基板の接続構造、基板の接続方法、電気光学装置および電子機器
【課題】フレキシブル基板を素子基板から剥がす作業を伴わないようにすることによって、素子基板にストレス与えないリペア技術が望まれていた。
【解決手段】素子基板１には、フレキシブル基板２が接合される２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とが設けられている。さらに、接合領域Ｒ１には、接合されるフレキシブル基板２の位置合わせのためのアライメントマークＭ１ａとアライメントマークＭ１ｂとが、また接合領域Ｒ２には、接合されるフレキシブル基板２の位置合わせのためのアライメントマークＭ２ａとアライメントマークＭ２ｂとが、それぞれ形成されている。一方、フレキシブル基板２には、素子基板１と接合する２つの接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２とが設けられている。
【解決手段】素子基板１には、フレキシブル基板２が接合される２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とが設けられている。さらに、接合領域Ｒ１には、接合されるフレキシブル基板２の位置合わせのためのアライメントマークＭ１ａとアライメントマークＭ１ｂとが、また接合領域Ｒ２には、接合されるフレキシブル基板２の位置合わせのためのアライメントマークＭ２ａとアライメントマークＭ２ｂとが、それぞれ形成されている。一方、フレキシブル基板２には、素子基板１と接合する２つの接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２とが設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の接続構造、基板の接続方法、この基板の接続構造を備えた電気光学装置、この基板の接続方法で接続された基板を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば有機ＥＬパネルなどの電気光学装置では、有機ＥＬパネルの表示領域に設けられた画素に画像を表示するための画像信号を入力し、入力した画像信号を有機ＥＬパネル内で所定の信号処理を行うことによって、画素に画像を表示することが行われている。
【０００３】
このとき、有機ＥＬパネルでは、画像信号が供給される可撓性を有するフレキシブル基板を、ガラス板などのリジッド基板であり有機ＥＬパネルを構成する素子基板に対して、その素子基板の端部において接合する基板の接続構造が設けられている。そして、この基板の接続構造によって、素子基板に配線形成された電極端子群と、この電極端子群に対応してフレキシブル基板に配線形成された電極端子群とを電気的に接続し、画像信号をフレキシブル基板側から素子基板側に伝送することが行われている。そして、フレキシブル基板を素子基板に対して接合する際には、厚さ方向への導電性と接着性とを有する異方性導電膜（ＡＣＦ）を基板間に介在して圧着し、フレキシブル基板と素子基板とを電気的に接続する方法が多く採用されている。
【０００４】
このように、異方性導電膜を介してフレキシブル基板と素子基板とを接合する接続構造において接合部分に導電性異物が存在する場合、それぞれの電極端子群において電極端子間で電気的な短絡が生ずることがある。そこで、接合部分における電極端子間の短絡の発生を抑える接続技術が種々提案されている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３４７５９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、接合部分に導電性異物が存在する場合は、少なからず短絡が生じ、修復（リペア）作業が行われる。通常リペア作業は、既に接続されたフレキシブル基板を機械的に引っ張るなどして素子基板から剥がし、新しいフレキシブル基板を異方性導電膜（フィルム）を介して再び素子基板に接合することで行われる。
【０００７】
このとき、異方性導電膜を介してフレキシブル基板と素子基板とを接合する基板の接続構造においては、素子基板からフレキシブル基板を剥がす際に、素子基板にストレスを与えてしまうことが生じる。この結果、与えられたストレスによって素子基板にヒビや亀裂が発生するなど、接合部分の信頼性を劣化させてしまう虞がある。特に、近年は有機ＥＬパネルの薄型化のためにパネルを構成する素子基板が薄くなっている場合が多く、ヒビや亀裂が発生しやすくなるために、接合部分の信頼性を劣化させてしまう虞が高まっている。従って、フレキシブル基板を素子基板から剥がす作業を伴わないようにすることによって、素子基板にストレス与えないリペア技術が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群の各端子と対応するように第２電極端子群が基板面に形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続構造であって、前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続される接合領域が、複数設けられていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、第１電極端子群と第２電極端子群とを電気的に接続する接合領域が第１基板の基板面に複数形成されている。従って、例えば、１つの接合領域において第１基板に接合された第２基板を、第１基板から剥がすことなく、別の接合領域において第１基板に対して別の第２基板を接合することによって、基板にストレス与えることなくリペアすることが可能である。
【００１１】
［適用例２］上記基板の接続構造であって、前記第２基板の前記基板面には、前記第１基板に設けられた前記複数の接合領域のそれぞれに形成された前記第１電極端子群に対応して、前記第２電極端子群が複数形成されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、例えば、第２基板から、１つの接合領域において接合した第２基板の接合領域を切り離しても、第２基板には他の接合領域に対応した第２電極端子群が形成されているので、１つの第２基板をリペアに用いることができる。従って、第２基板の消費を抑制することができる。
【００１３】
［適用例３］上記基板の接続構造であって、前記第１基板には、前記接合領域毎に、前記第２基板を接合する位置を示すアライメントマークが形成されていることを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、第１基板の接合領域に対して第２基板の接合領域を位置合わせするとき、アライメントマークを用いて容易に位置合わせすることができる。
【００１５】
［適用例４］上記基板の接続構造であって、前記アライメントマークは、前記接合領域毎に異なる形状であることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、例えば接合順など、接合に用いる接合領域を間違うことなく、第１基板の接合領域に対して第２基板の接合領域の位置を正しく合わせることができる。
【００１７】
［適用例５］上記基板の接続構造であって、前記接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔は、前記接合領域毎に異なることを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、リペア時の接続において、第１電極端子群または第２電極端子群における端子間の短絡の発生確率を低くすることができる。
【００１９】
［適用例６］上記基板の接続構造であって、前記第２基板は可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、既に接合された第２基板を第１基板の接合領域に残したままで、第２基板が有する可撓性によって、第２基板を第１基板に接合してリペアすることができる。
【００２１】
［適用例７］第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群の各端子と対向するように第２電極端子群が基板面に形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続方法であって、前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合される第１接合領域と第２接合領域とが設けられ、前記第１接合領域において前記第１基板に接合された前記第２基板から、前記第１接合領域に接合された基板領域を切り離す工程と、前記第１接合領域に形成された前記第１電極端子群と、前記第２接合領域に形成された前記第１電極端子群との間の電気的な接続を切断する工程と、前記第２接合領域において前記第１基板および前記第２基板とを接合する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
この方法によれば、第１接合領域において第１基板に接合された第２基板を、第１基板から剥がすことなく切り離し、新たに第２接合領域において第１基板に対して第２基板を接合するので、基板にストレス与えることなくリペアすることが可能である。
【００２３】
［適用例８］第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群と対向するように第２電極端子群が基板面に複数形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続方法であって、前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合される第１接合領域と第２接合領域とが設けられ、前記第１接合領域に接合された前記第２基板を、前記第１接合領域とともに前記第１基板から切り離す工程と、前記第２接合領域において前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２４】
この方法によれば、第１接合領域において第１基板に接合された第２基板を、第１基板から剥がすことなく、第１接合領域ごと第１基板から切り離し、新たに第２接合領域において第１基板に対して第２基板を接合するので、基板にストレス与えることなくリペアすることが可能である。
【００２５】
［適用例９］上記基板の接続方法であって、前記第２接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔は、前記第１接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔よりも広いことを特徴とする。
【００２６】
こうすれば、リペア時の接続において、第１電極端子群および第２電極端子群における端子間の短絡の発生確率を低くすることができる。
【００２７】
［適用例１０］上記基板の接続方法であって、前記第２基板の前記基板面には、前記第１基板に設けられた前記第１接合領域と前記第２接合領域とに対応する前記第２電極端子群が形成されていることを特徴とする。
【００２８】
こうすれば、例えば、第１接合領域において接合した第２基板の基板領域を切り離しても、切り離された第２基板には、第２接合領域に対応した第２電極端子群が形成されているので、この切り離された第２基板をリペアに用いることができる。従って、第２基板の消費を抑制することができる。
【００２９】
［適用例１１］上記基板の接続方法であって、前記第２基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする。
