基板、および電気光学装置の製造方法
【課題】スピンエッチング等を確実に行うことのできる基板、および当該基板を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置用基板１０ｓは、第１基板面１０ｔ側に第１面取り面１０ｅ、第１円弧面１０ｆを備え、第２基板面１０ｕ側に、第２面取り面１０ｉ、および第２円弧面１０ｈを有している。第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaは第２円弧面１０ｈの曲率半径Ｒbより大であり、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す第１面取り角度θaは、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す第２面取り角度θbより大きい。平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法と平面視における第１円弧面１０ｆの幅寸法との和ｄaは、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法と平面視における第２円弧面１０ｈの幅寸法との和ｄbより大である。
【解決手段】電気光学装置用基板１０ｓは、第１基板面１０ｔ側に第１面取り面１０ｅ、第１円弧面１０ｆを備え、第２基板面１０ｕ側に、第２面取り面１０ｉ、および第２円弧面１０ｈを有している。第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaは第２円弧面１０ｈの曲率半径Ｒbより大であり、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す第１面取り角度θaは、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す第２面取り角度θbより大きい。平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法と平面視における第１円弧面１０ｆの幅寸法との和ｄaは、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法と平面視における第２円弧面１０ｈの幅寸法との和ｄbより大である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端部が面取りされた基板、および当該基板を用いた電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置の製造に用いられる基板は、基板を取り扱う際の角部分の破損を防止する等の目的で、図９（ａ）に示すように、第１基板面１０ｔの側の角部分、および第２基板面１０ｕの側の角部分が各々、斜めに面取りされた形状になっている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、半導体装置の製造に用いられる半導体基板に関しては、不純物拡散を行った後の研磨量を考慮して、図９（ｂ）に示すように、第１基板面の側での面取り角度θa（第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す角度）と、第２基板面の側での面取り角度θb（第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す角度）を相違させた構成も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６６０４６号公報
【特許文献２】特開平２−２９１１２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図９（ａ）、（ｂ）に示すいずれの基板１０ｐにおいても、第１面取り面１０ｅと外周端面１０ｇとの境界部分の曲率半径Ｒ1が小さいため、例えば、図９（ｃ）を参照して説明するようなウエットエッチング工程を行った際、外周端面１０ｇに未エッチング部分が発生するという問題点がある。
【０００６】
より具体的には、第１基板面１０ｔの側に成膜すると、外周端面１０ｇに周り込むように膜が形成されるので、エッチングによって膜をパターニングする際、外周端面１０ｇに形成された膜も除去する必要がある。その際、基板１０ｐを回転させながら第１基板面１０ｔの中央付近にエッチング液Ｌを供給するスピンエッチングを行えば、遠心力によって、エッチング液Ｌが第１基板面１０ｔ全面に行き渡る。しかしながら、従来の基板１０ｐでは、第１面取り面１０ｅと外周端面１０ｇとの境界部分の曲率半径Ｒ1が小さいので、エッチング液Ｌが遠心力で飛び散ってしまい、外周端面１０ｇにエッチング液Ｌが到達しない。その結果、外周端面１０ｇでは、エッチングが行われず、外周端面１０ｇに膜が残ってしまうことになる。このような状態で、第１基板面１０ｔの側に別の膜を成膜すると、新たな膜が外周端面１０ｇで剥離し、かかる剥離が第１基板面１０ｔに形成された膜まで進行してしまうという問題を発生させる。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、スピンエッチング等を確実に行うことのできる基板、および当該基板を用いた電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る基板は、第１基板面と、該第１基板面に対して反対側に位置する第２基板面と、前記第１基板面の端部と前記第２基板面の端部との間に位置する側端部において前記第１基板面側で傾斜する第１面取り面と、該第１面取り面と前記側端部の外周端との間で湾曲した第１円弧面と、前記側端部において前記第２基板面側で傾斜する第２面取り面と、前記第２面取り面と前記外周端との間で湾曲した第２円弧面と、を有し、前記第１基板面と前記第１面取り面とが成す第１面取り角度は、前記第２基板面と前記第２面取り面とが成す第２面取り角度より大であり、前記第１円弧面の曲率半径は、前記第２円弧面の曲率半径より大であり、平面視における前記第１面取り面の幅寸法と平面視における前記第１円弧面の幅寸法との和は、平面視における前記第２面取り面の幅寸法と平面視における前記第２円弧面の幅寸法との和より大であることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、第１基板面側で第１面取り面に連接する第１円弧面の曲率半径が、第２基板面側で第２面取り面に連接する第２円弧面の曲率半径より大であるため、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液が第１円弧面を伝って側端部の外周端に到達する。それ故、外周端でも確実にエッチングが行われる。それ故、外周端に膜が残ってしまうことを防止することができるので、スピンエッチングの後、新たな膜を成膜した際、外周端で新たな膜が剥離するという事態の発生を回避することができる。
【００１０】
また、本発明では、第１基板面と第１面取り面とが成す第１面取り角度が、第２基板面と第２面取り面とが成す第２面取り角度より大であるため、第１円弧面の曲率半径を過剰に大きくしなくても、第１面取り面と第１円弧面とを連続した形状とすることができる。それ故、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液が第１面取り面と第１円弧面との境界部分で飛び散るのを防止することができる。また、平面視における前記第１面取り面の幅寸法と平面視における前記第１円弧面の幅寸法との和が、平面視における前記第２面取り面の幅寸法と平面視における前記第２円弧面の幅寸法との和より大である。このため、第１円弧面の曲率半径を大きくすることができるので、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液が第１円弧面を伝って側端部の外周端に到達しやすい。
【００１１】
本発明において、前記第１面取り面の基板厚方向の寸法と前記第１円弧面の基板厚方向の寸法との和は、前記第２面取り面の基板厚方向の寸法と前記第２円弧面の基板厚方向の寸法との和より大であることが好ましい。かかる構成によれば、第１円弧面の曲率半径を大きくした場合でも、第１円弧面と外周端とを連続した形状とすることができる。それ故、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液が第１円弧面を伝って側端部の外周端に到達しやすい。
【００１２】
本発明において、前記外周端は、前記第１基板面および前記第２基板面に対して直交する外周端面になっていることが好ましい。かかる構成によれば、基板の外周を保持するのが容易である。
【００１３】
本発明に係る基板は、半導体基板として構成できる他、電気光学装置用の基板等として構成することができ、本発明に係る基板を電気光学装置用の基板等として構成する場合、基板は、ガラスや石英基板等、透光性材料からなる構成とされる。
【００１４】
本発明を適用した基板は、電気光学装置等の製造に用いられる。かかる電気光学装置の製造方法では、少なくとも、前記第１基板面側に第１膜を成膜する第１成膜工程と、前記基板を回転させながら前記第１基板面側にエッチング液を供給して前記第１膜をエッチングするスピンエッチング工程と、前記第１基板面側に第２膜を成膜する第２成膜工程と、を有していることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の製造工程を示す説明図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置の製造に用いられる電気光学装置用基板の説明図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置用基板の詳細構成を示す説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶装置の製造工程の一部を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【図９】従来の基板の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、電気光学装置の素子基板を製造するための電気光学装置用基板に本発明を適用した場合を説明し、電気光学装置として、液晶装置を製造する場合を説明する。
【００１７】
また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図９を参照して説明した構成との対応が分かりやすいように、対応する部分には同一の符号を付して説明する。また、画素トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、本説明では、画素電極が接続されている側（画素側ソースドレイン領域）をドレインとし、データ線が接続されている側（データ線側ソースドレイン領域）をソースとする。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１８】
［電気光学装置の構成］
（液晶装置（電気光学装置）の電気的構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量線（容量電極層／第１電極層５ａ）等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。
