接続構造体の製造方法
【課題】配線基板と、その表面にＡＣＦやＮＣＦを介してフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体を一括でできる方法を提供する。
【解決手段】配線基板１の表面に、第１接着フィルム２を介して第１電子部品３を仮設置する工程；配線基板１の裏面に、第１接着フィルム２の硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルム４を介して第２電子部品５を仮設置する工程；第１電子部品３及び第２電子部品５が仮設置された配線基板１を、圧着受け台に載置する工程；及び第１電子部品３を、配線基板１に対して第１電子部品３側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板１の表面及び裏面に第１電子部品３及び第２電子部品５をそれぞれ一括で実装する工程を有する。
【解決手段】配線基板１の表面に、第１接着フィルム２を介して第１電子部品３を仮設置する工程；配線基板１の裏面に、第１接着フィルム２の硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルム４を介して第２電子部品５を仮設置する工程；第１電子部品３及び第２電子部品５が仮設置された配線基板１を、圧着受け台に載置する工程；及び第１電子部品３を、配線基板１に対して第１電子部品３側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板１の表面及び裏面に第１電子部品３及び第２電子部品５をそれぞれ一括で実装する工程を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む両面フリップチップ実装タイプの接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の表面及び裏面のそれぞれに、半導体チップが異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）又は絶縁性接着フィルム（ＮＣＦ）を介してフリップチップ実装された両面フリップチップ実装接続構造体が知られている。このような両面実装型の接続構造体は、配線基板の片面にＡＣＦ又はＮＣＦ導体チップを仮貼りし、そこへ半導体チップをアライメントして仮設置した後、加熱加圧ツールで熱圧着してフリップチップ実装し、次に他面に対しても同様に半導体チップをフリップチップ実装して作成されている。
【０００３】
ところが、最初の片面のフリップチップ実装により配線基板だけでなくＩＣチップ自体にも反りが生じ、他面に対するフリップチップ実装の際にＩＣチップのアライメント精度が低下し、加熱加圧ツールで正確にＩＣチップを熱圧着することが困難になるという問題があった。この問題は、近年のＩＣチップや配線基板が益々薄くなっていることに伴い、顕著となっている。
【０００４】
このため、ＩＣチップのフリップチップ実装を片面づつ行うのではなく、両面にＩＣチップを一括でフリップチップ実装することが行われるようになっている。即ち、配線基板の表面及び裏面のそれぞれに、熱硬化性の異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）又は絶縁性接着フィルム（ＮＣＦ）を仮貼りし、更にそれらの上に半導体チップをそれぞれ仮設置した接続構造体の半製品を、ゴム材料等から形成された載置面を有し且つ加熱手段を有する載置受け台に載置し、その半製品を載置受け台側から加熱しながら、弾性押圧面を有する加圧ツールで、表面側の半導体チップを押圧することが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２２７６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の場合、載置受け台側に配置されたＡＣＦやＮＣＦについて良好な接続を行うべく、載置受け台側に配置されたＡＣＦやＮＣＦが最適硬化するように加熱すると、結果的に加圧ツール側に配置されたＡＣＦやＮＣＦが十分に加熱されないため、十分に硬化せず、接続信頼性に欠けるという問題があった。他方、加圧ツール側に配置されたＡＣＦやＮＣＦについても良好な接続を行うべく、加圧ツール側に配置されたＡＣＦやＮＣＦが最適硬化するように加熱すると、今度は載置受け台側に配置されたＡＣＦやＮＣＦが過度に加熱され、急速に溶融粘度が上昇し、半導体チップと配線基板との間から接着成分が十分に排除されず硬化してしまうため、接続信頼性に欠けるという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、配線基板と、その表面にＡＣＦやＮＣＦを介してフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体を製造する際に、両面のＡＣＦやＮＣＦをそれぞれ最適な硬化条件で硬化させることが一括でできるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、両面のそれぞれに接着フィルムを介して電子部品が仮設置された配線基板に対し、その片面からの加熱により両面に配された電子部品をフリップチップ実装する場合に、配線基板の加熱される側の表面に配された接着フィルムが配線基板の裏面に配された接着フィルムに比べより高温に加熱されることに着目し、硬化温度の異なる２種類の接着フィルムを使用し、硬化温度のより高い接着フィルムを加熱される側に配することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｄ）：
