少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法
【課題】磁場センサの測定精度を検査する。
【解決手段】特に製造の間に、磁場センサの測定精度を検査する方法において、半導体チップ２，３を有する半導体ウェーハ１が準備される。少なくとも１つの第１半導体チップ２内に測定コイルが、磁場センサを形成する、少なくとも１つの第２半導体チップ３内に磁場に感度を有する電気回路が内蔵されている。少なくとも１つの第１半導体チップ２が、励磁コイル４に位置決めされ、その励磁コイルが基準磁場を発生させるために通電される。測定コイルを用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出されて、励磁コイル４内の電流が、第１測定値に従って調節される。少なくとも１つの第２半導体チップ３が励磁コイルに位置決めされる。電気回路を用いて、磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される。
【解決手段】特に製造の間に、磁場センサの測定精度を検査する方法において、半導体チップ２，３を有する半導体ウェーハ１が準備される。少なくとも１つの第１半導体チップ２内に測定コイルが、磁場センサを形成する、少なくとも１つの第２半導体チップ３内に磁場に感度を有する電気回路が内蔵されている。少なくとも１つの第１半導体チップ２が、励磁コイル４に位置決めされ、その励磁コイルが基準磁場を発生させるために通電される。測定コイルを用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出されて、励磁コイル４内の電流が、第１測定値に従って調節される。少なくとも１つの第２半導体チップ３が励磁コイルに位置決めされる。電気回路を用いて、磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に製造中に、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
実際から知られている、磁場センサの測定精度を検査する方法において、まず、ウェーハが準備され、そのウェーハは磁場センサとして多数の半導体チップを有し、その中にそれぞれホールセンサ回路が内蔵されている。個々の半導体チップは、それぞれ電気的な接続接点を有しており、それが検査装置の相手側接点と接続可能である。半導体チップは、励磁コイルに次々と位置決めされ、その励磁コイルが基準磁場を発生させるために電流源によって予め定められた電流で通電される。それぞれ励磁コイルに設けられた半導体チップは、該当する半導体チップに電流を供給し、基準磁場内の磁気的な磁束密度のための測定値を検出し、かつ検査装置へ伝達するために、接続接点を介して検査装置の相手側接点と接続される。検査装置内で、測定値が予め定められた基準値領域と比較される。基準値領域は、基準磁場内の予め定められた磁束密度及びホールセンサに必要な測定精度に従って設定される。測定値と基準値領域との間に偏差が発生した場合に、該当するホールセンサがカラーポイントでマークされる。このようにしてウェーハ上にあるホールセンサが検査された後に、半導体チップ間に延びる予め定められた破断すべき線に沿ってウェーハを分割することによって、半導体チップが個別化される。その場合に、不具合としてマークされた半導体チップが、排除される。残っている半導体チップが、ボンディングワイヤを介して、リードフレームに設けられている接点片と接続されて、その後、プラスチックハウジングによって、接点片の自由端部がプラスチック上に突出するように包囲される。このようにして得られた磁場センサは、接点片を用いて、例えば導体プレートの導体路と半田付けすることができる。
【０００３】
この方法は、磁場センサの測定精度の検査が、測定の精度を限定する、一連のエラーの影響を受ける、という欠点を有している。即ち、例えば励磁コイル内の電流とそれに伴って基準磁場の磁束密度が、電流源及び／又は励磁コイルの温度変動に基づいて、予め定められた目標値からずれることがあり得る。個々の半導体チップも、励磁コイルに位置決めする場合に、位置決め誤差に基づいて励磁コイルに対して異なる間隔で配置されることがあり得る。従って、この方法を用いて検査された磁場センサは、比較的大きい許容誤差を有している。しかし、例えば電子的なエンジン制御装置に内燃機関の絞り弁の位置をフィードバックするための磁場センサのような、安全上重要な適用においては、極めて小さい測定許容誤差が要求され、それを維持することは、この方法では達成できず、或いは多大な手間によってしか達成できない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、本発明の課題は、少なくとも１つの磁場センサの測定精度の正確な検査を可能にする、冒頭で挙げた種類の方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、少なくとも２つの半導体チップを有する半導体ウェーハが準備され、少なくとも１つの第１半導体チップ内に測定コイルが、そして、磁場センサを形成する、少なくとも１つの第２半導体チップ内に、磁場に感度を有する電気回路が内蔵されており、少なくとも１つの第１半導体チップが励磁コイルに位置決めされて、励磁コイルが第１の基準磁場を発生させるために通電され、測定コイルを用いて磁束密度に依存する第１測定値が検出されて、励磁コイル内の電流が第１測定値に従って調節され、少なくとも１つの第２半導体チップが励磁コイルに位置決めされ、電気回路を用いて磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較されることによって、解決される。
【０００６】
従って、少なくとも１つの磁場センサを用いて磁束密度が検出される前に、まず励磁場の磁束密度が測定コイルを用いて検査されて、場合によっては補正される。従って、基準磁場の磁束密度における変動が回避される。測定コイルは、少なくとも１つの磁場センサと同じウェーハ上に配置されているので、測定コイルは第１測定値を検出する際に、簡単な方法で、磁場センサないしは第２測定値を検出する場合の第２半導体チップと、正確に同一の間隔で配置することができる。測定コイルは、半導体製造の方法によって、大きな精度で第１半導体チップ内に内蔵することができる。従って、本方法は、高い測定精度を可能にする。
【０００７】
上述した課題は、また、少なくとも２つの半導体チップを有する半導体ウェーハが準備され、少なくとも１つの第１半導体チップ内に測定コイルが、そして磁場センサを形成する、少なくとも１つの第２半導体チップ内に磁場に感度を有する電気回路が内蔵されており、少なくとも１つの第１半導体チップが励磁コイルに位置決めされて、励磁コイルが第１の基準磁場を発生させるために通電され、測定コイルを用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出され、第１測定値に従って基準値領域が準備され、少なくとも１つの第２半導体チップが励磁コイルに位置決めされて、電気回路を用いて磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較されることによっても、解決される。
