有機電界発光素子及びその製造方法
【課題】ＩＴＯ層間で、前記ＩＴＯ層と平行するように形成されるスキャンラインを含む有機電界発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】有機電界発光素子はインジウム錫酸化物層（ＩＴＯ層）２００、金属電極層２０２、データライン２０６及びスキャンライン２０８を含む。ＩＴＯ層２００と金属電極層２０２とが交差する発光領域２０４に複数のサブピクセルが形成される。データライン２０６は、ＩＴＯ層２００にそれぞれ接続される。スキャンライン２０８は、ＩＴＯ層２００間で金属電極層２０２と交差し、ＩＴＯ層２００と平行に形成され、接続領域２１０を除いた領域上に絶縁物質が蒸着される。スキャンライン２０８がＩＴＯ層２００間に形成されるので、従来のスキャンラインが形成されていた空間だけ、余裕がある。
【解決手段】有機電界発光素子はインジウム錫酸化物層（ＩＴＯ層）２００、金属電極層２０２、データライン２０６及びスキャンライン２０８を含む。ＩＴＯ層２００と金属電極層２０２とが交差する発光領域２０４に複数のサブピクセルが形成される。データライン２０６は、ＩＴＯ層２００にそれぞれ接続される。スキャンライン２０８は、ＩＴＯ層２００間で金属電極層２０２と交差し、ＩＴＯ層２００と平行に形成され、接続領域２１０を除いた領域上に絶縁物質が蒸着される。スキャンライン２０８がＩＴＯ層２００間に形成されるので、従来のスキャンラインが形成されていた空間だけ、余裕がある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光素子及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、インジウム錫酸化物層（Indium Tin Oxide Films；ＩＴＯ層）間で、前記インジウム錫酸化物層と平行するように形成されるスキャンラインを含む有機電界発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は所定電圧が印加された場合、所定波長の光を発生する。
図１は、従来の有機電界発光素子を示した平面図である。
図１を参照すると、従来の有機電界発光素子は、インジウム錫酸化物層（ＩＴＯ層）１００、金属電極層１０２、データライン１０６、第１スキャンライン１０８及び第２スキャンライン１１０を、それぞれ複数個含む。
ＩＴＯ層１００と金属電極層１０２とが交差する発光領域１０４には、複数のサブピクセルが形成される。
【０００３】
データライン１０６は、ＩＴＯ層１００にそれぞれ接続され、図示されない集積回路チップから伝送されたデータ信号を受信し、前記受信されたデータ信号をＩＴＯ層１００に伝送する。
【０００４】
第１スキャンライン１０８は、金属電極層１０２中の一部金属電極層にそれぞれ接続され、前記集積回路チップから伝送される第１スキャン信号を前記一部金属電極層に伝送する。
第２スキャンライン１１０は、金属電極層１０２中の残りの金属電極層にそれぞれ接続され、前記集積回路チップから伝送される第２スキャン信号を前記残りの金属電極層に伝送する。
【０００５】
例えば、第１スキャンライン１０８は、金属電極層１０２中の奇数の金属電極層にそれぞれ接続され、第２スキャンライン１１０は、金属電極層１０２中の偶数の金属電極層にそれぞれ接続される。
前述のように、従来の有機電界発光素子において、スキャンライン１０８、１１０は図１に図示されるように、金属電極層１０２の外側に形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、基板には複数の有機電界発光素子が形成される。この場合、従来の有機電界発光素子と共にスキャンライン１０８、１１０が金属電極層１０２の外部に形成されると、スキャンライン１０８、１１０が占める空間だけ、前記基板の空間に余裕がなくなる。その結果、前記基板に形成され得る有機電界発光素子の数が、少なくなる。
したがって、スキャンラインが占める空間を減少できる有機電界発光素子及びその製造方法が求められるようになった。
【０００７】
本発明の第１の目的は、インジウム錫酸化物層間に形成されたスキャンラインを有する有機電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を有する有機電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、第１有機電界発光素子のデータライン接続部と第２有機電界発光素子のスキャンライン接続部とを、同一平面上に位置させる有機電界発光素子基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するために、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子は、複数のインジウム錫酸化物層、複数のスキャンライン、絶縁層、有機物層及び金属電極層を含む。前記インジウム錫酸化物層は、基板上に形成される。前記スキャンラインは、前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間に、それぞれ形成される。前記絶縁層は、前記インジウム錫酸化物層の発光領域、及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される。前記有機物層は、前記発光領域上に形成される。前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される。