工程（ａ）
配線基板の表面に、第１接着フィルムを介して第１電子部品を仮設置する工程；
工程（ｂ）
配線基板の裏面に、第１接着フィルムの硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルムを介して第２電子部品を仮設置する工程；
工程（ｃ）
第１電子部品及び第２電子部品が仮設置された配線基板を、圧着受け台に載置する工程；及び
工程（ｄ）
第１電子部品を、配線基板に対して第１電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板の表面及び裏面に第１電子部品及び第２電子部品をそれぞれ一括で実装する工程
を有することを特徴とする製造方法、及びこの製造方法により製造された接続構造体を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の製造方法においては、配線基板の加熱される側の表面に配された接着フィルムが、配線基板の裏面に配された接着フィルムに比べより高温に加熱されることから、硬化温度の異なる２種類の接着フィルムを使用し、硬化温度のより高い接着フィルムを加熱される側に配する。このため、配線基板の両面の接着フィルムが、それぞれ最適の硬化温度に一括で加熱することが可能となり、配線基板やＩＣチップに反りを生じさせずに、電子部品の両面フリップチップ実装配線基板の接続信頼性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の製造方法の説明図である。
【図２】図２は、本発明の製造方法の説明図である。
【図３】図３は、積層型の電子部品の断面図である。
【図４】図４は、本発明の製造方法の説明図である。
【図５】図５は、本発明の製造方法の説明図である。
【図６】図６は、本発明の製造方法の説明図である。
【図７】図７は、本発明の接続構造体の断面図である。
【図８】図８は、接着フィルムの硬化温度を示すＤＳＣチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｄ）を有する製造方法である。以下、図面を参照しながら工程毎に詳細に説明する。
【００１３】
＜工程（ａ）＞
まず、図１に示すように、配線基板１の表面に、第１接着フィルム２を介して第１電子部品３を仮設置する。具体的には、ステージ１０上に、表面電極１ａと裏面電極１ｂとを有する配線基板１を載せ、表面電極１ａ上に、第１接着フィルム２をアライメントして仮貼し、その上にバンプ３ａを有する第１電子部品３をアライメントして仮設置する。
【００１４】
ステージ１０としては、配線基板１を定位置に保持するためのバキュームチャック機構を備えた平板な金属、セラミックス、樹脂等からなる定盤を使用することができる。
【００１５】
配線基板１としては、ガラス基板、セラミックス基板、ポリイミドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板等の基板の両面に、銅、アルミニウム、銀、金等の配線やパッドからなる表面電極１ａと裏面電極１ｂとが形成されたものが挙げられる。これらの電極には、必要に応じて電解、無電解ニッケルメッキ、ハンダメッキ、金メッキ等を施すことができる。
【００１６】
第１接着フィルム２としては、公知のＡＣＦやＮＣＦを使用することができる。例えば、硬化成分として液状あるいは固体状エポキシ系樹脂、膜形成成分としてフェノキシ樹脂、エポキシ系樹脂用硬化剤として酸無水物やイミダゾール類、その他に本発明の効果を損なわない範囲で、シランカップリング剤、顔料、酸化防止剤、希釈剤、溶剤、帯電防止剤等の公知の添加剤が配合された第１接着フィルム形成用用塗料を、キャスト法等の公知の手法を利用してフィルム化したものを使用することができる。
【００１７】
第１電子部品３としては、半導体チップ、光学チップ等を好ましく挙げることができる。バンプ３ａとしては、ハンダバンプ、金バンプ、アルミバンプを挙げることができる。特に、Ａｕスタッドバンプが好ましい。金バンプ以外のバンプには必要に応じて電解、無電解ニッケルメッキ、ハンダメッキ、金メッキ等を施すことができる。
【００１８】
表面電極１ａ上への第１接着フィルム２のアライメント及びその仮貼りのそれぞれの手法、並びに第１接着フィルム２上への第１電子部品３のアライメント及びその仮設置のそれぞれの手法について、従来公知の手法、例えば、半導体チップをフリップチップ実装する際に用いられるフリップチップボンダーを利用することができる。
【００１９】
＜工程（ｂ）＞
次に、図２に示すように、配線基板１の裏面に、第１接着フィルム２の硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルム４を介して第２電子部品５を仮設置する。具体的には、ステージ１０上において、配線基板１の裏面電極１ｂ上に、第２接着フィルム４をアライメントして仮貼し、その上にバンプ５ａを有する第２電子部品５をアライメントして仮設置する。
【００２０】
第２接着フィルム４の成分構成は、第１接着フィルム２の成分構成を基本的には同一であるが、第１接着フィルム２の硬化温度よりも低い硬化温度を有するものを使用する必要がある。具体的には、第１接着フィルム２の硬化温度を２００〜２５０℃とし、第２接着フィルム４の硬化温度が１７０〜２２０℃とすることが好ましい。これにより、第１電子部品３側からだけの加熱により、配線基板１の両面の第１接着フィルム２及び第２接着フィルム４をそれぞれの硬化温度に適した温度に加熱することができる。
【００２１】
