有機発光装置および電子機器
【課題】 有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置、および、かかる有機発光装置を備える電子機器を提供することにある。
【解決手段】有機ＥＬ装置１は、基板２と、基板２上に設けられた有機ＥＬ素子５と、有機ＥＬ素子５を封止する封止部材４と、基板２と封止部材４とを接合する接合膜３とを有し、接合膜３は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、この接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、封止部材４と基板２とを接合している。
【解決手段】有機ＥＬ装置１は、基板２と、基板２上に設けられた有機ＥＬ素子５と、有機ＥＬ素子５を封止する封止部材４と、基板２と封止部材４とを接合する接合膜３とを有し、接合膜３は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、この接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、封止部材４と基板２とを接合している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、個体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置（有機発光装置）が備える有機発光素子としての用途が有望視されるなど、多くの開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に有機発光材料で構成される有機発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、有機発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが有機発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の失活エネルギーの少なくとも一部を光エネルギーとして放出することにより、有機発光層が発光する。
ところで、有機発光材料は、一般的に、水に対する反応性が高いため、水分と接触すると経時的に変質・劣化することとなる。すなわち、有機発光層が経時的に変質・劣化することとなる。そのため、有機発光層の特性が低下したり、有機発光層が接触する層との間に剥離が生じること等に起因して、有機ＥＬ素子の発光効率等の特性が低下するという問題がある。
【０００４】
かかる問題を解決すること、すなわち、有機発光材料の変質・劣化を防止することを目的に、ガスバリア性を有する封止材を用いて有機ＥＬ素子を封止して、有機ＥＬ素子の外部から内部への水分の移動（浸入）を抑制または防止する必要があるが、このようなデバイス構造として、以下のようなものが提案されている。
例えば、非特許文献１には、ガラス基板上に形成された有機ＥＬ素子を、この有機ＥＬ素子を収納し得るように形成されたガラス製の封止缶で取り囲み、ガラス基板と封止缶との接触部分を、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いて接着することにより、有機ＥＬ素子を封止するデバイス構造が提案されている。
【０００５】
ところが、このようなデバイス構造では、エポキシ樹脂等の樹脂材料が、封止缶を構成するガラス材料に比べて、ガスバリア性に劣るため、この樹脂材料を介して、水蒸気が有機ＥＬ素子中に入り込むという問題がある。そのため、上述したような方法では、有機ＥＬ素子の特性の低下を防止することができるほどに、十分な封止効果が得られていないのが実情である。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【非特許文献１】筒井哲夫 監修「有機ＥＬハンドブック」、（株）リアライズ社（２００４年６月）、ｐ．２５７−２８０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置、および、かかる有機発光装置を備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は以下の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置は、基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置を提供することができる。
【０００９】
本発明の有機発光装置では、前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料またはセラミック材料で構成されたものであることが好ましい。
これにより、有機発光素子が発する熱を、有機発光装置外部へと効率良く放熱することができ、有機発光素子をより高寿命なものとすることができる。
本発明の有機発光装置では、前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた伝熱性を発揮するものとなる。その結果、有機発光装置を駆動させ、有機発光素子が発する熱を効率良く外部へと放出することができる。また、このような接合膜は優れた伝導性を有するものとなる。
【００１０】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。結果として、封止缶と基板との間に囲まれた領域は、ガスバリア性に優れたものとなり、有機発光素子の経時的な劣化がより好適に抑制または防止され、得られる有機発光装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１１】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
かかる構成の接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜は、基板に対して特に強固に接着するとともに、封止部材に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板と封止部材とを強固に接合することができる。
【００１２】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して基板と封止部材とをより強固に接合することができるようになる。その結果、基板と封止部材とで封止された空間のガスバリア性がさらに高いものとなり、有機発光素子の経時的な劣化が、さらに好適に抑制または防止される。
【００１３】
本発明の有機発光装置は、基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置を提供することができる。
【００１４】
本発明の有機発光装置では、前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料またはセラミック材料で構成されたものであることが好ましい。
これにより、有機発光素子が発する熱を、有機発光装置外部へと効率良く放熱することができ、有機発光素子をより高寿命なものとすることができる。
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜を成膜することができる。
【００１５】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜として、純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。すなわち、接合膜を介した封止部材と基板との接合強度が特に優れたものとなる。
【００１６】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。
【００１７】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。結果として、得られる有機発光装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１８】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高い。そのため、脱離基としてアルキル基を備える接合膜は、劣化するのが好適に抑制される。また、このような接合膜は、優れた撥水性を発現するものであり、基板と封止部材とで封止された空間に水分が浸入するのをより確実に防止することができる。その結果、有機発光素子が劣化するのがより好適に抑制または防止され、有機発光装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１９】
本発明の有機発光装置では、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いて接合膜を成膜することにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、確実に接合膜を形成することができる。
本発明の有機発光装置では、前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた伝熱性を発揮するものとなる。これにより、有機発光素子が発する熱をより好適に有機発光装置外部へと放熱することができる。
【００２０】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して基板と封止部材とをより強固に接合することができるようになる。
本発明の有機発光装置は、基板と、該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置を提供することができる。
【００２１】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、基板や封止部材等の被着体に対して、化学的結合に基づいて強固に接合可能な接合膜が得られる。
本発明の有機発光装置では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、基板や封止部材等の被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
【００２２】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、封止部材と基板との接合強度を十分に高いものとすることができる、また、上記条件を満足する接合膜は十分に緻密なものとなり、優れたガスバリア性を有するものとなる。
【００２３】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、基板と封止部材とをより精度高く接合することができる。また、従来に比べ、基板と封止部材とを短時間で強固に接合することが可能になる。結果として、有機発光装置の生産性をさらに優れたものとすることができる。
【００２４】
本発明の有機発光装置では、前記基板の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、基板の表面を清浄化および活性化し、接合膜と基板との接合強度を高めることができる。
本発明の有機発光装置では、前記封止部材の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、封止部材の表面を清浄化および活性化し、接合膜と封止部材との接合強度を高めることができる。
【００２５】
本発明の有機発光装置では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、基板や封止部材の表面を特に最適化することができる。
本発明の有機発光装置では、前記封止部材と前記接合膜との間に、中間層が介挿されていることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機発光装置を得ることができる。
【００２６】
本発明の有機発光装置では、前記基板と前記接合膜との間に、中間層が介挿されていることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機発光装置を得ることができる。
本発明の有機発光装置では、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、基板や封止部材と接合膜との間の接合強度を特に高めることができる。
【００２７】
本発明の有機発光装置では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
本発明の有機発光装置では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００２８】
本発明の有機発光装置では、前記加熱の温度は、２５〜１５０℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
本発明の有機発光装置では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて基板や半導体素子に損傷等が生じるのを防止しつつ、有機発光装置の接合強度を確実に高めることができる。
【００２９】
本発明の有機発光装置では、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の有機発光装置および電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜有機発光装置＞
まず、本発明の有機発光装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）の第１実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
図１は、本発明の有機発光装置の第１実施形態を示す（模式図）横断面図、図２は、図１に示す有機発光装置におけるIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図３は、図１に示す有機発光装置におけるIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図４は、Iの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図５は、図４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図６は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図７は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図８は、IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図９および図１０は、それぞれ、図１に示す有機発光装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図１〜図８中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００３１】
図１に示す有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）装置１は、基板２と、基板２上に設けられた有機ＥＬ素子（有機発光素子）５と、有機ＥＬ素子５を封止する封止部材４と、基板２と封止部材４とを接合する接合膜３とを有している。以下、各部の構成について説明する。
基板２は、その上面に有機ＥＬ素子５が設けられ、この有機ＥＬ素子５を支持する支持体となるものであるとともに、有機ＥＬ素子５の下側で、有機ＥＬ素子５を気密的に封止する封止材として機能するものである。
【００３２】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２（後述する陽極５１）側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、基板２は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされる。
このような基板２には、透光性を有する各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が好適に用いられる。
【００３３】
具体的には、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
基板の上面には有機ＥＬ素子５が設けられている。
【００３４】
有機ＥＬ素子５は、陽極５１と、陰極５３と、陽極５１と陰極５３との間に設けられた有機半導体層（有機半導体膜）５２とを有している。
この有機半導体層５２は、Ａ：陽極５１側から正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層とがこの順で積層された積層体、Ｂ：Ａの構成から正孔輸送層または電子輸送層のいずれかを省略した積層体、Ｃ：Ａの構成から正孔輸送層および電子輸送層を省略した単層体等有機発光層を備えるものであればいかなる構成であってもよいが、以下ではＡの場合を代表に説明する。
【００３５】
陽極５１は、有機半導体層５２（本実施形態では、正孔輸送層）に正孔を注入する電極である。
この陽極５１の構成材料（陽極材料）としては、有機ＥＬ装置１が陽極５１側から光を取り出すボトムエミッション構造であるため透光性を有する導電材料が選択され、特に、仕事関数が大きく、優れた導電性を有するものが好適に用いられる。
【００３６】
このような陽極５１の構成材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００３７】
このような陽極５１は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陽極５１側から取り出すことができる。
一方、陰極５３は、有機半導体層５２（本実施形態では、電子輸送層）に電子を注入する電極である。
【００３８】
この陰極５３の構成材料（陰極材料）としては、電子輸送層への電子の注入効率を向上させることを目的に、優れた導電性を発揮するもののうち、特に、仕事関数が小さいものが好適に用いられる。
このような陰極５３の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒからなるアルカリ金属、および、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＲａからなるアルカリ土類金属等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３９】
また、陰極５３の構成材料として、上述したような金属を含む合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるようにすればよい。かかる合金を陰極５３の構成材料として用いることにより、電子の電子輸送層への注入効率および陰極５３の安定性の向上を図ることができる。
【００４０】
陽極５１と陰極５３との間には、前述したように、正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層とが陽極５１側からこの順で積層された有機半導体層５２が設けられている。
なお、かかる構成の有機半導体層５２においては、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層の構成材料が、有機半導体材料を構成する。
正孔輸送層は、陽極５１から注入された正孔を有機発光層まで輸送する機能を有するものである。
【００４１】
この正孔輸送層の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホネート、ポリアニリン：ポリスチレンスルホネート、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
なお、陽極５１と正孔輸送層との間には、例えば、陽極５１からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
また、電子輸送層は、陰極５３から注入された電子を有機発光層まで輸送する機能を有するものである。
【００４３】
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、ピロール系化合物、フォスフィンオキサイド系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
なお、陰極５３と電子輸送層との間には、例えば、陰極５３から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
この電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００４５】
ここで、陽極５１と陰極５３との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層中を移動した正孔が有機発光層に注入され、また、電子輸送層中を移動した電子が有機発光層に注入され、この有機発光層において正孔と電子とが再結合する。そして、有機発光層ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００４６】
有機発光層の構成材料（有機発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子、フルオレン系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。各種の高分子材料や、各種の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
【００４７】
このように基板２上に設けられた有機ＥＬ素子５を覆うように、基板２に封止部材４が接合されている。これにより、有機ＥＬ素子５が、基板２と封止部材４とで画成される空間６内に封止されている。
封止部材４は、天板部４１と天板部４１の周囲に沿って設けられた周壁部４２とを備え、その全体として枡状をなしている。
このような封止部材４は、ガスバリア性を有する材料で構成されている。封止部材４がこのようなガスバリア性を有する材料で構成されることにより、有機ＥＬ素子５が吸湿等により劣化するのを抑制または防止することができる。
【００４８】
このような封止部材４を構成する材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼のような金属系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、ハイドロキシアパタイト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂のような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。
