半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法
【課題】半導体装置の静電破壊の低減化を図る。
【解決手段】吸着パッド１２における支持部１２ｃの肉厚が吸着部１２ａの肉厚より薄く、かつ支持部１２ｃが屈曲可能に形成されていることにより、吸着パッド１２によってＩＣ１３を真空吸着した際に、支持部１２ｃが屈曲することで、ＩＣ１３と接触する吸着部１２ａの滑りを抑えてＩＣ１３の表面と吸着部１２ａとの間で起こる摩擦を低減することができ、ＩＣ１３の表面での帯電を少なくすることができる。その結果、ＩＣ１３の静電気放電による破壊を低減できる。
【解決手段】吸着パッド１２における支持部１２ｃの肉厚が吸着部１２ａの肉厚より薄く、かつ支持部１２ｃが屈曲可能に形成されていることにより、吸着パッド１２によってＩＣ１３を真空吸着した際に、支持部１２ｃが屈曲することで、ＩＣ１３と接触する吸着部１２ａの滑りを抑えてＩＣ１３の表面と吸着部１２ａとの間で起こる摩擦を低減することができ、ＩＣ１３の表面での帯電を少なくすることができる。その結果、ＩＣ１３の静電気放電による破壊を低減できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置及び半導体装置の搬送技術に関し、特に、半導体装置の静電破壊の低減化に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージを吸着搬送する搬送装置において、半導体パッケージを吸着パッドにより吸い上げ、上下移動用シリンダー、及び上下移動用ガイドと、前後移動用シリンダー、及び前後移動用ガイドにより半導体パッケージを移載する技術が、例えば、特開平５−７７１８５号公報（特許文献１）に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−７７１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
静電気放電（ＥＳＤ：Electro Static Discharge) による半導体デバイス「以下、半導体デバイスをＩＣ（Integrated Circuit）または半導体装置ともいう」の破壊防止のために、後工程（組立て〜テスト）設備での対策が求められている。
【０００５】
パッケージングされた工程以降での半導体装置（ＩＣ）の帯電要因は「工程間搬送時のトレイ等との摩擦帯電」と「設備内の吸着パッドによる摩擦帯電」のみと言っても過言ではない。
【０００６】
その際、「工程間搬送時の摩擦帯電」の場合は発生源対策や事後対策の選択肢があるが、「設備内の吸着パッドによる摩擦帯電」に関しては発生源を無くさなければ、対策が出来ないことが分かった。
【０００７】
そこで、本発明者は、真空吸着により吸着パッドを介して吸着保持された半導体装置の搬送について検討を行った。
【０００８】
図２９は、本発明者が比較検討した半導体製造装置（テストハンドラ）の構成を示す斜視図、図３０は図２９のＡ部の構造を拡大して示す部分断面図、図３１は図２９のテストハンドラに設けられた吸着パッドのスリーブとの結合状態を示す断面図、図３２は図３１に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造を示す断面図、図３３は図３２に示す吸着パッドの構造を示す外観斜視図、図３４は図３３に示す吸着パッドの構造を示す断面図である。
【０００９】
また、図３５は図２９に示すテストハンドラを用いて半導体装置を吸着搬送する際の吸着前の構造を示す部分断面図、図３６は図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図、図３７は図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図、図３８は図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【００１０】
さらに、図３９は図２９に示す吸着パッドによる半導体装置の吸着を停止した際の構造を示す部分断面図、図４０は図２９に示す吸着パッドを半導体装置から離反させた際の構造を示す部分断面図、図４１はテスト終了後の半導体装置を図２９に示す吸着パッドによって吸着した際の構造を示す部分断面図である。
【００１１】
まず、図２９及び図３０を用いて本発明者が検討した比較例のテストハンドラ１００の構成について説明する。テストハンドラ１００は、吸着パッド３０が設けられた吸着ヘッド部１０１を有する供給トランスファ３を備えており、さらに供給トランスファ３とは別に供給トランスファ３と同様の機構を持つ、コンタクト供給トランスファ４、コンタクト排出トランスファ６、及び収納トランスファ７を備えている。
【００１２】
さらに、テストハンドラ１００は、空きトレイを格納する空トレイ格納１，１０、テスト結果に基づいて良品ＩＣを格納する良品ＩＣ格納８及び不良品ＩＣを格納する不良品ＩＣ格納９等を備えている。
【００１３】
また、図３１〜図３４に吸着パッド３０と吸着パッド３０が固定される吸着スリーブ１１の構造を示す。図３１に示すように、吸着パッド３０は、吸着スリーブ１１に矢印Ｂ方向に押し込まれて装着される。吸着パッド３０の先端のＩＣ接触面３０ｂを備えた吸着部３０ａはラッパ型である。なお、吸着パッド３０は、非金属製であり、吸着スリーブ１１は、金属製である。
【００１４】
テストを未だ実施していない未測定のＩＣ（半導体装置）１３をテストする際には、未測定のＩＣ１３を格納する未測定ＩＣ格納２から、供給トランスファ３によってＩＣ１３を搬送し、コンタクト供給トランスファ４を経由してＩＣ測定部５に搬送する。その際、吸着・離脱動作で帯電したＩＣ１３のリード１４は、ＩＣ測定部５の接地された図４０に示す測定コンタクトピン１６に触れ、一瞬にして静電気放電が発生し破壊されるという問題がある。
【００１５】
その吸着・離脱動作でＩＣ１３が帯電するメカニズムとリード１４が測定コンタクトピン１６に触れ、静電気放電が発生して破壊される詳細メカニズムを図３５〜図４０に示す。
【００１６】
図３５はＩＣ１３を吸着する前の状態である。図３６に示すように吸着スリーブ１１の下降Ｃにより吸着パッド３０も降下し、吸着パッド３０の吸着部３０ａのＩＣ接触面３０ｂがＩＣ１３の表面を滑りながら押し付けられるため、吸着パッド３０とＩＣ１３の表面は「パッドの滑り」によって摩擦し、例えばＩＣ１３の表面には−（マイナス）電荷が発生し帯電する。
【００１７】
図３７は、吸着パッド３０が、ＩＣ１３を押し付けた状態で、電磁弁１７の開放により吸着パッド３０の内部が真空源１８の負圧（矢印Ｄ）により、真空排気状態となりＩＣ１３を吸着している状態である。図３８はＩＣ１３を吸着パッド３０が吸着保持し、この状態でＩＣ１３を搬送している構造を示している。
【００１８】
このテストハンドラ１００では、図３５〜図３８の一連の動作を供給トランスファ３とコンタクト供給トランスファ４で２回行い、ＩＣ１３をＩＣ測定部５まで運ぶ。
【００１９】
図３９は、例えばＩＣ測定部５に運ばれたＩＣ１３は電磁弁１７の遮断で真空排気が遮断され、ＩＣ１３が離脱する際の状態を示している。吸着パッド３０は元の形に戻ろうとする為、吸着パッド３０の吸着部３０ａのＩＣ接触面３０ｂはＩＣ１３の表面を滑り、ＩＣ接触面３０ｂとＩＣ１３の表面は「パッドの滑り」によって再度摩擦して、例えばＩＣ１３の表面は−電荷が更に帯電する。
【００２０】
図４０はＩＣ１３が離脱（離反）し、吸着パッド３０が矢印Ｅの方向に上昇して、ＩＣ１３のリード１４が測定コンタクトピン１６に触れる状態を示している。この時、ＩＣ１３の表面に帯電した例えば−（マイナス）電荷は、測定コンタクトピン１６を介して静電気放電し、ＩＣ１３のゲート部が破壊される。このようにＩＣ１３が吸着パッド３０から離反してから直ぐに測定コンタクトピン１６に触れるため、イオナイザーによる除電のタイミングがなく、また、搬送先が測定コンタクトピン１６であることから、放電を防ぐための絶縁や高抵抗表面処理も出来ず、対策方法がない。
【００２１】
なお、ＩＣ１３の帯電を抑えるために、カーボンを混ぜた「導電性のゴム吸着パッド」や「金属製パッド」等がある。
【００２２】
ところが、前者の「導電性のゴム吸着パッド」は前述の内容と同様に、ＩＣ吸着／離脱時に摩擦により帯電する。
【００２３】
また、劣化により常時吸着時の形状（縮んだ状態）となるため、高さ不足で吸着ミスが発生しない様に押え込み量を強くする必要がある。これにより摩擦力はより大きくなって、ＩＣ１３の表面はより高帯電（２００Ｖ以上）となり、高帯電に弱いＩＣ１３は破壊されることが課題である。
【００２４】
また、ラッパ型の吸着部３０ａはＩＣ１３の中心（重心）を外れると、図４１に示すように吸着姿勢が傾き、吸着が安定せず、搬送先で離脱する際に位置ズレが引き起こされることが課題である。
【００２５】
後者の「金属製パッド」はＩＣ１３もほとんど帯電することもなく、静電気に関しては問題ないが、搬送中に吸着パッド３０−ＩＣ１３間に滑りが起こり、ＩＣ１３の位置ズレが多発することが課題である。
【００２６】
また、ＩＣ１３の表面や金属性パッドの表面に異物等があると吸着ミスが頻繁して吸着保持が不安定になることが課題である。
【００２７】
なお、前記特許文献１（特開平５−７７１８５号公報）には、搬送装置の吸着ヘッドについての技術が開示されているが、そこに記載された吸着パッドによって半導体パッケージを吸着した際にも吸着パッドと半導体パッケージの間で摩擦が発生し、この摩擦により半導体パッケージ上で帯電が起こることが懸念される。
【００２８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電気放電を少なくして、半導体装置の破壊の低減化を図ることができる技術を提供することにある。
【００２９】
また、本発明の他の目的は、吸着パッドによって半導体装置を吸着する際の半導体装置の吸着姿勢の安定化を図ることができる技術を提供することにある。
【００３０】
さらに、本発明の他の目的は、半導体装置の吸着搬送におけるリードの変形を抑制することができる技術を提供することにある。
【００３１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００３３】
代表的な実施の形態による半導体製造装置は、真空排気系に連通する中空部を形成し、かつ真空排気方向に沿って延びる筒状の吸着部と、前記吸着部と交差する方向に延在し、かつ前記吸着部を支持する支持部とを有する吸着パッドと、前記吸着パッドを備え、前記吸着パッドを介して半導体装置を真空吸着して搬送する吸着ヘッド部と、を有し、前記吸着パッドにおける前記支持部の肉厚は、前記吸着部の肉厚より薄く形成され、前記支持部は屈曲可能に形成されているものである。
【００３４】
また、代表的な実施の形態による半導体装置の搬送方法は、（ａ）真空排気系に連通する中空部を形成し、かつ真空排気方向に沿って延びる筒状の吸着部と、前記吸着部と交差する方向に延在し、かつ前記吸着部を支持する支持部とを有する吸着パッドを備えた半導体製造装置において、前記真空排気系によって真空排気を行って前記吸着パッドの前記吸着部によって半導体装置を吸着保持する工程と、（ｂ）前記半導体製造装置において、前記半導体装置を前記吸着パッドによって吸着保持した状態で搬送する工程と、を有し、前記吸着パッドにおける前記支持部の肉厚は、前記吸着部の肉厚より薄く形成され、前記（ａ）工程において前記真空排気系によって真空排気した際に、前記支持部が屈曲して前記吸着部によって前記半導体装置を真空吸着するものである。
【発明の効果】
【００３５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００３６】
半導体装置を吸着保持する際に半導体装置の表面での帯電を少なくすることができ、半導体装置の静電気放電による破壊を低減することができる。
【００３７】
また、真空吸着時の半導体装置の表面での帯電を少なくすることができるため、半導体装置の吸着姿勢の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体製造装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示すＡ部の構造を拡大して示す部分断面図である。
【図３】図２に示す吸着パッドの構造の一例を示す外観斜視図である。
【図４】図３に示す吸着パッドの構造の一例を示す断面図である。
【図５】図３に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造の一例を示す断面図である。
【図６】図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図７】図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図８】図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図９】図３に示す吸着パッドの半導体装置吸着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１０】図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図である。
【図１１】図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図である。
【図１２】図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１の吸着パッドの第１変形例の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の吸着パッドの第２変形例の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１５】図１４に示す吸着パッドの詳細構造を示す拡大部分断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２の吸着パッドの構造の一例を示す外観斜視図である。
【図１７】図１６に示す吸着パッドの構造の一例を示す断面図である。
【図１８】図１６に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造の一例を示す断面図である。
【図１９】図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図２０】図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図２１】図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図２２】図１６に示す吸着パッドの半導体装置吸着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図２３】図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図である。
【図２４】図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図である。
【図２５】図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態の吸着パッドのＩＣ接触面の他の第１変形例の構造を示す裏面図である。
【図２７】本発明の実施の形態の吸着パッドのＩＣ接触面の他の第２変形例の構造を示す裏面図である。
【図２８】本発明の実施の形態の吸着パッドのＩＣ接触面の他の第３変形例の構造を示す裏面図である。