【００１９】
図１において、本形態の液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨る第１電極層５ａが容量電極層として形成されている。本形態において、第１電極層５ａは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐの構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２３】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２４】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画像表示領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２５】
詳しくは後述するが、素子基板１０の第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕのうち、第１基板面１０ｔ側では、画像表示領域１０ａに、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２６】
また、素子基板１０の第１基板面１０ｔ側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２７】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることもある。
【００２８】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２９】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１をＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３０】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３１】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３２】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、各領域を以下の線で表してある。
走査線３ａ＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂ＝一点鎖線
第１電極層５ａおよび中継電極５ｂ＝細くて長い破線
第２電極層７ａ＝二点鎖線
画素電極９ａ＝太くて短い破線
【００３３】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた縦横の画素間領域と重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０には、データ線６ａと重なるように、図１を参照して説明した第１電極層５ａ（容量電極層）が形成されている。
【００３４】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗ、基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（第１基板面１０ｔ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３５】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター３０に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線３ａは、厚さが２００ｎｍ程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体１０ｗと走査線３ａとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。
【００３６】
基板本体１０ｗの第１基板面１０ｔ側において、走査線３ａの上層側には、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、例えば、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）を用いた減圧ＣＶＤ法やテトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜と、高温ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（ＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜）との２層構造を有している。
【００３７】
画素トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域において走査線３ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えている。また、画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ1、１ｃ1を備え、低濃度領域１ｂ1、１ｃ1に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ2、１ｃ2を備えている。
【００３８】
半導体層１ａは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層１ａの両側において、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａ、１２ｂを介して走査線３ａに導通している。本形態において、ゲート電極３ｃは、膜厚が１００ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００３９】
なお、本形態では、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線３ａを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層２の上層に形成し、その一部をゲート電極３ｃとしてもよい。この場合、図３に示す走査線３ａは、遮光のみを目的として形成されることになる。
【００４０】
ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４１は、例えば、シランガス（ＳＨ4）と亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）とを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００４１】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜、膜厚が３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜をこの順に積層してなる４層構造を有している。データ線６ａは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。ドレイン電極６ｂは、走査線３ａと重なる領域において、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４２】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されている。層間絶縁膜４２は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００４３】
層間絶縁膜４２の上層側には、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂが同一の導電膜によって形成されている。第１電極層５ａおよび中継電極５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂは、膜厚が２００ｎｍ程度のＡｌ膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜との２層構造を有している。第１電極層５ａは、データ線６ａと同様、データ線６ａと重なる領域に沿って延在している。中継電極５ｂは、走査線３ａと重なる領域において、ドレイン電極６ｂと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してドレイン電極６ｂに導通している。
【００４４】
第１電極層５ａおよび中継電極５ｂの上層側にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜４４がエッチングストッパー層として形成されており、かかる層間絶縁膜４４には、第１電極層５ａと重なる領域に開口部４４ｂが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４４は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。ここで、開口部４４ｂは、図３（ａ）では図示を省略するが、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として走査線３ａと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点としてデータ線６ａと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたＬ字形状に形成されている。
【００４５】
層間絶縁膜４４の上層側には透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には第２電極層７ａが形成されている。第２電極層７ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第２電極層７ａは、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜からなる。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。第２電極層７ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として走査線３ａと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点としてデータ線６ａと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたＬ字形状に形成されている。従って、第２電極層７ａのうち、データ線６ａと重なる領域に沿って延在する部分は、層間絶縁膜４４の開口部４４ｂにおいて、誘電体層４０を介して第１電極層５ａに重なっている。このようにして、本形態では、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａは、走査線３ａと重なる領域に蓄積容量５５を構成している。
【００４６】
