半導体装置の製造方法
【課題】ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止する
【解決手段】ステルスダイシングにより半導体ウエハ１Ｗを分割する場合において、切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを切断領域ＣＲの幅方向の片側に寄せて配置し、改質領域ＰＲを形成するためのレーザ光をテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍから平面的に離れた位置に照射する。これにより、ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止することができる。
【解決手段】ステルスダイシングにより半導体ウエハ１Ｗを分割する場合において、切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを切断領域ＣＲの幅方向の片側に寄せて配置し、改質領域ＰＲを形成するためのレーザ光をテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍから平面的に離れた位置に照射する。これにより、ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置技術に関し、特に、半導体ウエハのダイシング技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やデジタルカメラ等に代表されるモバイル機器あるいはメモリカード等に代表される情報記憶媒体の小型軽量化に伴い、これらに組み込まれる半導体チップの薄型化が進められている。このため、ダイシング工程では、薄い半導体ウエハを切断することで個々の薄い半導体チップを得るが、このダイシング工程においてブレードダイシング方式を用いると、半導体ウエハが薄いために半導体チップにチッピングが生じ易く、薄い半導体チップの抗折強度が著しく低下する問題がある。また、半導体装置の動作速度の向上の観点から半導体チップの配線層間絶縁膜として、誘電率が酸化シリコンよりも低い低誘電率膜（いわゆるＬｏｗ−ｋ膜）を使用する製品があるが、Ｌｏｗ−Ｋ膜は脆く剥がれ易いことや内部に微少な気泡を持つものがあり、ブレードダイシング方式では上手く切断できない場合がある。
【０００３】
そこで、それらの問題を回避する新しいダイシング方式として、ステルスダイシング（登録商標）方式が注目されている。このステルスダイシング方式は、レーザ光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質層を形成し、その改質層を分割起点として半導体ウエハを切断するダイシング方式である。この方式によれば、厚さ３０μｍ程度の極めて薄い半導体ウエハでも、物理的にストレスを与えずに直接切断できるので、チッピングを低減でき、半導体チップの抗折強度の低減を抑制することができる。また、半導体ウエハの厚さに関わらず、毎秒３００ｍｍ以上の高速ダイシングが可能なので、スループットを向上させることもできる。したがって、半導体チップの薄型化にはステルスダイシング方式は必須の技術である。
【０００４】
このようなステルスダイシング技術については、例えば特開２００４−２２１２８６号公報（特許文献１）に記載がある。この特許文献１の段落００２２および図１には、チップ間の領域においてテスト用のパッドの両脇に配線層を設ける構成が開示されている。この配線層は、電気的な結合を行うものではなく、レーザー光線の照射領域を均一化し、かつ、レーザー光線を吸収し易くするためのダミーパターンである。また、この特許文献１の段落００２３には、半導体ウエハの分割において、上記配線層が形成された領域にレーザー光線を照射して半導体ウエハを溶融して切断する方法が開示されている。また、この特許文献１の段落００２４には、半導体ウエハの分割において、レーザー光線の焦点位置を半導体ウエハの内部に合わせ、多格子吸収による溶融処理領域を形成した後、クラッキング法やエキスパンド法により半導体ウエハを個片化する方法が開示されている。
【０００５】
また、例えば特開２００５−３４０４２６号公報（特許文献２）には、半導体ウエハの主面上のテスト用のボンディングパッドに溝を形成した後、半導体ウエハの主面にテープを貼り付け、半導体ウエハの裏面側からレーザ光を照射して半導体ウエハの内部に改質層を形成し、さらにその後、テープを引き延ばすことで改質層を起点として半導体ウエハを個々の半導体チップに分割するステルスダイシング技術が開示されている。
【０００６】
また、例えば特開２００５−３２９０３号公報（特許文献３）には、半導体ウエハの主面上のテスト用の電極パッド等をブレードにより除去した後、半導体ウエハの主面側からレーザ光を照射して半導体ウエハの内部に改質層を形成し、さらにその後、ダイシングテープを引き延ばすことで改質層を起点として半導体ウエハを個々の半導体チップに分割するステルスダイシング技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２２１２８６号公報（段落００２２〜００２４および図１）
【特許文献２】特開２００５−３４０４２６号公報
【特許文献３】特開２００５−３２９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記ステルスダイシング方式においては、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【０００９】
まず、本発明者は、ステルスダイシング方式において半導体ウエハを分割する際にエキスパンド方式を用いる場合について検討した。このエキスパンド方式は、半導体ウエハを貼り付けた樹脂シートを半導体ウエハの中心から外周に向かう方向に引き延ばすことで半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方式である。ところで、ダイシング領域には、例えばアルミニウムにより形成されたテスト用のパッドが配置されているが、エキスパンド方式の場合、そのテスト用のパッドが引き延ばされて切断される際にその切断面部分に、ひげ状の導体線が形成されてしまう問題がある。
【００１０】
そこで、本発明者はエキスパンド方式に代えて折り曲げ方式を採用した。この折り曲げ方式は、半導体ウエハの主面に対して交差する方向に力を加え半導体ウエハを折り曲げることで半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方式である。この方式の場合、上記ひげ状の導体線が形成される問題は減少する。しかしながら、図６５に示すように、新たに検査用のパッドよりも検査用のパッドの存在しない絶縁層部分の方が機械的に弱いので検査用のパッドを避けて亀裂ＣＲＫが入り絶縁層部分で切断されてしまう問題やダイシング領域の検査用のパッド間の絶縁層部分において切断ラインが定まらず蛇行する問題が生じた。特に絶縁層に脆く剥がれ易い上記Ｌｏｗ−ｋ膜が使用されている場合は、折り曲げ方式を用いても、Ｌｏｗ−ｋ膜の分割部分に形状不良が発生し、きれいに切断できない問題がある。
【００１１】
また、上記特許文献１の技術においては、チップ間の切断ライン上に絶縁層よりも強度の高い金属で形成された配線層が形成されているので上手く切断できない問題がある。また、レーザ光線を吸収し易くするためにテスト用のパッドの脇に配線層を形成するので、その分、隣接チップの間隔を広げなければならず、半導体ウエハの面内に配置可能な半導体チップの数が減ってしまう問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止することのできる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１５】
本発明は、半導体ウエハの個々の半導体チップの分離領域において検査用のパッドの脇にレーザを照射することにより前記半導体ウエハの内部のレーザ照射位置に分割起点となる改質領域を形成した後、前記半導体ウエハの個々の半導体チップを折り曲げ方式により個片化する工程を有するものである。
【００１６】
また、本発明は、半導体ウエハの個々の半導体チップの分離領域の検査用のパッドにレーザを照射することにより前記検査用のパッドに、前記半導体ウエハの切断工程において前記検査用のパッドの分割起点となる溝または孔を形成する工程を有するものである。
【００１７】
また、本発明は、半導体ウエハの個々の半導体チップの分離領域にレーザを照射することにより前記半導体ウエハの内部のレーザ照射位置に分割起点となる改質領域を形成する工程と、前記半導体ウエハの検査用のパッドを除去する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１９】
すなわち、半導体ウエハの個々の半導体チップの分離領域において検査用のパッドの脇にレーザを照射することにより前記半導体ウエハの内部のレーザ照射位置に分割起点となる改質領域を形成した後、前記半導体ウエハの個々の半導体チップを折り曲げ方式により個片化することにより、ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程のフロー図である。
【図２】図１の前工程１００後の半導体ウエハの主面の全体平面図である。
【図３】図２のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図４】図２の半導体ウエハの要部拡大平面図である。
【図５】図４の領域Ｒ１の拡大平面図である。
【図６】図５のＸ２−Ｘ２線の断面図である。
【図７】図６の半導体ウエハの断面構造の詳細例を示した半導体ウエハの要部断面図である。
【図８】半導体ウエハが収容された治具の全体平面図である。
【図９】図８のＸ３−Ｘ３線の断面図である。
【図１０】裏面加工工程時の半導体ウエハおよび治具の断面図である。
【図１１】裏面加工工程後の半導体ウエハおよび治具の断面図である。
【図１２】レーザ照射工程後の半導体ウエハの要部平面図である。
【図１３】図１２のＸ４−Ｘ４線の断面図である。
【図１４】レーザ照射工程後の半導体ウエハの他の例の要部平面図である。
【図１５】レーザ照射工程後の半導体ウエハのさらに他の例の要部平面図である。
【図１６】分割工程前の半導体ウエハの要部断面図である。
【図１７】分割工程時の半導体ウエハの要部断面図である。
【図１８】図１７の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図１９】分割工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図２０】半導体ウエハから切り出された半導体チップの全体平面図である。
【図２１】ダイボンディング工程後の半導体チップおよび配線基板の平面図である。
【図２２】図２１のＸ５−Ｘ５線の断面図である。
【図２３】ワイヤボンディング工程後の半導体チップおよび配線基板の平面図である。
【図２４】図２３のＸ６−Ｘ６線の断面図である。
【図２５】封止工程後の半導体装置の断面図である。
【図２６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の半導体チップの全体平面図である。
【図２７】図２６の半導体チップの実装例の平面図である。
【図２８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部平面図である。
【図２９】図２８のＸ８−Ｘ８線の断面図である。
【図３０】図２８のＸ９−Ｘ９線の断面図である。
【図３１】１回目のレーザ光を照射している様子を示す半導体ウエハの図２８のＸ８−Ｘ８線に対応する断面図である。
【図３２】１回目のレーザ光を照射している様子を示す半導体ウエハの図２８のＸ９−Ｘ９線に対応する断面図である。
【図３３】１回目のレーザ光の照射工程後の半導体ウエハの要部平面図である。
【図３４】図３３のＸ１０−Ｘ１０線の断面図である。
【図３５】図３３のＸ１１−Ｘ１１線の断面図である。
【図３６】２回目のレーザ光を照射している様子を示す半導体ウエハの図２８のＸ８−Ｘ８線に対応する断面図である。
【図３７】２回目のレーザ光を照射している様子を示す半導体ウエハの図２８のＸ９−Ｘ９線に対応する断面図である。
【図３８】半導体ウエハから切り出された半導体チップの全体平面図である。
【図３９】図３８のＸ１２−Ｘ１２線の断面図である。
【図４０】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程を示すフロー図である。
【図４１】図４０のＷＳＳの装着工程後の半導体ウエハの断面図である。
【図４２】図４０の裏面研削、研磨工程後の半導体ウエハの断面図である。
【図４３】図４０のレーザ照射工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図４４】図４０のウエハマウント工程およびＷＳＳ剥離工程後の半導体ウエハおよび治具の平面図である。
【図４５】図４４のＸ１３−Ｘ１３線の断面図である。
【図４６】図４０のＴＥＧ加工工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図４７】図４０のＴＥＧ加工工程後の半導体ウエハの要部断面図である。
【図４８】図４０の分割工程中の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図４９】図４０の分割工程により半導体ウエハから切り出された半導体チップの全体平面図である。
【図５０】図４９のＸ１４−Ｘ１４線の断面図である。
【図５１】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程におけるレーザ照射工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図５２】図５１の後のＴＥＧ加工工程中における半導体ウエハの要部断面図である。
【図５３】ＴＥＧ加工工程後の半導体ウエハの要部平面図である。
【図５４】図５３のＸ１５−Ｘ１５線の断面図である。
【図５５】図５３の後の分割工程中の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図５６】図５５の分割工程により半導体ウエハから切り出された半導体チップの全体平面図である。
【図５７】図５６のＸ１６−Ｘ１６線の断面図である。
【図５８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程のＴＥＧ加工工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図５９】図５８のＴＥＧ加工工程後の半導体ウエハの要部断面図である。
【図６０】図５９の後の分割工程中の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図６１】本発明のさらに他の実施の形態である半導体装置の製造工程のＴＥＧ加工工程中における半導体ウエハの要部断面図である。
【図６２】図６１の後の分割工程中の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図６３】図６３はＴＥＧ加工工程中における半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図６４】図２４の変形例を示す半導体チップおよび配線基板の断面図である。
【図６５】半導体ウエハを分割する際、亀裂の進展する方向の様子を示す要部断面図である。
【図６６】レーザ照射により半導体ウエハ内に破砕層を形成した後に、ダイシングソーを用いてＴＥＧを除去することで生じる課題の説明図である。
【図６７】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図６８】図６７に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図６９】図６８に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図７０】図６９に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図７１】図７０に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの全体断面図である。
【図７２】図７１に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの全体断面図である。
【図７３】ダイシングソーを用いてＴＥＧを除去した後、半導体ウエハの主面側からレーザ照射することで生じる課題の説明図である。
【図７４】本発明の他の実施の形態である半導体ウエハの平面図である。
【図７５】図７４の半導体ウエハの要部拡大平面図である。
【図７６】図７５の半導体ウエハのＴＥＧ除去時の要部断面図である。
【図７７】本発明の他の実施の形態である半導体ウエハの分割の様子を示す平面図である。
【図７８】（ａ）は図７７で説明した半導体ウエハの分割工程の具体的な様子を示した半導体ウエハの全体平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１７−Ｘ１７線の断面図である。
【図７９】（ａ）および（ｂ）は分割工程時の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図８０】（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は可能な限り省略するようにしている。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置の製造方法を図１のフロー図に沿って説明する。
【００２３】
まず、前工程１００では、厚さ方向に沿って互いに反対側となる主面と裏面とを有する半導体ウエハ（以下、ウエハという）を用意し、そのウエハの主面（デバイス形成面）に複数の半導体チップ（以下、チップという）を形成する。この前工程１００は、ウエハプロセスまたはウエハファブリケーションとも呼ばれ、ウエハの主面にチップ（集積回路（素子や配線））を形成し、プローブ等により電気的試験を行える状態にするまでの工程である。前工程には、成膜工程、不純物導入（拡散またはイオン注入）工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、メタライズ工程、洗浄工程および各工程間の検査工程等がある。
【００２４】
図２はこの前工程１００後のウエハ１Ｗの主面の全体平面図、図３は図２のＸ１−Ｘ１線の断面図、図４は図２のウエハ１Ｗの要部拡大平面図、図５は図４の領域Ｒ１の拡大平面図、図６は図５のＸ２−Ｘ２線の断面図、図７は図６のウエハ１Ｗの断面構造の詳細例を示したウエハ１Ｗの要部断面図である。なお、図２の符号Ｎはノッチを示している。
【００２５】
ウエハ１Ｗは、図２および図３に示すように、例えば直径３００ｍｍ程度の平面略円形状の半導体薄板からなり、その主面には、例えば平面長方形状の複数のチップ１Ｃが、行列状に配置されている。
【００２６】
各チップ１Ｃには、例えばフラッシュメモリ等のようなメモリ回路が形成されている。また、各チップ１Ｃの長手方向の一端には、図４および図５に示すように、複数のボンディングパッド（以下、ボンディングパッドをパッドという）１ＬＢが、チップ１Ｃの長手方向の一端の辺に沿って並んで配置されている。パッド１ＬＢは、チップ１Ｃに形成されたメモリ回路（集積回路）の電極をチップ１Ｃの外部に引き出す外部端子であり、配線を通じてメモリ回路形成用の素子と電気的に接続されている。なお、チップ１Ｃに形成される集積回路はメモリ回路の他に、マイクロプロセッサ等のような論理回路が形成される場合もある。
【００２７】
各チップ１Ｃの外周には切断領域（チップ分離領域）ＣＲが配置されている。この切断領域ＣＲには、図４および図５に示すように、テスト（ＴＥＧ：Test Element Group）用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍが配置されている。テスト用のパッド１ＬＢｔは、例えば平面方形状に形成されており、その大きさは、例えば５０μｍ×５０μｍ程度である。このパッド１ＬＢｔは、ＴＥＧ用の素子の電極をチップ１Ｃの外部に引き出す外部端子であり、配線を通じてＴＥＧ用の素子と電気的に接続されている。ＴＥＧ用の素子は、チップ１Ｃ内に形成された素子の電気的特性の測定や試験に使用される素子である。上記アライメントターゲットＡｍは、例えば平面十字状に形成されているが、十字状の他に、Ｌ字状やドット状に形成される場合もある。アライメントターゲットＡｍは、例えば露光装置等のような製造装置とウエハ１Ｗのチップ１Ｃとの位置合わせの際に用いられるパターンである。
【００２８】
このようなウエハ１Ｗを構成する半導体基板（以下、基板という）１Ｓは、例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その主面には素子および配線層１Ｌが形成されている。この段階のウエハ１Ｗの厚さ（基板１Ｓの厚さと配線層１Ｌの厚さとの総和）Ｄ１(図３参照)は、例えば７７５μｍ程度である。
【００２９】
上記配線層１Ｌには、図６および図７に示すように、層間絶縁膜１Ｌｉ、配線、パッド（外部端子）１ＬＢ、テスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび表面保護膜（以下、保護膜という）１Ｌｐが形成されている。層間絶縁膜１Ｌｉは、複数の層間絶縁膜１Ｌｉ１，１Ｌｉ２，１Ｌｉ３を有している。
【００３０】
層間絶縁膜１Ｌｉ1には、絶縁膜２ａ，２ｂが形成されている。絶縁膜２ａ，２ｂは、基板１Ｓ上に交互に堆積されている。絶縁膜２ａは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２等）のような無機系の絶縁膜により形成されている。絶縁膜２ｂは、例えば窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４等）のような絶縁膜により形成されている。絶縁膜２ｂは、絶縁膜２ａよりも薄く、例えばエッチングストッパとして機能を有している。層間絶縁膜１Ｌｉ１には、プラグ（コンタクトプラグ）ＰＬ１，ＰＬ２および配線Ｌ１が形成されている。
【００３１】
プラグＰＬ１，ＰＬ２は、孔Ｈ１，Ｈ２内に導体膜が埋め込まれることで形成されている。プラグＰＬ１，ＰＬ２を形成する導体膜は、主導体膜と、その外周面（底面および側面）を覆うように形成されたバリアメタル膜とを有している。主導体膜は、例えばタングステン（Ｗ）により形成されており、バリアメタル膜よりも厚く形成されている。バリアメタル膜は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）またはチタンタングステン（ＴｉＷ）あるいはそれらの積層膜により形成されている。上記配線Ｌ１は、例えば埋込配線とされている。すなわち、この配線Ｌ１は、絶縁膜２ａ，２ｂに形成された配線溝Ｔ１内に導体膜が埋め込まれることで形成されている。配線Ｌ１の導体膜の構成は上記プラグＰＬ１，ＰＬ２と同じである。
【００３２】
上記層間絶縁膜１Ｌｉ２には、絶縁膜３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄおよび配線Ｌ２，Ｌ３が形成されている。絶縁膜３ａは、例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）により形成されており、エッチングストッパとしての機能を有している。絶縁膜３ａは、絶縁膜３ｂ，３ｃ，３ｄよりも薄く形成されている。
【００３３】
絶縁膜３ｂは、半導体装置の動作速度の向上の観点から、例えば有機ポリマーまたは有機シリカガラスのような、誘電率が酸化シリコンの誘電率（例えば３．９〜４．０）よりも低い低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）により形成されている。絶縁膜３ｂは、絶縁膜３ａ，３ｃ，３ｄよりも厚く形成されている。
【００３４】
上記有機ポリマー（完全有機系低誘電性層間絶縁膜）としては、例えばＳｉＬＫ（米The Dow Chemical Co製、比誘電率＝２．７、耐熱温度＝４９０℃以上、絶縁破壊耐圧＝４．０〜５．０ＭＶ／Ｖｍ）またはポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料のＦＬＡＲＥ（米Honeywell Electronic Materials製、比誘電率＝２．８、耐熱温度＝４００℃以上）等がある。このＰＡＥ系材料は、基本性能が高く、機械的強度、熱的安定性および低コスト性に優れるという特徴を有している。
【００３５】
上記有機シリカガラス（ＳｉＯＣ系材料）としては、例えばＨＳＧ−Ｒ７（日立化成工業製、比誘電率＝２．８、耐熱温度＝６５０℃）、Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ（米Applied Materials，Inc製、比誘電率＝３．０〜２．４、耐熱温度＝４５０℃）またはｐ−ＭＴＥＳ（日立開発製、比誘電率＝３．２）等がある。この他のＳｉＯＣ系材料としては、例えばＣＯＲＡＬ（米Novellus Systems,Inc製、比誘電率＝２．７〜２．４、耐熱温度＝５００℃）、Ａｕｒｏｒａ２．７（日本エー・エス・エム社製、比誘電率＝２．７、耐熱温度＝４５０℃）等がある。
【００３６】
また、他の低誘電率膜材料としては、例えばＦＳＧ等のような完全有機系のＳｉＯＦ系材料、ＨＳＱ（hydrogen silsesquioxane）系材料、ＭＳＱ（methyl silsesquioxane）系材料、ポーラスＨＳＱ系材料、ポーラスＭＳＱ材料またはポーラス有機系材料を用いることもできる。
【００３７】
上記ＨＳＱ系材料としては、例えばＯＣＤ Ｔ−１２（東京応化工業製、比誘電率＝３．４〜２．９、耐熱温度＝４５０℃）、ＦＯｘ（米Dow Corning Corp．製、比誘電率＝２．９）またはＯＣＬ Ｔ−３２（東京応化工業製、比誘電率＝２．５、耐熱温度＝４５０℃）等がある。
【００３８】