【０００９】
本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子は、複数のインジウム錫酸化物層、複数のスキャンライン、絶縁層、有機物層、金属電極層及びスキャンライン接続部を含む。前記インジウム錫酸化物層は、基板上に形成される。前記スキャンラインは、前記基板上で、前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される。前記絶縁層は、前記インジウム錫酸化物層の発光領域、及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される。前記有機物層は、前記発光領域上に形成される。前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される。前記スキャンライン接続部は、前記スキャンラインを接続する。
【００１０】
また、本発明の好ましい他の実施例に係る有機電界発光素子は、複数のインジウム錫酸化物層、複数のスキャンライン、絶縁層、有機物層、複数の金属電極層及び複数のスキャンライン接続部を含む。前記インジウム錫酸化物層は、基板上に形成される。前記スキャンラインは、前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される。前記絶縁層は、前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される。前記有機物層は、前記発光領域上に形成される。前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される。前記スキャンライン接続部は、前記スキャンラインを所定単位で接続する。
【００１１】
また、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子は、インジウム錫酸化物層と、該インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層とを有し、さらに、複数のデータライン、複数のデータライン接続部、複数のスキャンライン及びスキャンライン接続部を含む。前記データラインは前記インジウム錫酸化物層にそれぞれ接続される。前記データライン接続部は、前記データラインを所定単位で接続する。前記スキャンラインは、前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される。前記スキャンライン接続部は、前記スキャンラインを接続する。
【００１２】
さらに、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子基板は、それぞれインジウム錫酸化物層と、該インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層とを持つ複数の有機電界発光素子を有し、さらに第１有機電界発光素子及び第２有機電界発光素子を含む。前記第１有機電界発光素子は、第１インジウム錫酸化物層に接続されたデータラインを所定単位で接続する１つ以上のデータライン接続部を含む。前記第２有機電界発光素子は、第２インジウム錫酸化物層間で、前記第２インジウム錫酸化物層と平行に形成される複数のスキャンラインを所定単位で接続する１つ以上のスキャンライン接続部を含む。ここで、前記データライン接続部と前記スキャンライン接続部は同一平面上で前記金属電極層と平行に配置する。
【００１３】
本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法は、インジウム錫酸化物層を形成する段階；前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階；前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階；前記発光領域に有機物層を蒸着する段階；及び前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階；を含む。
【００１４】
