有機電界効果トランジスタの製造方法
以下の工程：ａ）基板上に配置されたゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を提供する工程と、ｂ）前記基板のゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とが配置された領域に、ｎ型の有機半導体化合物を適用する工程とを含む有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記のｎ型の有機半導体化合物が、式Ｉで示され、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、Ｙ1が、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaが、水素もしくはオルガニル基であり、Ｙ2が、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbが、水素もしくはオルガニル基であり、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4が、Ｏであり、Ｙ1がＮＲaの場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、その際、ＲaとＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、Ｙ2がＮＲbの場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、その際、ＲbとＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である化合物から選択されることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の背景
発明の属する分野
本発明は、有機電界効果トランジスタの製造方法に関する。
【０００２】
関連技術の説明
マイクロエレクトロニクスの分野においては、できる限り低い欠陥率で、簡便かつ廉価に再現できる、より小さいデバイスエレメントの開発に常に要求がある。最近のデジタル集積回路は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を基礎としており、それは半導体材料中の"チャネル"の導電性の制御を電場に頼っている。有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）は、大きなアクティブ領域を有する集積回路のためのフレキシブル又は破損しえない基板の製造を可能にする。ＯＦＥＴは複雑な回路の製造を可能にするので、それらは広い分野の潜在的な用途を有する（例えばピクセルディスプレイのドライバ回路において）。
【０００３】
当該技術分野において、集積回路（ＩＣ）の製造方法は、例えばリソグラフィー技術によってよく知られている。
【０００４】
ＤＥ−Ａ−３２３５５２６号は、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸ジイミドであって、そのペリレン核において、アルコキシ、アルキルチオ、アリールオキシ、アリールチオ、＝ＳＯ2及び−ＳＯ2−Ｒ基から選択される少なくとも１つの基で置換されたものを開示している。更に、前記化合物は、そのペリレン核において、少なくとも１つの塩素基もしくは臭素基で置換されていてよい。
【０００５】
ＤＥ−Ａ−３４３４０５９号は、ペリレンテトラカルボン酸ジイミドを、塩化スルフリルによって不活性な有機液体中で触媒の存在下で塩素化することによって製造される、塩素化されたペリレンテトラカルボン酸ジイミドを開示している。そのペリレン核は、２、３、４もしくは５個又は６個の塩素基を有する。前記のジイミド窒素原子の置換基は、互いに無関係に、ａ）非置換もしくはシアノ、ヒドロキシル、シクロアルキル、アルキルカルボニルオキシ、アルケニルカルボニルオキシもしくはシクロアルキルカルボニルオキシによって置換され、かつアルキル鎖がＯもしくはＳによって中断されていてもよい、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18−アルキルであるか、あるいはｂ）非置換もしくはアルキル、カルボアルコキシもしくはトリフルオロメチルによって置換された、Ｃ5〜Ｃ18−シクロアルキルであるか、のいずれかである。
【０００６】
ＤＥ−Ａ−１９５４７２０９号は、１，７−二置換されたペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物及びペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸を開示しており、その置換基は、置換もしくは非置換のアリールオキシ、アリールチオ、ヘタリールオキシもしくはヘタリールチオから選択される。また、これらの化合物のための中間体として、１，７−ジブロモペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが開示されている。
【０００７】
ＵＳ５，９８６，０９９号は、置換されたクアテリレンテトラカルボン酸ジイミドであって、その芳香族核が１２個までの置換基、とりわけハロゲンを有してよい物を開示している。
【０００８】
ＵＳ２００５／０２２２４１６号Ａ１は、１，６，９，１４−四置換されたテリレンテトラカルボン酸ジイミドであって、その置換基がとりわけ臭素であるものを開示している。
【０００９】
ＤＥ−Ａ−１０１４８１７２号は、蛍光性の２，６−置換されたナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドを記載しており、その際、それらの置換基は、無関係に、水素、ハロゲン、アミノ、−ＮＨＲもしくは−ＯＲであり、その置換基の少なくとも１つは水素もしくはハロゲンとは異なる。また、中間体として使用される２，６−ジクロロ−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド及び２，６−ジブロモ−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドも開示されている。開示されたナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドは、とりわけ蛍光性色素及びレーザ用色素として使用される。
【００１０】
Ｈ．Ｌａｎｇｈａｌｓ及びＳ．Ｋｉｒｎｅｒは、Ｅｕｒ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０００，３６５−３８０において、コア拡張型のペリレンテトラカルボン酸ビスイミドを基礎とする蛍光性色素を開示している。具体的なハロゲン置換された化合物としては、１−ブロモ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１−ヘキシルヘプチル）−ペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）が開示されているにすぎない。
【００１１】
Ｈ．Ｔｉａｎは、Ｔｅｔ．Ｌｅｔ．４６，２００５，４４４３−４４４７において、ペリレンテトラカルボン酸二無水物の臭素化によりテトラブロモ誘導体を得ることを開示している。相応のテトラブロモジイミドに関しては、単離も特性決定も記載されていない。
【００１２】
Ｄ．Ｚｈｕは、Ｏｒｇ．Ｌｅｔ．２００６，８，５，８６７において、エチルヘキシル置換基を有する相応のテトラブロモペリレンジイミドを開示している。
【００１３】
上述の参考文献のいずれも、ＯＦＥＴの製造のためのｎ型有機半導体としてリレンテトラカルボン酸の誘導体を使用することを記載していない。
【００１４】
Ｍ．Ｊ．Ａｈｒｅｎｓ，Ｍ．Ｊ．Ｆｕｌｌｅｒ及びＭ．Ｒ．Ｗａｓｉｅｌｅｗｓｋｉ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００３，１５の第２６８４〜２６８６には、有機フォトニクス及びエレクトロニクスのための安易な発色酸化剤として、シアン化されたペリレン−３，４−ジカルボキシイミド及びペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）が開示されている。
【００１５】
Ｂ．Ａ．Ｊｏｎｅｓ他著のＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．２００４，１１６の第６５２３〜６５２６頁には、高移動度の空気安定なｎ型半導体として、ジシアノ−ペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）が記載されている。
【００１６】
ＵＳ２００５／０１６９７０号Ａ１は、１つ以上の電子吸引部もしくは基を有するペリレン−３，４−ジカルボキシイミド類及びペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）を、ｎ型半導体として用いる使用を開示している。ペリレン核に臭素置換基を有する化合物は、標的分子の合成における中間体として使用されるにすぎない。
【００１７】
３つの最後に挙げた文献によりｎ型半導体として使用される化合物は、ハロゲン置換基を有していない。
【００１８】
ＣｈｅｍＰｈｙｓＣｈｅｍ ２００４，５，１３７−１４０は、式
【化１】
［式中、Ｒは、ｎ−Ｃ12Ｈ25、４−（ｎ−Ｃ12Ｈ25）Ｃ6Ｈ4、２，６−（ｉ−Ｃ3Ｈ7）2Ｃ6Ｈ3である］のテトラクロロ置換されたペリレンビスイミドの構造上の特性、電気化学的特性及び電荷輸送特性についての研究を記載している。この文献は、ＯＦＥＴの製造のための方法を教示していない。
【００１９】
Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００５，１５，１２７０−１２７６（Ｗｕｅｒｔｈｎｅｒ，Ｍｕｌｌｅｎ他）は、液晶性のペリレンビスイミド誘導体における電荷担体寿命において、その芳香核を塩素で置換することで増加が見られることを報告している。使用されるペリレンビスイミド誘導体は、以下の構造
【化２】
を有する。
【００２０】
この文献は、また、ＯＦＥＴの製造のための方法を教示していない。
【００２１】
ＵＳ２００５／００１７２３７号は、リレン型の化合物を基礎とする半導体層を含む電子デバイスを記載している。薄膜型トランジスタの僅かな具体的な例は、非置換の芳香核を有するペリレンテトラカルボン酸ジイミドを含む。
【００２２】
ＵＳ２００３／０１８１７２１号Ａ１（Ｗｕｅｒｔｈｎｅｒ）は、式
【化３】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素、臭素、置換もしくは非置換のアリールオキシ、アリールチオ、アリールアミノ、ヘタリールオキシもしくはヘタリールチオであり、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、無関係に、水素もしくは長鎖アルキル、アルコキシもしくはアルキルチオであるが、但し、これらの基の少なくとも４つは、水素ではない］の四置換されたペリレンテトラカルボン酸ジイミドを開示している。
【００２３】
また、非常に一般的な用語で、係るペリルイミドは、発光ダイオード及び光起電ダイオード、光伝導体及びトランジスタにおける電荷輸送材料などのエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス及びフォトニクス用途のために有用であることが述べられている。この文献は、また、ＯＦＥＴの製造のための方法を教示していない。開示される僅かな具体的なハロゲン置換された化合物は、４個の塩素基もしくは４個の臭素基によって置換された芳香核を有し、かつそれらの化合物は、標的分子の合成における中間体として使用されるにすぎない。
【００２４】
Ｄ．Ｓｃｈｌｅｔｔｗｅｉｎ他は、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ５（２００４），２３７−２４９において、物理蒸着によって製造された１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４，９，１０−ビスカルボキシイミドの薄膜と、相応の塩素化されていない化合物の薄膜との電気的特性を比較している。塩素化されていない基板の薄膜の比導電率は、塩素化されていない化合物のそれよりも約１００倍も高い。
【００２５】
発明の要旨
第一の態様において、本発明は、以下の工程
ａ）基板上に配置されたゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を提供する工程と、
ｂ）前記基板のゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とが配置された領域に、ｎ型の有機半導体化合物を適用する工程とを含む有機電界効果トランジスタの製造方法において、
前記のｎ型の有機半導体化合物が、式Ｉ
【化４】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Y2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaの場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、その際、ＲaとＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbの場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、その際、ＲbとＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物から選択されることを特徴とする方法を提供する。
【００２６】
更なる一態様においては、本発明は、有機電界効果トランジスタのパターンを含む基板の製造方法において、基板の表面上に、基板の表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）及び／又は基板の表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）の結合を妨げることができる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）を堆積させることを含む方法を提供する。
【００２７】
更なる一態様においては、本発明は、複数の有機電界効果トランジスタを含み、各トランジスタが、
− 基板上に配置された有機半導体（Ｓ）と、
− 微結晶のチャネル部の導電性を制御するように配置されたゲート構造と、
− 該チャネル部の対向端部に配置された導電性のソース電極及びドレイン電極とを含む基板の製造方法において、
式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を基板の表面に適用して、その適用された有機半導体化合物（Ｓ）の少なくとも一部を、基板の表面上の結合部位の少なくとも一部分に結合させることを可能にすることを特徴とする方法を提供する。
【００２８】
更なる一態様においては、本発明は、基板上に有機電界効果トランジスタのパターンを提供する工程を含む電子デバイスの製造方法において、複数のトランジスタの少なくとも一部が、ｎ型の有機半導体化合物として、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含むことを特徴とする方法を提供する。
【００２９】
更なる一態様においては、本発明は、基板上に有機電界効果トランジスタのパターンを含む電子デバイスであって、複数のトランジスタの少なくとも一部が、ｎ型の有機半導体化合物として、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含むことを特徴とする電子デバイスを提供する。
【００３０】
本発明による方法を使用することで、広く様々なデバイスを提供することができる。係るデバイスは、電気的デバイス、光学デバイス、光電子デバイス（例えば通信及び他の用途のための半導体デバイス、例えば発光ダイオード、電子吸収モジュレータ及びレーザ）、機械的デバイス及びそれらの組合せ物を含むことができる。本発明の方法により得られる複数のトランジスタから構成された機能的デバイスを使用して、種々のＩＣアーキテクチャを製造することができる。更に、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物は、慣用の半導体デバイス、例えばダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、インバータ、センサ及びバイポーラトランジスタにおいて使用することができる。本発明の一態様は、本発明の方法を、隣接したｎ型及び／又はｐ型の半導体コンポーネントから電子デバイスを作製するために用いる使用を含む。これは、当業者が所望のように半導体を使用して製造する本発明の方法によって製造できる任意のデバイスを含む。係るデバイスの例は、これらに制限されないが、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、トンネルダイオード、変調ドープ超格子、相補型インバータ、発光デバイス、光感知デバイス、生物学的システムイメージャ、生物学的及び化学的な検出器もしくはセンサ、熱検出器もしくは温度検出器、ジョセフィン接合、ナノスケール光源、光検出器、例えば偏光感受性光検出器、ゲート、インバータ、ＡＮＤ、ＮＡＮＤ、ＮＯＴ、ＯＲ、ＴＯＲ及びＮＯＲゲート、ラッチ、フリップフロップ、レジスタ、スイッチ、クロック回路、静的もしくは動的なメモリデバイス及びアレイ、ステートマシン、ゲートアレイ及び任意の他の動的もしくは順序論理デバイス又はプログラミング可能な回路を含む他のデジタルデバイスを含む。
【００３１】
電子デバイスの一つの特定の型は、インバータである。デジタル論理において、インバータは、その入力で駆動されたデジタル信号を反転させる論理ゲートである。それはまたＮＯＴゲートとも呼ばれる。ゲートの真理値表は、以下の通りである：入力０＝出力１；入力１＝出力０。実際に、インバータ回路は、その入力とは反対の論理レベルを表す電圧を出力する。デジタルエレクトロニクスは、論理０もしくは１に相当する固定電圧レベルで駆動する回路である。インバータ回路は、これらの２つの電圧レベルの間でスワップするための基本論理ゲートとしてはたらく。実装は、実際の電圧を決めるが、コモンレベルは、ＴＴＬ回路に関しては（０，＋５Ｖ）を含む。共通の型は、１つのトランジスタと１つのレジスタを使用する抵抗型ドレインと、１インバータ回路あたりに２つの（反対型の）トランジスタを使用するＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）とを含む。デジタルインバータの性能品質は、電圧伝達曲線（ＶＴＣ）、すなわち出力電圧に対する入力電圧のプロットを使用して測定することができる。係るグラフから、ノイズ耐量、ゲイン及び作動論理レベルを含むデバイスパラメータを得ることができる。理想的には、電圧伝達曲線（ＶＴＣ）は、反転されたステップ関数として見なされるが（すなわち、オンとオフとの間の厳密なスイッチング）、実際のデバイスにおいては、段階的な遷移領域が存在する。この遷移領域の傾きは、品質の尺度である：急勾配であればあるほど（無限に近い）、その傾きは、スイッチングをより正確にする。ノイズに対する耐量は、それぞれの作動領域についての最小入力と最大出力（オン／オフ）とを比較することによって測定することができる。出力電圧ＶＯＨは、多くのデバイスがともに連なる場合には、シグナル駆動強さの尺度となることがある。デジタルインバータは、全てのデジタルエレクトロニクス用の基本的な構成単位であると考えられる。メモリ（１ビットレジスタ）は、２つの直列インバータの出力を一緒に供給することによってラッチとして構築される。マルチプレクサ、デコーダ、ステートマシン及び他の精巧なデジタルデバイスは全てがインバータに頼っている。
【００３２】
更なる一態様においては、本発明は、式Ｉの少なくとも１つの化合物を、ｎ型の有機半導体化合物として含むインバータを提供する。特定の一実施態様は、２つの（反対型の）トランジスタを含むＣＭＯＳインバータである。高速ＣＭＯＳ回路については、両方のｐチャネル型及びｎチャネル型の半導体が同様の良好な移動度を有することが極めて望まれる。ｐチャネル型のトランジスタについては、０．１ｃｍ2／Ｖｓより大きい移動度を有する多くの候補、例えばペンタセンが存在する。ここで、驚くべきことに、式Ｉの化合物は、好ましくはｎ型半導体としてインバータにおいて使用できることが判明した。
【００３３】
更なる一態様においては、本発明は、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを含み、各トランジスタが該基板上に配置された式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を含む基板を含む集積回路（ＩＣ）の製造方法において、式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を基板表面に適用して、適用された有機半導体化合物（Ｓ）の少なくとも一部を、該基板表面上の結合部位の少なくとも一部に結合可能にすることを特徴とする方法を提供する。
【００３４】
更なる一態様においては、本発明は、式Ｉの化合物をｎ型半導体として用いる使用を提供する。これらの化合物は、特に、有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用のｎ型半導体として好ましい。
【００３５】
更なる一態様においては、本発明は、式Ｉの化合物の製造方法を提供する。
【００３６】
更なる一態様においては、本発明は、式Ｉの新規化合物を提供する。本発明のこの態様及び前記の態様の特定の一実施態様においいては、式Ｉの化合物は、
【化５】
ではない。
【００３７】
更なる一態様においては、本発明は、結晶性のｎ型の有機半導体化合物を製造するための方法において、式Ｉの化合物を化学気相輸送法（ＣＶＴ）に供することを特徴とする方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、物理気相輸送法による有機半導体化合物の精製のための装置を示している。図１による装置は、有機半導体化合物の単結晶を製造するのに適している。
【図２】図２は、ｎ型トランジスタとして１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドを含み、かつｐ型トランジスタとしてペンタセンを含むインバータ構造の構造を示している。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、ペンタセンと１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドの典型的な電流−電圧特性を示している。
【図４】図４は、ＴＣ−ＰＴＣＤＩインバータについてのＶddが４０Ｖの場合の最高のゲインは約１２であり、ノイズマージンは４．５Ｖであり、かつ出力電圧振幅は、約３３Ｖであることを示している。
【図５】図５は、ＴＣ−ＰＴＣＤＩについてのヒステリシスを示している。
【００３９】
本発明の好ましい態様の詳細な説明
本発明の目的のためには、用語"アルキル"は、直鎖状及び分枝鎖状のアルキル基を含む。これらの基は、有利には直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1〜Ｃ30−アルキル基、より有利にはＣ1〜Ｃ20−アルキル基、特に有利にはＣ1〜Ｃ12−アルキル基である。アルキル基の例は、特に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシルである。
【００４０】
表現"アルキル"は、また、アルキル基であって、その炭素原子が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲe−、−ＣＯ−及び／又は−ＳＯ2−から選択される１つ以上の隣接していない基によｙって中断されていてよい基を含み、その際、Ｒeは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。
【００４１】
表現"アルキル"は、また、置換されたアルキル基を含む。置換されたアルキル基は、一般に１つもしくは１つより多い（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多い）置換基を有してよい。該置換基は、有利には、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ1及びＥ2は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。カルボキシレートは、カルボン酸官能基の誘導体、特に金属カルボキシレート、カルボン酸エステル官能基もしくはカルボキサミド官能基である。スルホネートは、スルホン酸官能基の誘導体、特に金属スルホネート、スルホン酸エステル官能基もしくはスルホンアミド官能基である。アルキル基のシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリール置換基は、その一部で非置換もしくは置換されていてよく、好適な置換基は、これらの基について以下に挙げる置換基である。
【００４２】
前記のアルキルに関する規定は、また、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニルなどにおける全てのアルキル部に当てはまる。
【００４３】
アリール置換されたアルキル（"アリールアルキル"）は、以下のような少なくとも１つの非置換もしくは置換のアリール基を有する。"アリールアルキル"中のアルキル部は、少なくとも１つの更なる置換基を有してよく、かつ／又はその炭素鎖は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲe−、−ＣＯ−及び／又は−ＳＯ2−から選択される１つ以上の隣接していない基によって中断されていてよい。アリールアルキルは、有利にはフェニル−Ｃ1〜Ｃ10−アルキル、特にフェニル−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、例えばベンジル、１−フェネチル、２−フェネチル、１−フェンプロピ−１−イル、２−フェンプロピ−１−イル、３−フェンプロピ−１−イル、１−フェンブチ−１−イル、２−フェンブチ−１−イル、３−フェンブチ−１−イル、４−フェンブチ−１−イル、１−フェンブチ−２−イル、２−フェンブチ−２−イル、３−フェンブチ−２−イル、４−フェンブチ−２−イル、１−（フェンメタ）エチ−１−イル、１−（フェンメチル）−１−（メチル）−エチ−１−イルもしくは１−（フェンメチル）−１−（メチル）−プロピ−１−イル、好ましくはベンジルもしくは２−フェンエチルである。
【００４４】
本発明の目的のためには、アルケニルは、直鎖状及び分枝鎖状のアルケニル基であって、鎖長に応じて、１つ以上の二重結合（例えば１、２、３、４もしくは４つより多い）を有してよい基を含む。Ｃ2〜Ｃ18−アルケニル基が好ましく、より好ましくはＣ2〜Ｃ12−アルケニル基である。"アルケニル"は、また、例えば１、２、３、４、５つもしくは５つより多くの置換基を有してよい置換されたアルケニル基を含む。好適な置換基の例は、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ3Ｅ4、ニトロ及びシアノを含み、その際、Ｅ3及びＥ4は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。
【００４５】
アルケニルの例は、エテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、５−ヘキセニル、ペンタ−１，３−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−６−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−６−イル、ヘプタ−１，４−７−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−７−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−５−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−１−イル、オクタ−１，４−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−３−イル、オクタ−１，４−ジエン−６−イル、オクタ−１，４−ジエン−７−イル、オクタ−１，５−ジエン−１−イル、オクタ−１，５−ジエン−３−イル、オクタ−１，５−ジエン−４−イル、オクタ−１，５−ジエン−７−イル、オクタ−１，６−ジエン−１−イル、オクタ−１，６−ジエン−３−イル、オクタ−１，６−ジエン−４−イル、オクタ−１，６−ジエン−５−イル、オクタ−１，６−ジエン−２−イル、デカ−１，４−ジエニル、デカ−１，５−ジエニル、デカ−１，６−ジエニル、デカ−１，７−ジエニル、デカ−１，８−ジエニル、デカ−２，５−ジエニル、デカ−２，６−ジエニル、デカ−２，７−ジエニル、デカ−２，８−ジエニルなどである。上記の特記事項は、アルケニルオキシ、アルケニルチオなどにも同様に当てはまる。
【００４６】
本発明の目的のためには、"アルキニル"は、非置換もしくは置換のアルキニル基であって、１つ以上の三重結合を有してよい基を含む。Ｃ2〜Ｃ18−アルキニル基が好ましく、より好ましくはＣ2〜Ｃ12−アルキニル基である。アルキニルの例は、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−ヘキシニル、２−ヘキシニル、３−ヘキシニル、４−ヘキシニル、５−ヘキシニルなどである。上記の特記事項は、アルキニルオキシ、アルキニルチオなどにも同様に当てはまる。"アルキニル"は、また、例えば１、２、３、４、５つもしくは５つより多くの基を有してよい置換されたアルキニル基を含む。アルキニル基にとって好適な基の例は、"アルキル"にとって好適な基として上述したのと同じものである。
【００４７】
本発明の目的のためには、用語"シクロアルキル"は、置換と非置換の両方のシクロアルキル基、有利にはＣ3〜Ｃ8−シクロアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルもしくはシクロオクチル、特にＣ5〜Ｃ8−シクロアルキルを含む。置換のシクロアルキル基は、例えば、好ましくはアルキルとは無関係に選択され、"アルキル"について上記定義した置換基を１、２、３、４、５もしくは５つより多く有してよい。置換のシクロアルキル基は、好ましくは１つ以上の、例えば１、２、３、４もしくは５つのＣ1〜Ｃ6−アルキル基を有する。
【００４８】
好ましいシクロアルキル基の例は、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、３−、４−及び５−プロピルシクロオクチルである。
【００４９】
用語"シクロアルケニル"は、非置換及び置換の、３〜８個の、有利には５〜６個の炭素環員を有する一不飽和の炭化水素基、例えばシクロペンテン−１−イル、シクロペンテン−３−イル、シクロヘキセン−１−イル、シクロヘキセン−３−イル、シクロヘキセン−４−イルなどを含む。シクロアルケニルにとって適した置換基は、シクロアルキルについて上述したものと同じである。
【００５０】
用語"ビシクロアルキル"は、好ましくは、５〜１０個の炭素原子を有する二環式の炭化水素基、例えばビシクロ［２．２．１］へプチ−１−イル、ビシクロ［２．２．１］へプチ−２−イル、ビシクロ［２．２．１］へプチ−７−イル、ビシクロ［２．２．２］オクチ−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクチ−２−イル、ビシクロ［３．３．０］オクチル、ビシクロ［４．４．０］デシルなどを含む。
【００５１】
本発明の目的のためには、用語"アリール"は、非置換であってよいもしくは非置換の単環式もしくは多環式の芳香族炭化水素基を含む。アリールは、有利には、非置換もしくは置換のフェニル、ナフチル、インデニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ナフタセニル、クリセニル、ピレニルなど、特にフェニルもしくはナフチルである。アリールは、置換されている場合には、環系の数及びサイズに応じて、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよく、前記置換基は、有利には、互いに無関係に、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ5Ｅ6、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ5及びＥ6は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。アリールは、特にフェニルであり、それは置換されている場合に、一般に１、２、３、４もしくは５つの、好ましくは１、２もしくは３つの置換基を有してよい。
