多層セラミック基板及びその製造方法
【課題】多層セラミック基板において、最外郭の絶縁シートに形成されたビアコンタクトが外部に突出するのを抑制する。
【解決手段】本発明の多層セラミック基板１００は、第１のビアコンタクト１２４を有する第１の絶縁シート１２０と、第１のビアコンタクト１２４と上下に整列されて接合された第２のビアコンタクト１３４を有する第２の絶縁シート１３０とを含み、第１のビアコンタクト１２４と第２のビアコンタクト１３４とは、焼成時に互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されている。第２のビアコンタクト１３４は、第１のビアコンタクト１２４に比べて収縮率が高く、焼成後、第１のビアコンタクト１２４は、第２のビアコンタクト１３４の内部に拡がった形状を有している。
【解決手段】本発明の多層セラミック基板１００は、第１のビアコンタクト１２４を有する第１の絶縁シート１２０と、第１のビアコンタクト１２４と上下に整列されて接合された第２のビアコンタクト１３４を有する第２の絶縁シート１３０とを含み、第１のビアコンタクト１２４と第２のビアコンタクト１３４とは、焼成時に互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されている。第２のビアコンタクト１３４は、第１のビアコンタクト１２４に比べて収縮率が高く、焼成後、第１のビアコンタクト１２４は、第２のビアコンタクト１３４の内部に拡がった形状を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層セラミック基板に関し、より詳細には、多層セラミック基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的なプローブカードの製造方法として、低温同時焼成セラミック（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：ＬＴＣＣ）工程技術または高温同時焼成セラミック（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：ＨＴＣＣ）工程技術が広く使われている。このような低温及び高温同時焼成セラミック工程技術では、まず、複数の絶縁シートを準備し、準備した絶縁シートを上下に積層させる。この時、各々の絶縁シートにはビアコンタクト（ｖｉａ ｃｏｎｔａｃｔ）及び該ビアコンタクトに電気的に接続されている回路配線が設けられている。その後、積層された各絶縁シートを加圧及び焼成（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）して１つの多層セラミック基板を製造する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、各絶縁シートを加圧及び焼成する過程において、該各絶縁シートのうち最外郭に配置された絶縁シートに形成されたビアコンタクトは、外部に向かう方向の圧力を受けることになる。例えば、各絶縁シートの積層された多層型基板構造体を上下から加圧する場合、その最外郭に配置された絶縁シートのビアコンタクトは、相対的に絶縁シートを加圧する方向と反対方向の圧力を受けることになる。そのため、最外郭に配置された絶縁シートに形成されたビアコンタクトが外部に突出するといった現象が発生する。最外郭のビアコンタクトが突出すると、該ビアコンタクトに接続される回路配線の接合信頼性が落ちて、半導体素子の電気的特性が低下することがある。また、多層セラミック基板をパッケージングする時、パッケージ部品間の結合力が低下し、製品の信頼性が低下する恐れがある。
【０００４】
本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、その目的は、信頼性を向上させた多層セラミック基板を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は、多層セラミック基板の製造時、最外郭の絶縁シートに形成されたビアコンタクトが外部に突出するような現象を防止できる多層セラミック基板を提供することにある。
【０００６】
本発明のさらに他の目的は、信頼性を向上させた多層セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明のさらに他の目的は、多層セラミック基板の製造時、最外郭の絶縁シートに形成されたビアコンタクトが外部に突出するといった現象を防止する多層セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の好適な実施態様による多層セラミック基板は、第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートと、第１の絶縁シートに接合され、第１のビアコンタクトと上下に整列されて接合された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートとを含み、第１のビアコンタクトは、第２のビアコンタクトの内部に拡がった形状を有することができる。
【０００９】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、第２の絶縁シートは、第１の絶縁シートを介して多層型基板構造体の最外郭に配置されるようにすることができる。
【００１０】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、第１の絶縁シートは多層型基板構造体の最外郭に配置され、第２の絶縁シートは、最外郭から２番目に配置されるようにすることができる。
【００１１】
本発明の付加的な実施態様によれば、第２のビアコンタクトは、第１のビアコンタクトに比べて高い空隙率を有することができる。
【００１２】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトは、第２のビアコンタクトに比べて無収縮物質をより多く含むことができる。
【００１３】
本発明の付加的な実施態様によれば、無収縮物質は、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）及びガラス（ｇｌａｓｓ）のうちの少なくともいずれか１つを含むことができる。
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の他の好適な実施態様による多層セラミック基板は、第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートと、第１のビアコンタクトと上下に整列されて接合された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートとを含み、第１のビアコンタクトと第２のビアコンタクトとは、互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されたものとすることができる。
【００１５】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトと第２のビアコンタクトとは互いに上下に接合されて接合面を形成し、該接合面は、第２のビアコンタクトの内部に向かって拡がった形状を有することができる。
【００１６】
本発明の付加的な実施態様によれば、第２の絶縁シートは、第１の絶縁シートの前面及び背面のうちの少なくともいずれか一方に接合されるようにすることができる。
【００１７】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートは互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、第２の絶縁シートは、第１の絶縁シートを介して多層型基板構造体の最外郭に配置されるようにすることができる。
【００１８】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートは互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、第１の絶縁シートは、多層型基板構造体の最外郭に配置され、第２の絶縁シートは、最外郭から２番目に配置されるようにすることができる。
【００１９】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトは第１の導電性ペーストによって形成され、第２のビアコンタクトは第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、第１の導電性ペーストは、第２の導電性ペーストに比べて高いボイド含量を有するようにすることができる。
【００２０】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトは第１の導電性ペーストによって形成され、第２のビアコンタクトは第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、第１の導電性ペーストは、第２の導電性ペーストに比べて、熱を受けると収縮するか焼けて無くなる収縮物質をより多く含むようにすることができる。
【００２１】
本発明の付加的な実施態様によれば、収縮物質は、ポリマ一系列の物質を含むことができる。
【００２２】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトは第１の導電性ペーストによって形成され、第２のビアコンタクトは第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、第２の導電性ペーストは、第１の導電性ペーストに比べて焼成時に第２の導電性ペーストの導電性粒子の収縮を妨害する無収縮物質をより多く含むようにすることができる。
【００２３】
本発明の付加的な実施態様によれば、無収縮物質は、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）及びガラス（ｇｌａｓｓ）のうちの少なくともいずれか１つを含むことができる。
【００２４】
上記目的を達成するために、本発明のさらに他の好適な実施態様による多層セラミック基板の製造方法は、第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートを準備するステップと、第１の導電性ペーストに比べて焼成時の収縮率が異なる第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートを準備するステップと、第１のビアコンタクトと第２のビアコンタクトとが上下に整列されるように、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを配置するステップと、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを焼成するステップとを含むことができる。
【００２５】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを配置するステップは、第１の絶縁シートの前面及び背面のうちの少なくともいずれか一方に第２の絶縁シートを接合するステップを備えることができる。