【０００８】
従って、この解決においては、まず、測定コイルを用いて磁束密度が測定されて、その後この測定の結果に従って基準値領域が求められる。その後、基準磁場内で磁場センサを用いて測定値が検出されて、磁場センサの測定精度を検査するために基準値領域と比較される。その場合に磁場センサの磁束密度内に変動があれば、それが、基準値領域の適合によって補償される。
【発明の効果】
【０００９】
本方法の好ましい形態において、第２半導体チップが、第２測定値と基準値領域の間の比較の結果に従ってマーキングされ、その後個別化されて、そのマーキングに従って分類される。それによって、その測定値が予め定められた許容帯域の外部にある半導体チップは、簡単な方法で排除することができる。許容帯域は、例えば±１％とすることができる。
【００１０】
電気回路が、少なくとも２つの異なる測定特性曲線が調節可能であって、特性曲線の調節が、第２測定値と基準値領域の間の比較の結果に従って行われるように形成されていると、効果的である。このようにして、磁場センサの比較的小さい測定エラーを、全部又は部分的に補正することができるので、その場合に磁場センサは許容帯域の内部にある。
【００１１】
好ましくは、ウェーハ上にある第１半導体チップの数に対する、ウェーハ上にある第２半導体チップの数の比は、１より大きく、特に１０より大きく、場合によっては２０より大きく、好ましくは４０より大きい。実験は、例えば５０番目の半導体チップのみが測定コイルを有するウェーハにおいても、本方法の良好な測定精度が達成できることを、明らかにしている。従って、ウェーハ上で提供される面積をほぼ磁場センサのためだけに利用することができる。
【００１２】
本発明の好ましい実施形態においては、半導体チップが励磁コイルに位置決めされた後及び／又はその前に、半導体チップが個別化されて、場合によって回りをセンサハウジングによって射出成形包囲される。従って本方法は、半導体チップが個別化されて、ハウジングによって回りを包囲された後でも、まだ実施することができる。特に、本方法が各磁場センサにおいて少なくとも２回、即ち第１回は、磁場センサの半導体チップがまだウェーハと結合されている時、そして２回目は、磁場センサの半導体チップが個別化されて、回りをハウジングによって包囲されている場合に、実施されると、効果的である。それによって、２つの検査に成功裏に耐えた、磁場センサの更に大きい測定精度を達成することができる。
【００１３】
好ましくは、第１半導体チップは、センサハウジングを取り付ける前に、第２半導体チップから分離される。その後、第１と第２半導体チップが、好ましくは構造的に等しいハウジング内に組み込まれる。その場合に、励磁コイルを有する半導体チップは、電子的な検査装置を用いて、簡単な方法で磁場センサから区別することができ、その検査装置は半導体チップの接続接点に電気的な検査信号を印加し、かつこの検査信号に対する半導体チップの反応を検出する。本方法を実施した後に、測定コイルを有する磁場センサが、排除される。
【００１４】
好ましくは、半導体チップは、個別化された後にバンドに列に並べられ、その場合にバンドが、半導体チップを励磁コイルに位置決めするために縦の広がり方向に移動され、かつ励磁コイルのそばを通って案内される。その場合に半導体チップは、半導体チップと接触する接触片を介して、バンドと接続することができる。それによって、半導体チップを簡単な方法で次々と励磁コイルに位置決めすることができる。
【００１５】
第１半導体チップに内蔵されている測定コイルの接続端が、それぞれ第１の接続接点と、そして第２半導体チップに内蔵されている電気回路が、それぞれ第２の接続接点と接続され、第１半導体チップに対する第１の接続接点の位置が、第２半導体チップに対する第２の接続接点又はこの接続接点の部分量の位置に相当し、かつ接続接点が、半導体チップを励磁コイルに位置決めする間、或いはその後に、検査装置と接続された相手側接点と接触すると、効果的である。その場合に、測定コイルを有する半導体チップと磁場センサは、同一の検査装置を用いて簡単な方法で互いに区別することができる。
【００１６】
本発明の好ましい形態においては、第２測定値の検出後に、少なくとも１つの第２半導体チップの温度が変化され、その場合にその後少なくとも１つの他の、第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される。その場合に、第１の測定において温度は、磁場センサのために設けられている環境温度領域の下方の端部にセットされ、他の測定においては温度は、環境温度領域の上方の端部にセットされる。
【００１７】
好ましくは、励磁コイルは、第１半導体チップが励磁コイルに位置決めされる間交流電流で通電され、第２半導体チップが励磁コイルに位置決めされる間は直流電流で通電される。その場合には、磁場センサを、更に高速にテストすることができる。交流電流の振幅は、好ましくは直流電流の振幅と一致する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１９】
半導体工場内で製造する間に磁場センサの測定精度を検査する方法において、半導体ウェーハ１が準備され、その半導体ウェーハは多数の第１と第２半導体チップ２、３を有しており、それらが複数の列と段に並べて配置されて、互いに一体的に結合されている。
【００２０】
第１半導体チップ２内に、導体路によって形成される測定コイル１６が内蔵されており、その導体路は半導体製造方法によってウェーハ１の半導体基板内へ挿入され、或いはその上にコーティングされている。測定コイル１６の端部は、半導体チップ２の表面に配置された接続接点と接続されている。
【００２１】
第２半導体チップ３内に、それ自体知られた、磁場に感度を有する電気回路、即ちホールセンサ回路が内蔵されている。ホールセンサ回路内に、少なくとも２つの異なる測定特性曲線がプログラミング可能である。回路の電流供給接続端及び測定信号のための出力は、それぞれ、半導体チップ３の表面に配置された、図面には詳しく示されていない接続接点と接続されている。電流供給のための接続接点及び測定信号のための接続接点の１つが、− 該当する半導体チップ２、３の外側輪郭に関して − 第１半導体チップ２の接続接点と同じ箇所に配置されている。
【００２２】
ウェーハ１の個々の半導体チップ２、３は、次々と基準磁場内に位置決めされ、その基準磁場は励磁コイル４を用いて発生され、その励磁コイルに予め定められた電流が通電される。励磁コイル４は、軸方向に互いに変位した２つのエアコーンコイル５を有しており、それらエアコーンコイルがエアギャップによって互いに隔てられている。エアギャップ内で、ウェーハ１上にある半導体チップ２、３が、ウェーハが延びる平面が、励磁コイル４の長手軸に対して、従って基準磁場センサの磁場線に対して垂直に延びるように、位置決めされる。