また、第２電極層７ａにおいて、走査線３ａと重なる領域に沿って延在する部分は、中継電極５ｂと部分的に重なっており、誘電体層４０および層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極５ｂに導通している。
【００４７】
第２電極層７ａの上層側には透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、層間絶縁膜４５の上層側には、厚さが１４０ｎｍ程度のＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域の近傍で第２電極層７ａと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して第２電極層７ａに導通している。層間絶縁膜４５は、例えば、シランガスと亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）とを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００４８】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。
【００４９】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（液晶装置１００の製造方法）
図４は、本発明を適用した液晶装置１００の製造工程を示す説明図である。図５は、本発明を適用した液晶装置１００の製造に用いられる電気光学装置用基板の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、単品サイズの素子基板１０と同一サイズの電気光学装置用基板の説明図、単品サイズの素子基板１０よりやや大きめの電気光学装置用基板の説明図、半導体ウェーハ状の大型の電気光学装置用基板の説明図、および四角形の大型の電気光学装置用基板の説明図である。
【００５２】
本形態の液晶装置１００を製造するには、図２、図３および図４に示すように、素子基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、斜方蒸着法、印刷法やスピンコート等により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。なお、配向膜１６がポリイミド膜からなる場合には、素子基板１０の配向膜１６に対するラビング工程Ｓ３を行う。次に、シール材１０７を塗布するシール印刷工程Ｓ４を行う。かかるシール材１０７の塗布は、ノズルからシール材を吐出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。一方、対向基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、斜方蒸着法、印刷法やスピンコート等により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。なお、配向膜２６がポリイミド膜からなる場合には、対向基板２０の配向膜２６に対するラビング工程Ｓ１３を行う。
【００５３】
次に、重ね合わせ工程Ｓ２１においては、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせる。次に、シール硬化工程Ｓ２２においてシール材１０７を硬化させる。かかるシール硬化工程では、対向基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。
【００５４】
次に、液晶封入工程Ｓ２３では、シール材１０７の途切れ部分１０７ａからシール材１０７の内側に液晶を注入した後、途切れ部分１０７ａを封止材１０５で封止する（図２参照）。なお、素子基板１０にシール材１０７を形成した後、シール材１０７の内側に液晶を滴下し、その後、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせた後、シール材１０７を硬化させることもある。かかる方法の場合、シール材１０７に対しては、途切れ部分や封止材１０５を設ける必要がない。
【００５５】
かかる方法により液晶装置１００を製造する場合、図５（ａ）に示すように、素子基板１０の基板本体１０ｗとして、単品サイズの電気光学装置用基板１０ｓ（液晶装置用基板）を用い、かかる単品サイズの電気光学装置用基板１０ｓの状態で上記の工程を行って液晶パネル１００ｐを形成する場合がある。また、図５（ｂ）に示すように、電気光学装置用基板１０ｓとして、素子基板１０の基板本体１０ｗより大きな基板を用いてパネルを形成した後、電気光学装置用基板１０ｓを切断することもある。また、図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、素子基板１０を多数取りできる大型の電気光学装置用基板１０ｓの状態で上記の工程を行って大型のパネル構造体を形成した後、大型のパネル構造体から単品サイズの液晶パネル１００ｐを複数、切り出すこともある。図５（ｂ）〜（ｄ）に示す構成の場合、大型の電気光学装置用基板１０ｓのうち、素子基板１０が切り出される領域（図５（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に一点鎖線で示す領域）が有効領域１０ｙであり、その周りの部分は、電気光学装置用基板１０ｓを切断される際に除去される除材領域１０ｚである。なお、図５（ｃ）に示す大型の電気光学装置用基板１０ｓは、半導体ウェーハと同様、円盤状の基板にオリエンテーションフラットが形成された形状を有し、図５（ｄ）に示す大型の電気光学装置用基板１０ｓは、四角形状を有している。以下の説明では、サイズや、得られる基板のサイズにかかわらず、電気光学装置用基板１０ｓとして説明する。
【００５６】
（電気光学装置用基板１０ｓの構成）
図６は、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓの詳細構成を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓの側面図、電気光学装置用基板１０ｓの拡大側面図、その端部を拡大して示す説明図、およびスピンエッチングの様子を示す説明図である。図７は、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓを用いて液晶装置１００の素子基板１０を製造する様子を模式的に示す工程断面図である。なお、以下の説明では、電気光学装置用基板１０ｓにおいて、素子基板１０の第１基板面１０ｔを構成する方を「第１基板面１０ｔ」とし、素子基板１０の第２基板面１０ｕを構成する方を「第２基板面１０ｕ」として説明する。
【００５７】
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓは、ガラスあるいは石英基板等、透光性材料からなる基板である。かかる電気光学装置用基板１０ｓは、第１基板面１０ｔと、第１基板面１０ｔに対して反対側に位置する第２基板面１０ｕとを有しており、第１基板面１０ｔの側に、図２および図３を参照して説明した画素電極９ａ等が形成される。
【００５８】
電気光学装置用基板１０ｓは、第１基板面１０ｔの端部と第２基板面１０ｕの端部との間に位置する側端部１０ｃに、第１基板面１０ｔ側で傾斜する第１面取り面１０ｅと、第１面取り面１０ｅと側端部１０ｃの外周端面１０ｇとの間で外側に向けて膨らむように湾曲した第１円弧面１０ｆとを全周に有している。ここで、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとは連接し、第１円弧面１０ｆは、第１面取り面１０ｅおよび外周端面１０ｇと連接している。また、電気光学装置用基板１０ｓは、側端部１０ｃに、第２基板面１０ｕ側で傾斜する第２面取り面１０ｉと、第２面取り面１０ｉと側端部１０ｃの外周端面１０ｇとの間で外側に向けて膨らむように湾曲した第２円弧面１０ｈとを全周に有している。ここで、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとは連接し、第２円弧面１０ｈは、第２面取り面１０ｉおよび外周端面１０ｇと連接している。また、側端部１０ｃの外周端は、第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕに対して直交する外周端面１０ｇになっている。
【００５９】
このように構成した電気光学装置用基板１０ｓにおいて、本形態では、側端部１０ｃの形状が第１基板面１０ｔの側と第２基板面１０ｕの側とにおいて非対称になっている。より具体的には、第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaは、第２円弧面１０ｈの曲率半径Ｒbより大である。また、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す第１面取り角度θaは、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す第２面取り角度θbより大きい。
【００６０】
また、平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法は、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法より大であり、平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法と平面視における第１円弧面１０ｆの幅寸法との和ｄaは、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法と平面視における第２円弧面１０ｈの幅寸法との和ｄbより大になっている。
【００６１】
また、第１面取り面１０ｅの基板厚方向の寸法は、第２面取り面１０ｉの基板厚方向の寸法より大であり、第１円弧面１０ｆの基板厚方向の寸法は、第２円弧面１０ｈの基板厚方向の寸法より大である。従って、第１面取り面１０ｅの基板厚方向の寸法と第１円弧面１０ｆの基板厚方向の寸法との和ｔaは、第２面取り面１０ｉの基板厚方向の寸法と第２円弧面１０ｈの基板厚方向の寸法ｔbとの和より大である。それ故、側端部１０ｃの外周端面１０ｇは、第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕのうち、第２基板面１０ｕの側に位置している。
【００６２】
例えば、厚さが２ｍｍの電気光学装置用基板１０ｓの場合、上記の角度や寸法は、以下の値
Ｒａ≠Ｒｂ
０．３５ｍｍ＜Ｒａ＜０．４５ｍｍ
Ｒｂ≦０．３５ｍｍ
θa＞θb
θa＝２５°±２°
θb＝２１°±２°
に設定されている。それ故、図７を参照して後述する工程において、図６（ｄ）に示すように、電気光学装置用基板１０ｓを回転させながら第１基板面１０ｔの中央付近にエッチング液Ｌを供給するスピンエッチングを行えば、遠心力によって、エッチング液Ｌが第１基板面１０ｔ全面に行き渡る。また、第１面取り面１０ｅと外周端面１０ｇとの境界部分（第１円弧面１０ｆ）の曲率半径Ｒaが大きいので、遠心力が加わったエッチング液Ｌは、第１面取り面１０ｅで飛び散らず、第１円弧面１０ｆを伝って側端部１０ｃの外周端面１０ｇに到達する。それ故、外周端面１０ｇでも確実にエッチングが行われる。それ故、図７を参照して後述する工程を好適に行うことができる。
