用コンタクトプローブピンは、半導体検査において、プローブピンの相手側材料であるはんだと繰り返し接触するため、その際に、はんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着する場合がある。凝着したスズが酸化されると、抵抗の増大が発生し、検査の際に不具合を引き起こすこととなる。このため、スズの凝着は、プローブピンとしての耐久性を低下させる原因となっている。
【０００３】
プローブピン表面へのスズの凝着を抑制し、かつ導電性を良好にするため、プローブピン基材の表面にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）皮膜を形成することが提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、タングステンまたはレニウムタングステンからなるプローブにおいて、先端側接触部の少なくとも先端部にタングステン等の金属を含むＤＬＣ膜を形成することが提案されている。金属を含むＤＬＣ膜は、カーボンターゲットと金属ターゲットとを用いてスパッタリングを行うことによりプローブユニットの表面に形成されることが開示されている。また、特許文献２では、半導体素子等の検査装置用の接続装置において、接触端子の少なくとも先端近傍の表面にタングステン等の金属元素を含有させた炭素皮膜を形成することが提案されている。金属元素を含有させた炭素皮膜は、カーボンターゲットと金属ターゲットとを用いたスパッタリング法で形成することが好ましい旨が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２８９８７４号公報
【特許文献２】特開２００２−３１８２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＤＬＣ膜を基材上に形成する方法としては、上記のようにターゲットとして固体炭素源を使用したスパッタリング法の他に、炭化水素ガスをプラズマ中で分解する化学気相蒸着（ＣＶＤ）法も知られている。一方で、ＤＬＣ膜にタングステン等の金属を含有させる方法としては、特許文献１や特許文献２が提案するようにカーボンターゲットと金属ターゲットを併用してスパッタリングを行う成膜方法だけでなく、炭化水素ガスを分解するＣＶＤ法を利用しつつ金属ターゲットを用いてスパッタリングを行う成膜方法も考えられる。
【０００７】
しかし、本発明者等の検討によれば、後者の方法では、ＣＶＤ法はガスを分解するために、ＣＶＤ法によるＤＬＣの成膜速度がスパッタリング法による金属の成膜速度より大きくなり、成膜速度差が生じることにより、ＤＬＣ膜中の金属の組成を調整することが困難であった。
【０００８】
また、本発明者等の検討によれば、炭化水素ガスを含むガス中でスパッタリング法を行ってタングステンを含有するＤＬＣ膜を形成する場合に、用いる金属ターゲットがタングステンターゲットであるかタングステン合金ターゲットであるかによって、得られるＤＬＣ膜の表面性状が異なり、それが耐スズ凝着性に影響することも明らかになった。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ＤＬＣ皮膜を形成する方法であって、ＤＬＣ皮膜中のタングステン組成を調整することが容易であり、プローブピンがはんだと接触した際にはんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一局面は、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ＤＬＣ皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ＤＬＣ皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法である。
【００１１】
この方法によれば、タングステン含有ＤＬＣ皮膜の表面性状が平滑になることにより、はんだ中のスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上に形成することができ、また、ＤＬＣ皮膜中のタングステン組成を容易に調整することができ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上に形成することができる。
【００１２】
また、この方法において用いる炭化水素ガスは、メタン（ＣＨ４）ガスおよび／またはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスであることが、ＤＬＣ皮膜中の炭素に対するタングステンの組成比をより容易に調整することができる観点から、好ましい。
【００１３】
さらに、前記炭化水素ガスの濃度は、アルゴンガスに対して１〜２０体積％であることが、ＤＬＣ皮膜中のタングステン含有量を容易に制御することができる観点から、好ましい。
【００１４】
また、前記スパッタリングは、アンバランストマグネトロンスパッタリングであることが、タングステン含有ＤＬＣ皮膜の表面性状を平滑にする観点から、好ましい。
【００１５】
さらに、形成されるタングステン含有ＤＬＣ皮膜の表面粗さ（Ｒａ）は、原子間力顕微鏡で４μｍ２の走査範囲において０．２ｎｍ以下であることが好ましい。この範囲であれば、スズがプローブピンの接触部に凝着するのをほぼ完全に防ぐことができる。