なお、第１接着フィルム２及び第２接着フィルム４の硬化温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得たチャートに基づき決定することができる。例えば、ＤＳＣチャートにおいて、樹脂の硬化反応が進行する際には山ピークが現れることから、サンプル５ｍｇを室温から２５０℃まで１０℃／分で昇温させて得たチャートのベースライン上の低温側から全面積の６０％となる温度を硬化温度とした（図８参照）。
【００２２】
これらの接着フィルム２又は４の硬化温度の調整は、使用するエポキシ系樹脂や膜形成樹脂、硬化剤などの材料の構造や分子量を特定することにより行うことができる。
【００２３】
なお、第２電子部品５及びそのバンプ５ａについては、基本的に第１電子部品３及びそのバンプ３ａと同様の構成とすることができる。また、裏面電極１ｂ上への第２接着フィルム４のアライメント・その仮貼り、第２接着フィルム４上への第２電子部品５のアライメント・その仮設置についても、従来公知の手法を利用して行うことができる。
【００２４】
なお、第２電子部品５及び先に説明した第１電子部品３の少なくともいずれか一方は、図３に示すように、貫通電極４１とそれに接続しているフロントバンプ４２とバックバンプ４３とを有する複数のＩＣチップ４０を互いに積層して電子部品４００としてもよい。このような場合、貫通電極４１は、銅メッキにより形成されたものを利用することができ、また、ＩＣチップ４０間に存在するフロントバンプ４２及びバックバンプ４３としては、金やハンダ、銅等からなるバンプを適用することができ、とくにそれらのいずれか又は双方がハンダで形成されていることが好ましい。
【００２５】
＜工程（ｃ）＞
次に、図４に示すように、第１電子部品３及び第２電子部品５が仮設置された配線基板１を、ゴムなどの弾性材料から形成された配線基板載置面２１を有する圧着受け台２０に載置する。このような圧着受け台２０としては、特開２００７−２２７６２２号公報に開示されているものを採用することができる。即ち、圧着受け台２０は、金属やセラミックスからなる受け台本体２２と、被圧着物が載置される側に配置される弾性受け部２３とから構成され、その表面が配線基板載置面２１となっているものである。ここで、本発明において、弾性材料とは、好ましくはゴム硬度が１０〜８０のエラストマーを意味する。
【００２６】
なお、圧着受け台２０としては、ステージ１０をそのまま流用してよく、また、図示しないが、第２電子部品５が収まる凹部を有し、比較的剛性の高い配線基板載置面を有するものを使用してもよい。
【００２７】
＜工程（ｄ）＞
最後に、第１電子部品３を、配線基板１に対して第１電子部品３側から、ゴムなどの弾性材料から形成されている押圧面３１を有する加熱加圧ツール３０（図５）で押圧しながら加熱することにより、図６に示すように配線基板１の表面及び裏面に第１電子部品３及び第２電子部品５をそれぞれ一括で実装する。これにより図７に示す接続構造体１００が得られる。
【００２８】
この加熱加圧ツール３０としては、特開２００７−２２７６２２号公報に開示されているものを採用することができる。即ち、加熱加圧ツール３０は、金属やセラミックスからなる押圧本体３２と、被圧着物側に配置される弾性押圧部３３とから構成され、その表面が押圧面３１となっているものである。押圧本体３２には、圧着受け台２０が嵌り込めるように側部３４が延設されていることが望ましい。加熱手段は、押圧本体３２を加熱するようにヒータ（図示せず）を設ければよいが、押圧本体３２自体や弾性押圧部３３自体が発熱するようにしてもよい。
【００２９】
本発明において、加熱加圧ツール３０による加熱押圧の際、第１接着フィルム２が加熱により到達する到達温度は、第２接着フィルム４が加熱により到達する到達温度よりも高くなる。具体的には、第１接着フィルム２の好ましい硬化温度が２００〜２５０℃であり、第２接着フィルム４の好ましい硬化温度が１７０〜２２０℃であることから、第１接着フィルム２が加熱により到達する到達温度は２００〜２５０℃であり、第２接着フィルム４が加熱により到達する到達温度は１７０〜２２０℃である。
【００３０】
なお、第１電子部品３を、配線基板１に対して第１電子部品３側から加熱加圧ツール３０で押圧しながら加熱する際に、第１電子部品３及び第２電子部品５が仮設置された配線基板１の両面にテフロン（登録商標）やシリコーンなどの耐熱性樹脂フィルムからなる保護シート３５を設けてもよい。保護シート３５を使用することにより、第１電子部品３や第２電子部品５の位置ズレの発生を防止することができる。
【００３１】
なお、加熱加圧ツール３０として、第１電子部品３が収まる凹部を有し、比較的剛性の高い配線基板載置面を有するものを使用してもよい。
【００３２】
以上説明した本発明の製造方法により製造した図７の接続構造体は、配線基板の両面に電子部品をＡＣＦやＮＣＦを介してフリップチップ実装させる際に、両面のＡＣＦやＮＣＦをそれぞれ一括で最適硬化させて得たものとなる。従って、配線基板に反りが生じることなく、良好な接続信頼性を示すものである。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
【００３４】
実施例１〜２、比較例１〜４
表２に示した硬化温度を示すＮＣＦを用意した。それとは別に、バンプピッチ８５μｍ、バンプ数２７２のペリフェラル配置の金スタッドバンプ（“Ａｕスタッド”と略する場合がある）又は銅ピラー／ハンダキャップバンプ（“Ｃｕ／ハンダ”と略する場合がある)が設けられた試験用ＩＣチップ（６．３ｍｍ×６．３ｍｍ×０．２厚）を用意した。また、２０μｍ厚のハンダ表面層が形成された電極パッド（Ａｕ／ＮｉメッキＣｕベース）を両面に有するガラスエポキシ両面配線基板（ＦＲ４、日立化成工業（株）：３８ｍｍ×３８ｍｍ×０．６ｍｍ厚）を用意した。