【００４９】
特に、封止部材４は、金属系材料や、セラミック系材料で構成されたものであるのが好ましい。これにより有機ＥＬ素子５が発熱した際に、封止部材４を介して、有機ＥＬ装置１の外部へと効率良く放熱することができる。
本実施形態では、この封止部材４が、周壁部４２の端面４２５において、接合膜３を介して基板２と接合されている。
【００５０】
本発明ではこの接合膜３に特長を有しており、具体的には、接合膜３としては、次のようなＩまたはIIの構成のものが用いられる。
以下、ＩおよびIIの構成の接合膜３について、それぞれ、詳述する。
Ｉ：まず、Ｉの構成の接合膜３は、基板２上に設けられ、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである（図２参照。）。換言すれば、接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したものと言うことができる。
【００５１】
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図３に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５の付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、封止部材４を、接合膜３を備えた基板２に強固に接合、固定することができる。このような接合膜３は、従来から封止缶と基板との接合（接着）に用いられてきた樹脂系の接着剤に比べ、緻密であり、かつ密度が高い。そのため、樹脂系接着剤に比べ、接合膜３は、優れたガスバリア性を発揮し、有機ＥＬ装置１外部の水蒸気が、封止部材４と基板２とで封止された空間に入り込むのが確実に防止される。その結果、有機発光材料で構成された有機発光層が吸湿するのを確実に防止することができ、有機ＥＬ素子５の経時的な劣化を抑制または防止することができる。
【００５２】
さらに、このような接合膜３は、水蒸気以外にも、酸素の透過も防止することができるものである。ここで、陰極５３としては、リチウムやカルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属が、有機半導体層５２（有機発光層）への電子注入効率に優れるという観点から好適に用いられるが、このような材料は、酸素と反応し易く、その特性が劣化し易いという欠点を有している。しかしながら、本発明では、有機ＥＬ装置１が上記のような構成となっているので、空間６への酸素の透過をも防止できるため、陰極５３の劣化を長期にわたって防止することができる。
【００５３】
また、このような接合膜３は、優れた伝熱性を有するものである。そのため、有機ＥＬ素子５が発する熱を、基板２、および、接合膜３を介して封止部材４に好適に伝熱することができる。その結果、基板２、封止部材４、および接合膜３自体から有機ＥＬ装置１外部へと好適に放熱することができ、有機半導体層５２の劣化、変質を確実に防止し、有機ＥＬ装置１の寿命を長くすることができる。
【００５４】
また、接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち主として金属酸化物で構成されるものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、有機ＥＬ装置１では、封止部材４の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３を備える有機ＥＬ装置１では、従来に比べ、基板２と封止部材４とを精度高く接合することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００５５】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた伝熱性および導電性を発揮するものとなる。なお、かかる接合膜３は、高い透明性も有する。
【００５６】
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００５７】
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と封止部材４とをより強固に接合することができるようになる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００５８】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００５９】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、Ｉの構成の接合膜３では、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００６０】
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、基板２に対して特に強固に接着するとともに、封止部材４に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板２と封止部材４とを強固に接合することができる。
【００６１】
また、接合膜３の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、封止部材４と基板２との接合強度を十分に高いものとすることができる。また、このような接合膜３は十分に緻密な膜となり、優れたガスバリア性を有するものとなる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがあるとともに、十分なガスバリア性を得ることができない可能性がある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、基板２と封止部材４とを接合する際の接合条件等によっては、有機ＥＬ装置１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００６２】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２と封止部材４とを接合した際に、接合膜３の封止部材４に対する密着性を高めることができる。これにより、基板２と封止部材４とで封止された空間の気密性をさらに高くすることができる。
【００６３】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の膜自体の機械的強度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ｉ−Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、接合膜３の表面３５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｉ−Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【００６４】
以下、Ｉ−ＡおよびＩ−Ｂの方法を用いて、接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
Ｉ−Ａ：Ｉ−Ａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を基板２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができるため、接合膜３のほぼ全体に亘って脱離基３０３を導入することができる。
【００６５】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、封止部材４に対して特に強固に接合し得るものとなる。また、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、基板２に対しても高い密着性を示す。このため、基板２と封止部材４との間に高い接合強度が得られる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、有機ＥＬ装置１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００６６】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【００６７】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、基板２上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図４に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【００６８】
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
【００６９】
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、基板２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
イオン源（イオン銃）２１５は、図５に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
【００７０】
また、イオン発生室２５６には、図４に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
【００７１】
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【００７２】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【００７３】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、基板２および接合膜３が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【００７４】
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして基板２上に接合膜３が形成される。
【００７５】
まず、基板２を用意し、この基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００７６】
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
【００７７】
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
【００７８】
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が基板２上に被着することにより、接合膜３が形成される。
【００７９】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【００８０】
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
Ｉ−Ｂ：また、Ｉ−Ｂの方法では、接合膜３は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【００８１】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【００８２】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、基板２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【００８３】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ−Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法、Ｉ−Ｂ２：イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉ−Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｉ−Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【００８４】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｉ−Ｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、Ｉ−Ａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【００８５】
まず、基板２の封止部材４と接合する領域に対応する窓部を有するマスクを形成する。そして、このようにマスクが形成された基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００８６】
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
【００８７】
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、基板２上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【００８８】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【００８９】
次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、基板２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【００９０】
次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
【００９１】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【００９２】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
【００９３】
以上のような処理を行った後、マスクを除去して表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
II：次に、IIの構成の接合膜３は、基板２上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである（図６参照。）。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図７に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、封止部材４を、接合膜３を備えた基板２に強固に接合、固定することができる。このような接合膜３は、従来から封止缶と基板との接合（接着）に用いられてきた樹脂系の接着剤に比べ、緻密であり、かつ密度が高い。そのため、樹脂系接着剤に比べ、接合膜３は、優れたガスバリア性を発揮し、有機ＥＬ装置１外部の水蒸気が、封止部材４と基板２とで封止された空間に入り込むのが確実に防止される。その結果、有機発光材料で構成された有機発光層が吸湿するのを確実に防止することができ、有機ＥＬ素子５の経時的な劣化を抑制または防止することができる。
【００９４】
さらに、このような接合膜３は、水蒸気以外にも、酸素の透過も防止することができるものである。ここで、陰極５３としては、リチウムやカルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属が、有機半導体層５２（有機発光層）への電子注入効率に優れるという観点から好適に用いられるが、このような材料は、酸素と反応し易く、その特性が劣化し易いという欠点を有している。しかしながら、本発明では、有機ＥＬ装置１が上記のような構成となっているので、空間６への酸素の透過をも防止できるため、陰極５３の劣化を長期にわたって防止することができる。
【００９５】
また、このような接合膜３は、優れた伝熱性を有するものである。そのため、有機ＥＬ素子５が発する熱を、基板２、および、接合膜３を介して封止部材４に好適に伝熱することができる。その結果、基板２、封止部材４、および接合膜３自体から有機ＥＬ装置１外部へと好適に放熱することができ、有機半導体層５２の劣化、変質を確実に防止し、有機ＥＬ装置１の寿命を長くすることができる。
また、接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、有機ＥＬ装置１では、封止部材４の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
【００９６】
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３を備える有機ＥＬ装置１では、従来に比べ、基板２と封止部材４とを精度高く接合することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
【００９７】
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の伝熱性および導電性をより高めることができる。
【００９８】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、優れた伝熱性および導電性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【００９９】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１００】
具体的には、IIの構成の接合膜３では、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１０１】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。また、このような接合膜３は、優れた撥水性を発現するものであり、基板２と封止部材４とで封止された空間に水分が浸入するのが確実に防止することができる。その結果、有機ＥＬ素子５が劣化するのがより確実に防止され、有機ＥＬ装置１の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【０１０２】
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と封止部材４とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３は優れた伝熱性および導電性を発揮するものとすることができる。
【０１０３】
また、接合膜３の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、封止部材４と基板２との接合強度を十分に高いものとすることができる。また、このような接合膜３は十分に緻密な膜となり、優れたガスバリア性を有するものとなる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがあるとともに、十分なガスバリア性を得ることができない可能性がある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、基板２と封止部材４とを接合する際の接合条件等によっては、有機ＥＬ装置１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１０４】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２と封止部材４とを接合した際に、接合膜３の封止部材４に対する密着性を高めることができる。
【０１０５】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の膜自体の機械的強度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、II−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜３を形成する方法、II−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、II−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、II−Ｃの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【０１０６】
以下、II−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。
図８に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
【０１０７】
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段１３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０１０８】
基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、基板２上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、基板２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１０９】
有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
【０１１０】
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
【０１１１】
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１１２】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１１３】
以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして基板２上に接合膜３が形成される。
まず、基板２の封止部材４と接合する領域に対応する窓部を有するマスクを形成する。そして、このようにマスクが形成された基板２を成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。
【０１１４】