【００５２】
非置換もしくは置換されていてよいアリールは、好ましくは２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｓ−ブチルフェニル、２，４，６−トリ−ｓ−ブチルフェニル、２−、３−及び４−ｔ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニルである。
【００５３】
本発明の目的のためには、ヘテロシクロアルキルは、一般に５〜８個の環原子、好ましくは５もしくは６個の環原子を有し、その環炭素原子の１、２もしくは３つが酸素、窒素、硫黄及び基−ＮＲ3−から選択されるヘテロ原子によって交換されている非芳香族の、不飽和もしくは完全飽和の、脂環式の基を含み、その際、前記の脂環式の基は、更に、非置換か、又は例えば１、２、３、４、５もしくは６個のＣ1〜Ｃ6−アルキル基によって置換されている。係る複素脂環式基の挙げられる例は、ピロリジニル、ピペリジニル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリジニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチエン−２−イル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラニル、１，２−オキサゾリン−５−イル、１，３−オキサゾリン−２−イル及びジオキサニルを含む。
【００５４】
本発明の目的のためには、ヘテロアリールは、置換もしくは非置換の複素芳香族の、単環式もしくは多環式の基、好ましくは基ピリジル、キノリニル、アクリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、インドリル、プリニル、インダゾリル、ベンゾトリアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，３，４−トリアゾリル及びカルバゾリルを含み、それらは置換されている場合に、一般に１、２もしくは３つの置換基を有してよい。該置換基は、Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、Ｃ1〜Ｃ6−アルコキシ、ヒドロキシル、カルボキシル、ハロゲン及びシアノから選択される。
【００５５】
窒素原子によって結合されて、場合により更なるヘテロ原子を含む５員ないし７員のヘテロシクロアルキルもしくはヘテロアリール基は、例えばピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、トリアゾリル、ピロリジニル、ピラゾリニル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、ピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、トリアジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、インドリル、キノリニル、イソキノリニルもしくはキナルジニルである。
【００５６】
ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素である。以下の式中の基Ｒa及びＲbの具体的な例は、以下のとおりである：
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシル；
２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−プロポキシエチル、２−ブトキシエチル、３−メトキシプロピル、３−エトキシプロピル、３−プロポキシプロピル、３−ブトキシプロピル、４−メトキシブチル、４−エトキシブチル、４−プロポキシブチル、３，６−ジオキサヘプチル、３，６−ジオキサオクチル、４，８−ジオキサノニル、３，７−ジオキサオクチル、３，７−ジオキサノニル、４，７−ジオキサオクチル、４，７−ジオキサノニル、２−及び４−ブトキシブチル、４，８−ジオキサデシル、３，６，９−トリオキサデシル、３，６，９−トリオキサウンデシル、３，６，９−トリオキサドデシル、３，６，９，１２−テトラオキサトリデシル及び３，６，９，１２−テトラオキサテトラデシル；
２−メチルチオエチル、２−エチルチオエチル、２−プロピルチオエチル、２−ブチルチオエチル、３−メチルチオプロピル、３−エチルチオプロピル、３−プロピルチオプロピル、３−ブチルチオプロピル、４−メチルチオブチル、４−エチルチオブチル、４−プロピルチオブチル、３，６−ジチアヘプチル、３，６−ジチアオクチル、４，８−ジチアノニル、３，７−ジチアオクチル、３，７−ジチアノニル、２−及び４−ブチルチオブチル、４，８−ジチアデシル、３，６，８−トリチアデシル、３，６，９−トリチアウンデシル、３，６，９−トリチアドデシル、３，６，９，１２−テトラチアトリデシル及び３，６，９，１２−テトラチアテトラデシル；
２−モノメチル−及び２−モノエチルアミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、２−及び３−ジメチル−アミノプロピル、３−モノイソプロピルアミノプロピル、２−及び４−モノプロピルアミノブチル、２−及び４−ジメチルアミノブチル、６−メチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジ−アザオクチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザオクチル、９−メチル−３，６，９−トリアザデシル，３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリアザウンデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザウンデシル、１２−メチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル及び３，６，９，１２−テトラメチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル；
（１−エチルエチリデン）アミノエチレン、（１−エチルエチリデン）アミノプロピレン、（１−エチルエチリデン）アミノブチレン、（１−エチルエチリデン）アミノデシレン及び（１−エチルエチリデン）アミノドデシレン；
プロパン−２−オン−１−イル、ブタン−３−オン−１−イル、ブタン−３−オン−２−イル及び２−エチルペンタン−３−オン−１−イル；
２−メチルスルホキシドエチル、２−エチルスルホキシドエチル、２−プロピルスルホキシドエチル、２−イソプロピルスルホキシドエチル、２−ブチルスルホキシドエチル、２−及び３−メチルスルホキシドプロピル、２−及び３−エチルスルホキシドプロピル、２−及び３−プロピルスルホキシドプロピル、２−及び３−ブチルスルホキシドプロピル、２−及び４−メチルスルホキシドブチル、２−及び４−エチルスルホキシドブチル、２−及び４−プロピルスルホキシドブチル及び４−ブチルスルホキシドブチル；
２−メチルスルホニルエチル、２−エチルスルホニルエチル、２−プロピルスルホニルエチル、２−イソプロピルスルホニルエチル、２−ブチルスルホニルエチル、２−及び３−メチルスルホニルプロピル、２−及び３−エチルスルホニルプロピル、２−及び３−プロピルスルホニルプロピル、２−及び３−ブチルスルホニルプロピル、２−及び４−メチルスルホニルブチル、２−及び４−エチルスルホニルブチル、２−及び４−プロピルスルホニルブチル及び４−ブチルスルホニルブチル；
カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシル、８−カルボキシオクチル、１０−カルボキシデシル、１２−カルボキシドデシル及び１４−カルボキシテトラデシル；
スルホメチル、２−スルホエチル、３−スルホプロピル、４−スルホブチル、５−スルホペンチル、６−スルホヘキシル、８−スルホオクチル、１０−スルホデシル、１２−スルホドデシル及び１４−スルホテトラデシル；
２−ヒドロキシエチル、２−及び３−ヒドロキシプロピル、３−及び４−ヒドロキシブチル並びに８−ヒドロキシ−４−オキサオクチル；
２−シアノエチル、３−シアノプロピル、３−及び４−シアノブチル；
２−クロロエチル、２−及び３−クロロプロピル、２−、３−及び４−クロロブチル、２−ブロモエチル、２−及び３−ブロモプロピル並びに２−、３−及び４−ブロモブチル；
２−ニトロエチル、２−及び３−ニトロプロピル並びに２−、３−及び４−ニトロブチル；
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ及びヘキソキシ；
メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ及びヘキシルチオ；
エチニル、１−及び２−プロピニル、１−、２−及び３−ブチニル、１−、２−、３−及び４−ペンチニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデシニル及び１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデシニル；
エテニル、１−及び２−プロペニル、１−、２−及び３−ブテニル、１−、２−、３−及び４−ペンテニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデセニル並びに１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデセニル；
メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジフェニルアミノ及びジベンジルアミノ；
ホルミルアミノ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ及びベンゾイルアミノ；
カルバモイル、メチルアミノカルボニル、エチルアミノカルボニル、プロピルアミノカルボニル、ブチルアミノカルボニル、ペンチルアミノカルボニル、ヘキシルアミノカルボニル、ヘプチルアミノカルボニル、オクチルアミノカルボニル、ノニルアミノカルボニル、デシルアミノカルボニル及びフェニルアミノカルボニル；
アミノスルホニル、ｎ−ドデシルアミノスルホニル、ｎ，ｎ−ジフェニルアミノスルホニル及びｎ，ｎ−ビス（４−クロロフェニル）アミノスルホニル；
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、（４−ｔ−ブチル−フェノキシ）カルボニル及び（４−クロロフェノキシ）カルボニル；
メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、プロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、ヘキソキシスルホニル、ドデシルオキシスルホニル、オクタデシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、１−及び２−ナフチルオキシスルホニル、（４−ｔ−ブチルフェノキシ）スルホニル並びに（４−クロロフェノキシ）スルホニル；
ジフェニルホスフィノ、ジ（ｏ−トリル）ホスフィノ及びジフェニルホスフィンオキシド；
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素；
フェニルアゾ、２−ナフチルアゾ、２−ピリジルアゾ及び２−ピリミジルアゾ；
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、３−、４−及び５−プロピルシクロオクチル；
１−、２−及び３−シクロペンテニル、１−、２−、３−及び４−シクロヘキセニル、１−、２−及び３−シクロヘプテニル並びに１−、２−、３−及び４−シクロオクテニル；
２−ジオキサニル、４−モルホリニル、４−チオモルホリニル、２−及び３−テトラヒドロフリル、１−、２−及び３−ピロリジニル、１−ピペラジニル、２，５−ピペラジンジオン−１−イル並びに１−、２−、３−及び４−ピペリジル；
フェニル、２−ナフチル、２−及び３−ピロリル、２−、３−及び４−ピリジル、２−、４−及び５−ピリミジル、３−、４−及び５−ピラゾリル、２−、４−及び５−イミダゾリル、２−、４−及び５−チアゾリル、３−（１，２，４−トリアジル）、２−（１，３，５−トリアジル）、６−キナルジル、３−、５−、６−及び８−キノリニル、２−ベンゾオキサゾリル、２−ベンゾチアゾリル、５−ベンゾチアジアゾリル、２−及び５−ベンゾイミダゾリル並びに１−及び５−イソキノリル；
１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−インドリル、１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−イソインドリル、５−（４−メチルイソインドリル）、５−（４−フェニルイソインドリル）、１−、２−、４−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、３−（５−フェニル）−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、５−（３−ドデシル−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロキノリニル）並びに２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−クロマニル、２−、４−及び７−キノリニル、２−（４−フェニルキノリニル）及び２−（５−エチル−キノリニル）；
２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓ−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジ−ｓ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｓ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシ−フェニル；２−、３−及び４−クロロフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジクロロフェニル；２−、３−及び４−ヒドロキシフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジヒドロキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニル； ３−及び４−カルボキシフェニル；３−及び４−カルボキサミドフェニル、３−及び４−ｎ−メチルカルボキサミドフェニル及び３−及び４−ｎ−エチルカルボキサミドフェニル；３−及び４−アセチルアミノフェニル、３−及び４−プロピオニルアミノフェニル及び３−及び４−ブチリルアミノフェニル；
３−及び４−ｎ−フェニルアミノ−フェニル、３−及び４−ｎ−（ｏ−トリル）アミノフェニル、３−及び４−ｎ−（ｍ−トリル）−アミノフェニル並びに３−及び４−（ｐ−トリル）アミノフェニル；３−及び４−（２−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（３−ピリジル）アミノ−フェニル、３−及び４−（４−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（２−ピリミジル）−アミノフェニル並びに４−（４−ピリミジル）アミノフェニル；
４−フェニルアゾフェニル、４−（１−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ナフチルアゾ）フェニル、４−（４−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ピリジルアゾ）フェニル、４−（３−ピリジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリジルアゾ）フェニル、４−（２−ピリミジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリミジルアゾ）フェニル及び４−（５−ピリミジルアゾ）フェニル；
フェノキシ、フェニルチオ、２−ナフトキシ、２−ナフチルチオ、２−、３−及び４−ピリジルオキシ、２−、３−及び４−ピリジルチオ、２−、４−及び５−ピリミジルオキシ及び２−、４−及び５−ピリミジルチオ。
【００５７】
フッ素を含む好ましい基Ｒa及びＲbは、以下のものである：
２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミン、１−ベンジル−２，２，２−トリフルオロエチル、２−ブロモ−２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−ピリジン−２−イルエチル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−（４−メトキシフェニル）エチルアミン、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミン、２，２−ジフルオロ−１−フェニルエチルアミン、１−（４−ブロモ−フェニル）−２，２，２−トリフルオロエチル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピルアミン、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、ペンタフルオロフェニル、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、４−シアノ−（２，３，５，６）−テトラフルオロフェニル、４−カルボキシ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，５−ジフルオロフェニル、２−フルオロ−５−ニトロフェニル、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルフェニル、２−フルオロ−５−メチルフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、４−カルボキサミド−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２，３−ジフルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヨードフェニル、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，３，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−４，５，６−トリフルオロフェニル、４−ブロモ−２，６−ジフルオロフェニル、２，３，４，５−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、２−フルオロ−４−ニトロフェニル、２−クロロ−６−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−メチルフェニル、３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，４−ジブロモ−６−フルオロフェニル、３，５−ジクロロ−２，４−ジフルオロフェニル、４−シアノ−１−フルオロフェニル、１−クロロ−４−フルオロフェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−トリフルオロメチル−６−フルオロフェニル、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル、３−クロロ−２−フルオロフェニル、５−クロロ−２−フルオロフェニル、２−ブロモ−４−クロロ−６−フルオロフェニル、２，３−ジシアノ−４，５，６−トリフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロ−３−カルボキシフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−カルボキシフェニル、２，３，５−トリフルオロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、１−フルオロ−５−カルボキシフェニル、２−クロロ−４，６−ジフルオロフェニル、６−ブロモ−３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−ニトロフェニル、２，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３−ジフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−ニトロテトラフルオロフェニル、２，２′，３，３′，４′，５，５′，６，６′−ノナビフェニル、２−ニトロ−３，５，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−６−フルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロ−６−ヨードフェニル、２−フルオロ−６−カルボキシフェニル、２，４−ジフルオロ−３−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−カルボキシフェニル、４−ブロモ−２，５−ジフルオロフェニル、２，５−ジブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−５−メチルスルホニルフェニル、５−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヒドロキシメチルフェニル、３−フルオロ−４−ブロモメチルフェニル、２−ニトロ−４−トリフルオロメチルフェニル、４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−６−クロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロフェニル、２，６−ジブロモ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、３−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、５−クロロ−２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）フェニル、３，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−ヨード−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ニトロ−４，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−メチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル、３，５−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，３，６−トリクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−（トリフルオロメチル）ベンジル、２−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−クロロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、４−フルオロフェネチル、３−（トリフルオロメチル）フェネチル、２−クロロ−６−フルオロフェネチル、２，６−ジクロロフェネチル、３−フルオロフェネチル、２−フルオロフェネチル、（２−トリフルオロメチル）フェネチル、４−フルオロフェネチル、３−フルオロフェネチル、４−トリフルオロメチルフェネチル、２，３−ジフルオロフェネチル、３，４−ジフルオロフェネチル、２，４−ジフルオロフェネチル、２，５−ジフルオロフェネチル、３．５−ジフルオロフェネチル、２，６−ジフルオロフェネチル，４−（４−フルオロフェニル）フェネチル、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、ペンタフルオロフェネチル、２，４−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（３−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−２−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−６−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，３，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，４−トリフルオロ）フェネチル、（３，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，５−トリフルオロ）フェネチル、（２−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（３−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（４−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−クロロ）フェネチル、（２，３−ジフルオロ−４−メチル）フェネチル、２，６−ジフルオロ−３−クロロフェネチル、（２，６−ジフルオロ−３−メチル）フェネチル、（２−トリフルオロメチル−５−クロロ）フェネチル、（６−クロロ−２−フルオロ−５−メチル）フェネチル、（２，４−ジクロロ−５−フルオロ）フェネチル、５−クロロ−２−フルオロフェネチル、（２，５−ジフルオロ−６−クロロ）フェネチル、（２，３，４，５−テトラフルオロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２，３−（ジフルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，５−ジ（トリフルオロメチル））フェネチル、２−フルオロ−３，５−ジブロモフェネチル、（３−フルオロ−４−ニトロ）フェネチル、（２−ブロモ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２−（ブロモ−５−フルオロ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−ブロモ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−クロロ）フェネチル、（３−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（２−ブロモ−５−トリフルオロメチル）フェネチルなど。
【００５８】
好ましい一実施態様によれば、式Ｉの化合物であって、式中の基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の基の１、２、３もしくは４つが塩素であるものが使用される。
【００５９】
更なる好ましい一実施態様によれば、式Ｉの化合物であって、式中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が塩素であるものが使用される。
【００６０】
更なる好ましい一実施態様によれば、式Ｉの化合物であって、式中の基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の１、２、３もしくは４つが臭素であるものが使用される。
【００６１】
更なる好ましい一実施態様によれば、式Ｉの化合物であって、式中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が臭素であるものが使用される。
【００６２】
特に、式：
【化６】
【００６３】
【化７】
［式中、
Ｒa及びＲbは、無関係に水素又は非置換もしくは置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物が好ましい。
【００６４】
前記化合物中の基Ｒa及びＲbの意味に関しては、発明の詳細な説明の冒頭で提供した定義が参照される。
【００６５】
好ましくは、前記Ｒa及びＲbの少なくとも１つは、電子求引性基である。
【００６６】
特定の一実施態様においては、基Ｒa及びＲbの少なくとも１つは、フッ素によって一回もしくは一回より多く置換されている。好ましいフッ素置換された基は、上述のとおりである。
【００６７】
更なる特定の一実施態様においては、Ｒa及びＲbは、同じ意味を有する。更なる好ましい実施態様は、式：
【化８】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、前記定義のとおりであり、Ｘは、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物である。
【００６８】
好ましくは、Ｘは、それが結合されるＮ−Ｃ＝Ｎ基と一緒になって、５員ないし８員の複素環を形成する。複素環は、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及び／又はヘテロアリールから選択される１、２もしくは３個の更なる環を有する縮合環系の部分であってよい。縮合環は、有利には非置換であるか、又はアルキル、アルコキシ、シクロアルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ2、ニトロ及びシアノから選択される１、２、３もしくは４個の置換基を有し、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。Ｘは、１、２もしくは３個の置換基を有してよく、前記置換基は、有利には非置換もしくは置換のアルキル、非置換もしくは置換のシクロアルキル及び非置換もしくは置換のアリールから選択され、かつ／又はＸは、１つ以上の（例えば１、２、３もしくは３つより多い）の非置換もしくは置換のヘテロ原子によって中断されていてよい。
【００６９】
好ましくは橋かけ基Ｘは、
【化９】
［式中、
ＲIV、ＲV、ＲVI、ＲVII、ＲVIII、ＲIX、ＲX及びＲXIは無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ3、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノであり、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］から選択される。
【００７０】
いくつかの特に好ましい式Ｉの化合物は、以下の通りである：
【化１０】
【００７１】
【化１１】
【００７２】
【化１２】
【００７３】
【化１３】
【００７４】
【化１４】
【００７５】
【化１５】
【００７６】
【化１６】
【００７７】
工程ａ）
ＯＦＥＴの製造方法の工程ａ）は、基板上に配置された少なくとも１つの予め形成されたトランジスタを有する基板を提供することを含む。（層、領域もしくは基板などのエレメントが別のエレメントの"上"にあると言われる場合には、それは他のエレメント上に直接的にあるか、又は介在するエレメントが存在してもよいと理解される）。特定の一実施態様においては、該基板は、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを含み、各トランジスタは、
− 基板上に配置された有機半導体（Ｓ）と、
− 微結晶のチャネル部の導電性を制御するように配置されたゲート構造と、
− チャネル部の対向端部に位置する導電性のソース電極及びドレイン電極と
を含む。
【００７８】
更なる特定の一実施態様においては、基板は、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを含み、基板上に配置された式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を含む各トランジスタは、集積回路を形成するか、又は集積回路の一部である。
【００７９】