上記ＭＳＱ系材料としては、例えばＯＣＤ Ｔ−９（東京応化工業製、比誘電率＝２．７、耐熱温度＝６００℃）、ＬＫＤ−Ｔ２００（ＪＳＲ製、比誘電率＝２．７〜２．５、耐熱温度＝４５０℃）、ＨＯＳＰ（米Honeywell Electronic Materials製、比誘電率＝２．５、耐熱温度＝５５０℃）、ＨＳＧ−ＲＺ２５（日立化成工業製、比誘電率＝２．５、耐熱温度＝６５０℃）、ＯＣＬ Ｔ−３１（東京応化工業製、比誘電率＝２．３、耐熱温度＝５００℃）またはＬＫＤ−Ｔ４００（ＪＳＲ製、比誘電率＝２．２〜２、耐熱温度＝４５０℃）等がある。
【００３９】
上記ポーラスＨＳＱ系材料としては、例えばＸＬＫ（米Dow Corning Corp．製、比誘電率＝２．５〜２）、ＯＣＬ Ｔ−７２（東京応化工業製、比誘電率＝２．２〜１．９、耐熱温度＝４５０℃）、Ｎａｎｏｇｌａｓｓ（米Honeywell Electronic Materials製、比誘電率＝２．２〜１．８、耐熱温度＝５００℃以上）またはＭｅｓｏＥＬＫ（米Air Productsand Chemicals,Inc、比誘電率＝２以下）等がある。
【００４０】
上記ポーラスＭＳＱ系材料としては、例えばＨＳＧ−６２１１Ｘ（日立化成工業製、比誘電率＝２．４、耐熱温度＝６５０℃）、ＡＬＣＡＰ−Ｓ（旭化成工業製、比誘電率＝２．３〜１．８、耐熱温度＝４５０℃）、ＯＣＬ Ｔ−７７（東京応化工業製、比誘電率＝２．２〜１．９、耐熱温度＝６００℃）、ＨＳＧ−６２１０Ｘ（日立化成工業製、比誘電率＝２．１、耐熱温度＝６５０℃）またはｓｉｌｉｃａ ａｅｒｏｇｅｌ（神戸製鋼所製、比誘電率１．４〜１．１）等がある。
【００４１】
上記ポーラス有機系材料としては、例えばＰｏｌｙＥＬＫ（米Air Productsand Chemicals,Inc、比誘電率＝２以下、耐熱温度＝４９０℃）等がある。
【００４２】
上記ＳｉＯＣ系材料、ＳｉＯＦ系材料は、例えばＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition）によって形成されている。例えば上記Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄは、トリメチルシランと酸素との混合ガスを用いたＣＶＤ法等によって形成される。また、上記ｐ−ＭＴＥＳは、例えばメチルトリエトキシシランとＮ２Ｏとの混合ガスを用いたＣＶＤ法等によって形成される。それ以外の上記低誘電率の絶縁材料は、例えば塗布法で形成されている。
【００４３】
上記絶縁膜３ｃは、例えば酸化シリコンにより形成されている。この絶縁膜３ｃは、例えば化学機械研磨処理（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）時における低誘電率膜の機械的強度の確保、表面保護および耐湿性の確保等のような機能を有している。この絶縁膜３ｃは、絶縁膜３ｄとほぼ同じ厚さで形成されている。絶縁膜３ｃの材料は、上記した酸化シリコン膜に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）膜、炭化シリコン膜または炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）膜を用いても良い。これら窒化シリコン膜、炭化シリコン膜または炭窒化シリコン膜は、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。プラズマＣＶＤ法で形成された炭化シリコン膜としては、例えばＢＬＯｋ（ＡＭＡＴ社製、比誘電率＝４．３）がある。
【００４４】
上記絶縁膜３ｄは、例えば炭窒化シリコンにより形成されている。この絶縁膜３ｄは、エッチングストッパとしての機能の他に、配線Ｌ２，Ｌ３の主導体膜を形成する銅の拡散を抑制または防止する機能を有している。
【００４５】
上記配線Ｌ２，Ｌ３は、上記埋込配線とされている。すなわち、配線Ｌ２，Ｌ３は、配線溝Ｔ２，Ｔ３に導体膜が埋め込まれることで形成されている。配線Ｌ２，Ｌ３の導体膜は、上記配線Ｌ３と同様に、主導体膜と、その外周面（底面および側面）を覆うように形成されたバリアメタル膜とを有している。主導体膜は、例えば銅（Ｃｕ）により形成されており、バリアメタル膜よりも厚く形成されている。バリアメタル膜の材料は、上記プラグＰＬ１，ＰＬ２と同じである。配線Ｌ３は、孔Ｈ３を通じて配線Ｌ２と電気的に接続されている。配線Ｌ３の配線溝Ｔ３の導体膜と孔Ｈ３の導体膜とは一体的に形成されている。
【００４６】
上記層間絶縁膜１Ｌｉ３は、例えば酸化シリコンにより形成されている。層間絶縁膜１Ｌｉ３には、プラグＰＬ３が形成されている。このプラグＰＬ３は、孔Ｈ４内に導体膜が埋め込まれることで形成されている。プラグＰＬ３を形成する導体膜は、上記プラグＰＬ１，ＰＬ２と同じである。
【００４７】
この層間絶縁膜１Ｌｉ３上には、配線、上記パッド１ＬＢ，１ＬＢｔおよび上記アライメントターゲットＡｍが形成されている。この配線、パッド１ＬＢ，１ＬＢｔおよびアライメントターゲットＡｍは、例えばアルミニウム等のような金属膜により形成されている。このような最上の配線およびパッド１ＬＢ，１ＬＢｔ等は、配線層１Ｌの最上層に形成された保護膜１Ｌｐにより覆われている。保護膜１Ｌｐは、例えば酸化シリコンのような無機系の絶縁膜１Ｌｐ１と、その上に堆積された、例えば窒化シリコンのような無機系の絶縁膜１Ｌｐ２と、さらにその上に堆積された、例えばポリイミド樹脂のような有機系の絶縁膜１Ｌｐ３との積層膜により形成されている。この保護膜１Ｌｐの一部には、開口部５が形成されており、そこからパッド１ＬＢ，１ＬＢｔの一部が露出されている。
【００４８】
ところで、本実施の形態１においては、上記テスト用のパッド１ＬＢｔ（ＴＥＧ用の素子や配線も含む）やアライメントターゲットＡｍが切断領域ＣＲの幅方向（短方向）の片側に寄せて配置されている。すなわち、上記テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍが切断領域ＣＲの幅方向中央からずれて配置されている。そして、ステルスダイシング時にレーザ光が照射される切断線ＣＬは、上記テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍの配置線上を通過せず、上記テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍの脇を通過するようになっている。すなわち、切断線ＣＬは、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを跨がずに、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍから離れた位置を通過するようになっている。
【００４９】
切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに重なる場合、その金属パターンのある箇所と無い箇所とで機械的強度にばらつきが生じることや上記低誘電率膜は脆く金属パターンから剥離し易いこと等により、綺麗に分割できない。また、切断線ＣＬがパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに重なる場合、切断時に上記金属パターンの切断部に、ひげ状の導体異物が残され、その導体異物がボンディングワイヤや電極等に接触して短絡不良を引き起こし、薄型の半導体装置の信頼性や歩留まりが低下する問題がある。
【００５０】
これに対して本実施の形態１では、切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに重ならないので、ウエハ１Ｗを綺麗に切断することができる。また、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等の金属パターンは切断されないので、上記のようなひげ状の導体異物の発生を防止することができる。したがって、薄型の半導体装置の信頼性や歩留まりを向上させることができる。
【００５１】
また、切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに重なる場合に、ステルスダイシング処理時にウエハ１Ｗの主面側からレーザ光を照射すると、パッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等が邪魔になって基板１Ｓに改質領域を形成することが困難になる。これに対して本実施の形態１では、切断線ＣＬはテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに重ならないので、ステルスダイシング処理時にレーザ光をウエハ１Ｗの主面から照射しても基板１Ｓに良好に後述の改質領域を形成することができる。したがって、レーザ照射の自由度を向上させることができる。
【００５２】
次いで、図１のテスト工程１０１では、ウエハ１Ｗの各チップ１Ｃのパッド１ＬＢおよび切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔにプローブを当てて各種の電気的特性検査を行う。このテスト工程は、Ｇ／Ｗ（Good chip/Wafer）チェック工程とも呼ばれ、主としてウエハ１Ｗに形成された各チップ１Ｃの良否を電気的に判定する試験工程である。
【００５３】
続く図１の後工程１０２は、上記チップ１Ｃを封止体（パッケージ）に収納し完成するまでの工程であり、裏面加工工程１０２Ａ、チップ分割工程１０２Ｂおよび組立工程１０２Ｃを有している。以下、裏面加工工程１０２Ａ、チップ分割工程１０２Ｂおよび組立工程１０２Ｃについて順に説明する。
【００５４】
裏面加工工程１０２Ａは、ウエハ１Ｗを薄型化する工程である。まず、裏面加工工程では、ウエハ１Ｗを治具に収容する。図８はウエハ１Ｗが収容された治具７の全体平面図、図９は図８のＸ３−Ｘ３線の断面図をそれぞれ示している。なお、図８ではウエハ１Ｗの主面のチップ１Ｃを破線で示した。
【００５５】
治具７は、テープ７ａとリング（枠体）７ｂとを有している。テープ７ａのテープベース７ａ１は、例えば柔軟性を持つプラスチック材料からなり、その主面には接着層７ａ２が形成されている。テープ７ａは、その接着層７ａ２によりウエハ１Ｗの主面（チップ形成面）にしっかりと貼り付けられている。テープ７ａの厚さ（テープベース７ａ１の厚さと接着層７ａ２の厚さとの総和）は、あまり厚いとその後の工程でのハンドリングやテープ７ａの剥離が難しくなるので、例えば１３０〜２１０μｍ程度の薄いものが使用されている。このテープ７ａとして、例えばＵＶテープを使用することも好ましい。ＵＶテープは、接着層７ａ２の材料として紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂が使用された粘着テープであり、強力な粘着力を持ちつつ、紫外線を照射すると接着層７ａ２の粘着力が急激に弱くなる性質を有している（工程１０２Ａ１）。
【００５６】
本実施の形態１では、このテープ７ａの主面（ウエハ１Ｗの貼付面）の外周に剛性を持つリング７ｂが貼り付けられている。リング７ｂは、テープ７ａが撓まないように支える機能を有する補強部材である。この補強の観点からリング７ｂは、例えばステンレス等のような金属により形成することが好ましいが、金属と同程度の硬度を持つように厚さを設定したプラスチック材料により形成しても良い。リング７ｂの外周には、切り欠き部７ｂ１，７ｂ２が形成されている。この切り欠き部７ｂ１，７ｂ２は、治具７のハンドリング時や治具７とこれを載置する製造装置との位置合わせ時に使用する他、製造装置に治具７を固定する際の引っかかり部として使用される。なお、リング７ｂはテープ７ａの裏面（ウエハ１Ｗの貼付面とは反対側の面）に貼り付けても良い。また、リング７ｂは、テープ３７にウエハ１Ｗを貼り付ける前に貼り付けても良いし、テープ７ａにウエハ１Ｗを貼り付けた後に貼り付けても良い。
【００５７】
続いて、ウエハ１Ｗを治具７に収めた状態で、ウエハ１Ｗの厚さを測定し、その測定結果に基づいて研削量および研磨量を算出した後（工程１０２Ａ２）、裏面研削（工程１０２Ａ３）、研磨工程（工程１０２Ａ４）に移行する。図１０は裏面加工工程時のウエハ１Ｗおよび治具７の断面図、図１１は裏面加工工程後のウエハ１Ｗおよび治具７の断面図を示している。ここでは、図１０に示すように、研削研磨工具８および吸着ステージ９を回転させて、上記研削量および研磨量に基づいて、ウエハ１Ｗの裏面に対して研削処理および研磨処理を順に施す。これにより、図１１に示すように、ウエハ１Ｗの厚さを、例えば１００μｍ以下（ここでは、例えば９０μｍ程度）の極めて薄い厚さ（極薄）にする。上記研磨処理としては、研磨パッドとシリカとを用いて研磨する方法や化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法の他、例えば硝酸とフッ酸とを用いたエッチング法を用いても良い。ここで、チップ１Ｃの厚さが薄くなり１００μｍ以下になってくると上記研削処理によりウエハ１Ｗの裏面に生じた損傷やストレスが原因でチップの抗折強度が低下しチップ１Ｃを実装する時の圧力でチップが割れる不具合が生じ易くなる。そこで、研削処理後に研磨処理を施すことにより、研削処理によりウエハ１Ｗの裏面に生じた損傷やストレスを低減または無くすことができるので、薄いチップ１Ｃの抗折強度を向上させることができる。
【００５８】
以上のような裏面加工工程後、吸着ステージ９の真空吸引状態を解除し、ウエハ１Ｗを保持する治具７を裏面加工装置から取り出す。この時、本実施の形態１では、ウエハ１Ｗが極薄とされていてもリング７ｂによりテープ７ａをしっかりと支えることができるので、極薄のウエハ１Ｗのハンドリングや搬送を容易にすることができる。また、そのハンドリングや搬送時にウエハ１Ｗが割れたり反ったりすることを防止することができる。したがって、ウエハ１Ｗの品質を確保することができるようになっている。このため、本実施の形態１では、この裏面加工後の段階で極薄のウエハ１Ｗを治具７に保持させたままの状態で、他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、裏面加工後のダイシングおよび組立を依頼しても良い。
【００５９】
次に、チップ分割工程１０２Ｂに移行する。ここでは、まず、極薄のウエハ１Ｗを保持した治具７をそのままダイシング装置に搬送し、ダイシング装置の吸着ステージに載置する。すなわち、通常は、裏面加工時にウエハ１Ｗの主面に貼り付けたテープを剥がして、ウエハ１Ｗの裏面にダイシングテープを貼り付ける（ウエハマウント）工程が必要とされているが、本実施の形態１では、そのウエハマウント工程を削減できるので、半導体装置の製造工程を簡素化することができる。したがって、半導体装置の製造時間を短縮できる。また、ダイシングテープを不要とすることができるので、材料費を低減でき、半導体装置のコストを低減できる。
【００６０】
続いて、本実施の形態１では、治具７を真空吸引した状態でウエハ１Ｗの裏面から赤外線カメラ（以下、ＩＲカメラという）によりウエハ１Ｗの主面のパターン（チップ１Ｃや切断領域ＣＲのパターンの他、切断領域ＣＲに配置されているパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンやチップ１Ｃ内に配置されているパッド１ＬＢ等のような金属パターン）を認識する（工程１０２Ｂ１）。この時、本実施の形態１では、ウエハ１Ｗが極めて薄いのでウエハ１Ｗの主面のパターンの様子を充分に観測できる。
【００６１】
その後、上記ＩＲカメラで得られたパターン情報に基づいて切断線ＣＬの位置合わせ（位置補正）を実施した後、レーザ発生部から放射されたレーザ光（第１レーザ）ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面側から基板１Ｓの内部に集光点（焦点）を合わせた状態で照射するとともに、上記パターン情報に基づいて位置合わせされた切断線ＣＬに沿って移動させる（工程１０２Ｂ２）。図１２は上記レーザ照射工程後のウエハ１Ｗの要部平面図、図１３は図１２のＸ４−Ｘ４線の断面図を示している。レーザ照射工程により、ウエハ１Ｗの切断領域ＣＲにおける基板１Ｓの内部に多光子吸収による改質領域（光学的損傷部または破砕層）ＰＲを形成する。図１２では、レーザ光ＬＢ１を切断領域ＣＲに沿って連続的に照射することにより、改質領域ＰＲが切断線ＣＬに沿って連続的に延在した状態で形成されている場合が例示されている。
【００６２】
この改質領域ＰＲは、ウエハ１Ｗの内部が多光子吸収によって加熱され溶融されたことで形成されており、後のチップ分割工程時のウエハ１Ｗの切断起点領域となる。この溶融処理領域は、一旦溶融した後に再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。例えば基板１Ｓ部分では、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造および多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。ここでは、改質層ＰＲは、例えば非晶質シリコンとされている。また、ここでは、レーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面を透過させてウエハ１Ｗの内部に多光子吸収を発生させて改質領域ＰＲを形成しており、ウエハ１Ｗの裏面ではレーザ光ＬＢ１がほとんど吸収されていないので、ウエハ１Ｗの裏面が溶融することはない。
【００６３】
ここで、上記のようなレーザ光ＬＢ１の照射に際して、本実施の形態１では、レーザ光ＬＢ１を、切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔの脇に照射する。すなわち、レーザ光ＬＢ１をパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに平面的に重ならないように照射する。すなわち、ウエハ１Ｗの分割起点（改質領域ＰＲ）がパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに平面的に重ならないようにする。これにより、ウエハ１Ｗの切断時に、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等の金属パターンが切断されないので、ウエハ１Ｗを綺麗に切断できる。すなわち、ウエハ１Ｗの切断形状不良を低減または防止できる。また、切断箇所に上記のようなひげ状の導体異物が発生するのを防止することができる。したがって、薄型の半導体装置の信頼性や歩留まりを向上させることができる。
【００６４】
また、ダイシングブレードによりウエハ１Ｗを切断するブレードダイシング方式の場合、ウエハ１Ｗが薄くなってくると切断時にチッピングが生じ易くなりチップの抗折強度が低下するので、チップ１Ｃの品質を確保する観点から低速（例えば毎秒６０ｍｍ程度またはウエハ１Ｗの厚さに応じてそれ以下）で処理せざるを得なくなってくる。これに対して、本実施の形態１の場合、ウエハ１Ｗの表面に損傷を与えず内部のみを割断するため、チップ１Ｃの表面に存在するチッピングを極少に抑えることができる。このため、チップ１Ｃの抗折強度を向上させることができる。また、例えば毎秒３００ｍｍという高速な切断処理ができるので、スループットを向上させることができる。
【００６５】
また、上記のようにウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲには、ウエハ１Ｗの主面側からレーザ光ＬＢ１を照射するとテスト用のパッド１ＬＢｔが邪魔になりその部分の加工（改質領域ＰＲの形成）が上手くできない場合がある。これに対して、本実施の形態１では、テスト用のパッド１ＬＢｔ等のようなメタルの存在しないウエハ１Ｗの裏面側からレーザ光ＬＢ１を照射するので、上記のような不具合を生じることなく良好に改質領域ＰＲを形成でき、ウエハ１Ｗを良好に切断することができる。
【００６６】
上記改質領域ＰＲは、図１４および図１５に示すように、破線状（ドット状）に形成しても良い。図１４は、改質領域ＰＲが切断線ＣＬに沿って破線状（ドット状）に配置されている場合が例示されている。すなわち、改質領域ＰＲが切断線ＣＬに沿って途切れ途切れに等間隔に配置されている。層間絶縁膜１Ｌｉに使用されている上記低誘電率膜（絶縁膜３ｂ）は熱伝導率が低く熱がこもり易いためレーザ光ＬＢ１の照射時の熱により変色することがある。そこで、レーザ光ＬＢ１を断続的に照射することにより、レーザ光ＬＢ１の照射面積を小さくでき、レーザ光ＬＢ１の照射による熱の発生を極力抑えることができるので、熱による低誘電率膜の変色を抑制または防止することができる。また、図１５は、改質領域ＰＲが、例えば互いに直交する切断線ＣＬの交点部分やＴＥＧの微細なパターンが集中して配置されている箇所等、分割し難い箇所に集中的に配置されている場合が例示されている。これにより、分割し難い部分も容易に分割できるようになるので、ウエハ１Ｗを綺麗に分割できる。なお、図１４および図１５のＸ４−Ｘ４線の断面は図１３と同じである。また、特に限定されるものではないが、レーザ光ＬＢ１の照射条件は、例えば以下の通りである。すなわち、光源は、例えば波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ、レーザスポット径は、例えば１〜２μｍ、照射速度は３００ｍｍ／ｓとし、０．７μｍ間隔で照射した。なお、上記集光点とはレーザ光ＬＢ１が集光した箇所である。
【００６７】
次いで、ウエハ１Ｗの分割工程に移行する（工程１０２Ｂ３）。図１６は分割工程前のウエハ１Ｗの要部断面図、図１７は分割工程時のウエハ１Ｗの要部断面図、図１８は図１７のウエハ１Ｗの要部拡大断面図、図１９は分割工程中のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。
【００６８】
まず、図１６に示すように、ＩＲカメラ１２によりウエハ１Ｗの主面のパターン（チップ１Ｃや切断領域ＣＲのパターンの他、切断領域ＣＲに配置されているパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンやチップ１Ｃ内に配置されているパッド１ＬＢ等のような金属パターン）や改質領域ＰＲを認識する。
【００６９】
続いて、治具７のテープ７ａの裏面に、一対のラインバキュームチャック１３を配置し、そのラインバキュームチャック１３の位置を上記ＩＲカメラ１２で得た位置情報に基づいて合わせ、その状態で一対のラインバキュームチャック１３によりテープ７ａを吸引する。一対のラインバキュームチャック１３は、ウエハ１Ｗの端から端（紙面に垂直な方向）に延在している。一対のラインバキュームチャック１３の各々の対向側面の一方には傾斜が形成されている。
【００７０】
その後、図１７および図１８に示すように、一方のラインバキュームチャック１３（図１７および図１８の左側）を、その側面（傾斜面）が、他方のラインバキュームチャック１３の対向側面に当たるまで回転させるように移動することによりウエハ１Ｗを折り曲げる。これにより、改質領域ＰＲを分割起点としてウエハ１Ｗを切断（分割）する。その後、図１９に示すように、上記一方のラインバキュームチャック１３を元の位置まで戻した後、一対のラインバキュームチャック１３を次の切断位置まで移動する。その後、上記と同様にしてウエハ１Ｗを切断する。以降、このような作業をウエハ１Ｗの全てのチップ１Ｃの周囲が切断されるまで繰り返す。本実施の形態１では、切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに重ならない。これにより、分割方法としてエキスパンド方式を採用しても、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等の金属パターンは切断されないので、上記のようなひげ状の導体異物の発生を防止することができる。しかしながら、上記したように、エキスパンド方式の場合、ウエハ１Ｗの中心から外周（放射線状）に向かう方向に樹脂シートが引き延ばされるため、チップ１Ｃは切断線ＣＬに対して交差する方向（垂直方向）に引き離されない。言い換えると、切断線ＣＬに対して交差する方向に切断するための荷重（応力）が伝わらない。この結果、ウエハ１Ｗを綺麗に切断することが出来ない可能性がある。場合によってはチップの外周にチッピングが生じる可能性もある。これに対し、折り曲げ方式を適用すれば、切断線ＣＬに対して交差する方向に切断する荷重を伝えることが可能であるため、ウエハ１Ｗを綺麗に切断することが出来る。
【００７１】
図２０は、上記のようにしてウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図を示している。ここでは、チップ１Ｃの長手方向の一端の一辺のみに沿って複数のパッド１ＬＢが配置されている場合が例示されている。本実施の形態１の場合、チップ１Ｃの外周（互いに交差（直交）する２辺）に切断領域ＣＲの一部が残され、その切断領域ＣＲ内にテスト用のパッド１ＬＢｔが残されている。なお、本実施の形態１では、上記のようなステルスダイシング後、極薄の複数のチップ１Ｃを載せた治具７を、他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、ダイシング工程後の組立を依頼しても良い。
【００７２】
次に、組立工程１０２Ｃに移行する。ここでは、複数のチップ１Ｃを保持した治具７をピックアップ装置に搬送する。ピックアップ装置では、テープ７ａの裏面を真空吸引した状態で、押上ピンによりテープ７ａの裏面からチップ１Ｃを押し上げる。この時、テープ７ａとして上記ＵＶテープを使用した場合にはテープ７ａの接着層７ａ２に紫外線を照射することにより接着層７ａ２を硬化させ接着力を弱める。この状態でチップ１Ｃをコレットにより真空吸引することにより、チップ１Ｃをピックアップする（工程１０２Ｃ１）。
【００７３】
続いて、上記のようにしてピックアップしたチップ１Ｃを既存の反転ユニットによりチップ１Ｃの主面が上を向くように反転させた後、チップ１Ｃを配線基板等に実装する（ダイボンディング工程１０２Ｃ２）。図２１はダイボンディング工程後のチップ１Ｃおよび配線基板１５の平面図、図２２は図２１のＸ５−Ｘ５線の断面図を示している。配線基板１５の主面上には、例えば３つのチップ１Ｃがその主面を上に向け積層された状態で実装されている。３つのチップ１Ｃは、各チップ１Ｃのパッド１ＬＢが露出されるように平面的にずれた状態で積み重ねられている。配線基板１５は、プリント配線基板により形成されているが、これに代えてリードフレームを用いても良い。なお、ピックアップしたチップ１Ｃを搬送トレイに収容して他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、この工程後の組立を依頼しても良い（工程１０３Ａ）。