次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１１５】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
【０１１６】
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、基板２上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、基板２上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を基板２上に形成することができる。
【０１１７】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０１１８】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、基板２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【０１１９】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
以上のような処理を行った後、マスクを除去する。これにより、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
【０１２０】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、基板２上にIまたはIIの構成の接合膜３を成膜することができる。
なお、基板２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、上記の方法により接合膜３を形成するのに先立って、基板２の構成材料に応じて、予め、基板２と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
【０１２１】
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基板２の接合膜３を形成すべき領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、接合膜３と基板２との接合強度を高めることができる。
【０１２２】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３を形成するために、基板２の表面を特に最適化することができる。
また、表面処理に代えて、基板２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、あらかじめ、中間層を形成するようにしてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、特に限定されるものではないが、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能、接合膜３を成膜する際に接合膜３の膜成長を促進する機能（シード層）、接合膜３を保護する機能（バリア層）等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基板２と接合膜３とを接合することになり、信頼性の高い有機ＥＬ装置１を得ることができる。
【０１２３】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、銅およびその合金等の金属系材料、金属酸化物、金属窒化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２４】
また、これらの各種材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基板２と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。
以上のようにして、基板２の一方の面に接合膜３を設けることができる。
なお、上記では、接合膜３を基板２に設ける構成について説明したが、接合膜３は、封止部材４（端面４２５）に設けるようにしてもよい。この場合、端面４２５の少なくとも接合膜３を形成すべき領域に、予め、前述したような表面処理を施したり、前述した中間層を設けるようにすればよい。
【０１２５】
さらに、接合膜３は、基板２と封止部材４（端面４２５）との双方に設けるようにしてもよい。この場合には、表面処理や中間層の形成は、基板２と封止部材４の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行うようにしてもよい。
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
図９および図１０は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の便宜上、図９、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１２６】
［１］まず、基板２上に、有機ＥＬ素子５を構成する陽極５１、有機半導体層５２、陰極５３がこの順に積層された有機ＥＬ素子基板１０を準備する（図９（ａ）参照）。なお、このような有機ＥＬ素子基板２０は、陽極５１および陰極５３が、図示しない電気配線と接合されており、陽極５１と陰極５３との間に電圧が印加されることにより、有機半導体層５２が備える有機発光層が発光するものである。その後、前述したような方法で、基板２上の封止部材４と接合する領域に接合膜３をパターニングして形成する（図９（ｂ）参照）。
【０１２７】
［２］次に、接合膜３の表面３５に対してエネルギーを付与する。なお、表面３５へのエネルギーの付与は、基板２の上面全体にわたってエネルギーを付与することにより行われてもよいし、表面３５に選択的にエネルギーを付与することにより行われてもよい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与すると、接合膜３では、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の表面３５付近から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手が接合膜３の表面３５付近に生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、封止部材４との接着性が発現する。
【０１２８】
このような状態の接合膜３は、封止部材４と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【０１２９】
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図９（ｃ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
【０１３０】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１３１】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１３２】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【０１３３】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１３４】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。
【０１３５】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。
【０１３６】
また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１３７】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による基板２および接合膜３の変質・劣化を防止することができる。これにより、有機ＥＬ装置１の信頼性をさらに高めることができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３と封止部材４との間の接合強度を容易に制御することができる。
【０１３８】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
【０１３９】
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図２および図６に示すように、その表面３５付近に脱離基３０３を有している。かかる接合膜３にエネルギーを付与すると、脱離基３０３（図２では、水素原子、図６では、メチル基）が接合膜３から脱離する。これにより、図３および図７に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【０１４０】
ここで、本明細書中において、接合膜３が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１４１】
したがって、活性手３０４とは、図３および図７に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、封止部材４に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
また、本実施形態では、接合膜３と封止部材４とを接着する（貼り合わせる）前に、予め、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜３と封止部材４とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行うようにしてもよい。
【０１４２】
［３］次に、封止部材４を用意する。そして、図１０（ｄ）に示すように、活性化させた接合膜３と封止部材４とが密着するようにして、接合膜３を封止部材４に接触させる。これにより、前記工程［２］において、接合膜３が封止部材４（被着体）に対する接着性が発現していることから、接合膜３と封止部材４とが化学的に結合することとなり、接合膜３が封止部材４に接着して、封止部材４が基板２に接合される。これにより、有機ＥＬ素子５が基板２と封止部材４とで封止された有機ＥＬ装置１を得ることができる（図１０（ｅ）参照）。
【０１４３】
このようにして接合膜３と封止部材４とが接合された有機ＥＬ装置１では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜３と封止部材４とが接合されている。このため、有機ＥＬ装置１の製造時間を短縮することができ、有機ＥＬ装置１の生産性を高めることができる。また、接合膜３と封止部材４とが極めて剥離し難く、基板２と封止部材４とで封止された空間の気密性を十分に高いものとすることができる。
【０１４４】
また、後に詳述するが、基板２および封止部材４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、接合膜３と封止部材４とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化するのがよい。これにより、接合膜３と封止部材４とをより強固に接合することができる。
例えば、基板２と封止部材４の熱膨張率が互いに異なっている場合、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１４５】
具体的には、基板２と封止部材４との熱膨張率の差にもよるが、基板２および封止部材４の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、接合膜３を封止部材４に貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板２と封止部材４との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、基板２と封止部材４との間で剥離が生じるのをより確実に防止することができる。
【０１４６】
また、この場合、具体的な基板２と封止部材４との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
さらに、基板２と封止部材４は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、接合界面に熱応力が発生したとしても、この熱応力を接合膜３および封止部材４のいずれか一方で吸収して、接合膜３と封止部材４とをより強固に接合することができる。
【０１４７】
また、基板２および封止部材４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、例えば、接合膜３の熱膨張係数を、基板２の熱膨張係数と封止部材４の熱膨張係数との間に調整するようにしてもよい。これにより、有機ＥＬ装置１が熱膨張した場合でも、封止部材４と基板２との間で剥離が生じるのをより確実に防止することができる。
かかる接合膜３の熱膨張係数は、その成膜時の原料の比率、成膜条件等を適宜設定することにより調整可能である。
【０１４８】
以上説明したような封止部材４の接合膜３との接合に供される領域には、基板２と同様に、封止部材４の接合膜３と接する表面に、接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜３と封止部材４との接合強度をより高めることができる。
なお、表面処理としては、基板２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
【０１４９】
さらに、封止部材４の接合膜３との接合に供される領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３と封止部材４との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水素原子、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。
【０１５０】
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜３と特に強固に接合可能な封止部材４が得られる。
また、表面処理に代えて、封止部材４の接合膜３との接合に供される領域には、予め、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておいてもよい。これにより、かかる中間層を介して接合膜３と封止部材４とを接合することになり、より接合強度の面発光レーザ搭載基板が得られるようになる。
【０１５１】
かかる中間層の構成材料には、前述の基板２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、接合膜３と封止部材４とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、封止部材４の接合膜３との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３と封止部材４とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、封止部材４の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３と封止部材４とが接合されると推察される。
【０１５２】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と封止部材４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と封止部材４とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を封止部材４に貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１５３】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、脱離基３０３を備えた状態で化学的に比較的安定な膜であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた基板２を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［２］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、有機ＥＬ装置１の製造効率の観点から有効である。
【０１５４】
以上のようにして、有機ＥＬ装置１を得ることができる。
このようにして得られた有機ＥＬ装置１は、基板２と封止部材４との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する有機ＥＬ装置１は、各部の剥離を十分に防止し得るものとなる。すなわち、得られる有機ＥＬ装置１は、耐久性に優れたものとなる。また、本発明によれば、基板２と封止部材４とが上記のような優れた接合強度で接合されるとともに、封止部材４が発する熱を外部へと好適に放熱することができる信頼性の高い有機ＥＬ装置１を効率よく作製することができる。
なお、有機ＥＬ装置１を得る際、または、有機ＥＬ装置１を得た後に、この有機ＥＬ装置１に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（有機ＥＬ装置１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、有機ＥＬ装置１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１５５】
［４Ａ］ 本工程では、得られた有機ＥＬ装置１を、基板２と封止部材４とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、基板２の表面および封止部材４の端面４２５に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、有機ＥＬ装置１における接合強度をより高めることができる。
また、有機ＥＬ装置１を加圧することにより、有機ＥＬ装置１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、基板２と接合膜３との界面および封止部材４と接合膜３との界面の密着性が高まり、基板２と封止部材４との接合強度をさらに優れたものとすることができるとともに、基板２と封止部材４とで封止される空間の気密性をさらに高いものとすることができる。
このとき、有機ＥＬ装置１を加圧する際の圧力は、有機ＥＬ装置１が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して有機ＥＬ装置１における接合強度を高めることができる。
【０１５６】
なお、この圧力は、基板２および封止部材４の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、基板２および封止部材４の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、有機ＥＬ装置１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板２および封止部材４の各構成材料によっては、基板２および封止部材４に損傷等が生じ、基板２と封止部材４とで封止された空間の気密性を損なうおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、封止部材４を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１５７】
［４Ｂ］ 本工程では、得られた有機ＥＬ装置１を加熱する。
これにより、有機ＥＬ装置１における接合強度をより高めることができる。
このとき、有機ＥＬ装置１を加熱する際の温度は、室温より高く、有機ＥＬ装置１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１５０℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、有機ＥＬ装置１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、有機ＥＬ装置１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、有機ＥＬ装置１の接合強度を特に高めることができる。
【０１５８】
［４Ｃ］ 本工程では、得られた有機ＥＬ装置１に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と基板２および封止部材４との間に形成される化学結合を増加させ、基板２および封止部材４と接合膜３との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、有機ＥＬ装置１の信頼性をさらにに高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
【０１５９】
また、本工程［４Ｃ］を行う場合、基板２および封止部材４のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板２または封止部材４側から、紫外線を照射することにより、接合膜３に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、有機ＥＬ装置１における基板２と封止部材４との接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１６０】
このようにして製造される有機ＥＬ装置１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
なお、有機発光層の吸湿を抑制することを目的として、有機ＥＬ素子を封止する空間に吸湿剤を設ける構成が提案されている。しかしながら、このような有機ＥＬ装置としても、基板と封止缶（封止部材）との接合に前述した樹脂系接着剤を用いれば、封止された空間への水の浸入を防止することができない。このため、吸湿剤の吸湿能が、時間の経過とともに低下し、長期間にわたって有機ＥＬ素子の特性を維持することができない。これに対して、本発明の有機ＥＬ装置１では、基板２と封止部材４との接合に上述したような接合膜３を用いるので、有機ＥＬ素子１が封止される空間６内の気密性が十分に保たれる。したがって、空間６内に吸湿剤を設けなかったとしても、有機発光層が吸湿するのを長期間にわたって確実に防止することができる。
【０１６１】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第２実施形態について説明する。