【００３０】
こうすれば、既に接合された第２基板を第１基板の第１接合領域に残したままで、リペアすることが容易になる。
【００３１】
［適用例１２］電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子群が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子群の各端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子群が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、前記第１基板と前記第２基板との接続が、上記基板の接続構造を有することを特徴とする。
【００３２】
この電気光学装置によれば、基板にストレス与えることなくリペアすることができるリペア性の優れた電気光学装置を提供できる。
【００３３】
［適用例１３］電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子群が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子群の各端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子群が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、前記第１基板と前記第２基板との接続が、上記基板の接続方法で行われたことを特徴とする。
【００３４】
この電気光学装置によれば、基板にストレス与えることなくリペアすることができるリペア性の優れた電気光学装置を提供できる。
【００３５】
［適用例１４］上記電気光学装置を表示装置として備えた電子機器。
【００３６】
この電子機器によれば、基板にストレス与えることなくリペアすることができるリペア性の優れた表示装置を有するので、コストアップを抑制した電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態となる有機ＥＬパネルの構成を模式的に示した説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は部分断面図。
【図２】（ａ）は本実施形態の素子基板とフレキシブル基板の構成を示した平面図、（ｂ）はこれらが接続された状態を示す平面図。
【図３】第１実施例のリペア処理のフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施例のリペア処理中の素子基板とフレキシブル基板との接合状態を示す説明図。
【図５】第２実施例のリペア処理のフローチャート。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施例のリペア処理中の素子基板とフレキシブル基板との接合状態を示す説明図。
【図７】第１変形例の素子基板とフレキシブル基板の構成を示した平面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）ともに第２変形例の素子基板の構成を示した平面図。
【図９】表示部に有機ＥＬパネルを組み込んだ携帯電話の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。なお、以降の説明において用いる図面は、説明のために誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。
【００３９】
（電気光学装置）
図１は、基板の接合部分に本発明の基板の接続構造および接続方法を適用する一実施形態となる電気光学装置としての有機ＥＬパネル１００について、その接合部分の構成を模式的に示した説明図である。なお、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【００４０】
図１（ａ）に示すように、有機ＥＬパネル１００は、第１基板としての素子基板１と、対向基板３とが、その周辺に配置された図示しないシール材によって、内部を封止状態にして貼り合わされた構造を有している。そして、表示領域１００ｄには図示しない電気光学素子としての画素が形成され、封止状態で貼り合わされた内部には、素子基板１の基板上に画素を表示駆動するための図示しない駆動回路が形成されている。
【００４１】
素子基板１は、対向基板３が対向していない領域部分に形成された接合部分において、第２基板としてのフレキシブル基板２が接合されている。具体的には、素子基板１の基板面に形成された第１電極端子群としての複数の帯状の電極端子１１と、フレキシブル基板２の基板面に形成された第２電極端子群としての複数の帯状の電極端子２１とが、それぞれの基板面間に異方性導電膜４を介在して熱圧着され、電気的に導通するように接合（接続）されている。この結果、フレキシブル基板２から供給される画像信号は、互いに接続された電極端子２１と電極端子１１とを介して素子基板１に形成された駆動回路に送信され、画像信号に応じて画素が表示駆動されることによって表示領域１００ｄに画像が表示される。
【００４２】
素子基板１とフレキシブル基板２との接合部分は、図１（ｂ）に示した構成を有している。すなわち、素子基板１に形成された電極端子１１と、フレキシブル基板２に形成された電極端子２１とが対向するように、素子基板１とフレキシブル基板２とを平面的に配置した後、素子基板１とフレキシブル基板２との間に異方性導電膜４を介在して配置する。そして、図示しない圧着ヘッドにより異方性導電膜４を加熱プレスして潰すことによって、異方性導電膜４に含まれる導電性粒子（例えば半田粒子）が電極端子１１と電極端子２１との間の電気的な接続を行う。この結果、それぞれの電極端子群の電極端子間つまり面方向の絶縁を確保しつつ、電極端子１１と電極端子２１との接続つまり厚さ方向の電気的な接続を行うのである。
【００４３】
ここで、本実施形態では、素子基板１の基板面において、潰された異方性導電膜４がほぼ占有する領域Ｒを、請求項記載の第１基板の接合領域として扱うこととする。また、フレキシブル基板２の基板面において、各電極端子１１に対して、これと対応する電極端子２１を接合するために必要な領域Ｆを、請求項記載の第２基板の接合領域として扱うこととする。もとより、領域Ｒおよび領域Ｆは、素子基板１とフレキシブル基板２とに形成される電極端子の形状や、素子基板１とフレキシブル基板２との間に配置される異方性導電膜の大きさや厚みなどによって異なることは言うまでもない。
【００４４】
さて、このような異方性導電膜を用いて電極端子間の接続を行う接合方法において、導電性異物ＤＢが異方性導電膜４中に混入していると、例えば、図１（ａ）に示したように、電極端子間で平面方向の導通が生じ、電極端子間での短絡が生じてしまう。この結果、フレキシブル基板２の電極端子２１から画像信号を正しく供給できなくなり、表示領域１００ｄに正しく画像を表示することができなくなってしまう。従って、このような場合には、修復（リペア）を行う必要がある。
【００４５】
そこで、本実施形態では、素子基板１およびフレキシブル基板２のそれぞれに、複数の接合領域を設け、リペア作業時において素子基板１にストレス与えることなくリペアすることができる基板の接続構造とした。以下、本実施形態における素子基板１とフレキシブル基板２との接続構造と、リペア作業で行われる素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法について、順次説明する。
【００４６】
（基板の接続構造）
まず本実施形態の基板の接続構造を図２を用いて説明する。なお図２（ａ）は、本実施形態の素子基板１とフレキシブル基板２の構成を示した平面図で、図２（ｂ）はこれらが接合された状態を示す平面図である。なお、図２（ｂ）では、フレキシブル基板２を透視状態で示している。
【００４７】
図２（ａ）に示したように、素子基板１には、対向基板が重ならない領域に、フレキシブル基板２が接合される２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とが設けられている。そして、電極端子１１は、この２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とに跨って配線形成されている。さらに、接合領域Ｒ１には、接合されるフレキシブル基板２の位置合わせのためのアライメントマークＭ１ａとアライメントマークＭ１ｂとが、また接合領域Ｒ２には、接合されるフレキシブル基板２の位置合わせのためのアライメントマークＭ２ａとアライメントマークＭ２ｂとが、それぞれ形成されている。ちなみに、本実施形態ではアライメントマークは四角形（正方形）の形状を有し、マスク印刷や配線材料のパターニング等で基板面に形成されている。なお、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間は所定の隙間ＤＳ１が設けられている。この隙間ＤＳ１については後述する。
【００４８】
一方、フレキシブル基板２には、素子基板１と接合する２つの接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２とが設けられている。そして、電極端子２１は、この２つの接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２とに跨って配線形成されている。さらに、接合領域Ｆ１には、接合する素子基板１との位置合わせのためのアライメントマークＮ１ａとアライメントマークＮ１ｂが、また接合領域Ｆ２には、接合する素子基板１との位置合わせのためのアライメントマークＮ２ａとアライメントマークＮ２ｂが、それぞれ形成されている。ちなみに、本実施形態ではアライメントマークは、円形の形状を有し、フレキシブル基板２が透明な基板材料で形成されている場合は、マスク印刷や配線材料のパターニング等で基板面に形成されている。あるいは、アライメントマークは穴であってもよい。フレキシブル基板２が不透明な基板材料で形成されているような場合では有効である。なお、接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２との間は所定の隙間ＤＳ２が設けられている。この隙間ＤＳ２については後述する。
【００４９】
さて、フレキシブル基板２を素子基板１に対して接合した状態は、通常図２（ｂ）に示したようになる。すなわち、アライメントマークＮ１ａとアライメントマークＭ１ａとの位置、およびアライメントマークＮ１ｂとアライメントマークＭ１ｂとの位置がそれぞれ合わされる。そして、素子基板１の接合領域Ｒ１において、ほぼ接合領域Ｒ１の形状を呈する異方性導電膜４によって、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１が素子基板１に対して接合された状態となる。
【００５０】
この接合状態で、例えば図１に示したような導電性異物ＤＢが存在せず、電極端子１１と電極端子２１との間のそれぞれの接続が正常な場合は、この状態が基板の接続構造となる。従って、フレキシブル基板２の接続状態において、素子基板１には、接合領域Ｒ２が残存し、フレキシブル基板２には、接合領域Ｆ２が残存した状態となる。
【００５１】
次に、電極端子１１間や電極端子２１間に短絡があった場合などに行われるリペア作業において、本実施形態で行われる素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法について、２つの実施例を説明する。
【００５２】
（基板の接続方法の第１実施例）