【００２３】
エアギャップ内で半導体チップ２、３の１つが基準磁場に対して中央に位置決めされた後に、半導体チップ２、３の接続接点が、それぞれ検査装置８のニードル形状の相手側接点７ａ、７ｂ、７ｃと接続され、その検査装置が相手側接点７ａ、７ｃに、第２半導体チップ３の電流供給用に定められた、第２半導体チップ３の接続接点に対応づけられた電圧を印加する。その後、相手側接点７ａ、７ｃを介して電流が流れるか、が検査される。電流が流れる場合には、相手側接点７ａ、７ｃに第２半導体チップ３の１つが位置決めされている。電流が流れない場合には、相手側接点７ａ、７ｃには、第１半導体チップ２の１つが配置されている。
【００２４】
以下においては、まさに励磁コイル４に位置決めされている半導体チップ２内に、測定コイル１６が内蔵されていると、仮定する。この場合において、励磁コイル４内へ予め定められた振幅を有する交流電流が供給される。それによって発生される基準磁場によって測定コイル１６内に誘導される電圧が、測定コイル１６のコイル端部と接続された相手側接点７ａ、７ｂを介して取り出され、インピーダンス変換器１７ａを介して検査装置８の測定信号入力１８ａへ供給される（図５）。その場合に特に、インピーダンス変換器１７ａ、１７ｂが半導体チップ２内に内蔵されていることが、可能である。インピーダンス変換器１７ａによって、場合によっては存在する、有効信号に対して高オームのノイズが、弱化され、ないしは抑圧される。
【００２５】
測定信号入力において測定された測定値が、第１の基準値領域と比較される。
【００２６】
測定値と第１の基準値領域との間に偏差が検出された場合に、励磁コイル４の通電が、偏差を減少させるように変化される。その後、他の測定値が検出されて、第１の基準値領域と比較される。新たに偏差が検出された場合に、上述したステップが、場合によっては少なくとも１回繰り返される。
【００２７】
測定値が第１の基準値領域と一致した場合には、第２半導体チップ３が励磁コイル４に位置決めされる。そのためにウェーハ１が、その広がり平面に対して平行に１つ又は２つの互いに対して横方向に延びる方向に移動される。更に、第２半導体チップ３が、予め定められた第１の検査温度にされる。
【００２８】
励磁コイル４が、直流電流によって通電され、その直流電流の電流強さは、最後に調節された交流電流の振幅に相当する。その後、相手側接点７ａ、７ｃを介して供給電圧がホール回路に印加される。測定信号出力と接続された相手側電極７ｂ、７ｃを介して、磁束密度のための測定値が検査装置８内へ読み込まれて、第２の基準値領域と比較される。
【００２９】
測定値と第２の基準値領域との間に偏差が生じた場合に、ホールセンサ回路の測定特性曲線が、偏差を減少させるように変化される。測定特性曲線を変化させるために、少なくとも２つの相手側接点７ａ、７ｂ、７ｃの間にプログラミング電圧が印加される。その後、他の測定値が検出されて、第２の基準値領域と比較される。新たに偏差が検出された場合に、上述したステップが、場合によっては少なくとも１回繰り返される。
【００３０】
場合によって繰り返された測定特性曲線の変化にもかかわらず、測定値が第２の基準値領域と一致しない場合に、第２半導体チップがエラーがあるとして、カラーでマーキングされる。測定値と第２の基準値領域との間に偏差が検出されない場合には、第２半導体チップ３が予め定められた第２の検査温度にされて、上述したステップが同様に繰り返される。
【００３１】
その後、次の半導体チップ２、３が励磁コイル４に位置決めされ、その場合に上述したステップが新たに遂行される。
【００３２】
一列の半導体チップ２、３が処理された後に、この列内にある半導体チップ２、３がウェーハ１から分離されて、個別化される。その場合に、不具合としてマーキングされた半導体チップ２、３があれば、それが排除される。
【００３３】
残りのテスト済みの半導体チップ２、３の接続接点が、それ自体知られた方法で、ボンディングワイヤを介して、リードフレームに設けられた接点片９と接続されて、接点片９がセンサハウジング１０から突出するように、センサハウジング１０によって回りを射出成形包囲される。接点片９とセンサハウジング１０は、異なる半導体チップ２、３において構造が等しい。このようにして形成された構成部材が、バンド１１に互いに対して等間隔で列に並べられる。
【００３４】
その後、構成部材が次々と第２の基準磁場内に位置決めされ、その第２の基準磁場は、予め定められた電流によって通電される第２の励磁コイル１２を用いて発生される。第２の励磁コイル１２は、互いに対して軸方向に変位した、２つの第２のエアコーンコイル１３を有しており、それらエアコーンコイルは互いに対してエアギャップによって隔てられている。エアギャップ内で、半導体チップ２、３を有する構成部材が、半導体チップ２、３が延びる平面が励磁コイル１２の長手軸に対して、従って基準磁場の磁場線に対して垂直に延びるように、位置決めされる。
【００３５】
構成部材の１つがエアギャップ内に位置決めされた後に、構成部材の接点片９がそれぞれ第２の検査装置１５のニードル状の第２の相手側接点１４ａ、１４ｂ、１４ｃと接続され、その検査装置が第２の相手側接点１４ａ、１４ｃに供給電圧を印加する。その後、第２の相手側接点１４ａ、１４ｃを介して電流が流れるか、が調べられる。電流が流れる場合には、第２の励磁コイル１２に磁場センサが配置されており、流れない場合には測定コイル１６を有する構成部材が配置されている。
【００３６】
以下においては、第２の励磁コイル１２に、測定コイル１６を有する構成部材が位置決めされていると、仮定される。この場合において、予め定められた振幅を有する交流電流が第２の励磁コイル１２内へ供給される。それによって発生された基準磁場によって測定コイル１６内に誘導された電圧が、測定コイル１６のコイル端部と接続されている第２の相手側電極１４ａ、１４ｂを介して取り出されて、第２のインピーダンス変換器１７ｂを介して第２の検査装置１５の測定信号入力１８ｂへ供給される（図５）。測定信号入力において測定された測定値が、第１の基準値領域と比較される。
【００３７】
測定値と第１の基準値領域との間に偏差が検出された場合には、第２の励磁コイル１２の通電が偏差を減少させるように変化される。その後、他の測定値が検出されて、第１の基準値領域と比較される。新たに偏差が検出された場合に、上述したステップが、場合によっては少なくとも１回繰り返される。
【００３８】
測定値が、第１の基準値領域と一致した場合には、測定コイル１６を有する構成部材がバンド１１から分離されて、磁場センサが励磁コイル４に位置決めされる。そのために、バンドが長手方向に少し移動される。更に、該当する磁場センサが、第１の検査温度にされる。
【００３９】