【００２６】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを配置させるステップは、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを積層させて多層基板構造体を構成し、この際、第２の絶縁シートを多層基板構造体の最外郭に位置するように、第１の絶縁シートに接触させるステップを備えることができる。
【００２７】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを配置するステップは、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを積層させて多層基板構造体を構成し、第１の絶縁シートを多層基板構造体の最外郭に位置するように、第２の絶縁シートに接触させるステップを備えることができる。
【００２８】
本発明の付加的な実施態様によれば、第２の絶縁シートを準備するステップは、第２のベースシートに第２のビアホールを形成するステップと、第２のビアホールに第１の導電性ペーストに比べて高いボイド含量を有する第２の導電性ペーストを埋め込むステップとを備えることができる。
【００２９】
本発明の付加的な実施形態様態によれば、第２の絶縁シートを準備するステップは、第２のベースシートに第２のビアホールを形成するステップと、第２のビアホールに、第１の導電性ペーストに比べて、熱を受けると収縮するか焼けて無くなる収縮物質をより多く含む第２の導電性ペーストを埋め込むステップとを備えることができる。
【００３０】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シートを準備するステップは、第１のベースシートに第１のビアホールを形成するステップと、第１のビアホールに加圧及び焼成時に第１の導電性ペーストの導電性粒子の収縮を妨害する無収縮物質を、第２の導電性ペーストに比べてより多く含む第１の導電性ペーストを埋め込むステップとを備えることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明による多層セラミック基板は、焼成時の収縮率が互いに異なる導電性ペーストによって形成されたビアコンタクトを有する絶縁シートからなる多層型基板構造体を有する。この多層型基板構造体は、加圧及び焼成される過程で、高い収縮率を有する導電性ペーストによって形成されたビアコンタクトにより、最外郭の絶縁シートに設けられたビアコンタクトの突出現象を防止することができる。これにより、本発明によれば、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
また、本発明による多層セラミック基板の製造方法は、互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されたビアコンタクトを有する絶縁シートを準備するステップと、絶縁シートを積層させて多層型基板構造体を形成するステップと、多層型基板構造体を加圧及び焼成するステップとを含むことができる。多層型基板構造体を加圧及び焼成する過程において、相対的に高い収縮率を有する導電性ペーストによって形成されたビアコンタクトにより、最外郭の絶縁シートに設けられたビアコンタクトの突出現象を防止することができる。従って、本発明の多層セラミック基板の製造方法によれば、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態による多層セラミック基板を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造方法を示す手順図である。
【図３ａ】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図である。
【図３ｂ】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図である。
【図３ｄ】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図である。
【図４】本発明の多層セラミック基板の一変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等を含む）は、特に明示した場合及び原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値及び範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものには同一の符号を付しており、その繰り返しの説明は可能な限り省略している。
【００３５】
本明細書で用いる用語は、実施形態を説明するためのものであって、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数のものとして示すものは、特別に言及しない限り複数としてもよい。明細書で用いる「含む」という用語は、言及された構成要素、ステップ、動作及び／又は素子が、１つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／又は素子の存在または追加を排除しないことを理解されたい。
【００３６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態による多層セラミック基板及びその製造方法について説明する。
【００３７】
図１は、本発明の実施形態による多層セラミック基板を示す図面である。同図のように、本発明の実施形態による多層セラミック基板１００は、ビルドアップ方式で製造された多層型基板であってよい。一例として、多層セラミック基板１００は、低温同時焼成セラミック（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃａ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：ＬＴＣＣ）基板構造体であってよい。他の例では、多層セラミック基板１００は高温同時焼成セラミック（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：ＨＴＣＣ）基板構造体であってよい。
【００３８】
多層セラミック基板１００は、複数の絶縁シートが積層された多層型積層構造体１１０を有する。例えば、絶縁シートは第１の絶縁シート１２０及び第２の絶縁シート１３０を含む。多層型基板構造体１１０は、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を、少なくとも１つずつ選択的に上下に配置した構造を有することができる。
【００３９】
第１の絶縁シート１２０は、第１のビアホール１２２ａを有する第１のベースシート１２２と、第１のビアホール１２２ａ内に形成された第１のビアコンタクト１２４とを含んでいる。第１のベースシート１２２は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のようなセラミック材質から構成することができる。第１のビアコンタクト１２４は、第１の導電性ペーストを第１のビアホール１２２ａに埋め込んで形成されたものであってよい。第２の絶縁シート１３０は、第２のビアホール１３２ａを有する第２のベースシート１３２と、第２のビアホール１３２ａ内に形成された第２のビアコンタクト１３４とを含んでいる。第２のベースシート１３２は、ポリイミドのようなセラミック材質から構成することができる。第２のビアコンタクト１３４は、第１の導電性ペーストに比べて焼成（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）時に異なる収縮率を有する第２の導電性ペーストを第２のビアホール１３２ａに埋め込んで形成されたものであってよい。これに加えて、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０は、その表面に形成され、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４に接続された回路配線（図示せず）をさらに含むことができる。
【００４０】
第１の絶縁シート１２０及び第２の絶縁シート１３０は、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下で向き合うように配置されるように構成することができる。例えば、第１の絶縁シート１２０及び第２の絶縁シート１３０は、所定の単位個数だけ積層され、この時、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４は、上下に整列される。これにより、多層セラミック基板１００は、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下に配置されて接合された構造を有することになる。
【００４１】
前述のように、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４が上下に接合されることによって、それらの間には接合面１２６が形成される。この接合面１２６は、第２のビアコンタクト１３４に向けて突出した形状を有することができる。一例として、接合面１２６は第１のビアコンタクト１２４から第２のビアコンタクト１３４に向けて凸に突出した形状を有する。第１のビアコンタクト１２４は、第２のビアコンタクト１３４に比べて相対的に多層型基板構造体１１０の内部に配置されているので、接合面１２６は多層型基板構造体１１０の外部に向かう方向に突出した形状を有している。このような形状の接合面１２６は、第１のビアコンタクト１２４の一部が第２のビアコンタクト１３４の内部に向かって拡がることによって形成されたものであってよい。
【００４２】
一方、第２のビアコンタクト１３４は、第１のビアコンタクト１２４に比べて高い収縮性を有する導電性ペーストを用いて形成されたものとすることができる。例えば、第２の導電性ペーストは、熱を受けると、第１の導電性ペーストに比べてその体積が減少可能な特性を有している。一例として、第２の導電性ペーストは、第１の導電性ペーストに比べて内部のボイド（ｖｏｉｄ）含量が多い。ボイドは、第２の導電性ペースト内の空き部分を意味している。つまり、第２の導電性ペーストは多孔性構造を有する。このような第２の導電性ペーストは、熱を受けると該ボイドの部分が焼結されて一部または全部がなくなることによって、該ボイドの空間分だけその体積が減少することになる。そのため、第２の導電性ペーストが第１の導電性ペーストに比べてより多くのボイド含量を有するように調節することによって、焼成時に第１の導電性ペーストに比べて高い収縮率を有するようにすることができる。これにより、第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４は、第１のビアコンタクト１２４に比べて高い空隙率を有することになる。
【００４３】
他の例として、第２の導電性ペーストは、第１の導電性ペーストに比べて、熱を受けると、その体積が収縮する収縮物質をより多く含むことができる。例えば、第２の導電性ペーストは第１の導電性ペーストに比べて、熱を受けると、その体積が減少するか焼けて無くなる物質をより多く含むことができる。このような収縮物質としてはポリマ一系列の物質が挙げられる。従って、第２の導電性ペース卜が、第１の導電性ペーストに比べてより多くの収縮物質を有するように調節することによって、第２の導電性ペーストが焼成時に第１の導電性ペーストに比べて高い収縮率を有するようにすることができる。