【図２９】比較例の半導体製造装置（テストハンドラ）の構成を示す斜視図である。
【図３０】図２９のＡ部の構造を拡大して示す部分断面図である。
【図３１】図２９のテストハンドラに設けられた吸着パッドのスリーブとの結合状態を示す断面図である。
【図３２】図３１に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造を示す断面図である。
【図３３】図３２に示す吸着パッドの構造を示す外観斜視図である。
【図３４】図３３に示す吸着パッドの構造を示す断面図である。
【図３５】図２９に示すテストハンドラを用いて半導体装置を吸着搬送する際の吸着前の構造を示す部分断面図である。
【図３６】図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図である。
【図３７】図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図である。
【図３８】図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【図３９】図２９に示す吸着パッドによる半導体装置の吸着を停止した際の構造を示す部分断面図である。
【図４０】図２９に示す吸着パッドを半導体装置から離反させた際の構造を示す部分断面図である。
【図４１】図２９に示す吸着パッドによってテスト終了後の半導体装置を吸着した際の構造を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００４０】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００４１】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００４２】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００４３】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００４４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００４５】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体製造装置の構造の一例を示す斜視図、図２は図１に示すＡ部の構造を拡大して示す部分断面図である。
【００４６】
本実施の形態１の半導体製造装置は、半導体製造工程の後工程等で組み立てられた半導体装置（半導体パッケージまたは半導体デバイス等ともいう）を吸着保持して搬送する機構を備えたものであり、ここでは、前記半導体製造装置の一例として、図１に示すテストハンドラ５０を例に挙げて説明する。
【００４７】
すなわち、テストハンドラ５０は、組み立てられた半導体装置であるＩＣ１３のテスト（測定）を行うとともに、テスト結果に基づいてＩＣ１３を良品・不良品に選別して格納する製造装置であり、ＩＣ測定部５へのＩＣ１３の搬送やテスト後の所定箇所への格納の際に、ＩＣ１３を真空吸着によって保持しながら搬送することが可能な機構を備えているものである。
【００４８】
本実施の形態１のテストハンドラ５０の構成について説明すると、ＩＣ１３を真空吸着して保持可能な吸着パッド１２が設けられた吸着ヘッド部５１を有する供給トランスファ３を備えている。吸着ヘッド部５１は、吸着パッド１２を備え、この吸着パッド１２を介してＩＣ１３を真空吸着して搬送するものである。なお、吸着ヘッド部５１には、真空排気を行うための真空排気系１９が接続されている。この真空排気系１９には、真空排気のＯＮ／ＯＦＦを行う電磁弁１７と真空源１８とが設けられており、真空排気系１９は、吸着パッド１２が取り付けられる吸着スリーブ１１に連通している。
【００４９】
さらに、供給トランスファ３は、図２に示すように吸着ヘッド部５１を図１のＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動自在な機構を備えており、これによって、吸着パッド１２によって吸着保持されたＩＣ１３をＸ、ＹまたはＺ方向に搬送することができる。
【００５０】
さらに、テストハンドラ５０は、供給トランスファ３とは別に供給トランスファ３と同様の機構を持つ、コンタクト供給トランスファ４、コンタクト排出トランスファ６、及び収納トランスファ７を備えているとともに、ＩＣ１３のテスト（測定）を行うＩＣ測定部５を備えている。
【００５１】
また、テストハンドラ５０は、空きトレイを格納する空トレイ格納１，１０、ＩＣ測定部５で行ったテストの結果に基づいて良品ＩＣを格納する良品ＩＣ格納８及び不良品ＩＣを格納する不良品ＩＣ格納９等を備えている。
【００５２】
次に、テストハンドラ５０においてテスト（測定）される半導体装置であるＩＣ１３の構造について説明する。
【００５３】
ＩＣ１３は、後工程で組み立てられた半導体装置（半導体パッケージ）であり、図２に示すようにタブ２１上にダイボンド材を介して搭載された半導体チップ２０と、半導体チップ２０とリード１４のインナリード部分とを電気的に接続する複数のワイヤ２２と、半導体チップ２０や複数のワイヤ２２を樹脂封止する封止体２３とを有しており、封止体２３の天面側の表面は、吸着パッド１２によって真空吸着可能な平坦面となっている。複数のリード１４それぞれの封止体２３から露出するアウタリード部分は、ガルウィング状に曲げ成形されている。
【００５４】
すなわち、ＩＣ１３は、例えば、ＱＦＰ（Quad Flat Package)やＳＯＰ（Small Outline Package)等の半導体装置であるが、半導体チップ２０とリード１４との電気的な接続方法や、各リード１４のアウタリード部分の形状等については、特に限定されるものではなく、ＱＦＰやＳＯＰ以外の他の半導体装置であってもよい。
【００５５】
次に、テストハンドラ５０の吸着ヘッド部５１に設けられた図３及び図４に示す吸着パッド１２の構造について説明する。
【００５６】
図３は図２に示す吸着パッドの構造の一例を示す外観斜視図、図４は図３に示す吸着パッドの構造の一例を示す断面図、図５は図３に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造の一例を示す断面図である。さらに、図６は図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図７は図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図８は図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図９は図３に示す吸着パッドの半導体装置吸着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【００５７】
本実施の形態１の吸着パッド１２は、図２の真空排気系１９に連通する中空部である第１中空部１２ｄを形成し、かつ真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状の吸着部１２ａと、吸着部１２ａと交差する方向で、かつ円周方向に延在し、さらに吸着部１２ａを支持する円板状の支持部１２ｃと、吸着スリーブ１１と接続するスリーブ接続部１２ｅと、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを連結する連結部１２ｆとから成る。すなわち、第１中空部１２ｄは、吸着部１２ａと支持部１２ｃとによって囲まれた空間部である。さらに、連結部１２ｆは、支持部１２ｃとスリーブ接続部１２ｅとに接合し、かつ支持部１２ｃの吸着部１２ａと反対側の領域において図４の真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状構造となっている。
【００５８】
したがって、図３に示すように、吸着部１２ａと連結部１２ｆとスリーブ接続部１２ｅは、それぞれ円筒形を成し、それぞれの内部には、図４に示すように第１中空部１２ｄ、第２中空部１２ｇ、第３中空部１２ｈが形成されており、第１中空部１２ｄ、第２中空部１２ｇ及び第３中空部１２ｈは連通している。吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅの円筒形の外周の直径は、略同じであり、両者の間に配置される連結部１２ｆの円筒形の外周の直径は、吸着部１２ａやスリーブ接続部１２ｅより小さいため、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとの間に挟まれた領域の連結部１２ｆの外側には、溝状の空間部となる荷重吸収溝部１２ｉが形成されている。
【００５９】
また、円筒形の吸着部１２ａの先端は、ＩＣ１３を吸着する際にＩＣ１３の表面に当圧する円形のＩＣ接触面１２ｂとなっており、真空排気方向Ｆに真空排気が行われた際には、吸着部１２ａとＩＣ１３の封止体２３の表面とによって覆われた第１中空部１２ｄを真空状態にしてＩＣ１３を真空吸着する。
【００６０】
なお、円筒形のスリーブ接続部１２ｅの内部の第３中空部１２ｈは、図５に示すように、吸着スリーブ１１が嵌め込まれる空間であり、吸着スリーブ１１の内部のスリーブ中空部１１ａが吸着部１２ａの第１中空部１２ｄと第２中空部１２ｇを介して連通する構造となっている。図２に示すように、この吸着スリーブ１１に対して真空排気系１９が接続されている。
【００６１】
また、本実施の形態１の吸着パッド１２では、図６に示すように吸着部１２ａと支持部１２ｃにおいて、支持部１２ｃの肉厚Ｘは、吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く形成されており、支持部１２ｃは、図９に示すように屈曲可能に形成されている。すなわち、図６に示すように、支持部１２ｃの肉厚Ｘと吸着部１２ａの肉厚Ｙは、Ｘ＜Ｙの関係となっている。つまり、支持部１２ｃの肉厚Ｘは、非常に薄く形成されて、剛性が低い形状となっており、一方、吸着部１２ａの肉厚Ｙは、真空排気によって荷重が掛かっても変形しない程度の高い剛性を有する厚さとなっている。
【００６２】
なお、吸着パッド１２は、導電性ゴム、例えば、導電性の粒子を混ぜたシリコーンゴム（以降、単に導電性シリコーンゴムともいう）によって形成されており、これにより、静電気放電による帯電が起こりにくくなっている。
【００６３】
このように吸着パッド１２が導電性シリコーンゴムによって形成され、さらに支持部１２ｃの肉厚が薄くて剛性が低く形成されていることにより、図９に示すように真空排気を行って第１中空部１２ｄを真空雰囲気にする際には、ＩＣ１３の封止体２３や吸着部１２ａより支持部１２ｃの方が剛性が遥かに低いため、連結部１２ｆがＩＣ１３の封止体２３に近づくように支持部１２ｃが屈曲する。別の言い方をすると、吸着部１２ａが荷重吸収溝部１２ｉに配置されるように支持部１２ｃで屈曲する。
【００６４】
その際、荷重吸収溝部１２ｉの上側のスリーブ接続部１２ｅの側面である荷重吸収溝上面１２ｊと、荷重吸収溝部１２ｉの下側の吸着部１２ａの側面である荷重吸収溝下面１２ｋとの距離が０になる（スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとが密着する）ように支持部１２ｃが屈曲する。つまり、支持部１２ｃを屈曲して吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを密着させることで、剛性が高い吸着部１２ａと同じく剛性が高いスリーブ接続部１２ｅとが一体化するため、吸着パッド１２が１つの剛性体となって真空排気の荷重に耐えることができ、ＩＣ１３を吸着保持することができる。
【００６５】
ここで、真空排気時、吸着部１２ａは支持部１２ｃより遥かに肉厚が厚く剛性が高いため、ＩＣ１３の封止体２３に密着した状態を維持して封止体２３の表面上で滑らなくなる。これにより、吸着部１２ａと封止体２３との間で摩擦は起こらず、静電気放電には至らない。したがって、封止体２３で帯電が起こることを低減または防止できる。
【００６６】
さらに、ＩＣ１３の吸着時に、スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとを密着させることで、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとが一体化して吸着部１２ａの形を安定させることができ、ＩＣ１３の吸着姿勢の安定化を図ることができる。
【００６７】
また、吸着パッド１２においては、図７に示すように、その連結部１２ｆの真空排気方向Ｆの長さＡは、吸着部１２ａの中空部である第１中空部１２ｄの真空排気方向Ｆの長さ（深さ）Ｂより短く形成されている。すなわち、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢとなっている（Ａ＜Ｂ）。
【００６８】
これにより、真空排気によってＩＣ１３を吸着した際に、図１１に示すように吸着天板１２ｍがＩＣ１３の封止体２３の表面に接触することを防止できる。
【００６９】
また、吸着パッド１２においては、図８に示すように、その連結部１２ｆの外周方向の大きさ（直径）Ｃは、吸着部１２ａの内周方向の大きさ（第１中空部１２ｄの直径）Ｄより小さく形成されている。すなわち、連結部１２ｆの外周部の直径Ｃ＜第１中空部１２ｄの直径Ｄとなっている（Ｃ＜Ｄ）。
【００７０】
これにより、真空排気によってＩＣ１３を吸着した際に、図１１に示すように吸着天板１２ｍを撓み易くする（吸着天板１２ｍを含む支持部１２ｃを変形し易くする）ことができる。
【００７１】
したがって、吸着パッド１２の形状が、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであるとともに、連結部１２ｆの外周部の直径Ｃ＜第１中空部１２ｄの直径Ｄであることにより、ＩＣ１３の吸着時に、図９に示すようにスリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとを確実に密着させることができ、ＩＣ１３の吸着姿勢の安定化を更に図ることができる。
【００７２】
次に、図１０〜図１２に示す本実施の形態１の半導体装置の搬送方法について説明する。
【００７３】
図１０は図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図、図１１は図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図、図１２は図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【００７４】
本実施の形態１では、導電性のトレイ上に載置された半導体装置であるＩＣ１３を吸着パッド１２によって吸着保持して搬送する場合について説明する。
【００７５】
まず、図１０に示すように、真空排気系１９に連通する中空部である第１中空部１２ｄを形成し、かつ真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状の吸着部１２ａと、吸着部１２ａと交差する方向に延在し、かつ吸着部１２ａを支持する支持部１２ｃとを有する吸着パッド１２を備えた図１に示す半導体製造装置であるテストハンドラ５０において、真空排気系１９によって真空排気を行って吸着パッド１２の吸着部１２ａにより、導電性のトレイ１５上に載置されたＩＣ１３を吸着保持する。
【００７６】