【００３５】
これらの材料と、ＩＣ搭載時にフリップチップボンダー及び本圧着時に弾性押圧ツール（特開２００７−２２７６２２号公報参照）とを用いて、表１に示すようなＩＣチップ搭載条件及び熱圧着条件により、片面フリップチップ実装を行った比較例１を除き、両面一括フリップチップ実装を行った。なお、表２に、実施例及び比較例の実装形態、ＩＣバンプ種類（Ａｕスタッドバンプ、Ｃｕピラー／ハンダキャップバンプ）、配線基板の表面側（加熱側）及び裏面側に配されたＮＣＦの到達温度、ＮＣＦの硬化温度を記載した。
【００３６】
フリップチップ実装により得られた接続構造体について、ＩＣチップの反りを触針式表面粗度計（ＳＥ−３Ｈ、小坂研究所）を用いて測定した。得られた結果を表２に示す。実用上、反りは１０μｍ以下であることが望まれる。
【００３７】
また、接続構造体におけるＩＣチップと配線基板との間の導通抵抗は、ＩＣ周辺を一周するデイジーチェーン抵抗を測定した。得られた結果を表２に示す。実用上、３０Ω以下であることが望まれる。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】
表２からわかるように、ＮＣＦ到達温度に適合するように、配線基板の表面側（加熱側）に、より硬化温度が高いＮＣＦを配した実施例１及び２の接続構造体は、ＩＣチップの反り及びデイジーチェーン抵抗の双方の結果は実用上好ましいものであった。それに対し、比較例１の片面実装の場合には、ＩＣチップの反りが著しいものであった。表面側と裏面側において硬化温度が同じＮＣＦを使用した比較例２〜４の場合、デイジーチェーン抵抗が、表面側又は裏面側でオープンとなってしまった。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明の接続構造体の製造方法によれば、硬化温度の異なる２種類の接着フィルムを使用し、硬化温度のより高い接着フィルムを加熱される側に配するので、配線基板の両面の接着フィルムが、それぞれ最適の硬化温度に一括で加熱することが可能となり、配線基板やＩＣチップに反りを生じさせずに、電子部品の両面フリップチップ実装配線基板の接続信頼性を改善することができる。従って、本発明は、配線基板に両面フリップチップ実装して接続構造体を製造する場合に有用である。
【符号の説明】
【００４２】
１ 配線基板
１ａ 表面電極
１ｂ 裏面電極
２ 第１接着フィルム
３ 第１電子部品
３ａ バンプ
４ 第２接着フィルム
５ 第２電子部品
５ａ バンプ
１０ ステージ
２０ 圧着受け台
２１ 配線基板載置面
２２ 受け台本体
２３ 弾性受け部
３０ 加熱加圧ツール
３１ 押圧面
３２ 押圧本体
３３ 弾性押圧部
３４ 側部
３５ 保護シート
１００ 接続構造体
４０ ＩＣチップ
４１ 貫通電極
４２ フロントバンプ
４３ バックバンプ
４００ 積層型の電子部品
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む両面フリップチップ実装タイプの接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の表面及び裏面のそれぞれに、半導体チップが異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）又は絶縁性接着フィルム（ＮＣＦ）を介してフリップチップ実装された両面フリップチップ実装接続構造体が知られている。このような両面実装型の接続構造体は、配線基板の片面にＡＣＦ又はＮＣＦ導体チップを仮貼りし、そこへ半導体チップをアライメントして仮設置した後、加熱加圧ツールで熱圧着してフリップチップ実装し、次に他面に対しても同様に半導体チップをフリップチップ実装して作成されている。
【０００３】
ところが、最初の片面のフリップチップ実装により配線基板だけでなくＩＣチップ自体にも反りが生じ、他面に対するフリップチップ実装の際にＩＣチップのアライメント精度が低下し、加熱加圧ツールで正確にＩＣチップを熱圧着することが困難になるという問題があった。この問題は、近年のＩＣチップや配線基板が益々薄くなっていることに伴い、顕著となっている。
【０００４】
このため、ＩＣチップのフリップチップ実装を片面づつ行うのではなく、両面にＩＣチップを一括でフリップチップ実装することが行われるようになっている。即ち、配線基板の表面及び裏面のそれぞれに、熱硬化性の異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）又は絶縁性接着フィルム（ＮＣＦ）を仮貼りし、更にそれらの上に半導体チップをそれぞれ仮設置した接続構造体の半製品を、ゴム材料等から形成された載置面を有し且つ加熱手段を有する載置受け台に載置し、その半製品を載置受け台側から加熱しながら、弾性押圧面を有する加圧ツールで、表面側の半導体チップを押圧することが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２２７６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の場合、載置受け台側に配置されたＡＣＦやＮＣＦについて良好な接続を行うべく、載置受け台側に配置されたＡＣＦやＮＣＦが最適硬化するように加熱すると、結果的に加圧ツール側に配置されたＡＣＦやＮＣＦが十分に加熱されないため、十分に硬化せず、接続信頼性に欠けるという問題があった。