また、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法は、インジウム錫酸化物層を形成する段階；前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階；前記スキャンラインを接続させるスキャンライン接続部を前記スキャンラインに形成する段階；前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階；前記発光領域に有機物層を蒸着する段階；及び前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階；を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る有機電界発光素子及びその製造方法は、スキャンラインがＩＴＯ層間に形成されるので、同サイズの基板で輝度を向上させることができる。
また、本発明に係る有機電界発光素子及びその製造方法は、スキャンラインがＩＴＯ層間に形成されるので、前記有機電界発光素子のサイズを小さくすることができる。
【００１６】
さらに、本発明に係る有機電界発光素子及びその製造方法は、品質検査のときに、ライン接続部及びライン電源部を利用して所定の電圧をインジウム錫酸化物層及び金属電極層に印加するので、有機電界発光素子のラインは外部検査装置のピンによる損傷を受けない。
さらにまた、本発明に係る有機電界発光素子基板は、第２有機電界発光素子の第２スキャンライン接続部を第１有機電界発光素子の第１データライン接続部間に配置されるので、横方向には有機電界発光素子の数を増やしながら、縦方向には前記有機電界発光素子基板の空間を最大限活用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明に伴う有機電界発光素子及びその製造方法の好ましい実施形態を詳細に説明する。
図２は本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。但し、図２は説明の便宜のために３（横）×４（縦）サイズの有機電界発光素子を示した。
【００１８】
図２を参照すると、本発明の有機電界発光素子はインジウム錫酸化物層（ＩＴＯ層）２００、金属電極層２０２、データライン２０６及びスキャンライン２０８を含む。
ＩＴＯ層２００と金属電極層２０２とが交差する発光領域２０４に複数のサブピクセルが形成される。詳しくは、第１発光領域にはレッドサブピクセルが形成され、第２発光領域にはグリーンサブピクセルが形成され、第３発光領域にはブルーサブピクセルが形成される。ここで、前記レッドサブピクセル、グリーンサブピクセル及びブルーサブピクセルが一つのピクセルを構成する。
【００１９】
データライン２０６は図２に示されるように、ＩＴＯ層２００にそれぞれ接続され、集積回路チップ（未図示）から供給されるデータ信号をＩＴＯ層２００に伝送する。
スキャンライン２０８は図２に示されるように、ＩＴＯ層２００間で金属電極層２０２と交差して形成される。即ち、スキャンライン２０８は、ＩＴＯ層２００間でＩＴＯ層２００と平行に形成される。
スキャンライン２０８の全体領域中の一部領域２１０（以下、“接続領域”という）を除いた領域上に絶縁物質が蒸着される。即ち、接続領域２１０にはスキャンライン２０８のみが存在し、残りの領域にはスキャンライン２０８上に絶縁物質が蒸着されている。
【００２０】
したがって、前記集積回路チップからスキャンライン２０８にスキャン信号が供給される場合、スキャンライン２０８は前記スキャン信号を接続領域２１０を介して金属電極層２０２に供給する。
要するに、本発明の有機電界発光素子は、従来の有機電界発光素子とは違って、スキャンライン２０８がＩＴＯ層２００間に形成されるので、従来のスキャンラインが形成されていた空間だけ、空間に余裕がある。
【００２１】
したがって、本発明の有機電界発光素子は、前記空間に余裕がある分だけ、ピクセルの数を増やすことができ、ＩＴＯ層２００の幅を拡大、すなわち、発光領域２０４の大きさを拡大することができる。その結果、本発明の有機電界発光素子は従来の有機電界発光素子に比べて輝度がさらに向上された。
また、本発明の有機電界発光素子は前記余裕空間だけそのサイズを減少することができるので、小型化するこができる。
【００２２】
以下、本発明の有機電界発光素子の製造方法を詳述する。
先ず、基板上にＩＴＯ層が全面蒸着される。
次いで、前記ＩＴＯ層が全面蒸着された基板がパターニングされ、図２に示されるＩＴＯ層２００が前記基板上に形成される。
ＩＴＯ層２００にデータライン２０６が接続され、ＩＴＯ層２００間に金属電極層２０２と交差するスキャンライン２０８が形成される。
ＩＴＯ層２００、データライン２０６及びスキャンライン２０８が形成された基板の全面に絶縁物質が蒸着され、発光領域２０４及び接続領域２１０には絶縁物質が形成されない。
前記絶縁物質が蒸着された基板がパターニングされ、蒸着された絶縁物質が除去される。
前記発光領域２０４上に有機物層がそれぞれ蒸着される。
前記蒸着された有機物層を持つ基板上に金属電極層２０２が、ＩＴＯ層２００と交差するように形成される。
【００２３】
図３は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示す図２のＩ‐Ｉ´ラインに沿う断面図である。
図３に示されるように、ＩＴＯ層２００間で基板３００上にスキャンライン２０８が形成される。本発明の一実施例に係るスキャンライン２０８は金属層である。例えば、スキャンライン２０８は、モリブデン（ＭＯ）からなる。