本実施例における素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法について、図３、および図４を用いて説明する。図３は、本実施例のリペア処理のフローチャートである。図４はリペア処理中の素子基板１とフレキシブル基板２との具体的な接合状態を示している。
【００５３】
図３に示したように、リペア処理が開始されると、まず、フレキシブル基板を切断処理する（ステップＳ１０１）。具体的には、図４（ａ）に示したように、接合領域Ｒ１において接続されたフレキシブル基板２を、カッターや鋏などの切断手段を用いて切断線ＣＬ１で切断する。このとき切断線ＣＬ１は、接合領域Ｆ２の領域端部の位置とすることが好ましい。こうすれば、切断された状態においてフレキシブル基板２の端部を接合領域Ｆ２とすることができるので、この切断された状態のまま素子基板１に対して接合使用することが可能なフレキシブル基板２となる。従って、切断線ＣＬ１は、平面的に素子基板１の接合領域Ｒ１の領域外、つまり接合領域Ｆ１とは隣接せず離れた位置となることから、接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２との間に所定の隙間ＤＳ２を設けるのである。
【００５４】
図３に戻り、次に、素子基板の電極端子を切断処理する（ステップＳ１０２）。具体的には、図４（ｂ）に示したように、電極端子１１を、カッターやレーザーなどの切断手段を用いて切断線ＤＬで切断する。このとき切断線ＤＬは、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間の位置、つまり接合領域Ｒ２の領域外の位置とすることが好ましい。こうすれば、電極端子１１が切断された状態で、接合領域Ｒ２において接合されるフレキシブル基板２の電極端子２１と、平面的に重なる電極端子１１の領域が確保されるとともに、切断後、接合領域Ｒ１の領域側に残る電極端子１１との間での短絡が生じ難くなる。従って、切断線ＤＬに沿った電極端子１１の切断処理において必要とする隙間（例えばカッターの切断代）ＤＳ１を、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間に設けるのである。
【００５５】
図３に戻り、次に、切断したフレキシブル基板を素子基板に接合処理して（ステップＳ１０３）、リペア処理を終了する。具体的には、図４（ｃ）に示したように、切断されたフレキシブル基板２を、素子基板１に対して、接合領域Ｒ２において接合する。すなわち、アライメントマークＮ２ａとアライメントマークＭ２ａとの位置、およびアライメントマークＮ２ｂとアライメントマークＭ２ｂとの位置をそれぞれ合わせ、異方性導電膜を介在して熱圧着し、素子基板１に対してフレキシブル基板２の接合領域Ｆ２を接合するのである。この結果、１つのフレキシブル基板２をリペアに用いることができる。従って、フレキシブル基板２の消費を抑制することができる。なお、図４（ｃ）では、接合領域Ｒ２における異方性導電膜を省略している。また、フレキシブル基板２を透視状態で示している。
【００５６】
上述した本実施例の基板の接続方法によれば、例えば図１に示したような導電性異物ＤＢが存在する接合領域Ｒ１との電気的な接続が切断されているので、電極端子１１と電極端子２１との間のそれぞれの接続は修復される。また、フレキシブル基板２を素子基板１から剥がす処理を伴わないので、素子基板１にストレスが加わることがない。この結果、ストレスによって素子基板１にヒビや亀裂が発生するなど、接続部分の信頼性を劣化させてしまう虞もない。
【００５７】
なお、素子基板１のリペア用の接合領域Ｒ２にフレキシブル基板２を接合する場合、フレキシブル基板２が有する可撓性によって、素子基板１の接合領域Ｒ１において既に接合されたフレキシブル基板２を残したままで、接合領域Ｒ２に接合することが可能である。
【００５８】
（基板の接続方法の第２実施例）
本実施例における素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法について、図５、および図６を用いて説明する。図５は、本実施例のリペア処理のフローチャートである。図６はリペア処理中の素子基板１とフレキシブル基板２との具体的な接合状態を示している。
【００５９】
図５に示したように、リペア処理が開始されると、まず、素子基板を切断処理する（ステップＳ１１１）。具体的には、図６（ａ）に示したように、素子基板１を、カッターやレーザーなどの切断手段を用いて切断線ＣＬ２で切断する。このとき切断線ＣＬ２は、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間の位置とすることが好ましい。こうすれば、素子基板１が切断された状態で、接合領域Ｒ２において接合されるフレキシブル基板２の電極端子２１と、平面的に重なる電極端子１１の領域が確保される。従って、切断線ＣＬ２における切断処理において必要となる隙間（例えば切断代）ＤＳ１を、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間に設けるのである。
【００６０】
本実施例は、素子基板１を切り落とすことなく素子基板１に形成された電極端子１１を切断した上記第１実施例と異なり、電極端子１１と一緒に素子基板１を切断して切り離す。従って、図６（ｂ）に示したように、接合領域Ｒ１およびフレキシブル基板２が接合状態のまま、素子基板１から切断削除される。
【００６１】
図５に戻り、次に、素子基板にフレキシブル基板を接合処理して（ステップＳ１１２）、リペア処理を終了する。具体的には、図６（ｃ）に示したように、フレキシブル基板２を、素子基板１に対して、接合領域Ｒ２において接合する。本実施例では、フレキシブル基板２は、上記第１実施例と同様、接合領域Ｆ２の領域端面で切断されたフレキシブル基板であるものとする。従って、アライメントマークＮ２ａとアライメントマークＭ２ａとの位置、およびアライメントマークＮ２ｂとアライメントマークＭ２ｂとの位置をそれぞれ合わせ、異方性導電膜を介在して熱圧着すれば、素子基板１に対してフレキシブル基板２の接合領域Ｆ２が接合されるのである。なお、図６（ｃ）では、異方性導電膜を省略し、またフレキシブル基板２を透視状態で示している。
【００６２】
もとより、フレキシブル基板２を、新しいフレキシブル基板２としても差し支えない。この場合は、アライメントマークＮ１ａとアライメントマークＭ２ａとの位置、およびアライメントマークＮ１ｂとアライメントマークＭ２ｂとの位置をそれぞれ合わせ、異方性導電膜を介在させて熱圧着し、素子基板１に対してフレキシブル基板２の接合領域Ｆ１を接合することになる。
【００６３】
上述した本実施例の基板の接続方法によれば、例えば図１に示したような導電性異物ＤＢが存在する接合領域Ｒ１が素子基板１から切り落とされ、電気的な短絡部分が削除されるので、電極端子１１と電極端子２１との間のそれぞれの接続は修復される。また、フレキシブル基板２を素子基板１から剥がす処理を伴わないので、素子基板１にストレスが加わることがない。この結果、ストレスによって素子基板１にヒビや亀裂が発生するなど、接続部分の信頼性を劣化させてしまう虞もない。
【００６４】
以上、本発明について、実施形態を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。
【００６５】
（基板の接続構造の第１変形例）
上記実施形態では、図２（ａ）に示したように、素子基板１に形成された帯状の電極端子１１は、２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とに跨って配線形成されている。従って、特に言及しなかったが、隣接する電極端子１１間の間隔は、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とにおいて同じである。これは、フレキシブル基板２に形成された電極端子２１においても同様である。従って、図４（ａ）に示したように、接合領域Ｒ１における接合時において、電極端子間の間隔が同じであるため、リペア時においても、同じサイズの導電性異物ＤＢが存在した場合、導電性異物ＤＢによる短絡が生じてしまうことになる。
【００６６】
そこで、基板の接続構造の第１変形例として、接合領域Ｒ２における電極端子間の間隔を、接合領域Ｒ１よりも広くする。こうすることによって、同じサイズの導電性異物ＤＢが存在しても導電性異物ＤＢによる短絡を生じないようにして、短絡の発生確率を低減することができる。本変形例を、図７を用いて説明する。図７は、図２（ａ）に対応する図で、本変形例の素子基板１とフレキシブル基板２の構成を示した平面図である。
【００６７】
図示するように、素子基板１について、接合領域Ｒ１における電極端子１１は電極端子間が間隔Ｐ１で形成されている。これに対して、リペア時に使用される接合領域Ｒ２における電極端子１１は、電極端子間が間隔Ｐ１よりも広い間隔Ｐ２で形成されている。この結果、接合領域Ｒ１において電極端子間の短絡を引き起こす大きさの導電性異物ＤＢが、接合領域Ｒ２において存在しても、電極端子間の短絡の発生が抑制されることになる。
【００６８】
同様に、フレキシブル基板２について、接合領域Ｆ１における電極端子２１は、素子基板１における接合領域Ｒ１の電極端子１１に対応して形成されるので、電極端子間が間隔Ｐ１で形成されることになる。また、リペア時に使用される接合領域Ｆ２における電極端子２１は、素子基板１における接合領域Ｒ２の電極端子１１に対応して形成されるので、電極端子間が間隔Ｐ１よりも広い間隔Ｐ２で形成されることになる。この結果、接合領域Ｆ１において電極端子間の短絡を引き起こす大きさの導電性異物ＤＢが、接合領域Ｆ２において存在しても、電極端子間の短絡の発生が抑制されることになる。
【００６９】
なお、間隔Ｐ２は、電極端子間の短絡を抑制するためには、広い方が好ましいことは明らかであるが、間隔Ｐ２を広くすると、電極端子１１と電極端子２１との平面的に重なる面積領域が減少する。従って、異方性導電膜による電極端子間の電気的な導通を行える範囲において、間隔Ｐ２を最も広くすることが好ましい。
【００７０】
（基板の接続構造の第２変形例）
上記実施形態では、図２（ａ）に示したように、素子基板１に形成された帯状の電極端子１１は、２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とに跨って同形状で配線形成されている。従って、電極端子１１の形状は接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とにおいて同じである。このため、図４（ａ）に示したように、通常アライメントマークの位置合わせでは、作業者が顕微鏡などを覗いて視覚的に拡大されたアライメントマークを見ながら位置合わせを行うことが多い。この場合、作業者の視野は狭くなるために接合領域が識別できず、その結果、接合領域Ｒ１ではなく接合領域Ｒ２のアライメントマークに対して位置合わせを行ってしまう虞がある。
【００７１】
そこで、基板の接続構造の第２変形例として、接合領域Ｒ１のアライメントマークＭ１ａ，Ｍ１ｂと、接合領域Ｒ２のアライメントマークＭ２ａ，Ｍ２ｂとを、異なるマーク形状で形成する。こうすることによって、素子基板１に設けられた接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とを、作業者は正しく認識することができる。従って、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１を、素子基板１の接合領域Ｒ２に接合することが抑制される。本変形例の一例を、図８を用いて説明する。なお、図８（ａ）は、図２（ａ）に示した上記実施形態の素子基板１に対応する平面図である。また、図８（ｂ）は、図７に示した上記基板の接続構造の第１変形例における素子基板１に対応する平面図である。