図１１は、第２実施形態にかかる有機発光装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図１２は、第２実施形態にかかる有機発光装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１１および図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１６２】
以下、有機発光装置の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態にかかる有機発光装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる有機発光装置（有機ＥＬ装置）は、接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、接合膜３がシロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む材料で構成されたものである。
【０１６３】
かかる材料で構成される接合膜３は、エネルギーを付与する前の状態では、図１１に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜３にエネルギーを付与すると、図１２に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１６４】
このような材料で構成された接合膜３も、第１実施形態の接合膜３と同様に、従来の樹脂系の接着剤に比べ、緻密で、かつ密度が高いため、優れたガスバリア性を有するものとなる。その結果、有機ＥＬ装置１外部の水蒸気、酸素等の気体が、封止部材４と基板２とで封止された空間に入り込むのが確実に防止され、有機ＥＬ素子５の経時的な劣化を抑制または防止することができる。
【０１６５】
以下、本実施形態にかかる接合膜３について説明する。
このような接合膜３は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、有機ＥＬ装置１では、封止部材４の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
また、接合膜３を用いて基板２と封止部材４とを接合したことにより、接着剤を用いて接合した場合に、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
【０１６６】
また、このような接合膜３は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３を備える有機ＥＬ装置１では、従来に比べ、基板２と封止部材４とを精度高く接合することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１６７】
このような接合膜３としては、特に、接合膜３を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜３は、基板２および封止部材４に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０１６８】
また、接合膜３中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と封止部材４とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【０１６９】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【０１７０】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１７１】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【０１７２】
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。また、このような接合膜３は、優れた撥水性を発現するものであり、基板２と封止部材４とで封止された空間に水分が浸入するのが確実に防止することができる。その結果、有機ＥＬ素子５が劣化するのがより確実に防止され、有機ＥＬ装置１の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【０１７３】
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、基板２と封止部材４とをより強固に接合することができる。
【０１７４】
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、エネルギーを付与された領域に接着性が発現するとともに、エネルギーを付与しなかった領域においては、前述したアルキル基による優れた撥液性が得られるという利点も有する。したがって、電子回路装置１０を湿度が比較的高い場所で用いても、チップコンデンサ６と配線基板７との接合性を高い状態で維持することができ、電子回路装置１０の耐久性をさらに優れたものとすることができる。
【０１７５】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３は、接着性に特に優れることから、基板２と封止部材４との接合に特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【０１７６】
このような接合膜３は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギーを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜３を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、基板２と封止部材４とを特に強固に接合し得るものとなる。また、緻密な接合膜３で基板２と封止部材４とが接合されるため、有機ＥＬ素子５の劣化をより確実に抑制、または防止することができ、有機ＥＬ装置１の信頼性のさらなる向上を図ることができる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、有機ＥＬ装置１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１７７】
次に、一例として、基板２の上面に、プラズマ重合法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合について説明する。
プラズマ重合法は、例えば、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を基板２の上面に堆積させ、膜を得る方法である。
以下、接合膜３をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、まず、接合膜３の形成方法を説明するのに先立って、基板２の上面にプラズマ重合法を行いて接合膜３を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜３の形成方法を含む有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
【０１７８】
図１３に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、基板２を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
【０１７９】
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図１３に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
【０１８０】
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
【０１８１】
第１の電極１３０は、板状をなしており、基板２を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、水平方向に沿って設けられている。また、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。
第１の電極１３０の基板２を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図１３に示すように、基板２を保持することができる。また、基板２に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で基板２をプラズマ処理に供することができる。
【０１８２】
第２の電極１４０は、基板２を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
【０１８３】
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
【０１８４】
図１３に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【０１８５】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して基板２の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
【０１８６】
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
【０１８７】
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による基板２の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１６０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【０１８８】
次に、本実施形態の接合膜３の成膜方法について説明する。
まず、基板２の封止部材４と接合する領域に対応する窓部を有するマスクを形成する。そして、このようにマスクが形成された基板２を、プラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
そして、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
【０１８９】
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【０１９０】
次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が基板２上に付着・堆積する。これにより、基板２上にプラズマ重合膜で構成された接合膜３が形成される。
【０１９１】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【０１９２】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
【０１９３】
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜３の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜３の厚さを容易に調整することができる。
【０１９４】
また、基板２の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のような処理を行った後、各種エッチング法を用いてマスクを除去し、接合膜３を得ることができる。
このようにして形成された接合膜３にエネルギーを付与することにより、前記第１実施形態と同様の接着性が得られる。なお、接合膜３にエネルギーを付与する方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
【０１９５】
＜電子機器＞
次に、上述した有機ＥＬ装置１を備える本発明の電子機器について説明する。
なお、以下では、本発明の電子機器の一例として、携帯電話を代表に説明する。
図１４は、携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
図１４に示す携帯電話は、表示部１００１を備える携帯電話本体１０００を有している。携帯電話本体１０００には、上述した有機ＥＬ装置１が内蔵されており、これらは、携帯電話機本体１０００において表示部１００１などとして用いられる。
なお、有機ＥＬ装置１は、図１４で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。
【０１９６】
例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、本発明の電子機器は、表示機能を有しない発光機能のみを有するものであってもよい。
【０１９７】
有機ＥＬ装置１は、上述したように、基板２と封止部材４とで封止された空間の気密性が高く、有機ＥＬ素子５が劣化するのが抑制、または防止されたものである。したがって、このような有機ＥＬ装置１を搭載した電子機器は、使用環境によらず、品質劣化が抑えられた信頼性の高いものとなる。
以上、本発明の有機発光装置および電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１９８】
例えば、本発明の有機発光装置および電子機器は、前記実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
なお、上述した実施形態では、基板２上に有機ＥＬ素子５が１つ設けられている場合を示したが、これは模式的に示したものであり、このような場合に限定されず、複数の有機ＥＬ素子が基板上に設けられ、これらの素子により複数の画素が形成されるものであってもよい。
【０１９９】
また、本発明の有機発光装置は、上述した有機発光装置に適用できる他、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）のようなスイッチング素子を備えるスイッチング装置にも適用することができる。
さらに、本発明の有機半導体装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】本発明の有機発光装置の第１実施形態を示す横断面図である。
【図２】図１に示す有機発光装置におけるIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図３】図１に示す有機発光装置におけるIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図４】Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図５】図４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図６】IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図７】IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図８】IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図９】図１に示す有機発光装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１０】図１に示す有機発光装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１１】本発明の有機発光装置の第２実施形態における接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１２】本発明の有機発光装置の第２実施形態における接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１３】本発明の有機発光装置の第２実施形態における接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。
【図１４】携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２０１】
１……有機ＥＬ装置 ２……基板 ３……接合膜 ３０１……Ｓｉ骨格 ３０２……シロキサン結合 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ３５……表面 ４……封止部材 ４１…天板部 ４２…周壁部 ４２５…端面 ５……有機ＥＬ素子 ５１……陽極 ５２……有機半導体層 ５３……陰極 ６……空間 １０……有機ＥＬ素子基板 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １７０……ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ ４１０……配線基板 ４１２……電極 ４１３……絶縁基板 ４１４……リード ４１５……電極 ４１６……導電層 ５００……成膜装置 ５１１……チャンバー ５１２……基板ホルダー ５２１……シャッター ５３０……排気手段 ５３１……排気ライン ５３２……ポンプ ５３３……バルブ ５６０……有機金属材料供給手段 ５６１……ガス供給ライン ５６２……貯留槽 ５６３……バルブ ５６４……ポンプ ５６５……ガスボンベ ５７０……ガス供給手段 ５７１……ガス供給ライン ５７３……バルブ ５７４……ポンプ ５７５……ガスボンベ １０００……携帯電話本体 １００１……表示部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、個体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置（有機発光装置）が備える有機発光素子としての用途が有望視されるなど、多くの開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に有機発光材料で構成される有機発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、有機発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが有機発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の失活エネルギーの少なくとも一部を光エネルギーとして放出することにより、有機発光層が発光する。
ところで、有機発光材料は、一般的に、水に対する反応性が高いため、水分と接触すると経時的に変質・劣化することとなる。すなわち、有機発光層が経時的に変質・劣化することとなる。そのため、有機発光層の特性が低下したり、有機発光層が接触する層との間に剥離が生じること等に起因して、有機ＥＬ素子の発光効率等の特性が低下するという問題がある。
【０００４】
かかる問題を解決すること、すなわち、有機発光材料の変質・劣化を防止することを目的に、ガスバリア性を有する封止材を用いて有機ＥＬ素子を封止して、有機ＥＬ素子の外部から内部への水分の移動（浸入）を抑制または防止する必要があるが、このようなデバイス構造として、以下のようなものが提案されている。
例えば、非特許文献１には、ガラス基板上に形成された有機ＥＬ素子を、この有機ＥＬ素子を収納し得るように形成されたガラス製の封止缶で取り囲み、ガラス基板と封止缶との接触部分を、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いて接着することにより、有機ＥＬ素子を封止するデバイス構造が提案されている。
【０００５】
ところが、このようなデバイス構造では、エポキシ樹脂等の樹脂材料が、封止缶を構成するガラス材料に比べて、ガスバリア性に劣るため、この樹脂材料を介して、水蒸気が有機ＥＬ素子中に入り込むという問題がある。そのため、上述したような方法では、有機ＥＬ素子の特性の低下を防止することができるほどに、十分な封止効果が得られていないのが実情である。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【非特許文献１】筒井哲夫 監修「有機ＥＬハンドブック」、（株）リアライズ社（２００４年６月）、ｐ．２５７−２８０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置、および、かかる有機発光装置を備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は以下の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置は、基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置を提供することができる。
【０００９】
本発明の有機発光装置では、前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料またはセラミック材料で構成されたものであることが好ましい。
これにより、有機発光素子が発する熱を、有機発光装置外部へと効率良く放熱することができ、有機発光素子をより高寿命なものとすることができる。
本発明の有機発光装置では、前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた伝熱性を発揮するものとなる。その結果、有機発光装置を駆動させ、有機発光素子が発する熱を効率良く外部へと放出することができる。また、このような接合膜は優れた伝導性を有するものとなる。
【００１０】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。結果として、封止缶と基板との間に囲まれた領域は、ガスバリア性に優れたものとなり、有機発光素子の経時的な劣化がより好適に抑制または防止され、得られる有機発光装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１１】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
かかる構成の接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜は、基板に対して特に強固に接着するとともに、封止部材に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板と封止部材とを強固に接合することができる。