半導体デバイスの製造に適した任意の材料を、基板として使用することができる。好適な基板は、例えば金属（好ましくは周期律表の第８族、第９族、第１０族もしくは第１１族の金属、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物材料（例えばガラス、石英、セラミックス、ＳｉＯ2）、半導体（例えばドープトＳｉ、ドープトＧｅ）、金属合金（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを基礎とするもの）、半導体合金、ポリマー（例えばポリビニルクロリド、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン及びそれらの混合物並びに複合物）、無機固体（例えば塩化アンモニウム）及びそれらの組み合わせを含む。基板は、望まれる用途の要求に応じて、湾曲もしくは平坦な形状を有するフレキシブルもしくはフレキシブルでない固体の基板であってよい。
【００８０】
半導体デバイスに典型的な基板は、マトリクス（例えば石英もしくはポリマーマトリクス）と、場合により誘電性最上層（例えばＳｉＯ2）とを含む。また、基板は、一般に、ＯＦＥＴのドレイン電極及びソース電極などの電極を含み、それらは通常は基板上に配置されている（例えば誘電性最上層の非導電性表面上に堆積される）。また、基板は、ＯＦＥＴの導電性のゲート電極を含み、それらは一般に誘電性最上層（すなわちゲート誘電性）の下方に配置されている。特定の一実施態様によれば、ドレイン電極及びソース電極は、基板上だけよりもむしろ部分的には有機半導体上に堆積される。当然、基板は、半導体デバイスもしくはＩＣ類で通常使用される更なるコンポーネント、例えば絶縁体、抵抗構造、容量性構造、金属トラックなどを含んでよい。
【００８１】
工程ｂ）
ｎ型の半導体化合物（Ｓ）の適用は、リソグラフィー技術を用いた公知法によって実施することができる。好適なのは、オフセット印刷、フレキソ印刷、エッチング、インクジェット印刷、電子写真、物理的気相輸送／物理気相堆積法（ＰＶＴ／ＰＶＤ）、化学蒸着法、レーザ転写、ドロップキャスティングなどである。
【００８２】
有機半導体化合物を基板の特定の領域に適用するための特定の一実施態様は、原子を所望の様式で組織化させる駆動力を利用する（自己組織化技術）。基板上への微細な物体の自己組織化のための種々の方法が知られている。第一の好適な技術は、流体自己組織化であり、その際、半導体化合物（Ｓ）は、基板中にエッチングされた受容体部位もしくは"穴"に整合して造形（例えば結晶の形状に）される。基板上に分配されるキャリヤー液中に懸濁された化合物（Ｓ）は、受容体部位に向かって落ち込み、そして液流及び／又は音響振動の助力により、重力及び／又は毛管力によって穴へと自己配向する。更なる好適な自己組織化技術は、パターン形成された表面を利用する。化学修飾を得るためには、基板表面を、例えばマイクロコンタクトプリンティングを用いて、結合領域及び／又は非結合領域（例えば疎水性領域／親水性領域）へとパターン形成することができる。更なる好適な自己組織化技術は、パターン形成された電荷を利用する。この方法によれば、基板表面は、正電荷及び／又は負電荷を有する領域へとパターン形成される。有機半導体化合物（Ｓ）は、静電的相互作用によって選択された領域へとパターン形成されうる。更なる好適な自己組織化技術は、パターン形成されたトポグラフィーを利用する。この方法によれば、有機半導体化合物の分散液は、テンプレート（例えば円柱形の穴）のアレイでパターン形成された基板上でデウェットされる。該分散液がゆっくりとデウェットされる場合に、毛管力は、テンプレート中での半導体粒子の組織化をもたらす。更なる好適な自己組織化技術は、印加された電場もしくは磁場による物体のパターン形成を利用する。基板の電気的もしくは磁気的な接点は、予め作製される。外部の電場もしくは磁場を与えることによって、有機半導体化合物（Ｓ）は、基板上の一定の領域に整列もしくは配置されうる。
【００８３】
本発明による方法の工程ｂ）の好ましい一実施態様は、
− ゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とが配置されている基板表面の領域上に、基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）を堆積させることと、
− 基板表面に少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を適用して、適用された化合物の少なくとも一部を、（Ｃ１）で修飾された基板表面の領域に結合可能にすること
を含む。
【００８４】
（Ｃ１）の堆積後に得られる基板の自由表面領域は、未修飾のままにするか、又は例えば基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）の結合を妨げる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）で被覆してよい。
【００８５】
本発明による方法の工程ｂ）の更なる好ましい一実施態様は、
− ゲート構造が配置されておらず、ソース電極と、ドレイン電極とが配置されている基板表面の領域上に、基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）の結合を妨げることができる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）を堆積させることと、
− 基板表面に少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を適用して、適用された化合物の少なくとも一部を、（Ｃ２）で修飾されていない基板表面の領域に結合可能にすること
を含む。
【００８６】
（Ｃ２）の堆積後に得られる基板の自由表面領域は、未修飾のままにするか、又は例えば基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）で被覆してよい。
【００８７】
本願の目的のためには、用語"結合"は、広い意味で理解される。これは、化合物（Ｃ１）及び／又は化合物（Ｃ）と基板表面との間のあらゆる種類の結合相互作用と、化合物（Ｃ１）と有機半導体化合物（Ｓ）とのあらゆる種類の結合相互作用のそれぞれを含む。結合相互作用の種類は、化学結合（共有結合）、イオン結合、配位的相互作用、ファンデルワールス相互作用（例えば双極子・双極子相互作用）など並びにそれらの組み合わせの形成を含む。好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）と有機半導体化合物（Ｓ）との間の結合相互作用は、非共有的相互作用である。
【００８８】
好適な化合物（Ｃ２）は、未処理の基板又は存在するのであれば（Ｃ１）よりも、有機半導体化合物（Ｓ）に対して低い親和性を有する化合物である。基板が少なくとも１つの化合物（Ｃ２）でのみ被覆されている場合には、（Ｃ２）及び基板と有機半導体化合物（Ｓ）との結合相互作用の強さは、有機半導体化合物（Ｓ）が（Ｃ２）でパターン形成されていない基板領域上に実質的に堆積されるほど十分な程度まで異なることが重要である。基板が少なくとも１つの化合物（Ｃ１）及び少なくとも１つの化合物（Ｃ２）で被覆されている場合には、（Ｃ１）及び（Ｃ２）と有機半導体化合物（Ｓ）との結合相互作用の強さは、有機半導体化合物（Ｓ）が（Ｃ１）でパターン形成された基板領域上に実質的に堆積されるほど十分な程度まで異なることが重要である。好ましい一実施態様においては、（Ｃ２）と有機半導体化合物（Ｓ）との間の相互作用は、反発型相互作用である。本願の目的のためには、用語"反発型相互作用"は、広い範囲で理解され、そして化合物（Ｃ２）でパターン形成された基板領域上で結晶性化合物の堆積を妨げるあらゆる種類の相互作用を含む。
【００８９】
第一の好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、基板表面に、及び／又は式Ｉの有機半導体化合物（Ｓ）に、共有的相互作用を介して結合される。この実施態様によれば、化合物（Ｃ１）は、基板及び／又は有機半導体化合物（Ｓ）の相補型官能基と反応しうる少なくとも１つの官能基を含む。
【００９０】
第二の好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、基板表面に、及び／又は式Ｉの有機半導体化合物（Ｓ）に、イオン的相互作用を介して結合される。この実施態様によれば、化合物（Ｃ１）は、基板表面及び／又は化合物（Ｓ）とイオン的相互作用しうる少なくとも１つの官能基を含む。
【００９１】
第三の好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、基板表面に、及び／又は有機半導体化合物（Ｓ）に、双極子相互作用、例えばファンデルワールス力を介して結合される。
【００９２】
（Ｃ１）と基板との間の相互作用及び／又は（Ｃ１）と式Ｉの有機半導体化合物（Ｓ）との間の相互作用は、好ましくは引力型の親水性−親水性相互作用又は引力型の疎水性−疎水性相互作用である。親水性−親水性相互作用と疎水性−疎水性相互作用は、なかでもイオン対又は水素結合の形成を含んでよく、更にファンデルワールス力を含んでよい。親水性もしくは疎水性は、水との親和性によって決定される。主に、親水性の化合物もしくは材料表面は、水と高いレベルの相互作用を有し、一般に他の親水性の化合物もしくは材料表面とも高いレベルの相互作用を有するが、一方で、主に、疎水性の化合物もしくは材料は、水及び水性液体によって濡らされないか、又はわずかにのみ濡らされるにすぎない。基板表面の親水性／疎水性の特性を評価するための好適な措置は、各表面上での水の接触角の測定である。一般的な定義によれば、"疎水表面"は、水の接触角が９０゜より大きい表面である。"親水表面"は、水との接触角が９０゜より小さい表面である。親水性基で修飾された化合物もしくは材料表面は、未修飾の化合物もしくは材料よりも小さい接触角を有する。疎水性基で修飾された化合物もしくは材料表面は、未修飾の化合物もしくは材料よりも大きい接触角を有する。
【００９３】
化合物（Ｃ１）（並びに（Ｃ２）及び／又は（Ｓ））のために適した親水性基は、イオン形成性、イオン性及び非イオン性の親水性基から選択される基である。イオン形成性もしくはイオン性の基は、好ましくは、カルボン酸基、スルホン酸基、窒素含有基（アミン類）、カルボキシレート基、スルホネート基及び／又は第四級化もしくはプロトン化された窒素含有基である。好適な非イオン性の親水性基は、例えばポリアルキレンオキシド基である。化合物（Ｃ１）（並びに（Ｃ２）及び／又は（Ｓ））のために適した疎水性基は、前記の炭化水素基から選択される基である。これらは、好ましくは、例えば１、２、３、４、５もしくは５より多い原子によって場合により置換されていてよいアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基もしくはアリール基である。
【００９４】
基板表面を過度の官能基で修飾するためには、該表面を酸もしくは塩基で活性化させることができる。更に、基板表面は、酸化、電子線による照射又はプラズマ処理によって活性化されていてよい。更に、官能基を含む物質を、基板表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）を介して適用することができる。
【００９５】
基板と相互作用するために適した官能基は、以下のものを含む：
− シラン類、ホスホン酸類、カルボン酸類及びヒドロキサム酸類：
シラン基を含む好適な化合物（Ｃ１）は、アルキルトリクロロシラン、例えばｎ−（オクタデシル）トリクロロシラン（ＯＴＳ）；トリアルコキシシラン基を有する化合物、例えばトリアルコキシアミノアルキルシラン、例えばトリエトキシアミノプロピルシラン及びＮ［（３−トリエトキシシリル）−プロピル］−エチレン−ジアミン；トリアルコキシアルキル−３−グリシジルエーテルシラン、例えばトリエトキシプロピル−３−グリシジルエーテルシラン；トリアルコキシアリルシラン、例えばアリルトリメトキシシラン；トリアルコキシ（イソシアナトアルキル）シラン；トリアルコキシシリル（メタ）アクリルオキシアルカン及びトリアルコキシシリル（メタ）アクリルアミドアルカン、例えば１−トリエトキシシリル−３−アクリルオキシプロパンである。
（これらの基は、好ましくは二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウムスズ及び酸化ニッケルなどの金属酸化物表面に結合させるために使用される）、
− アミン類、ホスフィン類及び硫黄含有官能基、特にチオール類：
（これらの基は、好ましくは金、銀、パラジウム、白金及び銅などの金属基板に、そしてケイ素及びガリウムヒ化物などの半導体表面に結合させるために使用される）。
【００９６】
好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、Ｃ8〜Ｃ30−アルキルチオール類から選択され、特にヘキサデカンチオールである。更なる好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、メルカプトカルボン酸、メルカプトスルホン酸並びにそれらのアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩から選択される。これらの化合物の例は、メルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸並びにそれらのアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩、例えばナトリウム塩もしくはカリウム塩である。更なる好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、アルキルトリクロロシラン類から選択され、特にｎ−（オクタデシル）トリクロロシラン（ＯＴＳ）である。
【００９７】
基板上での前記化合物（Ｃ１）の堆積に加えて、又はその代わりに、基板を、該基板表面に結合できると同時に、有機半導体化合物（Ｓ）と相互作用できる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）と接触させて、化合物（Ｃ１）でパターン形成されていない基板領域上での（Ｓ）の堆積を妨げることができる。好適な一実施態様によれば、化合物（Ｃ２）は、（Ｓ）と反発型の親水性−疎水性相互作用を有する化合物から選択される。
【００９８】
好ましい一実施態様によれば、式Ｉの有機半導体化合物（Ｓ）は、結晶の形で、より好ましくは微結晶の形で使用される。本発明の目的のためには、用語"微結晶"は、最大寸法５ミリメートルを有する小さい単結晶を指す。例示的な微結晶は、１ｍｍ以下の最大寸法を有し、好ましくはより小さい寸法（しばしば５００μｍ未満、特に２００μｍ未満、例えば０．０１〜１５０μｍの範囲内、好ましくは０．０５〜１００μｍの範囲内）を有するので、係る微結晶は基板上に微細なパターンを形成できる。ここで、個々の微結晶は、単結晶ドメインを有するが、該ドメインは、１つ以上のクラックを含んでよいが、但し、該クラックは、該微結晶を１つより多い結晶ドメインへと分離しない。微結晶の規定された粒度及び結晶学的特性は、直接的Ｘ線解析によって測定することができる。半導体デバイスの製造の間に、好ましくは好適な条件、例えば基板の処理、温度、蒸発速度などは、高い結晶性及び大きい結晶粒を有する被膜を得るために使用される。
【００９９】
半導体化合物（Ｓ）の粒子は、規則的もしくは不規則的な形状であってよい。例えば、粒子は、球形で、もしくは事実上球形で、又は針状の形状で存在してよい。
【０１００】
好ましくは、有機半導体（Ｓ）は、少なくとも１．０５の、より好ましくは少なくとも１．５の、特に少なくとも３の長さ／幅比（Ｌ／Ｗ）を有する粒子の形で使用される。
【０１０１】
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）においては、有機半導体単結晶から製造されるチャネルは、一般に、多結晶有機半導体から製造されるチャネルよりも大きい移動度を有する。その高い移動度は、単結晶チャネルが結晶粒界を有さないという事実をもたらす。結晶粒界は、導電性と、多結晶有機半導体被膜から製造されるＯＦＥＴチャネルの移動度を低下させる。
【０１０２】
一般に有機半導体結晶は、特に微結晶は、式Ｉの化合物の昇華によって得ることができる。好ましい方法は、以下により詳細に定義される物理的気相輸送／物理蒸着（ＰＶＴ／ＰＶＤ）を利用する。好適な方法は、Ｒ．Ａ．Ｌａｕｄｉｓｅ他によって"Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｏｒｇａｎｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ" Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １８７（１９９８）の第４４９〜４５４頁及び"Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｔｒ−ｓｉｚｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｏｆ α−ｈｅｘａｔｈｉｏｐｈｅｎｅ" Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １８２（１９９７）の第４１６〜４２７頁に記載されている。これらのＬａｕｄｉｓｅ他による両方の文献は、ここでその全内容において参照をもって開示されたものとする。これらのＬａｕｄｉｓｅ他によって記載された方法は、有機半導体を蒸発させるのに十分に高い温度に保持された有機半導体基板上に不活性ガスを通すことを含む。Ｌａｕｄｉｓｅ他によって記載された方法は、また、有機半導体で飽和されたガスを冷却して、有機半導体微結晶を同時に凝縮させることを含む。
【０１０３】
本発明の更なる対象は、前記定義の式Ｉの化合物をｎ型半導体として用いる使用である。これらの化合物は、特に、有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用のｎ型半導体として好ましい。
【０１０４】
本発明の更なる対象は、式
【化１７】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｒa及びＲbは、無関係に、水素又は非置換もしくは置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物の製造方法において、式Ｉａ
【化１８】
のリレン二無水物を、式Ｒa−ＮＨ2のアミン及び場合によりアミンＲa−ＮＨ2とは異なる式Ｒb−ＮＨ2の更なるアミンとを反応させることを特徴とする製造方法を提供することである。
【０１０５】
本発明の更なる対象は、式
【化１９】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｘは、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物の製造方法において、式Ｉａ
【化２０】
のリレン二無水物と、式Ｈ2Ｎ−Ｘ−ＮＨ2のアミンとを反応させることを特徴とする製造方法を提供することである。
【０１０６】
無水カルボン酸のイミド化は自体公知である。該二無水物と第一級アミンとの反応は、有利には芳香族溶剤、例えばトルエン、キシレン、メシチレン、フェノールもしくは極性非プロトン性溶剤中で実施される。好適な極性非プロトン性溶剤は、Ｎ−複素環式化合物、例えばピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、キナルジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルピペリドン及びＮ−メチルピロリドンである。好適な溶剤は、また、カルボン酸、例えば酢酸、プロピオン酸、酪酸及びカルボン酸とカルボキサミドの混合物である。
【０１０７】
式Ｈ2Ｎ−Ｘ−ＮＨ2の芳香族ジアミンとの反応は、好ましくは、高沸点有機溶剤、例えばニトロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、α−クロロナフタレン、キノリン、テトラリン、ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、エチレングリコール、氷酢酸及び環状尿素誘導体中で実施される。特に、フェノールが好ましい。
【０１０８】
イミド化のために適した触媒は、有機酸及び無機酸、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、リン酸などである。更なる好適な触媒は、遷移金属、例えば亜鉛、鉄、銅及びマグネシウムの有機塩及び無機塩、例えば酢酸亜鉛、プロピオン酸亜鉛、酸化亜鉛、酢酸鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、酸化銅（ＩＩ）及び酢酸マグネシウムである。触媒の使用は、芳香族アミンの反応のために好ましく、また脂環式アミンの反応のためにも好ましいことがある。フェノールを溶剤として使用する場合には、好ましい触媒はピペラジンである。
【０１０９】
触媒は、好ましくは、イミド化されるべき化合物の全質量に対して、５〜８０質量％、特に１０〜７５質量％の量で使用される。
【０１１０】
アミンと二無水物とのモル比は、好ましくは約２：１〜４：１、より好ましくは２．２：１〜３：１である。
【０１１１】
反応温度は、好ましくは周囲温度から２００℃までであり、より好ましくは４０〜１６０℃である。脂肪族及び脂環式のアミンは、好ましくは、６０℃〜１００℃の温度で反応させる。芳香族アミンは、好ましくは１２０〜１６０℃の温度で反応させる。
【０１１２】
該反応は、不活性雰囲気下で、例えば窒素雰囲気下で実施することができる。
【０１１３】
該反応は、大気圧もしくはより高圧下で実施できる。好適な圧力範囲は、約０．８〜１０バールである。揮発性アミン（沸点１８０℃未満）は、好ましくは大気圧より高圧下で反応させる。
【０１１４】
反応において形成される水は、公知の措置によって、例えば蒸留もしくは、例えばトルエンとの同時蒸留によって分離除去できる。ジアミンが縮合反応で使用される場合に、通常は、水を、例えば蒸留によって分離する必要がある。
【０１１５】
有機溶剤中で十分な可溶性を有する式Ｉの化合物は、再結晶化もしくはカラムクロマトグラフィーによって精製することができる。カラムクロマトグラフィーのために適した溶剤は、例えばハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレンである。有機溶剤中で低い可溶性を有する式Ｉの化合物は、硫酸から再結晶化することができる。
【０１１６】
代替的な一実施態様においては、式Ｉの化合物の精製は、昇華によって実施することができる。分別昇華が好ましい。分別昇華のためには、化合物の昇華及び／又は析出は、温度勾配を使用することによって実施される。好ましくは、式Ｉの化合物は、流動するキャリヤーガス中で加熱することで昇華する。キャリヤーガスは、分離室中に流れる。好適な分離室は、異なる温度で作動する異なる分離領域を含む。好ましくは、いわゆる３領域炉が使用される。分別昇華のために更に好適な方法及び装置は、ＵＳ４，０３６，５９４号に記載されている。
【０１１７】
更なる一実施態様においては、式Ｉの有機半導体化合物は、物理的気相輸送によって精製及び／又は結晶化に供される。物理的気相輸送（ＰＶＴ）及び物理蒸着（ＰＶＤ）は、原子レベルでの材料の輸送を含む蒸発／被覆技術である。ＰＶＤ法は、真空条件下で実施され、以下の工程：
− 蒸発
− 輸送
− 堆積
を含む。
【０１１８】
該方法は、化学蒸着（ＣＶＤ）と類似しているが、但し、ＣＶＤは、基板を１つ以上の揮発性の前駆物質に曝す化学的方法であり、前記の前駆物質は、基板表面上で反応及び／又は分解して、所望の堆積物を産する。驚くべきことに、式Ｉの化合物は、実質的に分解せずに、かつ不所望な副生成物の形成なくして、ＣＶＴに供することができると判明した。堆積された材料は、高純度で、かつｎ型半導体として使用するのに優れた純度、均質性及び寸法を有する結晶の形で得られる。一態様は、物理的気相輸送による結晶成長であり、その際、固体原料物質を、その蒸発温度より高い温度に加熱させ、そしてその蒸気を該材料の結晶化温度未満への冷却によって結晶化させる。得られた結晶を回収し、次いで上述の公知の技術によって基板の特定の領域に適用することができる。更なる一態様は、式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物でＣＶＤによって基板表面をパターン形成するための方法である。この態様によれば、基板上に配置された堆積部位の予め選択されたパターンを有する表面を有する基板を使用するのが好ましい。堆積部位は、基板表面上に選択的な堆積を可能にする任意の材料から形成させることができる。好適な化合物は、基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの化合物を結合できる前記の化合物Ｃ１である。
【０１１９】
ここで、本発明を、付随の図面及び以下の実施例を基礎としてより詳細に説明する。
【０１２０】
実施例
例
物理的気相輸送による有機半導体化合物の精製のための一般的手法
図１による装置において、有機半導体化合物の単結晶を、高純度アルゴンのキャリヤーガス流中での平行型の物理的気相輸送によって成長させた。温度勾配は、約５℃／ｃｍであった。出発材料は、５１０℃に加熱した。得られた単結晶は、ＯＦＥＴの製造のために使用した。
【０１２１】
実施例１
１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド・２ Ｎ−メチルピロリドン
【化２１】
【０１２２】
４０．０ｇ（７５．６ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、２２．２ｇ（２２４ミリモル）のシクロヘキシルアミンと、６００ｍｌのｎ−メチルピロリドンと、２８ｇの酢酸との混合物を、９０℃に加熱し、そしてこの温度で１１時間にわたり保持した。該反応混合物を、室温に冷却した。沈殿物を、濾過によって回収し、そしてメタノールで洗浄し、そして５５℃で乾燥させた。６６．１ｇの赤色の生成物が得られた。その収率は、２つのＮＭＰ分子を有する溶媒和物の定量的収率と一致する。
【０１２３】
実施例２
１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−ベンジル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２２】
【０１２４】
２．６５ｇ（５ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物、１．１ｇ（１０ミリモル）のベンジルアミン、及び２５ｍｌのキシレンを、７５℃に２．５時間にわたり加熱した。別の０．５ｇ（５ミリモル）のベンジルアミン分を添加し、該混合物を７５℃で５時間にわたり撹拌した。その反応混合物を室温に冷却し、濾過し、エタノールで洗浄して、乾燥させた。４．５ｇが得られ、それをトルエン 酢酸エチル３０：１を使用したカラムクロマトグラフィーに供した。２．６ｇ（７３％）の赤色の固体が得られた。
【０１２５】
Ｒf（ＣＨ2Ｃｌ2）＝０．５３
実施例３
１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−フェネチル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２３】
【０１２６】
反応は、まさに上記と同様に実施した。等モル量のフェネチルアミンを、ベンジルアミンの代わりに使用した。粗生成物を、カラムクロマトグラフィーによって精製した。１．８ｇ（４９％）の赤色の固体が得られた。
【０１２７】
Ｒf（トルエン：ＣＨ2Ｃｌ2 １：１）＝０．２
実施例４
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンペリミジン
【化２４】
【０１２８】
５．３ｇ（１０ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、３．６ｇ（２２ミリモル）の１，８−ジアミノナフタレンと、１．７６ｇ（２２ミリモル）のピラジンの混合物を、１７０℃に加熱した。温度を１７０℃に至らしめるために、水を留去した。該混合物を前記温度で２４時間にわたり撹拌した。反応混合物を７０℃に冷却し、メタノールを添加して、該混合物を濾過した。所望の生成物へのより良好なターンオーバーを達成するために、第一の反応から得られた生成物で該手法を繰り返した。沈殿物を、水、５００ｍｌのメタノール、２５０ｍｌの１０％ＮａＯＨ、そして熱水で洗浄した。７．２ｇ（９３％）の黒色物質が得られた。
【０１２９】
実施例５
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンビスベンゾイミダゾール
【化２５】
【０１３０】
５．３ｇ（１０ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、４．７５ｇ（４４ミリモル）のｏ−ジアミノベンゼンと、３．５２ｇ（４４ミリモル）のピラジンと、５０ｇのフェノールの混合物を、１２５℃に加熱した。水を留去して、５０ｍｌのトルエンを添加した。トルエンと水を留去した。１５６℃で、別の１００ｇのフェノール分を添加し、そして該反応混合物を１５６℃で２４時間にわたり保持した。該混合物を室温に冷却し、１００ｍｌのメタノールを添加し、そして生成物を濾過によって単離した。残留物を５００ｍｌのメタノールで洗浄し、次いで５０ｍｌの１０％のＮａＯＨ溶液で洗浄し、最後に熱水で洗浄した。乾燥後に、６．３ｇ（９３）の黒色固体が得られた。
【０１３１】
Ｒf（トリクロロ酢酸：トルエン＝１：５）＝０．３３；０．５０
実施例６
１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２６】
【０１３２】
１６．５ｇ（３０ミリモル）の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、９．０ｇ（９０ミリモル）のシクロヘキシルアミンと、１１ｇの酢酸と、２４０ｍｌのＮＭＰの混合物を、９０℃に１６時間にわたり加熱した。該反応混合物を室温に冷却した後に、該反応混合物を１０００ｍｌの水中に注ぐことによって生成物を沈殿させた。残留物を濾過し、水で洗浄し、そして真空中で乾燥させた。粗生成物を、溶出剤としてトルエンを使用してカラムクロマトグラフィーによって精製した。９．５ｇ（４４％）の赤色の固体が得られた。カラムクロマトグラフィーによる精製のため、１，７−異性体だけが得られ、１，６−異性体はサンプル中に存在しなかった。
【０１３３】
Ｒf（ＣＨ2Ｃｌ2）＝０．５
実施例７
１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−ベンジル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２７】
【０１３４】
１１．０ｇ（２０ミリモル）の１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物の混合物を、４．４ｇ（４０ミリモル）のベンジルアミンと一緒に１００ｍｌのキシレン中で７５℃に６時間にわたり加熱した。次いで、別の４．４ｇ（４０ミリモル）のベンジルアミン分を添加し、そして反応を、７５℃で更に６時間にわたり撹拌した。反応混合物を濾過し、キシレン及びエタノールで洗浄し、そして乾燥させた。１３．９ｇの粗製材料が得られた。４．０ｇの前記の粗製材料を８０ｍｌのＮＭＰ中で１５０℃に加熱し、６０℃に冷却し、濾過し、そしてＮＭＰ及びエタノールで洗浄することによって精製した。３．２ｇ（７６％）の純粋な赤色物質が得られた。その精製工程のため、１，６−異性体は生成物中に存在しなかった。
【０１３５】
Ｒf（ＣＨ2Ｃｌ2：トルエン １：１）＝０．１
実施例８
１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−フェネチル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２８】
【０１３６】
反応及び精製は、まさに上記と同様に実施した。７２％の暗色の物質が得られた。その精製工程のため、１，６−異性体は生成物中に存在しなかった。
【０１３７】
Ｒf（トルエン：酢酸エチル ３０：１）＝０．２
実施例９
【化２９】
【０１３８】
１１．４ｇ（７２ミリモル）の１，８−ジアミノナフタレンと、２．８８ｇ（３６ミリモル）のピラジンと、１００ｇのフェノールの混合物を、１２０℃に加熱した。次いで、９．９ｇ（１８ミリモル）の１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物を添加し、そして該混合物を１７０℃に加熱した。水を留去した。６０ｍｌのトルエンを添加し、そして５０ｇのフェノールを添加した。水とトルエンの留去の後に、該混合物を１８３℃で１４０時間にわたり保持した。
【０１３９】
後処理は、実施例４及び５について既に記載したのと同様に実施する。
【０１４０】
実施例１０
【化３０】
【０１４１】
反応は、実施例９について既に記載したのと同様に実施した。１，２−ジアミノベンゼンを、１，８−ジアミノナフタレンの代わりに使用した。
【０１４２】
実施例１１
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドの使用