他方、加圧ツール側に配置されたＡＣＦやＮＣＦについても良好な接続を行うべく、加圧ツール側に配置されたＡＣＦやＮＣＦが最適硬化するように加熱すると、今度は載置受け台側に配置されたＡＣＦやＮＣＦが過度に加熱され、急速に溶融粘度が上昇し、半導体チップと配線基板との間から接着成分が十分に排除されず硬化してしまうため、接続信頼性に欠けるという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、配線基板と、その表面にＡＣＦやＮＣＦを介してフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体を製造する際に、両面のＡＣＦやＮＣＦをそれぞれ最適な硬化条件で硬化させることが一括でできるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、両面のそれぞれに接着フィルムを介して電子部品が仮設置された配線基板に対し、その片面からの加熱により両面に配された電子部品をフリップチップ実装する場合に、配線基板の加熱される側の表面に配された接着フィルムが配線基板の裏面に配された接着フィルムに比べより高温に加熱されることに着目し、硬化温度の異なる２種類の接着フィルムを使用し、硬化温度のより高い接着フィルムを加熱される側に配することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｄ）：
工程（ａ）
配線基板の表面に、第１接着フィルムを介して第１電子部品を仮設置する工程；
工程（ｂ）
配線基板の裏面に、第１接着フィルムの硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルムを介して第２電子部品を仮設置する工程；
工程（ｃ）
第１電子部品及び第２電子部品が仮設置された配線基板を、圧着受け台に載置する工程；及び
工程（ｄ）
第１電子部品を、配線基板に対して第１電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板の表面及び裏面に第１電子部品及び第２電子部品をそれぞれ一括で実装する工程
を有することを特徴とする製造方法、及びこの製造方法により製造された接続構造体を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の製造方法においては、配線基板の加熱される側の表面に配された接着フィルムが、配線基板の裏面に配された接着フィルムに比べより高温に加熱されることから、硬化温度の異なる２種類の接着フィルムを使用し、硬化温度のより高い接着フィルムを加熱される側に配する。このため、配線基板の両面の接着フィルムが、それぞれ最適の硬化温度に一括で加熱することが可能となり、配線基板やＩＣチップに反りを生じさせずに、電子部品の両面フリップチップ実装配線基板の接続信頼性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の製造方法の説明図である。
【図２】図２は、本発明の製造方法の説明図である。
【図３】図３は、積層型の電子部品の断面図である。
【図４】図４は、本発明の製造方法の説明図である。
【図５】図５は、本発明の製造方法の説明図である。
【図６】図６は、本発明の製造方法の説明図である。
【図７】図７は、本発明の接続構造体の断面図である。
【図８】図８は、接着フィルムの硬化温度を示すＤＳＣチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｄ）を有する製造方法である。以下、図面を参照しながら工程毎に詳細に説明する。
【００１３】
＜工程（ａ）＞
まず、図１に示すように、配線基板１の表面に、第１接着フィルム２を介して第１電子部品３を仮設置する。具体的には、ステージ１０上に、表面電極１ａと裏面電極１ｂとを有する配線基板１を載せ、表面電極１ａ上に、第１接着フィルム２をアライメントして仮貼し、その上にバンプ３ａを有する第１電子部品３をアライメントして仮設置する。
【００１４】
ステージ１０としては、配線基板１を定位置に保持するためのバキュームチャック機構を備えた平板な金属、セラミックス、樹脂等からなる定盤を使用することができる。
【００１５】
配線基板１としては、ガラス基板、セラミックス基板、ポリイミドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板等の基板の両面に、銅、アルミニウム、銀、金等の配線やパッドからなる表面電極１ａと裏面電極１ｂとが形成されたものが挙げられる。これらの電極には、必要に応じて電解、無電解ニッケルメッキ、ハンダメッキ、金メッキ等を施すことができる。
【００１６】
第１接着フィルム２としては、公知のＡＣＦやＮＣＦを使用することができる。例えば、硬化成分として液状あるいは固体状エポキシ系樹脂、膜形成成分としてフェノキシ樹脂、エポキシ系樹脂用硬化剤として酸無水物やイミダゾール類、その他に本発明の効果を損なわない範囲で、シランカップリング剤、顔料、酸化防止剤、希釈剤、溶剤、帯電防止剤等の公知の添加剤が配合された第１接着フィルム形成用用塗料を、キャスト法等の公知の手法を利用してフィルム化したものを使用することができる。
【００１７】
第１電子部品３としては、半導体チップ、光学チップ等を好ましく挙げることができる。バンプ３ａとしては、ハンダバンプ、金バンプ、アルミバンプを挙げることができる。特に、Ａｕスタッドバンプが好ましい。金バンプ以外のバンプには必要に応じて電解、無電解ニッケルメッキ、ハンダメッキ、金メッキ等を施すことができる。
【００１８】
表面電極１ａ上への第１接着フィルム２のアライメント及びその仮貼りのそれぞれの手法、並びに第１接着フィルム２上への第１電子部品３のアライメント及びその仮設置のそれぞれの手法について、従来公知の手法、例えば、半導体チップをフリップチップ実装する際に用いられるフリップチップボンダーを利用することができる。