【００１２】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して基板と封止部材とをより強固に接合することができるようになる。その結果、基板と封止部材とで封止された空間のガスバリア性がさらに高いものとなり、有機発光素子の経時的な劣化が、さらに好適に抑制または防止される。
【００１３】
本発明の有機発光装置は、基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置を提供することができる。
【００１４】
本発明の有機発光装置では、前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料またはセラミック材料で構成されたものであることが好ましい。
これにより、有機発光素子が発する熱を、有機発光装置外部へと効率良く放熱することができ、有機発光素子をより高寿命なものとすることができる。
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜を成膜することができる。
【００１５】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜として、純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。すなわち、接合膜を介した封止部材と基板との接合強度が特に優れたものとなる。
【００１６】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。
【００１７】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。結果として、得られる有機発光装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１８】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高い。そのため、脱離基としてアルキル基を備える接合膜は、劣化するのが好適に抑制される。また、このような接合膜は、優れた撥水性を発現するものであり、基板と封止部材とで封止された空間に水分が浸入するのをより確実に防止することができる。その結果、有機発光素子が劣化するのがより好適に抑制または防止され、有機発光装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１９】
本発明の有機発光装置では、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いて接合膜を成膜することにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、確実に接合膜を形成することができる。
本発明の有機発光装置では、前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた伝熱性を発揮するものとなる。これにより、有機発光素子が発する熱をより好適に有機発光装置外部へと放熱することができる。
【００２０】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して基板と封止部材とをより強固に接合することができるようになる。
本発明の有機発光装置は、基板と、該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、有機発光装置が備える有機発光素子の特性の経時的な劣化を抑制または防止することができる有機発光装置を提供することができる。
【００２１】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、基板や封止部材等の被着体に対して、化学的結合に基づいて強固に接合可能な接合膜が得られる。
本発明の有機発光装置では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、基板や封止部材等の被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
【００２２】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、封止部材と基板との接合強度を十分に高いものとすることができる、また、上記条件を満足する接合膜は十分に緻密なものとなり、優れたガスバリア性を有するものとなる。
【００２３】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、基板と封止部材とをより精度高く接合することができる。また、従来に比べ、基板と封止部材とを短時間で強固に接合することが可能になる。結果として、有機発光装置の生産性をさらに優れたものとすることができる。
【００２４】
本発明の有機発光装置では、前記基板の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、基板の表面を清浄化および活性化し、接合膜と基板との接合強度を高めることができる。
本発明の有機発光装置では、前記封止部材の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、封止部材の表面を清浄化および活性化し、接合膜と封止部材との接合強度を高めることができる。
【００２５】
本発明の有機発光装置では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、基板や封止部材の表面を特に最適化することができる。
本発明の有機発光装置では、前記封止部材と前記接合膜との間に、中間層が介挿されていることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機発光装置を得ることができる。
【００２６】
本発明の有機発光装置では、前記基板と前記接合膜との間に、中間層が介挿されていることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機発光装置を得ることができる。
本発明の有機発光装置では、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、基板や封止部材と接合膜との間の接合強度を特に高めることができる。
【００２７】
本発明の有機発光装置では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
本発明の有機発光装置では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００２８】
本発明の有機発光装置では、前記加熱の温度は、２５〜１５０℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
本発明の有機発光装置では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて基板や半導体素子に損傷等が生じるのを防止しつつ、有機発光装置の接合強度を確実に高めることができる。
【００２９】
本発明の有機発光装置では、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の有機発光装置および電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜有機発光装置＞
まず、本発明の有機発光装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）の第１実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
図１は、本発明の有機発光装置の第１実施形態を示す（模式図）横断面図、図２は、図１に示す有機発光装置におけるIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図３は、図１に示す有機発光装置におけるIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図４は、Iの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図５は、図４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図６は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図７は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図８は、IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図９および図１０は、それぞれ、図１に示す有機発光装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図１〜図８中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００３１】
図１に示す有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）装置１は、基板２と、基板２上に設けられた有機ＥＬ素子（有機発光素子）５と、有機ＥＬ素子５を封止する封止部材４と、基板２と封止部材４とを接合する接合膜３とを有している。以下、各部の構成について説明する。
基板２は、その上面に有機ＥＬ素子５が設けられ、この有機ＥＬ素子５を支持する支持体となるものであるとともに、有機ＥＬ素子５の下側で、有機ＥＬ素子５を気密的に封止する封止材として機能するものである。
【００３２】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２（後述する陽極５１）側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、基板２は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされる。
このような基板２には、透光性を有する各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が好適に用いられる。
【００３３】
具体的には、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
基板の上面には有機ＥＬ素子５が設けられている。
【００３４】
有機ＥＬ素子５は、陽極５１と、陰極５３と、陽極５１と陰極５３との間に設けられた有機半導体層（有機半導体膜）５２とを有している。
この有機半導体層５２は、Ａ：陽極５１側から正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層とがこの順で積層された積層体、Ｂ：Ａの構成から正孔輸送層または電子輸送層のいずれかを省略した積層体、Ｃ：Ａの構成から正孔輸送層および電子輸送層を省略した単層体等有機発光層を備えるものであればいかなる構成であってもよいが、以下ではＡの場合を代表に説明する。
【００３５】
陽極５１は、有機半導体層５２（本実施形態では、正孔輸送層）に正孔を注入する電極である。
この陽極５１の構成材料（陽極材料）としては、有機ＥＬ装置１が陽極５１側から光を取り出すボトムエミッション構造であるため透光性を有する導電材料が選択され、特に、仕事関数が大きく、優れた導電性を有するものが好適に用いられる。
【００３６】
このような陽極５１の構成材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００３７】
このような陽極５１は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陽極５１側から取り出すことができる。
一方、陰極５３は、有機半導体層５２（本実施形態では、電子輸送層）に電子を注入する電極である。
【００３８】
この陰極５３の構成材料（陰極材料）としては、電子輸送層への電子の注入効率を向上させることを目的に、優れた導電性を発揮するもののうち、特に、仕事関数が小さいものが好適に用いられる。
このような陰極５３の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒからなるアルカリ金属、および、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＲａからなるアルカリ土類金属等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３９】
また、陰極５３の構成材料として、上述したような金属を含む合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるようにすればよい。かかる合金を陰極５３の構成材料として用いることにより、電子の電子輸送層への注入効率および陰極５３の安定性の向上を図ることができる。
【００４０】
陽極５１と陰極５３との間には、前述したように、正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層とが陽極５１側からこの順で積層された有機半導体層５２が設けられている。
なお、かかる構成の有機半導体層５２においては、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層の構成材料が、有機半導体材料を構成する。
正孔輸送層は、陽極５１から注入された正孔を有機発光層まで輸送する機能を有するものである。
【００４１】
この正孔輸送層の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホネート、ポリアニリン：ポリスチレンスルホネート、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
なお、陽極５１と正孔輸送層との間には、例えば、陽極５１からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
また、電子輸送層は、陰極５３から注入された電子を有機発光層まで輸送する機能を有するものである。
【００４３】
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、ピロール系化合物、フォスフィンオキサイド系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
なお、陰極５３と電子輸送層との間には、例えば、陰極５３から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
この電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００４５】
ここで、陽極５１と陰極５３との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層中を移動した正孔が有機発光層に注入され、また、電子輸送層中を移動した電子が有機発光層に注入され、この有機発光層において正孔と電子とが再結合する。そして、有機発光層ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００４６】
有機発光層の構成材料（有機発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子、フルオレン系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。各種の高分子材料や、各種の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
【００４７】
このように基板２上に設けられた有機ＥＬ素子５を覆うように、基板２に封止部材４が接合されている。これにより、有機ＥＬ素子５が、基板２と封止部材４とで画成される空間６内に封止されている。
封止部材４は、天板部４１と天板部４１の周囲に沿って設けられた周壁部４２とを備え、その全体として枡状をなしている。
このような封止部材４は、ガスバリア性を有する材料で構成されている。封止部材４がこのようなガスバリア性を有する材料で構成されることにより、有機ＥＬ素子５が吸湿等により劣化するのを抑制または防止することができる。
【００４８】
このような封止部材４を構成する材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼のような金属系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、ハイドロキシアパタイト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂のような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。
【００４９】
特に、封止部材４は、金属系材料や、セラミック系材料で構成されたものであるのが好ましい。これにより有機ＥＬ素子５が発熱した際に、封止部材４を介して、有機ＥＬ装置１の外部へと効率良く放熱することができる。
本実施形態では、この封止部材４が、周壁部４２の端面４２５において、接合膜３を介して基板２と接合されている。
【００５０】
本発明ではこの接合膜３に特長を有しており、具体的には、接合膜３としては、次のようなＩまたはIIの構成のものが用いられる。
以下、ＩおよびIIの構成の接合膜３について、それぞれ、詳述する。
Ｉ：まず、Ｉの構成の接合膜３は、基板２上に設けられ、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである（図２参照。）。換言すれば、接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したものと言うことができる。
【００５１】
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図３に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５の付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、封止部材４を、接合膜３を備えた基板２に強固に接合、固定することができる。このような接合膜３は、従来から封止缶と基板との接合（接着）に用いられてきた樹脂系の接着剤に比べ、緻密であり、かつ密度が高い。そのため、樹脂系接着剤に比べ、接合膜３は、優れたガスバリア性を発揮し、有機ＥＬ装置１外部の水蒸気が、封止部材４と基板２とで封止された空間に入り込むのが確実に防止される。その結果、有機発光材料で構成された有機発光層が吸湿するのを確実に防止することができ、有機ＥＬ素子５の経時的な劣化を抑制または防止することができる。
【００５２】
さらに、このような接合膜３は、水蒸気以外にも、酸素の透過も防止することができるものである。ここで、陰極５３としては、リチウムやカルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属が、有機半導体層５２（有機発光層）への電子注入効率に優れるという観点から好適に用いられるが、このような材料は、酸素と反応し易く、その特性が劣化し易いという欠点を有している。しかしながら、本発明では、有機ＥＬ装置１が上記のような構成となっているので、空間６への酸素の透過をも防止できるため、陰極５３の劣化を長期にわたって防止することができる。
【００５３】
また、このような接合膜３は、優れた伝熱性を有するものである。そのため、有機ＥＬ素子５が発する熱を、基板２、および、接合膜３を介して封止部材４に好適に伝熱することができる。その結果、基板２、封止部材４、および接合膜３自体から有機ＥＬ装置１外部へと好適に放熱することができ、有機半導体層５２の劣化、変質を確実に防止し、有機ＥＬ装置１の寿命を長くすることができる。
【００５４】
また、接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち主として金属酸化物で構成されるものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、有機ＥＬ装置１では、封止部材４の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３を備える有機ＥＬ装置１では、従来に比べ、基板２と封止部材４とを精度高く接合することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００５５】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた伝熱性および導電性を発揮するものとなる。なお、かかる接合膜３は、高い透明性も有する。
【００５６】
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００５７】
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と封止部材４とをより強固に接合することができるようになる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００５８】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００５９】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、Ｉの構成の接合膜３では、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００６０】
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、基板２に対して特に強固に接着するとともに、封止部材４に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板２と封止部材４とを強固に接合することができる。
【００６１】
また、接合膜３の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、封止部材４と基板２との接合強度を十分に高いものとすることができる。また、このような接合膜３は十分に緻密な膜となり、優れたガスバリア性を有するものとなる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがあるとともに、十分なガスバリア性を得ることができない可能性がある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、基板２と封止部材４とを接合する際の接合条件等によっては、有機ＥＬ装置１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００６２】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２と封止部材４とを接合した際に、接合膜３の封止部材４に対する密着性を高めることができる。これにより、基板２と封止部材４とで封止された空間の気密性をさらに高くすることができる。