【００１６】
また、本発明の他の一局面は、上記の方法を用いて得られるタングステン含有ＤＬＣ皮膜を備える半導体検査装置用コンタクトプローブピンである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の方法によれば、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上に形成されるタングステン含有ＤＬＣ皮膜であって、特に、ＤＬＣ皮膜中のタングステン組成を調整することが容易であって、はんだ中のスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ耐スズ凝着性に優れ、かつ導電性にも優れたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を製造することができる。また、この方法を用いて、耐久性を向上させたタングステン含有ＤＬＣ皮膜を備えた半導体検査装置用コンタクトプローブピンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の一局面は、半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ＤＬＣ皮膜を製造する方法であり、前記タングステン含有ＤＬＣ皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより、コンタクトプローブピンの基材上に形成される。
【００１９】
以下、このタングステン含有ＤＬＣ皮膜を基材上に形成する方法について、その実施形態を説明する。
［ターゲット］
本実施形態に係るスパッタリング法に用いるターゲットは、タングステン炭化物（ＷＣ）ターゲットである。すなわち、ＷＣターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、ＤＬＣ皮膜中にタングステン（Ｗ）を導入する。
【００２０】
本発明者等は、炭化水素ガスを含むガス中でスパッタリング法を行ってタングステンを含有するＤＬＣ膜を基材上に形成する試験を行う過程において、ＤＬＣ膜中にタングステンを導入するために用いるターゲットとして、タングステン（Ｗ）ターゲットを用いた場合とタングステン炭化物（ＷＣ）ターゲットを用いた場合について、得られるＤＬＣ膜の表面性状を対比する検討を行った。その結果、ＷＣターゲットを用いた場合には、Ｗターゲットを用いた場合に比べて、Ｗ含有ＤＬＣ膜として、より平滑な表面性状を有するものが得られることを見出した。本発明者等は更に、表面が平滑なＷ含有ＤＬＣ膜では、表面が粗いＷ含有ＤＬＣ膜に比して、Ｗ含有ＤＬＣ膜への耐スズ凝着性が著しく改善されることも見出した。
【００２１】
ＷＣターゲットを用いた場合に、Ｗターゲットを用いた場合に比べて、より平滑な表面をもつＷ含有ＤＬＣ膜が得られる理由について、本発明者等は次のように考えている。ＷＣターゲットを用いた成膜では、金属Ｗと結合したカーボン（Ｃ）元素が基板に到達してゆくために、平滑なアモルファス状の表面が形成されやすい。これに対して、Ｗターゲットを用いた成膜では、表面はアモルファス状となるが、皮膜形成の際にＷ粒子を基点としてクラスター状の構造が形成されやすくなるため、クラスターに起因した微細な凹凸が形成されやすい。結果として、Ｗターゲットを用いた場合の皮膜表面の粗さは、ＷＣターゲットを用いた場合のそれに比べて増大するものと考えられる。
【００２２】
ＷＣターゲットとしては、一般的な超硬合金を使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ５５０１−１９９６に規定された各種の超硬合金を使用することができる。特に、ＪＩＳ Ｈ ５５０１−１９９６のＧ種およびＤ種は、Ｔｉを実質的に含まず、アモルファスのＷ含有ＤＬＣ膜が好適に形成され、かつ表面粗さが小さいＷ含有ＤＬＣ膜が得られるため、好ましい。なお、前記ＪＩＳ Ｈ ５５０１−１９９６に規定された各種の超硬合金には、Ｗ、Ｃｏ、Ｃ以外のその他の元素を２原子％以下含有するものも含まれる。
［プロセスガス］
本実施形態に係るスパッタリング法においては、プロセスガスとして、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いる。すなわち、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを真空チャンバ内に導入して、所定の条件で反応性スパッタリングを行うことにより、ＤＬＣ皮膜を形成する。
【００２３】
炭化水素ガスとしては、メタン（ＣＨ４）ガスおよび／またはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスを用いることが好ましい。反応性スパッタリングにより形成されるＷ含有ＤＬＣ皮膜において、Ｗは上述したＷＣターゲットからＤＬＣ皮膜中に導入され、一方ＤＬＣ皮膜中のカーボンはＷＣターゲットからだけでなく炭化水素ガス中のＣからも導入されるため、炭化水素ガスとしてＣＨ４ガスおよび／またはＣ２Ｈ２ガスを用いることで、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜中のＣに対するＷの組成比をより容易に調整することができる。