その際、吸着パッド１２は、導電性シリコーンゴムによって形成されているとともに、図６に示すように吸着パッド１２における支持部１２ｃの肉厚Ｘは、吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く形成されている（Ｘ＜Ｙ）。また、図７に示すように連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであり（Ａ＜Ｂ）、さらに、図８に示すように連結部１２ｆの外周部の直径Ｃ＜第１中空部１２ｄの直径Ｄである（Ｃ＜Ｄ）。
【００７７】
まず、図１０に示すように、真空排気系１９の電磁弁１７を開いて吸着スリーブ１１を介して真空源１８から真空排気を開始するとともに、吸着パッド１２を下降（Ｅ方向）させてＩＣ１３の封止体２３の表面に吸着パッド１２の吸着部１２ａを押し付ける。
【００７８】
その後、真空源１８からの負圧により、吸着部１２ａの第１中空部１２ｄが真空雰囲気になり、図１１に示すようにＩＣ１３を吸着保持することができる。その際、吸着パッド１２が導電性シリコーンゴムによって形成され、さらに支持部１２ｃの肉厚が薄くて吸着部１２ａより剛性が低く形成されているため、真空排気方向Ｆの荷重が吸着パッド１２に掛かった際に、連結部１２ｆがＩＣ１３の封止体２３に近づくように支持部１２ｃが屈曲する。別の言い方をすると、吸着部１２ａが図１０に示す荷重吸収溝部１２ｉに配置されるように支持部１２ｃで屈曲が行われる。
【００７９】
つまり、吸着パッド１２に対して真空排気方向Ｆに沿ってかかる荷重（上下方向に掛かる荷重）を荷重吸収溝部１２ｉによって吸収している。
【００８０】
さらに、吸着パッド１２の荷重吸収溝上面１２ｊと荷重吸収溝下面１２ｋとの距離が０ｍｍになる（スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとが密着する）ように支持部１２ｃが屈曲する。つまり、支持部１２ｃを屈曲させて吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを密着させることで、剛性が高い吸着部１２ａと同じく剛性が高いスリーブ接続部１２ｅとが一体化するため、吸着パッド１２が１つの剛性体となって真空排気方向Ｆの荷重に耐えることができ、ＩＣ１３を吸着保持することができる。
【００８１】
ここで、吸着部１２ａは支持部１２ｃより遥かに肉厚が厚く剛性が高いことと、真空排気時に吸着パッド１２に対して真空排気方向Ｆに沿ってかかる荷重を荷重吸収溝部１２ｉによって吸収するため、吸着部１２ａは、ＩＣ１３の封止体２３に密着した状態を維持して封止体２３の表面上で滑らなくなる。
【００８２】
その結果、吸着部１２ａと封止体２３との間で摩擦はほとんど起こらず、静電気放電には至らない。したがって、封止体２３で帯電が起こることを低減または防止できる。
【００８３】
この状態で、図１２に示すようにＩＣ１３を吸着パッド１２によって吸着保持して所定位置まで搬送する。
【００８４】
なお、吸着パッド１２の形状が、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであるとともに、連結部１２ｆの外周部の直径Ｃ＜第１中空部１２ｄの直径Ｄであることにより、ＩＣ１３の吸着時に、支持部１２ｃの吸着天板１２ｍがＩＣ１３の封止体２３の表面に接触することを防止できるとともに、吸着天板１２ｍを含む支持部１２ｃを変形し易くすることができる。
【００８５】
その結果、スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとをより確実に密着させることができ、ＩＣ１３の吸着姿勢の安定化を更に図ることができる。
【００８６】
本実施の形態１の半導体製造装置（テストハンドラ５０）及び半導体装置の搬送方法によれば、吸着パッド１２における支持部１２ｃの肉厚Ｘが吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く、かつ屈曲可能に形成されていることにより、吸着パッド１２によってＩＣ１３を真空吸着した際に、支持部１２ｃが屈曲することで、ＩＣ１３と接触する吸着部１２ａの移動（滑り）を抑えてＩＣ１３の封止体２３の表面と吸着部１２ａとの間で起こる摩擦を低減することができる。
【００８７】
これにより、ＩＣ１３の封止体２３の表面での帯電を少なくすることができ、テストハンドラ５０の接地された図３９に示す測定コンタクトピン１６等の金属部材にＩＣ１３のリード１４が触れても静電気放電の量を少なくすることができる。
【００８８】
その結果、ＩＣ１３の静電気放電による破壊を低減することができる。
【００８９】
また、吸着パッド１２による真空吸着時のＩＣ１３の封止体２３の表面での帯電を少なくすることができるため、真空吸着時のＩＣ１３の位置ずれや吸着ミスを低減することができる。
【００９０】
これにより、ＩＣ１３の吸着姿勢の安定化を図ることができる。
【００９１】
さらに、ＩＣ１３の吸着保持の際の吸着姿勢の安定化を図ることができるため、ＩＣ１３の搬送先での位置ずれによるリード曲がりを低減することができる。すなわち、ＩＣ１３の吸着搬送におけるリード１４の変形を抑制することができる。
【００９２】
次に、本実施の形態１の変形例について説明する。図１３は本発明の実施の形態１の吸着パッドの第１変形例の構造を示す拡大部分断面図、図１４は本発明の実施の形態１の吸着パッドの第２変形例の構造を示す拡大部分断面図、図１５は図１４に示す吸着パッドの詳細構造を示す拡大部分断面図である。
【００９３】
図１３に示す第１変形例は、吸着パッド１２の先端部が、硬度が異なる２層構造となっているものである。すなわち、吸着パッド１２の吸着部１２ａの先端が真空排気方向Ｆに対して第１先端部１２ｎと第２先端部１２ｐとから成る２層構造に形成され、ＩＣ接触面１２ｂを有する先端側の第１先端部１２ｎの硬度が基端側の第２先端部１２ｐの硬度より高く形成されている。
【００９４】
その際、先端側の第１先端部１２ｎは、機械的な抵抗値が小さい材料によって形成されていることが好ましい。第１先端部１２ｎ及び第２先端部１２ｐとも、例えば、導電性シリコーンゴム等によって形成されており、その場合、先端側の第１先端部１２ｎの硬度が、例えば、７５°±５°であり、一方、基端側の第２先端部１２ｐの硬度が、例えば、４０°±５°である。ただし、導電性シリコーンゴムの硬度は、これらに限定されるものではない。
【００９５】
また、先端側の第１先端部１２ｎのＩＣ接触面１２ｂは、鏡面に形成されていることが好ましく、したがって、ＩＣ接触面１２ｂの硬度をより高くして、かつ鏡面に形成することで、ＩＣ１３を吸着保持する際の吸着部１２ａとＩＣ１３の封止体２３との摩擦係数を更に小さくして、ＩＣ１３上での帯電量を更に低減することができる。
【００９６】
次に、図１４及び図１５に示す第２変形例は、吸着パッド１２の吸着部１２ａの先端をくさび形にしたものである。その際、くさび形の先端形状であるため、吸着部１２ａの先端が前記先端に向かって先細の形状に形成されており、さらに先端の突端部１２ｑから吸着部１２ａの内側に向かって形成された第１テーパ面１２ｒの真空排気方向Ｆと直交する仮想面２４との成す第１角度（θ１）は、前記先端の突端部１２ｑから吸着部１２ａの外側に向かって形成された第２テーパ面１２ｓの仮想面２４との成す第２角度（θ２）と、θ１≦θ２の関係となっている。
【００９７】
すなわち、くさび形の先端の円周方向の内側に向かう第１テーパ面１２ｒの仮想面２４との成す第１角度（θ１）は、先端の円周方向の外側に向かう第２テーパ面１２ｓの仮想面２４との成す第２角度（θ２）より小さく、θ１（内側）≦θ２（足側）の関係となっている。なお、仮想面２４は、ここでは水平面である。より好ましくは、θ１（内側）＜θ２（外側）である。
【００９８】
このように吸着部１２ａの先端の形状をくさび形にすることで、吸着部１２ａとＩＣ１３の接触面積を小さくして摩擦量を少なくし、これによって、ＩＣ１３上での帯電量の低減化を図ることができる。
【００９９】
また、くさび形の内側の第１テーパ面１２ｒの角度（θ１）＜くさび形の外側の第２テーパ面１２ｓの角度（θ２）とすることで、真空排気時に吸着部１２ａが傾く場合においても内側に傾き易くして強い吸着を維持することができる。
【０１００】
これによって、ＩＣ１３の真空吸着において低帯電と強い吸着の両者を実現させることができる。
【０１０１】
本実施の形態１の第１変形例及び第２変形例によって得られるその他の効果については、前述の図１〜図１２に示す半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法によって得られる効果と同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１０２】
（実施の形態２）
図１６は本発明の実施の形態２の吸着パッドの構造の一例を示す外観斜視図、図１７は図１６に示す吸着パッドの構造の一例を示す断面図、図１８は図１６に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造の一例を示す断面図である。また、図１９は図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図２０は図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図２１は図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図２２は図１６に示す吸着パッドの半導体装置吸着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【０１０３】
本実施の形態２では、小型の半導体装置である小型ＩＣ２５を真空吸着によって吸着保持することが可能な小型ＩＣ対応の吸着パッド２６について説明する。
【０１０４】
図１６及び図１７に示す吸着パッド２６は、吸着部１２ａの大きさを小型化することで、小型ＩＣ２５を吸着可能にしたものであり、その基本構造は、実施の形態１の吸着パッド１２と略同様である。吸着パッド２６の構成は、真空排気系１９（図１０参照）に連通する中空部である第１中空部１２ｄを形成し、かつ真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状の吸着部１２ａと、吸着部１２ａと交差する方向で、かつ円周方向に延在し、さらに吸着部１２ａを支持する円板状の支持部１２ｃと、図１８に示す吸着スリーブ１１と接続するスリーブ接続部１２ｅと、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを連結する連結部１２ｆとから成る。
【０１０５】
ここで、第１中空部１２ｄは、円筒形の吸着部１２ａの内部の空間部分である。さらに、連結部１２ｆは、支持部１２ｃとスリーブ接続部１２ｅとに接合し、かつ支持部１２ｃの吸着部１２ａと反対側の領域において真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状構造のものである。
【０１０６】
したがって、図１６に示すように、吸着部１２ａと連結部１２ｆとスリーブ接続部１２ｅは、それぞれ円筒形を成し、それぞれの内部には、図１７に示すように第１中空部１２ｄ、第２中空部１２ｇ、第３中空部１２ｈが形成されており、第１中空部１２ｄ、第２中空部１２ｇ及び第３中空部１２ｈは連通している。
【０１０７】
なお、吸着パッド２６においては、スリーブ接続部１２ｅと連結部１２ｆとがその外周の大きさが同じ直径であり、また、吸着部１２ａの外周の直径は、連結部１２ｆの外周の直径より小さい。
【０１０８】
また、吸着パッド２６においては、筒状の連結部１２ｆの内部の空間部である第２中空部１２ｇが、吸着時の真空排気方向Ｆ（上下方向）の荷重を吸収する荷重吸収溝部１２ｉとなっている。
【０１０９】
また、小型の円筒形の吸着部１２ａの先端は、小型ＩＣ２５を吸着する際に小型ＩＣ２５の表面に当圧する円形のＩＣ接触面１２ｂとなっており、真空排気方向Ｆに真空排気が行われた際には、吸着部１２ａの内部である第１中空部１２ｄを真空状態にして小型ＩＣ２５を真空吸着する。
【０１１０】
なお、円筒形のスリーブ接続部１２ｅの内部の第３中空部１２ｈは、図１８に示すように、吸着スリーブ１１が嵌め込まれる空間であり、吸着スリーブ１１の内部のスリーブ中空部１１ａが吸着部１２ａの第１中空部１２ｄと第２中空部１２ｇを介して連通する構造となっている。図１０に示す構造と同様に、この吸着スリーブ１１に対して真空排気系１９が接続されている。
【０１１１】
また、本実施の形態２の吸着パッド２６においても、実施の形態１の吸着パッド１２と同様に、図１９に示すように吸着部１２ａと支持部１２ｃにおいて、支持部１２ｃの肉厚Ｘは、吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く形成されており、支持部１２ｃは、図２２に示すように屈曲可能に形成されている。すなわち、図１９に示すように、支持部１２ｃの肉厚Ｘと吸着部１２ａの肉厚Ｙは、Ｘ＜Ｙの関係となっている。つまり、支持部１２ｃの肉厚Ｘは、非常に薄く形成されて、剛性が低い形状となっており、一方、吸着部１２ａの肉厚Ｙは、真空排気によって荷重が掛かっても変形しない程度の高い剛性を有する厚さとなっている。
【０１１２】
なお、吸着パッド２６は、導電性ゴム、例えば、導電性の粒子を混ぜたシリコーンゴム（以降、単に導電性シリコーンゴムともいう）によって形成されており、これにより、静電気放電による帯電が起こりにくくなっている。
【０１１３】
このように吸着パッド２６が導電性シリコーンゴムによって形成され、さらに支持部１２ｃの肉厚が薄くて剛性が低く形成されていることにより、図２２に示すように真空排気を行って第１中空部１２ｄを真空雰囲気にする際には、小型ＩＣ２５の封止体２３や吸着部１２ａより支持部１２ｃの方が剛性が遥かに低いため、吸着部１２ａが上方のスリーブ接続部１２ｅに近づくように支持部１２ｃが屈曲する。別の言い方をすると、吸着部１２ａが荷重吸収溝部１２ｉに配置されるように支持部１２ｃで屈曲する。
【０１１４】
その際、第２中空部１２ｇである荷重吸収溝部１２ｉの上面の荷重吸収溝上面１２ｊと、荷重吸収溝部１２ｉの下面の荷重吸収溝下面１２ｋとの距離が０になる（スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとが密着する）ように支持部１２ｃが屈曲する。つまり、支持部１２ｃを屈曲させて吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを密着させることで、剛性が高い吸着部１２ａと同じく剛性が高いスリーブ接続部１２ｅとが一体化するため、吸着パッド２６が１つの剛性体となって真空排気の荷重に耐えることができ、小型ＩＣ２５を吸着保持することができる。
【０１１５】
ここで、真空排気時、吸着部１２ａは支持部１２ｃより遥かに肉厚が厚く剛性が高いため、小型ＩＣ２５の封止体２３に密着した状態を維持して封止体２３の表面上で滑らなくなる。これにより、吸着部１２ａと封止体２３との間で摩擦は起こらず、静電気放電には至らない。したがって、封止体２３で帯電が起こることを低減または防止できる。
【０１１６】
さらに、小型ＩＣ２５の吸着時に、スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとを密着させることで、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとが一体化して吸着部１２ａの形を安定させることができ、小型ＩＣ２５の吸着姿勢の安定化を図ることができる。
【０１１７】
また、吸着パッド２６においては、図２０に示すように、その連結部１２ｆの真空排気方向Ｆの長さＡは、吸着部１２ａの中空部である第１中空部１２ｄの真空排気方向Ｆの長さ（深さ）Ｂより短く形成されている。すなわち、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢとなっている（Ａ＜Ｂ）。