【００４４】
さらに他の例として、第１の導電性ペーストは、第２の導電性ペーストに比べて収縮性の低い物質をより多く含むことができる。例えば、第１の導電性ペーストは、第２の導電性ペーストに比べて金属粒子間に移動を制限する無収縮物質をより多く有することができる。この無収縮物質としては、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）、ガラス（ｇｌａｓｓ）、その他に多様なセラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）物質などが挙げられる。この他にも、無収縮物質としては多様な種類の金属物質が挙げられる。例えば、無収縮物質としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（ｐｄ）及び白金（ｐｔ）のうちの少なくともいずれか１つが挙げられる。前述のような第１の導電性ペーストは、熱を受けると、無収縮物質により第１の導電性ペーストの導電性粒子間の移動が制限されるので、第１の導電性ペーストの収縮が制限される。そのため、第１の導電性ペーストは、焼成時に第２の導電性ペーストに比べて小さめの収縮をすることによって、相対的に第２の導電性ペーストに比べて低い収縮率を有することになる。これにより、第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクト１２４は、第２のビアコンタクト１３４に比べて無収縮物質の含量が多いことになる。
【００４５】
続いて、本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造方法について詳細に説明する。ここで、先に詳述した多層セラミック基板について重複する内容は省略するか簡略に説明する。
【００４６】
図２は、本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造方法を示す順序図である。図３ａ〜ｄは、本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図面である。
【００４７】
図２及び図３ａを参照すると、相対的に低い収縮率を有する第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクト１２４を有する第１の絶縁シート１２０を形成する（Ｓ１１０）。例えば、第１の絶縁シート１２０を形成するこのステップは、セラミック材質の第１のベースシート１２２を準備するステップと、第１のベースシート１２２に第１のビアホール１２２ａを形成するステップと、第１のビアホール１２２ａに相対的に低い収縮率を有する第１の導電性ペーストを埋め込むステップとを含むことができる。これにより、第１の絶縁シート１２０には、相対的に低い収縮率を有する第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクト１２４を形成することができる。
【００４８】
図２及び図３ｂを参照すると、相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４を有する第２の絶縁シート１３０を形成する（Ｓ１２０）。例えば、第２の絶縁シート１３０を形成するステップは、セラミック材質の第２のベースシート１３２を準備するステップと、第２のベースシート１３２に第２のビアホール１３２ａを形成するステップと、第２のビアホール１３２ａに相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストを埋め込むステップとを含むことができる。これにより、第２の絶縁シート１３０には、相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４を形成することができる。
【００４９】
図２及び図３ｃを参照すると、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下に整列されるように、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を配置する（Ｓ１３０）。例えば、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下で向き合うように、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を積層させる。このようにして、所定の単位個数分の第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を上下に積層させて多層型基板構造体１１０を構成することができる。これに加えて、第２の絶縁シート１３０が、第１の絶縁シート１２０を介して多層型基板構造体１１０の最外郭に配置されるように構成することができる。その結果、多層型基板構造体１１０は、所定の単位個数分の第１の絶縁シート１２０の各々が、全て、２つの第２の絶縁シート１３０の間に介在するようにして、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４が上下に積層された構造を有する。
【００５０】
図２及び図３ｄを参照すると、多層型基板構造体１１０を加圧及び焼成して多層セラミック基板１００を形成する（Ｓ１４０）。多層型基板構造体１１０を加圧するステップは、多層型基板構造体１１０に上下方向の圧力を与え、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を圧着させて行うことができる。多層型基板構造体１１０を焼成するステップでは、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４の融点以上の温度で多層型基板構造体１１０を焼成し、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を接合する。前述の多層型基板構造体１１０を加圧するステップと多層型基板構造体１１０を焼成するステップとは、同時に行うことができる。
【００５１】
一方、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を上下に加圧し焼成する過程において、第２の絶縁シート１３０に形成された第２のビアコンタクト１３４は、外部空間に向かう方向の圧力を受けることになる。特に、第１のビアコンタクト１２４と第２のビアコンタクト１３４とが上下に積層される構造を有する場合、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０が圧着されれば、第１のビアコンタクト１２４の一部が第２のビアコンタクト１３４内に拡がるようになって、第２のビアコンタクト１３４を外部空間に押し出そうとする。この時、第２のビアコンタクト１３４は加圧及び焼成時に相対的に高い収縮率を有するように構成されているので、第１のビアコンタクト１２４の拡がった部分を収容することができる。従って、多層型基板構造体１１０を加圧及び焼成させる過程において、第１のビアコンタクト１２４の一部が第２のビアコンタクト１３４の内部に拡がり、これに対して第２のビアコンタクト１３４は収縮し、第１のビアコンタクト１２４の拡がった部分を収容することによって、第２のビアコンタクト１３４の外部への突出を防止することができる。これにより、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４間の接合面１２６は、第２のビアコンタクト１３４に向けて凸な形状を有することができる。ここで、第２のビアコンタクト１３４の収縮程度は、第１のビアコンタクト１２４の拡がる程度を勘案して調節できる。従って、第１のビアコンタクト１２４の拡がる程度を考慮し、第２のビアコンタクト１３４の収縮率を調節するために第２の導電性ペーストのボイド含量及び収縮物質の含量を調節するか、または第１の導電性ペーストの無収縮物質の含量を調節することができる。
【００５２】
前述のように、本発明の実施形態による多層セラミック基板１００は、焼成時の収縮率が異なる導電性ペーストを用いて形成された第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０から成る多層型基板構造体１１０を有する。この多層型基板構造体１１０は、加圧及び焼成される過程で相対的に高い収縮率を有する導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４により、最外郭の絶縁シートに設けられたビアコンタクトの突出現象を防止することができる。これにより、本発明による多層セラミック基板１００は、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる。
【００５３】
また、本発明による多層セラミック基板の製造方法は、互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストを用いて形成された第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を準備するステップと、これらの第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を積層して多層型基板構造体１１０を形成するステップと、多層型基板構造体１１０を加圧及び焼成するステップとを含む。多層型基板構造体１１０を加圧及び焼成する過程において、相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４により、最外郭の絶縁シートに設けられたビアコンタクトの突出現象が防止することができる。これにより、本発明による多層セラミック基板の製造方法によれば、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる多層セラミック基板１００を製造することができる。
【００５４】
以下、本発明の実施形態による多層セラミック基板の一変形例を詳細に説明する。ここで、先に説明した多層セラミック基板１００に対して重複する内容は省略するか簡略に説明する。また、後述の一変形例による多層セラミック基板の製造過程は、先に詳述した多層セラミック基板１００の製造過程から当業者が十分に導き出すことができるので、これについての詳細な説明は省略する。
【００５５】
図４は、本発明の実施形態による多層セラミック基板の一変形例を示す図面である。図４を参照すると、本発明の一変形例による多層セラミック基板１０２は、第１の絶縁シート１２０及び該第２の絶縁シート１３０が積層された多層型基板構造体１１２を含む。これらの第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０は、先に図１を参照して説明した第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０とほぼ同一の構成を有するものであり、したがって、これらについての詳細な説明は省略する。
【００５６】