【化３１】
【０１４３】
その化合物を公知の手法に従って合成した。１ｍｍの単結晶を図１による装置において一般的手法によって物理蒸着によって作製した。得られた単結晶を、誘電性材料として３００ｎｍのＳｉＯ2層を含む基板上にＯＦＥＴを構築するために使用した。得られたトランジスタは、７のＷ／Ｌ比と、１０ｎＦ／ｃｍ2の容量Ｃと、０．０１４ｃｍ2／Ｖｓの移動度と、オン・オフ比５８０４８を有していた。
【０１４４】
実施例１２
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドの使用
【化３２】
【０１４５】
その化合物を公知の手法に従って合成した。該化合物を３領域炉で３回精製した：
第一の炉
Ｔ１＝３４０℃、Ｔ２＝２９０℃、Ｔ３＝２５０℃ 真空レベル２．７×１０-6トル、
０．２４ｇで始めて、領域Ｔ２で０．１５ｇが得られ、領域Ｔ３で０．１０ｇが得られる
第二の炉
Ｔ１＝３２０℃、Ｔ２＝２９０℃、Ｔ３＝２５０℃ 真空レベル３．２×１０-6トル、
０．１５ｇで始めて、領域Ｔ２で０．０８ｇが得られ、領域Ｔ３で０．０５ｇが得られる
第三の炉
Ｔ１＝３００℃、Ｔ２＝２９０℃、Ｔ３＝２５０℃ 真空レベル２×１０-6トル、
０．０８ｇで始めて、領域Ｔ２で０．０５ｇが得られる
第三の炉での精製の後のＴ２における物質を、９０℃の基板温度を有するオクタデシルトリクロロシランで前処理されたＳｉＯ2上に蒸発させた。移動度０．０８ｃｍ2／Ｖｓが、オン・オフ比９１１２で測定された。
【０１４６】
実施例１３
実施例１２からの精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。移動度０．１１ｃｍ2／Ｖｓ及びオン・オフ比４４７００００が確立された。
【０１４７】
実施例１４
実施例１２からの精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。移動度０．１０ｃｍ2／Ｖｓ及びオン・オフ比１８１００００が確立された。
【０１４８】
実施例１５
実施例１２からの精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で２００℃で使用した。移動度０．１１ｃｍ2／Ｖｓ及びオン・オフ比４４７００００が確立された。
【０１４９】
実施例１６
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドのインバータでの使用
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＴＣ−ＰＴＣＤＩ）及びペンタセンを、３温度領域炉（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ／Ｂｌｕｅ Ｔｈｅｒｍｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）を用いて高真空（５×１０-6トル未満）下で３回の連続的な真空昇華によって精製した。出発材料を、第一の温度領域に載置した。３つの温度領域を、１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドについては３４０℃、２７０℃、そして２５０℃であるように、ペンタセンについては２４９℃、１６０℃、そして１００℃であるように、それぞれ設定した。高ドープされたｎ++シリコン基板を共通のゲート電極として使用した。熱的成長された二酸化ケイ素（３００ｎｍ、容量Ｑ＝１０ｎＦ／ｃｍ2）を、誘電性層として使用した。これらの基板を、アセトンですすぎ、引き続きイソプロピルアルコールですすぐことによって清浄化し、次いでオクタデシル−トリメトキシシラン（Ｃ18Ｈ37Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、ＯＴＳ）で処理した。数滴の純粋なＯＴＳを、真空デシケータ内部にある予熱された石英ブロック（〜１００℃）の頂部にロードした。そのデシケータを直ちに減圧し（〜２５ｍｍＨｇ）、そしてＳｉＯ2／Ｓｉ基板を、ＯＴＳで処理することで、疎水性表面を得た。最後に、該基板を次いで１１０℃で１５分間焼き付け、イソプロパノールですすぎ、そして気流で乾燥させた。トップコンタクト型のｎ型トランジスタの製造のために、ＴＣ−ＰＴＣＤＩ層（４５ｎｍ厚）を基板上部に２×１０-6トル未満の圧力で１．０Å／ｓの堆積速度で真空薄膜堆積システム（Ａｎｇｓｔｒｏｍ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｉｎｃ．，カナダ）を用いて堆積させた。該基板を、薄膜堆積の間に約１５０℃で保持した。高められた基板温度は、より大きい結晶粒度と、ひいてはより高い電荷担体移動度をもたらすことが判明した。ｎ型被膜のための領域は、約１ｃｍ×２ｃｍである。その領域の他は、ｐ型半導体の被膜堆積の間には、薄いガラスマスクによって覆った。トップコンタクト型のｐ型トランジスタの製造のために、ペンタセン層（４５ｎｍ厚）を基板上部に２×１０-6トル未満の圧力で１．０Å／ｓの堆積速度で、既に堆積させたペリレン誘導体の薄膜を覆いつつ堆積させた。該基板を、薄膜堆積の間に６０℃で保持した。様々なチャネル長さ（Ｌ）及び幅（Ｗ）を有するシャドウマスクを、金（約４０ｎｍ）金属蒸発のために使用して、ｐ型とｎ型の両方のトップコンタクト型の薄膜トランジスタを作製した。インバータに最適な駆動条件を達成するために両方の型のトランジスタからのソース／ドレイン電流を適合させるために、１０のＷ／Ｌ（すなわちＷ／Ｌ＝２０００μｍ／２００μｍ）及び５０のＷ／Ｌ（すなわちＷ／Ｌ＝２５００μｍ／５０μｍ）を、それぞれｐ型トランジスタ及びｎ型トランジスタのために使用した。インバータを形成するために、ｐ型トランジスタとｎ型トランジスタのそれぞれからの両方のドレイン電極を、インジウムなどの軟質金属で金電極に結合されたその両末端を有するアルミニウムワイヤを用いて接続した。
【０１５０】
最終的なインバータ構造を、図２に示す。２０のＷ／Ｌ比を有するＯＴＦＴを、参照として作製した。ＯＴＦＴデバイス及び相応のインバータの電気的特性を、研究室周囲環境において、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社の４２００−ＳＣＳ型半導体パラメータ解析機を使用して測定した。電荷担体移動度などのトランジスタにとって重要なデバイスパラメータを、ドレイン−ソース電流（Ｉd）−ゲート電圧（Ｖg）特性から取り出した。ゲイン、ノイズマージン及び出力電圧振幅などのインバータのためのパラメータを、出力電圧（Ｖout）対入力電圧（Ｖin）の増幅特性曲線から取り出した。ペンタセン及びＴＣ−ＰＴＣＤＩの典型的な電流−電圧特性を、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す。ペンタセンＴＦＴについて取り出された移動度は、約０．５ｃｍ2／Ｖｓであった。オン・オフ比は、１．２×１０5であり、閾電圧は−８．７Ｖであった。ＴＣ−ＰＴＣＤＩについてのｎ型移動度、オン・オフ比及び閾電圧は、０．１０ｃｍ2／Ｖｓ、１．２×１０5、４．８Ｖであった。ｐ型とｎ型の材料の両方の優れた空気安定性は、有機ＴＦＴを周囲空気中で非常に良好に作動可能にする。図４に示されるように、Ｖddが４０Ｖの場合に、ＴＣ−ＰＣＤＩインバータについてのの最高のゲインは約１２であり、ノイズマージンは４．５Ｖであり、かつ出力電圧振幅は、約３３Ｖである。ここで、出力電圧振幅は、出力電圧の最大値と最小値との間の差として定義される。相応の値は、Ｖdd＝３０Ｖの場合に、９、４Ｖ及び２７Ｖであり、かつＶdd＝５０Ｖの場合に、１１、７．５Ｖ及び４７Ｖである。出力電圧は、印加された電圧Ｖddに近い値から始まり、次いで非常に低い値に劇的に低下する。そのヒステリシスを図５に示す。少数のヒステリシスが観察され、そのためには幾つかの原因がある。ゲート誘電体における両方の可動電荷、誘電体／半導体界面での電荷トラッピング及び／又はｐチャネル及びｎチャネルトランジスタの間での不完全なカップリングは、ヒステリシスをもたらし得る。ペンタセントランジスタについてはいかなるヒステリシスも観察されなかったが、４０Ｖ及び５０ＶのＶdsで駆動するｎチャネルトランジスタは、非常に小さいが、観察できるヒステリシスを示すが、それはおそらく、半導体／絶縁体界面での電荷トラッピングによるものである。
【０１５１】
半導体エレメントの作製のための一般的手法
Ｉ． 物理蒸着（ＰＶＤ）を使用することによる半導体基板の製造
誘電体として熱成長された酸化物層（単位面積容量Ｑ＝１０ｎＦ／ｃｍ2）を有するｎドープされたシリコンウェハ（２．５×２．５ｃｍ、導電率＜０．００４Ω-1ｃｍ）を、基板として使用した。基板表面をアセトンですすぎ、引き続きイソプロパノールですすぐことによって清浄化した。次いで、基板表面を、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＴＳ、Ｃ18Ｈ37Ｓｉ（ＯＣＨ3）3）で処理することによって修飾した。このために、数滴のＯＴＳ（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍ．Ｃｏ．から得られる）を、予熱された基板表面（約１００℃）上にロードした。デシケータを直ちに減圧し（２５ｍｍＨｇ）、そして該基板を真空下で５時間にわたり放置した。最後に、該基板を１１０℃で１５分間焼き付け、イソプロパノールですすぎ、そして気流で乾燥させた。式Ｉの化合物を、約４０ｎｍの厚さを有する薄膜として基板表面上に真空堆積させた。堆積速度は、１０-5トルで１．０Å／ｓであった。トップコンタクト型デバイスを、金のソース電極とドレイン電極をシャドウマスクを通じて有機半導体膜上に堆積させることによって作製した。チャネル長は、２０００μｍであり、かつチャネル幅は、２００μｍであった。ＯＦＥＴの電気的特性を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社の４２００−ＳＣＳ型の半導体パラメータ解析機を使用することにょって測定した。
【０１５２】
ＩＩ． スピンコート法を使用することによる半導体基板の製造 − トップコンタクト・ボトムゲート型デバイス
誘電体として熱成長された酸化物層（３００ｎｍ）（単位面積容量Ｑ＝１０ｎＦ／ｃｍ2）を有するｎドープされたシリコンウェハ（２．５×２．５ｃｍ、導電率＜０．００４Ω-1ｃｍ）を、基板として使用した。基板表面をアセトンですすぎ、引き続きイソプロパノールですすぐことによって清浄化した。次いで、基板表面を、物理蒸着技術について既に説明したように、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＴＳ、Ｃ18Ｈ37Ｓｉ（ＯＣＨ3）3）で処理することによって修飾した。式Ｉの化合物を、ウェハ上に薄膜としてスピンコート（８００ｒｐｍ、３０秒）した。ジクロロメタン、トリクロロメタンもしくはテトラヒドロフランを溶剤として使用した。トップコンタクト型のＳＤ電極を、スピンコートされたサンプル上に堆積させた。
【０１５３】
実施例１７
以下の化合物
【化３３】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。１．１×１０-3ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５４】
実施例１８
以下の化合物
【化３４】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。５．２×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５５】
実施例１９
以下の化合物
【化３５】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。７．３２×１０-3ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５６】
実施例２０
以下の化合物
【化３６】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。２．２×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５７】
実施例２１
実施例５からのシス／トランス混合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で使用した。以下の結果が得られた：
【表１】
【０１５８】
実施例２２
以下の異性体の混合物
【化３７】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。１．６×１０-3ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５９】
実施例２３
以下の異性体の混合物
【化３８】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。３．４×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６０】
実施例２４
実施例７からの化合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。単結晶を、物理蒸着によって作製し、そして実施例１１に従ってＯＦＥＴへと加工した。
【０１６１】
得られた単結晶を、誘電性材料として３００ｎｍのＳｉＯ2層を含む基板上にＯＦＥＴを構築するために使用した。得られたトランジスタは、９のＷ／Ｌ比と、１０ｎＦ／ｃｍ2の容量Ｑと、９．４×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度と、オン・オフ比４５０９を有し、そして閾電圧Ｖthは、１９．４Ｖであった。
【０１６２】
ＯＴＦＴ：移動度＝２×１０-5ｃｍ2／Ｖｓ
実施例２５
実施例９からのシス／トランス混合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。２．１×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６３】
実施例２６
実施例１０からのシス／トランス混合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。
【０１６４】
精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。１．１×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６５】
精製された物質を、また、ＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。２×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６６】
実施例２７
実施例７からの化合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。１．５×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６７】
実施例２８
実施例６からの化合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。２×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６８】
実施例２９
１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（ＴＣ−ＰＴＣＤＡ）を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。
【０１６９】
精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で８０℃で使用した。７．０×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７０】
精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。１．１×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７１】
実施例３０
１，６−ジブロモ−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物と１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（ＤＢｒ−ＰＴＣＤＡ）の比率１５：８５の混合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。
【０１７２】
精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。７×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７３】
実施例３１
実施例２からの化合物を、クロマトグラフィーもしくは結晶化のいずれかによって精製した。得られた材料を使用して、前記の手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴを構築した。
【０１７４】
実施例２からの化合物を、クロマトグラフィーによって精製し、それをＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。８×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７５】
実施例２からの化合物を、結晶化によって精製し、それをＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。１．８×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７６】
実施例３２
Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化３９】
【０１７７】
２３０ｍｇ（０．４３３ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、６００ｍｇのペンタフルオロアニリンと、８ｍｌのＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）（蒸留し乾燥させた）と、２００μｌの酢酸と、５０ｍｇの酢酸亜鉛（乾燥させた）の混合物を、超音波浴中で１０分間処理し、次いでアルゴン下で１５０℃で約１０時間にわたり、かつ１７０℃で更に３〜４時間にわたり加熱した。該反応混合物を、室温にまで冷却させ、そしてその固体混合物を、ジクロロメタン中に取り、２ＮのＨＣｌに注いだ。該反応混合物を、ジクロロメタンで数回抽出し、合した有機相を乾燥させ、そして濃縮させた。残留物を、ジクロロメタンを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製した。収量：２００ｍｇ（５３％）。
【０１７８】
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＴＭＳ）：δ＝８．７９（ｓ，４Ｈ）
ＨＲ−ＭＳ（ＥＳＩ（ネガティブモード、トリクロロメタン）：８９２．８４６２８（Ｍ＋Ｃｌ-）、計算値：８９２．８４５９５（Ｃ36Ｈ4Ｃｌ5Ｆ10Ｎ2Ｏ4）；
電子化学：（ＣＨ2Ｃｌ2，０．１Ｍ ＴＢＡＨＦＰ対フェロセン）：
Ｅred1/2（ＰＢＩ／ＰＢＩ-）＝−０．６９Ｖ
Ｅred1/2（ＰＢＩ-／ＰＢＩ2-）＝−０．８９Ｖ
Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドを、３領域炉（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）（３３０℃、２６０℃、１９４℃）を使用した３領域真空昇華によって、真空レベル：１．１×１０-5トルで精製した。使用した材料を、第三の精製の後に第二の温度領域（Ｔ２）から回収した。
【０１７９】
その化合物を、前記の手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。該化合物を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。移動度０．０１２ｃｍ2／Ｖｓが測定された。
【０１８０】
ＯＴＳで処理された基板上に様々な基板温度（室温、９０℃及び１２５℃）で堆積されたＮ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロ−フェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（１００ｎｍ）の薄膜に対して、空気安定性測定を実施した。以下の結果が得られた：
【表２】
【０１８１】
該デバイスは、初期値の大きな低下を示さなかった。このことは、Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが、良好な適用特性を有する空気安定なｎ型半導体であることを示している。
【０１８２】
また、Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドを、前記の手法に従ってスピンコート技術を使用して加工した。該化合物を、ＯＴＳで前処理された基板上で使用した。５．４１×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【技術分野】
【０００１】
発明の背景
発明の属する分野
本発明は、有機電界効果トランジスタの製造方法に関する。
【０００２】
関連技術の説明
マイクロエレクトロニクスの分野においては、できる限り低い欠陥率で、簡便かつ廉価に再現できる、より小さいデバイスエレメントの開発に常に要求がある。最近のデジタル集積回路は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を基礎としており、それは半導体材料中の"チャネル"の導電性の制御を電場に頼っている。有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）は、大きなアクティブ領域を有する集積回路のためのフレキシブル又は破損しえない基板の製造を可能にする。ＯＦＥＴは複雑な回路の製造を可能にするので、それらは広い分野の潜在的な用途を有する（例えばピクセルディスプレイのドライバ回路において）。
【０００３】
当該技術分野において、集積回路（ＩＣ）の製造方法は、例えばリソグラフィー技術によってよく知られている。
【０００４】
ＤＥ−Ａ−３２３５５２６号は、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸ジイミドであって、そのペリレン核において、アルコキシ、アルキルチオ、アリールオキシ、アリールチオ、＝ＳＯ2及び−ＳＯ2−Ｒ基から選択される少なくとも１つの基で置換されたものを開示している。更に、前記化合物は、そのペリレン核において、少なくとも１つの塩素基もしくは臭素基で置換されていてよい。
【０００５】
ＤＥ−Ａ−３４３４０５９号は、ペリレンテトラカルボン酸ジイミドを、塩化スルフリルによって不活性な有機液体中で触媒の存在下で塩素化することによって製造される、塩素化されたペリレンテトラカルボン酸ジイミドを開示している。そのペリレン核は、２、３、４もしくは５個又は６個の塩素基を有する。前記のジイミド窒素原子の置換基は、互いに無関係に、ａ）非置換もしくはシアノ、ヒドロキシル、シクロアルキル、アルキルカルボニルオキシ、アルケニルカルボニルオキシもしくはシクロアルキルカルボニルオキシによって置換され、かつアルキル鎖がＯもしくはＳによって中断されていてもよい、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18−アルキルであるか、あるいはｂ）非置換もしくはアルキル、カルボアルコキシもしくはトリフルオロメチルによって置換された、Ｃ5〜Ｃ18−シクロアルキルであるか、のいずれかである。
【０００６】
ＤＥ−Ａ−１９５４７２０９号は、１，７−二置換されたペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物及びペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸を開示しており、その置換基は、置換もしくは非置換のアリールオキシ、アリールチオ、ヘタリールオキシもしくはヘタリールチオから選択される。また、これらの化合物のための中間体として、１，７−ジブロモペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが開示されている。
【０００７】
ＵＳ５，９８６，０９９号は、置換されたクアテリレンテトラカルボン酸ジイミドであって、その芳香族核が１２個までの置換基、とりわけハロゲンを有してよい物を開示している。
【０００８】
ＵＳ２００５／０２２２４１６号Ａ１は、１，６，９，１４−四置換されたテリレンテトラカルボン酸ジイミドであって、その置換基がとりわけ臭素であるものを開示している。
【０００９】
ＤＥ−Ａ−１０１４８１７２号は、蛍光性の２，６−置換されたナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドを記載しており、その際、それらの置換基は、無関係に、水素、ハロゲン、アミノ、−ＮＨＲもしくは−ＯＲであり、その置換基の少なくとも１つは水素もしくはハロゲンとは異なる。また、中間体として使用される２，６−ジクロロ−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド及び２，６−ジブロモ−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドも開示されている。開示されたナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドは、とりわけ蛍光性色素及びレーザ用色素として使用される。
【００１０】
Ｈ．Ｌａｎｇｈａｌｓ及びＳ．Ｋｉｒｎｅｒは、Ｅｕｒ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０００，３６５−３８０において、コア拡張型のペリレンテトラカルボン酸ビスイミドを基礎とする蛍光性色素を開示している。具体的なハロゲン置換された化合物としては、１−ブロモ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１−ヘキシルヘプチル）−ペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）が開示されているにすぎない。
【００１１】
Ｈ．Ｔｉａｎは、Ｔｅｔ．Ｌｅｔ．４６，２００５，４４４３−４４４７において、ペリレンテトラカルボン酸二無水物の臭素化によりテトラブロモ誘導体を得ることを開示している。相応のテトラブロモジイミドに関しては、単離も特性決定も記載されていない。
【００１２】
Ｄ．Ｚｈｕは、Ｏｒｇ．Ｌｅｔ．２００６，８，５，８６７において、エチルヘキシル置換基を有する相応のテトラブロモペリレンジイミドを開示している。
【００１３】
上述の参考文献のいずれも、ＯＦＥＴの製造のためのｎ型有機半導体としてリレンテトラカルボン酸の誘導体を使用することを記載していない。
【００１４】
Ｍ．Ｊ．Ａｈｒｅｎｓ，Ｍ．Ｊ．Ｆｕｌｌｅｒ及びＭ．Ｒ．Ｗａｓｉｅｌｅｗｓｋｉ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００３，１５の第２６８４〜２６８６には、有機フォトニクス及びエレクトロニクスのための安易な発色酸化剤として、シアン化されたペリレン−３，４−ジカルボキシイミド及びペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）が開示されている。
【００１５】
Ｂ．Ａ．Ｊｏｎｅｓ他著のＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．２００４，１１６の第６５２３〜６５２６頁には、高移動度の空気安定なｎ型半導体として、ジシアノ−ペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）が記載されている。
【００１６】
ＵＳ２００５／０１６９７０号Ａ１は、１つ以上の電子吸引部もしくは基を有するペリレン−３，４−ジカルボキシイミド類及びペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）を、ｎ型半導体として用いる使用を開示している。ペリレン核に臭素置換基を有する化合物は、標的分子の合成における中間体として使用されるにすぎない。
【００１７】
３つの最後に挙げた文献によりｎ型半導体として使用される化合物は、ハロゲン置換基を有していない。
【００１８】
ＣｈｅｍＰｈｙｓＣｈｅｍ ２００４，５，１３７−１４０は、式
【化１】
［式中、Ｒは、ｎ−Ｃ12Ｈ25、４−（ｎ−Ｃ12Ｈ25）Ｃ6Ｈ4、２，６−（ｉ−Ｃ3Ｈ7）2Ｃ6Ｈ3である］のテトラクロロ置換されたペリレンビスイミドの構造上の特性、電気化学的特性及び電荷輸送特性についての研究を記載している。この文献は、ＯＦＥＴの製造のための方法を教示していない。
【００１９】
Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００５，１５，１２７０−１２７６（Ｗｕｅｒｔｈｎｅｒ，Ｍｕｌｌｅｎ他）は、液晶性のペリレンビスイミド誘導体における電荷担体寿命において、その芳香核を塩素で置換することで増加が見られることを報告している。使用されるペリレンビスイミド誘導体は、以下の構造
【化２】
を有する。
【００２０】
この文献は、また、ＯＦＥＴの製造のための方法を教示していない。
【００２１】
ＵＳ２００５／００１７２３７号は、リレン型の化合物を基礎とする半導体層を含む電子デバイスを記載している。薄膜型トランジスタの僅かな具体的な例は、非置換の芳香核を有するペリレンテトラカルボン酸ジイミドを含む。
【００２２】
ＵＳ２００３／０１８１７２１号Ａ１（Ｗｕｅｒｔｈｎｅｒ）は、式
【化３】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素、臭素、置換もしくは非置換のアリールオキシ、アリールチオ、アリールアミノ、ヘタリールオキシもしくはヘタリールチオであり、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、無関係に、水素もしくは長鎖アルキル、アルコキシもしくはアルキルチオであるが、但し、これらの基の少なくとも４つは、水素ではない］の四置換されたペリレンテトラカルボン酸ジイミドを開示している。
【００２３】
また、非常に一般的な用語で、係るペリルイミドは、発光ダイオード及び光起電ダイオード、光伝導体及びトランジスタにおける電荷輸送材料などのエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス及びフォトニクス用途のために有用であることが述べられている。この文献は、また、ＯＦＥＴの製造のための方法を教示していない。開示される僅かな具体的なハロゲン置換された化合物は、４個の塩素基もしくは４個の臭素基によって置換された芳香核を有し、かつそれらの化合物は、標的分子の合成における中間体として使用されるにすぎない。
【００２４】
Ｄ．Ｓｃｈｌｅｔｔｗｅｉｎ他は、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ５（２００４），２３７−２４９において、物理蒸着によって製造された１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４，９，１０−ビスカルボキシイミドの薄膜と、相応の塩素化されていない化合物の薄膜との電気的特性を比較している。塩素化されていない基板の薄膜の比導電率は、塩素化されていない化合物のそれよりも約１００倍も高い。
【００２５】
発明の要旨
第一の態様において、本発明は、以下の工程
ａ）基板上に配置されたゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を提供する工程と、
ｂ）前記基板のゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とが配置された領域に、ｎ型の有機半導体化合物を適用する工程とを含む有機電界効果トランジスタの製造方法において、
前記のｎ型の有機半導体化合物が、式Ｉ
【化４】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Y2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaの場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、その際、ＲaとＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbの場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、その際、ＲbとＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物から選択されることを特徴とする方法を提供する。