【０１１８】
これにより、真空排気によって小型ＩＣ２５を吸着した際に、図２２に示すように荷重吸収溝上面１２ｊと荷重吸収溝下面１２ｋとが密着するため、小型ＩＣ２５の吸着姿勢を保つことができる。
【０１１９】
さらに、吸着パッド２６においては、図２１に示すように、吸着部１２ａの外周方向の大きさ（直径）Ｃは、連結部１２ｆの内周方向の大きさ（第２中空部１２ｇの直径）Ｄより小さく形成されている。すなわち、吸着部１２ａの外周部の直径Ｃ＜第２中空部１２ｇの直径Ｄとなっている（Ｃ＜Ｄ）。
【０１２０】
これにより、真空排気によって小型ＩＣ２５を吸着した際に、支持部１２ｃである吸着天板１２ｍを撓み易くすることができる。
【０１２１】
したがって、吸着パッド２６の形状が、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであるとともに、吸着部１２ａの外周部の直径Ｃ＜第２中空部１２ｇの直径Ｄであることにより、小型ＩＣ２５の吸着時に、図２２に示すようにスリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとを確実に密着させることができ、小型ＩＣ２５の吸着姿勢の安定化を更に図ることができる。
【０１２２】
次に、図２３〜図２５に示す本実施の形態２の半導体装置の搬送方法について説明する。
【０１２３】
図２３は図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図、図２４は図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図、図２５は図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【０１２４】
本実施の形態２の半導体装置の搬送方法においても、導電性のトレイ上に載置された小型の半導体装置である小型ＩＣ２５を吸着パッド２６によって吸着保持して搬送する場合について説明する。
【０１２５】
まず、図２３に示すように、真空排気系１９に連通する中空部である第１中空部１２ｄを備え、かつ真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状の吸着部１２ａと、吸着部１２ａと交差する方向に延在し、かつ吸着部１２ａを支持する支持部１２ｃとを有する吸着パッド２６を備えた図１に示すテストハンドラ５０において、真空排気系１９によって真空排気を行って吸着パッド２６の吸着部１２ａにより、導電性のトレイ１５上に載置された小型ＩＣ２５を吸着保持する。
【０１２６】
その際、吸着パッド２６は、導電性シリコーンゴムによって形成されているとともに、図１９に示すように吸着パッド２６における支持部１２ｃの肉厚Ｘは、吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く形成されている（Ｘ＜Ｙ）。また、図２０に示すように連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであり（Ａ＜Ｂ）、さらに、図２１に示すように吸着部１２ａの外周部の直径Ｃ＜第２中空部１２ｇの直径Ｄである（Ｃ＜Ｄ）。
【０１２７】
まず、図２３に示すように、真空排気系１９の電磁弁１７を開いて吸着スリーブ１１を介して真空源１８から真空排気を開始するとともに、吸着パッド２６を下降（Ｅ方向）させて小型ＩＣ２５の封止体２３の表面に吸着パッド２６の吸着部１２ａを押し付ける。
【０１２８】
その後、真空源１８からの負圧により、吸着部１２ａの第１中空部１２ｄが真空雰囲気になり、図２４に示すように小型ＩＣ２５を吸着保持する。その際、吸着パッド２６が導電性シリコーンゴムによって形成され、さらに支持部１２ｃの肉厚が薄くて吸着部１２ａより剛性が低く形成されているため、真空排気方向Ｆの荷重が吸着パッド２６に掛かった際に、吸着部１２ａがスリーブ接続部１２ｅに近づくように支持部１２ｃが屈曲する。別の言い方をすると、吸着部１２ａが図２３に示す荷重吸収溝部１２ｉに配置されるように支持部１２ｃで屈曲が行われる。
【０１２９】
つまり、吸着パッド２６に対して真空排気方向Ｆに沿ってかかる荷重（上下方向に掛かる荷重）を荷重吸収溝部１２ｉである第２中空部１２ｇによって吸収している。
【０１３０】
さらに、図２４に示すように吸着パッド２６の荷重吸収溝上面１２ｊと荷重吸収溝下面１２ｋとの距離が０になる（スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとが密着する）ように支持部１２ｃが屈曲する。つまり、支持部１２ｃを屈曲させて吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを密着させることで、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとが一体化するため、吸着パッド２６が１つの剛性体となって真空排気方向Ｆの荷重に耐えることができ、小型ＩＣ２５を吸着保持することができる。
【０１３１】
ここで、吸着部１２ａは支持部１２ｃより遥かに肉厚が厚く剛性が高いことと、真空排気時に吸着パッド２６に対して真空排気方向Ｆに沿ってかかる荷重を荷重吸収溝部１２ｉによって吸収するため、吸着部１２ａは、小型ＩＣ２５の封止体２３に密着した状態を維持して封止体２３の表面上で滑らなくなる。
【０１３２】
その結果、吸着部１２ａと封止体２３との間で摩擦はほとんど起こらず、静電気放電には至らない。したがって、封止体２３で帯電が起こることを低減または防止できる。
【０１３３】
この状態で、図２５に示すように小型ＩＣ２５を吸着パッド２６によって吸着保持して所定位置まで搬送する。
【０１３４】
なお、吸着パッド２６の形状が、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであるとともに、吸着部１２ａの外周部の直径Ｃ＜第２中空部１２ｇの直径Ｄであることにより、小型ＩＣ２５の吸着時に、図２３に示す吸着天板１２ｍである支持部１２ｃを変形し易くすることができる。
【０１３５】
その結果、スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとをより確実に密着させることができ、小型ＩＣ２５の吸着姿勢の安定化を更に図ることができる。
【０１３６】
本実施の形態２の半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法によれば、吸着パッド２６における支持部１２ｃの肉厚Ｘが吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く、かつ屈曲可能に形成されていることにより、吸着パッド２６によって小型ＩＣ２５を真空吸着した際に、支持部１２ｃが屈曲することで、小型ＩＣ２５と接触する吸着部１２ａの移動（滑り）を抑えて小型ＩＣ２５の封止体２３の表面と吸着部１２ａとの間で起こる摩擦を低減することができる。
【０１３７】
これにより、小型ＩＣ２５の封止体２３の表面での帯電を少なくすることができる。
【０１３８】
本実施の形態２の半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法によって得られるその他の効果については、実施の形態１の半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法によって得られる効果と同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１３９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１４０】
例えば、前記実施の形態１，２では、吸着パッド１２，２６の吸着部１２ａが円筒状であり、ＩＣ接触面１２ｂが円形を成す場合を説明したが、図２６、図２７及び図２８の各変形例に示すように、吸着部１２ａはそのＩＣ接触面１２ｂが他の形状を成すような筒状に形成されていてもよい。
【０１４１】
図２６に示す他の第１変形例は、吸着部１２ａが楕円の筒状を成すものであり、ＩＣ接触面１２ｂが楕円形となっている。また、図２７に示す他の第２変形例は、吸着部１２ａが長方形の筒状を成すものであり、ＩＣ接触面１２ｂが長方形となっている。さらに、図２８に示す他の第３変形例は、吸着部１２ａが多角形の筒状を成すものであり、ＩＣ接触面１２ｂが多角形となっている。
【０１４２】
このような各変形例に示すように、吸着部１２ａは、内部に中空部を有した筒状を成すものであれば、その外周の形状は、円形、楕円形、長方形もしくは多角形等であってもよく、特に限定されるものではない。
【０１４３】
また、前記実施の形態１，２では、真空吸着される半導体装置がＱＦＰまたはＳＯＰ型の半導体装置の場合について説明したが、前記半導体装置は、真空吸着によって吸着保持可能なものであれば、特に限定されるものではなく、他の半導体装置であってもよい。
【０１４４】
さらに、前記実施の形態１，２では、半導体製造装置がテストハンドラ５０の場合について説明したが、前記半導体製造装置は、半導体装置を真空吸着によって吸着保持可能な機構を備えたものであれば、ハンドラに限定されるものではなく、他の製造装置であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明は、真空吸着を用いた電子装置の搬送技術に好適である。
【符号の説明】
【０１４６】
１ 空トレイ格納
２ 未測定ＩＣ格納
３ 供給トランスファ
４ コンタクト供給トランスファ
５ ＩＣ測定部
６ コンタクト排出トランスファ
７ 収納トランスファ
８ 良品ＩＣ格納
９ 不良品ＩＣ格納
１０ 空トレイ格納
１１ 吸着スリーブ
１１ａ スリーブ中空部
１２ 吸着パッド
１２ａ 吸着部
１２ｂ ＩＣ接触面
１２ｃ 支持部
１２ｄ 第１中空部
１２ｅ スリーブ接続部
１２ｆ 連結部
１２ｇ 第２中空部
１２ｈ 第３中空部
１２ｉ 荷重吸収溝部
１２ｊ 荷重吸収溝上面
１２ｋ 荷重吸収溝下面
１２ｍ 吸着天板
１２ｎ 第１先端部
１２ｐ 第２先端部
１２ｑ 突端部
１２ｒ 第１テーパ面
１２ｓ 第２テーパ面
１３ ＩＣ（半導体装置）
１４ リード
１５ トレイ
１６ 測定コンタクトピン
１７ 電磁弁
１８ 真空源
１９ 真空排気系
２０ 半導体チップ
２１ タブ
２２ ワイヤ
２３ 封止体
２４ 仮想面
２５ 小型ＩＣ（半導体装置）
２６ 吸着パッド
３０ 吸着パッド
３０ａ 吸着部
３０ｂ ＩＣ接触面
５０ テストハンドラ（半導体製造装置）
５１ 吸着ヘッド部
１００ テストハンドラ
１０１ 吸着ヘッド部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置及び半導体装置の搬送技術に関し、特に、半導体装置の静電破壊の低減化に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージを吸着搬送する搬送装置において、半導体パッケージを吸着パッドにより吸い上げ、上下移動用シリンダー、及び上下移動用ガイドと、前後移動用シリンダー、及び前後移動用ガイドにより半導体パッケージを移載する技術が、例えば、特開平５−７７１８５号公報（特許文献１）に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−７７１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
静電気放電（ＥＳＤ：Electro Static Discharge) による半導体デバイス「以下、半導体デバイスをＩＣ（Integrated Circuit）または半導体装置ともいう」の破壊防止のために、後工程（組立て〜テスト）設備での対策が求められている。
【０００５】
パッケージングされた工程以降での半導体装置（ＩＣ）の帯電要因は「工程間搬送時のトレイ等との摩擦帯電」と「設備内の吸着パッドによる摩擦帯電」のみと言っても過言ではない。
【０００６】
その際、「工程間搬送時の摩擦帯電」の場合は発生源対策や事後対策の選択肢があるが、「設備内の吸着パッドによる摩擦帯電」に関しては発生源を無くさなければ、対策が出来ないことが分かった。
【０００７】
そこで、本発明者は、真空吸着により吸着パッドを介して吸着保持された半導体装置の搬送について検討を行った。
【０００８】
図２９は、本発明者が比較検討した半導体製造装置（テストハンドラ）の構成を示す斜視図、図３０は図２９のＡ部の構造を拡大して示す部分断面図、図３１は図２９のテストハンドラに設けられた吸着パッドのスリーブとの結合状態を示す断面図、図３２は図３１に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造を示す断面図、図３３は図３２に示す吸着パッドの構造を示す外観斜視図、図３４は図３３に示す吸着パッドの構造を示す断面図である。
【０００９】
また、図３５は図２９に示すテストハンドラを用いて半導体装置を吸着搬送する際の吸着前の構造を示す部分断面図、図３６は図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図、図３７は図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図、図３８は図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【００１０】
さらに、図３９は図２９に示す吸着パッドによる半導体装置の吸着を停止した際の構造を示す部分断面図、図４０は図２９に示す吸着パッドを半導体装置から離反させた際の構造を示す部分断面図、図４１はテスト終了後の半導体装置を図２９に示す吸着パッドによって吸着した際の構造を示す部分断面図である。
【００１１】
まず、図２９及び図３０を用いて本発明者が検討した比較例のテストハンドラ１００の構成について説明する。テストハンドラ１００は、吸着パッド３０が設けられた吸着ヘッド部１０１を有する供給トランスファ３を備えており、さらに供給トランスファ３とは別に供給トランスファ３と同様の機構を持つ、コンタクト供給トランスファ４、コンタクト排出トランスファ６、及び収納トランスファ７を備えている。
【００１２】
さらに、テストハンドラ１００は、空きトレイを格納する空トレイ格納１，１０、テスト結果に基づいて良品ＩＣを格納する良品ＩＣ格納８及び不良品ＩＣを格納する不良品ＩＣ格納９等を備えている。
【００１３】
また、図３１〜図３４に吸着パッド３０と吸着パッド３０が固定される吸着スリーブ１１の構造を示す。図３１に示すように、吸着パッド３０は、吸着スリーブ１１に矢印Ｂ方向に押し込まれて装着される。吸着パッド３０の先端のＩＣ接触面３０ｂを備えた吸着部３０ａはラッパ型である。なお、吸着パッド３０は、非金属製であり、吸着スリーブ１１は、金属製である。
【００１４】
テストを未だ実施していない未測定のＩＣ（半導体装置）１３をテストする際には、未測定のＩＣ１３を格納する未測定ＩＣ格納２から、供給トランスファ３によってＩＣ１３を搬送し、コンタクト供給トランスファ４を経由してＩＣ測定部５に搬送する。その際、吸着・離脱動作で帯電したＩＣ１３のリード１４は、ＩＣ測定部５の接地された図４０に示す測定コンタクトピン１６に触れ、一瞬にして静電気放電が発生し破壊されるという問題がある。
【００１５】
その吸着・離脱動作でＩＣ１３が帯電するメカニズムとリード１４が測定コンタクトピン１６に触れ、静電気放電が発生して破壊される詳細メカニズムを図３５〜図４０に示す。
【００１６】