【００６３】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の膜自体の機械的強度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ｉ−Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、接合膜３の表面３５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｉ−Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【００６４】
以下、Ｉ−ＡおよびＩ−Ｂの方法を用いて、接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
Ｉ−Ａ：Ｉ−Ａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を基板２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができるため、接合膜３のほぼ全体に亘って脱離基３０３を導入することができる。
【００６５】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、封止部材４に対して特に強固に接合し得るものとなる。また、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、基板２に対しても高い密着性を示す。このため、基板２と封止部材４との間に高い接合強度が得られる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、有機ＥＬ装置１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００６６】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【００６７】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、基板２上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図４に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【００６８】
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
【００６９】
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、基板２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
イオン源（イオン銃）２１５は、図５に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
【００７０】
また、イオン発生室２５６には、図４に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
【００７１】
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【００７２】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【００７３】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、基板２および接合膜３が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【００７４】
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして基板２上に接合膜３が形成される。
【００７５】
まず、基板２を用意し、この基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００７６】
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
【００７７】
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
【００７８】
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が基板２上に被着することにより、接合膜３が形成される。
【００７９】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【００８０】
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
Ｉ−Ｂ：また、Ｉ−Ｂの方法では、接合膜３は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【００８１】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【００８２】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、基板２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【００８３】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ−Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法、Ｉ−Ｂ２：イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉ−Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｉ−Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【００８４】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｉ−Ｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、Ｉ−Ａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【００８５】
まず、基板２の封止部材４と接合する領域に対応する窓部を有するマスクを形成する。そして、このようにマスクが形成された基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００８６】
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
【００８７】
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、基板２上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【００８８】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【００８９】
次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、基板２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【００９０】
次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
【００９１】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【００９２】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
【００９３】
以上のような処理を行った後、マスクを除去して表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
II：次に、IIの構成の接合膜３は、基板２上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである（図６参照。）。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図７に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、封止部材４を、接合膜３を備えた基板２に強固に接合、固定することができる。このような接合膜３は、従来から封止缶と基板との接合（接着）に用いられてきた樹脂系の接着剤に比べ、緻密であり、かつ密度が高い。そのため、樹脂系接着剤に比べ、接合膜３は、優れたガスバリア性を発揮し、有機ＥＬ装置１外部の水蒸気が、封止部材４と基板２とで封止された空間に入り込むのが確実に防止される。その結果、有機発光材料で構成された有機発光層が吸湿するのを確実に防止することができ、有機ＥＬ素子５の経時的な劣化を抑制または防止することができる。
【００９４】
さらに、このような接合膜３は、水蒸気以外にも、酸素の透過も防止することができるものである。ここで、陰極５３としては、リチウムやカルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属が、有機半導体層５２（有機発光層）への電子注入効率に優れるという観点から好適に用いられるが、このような材料は、酸素と反応し易く、その特性が劣化し易いという欠点を有している。しかしながら、本発明では、有機ＥＬ装置１が上記のような構成となっているので、空間６への酸素の透過をも防止できるため、陰極５３の劣化を長期にわたって防止することができる。
【００９５】
また、このような接合膜３は、優れた伝熱性を有するものである。そのため、有機ＥＬ素子５が発する熱を、基板２、および、接合膜３を介して封止部材４に好適に伝熱することができる。その結果、基板２、封止部材４、および接合膜３自体から有機ＥＬ装置１外部へと好適に放熱することができ、有機半導体層５２の劣化、変質を確実に防止し、有機ＥＬ装置１の寿命を長くすることができる。
また、接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、有機ＥＬ装置１では、封止部材４の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
【００９６】
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３を備える有機ＥＬ装置１では、従来に比べ、基板２と封止部材４とを精度高く接合することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
【００９７】
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の伝熱性および導電性をより高めることができる。
【００９８】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、優れた伝熱性および導電性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【００９９】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１００】
具体的には、IIの構成の接合膜３では、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１０１】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。また、このような接合膜３は、優れた撥水性を発現するものであり、基板２と封止部材４とで封止された空間に水分が浸入するのが確実に防止することができる。その結果、有機ＥＬ素子５が劣化するのがより確実に防止され、有機ＥＬ装置１の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【０１０２】
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と封止部材４とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３は優れた伝熱性および導電性を発揮するものとすることができる。
【０１０３】
また、接合膜３の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、封止部材４と基板２との接合強度を十分に高いものとすることができる。また、このような接合膜３は十分に緻密な膜となり、優れたガスバリア性を有するものとなる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがあるとともに、十分なガスバリア性を得ることができない可能性がある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、基板２と封止部材４とを接合する際の接合条件等によっては、有機ＥＬ装置１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１０４】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２と封止部材４とを接合した際に、接合膜３の封止部材４に対する密着性を高めることができる。
【０１０５】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の膜自体の機械的強度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、II−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜３を形成する方法、II−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、II−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、II−Ｃの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【０１０６】
以下、II−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。
図８に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
【０１０７】
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段１３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０１０８】
基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、基板２上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、基板２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１０９】
有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
【０１１０】
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
【０１１１】
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１１２】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１１３】
以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして基板２上に接合膜３が形成される。
まず、基板２の封止部材４と接合する領域に対応する窓部を有するマスクを形成する。そして、このようにマスクが形成された基板２を成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。
【０１１４】
次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１１５】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
【０１１６】
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、基板２上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、基板２上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を基板２上に形成することができる。
【０１１７】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０１１８】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、基板２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【０１１９】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
以上のような処理を行った後、マスクを除去する。これにより、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
【０１２０】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、基板２上にIまたはIIの構成の接合膜３を成膜することができる。
なお、基板２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、上記の方法により接合膜３を形成するのに先立って、基板２の構成材料に応じて、予め、基板２と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
【０１２１】
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基板２の接合膜３を形成すべき領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、接合膜３と基板２との接合強度を高めることができる。
【０１２２】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３を形成するために、基板２の表面を特に最適化することができる。
また、表面処理に代えて、基板２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、あらかじめ、中間層を形成するようにしてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、特に限定されるものではないが、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能、接合膜３を成膜する際に接合膜３の膜成長を促進する機能（シード層）、接合膜３を保護する機能（バリア層）等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基板２と接合膜３とを接合することになり、信頼性の高い有機ＥＬ装置１を得ることができる。
【０１２３】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、銅およびその合金等の金属系材料、金属酸化物、金属窒化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２４】
また、これらの各種材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基板２と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。
以上のようにして、基板２の一方の面に接合膜３を設けることができる。
なお、上記では、接合膜３を基板２に設ける構成について説明したが、接合膜３は、封止部材４（端面４２５）に設けるようにしてもよい。この場合、端面４２５の少なくとも接合膜３を形成すべき領域に、予め、前述したような表面処理を施したり、前述した中間層を設けるようにすればよい。
【０１２５】
さらに、接合膜３は、基板２と封止部材４（端面４２５）との双方に設けるようにしてもよい。この場合には、表面処理や中間層の形成は、基板２と封止部材４の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行うようにしてもよい。
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
図９および図１０は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の便宜上、図９、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１２６】
［１］まず、基板２上に、有機ＥＬ素子５を構成する陽極５１、有機半導体層５２、陰極５３がこの順に積層された有機ＥＬ素子基板１０を準備する（図９（ａ）参照）。なお、このような有機ＥＬ素子基板２０は、陽極５１および陰極５３が、図示しない電気配線と接合されており、陽極５１と陰極５３との間に電圧が印加されることにより、有機半導体層５２が備える有機発光層が発光するものである。その後、前述したような方法で、基板２上の封止部材４と接合する領域に接合膜３をパターニングして形成する（図９（ｂ）参照）。
【０１２７】
［２］次に、接合膜３の表面３５に対してエネルギーを付与する。なお、表面３５へのエネルギーの付与は、基板２の上面全体にわたってエネルギーを付与することにより行われてもよいし、表面３５に選択的にエネルギーを付与することにより行われてもよい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与すると、接合膜３では、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の表面３５付近から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手が接合膜３の表面３５付近に生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、封止部材４との接着性が発現する。