第２の励磁コイル１２が、直流電流で通電され、その直流電流の電流強さは、最後に第２の励磁コイル１２で調節された交流電流の振幅に相当する。その後、第２の相手側電極１４ａ、１４ｃを介して供給電圧がホール回路へ印加される。測定信号出力と接続された第２の相手側電極１４ｂ、１４ｃを介して磁束密度のための測定値が第２の検査装置１５内に読み込まれて、第２の基準値領域と比較される。
【００４０】
測定値と第２の基準値領域との間に偏差が発生した場合に、ホールセンサ回路の測定特性曲線が偏差を減少させるように変化される。測定特性曲線を変化させるために、少なくとも２つの第２の相手側電極１４ａ、１４ｂ、１４ｃの間にプログラミング電圧が印加される。その後、他の測定値が検出されて、第２の基準値領域と比較される。新たに偏差が検出された場合に、上述したステップが、場合によっては少なくとも１回繰り返される。
【００４１】
測定特性曲線を場合によっては繰り返して変化させたにもかかわらず、測定値が第２の基準値領域と一致しない場合には、該当する構成部材はバンド１１から分離されて、排除される。偏差が検出されない場合には、構成部材が第２の検査温度にされて、上述したステップが同様な方法で繰り返される。
【００４２】
その後、次の半導体チップ２、３が第２の励磁コイル１２に位置決めされ、その場合に上述したステップが新たに遂行される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】基準磁場を発生させるために励磁コイルに位置決めされる、磁場センサのための多数の半導体チップを有するウェーハを示す上面図である。
【図２】図１に示す配置を、図１のIIで示す平面に沿って示す横断面図である。
【図３】磁場センサが一列に並べられているバンドを示す上面図であって、その場合に磁場センサの１つが、基準磁場を発生させるために励磁コイルに位置決めされている。
【図４】図１に示す配置の側面図である。
【図５】インピーダンス変換器に接続された測定コイルの回路図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に製造中に、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
実際から知られている、磁場センサの測定精度を検査する方法において、まず、ウェーハが準備され、そのウェーハは磁場センサとして多数の半導体チップを有し、その中にそれぞれホールセンサ回路が内蔵されている。個々の半導体チップは、それぞれ電気的な接続接点を有しており、それが検査装置の相手側接点と接続可能である。半導体チップは、励磁コイルに次々と位置決めされ、その励磁コイルが基準磁場を発生させるために電流源によって予め定められた電流で通電される。それぞれ励磁コイルに設けられた半導体チップは、該当する半導体チップに電流を供給し、基準磁場内の磁気的な磁束密度のための測定値を検出し、かつ検査装置へ伝達するために、接続接点を介して検査装置の相手側接点と接続される。検査装置内で、測定値が予め定められた基準値領域と比較される。基準値領域は、基準磁場内の予め定められた磁束密度及びホールセンサに必要な測定精度に従って設定される。測定値と基準値領域との間に偏差が発生した場合に、該当するホールセンサがカラーポイントでマークされる。このようにしてウェーハ上にあるホールセンサが検査された後に、半導体チップ間に延びる予め定められた破断すべき線に沿ってウェーハを分割することによって、半導体チップが個別化される。その場合に、不具合としてマークされた半導体チップが、排除される。残っている半導体チップが、ボンディングワイヤを介して、リードフレームに設けられている接点片と接続されて、その後、プラスチックハウジングによって、接点片の自由端部がプラスチック上に突出するように包囲される。このようにして得られた磁場センサは、接点片を用いて、例えば導体プレートの導体路と半田付けすることができる。
【０００３】
この方法は、磁場センサの測定精度の検査が、測定の精度を限定する、一連のエラーの影響を受ける、という欠点を有している。即ち、例えば励磁コイル内の電流とそれに伴って基準磁場の磁束密度が、電流源及び／又は励磁コイルの温度変動に基づいて、予め定められた目標値からずれることがあり得る。個々の半導体チップも、励磁コイルに位置決めする場合に、位置決め誤差に基づいて励磁コイルに対して異なる間隔で配置されることがあり得る。従って、この方法を用いて検査された磁場センサは、比較的大きい許容誤差を有している。しかし、例えば電子的なエンジン制御装置に内燃機関の絞り弁の位置をフィードバックするための磁場センサのような、安全上重要な適用においては、極めて小さい測定許容誤差が要求され、それを維持することは、この方法では達成できず、或いは多大な手間によってしか達成できない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、本発明の課題は、少なくとも１つの磁場センサの測定精度の正確な検査を可能にする、冒頭で挙げた種類の方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、少なくとも２つの半導体チップを有する半導体ウェーハが準備され、少なくとも１つの第１半導体チップ内に測定コイルが、そして、磁場センサを形成する、少なくとも１つの第２半導体チップ内に、磁場に感度を有する電気回路が内蔵されており、少なくとも１つの第１半導体チップが励磁コイルに位置決めされて、励磁コイルが第１の基準磁場を発生させるために通電され、測定コイルを用いて磁束密度に依存する第１測定値が検出されて、励磁コイル内の電流が第１測定値に従って調節され、少なくとも１つの第２半導体チップが励磁コイルに位置決めされ、電気回路を用いて磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較されることによって、解決される。
【０００６】
従って、少なくとも１つの磁場センサを用いて磁束密度が検出される前に、まず励磁場の磁束密度が測定コイルを用いて検査されて、場合によっては補正される。従って、基準磁場の磁束密度における変動が回避される。測定コイルは、少なくとも１つの磁場センサと同じウェーハ上に配置されているので、測定コイルは第１測定値を検出する際に、簡単な方法で、磁場センサないしは第２測定値を検出する場合の第２半導体チップと、正確に同一の間隔で配置することができる。測定コイルは、半導体製造の方法によって、大きな精度で第１半導体チップ内に内蔵することができる。従って、本方法は、高い測定精度を可能にする。
【０００７】