【００７４】
続いて、ワイヤボンディング工程に移行する（工程１０２Ｃ３）。図２３はワイヤボンディング工程後のチップ１Ｃおよび配線基板１５の平面図、図２４は図２３のＸ６−Ｘ６線の断面図を示している。この工程では、チップ１Ｃの主面のパッド１ＬＢと配線基板１５の電極とをボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）１７により電気的に接続する。ここで、図６４に示すように、上段のチップ１Ｃのパッド１ＬＢと下段のチップ１Ｃのパッド１ＬＢとをワイヤ１７により電気的に接続する、すなわち、共通パッド同士を電気的に接続するステップボンディング方式を用いてもよい。
【００７５】
続いて、封止工程に移行する（工程１０２Ｃ４）。図２５は封止工程後の半導体装置の断面図を示している。この工程では、トランスファモールド法を用いてエポキシ樹脂等のようなプラスチック材料からなる封止体１８によりチップ１Ｃおよびワイヤ１７を封止する。その後、配線基板１５の裏面にバンプ電極１９を形成し、半導体装置を製造する。
【００７６】
チップ１Ｃがバンプ電極（突起電極）を持つ場合は、例えば次のようにする。まず、上記ピックアップ工程１０２Ｃ１においてチップ１Ｃを配線基板１５のチップ実装領域に移送する。この時、バンプ電極は、パッド１ＬＢおよびテスト用のパッド１ＬＢｔに接続することでチップが傾くことなく配線基板１５に実装することができる。続いて、チップ１Ｃの主面（バンプ電極形成面）を配線基板１５のチップ実装面に向けた状態でチップ１Ｃのバンプ電極とチップ実装領域の電極とをペースト材を用いて仮固定する。その後、リフロ処理することでチップ１Ｃのバンプ電極とプリント配線基板１５の電極とを固着する（フリップチップボンディング：工程１０２Ｃ２）。その後、チップ１Ｃと配線基板１５との対向面間にアンダーフィルを充填した後、チップ１Ｃを上記と同様に封止する（工程１０４Ｃ４）。
【００７７】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、チップ１Ｃ内のパッド１ＬＢの配置の変形例を説明する。図２６は、本実施の形態２のチップ１Ｃの全体平面図を示している。本実施の形態２では、チップ１Ｃの互いに交差（直交）する２辺の各々に沿って複数のパッド１ＬＢが配置されている。それ以外は前記実施の形態１と同じであり、チップ１Ｃの外周（互いに交差（直交）する２辺）に切断領域ＣＲの一部が残され、その切断領域ＣＲ内にテスト用のパッド１ＬＢｔが残されている。
【００７８】
図２７は図２６のチップ１Ｃの実装例の平面図を示している。図２７のＸ７−Ｘ７線の断面図は前記図２２と同じである。配線基板１５の主面上には、例えば３つのチップ１Ｃがその主面を上に向け積層された状態で実装されている。３つのチップ１Ｃは、各チップ１Ｃの２辺に沿って配置された複数のパッド１ＬＢが露出されるように平面的にずれた状態で積み重ねられている。
【００７９】
（実施の形態３）
まず、実施の形態３の説明の前に発明者が初めて見出した課題について説明する。上記のようにウエハ１Ｗの分割においては、切断領域ＣＲに存在するテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンの切断部分に上記ひげ状の導体異物が生じる問題がある。この問題を回避すべく、本発明者は切断領域ＣＲのパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンにミシン目状または直線状の溝を形成するようにした。しかし、分割方式として上記エキスパンド方式を採用した場合は、上記金属パターンにミシン目状または直線状の溝を形成しても、ひげ状の導体異物の発生を上手く抑えることができないという問題がある。また、切断領域ＣＲの隣接する金属パターンの間の絶縁膜のみの部分では切断線が蛇行し綺麗に切断できないという問題がある。
【００８０】
そこで、ウエハ１Ｗを折り曲げることで個々のチップ１Ｃに分割する折り曲げ方式を採用してみると、上記ひげ状の導体異物の発生をエキスパンド方式に比べて低減できた。しかし、折り曲げ方式の場合でも、金属パターンの間で切断線が蛇行してしまう。特に上記のように層間絶縁膜に低誘電率膜を使用している場合、低誘電率膜は脆く亀裂が入り易いので上記金属パターンの隣接間の切断部分で大きく蛇行するような亀裂が入り、充分に綺麗に切断することができないという問題がある。ここで、本発明者は上記金属パターンの隣接間の層間絶縁膜部分にレーザ光を照射して分割起点のための溝を形成しようとしてみたが、本実施の形態３では、このような問題を解決する手段を説明する。図２８は本実施の形態３のウエハ１Ｗの要部平面図、図２９は図２８のＸ８−Ｘ８線の断面図、図３０は図２８のＸ９−Ｘ９線の断面図を示している。
【００８１】
図２８〜図３０に示すウエハ１Ｗは、前記図１の前工程１００およびテスト工程１０１を経た後であって後工程１０２前のウエハ１Ｗを示している。本実施の形態３では、切断領域ＣＲの切断線ＣＬ上に、テスト用のパッド１ＬＢｔおよびアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが配置されている。すなわち、切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔおよびアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに重なるようになっている。また、切断線ＣＬ上には、互いに隣接するテスト用のパッド１ＬＢｔの間隙やテスト用のパッド１ＬＢｔとアライメントターゲットＡｍとの間隙を埋めるように金属パターン２０が形成されている。ただし、金属パターン２０は、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンとは接しておらず電気的に浮遊状態となっている。また、金属パターン２０は、テスト用のパッド１ＬＢｔおよびアライメントターゲットＡｍと同一工程時に同一材料で形成されている。ただし、ここでは、金属パターン２０の幅（短方向寸法）は、テスト用のパッド１ＬＢｔの一辺の長さよりも小さく、例えば５〜１０μｍ程度とされている。これにより、材料費を低減できる。このような金属パターン２０の上面一部は、保護膜１Ｌｐに開口された開口部５を通じて露出されている。
【００８２】
次いで、このようなウエハ１Ｗに対して前記実施の形態１と同様に裏面加工工程１０２Ａを施して薄型化した後、チップ分割工程１０２Ｂに移行する。チップ分割工程では、前記実施の形態１と同様にウエハ主面のパターン認識工程１０２Ｂ１を経た後、レーザ照射工程１０２Ｂ２に移行する。本実施の形態３では、２回のレーザ光照射を行う。
【００８３】
１回目のレーザ光照射は、切断領域ＣＲの金属パターンに分割起点を形成するためのものである。図３１および図３２は、１回目のレーザ光ＬＢ２を照射している様子を示すウエハ１Ｗの要部断面図である。図３１は図２８のＸ８−Ｘ８線に対応し、図３２は図２８のＸ９−Ｘ９線に対応している。１回目のレーザ光照射では、上記ＩＲカメラで得られたパターン情報に基づいて切断線ＣＬの位置合わせ（位置補正）を実施した後、レーザ発生部から放射されたレーザ光ＬＢ２をウエハ１Ｗの裏面側からテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に焦点を合わせて照射するとともに、上記パターン情報に基づいて位置合わせされた切断線に沿って移動させる。本実施の形態３の切断線は、切断領域ＣＲの幅方向（短方向）のほぼ中央であってテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に重なる。レーザ光ＬＢ２の照射条件は、例えば以下の通りである。すなわち、光源は、例えば波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ、照射速度は３００ｍｍ／ｓとした。
【００８４】
図３３は上記レーザ光ＬＢ２の照射工程後のウエハ１Ｗの要部平面図、図３４および図３５は図３３のＸ１０−Ｘ１０線およびＸ１１−Ｘ１１線の断面図を示している。上記のようにレーザ光ＬＢ２を照射することにより、テスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に切断線に沿って平面ミシン目状（破線状、ドット状）に複数の孔２１を形成する。この孔２１はウエハ１Ｗの分割（切断）工程時に分割起点となる。すなわち、本実施の形態３では、互いに隣接するテスト用のパッド１ＬＢｔの間やテスト用のパッド１ＬＢｔとアライメントターゲットＡｍとの間に金属パターン２０を設けたことにより、互いに隣接するテスト用のパッド１ＬＢｔの間やテスト用のパッド１ＬＢｔとアライメントターゲットＡｍとの間にも分割起点となる複数の孔２１の配列を形成することができる。レーザ光ＬＢ２の照射に際しては、溶融異物がテスト用のパッド１ＬＢｔ等に付着するので、その溶融異物が飛散するのを抑制または防止する観点からテープ７ａを切断領域ＣＲの凹凸に密着させることが重要である。
【００８５】
２回目のレーザ光照射は、前記実施の形態１で説明した改質領域ＰＲの形成のためのものである。図３６および図３７は、２回目のレーザ光ＬＢ１を照射している様子を示すウエハ１Ｗの要部断面図である。図３６は図２８のＸ８−Ｘ８線に対応し、図３７は図２８のＸ９−Ｘ９線に対応している。ここでは、前記実施の形態１と同様に、レーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面側から基板１Ｓの内部に焦点を合わせて照射する。このようにして基板１Ｓに改質領域ＰＲを形成する。ただし、本実施の形態３では、レーザ光ＬＢ１を切断領域ＣＲの幅方向（短方向）中央に照射する。すなわち、レーザ光ＬＢ１の発生部の動作軌跡は、上記レーザ光ＬＢ２の発生部の動作軌跡と同一である。ただし、改質領域ＰＲの平面形状は前記実施の形態１で説明したように平面的に直線状に形成する場合もあるし、破線状に形成する場合もある。レーザ光ＬＢ１，ＬＢ２をウエハ１Ｗの同じ裏面側から照射する場合、レーザ光ＬＢ２を照射した後に、レーザ光ＬＢ１を照射する。これは、レーザ光ＬＢ１の照射をレーザ光ＬＢ２の照射よりも先に行うと、レーザ光ＬＢ２の照射に際して、レーザ光ＬＢ１の照射により基板１Ｓに形成された改質領域ＰＲが邪魔になり、切断領域ＣＲの金属パターンに孔２１を形成することができなくなってしまうからである。
【００８６】
次いで、分割工程１０２Ｂ３では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図３８はウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図、図３９は図３８のＸ１２−Ｘ１２線の断面図を示している。本実施の形態３の場合、孔２１の配列に沿ってウエハ１Ｗを綺麗に切断することができる。すなわち、層間絶縁膜に低誘電率膜を使用している場合であっても、また、互いに隣接するテスト用のパッド１ＬＢｔの間やテスト用のパッド１ＬＢｔとアライメントターゲットＡｍとの間においても、複数の孔２１の配列に沿って蛇行せずにウエハ１Ｗを分割（切断）することができる。したがって、ウエハ１Ｗの切断形状不良を低減または防止できるので、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。なお、チップ１Ｃの外周にはテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０の一部が残されている。また、組立工程１０２Ｃについては前記実施の形態１と同じなので説明を省略する。
【００８７】
（実施の形態４）
前記実施の形態１〜３では、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやＴＥＧ用の素子が残されるので、外部にＴＥＧ情報が漏れる、という問題がある。本実施の形態４は、このような問題を回避するための手段を説明するものである。以下、本実施の形態４の半導体装置の製造方法例を図４０のフロー図に沿って図４１〜図５０により説明する。
【００８８】
まず、前記実施の形態１と同様に、前工程２００、テスト工程２０１を経た後、後工程２０２に移行する。後工程２０２の裏面加工工程２０２Ａでは、ウエハ１Ｗの主面上に接着層を介して支持基板を貼り付ける（工程２０２Ａ１）。図４１は支持基板２４の装着後のウエハ１Ｗの断面図を示している。
【００８９】
この支持基板２４は、この後の工程においてウエハ１Ｗの補強部材として機能するウエハサポートシステム（Wafer Support System:ＷＳＳ）である。これにより、ウエハ１Ｗの搬送時においては、極薄で大径のウエハ１Ｗを安定した状態でハンドリングできる上、ウエハ１Ｗを外部の衝撃から保護することもできるので、ウエハ１Ｗの割れや欠け等を抑制または防止できる。また、この後の各工程時においては、ウエハ１Ｗの反りや撓みを抑制または防止でき、極薄で大径のウエハ１Ｗの平坦性を向上させることができるので、各工程での処理の安定性や制御性を向上させることができる。
【００９０】
支持基板２４の材料としては、例えば透明なガラスのような硬質支持基板（Ｈａｒｄ−ＷＳＳまたはＧｌａｓｓ−ＷＳＳ）が使用されている。ただし、支持基板２４の他の材料として、例えばステンレスのような他の硬質支持基板（Ｈａｒｄ−ＷＳＳ）を用いても良い。また、支持基板２４のさらに他の材料として、例えばＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）やＰＥＮ（Polyethylene Naphthalate）等のような絶縁支持基板をテープ基材に貼り付けたテープＷＳＳを用いても良い。
【００９１】
なお、支持基板２４をウエハ１Ｗの主面に貼り付ける際には、支持基板２４の剥離層２４ａの形成面をウエハ１Ｗ主面側の接着層２５に押し付けることで支持基板２４をウエハ１Ｗの主面に固定する。この剥離層２４ａは、支持基板２４をウエハ１Ｗから剥離する際に剥離を容易にするための機能層である。支持基板に代えて、いわゆるＢＧテープを使用しても良い。
【００９２】
次いで、前記実施の形態１と同様に、ウエハ１Ｗの厚さを測定した後、その測定結果に基づいてウエハ１Ｗの裏面に対して研削処理および研磨処理（平坦加工）を順に施す（工程２０２Ａ２，２０２Ａ３）。図４２はウエハ１Ｗの薄型化工程後の断面図を示している。図４２の破線は、薄型化処理前の基板１Ｓを示している。
【００９３】
続いて、チップ分割工程２０２Ｂに移行する。チップ分割工程２０２Ｂのレーザ照射工程２０２Ｂ２は、前記実施の形態１で説明した改質領域ＰＲの形成のためのものである。図４３はレーザ光ＬＢ１を照射している様子を示すウエハ１Ｗの要部断面図である。
【００９４】
本実施の形態４においても、前記実施の形態１と同様にして、レーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面側から基板１Ｓの内部に焦点を合わせて照射することにより、基板１Ｓに改質領域ＰＲを形成する。ただし、本実施の形態４では、レーザ光ＬＢ１をテスト用のパッド１ＬＢｔ等のような金属パターンの両脇であってチップ１Ｃと切断領域ＣＲとの境界または間に当たる平面位置に照射する。改質領域ＰＲの平面形状は前記実施の形態１で説明したように平面的に直線状に形成する場合もあるし、破線状に形成する場合もある。
【００９５】
その後、ウエハマウント工程２０２Ｂ２では、ウエハ１Ｗを治具に貼りかえる。図４４はウエハマウント工程２０２Ｂ２およびＷＳＳ剥離工程２０２Ｂ３後のウエハ１Ｗおよび治具７の平面図、図４５は図４４のＸ１３−Ｘ１３線の断面図を示している。
【００９６】
ウエハマウント工程２０２Ｂ２では、ウエハ１Ｗの主面（デバイス形成面）に支持基板２４を貼り付けたままの状態でウエハ１Ｗの裏面を治具７のテープ７ａに貼り付ける。ウエハ１Ｗはテープ７ａの接着層７ａ２によりしっかりと固定されている。これにより、ウエハ１Ｗは、その主面が表になって露出された状態で治具７に収容される。
【００９７】
続いて、ＷＳＳ剥離工程２０２Ｂ３では、レーザ光を、ウエハ１Ｗの主面上の接着層２５に焦点を合わせた状態で透明な支持基板２４を介してウエハ１Ｗの主面の端から端まで走査し照射する。これにより、支持基板２４をウエハ１Ｗから剥離した後、ウエハ１Ｗの主面上の接着層２５を除去する。この工程のレーザ光の条件は、例えば波長１０６４ｎｍの赤外線レーザ、出力：２０Ｗ、照射速度：２０００ｍｍ／ｓ、スポット径：ｆ２００μｍ程度である。接着層２５を、例えば紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）により形成した場合は、上記レーザ光は、赤外線レーザに代えて紫外線レーザを使用する。これにより、接着層２５の粘着力を弱めることができるので、支持基板２４を容易に剥離することができる。
【００９８】
次いで、本実施の形態４ではＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４に移行する。ＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４では、ウエハ１Ｗを収容した治具７をダイシング装置のダイシングステージに載せて回転するダイシングソー（ブレードダイシング方式）によりＴＥＧを除去する。図４６はこのＴＥＧ加工工程中のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。ダイシングソー２６は、その断面が矩形状のものを使用した。このダイシングソー２６を切断領域ＣＲに合わせた後、回転させた状態でウエハ１Ｗの主面に接するように下降する。これにより、ＴＥＧのテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンを除去する。図４７はＴＥＧ加工工程後のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。ここでは、切断領域ＣＲにおけるテスト用のパッド１ＬＢｔ等のような金属パターンが完全に除去されており、ウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲに溝２７が形成されている。溝２７の深さは、配線層１Ｌ途中とされているが、基板１Ｓに達しても良い。ただし、基板１Ｓを完全に切断してしまわないようにする。
【００９９】
続いて、分割工程２０２Ｂ５では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図４８は分割工程２０２Ｂ５中のウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。この場合、一般的に切断領域ＣＲ内の２箇所の改質領域ＰＲのうち、機械的強度の弱いいずれか一方側で亀裂が入りウエハ１Ｗが切断される。本実施の形態４の場合、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが除去されているので、上記ひげ状の導体異物は発生しない。
【０１００】
図４９はウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図、図５０は図４９のＸ１４−Ｘ１４線の断面図を示している。本実施の形態４の場合、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが残されていないので、ＴＥＧ情報の漏洩を防止することができる。
【０１０１】
その後の組立工程２０２Ｃ（２０２Ｃ１〜２０２Ｃ４，２０３Ａ）については前記実施の形態１の組み立工程１０２Ｃ（１０２Ｃ１〜１０２Ｃ４，１０３Ａ）と同じなので説明を省略する。
【０１０２】
（実施の形態５）
前記実施の形態４では、ＴＥＧ情報の漏洩を防止できるが、前記実施の形態３で説明した切断線が蛇行してしまう問題がある。本実施の形態５では、その問題を回避するための手段を説明するものである。
【０１０３】
まず、前記実施の形態４と同様に、前工程２００、テスト工程２０１および後工程２０２の裏面加工工程２０２Ａを経た後、チップ分割工程２０２Ｂのレーザ照射工程２０２Ｂ１に移行する。図５１は本実施の形態５の場合のレーザ照射工程中のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。ここでは、前記実施の形態１〜４と同様にレーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面から基板１Ｓの内部に焦点を合わせて照射し、基板１Ｓに改質領域ＰＲを形成する。ただし、本実施の形態５では、レーザ光ＬＢ１を切断領域ＣＲの幅方向（短方向）中央に照射する。すなわち、レーザ光ＬＢ１をテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンと平面的に重なる位置に照射する。改質領域ＰＲの平面形状は前記実施の形態１で説明したように平面的に直線状に形成する場合もあるし、破線状に形成する場合もある。
【０１０４】
続いて、前記実施の形態４と同様に、ウエハマウント工程２０２Ｂ２、ＷＳＳの剥離工程２０２Ｂ３を経た後、ＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４に移行する。図５２はＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４中におけるウエハ１Ｗの要部断面図を示している。このＴＥＧ加工工程では、前記実施の形態４と同様に、回転状態のダイシングソー２６をウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲに当ててテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンを除去する。ただし、本実施の形態５では、ダイシングソー２６として、その外周先端の断面形状が楔形（断面Ｖ字状）に形成されているものを使用する。
【０１０５】
図５３はＴＥＧ加工工程後のウエハ１Ｗの要部平面図、図５４は図５３のＸ１５−Ｘ１５線の断面図を示している。ここでは、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが完全に除去されており、ウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲの層間絶縁膜１Ｌｉ（配線層１Ｌ）上面に溝２７が形成されている。この溝２７の深さは、前記実施の形態４と同じである。ただし、本実施の形態５において溝２７は深くなるにつれて幅が次第に狭くなっている。すなわち、溝２７の断面形状がＶ字状に形成されている。溝２７の最も深い部分は、分割工程２０２Ｂ５時に層間絶縁膜１Ｌｉの分割起点として作用する部分である。溝２７は、その分割起点として作用する部分の平面位置が、切断領域ＣＲの幅方向（短方向）の中央に位置するように、すなわち、上記改質領域ＰＲの平面位置（すなわち、切断線ＣＬ）に一致するように形成されている。
【０１０６】
続いて、分割工程２０２Ｂ５では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図５５は分割工程２０２Ｂ５中のウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。この場合、ウエハ１Ｗは基板１Ｓの改質領域ＰＲおよび配線層１Ｌの溝２７を分割起点として分割（切断）される。
【０１０７】
本実施の形態５の場合、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが除去されているので、上記ひげ状の導体異物は発生しない。また、溝２７を断面Ｖ字状に形成したことにより、層間絶縁膜として低誘電率膜を使用していたとしても、ウエハ１Ｗ（特にウエハ１Ｗの主面側の層間絶縁膜１Ｌｉ）を溝２７に沿って蛇行することなく綺麗に分割(切断)することができる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
【０１０８】
図５６はウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図、図５７は図５６のＸ１６−Ｘ１６線の断面図を示している。本実施の形態５の場合、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが残されていないので、ＴＥＧ情報の漏洩を防止することができる。また、本実施の形態５では、チップ１Ｃの主面側の外周角が傾斜している。すなわち、チップ１Ｃの主面側の外周角にテーパが形成されている。これにより、チップ１Ｃの搬送時等においてチップ１Ｃの外周角が欠けるのを低減できる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、異物発生を低減できる。
【０１０９】
その後の組立工程２０２Ｃ（２０２Ｃ１〜２０２Ｃ４，２０３Ａ）については前記実施の形態１の組み立工程１０２Ｃ（１０２Ｃ１〜１０２Ｃ４，１０３Ａ）と同じなので説明を省略する。
【０１１０】
（実施の形態６）
本実施の形態６ではＴＥＧ情報の漏洩防止のためＴＥＧをレーザ光により除去する方法例を説明する。
【０１１１】