図３５はＩＣ１３を吸着する前の状態である。図３６に示すように吸着スリーブ１１の下降Ｃにより吸着パッド３０も降下し、吸着パッド３０の吸着部３０ａのＩＣ接触面３０ｂがＩＣ１３の表面を滑りながら押し付けられるため、吸着パッド３０とＩＣ１３の表面は「パッドの滑り」によって摩擦し、例えばＩＣ１３の表面には−（マイナス）電荷が発生し帯電する。
【００１７】
図３７は、吸着パッド３０が、ＩＣ１３を押し付けた状態で、電磁弁１７の開放により吸着パッド３０の内部が真空源１８の負圧（矢印Ｄ）により、真空排気状態となりＩＣ１３を吸着している状態である。図３８はＩＣ１３を吸着パッド３０が吸着保持し、この状態でＩＣ１３を搬送している構造を示している。
【００１８】
このテストハンドラ１００では、図３５〜図３８の一連の動作を供給トランスファ３とコンタクト供給トランスファ４で２回行い、ＩＣ１３をＩＣ測定部５まで運ぶ。
【００１９】
図３９は、例えばＩＣ測定部５に運ばれたＩＣ１３は電磁弁１７の遮断で真空排気が遮断され、ＩＣ１３が離脱する際の状態を示している。吸着パッド３０は元の形に戻ろうとする為、吸着パッド３０の吸着部３０ａのＩＣ接触面３０ｂはＩＣ１３の表面を滑り、ＩＣ接触面３０ｂとＩＣ１３の表面は「パッドの滑り」によって再度摩擦して、例えばＩＣ１３の表面は−電荷が更に帯電する。
【００２０】
図４０はＩＣ１３が離脱（離反）し、吸着パッド３０が矢印Ｅの方向に上昇して、ＩＣ１３のリード１４が測定コンタクトピン１６に触れる状態を示している。この時、ＩＣ１３の表面に帯電した例えば−（マイナス）電荷は、測定コンタクトピン１６を介して静電気放電し、ＩＣ１３のゲート部が破壊される。このようにＩＣ１３が吸着パッド３０から離反してから直ぐに測定コンタクトピン１６に触れるため、イオナイザーによる除電のタイミングがなく、また、搬送先が測定コンタクトピン１６であることから、放電を防ぐための絶縁や高抵抗表面処理も出来ず、対策方法がない。
【００２１】
なお、ＩＣ１３の帯電を抑えるために、カーボンを混ぜた「導電性のゴム吸着パッド」や「金属製パッド」等がある。
【００２２】
ところが、前者の「導電性のゴム吸着パッド」は前述の内容と同様に、ＩＣ吸着／離脱時に摩擦により帯電する。
【００２３】
また、劣化により常時吸着時の形状（縮んだ状態）となるため、高さ不足で吸着ミスが発生しない様に押え込み量を強くする必要がある。これにより摩擦力はより大きくなって、ＩＣ１３の表面はより高帯電（２００Ｖ以上）となり、高帯電に弱いＩＣ１３は破壊されることが課題である。
【００２４】
また、ラッパ型の吸着部３０ａはＩＣ１３の中心（重心）を外れると、図４１に示すように吸着姿勢が傾き、吸着が安定せず、搬送先で離脱する際に位置ズレが引き起こされることが課題である。
【００２５】
後者の「金属製パッド」はＩＣ１３もほとんど帯電することもなく、静電気に関しては問題ないが、搬送中に吸着パッド３０−ＩＣ１３間に滑りが起こり、ＩＣ１３の位置ズレが多発することが課題である。
【００２６】
また、ＩＣ１３の表面や金属性パッドの表面に異物等があると吸着ミスが頻繁して吸着保持が不安定になることが課題である。
【００２７】
なお、前記特許文献１（特開平５−７７１８５号公報）には、搬送装置の吸着ヘッドについての技術が開示されているが、そこに記載された吸着パッドによって半導体パッケージを吸着した際にも吸着パッドと半導体パッケージの間で摩擦が発生し、この摩擦により半導体パッケージ上で帯電が起こることが懸念される。
【００２８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電気放電を少なくして、半導体装置の破壊の低減化を図ることができる技術を提供することにある。
【００２９】
また、本発明の他の目的は、吸着パッドによって半導体装置を吸着する際の半導体装置の吸着姿勢の安定化を図ることができる技術を提供することにある。
【００３０】
さらに、本発明の他の目的は、半導体装置の吸着搬送におけるリードの変形を抑制することができる技術を提供することにある。
【００３１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００３３】
代表的な実施の形態による半導体製造装置は、真空排気系に連通する中空部を形成し、かつ真空排気方向に沿って延びる筒状の吸着部と、前記吸着部と交差する方向に延在し、かつ前記吸着部を支持する支持部とを有する吸着パッドと、前記吸着パッドを備え、前記吸着パッドを介して半導体装置を真空吸着して搬送する吸着ヘッド部と、を有し、前記吸着パッドにおける前記支持部の肉厚は、前記吸着部の肉厚より薄く形成され、前記支持部は屈曲可能に形成されているものである。
【００３４】
また、代表的な実施の形態による半導体装置の搬送方法は、（ａ）真空排気系に連通する中空部を形成し、かつ真空排気方向に沿って延びる筒状の吸着部と、前記吸着部と交差する方向に延在し、かつ前記吸着部を支持する支持部とを有する吸着パッドを備えた半導体製造装置において、前記真空排気系によって真空排気を行って前記吸着パッドの前記吸着部によって半導体装置を吸着保持する工程と、（ｂ）前記半導体製造装置において、前記半導体装置を前記吸着パッドによって吸着保持した状態で搬送する工程と、を有し、前記吸着パッドにおける前記支持部の肉厚は、前記吸着部の肉厚より薄く形成され、前記（ａ）工程において前記真空排気系によって真空排気した際に、前記支持部が屈曲して前記吸着部によって前記半導体装置を真空吸着するものである。
【発明の効果】
【００３５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００３６】
半導体装置を吸着保持する際に半導体装置の表面での帯電を少なくすることができ、半導体装置の静電気放電による破壊を低減することができる。
【００３７】
また、真空吸着時の半導体装置の表面での帯電を少なくすることができるため、半導体装置の吸着姿勢の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体製造装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示すＡ部の構造を拡大して示す部分断面図である。
【図３】図２に示す吸着パッドの構造の一例を示す外観斜視図である。
【図４】図３に示す吸着パッドの構造の一例を示す断面図である。
【図５】図３に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造の一例を示す断面図である。
【図６】図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図７】図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図８】図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図９】図３に示す吸着パッドの半導体装置吸着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１０】図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図である。
【図１１】図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図である。
【図１２】図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１の吸着パッドの第１変形例の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の吸着パッドの第２変形例の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１５】図１４に示す吸着パッドの詳細構造を示す拡大部分断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２の吸着パッドの構造の一例を示す外観斜視図である。
【図１７】図１６に示す吸着パッドの構造の一例を示す断面図である。
【図１８】図１６に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造の一例を示す断面図である。
【図１９】図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図２０】図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図２１】図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図である。
【図２２】図１６に示す吸着パッドの半導体装置吸着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図２３】図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図である。
【図２４】図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図である。
【図２５】図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態の吸着パッドのＩＣ接触面の他の第１変形例の構造を示す裏面図である。
【図２７】本発明の実施の形態の吸着パッドのＩＣ接触面の他の第２変形例の構造を示す裏面図である。
【図２８】本発明の実施の形態の吸着パッドのＩＣ接触面の他の第３変形例の構造を示す裏面図である。
【図２９】比較例の半導体製造装置（テストハンドラ）の構成を示す斜視図である。
【図３０】図２９のＡ部の構造を拡大して示す部分断面図である。
【図３１】図２９のテストハンドラに設けられた吸着パッドのスリーブとの結合状態を示す断面図である。
【図３２】図３１に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造を示す断面図である。
【図３３】図３２に示す吸着パッドの構造を示す外観斜視図である。
【図３４】図３３に示す吸着パッドの構造を示す断面図である。
【図３５】図２９に示すテストハンドラを用いて半導体装置を吸着搬送する際の吸着前の構造を示す部分断面図である。
【図３６】図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図である。
【図３７】図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図である。
【図３８】図２９に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【図３９】図２９に示す吸着パッドによる半導体装置の吸着を停止した際の構造を示す部分断面図である。
【図４０】図２９に示す吸着パッドを半導体装置から離反させた際の構造を示す部分断面図である。
【図４１】図２９に示す吸着パッドによってテスト終了後の半導体装置を吸着した際の構造を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００４０】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００４１】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００４２】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００４３】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００４４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００４５】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体製造装置の構造の一例を示す斜視図、図２は図１に示すＡ部の構造を拡大して示す部分断面図である。
【００４６】
本実施の形態１の半導体製造装置は、半導体製造工程の後工程等で組み立てられた半導体装置（半導体パッケージまたは半導体デバイス等ともいう）を吸着保持して搬送する機構を備えたものであり、ここでは、前記半導体製造装置の一例として、図１に示すテストハンドラ５０を例に挙げて説明する。
【００４７】
すなわち、テストハンドラ５０は、組み立てられた半導体装置であるＩＣ１３のテスト（測定）を行うとともに、テスト結果に基づいてＩＣ１３を良品・不良品に選別して格納する製造装置であり、ＩＣ測定部５へのＩＣ１３の搬送やテスト後の所定箇所への格納の際に、ＩＣ１３を真空吸着によって保持しながら搬送することが可能な機構を備えているものである。
【００４８】
本実施の形態１のテストハンドラ５０の構成について説明すると、ＩＣ１３を真空吸着して保持可能な吸着パッド１２が設けられた吸着ヘッド部５１を有する供給トランスファ３を備えている。吸着ヘッド部５１は、吸着パッド１２を備え、この吸着パッド１２を介してＩＣ１３を真空吸着して搬送するものである。なお、吸着ヘッド部５１には、真空排気を行うための真空排気系１９が接続されている。この真空排気系１９には、真空排気のＯＮ／ＯＦＦを行う電磁弁１７と真空源１８とが設けられており、真空排気系１９は、吸着パッド１２が取り付けられる吸着スリーブ１１に連通している。
【００４９】
さらに、供給トランスファ３は、図２に示すように吸着ヘッド部５１を図１のＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動自在な機構を備えており、これによって、吸着パッド１２によって吸着保持されたＩＣ１３をＸ、ＹまたはＺ方向に搬送することができる。
【００５０】
さらに、テストハンドラ５０は、供給トランスファ３とは別に供給トランスファ３と同様の機構を持つ、コンタクト供給トランスファ４、コンタクト排出トランスファ６、及び収納トランスファ７を備えているとともに、ＩＣ１３のテスト（測定）を行うＩＣ測定部５を備えている。
【００５１】
また、テストハンドラ５０は、空きトレイを格納する空トレイ格納１，１０、ＩＣ測定部５で行ったテストの結果に基づいて良品ＩＣを格納する良品ＩＣ格納８及び不良品ＩＣを格納する不良品ＩＣ格納９等を備えている。
【００５２】
次に、テストハンドラ５０においてテスト（測定）される半導体装置であるＩＣ１３の構造について説明する。
【００５３】
ＩＣ１３は、後工程で組み立てられた半導体装置（半導体パッケージ）であり、図２に示すようにタブ２１上にダイボンド材を介して搭載された半導体チップ２０と、半導体チップ２０とリード１４のインナリード部分とを電気的に接続する複数のワイヤ２２と、半導体チップ２０や複数のワイヤ２２を樹脂封止する封止体２３とを有しており、封止体２３の天面側の表面は、吸着パッド１２によって真空吸着可能な平坦面となっている。複数のリード１４それぞれの封止体２３から露出するアウタリード部分は、ガルウィング状に曲げ成形されている。
【００５４】
すなわち、ＩＣ１３は、例えば、ＱＦＰ（Quad Flat Package)やＳＯＰ（Small Outline Package)等の半導体装置であるが、半導体チップ２０とリード１４との電気的な接続方法や、各リード１４のアウタリード部分の形状等については、特に限定されるものではなく、ＱＦＰやＳＯＰ以外の他の半導体装置であってもよい。
【００５５】
次に、テストハンドラ５０の吸着ヘッド部５１に設けられた図３及び図４に示す吸着パッド１２の構造について説明する。
【００５６】