【００２６】
更なる一態様においては、本発明は、有機電界効果トランジスタのパターンを含む基板の製造方法において、基板の表面上に、基板の表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）及び／又は基板の表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）の結合を妨げることができる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）を堆積させることを含む方法を提供する。
【００２７】
更なる一態様においては、本発明は、複数の有機電界効果トランジスタを含み、各トランジスタが、
− 基板上に配置された有機半導体（Ｓ）と、
− 微結晶のチャネル部の導電性を制御するように配置されたゲート構造と、
− 該チャネル部の対向端部に配置された導電性のソース電極及びドレイン電極とを含む基板の製造方法において、
式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を基板の表面に適用して、その適用された有機半導体化合物（Ｓ）の少なくとも一部を、基板の表面上の結合部位の少なくとも一部分に結合させることを可能にすることを特徴とする方法を提供する。
【００２８】
更なる一態様においては、本発明は、基板上に有機電界効果トランジスタのパターンを提供する工程を含む電子デバイスの製造方法において、複数のトランジスタの少なくとも一部が、ｎ型の有機半導体化合物として、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含むことを特徴とする方法を提供する。
【００２９】
更なる一態様においては、本発明は、基板上に有機電界効果トランジスタのパターンを含む電子デバイスであって、複数のトランジスタの少なくとも一部が、ｎ型の有機半導体化合物として、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含むことを特徴とする電子デバイスを提供する。
【００３０】
本発明による方法を使用することで、広く様々なデバイスを提供することができる。係るデバイスは、電気的デバイス、光学デバイス、光電子デバイス（例えば通信及び他の用途のための半導体デバイス、例えば発光ダイオード、電子吸収モジュレータ及びレーザ）、機械的デバイス及びそれらの組合せ物を含むことができる。本発明の方法により得られる複数のトランジスタから構成された機能的デバイスを使用して、種々のＩＣアーキテクチャを製造することができる。更に、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物は、慣用の半導体デバイス、例えばダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、インバータ、センサ及びバイポーラトランジスタにおいて使用することができる。本発明の一態様は、本発明の方法を、隣接したｎ型及び／又はｐ型の半導体コンポーネントから電子デバイスを作製するために用いる使用を含む。これは、当業者が所望のように半導体を使用して製造する本発明の方法によって製造できる任意のデバイスを含む。係るデバイスの例は、これらに制限されないが、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、トンネルダイオード、変調ドープ超格子、相補型インバータ、発光デバイス、光感知デバイス、生物学的システムイメージャ、生物学的及び化学的な検出器もしくはセンサ、熱検出器もしくは温度検出器、ジョセフィン接合、ナノスケール光源、光検出器、例えば偏光感受性光検出器、ゲート、インバータ、ＡＮＤ、ＮＡＮＤ、ＮＯＴ、ＯＲ、ＴＯＲ及びＮＯＲゲート、ラッチ、フリップフロップ、レジスタ、スイッチ、クロック回路、静的もしくは動的なメモリデバイス及びアレイ、ステートマシン、ゲートアレイ及び任意の他の動的もしくは順序論理デバイス又はプログラミング可能な回路を含む他のデジタルデバイスを含む。
【００３１】
電子デバイスの一つの特定の型は、インバータである。デジタル論理において、インバータは、その入力で駆動されたデジタル信号を反転させる論理ゲートである。それはまたＮＯＴゲートとも呼ばれる。ゲートの真理値表は、以下の通りである：入力０＝出力１；入力１＝出力０。実際に、インバータ回路は、その入力とは反対の論理レベルを表す電圧を出力する。デジタルエレクトロニクスは、論理０もしくは１に相当する固定電圧レベルで駆動する回路である。インバータ回路は、これらの２つの電圧レベルの間でスワップするための基本論理ゲートとしてはたらく。実装は、実際の電圧を決めるが、コモンレベルは、ＴＴＬ回路に関しては（０，＋５Ｖ）を含む。共通の型は、１つのトランジスタと１つのレジスタを使用する抵抗型ドレインと、１インバータ回路あたりに２つの（反対型の）トランジスタを使用するＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）とを含む。デジタルインバータの性能品質は、電圧伝達曲線（ＶＴＣ）、すなわち出力電圧に対する入力電圧のプロットを使用して測定することができる。係るグラフから、ノイズ耐量、ゲイン及び作動論理レベルを含むデバイスパラメータを得ることができる。理想的には、電圧伝達曲線（ＶＴＣ）は、反転されたステップ関数として見なされるが（すなわち、オンとオフとの間の厳密なスイッチング）、実際のデバイスにおいては、段階的な遷移領域が存在する。この遷移領域の傾きは、品質の尺度である：急勾配であればあるほど（無限に近い）、その傾きは、スイッチングをより正確にする。ノイズに対する耐量は、それぞれの作動領域についての最小入力と最大出力（オン／オフ）とを比較することによって測定することができる。出力電圧ＶＯＨは、多くのデバイスがともに連なる場合には、シグナル駆動強さの尺度となることがある。デジタルインバータは、全てのデジタルエレクトロニクス用の基本的な構成単位であると考えられる。メモリ（１ビットレジスタ）は、２つの直列インバータの出力を一緒に供給することによってラッチとして構築される。マルチプレクサ、デコーダ、ステートマシン及び他の精巧なデジタルデバイスは全てがインバータに頼っている。
【００３２】
更なる一態様においては、本発明は、式Ｉの少なくとも１つの化合物を、ｎ型の有機半導体化合物として含むインバータを提供する。特定の一実施態様は、２つの（反対型の）トランジスタを含むＣＭＯＳインバータである。高速ＣＭＯＳ回路については、両方のｐチャネル型及びｎチャネル型の半導体が同様の良好な移動度を有することが極めて望まれる。ｐチャネル型のトランジスタについては、０．１ｃｍ2／Ｖｓより大きい移動度を有する多くの候補、例えばペンタセンが存在する。ここで、驚くべきことに、式Ｉの化合物は、好ましくはｎ型半導体としてインバータにおいて使用できることが判明した。
【００３３】
更なる一態様においては、本発明は、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを含み、各トランジスタが該基板上に配置された式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を含む基板を含む集積回路（ＩＣ）の製造方法において、式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を基板表面に適用して、適用された有機半導体化合物（Ｓ）の少なくとも一部を、該基板表面上の結合部位の少なくとも一部に結合可能にすることを特徴とする方法を提供する。
【００３４】
更なる一態様においては、本発明は、式Ｉの化合物をｎ型半導体として用いる使用を提供する。これらの化合物は、特に、有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用のｎ型半導体として好ましい。
【００３５】
更なる一態様においては、本発明は、式Ｉの化合物の製造方法を提供する。
【００３６】
更なる一態様においては、本発明は、式Ｉの新規化合物を提供する。本発明のこの態様及び前記の態様の特定の一実施態様においいては、式Ｉの化合物は、
【化５】
ではない。
【００３７】
更なる一態様においては、本発明は、結晶性のｎ型の有機半導体化合物を製造するための方法において、式Ｉの化合物を化学気相輸送法（ＣＶＴ）に供することを特徴とする方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、物理気相輸送法による有機半導体化合物の精製のための装置を示している。図１による装置は、有機半導体化合物の単結晶を製造するのに適している。
【図２】図２は、ｎ型トランジスタとして１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドを含み、かつｐ型トランジスタとしてペンタセンを含むインバータ構造の構造を示している。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、ペンタセンと１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドの典型的な電流−電圧特性を示している。
【図４】図４は、ＴＣ−ＰＴＣＤＩインバータについてのＶddが４０Ｖの場合の最高のゲインは約１２であり、ノイズマージンは４．５Ｖであり、かつ出力電圧振幅は、約３３Ｖであることを示している。
【図５】図５は、ＴＣ−ＰＴＣＤＩについてのヒステリシスを示している。
【００３９】
本発明の好ましい態様の詳細な説明
本発明の目的のためには、用語"アルキル"は、直鎖状及び分枝鎖状のアルキル基を含む。これらの基は、有利には直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1〜Ｃ30−アルキル基、より有利にはＣ1〜Ｃ20−アルキル基、特に有利にはＣ1〜Ｃ12−アルキル基である。アルキル基の例は、特に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシルである。
【００４０】
表現"アルキル"は、また、アルキル基であって、その炭素原子が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲe−、−ＣＯ−及び／又は−ＳＯ2−から選択される１つ以上の隣接していない基によｙって中断されていてよい基を含み、その際、Ｒeは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。
【００４１】
表現"アルキル"は、また、置換されたアルキル基を含む。置換されたアルキル基は、一般に１つもしくは１つより多い（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多い）置換基を有してよい。該置換基は、有利には、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ1及びＥ2は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。カルボキシレートは、カルボン酸官能基の誘導体、特に金属カルボキシレート、カルボン酸エステル官能基もしくはカルボキサミド官能基である。スルホネートは、スルホン酸官能基の誘導体、特に金属スルホネート、スルホン酸エステル官能基もしくはスルホンアミド官能基である。アルキル基のシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリール置換基は、その一部で非置換もしくは置換されていてよく、好適な置換基は、これらの基について以下に挙げる置換基である。
【００４２】
前記のアルキルに関する規定は、また、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニルなどにおける全てのアルキル部に当てはまる。
【００４３】
アリール置換されたアルキル（"アリールアルキル"）は、以下のような少なくとも１つの非置換もしくは置換のアリール基を有する。"アリールアルキル"中のアルキル部は、少なくとも１つの更なる置換基を有してよく、かつ／又はその炭素鎖は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲe−、−ＣＯ−及び／又は−ＳＯ2−から選択される１つ以上の隣接していない基によって中断されていてよい。アリールアルキルは、有利にはフェニル−Ｃ1〜Ｃ10−アルキル、特にフェニル−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、例えばベンジル、１−フェネチル、２−フェネチル、１−フェンプロピ−１−イル、２−フェンプロピ−１−イル、３−フェンプロピ−１−イル、１−フェンブチ−１−イル、２−フェンブチ−１−イル、３−フェンブチ−１−イル、４−フェンブチ−１−イル、１−フェンブチ−２−イル、２−フェンブチ−２−イル、３−フェンブチ−２−イル、４−フェンブチ−２−イル、１−（フェンメタ）エチ−１−イル、１−（フェンメチル）−１−（メチル）−エチ−１−イルもしくは１−（フェンメチル）−１−（メチル）−プロピ−１−イル、好ましくはベンジルもしくは２−フェンエチルである。
【００４４】
本発明の目的のためには、アルケニルは、直鎖状及び分枝鎖状のアルケニル基であって、鎖長に応じて、１つ以上の二重結合（例えば１、２、３、４もしくは４つより多い）を有してよい基を含む。Ｃ2〜Ｃ18−アルケニル基が好ましく、より好ましくはＣ2〜Ｃ12−アルケニル基である。"アルケニル"は、また、例えば１、２、３、４、５つもしくは５つより多くの置換基を有してよい置換されたアルケニル基を含む。好適な置換基の例は、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ3Ｅ4、ニトロ及びシアノを含み、その際、Ｅ3及びＥ4は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。
【００４５】
アルケニルの例は、エテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、５−ヘキセニル、ペンタ−１，３−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−６−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−６−イル、ヘプタ−１，４−７−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−７−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−５−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−１−イル、オクタ−１，４−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−３−イル、オクタ−１，４−ジエン−６−イル、オクタ−１，４−ジエン−７−イル、オクタ−１，５−ジエン−１−イル、オクタ−１，５−ジエン−３−イル、オクタ−１，５−ジエン−４−イル、オクタ−１，５−ジエン−７−イル、オクタ−１，６−ジエン−１−イル、オクタ−１，６−ジエン−３−イル、オクタ−１，６−ジエン−４−イル、オクタ−１，６−ジエン−５−イル、オクタ−１，６−ジエン−２−イル、デカ−１，４−ジエニル、デカ−１，５−ジエニル、デカ−１，６−ジエニル、デカ−１，７−ジエニル、デカ−１，８−ジエニル、デカ−２，５−ジエニル、デカ−２，６−ジエニル、デカ−２，７−ジエニル、デカ−２，８−ジエニルなどである。上記の特記事項は、アルケニルオキシ、アルケニルチオなどにも同様に当てはまる。
【００４６】
本発明の目的のためには、"アルキニル"は、非置換もしくは置換のアルキニル基であって、１つ以上の三重結合を有してよい基を含む。Ｃ2〜Ｃ18−アルキニル基が好ましく、より好ましくはＣ2〜Ｃ12−アルキニル基である。アルキニルの例は、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−ヘキシニル、２−ヘキシニル、３−ヘキシニル、４−ヘキシニル、５−ヘキシニルなどである。上記の特記事項は、アルキニルオキシ、アルキニルチオなどにも同様に当てはまる。"アルキニル"は、また、例えば１、２、３、４、５つもしくは５つより多くの基を有してよい置換されたアルキニル基を含む。アルキニル基にとって好適な基の例は、"アルキル"にとって好適な基として上述したのと同じものである。
【００４７】
本発明の目的のためには、用語"シクロアルキル"は、置換と非置換の両方のシクロアルキル基、有利にはＣ3〜Ｃ8−シクロアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルもしくはシクロオクチル、特にＣ5〜Ｃ8−シクロアルキルを含む。置換のシクロアルキル基は、例えば、好ましくはアルキルとは無関係に選択され、"アルキル"について上記定義した置換基を１、２、３、４、５もしくは５つより多く有してよい。置換のシクロアルキル基は、好ましくは１つ以上の、例えば１、２、３、４もしくは５つのＣ1〜Ｃ6−アルキル基を有する。
【００４８】
好ましいシクロアルキル基の例は、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、３−、４−及び５−プロピルシクロオクチルである。
【００４９】
用語"シクロアルケニル"は、非置換及び置換の、３〜８個の、有利には５〜６個の炭素環員を有する一不飽和の炭化水素基、例えばシクロペンテン−１−イル、シクロペンテン−３−イル、シクロヘキセン−１−イル、シクロヘキセン−３−イル、シクロヘキセン−４−イルなどを含む。シクロアルケニルにとって適した置換基は、シクロアルキルについて上述したものと同じである。
【００５０】
用語"ビシクロアルキル"は、好ましくは、５〜１０個の炭素原子を有する二環式の炭化水素基、例えばビシクロ［２．２．１］へプチ−１−イル、ビシクロ［２．２．１］へプチ−２−イル、ビシクロ［２．２．１］へプチ−７−イル、ビシクロ［２．２．２］オクチ−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクチ−２−イル、ビシクロ［３．３．０］オクチル、ビシクロ［４．４．０］デシルなどを含む。
【００５１】
本発明の目的のためには、用語"アリール"は、非置換であってよいもしくは非置換の単環式もしくは多環式の芳香族炭化水素基を含む。アリールは、有利には、非置換もしくは置換のフェニル、ナフチル、インデニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ナフタセニル、クリセニル、ピレニルなど、特にフェニルもしくはナフチルである。アリールは、置換されている場合には、環系の数及びサイズに応じて、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよく、前記置換基は、有利には、互いに無関係に、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ5Ｅ6、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ5及びＥ6は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。アリールは、特にフェニルであり、それは置換されている場合に、一般に１、２、３、４もしくは５つの、好ましくは１、２もしくは３つの置換基を有してよい。
【００５２】
非置換もしくは置換されていてよいアリールは、好ましくは２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｓ−ブチルフェニル、２，４，６−トリ−ｓ−ブチルフェニル、２−、３−及び４−ｔ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニルである。
【００５３】
本発明の目的のためには、ヘテロシクロアルキルは、一般に５〜８個の環原子、好ましくは５もしくは６個の環原子を有し、その環炭素原子の１、２もしくは３つが酸素、窒素、硫黄及び基−ＮＲ3−から選択されるヘテロ原子によって交換されている非芳香族の、不飽和もしくは完全飽和の、脂環式の基を含み、その際、前記の脂環式の基は、更に、非置換か、又は例えば１、２、３、４、５もしくは６個のＣ1〜Ｃ6−アルキル基によって置換されている。係る複素脂環式基の挙げられる例は、ピロリジニル、ピペリジニル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリジニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチエン−２−イル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラニル、１，２−オキサゾリン−５−イル、１，３−オキサゾリン−２−イル及びジオキサニルを含む。
【００５４】
本発明の目的のためには、ヘテロアリールは、置換もしくは非置換の複素芳香族の、単環式もしくは多環式の基、好ましくは基ピリジル、キノリニル、アクリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、インドリル、プリニル、インダゾリル、ベンゾトリアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，３，４−トリアゾリル及びカルバゾリルを含み、それらは置換されている場合に、一般に１、２もしくは３つの置換基を有してよい。該置換基は、Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、Ｃ1〜Ｃ6−アルコキシ、ヒドロキシル、カルボキシル、ハロゲン及びシアノから選択される。
【００５５】
窒素原子によって結合されて、場合により更なるヘテロ原子を含む５員ないし７員のヘテロシクロアルキルもしくはヘテロアリール基は、例えばピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、トリアゾリル、ピロリジニル、ピラゾリニル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、ピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、トリアジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、インドリル、キノリニル、イソキノリニルもしくはキナルジニルである。
【００５６】
ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素である。以下の式中の基Ｒa及びＲbの具体的な例は、以下のとおりである：
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシル；
２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−プロポキシエチル、２−ブトキシエチル、３−メトキシプロピル、３−エトキシプロピル、３−プロポキシプロピル、３−ブトキシプロピル、４−メトキシブチル、４−エトキシブチル、４−プロポキシブチル、３，６−ジオキサヘプチル、３，６−ジオキサオクチル、４，８−ジオキサノニル、３，７−ジオキサオクチル、３，７−ジオキサノニル、４，７−ジオキサオクチル、４，７−ジオキサノニル、２−及び４−ブトキシブチル、４，８−ジオキサデシル、３，６，９−トリオキサデシル、３，６，９−トリオキサウンデシル、３，６，９−トリオキサドデシル、３，６，９，１２−テトラオキサトリデシル及び３，６，９，１２−テトラオキサテトラデシル；
２−メチルチオエチル、２−エチルチオエチル、２−プロピルチオエチル、２−ブチルチオエチル、３−メチルチオプロピル、３−エチルチオプロピル、３−プロピルチオプロピル、３−ブチルチオプロピル、４−メチルチオブチル、４−エチルチオブチル、４−プロピルチオブチル、３，６−ジチアヘプチル、３，６−ジチアオクチル、４，８−ジチアノニル、３，７−ジチアオクチル、３，７−ジチアノニル、２−及び４−ブチルチオブチル、４，８−ジチアデシル、３，６，８−トリチアデシル、３，６，９−トリチアウンデシル、３，６，９−トリチアドデシル、３，６，９，１２−テトラチアトリデシル及び３，６，９，１２−テトラチアテトラデシル；
２−モノメチル−及び２−モノエチルアミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、２−及び３−ジメチル−アミノプロピル、３−モノイソプロピルアミノプロピル、２−及び４−モノプロピルアミノブチル、２−及び４−ジメチルアミノブチル、６−メチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジ−アザオクチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザオクチル、９−メチル−３，６，９−トリアザデシル，３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリアザウンデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザウンデシル、１２−メチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル及び３，６，９，１２−テトラメチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル；
（１−エチルエチリデン）アミノエチレン、（１−エチルエチリデン）アミノプロピレン、（１−エチルエチリデン）アミノブチレン、（１−エチルエチリデン）アミノデシレン及び（１−エチルエチリデン）アミノドデシレン；
プロパン−２−オン−１−イル、ブタン−３−オン−１−イル、ブタン−３−オン−２−イル及び２−エチルペンタン−３−オン−１−イル；
２−メチルスルホキシドエチル、２−エチルスルホキシドエチル、２−プロピルスルホキシドエチル、２−イソプロピルスルホキシドエチル、２−ブチルスルホキシドエチル、２−及び３−メチルスルホキシドプロピル、２−及び３−エチルスルホキシドプロピル、２−及び３−プロピルスルホキシドプロピル、２−及び３−ブチルスルホキシドプロピル、２−及び４−メチルスルホキシドブチル、２−及び４−エチルスルホキシドブチル、２−及び４−プロピルスルホキシドブチル及び４−ブチルスルホキシドブチル；
２−メチルスルホニルエチル、２−エチルスルホニルエチル、２−プロピルスルホニルエチル、２−イソプロピルスルホニルエチル、２−ブチルスルホニルエチル、２−及び３−メチルスルホニルプロピル、２−及び３−エチルスルホニルプロピル、２−及び３−プロピルスルホニルプロピル、２−及び３−ブチルスルホニルプロピル、２−及び４−メチルスルホニルブチル、２−及び４−エチルスルホニルブチル、２−及び４−プロピルスルホニルブチル及び４−ブチルスルホニルブチル；
カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシル、８−カルボキシオクチル、１０−カルボキシデシル、１２−カルボキシドデシル及び１４−カルボキシテトラデシル；
スルホメチル、２−スルホエチル、３−スルホプロピル、４−スルホブチル、５−スルホペンチル、６−スルホヘキシル、８−スルホオクチル、１０−スルホデシル、１２−スルホドデシル及び１４−スルホテトラデシル；
２−ヒドロキシエチル、２−及び３−ヒドロキシプロピル、３−及び４−ヒドロキシブチル並びに８−ヒドロキシ−４−オキサオクチル；
２−シアノエチル、３−シアノプロピル、３−及び４−シアノブチル；
２−クロロエチル、２−及び３−クロロプロピル、２−、３−及び４−クロロブチル、２−ブロモエチル、２−及び３−ブロモプロピル並びに２−、３−及び４−ブロモブチル；
２−ニトロエチル、２−及び３−ニトロプロピル並びに２−、３−及び４−ニトロブチル；
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ及びヘキソキシ；
メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ及びヘキシルチオ；
エチニル、１−及び２−プロピニル、１−、２−及び３−ブチニル、１−、２−、３−及び４−ペンチニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデシニル及び１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデシニル；
エテニル、１−及び２−プロペニル、１−、２−及び３−ブテニル、１−、２−、３−及び４−ペンテニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデセニル並びに１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデセニル；
メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジフェニルアミノ及びジベンジルアミノ；
ホルミルアミノ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ及びベンゾイルアミノ；
カルバモイル、メチルアミノカルボニル、エチルアミノカルボニル、プロピルアミノカルボニル、ブチルアミノカルボニル、ペンチルアミノカルボニル、ヘキシルアミノカルボニル、ヘプチルアミノカルボニル、オクチルアミノカルボニル、ノニルアミノカルボニル、デシルアミノカルボニル及びフェニルアミノカルボニル；
アミノスルホニル、ｎ−ドデシルアミノスルホニル、ｎ，ｎ−ジフェニルアミノスルホニル及びｎ，ｎ−ビス（４−クロロフェニル）アミノスルホニル；
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、（４−ｔ−ブチル−フェノキシ）カルボニル及び（４−クロロフェノキシ）カルボニル；
メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、プロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、ヘキソキシスルホニル、ドデシルオキシスルホニル、オクタデシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、１−及び２−ナフチルオキシスルホニル、（４−ｔ−ブチルフェノキシ）スルホニル並びに（４−クロロフェノキシ）スルホニル；
ジフェニルホスフィノ、ジ（ｏ−トリル）ホスフィノ及びジフェニルホスフィンオキシド；
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素；
フェニルアゾ、２−ナフチルアゾ、２−ピリジルアゾ及び２−ピリミジルアゾ；
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、３−、４−及び５−プロピルシクロオクチル；
１−、２−及び３−シクロペンテニル、１−、２−、３−及び４−シクロヘキセニル、１−、２−及び３−シクロヘプテニル並びに１−、２−、３−及び４−シクロオクテニル；
２−ジオキサニル、４−モルホリニル、４−チオモルホリニル、２−及び３−テトラヒドロフリル、１−、２−及び３−ピロリジニル、１−ピペラジニル、２，５−ピペラジンジオン−１−イル並びに１−、２−、３−及び４−ピペリジル；
フェニル、２−ナフチル、２−及び３−ピロリル、２−、３−及び４−ピリジル、２−、４−及び５−ピリミジル、３−、４−及び５−ピラゾリル、２−、４−及び５−イミダゾリル、２−、４−及び５−チアゾリル、３−（１，２，４−トリアジル）、２−（１，３，５−トリアジル）、６−キナルジル、３−、５−、６−及び８−キノリニル、２−ベンゾオキサゾリル、２−ベンゾチアゾリル、５−ベンゾチアジアゾリル、２−及び５−ベンゾイミダゾリル並びに１−及び５−イソキノリル；
１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−インドリル、１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−イソインドリル、５−（４−メチルイソインドリル）、５−（４−フェニルイソインドリル）、１−、２−、４−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、３−（５−フェニル）−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、５−（３−ドデシル−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロキノリニル）並びに２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−クロマニル、２−、４−及び７−キノリニル、２−（４−フェニルキノリニル）及び２−（５−エチル−キノリニル）；