まず、前記実施の形態５と同様に、前工程２００〜ＷＳＳの剥離工程２０３Ｂ３を経た後、ＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４においてＴＥＧをレーザ光により除去する。図５８はこのＴＥＧ加工工程中のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。レーザ光（第２レーザ）ＬＢ３をウエハ１Ｗの主面側からテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに照射することにより、その金属パターンを溶融して除去する。レーザ光ＬＢ３は、例えば波長が３５５ｎｍの紫外光等のように、上記改質領域ＰＲ形成時のレーザ光ＬＢ１の波長よりも短波長のレーザ光を使用する。各金属パターンに対してレーザ光ＬＢ３を複数回照射することにより金属パターンを除去する。図５９は本実施の形態６のＴＥＧ加工工程後のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。ここでは、切断領域ＣＲにおけるテスト用のパッド１ＬＢｔ等のような金属パターンが完全に除去されている。本実施の形態６の場合、切断領域ＣＲの金属パターンをレーザ光ＬＢ３により除去することにより、ウエハ１Ｗに機械的な応力を与えず金属パターンを除去できるので、チップ１Ｃの外周にチッピング等の損傷が発生するのを防止できる。これにより、薄い半導体チップの抗折強度を前記実施の形態４，５に比べて向上させることができる。
【０１１２】
続いて、分割工程２０２Ｂ５では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図６０は分割工程２０２Ｂ５中のウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。この場合、ウエハ１Ｗは基板１Ｓの改質領域ＰＲを分割起点として分割（切断）される。本実施の形態５の場合、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが除去されているので、上記ひげ状の導体異物は発生しない。
【０１１３】
本実施の形態６の場合のウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図は図４９とほぼ同じである。本実施の形態６の場合も、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが残されていないので、ＴＥＧ情報の漏洩を防止することができる。
【０１１４】
その後の組立工程２０２Ｃ（２０２Ｃ１〜２０２Ｃ４，２０３Ａ）については前記実施の形態１の組み立工程１０２Ｃ（１０２Ｃ１〜１０２Ｃ４，１０３Ａ）と同じなので説明を省略する。
【０１１５】
（実施の形態７）
前記実施の形態６では、ＴＥＧ情報の漏洩を防止できるが、前記実施の形態３で説明した切断線が蛇行してしまう問題がある。本実施の形態７では、その問題を回避するための手段を説明するものである。
【０１１６】
まず、前記実施の形態５，６と同様に、前工程２００〜ＷＳＳの剥離工程２０３Ｂ３を経た後、ＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４に移行する。このＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４では、ＴＥＧにレーザ光を照射する。図６１はＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４中におけるウエハ１Ｗの要部断面図を示している。また、図６３はＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４中におけるウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。ここでは、前記実施の形態６と同様に、レーザ光ＬＢ３をウエハ１Ｗの主面側からテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに照射することにより、その切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンの上面に金属パターンの一部に溝３０を形成する。溝３０はレーザ光ＬＢ３の熱により溶融することで形成されるが、溶融した部分が層間絶縁膜１Ｌ１（配線層１Ｌ）の界面まで進展する。この結果、溝３０から改質領域ＰＲに向かって亀裂ＣＲＫが形成される。溝３０の平面位置は、切断領域ＣＲの幅方向（短方向）の中央に位置するように、すなわち、上記改質領域ＰＲの平面位置（すなわち、切断線ＣＬ）に一致するように形成されている。ここで、本実施の形態７の場合、切断領域ＣＲの金属パターンの一部を除去するだけなので、このレーザ光加工処理を施したからといってチップ１Ｃの外周にチッピング等の損傷が発生すこともない。これにより、薄い半導体チップの抗折強度を前記実施の形態４，５に比べて向上させることができる。
【０１１７】
続いて、分割工程２０２Ｂ５では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図６２は分割工程２０２Ｂ５中のウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。この場合、ウエハ１Ｗは基板１Ｓの改質領域ＰＲ、亀裂ＣＲＫおよび配線層１Ｌの溝３０を分割起点として分割（切断）される。
【０１１８】
本実施の形態７の場合、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンの切断部分（溝３０形成部分）が切断されているので、上記ひげ状の導体異物は発生しない。また、層間絶縁膜１Ｌｉに溝３０が達していることにより、層間絶縁膜として低誘電率膜を使用していたとしても、ウエハ１Ｗ（特にウエハ１Ｗの主面側の層間絶縁膜１Ｌｉ）を溝３０に沿って蛇行することなく綺麗に分割(切断)することができる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
【０１１９】
本実施の形態７の場合のウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃは図５６および図５７とほぼ同じである。本実施の形態７の場合も、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンの一部が残されているが、切断され、また溶融されておりＴＥＧの情報を取得することができないようになっている。したがって、ＴＥＧ情報の漏洩を防止することができる。また、本実施の形態７では、チップ１Ｃの主面側の外周角が溝３０の形成により傾斜していることにより、チップ１Ｃの搬送時等においてチップ１Ｃの外周角が欠けるのを低減できる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、異物発生を低減できる。
【０１２０】
その後の組立工程２０２Ｃ（２０２Ｃ１〜２０２Ｃ４，２０３Ａ）については前記実施の形態１の組み立工程１０２Ｃ（１０２Ｃ１〜１０２Ｃ４，１０３Ａ）と同じなので説明を省略する。
【０１２１】
（実施の形態８）
前記実施の形態４および５では、ダイシングソー（ブレードダイシング方式）によりＴＥＧを除去することで、ＴＥＧ情報の漏洩や、ＴＥＧのひげ状の導体異物（ひげ不良）により生じる実装不良を防止できるが、半導体装置の更なる薄型化の要求に伴い、例えばウエハの厚さが７０μｍ厚以下と薄くなった場合、図６６に示すように、チップクラックの問題が発生し易い。この原因は、ＴＥＧの除去方法としてダイシングソー２６を用いることと、ウエハ１Ｗの薄型化に伴い、破砕層（改質領域ＰＲ）からＴＥＧまでの距離（間隔）が近く（短く）なることと、ウエハ１Ｗ（チップ１Ｃ）の抗折強度が低下することにある。ブレードダイシング方式は、高速回転するダイシングソー２６をウエハ１Ｗに接触させることでウエハ１Ｗを切断（破断）するため、ステルスダイシング方式に比べウエハ１Ｗに加わる切断応力（破断応力）は大きい。すなわち、実施の形態４および５で説明したように、ウエハ１Ｗに予めレーザ光を照射して破砕層（改質領域ＰＲ）を形成した後にダイシングソー２６を用いてＴＥＧを除去すると、破砕層からＴＥＧまでの距離（間隔）は近く、更には、ウエハ１Ｗの抗折強度が低下していることから、ダイシングソー２６の切断応力が破砕層まで進展し易く、亀裂（クラック）ＣＲＫが発生してしまう。そこで、本実施の形態８では、その問題を回避するための手段を説明するものである。
【０１２２】
まず、図６７に示すように、ダイシングソー２６を用いて、ウエハ１Ｗの主面の切断領域に配置されたテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを除去する。これにより、ウエハ１Ｗの主面に溝２７が形成される。
【０１２３】
次に、図６８に示すように、ウエハ１Ｗの主面にＢＧテープ３５を貼り付ける。ＢＧテープ３５のテープベース３５ａは、例えば柔軟性を持つプラスチック材料からなり、その主面には接着層３５ｂが形成されている。ＢＧテープ３５は、その接着層３５ｂによりウエハ１Ｗの主面（チップ形成面）にしっかりと貼り付けられている。
【０１２４】
続いて、ウエハ１Ｗを反転させた後、図６９に示すように、ウエハ１Ｗの裏面側から上記研削研磨工具（砥石）８を用いて裏面研削工程、更には裏面研削工程によりウエハ１Ｗの裏面に形成された微小な凹凸を除去するための研磨工程（ストレスリリーフ）を行うことで、ウエハ１Ｗを所望の厚さにする。
【０１２５】
次に、図７０に示すように、レーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面から照射し、前記と同様に、ウエハ１Ｗの内部（厚さ方向における中心付近）に改質領域（光学的損傷部または破砕層）ＰＲを形成する。
【０１２６】
次に、図７１に示すように、ウエハ１Ｗの裏面に治具７のテープ７ａに貼り付け、反転してからウエハ１Ｗの主面のＢＧテープ３５を剥がす（ウエハマウント工程）。続いて、図７２に示すように、エキスパンド方式によりウエハ１Ｗを分断することで、複数のチップ１Ｃを取得する。
【０１２７】
このように、本実施の形態８によれば、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍのそれぞれを、ウエハ１Ｗを薄くする裏面研削工程および改質領域ＰＲの形成工程の前に、予めダイシングソー２６により除去するため、例えばウエハ１Ｗの厚さが７０μｍ以下と薄くなったとしても、チップクラックの問題を抑制することが可能である。
【０１２８】
ここで、破砕層（改質領域ＰＲ）を形成した後にダイシングソー２６を用いてＴＥＧを除去すると、ダイシングソー２６の切断応力によりチップクラックの問題が発生するということにのみ着目した場合、ウエハ１Ｗの主面側からダイシングソー２６を用いてＴＥＧを除去した後に、同じくウエハ１Ｗの主面側からレーザ光ＬＢ１を照射してウエハ１Ｗに破砕層（改質領域ＰＲ）を形成するという手段も考えられる。
【０１２９】
しかしながら、図７３に示すように、ダイシングソー２６により削られたウエハの表面（すなわち、溝２７の底面）は、微細な凹凸が形成されているため、レーザ光ＬＢ１を照射すると乱反射が起こり、ウエハ１Ｗの内部にレーザ光ＬＢ１の焦点を合わせることが困難となる。
【０１３０】
また、ダイシングソー２６を用いてＴＥＧを除去した後に、ウエハ１Ｗを反転し、ウエハ１Ｗの裏面側からレーザ光を照射して破砕層（改質領域ＰＲ）を形成した後、ウエハ１Ｗの厚さを薄くする裏面研削工程および研磨工程を行う手段も考えられる。
【０１３１】
しかしながら、裏面研削工程および研磨工程の前に、予めウエハ１Ｗに破砕層（改質領域ＰＲ）が形成されていると、裏面研削のための砥石の応力により、ウエハ１Ｗの裏面から破砕層（改質領域ＰＲ）に向かって亀裂（クラックＣＲＫ）が発生する可能性がある。以上のことから、本実施の形態８のように、ダイシングソー２６によりＴＥＧを除去した後、ウエハ１Ｗを裏面研削工程および研磨工程により所望の厚さまで薄くし、ウエハ１Ｗの裏面側からレーザ光ＬＢ１を照射して破砕層（改質領域ＰＲ）を形成する手段がチップクラックの問題の対策に有効である。
【０１３２】
（実施の形態９）
ブレードダイシング方式により半導体ウエハを分割する場合は、使用するダイシングソーの幅よりも太い幅の切断領域が必要であった。これに対し、ステルスダイシング方式の場合、半導体ウエハの内部に破砕層（改質領域ＰＲ）を形成し、その破砕層を起点として半導体ウエハを分割するため、ブレードダイシング方式に比べ切断領域の幅は狭くすることが可能である。
【０１３３】
しかしながら、切断領域ＣＲには、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍが配置されているため、少なくとも切断領域ＣＲの幅は、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍの幅よりも太く設けておく必要がある。そのため、１つのウエハからのチップの取得数を向上することが困難である。そこで、本実施の形態９では、１つのウエハからのチップの取得数を向上するための方法例を図７４、図７５および図７６により説明する。図７４は本実施の形態９のウエハ１Ｗの平面図、図７５は図７４のウエハ１Ｗの主面の要部拡大平面図、図７６は図７５のウエハ１ＷのＴＥＧ除去時の要部断面図である。
【０１３４】
まず、図７４および図７５に示すように、ウエハ１Ｗの主面上において、Ｘ方向およびＹ方向（Ｘ方向と交差する方向）に設けられた切断領域ＣＲ（ＣＲ１，ＣＲ２）のうち、Ｘ方向に設けられた切断領域（第１の切断領域）ＣＲ１にのみテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを配置する。すなわち、Ｙ方向に設けられた切断領域（第２の切断領域）ＣＲ２にはテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを一切配置せず、Ｘ方向に設けられた切断領域ＣＲ１にのみテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを集約配置する。これにより、Ｙ方向に延在する切断領域ＣＲ２の幅は、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍの幅よりも狭くすることができる。そのため、隣り合うチップ１Ｃ（チップ領域）同士の間隔をより狭めることができるので、１つのウエハ１Ｗからのチップ１Ｃの取得数を向上することが可能である。ここで、Ｙ方向に延在する切断領域ＣＲ２の幅は、例えば５μｍである。
【０１３５】
しかしながら、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍをＸ方向に延在する切断領域ＣＲ１に集約した場合、図７５に示すように、Ｘ方向に延在する切断領域ＣＲ１においてテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍが複数列（本実施の形態９では２列）に亘って配置されることになる。そのため、実施の形態４，５および８に示すような、ＴＥＧの幅とほぼ同じ幅のダイシングソーを用いた場合、ＴＥＧを完全に除去するためには、１つの切断領域ＣＲに対して、ダイシングソーを２回走らせる必要がある。このため、ＴＥＧ除去処理に時間がかかる。
【０１３６】
そこで、本実施の形態９では、図７６に示すように、ＴＥＧパターンの除去工程に際して、２つのＴＥＧの幅の総和分とほぼ同じ幅のダイシングソー２６を用いることが好ましい。これにより、ＴＥＧが切断領域ＣＲ２内において複数列に亘って配置されていたとしても、ダイシングソー２６は１回走らせるだけで、その切断領域ＣＲ２におけるＴＥＧを全て除去できる。ここで、ダイシングソー２６の幅は、２つのＴＥＧの幅の総和分とほぼ同じと説明したが、少なくともダイシングソー２６を１回走らせるだけで、その切断領域ＣＲ２における全てのＴＥＧが完全に除去されることが好ましいため、２つのＴＥＧの幅の総和分以上であり、かつ切断領域ＣＲ２の幅未満であることが好ましい。
【０１３７】
本実施の形態９の場合、ＴＥＧパターンの除去のためのダイシングソー２６の移動方向が一方向のみなので、ＴＥＧパターンの除去処理時間を短縮できる。なお、本実施の形態９で説明した幅広のダイシングソー２６を複数枚同時に並列動作させることでＴＥＧパターンの除去処理時間をさらに短縮することもできる。
【０１３８】
（実施の形態１０）
半導体装置の小型化に伴い、チップのサイズもより小型化することが要求される。小型化されたチップの分割方法として、ウエハの薄型化にも対応できるステルスダイシング方式を用いた場合、１つのウエハから個々のチップに分割するためには、レーザ光をウエハに照射した後にエキスパンド工程を行うことで実現できる。
【０１３９】
しかしながら、例えば、１辺の幅（長さ）が３ｍｍ以下というチップを形成する場合、実施の形態８の図７２に示したように、ダイシングテープ全体を１回のエキスパンド工程により中心から外周に向かって引き伸ばそうとすると、複数のチップ１Ｃ（チップ領域）のうち、隣り合うチップ領域同士が完全に分割されない、いわゆる、分割不良の問題が発生し易い。これは、１つのチップのサイズが小さくなると、ダイシングテープが引き伸ばされても、複数のチップ領域のそれぞれに対して張力が伝わり難くなり、複数のチップが繋がった状態となってしまう。そこで、本実施の形態１０は、その問題を回避するための手段を説明するものである。
【０１４０】
１つのウエハ１Ｗには複数の切断領域ＣＲがＸ方向およびＹ方向に向かって延在するように設けられているが、本実施の形態１０では、１回のエキスパンド工程によりこの複数の切断領域ＣＲの全てを同時に分割するのではなく、１回のエキスパンド工程により複数の切断領域ＣＲのうちの１つを分割するものである。
【０１４１】
これを図７７のウエハ１Ｗの平面図を用いて説明する。すなわち、図７２に示すように、１回目のエキスパンド工程では、まずａの切断領域（第１の切断領域）ＣＲを分割する。そして、ａの切断領域を分割した後に、２回目のエキスパンド工程によりｂの切断領域（第２の切断領域）ＣＲを分割する。そして、ｃ，ｄ，ｅ，ｆの切断領域ＣＲの順に、全ての切断領域ＣＲが分割されるまでエキスパンド工程を繰り返す。これにより、たとえチップ１Ｃの１辺の幅（長さ）が小さくなったとしても、本実施の形態１０の手段を用いれば、１つの切断領域ＣＲ（１ラインの切断領域ＣＲ）毎に対してダイシングテープの張力を確実に伝えることができる。そのため、分割不良の問題を抑制することが可能である。ここで、ウエハ１ＷにはＸ方向およびＹ方向に向かって延在するように複数の切断領域ＣＲが設けられているため、Ｘ方向に向かって延在するように設けられた複数の切断領域ＣＲを全て分割してから、Ｙ方向に向かって延在するように設けられた複数の切断領域ＣＲを順番に分割することが分割機構を簡略化できるので好ましい。
【０１４２】
次に、本実施の形態１０の分割方法を図７８および図７９を用いてより具体的に説明する。
【０１４３】
図７８の（ａ）は図７７で説明したウエハ１Ｗの分割工程の具体的な様子を示したウエハ１Ｗの全体平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１７−Ｘ１７線の断面図である。また、図７９の（ａ）および（ｂ）は分割工程時のウエハ１Ｗの要部拡大断面図である。
【０１４４】
図７８に示すように、ダイシング用の治具７のテープ７ａに貼り付けられたウエハ１Ｗは、ステルスダイシング装置のステージ上に載置されている。このステージには、図７８（ａ）のＹ方向に沿ってウエハ１Ｗの端から端まで延びる平面帯状の２つの引っ張りバー４０が互いに隣接した状態で平行に設置されている。各引っ張りバー４０の幅は、ウエハ１Ｗのチップ１Ｃの図７８（ａ）のＸ方向の幅程度である。また、各引っ張りバー４０には、図７９に示すように、真空吸引孔４１が設けられている。これにより、引っ張りバー４０をダイシング用の治具７のテープ７ａを介してウエハ１Ｗにしっかりと張り付けることが可能になっているとともに、ウエハ１Ｗを固定することが可能になっている。
【０１４５】
まず、１つの切断領域ＣＲ（１ラインの切断領域ＣＲ）だけを狙って分割するためには、図７８および図７９に示すように、ウエハ１Ｗの１ラインの切断領域ＣＲが２つの引っ張りバー４０の隣接間（切断溝）と平面的に重なるように、ウエハ１Ｗを位置決めした後、２つの引っ張りバー４０をウエハ１Ｗに真空吸引により張り付ける。すなわち、２つの引っ張りバー４０を、分割領域（１ライン分の切断領域ＣＲ）を境としてその両側に配置し固定する。
【０１４６】
続いて、ウエハ１Ｗを２つの引っ張りバー４０で真空吸引した状態で、２つの引っ張りバー４０を、図７８および図７９の矢印ＰＡ，ＰＢ（ウエハ１Ｗの主面に沿う方向）に示すように、互いに離れる方向に移動する。すなわち、２つの引っ張りバー４０を、その隣接間から外側に向かって引き離す方向に移動する。これにより、図７９（ｂ）に示すように、引っ張りバー４０に固定されたウエハ１Ｗが切断領域（の改質領域ＰＲ）を起点として分割される。
【０１４７】
１つの切断領域ＣＲ（１ライン分の切断領域ＣＲ）の分割が終了したら、次に分割したい切断領域ＣＲが、２つの引っ張りバー４０の隣接間と平面的に重なるように、ウエハ１Ｗを移動する。その後、上記と同様にしてウエハ１Ｗを分割する。以上の動作を、複数ラインの切断領域ＣＲのうち全てが分割されるまで繰り返すことで、分割不良が発生することなく、複数のチップ１Ｃを取得することが可能となる。
【０１４８】
ここで、本実施の形態１０では、引っ張りバー４０が２つで１組とされる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ウエハ１Ｗの複数ラインの切断領域ＣＲに対応する数だけ引っ張りバー４０を配置しても良い。これにより、１回のエキスパンド工程が終わる度に、ウエハ１Ｗをずらす工程が不要となる。図８０（ａ）〜（ｃ）は、その一例を示している。ＣＬ１は、第１の分割箇所、ＣＬ２は第２の分割箇所、ＣＬ３は第３の分割箇所を示している。分割箇所ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３を境にして、その両側の引っ張りバー４０を互いに離れる方向（矢印ＰＡ，ＰＢの方向）に移動することでウエハ１Ｗを上記と同様に分割する。
【０１４９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１５０】
例えば前記実施の形態１においては、テスト用のパッド１ＬＢｔの平面形状を正方形としたが、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばテスト用のパッド１ＬＢｔの平面形状を、長方形（切断領域ＣＲの延在方向（長手方向）の長さが切断領域ＣＲの幅方向の長さよりも長い）にしても良い。これにより、切断領域ＣＲの幅をあまり大きくしないでパッド１ＬＢｔの面積を大きく確保できる。すなわち、チップ１Ｃの面積増大を抑えつつ、テスト用のパッド１ＬＢｔに対するプローブ針の当て易さも確保することができる。
【０１５１】
また、前記実施の形態３では、ウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲの金属パターンに孔２１を形成するのにレーザ光ＬＢ２をウエハ１Ｗの裏面から照射するようにしたが、図４０のフロー図で説明したようにウエハマウント工程を行う場合は、レーザ光ＬＢ２をウエハ１Ｗの主面から照射することもできる。この場合、図４０のＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４に代えてレーザ光ＬＢ２の照射工程を行えば良い。すなわち、レーザ光ＬＢ２を、ウエハ１Ｗの主面側からウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に照射することにより、テスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に孔２１を形成する。この場合、孔２１に代えてテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に溝を形成しても良い。この溝の平面形状は直線状でも良いし破線状でも良い。これ以外の工程は前記実施の形態１〜７で説明したのと同じである。
【０１５２】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体装置の製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく種々適用可能であり、例えばマイクロマシンの製造方法にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１５３】
本発明は、ステルスダイシングによりウエハを分割する工程を有する製品の製造業に適用できる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置技術に関し、特に、半導体ウエハのダイシング技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やデジタルカメラ等に代表されるモバイル機器あるいはメモリカード等に代表される情報記憶媒体の小型軽量化に伴い、これらに組み込まれる半導体チップの薄型化が進められている。このため、ダイシング工程では、薄い半導体ウエハを切断することで個々の薄い半導体チップを得るが、このダイシング工程においてブレードダイシング方式を用いると、半導体ウエハが薄いために半導体チップにチッピングが生じ易く、薄い半導体チップの抗折強度が著しく低下する問題がある。また、半導体装置の動作速度の向上の観点から半導体チップの配線層間絶縁膜として、誘電率が酸化シリコンよりも低い低誘電率膜（いわゆるＬｏｗ−ｋ膜）を使用する製品があるが、Ｌｏｗ−Ｋ膜は脆く剥がれ易いことや内部に微少な気泡を持つものがあり、ブレードダイシング方式では上手く切断できない場合がある。
【０００３】
そこで、それらの問題を回避する新しいダイシング方式として、ステルスダイシング（登録商標）方式が注目されている。このステルスダイシング方式は、レーザ光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質層を形成し、その改質層を分割起点として半導体ウエハを切断するダイシング方式である。この方式によれば、厚さ３０μｍ程度の極めて薄い半導体ウエハでも、物理的にストレスを与えずに直接切断できるので、チッピングを低減でき、半導体チップの抗折強度の低減を抑制することができる。また、半導体ウエハの厚さに関わらず、毎秒３００ｍｍ以上の高速ダイシングが可能なので、スループットを向上させることもできる。したがって、半導体チップの薄型化にはステルスダイシング方式は必須の技術である。
【０００４】