図３は図２に示す吸着パッドの構造の一例を示す外観斜視図、図４は図３に示す吸着パッドの構造の一例を示す断面図、図５は図３に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造の一例を示す断面図である。さらに、図６は図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図７は図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図８は図３に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図９は図３に示す吸着パッドの半導体装置吸着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【００５７】
本実施の形態１の吸着パッド１２は、図２の真空排気系１９に連通する中空部である第１中空部１２ｄを形成し、かつ真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状の吸着部１２ａと、吸着部１２ａと交差する方向で、かつ円周方向に延在し、さらに吸着部１２ａを支持する円板状の支持部１２ｃと、吸着スリーブ１１と接続するスリーブ接続部１２ｅと、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを連結する連結部１２ｆとから成る。すなわち、第１中空部１２ｄは、吸着部１２ａと支持部１２ｃとによって囲まれた空間部である。さらに、連結部１２ｆは、支持部１２ｃとスリーブ接続部１２ｅとに接合し、かつ支持部１２ｃの吸着部１２ａと反対側の領域において図４の真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状構造となっている。
【００５８】
したがって、図３に示すように、吸着部１２ａと連結部１２ｆとスリーブ接続部１２ｅは、それぞれ円筒形を成し、それぞれの内部には、図４に示すように第１中空部１２ｄ、第２中空部１２ｇ、第３中空部１２ｈが形成されており、第１中空部１２ｄ、第２中空部１２ｇ及び第３中空部１２ｈは連通している。吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅの円筒形の外周の直径は、略同じであり、両者の間に配置される連結部１２ｆの円筒形の外周の直径は、吸着部１２ａやスリーブ接続部１２ｅより小さいため、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとの間に挟まれた領域の連結部１２ｆの外側には、溝状の空間部となる荷重吸収溝部１２ｉが形成されている。
【００５９】
また、円筒形の吸着部１２ａの先端は、ＩＣ１３を吸着する際にＩＣ１３の表面に当圧する円形のＩＣ接触面１２ｂとなっており、真空排気方向Ｆに真空排気が行われた際には、吸着部１２ａとＩＣ１３の封止体２３の表面とによって覆われた第１中空部１２ｄを真空状態にしてＩＣ１３を真空吸着する。
【００６０】
なお、円筒形のスリーブ接続部１２ｅの内部の第３中空部１２ｈは、図５に示すように、吸着スリーブ１１が嵌め込まれる空間であり、吸着スリーブ１１の内部のスリーブ中空部１１ａが吸着部１２ａの第１中空部１２ｄと第２中空部１２ｇを介して連通する構造となっている。図２に示すように、この吸着スリーブ１１に対して真空排気系１９が接続されている。
【００６１】
また、本実施の形態１の吸着パッド１２では、図６に示すように吸着部１２ａと支持部１２ｃにおいて、支持部１２ｃの肉厚Ｘは、吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く形成されており、支持部１２ｃは、図９に示すように屈曲可能に形成されている。すなわち、図６に示すように、支持部１２ｃの肉厚Ｘと吸着部１２ａの肉厚Ｙは、Ｘ＜Ｙの関係となっている。つまり、支持部１２ｃの肉厚Ｘは、非常に薄く形成されて、剛性が低い形状となっており、一方、吸着部１２ａの肉厚Ｙは、真空排気によって荷重が掛かっても変形しない程度の高い剛性を有する厚さとなっている。
【００６２】
なお、吸着パッド１２は、導電性ゴム、例えば、導電性の粒子を混ぜたシリコーンゴム（以降、単に導電性シリコーンゴムともいう）によって形成されており、これにより、静電気放電による帯電が起こりにくくなっている。
【００６３】
このように吸着パッド１２が導電性シリコーンゴムによって形成され、さらに支持部１２ｃの肉厚が薄くて剛性が低く形成されていることにより、図９に示すように真空排気を行って第１中空部１２ｄを真空雰囲気にする際には、ＩＣ１３の封止体２３や吸着部１２ａより支持部１２ｃの方が剛性が遥かに低いため、連結部１２ｆがＩＣ１３の封止体２３に近づくように支持部１２ｃが屈曲する。別の言い方をすると、吸着部１２ａが荷重吸収溝部１２ｉに配置されるように支持部１２ｃで屈曲する。
【００６４】
その際、荷重吸収溝部１２ｉの上側のスリーブ接続部１２ｅの側面である荷重吸収溝上面１２ｊと、荷重吸収溝部１２ｉの下側の吸着部１２ａの側面である荷重吸収溝下面１２ｋとの距離が０になる（スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとが密着する）ように支持部１２ｃが屈曲する。つまり、支持部１２ｃを屈曲して吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを密着させることで、剛性が高い吸着部１２ａと同じく剛性が高いスリーブ接続部１２ｅとが一体化するため、吸着パッド１２が１つの剛性体となって真空排気の荷重に耐えることができ、ＩＣ１３を吸着保持することができる。
【００６５】
ここで、真空排気時、吸着部１２ａは支持部１２ｃより遥かに肉厚が厚く剛性が高いため、ＩＣ１３の封止体２３に密着した状態を維持して封止体２３の表面上で滑らなくなる。これにより、吸着部１２ａと封止体２３との間で摩擦は起こらず、静電気放電には至らない。したがって、封止体２３で帯電が起こることを低減または防止できる。
【００６６】
さらに、ＩＣ１３の吸着時に、スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとを密着させることで、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとが一体化して吸着部１２ａの形を安定させることができ、ＩＣ１３の吸着姿勢の安定化を図ることができる。
【００６７】
また、吸着パッド１２においては、図７に示すように、その連結部１２ｆの真空排気方向Ｆの長さＡは、吸着部１２ａの中空部である第１中空部１２ｄの真空排気方向Ｆの長さ（深さ）Ｂより短く形成されている。すなわち、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢとなっている（Ａ＜Ｂ）。
【００６８】
これにより、真空排気によってＩＣ１３を吸着した際に、図１１に示すように吸着天板１２ｍがＩＣ１３の封止体２３の表面に接触することを防止できる。
【００６９】
また、吸着パッド１２においては、図８に示すように、その連結部１２ｆの外周方向の大きさ（直径）Ｃは、吸着部１２ａの内周方向の大きさ（第１中空部１２ｄの直径）Ｄより小さく形成されている。すなわち、連結部１２ｆの外周部の直径Ｃ＜第１中空部１２ｄの直径Ｄとなっている（Ｃ＜Ｄ）。
【００７０】
これにより、真空排気によってＩＣ１３を吸着した際に、図１１に示すように吸着天板１２ｍを撓み易くする（吸着天板１２ｍを含む支持部１２ｃを変形し易くする）ことができる。
【００７１】
したがって、吸着パッド１２の形状が、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであるとともに、連結部１２ｆの外周部の直径Ｃ＜第１中空部１２ｄの直径Ｄであることにより、ＩＣ１３の吸着時に、図９に示すようにスリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとを確実に密着させることができ、ＩＣ１３の吸着姿勢の安定化を更に図ることができる。
【００７２】
次に、図１０〜図１２に示す本実施の形態１の半導体装置の搬送方法について説明する。
【００７３】
図１０は図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図、図１１は図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図、図１２は図３に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【００７４】
本実施の形態１では、導電性のトレイ上に載置された半導体装置であるＩＣ１３を吸着パッド１２によって吸着保持して搬送する場合について説明する。
【００７５】
まず、図１０に示すように、真空排気系１９に連通する中空部である第１中空部１２ｄを形成し、かつ真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状の吸着部１２ａと、吸着部１２ａと交差する方向に延在し、かつ吸着部１２ａを支持する支持部１２ｃとを有する吸着パッド１２を備えた図１に示す半導体製造装置であるテストハンドラ５０において、真空排気系１９によって真空排気を行って吸着パッド１２の吸着部１２ａにより、導電性のトレイ１５上に載置されたＩＣ１３を吸着保持する。
【００７６】
その際、吸着パッド１２は、導電性シリコーンゴムによって形成されているとともに、図６に示すように吸着パッド１２における支持部１２ｃの肉厚Ｘは、吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く形成されている（Ｘ＜Ｙ）。また、図７に示すように連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであり（Ａ＜Ｂ）、さらに、図８に示すように連結部１２ｆの外周部の直径Ｃ＜第１中空部１２ｄの直径Ｄである（Ｃ＜Ｄ）。
【００７７】
まず、図１０に示すように、真空排気系１９の電磁弁１７を開いて吸着スリーブ１１を介して真空源１８から真空排気を開始するとともに、吸着パッド１２を下降（Ｅ方向）させてＩＣ１３の封止体２３の表面に吸着パッド１２の吸着部１２ａを押し付ける。
【００７８】
その後、真空源１８からの負圧により、吸着部１２ａの第１中空部１２ｄが真空雰囲気になり、図１１に示すようにＩＣ１３を吸着保持することができる。その際、吸着パッド１２が導電性シリコーンゴムによって形成され、さらに支持部１２ｃの肉厚が薄くて吸着部１２ａより剛性が低く形成されているため、真空排気方向Ｆの荷重が吸着パッド１２に掛かった際に、連結部１２ｆがＩＣ１３の封止体２３に近づくように支持部１２ｃが屈曲する。別の言い方をすると、吸着部１２ａが図１０に示す荷重吸収溝部１２ｉに配置されるように支持部１２ｃで屈曲が行われる。
【００７９】
つまり、吸着パッド１２に対して真空排気方向Ｆに沿ってかかる荷重（上下方向に掛かる荷重）を荷重吸収溝部１２ｉによって吸収している。
【００８０】
さらに、吸着パッド１２の荷重吸収溝上面１２ｊと荷重吸収溝下面１２ｋとの距離が０ｍｍになる（スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとが密着する）ように支持部１２ｃが屈曲する。つまり、支持部１２ｃを屈曲させて吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを密着させることで、剛性が高い吸着部１２ａと同じく剛性が高いスリーブ接続部１２ｅとが一体化するため、吸着パッド１２が１つの剛性体となって真空排気方向Ｆの荷重に耐えることができ、ＩＣ１３を吸着保持することができる。
【００８１】
ここで、吸着部１２ａは支持部１２ｃより遥かに肉厚が厚く剛性が高いことと、真空排気時に吸着パッド１２に対して真空排気方向Ｆに沿ってかかる荷重を荷重吸収溝部１２ｉによって吸収するため、吸着部１２ａは、ＩＣ１３の封止体２３に密着した状態を維持して封止体２３の表面上で滑らなくなる。
【００８２】
その結果、吸着部１２ａと封止体２３との間で摩擦はほとんど起こらず、静電気放電には至らない。したがって、封止体２３で帯電が起こることを低減または防止できる。
【００８３】
この状態で、図１２に示すようにＩＣ１３を吸着パッド１２によって吸着保持して所定位置まで搬送する。
【００８４】
なお、吸着パッド１２の形状が、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであるとともに、連結部１２ｆの外周部の直径Ｃ＜第１中空部１２ｄの直径Ｄであることにより、ＩＣ１３の吸着時に、支持部１２ｃの吸着天板１２ｍがＩＣ１３の封止体２３の表面に接触することを防止できるとともに、吸着天板１２ｍを含む支持部１２ｃを変形し易くすることができる。
【００８５】
その結果、スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとをより確実に密着させることができ、ＩＣ１３の吸着姿勢の安定化を更に図ることができる。
【００８６】
本実施の形態１の半導体製造装置（テストハンドラ５０）及び半導体装置の搬送方法によれば、吸着パッド１２における支持部１２ｃの肉厚Ｘが吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く、かつ屈曲可能に形成されていることにより、吸着パッド１２によってＩＣ１３を真空吸着した際に、支持部１２ｃが屈曲することで、ＩＣ１３と接触する吸着部１２ａの移動（滑り）を抑えてＩＣ１３の封止体２３の表面と吸着部１２ａとの間で起こる摩擦を低減することができる。
【００８７】
これにより、ＩＣ１３の封止体２３の表面での帯電を少なくすることができ、テストハンドラ５０の接地された図３９に示す測定コンタクトピン１６等の金属部材にＩＣ１３のリード１４が触れても静電気放電の量を少なくすることができる。
【００８８】
その結果、ＩＣ１３の静電気放電による破壊を低減することができる。
【００８９】
また、吸着パッド１２による真空吸着時のＩＣ１３の封止体２３の表面での帯電を少なくすることができるため、真空吸着時のＩＣ１３の位置ずれや吸着ミスを低減することができる。
【００９０】
これにより、ＩＣ１３の吸着姿勢の安定化を図ることができる。
【００９１】
さらに、ＩＣ１３の吸着保持の際の吸着姿勢の安定化を図ることができるため、ＩＣ１３の搬送先での位置ずれによるリード曲がりを低減することができる。すなわち、ＩＣ１３の吸着搬送におけるリード１４の変形を抑制することができる。
【００９２】
次に、本実施の形態１の変形例について説明する。図１３は本発明の実施の形態１の吸着パッドの第１変形例の構造を示す拡大部分断面図、図１４は本発明の実施の形態１の吸着パッドの第２変形例の構造を示す拡大部分断面図、図１５は図１４に示す吸着パッドの詳細構造を示す拡大部分断面図である。
【００９３】
図１３に示す第１変形例は、吸着パッド１２の先端部が、硬度が異なる２層構造となっているものである。すなわち、吸着パッド１２の吸着部１２ａの先端が真空排気方向Ｆに対して第１先端部１２ｎと第２先端部１２ｐとから成る２層構造に形成され、ＩＣ接触面１２ｂを有する先端側の第１先端部１２ｎの硬度が基端側の第２先端部１２ｐの硬度より高く形成されている。
【００９４】
その際、先端側の第１先端部１２ｎは、機械的な抵抗値が小さい材料によって形成されていることが好ましい。第１先端部１２ｎ及び第２先端部１２ｐとも、例えば、導電性シリコーンゴム等によって形成されており、その場合、先端側の第１先端部１２ｎの硬度が、例えば、７５°±５°であり、一方、基端側の第２先端部１２ｐの硬度が、例えば、４０°±５°である。ただし、導電性シリコーンゴムの硬度は、これらに限定されるものではない。