【００２４】
炭化水素ガスの濃度は、アルゴンガスに対して１〜２０体積％であることが好ましく、更に好ましくは２〜１０体積％である。アルゴンガスに対する炭化水素ガスの混合比を変化させて、ＤＬＣ皮膜中のＣ含有量を調整することで、ＤＬＣ皮膜中のＷ含有量を制御することができる。炭化水素ガスの濃度がアルゴンガスに対して１体積％未満では、ＤＬＣの成膜速度がＷのＤＬＣへの導入速度に比して相対的に小さくなりやすく、２０体積％を超えると、ＤＬＣの成膜速度がＷのＤＬＣへの導入速度に比して相対的に大きくなりやすく、成膜速度差が生じやすい。
［スパッタリング］
本実施形態において、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜は、ＷＣターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中で反応性スパッタリングを行うことにより、コンタクトプローブピンの基材上に形成される。
【００２５】
スパッタリングとしては、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜の表面性状を平滑にする観点からは、マグネトロンスパッタリングが好ましく、アンバランストマグネトロンスパッタリングがより好ましい。この方法によれば、プラズマ空間を基板付近まで広げることができるため、Ａｒイオン量を増やすとともに、基板へＡｒイオンを照射することも可能となる。Ａｒイオンの照射によってＡｒイオンの運動エネルギーは、基板へ到達したスパッタ粒子の熱エネルギー向上へ寄与する。スパッタ粒子の熱エネルギーが向上することで、基板上での粒子の移動が容易になり、膜が緻密化し平滑な膜が得られる。これらの効果をさらに増大させるために、基板へバイアスを印加することでＡｒイオンのエネルギーを制御でき、表面平滑性をさらに高めることができる。
［Ｗ含有ＤＬＣ皮膜］
本実施形態の方法によりコンタクトプローブピンの基材上に形成されるＷ含有ＤＬＣ皮膜は、その表面性状が平滑であることにより、はんだ中のスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐことができる。
【００２６】
本実施形態のＷ含有ＤＬＣ皮膜としては、その外表面の表面粗さ（Ｒａ）が、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で４μｍ２の走査範囲において０．２ｎｍ以下である表面性状を有するＷ含有ＤＬＣ皮膜を形成することが好ましい。表面粗さ（Ｒａ）がこの範囲であれば、後述する実施例が示すように、はんだ中のスズがプローブピンの接触部に凝着するのをほぼ完全に防ぐことができる。
【００２７】
なお、上記の表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義される算術平均粗さを３次元で求めたものであり、例えば、次のようにして算出することができる。すなわち、画像データとしては、ＡＦＭ装置（ＳＩＩ社製ＳＰＩ４０００）を用いて２μｍ×２μｍの走査範囲における画像を、この装置に付属の表面処理ソフトで、平均傾き補正をＸ方向、Ｙ方向の両方向で施した画像データを用い、表面処理ソフト（ＰｒｏＡｎａ３Ｄ）にて処理を行って、算出することができる。
【００２８】
Ｗ含有ＤＬＣ皮膜中のＷ含有比率は、１０〜５０原子％であることが好ましく、２０〜４０原子％であることがより好ましい。Ｗはスズ凝着性を低いレベルに抑えながら、電気伝導特性の小さいＤＬＣ皮膜の電導性を上げることができる。Ｗの含有比率が５０原子％を超えると、スズの凝着が生じ、スズ成分が酸化することで電気抵抗が増大しやすくなるので、半導体検査の信頼性が低下しやすくなる。また、１０原子％未満では、Ｗによる電導性付与効果が低下しやすい。
【００２９】
Ｗ含有ＤＬＣ皮膜の厚さは、５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。皮膜の厚さが１０００ｎｍを超えると、外表面の凹凸が大きくなりやすく、５０ｎｍ未満になると、皮膜が摩耗して基材が露出しやすくなる。皮膜の厚さは、薄いほど表面が平滑になるとともに、内部応力が小さくなって皮膜が剥離しにくくなることから、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、３００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３０】