一方、多層型基板構造体１１２は、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下に積層されるように配置された第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を備えている。ここで、第１の絶縁シート１２０は多層型基板構造体１１２の最外郭に配置され、第２の絶縁シート１３０は多層型基板構造体１１２の最外郭から２番目に配置されている。これにより、第１のビアコンタクト１２４は最外郭に配置され、第２のビアコンタクト１３４は第１のビアコンタクト１２４に比べて多層型基板構造体１１０の内部に配置され、第１のビアコンタクト１２４に接合されるようになっている。これにより、第１のビアコンタクト１２４と第２のビアコンタクト１３４との間には接合面１２７が形成される。この接合面１２７は、第２のビアコンタクト１３４に向けて突出した形状を有することができる。一例として、接合面１２７は、第２のビアコンタクト１３４に向けて凸に突出した形状を有することができる。第１のビアコンタクト１２４は、第２のビアコンタクト１３４に比べて多層型基板構造体１１０の外郭に配置されるので、接合面１２７は多層型基板構造体１１０の内部に向かう方向に突出した形状を有することになる。このような形状の接合面１２７は、第１のビアコンタクト１２４の一部が第２のビアコンタクト１３４の内部領域に拡がることによって形成されたものとすることができる。
【００５７】
このような多層セラミック基板１０２は、先に図１を参照して説明した多層セラミック基板１００に比べて、第１の絶縁シート１２０が多層型基板構造体１１２の最外郭に配置され、第２の絶縁シート１３０が最外郭から２番目に配置された構造を有することになる。このような構造の多層セラミック基板１０２は、相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４により、多層型基板構造体１１２の加圧及び焼成時、第１のビアコンタクト１２４の拡がった部分を第２のビアコンタクト１３４が収容することによって、多層型基板構造体１１２の最外郭に配置された第１のビアコンタクト１２４の突出現象を防止することができる。これにより、本発明による多層セラミック基板１０２は、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる。
【００５８】
ここで開示した実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５９】
１００ 多層セラミック基板
１１０ 多層型基板構造体
１２０ 第１の絶縁シート
１２２ 第１のベースシート
１２４ 第１のビアコンタクト
１２６ 接合面
１３０ 第２の絶縁シート
１３２ 第２のベースシート
１３４ 第２のビアコンタクト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層セラミック基板に関し、より詳細には、多層セラミック基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的なプローブカードの製造方法として、低温同時焼成セラミック（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：ＬＴＣＣ）工程技術または高温同時焼成セラミック（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：ＨＴＣＣ）工程技術が広く使われている。このような低温及び高温同時焼成セラミック工程技術では、まず、複数の絶縁シートを準備し、準備した絶縁シートを上下に積層させる。この時、各々の絶縁シートにはビアコンタクト（ｖｉａ ｃｏｎｔａｃｔ）及び該ビアコンタクトに電気的に接続されている回路配線が設けられている。その後、積層された各絶縁シートを加圧及び焼成（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）して１つの多層セラミック基板を製造する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、各絶縁シートを加圧及び焼成する過程において、該各絶縁シートのうち最外郭に配置された絶縁シートに形成されたビアコンタクトは、外部に向かう方向の圧力を受けることになる。例えば、各絶縁シートの積層された多層型基板構造体を上下から加圧する場合、その最外郭に配置された絶縁シートのビアコンタクトは、相対的に絶縁シートを加圧する方向と反対方向の圧力を受けることになる。そのため、最外郭に配置された絶縁シートに形成されたビアコンタクトが外部に突出するといった現象が発生する。最外郭のビアコンタクトが突出すると、該ビアコンタクトに接続される回路配線の接合信頼性が落ちて、半導体素子の電気的特性が低下することがある。また、多層セラミック基板をパッケージングする時、パッケージ部品間の結合力が低下し、製品の信頼性が低下する恐れがある。
【０００４】
本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、その目的は、信頼性を向上させた多層セラミック基板を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は、多層セラミック基板の製造時、最外郭の絶縁シートに形成されたビアコンタクトが外部に突出するような現象を防止できる多層セラミック基板を提供することにある。
【０００６】
本発明のさらに他の目的は、信頼性を向上させた多層セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明のさらに他の目的は、多層セラミック基板の製造時、最外郭の絶縁シートに形成されたビアコンタクトが外部に突出するといった現象を防止する多層セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の好適な実施態様による多層セラミック基板は、第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートと、第１の絶縁シートに接合され、第１のビアコンタクトと上下に整列されて接合された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートとを含み、第１のビアコンタクトは、第２のビアコンタクトの内部に拡がった形状を有することができる。
【０００９】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、第２の絶縁シートは、第１の絶縁シートを介して多層型基板構造体の最外郭に配置されるようにすることができる。
【００１０】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、第１の絶縁シートは多層型基板構造体の最外郭に配置され、第２の絶縁シートは、最外郭から２番目に配置されるようにすることができる。
【００１１】
本発明の付加的な実施態様によれば、第２のビアコンタクトは、第１のビアコンタクトに比べて高い空隙率を有することができる。
【００１２】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトは、第２のビアコンタクトに比べて無収縮物質をより多く含むことができる。
【００１３】
本発明の付加的な実施態様によれば、無収縮物質は、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）及びガラス（ｇｌａｓｓ）のうちの少なくともいずれか１つを含むことができる。
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の他の好適な実施態様による多層セラミック基板は、第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートと、第１のビアコンタクトと上下に整列されて接合された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートとを含み、第１のビアコンタクトと第２のビアコンタクトとは、互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されたものとすることができる。
【００１５】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトと第２のビアコンタクトとは互いに上下に接合されて接合面を形成し、該接合面は、第２のビアコンタクトの内部に向かって拡がった形状を有することができる。
【００１６】
本発明の付加的な実施態様によれば、第２の絶縁シートは、第１の絶縁シートの前面及び背面のうちの少なくともいずれか一方に接合されるようにすることができる。
【００１７】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートは互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、第２の絶縁シートは、第１の絶縁シートを介して多層型基板構造体の最外郭に配置されるようにすることができる。
【００１８】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートは互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、第１の絶縁シートは、多層型基板構造体の最外郭に配置され、第２の絶縁シートは、最外郭から２番目に配置されるようにすることができる。
【００１９】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトは第１の導電性ペーストによって形成され、第２のビアコンタクトは第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、第１の導電性ペーストは、第２の導電性ペーストに比べて高いボイド含量を有するようにすることができる。
【００２０】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトは第１の導電性ペーストによって形成され、第２のビアコンタクトは第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、第１の導電性ペーストは、第２の導電性ペーストに比べて、熱を受けると収縮するか焼けて無くなる収縮物質をより多く含むようにすることができる。
【００２１】
本発明の付加的な実施態様によれば、収縮物質は、ポリマ一系列の物質を含むことができる。
【００２２】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１のビアコンタクトは第１の導電性ペーストによって形成され、第２のビアコンタクトは第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、第２の導電性ペーストは、第１の導電性ペーストに比べて焼成時に第２の導電性ペーストの導電性粒子の収縮を妨害する無収縮物質をより多く含むようにすることができる。
【００２３】
本発明の付加的な実施態様によれば、無収縮物質は、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）及びガラス（ｇｌａｓｓ）のうちの少なくともいずれか１つを含むことができる。
【００２４】