このようなステルスダイシング技術については、例えば特開２００４−２２１２８６号公報（特許文献１）に記載がある。この特許文献１の段落００２２および図１には、チップ間の領域においてテスト用のパッドの両脇に配線層を設ける構成が開示されている。この配線層は、電気的な結合を行うものではなく、レーザー光線の照射領域を均一化し、かつ、レーザー光線を吸収し易くするためのダミーパターンである。また、この特許文献１の段落００２３には、半導体ウエハの分割において、上記配線層が形成された領域にレーザー光線を照射して半導体ウエハを溶融して切断する方法が開示されている。また、この特許文献１の段落００２４には、半導体ウエハの分割において、レーザー光線の焦点位置を半導体ウエハの内部に合わせ、多格子吸収による溶融処理領域を形成した後、クラッキング法やエキスパンド法により半導体ウエハを個片化する方法が開示されている。
【０００５】
また、例えば特開２００５−３４０４２６号公報（特許文献２）には、半導体ウエハの主面上のテスト用のボンディングパッドに溝を形成した後、半導体ウエハの主面にテープを貼り付け、半導体ウエハの裏面側からレーザ光を照射して半導体ウエハの内部に改質層を形成し、さらにその後、テープを引き延ばすことで改質層を起点として半導体ウエハを個々の半導体チップに分割するステルスダイシング技術が開示されている。
【０００６】
また、例えば特開２００５−３２９０３号公報（特許文献３）には、半導体ウエハの主面上のテスト用の電極パッド等をブレードにより除去した後、半導体ウエハの主面側からレーザ光を照射して半導体ウエハの内部に改質層を形成し、さらにその後、ダイシングテープを引き延ばすことで改質層を起点として半導体ウエハを個々の半導体チップに分割するステルスダイシング技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２２１２８６号公報（段落００２２〜００２４および図１）
【特許文献２】特開２００５−３４０４２６号公報
【特許文献３】特開２００５−３２９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記ステルスダイシング方式においては、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【０００９】
まず、本発明者は、ステルスダイシング方式において半導体ウエハを分割する際にエキスパンド方式を用いる場合について検討した。このエキスパンド方式は、半導体ウエハを貼り付けた樹脂シートを半導体ウエハの中心から外周に向かう方向に引き延ばすことで半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方式である。ところで、ダイシング領域には、例えばアルミニウムにより形成されたテスト用のパッドが配置されているが、エキスパンド方式の場合、そのテスト用のパッドが引き延ばされて切断される際にその切断面部分に、ひげ状の導体線が形成されてしまう問題がある。
【００１０】
そこで、本発明者はエキスパンド方式に代えて折り曲げ方式を採用した。この折り曲げ方式は、半導体ウエハの主面に対して交差する方向に力を加え半導体ウエハを折り曲げることで半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方式である。この方式の場合、上記ひげ状の導体線が形成される問題は減少する。しかしながら、図６５に示すように、新たに検査用のパッドよりも検査用のパッドの存在しない絶縁層部分の方が機械的に弱いので検査用のパッドを避けて亀裂ＣＲＫが入り絶縁層部分で切断されてしまう問題やダイシング領域の検査用のパッド間の絶縁層部分において切断ラインが定まらず蛇行する問題が生じた。特に絶縁層に脆く剥がれ易い上記Ｌｏｗ−ｋ膜が使用されている場合は、折り曲げ方式を用いても、Ｌｏｗ−ｋ膜の分割部分に形状不良が発生し、きれいに切断できない問題がある。
【００１１】
また、上記特許文献１の技術においては、チップ間の切断ライン上に絶縁層よりも強度の高い金属で形成された配線層が形成されているので上手く切断できない問題がある。また、レーザ光線を吸収し易くするためにテスト用のパッドの脇に配線層を形成するので、その分、隣接チップの間隔を広げなければならず、半導体ウエハの面内に配置可能な半導体チップの数が減ってしまう問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止することのできる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１５】
本発明は、半導体ウエハの個々の半導体チップの分離領域において検査用のパッドの脇にレーザを照射することにより前記半導体ウエハの内部のレーザ照射位置に分割起点となる改質領域を形成した後、前記半導体ウエハの個々の半導体チップを折り曲げ方式により個片化する工程を有するものである。
【００１６】
また、本発明は、半導体ウエハの個々の半導体チップの分離領域の検査用のパッドにレーザを照射することにより前記検査用のパッドに、前記半導体ウエハの切断工程において前記検査用のパッドの分割起点となる溝または孔を形成する工程を有するものである。
【００１７】
また、本発明は、半導体ウエハの個々の半導体チップの分離領域にレーザを照射することにより前記半導体ウエハの内部のレーザ照射位置に分割起点となる改質領域を形成する工程と、前記半導体ウエハの検査用のパッドを除去する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１９】
すなわち、半導体ウエハの個々の半導体チップの分離領域において検査用のパッドの脇にレーザを照射することにより前記半導体ウエハの内部のレーザ照射位置に分割起点となる改質領域を形成した後、前記半導体ウエハの個々の半導体チップを折り曲げ方式により個片化することにより、ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程のフロー図である。
【図２】図１の前工程１００後の半導体ウエハの主面の全体平面図である。
【図３】図２のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図４】図２の半導体ウエハの要部拡大平面図である。
【図５】図４の領域Ｒ１の拡大平面図である。
【図６】図５のＸ２−Ｘ２線の断面図である。
【図７】図６の半導体ウエハの断面構造の詳細例を示した半導体ウエハの要部断面図である。
【図８】半導体ウエハが収容された治具の全体平面図である。
【図９】図８のＸ３−Ｘ３線の断面図である。
【図１０】裏面加工工程時の半導体ウエハおよび治具の断面図である。
【図１１】裏面加工工程後の半導体ウエハおよび治具の断面図である。
【図１２】レーザ照射工程後の半導体ウエハの要部平面図である。
【図１３】図１２のＸ４−Ｘ４線の断面図である。
【図１４】レーザ照射工程後の半導体ウエハの他の例の要部平面図である。
【図１５】レーザ照射工程後の半導体ウエハのさらに他の例の要部平面図である。
【図１６】分割工程前の半導体ウエハの要部断面図である。
【図１７】分割工程時の半導体ウエハの要部断面図である。
【図１８】図１７の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図１９】分割工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図２０】半導体ウエハから切り出された半導体チップの全体平面図である。
【図２１】ダイボンディング工程後の半導体チップおよび配線基板の平面図である。
【図２２】図２１のＸ５−Ｘ５線の断面図である。
【図２３】ワイヤボンディング工程後の半導体チップおよび配線基板の平面図である。
【図２４】図２３のＸ６−Ｘ６線の断面図である。
【図２５】封止工程後の半導体装置の断面図である。
【図２６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の半導体チップの全体平面図である。
【図２７】図２６の半導体チップの実装例の平面図である。
【図２８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部平面図である。
【図２９】図２８のＸ８−Ｘ８線の断面図である。
【図３０】図２８のＸ９−Ｘ９線の断面図である。
【図３１】１回目のレーザ光を照射している様子を示す半導体ウエハの図２８のＸ８−Ｘ８線に対応する断面図である。
【図３２】１回目のレーザ光を照射している様子を示す半導体ウエハの図２８のＸ９−Ｘ９線に対応する断面図である。
【図３３】１回目のレーザ光の照射工程後の半導体ウエハの要部平面図である。
【図３４】図３３のＸ１０−Ｘ１０線の断面図である。
【図３５】図３３のＸ１１−Ｘ１１線の断面図である。
【図３６】２回目のレーザ光を照射している様子を示す半導体ウエハの図２８のＸ８−Ｘ８線に対応する断面図である。
【図３７】２回目のレーザ光を照射している様子を示す半導体ウエハの図２８のＸ９−Ｘ９線に対応する断面図である。
【図３８】半導体ウエハから切り出された半導体チップの全体平面図である。
【図３９】図３８のＸ１２−Ｘ１２線の断面図である。
【図４０】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程を示すフロー図である。
【図４１】図４０のＷＳＳの装着工程後の半導体ウエハの断面図である。
【図４２】図４０の裏面研削、研磨工程後の半導体ウエハの断面図である。
【図４３】図４０のレーザ照射工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図４４】図４０のウエハマウント工程およびＷＳＳ剥離工程後の半導体ウエハおよび治具の平面図である。
【図４５】図４４のＸ１３−Ｘ１３線の断面図である。
【図４６】図４０のＴＥＧ加工工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図４７】図４０のＴＥＧ加工工程後の半導体ウエハの要部断面図である。
【図４８】図４０の分割工程中の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図４９】図４０の分割工程により半導体ウエハから切り出された半導体チップの全体平面図である。
【図５０】図４９のＸ１４−Ｘ１４線の断面図である。
【図５１】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程におけるレーザ照射工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図５２】図５１の後のＴＥＧ加工工程中における半導体ウエハの要部断面図である。
【図５３】ＴＥＧ加工工程後の半導体ウエハの要部平面図である。
【図５４】図５３のＸ１５−Ｘ１５線の断面図である。
【図５５】図５３の後の分割工程中の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図５６】図５５の分割工程により半導体ウエハから切り出された半導体チップの全体平面図である。
【図５７】図５６のＸ１６−Ｘ１６線の断面図である。
【図５８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程のＴＥＧ加工工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図５９】図５８のＴＥＧ加工工程後の半導体ウエハの要部断面図である。
【図６０】図５９の後の分割工程中の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図６１】本発明のさらに他の実施の形態である半導体装置の製造工程のＴＥＧ加工工程中における半導体ウエハの要部断面図である。
【図６２】図６１の後の分割工程中の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図６３】図６３はＴＥＧ加工工程中における半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図６４】図２４の変形例を示す半導体チップおよび配線基板の断面図である。
【図６５】半導体ウエハを分割する際、亀裂の進展する方向の様子を示す要部断面図である。
【図６６】レーザ照射により半導体ウエハ内に破砕層を形成した後に、ダイシングソーを用いてＴＥＧを除去することで生じる課題の説明図である。
【図６７】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図６８】図６７に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図６９】図６８に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図７０】図６９に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの要部断面図である。
【図７１】図７０に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの全体断面図である。
【図７２】図７１に続く半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの全体断面図である。
【図７３】ダイシングソーを用いてＴＥＧを除去した後、半導体ウエハの主面側からレーザ照射することで生じる課題の説明図である。
【図７４】本発明の他の実施の形態である半導体ウエハの平面図である。
【図７５】図７４の半導体ウエハの要部拡大平面図である。
【図７６】図７５の半導体ウエハのＴＥＧ除去時の要部断面図である。
【図７７】本発明の他の実施の形態である半導体ウエハの分割の様子を示す平面図である。
【図７８】（ａ）は図７７で説明した半導体ウエハの分割工程の具体的な様子を示した半導体ウエハの全体平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１７−Ｘ１７線の断面図である。
【図７９】（ａ）および（ｂ）は分割工程時の半導体ウエハの要部拡大断面図である。
【図８０】（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の半導体ウエハの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は可能な限り省略するようにしている。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置の製造方法を図１のフロー図に沿って説明する。
【００２３】
まず、前工程１００では、厚さ方向に沿って互いに反対側となる主面と裏面とを有する半導体ウエハ（以下、ウエハという）を用意し、そのウエハの主面（デバイス形成面）に複数の半導体チップ（以下、チップという）を形成する。この前工程１００は、ウエハプロセスまたはウエハファブリケーションとも呼ばれ、ウエハの主面にチップ（集積回路（素子や配線））を形成し、プローブ等により電気的試験を行える状態にするまでの工程である。前工程には、成膜工程、不純物導入（拡散またはイオン注入）工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、メタライズ工程、洗浄工程および各工程間の検査工程等がある。
【００２４】
図２はこの前工程１００後のウエハ１Ｗの主面の全体平面図、図３は図２のＸ１−Ｘ１線の断面図、図４は図２のウエハ１Ｗの要部拡大平面図、図５は図４の領域Ｒ１の拡大平面図、図６は図５のＸ２−Ｘ２線の断面図、図７は図６のウエハ１Ｗの断面構造の詳細例を示したウエハ１Ｗの要部断面図である。なお、図２の符号Ｎはノッチを示している。
【００２５】
ウエハ１Ｗは、図２および図３に示すように、例えば直径３００ｍｍ程度の平面略円形状の半導体薄板からなり、その主面には、例えば平面長方形状の複数のチップ１Ｃが、行列状に配置されている。
【００２６】
各チップ１Ｃには、例えばフラッシュメモリ等のようなメモリ回路が形成されている。また、各チップ１Ｃの長手方向の一端には、図４および図５に示すように、複数のボンディングパッド（以下、ボンディングパッドをパッドという）１ＬＢが、チップ１Ｃの長手方向の一端の辺に沿って並んで配置されている。パッド１ＬＢは、チップ１Ｃに形成されたメモリ回路（集積回路）の電極をチップ１Ｃの外部に引き出す外部端子であり、配線を通じてメモリ回路形成用の素子と電気的に接続されている。なお、チップ１Ｃに形成される集積回路はメモリ回路の他に、マイクロプロセッサ等のような論理回路が形成される場合もある。
【００２７】
各チップ１Ｃの外周には切断領域（チップ分離領域）ＣＲが配置されている。この切断領域ＣＲには、図４および図５に示すように、テスト（ＴＥＧ：Test Element Group）用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍが配置されている。テスト用のパッド１ＬＢｔは、例えば平面方形状に形成されており、その大きさは、例えば５０μｍ×５０μｍ程度である。このパッド１ＬＢｔは、ＴＥＧ用の素子の電極をチップ１Ｃの外部に引き出す外部端子であり、配線を通じてＴＥＧ用の素子と電気的に接続されている。ＴＥＧ用の素子は、チップ１Ｃ内に形成された素子の電気的特性の測定や試験に使用される素子である。上記アライメントターゲットＡｍは、例えば平面十字状に形成されているが、十字状の他に、Ｌ字状やドット状に形成される場合もある。アライメントターゲットＡｍは、例えば露光装置等のような製造装置とウエハ１Ｗのチップ１Ｃとの位置合わせの際に用いられるパターンである。
【００２８】
このようなウエハ１Ｗを構成する半導体基板（以下、基板という）１Ｓは、例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その主面には素子および配線層１Ｌが形成されている。この段階のウエハ１Ｗの厚さ（基板１Ｓの厚さと配線層１Ｌの厚さとの総和）Ｄ１(図３参照)は、例えば７７５μｍ程度である。
【００２９】
上記配線層１Ｌには、図６および図７に示すように、層間絶縁膜１Ｌｉ、配線、パッド（外部端子）１ＬＢ、テスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび表面保護膜（以下、保護膜という）１Ｌｐが形成されている。層間絶縁膜１Ｌｉは、複数の層間絶縁膜１Ｌｉ１，１Ｌｉ２，１Ｌｉ３を有している。
【００３０】
層間絶縁膜１Ｌｉ1には、絶縁膜２ａ，２ｂが形成されている。絶縁膜２ａ，２ｂは、基板１Ｓ上に交互に堆積されている。絶縁膜２ａは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２等）のような無機系の絶縁膜により形成されている。絶縁膜２ｂは、例えば窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４等）のような絶縁膜により形成されている。絶縁膜２ｂは、絶縁膜２ａよりも薄く、例えばエッチングストッパとして機能を有している。層間絶縁膜１Ｌｉ１には、プラグ（コンタクトプラグ）ＰＬ１，ＰＬ２および配線Ｌ１が形成されている。
【００３１】
プラグＰＬ１，ＰＬ２は、孔Ｈ１，Ｈ２内に導体膜が埋め込まれることで形成されている。プラグＰＬ１，ＰＬ２を形成する導体膜は、主導体膜と、その外周面（底面および側面）を覆うように形成されたバリアメタル膜とを有している。主導体膜は、例えばタングステン（Ｗ）により形成されており、バリアメタル膜よりも厚く形成されている。バリアメタル膜は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）またはチタンタングステン（ＴｉＷ）あるいはそれらの積層膜により形成されている。上記配線Ｌ１は、例えば埋込配線とされている。すなわち、この配線Ｌ１は、絶縁膜２ａ，２ｂに形成された配線溝Ｔ１内に導体膜が埋め込まれることで形成されている。配線Ｌ１の導体膜の構成は上記プラグＰＬ１，ＰＬ２と同じである。
【００３２】
上記層間絶縁膜１Ｌｉ２には、絶縁膜３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄおよび配線Ｌ２，Ｌ３が形成されている。絶縁膜３ａは、例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）により形成されており、エッチングストッパとしての機能を有している。絶縁膜３ａは、絶縁膜３ｂ，３ｃ，３ｄよりも薄く形成されている。
【００３３】
絶縁膜３ｂは、半導体装置の動作速度の向上の観点から、例えば有機ポリマーまたは有機シリカガラスのような、誘電率が酸化シリコンの誘電率（例えば３．９〜４．０）よりも低い低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）により形成されている。絶縁膜３ｂは、絶縁膜３ａ，３ｃ，３ｄよりも厚く形成されている。
【００３４】
上記有機ポリマー（完全有機系低誘電性層間絶縁膜）としては、例えばＳｉＬＫ（米The Dow Chemical Co製、比誘電率＝２．７、耐熱温度＝４９０℃以上、絶縁破壊耐圧＝４．０〜５．０ＭＶ／Ｖｍ）またはポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料のＦＬＡＲＥ（米Honeywell Electronic Materials製、比誘電率＝２．８、耐熱温度＝４００℃以上）等がある。このＰＡＥ系材料は、基本性能が高く、機械的強度、熱的安定性および低コスト性に優れるという特徴を有している。
【００３５】
上記有機シリカガラス（ＳｉＯＣ系材料）としては、例えばＨＳＧ−Ｒ７（日立化成工業製、比誘電率＝２．８、耐熱温度＝６５０℃）、Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ（米Applied Materials，Inc製、比誘電率＝３．０〜２．４、耐熱温度＝４５０℃）またはｐ−ＭＴＥＳ（日立開発製、比誘電率＝３．２）等がある。この他のＳｉＯＣ系材料としては、例えばＣＯＲＡＬ（米Novellus Systems,Inc製、比誘電率＝２．７〜２．４、耐熱温度＝５００℃）、Ａｕｒｏｒａ２．７（日本エー・エス・エム社製、比誘電率＝２．７、耐熱温度＝４５０℃）等がある。
【００３６】
また、他の低誘電率膜材料としては、例えばＦＳＧ等のような完全有機系のＳｉＯＦ系材料、ＨＳＱ（hydrogen silsesquioxane）系材料、ＭＳＱ（methyl silsesquioxane）系材料、ポーラスＨＳＱ系材料、ポーラスＭＳＱ材料またはポーラス有機系材料を用いることもできる。
【００３７】
上記ＨＳＱ系材料としては、例えばＯＣＤ Ｔ−１２（東京応化工業製、比誘電率＝３．４〜２．９、耐熱温度＝４５０℃）、ＦＯｘ（米Dow Corning Corp．製、比誘電率＝２．９）またはＯＣＬ Ｔ−３２（東京応化工業製、比誘電率＝２．５、耐熱温度＝４５０℃）等がある。
【００３８】
上記ＭＳＱ系材料としては、例えばＯＣＤ Ｔ−９（東京応化工業製、比誘電率＝２．７、耐熱温度＝６００℃）、ＬＫＤ−Ｔ２００（ＪＳＲ製、比誘電率＝２．７〜２．５、耐熱温度＝４５０℃）、ＨＯＳＰ（米Honeywell Electronic Materials製、比誘電率＝２．５、耐熱温度＝５５０℃）、ＨＳＧ−ＲＺ２５（日立化成工業製、比誘電率＝２．５、耐熱温度＝６５０℃）、ＯＣＬ Ｔ−３１（東京応化工業製、比誘電率＝２．３、耐熱温度＝５００℃）またはＬＫＤ−Ｔ４００（ＪＳＲ製、比誘電率＝２．２〜２、耐熱温度＝４５０℃）等がある。
【００３９】
上記ポーラスＨＳＱ系材料としては、例えばＸＬＫ（米Dow Corning Corp．製、比誘電率＝２．５〜２）、ＯＣＬ Ｔ−７２（東京応化工業製、比誘電率＝２．２〜１．９、耐熱温度＝４５０℃）、Ｎａｎｏｇｌａｓｓ（米Honeywell Electronic Materials製、比誘電率＝２．２〜１．８、耐熱温度＝５００℃以上）またはＭｅｓｏＥＬＫ（米Air Productsand Chemicals,Inc、比誘電率＝２以下）等がある。
【００４０】
上記ポーラスＭＳＱ系材料としては、例えばＨＳＧ−６２１１Ｘ（日立化成工業製、比誘電率＝２．４、耐熱温度＝６５０℃）、ＡＬＣＡＰ−Ｓ（旭化成工業製、比誘電率＝２．３〜１．８、耐熱温度＝４５０℃）、ＯＣＬ Ｔ−７７（東京応化工業製、比誘電率＝２．２〜１．９、耐熱温度＝６００℃）、ＨＳＧ−６２１０Ｘ（日立化成工業製、比誘電率＝２．１、耐熱温度＝６５０℃）またはｓｉｌｉｃａ ａｅｒｏｇｅｌ（神戸製鋼所製、比誘電率１．４〜１．１）等がある。
【００４１】
上記ポーラス有機系材料としては、例えばＰｏｌｙＥＬＫ（米Air Productsand Chemicals,Inc、比誘電率＝２以下、耐熱温度＝４９０℃）等がある。
【００４２】
上記ＳｉＯＣ系材料、ＳｉＯＦ系材料は、例えばＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition）によって形成されている。例えば上記Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄは、トリメチルシランと酸素との混合ガスを用いたＣＶＤ法等によって形成される。また、上記ｐ−ＭＴＥＳは、例えばメチルトリエトキシシランとＮ２Ｏとの混合ガスを用いたＣＶＤ法等によって形成される。それ以外の上記低誘電率の絶縁材料は、例えば塗布法で形成されている。
【００４３】
上記絶縁膜３ｃは、例えば酸化シリコンにより形成されている。この絶縁膜３ｃは、例えば化学機械研磨処理（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）時における低誘電率膜の機械的強度の確保、表面保護および耐湿性の確保等のような機能を有している。この絶縁膜３ｃは、絶縁膜３ｄとほぼ同じ厚さで形成されている。絶縁膜３ｃの材料は、上記した酸化シリコン膜に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）膜、炭化シリコン膜または炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）膜を用いても良い。これら窒化シリコン膜、炭化シリコン膜または炭窒化シリコン膜は、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。プラズマＣＶＤ法で形成された炭化シリコン膜としては、例えばＢＬＯｋ（ＡＭＡＴ社製、比誘電率＝４．３）がある。