【０１２８】
このような状態の接合膜３は、封止部材４と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【０１２９】
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図９（ｃ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
【０１３０】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１３１】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１３２】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【０１３３】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１３４】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。
【０１３５】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。
【０１３６】
また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１３７】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による基板２および接合膜３の変質・劣化を防止することができる。これにより、有機ＥＬ装置１の信頼性をさらに高めることができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３と封止部材４との間の接合強度を容易に制御することができる。
【０１３８】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
【０１３９】
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図２および図６に示すように、その表面３５付近に脱離基３０３を有している。かかる接合膜３にエネルギーを付与すると、脱離基３０３（図２では、水素原子、図６では、メチル基）が接合膜３から脱離する。これにより、図３および図７に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【０１４０】
ここで、本明細書中において、接合膜３が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１４１】
したがって、活性手３０４とは、図３および図７に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、封止部材４に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
また、本実施形態では、接合膜３と封止部材４とを接着する（貼り合わせる）前に、予め、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜３と封止部材４とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行うようにしてもよい。
【０１４２】
［３］次に、封止部材４を用意する。そして、図１０（ｄ）に示すように、活性化させた接合膜３と封止部材４とが密着するようにして、接合膜３を封止部材４に接触させる。これにより、前記工程［２］において、接合膜３が封止部材４（被着体）に対する接着性が発現していることから、接合膜３と封止部材４とが化学的に結合することとなり、接合膜３が封止部材４に接着して、封止部材４が基板２に接合される。これにより、有機ＥＬ素子５が基板２と封止部材４とで封止された有機ＥＬ装置１を得ることができる（図１０（ｅ）参照）。
【０１４３】
このようにして接合膜３と封止部材４とが接合された有機ＥＬ装置１では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜３と封止部材４とが接合されている。このため、有機ＥＬ装置１の製造時間を短縮することができ、有機ＥＬ装置１の生産性を高めることができる。また、接合膜３と封止部材４とが極めて剥離し難く、基板２と封止部材４とで封止された空間の気密性を十分に高いものとすることができる。
【０１４４】
また、後に詳述するが、基板２および封止部材４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、接合膜３と封止部材４とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化するのがよい。これにより、接合膜３と封止部材４とをより強固に接合することができる。
例えば、基板２と封止部材４の熱膨張率が互いに異なっている場合、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１４５】
具体的には、基板２と封止部材４との熱膨張率の差にもよるが、基板２および封止部材４の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、接合膜３を封止部材４に貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板２と封止部材４との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、基板２と封止部材４との間で剥離が生じるのをより確実に防止することができる。
【０１４６】
また、この場合、具体的な基板２と封止部材４との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
さらに、基板２と封止部材４は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、接合界面に熱応力が発生したとしても、この熱応力を接合膜３および封止部材４のいずれか一方で吸収して、接合膜３と封止部材４とをより強固に接合することができる。
【０１４７】
また、基板２および封止部材４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、例えば、接合膜３の熱膨張係数を、基板２の熱膨張係数と封止部材４の熱膨張係数との間に調整するようにしてもよい。これにより、有機ＥＬ装置１が熱膨張した場合でも、封止部材４と基板２との間で剥離が生じるのをより確実に防止することができる。
かかる接合膜３の熱膨張係数は、その成膜時の原料の比率、成膜条件等を適宜設定することにより調整可能である。
【０１４８】
以上説明したような封止部材４の接合膜３との接合に供される領域には、基板２と同様に、封止部材４の接合膜３と接する表面に、接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜３と封止部材４との接合強度をより高めることができる。
なお、表面処理としては、基板２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
【０１４９】
さらに、封止部材４の接合膜３との接合に供される領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３と封止部材４との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水素原子、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。
【０１５０】
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜３と特に強固に接合可能な封止部材４が得られる。
また、表面処理に代えて、封止部材４の接合膜３との接合に供される領域には、予め、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておいてもよい。これにより、かかる中間層を介して接合膜３と封止部材４とを接合することになり、より接合強度の面発光レーザ搭載基板が得られるようになる。
【０１５１】
かかる中間層の構成材料には、前述の基板２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、接合膜３と封止部材４とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、封止部材４の接合膜３との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３と封止部材４とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、封止部材４の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３と封止部材４とが接合されると推察される。
【０１５２】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と封止部材４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と封止部材４とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を封止部材４に貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１５３】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、脱離基３０３を備えた状態で化学的に比較的安定な膜であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた基板２を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［２］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、有機ＥＬ装置１の製造効率の観点から有効である。
【０１５４】
以上のようにして、有機ＥＬ装置１を得ることができる。
このようにして得られた有機ＥＬ装置１は、基板２と封止部材４との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する有機ＥＬ装置１は、各部の剥離を十分に防止し得るものとなる。すなわち、得られる有機ＥＬ装置１は、耐久性に優れたものとなる。また、本発明によれば、基板２と封止部材４とが上記のような優れた接合強度で接合されるとともに、封止部材４が発する熱を外部へと好適に放熱することができる信頼性の高い有機ＥＬ装置１を効率よく作製することができる。
なお、有機ＥＬ装置１を得る際、または、有機ＥＬ装置１を得た後に、この有機ＥＬ装置１に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（有機ＥＬ装置１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、有機ＥＬ装置１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１５５】
［４Ａ］ 本工程では、得られた有機ＥＬ装置１を、基板２と封止部材４とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、基板２の表面および封止部材４の端面４２５に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、有機ＥＬ装置１における接合強度をより高めることができる。
また、有機ＥＬ装置１を加圧することにより、有機ＥＬ装置１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、基板２と接合膜３との界面および封止部材４と接合膜３との界面の密着性が高まり、基板２と封止部材４との接合強度をさらに優れたものとすることができるとともに、基板２と封止部材４とで封止される空間の気密性をさらに高いものとすることができる。
このとき、有機ＥＬ装置１を加圧する際の圧力は、有機ＥＬ装置１が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して有機ＥＬ装置１における接合強度を高めることができる。
【０１５６】
なお、この圧力は、基板２および封止部材４の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、基板２および封止部材４の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、有機ＥＬ装置１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板２および封止部材４の各構成材料によっては、基板２および封止部材４に損傷等が生じ、基板２と封止部材４とで封止された空間の気密性を損なうおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、封止部材４を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１５７】
［４Ｂ］ 本工程では、得られた有機ＥＬ装置１を加熱する。
これにより、有機ＥＬ装置１における接合強度をより高めることができる。
このとき、有機ＥＬ装置１を加熱する際の温度は、室温より高く、有機ＥＬ装置１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１５０℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、有機ＥＬ装置１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、有機ＥＬ装置１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、有機ＥＬ装置１の接合強度を特に高めることができる。
【０１５８】
［４Ｃ］ 本工程では、得られた有機ＥＬ装置１に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と基板２および封止部材４との間に形成される化学結合を増加させ、基板２および封止部材４と接合膜３との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、有機ＥＬ装置１の信頼性をさらにに高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
【０１５９】
また、本工程［４Ｃ］を行う場合、基板２および封止部材４のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板２または封止部材４側から、紫外線を照射することにより、接合膜３に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、有機ＥＬ装置１における基板２と封止部材４との接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１６０】
このようにして製造される有機ＥＬ装置１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
なお、有機発光層の吸湿を抑制することを目的として、有機ＥＬ素子を封止する空間に吸湿剤を設ける構成が提案されている。しかしながら、このような有機ＥＬ装置としても、基板と封止缶（封止部材）との接合に前述した樹脂系接着剤を用いれば、封止された空間への水の浸入を防止することができない。このため、吸湿剤の吸湿能が、時間の経過とともに低下し、長期間にわたって有機ＥＬ素子の特性を維持することができない。これに対して、本発明の有機ＥＬ装置１では、基板２と封止部材４との接合に上述したような接合膜３を用いるので、有機ＥＬ素子１が封止される空間６内の気密性が十分に保たれる。したがって、空間６内に吸湿剤を設けなかったとしても、有機発光層が吸湿するのを長期間にわたって確実に防止することができる。
【０１６１】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第２実施形態について説明する。
図１１は、第２実施形態にかかる有機発光装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図１２は、第２実施形態にかかる有機発光装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１１および図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１６２】
以下、有機発光装置の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態にかかる有機発光装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる有機発光装置（有機ＥＬ装置）は、接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、接合膜３がシロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む材料で構成されたものである。
【０１６３】
かかる材料で構成される接合膜３は、エネルギーを付与する前の状態では、図１１に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜３にエネルギーを付与すると、図１２に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１６４】
このような材料で構成された接合膜３も、第１実施形態の接合膜３と同様に、従来の樹脂系の接着剤に比べ、緻密で、かつ密度が高いため、優れたガスバリア性を有するものとなる。その結果、有機ＥＬ装置１外部の水蒸気、酸素等の気体が、封止部材４と基板２とで封止された空間に入り込むのが確実に防止され、有機ＥＬ素子５の経時的な劣化を抑制または防止することができる。
【０１６５】
以下、本実施形態にかかる接合膜３について説明する。
このような接合膜３は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、有機ＥＬ装置１では、封止部材４の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
また、接合膜３を用いて基板２と封止部材４とを接合したことにより、接着剤を用いて接合した場合に、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
【０１６６】
また、このような接合膜３は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３を備える有機ＥＬ装置１では、従来に比べ、基板２と封止部材４とを精度高く接合することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１６７】
このような接合膜３としては、特に、接合膜３を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜３は、基板２および封止部材４に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０１６８】
また、接合膜３中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と封止部材４とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【０１６９】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【０１７０】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１７１】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【０１７２】
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。また、このような接合膜３は、優れた撥水性を発現するものであり、基板２と封止部材４とで封止された空間に水分が浸入するのが確実に防止することができる。その結果、有機ＥＬ素子５が劣化するのがより確実に防止され、有機ＥＬ装置１の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【０１７３】
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、基板２と封止部材４とをより強固に接合することができる。
【０１７４】
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、エネルギーを付与された領域に接着性が発現するとともに、エネルギーを付与しなかった領域においては、前述したアルキル基による優れた撥液性が得られるという利点も有する。したがって、電子回路装置１０を湿度が比較的高い場所で用いても、チップコンデンサ６と配線基板７との接合性を高い状態で維持することができ、電子回路装置１０の耐久性をさらに優れたものとすることができる。
【０１７５】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３は、接着性に特に優れることから、基板２と封止部材４との接合に特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【０１７６】
このような接合膜３は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギーを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜３を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、基板２と封止部材４とを特に強固に接合し得るものとなる。また、緻密な接合膜３で基板２と封止部材４とが接合されるため、有機ＥＬ素子５の劣化をより確実に抑制、または防止することができ、有機ＥＬ装置１の信頼性のさらなる向上を図ることができる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、有機ＥＬ装置１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１７７】