上記目的を達成するために、本発明のさらに他の好適な実施態様による多層セラミック基板の製造方法は、第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートを準備するステップと、第１の導電性ペーストに比べて焼成時の収縮率が異なる第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートを準備するステップと、第１のビアコンタクトと第２のビアコンタクトとが上下に整列されるように、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを配置するステップと、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを焼成するステップとを含むことができる。
【００２５】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを配置するステップは、第１の絶縁シートの前面及び背面のうちの少なくともいずれか一方に第２の絶縁シートを接合するステップを備えることができる。
【００２６】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを配置させるステップは、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを積層させて多層基板構造体を構成し、この際、第２の絶縁シートを多層基板構造体の最外郭に位置するように、第１の絶縁シートに接触させるステップを備えることができる。
【００２７】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを配置するステップは、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを積層させて多層基板構造体を構成し、第１の絶縁シートを多層基板構造体の最外郭に位置するように、第２の絶縁シートに接触させるステップを備えることができる。
【００２８】
本発明の付加的な実施態様によれば、第２の絶縁シートを準備するステップは、第２のベースシートに第２のビアホールを形成するステップと、第２のビアホールに第１の導電性ペーストに比べて高いボイド含量を有する第２の導電性ペーストを埋め込むステップとを備えることができる。
【００２９】
本発明の付加的な実施形態様態によれば、第２の絶縁シートを準備するステップは、第２のベースシートに第２のビアホールを形成するステップと、第２のビアホールに、第１の導電性ペーストに比べて、熱を受けると収縮するか焼けて無くなる収縮物質をより多く含む第２の導電性ペーストを埋め込むステップとを備えることができる。
【００３０】
本発明の付加的な実施態様によれば、第１の絶縁シートを準備するステップは、第１のベースシートに第１のビアホールを形成するステップと、第１のビアホールに加圧及び焼成時に第１の導電性ペーストの導電性粒子の収縮を妨害する無収縮物質を、第２の導電性ペーストに比べてより多く含む第１の導電性ペーストを埋め込むステップとを備えることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明による多層セラミック基板は、焼成時の収縮率が互いに異なる導電性ペーストによって形成されたビアコンタクトを有する絶縁シートからなる多層型基板構造体を有する。この多層型基板構造体は、加圧及び焼成される過程で、高い収縮率を有する導電性ペーストによって形成されたビアコンタクトにより、最外郭の絶縁シートに設けられたビアコンタクトの突出現象を防止することができる。これにより、本発明によれば、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
また、本発明による多層セラミック基板の製造方法は、互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されたビアコンタクトを有する絶縁シートを準備するステップと、絶縁シートを積層させて多層型基板構造体を形成するステップと、多層型基板構造体を加圧及び焼成するステップとを含むことができる。多層型基板構造体を加圧及び焼成する過程において、相対的に高い収縮率を有する導電性ペーストによって形成されたビアコンタクトにより、最外郭の絶縁シートに設けられたビアコンタクトの突出現象を防止することができる。従って、本発明の多層セラミック基板の製造方法によれば、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態による多層セラミック基板を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造方法を示す手順図である。
【図３ａ】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図である。
【図３ｂ】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図である。
【図３ｄ】本発明の一実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図である。
【図４】本発明の多層セラミック基板の一変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等を含む）は、特に明示した場合及び原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値及び範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものには同一の符号を付しており、その繰り返しの説明は可能な限り省略している。
【００３５】
本明細書で用いる用語は、実施形態を説明するためのものであって、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数のものとして示すものは、特別に言及しない限り複数としてもよい。明細書で用いる「含む」という用語は、言及された構成要素、ステップ、動作及び／又は素子が、１つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／又は素子の存在または追加を排除しないことを理解されたい。
【００３６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態による多層セラミック基板及びその製造方法について説明する。
【００３７】
図１は、本発明の実施形態による多層セラミック基板を示す図面である。同図のように、本発明の実施形態による多層セラミック基板１００は、ビルドアップ方式で製造された多層型基板であってよい。一例として、多層セラミック基板１００は、低温同時焼成セラミック（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃａ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：ＬＴＣＣ）基板構造体であってよい。他の例では、多層セラミック基板１００は高温同時焼成セラミック（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：ＨＴＣＣ）基板構造体であってよい。
【００３８】
多層セラミック基板１００は、複数の絶縁シートが積層された多層型積層構造体１１０を有する。例えば、絶縁シートは第１の絶縁シート１２０及び第２の絶縁シート１３０を含む。多層型基板構造体１１０は、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を、少なくとも１つずつ選択的に上下に配置した構造を有することができる。
【００３９】
第１の絶縁シート１２０は、第１のビアホール１２２ａを有する第１のベースシート１２２と、第１のビアホール１２２ａ内に形成された第１のビアコンタクト１２４とを含んでいる。第１のベースシート１２２は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のようなセラミック材質から構成することができる。第１のビアコンタクト１２４は、第１の導電性ペーストを第１のビアホール１２２ａに埋め込んで形成されたものであってよい。第２の絶縁シート１３０は、第２のビアホール１３２ａを有する第２のベースシート１３２と、第２のビアホール１３２ａ内に形成された第２のビアコンタクト１３４とを含んでいる。第２のベースシート１３２は、ポリイミドのようなセラミック材質から構成することができる。第２のビアコンタクト１３４は、第１の導電性ペーストに比べて焼成（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）時に異なる収縮率を有する第２の導電性ペーストを第２のビアホール１３２ａに埋め込んで形成されたものであってよい。これに加えて、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０は、その表面に形成され、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４に接続された回路配線（図示せず）をさらに含むことができる。
【００４０】
第１の絶縁シート１２０及び第２の絶縁シート１３０は、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下で向き合うように配置されるように構成することができる。例えば、第１の絶縁シート１２０及び第２の絶縁シート１３０は、所定の単位個数だけ積層され、この時、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４は、上下に整列される。これにより、多層セラミック基板１００は、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下に配置されて接合された構造を有することになる。
【００４１】
前述のように、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４が上下に接合されることによって、それらの間には接合面１２６が形成される。この接合面１２６は、第２のビアコンタクト１３４に向けて突出した形状を有することができる。一例として、接合面１２６は第１のビアコンタクト１２４から第２のビアコンタクト１３４に向けて凸に突出した形状を有する。第１のビアコンタクト１２４は、第２のビアコンタクト１３４に比べて相対的に多層型基板構造体１１０の内部に配置されているので、接合面１２６は多層型基板構造体１１０の外部に向かう方向に突出した形状を有している。このような形状の接合面１２６は、第１のビアコンタクト１２４の一部が第２のビアコンタクト１３４の内部に向かって拡がることによって形成されたものであってよい。
【００４２】