【００６３】
（液晶装置１００の製造工程）
図７は、本発明を適用した液晶装置１００の製造工程の一部を模式的に示す説明図である。なお、以下に説明する工程は、図２および図３を参照して説明したいずれの層を形成する場合にも適用できるが、以下の説明では、第１膜として層間絶縁膜４４を構成する膜を例示し、第２膜として誘電体層４０を構成する膜を例示する。
【００６４】
本形態において、電気光学装置用基板１０ｓを用いて液晶装置１００の素子基板１０を製造する場合、まず、図７（ａ）に示す第１成膜工程において、第１基板面１０ｔ側に、層間絶縁膜４４を構成するシリコン酸化膜等の第１膜４４ｓを成膜する。
【００６５】
次に、図７（ｂ）に示すマスク形成工程において、第１膜４４ｓの表面に、第１面取り面１０ｅおよび第１円弧面１０ｆと重なる部分や、図３を参照して説明した開口部４４ｂと重なる部分等が開口部４４０ａになっているレジストマスク等のエッチングマスク４４０を形成する。
【００６６】
次に、図７（ｃ）に示すスピンエッチング工程では、図６（ｄ）を参照して説明したように、電気光学装置用基板１０ｓを回転させながら第１基板面１０ｔ側にエッチング液Ｌを供給して第１膜４４ｓをウエットエッチングする。その結果、第１膜４４ｓがパターニングされて層間絶縁膜４４が形成される。その際、図６（ｄ）を参照して説明したように、第１面取り面１０ｅと外周端面１０ｇとの境界部分（第１円弧面１０ｆ）の曲率半径Ｒaが大きいので、遠心力が加わったエッチング液Ｌは、第１面取り面１０ｅで飛び散らず、第１円弧面１０ｆを伝って側端部１０ｃの外周端面１０ｇに到達する。それ故、外周端面１０ｇでも確実にエッチングが行われ、図７（ｆ）に示すように、外周端面１０ｇから第１膜４４ｓが確実に除去される。
【００６７】
次に、図７（ｄ）に示すように、エッチングマスク４４０を除去した後、図７（ｅ）に示す第２成膜工程では、第１基板面１０ｔ側に誘電体層４０を形成するためのシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物、あるいはアルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率膜からなる第２膜４０ｓを形成する。その際、第１面取り面１０ｅ、第１円弧面１０ｆ、および外周端面１０ｇには、第１膜４４ｓが残っていないので、図７（ｇ）に示すように、第２膜４０ｓは、第１面取り面１０ｅ、第１円弧面１０ｆ、および外周端面１０ｇでも高い密着性をもって形成される。それ故、外周端面１０ｇ等で第２膜４０ｓが剥離し、かかる剥離が第２膜４０ｓの全体で進行する等の問題が発生するのを回避することができる。特に、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率膜（第２膜４０ｓ）を積層すると、下地への密着力が弱いので、外周端面１０ｇに異物が残っていると剥離しやすいという問題があるが、本形態によれば、かかる剥離の発生を防止することができる。
【００６８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓは、第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaが、第２円弧面１０ｈの曲率半径Ｒbより大であるため、図６（ｄ）を参照して説明したスピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液Ｌが第１円弧面１０ｆを伝って側端部１０ｃの外周端面１０ｇに到達する。それ故、外周端面１０ｇでも確実にエッチングが行われる。それ故、外周端面１０ｇに膜が残ってしまうことを防止することができるので、スピンエッチングの後、新たな膜を成膜した際、外周端面１０ｇで新たな膜が剥離するという事態の発生を回避することができる。
【００６９】
また、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す第１面取り角度θaは、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す第２面取り角度θbより大きい。このため、第１円弧面１０ｆの曲率半径を過剰に大きくしなくても、第１面取り面１０ｅと第１円弧面１０ｆとを連続した形状とすることができる。それ故、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液Ｌが第１面取り面１０ｅと第１円弧面１０ｆとの境界部分で飛び散るのを防止することができる。
【００７０】
また、平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法と平面視における第１円弧面１０ｆの幅寸法との和ｄaは、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法と平面視における第２円弧面１０ｈの幅寸法との和ｄbより大である。このため、第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaを大きくすることができるので、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液Ｌが第１円弧面１０ｆを伝って外周端面１０ｇに到達しやすい。
【００７１】
さらに、第１面取り面１０ｅの基板厚方向の寸法と第１円弧面１０ｆの基板厚方向の寸法との和ｔaは、第２面取り面１０ｉの基板厚方向の寸法と第２円弧面１０ｈの基板厚方向の寸法ｔbとの和より大である。それ故、側端部１０ｃの外周端面１０ｇは、第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕのうち、第２基板面１０ｕの側に位置している。従って、第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaを大きくした場合でも、第１円弧面１０ｆと外周端面１０ｇとを連続した形状とすることができる。それ故、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液Ｌが第１円弧面１０ｆを伝って外周端面１０ｇに到達しやすい。
【００７２】
また、側端部１０ｃの外周端は、第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕに対して直交する外周端面１０ｇになっている。このため、電気光学装置用基板１０ｓの外周に対して、周方向の複数個所で治具等を当接させて電気光学装置用基板１０ｓを保持する際、電気光学装置用基板１０ｓを確実に保持することができる。
【００７３】
（他の実施の形態）
上記実施の形態では、蓄積容量５５を形成する際にスピンエッチングを適用した例を説明したが、他の層をエッチングする際にスピンエッチングを用いてもよい。
【００７４】
また、上記実施の形態では、パターニングの際にスピンエッチングを適用した例を説明したが、レジストマスク等のエッチングマスクの除去にスピンエッチングを用いてもよく、この場合、エッチングマスクが「第１膜」となる。
【００７５】
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例示したが、透光性を有する基板（電気光学装置用基板）を備えていれば、液晶装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等の電気光学装置の製造方法に本発明を適用してもよい。
【００７６】
また、上記実施の形態では、基板として、透光性を有する基板（電気光学装置用基板）を例示したが、シリコンウエーハ等の半導体基板に本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を備えた電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図８（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００７８】
（投射型表示装置の第１例）
図８（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００７９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８０】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８３】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００８８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００８９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９０】
（投射型表示装置の第２例）
図８（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリックス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９５】
なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９６】
このように構成した投射型表示装置１０００において、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）投射する。
【００９７】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９８】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１６・・配向膜（素子基板側配向膜）、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２６・・配向膜（対向基板側配向膜）５０・・液晶層、１００・・液晶装置、１０７・・シール材、１０ｔ・・第１基板面、１０ｅ・・第１面取り面、１０ｕ・・第２基板面、１０ｆ・・第１円弧面、１０ｉ・・第２面取り面、１０ｈ・・第２円弧面
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端部が面取りされた基板、および当該基板を用いた電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置の製造に用いられる基板は、基板を取り扱う際の角部分の破損を防止する等の目的で、図９（ａ）に示すように、第１基板面１０ｔの側の角部分、および第２基板面１０ｕの側の角部分が各々、斜めに面取りされた形状になっている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、半導体装置の製造に用いられる半導体基板に関しては、不純物拡散を行った後の研磨量を考慮して、図９（ｂ）に示すように、第１基板面の側での面取り角度θa（第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す角度）と、第２基板面の側での面取り角度θb（第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す角度）を相違させた構成も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６６０４６号公報