【００７２】
図８（ａ）に示すように、素子基板１について、接合領域Ｒ１におけるアライメントマークＭ１ａ，Ｍ１ｂは四角形（正方形）で形成されている。これに対して、リペア時に使用される接合領域Ｒ２におけるアライメントマークＭ２ａ，Ｍ２ｂは、三角形（正三角形）で形成されている。この結果、作業者は接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とを間違える確率が低くなり、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１（接合領域Ｆ２）を素子基板１の接合領域Ｒ１（接合領域Ｒ２）に対して、正しく位置合わせを行える確率が高くなる。
【００７３】
同様に、図８（ｂ）に示したように、素子基板１に形成された電極端子１１の形状が、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とで電極端子間の間隔が異なる上記基板の接続構造の第１変形例においても、アライメントマークの形状を異ならせることとしてもよい。例えば、素子基板１について、接合領域Ｒ１におけるアライメントマークＭ１ａ，Ｍ１ｂは四角形（正方形）で形成されている。これに対して、リペア時に使用される接合領域Ｒ２におけるアライメントマークＭ２ａ，Ｍ２ｂは、三角形（正三角形）で形成されている。
【００７４】
この結果、特にアライメントマークのみを見て位置合わせを行う場合であっても、作業者は接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とを間違えることなく認識することが可能となる。従って、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１（接合領域Ｆ２）を素子基板１の接合領域Ｒ１（接合領域Ｒ２）に対して、正しく位置合わせできる確率が高くなる。
【００７５】
なお、本変形例において、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１のアライメントマークＮ１ａ，Ｎ１ｂと接合領域Ｆ２のアライメントマークＮ２ａ，Ｎ２ｂとを、素子基板１のアライメントマークに応じて異なるマーク形状で形成するようにしても差し支えない。こうすれば、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１（接合領域Ｆ２）を素子基板１の接合領域Ｒ１（接合領域Ｒ２）に対して、正しく位置合わせできる確率がさらに高くなる。
【００７６】
（電子機器）
さて、上記実施形態では、本発明を電気光学装置としての有機ＥＬパネル１００としたが、例えば、上記実施形態の有機ＥＬパネル１００を備えた電子機器としてもよい。電子機器は、一例として、図９に示したように携帯電話であってもよい。図９は、表示部に有機ＥＬパネル１００を組み込んだ携帯電話の模式図である。携帯電話は、筐体が薄いほうが持ち運び易くなることから、上記実施形態の有機ＥＬパネル１００を備えることによって、少なくとも表示部のケース厚さを薄く出来るとともに、基板の接合部分の信頼性が高い携帯電話を提供することができる。
【００７７】
もとより、電子機器は、携帯電話に限るものでなく、表示部が薄型であることが好ましいビデオカメラ、デジタルカメラを始め、テレビジョンや電子手帳、モバイル端末機などであってもよい。要は、表示部を有する電子機器であれば、いずれの電子機器においても適用できる。
【００７８】
（その他の変形例）
上記実施形態では、電気光学装置として有機ＥＬパネルを一例として説明したが、特にこれに限るものでなく、素子基板１とフレキシブル基板２とを接続する構成を有する装置であれば、液晶パネルなど他の装置であってもよいことは勿論である。また、接続される２つの基板が、両方ともリジッド基板であってもよいし、両方ともフレキシブル基板であっても差し支えない。
【００７９】
また、上記実施形態では、素子基板１（フレキシブル基板２）に２つの接合領域Ｒ１，Ｒ２（接合領域Ｆ１，Ｆ２）を設けることして説明したが、特にこれに限るものでなく、３つ以上の接合領域を設けることとしてもよい。この場合、素子基板１には、接合領域毎に、フレキシブル基板２を接合する位置を示すとともに異なる形状を有するアライメントマークが形成されていることが好ましい。また、各接合領域に形成された電極端子１１の端子間隔は、接合領域毎に異なるように形成することが好ましい。
【００８０】
また、上記実施形態では、第１電極端子群としての複数の電極端子１１と、第２電極端子群としての複数の電極端子２１とを、それぞれ帯状の電極形状であるものとして説明したが、特にこれに限るものでないことは勿論である。前述の説明から明らかなように、接合領域毎に電極端子１１と電極端子２１との形状が対応して形成されていればよく、円形や楕円形、あるいは正方形などの帯状以外の形状であってもよい。また、電極端子間の形成位置も等ピッチでなくランダムであっても勿論よい。
【００８１】
さらに、上記実施形態では、本発明を電気光学装置として説明したが、本発明は、異方性導電膜を介在させて基板を接合する接合部分に対して適用することができる。従って、本発明は、電気光学装置に限らず、基板の接続構造および基板の接続方法に対しても適用することができる。
【符号の説明】
【００８２】
１…素子基板、２…フレキシブル基板、３…対向基板、４…異方性導電膜、１１…電極端子、２１…電極端子、１００…有機ＥＬパネル、１００ｄ…表示領域、Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ，Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ…アライメントマーク、Ｎ１ａ，Ｎ１ｂ，Ｎ２ａ，Ｎ２ｂ…アライメントマーク、Ｒ１，Ｒ２，Ｆ１，Ｆ２…接合領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の接続構造、基板の接続方法、この基板の接続構造を備えた電気光学装置、この基板の接続方法で接続された基板を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば有機ＥＬパネルなどの電気光学装置では、有機ＥＬパネルの表示領域に設けられた画素に画像を表示するための画像信号を入力し、入力した画像信号を有機ＥＬパネル内で所定の信号処理を行うことによって、画素に画像を表示することが行われている。
【０００３】
このとき、有機ＥＬパネルでは、画像信号が供給される可撓性を有するフレキシブル基板を、ガラス板などのリジッド基板であり有機ＥＬパネルを構成する素子基板に対して、その素子基板の端部において接合する基板の接続構造が設けられている。そして、この基板の接続構造によって、素子基板に配線形成された電極端子群と、この電極端子群に対応してフレキシブル基板に配線形成された電極端子群とを電気的に接続し、画像信号をフレキシブル基板側から素子基板側に伝送することが行われている。そして、フレキシブル基板を素子基板に対して接合する際には、厚さ方向への導電性と接着性とを有する異方性導電膜（ＡＣＦ）を基板間に介在して圧着し、フレキシブル基板と素子基板とを電気的に接続する方法が多く採用されている。
【０００４】
このように、異方性導電膜を介してフレキシブル基板と素子基板とを接合する接続構造において接合部分に導電性異物が存在する場合、それぞれの電極端子群において電極端子間で電気的な短絡が生ずることがある。そこで、接合部分における電極端子間の短絡の発生を抑える接続技術が種々提案されている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３４７５９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、接合部分に導電性異物が存在する場合は、少なからず短絡が生じ、修復（リペア）作業が行われる。通常リペア作業は、既に接続されたフレキシブル基板を機械的に引っ張るなどして素子基板から剥がし、新しいフレキシブル基板を異方性導電膜（フィルム）を介して再び素子基板に接合することで行われる。
【０００７】
このとき、異方性導電膜を介してフレキシブル基板と素子基板とを接合する基板の接続構造においては、素子基板からフレキシブル基板を剥がす際に、素子基板にストレスを与えてしまうことが生じる。この結果、与えられたストレスによって素子基板にヒビや亀裂が発生するなど、接合部分の信頼性を劣化させてしまう虞がある。特に、近年は有機ＥＬパネルの薄型化のためにパネルを構成する素子基板が薄くなっている場合が多く、ヒビや亀裂が発生しやすくなるために、接合部分の信頼性を劣化させてしまう虞が高まっている。従って、フレキシブル基板を素子基板から剥がす作業を伴わないようにすることによって、素子基板にストレス与えないリペア技術が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群の各端子と対応するように第２電極端子群が基板面に形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続構造であって、前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続される接合領域が、複数設けられていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、第１電極端子群と第２電極端子群とを電気的に接続する接合領域が第１基板の基板面に複数形成されている。従って、例えば、１つの接合領域において第１基板に接合された第２基板を、第１基板から剥がすことなく、別の接合領域において第１基板に対して別の第２基板を接合することによって、基板にストレス与えることなくリペアすることが可能である。
【００１１】
［適用例２］上記基板の接続構造であって、前記第２基板の前記基板面には、前記第１基板に設けられた前記複数の接合領域のそれぞれに形成された前記第１電極端子群に対応して、前記第２電極端子群が複数形成されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、例えば、第２基板から、１つの接合領域において接合した第２基板の接合領域を切り離しても、第２基板には他の接合領域に対応した第２電極端子群が形成されているので、１つの第２基板をリペアに用いることができる。従って、第２基板の消費を抑制することができる。
【００１３】
［適用例３］上記基板の接続構造であって、前記第１基板には、前記接合領域毎に、前記第２基板を接合する位置を示すアライメントマークが形成されていることを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、第１基板の接合領域に対して第２基板の接合領域を位置合わせするとき、アライメントマークを用いて容易に位置合わせすることができる。
【００１５】
［適用例４］上記基板の接続構造であって、前記アライメントマークは、前記接合領域毎に異なる形状であることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、例えば接合順など、接合に用いる接合領域を間違うことなく、第１基板の接合領域に対して第２基板の接合領域の位置を正しく合わせることができる。
【００１７】