上述した課題は、また、少なくとも２つの半導体チップを有する半導体ウェーハが準備され、少なくとも１つの第１半導体チップ内に測定コイルが、そして磁場センサを形成する、少なくとも１つの第２半導体チップ内に磁場に感度を有する電気回路が内蔵されており、少なくとも１つの第１半導体チップが励磁コイルに位置決めされて、励磁コイルが第１の基準磁場を発生させるために通電され、測定コイルを用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出され、第１測定値に従って基準値領域が準備され、少なくとも１つの第２半導体チップが励磁コイルに位置決めされて、電気回路を用いて磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較されることによっても、解決される。
【０００８】
従って、この解決においては、まず、測定コイルを用いて磁束密度が測定されて、その後この測定の結果に従って基準値領域が求められる。その後、基準磁場内で磁場センサを用いて測定値が検出されて、磁場センサの測定精度を検査するために基準値領域と比較される。その場合に磁場センサの磁束密度内に変動があれば、それが、基準値領域の適合によって補償される。
【発明の効果】
【０００９】
本方法の好ましい形態において、第２半導体チップが、第２測定値と基準値領域の間の比較の結果に従ってマーキングされ、その後個別化されて、そのマーキングに従って分類される。それによって、その測定値が予め定められた許容帯域の外部にある半導体チップは、簡単な方法で排除することができる。許容帯域は、例えば±１％とすることができる。
【００１０】
電気回路が、少なくとも２つの異なる測定特性曲線が調節可能であって、特性曲線の調節が、第２測定値と基準値領域の間の比較の結果に従って行われるように形成されていると、効果的である。このようにして、磁場センサの比較的小さい測定エラーを、全部又は部分的に補正することができるので、その場合に磁場センサは許容帯域の内部にある。
【００１１】
好ましくは、ウェーハ上にある第１半導体チップの数に対する、ウェーハ上にある第２半導体チップの数の比は、１より大きく、特に１０より大きく、場合によっては２０より大きく、好ましくは４０より大きい。実験は、例えば５０番目の半導体チップのみが測定コイルを有するウェーハにおいても、本方法の良好な測定精度が達成できることを、明らかにしている。従って、ウェーハ上で提供される面積をほぼ磁場センサのためだけに利用することができる。
【００１２】
本発明の好ましい実施形態においては、半導体チップが励磁コイルに位置決めされた後及び／又はその前に、半導体チップが個別化されて、場合によって回りをセンサハウジングによって射出成形包囲される。従って本方法は、半導体チップが個別化されて、ハウジングによって回りを包囲された後でも、まだ実施することができる。特に、本方法が各磁場センサにおいて少なくとも２回、即ち第１回は、磁場センサの半導体チップがまだウェーハと結合されている時、そして２回目は、磁場センサの半導体チップが個別化されて、回りをハウジングによって包囲されている場合に、実施されると、効果的である。それによって、２つの検査に成功裏に耐えた、磁場センサの更に大きい測定精度を達成することができる。
【００１３】
好ましくは、第１半導体チップは、センサハウジングを取り付ける前に、第２半導体チップから分離される。その後、第１と第２半導体チップが、好ましくは構造的に等しいハウジング内に組み込まれる。その場合に、励磁コイルを有する半導体チップは、電子的な検査装置を用いて、簡単な方法で磁場センサから区別することができ、その検査装置は半導体チップの接続接点に電気的な検査信号を印加し、かつこの検査信号に対する半導体チップの反応を検出する。本方法を実施した後に、測定コイルを有する磁場センサが、排除される。
【００１４】
好ましくは、半導体チップは、個別化された後にバンドに列に並べられ、その場合にバンドが、半導体チップを励磁コイルに位置決めするために縦の広がり方向に移動され、かつ励磁コイルのそばを通って案内される。その場合に半導体チップは、半導体チップと接触する接触片を介して、バンドと接続することができる。それによって、半導体チップを簡単な方法で次々と励磁コイルに位置決めすることができる。
【００１５】
第１半導体チップに内蔵されている測定コイルの接続端が、それぞれ第１の接続接点と、そして第２半導体チップに内蔵されている電気回路が、それぞれ第２の接続接点と接続され、第１半導体チップに対する第１の接続接点の位置が、第２半導体チップに対する第２の接続接点又はこの接続接点の部分量の位置に相当し、かつ接続接点が、半導体チップを励磁コイルに位置決めする間、或いはその後に、検査装置と接続された相手側接点と接触すると、効果的である。その場合に、測定コイルを有する半導体チップと磁場センサは、同一の検査装置を用いて簡単な方法で互いに区別することができる。
【００１６】
本発明の好ましい形態においては、第２測定値の検出後に、少なくとも１つの第２半導体チップの温度が変化され、その場合にその後少なくとも１つの他の、第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される。その場合に、第１の測定において温度は、磁場センサのために設けられている環境温度領域の下方の端部にセットされ、他の測定においては温度は、環境温度領域の上方の端部にセットされる。
【００１７】
好ましくは、励磁コイルは、第１半導体チップが励磁コイルに位置決めされる間交流電流で通電され、第２半導体チップが励磁コイルに位置決めされる間は直流電流で通電される。その場合には、磁場センサを、更に高速にテストすることができる。交流電流の振幅は、好ましくは直流電流の振幅と一致する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１９】
半導体工場内で製造する間に磁場センサの測定精度を検査する方法において、半導体ウェーハ１が準備され、その半導体ウェーハは多数の第１と第２半導体チップ２、３を有しており、それらが複数の列と段に並べて配置されて、互いに一体的に結合されている。
【００２０】
第１半導体チップ２内に、導体路によって形成される測定コイル１６が内蔵されており、その導体路は半導体製造方法によってウェーハ１の半導体基板内へ挿入され、或いはその上にコーティングされている。測定コイル１６の端部は、半導体チップ２の表面に配置された接続接点と接続されている。
【００２１】
第２半導体チップ３内に、それ自体知られた、磁場に感度を有する電気回路、即ちホールセンサ回路が内蔵されている。ホールセンサ回路内に、少なくとも２つの異なる測定特性曲線がプログラミング可能である。回路の電流供給接続端及び測定信号のための出力は、それぞれ、半導体チップ３の表面に配置された、図面には詳しく示されていない接続接点と接続されている。電流供給のための接続接点及び測定信号のための接続接点の１つが、− 該当する半導体チップ２、３の外側輪郭に関して − 第１半導体チップ２の接続接点と同じ箇所に配置されている。
【００２２】