【特許文献２】特開平２−２９１１２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図９（ａ）、（ｂ）に示すいずれの基板１０ｐにおいても、第１面取り面１０ｅと外周端面１０ｇとの境界部分の曲率半径Ｒ1が小さいため、例えば、図９（ｃ）を参照して説明するようなウエットエッチング工程を行った際、外周端面１０ｇに未エッチング部分が発生するという問題点がある。
【０００６】
より具体的には、第１基板面１０ｔの側に成膜すると、外周端面１０ｇに周り込むように膜が形成されるので、エッチングによって膜をパターニングする際、外周端面１０ｇに形成された膜も除去する必要がある。その際、基板１０ｐを回転させながら第１基板面１０ｔの中央付近にエッチング液Ｌを供給するスピンエッチングを行えば、遠心力によって、エッチング液Ｌが第１基板面１０ｔ全面に行き渡る。しかしながら、従来の基板１０ｐでは、第１面取り面１０ｅと外周端面１０ｇとの境界部分の曲率半径Ｒ1が小さいので、エッチング液Ｌが遠心力で飛び散ってしまい、外周端面１０ｇにエッチング液Ｌが到達しない。その結果、外周端面１０ｇでは、エッチングが行われず、外周端面１０ｇに膜が残ってしまうことになる。このような状態で、第１基板面１０ｔの側に別の膜を成膜すると、新たな膜が外周端面１０ｇで剥離し、かかる剥離が第１基板面１０ｔに形成された膜まで進行してしまうという問題を発生させる。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、スピンエッチング等を確実に行うことのできる基板、および当該基板を用いた電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る基板は、第１基板面と、該第１基板面に対して反対側に位置する第２基板面と、前記第１基板面の端部と前記第２基板面の端部との間に位置する側端部において前記第１基板面側で傾斜する第１面取り面と、該第１面取り面と前記側端部の外周端との間で湾曲した第１円弧面と、前記側端部において前記第２基板面側で傾斜する第２面取り面と、前記第２面取り面と前記外周端との間で湾曲した第２円弧面と、を有し、前記第１基板面と前記第１面取り面とが成す第１面取り角度は、前記第２基板面と前記第２面取り面とが成す第２面取り角度より大であり、前記第１円弧面の曲率半径は、前記第２円弧面の曲率半径より大であり、平面視における前記第１面取り面の幅寸法と平面視における前記第１円弧面の幅寸法との和は、平面視における前記第２面取り面の幅寸法と平面視における前記第２円弧面の幅寸法との和より大であることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、第１基板面側で第１面取り面に連接する第１円弧面の曲率半径が、第２基板面側で第２面取り面に連接する第２円弧面の曲率半径より大であるため、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液が第１円弧面を伝って側端部の外周端に到達する。それ故、外周端でも確実にエッチングが行われる。それ故、外周端に膜が残ってしまうことを防止することができるので、スピンエッチングの後、新たな膜を成膜した際、外周端で新たな膜が剥離するという事態の発生を回避することができる。
【００１０】
また、本発明では、第１基板面と第１面取り面とが成す第１面取り角度が、第２基板面と第２面取り面とが成す第２面取り角度より大であるため、第１円弧面の曲率半径を過剰に大きくしなくても、第１面取り面と第１円弧面とを連続した形状とすることができる。それ故、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液が第１面取り面と第１円弧面との境界部分で飛び散るのを防止することができる。また、平面視における前記第１面取り面の幅寸法と平面視における前記第１円弧面の幅寸法との和が、平面視における前記第２面取り面の幅寸法と平面視における前記第２円弧面の幅寸法との和より大である。このため、第１円弧面の曲率半径を大きくすることができるので、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液が第１円弧面を伝って側端部の外周端に到達しやすい。
【００１１】
本発明において、前記第１面取り面の基板厚方向の寸法と前記第１円弧面の基板厚方向の寸法との和は、前記第２面取り面の基板厚方向の寸法と前記第２円弧面の基板厚方向の寸法との和より大であることが好ましい。かかる構成によれば、第１円弧面の曲率半径を大きくした場合でも、第１円弧面と外周端とを連続した形状とすることができる。それ故、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液が第１円弧面を伝って側端部の外周端に到達しやすい。
【００１２】
本発明において、前記外周端は、前記第１基板面および前記第２基板面に対して直交する外周端面になっていることが好ましい。かかる構成によれば、基板の外周を保持するのが容易である。
【００１３】
本発明に係る基板は、半導体基板として構成できる他、電気光学装置用の基板等として構成することができ、本発明に係る基板を電気光学装置用の基板等として構成する場合、基板は、ガラスや石英基板等、透光性材料からなる構成とされる。
【００１４】
本発明を適用した基板は、電気光学装置等の製造に用いられる。かかる電気光学装置の製造方法では、少なくとも、前記第１基板面側に第１膜を成膜する第１成膜工程と、前記基板を回転させながら前記第１基板面側にエッチング液を供給して前記第１膜をエッチングするスピンエッチング工程と、前記第１基板面側に第２膜を成膜する第２成膜工程と、を有していることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の製造工程を示す説明図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置の製造に用いられる電気光学装置用基板の説明図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置用基板の詳細構成を示す説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶装置の製造工程の一部を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【図９】従来の基板の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、電気光学装置の素子基板を製造するための電気光学装置用基板に本発明を適用した場合を説明し、電気光学装置として、液晶装置を製造する場合を説明する。
【００１７】
また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図９を参照して説明した構成との対応が分かりやすいように、対応する部分には同一の符号を付して説明する。また、画素トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、本説明では、画素電極が接続されている側（画素側ソースドレイン領域）をドレインとし、データ線が接続されている側（データ線側ソースドレイン領域）をソースとする。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１８】
［電気光学装置の構成］
（液晶装置（電気光学装置）の電気的構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量線（容量電極層／第１電極層５ａ）等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。
【００１９】
図１において、本形態の液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨る第１電極層５ａが容量電極層として形成されている。本形態において、第１電極層５ａは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐの構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２３】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２４】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画像表示領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２５】
詳しくは後述するが、素子基板１０の第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕのうち、第１基板面１０ｔ側では、画像表示領域１０ａに、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２６】
また、素子基板１０の第１基板面１０ｔ側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２７】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることもある。
【００２８】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２９】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１をＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３０】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３１】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３２】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、各領域を以下の線で表してある。
走査線３ａ＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂ＝一点鎖線
第１電極層５ａおよび中継電極５ｂ＝細くて長い破線
第２電極層７ａ＝二点鎖線
画素電極９ａ＝太くて短い破線
【００３３】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた縦横の画素間領域と重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０には、データ線６ａと重なるように、図１を参照して説明した第１電極層５ａ（容量電極層）が形成されている。