２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓ−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジ−ｓ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｓ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシ−フェニル；２−、３−及び４−クロロフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジクロロフェニル；２−、３−及び４−ヒドロキシフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジヒドロキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニル； ３−及び４−カルボキシフェニル；３−及び４−カルボキサミドフェニル、３−及び４−ｎ−メチルカルボキサミドフェニル及び３−及び４−ｎ−エチルカルボキサミドフェニル；３−及び４−アセチルアミノフェニル、３−及び４−プロピオニルアミノフェニル及び３−及び４−ブチリルアミノフェニル；
３−及び４−ｎ−フェニルアミノ−フェニル、３−及び４−ｎ−（ｏ−トリル）アミノフェニル、３−及び４−ｎ−（ｍ−トリル）−アミノフェニル並びに３−及び４−（ｐ−トリル）アミノフェニル；３−及び４−（２−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（３−ピリジル）アミノ−フェニル、３−及び４−（４−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（２−ピリミジル）−アミノフェニル並びに４−（４−ピリミジル）アミノフェニル；
４−フェニルアゾフェニル、４−（１−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ナフチルアゾ）フェニル、４−（４−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ピリジルアゾ）フェニル、４−（３−ピリジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリジルアゾ）フェニル、４−（２−ピリミジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリミジルアゾ）フェニル及び４−（５−ピリミジルアゾ）フェニル；
フェノキシ、フェニルチオ、２−ナフトキシ、２−ナフチルチオ、２−、３−及び４−ピリジルオキシ、２−、３−及び４−ピリジルチオ、２−、４−及び５−ピリミジルオキシ及び２−、４−及び５−ピリミジルチオ。
【００５７】
フッ素を含む好ましい基Ｒa及びＲbは、以下のものである：
２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミン、１−ベンジル−２，２，２−トリフルオロエチル、２−ブロモ−２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−ピリジン−２−イルエチル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−（４−メトキシフェニル）エチルアミン、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミン、２，２−ジフルオロ−１−フェニルエチルアミン、１−（４−ブロモ−フェニル）−２，２，２−トリフルオロエチル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピルアミン、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、ペンタフルオロフェニル、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、４−シアノ−（２，３，５，６）−テトラフルオロフェニル、４−カルボキシ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，５−ジフルオロフェニル、２−フルオロ−５−ニトロフェニル、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルフェニル、２−フルオロ−５−メチルフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、４−カルボキサミド−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２，３−ジフルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヨードフェニル、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，３，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−４，５，６−トリフルオロフェニル、４−ブロモ−２，６−ジフルオロフェニル、２，３，４，５−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、２−フルオロ−４−ニトロフェニル、２−クロロ−６−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−メチルフェニル、３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，４−ジブロモ−６−フルオロフェニル、３，５−ジクロロ−２，４−ジフルオロフェニル、４−シアノ−１−フルオロフェニル、１−クロロ−４−フルオロフェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−トリフルオロメチル−６−フルオロフェニル、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル、３−クロロ−２−フルオロフェニル、５−クロロ−２−フルオロフェニル、２−ブロモ−４−クロロ−６−フルオロフェニル、２，３−ジシアノ−４，５，６−トリフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロ−３−カルボキシフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−カルボキシフェニル、２，３，５−トリフルオロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、１−フルオロ−５−カルボキシフェニル、２−クロロ−４，６−ジフルオロフェニル、６−ブロモ−３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−ニトロフェニル、２，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３−ジフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−ニトロテトラフルオロフェニル、２，２′，３，３′，４′，５，５′，６，６′−ノナビフェニル、２−ニトロ−３，５，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−６−フルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロ−６−ヨードフェニル、２−フルオロ−６−カルボキシフェニル、２，４−ジフルオロ−３−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−カルボキシフェニル、４−ブロモ−２，５−ジフルオロフェニル、２，５−ジブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−５−メチルスルホニルフェニル、５−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヒドロキシメチルフェニル、３−フルオロ−４−ブロモメチルフェニル、２−ニトロ−４−トリフルオロメチルフェニル、４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−６−クロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロフェニル、２，６−ジブロモ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、３−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、５−クロロ−２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）フェニル、３，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−ヨード−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ニトロ−４，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−メチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル、３，５−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，３，６−トリクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−（トリフルオロメチル）ベンジル、２−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−クロロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、４−フルオロフェネチル、３−（トリフルオロメチル）フェネチル、２−クロロ−６−フルオロフェネチル、２，６−ジクロロフェネチル、３−フルオロフェネチル、２−フルオロフェネチル、（２−トリフルオロメチル）フェネチル、４−フルオロフェネチル、３−フルオロフェネチル、４−トリフルオロメチルフェネチル、２，３−ジフルオロフェネチル、３，４−ジフルオロフェネチル、２，４−ジフルオロフェネチル、２，５−ジフルオロフェネチル、３．５−ジフルオロフェネチル、２，６−ジフルオロフェネチル，４−（４−フルオロフェニル）フェネチル、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、ペンタフルオロフェネチル、２，４−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（３−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−２−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−６−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，３，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，４−トリフルオロ）フェネチル、（３，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，５−トリフルオロ）フェネチル、（２−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（３−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（４−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−クロロ）フェネチル、（２，３−ジフルオロ−４−メチル）フェネチル、２，６−ジフルオロ−３−クロロフェネチル、（２，６−ジフルオロ−３−メチル）フェネチル、（２−トリフルオロメチル−５−クロロ）フェネチル、（６−クロロ−２−フルオロ−５−メチル）フェネチル、（２，４−ジクロロ−５−フルオロ）フェネチル、５−クロロ−２−フルオロフェネチル、（２，５−ジフルオロ−６−クロロ）フェネチル、（２，３，４，５−テトラフルオロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２，３−（ジフルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，５−ジ（トリフルオロメチル））フェネチル、２−フルオロ−３，５−ジブロモフェネチル、（３−フルオロ−４−ニトロ）フェネチル、（２−ブロモ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２−（ブロモ−５−フルオロ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−ブロモ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−クロロ）フェネチル、（３−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（２−ブロモ−５−トリフルオロメチル）フェネチルなど。
【００５８】
好ましい一実施態様によれば、式Ｉの化合物であって、式中の基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の基の１、２、３もしくは４つが塩素であるものが使用される。
【００５９】
更なる好ましい一実施態様によれば、式Ｉの化合物であって、式中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が塩素であるものが使用される。
【００６０】
更なる好ましい一実施態様によれば、式Ｉの化合物であって、式中の基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の１、２、３もしくは４つが臭素であるものが使用される。
【００６１】
更なる好ましい一実施態様によれば、式Ｉの化合物であって、式中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が臭素であるものが使用される。
【００６２】
特に、式：
【化６】
【００６３】
【化７】
［式中、
Ｒa及びＲbは、無関係に水素又は非置換もしくは置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物が好ましい。
【００６４】
前記化合物中の基Ｒa及びＲbの意味に関しては、発明の詳細な説明の冒頭で提供した定義が参照される。
【００６５】
好ましくは、前記Ｒa及びＲbの少なくとも１つは、電子求引性基である。
【００６６】
特定の一実施態様においては、基Ｒa及びＲbの少なくとも１つは、フッ素によって一回もしくは一回より多く置換されている。好ましいフッ素置換された基は、上述のとおりである。
【００６７】
更なる特定の一実施態様においては、Ｒa及びＲbは、同じ意味を有する。更なる好ましい実施態様は、式：
【化８】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、前記定義のとおりであり、Ｘは、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物である。
【００６８】
好ましくは、Ｘは、それが結合されるＮ−Ｃ＝Ｎ基と一緒になって、５員ないし８員の複素環を形成する。複素環は、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及び／又はヘテロアリールから選択される１、２もしくは３個の更なる環を有する縮合環系の部分であってよい。縮合環は、有利には非置換であるか、又はアルキル、アルコキシ、シクロアルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ2、ニトロ及びシアノから選択される１、２、３もしくは４個の置換基を有し、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである。Ｘは、１、２もしくは３個の置換基を有してよく、前記置換基は、有利には非置換もしくは置換のアルキル、非置換もしくは置換のシクロアルキル及び非置換もしくは置換のアリールから選択され、かつ／又はＸは、１つ以上の（例えば１、２、３もしくは３つより多い）の非置換もしくは置換のヘテロ原子によって中断されていてよい。
【００６９】
好ましくは橋かけ基Ｘは、
【化９】
［式中、
ＲIV、ＲV、ＲVI、ＲVII、ＲVIII、ＲIX、ＲX及びＲXIは無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ3、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノであり、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］から選択される。
【００７０】
いくつかの特に好ましい式Ｉの化合物は、以下の通りである：
【化１０】
【００７１】
【化１１】
【００７２】
【化１２】
【００７３】
【化１３】
【００７４】
【化１４】
【００７５】
【化１５】
【００７６】
【化１６】
【００７７】
工程ａ）
ＯＦＥＴの製造方法の工程ａ）は、基板上に配置された少なくとも１つの予め形成されたトランジスタを有する基板を提供することを含む。（層、領域もしくは基板などのエレメントが別のエレメントの"上"にあると言われる場合には、それは他のエレメント上に直接的にあるか、又は介在するエレメントが存在してもよいと理解される）。特定の一実施態様においては、該基板は、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを含み、各トランジスタは、
− 基板上に配置された有機半導体（Ｓ）と、
− 微結晶のチャネル部の導電性を制御するように配置されたゲート構造と、
− チャネル部の対向端部に位置する導電性のソース電極及びドレイン電極と
を含む。
【００７８】
更なる特定の一実施態様においては、基板は、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを含み、基板上に配置された式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を含む各トランジスタは、集積回路を形成するか、又は集積回路の一部である。
【００７９】
半導体デバイスの製造に適した任意の材料を、基板として使用することができる。好適な基板は、例えば金属（好ましくは周期律表の第８族、第９族、第１０族もしくは第１１族の金属、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物材料（例えばガラス、石英、セラミックス、ＳｉＯ2）、半導体（例えばドープトＳｉ、ドープトＧｅ）、金属合金（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを基礎とするもの）、半導体合金、ポリマー（例えばポリビニルクロリド、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン及びそれらの混合物並びに複合物）、無機固体（例えば塩化アンモニウム）及びそれらの組み合わせを含む。基板は、望まれる用途の要求に応じて、湾曲もしくは平坦な形状を有するフレキシブルもしくはフレキシブルでない固体の基板であってよい。
【００８０】
半導体デバイスに典型的な基板は、マトリクス（例えば石英もしくはポリマーマトリクス）と、場合により誘電性最上層（例えばＳｉＯ2）とを含む。また、基板は、一般に、ＯＦＥＴのドレイン電極及びソース電極などの電極を含み、それらは通常は基板上に配置されている（例えば誘電性最上層の非導電性表面上に堆積される）。また、基板は、ＯＦＥＴの導電性のゲート電極を含み、それらは一般に誘電性最上層（すなわちゲート誘電性）の下方に配置されている。特定の一実施態様によれば、ドレイン電極及びソース電極は、基板上だけよりもむしろ部分的には有機半導体上に堆積される。当然、基板は、半導体デバイスもしくはＩＣ類で通常使用される更なるコンポーネント、例えば絶縁体、抵抗構造、容量性構造、金属トラックなどを含んでよい。
【００８１】
工程ｂ）
ｎ型の半導体化合物（Ｓ）の適用は、リソグラフィー技術を用いた公知法によって実施することができる。好適なのは、オフセット印刷、フレキソ印刷、エッチング、インクジェット印刷、電子写真、物理的気相輸送／物理気相堆積法（ＰＶＴ／ＰＶＤ）、化学蒸着法、レーザ転写、ドロップキャスティングなどである。
【００８２】
有機半導体化合物を基板の特定の領域に適用するための特定の一実施態様は、原子を所望の様式で組織化させる駆動力を利用する（自己組織化技術）。基板上への微細な物体の自己組織化のための種々の方法が知られている。第一の好適な技術は、流体自己組織化であり、その際、半導体化合物（Ｓ）は、基板中にエッチングされた受容体部位もしくは"穴"に整合して造形（例えば結晶の形状に）される。基板上に分配されるキャリヤー液中に懸濁された化合物（Ｓ）は、受容体部位に向かって落ち込み、そして液流及び／又は音響振動の助力により、重力及び／又は毛管力によって穴へと自己配向する。更なる好適な自己組織化技術は、パターン形成された表面を利用する。化学修飾を得るためには、基板表面を、例えばマイクロコンタクトプリンティングを用いて、結合領域及び／又は非結合領域（例えば疎水性領域／親水性領域）へとパターン形成することができる。更なる好適な自己組織化技術は、パターン形成された電荷を利用する。この方法によれば、基板表面は、正電荷及び／又は負電荷を有する領域へとパターン形成される。有機半導体化合物（Ｓ）は、静電的相互作用によって選択された領域へとパターン形成されうる。更なる好適な自己組織化技術は、パターン形成されたトポグラフィーを利用する。この方法によれば、有機半導体化合物の分散液は、テンプレート（例えば円柱形の穴）のアレイでパターン形成された基板上でデウェットされる。該分散液がゆっくりとデウェットされる場合に、毛管力は、テンプレート中での半導体粒子の組織化をもたらす。更なる好適な自己組織化技術は、印加された電場もしくは磁場による物体のパターン形成を利用する。基板の電気的もしくは磁気的な接点は、予め作製される。外部の電場もしくは磁場を与えることによって、有機半導体化合物（Ｓ）は、基板上の一定の領域に整列もしくは配置されうる。
【００８３】
本発明による方法の工程ｂ）の好ましい一実施態様は、
− ゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とが配置されている基板表面の領域上に、基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）を堆積させることと、
− 基板表面に少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を適用して、適用された化合物の少なくとも一部を、（Ｃ１）で修飾された基板表面の領域に結合可能にすること
を含む。
【００８４】
（Ｃ１）の堆積後に得られる基板の自由表面領域は、未修飾のままにするか、又は例えば基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）の結合を妨げる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）で被覆してよい。
【００８５】
本発明による方法の工程ｂ）の更なる好ましい一実施態様は、
− ゲート構造が配置されておらず、ソース電極と、ドレイン電極とが配置されている基板表面の領域上に、基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）の結合を妨げることができる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）を堆積させることと、
− 基板表面に少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を適用して、適用された化合物の少なくとも一部を、（Ｃ２）で修飾されていない基板表面の領域に結合可能にすること
を含む。
【００８６】
（Ｃ２）の堆積後に得られる基板の自由表面領域は、未修飾のままにするか、又は例えば基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）で被覆してよい。
【００８７】
本願の目的のためには、用語"結合"は、広い意味で理解される。これは、化合物（Ｃ１）及び／又は化合物（Ｃ）と基板表面との間のあらゆる種類の結合相互作用と、化合物（Ｃ１）と有機半導体化合物（Ｓ）とのあらゆる種類の結合相互作用のそれぞれを含む。結合相互作用の種類は、化学結合（共有結合）、イオン結合、配位的相互作用、ファンデルワールス相互作用（例えば双極子・双極子相互作用）など並びにそれらの組み合わせの形成を含む。好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）と有機半導体化合物（Ｓ）との間の結合相互作用は、非共有的相互作用である。
【００８８】
好適な化合物（Ｃ２）は、未処理の基板又は存在するのであれば（Ｃ１）よりも、有機半導体化合物（Ｓ）に対して低い親和性を有する化合物である。基板が少なくとも１つの化合物（Ｃ２）でのみ被覆されている場合には、（Ｃ２）及び基板と有機半導体化合物（Ｓ）との結合相互作用の強さは、有機半導体化合物（Ｓ）が（Ｃ２）でパターン形成されていない基板領域上に実質的に堆積されるほど十分な程度まで異なることが重要である。基板が少なくとも１つの化合物（Ｃ１）及び少なくとも１つの化合物（Ｃ２）で被覆されている場合には、（Ｃ１）及び（Ｃ２）と有機半導体化合物（Ｓ）との結合相互作用の強さは、有機半導体化合物（Ｓ）が（Ｃ１）でパターン形成された基板領域上に実質的に堆積されるほど十分な程度まで異なることが重要である。好ましい一実施態様においては、（Ｃ２）と有機半導体化合物（Ｓ）との間の相互作用は、反発型相互作用である。本願の目的のためには、用語"反発型相互作用"は、広い範囲で理解され、そして化合物（Ｃ２）でパターン形成された基板領域上で結晶性化合物の堆積を妨げるあらゆる種類の相互作用を含む。
【００８９】
第一の好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、基板表面に、及び／又は式Ｉの有機半導体化合物（Ｓ）に、共有的相互作用を介して結合される。この実施態様によれば、化合物（Ｃ１）は、基板及び／又は有機半導体化合物（Ｓ）の相補型官能基と反応しうる少なくとも１つの官能基を含む。
【００９０】
第二の好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、基板表面に、及び／又は式Ｉの有機半導体化合物（Ｓ）に、イオン的相互作用を介して結合される。この実施態様によれば、化合物（Ｃ１）は、基板表面及び／又は化合物（Ｓ）とイオン的相互作用しうる少なくとも１つの官能基を含む。
【００９１】
第三の好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、基板表面に、及び／又は有機半導体化合物（Ｓ）に、双極子相互作用、例えばファンデルワールス力を介して結合される。
【００９２】
（Ｃ１）と基板との間の相互作用及び／又は（Ｃ１）と式Ｉの有機半導体化合物（Ｓ）との間の相互作用は、好ましくは引力型の親水性−親水性相互作用又は引力型の疎水性−疎水性相互作用である。親水性−親水性相互作用と疎水性−疎水性相互作用は、なかでもイオン対又は水素結合の形成を含んでよく、更にファンデルワールス力を含んでよい。親水性もしくは疎水性は、水との親和性によって決定される。主に、親水性の化合物もしくは材料表面は、水と高いレベルの相互作用を有し、一般に他の親水性の化合物もしくは材料表面とも高いレベルの相互作用を有するが、一方で、主に、疎水性の化合物もしくは材料は、水及び水性液体によって濡らされないか、又はわずかにのみ濡らされるにすぎない。基板表面の親水性／疎水性の特性を評価するための好適な措置は、各表面上での水の接触角の測定である。一般的な定義によれば、"疎水表面"は、水の接触角が９０゜より大きい表面である。"親水表面"は、水との接触角が９０゜より小さい表面である。親水性基で修飾された化合物もしくは材料表面は、未修飾の化合物もしくは材料よりも小さい接触角を有する。疎水性基で修飾された化合物もしくは材料表面は、未修飾の化合物もしくは材料よりも大きい接触角を有する。
【００９３】
化合物（Ｃ１）（並びに（Ｃ２）及び／又は（Ｓ））のために適した親水性基は、イオン形成性、イオン性及び非イオン性の親水性基から選択される基である。イオン形成性もしくはイオン性の基は、好ましくは、カルボン酸基、スルホン酸基、窒素含有基（アミン類）、カルボキシレート基、スルホネート基及び／又は第四級化もしくはプロトン化された窒素含有基である。好適な非イオン性の親水性基は、例えばポリアルキレンオキシド基である。化合物（Ｃ１）（並びに（Ｃ２）及び／又は（Ｓ））のために適した疎水性基は、前記の炭化水素基から選択される基である。これらは、好ましくは、例えば１、２、３、４、５もしくは５より多い原子によって場合により置換されていてよいアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基もしくはアリール基である。
【００９４】
基板表面を過度の官能基で修飾するためには、該表面を酸もしくは塩基で活性化させることができる。更に、基板表面は、酸化、電子線による照射又はプラズマ処理によって活性化されていてよい。更に、官能基を含む物質を、基板表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）を介して適用することができる。
【００９５】
基板と相互作用するために適した官能基は、以下のものを含む：
− シラン類、ホスホン酸類、カルボン酸類及びヒドロキサム酸類：
シラン基を含む好適な化合物（Ｃ１）は、アルキルトリクロロシラン、例えばｎ−（オクタデシル）トリクロロシラン（ＯＴＳ）；トリアルコキシシラン基を有する化合物、例えばトリアルコキシアミノアルキルシラン、例えばトリエトキシアミノプロピルシラン及びＮ［（３−トリエトキシシリル）−プロピル］−エチレン−ジアミン；トリアルコキシアルキル−３−グリシジルエーテルシラン、例えばトリエトキシプロピル−３−グリシジルエーテルシラン；トリアルコキシアリルシラン、例えばアリルトリメトキシシラン；トリアルコキシ（イソシアナトアルキル）シラン；トリアルコキシシリル（メタ）アクリルオキシアルカン及びトリアルコキシシリル（メタ）アクリルアミドアルカン、例えば１−トリエトキシシリル−３−アクリルオキシプロパンである。
（これらの基は、好ましくは二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウムスズ及び酸化ニッケルなどの金属酸化物表面に結合させるために使用される）、
− アミン類、ホスフィン類及び硫黄含有官能基、特にチオール類：
（これらの基は、好ましくは金、銀、パラジウム、白金及び銅などの金属基板に、そしてケイ素及びガリウムヒ化物などの半導体表面に結合させるために使用される）。
【００９６】
好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、Ｃ8〜Ｃ30−アルキルチオール類から選択され、特にヘキサデカンチオールである。更なる好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、メルカプトカルボン酸、メルカプトスルホン酸並びにそれらのアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩から選択される。これらの化合物の例は、メルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸並びにそれらのアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩、例えばナトリウム塩もしくはカリウム塩である。更なる好ましい一実施態様においては、化合物（Ｃ１）は、アルキルトリクロロシラン類から選択され、特にｎ−（オクタデシル）トリクロロシラン（ＯＴＳ）である。
【００９７】