【００４４】
上記絶縁膜３ｄは、例えば炭窒化シリコンにより形成されている。この絶縁膜３ｄは、エッチングストッパとしての機能の他に、配線Ｌ２，Ｌ３の主導体膜を形成する銅の拡散を抑制または防止する機能を有している。
【００４５】
上記配線Ｌ２，Ｌ３は、上記埋込配線とされている。すなわち、配線Ｌ２，Ｌ３は、配線溝Ｔ２，Ｔ３に導体膜が埋め込まれることで形成されている。配線Ｌ２，Ｌ３の導体膜は、上記配線Ｌ３と同様に、主導体膜と、その外周面（底面および側面）を覆うように形成されたバリアメタル膜とを有している。主導体膜は、例えば銅（Ｃｕ）により形成されており、バリアメタル膜よりも厚く形成されている。バリアメタル膜の材料は、上記プラグＰＬ１，ＰＬ２と同じである。配線Ｌ３は、孔Ｈ３を通じて配線Ｌ２と電気的に接続されている。配線Ｌ３の配線溝Ｔ３の導体膜と孔Ｈ３の導体膜とは一体的に形成されている。
【００４６】
上記層間絶縁膜１Ｌｉ３は、例えば酸化シリコンにより形成されている。層間絶縁膜１Ｌｉ３には、プラグＰＬ３が形成されている。このプラグＰＬ３は、孔Ｈ４内に導体膜が埋め込まれることで形成されている。プラグＰＬ３を形成する導体膜は、上記プラグＰＬ１，ＰＬ２と同じである。
【００４７】
この層間絶縁膜１Ｌｉ３上には、配線、上記パッド１ＬＢ，１ＬＢｔおよび上記アライメントターゲットＡｍが形成されている。この配線、パッド１ＬＢ，１ＬＢｔおよびアライメントターゲットＡｍは、例えばアルミニウム等のような金属膜により形成されている。このような最上の配線およびパッド１ＬＢ，１ＬＢｔ等は、配線層１Ｌの最上層に形成された保護膜１Ｌｐにより覆われている。保護膜１Ｌｐは、例えば酸化シリコンのような無機系の絶縁膜１Ｌｐ１と、その上に堆積された、例えば窒化シリコンのような無機系の絶縁膜１Ｌｐ２と、さらにその上に堆積された、例えばポリイミド樹脂のような有機系の絶縁膜１Ｌｐ３との積層膜により形成されている。この保護膜１Ｌｐの一部には、開口部５が形成されており、そこからパッド１ＬＢ，１ＬＢｔの一部が露出されている。
【００４８】
ところで、本実施の形態１においては、上記テスト用のパッド１ＬＢｔ（ＴＥＧ用の素子や配線も含む）やアライメントターゲットＡｍが切断領域ＣＲの幅方向（短方向）の片側に寄せて配置されている。すなわち、上記テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍが切断領域ＣＲの幅方向中央からずれて配置されている。そして、ステルスダイシング時にレーザ光が照射される切断線ＣＬは、上記テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍの配置線上を通過せず、上記テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍの脇を通過するようになっている。すなわち、切断線ＣＬは、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを跨がずに、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍから離れた位置を通過するようになっている。
【００４９】
切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに重なる場合、その金属パターンのある箇所と無い箇所とで機械的強度にばらつきが生じることや上記低誘電率膜は脆く金属パターンから剥離し易いこと等により、綺麗に分割できない。また、切断線ＣＬがパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに重なる場合、切断時に上記金属パターンの切断部に、ひげ状の導体異物が残され、その導体異物がボンディングワイヤや電極等に接触して短絡不良を引き起こし、薄型の半導体装置の信頼性や歩留まりが低下する問題がある。
【００５０】
これに対して本実施の形態１では、切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに重ならないので、ウエハ１Ｗを綺麗に切断することができる。また、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等の金属パターンは切断されないので、上記のようなひげ状の導体異物の発生を防止することができる。したがって、薄型の半導体装置の信頼性や歩留まりを向上させることができる。
【００５１】
また、切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに重なる場合に、ステルスダイシング処理時にウエハ１Ｗの主面側からレーザ光を照射すると、パッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等が邪魔になって基板１Ｓに改質領域を形成することが困難になる。これに対して本実施の形態１では、切断線ＣＬはテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに重ならないので、ステルスダイシング処理時にレーザ光をウエハ１Ｗの主面から照射しても基板１Ｓに良好に後述の改質領域を形成することができる。したがって、レーザ照射の自由度を向上させることができる。
【００５２】
次いで、図１のテスト工程１０１では、ウエハ１Ｗの各チップ１Ｃのパッド１ＬＢおよび切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔにプローブを当てて各種の電気的特性検査を行う。このテスト工程は、Ｇ／Ｗ（Good chip/Wafer）チェック工程とも呼ばれ、主としてウエハ１Ｗに形成された各チップ１Ｃの良否を電気的に判定する試験工程である。
【００５３】
続く図１の後工程１０２は、上記チップ１Ｃを封止体（パッケージ）に収納し完成するまでの工程であり、裏面加工工程１０２Ａ、チップ分割工程１０２Ｂおよび組立工程１０２Ｃを有している。以下、裏面加工工程１０２Ａ、チップ分割工程１０２Ｂおよび組立工程１０２Ｃについて順に説明する。
【００５４】
裏面加工工程１０２Ａは、ウエハ１Ｗを薄型化する工程である。まず、裏面加工工程では、ウエハ１Ｗを治具に収容する。図８はウエハ１Ｗが収容された治具７の全体平面図、図９は図８のＸ３−Ｘ３線の断面図をそれぞれ示している。なお、図８ではウエハ１Ｗの主面のチップ１Ｃを破線で示した。
【００５５】
治具７は、テープ７ａとリング（枠体）７ｂとを有している。テープ７ａのテープベース７ａ１は、例えば柔軟性を持つプラスチック材料からなり、その主面には接着層７ａ２が形成されている。テープ７ａは、その接着層７ａ２によりウエハ１Ｗの主面（チップ形成面）にしっかりと貼り付けられている。テープ７ａの厚さ（テープベース７ａ１の厚さと接着層７ａ２の厚さとの総和）は、あまり厚いとその後の工程でのハンドリングやテープ７ａの剥離が難しくなるので、例えば１３０〜２１０μｍ程度の薄いものが使用されている。このテープ７ａとして、例えばＵＶテープを使用することも好ましい。ＵＶテープは、接着層７ａ２の材料として紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂が使用された粘着テープであり、強力な粘着力を持ちつつ、紫外線を照射すると接着層７ａ２の粘着力が急激に弱くなる性質を有している（工程１０２Ａ１）。
【００５６】
本実施の形態１では、このテープ７ａの主面（ウエハ１Ｗの貼付面）の外周に剛性を持つリング７ｂが貼り付けられている。リング７ｂは、テープ７ａが撓まないように支える機能を有する補強部材である。この補強の観点からリング７ｂは、例えばステンレス等のような金属により形成することが好ましいが、金属と同程度の硬度を持つように厚さを設定したプラスチック材料により形成しても良い。リング７ｂの外周には、切り欠き部７ｂ１，７ｂ２が形成されている。この切り欠き部７ｂ１，７ｂ２は、治具７のハンドリング時や治具７とこれを載置する製造装置との位置合わせ時に使用する他、製造装置に治具７を固定する際の引っかかり部として使用される。なお、リング７ｂはテープ７ａの裏面（ウエハ１Ｗの貼付面とは反対側の面）に貼り付けても良い。また、リング７ｂは、テープ３７にウエハ１Ｗを貼り付ける前に貼り付けても良いし、テープ７ａにウエハ１Ｗを貼り付けた後に貼り付けても良い。
【００５７】
続いて、ウエハ１Ｗを治具７に収めた状態で、ウエハ１Ｗの厚さを測定し、その測定結果に基づいて研削量および研磨量を算出した後（工程１０２Ａ２）、裏面研削（工程１０２Ａ３）、研磨工程（工程１０２Ａ４）に移行する。図１０は裏面加工工程時のウエハ１Ｗおよび治具７の断面図、図１１は裏面加工工程後のウエハ１Ｗおよび治具７の断面図を示している。ここでは、図１０に示すように、研削研磨工具８および吸着ステージ９を回転させて、上記研削量および研磨量に基づいて、ウエハ１Ｗの裏面に対して研削処理および研磨処理を順に施す。これにより、図１１に示すように、ウエハ１Ｗの厚さを、例えば１００μｍ以下（ここでは、例えば９０μｍ程度）の極めて薄い厚さ（極薄）にする。上記研磨処理としては、研磨パッドとシリカとを用いて研磨する方法や化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法の他、例えば硝酸とフッ酸とを用いたエッチング法を用いても良い。ここで、チップ１Ｃの厚さが薄くなり１００μｍ以下になってくると上記研削処理によりウエハ１Ｗの裏面に生じた損傷やストレスが原因でチップの抗折強度が低下しチップ１Ｃを実装する時の圧力でチップが割れる不具合が生じ易くなる。そこで、研削処理後に研磨処理を施すことにより、研削処理によりウエハ１Ｗの裏面に生じた損傷やストレスを低減または無くすことができるので、薄いチップ１Ｃの抗折強度を向上させることができる。
【００５８】
以上のような裏面加工工程後、吸着ステージ９の真空吸引状態を解除し、ウエハ１Ｗを保持する治具７を裏面加工装置から取り出す。この時、本実施の形態１では、ウエハ１Ｗが極薄とされていてもリング７ｂによりテープ７ａをしっかりと支えることができるので、極薄のウエハ１Ｗのハンドリングや搬送を容易にすることができる。また、そのハンドリングや搬送時にウエハ１Ｗが割れたり反ったりすることを防止することができる。したがって、ウエハ１Ｗの品質を確保することができるようになっている。このため、本実施の形態１では、この裏面加工後の段階で極薄のウエハ１Ｗを治具７に保持させたままの状態で、他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、裏面加工後のダイシングおよび組立を依頼しても良い。
【００５９】
次に、チップ分割工程１０２Ｂに移行する。ここでは、まず、極薄のウエハ１Ｗを保持した治具７をそのままダイシング装置に搬送し、ダイシング装置の吸着ステージに載置する。すなわち、通常は、裏面加工時にウエハ１Ｗの主面に貼り付けたテープを剥がして、ウエハ１Ｗの裏面にダイシングテープを貼り付ける（ウエハマウント）工程が必要とされているが、本実施の形態１では、そのウエハマウント工程を削減できるので、半導体装置の製造工程を簡素化することができる。したがって、半導体装置の製造時間を短縮できる。また、ダイシングテープを不要とすることができるので、材料費を低減でき、半導体装置のコストを低減できる。
【００６０】
続いて、本実施の形態１では、治具７を真空吸引した状態でウエハ１Ｗの裏面から赤外線カメラ（以下、ＩＲカメラという）によりウエハ１Ｗの主面のパターン（チップ１Ｃや切断領域ＣＲのパターンの他、切断領域ＣＲに配置されているパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンやチップ１Ｃ内に配置されているパッド１ＬＢ等のような金属パターン）を認識する（工程１０２Ｂ１）。この時、本実施の形態１では、ウエハ１Ｗが極めて薄いのでウエハ１Ｗの主面のパターンの様子を充分に観測できる。
【００６１】
その後、上記ＩＲカメラで得られたパターン情報に基づいて切断線ＣＬの位置合わせ（位置補正）を実施した後、レーザ発生部から放射されたレーザ光（第１レーザ）ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面側から基板１Ｓの内部に集光点（焦点）を合わせた状態で照射するとともに、上記パターン情報に基づいて位置合わせされた切断線ＣＬに沿って移動させる（工程１０２Ｂ２）。図１２は上記レーザ照射工程後のウエハ１Ｗの要部平面図、図１３は図１２のＸ４−Ｘ４線の断面図を示している。レーザ照射工程により、ウエハ１Ｗの切断領域ＣＲにおける基板１Ｓの内部に多光子吸収による改質領域（光学的損傷部または破砕層）ＰＲを形成する。図１２では、レーザ光ＬＢ１を切断領域ＣＲに沿って連続的に照射することにより、改質領域ＰＲが切断線ＣＬに沿って連続的に延在した状態で形成されている場合が例示されている。
【００６２】
この改質領域ＰＲは、ウエハ１Ｗの内部が多光子吸収によって加熱され溶融されたことで形成されており、後のチップ分割工程時のウエハ１Ｗの切断起点領域となる。この溶融処理領域は、一旦溶融した後に再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。例えば基板１Ｓ部分では、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造および多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。ここでは、改質層ＰＲは、例えば非晶質シリコンとされている。また、ここでは、レーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面を透過させてウエハ１Ｗの内部に多光子吸収を発生させて改質領域ＰＲを形成しており、ウエハ１Ｗの裏面ではレーザ光ＬＢ１がほとんど吸収されていないので、ウエハ１Ｗの裏面が溶融することはない。
【００６３】
ここで、上記のようなレーザ光ＬＢ１の照射に際して、本実施の形態１では、レーザ光ＬＢ１を、切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔの脇に照射する。すなわち、レーザ光ＬＢ１をパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに平面的に重ならないように照射する。すなわち、ウエハ１Ｗの分割起点（改質領域ＰＲ）がパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに平面的に重ならないようにする。これにより、ウエハ１Ｗの切断時に、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等の金属パターンが切断されないので、ウエハ１Ｗを綺麗に切断できる。すなわち、ウエハ１Ｗの切断形状不良を低減または防止できる。また、切断箇所に上記のようなひげ状の導体異物が発生するのを防止することができる。したがって、薄型の半導体装置の信頼性や歩留まりを向上させることができる。
【００６４】
また、ダイシングブレードによりウエハ１Ｗを切断するブレードダイシング方式の場合、ウエハ１Ｗが薄くなってくると切断時にチッピングが生じ易くなりチップの抗折強度が低下するので、チップ１Ｃの品質を確保する観点から低速（例えば毎秒６０ｍｍ程度またはウエハ１Ｗの厚さに応じてそれ以下）で処理せざるを得なくなってくる。これに対して、本実施の形態１の場合、ウエハ１Ｗの表面に損傷を与えず内部のみを割断するため、チップ１Ｃの表面に存在するチッピングを極少に抑えることができる。このため、チップ１Ｃの抗折強度を向上させることができる。また、例えば毎秒３００ｍｍという高速な切断処理ができるので、スループットを向上させることができる。
【００６５】
また、上記のようにウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲには、ウエハ１Ｗの主面側からレーザ光ＬＢ１を照射するとテスト用のパッド１ＬＢｔが邪魔になりその部分の加工（改質領域ＰＲの形成）が上手くできない場合がある。これに対して、本実施の形態１では、テスト用のパッド１ＬＢｔ等のようなメタルの存在しないウエハ１Ｗの裏面側からレーザ光ＬＢ１を照射するので、上記のような不具合を生じることなく良好に改質領域ＰＲを形成でき、ウエハ１Ｗを良好に切断することができる。
【００６６】
上記改質領域ＰＲは、図１４および図１５に示すように、破線状（ドット状）に形成しても良い。図１４は、改質領域ＰＲが切断線ＣＬに沿って破線状（ドット状）に配置されている場合が例示されている。すなわち、改質領域ＰＲが切断線ＣＬに沿って途切れ途切れに等間隔に配置されている。層間絶縁膜１Ｌｉに使用されている上記低誘電率膜（絶縁膜３ｂ）は熱伝導率が低く熱がこもり易いためレーザ光ＬＢ１の照射時の熱により変色することがある。そこで、レーザ光ＬＢ１を断続的に照射することにより、レーザ光ＬＢ１の照射面積を小さくでき、レーザ光ＬＢ１の照射による熱の発生を極力抑えることができるので、熱による低誘電率膜の変色を抑制または防止することができる。また、図１５は、改質領域ＰＲが、例えば互いに直交する切断線ＣＬの交点部分やＴＥＧの微細なパターンが集中して配置されている箇所等、分割し難い箇所に集中的に配置されている場合が例示されている。これにより、分割し難い部分も容易に分割できるようになるので、ウエハ１Ｗを綺麗に分割できる。なお、図１４および図１５のＸ４−Ｘ４線の断面は図１３と同じである。また、特に限定されるものではないが、レーザ光ＬＢ１の照射条件は、例えば以下の通りである。すなわち、光源は、例えば波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ、レーザスポット径は、例えば１〜２μｍ、照射速度は３００ｍｍ／ｓとし、０．７μｍ間隔で照射した。なお、上記集光点とはレーザ光ＬＢ１が集光した箇所である。
【００６７】
次いで、ウエハ１Ｗの分割工程に移行する（工程１０２Ｂ３）。図１６は分割工程前のウエハ１Ｗの要部断面図、図１７は分割工程時のウエハ１Ｗの要部断面図、図１８は図１７のウエハ１Ｗの要部拡大断面図、図１９は分割工程中のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。
【００６８】
まず、図１６に示すように、ＩＲカメラ１２によりウエハ１Ｗの主面のパターン（チップ１Ｃや切断領域ＣＲのパターンの他、切断領域ＣＲに配置されているパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンやチップ１Ｃ内に配置されているパッド１ＬＢ等のような金属パターン）や改質領域ＰＲを認識する。
【００６９】
続いて、治具７のテープ７ａの裏面に、一対のラインバキュームチャック１３を配置し、そのラインバキュームチャック１３の位置を上記ＩＲカメラ１２で得た位置情報に基づいて合わせ、その状態で一対のラインバキュームチャック１３によりテープ７ａを吸引する。一対のラインバキュームチャック１３は、ウエハ１Ｗの端から端（紙面に垂直な方向）に延在している。一対のラインバキュームチャック１３の各々の対向側面の一方には傾斜が形成されている。
【００７０】
その後、図１７および図１８に示すように、一方のラインバキュームチャック１３（図１７および図１８の左側）を、その側面（傾斜面）が、他方のラインバキュームチャック１３の対向側面に当たるまで回転させるように移動することによりウエハ１Ｗを折り曲げる。これにより、改質領域ＰＲを分割起点としてウエハ１Ｗを切断（分割）する。その後、図１９に示すように、上記一方のラインバキュームチャック１３を元の位置まで戻した後、一対のラインバキュームチャック１３を次の切断位置まで移動する。その後、上記と同様にしてウエハ１Ｗを切断する。以降、このような作業をウエハ１Ｗの全てのチップ１Ｃの周囲が切断されるまで繰り返す。本実施の形態１では、切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍに重ならない。これにより、分割方法としてエキスパンド方式を採用しても、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等の金属パターンは切断されないので、上記のようなひげ状の導体異物の発生を防止することができる。しかしながら、上記したように、エキスパンド方式の場合、ウエハ１Ｗの中心から外周（放射線状）に向かう方向に樹脂シートが引き延ばされるため、チップ１Ｃは切断線ＣＬに対して交差する方向（垂直方向）に引き離されない。言い換えると、切断線ＣＬに対して交差する方向に切断するための荷重（応力）が伝わらない。この結果、ウエハ１Ｗを綺麗に切断することが出来ない可能性がある。場合によってはチップの外周にチッピングが生じる可能性もある。これに対し、折り曲げ方式を適用すれば、切断線ＣＬに対して交差する方向に切断する荷重を伝えることが可能であるため、ウエハ１Ｗを綺麗に切断することが出来る。
【００７１】
図２０は、上記のようにしてウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図を示している。ここでは、チップ１Ｃの長手方向の一端の一辺のみに沿って複数のパッド１ＬＢが配置されている場合が例示されている。本実施の形態１の場合、チップ１Ｃの外周（互いに交差（直交）する２辺）に切断領域ＣＲの一部が残され、その切断領域ＣＲ内にテスト用のパッド１ＬＢｔが残されている。なお、本実施の形態１では、上記のようなステルスダイシング後、極薄の複数のチップ１Ｃを載せた治具７を、他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、ダイシング工程後の組立を依頼しても良い。
【００７２】
次に、組立工程１０２Ｃに移行する。ここでは、複数のチップ１Ｃを保持した治具７をピックアップ装置に搬送する。ピックアップ装置では、テープ７ａの裏面を真空吸引した状態で、押上ピンによりテープ７ａの裏面からチップ１Ｃを押し上げる。この時、テープ７ａとして上記ＵＶテープを使用した場合にはテープ７ａの接着層７ａ２に紫外線を照射することにより接着層７ａ２を硬化させ接着力を弱める。この状態でチップ１Ｃをコレットにより真空吸引することにより、チップ１Ｃをピックアップする（工程１０２Ｃ１）。
【００７３】
続いて、上記のようにしてピックアップしたチップ１Ｃを既存の反転ユニットによりチップ１Ｃの主面が上を向くように反転させた後、チップ１Ｃを配線基板等に実装する（ダイボンディング工程１０２Ｃ２）。図２１はダイボンディング工程後のチップ１Ｃおよび配線基板１５の平面図、図２２は図２１のＸ５−Ｘ５線の断面図を示している。配線基板１５の主面上には、例えば３つのチップ１Ｃがその主面を上に向け積層された状態で実装されている。３つのチップ１Ｃは、各チップ１Ｃのパッド１ＬＢが露出されるように平面的にずれた状態で積み重ねられている。配線基板１５は、プリント配線基板により形成されているが、これに代えてリードフレームを用いても良い。なお、ピックアップしたチップ１Ｃを搬送トレイに収容して他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、この工程後の組立を依頼しても良い（工程１０３Ａ）。
【００７４】
続いて、ワイヤボンディング工程に移行する（工程１０２Ｃ３）。図２３はワイヤボンディング工程後のチップ１Ｃおよび配線基板１５の平面図、図２４は図２３のＸ６−Ｘ６線の断面図を示している。この工程では、チップ１Ｃの主面のパッド１ＬＢと配線基板１５の電極とをボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）１７により電気的に接続する。ここで、図６４に示すように、上段のチップ１Ｃのパッド１ＬＢと下段のチップ１Ｃのパッド１ＬＢとをワイヤ１７により電気的に接続する、すなわち、共通パッド同士を電気的に接続するステップボンディング方式を用いてもよい。
【００７５】
続いて、封止工程に移行する（工程１０２Ｃ４）。図２５は封止工程後の半導体装置の断面図を示している。この工程では、トランスファモールド法を用いてエポキシ樹脂等のようなプラスチック材料からなる封止体１８によりチップ１Ｃおよびワイヤ１７を封止する。その後、配線基板１５の裏面にバンプ電極１９を形成し、半導体装置を製造する。
【００７６】
チップ１Ｃがバンプ電極（突起電極）を持つ場合は、例えば次のようにする。まず、上記ピックアップ工程１０２Ｃ１においてチップ１Ｃを配線基板１５のチップ実装領域に移送する。この時、バンプ電極は、パッド１ＬＢおよびテスト用のパッド１ＬＢｔに接続することでチップが傾くことなく配線基板１５に実装することができる。続いて、チップ１Ｃの主面（バンプ電極形成面）を配線基板１５のチップ実装面に向けた状態でチップ１Ｃのバンプ電極とチップ実装領域の電極とをペースト材を用いて仮固定する。その後、リフロ処理することでチップ１Ｃのバンプ電極とプリント配線基板１５の電極とを固着する（フリップチップボンディング：工程１０２Ｃ２）。その後、チップ１Ｃと配線基板１５との対向面間にアンダーフィルを充填した後、チップ１Ｃを上記と同様に封止する（工程１０４Ｃ４）。
【００７７】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、チップ１Ｃ内のパッド１ＬＢの配置の変形例を説明する。図２６は、本実施の形態２のチップ１Ｃの全体平面図を示している。本実施の形態２では、チップ１Ｃの互いに交差（直交）する２辺の各々に沿って複数のパッド１ＬＢが配置されている。それ以外は前記実施の形態１と同じであり、チップ１Ｃの外周（互いに交差（直交）する２辺）に切断領域ＣＲの一部が残され、その切断領域ＣＲ内にテスト用のパッド１ＬＢｔが残されている。
【００７８】
図２７は図２６のチップ１Ｃの実装例の平面図を示している。図２７のＸ７−Ｘ７線の断面図は前記図２２と同じである。配線基板１５の主面上には、例えば３つのチップ１Ｃがその主面を上に向け積層された状態で実装されている。３つのチップ１Ｃは、各チップ１Ｃの２辺に沿って配置された複数のパッド１ＬＢが露出されるように平面的にずれた状態で積み重ねられている。