【００３４】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗ、基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（第１基板面１０ｔ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３５】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター３０に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線３ａは、厚さが２００ｎｍ程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体１０ｗと走査線３ａとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。
【００３６】
基板本体１０ｗの第１基板面１０ｔ側において、走査線３ａの上層側には、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、例えば、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）を用いた減圧ＣＶＤ法やテトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜と、高温ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（ＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜）との２層構造を有している。
【００３７】
画素トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域において走査線３ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えている。また、画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ1、１ｃ1を備え、低濃度領域１ｂ1、１ｃ1に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ2、１ｃ2を備えている。
【００３８】
半導体層１ａは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層１ａの両側において、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａ、１２ｂを介して走査線３ａに導通している。本形態において、ゲート電極３ｃは、膜厚が１００ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００３９】
なお、本形態では、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線３ａを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層２の上層に形成し、その一部をゲート電極３ｃとしてもよい。この場合、図３に示す走査線３ａは、遮光のみを目的として形成されることになる。
【００４０】
ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４１は、例えば、シランガス（ＳＨ4）と亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）とを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００４１】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜、膜厚が３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜をこの順に積層してなる４層構造を有している。データ線６ａは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。ドレイン電極６ｂは、走査線３ａと重なる領域において、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４２】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されている。層間絶縁膜４２は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００４３】
層間絶縁膜４２の上層側には、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂが同一の導電膜によって形成されている。第１電極層５ａおよび中継電極５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂは、膜厚が２００ｎｍ程度のＡｌ膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜との２層構造を有している。第１電極層５ａは、データ線６ａと同様、データ線６ａと重なる領域に沿って延在している。中継電極５ｂは、走査線３ａと重なる領域において、ドレイン電極６ｂと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してドレイン電極６ｂに導通している。
【００４４】
第１電極層５ａおよび中継電極５ｂの上層側にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜４４がエッチングストッパー層として形成されており、かかる層間絶縁膜４４には、第１電極層５ａと重なる領域に開口部４４ｂが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４４は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。ここで、開口部４４ｂは、図３（ａ）では図示を省略するが、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として走査線３ａと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点としてデータ線６ａと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたＬ字形状に形成されている。
【００４５】
層間絶縁膜４４の上層側には透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には第２電極層７ａが形成されている。第２電極層７ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第２電極層７ａは、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜からなる。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。第２電極層７ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として走査線３ａと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点としてデータ線６ａと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたＬ字形状に形成されている。従って、第２電極層７ａのうち、データ線６ａと重なる領域に沿って延在する部分は、層間絶縁膜４４の開口部４４ｂにおいて、誘電体層４０を介して第１電極層５ａに重なっている。このようにして、本形態では、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａは、走査線３ａと重なる領域に蓄積容量５５を構成している。
【００４６】
また、第２電極層７ａにおいて、走査線３ａと重なる領域に沿って延在する部分は、中継電極５ｂと部分的に重なっており、誘電体層４０および層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極５ｂに導通している。
【００４７】
第２電極層７ａの上層側には透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、層間絶縁膜４５の上層側には、厚さが１４０ｎｍ程度のＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域の近傍で第２電極層７ａと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して第２電極層７ａに導通している。層間絶縁膜４５は、例えば、シランガスと亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）とを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００４８】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。
【００４９】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（液晶装置１００の製造方法）
図４は、本発明を適用した液晶装置１００の製造工程を示す説明図である。図５は、本発明を適用した液晶装置１００の製造に用いられる電気光学装置用基板の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、単品サイズの素子基板１０と同一サイズの電気光学装置用基板の説明図、単品サイズの素子基板１０よりやや大きめの電気光学装置用基板の説明図、半導体ウェーハ状の大型の電気光学装置用基板の説明図、および四角形の大型の電気光学装置用基板の説明図である。
【００５２】
本形態の液晶装置１００を製造するには、図２、図３および図４に示すように、素子基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、斜方蒸着法、印刷法やスピンコート等により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。なお、配向膜１６がポリイミド膜からなる場合には、素子基板１０の配向膜１６に対するラビング工程Ｓ３を行う。次に、シール材１０７を塗布するシール印刷工程Ｓ４を行う。かかるシール材１０７の塗布は、ノズルからシール材を吐出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。一方、対向基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、斜方蒸着法、印刷法やスピンコート等により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。なお、配向膜２６がポリイミド膜からなる場合には、対向基板２０の配向膜２６に対するラビング工程Ｓ１３を行う。
【００５３】
次に、重ね合わせ工程Ｓ２１においては、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせる。次に、シール硬化工程Ｓ２２においてシール材１０７を硬化させる。かかるシール硬化工程では、対向基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。
【００５４】