一方、第２のビアコンタクト１３４は、第１のビアコンタクト１２４に比べて高い収縮性を有する導電性ペーストを用いて形成されたものとすることができる。例えば、第２の導電性ペーストは、熱を受けると、第１の導電性ペーストに比べてその体積が減少可能な特性を有している。一例として、第２の導電性ペーストは、第１の導電性ペーストに比べて内部のボイド（ｖｏｉｄ）含量が多い。ボイドは、第２の導電性ペースト内の空き部分を意味している。つまり、第２の導電性ペーストは多孔性構造を有する。このような第２の導電性ペーストは、熱を受けると該ボイドの部分が焼結されて一部または全部がなくなることによって、該ボイドの空間分だけその体積が減少することになる。そのため、第２の導電性ペーストが第１の導電性ペーストに比べてより多くのボイド含量を有するように調節することによって、焼成時に第１の導電性ペーストに比べて高い収縮率を有するようにすることができる。これにより、第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４は、第１のビアコンタクト１２４に比べて高い空隙率を有することになる。
【００４３】
他の例として、第２の導電性ペーストは、第１の導電性ペーストに比べて、熱を受けると、その体積が収縮する収縮物質をより多く含むことができる。例えば、第２の導電性ペーストは第１の導電性ペーストに比べて、熱を受けると、その体積が減少するか焼けて無くなる物質をより多く含むことができる。このような収縮物質としてはポリマ一系列の物質が挙げられる。従って、第２の導電性ペース卜が、第１の導電性ペーストに比べてより多くの収縮物質を有するように調節することによって、第２の導電性ペーストが焼成時に第１の導電性ペーストに比べて高い収縮率を有するようにすることができる。
【００４４】
さらに他の例として、第１の導電性ペーストは、第２の導電性ペーストに比べて収縮性の低い物質をより多く含むことができる。例えば、第１の導電性ペーストは、第２の導電性ペーストに比べて金属粒子間に移動を制限する無収縮物質をより多く有することができる。この無収縮物質としては、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）、ガラス（ｇｌａｓｓ）、その他に多様なセラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）物質などが挙げられる。この他にも、無収縮物質としては多様な種類の金属物質が挙げられる。例えば、無収縮物質としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（ｐｄ）及び白金（ｐｔ）のうちの少なくともいずれか１つが挙げられる。前述のような第１の導電性ペーストは、熱を受けると、無収縮物質により第１の導電性ペーストの導電性粒子間の移動が制限されるので、第１の導電性ペーストの収縮が制限される。そのため、第１の導電性ペーストは、焼成時に第２の導電性ペーストに比べて小さめの収縮をすることによって、相対的に第２の導電性ペーストに比べて低い収縮率を有することになる。これにより、第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクト１２４は、第２のビアコンタクト１３４に比べて無収縮物質の含量が多いことになる。
【００４５】
続いて、本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造方法について詳細に説明する。ここで、先に詳述した多層セラミック基板について重複する内容は省略するか簡略に説明する。
【００４６】
図２は、本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造方法を示す順序図である。図３ａ〜ｄは、本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造過程を説明するための図面である。
【００４７】
図２及び図３ａを参照すると、相対的に低い収縮率を有する第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクト１２４を有する第１の絶縁シート１２０を形成する（Ｓ１１０）。例えば、第１の絶縁シート１２０を形成するこのステップは、セラミック材質の第１のベースシート１２２を準備するステップと、第１のベースシート１２２に第１のビアホール１２２ａを形成するステップと、第１のビアホール１２２ａに相対的に低い収縮率を有する第１の導電性ペーストを埋め込むステップとを含むことができる。これにより、第１の絶縁シート１２０には、相対的に低い収縮率を有する第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクト１２４を形成することができる。
【００４８】
図２及び図３ｂを参照すると、相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４を有する第２の絶縁シート１３０を形成する（Ｓ１２０）。例えば、第２の絶縁シート１３０を形成するステップは、セラミック材質の第２のベースシート１３２を準備するステップと、第２のベースシート１３２に第２のビアホール１３２ａを形成するステップと、第２のビアホール１３２ａに相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストを埋め込むステップとを含むことができる。これにより、第２の絶縁シート１３０には、相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４を形成することができる。
【００４９】
図２及び図３ｃを参照すると、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下に整列されるように、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を配置する（Ｓ１３０）。例えば、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下で向き合うように、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を積層させる。このようにして、所定の単位個数分の第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を上下に積層させて多層型基板構造体１１０を構成することができる。これに加えて、第２の絶縁シート１３０が、第１の絶縁シート１２０を介して多層型基板構造体１１０の最外郭に配置されるように構成することができる。その結果、多層型基板構造体１１０は、所定の単位個数分の第１の絶縁シート１２０の各々が、全て、２つの第２の絶縁シート１３０の間に介在するようにして、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４が上下に積層された構造を有する。
【００５０】
図２及び図３ｄを参照すると、多層型基板構造体１１０を加圧及び焼成して多層セラミック基板１００を形成する（Ｓ１４０）。多層型基板構造体１１０を加圧するステップは、多層型基板構造体１１０に上下方向の圧力を与え、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を圧着させて行うことができる。多層型基板構造体１１０を焼成するステップでは、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４の融点以上の温度で多層型基板構造体１１０を焼成し、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を接合する。前述の多層型基板構造体１１０を加圧するステップと多層型基板構造体１１０を焼成するステップとは、同時に行うことができる。
【００５１】
一方、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を上下に加圧し焼成する過程において、第２の絶縁シート１３０に形成された第２のビアコンタクト１３４は、外部空間に向かう方向の圧力を受けることになる。特に、第１のビアコンタクト１２４と第２のビアコンタクト１３４とが上下に積層される構造を有する場合、第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０が圧着されれば、第１のビアコンタクト１２４の一部が第２のビアコンタクト１３４内に拡がるようになって、第２のビアコンタクト１３４を外部空間に押し出そうとする。この時、第２のビアコンタクト１３４は加圧及び焼成時に相対的に高い収縮率を有するように構成されているので、第１のビアコンタクト１２４の拡がった部分を収容することができる。従って、多層型基板構造体１１０を加圧及び焼成させる過程において、第１のビアコンタクト１２４の一部が第２のビアコンタクト１３４の内部に拡がり、これに対して第２のビアコンタクト１３４は収縮し、第１のビアコンタクト１２４の拡がった部分を収容することによって、第２のビアコンタクト１３４の外部への突出を防止することができる。これにより、第１及び第２のビアコンタクト１２４，１３４間の接合面１２６は、第２のビアコンタクト１３４に向けて凸な形状を有することができる。ここで、第２のビアコンタクト１３４の収縮程度は、第１のビアコンタクト１２４の拡がる程度を勘案して調節できる。従って、第１のビアコンタクト１２４の拡がる程度を考慮し、第２のビアコンタクト１３４の収縮率を調節するために第２の導電性ペーストのボイド含量及び収縮物質の含量を調節するか、または第１の導電性ペーストの無収縮物質の含量を調節することができる。
【００５２】
前述のように、本発明の実施形態による多層セラミック基板１００は、焼成時の収縮率が異なる導電性ペーストを用いて形成された第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０から成る多層型基板構造体１１０を有する。この多層型基板構造体１１０は、加圧及び焼成される過程で相対的に高い収縮率を有する導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４により、最外郭の絶縁シートに設けられたビアコンタクトの突出現象を防止することができる。これにより、本発明による多層セラミック基板１００は、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる。
【００５３】
また、本発明による多層セラミック基板の製造方法は、互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストを用いて形成された第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を準備するステップと、これらの第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を積層して多層型基板構造体１１０を形成するステップと、多層型基板構造体１１０を加圧及び焼成するステップとを含む。多層型基板構造体１１０を加圧及び焼成する過程において、相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４により、最外郭の絶縁シートに設けられたビアコンタクトの突出現象が防止することができる。これにより、本発明による多層セラミック基板の製造方法によれば、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる多層セラミック基板１００を製造することができる。
【００５４】