基板上での前記化合物（Ｃ１）の堆積に加えて、又はその代わりに、基板を、該基板表面に結合できると同時に、有機半導体化合物（Ｓ）と相互作用できる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）と接触させて、化合物（Ｃ１）でパターン形成されていない基板領域上での（Ｓ）の堆積を妨げることができる。好適な一実施態様によれば、化合物（Ｃ２）は、（Ｓ）と反発型の親水性−疎水性相互作用を有する化合物から選択される。
【００９８】
好ましい一実施態様によれば、式Ｉの有機半導体化合物（Ｓ）は、結晶の形で、より好ましくは微結晶の形で使用される。本発明の目的のためには、用語"微結晶"は、最大寸法５ミリメートルを有する小さい単結晶を指す。例示的な微結晶は、１ｍｍ以下の最大寸法を有し、好ましくはより小さい寸法（しばしば５００μｍ未満、特に２００μｍ未満、例えば０．０１〜１５０μｍの範囲内、好ましくは０．０５〜１００μｍの範囲内）を有するので、係る微結晶は基板上に微細なパターンを形成できる。ここで、個々の微結晶は、単結晶ドメインを有するが、該ドメインは、１つ以上のクラックを含んでよいが、但し、該クラックは、該微結晶を１つより多い結晶ドメインへと分離しない。微結晶の規定された粒度及び結晶学的特性は、直接的Ｘ線解析によって測定することができる。半導体デバイスの製造の間に、好ましくは好適な条件、例えば基板の処理、温度、蒸発速度などは、高い結晶性及び大きい結晶粒を有する被膜を得るために使用される。
【００９９】
半導体化合物（Ｓ）の粒子は、規則的もしくは不規則的な形状であってよい。例えば、粒子は、球形で、もしくは事実上球形で、又は針状の形状で存在してよい。
【０１００】
好ましくは、有機半導体（Ｓ）は、少なくとも１．０５の、より好ましくは少なくとも１．５の、特に少なくとも３の長さ／幅比（Ｌ／Ｗ）を有する粒子の形で使用される。
【０１０１】
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）においては、有機半導体単結晶から製造されるチャネルは、一般に、多結晶有機半導体から製造されるチャネルよりも大きい移動度を有する。その高い移動度は、単結晶チャネルが結晶粒界を有さないという事実をもたらす。結晶粒界は、導電性と、多結晶有機半導体被膜から製造されるＯＦＥＴチャネルの移動度を低下させる。
【０１０２】
一般に有機半導体結晶は、特に微結晶は、式Ｉの化合物の昇華によって得ることができる。好ましい方法は、以下により詳細に定義される物理的気相輸送／物理蒸着（ＰＶＴ／ＰＶＤ）を利用する。好適な方法は、Ｒ．Ａ．Ｌａｕｄｉｓｅ他によって"Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｏｒｇａｎｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ" Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １８７（１９９８）の第４４９〜４５４頁及び"Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｔｒ−ｓｉｚｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｏｆ α−ｈｅｘａｔｈｉｏｐｈｅｎｅ" Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １８２（１９９７）の第４１６〜４２７頁に記載されている。これらのＬａｕｄｉｓｅ他による両方の文献は、ここでその全内容において参照をもって開示されたものとする。これらのＬａｕｄｉｓｅ他によって記載された方法は、有機半導体を蒸発させるのに十分に高い温度に保持された有機半導体基板上に不活性ガスを通すことを含む。Ｌａｕｄｉｓｅ他によって記載された方法は、また、有機半導体で飽和されたガスを冷却して、有機半導体微結晶を同時に凝縮させることを含む。
【０１０３】
本発明の更なる対象は、前記定義の式Ｉの化合物をｎ型半導体として用いる使用である。これらの化合物は、特に、有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用のｎ型半導体として好ましい。
【０１０４】
本発明の更なる対象は、式
【化１７】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｒa及びＲbは、無関係に、水素又は非置換もしくは置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物の製造方法において、式Ｉａ
【化１８】
のリレン二無水物を、式Ｒa−ＮＨ2のアミン及び場合によりアミンＲa−ＮＨ2とは異なる式Ｒb−ＮＨ2の更なるアミンとを反応させることを特徴とする製造方法を提供することである。
【０１０５】
本発明の更なる対象は、式
【化１９】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｘは、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物の製造方法において、式Ｉａ
【化２０】
のリレン二無水物と、式Ｈ2Ｎ−Ｘ−ＮＨ2のアミンとを反応させることを特徴とする製造方法を提供することである。
【０１０６】
無水カルボン酸のイミド化は自体公知である。該二無水物と第一級アミンとの反応は、有利には芳香族溶剤、例えばトルエン、キシレン、メシチレン、フェノールもしくは極性非プロトン性溶剤中で実施される。好適な極性非プロトン性溶剤は、Ｎ−複素環式化合物、例えばピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、キナルジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルピペリドン及びＮ−メチルピロリドンである。好適な溶剤は、また、カルボン酸、例えば酢酸、プロピオン酸、酪酸及びカルボン酸とカルボキサミドの混合物である。
【０１０７】
式Ｈ2Ｎ−Ｘ−ＮＨ2の芳香族ジアミンとの反応は、好ましくは、高沸点有機溶剤、例えばニトロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、α−クロロナフタレン、キノリン、テトラリン、ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、エチレングリコール、氷酢酸及び環状尿素誘導体中で実施される。特に、フェノールが好ましい。
【０１０８】
イミド化のために適した触媒は、有機酸及び無機酸、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、リン酸などである。更なる好適な触媒は、遷移金属、例えば亜鉛、鉄、銅及びマグネシウムの有機塩及び無機塩、例えば酢酸亜鉛、プロピオン酸亜鉛、酸化亜鉛、酢酸鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、酸化銅（ＩＩ）及び酢酸マグネシウムである。触媒の使用は、芳香族アミンの反応のために好ましく、また脂環式アミンの反応のためにも好ましいことがある。フェノールを溶剤として使用する場合には、好ましい触媒はピペラジンである。
【０１０９】
触媒は、好ましくは、イミド化されるべき化合物の全質量に対して、５〜８０質量％、特に１０〜７５質量％の量で使用される。
【０１１０】
アミンと二無水物とのモル比は、好ましくは約２：１〜４：１、より好ましくは２．２：１〜３：１である。
【０１１１】
反応温度は、好ましくは周囲温度から２００℃までであり、より好ましくは４０〜１６０℃である。脂肪族及び脂環式のアミンは、好ましくは、６０℃〜１００℃の温度で反応させる。芳香族アミンは、好ましくは１２０〜１６０℃の温度で反応させる。
【０１１２】
該反応は、不活性雰囲気下で、例えば窒素雰囲気下で実施することができる。
【０１１３】
該反応は、大気圧もしくはより高圧下で実施できる。好適な圧力範囲は、約０．８〜１０バールである。揮発性アミン（沸点１８０℃未満）は、好ましくは大気圧より高圧下で反応させる。
【０１１４】
反応において形成される水は、公知の措置によって、例えば蒸留もしくは、例えばトルエンとの同時蒸留によって分離除去できる。ジアミンが縮合反応で使用される場合に、通常は、水を、例えば蒸留によって分離する必要がある。
【０１１５】
有機溶剤中で十分な可溶性を有する式Ｉの化合物は、再結晶化もしくはカラムクロマトグラフィーによって精製することができる。カラムクロマトグラフィーのために適した溶剤は、例えばハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレンである。有機溶剤中で低い可溶性を有する式Ｉの化合物は、硫酸から再結晶化することができる。
【０１１６】
代替的な一実施態様においては、式Ｉの化合物の精製は、昇華によって実施することができる。分別昇華が好ましい。分別昇華のためには、化合物の昇華及び／又は析出は、温度勾配を使用することによって実施される。好ましくは、式Ｉの化合物は、流動するキャリヤーガス中で加熱することで昇華する。キャリヤーガスは、分離室中に流れる。好適な分離室は、異なる温度で作動する異なる分離領域を含む。好ましくは、いわゆる３領域炉が使用される。分別昇華のために更に好適な方法及び装置は、ＵＳ４，０３６，５９４号に記載されている。
【０１１７】
更なる一実施態様においては、式Ｉの有機半導体化合物は、物理的気相輸送によって精製及び／又は結晶化に供される。物理的気相輸送（ＰＶＴ）及び物理蒸着（ＰＶＤ）は、原子レベルでの材料の輸送を含む蒸発／被覆技術である。ＰＶＤ法は、真空条件下で実施され、以下の工程：
− 蒸発
− 輸送
− 堆積
を含む。
【０１１８】
該方法は、化学蒸着（ＣＶＤ）と類似しているが、但し、ＣＶＤは、基板を１つ以上の揮発性の前駆物質に曝す化学的方法であり、前記の前駆物質は、基板表面上で反応及び／又は分解して、所望の堆積物を産する。驚くべきことに、式Ｉの化合物は、実質的に分解せずに、かつ不所望な副生成物の形成なくして、ＣＶＴに供することができると判明した。堆積された材料は、高純度で、かつｎ型半導体として使用するのに優れた純度、均質性及び寸法を有する結晶の形で得られる。一態様は、物理的気相輸送による結晶成長であり、その際、固体原料物質を、その蒸発温度より高い温度に加熱させ、そしてその蒸気を該材料の結晶化温度未満への冷却によって結晶化させる。得られた結晶を回収し、次いで上述の公知の技術によって基板の特定の領域に適用することができる。更なる一態様は、式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物でＣＶＤによって基板表面をパターン形成するための方法である。この態様によれば、基板上に配置された堆積部位の予め選択されたパターンを有する表面を有する基板を使用するのが好ましい。堆積部位は、基板表面上に選択的な堆積を可能にする任意の材料から形成させることができる。好適な化合物は、基板表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの化合物を結合できる前記の化合物Ｃ１である。
【０１１９】
ここで、本発明を、付随の図面及び以下の実施例を基礎としてより詳細に説明する。
【０１２０】
実施例
例
物理的気相輸送による有機半導体化合物の精製のための一般的手法
図１による装置において、有機半導体化合物の単結晶を、高純度アルゴンのキャリヤーガス流中での平行型の物理的気相輸送によって成長させた。温度勾配は、約５℃／ｃｍであった。出発材料は、５１０℃に加熱した。得られた単結晶は、ＯＦＥＴの製造のために使用した。
【０１２１】
実施例１
１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド・２ Ｎ−メチルピロリドン
【化２１】
【０１２２】
４０．０ｇ（７５．６ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、２２．２ｇ（２２４ミリモル）のシクロヘキシルアミンと、６００ｍｌのｎ−メチルピロリドンと、２８ｇの酢酸との混合物を、９０℃に加熱し、そしてこの温度で１１時間にわたり保持した。該反応混合物を、室温に冷却した。沈殿物を、濾過によって回収し、そしてメタノールで洗浄し、そして５５℃で乾燥させた。６６．１ｇの赤色の生成物が得られた。その収率は、２つのＮＭＰ分子を有する溶媒和物の定量的収率と一致する。
【０１２３】
実施例２
１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−ベンジル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２２】
【０１２４】
２．６５ｇ（５ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物、１．１ｇ（１０ミリモル）のベンジルアミン、及び２５ｍｌのキシレンを、７５℃に２．５時間にわたり加熱した。別の０．５ｇ（５ミリモル）のベンジルアミン分を添加し、該混合物を７５℃で５時間にわたり撹拌した。その反応混合物を室温に冷却し、濾過し、エタノールで洗浄して、乾燥させた。４．５ｇが得られ、それをトルエン 酢酸エチル３０：１を使用したカラムクロマトグラフィーに供した。２．６ｇ（７３％）の赤色の固体が得られた。
【０１２５】
Ｒf（ＣＨ2Ｃｌ2）＝０．５３
実施例３
１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−フェネチル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２３】
【０１２６】
反応は、まさに上記と同様に実施した。等モル量のフェネチルアミンを、ベンジルアミンの代わりに使用した。粗生成物を、カラムクロマトグラフィーによって精製した。１．８ｇ（４９％）の赤色の固体が得られた。
【０１２７】
Ｒf（トルエン：ＣＨ2Ｃｌ2 １：１）＝０．２
実施例４
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンペリミジン
【化２４】
【０１２８】
５．３ｇ（１０ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、３．６ｇ（２２ミリモル）の１，８−ジアミノナフタレンと、１．７６ｇ（２２ミリモル）のピラジンの混合物を、１７０℃に加熱した。温度を１７０℃に至らしめるために、水を留去した。該混合物を前記温度で２４時間にわたり撹拌した。反応混合物を７０℃に冷却し、メタノールを添加して、該混合物を濾過した。所望の生成物へのより良好なターンオーバーを達成するために、第一の反応から得られた生成物で該手法を繰り返した。沈殿物を、水、５００ｍｌのメタノール、２５０ｍｌの１０％ＮａＯＨ、そして熱水で洗浄した。７．２ｇ（９３％）の黒色物質が得られた。
【０１２９】
実施例５
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンビスベンゾイミダゾール
【化２５】
【０１３０】
５．３ｇ（１０ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、４．７５ｇ（４４ミリモル）のｏ−ジアミノベンゼンと、３．５２ｇ（４４ミリモル）のピラジンと、５０ｇのフェノールの混合物を、１２５℃に加熱した。水を留去して、５０ｍｌのトルエンを添加した。トルエンと水を留去した。１５６℃で、別の１００ｇのフェノール分を添加し、そして該反応混合物を１５６℃で２４時間にわたり保持した。該混合物を室温に冷却し、１００ｍｌのメタノールを添加し、そして生成物を濾過によって単離した。残留物を５００ｍｌのメタノールで洗浄し、次いで５０ｍｌの１０％のＮａＯＨ溶液で洗浄し、最後に熱水で洗浄した。乾燥後に、６．３ｇ（９３）の黒色固体が得られた。
【０１３１】
Ｒf（トリクロロ酢酸：トルエン＝１：５）＝０．３３；０．５０
実施例６
１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２６】
【０１３２】
１６．５ｇ（３０ミリモル）の１，７−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、９．０ｇ（９０ミリモル）のシクロヘキシルアミンと、１１ｇの酢酸と、２４０ｍｌのＮＭＰの混合物を、９０℃に１６時間にわたり加熱した。該反応混合物を室温に冷却した後に、該反応混合物を１０００ｍｌの水中に注ぐことによって生成物を沈殿させた。残留物を濾過し、水で洗浄し、そして真空中で乾燥させた。粗生成物を、溶出剤としてトルエンを使用してカラムクロマトグラフィーによって精製した。９．５ｇ（４４％）の赤色の固体が得られた。カラムクロマトグラフィーによる精製のため、１，７−異性体だけが得られ、１，６−異性体はサンプル中に存在しなかった。
【０１３３】
Ｒf（ＣＨ2Ｃｌ2）＝０．５
実施例７
１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−ベンジル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２７】
【０１３４】
１１．０ｇ（２０ミリモル）の１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物の混合物を、４．４ｇ（４０ミリモル）のベンジルアミンと一緒に１００ｍｌのキシレン中で７５℃に６時間にわたり加熱した。次いで、別の４．４ｇ（４０ミリモル）のベンジルアミン分を添加し、そして反応を、７５℃で更に６時間にわたり撹拌した。反応混合物を濾過し、キシレン及びエタノールで洗浄し、そして乾燥させた。１３．９ｇの粗製材料が得られた。４．０ｇの前記の粗製材料を８０ｍｌのＮＭＰ中で１５０℃に加熱し、６０℃に冷却し、濾過し、そしてＮＭＰ及びエタノールで洗浄することによって精製した。３．２ｇ（７６％）の純粋な赤色物質が得られた。その精製工程のため、１，６−異性体は生成物中に存在しなかった。
【０１３５】
Ｒf（ＣＨ2Ｃｌ2：トルエン １：１）＝０．１
実施例８
１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−フェネチル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化２８】
【０１３６】
反応及び精製は、まさに上記と同様に実施した。７２％の暗色の物質が得られた。その精製工程のため、１，６−異性体は生成物中に存在しなかった。
【０１３７】
Ｒf（トルエン：酢酸エチル ３０：１）＝０．２
実施例９
【化２９】
【０１３８】
１１．４ｇ（７２ミリモル）の１，８−ジアミノナフタレンと、２．８８ｇ（３６ミリモル）のピラジンと、１００ｇのフェノールの混合物を、１２０℃に加熱した。次いで、９．９ｇ（１８ミリモル）の１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物を添加し、そして該混合物を１７０℃に加熱した。水を留去した。６０ｍｌのトルエンを添加し、そして５０ｇのフェノールを添加した。水とトルエンの留去の後に、該混合物を１８３℃で１４０時間にわたり保持した。
【０１３９】
後処理は、実施例４及び５について既に記載したのと同様に実施する。
【０１４０】
実施例１０
【化３０】
【０１４１】
反応は、実施例９について既に記載したのと同様に実施した。１，２−ジアミノベンゼンを、１，８−ジアミノナフタレンの代わりに使用した。
【０１４２】
実施例１１
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドの使用
【化３１】
【０１４３】
その化合物を公知の手法に従って合成した。１ｍｍの単結晶を図１による装置において一般的手法によって物理蒸着によって作製した。得られた単結晶を、誘電性材料として３００ｎｍのＳｉＯ2層を含む基板上にＯＦＥＴを構築するために使用した。得られたトランジスタは、７のＷ／Ｌ比と、１０ｎＦ／ｃｍ2の容量Ｃと、０．０１４ｃｍ2／Ｖｓの移動度と、オン・オフ比５８０４８を有していた。
【０１４４】
実施例１２
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドの使用
【化３２】
【０１４５】
その化合物を公知の手法に従って合成した。該化合物を３領域炉で３回精製した：
第一の炉
Ｔ１＝３４０℃、Ｔ２＝２９０℃、Ｔ３＝２５０℃ 真空レベル２．７×１０-6トル、
０．２４ｇで始めて、領域Ｔ２で０．１５ｇが得られ、領域Ｔ３で０．１０ｇが得られる
第二の炉
Ｔ１＝３２０℃、Ｔ２＝２９０℃、Ｔ３＝２５０℃ 真空レベル３．２×１０-6トル、
０．１５ｇで始めて、領域Ｔ２で０．０８ｇが得られ、領域Ｔ３で０．０５ｇが得られる
第三の炉
Ｔ１＝３００℃、Ｔ２＝２９０℃、Ｔ３＝２５０℃ 真空レベル２×１０-6トル、
０．０８ｇで始めて、領域Ｔ２で０．０５ｇが得られる
第三の炉での精製の後のＴ２における物質を、９０℃の基板温度を有するオクタデシルトリクロロシランで前処理されたＳｉＯ2上に蒸発させた。移動度０．０８ｃｍ2／Ｖｓが、オン・オフ比９１１２で測定された。
【０１４６】
実施例１３
実施例１２からの精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。移動度０．１１ｃｍ2／Ｖｓ及びオン・オフ比４４７００００が確立された。
【０１４７】
実施例１４
実施例１２からの精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。移動度０．１０ｃｍ2／Ｖｓ及びオン・オフ比１８１００００が確立された。
【０１４８】
実施例１５
実施例１２からの精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で２００℃で使用した。移動度０．１１ｃｍ2／Ｖｓ及びオン・オフ比４４７００００が確立された。
【０１４９】
実施例１６
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドのインバータでの使用
１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＴＣ−ＰＴＣＤＩ）及びペンタセンを、３温度領域炉（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ／Ｂｌｕｅ Ｔｈｅｒｍｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）を用いて高真空（５×１０-6トル未満）下で３回の連続的な真空昇華によって精製した。出発材料を、第一の温度領域に載置した。３つの温度領域を、１，６，７，１２−テトラクロロペリレンテトラカルボン酸ジイミドについては３４０℃、２７０℃、そして２５０℃であるように、ペンタセンについては２４９℃、１６０℃、そして１００℃であるように、それぞれ設定した。高ドープされたｎ++シリコン基板を共通のゲート電極として使用した。熱的成長された二酸化ケイ素（３００ｎｍ、容量Ｑ＝１０ｎＦ／ｃｍ2）を、誘電性層として使用した。これらの基板を、アセトンですすぎ、引き続きイソプロピルアルコールですすぐことによって清浄化し、次いでオクタデシル−トリメトキシシラン（Ｃ18Ｈ37Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、ＯＴＳ）で処理した。数滴の純粋なＯＴＳを、真空デシケータ内部にある予熱された石英ブロック（〜１００℃）の頂部にロードした。そのデシケータを直ちに減圧し（〜２５ｍｍＨｇ）、そしてＳｉＯ2／Ｓｉ基板を、ＯＴＳで処理することで、疎水性表面を得た。最後に、該基板を次いで１１０℃で１５分間焼き付け、イソプロパノールですすぎ、そして気流で乾燥させた。トップコンタクト型のｎ型トランジスタの製造のために、ＴＣ−ＰＴＣＤＩ層（４５ｎｍ厚）を基板上部に２×１０-6トル未満の圧力で１．０Å／ｓの堆積速度で真空薄膜堆積システム（Ａｎｇｓｔｒｏｍ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｉｎｃ．，カナダ）を用いて堆積させた。該基板を、薄膜堆積の間に約１５０℃で保持した。高められた基板温度は、より大きい結晶粒度と、ひいてはより高い電荷担体移動度をもたらすことが判明した。ｎ型被膜のための領域は、約１ｃｍ×２ｃｍである。その領域の他は、ｐ型半導体の被膜堆積の間には、薄いガラスマスクによって覆った。トップコンタクト型のｐ型トランジスタの製造のために、ペンタセン層（４５ｎｍ厚）を基板上部に２×１０-6トル未満の圧力で１．０Å／ｓの堆積速度で、既に堆積させたペリレン誘導体の薄膜を覆いつつ堆積させた。該基板を、薄膜堆積の間に６０℃で保持した。様々なチャネル長さ（Ｌ）及び幅（Ｗ）を有するシャドウマスクを、金（約４０ｎｍ）金属蒸発のために使用して、ｐ型とｎ型の両方のトップコンタクト型の薄膜トランジスタを作製した。インバータに最適な駆動条件を達成するために両方の型のトランジスタからのソース／ドレイン電流を適合させるために、１０のＷ／Ｌ（すなわちＷ／Ｌ＝２０００μｍ／２００μｍ）及び５０のＷ／Ｌ（すなわちＷ／Ｌ＝２５００μｍ／５０μｍ）を、それぞれｐ型トランジスタ及びｎ型トランジスタのために使用した。インバータを形成するために、ｐ型トランジスタとｎ型トランジスタのそれぞれからの両方のドレイン電極を、インジウムなどの軟質金属で金電極に結合されたその両末端を有するアルミニウムワイヤを用いて接続した。
【０１５０】
最終的なインバータ構造を、図２に示す。２０のＷ／Ｌ比を有するＯＴＦＴを、参照として作製した。ＯＴＦＴデバイス及び相応のインバータの電気的特性を、研究室周囲環境において、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社の４２００−ＳＣＳ型半導体パラメータ解析機を使用して測定した。電荷担体移動度などのトランジスタにとって重要なデバイスパラメータを、ドレイン−ソース電流（Ｉd）−ゲート電圧（Ｖg）特性から取り出した。ゲイン、ノイズマージン及び出力電圧振幅などのインバータのためのパラメータを、出力電圧（Ｖout）対入力電圧（Ｖin）の増幅特性曲線から取り出した。ペンタセン及びＴＣ−ＰＴＣＤＩの典型的な電流−電圧特性を、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す。ペンタセンＴＦＴについて取り出された移動度は、約０．５ｃｍ2／Ｖｓであった。オン・オフ比は、１．２×１０5であり、閾電圧は−８．７Ｖであった。ＴＣ−ＰＴＣＤＩについてのｎ型移動度、オン・オフ比及び閾電圧は、０．１０ｃｍ2／Ｖｓ、１．２×１０5、４．８Ｖであった。ｐ型とｎ型の材料の両方の優れた空気安定性は、有機ＴＦＴを周囲空気中で非常に良好に作動可能にする。図４に示されるように、Ｖddが４０Ｖの場合に、ＴＣ−ＰＣＤＩインバータについてのの最高のゲインは約１２であり、ノイズマージンは４．５Ｖであり、かつ出力電圧振幅は、約３３Ｖである。ここで、出力電圧振幅は、出力電圧の最大値と最小値との間の差として定義される。相応の値は、Ｖdd＝３０Ｖの場合に、９、４Ｖ及び２７Ｖであり、かつＶdd＝５０Ｖの場合に、１１、７．５Ｖ及び４７Ｖである。出力電圧は、印加された電圧Ｖddに近い値から始まり、次いで非常に低い値に劇的に低下する。そのヒステリシスを図５に示す。少数のヒステリシスが観察され、そのためには幾つかの原因がある。ゲート誘電体における両方の可動電荷、誘電体／半導体界面での電荷トラッピング及び／又はｐチャネル及びｎチャネルトランジスタの間での不完全なカップリングは、ヒステリシスをもたらし得る。ペンタセントランジスタについてはいかなるヒステリシスも観察されなかったが、４０Ｖ及び５０ＶのＶdsで駆動するｎチャネルトランジスタは、非常に小さいが、観察できるヒステリシスを示すが、それはおそらく、半導体／絶縁体界面での電荷トラッピングによるものである。
【０１５１】
半導体エレメントの作製のための一般的手法
Ｉ． 物理蒸着（ＰＶＤ）を使用することによる半導体基板の製造
誘電体として熱成長された酸化物層（単位面積容量Ｑ＝１０ｎＦ／ｃｍ2）を有するｎドープされたシリコンウェハ（２．５×２．５ｃｍ、導電率＜０．００４Ω-1ｃｍ）を、基板として使用した。基板表面をアセトンですすぎ、引き続きイソプロパノールですすぐことによって清浄化した。次いで、基板表面を、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＴＳ、Ｃ18Ｈ37Ｓｉ（ＯＣＨ3）3）で処理することによって修飾した。このために、数滴のＯＴＳ（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍ．Ｃｏ．から得られる）を、予熱された基板表面（約１００℃）上にロードした。デシケータを直ちに減圧し（２５ｍｍＨｇ）、そして該基板を真空下で５時間にわたり放置した。最後に、該基板を１１０℃で１５分間焼き付け、イソプロパノールですすぎ、そして気流で乾燥させた。式Ｉの化合物を、約４０ｎｍの厚さを有する薄膜として基板表面上に真空堆積させた。堆積速度は、１０-5トルで１．０Å／ｓであった。トップコンタクト型デバイスを、金のソース電極とドレイン電極をシャドウマスクを通じて有機半導体膜上に堆積させることによって作製した。チャネル長は、２０００μｍであり、かつチャネル幅は、２００μｍであった。ＯＦＥＴの電気的特性を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社の４２００−ＳＣＳ型の半導体パラメータ解析機を使用することにょって測定した。
【０１５２】
ＩＩ． スピンコート法を使用することによる半導体基板の製造 − トップコンタクト・ボトムゲート型デバイス
誘電体として熱成長された酸化物層（３００ｎｍ）（単位面積容量Ｑ＝１０ｎＦ／ｃｍ2）を有するｎドープされたシリコンウェハ（２．５×２．５ｃｍ、導電率＜０．００４Ω-1ｃｍ）を、基板として使用した。基板表面をアセトンですすぎ、引き続きイソプロパノールですすぐことによって清浄化した。次いで、基板表面を、物理蒸着技術について既に説明したように、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＴＳ、Ｃ18Ｈ37Ｓｉ（ＯＣＨ3）3）で処理することによって修飾した。式Ｉの化合物を、ウェハ上に薄膜としてスピンコート（８００ｒｐｍ、３０秒）した。ジクロロメタン、トリクロロメタンもしくはテトラヒドロフランを溶剤として使用した。トップコンタクト型のＳＤ電極を、スピンコートされたサンプル上に堆積させた。
【０１５３】
実施例１７
以下の化合物
【化３３】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。１．１×１０-3ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５４】
実施例１８
以下の化合物
【化３４】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。５．２×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５５】
実施例１９
以下の化合物
【化３５】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。７．３２×１０-3ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５６】
実施例２０
以下の化合物
【化３６】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。２．２×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５７】
実施例２１
実施例５からのシス／トランス混合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で使用した。以下の結果が得られた：
【表１】
【０１５８】
実施例２２
以下の異性体の混合物
【化３７】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。１．６×１０-3ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１５９】
実施例２３
以下の異性体の混合物
【化３８】
を、公知の方法に従って合成し、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。３．４×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６０】
実施例２４
実施例７からの化合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。単結晶を、物理蒸着によって作製し、そして実施例１１に従ってＯＦＥＴへと加工した。
【０１６１】
得られた単結晶を、誘電性材料として３００ｎｍのＳｉＯ2層を含む基板上にＯＦＥＴを構築するために使用した。得られたトランジスタは、９のＷ／Ｌ比と、１０ｎＦ／ｃｍ2の容量Ｑと、９．４×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度と、オン・オフ比４５０９を有し、そして閾電圧Ｖthは、１９．４Ｖであった。