絶縁層３０２がＩＴＯ層２００間に、図３に示されるように形成される。但し、スキャンライン２０８中の一つのスキャンライン上には絶縁層３０２が形成されないが、残りのスキャンライン上には絶縁層３０２が形成される。
【００２４】
その結果、絶縁層３０２が形成されないスキャンラインのみが、それに対応する金属電極層と接続される。これにより、前記集積回路チップから伝導されたスキャン信号が絶縁層３０２が形成されないスキャンラインを介して、それに対応する金属電極層に伝導される。
以後、ＩＴＯ層２００の発光領域２０４上に、有機物層３０４がそれぞれ形成される。
【００２５】
ここで、有機物層３０４は、それぞれ順に積層された正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）を含む。または、有機物層３０４は、それぞれ順に積層された正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層（ＥＩＬ）を含む。
金属電極層２０２は、有機物層３０４及び絶縁層３０２上に形成される。
【００２６】
図４は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示す図２のＩ−Ｉ´ラインに沿う断面図である。
図４に示されるように、スキャンライン２０８は、基板４００上に順に積層されたＩＴＯ層２０８Ａ及び金属層２０８Ｂを含む。
金属層２０８Ｂが基板４００に弱く結合されるので、本発明の有機電界発光素子は、基板４００と結合力の強いＩＴＯ層２０８Ａを基板４００上に形成し、その後、ＩＴＯ層２０８Ａ上に金属層２０８Ｂを形成する。
本発明の一実施例に係る金属層２０８Ｂは、モリブデン（ＭＯ）からなる。
【００２７】
図５は本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
図５を参照すると、一つの金属電極層と２つのスキャンラインが、２つの接続領域５１０でそれぞれ接続される。
したがって、前記集積回路チップは、２つの接続領域５１０中の一つの接続領域に該当するスキャンラインを介して、前記接続領域に該当する金属電極層にスキャン信号を供給することができる。
図３及び図５を参照すると、本発明の有機電界発光素子は、サイズが許容される限度内で一つの金属電極層と複数のスキャンラインを接続することができる。
【００２８】
図６は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
図６を参照すると、本発明の有機電界発光素子はＩＴＯ層６００、金属電極層６０２、データライン６０６、スキャンライン６０８、データライン接続部６１２及びスキャンライン接続部６１４を含む。
ライン接続部６１２及び６１４を除いた別の構成要素は、図２に示された有機電界発光素子の構成要素と同一なので、以下説明を省略する。
データライン接続部６１２は、導電体としてデータライン６０６を接続させ、スキャンライン接続部６１４は、導電体としてスキャンライン６０８を接続させる。
【００２９】
以下、前記有機電界発光素子の輝度検査を例に挙げて、データライン接続部６１２及びスキャンライン接続部６１４の機能を説明する。
前記有機電界発光素子の輝度検査のときに、外部検査装置は第１ピンをデータライン６０６中の一つのデータラインに接触させて前記データラインに所定の正の電圧を印加する。この場合、データライン６０６がデータライン接続部６１２によって接続されているので、接触されたデータラインに印加された前記正の電圧が、データライン接続部６１２を介して残りのデータラインに供給される。したがって、前記検査装置から印加された前記正の電圧が、データライン６０６を介してＩＴＯ層６００に供給される。
【００３０】
また、前記検査装置は、第２ピンをスキャンライン６０８中の一つのスキャンラインに接触させて、前記スキャンラインに所定の負の電圧を印加する。その結果、前記検査装置から印加された前記負の電圧が、スキャンライン６０８を介して金属電極層６０２に供給される。
即ち、前記検査装置からＩＴＯ層６００に前記正の電圧が印加され、金属電極層６０２に前記負の電圧が印加されるので、前記ピクセルが発光する。
前記検査装置は、前記発光する光を介して前記有機電界発光素子の輝度不良を検出する。
有機電界発光素子の輝度検査後、ライン接続部６１２及び６１４は、スクライブ刃によって切断される。
【００３１】
前述したように、本発明の有機電界発光素子で、前記検査装置からライン６０６及び６０８に接触されるピンの数は２つであり、全てのラインにピンを接触させなければならなかった従来の有機電界発光素子より、検査のために要求されるピンの数が顕著に少ない。したがって、本発明の有機電界発光素子のライン６０６及び６０８は従来の有機電界発光素子のラインよりも、前記ピンによって損傷を受ける可能性が顕著に少なくなる。
【００３２】
以下、本発明の有機電界発光素子の製造方法を詳述する。
先ず、基板上にＩＴＯ層が全面蒸着される。