ウェーハ１の個々の半導体チップ２、３は、次々と基準磁場内に位置決めされ、その基準磁場は励磁コイル４を用いて発生され、その励磁コイルに予め定められた電流が通電される。励磁コイル４は、軸方向に互いに変位した２つのエアコーンコイル５を有しており、それらエアコーンコイルがエアギャップによって互いに隔てられている。エアギャップ内で、ウェーハ１上にある半導体チップ２、３が、ウェーハが延びる平面が、励磁コイル４の長手軸に対して、従って基準磁場センサの磁場線に対して垂直に延びるように、位置決めされる。
【００２３】
エアギャップ内で半導体チップ２、３の１つが基準磁場に対して中央に位置決めされた後に、半導体チップ２、３の接続接点が、それぞれ検査装置８のニードル形状の相手側接点７ａ、７ｂ、７ｃと接続され、その検査装置が相手側接点７ａ、７ｃに、第２半導体チップ３の電流供給用に定められた、第２半導体チップ３の接続接点に対応づけられた電圧を印加する。その後、相手側接点７ａ、７ｃを介して電流が流れるか、が検査される。電流が流れる場合には、相手側接点７ａ、７ｃに第２半導体チップ３の１つが位置決めされている。電流が流れない場合には、相手側接点７ａ、７ｃには、第１半導体チップ２の１つが配置されている。
【００２４】
以下においては、まさに励磁コイル４に位置決めされている半導体チップ２内に、測定コイル１６が内蔵されていると、仮定する。この場合において、励磁コイル４内へ予め定められた振幅を有する交流電流が供給される。それによって発生される基準磁場によって測定コイル１６内に誘導される電圧が、測定コイル１６のコイル端部と接続された相手側接点７ａ、７ｂを介して取り出され、インピーダンス変換器１７ａを介して検査装置８の測定信号入力１８ａへ供給される（図５）。その場合に特に、インピーダンス変換器１７ａ、１７ｂが半導体チップ２内に内蔵されていることが、可能である。インピーダンス変換器１７ａによって、場合によっては存在する、有効信号に対して高オームのノイズが、弱化され、ないしは抑圧される。
【００２５】
測定信号入力において測定された測定値が、第１の基準値領域と比較される。
【００２６】
測定値と第１の基準値領域との間に偏差が検出された場合に、励磁コイル４の通電が、偏差を減少させるように変化される。その後、他の測定値が検出されて、第１の基準値領域と比較される。新たに偏差が検出された場合に、上述したステップが、場合によっては少なくとも１回繰り返される。
【００２７】
測定値が第１の基準値領域と一致した場合には、第２半導体チップ３が励磁コイル４に位置決めされる。そのためにウェーハ１が、その広がり平面に対して平行に１つ又は２つの互いに対して横方向に延びる方向に移動される。更に、第２半導体チップ３が、予め定められた第１の検査温度にされる。
【００２８】
励磁コイル４が、直流電流によって通電され、その直流電流の電流強さは、最後に調節された交流電流の振幅に相当する。その後、相手側接点７ａ、７ｃを介して供給電圧がホール回路に印加される。測定信号出力と接続された相手側電極７ｂ、７ｃを介して、磁束密度のための測定値が検査装置８内へ読み込まれて、第２の基準値領域と比較される。
【００２９】
測定値と第２の基準値領域との間に偏差が生じた場合に、ホールセンサ回路の測定特性曲線が、偏差を減少させるように変化される。測定特性曲線を変化させるために、少なくとも２つの相手側接点７ａ、７ｂ、７ｃの間にプログラミング電圧が印加される。その後、他の測定値が検出されて、第２の基準値領域と比較される。新たに偏差が検出された場合に、上述したステップが、場合によっては少なくとも１回繰り返される。
【００３０】
場合によって繰り返された測定特性曲線の変化にもかかわらず、測定値が第２の基準値領域と一致しない場合に、第２半導体チップがエラーがあるとして、カラーでマーキングされる。測定値と第２の基準値領域との間に偏差が検出されない場合には、第２半導体チップ３が予め定められた第２の検査温度にされて、上述したステップが同様に繰り返される。
【００３１】
その後、次の半導体チップ２、３が励磁コイル４に位置決めされ、その場合に上述したステップが新たに遂行される。
【００３２】
一列の半導体チップ２、３が処理された後に、この列内にある半導体チップ２、３がウェーハ１から分離されて、個別化される。その場合に、不具合としてマーキングされた半導体チップ２、３があれば、それが排除される。
【００３３】
残りのテスト済みの半導体チップ２、３の接続接点が、それ自体知られた方法で、ボンディングワイヤを介して、リードフレームに設けられた接点片９と接続されて、接点片９がセンサハウジング１０から突出するように、センサハウジング１０によって回りを射出成形包囲される。接点片９とセンサハウジング１０は、異なる半導体チップ２、３において構造が等しい。このようにして形成された構成部材が、バンド１１に互いに対して等間隔で列に並べられる。
【００３４】
その後、構成部材が次々と第２の基準磁場内に位置決めされ、その第２の基準磁場は、予め定められた電流によって通電される第２の励磁コイル１２を用いて発生される。第２の励磁コイル１２は、互いに対して軸方向に変位した、２つの第２のエアコーンコイル１３を有しており、それらエアコーンコイルは互いに対してエアギャップによって隔てられている。エアギャップ内で、半導体チップ２、３を有する構成部材が、半導体チップ２、３が延びる平面が励磁コイル１２の長手軸に対して、従って基準磁場の磁場線に対して垂直に延びるように、位置決めされる。
【００３５】
構成部材の１つがエアギャップ内に位置決めされた後に、構成部材の接点片９がそれぞれ第２の検査装置１５のニードル状の第２の相手側接点１４ａ、１４ｂ、１４ｃと接続され、その検査装置が第２の相手側接点１４ａ、１４ｃに供給電圧を印加する。その後、第２の相手側接点１４ａ、１４ｃを介して電流が流れるか、が調べられる。電流が流れる場合には、第２の励磁コイル１２に磁場センサが配置されており、流れない場合には測定コイル１６を有する構成部材が配置されている。
【００３６】
以下においては、第２の励磁コイル１２に、測定コイル１６を有する構成部材が位置決めされていると、仮定される。この場合において、予め定められた振幅を有する交流電流が第２の励磁コイル１２内へ供給される。それによって発生された基準磁場によって測定コイル１６内に誘導された電圧が、測定コイル１６のコイル端部と接続されている第２の相手側電極１４ａ、１４ｂを介して取り出されて、第２のインピーダンス変換器１７ｂを介して第２の検査装置１５の測定信号入力１８ｂへ供給される（図５）。測定信号入力において測定された測定値が、第１の基準値領域と比較される。
【００３７】
測定値と第１の基準値領域との間に偏差が検出された場合には、第２の励磁コイル１２の通電が偏差を減少させるように変化される。その後、他の測定値が検出されて、第１の基準値領域と比較される。新たに偏差が検出された場合に、上述したステップが、場合によっては少なくとも１回繰り返される。
【００３８】
測定値が、第１の基準値領域と一致した場合には、測定コイル１６を有する構成部材がバンド１１から分離されて、磁場センサが励磁コイル４に位置決めされる。そのために、バンドが長手方向に少し移動される。更に、該当する磁場センサが、第１の検査温度にされる。