次に、液晶封入工程Ｓ２３では、シール材１０７の途切れ部分１０７ａからシール材１０７の内側に液晶を注入した後、途切れ部分１０７ａを封止材１０５で封止する（図２参照）。なお、素子基板１０にシール材１０７を形成した後、シール材１０７の内側に液晶を滴下し、その後、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせた後、シール材１０７を硬化させることもある。かかる方法の場合、シール材１０７に対しては、途切れ部分や封止材１０５を設ける必要がない。
【００５５】
かかる方法により液晶装置１００を製造する場合、図５（ａ）に示すように、素子基板１０の基板本体１０ｗとして、単品サイズの電気光学装置用基板１０ｓ（液晶装置用基板）を用い、かかる単品サイズの電気光学装置用基板１０ｓの状態で上記の工程を行って液晶パネル１００ｐを形成する場合がある。また、図５（ｂ）に示すように、電気光学装置用基板１０ｓとして、素子基板１０の基板本体１０ｗより大きな基板を用いてパネルを形成した後、電気光学装置用基板１０ｓを切断することもある。また、図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、素子基板１０を多数取りできる大型の電気光学装置用基板１０ｓの状態で上記の工程を行って大型のパネル構造体を形成した後、大型のパネル構造体から単品サイズの液晶パネル１００ｐを複数、切り出すこともある。図５（ｂ）〜（ｄ）に示す構成の場合、大型の電気光学装置用基板１０ｓのうち、素子基板１０が切り出される領域（図５（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に一点鎖線で示す領域）が有効領域１０ｙであり、その周りの部分は、電気光学装置用基板１０ｓを切断される際に除去される除材領域１０ｚである。なお、図５（ｃ）に示す大型の電気光学装置用基板１０ｓは、半導体ウェーハと同様、円盤状の基板にオリエンテーションフラットが形成された形状を有し、図５（ｄ）に示す大型の電気光学装置用基板１０ｓは、四角形状を有している。以下の説明では、サイズや、得られる基板のサイズにかかわらず、電気光学装置用基板１０ｓとして説明する。
【００５６】
（電気光学装置用基板１０ｓの構成）
図６は、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓの詳細構成を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓの側面図、電気光学装置用基板１０ｓの拡大側面図、その端部を拡大して示す説明図、およびスピンエッチングの様子を示す説明図である。図７は、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓを用いて液晶装置１００の素子基板１０を製造する様子を模式的に示す工程断面図である。なお、以下の説明では、電気光学装置用基板１０ｓにおいて、素子基板１０の第１基板面１０ｔを構成する方を「第１基板面１０ｔ」とし、素子基板１０の第２基板面１０ｕを構成する方を「第２基板面１０ｕ」として説明する。
【００５７】
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓは、ガラスあるいは石英基板等、透光性材料からなる基板である。かかる電気光学装置用基板１０ｓは、第１基板面１０ｔと、第１基板面１０ｔに対して反対側に位置する第２基板面１０ｕとを有しており、第１基板面１０ｔの側に、図２および図３を参照して説明した画素電極９ａ等が形成される。
【００５８】
電気光学装置用基板１０ｓは、第１基板面１０ｔの端部と第２基板面１０ｕの端部との間に位置する側端部１０ｃに、第１基板面１０ｔ側で傾斜する第１面取り面１０ｅと、第１面取り面１０ｅと側端部１０ｃの外周端面１０ｇとの間で外側に向けて膨らむように湾曲した第１円弧面１０ｆとを全周に有している。ここで、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとは連接し、第１円弧面１０ｆは、第１面取り面１０ｅおよび外周端面１０ｇと連接している。また、電気光学装置用基板１０ｓは、側端部１０ｃに、第２基板面１０ｕ側で傾斜する第２面取り面１０ｉと、第２面取り面１０ｉと側端部１０ｃの外周端面１０ｇとの間で外側に向けて膨らむように湾曲した第２円弧面１０ｈとを全周に有している。ここで、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとは連接し、第２円弧面１０ｈは、第２面取り面１０ｉおよび外周端面１０ｇと連接している。また、側端部１０ｃの外周端は、第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕに対して直交する外周端面１０ｇになっている。
【００５９】
このように構成した電気光学装置用基板１０ｓにおいて、本形態では、側端部１０ｃの形状が第１基板面１０ｔの側と第２基板面１０ｕの側とにおいて非対称になっている。より具体的には、第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaは、第２円弧面１０ｈの曲率半径Ｒbより大である。また、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す第１面取り角度θaは、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す第２面取り角度θbより大きい。
【００６０】
また、平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法は、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法より大であり、平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法と平面視における第１円弧面１０ｆの幅寸法との和ｄaは、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法と平面視における第２円弧面１０ｈの幅寸法との和ｄbより大になっている。
【００６１】
また、第１面取り面１０ｅの基板厚方向の寸法は、第２面取り面１０ｉの基板厚方向の寸法より大であり、第１円弧面１０ｆの基板厚方向の寸法は、第２円弧面１０ｈの基板厚方向の寸法より大である。従って、第１面取り面１０ｅの基板厚方向の寸法と第１円弧面１０ｆの基板厚方向の寸法との和ｔaは、第２面取り面１０ｉの基板厚方向の寸法と第２円弧面１０ｈの基板厚方向の寸法ｔbとの和より大である。それ故、側端部１０ｃの外周端面１０ｇは、第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕのうち、第２基板面１０ｕの側に位置している。
【００６２】
例えば、厚さが２ｍｍの電気光学装置用基板１０ｓの場合、上記の角度や寸法は、以下の値
Ｒａ≠Ｒｂ
０．３５ｍｍ＜Ｒａ＜０．４５ｍｍ
Ｒｂ≦０．３５ｍｍ
θa＞θb
θa＝２５°±２°
θb＝２１°±２°
に設定されている。それ故、図７を参照して後述する工程において、図６（ｄ）に示すように、電気光学装置用基板１０ｓを回転させながら第１基板面１０ｔの中央付近にエッチング液Ｌを供給するスピンエッチングを行えば、遠心力によって、エッチング液Ｌが第１基板面１０ｔ全面に行き渡る。また、第１面取り面１０ｅと外周端面１０ｇとの境界部分（第１円弧面１０ｆ）の曲率半径Ｒaが大きいので、遠心力が加わったエッチング液Ｌは、第１面取り面１０ｅで飛び散らず、第１円弧面１０ｆを伝って側端部１０ｃの外周端面１０ｇに到達する。それ故、外周端面１０ｇでも確実にエッチングが行われる。それ故、図７を参照して後述する工程を好適に行うことができる。
【００６３】
（液晶装置１００の製造工程）
図７は、本発明を適用した液晶装置１００の製造工程の一部を模式的に示す説明図である。なお、以下に説明する工程は、図２および図３を参照して説明したいずれの層を形成する場合にも適用できるが、以下の説明では、第１膜として層間絶縁膜４４を構成する膜を例示し、第２膜として誘電体層４０を構成する膜を例示する。
【００６４】
本形態において、電気光学装置用基板１０ｓを用いて液晶装置１００の素子基板１０を製造する場合、まず、図７（ａ）に示す第１成膜工程において、第１基板面１０ｔ側に、層間絶縁膜４４を構成するシリコン酸化膜等の第１膜４４ｓを成膜する。
【００６５】
次に、図７（ｂ）に示すマスク形成工程において、第１膜４４ｓの表面に、第１面取り面１０ｅおよび第１円弧面１０ｆと重なる部分や、図３を参照して説明した開口部４４ｂと重なる部分等が開口部４４０ａになっているレジストマスク等のエッチングマスク４４０を形成する。
【００６６】
次に、図７（ｃ）に示すスピンエッチング工程では、図６（ｄ）を参照して説明したように、電気光学装置用基板１０ｓを回転させながら第１基板面１０ｔ側にエッチング液Ｌを供給して第１膜４４ｓをウエットエッチングする。その結果、第１膜４４ｓがパターニングされて層間絶縁膜４４が形成される。その際、図６（ｄ）を参照して説明したように、第１面取り面１０ｅと外周端面１０ｇとの境界部分（第１円弧面１０ｆ）の曲率半径Ｒaが大きいので、遠心力が加わったエッチング液Ｌは、第１面取り面１０ｅで飛び散らず、第１円弧面１０ｆを伝って側端部１０ｃの外周端面１０ｇに到達する。それ故、外周端面１０ｇでも確実にエッチングが行われ、図７（ｆ）に示すように、外周端面１０ｇから第１膜４４ｓが確実に除去される。
【００６７】
次に、図７（ｄ）に示すように、エッチングマスク４４０を除去した後、図７（ｅ）に示す第２成膜工程では、第１基板面１０ｔ側に誘電体層４０を形成するためのシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物、あるいはアルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率膜からなる第２膜４０ｓを形成する。その際、第１面取り面１０ｅ、第１円弧面１０ｆ、および外周端面１０ｇには、第１膜４４ｓが残っていないので、図７（ｇ）に示すように、第２膜４０ｓは、第１面取り面１０ｅ、第１円弧面１０ｆ、および外周端面１０ｇでも高い密着性をもって形成される。それ故、外周端面１０ｇ等で第２膜４０ｓが剥離し、かかる剥離が第２膜４０ｓの全体で進行する等の問題が発生するのを回避することができる。特に、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率膜（第２膜４０ｓ）を積層すると、下地への密着力が弱いので、外周端面１０ｇに異物が残っていると剥離しやすいという問題があるが、本形態によれば、かかる剥離の発生を防止することができる。
【００６８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本発明を適用した電気光学装置用基板１０ｓは、第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaが、第２円弧面１０ｈの曲率半径Ｒbより大であるため、図６（ｄ）を参照して説明したスピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液Ｌが第１円弧面１０ｆを伝って側端部１０ｃの外周端面１０ｇに到達する。それ故、外周端面１０ｇでも確実にエッチングが行われる。それ故、外周端面１０ｇに膜が残ってしまうことを防止することができるので、スピンエッチングの後、新たな膜を成膜した際、外周端面１０ｇで新たな膜が剥離するという事態の発生を回避することができる。