【００９５】
また、先端側の第１先端部１２ｎのＩＣ接触面１２ｂは、鏡面に形成されていることが好ましく、したがって、ＩＣ接触面１２ｂの硬度をより高くして、かつ鏡面に形成することで、ＩＣ１３を吸着保持する際の吸着部１２ａとＩＣ１３の封止体２３との摩擦係数を更に小さくして、ＩＣ１３上での帯電量を更に低減することができる。
【００９６】
次に、図１４及び図１５に示す第２変形例は、吸着パッド１２の吸着部１２ａの先端をくさび形にしたものである。その際、くさび形の先端形状であるため、吸着部１２ａの先端が前記先端に向かって先細の形状に形成されており、さらに先端の突端部１２ｑから吸着部１２ａの内側に向かって形成された第１テーパ面１２ｒの真空排気方向Ｆと直交する仮想面２４との成す第１角度（θ１）は、前記先端の突端部１２ｑから吸着部１２ａの外側に向かって形成された第２テーパ面１２ｓの仮想面２４との成す第２角度（θ２）と、θ１≦θ２の関係となっている。
【００９７】
すなわち、くさび形の先端の円周方向の内側に向かう第１テーパ面１２ｒの仮想面２４との成す第１角度（θ１）は、先端の円周方向の外側に向かう第２テーパ面１２ｓの仮想面２４との成す第２角度（θ２）より小さく、θ１（内側）≦θ２（足側）の関係となっている。なお、仮想面２４は、ここでは水平面である。より好ましくは、θ１（内側）＜θ２（外側）である。
【００９８】
このように吸着部１２ａの先端の形状をくさび形にすることで、吸着部１２ａとＩＣ１３の接触面積を小さくして摩擦量を少なくし、これによって、ＩＣ１３上での帯電量の低減化を図ることができる。
【００９９】
また、くさび形の内側の第１テーパ面１２ｒの角度（θ１）＜くさび形の外側の第２テーパ面１２ｓの角度（θ２）とすることで、真空排気時に吸着部１２ａが傾く場合においても内側に傾き易くして強い吸着を維持することができる。
【０１００】
これによって、ＩＣ１３の真空吸着において低帯電と強い吸着の両者を実現させることができる。
【０１０１】
本実施の形態１の第１変形例及び第２変形例によって得られるその他の効果については、前述の図１〜図１２に示す半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法によって得られる効果と同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１０２】
（実施の形態２）
図１６は本発明の実施の形態２の吸着パッドの構造の一例を示す外観斜視図、図１７は図１６に示す吸着パッドの構造の一例を示す断面図、図１８は図１６に示す吸着パッドのスリーブとの結合後の構造の一例を示す断面図である。また、図１９は図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図２０は図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図２１は図１６に示す吸着パッドの特徴部分の大きさの関係の一例を示す断面図、図２２は図１６に示す吸着パッドの半導体装置吸着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【０１０３】
本実施の形態２では、小型の半導体装置である小型ＩＣ２５を真空吸着によって吸着保持することが可能な小型ＩＣ対応の吸着パッド２６について説明する。
【０１０４】
図１６及び図１７に示す吸着パッド２６は、吸着部１２ａの大きさを小型化することで、小型ＩＣ２５を吸着可能にしたものであり、その基本構造は、実施の形態１の吸着パッド１２と略同様である。吸着パッド２６の構成は、真空排気系１９（図１０参照）に連通する中空部である第１中空部１２ｄを形成し、かつ真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状の吸着部１２ａと、吸着部１２ａと交差する方向で、かつ円周方向に延在し、さらに吸着部１２ａを支持する円板状の支持部１２ｃと、図１８に示す吸着スリーブ１１と接続するスリーブ接続部１２ｅと、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを連結する連結部１２ｆとから成る。
【０１０５】
ここで、第１中空部１２ｄは、円筒形の吸着部１２ａの内部の空間部分である。さらに、連結部１２ｆは、支持部１２ｃとスリーブ接続部１２ｅとに接合し、かつ支持部１２ｃの吸着部１２ａと反対側の領域において真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状構造のものである。
【０１０６】
したがって、図１６に示すように、吸着部１２ａと連結部１２ｆとスリーブ接続部１２ｅは、それぞれ円筒形を成し、それぞれの内部には、図１７に示すように第１中空部１２ｄ、第２中空部１２ｇ、第３中空部１２ｈが形成されており、第１中空部１２ｄ、第２中空部１２ｇ及び第３中空部１２ｈは連通している。
【０１０７】
なお、吸着パッド２６においては、スリーブ接続部１２ｅと連結部１２ｆとがその外周の大きさが同じ直径であり、また、吸着部１２ａの外周の直径は、連結部１２ｆの外周の直径より小さい。
【０１０８】
また、吸着パッド２６においては、筒状の連結部１２ｆの内部の空間部である第２中空部１２ｇが、吸着時の真空排気方向Ｆ（上下方向）の荷重を吸収する荷重吸収溝部１２ｉとなっている。
【０１０９】
また、小型の円筒形の吸着部１２ａの先端は、小型ＩＣ２５を吸着する際に小型ＩＣ２５の表面に当圧する円形のＩＣ接触面１２ｂとなっており、真空排気方向Ｆに真空排気が行われた際には、吸着部１２ａの内部である第１中空部１２ｄを真空状態にして小型ＩＣ２５を真空吸着する。
【０１１０】
なお、円筒形のスリーブ接続部１２ｅの内部の第３中空部１２ｈは、図１８に示すように、吸着スリーブ１１が嵌め込まれる空間であり、吸着スリーブ１１の内部のスリーブ中空部１１ａが吸着部１２ａの第１中空部１２ｄと第２中空部１２ｇを介して連通する構造となっている。図１０に示す構造と同様に、この吸着スリーブ１１に対して真空排気系１９が接続されている。
【０１１１】
また、本実施の形態２の吸着パッド２６においても、実施の形態１の吸着パッド１２と同様に、図１９に示すように吸着部１２ａと支持部１２ｃにおいて、支持部１２ｃの肉厚Ｘは、吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く形成されており、支持部１２ｃは、図２２に示すように屈曲可能に形成されている。すなわち、図１９に示すように、支持部１２ｃの肉厚Ｘと吸着部１２ａの肉厚Ｙは、Ｘ＜Ｙの関係となっている。つまり、支持部１２ｃの肉厚Ｘは、非常に薄く形成されて、剛性が低い形状となっており、一方、吸着部１２ａの肉厚Ｙは、真空排気によって荷重が掛かっても変形しない程度の高い剛性を有する厚さとなっている。
【０１１２】
なお、吸着パッド２６は、導電性ゴム、例えば、導電性の粒子を混ぜたシリコーンゴム（以降、単に導電性シリコーンゴムともいう）によって形成されており、これにより、静電気放電による帯電が起こりにくくなっている。
【０１１３】
このように吸着パッド２６が導電性シリコーンゴムによって形成され、さらに支持部１２ｃの肉厚が薄くて剛性が低く形成されていることにより、図２２に示すように真空排気を行って第１中空部１２ｄを真空雰囲気にする際には、小型ＩＣ２５の封止体２３や吸着部１２ａより支持部１２ｃの方が剛性が遥かに低いため、吸着部１２ａが上方のスリーブ接続部１２ｅに近づくように支持部１２ｃが屈曲する。別の言い方をすると、吸着部１２ａが荷重吸収溝部１２ｉに配置されるように支持部１２ｃで屈曲する。
【０１１４】
その際、第２中空部１２ｇである荷重吸収溝部１２ｉの上面の荷重吸収溝上面１２ｊと、荷重吸収溝部１２ｉの下面の荷重吸収溝下面１２ｋとの距離が０になる（スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとが密着する）ように支持部１２ｃが屈曲する。つまり、支持部１２ｃを屈曲させて吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを密着させることで、剛性が高い吸着部１２ａと同じく剛性が高いスリーブ接続部１２ｅとが一体化するため、吸着パッド２６が１つの剛性体となって真空排気の荷重に耐えることができ、小型ＩＣ２５を吸着保持することができる。
【０１１５】
ここで、真空排気時、吸着部１２ａは支持部１２ｃより遥かに肉厚が厚く剛性が高いため、小型ＩＣ２５の封止体２３に密着した状態を維持して封止体２３の表面上で滑らなくなる。これにより、吸着部１２ａと封止体２３との間で摩擦は起こらず、静電気放電には至らない。したがって、封止体２３で帯電が起こることを低減または防止できる。
【０１１６】
さらに、小型ＩＣ２５の吸着時に、スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとを密着させることで、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとが一体化して吸着部１２ａの形を安定させることができ、小型ＩＣ２５の吸着姿勢の安定化を図ることができる。
【０１１７】
また、吸着パッド２６においては、図２０に示すように、その連結部１２ｆの真空排気方向Ｆの長さＡは、吸着部１２ａの中空部である第１中空部１２ｄの真空排気方向Ｆの長さ（深さ）Ｂより短く形成されている。すなわち、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢとなっている（Ａ＜Ｂ）。
【０１１８】
これにより、真空排気によって小型ＩＣ２５を吸着した際に、図２２に示すように荷重吸収溝上面１２ｊと荷重吸収溝下面１２ｋとが密着するため、小型ＩＣ２５の吸着姿勢を保つことができる。
【０１１９】
さらに、吸着パッド２６においては、図２１に示すように、吸着部１２ａの外周方向の大きさ（直径）Ｃは、連結部１２ｆの内周方向の大きさ（第２中空部１２ｇの直径）Ｄより小さく形成されている。すなわち、吸着部１２ａの外周部の直径Ｃ＜第２中空部１２ｇの直径Ｄとなっている（Ｃ＜Ｄ）。
【０１２０】
これにより、真空排気によって小型ＩＣ２５を吸着した際に、支持部１２ｃである吸着天板１２ｍを撓み易くすることができる。
【０１２１】
したがって、吸着パッド２６の形状が、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであるとともに、吸着部１２ａの外周部の直径Ｃ＜第２中空部１２ｇの直径Ｄであることにより、小型ＩＣ２５の吸着時に、図２２に示すようにスリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとを確実に密着させることができ、小型ＩＣ２５の吸着姿勢の安定化を更に図ることができる。
【０１２２】
次に、図２３〜図２５に示す本実施の形態２の半導体装置の搬送方法について説明する。
【０１２３】
図２３は図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送する際のパッド接触時の構造を示す部分断面図、図２４は図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着している時の構造を示す部分断面図、図２５は図１６に示す吸着パッドによって半導体装置を吸着搬送している時の構造を示す部分断面図である。
【０１２４】
本実施の形態２の半導体装置の搬送方法においても、導電性のトレイ上に載置された小型の半導体装置である小型ＩＣ２５を吸着パッド２６によって吸着保持して搬送する場合について説明する。
【０１２５】
まず、図２３に示すように、真空排気系１９に連通する中空部である第１中空部１２ｄを備え、かつ真空排気方向Ｆに沿って延びる筒状の吸着部１２ａと、吸着部１２ａと交差する方向に延在し、かつ吸着部１２ａを支持する支持部１２ｃとを有する吸着パッド２６を備えた図１に示すテストハンドラ５０において、真空排気系１９によって真空排気を行って吸着パッド２６の吸着部１２ａにより、導電性のトレイ１５上に載置された小型ＩＣ２５を吸着保持する。
【０１２６】
その際、吸着パッド２６は、導電性シリコーンゴムによって形成されているとともに、図１９に示すように吸着パッド２６における支持部１２ｃの肉厚Ｘは、吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く形成されている（Ｘ＜Ｙ）。また、図２０に示すように連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであり（Ａ＜Ｂ）、さらに、図２１に示すように吸着部１２ａの外周部の直径Ｃ＜第２中空部１２ｇの直径Ｄである（Ｃ＜Ｄ）。
【０１２７】
まず、図２３に示すように、真空排気系１９の電磁弁１７を開いて吸着スリーブ１１を介して真空源１８から真空排気を開始するとともに、吸着パッド２６を下降（Ｅ方向）させて小型ＩＣ２５の封止体２３の表面に吸着パッド２６の吸着部１２ａを押し付ける。
【０１２８】
その後、真空源１８からの負圧により、吸着部１２ａの第１中空部１２ｄが真空雰囲気になり、図２４に示すように小型ＩＣ２５を吸着保持する。その際、吸着パッド２６が導電性シリコーンゴムによって形成され、さらに支持部１２ｃの肉厚が薄くて吸着部１２ａより剛性が低く形成されているため、真空排気方向Ｆの荷重が吸着パッド２６に掛かった際に、吸着部１２ａがスリーブ接続部１２ｅに近づくように支持部１２ｃが屈曲する。別の言い方をすると、吸着部１２ａが図２３に示す荷重吸収溝部１２ｉに配置されるように支持部１２ｃで屈曲が行われる。
【０１２９】
つまり、吸着パッド２６に対して真空排気方向Ｆに沿ってかかる荷重（上下方向に掛かる荷重）を荷重吸収溝部１２ｉである第２中空部１２ｇによって吸収している。
【０１３０】
さらに、図２４に示すように吸着パッド２６の荷重吸収溝上面１２ｊと荷重吸収溝下面１２ｋとの距離が０になる（スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとが密着する）ように支持部１２ｃが屈曲する。つまり、支持部１２ｃを屈曲させて吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとを密着させることで、吸着部１２ａとスリーブ接続部１２ｅとが一体化するため、吸着パッド２６が１つの剛性体となって真空排気方向Ｆの荷重に耐えることができ、小型ＩＣ２５を吸着保持することができる。
【０１３１】
ここで、吸着部１２ａは支持部１２ｃより遥かに肉厚が厚く剛性が高いことと、真空排気時に吸着パッド２６に対して真空排気方向Ｆに沿ってかかる荷重を荷重吸収溝部１２ｉによって吸収するため、吸着部１２ａは、小型ＩＣ２５の封止体２３に密着した状態を維持して封止体２３の表面上で滑らなくなる。
【０１３２】
その結果、吸着部１２ａと封止体２３との間で摩擦はほとんど起こらず、静電気放電には至らない。したがって、封止体２３で帯電が起こることを低減または防止できる。
【０１３３】
この状態で、図２５に示すように小型ＩＣ２５を吸着パッド２６によって吸着保持して所定位置まで搬送する。
【０１３４】
なお、吸着パッド２６の形状が、連結部１２ｆの長さＡ＜第１中空部１２ｄの深さＢであるとともに、吸着部１２ａの外周部の直径Ｃ＜第２中空部１２ｇの直径Ｄであることにより、小型ＩＣ２５の吸着時に、図２３に示す吸着天板１２ｍである支持部１２ｃを変形し易くすることができる。
【０１３５】
その結果、スリーブ接続部１２ｅと吸着部１２ａとをより確実に密着させることができ、小型ＩＣ２５の吸着姿勢の安定化を更に図ることができる。
【０１３６】