［適用例５］上記基板の接続構造であって、前記接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔は、前記接合領域毎に異なることを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、リペア時の接続において、第１電極端子群または第２電極端子群における端子間の短絡の発生確率を低くすることができる。
【００１９】
［適用例６］上記基板の接続構造であって、前記第２基板は可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、既に接合された第２基板を第１基板の接合領域に残したままで、第２基板が有する可撓性によって、第２基板を第１基板に接合してリペアすることができる。
【００２１】
［適用例７］第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群の各端子と対向するように第２電極端子群が基板面に形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続方法であって、前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合される第１接合領域と第２接合領域とが設けられ、前記第１接合領域において前記第１基板に接合された前記第２基板から、前記第１接合領域に接合された基板領域を切り離す工程と、前記第１接合領域に形成された前記第１電極端子群と、前記第２接合領域に形成された前記第１電極端子群との間の電気的な接続を切断する工程と、前記第２接合領域において前記第１基板および前記第２基板とを接合する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
この方法によれば、第１接合領域において第１基板に接合された第２基板を、第１基板から剥がすことなく切り離し、新たに第２接合領域において第１基板に対して第２基板を接合するので、基板にストレス与えることなくリペアすることが可能である。
【００２３】
［適用例８］第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群と対向するように第２電極端子群が基板面に複数形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続方法であって、前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合される第１接合領域と第２接合領域とが設けられ、前記第１接合領域に接合された前記第２基板を、前記第１接合領域とともに前記第１基板から切り離す工程と、前記第２接合領域において前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２４】
この方法によれば、第１接合領域において第１基板に接合された第２基板を、第１基板から剥がすことなく、第１接合領域ごと第１基板から切り離し、新たに第２接合領域において第１基板に対して第２基板を接合するので、基板にストレス与えることなくリペアすることが可能である。
【００２５】
［適用例９］上記基板の接続方法であって、前記第２接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔は、前記第１接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔よりも広いことを特徴とする。
【００２６】
こうすれば、リペア時の接続において、第１電極端子群および第２電極端子群における端子間の短絡の発生確率を低くすることができる。
【００２７】
［適用例１０］上記基板の接続方法であって、前記第２基板の前記基板面には、前記第１基板に設けられた前記第１接合領域と前記第２接合領域とに対応する前記第２電極端子群が形成されていることを特徴とする。
【００２８】
こうすれば、例えば、第１接合領域において接合した第２基板の基板領域を切り離しても、切り離された第２基板には、第２接合領域に対応した第２電極端子群が形成されているので、この切り離された第２基板をリペアに用いることができる。従って、第２基板の消費を抑制することができる。
【００２９】
［適用例１１］上記基板の接続方法であって、前記第２基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする。
【００３０】
こうすれば、既に接合された第２基板を第１基板の第１接合領域に残したままで、リペアすることが容易になる。
【００３１】
［適用例１２］電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子群が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子群の各端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子群が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、前記第１基板と前記第２基板との接続が、上記基板の接続構造を有することを特徴とする。
【００３２】
この電気光学装置によれば、基板にストレス与えることなくリペアすることができるリペア性の優れた電気光学装置を提供できる。
【００３３】
［適用例１３］電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子群が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子群の各端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子群が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、前記第１基板と前記第２基板との接続が、上記基板の接続方法で行われたことを特徴とする。
【００３４】
この電気光学装置によれば、基板にストレス与えることなくリペアすることができるリペア性の優れた電気光学装置を提供できる。
【００３５】
［適用例１４］上記電気光学装置を表示装置として備えた電子機器。
【００３６】
この電子機器によれば、基板にストレス与えることなくリペアすることができるリペア性の優れた表示装置を有するので、コストアップを抑制した電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態となる有機ＥＬパネルの構成を模式的に示した説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は部分断面図。
【図２】（ａ）は本実施形態の素子基板とフレキシブル基板の構成を示した平面図、（ｂ）はこれらが接続された状態を示す平面図。
【図３】第１実施例のリペア処理のフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施例のリペア処理中の素子基板とフレキシブル基板との接合状態を示す説明図。
【図５】第２実施例のリペア処理のフローチャート。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施例のリペア処理中の素子基板とフレキシブル基板との接合状態を示す説明図。
【図７】第１変形例の素子基板とフレキシブル基板の構成を示した平面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）ともに第２変形例の素子基板の構成を示した平面図。
【図９】表示部に有機ＥＬパネルを組み込んだ携帯電話の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。なお、以降の説明において用いる図面は、説明のために誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。
【００３９】
（電気光学装置）
図１は、基板の接合部分に本発明の基板の接続構造および接続方法を適用する一実施形態となる電気光学装置としての有機ＥＬパネル１００について、その接合部分の構成を模式的に示した説明図である。なお、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【００４０】
図１（ａ）に示すように、有機ＥＬパネル１００は、第１基板としての素子基板１と、対向基板３とが、その周辺に配置された図示しないシール材によって、内部を封止状態にして貼り合わされた構造を有している。そして、表示領域１００ｄには図示しない電気光学素子としての画素が形成され、封止状態で貼り合わされた内部には、素子基板１の基板上に画素を表示駆動するための図示しない駆動回路が形成されている。
【００４１】
素子基板１は、対向基板３が対向していない領域部分に形成された接合部分において、第２基板としてのフレキシブル基板２が接合されている。具体的には、素子基板１の基板面に形成された第１電極端子群としての複数の帯状の電極端子１１と、フレキシブル基板２の基板面に形成された第２電極端子群としての複数の帯状の電極端子２１とが、それぞれの基板面間に異方性導電膜４を介在して熱圧着され、電気的に導通するように接合（接続）されている。この結果、フレキシブル基板２から供給される画像信号は、互いに接続された電極端子２１と電極端子１１とを介して素子基板１に形成された駆動回路に送信され、画像信号に応じて画素が表示駆動されることによって表示領域１００ｄに画像が表示される。
【００４２】
素子基板１とフレキシブル基板２との接合部分は、図１（ｂ）に示した構成を有している。すなわち、素子基板１に形成された電極端子１１と、フレキシブル基板２に形成された電極端子２１とが対向するように、素子基板１とフレキシブル基板２とを平面的に配置した後、素子基板１とフレキシブル基板２との間に異方性導電膜４を介在して配置する。そして、図示しない圧着ヘッドにより異方性導電膜４を加熱プレスして潰すことによって、異方性導電膜４に含まれる導電性粒子（例えば半田粒子）が電極端子１１と電極端子２１との間の電気的な接続を行う。この結果、それぞれの電極端子群の電極端子間つまり面方向の絶縁を確保しつつ、電極端子１１と電極端子２１との接続つまり厚さ方向の電気的な接続を行うのである。
【００４３】
ここで、本実施形態では、素子基板１の基板面において、潰された異方性導電膜４がほぼ占有する領域Ｒを、請求項記載の第１基板の接合領域として扱うこととする。また、フレキシブル基板２の基板面において、各電極端子１１に対して、これと対応する電極端子２１を接合するために必要な領域Ｆを、請求項記載の第２基板の接合領域として扱うこととする。もとより、領域Ｒおよび領域Ｆは、素子基板１とフレキシブル基板２とに形成される電極端子の形状や、素子基板１とフレキシブル基板２との間に配置される異方性導電膜の大きさや厚みなどによって異なることは言うまでもない。
【００４４】
さて、このような異方性導電膜を用いて電極端子間の接続を行う接合方法において、導電性異物ＤＢが異方性導電膜４中に混入していると、例えば、図１（ａ）に示したように、電極端子間で平面方向の導通が生じ、電極端子間での短絡が生じてしまう。この結果、フレキシブル基板２の電極端子２１から画像信号を正しく供給できなくなり、表示領域１００ｄに正しく画像を表示することができなくなってしまう。従って、このような場合には、修復（リペア）を行う必要がある。
【００４５】
そこで、本実施形態では、素子基板１およびフレキシブル基板２のそれぞれに、複数の接合領域を設け、リペア作業時において素子基板１にストレス与えることなくリペアすることができる基板の接続構造とした。以下、本実施形態における素子基板１とフレキシブル基板２との接続構造と、リペア作業で行われる素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法について、順次説明する。