なお、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜は、コンタクトプローブピンの基材との間に中間層を介して、基材上に形成されていてもよい。中間層は、Ｗ含有ＤＬＣ皮膜の基材表面への密着性を強化する役割を有する。中間層は、ＷおよびＣを含み、Ｃに対するＷの原子数の割合が、基材表面からＷ含有ＤＬＣ皮膜に向かう厚み方向において減少する傾斜組成を有していてもよい。また、中間層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ等の純金属からなる層であってもよいし、純金属からなる層と傾斜組成を有する層とを組み合わせたものであってもよい。中間層の厚さは５〜４００ｎｍであることが好ましく、５〜２００ｎｍであることがさらに好ましい。４００ｎｍ以下とすることにより、中間層に含まれるＷの結晶粒の成長が抑えられるため、中間層の上に形成されるＷ含有ＤＬＣ皮膜の外表面の凹凸を小さくすることができる。中間層をプローブピンの基材上に形成するための方法としては、スパッタリング法、特にアンバランストマグネトロンスパッタリング法を用いることが好ましい。その場合は、先に導電性基材上に中間層を形成し、その後に中間層の上にＷ含有ＤＬＣ皮膜を形成することができる。
【００３１】
また、基材の材質は特に限定されるものではなく、各種の金属または合金基材を使用することができる。基材の表面にはめっきが施されていてもよい。めっきとしては、例えば、クロム、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、金などからなる群から選択される１種の純金属または２種以上の合金を含むものを使用することができる。
【００３２】
以上、本発明の実施の形態が詳細に説明されたが、上記の説明は全ての局面において例示であって、本発明はそれらに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、本発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【実施例】
【００３３】
以下に、本発明に関する実施例が示されるが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３４】
（Ｗ含有ＤＬＣ皮膜の形成）
神戸製鋼社製アンバランストマグネトロンスパッタ装置（ＵＢＭ２０２）を用いて成膜を行った。ターゲットとしては、Ｗターゲット（純度：９９．９％）、またはＷＣターゲット（超硬合金ターゲット、ＪＩＳ Ｈ ５５０１−１９９６のＧ種２号に相当、バインダーとしてＣｏを使用）を用いた（表１参照）。基板は、基板ステージの上に配置した基板ホルダーに、ターゲットと平行になるように設置し、テーブルを回転させて成膜を実施した。基材としては、ガラス基板を用いた。基材を装置内に導入後、１×１０−３Ｐａ以下に排気した後に、成膜を実施した。
【００３５】
プロセスガスとしては、アルゴンガスと炭化水素ガスとの混合ガスを用い、炭化水素ガスとしてはＣＨ４ガスまたはＣ２Ｈ２ガスを用いた。アルゴンガスと炭化水素ガスとの混合ガスをチャンバ内に導入し成膜を実施した。表１に、用いた炭化水素ガスの濃度をアルゴンガスに対する体積％で示した。成膜時のガス圧は０．６Ｐａで一定とし、成膜時の基板印加バイアスは−１００Ｖで一定とした。成膜時の混合ガス比を変化させて、ＤＬＣ皮膜中のＣ含有量を調整することで、ＤＬＣ皮膜中のＷ含有量を制御した。
【００３６】
ＷターゲットまたはＷＣターゲットへの投入電力を２．０ｋＷとした。膜厚は２００ｎｍ程度で一定となるように、成膜時間の調整を行った。膜厚は、触針式表面粗さ計（ＤＥＫＴＡＫ６Ｍ）で測定した。
【００３７】
（ＤＬＣ皮膜中のＷ含有量の分析）
得られたＤＬＣ皮膜中のＷ含有量については、ＳＥＭ−ＥＤＸにより分析を行った。
【００３８】
ＷＣターゲットを用いて得たＷ含有ＤＬＣ皮膜についてはバインダ成分であるＣｏも若干検出されたが、ＷとＣの２元素で１００原子％となるようにＷ含有量を算出した。
【００３９】
（比抵抗の測定）
得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜の比抵抗の測定は、４探針測定により行った。
【００４０】
（スズ凝着性の評価）
スズ凝着性の評価には、スズめっきボールを用いた摺動試験を実施した。摺動試験はボールオンディスク試験装置（ＣＳＭ社製：Tribometer）により回転摺動試験を実施した。回転半径は１．５ｍｍで、回転速度は０．２ｃｍ／ｓ、荷重は０．２Ｎとし、ボールにはＳＵＪ２（直径９．５ｍｍ）上に１０μｍのスズめっきしたものを使用した。摺動距離は０．５ｍ一定とし、摺動試験後のスズ付着量によって評価を行った。
【００４１】
スズ付着量の評価には、摺動円周上の４点を表面粗さ計で測定し、各箇所の付着断面積を求め４点の平均値を表１中に示した。値がゼロのものはスズの付着が発生していないものである。
【００４２】
（表面性状の評価）
表面性状を評価するため、ＡＦＭ装置（ＳＩＩ社製ＳＰＩ４０００）を用いて、表面粗さを測定した。探針には付属のＳＮ−ＡＦ０１探針の長さが１００μｍのものを使用した。測定は大気中で実施し、走査範囲は１０μｍ×１０μｍでコンタミ等の無い部位を確認した後、２μｍ×２μｍでの測定を実施した。表面粗さのパラメータとして、算術平均粗さ（Ｒａ）を用い、Ｒａの算出には、２μｍ×２μｍの画像を装置（ＳＰＩ４０００）に付属の表面処理ソフトで、平均傾き補正をＸ方向、Ｙ方向の両方向で施した画像データを用い、表面処理ソフト（ＰｒｏＡｎａ３Ｄ）で算出した値を表１に示した。
【００４３】
（結果）
結果を表１に示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