本実施の形態２の半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法によれば、吸着パッド２６における支持部１２ｃの肉厚Ｘが吸着部１２ａの肉厚Ｙより薄く、かつ屈曲可能に形成されていることにより、吸着パッド２６によって小型ＩＣ２５を真空吸着した際に、支持部１２ｃが屈曲することで、小型ＩＣ２５と接触する吸着部１２ａの移動（滑り）を抑えて小型ＩＣ２５の封止体２３の表面と吸着部１２ａとの間で起こる摩擦を低減することができる。
【０１３７】
これにより、小型ＩＣ２５の封止体２３の表面での帯電を少なくすることができる。
【０１３８】
本実施の形態２の半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法によって得られるその他の効果については、実施の形態１の半導体製造装置及び半導体装置の搬送方法によって得られる効果と同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１３９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１４０】
例えば、前記実施の形態１，２では、吸着パッド１２，２６の吸着部１２ａが円筒状であり、ＩＣ接触面１２ｂが円形を成す場合を説明したが、図２６、図２７及び図２８の各変形例に示すように、吸着部１２ａはそのＩＣ接触面１２ｂが他の形状を成すような筒状に形成されていてもよい。
【０１４１】
図２６に示す他の第１変形例は、吸着部１２ａが楕円の筒状を成すものであり、ＩＣ接触面１２ｂが楕円形となっている。また、図２７に示す他の第２変形例は、吸着部１２ａが長方形の筒状を成すものであり、ＩＣ接触面１２ｂが長方形となっている。さらに、図２８に示す他の第３変形例は、吸着部１２ａが多角形の筒状を成すものであり、ＩＣ接触面１２ｂが多角形となっている。
【０１４２】
このような各変形例に示すように、吸着部１２ａは、内部に中空部を有した筒状を成すものであれば、その外周の形状は、円形、楕円形、長方形もしくは多角形等であってもよく、特に限定されるものではない。
【０１４３】
また、前記実施の形態１，２では、真空吸着される半導体装置がＱＦＰまたはＳＯＰ型の半導体装置の場合について説明したが、前記半導体装置は、真空吸着によって吸着保持可能なものであれば、特に限定されるものではなく、他の半導体装置であってもよい。
【０１４４】
さらに、前記実施の形態１，２では、半導体製造装置がテストハンドラ５０の場合について説明したが、前記半導体製造装置は、半導体装置を真空吸着によって吸着保持可能な機構を備えたものであれば、ハンドラに限定されるものではなく、他の製造装置であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明は、真空吸着を用いた電子装置の搬送技術に好適である。
【符号の説明】
【０１４６】
１ 空トレイ格納
２ 未測定ＩＣ格納
３ 供給トランスファ
４ コンタクト供給トランスファ
５ ＩＣ測定部
６ コンタクト排出トランスファ
７ 収納トランスファ
８ 良品ＩＣ格納
９ 不良品ＩＣ格納
１０ 空トレイ格納
１１ 吸着スリーブ
１１ａ スリーブ中空部
１２ 吸着パッド
１２ａ 吸着部
１２ｂ ＩＣ接触面
１２ｃ 支持部
１２ｄ 第１中空部
１２ｅ スリーブ接続部
１２ｆ 連結部
１２ｇ 第２中空部
１２ｈ 第３中空部
１２ｉ 荷重吸収溝部
１２ｊ 荷重吸収溝上面
１２ｋ 荷重吸収溝下面
１２ｍ 吸着天板
１２ｎ 第１先端部
１２ｐ 第２先端部
１２ｑ 突端部
１２ｒ 第１テーパ面
１２ｓ 第２テーパ面
１３ ＩＣ（半導体装置）
１４ リード
１５ トレイ
１６ 測定コンタクトピン
１７ 電磁弁
１８ 真空源
１９ 真空排気系
２０ 半導体チップ
２１ タブ
２２ ワイヤ
２３ 封止体
２４ 仮想面
２５ 小型ＩＣ（半導体装置）
２６ 吸着パッド
３０ 吸着パッド
３０ａ 吸着部
３０ｂ ＩＣ接触面
５０ テストハンドラ（半導体製造装置）
５１ 吸着ヘッド部
１００ テストハンドラ
１０１ 吸着ヘッド部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を吸着保持して搬送する半導体製造装置であって、
真空排気系に連通する中空部を形成し、かつ真空排気方向に沿って延びる筒状の吸着部と、前記吸着部と交差する方向に延在し、かつ前記吸着部を支持する支持部とを有する吸着パッドと、
前記吸着パッドを備え、前記吸着パッドを介して前記半導体装置を真空吸着して搬送する吸着ヘッド部と、
を有し、
前記吸着パッドにおける前記支持部の肉厚は、前記吸着部の肉厚より薄く形成され、前記支持部は屈曲可能に形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の前記真空排気方向の長さは前記吸着部の前記中空部の前記真空排気方向の長さより短いことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体製造装置において、前記吸着パッドは、導電性ゴムによって形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の外周方向の大きさは、前記吸着部の内周方向の大きさより小さいことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着部の外周方向の大きさは、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の内周方向の大きさより小さいことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着部の先端が前記真空排気方向に対して第１先端部と第２先端部とから成る２層構造に形成され、先端側の前記第１先端部の硬度が基端側の前記第２先端部の硬度より高いことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着部の先端が前記先端に向かって先細の形状に形成され、前記先端の突端部から前記吸着部の内側に向かって形成された第１テーパ面の前記真空排気方向と直交する仮想面との成す第１角度（θ１）は、前記先端の突端部から前記吸着部の外側に向かって形成された第２テーパ面の前記仮想面との成す第２角度（θ２）と、θ１≦θ２の関係であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
半導体装置を吸着保持して搬送する前記半導体装置の搬送方法であって、
（ａ）真空排気系に連通する中空部を形成し、かつ真空排気方向に沿って延びる筒状の吸着部と、前記吸着部と交差する方向に延在し、かつ前記吸着部を支持する支持部とを有する吸着パッドを備えた半導体製造装置において、前記真空排気系によって真空排気を行って前記吸着パッドの前記吸着部によって前記半導体装置を吸着保持する工程と、
（ｂ）前記半導体製造装置において、前記半導体装置を前記吸着パッドによって吸着保持した状態で搬送する工程と、
を有し、
前記吸着パッドにおける前記支持部の肉厚は、前記吸着部の肉厚より薄く形成され、前記（ａ）工程において前記真空排気系によって真空排気した際に、前記支持部が屈曲して前記吸着部によって前記半導体装置を真空吸着することを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の前記真空排気方向の長さは前記吸着部の前記中空部の前記真空排気方向の長さより短いことを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着パッドは、導電性ゴムによって形成されていることを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の外周方向の大きさは、前記吸着部の内周方向の大きさより小さいことを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１２】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着部の外周方向の大きさは、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の内周方向の大きさより小さいことを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１３】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着部の先端が前記真空排気方向に対して第１先端部と第２先端部とから成る２層構造に形成され、先端側の前記第１先端部の硬度が基端側の前記第２先端部の硬度より高いことを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１４】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着部の先端が前記先端に向かって先細の形状に形成され、前記先端の突端部から前記吸着部の内側に向かって形成された第１テーパ面の前記真空排気方向と直交する仮想面との成す第１角度（θ１）は、前記先端の突端部から前記吸着部の外側に向かって形成された第２テーパ面の前記仮想面との成す第２角度（θ２）と、θ１≦θ２の関係であることを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１】
半導体装置を吸着保持して搬送する半導体製造装置であって、
真空排気系に連通する中空部を形成し、かつ真空排気方向に沿って延びる筒状の吸着部と、前記吸着部と交差する方向に延在し、かつ前記吸着部を支持する支持部とを有する吸着パッドと、
前記吸着パッドを備え、前記吸着パッドを介して前記半導体装置を真空吸着して搬送する吸着ヘッド部と、
を有し、
前記吸着パッドにおける前記支持部の肉厚は、前記吸着部の肉厚より薄く形成され、前記支持部は屈曲可能に形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の前記真空排気方向の長さは前記吸着部の前記中空部の前記真空排気方向の長さより短いことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体製造装置において、前記吸着パッドは、導電性ゴムによって形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の外周方向の大きさは、前記吸着部の内周方向の大きさより小さいことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着部の外周方向の大きさは、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の内周方向の大きさより小さいことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着部の先端が前記真空排気方向に対して第１先端部と第２先端部とから成る２層構造に形成され、先端側の前記第１先端部の硬度が基端側の前記第２先端部の硬度より高いことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体製造装置において、前記吸着部の先端が前記先端に向かって先細の形状に形成され、前記先端の突端部から前記吸着部の内側に向かって形成された第１テーパ面の前記真空排気方向と直交する仮想面との成す第１角度（θ１）は、前記先端の突端部から前記吸着部の外側に向かって形成された第２テーパ面の前記仮想面との成す第２角度（θ２）と、θ１≦θ２の関係であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
半導体装置を吸着保持して搬送する前記半導体装置の搬送方法であって、
（ａ）真空排気系に連通する中空部を形成し、かつ真空排気方向に沿って延びる筒状の吸着部と、前記吸着部と交差する方向に延在し、かつ前記吸着部を支持する支持部とを有する吸着パッドを備えた半導体製造装置において、前記真空排気系によって真空排気を行って前記吸着パッドの前記吸着部によって前記半導体装置を吸着保持する工程と、
（ｂ）前記半導体製造装置において、前記半導体装置を前記吸着パッドによって吸着保持した状態で搬送する工程と、
を有し、
前記吸着パッドにおける前記支持部の肉厚は、前記吸着部の肉厚より薄く形成され、前記（ａ）工程において前記真空排気系によって真空排気した際に、前記支持部が屈曲して前記吸着部によって前記半導体装置を真空吸着することを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の前記真空排気方向の長さは前記吸着部の前記中空部の前記真空排気方向の長さより短いことを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着パッドは、導電性ゴムによって形成されていることを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の外周方向の大きさは、前記吸着部の内周方向の大きさより小さいことを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１２】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着部の外周方向の大きさは、前記吸着パッドには、前記支持部と接合し、かつ前記支持部の前記吸着部と反対側の領域において前記真空排気方向に沿って延びる筒状の連結部が形成されており、前記連結部の内周方向の大きさより小さいことを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１３】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着部の先端が前記真空排気方向に対して第１先端部と第２先端部とから成る２層構造に形成され、先端側の前記第１先端部の硬度が基端側の前記第２先端部の硬度より高いことを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【請求項１４】
請求項８記載の半導体装置の搬送方法において、前記吸着部の先端が前記先端に向かって先細の形状に形成され、前記先端の突端部から前記吸着部の内側に向かって形成された第１テーパ面の前記真空排気方向と直交する仮想面との成す第１角度（θ１）は、前記先端の突端部から前記吸着部の外側に向かって形成された第２テーパ面の前記仮想面との成す第２角度（θ２）と、θ１≦θ２の関係であることを特徴とする半導体装置の搬送方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【公開番号】特開２０１２−１８９６９（Ｐ２０１２−１８９６９Ａ）
【公開日】平成２４年１月２６日（２０１２．１．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５３８７９（Ｐ２０１０−１５３８７９）
【出願日】平成２２年７月６日（２０１０．７．６）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月２６日（２０１２．１．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月６日（２０１０．７．６）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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