【００７９】
（実施の形態３）
まず、実施の形態３の説明の前に発明者が初めて見出した課題について説明する。上記のようにウエハ１Ｗの分割においては、切断領域ＣＲに存在するテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンの切断部分に上記ひげ状の導体異物が生じる問題がある。この問題を回避すべく、本発明者は切断領域ＣＲのパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンにミシン目状または直線状の溝を形成するようにした。しかし、分割方式として上記エキスパンド方式を採用した場合は、上記金属パターンにミシン目状または直線状の溝を形成しても、ひげ状の導体異物の発生を上手く抑えることができないという問題がある。また、切断領域ＣＲの隣接する金属パターンの間の絶縁膜のみの部分では切断線が蛇行し綺麗に切断できないという問題がある。
【００８０】
そこで、ウエハ１Ｗを折り曲げることで個々のチップ１Ｃに分割する折り曲げ方式を採用してみると、上記ひげ状の導体異物の発生をエキスパンド方式に比べて低減できた。しかし、折り曲げ方式の場合でも、金属パターンの間で切断線が蛇行してしまう。特に上記のように層間絶縁膜に低誘電率膜を使用している場合、低誘電率膜は脆く亀裂が入り易いので上記金属パターンの隣接間の切断部分で大きく蛇行するような亀裂が入り、充分に綺麗に切断することができないという問題がある。ここで、本発明者は上記金属パターンの隣接間の層間絶縁膜部分にレーザ光を照射して分割起点のための溝を形成しようとしてみたが、本実施の形態３では、このような問題を解決する手段を説明する。図２８は本実施の形態３のウエハ１Ｗの要部平面図、図２９は図２８のＸ８−Ｘ８線の断面図、図３０は図２８のＸ９−Ｘ９線の断面図を示している。
【００８１】
図２８〜図３０に示すウエハ１Ｗは、前記図１の前工程１００およびテスト工程１０１を経た後であって後工程１０２前のウエハ１Ｗを示している。本実施の形態３では、切断領域ＣＲの切断線ＣＬ上に、テスト用のパッド１ＬＢｔおよびアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが配置されている。すなわち、切断線ＣＬがテスト用のパッド１ＬＢｔおよびアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに重なるようになっている。また、切断線ＣＬ上には、互いに隣接するテスト用のパッド１ＬＢｔの間隙やテスト用のパッド１ＬＢｔとアライメントターゲットＡｍとの間隙を埋めるように金属パターン２０が形成されている。ただし、金属パターン２０は、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンとは接しておらず電気的に浮遊状態となっている。また、金属パターン２０は、テスト用のパッド１ＬＢｔおよびアライメントターゲットＡｍと同一工程時に同一材料で形成されている。ただし、ここでは、金属パターン２０の幅（短方向寸法）は、テスト用のパッド１ＬＢｔの一辺の長さよりも小さく、例えば５〜１０μｍ程度とされている。これにより、材料費を低減できる。このような金属パターン２０の上面一部は、保護膜１Ｌｐに開口された開口部５を通じて露出されている。
【００８２】
次いで、このようなウエハ１Ｗに対して前記実施の形態１と同様に裏面加工工程１０２Ａを施して薄型化した後、チップ分割工程１０２Ｂに移行する。チップ分割工程では、前記実施の形態１と同様にウエハ主面のパターン認識工程１０２Ｂ１を経た後、レーザ照射工程１０２Ｂ２に移行する。本実施の形態３では、２回のレーザ光照射を行う。
【００８３】
１回目のレーザ光照射は、切断領域ＣＲの金属パターンに分割起点を形成するためのものである。図３１および図３２は、１回目のレーザ光ＬＢ２を照射している様子を示すウエハ１Ｗの要部断面図である。図３１は図２８のＸ８−Ｘ８線に対応し、図３２は図２８のＸ９−Ｘ９線に対応している。１回目のレーザ光照射では、上記ＩＲカメラで得られたパターン情報に基づいて切断線ＣＬの位置合わせ（位置補正）を実施した後、レーザ発生部から放射されたレーザ光ＬＢ２をウエハ１Ｗの裏面側からテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に焦点を合わせて照射するとともに、上記パターン情報に基づいて位置合わせされた切断線に沿って移動させる。本実施の形態３の切断線は、切断領域ＣＲの幅方向（短方向）のほぼ中央であってテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に重なる。レーザ光ＬＢ２の照射条件は、例えば以下の通りである。すなわち、光源は、例えば波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ、照射速度は３００ｍｍ／ｓとした。
【００８４】
図３３は上記レーザ光ＬＢ２の照射工程後のウエハ１Ｗの要部平面図、図３４および図３５は図３３のＸ１０−Ｘ１０線およびＸ１１−Ｘ１１線の断面図を示している。上記のようにレーザ光ＬＢ２を照射することにより、テスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に切断線に沿って平面ミシン目状（破線状、ドット状）に複数の孔２１を形成する。この孔２１はウエハ１Ｗの分割（切断）工程時に分割起点となる。すなわち、本実施の形態３では、互いに隣接するテスト用のパッド１ＬＢｔの間やテスト用のパッド１ＬＢｔとアライメントターゲットＡｍとの間に金属パターン２０を設けたことにより、互いに隣接するテスト用のパッド１ＬＢｔの間やテスト用のパッド１ＬＢｔとアライメントターゲットＡｍとの間にも分割起点となる複数の孔２１の配列を形成することができる。レーザ光ＬＢ２の照射に際しては、溶融異物がテスト用のパッド１ＬＢｔ等に付着するので、その溶融異物が飛散するのを抑制または防止する観点からテープ７ａを切断領域ＣＲの凹凸に密着させることが重要である。
【００８５】
２回目のレーザ光照射は、前記実施の形態１で説明した改質領域ＰＲの形成のためのものである。図３６および図３７は、２回目のレーザ光ＬＢ１を照射している様子を示すウエハ１Ｗの要部断面図である。図３６は図２８のＸ８−Ｘ８線に対応し、図３７は図２８のＸ９−Ｘ９線に対応している。ここでは、前記実施の形態１と同様に、レーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面側から基板１Ｓの内部に焦点を合わせて照射する。このようにして基板１Ｓに改質領域ＰＲを形成する。ただし、本実施の形態３では、レーザ光ＬＢ１を切断領域ＣＲの幅方向（短方向）中央に照射する。すなわち、レーザ光ＬＢ１の発生部の動作軌跡は、上記レーザ光ＬＢ２の発生部の動作軌跡と同一である。ただし、改質領域ＰＲの平面形状は前記実施の形態１で説明したように平面的に直線状に形成する場合もあるし、破線状に形成する場合もある。レーザ光ＬＢ１，ＬＢ２をウエハ１Ｗの同じ裏面側から照射する場合、レーザ光ＬＢ２を照射した後に、レーザ光ＬＢ１を照射する。これは、レーザ光ＬＢ１の照射をレーザ光ＬＢ２の照射よりも先に行うと、レーザ光ＬＢ２の照射に際して、レーザ光ＬＢ１の照射により基板１Ｓに形成された改質領域ＰＲが邪魔になり、切断領域ＣＲの金属パターンに孔２１を形成することができなくなってしまうからである。
【００８６】
次いで、分割工程１０２Ｂ３では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図３８はウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図、図３９は図３８のＸ１２−Ｘ１２線の断面図を示している。本実施の形態３の場合、孔２１の配列に沿ってウエハ１Ｗを綺麗に切断することができる。すなわち、層間絶縁膜に低誘電率膜を使用している場合であっても、また、互いに隣接するテスト用のパッド１ＬＢｔの間やテスト用のパッド１ＬＢｔとアライメントターゲットＡｍとの間においても、複数の孔２１の配列に沿って蛇行せずにウエハ１Ｗを分割（切断）することができる。したがって、ウエハ１Ｗの切断形状不良を低減または防止できるので、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。なお、チップ１Ｃの外周にはテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０の一部が残されている。また、組立工程１０２Ｃについては前記実施の形態１と同じなので説明を省略する。
【００８７】
（実施の形態４）
前記実施の形態１〜３では、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやＴＥＧ用の素子が残されるので、外部にＴＥＧ情報が漏れる、という問題がある。本実施の形態４は、このような問題を回避するための手段を説明するものである。以下、本実施の形態４の半導体装置の製造方法例を図４０のフロー図に沿って図４１〜図５０により説明する。
【００８８】
まず、前記実施の形態１と同様に、前工程２００、テスト工程２０１を経た後、後工程２０２に移行する。後工程２０２の裏面加工工程２０２Ａでは、ウエハ１Ｗの主面上に接着層を介して支持基板を貼り付ける（工程２０２Ａ１）。図４１は支持基板２４の装着後のウエハ１Ｗの断面図を示している。
【００８９】
この支持基板２４は、この後の工程においてウエハ１Ｗの補強部材として機能するウエハサポートシステム（Wafer Support System:ＷＳＳ）である。これにより、ウエハ１Ｗの搬送時においては、極薄で大径のウエハ１Ｗを安定した状態でハンドリングできる上、ウエハ１Ｗを外部の衝撃から保護することもできるので、ウエハ１Ｗの割れや欠け等を抑制または防止できる。また、この後の各工程時においては、ウエハ１Ｗの反りや撓みを抑制または防止でき、極薄で大径のウエハ１Ｗの平坦性を向上させることができるので、各工程での処理の安定性や制御性を向上させることができる。
【００９０】
支持基板２４の材料としては、例えば透明なガラスのような硬質支持基板（Ｈａｒｄ−ＷＳＳまたはＧｌａｓｓ−ＷＳＳ）が使用されている。ただし、支持基板２４の他の材料として、例えばステンレスのような他の硬質支持基板（Ｈａｒｄ−ＷＳＳ）を用いても良い。また、支持基板２４のさらに他の材料として、例えばＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）やＰＥＮ（Polyethylene Naphthalate）等のような絶縁支持基板をテープ基材に貼り付けたテープＷＳＳを用いても良い。
【００９１】
なお、支持基板２４をウエハ１Ｗの主面に貼り付ける際には、支持基板２４の剥離層２４ａの形成面をウエハ１Ｗ主面側の接着層２５に押し付けることで支持基板２４をウエハ１Ｗの主面に固定する。この剥離層２４ａは、支持基板２４をウエハ１Ｗから剥離する際に剥離を容易にするための機能層である。支持基板に代えて、いわゆるＢＧテープを使用しても良い。
【００９２】
次いで、前記実施の形態１と同様に、ウエハ１Ｗの厚さを測定した後、その測定結果に基づいてウエハ１Ｗの裏面に対して研削処理および研磨処理（平坦加工）を順に施す（工程２０２Ａ２，２０２Ａ３）。図４２はウエハ１Ｗの薄型化工程後の断面図を示している。図４２の破線は、薄型化処理前の基板１Ｓを示している。
【００９３】
続いて、チップ分割工程２０２Ｂに移行する。チップ分割工程２０２Ｂのレーザ照射工程２０２Ｂ２は、前記実施の形態１で説明した改質領域ＰＲの形成のためのものである。図４３はレーザ光ＬＢ１を照射している様子を示すウエハ１Ｗの要部断面図である。
【００９４】
本実施の形態４においても、前記実施の形態１と同様にして、レーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面側から基板１Ｓの内部に焦点を合わせて照射することにより、基板１Ｓに改質領域ＰＲを形成する。ただし、本実施の形態４では、レーザ光ＬＢ１をテスト用のパッド１ＬＢｔ等のような金属パターンの両脇であってチップ１Ｃと切断領域ＣＲとの境界または間に当たる平面位置に照射する。改質領域ＰＲの平面形状は前記実施の形態１で説明したように平面的に直線状に形成する場合もあるし、破線状に形成する場合もある。
【００９５】
その後、ウエハマウント工程２０２Ｂ２では、ウエハ１Ｗを治具に貼りかえる。図４４はウエハマウント工程２０２Ｂ２およびＷＳＳ剥離工程２０２Ｂ３後のウエハ１Ｗおよび治具７の平面図、図４５は図４４のＸ１３−Ｘ１３線の断面図を示している。
【００９６】
ウエハマウント工程２０２Ｂ２では、ウエハ１Ｗの主面（デバイス形成面）に支持基板２４を貼り付けたままの状態でウエハ１Ｗの裏面を治具７のテープ７ａに貼り付ける。ウエハ１Ｗはテープ７ａの接着層７ａ２によりしっかりと固定されている。これにより、ウエハ１Ｗは、その主面が表になって露出された状態で治具７に収容される。
【００９７】
続いて、ＷＳＳ剥離工程２０２Ｂ３では、レーザ光を、ウエハ１Ｗの主面上の接着層２５に焦点を合わせた状態で透明な支持基板２４を介してウエハ１Ｗの主面の端から端まで走査し照射する。これにより、支持基板２４をウエハ１Ｗから剥離した後、ウエハ１Ｗの主面上の接着層２５を除去する。この工程のレーザ光の条件は、例えば波長１０６４ｎｍの赤外線レーザ、出力：２０Ｗ、照射速度：２０００ｍｍ／ｓ、スポット径：ｆ２００μｍ程度である。接着層２５を、例えば紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）により形成した場合は、上記レーザ光は、赤外線レーザに代えて紫外線レーザを使用する。これにより、接着層２５の粘着力を弱めることができるので、支持基板２４を容易に剥離することができる。
【００９８】
次いで、本実施の形態４ではＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４に移行する。ＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４では、ウエハ１Ｗを収容した治具７をダイシング装置のダイシングステージに載せて回転するダイシングソー（ブレードダイシング方式）によりＴＥＧを除去する。図４６はこのＴＥＧ加工工程中のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。ダイシングソー２６は、その断面が矩形状のものを使用した。このダイシングソー２６を切断領域ＣＲに合わせた後、回転させた状態でウエハ１Ｗの主面に接するように下降する。これにより、ＴＥＧのテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンを除去する。図４７はＴＥＧ加工工程後のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。ここでは、切断領域ＣＲにおけるテスト用のパッド１ＬＢｔ等のような金属パターンが完全に除去されており、ウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲに溝２７が形成されている。溝２７の深さは、配線層１Ｌ途中とされているが、基板１Ｓに達しても良い。ただし、基板１Ｓを完全に切断してしまわないようにする。
【００９９】
続いて、分割工程２０２Ｂ５では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図４８は分割工程２０２Ｂ５中のウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。この場合、一般的に切断領域ＣＲ内の２箇所の改質領域ＰＲのうち、機械的強度の弱いいずれか一方側で亀裂が入りウエハ１Ｗが切断される。本実施の形態４の場合、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが除去されているので、上記ひげ状の導体異物は発生しない。
【０１００】
図４９はウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図、図５０は図４９のＸ１４−Ｘ１４線の断面図を示している。本実施の形態４の場合、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが残されていないので、ＴＥＧ情報の漏洩を防止することができる。
【０１０１】
その後の組立工程２０２Ｃ（２０２Ｃ１〜２０２Ｃ４，２０３Ａ）については前記実施の形態１の組み立工程１０２Ｃ（１０２Ｃ１〜１０２Ｃ４，１０３Ａ）と同じなので説明を省略する。
【０１０２】
（実施の形態５）
前記実施の形態４では、ＴＥＧ情報の漏洩を防止できるが、前記実施の形態３で説明した切断線が蛇行してしまう問題がある。本実施の形態５では、その問題を回避するための手段を説明するものである。
【０１０３】
まず、前記実施の形態４と同様に、前工程２００、テスト工程２０１および後工程２０２の裏面加工工程２０２Ａを経た後、チップ分割工程２０２Ｂのレーザ照射工程２０２Ｂ１に移行する。図５１は本実施の形態５の場合のレーザ照射工程中のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。ここでは、前記実施の形態１〜４と同様にレーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面から基板１Ｓの内部に焦点を合わせて照射し、基板１Ｓに改質領域ＰＲを形成する。ただし、本実施の形態５では、レーザ光ＬＢ１を切断領域ＣＲの幅方向（短方向）中央に照射する。すなわち、レーザ光ＬＢ１をテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンと平面的に重なる位置に照射する。改質領域ＰＲの平面形状は前記実施の形態１で説明したように平面的に直線状に形成する場合もあるし、破線状に形成する場合もある。
【０１０４】
続いて、前記実施の形態４と同様に、ウエハマウント工程２０２Ｂ２、ＷＳＳの剥離工程２０２Ｂ３を経た後、ＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４に移行する。図５２はＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４中におけるウエハ１Ｗの要部断面図を示している。このＴＥＧ加工工程では、前記実施の形態４と同様に、回転状態のダイシングソー２６をウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲに当ててテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンを除去する。ただし、本実施の形態５では、ダイシングソー２６として、その外周先端の断面形状が楔形（断面Ｖ字状）に形成されているものを使用する。
【０１０５】
図５３はＴＥＧ加工工程後のウエハ１Ｗの要部平面図、図５４は図５３のＸ１５−Ｘ１５線の断面図を示している。ここでは、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが完全に除去されており、ウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲの層間絶縁膜１Ｌｉ（配線層１Ｌ）上面に溝２７が形成されている。この溝２７の深さは、前記実施の形態４と同じである。ただし、本実施の形態５において溝２７は深くなるにつれて幅が次第に狭くなっている。すなわち、溝２７の断面形状がＶ字状に形成されている。溝２７の最も深い部分は、分割工程２０２Ｂ５時に層間絶縁膜１Ｌｉの分割起点として作用する部分である。溝２７は、その分割起点として作用する部分の平面位置が、切断領域ＣＲの幅方向（短方向）の中央に位置するように、すなわち、上記改質領域ＰＲの平面位置（すなわち、切断線ＣＬ）に一致するように形成されている。
【０１０６】
続いて、分割工程２０２Ｂ５では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図５５は分割工程２０２Ｂ５中のウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。この場合、ウエハ１Ｗは基板１Ｓの改質領域ＰＲおよび配線層１Ｌの溝２７を分割起点として分割（切断）される。
【０１０７】
本実施の形態５の場合、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが除去されているので、上記ひげ状の導体異物は発生しない。また、溝２７を断面Ｖ字状に形成したことにより、層間絶縁膜として低誘電率膜を使用していたとしても、ウエハ１Ｗ（特にウエハ１Ｗの主面側の層間絶縁膜１Ｌｉ）を溝２７に沿って蛇行することなく綺麗に分割(切断)することができる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
【０１０８】
図５６はウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図、図５７は図５６のＸ１６−Ｘ１６線の断面図を示している。本実施の形態５の場合、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが残されていないので、ＴＥＧ情報の漏洩を防止することができる。また、本実施の形態５では、チップ１Ｃの主面側の外周角が傾斜している。すなわち、チップ１Ｃの主面側の外周角にテーパが形成されている。これにより、チップ１Ｃの搬送時等においてチップ１Ｃの外周角が欠けるのを低減できる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、異物発生を低減できる。
【０１０９】
その後の組立工程２０２Ｃ（２０２Ｃ１〜２０２Ｃ４，２０３Ａ）については前記実施の形態１の組み立工程１０２Ｃ（１０２Ｃ１〜１０２Ｃ４，１０３Ａ）と同じなので説明を省略する。
【０１１０】
（実施の形態６）
本実施の形態６ではＴＥＧ情報の漏洩防止のためＴＥＧをレーザ光により除去する方法例を説明する。
【０１１１】
まず、前記実施の形態５と同様に、前工程２００〜ＷＳＳの剥離工程２０３Ｂ３を経た後、ＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４においてＴＥＧをレーザ光により除去する。図５８はこのＴＥＧ加工工程中のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。レーザ光（第２レーザ）ＬＢ３をウエハ１Ｗの主面側からテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに照射することにより、その金属パターンを溶融して除去する。レーザ光ＬＢ３は、例えば波長が３５５ｎｍの紫外光等のように、上記改質領域ＰＲ形成時のレーザ光ＬＢ１の波長よりも短波長のレーザ光を使用する。各金属パターンに対してレーザ光ＬＢ３を複数回照射することにより金属パターンを除去する。図５９は本実施の形態６のＴＥＧ加工工程後のウエハ１Ｗの要部断面図を示している。ここでは、切断領域ＣＲにおけるテスト用のパッド１ＬＢｔ等のような金属パターンが完全に除去されている。本実施の形態６の場合、切断領域ＣＲの金属パターンをレーザ光ＬＢ３により除去することにより、ウエハ１Ｗに機械的な応力を与えず金属パターンを除去できるので、チップ１Ｃの外周にチッピング等の損傷が発生するのを防止できる。これにより、薄い半導体チップの抗折強度を前記実施の形態４，５に比べて向上させることができる。
【０１１２】
続いて、分割工程２０２Ｂ５では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図６０は分割工程２０２Ｂ５中のウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。この場合、ウエハ１Ｗは基板１Ｓの改質領域ＰＲを分割起点として分割（切断）される。本実施の形態５の場合、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが除去されているので、上記ひげ状の導体異物は発生しない。
【０１１３】
本実施の形態６の場合のウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃの全体平面図は図４９とほぼ同じである。本実施の形態６の場合も、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンが残されていないので、ＴＥＧ情報の漏洩を防止することができる。
【０１１４】
その後の組立工程２０２Ｃ（２０２Ｃ１〜２０２Ｃ４，２０３Ａ）については前記実施の形態１の組み立工程１０２Ｃ（１０２Ｃ１〜１０２Ｃ４，１０３Ａ）と同じなので説明を省略する。
【０１１５】
（実施の形態７）
前記実施の形態６では、ＴＥＧ情報の漏洩を防止できるが、前記実施の形態３で説明した切断線が蛇行してしまう問題がある。本実施の形態７では、その問題を回避するための手段を説明するものである。
【０１１６】