【００３９】
第２の励磁コイル１２が、直流電流で通電され、その直流電流の電流強さは、最後に第２の励磁コイル１２で調節された交流電流の振幅に相当する。その後、第２の相手側電極１４ａ、１４ｃを介して供給電圧がホール回路へ印加される。測定信号出力と接続された第２の相手側電極１４ｂ、１４ｃを介して磁束密度のための測定値が第２の検査装置１５内に読み込まれて、第２の基準値領域と比較される。
【００４０】
測定値と第２の基準値領域との間に偏差が発生した場合に、ホールセンサ回路の測定特性曲線が偏差を減少させるように変化される。測定特性曲線を変化させるために、少なくとも２つの第２の相手側電極１４ａ、１４ｂ、１４ｃの間にプログラミング電圧が印加される。その後、他の測定値が検出されて、第２の基準値領域と比較される。新たに偏差が検出された場合に、上述したステップが、場合によっては少なくとも１回繰り返される。
【００４１】
測定特性曲線を場合によっては繰り返して変化させたにもかかわらず、測定値が第２の基準値領域と一致しない場合には、該当する構成部材はバンド１１から分離されて、排除される。偏差が検出されない場合には、構成部材が第２の検査温度にされて、上述したステップが同様な方法で繰り返される。
【００４２】
その後、次の半導体チップ２、３が第２の励磁コイル１２に位置決めされ、その場合に上述したステップが新たに遂行される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】基準磁場を発生させるために励磁コイルに位置決めされる、磁場センサのための多数の半導体チップを有するウェーハを示す上面図である。
【図２】図１に示す配置を、図１のIIで示す平面に沿って示す横断面図である。
【図３】磁場センサが一列に並べられているバンドを示す上面図であって、その場合に磁場センサの１つが、基準磁場を発生させるために励磁コイルに位置決めされている。
【図４】図１に示す配置の側面図である。
【図５】インピーダンス変換器に接続された測定コイルの回路図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に製造の間に、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法であって、その場合に、少なくとも２つの半導体チップ(2, 3)を有する半導体ウェーハ(1)が準備され、その場合に少なくとも１つの第１半導体チップ(2)内に測定コイル(16)が、そして磁場センサを形成する少なくとも１つの第２半導体チップ(3)内には磁場に感度を有する電気回路が内蔵されており、その場合に少なくとも１つの第１半導体チップ(2)が励磁コイル(4, 12)に位置決めされて、励磁コイル(4, 12)が基準磁場を発生させるために通電され、その場合に測定コイル(16)を用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出されて、励磁コイル(4, 12)内の電流が第１測定値に従って調節され、その場合に少なくとも１つの第２半導体チップ(3)が励磁コイルに位置決めされ、その場合に電気回路を用いて磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法。
【請求項２】
特に製造の間に、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法であって、その場合に、少なくとも２つの半導体チップ(2, 3)を有する半導体ウェーハ(1)が準備され、その場合に少なくとも１つの第１半導体チップ(2)内に測定コイル(16)が、そして磁場センサを形成する少なくとも１つの第２半導体チップ(3)内には磁場に感度を有する電気回路が内蔵されており、その場合に少なくとも１つの第１半導体チップ(2)が励磁コイル(4, 12)に位置決めされて、励磁コイル(4, 12)が第１の基準磁場を発生させるために通電され、その場合に測定コイル(16)を用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出され、その場合に第１測定値に従って基準値領域が準備され、その場合に少なくとも１つの第２半導体チップ(3)が励磁コイル(4, 12)に位置決めされ、その場合に電気回路を用いて、磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法。
【請求項３】
第２半導体チップ(2)が、第２測定値と基準値領域の間の比較の結果に従ってマーキングされ、その後個別化されて、そのマーキングに従って分類されることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
電気回路が次のように、即ち、少なくとも２つの異なる測定特性曲線が調節可能であって、かつ測定特性曲線の調節が、第２測定値と基準値領域との間の比較の結果に従って行われるように、形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ウェーハ(1)上にある第１半導体チップ(2)の数に対するウェーハ(1)上にある第２半導体チップ(3)の数の比が１より大きく、特に１０より大きく、場合によっては２０より大きく、好ましくは４０より大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
半導体チップ(2, 3)が励磁コイル(4, 12)に位置決めされた後及び／又はその前に、半導体チップが個別化されて、場合によっては回りをセンサハウジングによって射出成形包囲されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
第１半導体チップ(2)が、センサハウジング(10)を取り付ける前に、第２半導体チップ(3)から分離されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
半導体チップが、個別化された後にバンドに列に並べられ、かつ
バンドが、半導体チップを励磁コイルに位置決めするために縦の広がり方向に移動されて、励磁コイルのそばを通って案内されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
第１半導体チップに内蔵されている測定コイル(16)の接続端が、それぞれ第１の接続接点と、そして第２半導体チップに内蔵されている電気回路の接続端が、それぞれ第２の接続接点と接続され、
第１半導体チップに対する第１の接続接点の位置が、第２半導体チップに対する第２の接続接点又はこれらの接続接点の部分量の位置に相当し、かつ
接続接点が、半導体チップを励磁コイルに位置決めする間、或いはその後に、検査装置と接続された相手側接点と接触することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