【００１９】
＜工程（ｂ）＞
次に、図２に示すように、配線基板１の裏面に、第１接着フィルム２の硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルム４を介して第２電子部品５を仮設置する。具体的には、ステージ１０上において、配線基板１の裏面電極１ｂ上に、第２接着フィルム４をアライメントして仮貼し、その上にバンプ５ａを有する第２電子部品５をアライメントして仮設置する。
【００２０】
第２接着フィルム４の成分構成は、第１接着フィルム２の成分構成を基本的には同一であるが、第１接着フィルム２の硬化温度よりも低い硬化温度を有するものを使用する必要がある。具体的には、第１接着フィルム２の硬化温度を２００〜２５０℃とし、第２接着フィルム４の硬化温度が１７０〜２２０℃とすることが好ましい。これにより、第１電子部品３側からだけの加熱により、配線基板１の両面の第１接着フィルム２及び第２接着フィルム４をそれぞれの硬化温度に適した温度に加熱することができる。
【００２１】
なお、第１接着フィルム２及び第２接着フィルム４の硬化温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得たチャートに基づき決定することができる。例えば、ＤＳＣチャートにおいて、樹脂の硬化反応が進行する際には山ピークが現れることから、サンプル５ｍｇを室温から２５０℃まで１０℃／分で昇温させて得たチャートのベースライン上の低温側から全面積の６０％となる温度を硬化温度とした（図８参照）。
【００２２】
これらの接着フィルム２又は４の硬化温度の調整は、使用するエポキシ系樹脂や膜形成樹脂、硬化剤などの材料の構造や分子量を特定することにより行うことができる。
【００２３】
なお、第２電子部品５及びそのバンプ５ａについては、基本的に第１電子部品３及びそのバンプ３ａと同様の構成とすることができる。また、裏面電極１ｂ上への第２接着フィルム４のアライメント・その仮貼り、第２接着フィルム４上への第２電子部品５のアライメント・その仮設置についても、従来公知の手法を利用して行うことができる。
【００２４】
なお、第２電子部品５及び先に説明した第１電子部品３の少なくともいずれか一方は、図３に示すように、貫通電極４１とそれに接続しているフロントバンプ４２とバックバンプ４３とを有する複数のＩＣチップ４０を互いに積層して電子部品４００としてもよい。このような場合、貫通電極４１は、銅メッキにより形成されたものを利用することができ、また、ＩＣチップ４０間に存在するフロントバンプ４２及びバックバンプ４３としては、金やハンダ、銅等からなるバンプを適用することができ、とくにそれらのいずれか又は双方がハンダで形成されていることが好ましい。
【００２５】
＜工程（ｃ）＞
次に、図４に示すように、第１電子部品３及び第２電子部品５が仮設置された配線基板１を、ゴムなどの弾性材料から形成された配線基板載置面２１を有する圧着受け台２０に載置する。このような圧着受け台２０としては、特開２００７−２２７６２２号公報に開示されているものを採用することができる。即ち、圧着受け台２０は、金属やセラミックスからなる受け台本体２２と、被圧着物が載置される側に配置される弾性受け部２３とから構成され、その表面が配線基板載置面２１となっているものである。ここで、本発明において、弾性材料とは、好ましくはゴム硬度が１０〜８０のエラストマーを意味する。
【００２６】
なお、圧着受け台２０としては、ステージ１０をそのまま流用してよく、また、図示しないが、第２電子部品５が収まる凹部を有し、比較的剛性の高い配線基板載置面を有するものを使用してもよい。
【００２７】
＜工程（ｄ）＞
最後に、第１電子部品３を、配線基板１に対して第１電子部品３側から、ゴムなどの弾性材料から形成されている押圧面３１を有する加熱加圧ツール３０（図５）で押圧しながら加熱することにより、図６に示すように配線基板１の表面及び裏面に第１電子部品３及び第２電子部品５をそれぞれ一括で実装する。これにより図７に示す接続構造体１００が得られる。
【００２８】
この加熱加圧ツール３０としては、特開２００７−２２７６２２号公報に開示されているものを採用することができる。即ち、加熱加圧ツール３０は、金属やセラミックスからなる押圧本体３２と、被圧着物側に配置される弾性押圧部３３とから構成され、その表面が押圧面３１となっているものである。押圧本体３２には、圧着受け台２０が嵌り込めるように側部３４が延設されていることが望ましい。加熱手段は、押圧本体３２を加熱するようにヒータ（図示せず）を設ければよいが、押圧本体３２自体や弾性押圧部３３自体が発熱するようにしてもよい。
【００２９】
本発明において、加熱加圧ツール３０による加熱押圧の際、第１接着フィルム２が加熱により到達する到達温度は、第２接着フィルム４が加熱により到達する到達温度よりも高くなる。具体的には、第１接着フィルム２の好ましい硬化温度が２００〜２５０℃であり、第２接着フィルム４の好ましい硬化温度が１７０〜２２０℃であることから、第１接着フィルム２が加熱により到達する到達温度は２００〜２５０℃であり、第２接着フィルム４が加熱により到達する到達温度は１７０〜２２０℃である。
【００３０】
なお、第１電子部品３を、配線基板１に対して第１電子部品３側から加熱加圧ツール３０で押圧しながら加熱する際に、第１電子部品３及び第２電子部品５が仮設置された配線基板１の両面にテフロン（登録商標）やシリコーンなどの耐熱性樹脂フィルムからなる保護シート３５を設けてもよい。保護シート３５を使用することにより、第１電子部品３や第２電子部品５の位置ズレの発生を防止することができる。