次いで、前記ＩＴＯ層が全面蒸着された基板がパターニングされ、図６に示されるように、ＩＴＯ層６００が前記基板上に形成される。
ＩＴＯ層６００にデータライン６０６が接続され、ＩＴＯ層６００間に金属電極層６０２と交差するスキャンライン６０８が形成される。
データライン接続部６１２及びスキャンライン接続部６１４が、データライン６０６及びスキャンライン６０８にそれぞれ接続される。
ここで、データライン接続部６１２及びスキャンライン接続部６１４の形成は、ＩＴＯパターニング過程で共に形成され得る。
データライン６０６及びスキャンライン６０８が形成された基板の全面に、絶縁物質が蒸着され、発光領域６０４及び接続領域６１０には絶縁物質が形成されない。
発光領域６０４上に有機物層がそれぞれ蒸着され、前記蒸着された有機物層を持つ基板上に金属電極層６０２が、ＩＴＯ層６００と交差するように形成される。
【００３３】
図７は本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
図７を参照すると、一つの金属電極層と２つのスキャンラインが、２つの接続領域７１０でそれぞれ接続される。
したがって、前記集積回路チップは、２つの接続領域７１０中の一つの接続領域に該当するスキャンラインを介して、前記接続領域に該当する金属電極層にスキャン信号を供給することができる。
データライン接続部７１２は、データライン７０６を接続させ、スキャンライン接続部７１４は、スキャンライン７０８を接続させる。
【００３４】
図８は、本発明の好ましい他の実施例に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
図８を参照すると、本発明の有機電界発光素子は、ＩＴＯ層８００、金属電極層８０２、データライン８０６、スキャンライン８０８、データライン接続部８１２、スキャンライン接続部８１４、データライン電源部８１６及びスキャンライン電源部８１８を含む。
データライン電源部８１６及びスキャンライン電源部８１８を除いた別の構成要素は、図６の有機電界発光素子の構成要素と同じ機能であるので、以下、説明を省略する。
【００３５】
有機電界発光素子の輝度検査のときに、前記検査装置は第１ピンをデータライン電源部８１６に接触させ、所定の正の電圧をデータライン電源部８１６に印加する。
データライン電源部８１６は、前記印加された正の電圧をデータライン接続部８１２及びデータライン８０６を介してＩＴＯ層８００に供給する。
また、前記検査装置は、第２ピンをスキャンライン電源部８１８に接触させ、所定の負の電圧をスキャンライン電源部８１８に印加する。
スキャンライン電源部８１８は、前記印加された負の電圧をスキャンライン接続部８１４及びスキャンライン８０８を介して金属電極層８０２に供給する。
要するに、本発明の有機電界発光素子で、前記ピンはライン８０６、８０８に直接接触されずにライン電源部８１６及び８１８に接触されるので、ライン８０６及び８０８は前記ピンによって損傷を受けない。
【００３６】
図９は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子基板を示した平面図で、図１０は、図９のＢ部分を拡大して示した平面図である。
図９を参照すると、本発明の有機電界発光素子基板９００は複数の有機電界発光素子を含む。
図１０を参照すると、前記有機電界発光素子は、第１有機電界発光素子１０００及び第２有機電界発光素子１００２を含む。
以下、第１有機電界発光素子１０００を例に挙げて、前記有機電界発光素子等の動作を詳述し、その後、前記有機電界発光素子間の位置関係を詳述する。
第１有機電界発光素子１０００は、第１ＩＴＯ層１００４、第１金属電極層１００６、第１データライン１０１０、第１スキャンライン１０１２、第１データライン接続部１０１６及び第１スキャンライン接続部１０１８を含む。
ライン接続部１０１６、１０１８を除いた別の構成要素は、図２に示された有機電界発光素子の構成要素と同一なので、以下、説明を省略する。
【００３７】
第１データライン接続部１０１６は、導電体として所定単位で第１データライン１０１０を接続する。例えば、第１データライン接続部１０１６は、図１０に示されるように第１データライン１０１０を３つ単位でそれぞれ接続する。
また、第１データライン接続部１０１６は、前記第１有機電界発光素子の不良検査時、外部検査装置から印加される所定電圧を、第１データライン１０１０を介して第１ＩＴＯ層１００４に供給する。
第１スキャンライン接続部１０１８は、導電体として第１スキャンライン１０１２を接続する。
本発明の他の実施例に係る第１スキャンライン１０１２は、複数のスキャンライン接続部によって所定単位で接続され得る。
また、第１スキャンライン接続部１０１８は、前記第１有機電界発光素子の不良検査時、前記外部検査装置から印加される所定電圧を第１スキャンライン１０１２を介して金属電極層１００６に提供する。
【００３８】
以下、第１の有機電界発光素子１０００と第２の有機電界発光素子１００２との位置関係を詳述する。
図１０を参照すると、第１データライン１０１０は、３つ単位で第１データライン接続部１０１６に接続される。