【０１６２】
ＯＴＦＴ：移動度＝２×１０-5ｃｍ2／Ｖｓ
実施例２５
実施例９からのシス／トランス混合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。２．１×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６３】
実施例２６
実施例１０からのシス／トランス混合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。
【０１６４】
精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。１．１×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６５】
精製された物質を、また、ＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。２×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６６】
実施例２７
実施例７からの化合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。１．５×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６７】
実施例２８
実施例６からの化合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。２×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１６８】
実施例２９
１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（ＴＣ−ＰＴＣＤＡ）を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。
【０１６９】
精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で８０℃で使用した。７．０×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７０】
精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。１．１×１０-4ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７１】
実施例３０
１，６−ジブロモ−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物と１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（ＤＢｒ−ＰＴＣＤＡ）の比率１５：８５の混合物を、３領域炉を使用した３領域真空昇華によって精製し、そして前記手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。
【０１７２】
精製された物質を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。７×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７３】
実施例３１
実施例２からの化合物を、クロマトグラフィーもしくは結晶化のいずれかによって精製した。得られた材料を使用して、前記の手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴを構築した。
【０１７４】
実施例２からの化合物を、クロマトグラフィーによって精製し、それをＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。８×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７５】
実施例２からの化合物を、結晶化によって精製し、それをＯＴＳで前処理された基板上で１５０℃で使用した。１．８×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【０１７６】
実施例３２
Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
【化３９】
【０１７７】
２３０ｍｇ（０．４３３ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、６００ｍｇのペンタフルオロアニリンと、８ｍｌのＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）（蒸留し乾燥させた）と、２００μｌの酢酸と、５０ｍｇの酢酸亜鉛（乾燥させた）の混合物を、超音波浴中で１０分間処理し、次いでアルゴン下で１５０℃で約１０時間にわたり、かつ１７０℃で更に３〜４時間にわたり加熱した。該反応混合物を、室温にまで冷却させ、そしてその固体混合物を、ジクロロメタン中に取り、２ＮのＨＣｌに注いだ。該反応混合物を、ジクロロメタンで数回抽出し、合した有機相を乾燥させ、そして濃縮させた。残留物を、ジクロロメタンを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製した。収量：２００ｍｇ（５３％）。
【０１７８】
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＴＭＳ）：δ＝８．７９（ｓ，４Ｈ）
ＨＲ−ＭＳ（ＥＳＩ（ネガティブモード、トリクロロメタン）：８９２．８４６２８（Ｍ＋Ｃｌ-）、計算値：８９２．８４５９５（Ｃ36Ｈ4Ｃｌ5Ｆ10Ｎ2Ｏ4）；
電子化学：（ＣＨ2Ｃｌ2，０．１Ｍ ＴＢＡＨＦＰ対フェロセン）：
Ｅred1/2（ＰＢＩ／ＰＢＩ-）＝−０．６９Ｖ
Ｅred1/2（ＰＢＩ-／ＰＢＩ2-）＝−０．８９Ｖ
Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドを、３領域炉（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）（３３０℃、２６０℃、１９４℃）を使用した３領域真空昇華によって、真空レベル：１．１×１０-5トルで精製した。使用した材料を、第三の精製の後に第二の温度領域（Ｔ２）から回収した。
【０１７９】
その化合物を、前記の手法に従って気相堆積を使用してＯＦＥＴへと加工した。該化合物を、ＯＴＳで前処理された基板上で１２５℃で使用した。移動度０．０１２ｃｍ2／Ｖｓが測定された。
【０１８０】
ＯＴＳで処理された基板上に様々な基板温度（室温、９０℃及び１２５℃）で堆積されたＮ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロ−フェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（１００ｎｍ）の薄膜に対して、空気安定性測定を実施した。以下の結果が得られた：
【表２】
【０１８１】
該デバイスは、初期値の大きな低下を示さなかった。このことは、Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが、良好な適用特性を有する空気安定なｎ型半導体であることを示している。
【０１８２】
また、Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドを、前記の手法に従ってスピンコート技術を使用して加工した。該化合物を、ＯＴＳで前処理された基板上で使用した。５．４１×１０-5ｃｍ2／Ｖｓの移動度が測定された。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程：
ａ）基板上に配置されたゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を提供する工程と、
ｂ）前記基板のゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とが配置された領域に、ｎ型の有機半導体化合物を適用する工程と
を含む有機電界効果トランジスタの製造方法において、
前記のｎ型の有機半導体化合物が、式Ｉ
【化１】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Y2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaの場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、その際、ＲaとＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbの場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、その際、ＲbとＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の１、２、３もしくは４つが、塩素であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が塩素であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の１、２、３もしくは４つが、臭素であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が臭素であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、化合物Ｉが、式：
【化２】
【化３】
［式中、
Ｒa及びＲbは、無関係に水素又は非置換もしくは置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法において、化合物Ｉが、式
【化４】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、請求項１から５までのいずれかに定義されたものであり、
Ｘは、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、橋かけ基Ｘが、
【化５】
［式中、
ＲIV、ＲV、ＲVI、ＲVII、ＲVIII、ＲIX、ＲX及びＲXIは無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ3、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノであり、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］から選択されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法において、化合物Ｉが、式
【化６】
【化７】
【化８】
の化合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法において、基板の表面上に、基板の表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）及び／又は基板の表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）の結合を妨げることができる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）を堆積させる工程を含む方法。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法において、式Ｉの有機半導体化合物を、結晶の形で使用することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法において、昇華、物理的気相輸送、有機溶剤もしくは硫酸からの再結晶化又はこれらの方法の２つ以上の組み合わせによって得られる式Ｉの有機半導体化合物を使用することを特徴とする方法。
【請求項１３】
式
【化９】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｒa及びＲbは、無関係に、水素又は非置換もしくは置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物の製造方法において、式Ｉａ
【化１０】
のリレン二無水物を、式Ｒa−ＮＨ2のアミン及び場合によりアミンＲa−ＮＨ2とは異なる式Ｒb−ＮＨ2の更なるアミンとを反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項１４】
式
【化１１】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｘは、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物の製造方法において、式Ｉａ
【化１２】
のリレン二無水物と、式Ｈ2Ｎ−Ｘ−ＮＨ2のアミンとを反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、橋かけ基Ｘが、
【化１３】
［式中、
ＲIV、ＲV、ＲVI、ＲVII、ＲVIII、ＲIX、ＲX及びＲXIは無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ3、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノであり、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］から選択されることを特徴とする方法。
【請求項１６】
結晶性のｎ型の有機半導体化合物の製造方法において、式Ｉ
【化１４】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｙ2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaである場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、Ｒa及びＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、Ｒb及びＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物を物理的気相輸送に供することを含む方法。
【請求項１７】
式
【化１５】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｘは、
【化１６】
から選択され、前記式中、
ＲIV、ＲV、ＲVI、ＲVII、ＲVIII、ＲIX、ＲX及びＲXIは無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ3、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノであり、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物。
【請求項１８】
式
【化１７】
【化１８】
【化１９】
の化合物から選択される、請求項１７に記載の化合物。
【請求項１９】
基板上に、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを提供する工程を含む電子デバイスの製造方法において、前記トランジスタの少なくとも一部が、式Ｉ
【化２０】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｙ2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaである場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、Ｒa及びＲcは、一緒になって末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、Ｒb及びＲdは、一緒になって末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の少なくとも１つの化合物を、ｎ型の有機半導体化合物として含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
基板上に、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを含む電子デバイスであって、前記トランジスタの少なくとも一部が、式Ｉ
【化２１】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｙ2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaである場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、Ｒa及びＲcは、一緒になって末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、Ｒb及びＲdは、一緒になって末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の少なくとも１つの化合物を、ｎ型の有機半導体化合物として含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２１】
式Ｉ
【化２２】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｙ2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaである場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、Ｒa及びＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、Ｒb及びＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の少なくとも１つの化合物を、ｎ型の有機半導体化合物として含むインバータ。
【請求項１】
以下の工程：
ａ）基板上に配置されたゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を提供する工程と、
ｂ）前記基板のゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とが配置された領域に、ｎ型の有機半導体化合物を適用する工程と
を含む有機電界効果トランジスタの製造方法において、
前記のｎ型の有機半導体化合物が、式Ｉ
【化１】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Y2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaの場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、その際、ＲaとＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbの場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、その際、ＲbとＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の１、２、３もしくは４つが、塩素であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が塩素であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の１、２、３もしくは４つが、臭素であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が臭素であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、化合物Ｉが、式：
【化２】
【化３】
［式中、
Ｒa及びＲbは、無関係に水素又は非置換もしくは置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法において、化合物Ｉが、式
【化４】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、請求項１から５までのいずれかに定義されたものであり、
Ｘは、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、橋かけ基Ｘが、
【化５】
［式中、
ＲIV、ＲV、ＲVI、ＲVII、ＲVIII、ＲIX、ＲX及びＲXIは無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ3、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノであり、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］から選択されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法において、化合物Ｉが、式
【化６】
【化７】
【化８】
の化合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法において、基板の表面上に、基板の表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）を結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）及び／又は基板の表面に結合可能であり、かつ式Ｉの少なくとも１つの有機半導体化合物（Ｓ）の結合を妨げることができる少なくとも１つの化合物（Ｃ２）を堆積させる工程を含む方法。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法において、式Ｉの有機半導体化合物を、結晶の形で使用することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法において、昇華、物理的気相輸送、有機溶剤もしくは硫酸からの再結晶化又はこれらの方法の２つ以上の組み合わせによって得られる式Ｉの有機半導体化合物を使用することを特徴とする方法。
【請求項１３】
式
【化９】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｒa及びＲbは、無関係に、水素又は非置換もしくは置換のアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物の製造方法において、式Ｉａ
【化１０】
のリレン二無水物を、式Ｒa−ＮＨ2のアミン及び場合によりアミンＲa−ＮＨ2とは異なる式Ｒb−ＮＨ2の更なるアミンとを反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項１４】
式
【化１１】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｘは、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物の製造方法において、式Ｉａ
【化１２】
のリレン二無水物と、式Ｈ2Ｎ−Ｘ−ＮＨ2のアミンとを反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、橋かけ基Ｘが、
【化１３】
［式中、
ＲIV、ＲV、ＲVI、ＲVII、ＲVIII、ＲIX、ＲX及びＲXIは無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ3、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノであり、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］から選択されることを特徴とする方法。
【請求項１６】
結晶性のｎ型の有機半導体化合物の製造方法において、式Ｉ
【化１４】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｙ2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaである場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、Ｒa及びＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、Ｒb及びＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の化合物を物理的気相輸送に供することを含む方法。
【請求項１７】
式
【化１５】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは水素ではなく、
Ｘは、
【化１６】
から選択され、前記式中、
ＲIV、ＲV、ＲVI、ＲVII、ＲVIII、ＲIX、ＲX及びＲXIは無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、ＮＥ1Ｅ2、アルキレン−ＮＥ1Ｅ3、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノであり、その際、Ｅ1及びＥ2は、無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールである］の化合物。
【請求項１８】
式
【化１７】
【化１８】
【化１９】
の化合物から選択される、請求項１７に記載の化合物。
【請求項１９】
基板上に、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを提供する工程を含む電子デバイスの製造方法において、前記トランジスタの少なくとも一部が、式Ｉ
【化２０】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｙ2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaである場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、Ｒa及びＲcは、一緒になって末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、Ｒb及びＲdは、一緒になって末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の少なくとも１つの化合物を、ｎ型の有機半導体化合物として含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
基板上に、複数の有機電界効果トランジスタのパターンを含む電子デバイスであって、前記トランジスタの少なくとも一部が、式Ｉ
【化２１】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｙ2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaである場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、Ｒa及びＲcは、一緒になって末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、Ｒb及びＲdは、一緒になって末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の少なくとも１つの化合物を、ｎ型の有機半導体化合物として含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２１】
式Ｉ
【化２２】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、
Ｙ1は、ＯもしくはＮＲaであり、その際、Ｒaは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｙ2は、ＯもしくはＮＲbであり、その際、Ｒbは、水素もしくはオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は、Ｏであり、
Ｙ1がＮＲaである場合に、基Ｚ1及びＺ2の一方は、ＮＲc基であってよく、Ｒa及びＲcは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、
Ｙ2がＮＲbである場合に、基Ｚ3及びＺ4の一方は、ＮＲd基であってよく、Ｒb及びＲdは、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である］の少なくとも１つの化合物を、ｎ型の有機半導体化合物として含むインバータ。
【図１】
【図２】
【図３（ａ）】
【図３（ｂ）】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３（ａ）】
【図３（ｂ）】
【図４】
【図５】
【公表番号】特表２００９−５３５８３０（Ｐ２００９−５３５８３０Ａ）
【公表日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５０８３５０（Ｐ２００９−５０８３５０）
【出願日】平成１９年５月３日（２００７．５．３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００７／０５４３０７
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１２８７７４
【国際公開日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【出願人】（５０８０２０１５５）ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア (2,842)
【氏名又は名称原語表記】ＢＡＳＦ ＳＥ
【住所又は居所原語表記】Ｄ−６７０５６ Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【出願人】（５０７０２２７３２）ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ (7)
【氏名又は名称原語表記】Ｔｈｅ Ｂｏａｒｄ ｏｆ Ｔｒｕｓｔｅｅｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｌｅｌａｎｄ Ｓｔａｎｆｏｒｄ Ｊｕｎｉｏｒ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ
【住所又は居所原語表記】１７０５ Ｅｌ Ｃａｍｉｎｏ Ｒｅａｌ， Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ， ＣＡ ９４３０６−１１０６， ＵＳＡ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月３日（２００７．５．３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００７／０５４３０７
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１２８７７４
【国際公開日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【出願人】（５０８０２０１５５）ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア (2,842)
【氏名又は名称原語表記】ＢＡＳＦ ＳＥ
【住所又は居所原語表記】Ｄ−６７０５６ Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【出願人】（５０７０２２７３２）ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ (7)
【氏名又は名称原語表記】Ｔｈｅ Ｂｏａｒｄ ｏｆ Ｔｒｕｓｔｅｅｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｌｅｌａｎｄ Ｓｔａｎｆｏｒｄ Ｊｕｎｉｏｒ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ
【住所又は居所原語表記】１７０５ Ｅｌ Ｃａｍｉｎｏ Ｒｅａｌ， Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ， ＣＡ ９４３０６−１１０６， ＵＳＡ
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]