【００３１】
なお、加熱加圧ツール３０として、第１電子部品３が収まる凹部を有し、比較的剛性の高い配線基板載置面を有するものを使用してもよい。
【００３２】
以上説明した本発明の製造方法により製造した図７の接続構造体は、配線基板の両面に電子部品をＡＣＦやＮＣＦを介してフリップチップ実装させる際に、両面のＡＣＦやＮＣＦをそれぞれ一括で最適硬化させて得たものとなる。従って、配線基板に反りが生じることなく、良好な接続信頼性を示すものである。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
【００３４】
実施例１〜２、比較例１〜４
表２に示した硬化温度を示すＮＣＦを用意した。それとは別に、バンプピッチ８５μｍ、バンプ数２７２のペリフェラル配置の金スタッドバンプ（“Ａｕスタッド”と略する場合がある）又は銅ピラー／ハンダキャップバンプ（“Ｃｕ／ハンダ”と略する場合がある)が設けられた試験用ＩＣチップ（６．３ｍｍ×６．３ｍｍ×０．２厚）を用意した。また、２０μｍ厚のハンダ表面層が形成された電極パッド（Ａｕ／ＮｉメッキＣｕベース）を両面に有するガラスエポキシ両面配線基板（ＦＲ４、日立化成工業（株）：３８ｍｍ×３８ｍｍ×０．６ｍｍ厚）を用意した。
【００３５】
これらの材料と、ＩＣ搭載時にフリップチップボンダー及び本圧着時に弾性押圧ツール（特開２００７−２２７６２２号公報参照）とを用いて、表１に示すようなＩＣチップ搭載条件及び熱圧着条件により、片面フリップチップ実装を行った比較例１を除き、両面一括フリップチップ実装を行った。なお、表２に、実施例及び比較例の実装形態、ＩＣバンプ種類（Ａｕスタッドバンプ、Ｃｕピラー／ハンダキャップバンプ）、配線基板の表面側（加熱側）及び裏面側に配されたＮＣＦの到達温度、ＮＣＦの硬化温度を記載した。
【００３６】
フリップチップ実装により得られた接続構造体について、ＩＣチップの反りを触針式表面粗度計（ＳＥ−３Ｈ、小坂研究所）を用いて測定した。得られた結果を表２に示す。実用上、反りは１０μｍ以下であることが望まれる。
【００３７】
また、接続構造体におけるＩＣチップと配線基板との間の導通抵抗は、ＩＣ周辺を一周するデイジーチェーン抵抗を測定した。得られた結果を表２に示す。実用上、３０Ω以下であることが望まれる。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】
表２からわかるように、ＮＣＦ到達温度に適合するように、配線基板の表面側（加熱側）に、より硬化温度が高いＮＣＦを配した実施例１及び２の接続構造体は、ＩＣチップの反り及びデイジーチェーン抵抗の双方の結果は実用上好ましいものであった。それに対し、比較例１の片面実装の場合には、ＩＣチップの反りが著しいものであった。表面側と裏面側において硬化温度が同じＮＣＦを使用した比較例２〜４の場合、デイジーチェーン抵抗が、表面側又は裏面側でオープンとなってしまった。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明の接続構造体の製造方法によれば、硬化温度の異なる２種類の接着フィルムを使用し、硬化温度のより高い接着フィルムを加熱される側に配するので、配線基板の両面の接着フィルムが、それぞれ最適の硬化温度に一括で加熱することが可能となり、配線基板やＩＣチップに反りを生じさせずに、電子部品の両面フリップチップ実装配線基板の接続信頼性を改善することができる。従って、本発明は、配線基板に両面フリップチップ実装して接続構造体を製造する場合に有用である。
【符号の説明】
【００４２】
１ 配線基板
１ａ 表面電極
１ｂ 裏面電極
２ 第１接着フィルム
３ 第１電子部品
３ａ バンプ
４ 第２接着フィルム
５ 第２電子部品
５ａ バンプ
１０ ステージ
２０ 圧着受け台
２１ 配線基板載置面
２２ 受け台本体
２３ 弾性受け部
３０ 加熱加圧ツール
３１ 押圧面
３２ 押圧本体
３３ 弾性押圧部
３４ 側部
３５ 保護シート
１００ 接続構造体
４０ ＩＣチップ
４１ 貫通電極
４２ フロントバンプ
４３ バックバンプ
４００ 積層型の電子部品
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｄ）：
工程（ａ）
配線基板の表面に、第１接着フィルムを介して第１電子部品を仮設置する工程；
工程（ｂ）
配線基板の裏面に、第１接着フィルムの硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルムを介して第２電子部品を仮設置する工程；
工程（ｃ）
第１電子部品及び第２電子部品が仮設置された配線基板を、圧着受け台に載置する工程；及び
工程（ｄ）
第１電子部品を、配線基板に対して第１電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板の表面及び裏面に第１電子部品及び第２電子部品をそれぞれ一括で実装する工程
を有することを特徴とする製造方法
【請求項２】
工程（ｄ）において、加熱加圧ツールによる加熱押圧の際に、第１接着フィルムが加熱により到達した到達温度が、第２接着フィルムが加熱により到達した到達温度よりも高い請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
第１接着フィルムの硬化温度が２００〜２５０℃であり、第２接着フィルムの硬化温度が１７０〜２２０℃である請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