試料番号１〜４は、Ｗターゲットを用いて、試料番号５〜８は、ＷＣターゲットを用いて、それぞれ、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中で反応性スパッタリングを行うことにより得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜である。
【００４６】
すべてのＷ含有ＤＬＣ皮膜において、Ｗ含有比率は、２０〜４０原子％の範囲に制御されている。また、すべてのＷ含有ＤＬＣ皮膜で、比抵抗は１×１０−３Ω・ｃｍ以下の値を示している。
【００４７】
しかし、スズめっきボールを用いた摺動試験後のスズ付着量は、ＷＣターゲットを用いて得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜（試料番号５〜８）では、まったくスズの付着が生じないのに対して、ＷＣターゲットを用いて得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜（試料番号１〜４）では、スズの付着が発生する。
【００４８】
さらに、表面粗さ（Ｒａ）については、Ｗターゲットを用いて得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜（試料番号１〜４）では、０．３ｎｍ以上であるのに対して、ＷＣターゲットを用いて得られたＷ含有ＤＬＣ皮膜（試料番号５〜８）では、０．２ｎｍ以下である。試料番号１〜４では、表面粗さとスズ付着量との間には相関関係がみられ、表面が平滑な方がスズ付着量は少ないことがわかる。そして、試料番号５〜８では、表面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍ以下となり、スズの付着がまったく発生しない。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記炭化水素ガスが、メタン（ＣＨ４）ガスおよび／またはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスである請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記炭化水素ガスの濃度が、アルゴンガスに対して１〜２０体積％である請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記スパッタリングがアンバランストマグネトロンスパッタリングである請求項１〜３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、原子間力顕微鏡で４μｍ２の走査範囲において、表面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍ以下である請求項１〜４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の製造方法を用いて得られるタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を備える半導体検査装置用コンタクトプローブピン。
【請求項１】
半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記炭化水素ガスが、メタン（ＣＨ４）ガスおよび／またはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスである請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記炭化水素ガスの濃度が、アルゴンガスに対して１〜２０体積％である請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記スパッタリングがアンバランストマグネトロンスパッタリングである請求項１〜３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、原子間力顕微鏡で４μｍ２の走査範囲において、表面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍ以下である請求項１〜４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の製造方法を用いて得られるタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を備える半導体検査装置用コンタクトプローブピン。
【公開番号】特開２０１１−１４９８９７（Ｐ２０１１−１４９８９７Ａ）
【公開日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３０２７（Ｐ２０１０−１３０２７）
【出願日】平成２２年１月２５日（２０１０．１．２５）
【出願人】（０００００１１９９）株式会社神戸製鋼所 (5,860)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月２５日（２０１０．１．２５）
【出願人】（０００００１１９９）株式会社神戸製鋼所 (5,860)
【Ｆターム（参考）】
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