以下、本発明の実施形態による多層セラミック基板の一変形例を詳細に説明する。ここで、先に説明した多層セラミック基板１００に対して重複する内容は省略するか簡略に説明する。また、後述の一変形例による多層セラミック基板の製造過程は、先に詳述した多層セラミック基板１００の製造過程から当業者が十分に導き出すことができるので、これについての詳細な説明は省略する。
【００５５】
図４は、本発明の実施形態による多層セラミック基板の一変形例を示す図面である。図４を参照すると、本発明の一変形例による多層セラミック基板１０２は、第１の絶縁シート１２０及び該第２の絶縁シート１３０が積層された多層型基板構造体１１２を含む。これらの第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０は、先に図１を参照して説明した第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０とほぼ同一の構成を有するものであり、したがって、これらについての詳細な説明は省略する。
【００５６】
一方、多層型基板構造体１１２は、第１のビアコンタクト１２４及び第２のビアコンタクト１３４が上下に積層されるように配置された第１及び第２の絶縁シート１２０，１３０を備えている。ここで、第１の絶縁シート１２０は多層型基板構造体１１２の最外郭に配置され、第２の絶縁シート１３０は多層型基板構造体１１２の最外郭から２番目に配置されている。これにより、第１のビアコンタクト１２４は最外郭に配置され、第２のビアコンタクト１３４は第１のビアコンタクト１２４に比べて多層型基板構造体１１０の内部に配置され、第１のビアコンタクト１２４に接合されるようになっている。これにより、第１のビアコンタクト１２４と第２のビアコンタクト１３４との間には接合面１２７が形成される。この接合面１２７は、第２のビアコンタクト１３４に向けて突出した形状を有することができる。一例として、接合面１２７は、第２のビアコンタクト１３４に向けて凸に突出した形状を有することができる。第１のビアコンタクト１２４は、第２のビアコンタクト１３４に比べて多層型基板構造体１１０の外郭に配置されるので、接合面１２７は多層型基板構造体１１０の内部に向かう方向に突出した形状を有することになる。このような形状の接合面１２７は、第１のビアコンタクト１２４の一部が第２のビアコンタクト１３４の内部領域に拡がることによって形成されたものとすることができる。
【００５７】
このような多層セラミック基板１０２は、先に図１を参照して説明した多層セラミック基板１００に比べて、第１の絶縁シート１２０が多層型基板構造体１１２の最外郭に配置され、第２の絶縁シート１３０が最外郭から２番目に配置された構造を有することになる。このような構造の多層セラミック基板１０２は、相対的に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクト１３４により、多層型基板構造体１１２の加圧及び焼成時、第１のビアコンタクト１２４の拡がった部分を第２のビアコンタクト１３４が収容することによって、多層型基板構造体１１２の最外郭に配置された第１のビアコンタクト１２４の突出現象を防止することができる。これにより、本発明による多層セラミック基板１０２は、ビアコンタクトの接合信頼性を向上させ、製品の信頼性を向上させることができる。
【００５８】
ここで開示した実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５９】
１００ 多層セラミック基板
１１０ 多層型基板構造体
１２０ 第１の絶縁シート
１２２ 第１のベースシート
１２４ 第１のビアコンタクト
１２６ 接合面
１３０ 第２の絶縁シート
１３２ 第２のベースシート
１３４ 第２のビアコンタクト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートと、
前記第１の絶縁シートに接合され、前記第１のビアコンタクトと上下に整列されて接合された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートとを含み、
前記第１のビアコンタクトは、前記第２のビアコンタクトの内部に拡がった形状を有する多層セラミック基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、
前記第２の絶縁シートは、前記第１の絶縁シートを介して前記多層型基板構造体の最外郭に配置されている詰求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、
前記第１の絶縁シートは、前記多層型基板構造体の最外郭に配置され、
前記第２の絶縁シートは、最外郭から２番目に配置されている請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項４】
前記第２のビアコンタクトは、前記第１のビアコンタクトに比べて高い空隙率を有する請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項５】
前記第１のビアコンタクトは、前記第２のビアコンタクトに比べて無収縮物質をより多く含む請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項６】
前記無収縮物質は、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）及びガラス（ｇｌａｓｓ）のうちの少なくともいずれか１つを含む請求項５に記載の多層セラミック基板。
【請求項７】
第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートと、
前記第１の絶縁シートに接合され、前記第１のビアコンタクトと上下に整列されて接合された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートとを含み、
前記第１のビアコンタクトと前記第２のビアコンタクトとは、互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されている多層セラミック基板。
【請求項８】
前記第１のビアコンタクトと前記第２のビアコンタクトとは、互いに上下に接合されて接合面を形成し、
前記接合面は、前記第２のビアコンタクトの内部に向かって突出した形状を有する請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項９】
前記第２の絶縁シートは、前記第１の絶縁シートの前面及び背面のうちの少なくともいずれか１つに接合されている請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１０】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、
前記第２の絶縁シートは、前記第１の絶縁シートを介して前記多層型基板構造体の最外郭に配置されている請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１１】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、
前記第１の絶縁シートは、前記多層型基板構造体の最外郭に配置され、
前記第２の絶縁シートは、最外郭から２番目に配置されている請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１２】
前記第１のビアコンタクトは、第１の導電性ペーストによって形成され、
前記第２のビアコンタクトは、前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、
前記第１の導電性ペーストは、前記第２の導電性ペーストに比べて高いボイド含量を有する請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１３】
前記第１のビアコンタクトは、第１の導電性ペーストによって形成され、
前記第２のビアコンタクトは、前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、
前記第１の導電性ペーストは、前記第２の導電性ペーストに比べて、熱を受けると収縮するか焼けて無くなる収縮物質をより多く含む請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１４】
前記収縮物質は、ポリマ一系列の物質を含む請求項１３に記載の多層セラミック基板。
【請求項１５】
前記第１のビアコンタクトは、第１の導電性ベース卜によって形成され、
前記第２のビアコンタクトは、前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、
前記第２の導電性ペーストは、前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時に前記第２の導電性ペーストの導電性粒子の収縮を妨害する無収縮物質をより多く含む請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１６】
前記無収縮物質は、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）及びガラス（ｇｌａｓｓ）のうちの少なくともいずれか１つを含む請求項１５に記載の多層セラミック基板。
【請求項１７】
第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートを準備するステップと、
前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時の収縮率が異なる第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートを準備するステップと、
前記第１のビアコンタクトと前記第２のビアコンタクトとが上下に整列されるように、前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを配置するステップと、
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを焼成するステップと、
を含む多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを配置する前記ステップは、
前記第１の絶縁シートの前面及び背面のうちの少なくともいずれか一方に前記第２の絶縁シートを接合するステップを備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを配置する前記ステップは、
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを積層させて多層基板構造体を構成し、この際、前記第２の絶縁シートを前記多層基板構造体の最外郭に位置するように、前記第１の絶縁シートに接触させるステップ、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを配置する前記ステップは、
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを積層させて多層基板構造体を構成し、この際、前記第１の絶縁シートを前記多層基板構造体の最外郭に位置するように、前記第２の絶縁シートに接触させるステップ、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２１】