【００６９】
また、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す第１面取り角度θaは、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す第２面取り角度θbより大きい。このため、第１円弧面１０ｆの曲率半径を過剰に大きくしなくても、第１面取り面１０ｅと第１円弧面１０ｆとを連続した形状とすることができる。それ故、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液Ｌが第１面取り面１０ｅと第１円弧面１０ｆとの境界部分で飛び散るのを防止することができる。
【００７０】
また、平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法と平面視における第１円弧面１０ｆの幅寸法との和ｄaは、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法と平面視における第２円弧面１０ｈの幅寸法との和ｄbより大である。このため、第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaを大きくすることができるので、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液Ｌが第１円弧面１０ｆを伝って外周端面１０ｇに到達しやすい。
【００７１】
さらに、第１面取り面１０ｅの基板厚方向の寸法と第１円弧面１０ｆの基板厚方向の寸法との和ｔaは、第２面取り面１０ｉの基板厚方向の寸法と第２円弧面１０ｈの基板厚方向の寸法ｔbとの和より大である。それ故、側端部１０ｃの外周端面１０ｇは、第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕのうち、第２基板面１０ｕの側に位置している。従って、第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaを大きくした場合でも、第１円弧面１０ｆと外周端面１０ｇとを連続した形状とすることができる。それ故、スピンエッチングの際、遠心力を受けたエッチング液Ｌが第１円弧面１０ｆを伝って外周端面１０ｇに到達しやすい。
【００７２】
また、側端部１０ｃの外周端は、第１基板面１０ｔおよび第２基板面１０ｕに対して直交する外周端面１０ｇになっている。このため、電気光学装置用基板１０ｓの外周に対して、周方向の複数個所で治具等を当接させて電気光学装置用基板１０ｓを保持する際、電気光学装置用基板１０ｓを確実に保持することができる。
【００７３】
（他の実施の形態）
上記実施の形態では、蓄積容量５５を形成する際にスピンエッチングを適用した例を説明したが、他の層をエッチングする際にスピンエッチングを用いてもよい。
【００７４】
また、上記実施の形態では、パターニングの際にスピンエッチングを適用した例を説明したが、レジストマスク等のエッチングマスクの除去にスピンエッチングを用いてもよく、この場合、エッチングマスクが「第１膜」となる。
【００７５】
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例示したが、透光性を有する基板（電気光学装置用基板）を備えていれば、液晶装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等の電気光学装置の製造方法に本発明を適用してもよい。
【００７６】
また、上記実施の形態では、基板として、透光性を有する基板（電気光学装置用基板）を例示したが、シリコンウエーハ等の半導体基板に本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を備えた電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図８（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００７８】
（投射型表示装置の第１例）
図８（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００７９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８０】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８３】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００８８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００８９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９０】
（投射型表示装置の第２例）
図８（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリックス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９５】
なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９６】
このように構成した投射型表示装置１０００において、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）投射する。
【００９７】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９８】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１６・・配向膜（素子基板側配向膜）、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２６・・配向膜（対向基板側配向膜）５０・・液晶層、１００・・液晶装置、１０７・・シール材、１０ｔ・・第１基板面、１０ｅ・・第１面取り面、１０ｕ・・第２基板面、１０ｆ・・第１円弧面、１０ｉ・・第２面取り面、１０ｈ・・第２円弧面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板面と、
該第１基板面に対して反対側に位置する第２基板面と、
前記第１基板面の端部と前記第２基板面の端部との間に位置する側端部において前記第１基板面側で傾斜する第１面取り面と、
該第１面取り面と前記側端部の外周端との間で湾曲した第１円弧面と、
前記側端部において前記第２基板面側で傾斜する第２面取り面と、
前記第２面取り面と前記外周端との間で湾曲した第２円弧面と、
を有し、
前記第１基板面と前記第１面取り面とが成す第１面取り角度は、前記第２基板面と前記第２面取り面とが成す第２面取り角度より大であり、
前記第１円弧面の曲率半径は、前記第２円弧面の曲率半径より大であり、
平面視における前記第１面取り面の幅寸法と平面視における前記第１円弧面の幅寸法との和は、平面視における前記第２面取り面の幅寸法と平面視における前記第２円弧面の幅寸法との和より大であることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記第１面取り面の基板厚方向の寸法と前記第１円弧面の基板厚方向の寸法との和は、前記第２面取り面の基板厚方向の寸法と前記第２円弧面の基板厚方向の寸法との和より大であることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記外周端は、前記第１基板面および前記第２基板面に対して直交する外周端面になっていることを特徴とする請求項１または２に記載に記載の基板。
【請求項４】
透光性材料からなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板を用いた電気光学装置の製造方法であって、
少なくとも、
前記第１基板面側に第１膜を成膜する第１成膜工程と、
前記基板を回転させながら前記第１基板面側にエッチング液を供給して前記第１膜をエッチングするスピンエッチング工程と、
前記第１基板面側に第２膜を成膜する第２成膜工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
第１基板面と、
該第１基板面に対して反対側に位置する第２基板面と、
前記第１基板面の端部と前記第２基板面の端部との間に位置する側端部において前記第１基板面側で傾斜する第１面取り面と、
該第１面取り面と前記側端部の外周端との間で湾曲した第１円弧面と、
前記側端部において前記第２基板面側で傾斜する第２面取り面と、
前記第２面取り面と前記外周端との間で湾曲した第２円弧面と、
を有し、
前記第１基板面と前記第１面取り面とが成す第１面取り角度は、前記第２基板面と前記第２面取り面とが成す第２面取り角度より大であり、
前記第１円弧面の曲率半径は、前記第２円弧面の曲率半径より大であり、
平面視における前記第１面取り面の幅寸法と平面視における前記第１円弧面の幅寸法との和は、平面視における前記第２面取り面の幅寸法と平面視における前記第２円弧面の幅寸法との和より大であることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記第１面取り面の基板厚方向の寸法と前記第１円弧面の基板厚方向の寸法との和は、前記第２面取り面の基板厚方向の寸法と前記第２円弧面の基板厚方向の寸法との和より大であることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記外周端は、前記第１基板面および前記第２基板面に対して直交する外周端面になっていることを特徴とする請求項１または２に記載に記載の基板。
【請求項４】
透光性材料からなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板を用いた電気光学装置の製造方法であって、
少なくとも、
前記第１基板面側に第１膜を成膜する第１成膜工程と、
前記基板を回転させながら前記第１基板面側にエッチング液を供給して前記第１膜をエッチングするスピンエッチング工程と、
前記第１基板面側に第２膜を成膜する第２成膜工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図７】
【図８】
【図６】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図７】
【図８】
【図６】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−１９８２５５（Ｐ２０１２−１９８２５５Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６０４６６（Ｐ２０１１−６０４６６）
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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