まず、前記実施の形態５，６と同様に、前工程２００〜ＷＳＳの剥離工程２０３Ｂ３を経た後、ＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４に移行する。このＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４では、ＴＥＧにレーザ光を照射する。図６１はＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４中におけるウエハ１Ｗの要部断面図を示している。また、図６３はＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４中におけるウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。ここでは、前記実施の形態６と同様に、レーザ光ＬＢ３をウエハ１Ｗの主面側からテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンに照射することにより、その切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンの上面に金属パターンの一部に溝３０を形成する。溝３０はレーザ光ＬＢ３の熱により溶融することで形成されるが、溶融した部分が層間絶縁膜１Ｌ１（配線層１Ｌ）の界面まで進展する。この結果、溝３０から改質領域ＰＲに向かって亀裂ＣＲＫが形成される。溝３０の平面位置は、切断領域ＣＲの幅方向（短方向）の中央に位置するように、すなわち、上記改質領域ＰＲの平面位置（すなわち、切断線ＣＬ）に一致するように形成されている。ここで、本実施の形態７の場合、切断領域ＣＲの金属パターンの一部を除去するだけなので、このレーザ光加工処理を施したからといってチップ１Ｃの外周にチッピング等の損傷が発生すこともない。これにより、薄い半導体チップの抗折強度を前記実施の形態４，５に比べて向上させることができる。
【０１１７】
続いて、分割工程２０２Ｂ５では、前記実施の形態１と同様にウエハ１Ｗを折り曲げ方式により分割（切断）する。図６２は分割工程２０２Ｂ５中のウエハ１Ｗの要部拡大断面図を示している。この場合、ウエハ１Ｗは基板１Ｓの改質領域ＰＲ、亀裂ＣＲＫおよび配線層１Ｌの溝３０を分割起点として分割（切断）される。
【０１１８】
本実施の形態７の場合、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンの切断部分（溝３０形成部分）が切断されているので、上記ひげ状の導体異物は発生しない。また、層間絶縁膜１Ｌｉに溝３０が達していることにより、層間絶縁膜として低誘電率膜を使用していたとしても、ウエハ１Ｗ（特にウエハ１Ｗの主面側の層間絶縁膜１Ｌｉ）を溝３０に沿って蛇行することなく綺麗に分割(切断)することができる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
【０１１９】
本実施の形態７の場合のウエハ１Ｗから切り出されたチップ１Ｃは図５６および図５７とほぼ同じである。本実施の形態７の場合も、チップ１Ｃの外周にテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍ等のような金属パターンの一部が残されているが、切断され、また溶融されておりＴＥＧの情報を取得することができないようになっている。したがって、ＴＥＧ情報の漏洩を防止することができる。また、本実施の形態７では、チップ１Ｃの主面側の外周角が溝３０の形成により傾斜していることにより、チップ１Ｃの搬送時等においてチップ１Ｃの外周角が欠けるのを低減できる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。また、異物発生を低減できる。
【０１２０】
その後の組立工程２０２Ｃ（２０２Ｃ１〜２０２Ｃ４，２０３Ａ）については前記実施の形態１の組み立工程１０２Ｃ（１０２Ｃ１〜１０２Ｃ４，１０３Ａ）と同じなので説明を省略する。
【０１２１】
（実施の形態８）
前記実施の形態４および５では、ダイシングソー（ブレードダイシング方式）によりＴＥＧを除去することで、ＴＥＧ情報の漏洩や、ＴＥＧのひげ状の導体異物（ひげ不良）により生じる実装不良を防止できるが、半導体装置の更なる薄型化の要求に伴い、例えばウエハの厚さが７０μｍ厚以下と薄くなった場合、図６６に示すように、チップクラックの問題が発生し易い。この原因は、ＴＥＧの除去方法としてダイシングソー２６を用いることと、ウエハ１Ｗの薄型化に伴い、破砕層（改質領域ＰＲ）からＴＥＧまでの距離（間隔）が近く（短く）なることと、ウエハ１Ｗ（チップ１Ｃ）の抗折強度が低下することにある。ブレードダイシング方式は、高速回転するダイシングソー２６をウエハ１Ｗに接触させることでウエハ１Ｗを切断（破断）するため、ステルスダイシング方式に比べウエハ１Ｗに加わる切断応力（破断応力）は大きい。すなわち、実施の形態４および５で説明したように、ウエハ１Ｗに予めレーザ光を照射して破砕層（改質領域ＰＲ）を形成した後にダイシングソー２６を用いてＴＥＧを除去すると、破砕層からＴＥＧまでの距離（間隔）は近く、更には、ウエハ１Ｗの抗折強度が低下していることから、ダイシングソー２６の切断応力が破砕層まで進展し易く、亀裂（クラック）ＣＲＫが発生してしまう。そこで、本実施の形態８では、その問題を回避するための手段を説明するものである。
【０１２２】
まず、図６７に示すように、ダイシングソー２６を用いて、ウエハ１Ｗの主面の切断領域に配置されたテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを除去する。これにより、ウエハ１Ｗの主面に溝２７が形成される。
【０１２３】
次に、図６８に示すように、ウエハ１Ｗの主面にＢＧテープ３５を貼り付ける。ＢＧテープ３５のテープベース３５ａは、例えば柔軟性を持つプラスチック材料からなり、その主面には接着層３５ｂが形成されている。ＢＧテープ３５は、その接着層３５ｂによりウエハ１Ｗの主面（チップ形成面）にしっかりと貼り付けられている。
【０１２４】
続いて、ウエハ１Ｗを反転させた後、図６９に示すように、ウエハ１Ｗの裏面側から上記研削研磨工具（砥石）８を用いて裏面研削工程、更には裏面研削工程によりウエハ１Ｗの裏面に形成された微小な凹凸を除去するための研磨工程（ストレスリリーフ）を行うことで、ウエハ１Ｗを所望の厚さにする。
【０１２５】
次に、図７０に示すように、レーザ光ＬＢ１をウエハ１Ｗの裏面から照射し、前記と同様に、ウエハ１Ｗの内部（厚さ方向における中心付近）に改質領域（光学的損傷部または破砕層）ＰＲを形成する。
【０１２６】
次に、図７１に示すように、ウエハ１Ｗの裏面に治具７のテープ７ａに貼り付け、反転してからウエハ１Ｗの主面のＢＧテープ３５を剥がす（ウエハマウント工程）。続いて、図７２に示すように、エキスパンド方式によりウエハ１Ｗを分断することで、複数のチップ１Ｃを取得する。
【０１２７】
このように、本実施の形態８によれば、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍのそれぞれを、ウエハ１Ｗを薄くする裏面研削工程および改質領域ＰＲの形成工程の前に、予めダイシングソー２６により除去するため、例えばウエハ１Ｗの厚さが７０μｍ以下と薄くなったとしても、チップクラックの問題を抑制することが可能である。
【０１２８】
ここで、破砕層（改質領域ＰＲ）を形成した後にダイシングソー２６を用いてＴＥＧを除去すると、ダイシングソー２６の切断応力によりチップクラックの問題が発生するということにのみ着目した場合、ウエハ１Ｗの主面側からダイシングソー２６を用いてＴＥＧを除去した後に、同じくウエハ１Ｗの主面側からレーザ光ＬＢ１を照射してウエハ１Ｗに破砕層（改質領域ＰＲ）を形成するという手段も考えられる。
【０１２９】
しかしながら、図７３に示すように、ダイシングソー２６により削られたウエハの表面（すなわち、溝２７の底面）は、微細な凹凸が形成されているため、レーザ光ＬＢ１を照射すると乱反射が起こり、ウエハ１Ｗの内部にレーザ光ＬＢ１の焦点を合わせることが困難となる。
【０１３０】
また、ダイシングソー２６を用いてＴＥＧを除去した後に、ウエハ１Ｗを反転し、ウエハ１Ｗの裏面側からレーザ光を照射して破砕層（改質領域ＰＲ）を形成した後、ウエハ１Ｗの厚さを薄くする裏面研削工程および研磨工程を行う手段も考えられる。
【０１３１】
しかしながら、裏面研削工程および研磨工程の前に、予めウエハ１Ｗに破砕層（改質領域ＰＲ）が形成されていると、裏面研削のための砥石の応力により、ウエハ１Ｗの裏面から破砕層（改質領域ＰＲ）に向かって亀裂（クラックＣＲＫ）が発生する可能性がある。以上のことから、本実施の形態８のように、ダイシングソー２６によりＴＥＧを除去した後、ウエハ１Ｗを裏面研削工程および研磨工程により所望の厚さまで薄くし、ウエハ１Ｗの裏面側からレーザ光ＬＢ１を照射して破砕層（改質領域ＰＲ）を形成する手段がチップクラックの問題の対策に有効である。
【０１３２】
（実施の形態９）
ブレードダイシング方式により半導体ウエハを分割する場合は、使用するダイシングソーの幅よりも太い幅の切断領域が必要であった。これに対し、ステルスダイシング方式の場合、半導体ウエハの内部に破砕層（改質領域ＰＲ）を形成し、その破砕層を起点として半導体ウエハを分割するため、ブレードダイシング方式に比べ切断領域の幅は狭くすることが可能である。
【０１３３】
しかしながら、切断領域ＣＲには、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍが配置されているため、少なくとも切断領域ＣＲの幅は、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍの幅よりも太く設けておく必要がある。そのため、１つのウエハからのチップの取得数を向上することが困難である。そこで、本実施の形態９では、１つのウエハからのチップの取得数を向上するための方法例を図７４、図７５および図７６により説明する。図７４は本実施の形態９のウエハ１Ｗの平面図、図７５は図７４のウエハ１Ｗの主面の要部拡大平面図、図７６は図７５のウエハ１ＷのＴＥＧ除去時の要部断面図である。
【０１３４】
まず、図７４および図７５に示すように、ウエハ１Ｗの主面上において、Ｘ方向およびＹ方向（Ｘ方向と交差する方向）に設けられた切断領域ＣＲ（ＣＲ１，ＣＲ２）のうち、Ｘ方向に設けられた切断領域（第１の切断領域）ＣＲ１にのみテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを配置する。すなわち、Ｙ方向に設けられた切断領域（第２の切断領域）ＣＲ２にはテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを一切配置せず、Ｘ方向に設けられた切断領域ＣＲ１にのみテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍを集約配置する。これにより、Ｙ方向に延在する切断領域ＣＲ２の幅は、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍの幅よりも狭くすることができる。そのため、隣り合うチップ１Ｃ（チップ領域）同士の間隔をより狭めることができるので、１つのウエハ１Ｗからのチップ１Ｃの取得数を向上することが可能である。ここで、Ｙ方向に延在する切断領域ＣＲ２の幅は、例えば５μｍである。
【０１３５】
しかしながら、テスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍをＸ方向に延在する切断領域ＣＲ１に集約した場合、図７５に示すように、Ｘ方向に延在する切断領域ＣＲ１においてテスト用のパッド１ＬＢｔやアライメントターゲットＡｍが複数列（本実施の形態９では２列）に亘って配置されることになる。そのため、実施の形態４，５および８に示すような、ＴＥＧの幅とほぼ同じ幅のダイシングソーを用いた場合、ＴＥＧを完全に除去するためには、１つの切断領域ＣＲに対して、ダイシングソーを２回走らせる必要がある。このため、ＴＥＧ除去処理に時間がかかる。
【０１３６】
そこで、本実施の形態９では、図７６に示すように、ＴＥＧパターンの除去工程に際して、２つのＴＥＧの幅の総和分とほぼ同じ幅のダイシングソー２６を用いることが好ましい。これにより、ＴＥＧが切断領域ＣＲ２内において複数列に亘って配置されていたとしても、ダイシングソー２６は１回走らせるだけで、その切断領域ＣＲ２におけるＴＥＧを全て除去できる。ここで、ダイシングソー２６の幅は、２つのＴＥＧの幅の総和分とほぼ同じと説明したが、少なくともダイシングソー２６を１回走らせるだけで、その切断領域ＣＲ２における全てのＴＥＧが完全に除去されることが好ましいため、２つのＴＥＧの幅の総和分以上であり、かつ切断領域ＣＲ２の幅未満であることが好ましい。
【０１３７】
本実施の形態９の場合、ＴＥＧパターンの除去のためのダイシングソー２６の移動方向が一方向のみなので、ＴＥＧパターンの除去処理時間を短縮できる。なお、本実施の形態９で説明した幅広のダイシングソー２６を複数枚同時に並列動作させることでＴＥＧパターンの除去処理時間をさらに短縮することもできる。
【０１３８】
（実施の形態１０）
半導体装置の小型化に伴い、チップのサイズもより小型化することが要求される。小型化されたチップの分割方法として、ウエハの薄型化にも対応できるステルスダイシング方式を用いた場合、１つのウエハから個々のチップに分割するためには、レーザ光をウエハに照射した後にエキスパンド工程を行うことで実現できる。
【０１３９】
しかしながら、例えば、１辺の幅（長さ）が３ｍｍ以下というチップを形成する場合、実施の形態８の図７２に示したように、ダイシングテープ全体を１回のエキスパンド工程により中心から外周に向かって引き伸ばそうとすると、複数のチップ１Ｃ（チップ領域）のうち、隣り合うチップ領域同士が完全に分割されない、いわゆる、分割不良の問題が発生し易い。これは、１つのチップのサイズが小さくなると、ダイシングテープが引き伸ばされても、複数のチップ領域のそれぞれに対して張力が伝わり難くなり、複数のチップが繋がった状態となってしまう。そこで、本実施の形態１０は、その問題を回避するための手段を説明するものである。
【０１４０】
１つのウエハ１Ｗには複数の切断領域ＣＲがＸ方向およびＹ方向に向かって延在するように設けられているが、本実施の形態１０では、１回のエキスパンド工程によりこの複数の切断領域ＣＲの全てを同時に分割するのではなく、１回のエキスパンド工程により複数の切断領域ＣＲのうちの１つを分割するものである。
【０１４１】
これを図７７のウエハ１Ｗの平面図を用いて説明する。すなわち、図７２に示すように、１回目のエキスパンド工程では、まずａの切断領域（第１の切断領域）ＣＲを分割する。そして、ａの切断領域を分割した後に、２回目のエキスパンド工程によりｂの切断領域（第２の切断領域）ＣＲを分割する。そして、ｃ，ｄ，ｅ，ｆの切断領域ＣＲの順に、全ての切断領域ＣＲが分割されるまでエキスパンド工程を繰り返す。これにより、たとえチップ１Ｃの１辺の幅（長さ）が小さくなったとしても、本実施の形態１０の手段を用いれば、１つの切断領域ＣＲ（１ラインの切断領域ＣＲ）毎に対してダイシングテープの張力を確実に伝えることができる。そのため、分割不良の問題を抑制することが可能である。ここで、ウエハ１ＷにはＸ方向およびＹ方向に向かって延在するように複数の切断領域ＣＲが設けられているため、Ｘ方向に向かって延在するように設けられた複数の切断領域ＣＲを全て分割してから、Ｙ方向に向かって延在するように設けられた複数の切断領域ＣＲを順番に分割することが分割機構を簡略化できるので好ましい。
【０１４２】
次に、本実施の形態１０の分割方法を図７８および図７９を用いてより具体的に説明する。
【０１４３】
図７８の（ａ）は図７７で説明したウエハ１Ｗの分割工程の具体的な様子を示したウエハ１Ｗの全体平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１７−Ｘ１７線の断面図である。また、図７９の（ａ）および（ｂ）は分割工程時のウエハ１Ｗの要部拡大断面図である。
【０１４４】
図７８に示すように、ダイシング用の治具７のテープ７ａに貼り付けられたウエハ１Ｗは、ステルスダイシング装置のステージ上に載置されている。このステージには、図７８（ａ）のＹ方向に沿ってウエハ１Ｗの端から端まで延びる平面帯状の２つの引っ張りバー４０が互いに隣接した状態で平行に設置されている。各引っ張りバー４０の幅は、ウエハ１Ｗのチップ１Ｃの図７８（ａ）のＸ方向の幅程度である。また、各引っ張りバー４０には、図７９に示すように、真空吸引孔４１が設けられている。これにより、引っ張りバー４０をダイシング用の治具７のテープ７ａを介してウエハ１Ｗにしっかりと張り付けることが可能になっているとともに、ウエハ１Ｗを固定することが可能になっている。
【０１４５】
まず、１つの切断領域ＣＲ（１ラインの切断領域ＣＲ）だけを狙って分割するためには、図７８および図７９に示すように、ウエハ１Ｗの１ラインの切断領域ＣＲが２つの引っ張りバー４０の隣接間（切断溝）と平面的に重なるように、ウエハ１Ｗを位置決めした後、２つの引っ張りバー４０をウエハ１Ｗに真空吸引により張り付ける。すなわち、２つの引っ張りバー４０を、分割領域（１ライン分の切断領域ＣＲ）を境としてその両側に配置し固定する。
【０１４６】
続いて、ウエハ１Ｗを２つの引っ張りバー４０で真空吸引した状態で、２つの引っ張りバー４０を、図７８および図７９の矢印ＰＡ，ＰＢ（ウエハ１Ｗの主面に沿う方向）に示すように、互いに離れる方向に移動する。すなわち、２つの引っ張りバー４０を、その隣接間から外側に向かって引き離す方向に移動する。これにより、図７９（ｂ）に示すように、引っ張りバー４０に固定されたウエハ１Ｗが切断領域（の改質領域ＰＲ）を起点として分割される。
【０１４７】
１つの切断領域ＣＲ（１ライン分の切断領域ＣＲ）の分割が終了したら、次に分割したい切断領域ＣＲが、２つの引っ張りバー４０の隣接間と平面的に重なるように、ウエハ１Ｗを移動する。その後、上記と同様にしてウエハ１Ｗを分割する。以上の動作を、複数ラインの切断領域ＣＲのうち全てが分割されるまで繰り返すことで、分割不良が発生することなく、複数のチップ１Ｃを取得することが可能となる。
【０１４８】
ここで、本実施の形態１０では、引っ張りバー４０が２つで１組とされる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ウエハ１Ｗの複数ラインの切断領域ＣＲに対応する数だけ引っ張りバー４０を配置しても良い。これにより、１回のエキスパンド工程が終わる度に、ウエハ１Ｗをずらす工程が不要となる。図８０（ａ）〜（ｃ）は、その一例を示している。ＣＬ１は、第１の分割箇所、ＣＬ２は第２の分割箇所、ＣＬ３は第３の分割箇所を示している。分割箇所ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３を境にして、その両側の引っ張りバー４０を互いに離れる方向（矢印ＰＡ，ＰＢの方向）に移動することでウエハ１Ｗを上記と同様に分割する。
【０１４９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１５０】
例えば前記実施の形態１においては、テスト用のパッド１ＬＢｔの平面形状を正方形としたが、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばテスト用のパッド１ＬＢｔの平面形状を、長方形（切断領域ＣＲの延在方向（長手方向）の長さが切断領域ＣＲの幅方向の長さよりも長い）にしても良い。これにより、切断領域ＣＲの幅をあまり大きくしないでパッド１ＬＢｔの面積を大きく確保できる。すなわち、チップ１Ｃの面積増大を抑えつつ、テスト用のパッド１ＬＢｔに対するプローブ針の当て易さも確保することができる。
【０１５１】
また、前記実施の形態３では、ウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲの金属パターンに孔２１を形成するのにレーザ光ＬＢ２をウエハ１Ｗの裏面から照射するようにしたが、図４０のフロー図で説明したようにウエハマウント工程を行う場合は、レーザ光ＬＢ２をウエハ１Ｗの主面から照射することもできる。この場合、図４０のＴＥＧ加工工程２０２Ｂ４に代えてレーザ光ＬＢ２の照射工程を行えば良い。すなわち、レーザ光ＬＢ２を、ウエハ１Ｗの主面側からウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に照射することにより、テスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に孔２１を形成する。この場合、孔２１に代えてテスト用のパッド１ＬＢｔ、アライメントターゲットＡｍおよび金属パターン２０に溝を形成しても良い。この溝の平面形状は直線状でも良いし破線状でも良い。これ以外の工程は前記実施の形態１〜７で説明したのと同じである。
【０１５２】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体装置の製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく種々適用可能であり、例えばマイクロマシンの製造方法にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１５３】
本発明は、ステルスダイシングによりウエハを分割する工程を有する製品の製造業に適用できる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、半導体装置の製造方法：
（ａ）表面および前記表面とは反対側の裏面を有する基板と、前記基板の前記表面に形成された層間絶縁膜と、前記基板の前記表面上に形成された複数のチップ領域と、前記基板の前記表面上に、かつ平面視において前記複数のチップ領域のうちの互いに隣り合うチップ領域間にそれぞれ設けられた複数の切断領域と、を備えた半導体ウエハを準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の切断領域のそれぞれにレーザ光を照射することにより前記半導体ウエハの前記複数の切断領域に複数の改質領域をそれぞれ形成する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数のチップ領域のうちの第１チップ領域と、前記複数のチップ領域のうち、前記第１チップ領域の隣に配置された第２チップ領域とを互いに引き離すことで、前記複数の改質領域のうち、平面視において前記第１チップ領域と前記第２チップ領域との間に設けられた第１切断領域内に形成された第１改質領域を分割起点として、前記第１切断領域を分割する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第２チップ領域と、前記複数のチップ領域のうち、前記第２チップ領域の隣に配置された第３チップ領域とを互いに引き離すことで、前記複数の改質領域のうち、平面視において前記第２チップ領域と前記第３チップ領域との間に設けられた第２切断領域内に形成された第２改質領域を分割起点として、前記第２切断領域を分割する工程。
【請求項１】
以下の工程を含む、半導体装置の製造方法：
（ａ）表面および前記表面とは反対側の裏面を有する基板と、前記基板の前記表面に形成された層間絶縁膜と、前記基板の前記表面上に形成された複数のチップ領域と、前記基板の前記表面上に、かつ平面視において前記複数のチップ領域のうちの互いに隣り合うチップ領域間にそれぞれ設けられた複数の切断領域と、を備えた半導体ウエハを準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の切断領域のそれぞれにレーザ光を照射することにより前記半導体ウエハの前記複数の切断領域に複数の改質領域をそれぞれ形成する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数のチップ領域のうちの第１チップ領域と、前記複数のチップ領域のうち、前記第１チップ領域の隣に配置された第２チップ領域とを互いに引き離すことで、前記複数の改質領域のうち、平面視において前記第１チップ領域と前記第２チップ領域との間に設けられた第１切断領域内に形成された第１改質領域を分割起点として、前記第１切断領域を分割する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第２チップ領域と、前記複数のチップ領域のうち、前記第２チップ領域の隣に配置された第３チップ領域とを互いに引き離すことで、前記複数の改質領域のうち、平面視において前記第２チップ領域と前記第３チップ領域との間に設けられた第２切断領域内に形成された第２改質領域を分割起点として、前記第２切断領域を分割する工程。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【図６０】
【図６１】
【図６２】
【図６３】
【図６４】
【図６５】
【図６６】
【図６７】
【図６８】
【図６９】
【図７０】
【図７１】
【図７２】
【図７３】
【図７４】
【図７５】
【図７６】
【図７７】
【図７８】
【図７９】
【図８０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
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【図２８】
【図２９】
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【図３９】
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【図５４】
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【図５８】
【図５９】
【図６０】
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【図６３】
【図６４】
【図６５】
【図６６】
【図６７】
【図６８】
【図６９】
【図７０】
【図７１】
【図７２】
【図７３】
【図７４】
【図７５】
【図７６】
【図７７】
【図７８】
【図７９】
【図８０】
【公開番号】特開２０１３−８０９７２（Ｐ２０１３−８０９７２Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１３−１９２１８（Ｐ２０１３−１９２１８）
【出願日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【分割の表示】特願２０１１−１２３１０３（Ｐ２０１１−１２３１０３）の分割
【原出願日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【分割の表示】特願２０１１−１２３１０３（Ｐ２０１１−１２３１０３）の分割
【原出願日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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