第２測定値の検出後に、少なくとも１つの第２半導体チップ(3)の温度が変化され、かつ
その後に少なくとも１つの他の、第２測定値が検出されて、基準値領域と比較されることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
励磁コイル(4, 12)が、第１半導体チップ(2)を励磁コイル(4, 12)に位置決めする間交流電流によって通電され、第２半導体チップ(3)を励磁コイル(4, 12)に位置決めする間直流電流によって通電されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１】
特に製造の間に、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法であって、その場合に、少なくとも２つの半導体チップ(2, 3)を有する半導体ウェーハ(1)が準備され、その場合に少なくとも１つの第１半導体チップ(2)内に測定コイル(16)が、そして磁場センサを形成する少なくとも１つの第２半導体チップ(3)内には磁場に感度を有する電気回路が内蔵されており、その場合に少なくとも１つの第１半導体チップ(2)が励磁コイル(4, 12)に位置決めされて、励磁コイル(4, 12)が基準磁場を発生させるために通電され、その場合に測定コイル(16)を用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出されて、励磁コイル(4, 12)内の電流が第１測定値に従って調節され、その場合に少なくとも１つの第２半導体チップ(3)が励磁コイルに位置決めされ、その場合に電気回路を用いて磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法。
【請求項２】
特に製造の間に、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法であって、その場合に、少なくとも２つの半導体チップ(2, 3)を有する半導体ウェーハ(1)が準備され、その場合に少なくとも１つの第１半導体チップ(2)内に測定コイル(16)が、そして磁場センサを形成する少なくとも１つの第２半導体チップ(3)内には磁場に感度を有する電気回路が内蔵されており、その場合に少なくとも１つの第１半導体チップ(2)が励磁コイル(4, 12)に位置決めされて、励磁コイル(4, 12)が第１の基準磁場を発生させるために通電され、その場合に測定コイル(16)を用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出され、その場合に第１測定値に従って基準値領域が準備され、その場合に少なくとも１つの第２半導体チップ(3)が励磁コイル(4, 12)に位置決めされ、その場合に電気回路を用いて、磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される、少なくとも１つの磁場センサの測定精度を検査する方法。
【請求項３】
第２半導体チップ(2)が、第２測定値と基準値領域の間の比較の結果に従ってマーキングされ、その後個別化されて、そのマーキングに従って分類されることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
電気回路が次のように、即ち、少なくとも２つの異なる測定特性曲線が調節可能であって、かつ測定特性曲線の調節が、第２測定値と基準値領域との間の比較の結果に従って行われるように、形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ウェーハ(1)上にある第１半導体チップ(2)の数に対するウェーハ(1)上にある第２半導体チップ(3)の数の比が１より大きく、特に１０より大きく、場合によっては２０より大きく、好ましくは４０より大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
半導体チップ(2, 3)が励磁コイル(4, 12)に位置決めされた後及び／又はその前に、半導体チップが個別化されて、場合によっては回りをセンサハウジングによって射出成形包囲されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
第１半導体チップ(2)が、センサハウジング(10)を取り付ける前に、第２半導体チップ(3)から分離されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
半導体チップが、個別化された後にバンドに列に並べられ、かつ
バンドが、半導体チップを励磁コイルに位置決めするために縦の広がり方向に移動されて、励磁コイルのそばを通って案内されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
第１半導体チップに内蔵されている測定コイル(16)の接続端が、それぞれ第１の接続接点と、そして第２半導体チップに内蔵されている電気回路の接続端が、それぞれ第２の接続接点と接続され、
第１半導体チップに対する第１の接続接点の位置が、第２半導体チップに対する第２の接続接点又はこれらの接続接点の部分量の位置に相当し、かつ
接続接点が、半導体チップを励磁コイルに位置決めする間、或いはその後に、検査装置と接続された相手側接点と接触することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
第２測定値の検出後に、少なくとも１つの第２半導体チップ(3)の温度が変化され、かつ
その後に少なくとも１つの他の、第２測定値が検出されて、基準値領域と比較されることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
励磁コイル(4, 12)が、第１半導体チップ(2)を励磁コイル(4, 12)に位置決めする間交流電流によって通電され、第２半導体チップ(3)を励磁コイル(4, 12)に位置決めする間直流電流によって通電されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−１３９３０５（Ｐ２００８−１３９３０５Ａ）
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３０３８４８（Ｐ２００７−３０３８４８）
【出願日】平成１９年１１月２６日（２００７．１１．２６）
【出願人】（３０５０５１２１１）ミクロナス ゲーエムベーハー (16)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月２６日（２００７．１１．２６）
【出願人】（３０５０５１２１１）ミクロナス ゲーエムベーハー (16)
【Ｆターム（参考）】
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