【００４６】
（基板の接続構造）
まず本実施形態の基板の接続構造を図２を用いて説明する。なお図２（ａ）は、本実施形態の素子基板１とフレキシブル基板２の構成を示した平面図で、図２（ｂ）はこれらが接合された状態を示す平面図である。なお、図２（ｂ）では、フレキシブル基板２を透視状態で示している。
【００４７】
図２（ａ）に示したように、素子基板１には、対向基板が重ならない領域に、フレキシブル基板２が接合される２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とが設けられている。そして、電極端子１１は、この２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とに跨って配線形成されている。さらに、接合領域Ｒ１には、接合されるフレキシブル基板２の位置合わせのためのアライメントマークＭ１ａとアライメントマークＭ１ｂとが、また接合領域Ｒ２には、接合されるフレキシブル基板２の位置合わせのためのアライメントマークＭ２ａとアライメントマークＭ２ｂとが、それぞれ形成されている。ちなみに、本実施形態ではアライメントマークは四角形（正方形）の形状を有し、マスク印刷や配線材料のパターニング等で基板面に形成されている。なお、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間は所定の隙間ＤＳ１が設けられている。この隙間ＤＳ１については後述する。
【００４８】
一方、フレキシブル基板２には、素子基板１と接合する２つの接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２とが設けられている。そして、電極端子２１は、この２つの接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２とに跨って配線形成されている。さらに、接合領域Ｆ１には、接合する素子基板１との位置合わせのためのアライメントマークＮ１ａとアライメントマークＮ１ｂが、また接合領域Ｆ２には、接合する素子基板１との位置合わせのためのアライメントマークＮ２ａとアライメントマークＮ２ｂが、それぞれ形成されている。ちなみに、本実施形態ではアライメントマークは、円形の形状を有し、フレキシブル基板２が透明な基板材料で形成されている場合は、マスク印刷や配線材料のパターニング等で基板面に形成されている。あるいは、アライメントマークは穴であってもよい。フレキシブル基板２が不透明な基板材料で形成されているような場合では有効である。なお、接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２との間は所定の隙間ＤＳ２が設けられている。この隙間ＤＳ２については後述する。
【００４９】
さて、フレキシブル基板２を素子基板１に対して接合した状態は、通常図２（ｂ）に示したようになる。すなわち、アライメントマークＮ１ａとアライメントマークＭ１ａとの位置、およびアライメントマークＮ１ｂとアライメントマークＭ１ｂとの位置がそれぞれ合わされる。そして、素子基板１の接合領域Ｒ１において、ほぼ接合領域Ｒ１の形状を呈する異方性導電膜４によって、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１が素子基板１に対して接合された状態となる。
【００５０】
この接合状態で、例えば図１に示したような導電性異物ＤＢが存在せず、電極端子１１と電極端子２１との間のそれぞれの接続が正常な場合は、この状態が基板の接続構造となる。従って、フレキシブル基板２の接続状態において、素子基板１には、接合領域Ｒ２が残存し、フレキシブル基板２には、接合領域Ｆ２が残存した状態となる。
【００５１】
次に、電極端子１１間や電極端子２１間に短絡があった場合などに行われるリペア作業において、本実施形態で行われる素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法について、２つの実施例を説明する。
【００５２】
（基板の接続方法の第１実施例）
本実施例における素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法について、図３、および図４を用いて説明する。図３は、本実施例のリペア処理のフローチャートである。図４はリペア処理中の素子基板１とフレキシブル基板２との具体的な接合状態を示している。
【００５３】
図３に示したように、リペア処理が開始されると、まず、フレキシブル基板を切断処理する（ステップＳ１０１）。具体的には、図４（ａ）に示したように、接合領域Ｒ１において接続されたフレキシブル基板２を、カッターや鋏などの切断手段を用いて切断線ＣＬ１で切断する。このとき切断線ＣＬ１は、接合領域Ｆ２の領域端部の位置とすることが好ましい。こうすれば、切断された状態においてフレキシブル基板２の端部を接合領域Ｆ２とすることができるので、この切断された状態のまま素子基板１に対して接合使用することが可能なフレキシブル基板２となる。従って、切断線ＣＬ１は、平面的に素子基板１の接合領域Ｒ１の領域外、つまり接合領域Ｆ１とは隣接せず離れた位置となることから、接合領域Ｆ１と接合領域Ｆ２との間に所定の隙間ＤＳ２を設けるのである。
【００５４】
図３に戻り、次に、素子基板の電極端子を切断処理する（ステップＳ１０２）。具体的には、図４（ｂ）に示したように、電極端子１１を、カッターやレーザーなどの切断手段を用いて切断線ＤＬで切断する。このとき切断線ＤＬは、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間の位置、つまり接合領域Ｒ２の領域外の位置とすることが好ましい。こうすれば、電極端子１１が切断された状態で、接合領域Ｒ２において接合されるフレキシブル基板２の電極端子２１と、平面的に重なる電極端子１１の領域が確保されるとともに、切断後、接合領域Ｒ１の領域側に残る電極端子１１との間での短絡が生じ難くなる。従って、切断線ＤＬに沿った電極端子１１の切断処理において必要とする隙間（例えばカッターの切断代）ＤＳ１を、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間に設けるのである。
【００５５】
図３に戻り、次に、切断したフレキシブル基板を素子基板に接合処理して（ステップＳ１０３）、リペア処理を終了する。具体的には、図４（ｃ）に示したように、切断されたフレキシブル基板２を、素子基板１に対して、接合領域Ｒ２において接合する。すなわち、アライメントマークＮ２ａとアライメントマークＭ２ａとの位置、およびアライメントマークＮ２ｂとアライメントマークＭ２ｂとの位置をそれぞれ合わせ、異方性導電膜を介在して熱圧着し、素子基板１に対してフレキシブル基板２の接合領域Ｆ２を接合するのである。この結果、１つのフレキシブル基板２をリペアに用いることができる。従って、フレキシブル基板２の消費を抑制することができる。なお、図４（ｃ）では、接合領域Ｒ２における異方性導電膜を省略している。また、フレキシブル基板２を透視状態で示している。
【００５６】
上述した本実施例の基板の接続方法によれば、例えば図１に示したような導電性異物ＤＢが存在する接合領域Ｒ１との電気的な接続が切断されているので、電極端子１１と電極端子２１との間のそれぞれの接続は修復される。また、フレキシブル基板２を素子基板１から剥がす処理を伴わないので、素子基板１にストレスが加わることがない。この結果、ストレスによって素子基板１にヒビや亀裂が発生するなど、接続部分の信頼性を劣化させてしまう虞もない。
【００５７】
なお、素子基板１のリペア用の接合領域Ｒ２にフレキシブル基板２を接合する場合、フレキシブル基板２が有する可撓性によって、素子基板１の接合領域Ｒ１において既に接合されたフレキシブル基板２を残したままで、接合領域Ｒ２に接合することが可能である。
【００５８】
（基板の接続方法の第２実施例）
本実施例における素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法について、図５、および図６を用いて説明する。図５は、本実施例のリペア処理のフローチャートである。図６はリペア処理中の素子基板１とフレキシブル基板２との具体的な接合状態を示している。
【００５９】
図５に示したように、リペア処理が開始されると、まず、素子基板を切断処理する（ステップＳ１１１）。具体的には、図６（ａ）に示したように、素子基板１を、カッターやレーザーなどの切断手段を用いて切断線ＣＬ２で切断する。このとき切断線ＣＬ２は、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間の位置とすることが好ましい。こうすれば、素子基板１が切断された状態で、接合領域Ｒ２において接合されるフレキシブル基板２の電極端子２１と、平面的に重なる電極端子１１の領域が確保される。従って、切断線ＣＬ２における切断処理において必要となる隙間（例えば切断代）ＤＳ１を、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２との間に設けるのである。
【００６０】
本実施例は、素子基板１を切り落とすことなく素子基板１に形成された電極端子１１を切断した上記第１実施例と異なり、電極端子１１と一緒に素子基板１を切断して切り離す。従って、図６（ｂ）に示したように、接合領域Ｒ１およびフレキシブル基板２が接合状態のまま、素子基板１から切断削除される。
【００６１】
図５に戻り、次に、素子基板にフレキシブル基板を接合処理して（ステップＳ１１２）、リペア処理を終了する。具体的には、図６（ｃ）に示したように、フレキシブル基板２を、素子基板１に対して、接合領域Ｒ２において接合する。本実施例では、フレキシブル基板２は、上記第１実施例と同様、接合領域Ｆ２の領域端面で切断されたフレキシブル基板であるものとする。従って、アライメントマークＮ２ａとアライメントマークＭ２ａとの位置、およびアライメントマークＮ２ｂとアライメントマークＭ２ｂとの位置をそれぞれ合わせ、異方性導電膜を介在して熱圧着すれば、素子基板１に対してフレキシブル基板２の接合領域Ｆ２が接合されるのである。なお、図６（ｃ）では、異方性導電膜を省略し、またフレキシブル基板２を透視状態で示している。
【００６２】
もとより、フレキシブル基板２を、新しいフレキシブル基板２としても差し支えない。この場合は、アライメントマークＮ１ａとアライメントマークＭ２ａとの位置、およびアライメントマークＮ１ｂとアライメントマークＭ２ｂとの位置をそれぞれ合わせ、異方性導電膜を介在させて熱圧着し、素子基板１に対してフレキシブル基板２の接合領域Ｆ１を接合することになる。
【００６３】
上述した本実施例の基板の接続方法によれば、例えば図１に示したような導電性異物ＤＢが存在する接合領域Ｒ１が素子基板１から切り落とされ、電気的な短絡部分が削除されるので、電極端子１１と電極端子２１との間のそれぞれの接続は修復される。また、フレキシブル基板２を素子基板１から剥がす処理を伴わないので、素子基板１にストレスが加わることがない。この結果、ストレスによって素子基板１にヒビや亀裂が発生するなど、接続部分の信頼性を劣化させてしまう虞もない。
【００６４】
以上、本発明について、実施形態を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。
【００６５】
（基板の接続構造の第１変形例）