前記第２の絶縁シートを準備するステップは、
第２のベースシートに第２のビアホールを形成するステップと、
前記第２のビアホールに、前記第１の導電性ペーストに比べて高いボイド含量を有する前記第２の導電性ペーストを埋め込むステップと、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第２の絶縁シートを準備するステップは、
第２のベースシートに第２のビアホールを形成するステップと、
前記第２のビアホールに、前記第１の導電性ペーストに比べて、熱を受けると収縮するか焼けて無くなる収縮物質をより多く含む前記第２の導電性ペーストを埋め込むステップと、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２３】
前記第１の絶縁シートを準備するステップは、
第１のベースシートに第１のビアホールを形成するステップと、
前記第１のビアホールに、焼成時に前記第１の導電性ペーストの導電性粒子の収縮を妨害する無収縮物質を前記第２の導電性ペーストに比べてより多く含む前記第１の導電性ペーストを埋め込むステップと、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１】
第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートと、
前記第１の絶縁シートに接合され、前記第１のビアコンタクトと上下に整列されて接合された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートとを含み、
前記第１のビアコンタクトは、前記第２のビアコンタクトの内部に拡がった形状を有する多層セラミック基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、
前記第２の絶縁シートは、前記第１の絶縁シートを介して前記多層型基板構造体の最外郭に配置されている詰求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、
前記第１の絶縁シートは、前記多層型基板構造体の最外郭に配置され、
前記第２の絶縁シートは、最外郭から２番目に配置されている請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項４】
前記第２のビアコンタクトは、前記第１のビアコンタクトに比べて高い空隙率を有する請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項５】
前記第１のビアコンタクトは、前記第２のビアコンタクトに比べて無収縮物質をより多く含む請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項６】
前記無収縮物質は、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）及びガラス（ｇｌａｓｓ）のうちの少なくともいずれか１つを含む請求項５に記載の多層セラミック基板。
【請求項７】
第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートと、
前記第１の絶縁シートに接合され、前記第１のビアコンタクトと上下に整列されて接合された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートとを含み、
前記第１のビアコンタクトと前記第２のビアコンタクトとは、互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されている多層セラミック基板。
【請求項８】
前記第１のビアコンタクトと前記第２のビアコンタクトとは、互いに上下に接合されて接合面を形成し、
前記接合面は、前記第２のビアコンタクトの内部に向かって突出した形状を有する請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項９】
前記第２の絶縁シートは、前記第１の絶縁シートの前面及び背面のうちの少なくともいずれか１つに接合されている請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１０】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、
前記第２の絶縁シートは、前記第１の絶縁シートを介して前記多層型基板構造体の最外郭に配置されている請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１１】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、互いに積層されて多層型基板構造体を構成し、
前記第１の絶縁シートは、前記多層型基板構造体の最外郭に配置され、
前記第２の絶縁シートは、最外郭から２番目に配置されている請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１２】
前記第１のビアコンタクトは、第１の導電性ペーストによって形成され、
前記第２のビアコンタクトは、前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、
前記第１の導電性ペーストは、前記第２の導電性ペーストに比べて高いボイド含量を有する請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１３】
前記第１のビアコンタクトは、第１の導電性ペーストによって形成され、
前記第２のビアコンタクトは、前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、
前記第１の導電性ペーストは、前記第２の導電性ペーストに比べて、熱を受けると収縮するか焼けて無くなる収縮物質をより多く含む請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１４】
前記収縮物質は、ポリマ一系列の物質を含む請求項１３に記載の多層セラミック基板。
【請求項１５】
前記第１のビアコンタクトは、第１の導電性ベース卜によって形成され、
前記第２のビアコンタクトは、前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時に高い収縮率を有する第２の導電性ペーストによって形成され、
前記第２の導電性ペーストは、前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時に前記第２の導電性ペーストの導電性粒子の収縮を妨害する無収縮物質をより多く含む請求項７に記載の多層セラミック基板。
【請求項１６】
前記無収縮物質は、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）及びガラス（ｇｌａｓｓ）のうちの少なくともいずれか１つを含む請求項１５に記載の多層セラミック基板。
【請求項１７】
第１の導電性ペーストによって形成された第１のビアコンタクトを有する第１の絶縁シートを準備するステップと、
前記第１の導電性ペーストに比べて焼成時の収縮率が異なる第２の導電性ペーストによって形成された第２のビアコンタクトを有する第２の絶縁シートを準備するステップと、
前記第１のビアコンタクトと前記第２のビアコンタクトとが上下に整列されるように、前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを配置するステップと、
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを焼成するステップと、
を含む多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを配置する前記ステップは、
前記第１の絶縁シートの前面及び背面のうちの少なくともいずれか一方に前記第２の絶縁シートを接合するステップを備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを配置する前記ステップは、
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを積層させて多層基板構造体を構成し、この際、前記第２の絶縁シートを前記多層基板構造体の最外郭に位置するように、前記第１の絶縁シートに接触させるステップ、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを配置する前記ステップは、
前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートを積層させて多層基板構造体を構成し、この際、前記第１の絶縁シートを前記多層基板構造体の最外郭に位置するように、前記第２の絶縁シートに接触させるステップ、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２１】
前記第２の絶縁シートを準備するステップは、
第２のベースシートに第２のビアホールを形成するステップと、
前記第２のビアホールに、前記第１の導電性ペーストに比べて高いボイド含量を有する前記第２の導電性ペーストを埋め込むステップと、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第２の絶縁シートを準備するステップは、
第２のベースシートに第２のビアホールを形成するステップと、
前記第２のビアホールに、前記第１の導電性ペーストに比べて、熱を受けると収縮するか焼けて無くなる収縮物質をより多く含む前記第２の導電性ペーストを埋め込むステップと、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２３】
前記第１の絶縁シートを準備するステップは、
第１のベースシートに第１のビアホールを形成するステップと、
前記第１のビアホールに、焼成時に前記第１の導電性ペーストの導電性粒子の収縮を妨害する無収縮物質を前記第２の導電性ペーストに比べてより多く含む前記第１の導電性ペーストを埋め込むステップと、
を備える請求項１７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図３ｃ】
【図３ｄ】
【図４】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図３ｃ】
【図３ｄ】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−７７４８７（Ｐ２０１１−７７４８７Ａ）
【公開日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２７０７５６（Ｐ２００９−２７０７５６）
【出願日】平成２１年１１月２７日（２００９．１１．２７）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月２７日（２００９．１１．２７）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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