加熱加圧ツールの押圧面が弾性材料から形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
第１電子部品及び第２電子部品が仮設置された配線基板が、第２電子部品側から載置される圧着受け台の配線基板載置面が、弾性材料から形成されている請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
工程（ｄ）において、第１電子部品を、配線基板に対して第１電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱する際に、第１電子部品及び第２電子部品が仮設置された配線基板の両面に保護シートを配置させて押圧する請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
第１電子部品及び第２電子部品の少なくともいずれか一方が半導体チップである請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
第１電子部品及び第２電子部品の少なくともいずれか一方が、シリコン貫通電極とそれに接続しているフロントバンプとバックバンプとを有し、互いに積層されるべき複数の半導体チップであり、半導体チップ間に存在するフロントバンプ及びバックバンプのいずれかの少なくとも一部がハンダで形成されている請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８の製造方法により製造された接続構造体。
【請求項１】
配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｄ）：
工程（ａ）
配線基板の表面に、第１接着フィルムを介して第１電子部品を仮設置する工程；
工程（ｂ）
配線基板の裏面に、第１接着フィルムの硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルムを介して第２電子部品を仮設置する工程；
工程（ｃ）
第１電子部品及び第２電子部品が仮設置された配線基板を、圧着受け台に載置する工程；及び
工程（ｄ）
第１電子部品を、配線基板に対して第１電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板の表面及び裏面に第１電子部品及び第２電子部品をそれぞれ一括で実装する工程
を有することを特徴とする製造方法
【請求項２】
工程（ｄ）において、加熱加圧ツールによる加熱押圧の際に、第１接着フィルムが加熱により到達した到達温度が、第２接着フィルムが加熱により到達した到達温度よりも高い請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
第１接着フィルムの硬化温度が２００〜２５０℃であり、第２接着フィルムの硬化温度が１７０〜２２０℃である請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
加熱加圧ツールの押圧面が弾性材料から形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
第１電子部品及び第２電子部品が仮設置された配線基板が、第２電子部品側から載置される圧着受け台の配線基板載置面が、弾性材料から形成されている請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
工程（ｄ）において、第１電子部品を、配線基板に対して第１電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱する際に、第１電子部品及び第２電子部品が仮設置された配線基板の両面に保護シートを配置させて押圧する請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
第１電子部品及び第２電子部品の少なくともいずれか一方が半導体チップである請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
第１電子部品及び第２電子部品の少なくともいずれか一方が、シリコン貫通電極とそれに接続しているフロントバンプとバックバンプとを有し、互いに積層されるべき複数の半導体チップであり、半導体チップ間に存在するフロントバンプ及びバックバンプのいずれかの少なくとも一部がハンダで形成されている請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８の製造方法により製造された接続構造体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−２３１０３９（Ｐ２０１２−２３１０３９Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９８９６７（Ｐ２０１１−９８９６７）
【出願日】平成２３年４月２７日（２０１１．４．２７）
【出願人】（０００１０８４１０）ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 (595)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２７日（２０１１．４．２７）
【出願人】（０００１０８４１０）ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 (595)
【Ｆターム（参考）】
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