上記実施形態では、図２（ａ）に示したように、素子基板１に形成された帯状の電極端子１１は、２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とに跨って配線形成されている。従って、特に言及しなかったが、隣接する電極端子１１間の間隔は、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とにおいて同じである。これは、フレキシブル基板２に形成された電極端子２１においても同様である。従って、図４（ａ）に示したように、接合領域Ｒ１における接合時において、電極端子間の間隔が同じであるため、リペア時においても、同じサイズの導電性異物ＤＢが存在した場合、導電性異物ＤＢによる短絡が生じてしまうことになる。
【００６６】
そこで、基板の接続構造の第１変形例として、接合領域Ｒ２における電極端子間の間隔を、接合領域Ｒ１よりも広くする。こうすることによって、同じサイズの導電性異物ＤＢが存在しても導電性異物ＤＢによる短絡を生じないようにして、短絡の発生確率を低減することができる。本変形例を、図７を用いて説明する。図７は、図２（ａ）に対応する図で、本変形例の素子基板１とフレキシブル基板２の構成を示した平面図である。
【００６７】
図示するように、素子基板１について、接合領域Ｒ１における電極端子１１は電極端子間が間隔Ｐ１で形成されている。これに対して、リペア時に使用される接合領域Ｒ２における電極端子１１は、電極端子間が間隔Ｐ１よりも広い間隔Ｐ２で形成されている。この結果、接合領域Ｒ１において電極端子間の短絡を引き起こす大きさの導電性異物ＤＢが、接合領域Ｒ２において存在しても、電極端子間の短絡の発生が抑制されることになる。
【００６８】
同様に、フレキシブル基板２について、接合領域Ｆ１における電極端子２１は、素子基板１における接合領域Ｒ１の電極端子１１に対応して形成されるので、電極端子間が間隔Ｐ１で形成されることになる。また、リペア時に使用される接合領域Ｆ２における電極端子２１は、素子基板１における接合領域Ｒ２の電極端子１１に対応して形成されるので、電極端子間が間隔Ｐ１よりも広い間隔Ｐ２で形成されることになる。この結果、接合領域Ｆ１において電極端子間の短絡を引き起こす大きさの導電性異物ＤＢが、接合領域Ｆ２において存在しても、電極端子間の短絡の発生が抑制されることになる。
【００６９】
なお、間隔Ｐ２は、電極端子間の短絡を抑制するためには、広い方が好ましいことは明らかであるが、間隔Ｐ２を広くすると、電極端子１１と電極端子２１との平面的に重なる面積領域が減少する。従って、異方性導電膜による電極端子間の電気的な導通を行える範囲において、間隔Ｐ２を最も広くすることが好ましい。
【００７０】
（基板の接続構造の第２変形例）
上記実施形態では、図２（ａ）に示したように、素子基板１に形成された帯状の電極端子１１は、２つの接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とに跨って同形状で配線形成されている。従って、電極端子１１の形状は接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とにおいて同じである。このため、図４（ａ）に示したように、通常アライメントマークの位置合わせでは、作業者が顕微鏡などを覗いて視覚的に拡大されたアライメントマークを見ながら位置合わせを行うことが多い。この場合、作業者の視野は狭くなるために接合領域が識別できず、その結果、接合領域Ｒ１ではなく接合領域Ｒ２のアライメントマークに対して位置合わせを行ってしまう虞がある。
【００７１】
そこで、基板の接続構造の第２変形例として、接合領域Ｒ１のアライメントマークＭ１ａ，Ｍ１ｂと、接合領域Ｒ２のアライメントマークＭ２ａ，Ｍ２ｂとを、異なるマーク形状で形成する。こうすることによって、素子基板１に設けられた接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とを、作業者は正しく認識することができる。従って、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１を、素子基板１の接合領域Ｒ２に接合することが抑制される。本変形例の一例を、図８を用いて説明する。なお、図８（ａ）は、図２（ａ）に示した上記実施形態の素子基板１に対応する平面図である。また、図８（ｂ）は、図７に示した上記基板の接続構造の第１変形例における素子基板１に対応する平面図である。
【００７２】
図８（ａ）に示すように、素子基板１について、接合領域Ｒ１におけるアライメントマークＭ１ａ，Ｍ１ｂは四角形（正方形）で形成されている。これに対して、リペア時に使用される接合領域Ｒ２におけるアライメントマークＭ２ａ，Ｍ２ｂは、三角形（正三角形）で形成されている。この結果、作業者は接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とを間違える確率が低くなり、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１（接合領域Ｆ２）を素子基板１の接合領域Ｒ１（接合領域Ｒ２）に対して、正しく位置合わせを行える確率が高くなる。
【００７３】
同様に、図８（ｂ）に示したように、素子基板１に形成された電極端子１１の形状が、接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とで電極端子間の間隔が異なる上記基板の接続構造の第１変形例においても、アライメントマークの形状を異ならせることとしてもよい。例えば、素子基板１について、接合領域Ｒ１におけるアライメントマークＭ１ａ，Ｍ１ｂは四角形（正方形）で形成されている。これに対して、リペア時に使用される接合領域Ｒ２におけるアライメントマークＭ２ａ，Ｍ２ｂは、三角形（正三角形）で形成されている。
【００７４】
この結果、特にアライメントマークのみを見て位置合わせを行う場合であっても、作業者は接合領域Ｒ１と接合領域Ｒ２とを間違えることなく認識することが可能となる。従って、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１（接合領域Ｆ２）を素子基板１の接合領域Ｒ１（接合領域Ｒ２）に対して、正しく位置合わせできる確率が高くなる。
【００７５】
なお、本変形例において、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１のアライメントマークＮ１ａ，Ｎ１ｂと接合領域Ｆ２のアライメントマークＮ２ａ，Ｎ２ｂとを、素子基板１のアライメントマークに応じて異なるマーク形状で形成するようにしても差し支えない。こうすれば、フレキシブル基板２の接合領域Ｆ１（接合領域Ｆ２）を素子基板１の接合領域Ｒ１（接合領域Ｒ２）に対して、正しく位置合わせできる確率がさらに高くなる。
【００７６】
（電子機器）
さて、上記実施形態では、本発明を電気光学装置としての有機ＥＬパネル１００としたが、例えば、上記実施形態の有機ＥＬパネル１００を備えた電子機器としてもよい。電子機器は、一例として、図９に示したように携帯電話であってもよい。図９は、表示部に有機ＥＬパネル１００を組み込んだ携帯電話の模式図である。携帯電話は、筐体が薄いほうが持ち運び易くなることから、上記実施形態の有機ＥＬパネル１００を備えることによって、少なくとも表示部のケース厚さを薄く出来るとともに、基板の接合部分の信頼性が高い携帯電話を提供することができる。
【００７７】
もとより、電子機器は、携帯電話に限るものでなく、表示部が薄型であることが好ましいビデオカメラ、デジタルカメラを始め、テレビジョンや電子手帳、モバイル端末機などであってもよい。要は、表示部を有する電子機器であれば、いずれの電子機器においても適用できる。
【００７８】
（その他の変形例）
上記実施形態では、電気光学装置として有機ＥＬパネルを一例として説明したが、特にこれに限るものでなく、素子基板１とフレキシブル基板２とを接続する構成を有する装置であれば、液晶パネルなど他の装置であってもよいことは勿論である。また、接続される２つの基板が、両方ともリジッド基板であってもよいし、両方ともフレキシブル基板であっても差し支えない。
【００７９】
また、上記実施形態では、素子基板１（フレキシブル基板２）に２つの接合領域Ｒ１，Ｒ２（接合領域Ｆ１，Ｆ２）を設けることして説明したが、特にこれに限るものでなく、３つ以上の接合領域を設けることとしてもよい。この場合、素子基板１には、接合領域毎に、フレキシブル基板２を接合する位置を示すとともに異なる形状を有するアライメントマークが形成されていることが好ましい。また、各接合領域に形成された電極端子１１の端子間隔は、接合領域毎に異なるように形成することが好ましい。
【００８０】
また、上記実施形態では、第１電極端子群としての複数の電極端子１１と、第２電極端子群としての複数の電極端子２１とを、それぞれ帯状の電極形状であるものとして説明したが、特にこれに限るものでないことは勿論である。前述の説明から明らかなように、接合領域毎に電極端子１１と電極端子２１との形状が対応して形成されていればよく、円形や楕円形、あるいは正方形などの帯状以外の形状であってもよい。また、電極端子間の形成位置も等ピッチでなくランダムであっても勿論よい。
【００８１】
さらに、上記実施形態では、本発明を電気光学装置として説明したが、本発明は、異方性導電膜を介在させて基板を接合する接合部分に対して適用することができる。従って、本発明は、電気光学装置に限らず、基板の接続構造および基板の接続方法に対しても適用することができる。
【符号の説明】
【００８２】
１…素子基板、２…フレキシブル基板、３…対向基板、４…異方性導電膜、１１…電極端子、２１…電極端子、１００…有機ＥＬパネル、１００ｄ…表示領域、Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ，Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ…アライメントマーク、Ｎ１ａ，Ｎ１ｂ，Ｎ２ａ，Ｎ２ｂ…アライメントマーク、Ｒ１，Ｒ２，Ｆ１，Ｆ２…接合領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群の各端子と対応するように第２電極端子群が基板面に形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続構造であって、
前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続される接合領域が、複数設けられていることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の接続構造であって、
前記第２基板の前記基板面には、前記第１基板に設けられた前記複数の接合領域のそれぞれに形成された前記第１電極端子群に対応して、前記第２電極端子群が複数形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板の接続構造であって、
前記第１基板には、前記接合領域毎に、前記第２基板を接合する位置を示すアライメントマークが形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項４】
請求項３に記載の基板の接続構造であって、
前記アライメントマークは、前記接合領域毎に異なる形状であることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板の接続構造であって、
前記接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔は、前記接合領域毎に異なることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板の接続構造であって、