次に、一例として、基板２の上面に、プラズマ重合法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合について説明する。
プラズマ重合法は、例えば、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を基板２の上面に堆積させ、膜を得る方法である。
以下、接合膜３をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、まず、接合膜３の形成方法を説明するのに先立って、基板２の上面にプラズマ重合法を行いて接合膜３を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜３の形成方法を含む有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
【０１７８】
図１３に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、基板２を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
【０１７９】
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図１３に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
【０１８０】
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
【０１８１】
第１の電極１３０は、板状をなしており、基板２を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、水平方向に沿って設けられている。また、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。
第１の電極１３０の基板２を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図１３に示すように、基板２を保持することができる。また、基板２に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で基板２をプラズマ処理に供することができる。
【０１８２】
第２の電極１４０は、基板２を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
【０１８３】
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
【０１８４】
図１３に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【０１８５】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して基板２の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
【０１８６】
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
【０１８７】
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による基板２の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１６０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【０１８８】
次に、本実施形態の接合膜３の成膜方法について説明する。
まず、基板２の封止部材４と接合する領域に対応する窓部を有するマスクを形成する。そして、このようにマスクが形成された基板２を、プラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
そして、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
【０１８９】
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【０１９０】
次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が基板２上に付着・堆積する。これにより、基板２上にプラズマ重合膜で構成された接合膜３が形成される。
【０１９１】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【０１９２】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
【０１９３】
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜３の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜３の厚さを容易に調整することができる。
【０１９４】
また、基板２の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のような処理を行った後、各種エッチング法を用いてマスクを除去し、接合膜３を得ることができる。
このようにして形成された接合膜３にエネルギーを付与することにより、前記第１実施形態と同様の接着性が得られる。なお、接合膜３にエネルギーを付与する方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
【０１９５】
＜電子機器＞
次に、上述した有機ＥＬ装置１を備える本発明の電子機器について説明する。
なお、以下では、本発明の電子機器の一例として、携帯電話を代表に説明する。
図１４は、携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
図１４に示す携帯電話は、表示部１００１を備える携帯電話本体１０００を有している。携帯電話本体１０００には、上述した有機ＥＬ装置１が内蔵されており、これらは、携帯電話機本体１０００において表示部１００１などとして用いられる。
なお、有機ＥＬ装置１は、図１４で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。
【０１９６】
例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、本発明の電子機器は、表示機能を有しない発光機能のみを有するものであってもよい。
【０１９７】
有機ＥＬ装置１は、上述したように、基板２と封止部材４とで封止された空間の気密性が高く、有機ＥＬ素子５が劣化するのが抑制、または防止されたものである。したがって、このような有機ＥＬ装置１を搭載した電子機器は、使用環境によらず、品質劣化が抑えられた信頼性の高いものとなる。
以上、本発明の有機発光装置および電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１９８】
例えば、本発明の有機発光装置および電子機器は、前記実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
なお、上述した実施形態では、基板２上に有機ＥＬ素子５が１つ設けられている場合を示したが、これは模式的に示したものであり、このような場合に限定されず、複数の有機ＥＬ素子が基板上に設けられ、これらの素子により複数の画素が形成されるものであってもよい。
【０１９９】
また、本発明の有機発光装置は、上述した有機発光装置に適用できる他、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）のようなスイッチング素子を備えるスイッチング装置にも適用することができる。
さらに、本発明の有機半導体装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】本発明の有機発光装置の第１実施形態を示す横断面図である。
【図２】図１に示す有機発光装置におけるIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図３】図１に示す有機発光装置におけるIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図４】Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図５】図４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図６】IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図７】IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図８】IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図９】図１に示す有機発光装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１０】図１に示す有機発光装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１１】本発明の有機発光装置の第２実施形態における接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１２】本発明の有機発光装置の第２実施形態における接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１３】本発明の有機発光装置の第２実施形態における接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。
【図１４】携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２０１】
１……有機ＥＬ装置 ２……基板 ３……接合膜 ３０１……Ｓｉ骨格 ３０２……シロキサン結合 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ３５……表面 ４……封止部材 ４１…天板部 ４２…周壁部 ４２５…端面 ５……有機ＥＬ素子 ５１……陽極 ５２……有機半導体層 ５３……陰極 ６……空間 １０……有機ＥＬ素子基板 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １７０……ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ ４１０……配線基板 ４１２……電極 ４１３……絶縁基板 ４１４……リード ４１５……電極 ４１６……導電層 ５００……成膜装置 ５１１……チャンバー ５１２……基板ホルダー ５２１……シャッター ５３０……排気手段 ５３１……排気ライン ５３２……ポンプ ５３３……バルブ ５６０……有機金属材料供給手段 ５６１……ガス供給ライン ５６２……貯留槽 ５６３……バルブ ５６４……ポンプ ５６５……ガスボンベ ５７０……ガス供給手段 ５７１……ガス供給ライン ５７３……バルブ ５７４……ポンプ ５７５……ガスボンベ １０００……携帯電話本体 １００１……表示部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料またはセラミック材料で構成されたものである請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項７】
基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項８】
前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料またはセラミック材料で構成されたものである請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項７または８に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項９に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項９または１０に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項９ないし１１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記脱離基は、アルキル基である請求項１２に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記有機金属材料は、金属錯体である請求項９ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種である請求項７ないし１４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項７ないし１５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１７】
基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項１８】
前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１９】
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項１８に記載の有機発光装置。
【請求項２０】
前記接合膜の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍである請求項１ないし１９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２１】
前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし２０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２２】
前記基板の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし２１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２３】
前記封止部材の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし２２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２４】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項２２または２３に記載の有機発光装置。
【請求項２５】
前記封止部材と前記接合膜との間に、中間層が介挿されている請求項１ないし２４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２６】
前記基板と前記接合膜との間に、中間層が介挿されている請求項１ないし２５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２７】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項２５または２６に記載の有機発光装置。
【請求項２８】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし２７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２９】
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２８に記載の有機発光装置。
【請求項３０】
前記加熱の温度は、２５〜１５０℃である請求項２８または２９に記載の有機発光装置。
【請求項３１】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２８ないし３０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項３２】
前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項２８ないし３１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項３３】
請求項１ないし３２のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料またはセラミック材料で構成されたものである請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項７】
基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項８】
前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料またはセラミック材料で構成されたものである請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項７または８に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項９に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項９または１０に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項９ないし１１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記脱離基は、アルキル基である請求項１２に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記有機金属材料は、金属錯体である請求項９ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種である請求項７ないし１４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項７ないし１５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１７】
基板と、
該基板上に設けられ、主として有機発光材料で構成された有機発光層と、該有機発光層に導通する電極とを有する有機発光素子と、
前記有機発光素子を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項１８】
前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１９】
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項１８に記載の有機発光装置。
【請求項２０】
前記接合膜の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍである請求項１ないし１９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２１】
前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし２０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２２】
前記基板の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし２１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２３】
前記封止部材の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし２２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２４】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項２２または２３に記載の有機発光装置。
【請求項２５】
前記封止部材と前記接合膜との間に、中間層が介挿されている請求項１ないし２４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２６】
前記基板と前記接合膜との間に、中間層が介挿されている請求項１ないし２５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２７】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項２５または２６に記載の有機発光装置。
【請求項２８】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし２７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２９】
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２８に記載の有機発光装置。
【請求項３０】
前記加熱の温度は、２５〜１５０℃である請求項２８または２９に記載の有機発光装置。
【請求項３１】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２８ないし３０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項３２】
前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項２８ないし３１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項３３】
請求項１ないし３２のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００９−１９９９０２（Ｐ２００９−１９９９０２Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４０６０８（Ｐ２００８−４０６０８）
【出願日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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