前記第２基板は可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項７】
第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群の各端子と対向するように第２電極端子群が基板面に形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続方法であって、
前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合される第１接合領域と第２接合領域とが設けられ、
前記第１接合領域において前記第１基板に接合された前記第２基板から、前記第１接合領域に接合された基板領域を切り離す工程と、
前記第１接合領域に形成された前記第１電極端子群と、前記第２接合領域に形成された前記第１電極端子群との間の電気的な接続を切断する工程と、
前記第２接合領域において前記第１基板および前記第２基板とを接合する工程と、
を備えたことを特徴とする基板の接続方法。
【請求項８】
第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群と対向するように第２電極端子群が基板面に複数形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続方法であって、
前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合される第１接合領域と第２接合領域とが設けられ、
前記第１接合領域に接合された前記第２基板を、前記第１接合領域とともに前記第１基板から切り離す工程と、
前記第２接合領域において前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程と、
を備えたことを特徴とする基板の接続方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の基板の接続方法であって、
前記第２接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔は、前記第１接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔よりも広いことを特徴とする基板の接続方法。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか一項に記載の基板の接続方法であって、
前記第２基板の前記基板面には、前記第１基板に設けられた前記第１接合領域と前記第２接合領域とに対応する前記第２電極端子群が形成されていることを特徴とする基板の接続方法。
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の基板の接続方法であって、
前記第２基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする基板の接続方法。
【請求項１２】
電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子群が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子群の各端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子群が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第２基板との接続が、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板の接続構造を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子群が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子群の各端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子群が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第２基板との接続が、請求項７ないし１１のいずれか一項に記載の基板の接続方法で行われたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の電気光学装置を表示装置として備えた電子機器。
【請求項１】
第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群の各端子と対応するように第２電極端子群が基板面に形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続構造であって、
前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続される接合領域が、複数設けられていることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の接続構造であって、
前記第２基板の前記基板面には、前記第１基板に設けられた前記複数の接合領域のそれぞれに形成された前記第１電極端子群に対応して、前記第２電極端子群が複数形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板の接続構造であって、
前記第１基板には、前記接合領域毎に、前記第２基板を接合する位置を示すアライメントマークが形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項４】
請求項３に記載の基板の接続構造であって、
前記アライメントマークは、前記接合領域毎に異なる形状であることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板の接続構造であって、
前記接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔は、前記接合領域毎に異なることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板の接続構造であって、
前記第２基板は可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする基板の接続構造。
【請求項７】
第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群の各端子と対向するように第２電極端子群が基板面に形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続方法であって、
前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合される第１接合領域と第２接合領域とが設けられ、
前記第１接合領域において前記第１基板に接合された前記第２基板から、前記第１接合領域に接合された基板領域を切り離す工程と、
前記第１接合領域に形成された前記第１電極端子群と、前記第２接合領域に形成された前記第１電極端子群との間の電気的な接続を切断する工程と、
前記第２接合領域において前記第１基板および前記第２基板とを接合する工程と、
を備えたことを特徴とする基板の接続方法。
【請求項８】
第１電極端子群が基板面に形成された第１基板に対して、前記第１電極端子群と対向するように第２電極端子群が基板面に複数形成された第２基板が、それぞれの前記基板面間に異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子群と前記第２電極端子群とが電気的に接続された基板の接続方法であって、
前記第１基板の前記基板面には、前記第２基板が接合される第１接合領域と第２接合領域とが設けられ、
前記第１接合領域に接合された前記第２基板を、前記第１接合領域とともに前記第１基板から切り離す工程と、
前記第２接合領域において前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程と、
を備えたことを特徴とする基板の接続方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の基板の接続方法であって、
前記第２接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔は、前記第１接合領域に形成された前記第１電極端子群の端子間隔よりも広いことを特徴とする基板の接続方法。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか一項に記載の基板の接続方法であって、
前記第２基板の前記基板面には、前記第１基板に設けられた前記第１接合領域と前記第２接合領域とに対応する前記第２電極端子群が形成されていることを特徴とする基板の接続方法。
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の基板の接続方法であって、
前記第２基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする基板の接続方法。
【請求項１２】
電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子群が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子群の各端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子群が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第２基板との接続が、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板の接続構造を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子群が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子群の各端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子群が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第２基板との接続が、請求項７ないし１１のいずれか一項に記載の基板の接続方法で行われたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の電気光学装置を表示装置として備えた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１０−２２５８４６（Ｐ２０１０−２２５８４６Ａ）
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７１４７３（Ｐ２００９−７１４７３）
【出願日】平成２１年３月２４日（２００９．３．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２４日（２００９．３．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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