第２スキャンライン１０２４は、１個の第２のスキャンライン接続部１０２６に接続される。
第２有機電界発光素子１００２の第２スキャンライン接続部１０２６は、第１のデータライン接続部１０１６間に位置する。もちろん、第２スキャンライン接続部１０２６が第１データライン接続部１０１６間に位置せずに、最も外側のデータライン接続部の外部に位置することもある。
即ち、第２スキャンライン接続部１０２６は、第１データライン接続部１０１６と同じ平面上に位置し、第１金属電極層１００６に平行に有機電界発光素子基板９００上に形成される。その結果、有機電界発光素子基板９００の空間が、最大限活用される。
【００３９】
本発明の他の実施例に係る第２のスキャンライン１０２４は、所定単位で複数個の第２スキャンライン接続部によって接続され得る。
この場合にも、前記第２スキャンライン接続部は、第１データライン接続部１０１６と同じ平面上に位置し、第１金属電極層１００６に平行に有機電界発光素子基板９００上に形成される。
要するに、本発明の有機電界発光素子基板９００は第２有機電界発光素子１００２の第２スキャンライン接続部１０２６を、第１有機電界発光素子１０００の第１データライン接続部１０１６間に位置させるので、横方向には従来のスキャン領域ほどの空間が節約され、縦方向には有機電界発光素子基板９００の空間を最大限活用することができる。
【００４０】
前述した本発明の好ましい実施例は、例示の目的のために開示されたものであって、本発明に対する通常の知識を持つ当業者であるならば本発明の思想と範囲内で多様な修正、変更、付加が可能である。しかし、このような修正、変更及び付加は本発明の特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は、従来の有機電界発光素子を示した平面図である。
【図２】図２は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図３】図３は、本発明の好ましい一実施形態に係る図２のＩ−Ｉ´線に沿って切断した有機電界発光素子を示した断面図である。
【図４】図４は、本発明の好ましい他の実施形態に係る図２のＩ−Ｉ´線に沿って切断した有機電界発光素子を示した断面図である。
【図５】図５は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図６】図６は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図７】図７は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図８】図８は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図９】図９は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子基板を図示した平面図である。
【図１０】図１０は、図９のＢ部分を拡大して示した平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
２００；ＩＴＯ層
２０２：金属電極層
２０４：発光領域
２０６：データライン
２０８：スキャンライン
２１０：接続領域
３００：基板
３０２：絶縁層
３０４：有機物層
１０００：第一有機電界発光素子
１００２：第２有機電界発光素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光素子及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、インジウム錫酸化物層（Indium Tin Oxide Films；ＩＴＯ層）間で、前記インジウム錫酸化物層と平行するように形成されるスキャンラインを含む有機電界発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は所定電圧が印加された場合、所定波長の光を発生する。
図１は、従来の有機電界発光素子を示した平面図である。
図１を参照すると、従来の有機電界発光素子は、インジウム錫酸化物層（ＩＴＯ層）１００、金属電極層１０２、データライン１０６、第１スキャンライン１０８及び第２スキャンライン１１０を、それぞれ複数個含む。
ＩＴＯ層１００と金属電極層１０２とが交差する発光領域１０４には、複数のサブピクセルが形成される。
【０００３】
データライン１０６は、ＩＴＯ層１００にそれぞれ接続され、図示されない集積回路チップから伝送されたデータ信号を受信し、前記受信されたデータ信号をＩＴＯ層１００に伝送する。
【０００４】
第１スキャンライン１０８は、金属電極層１０２中の一部金属電極層にそれぞれ接続され、前記集積回路チップから伝送される第１スキャン信号を前記一部金属電極層に伝送する。
第２スキャンライン１１０は、金属電極層１０２中の残りの金属電極層にそれぞれ接続され、前記集積回路チップから伝送される第２スキャン信号を前記残りの金属電極層に伝送する。
【０００５】
例えば、第１スキャンライン１０８は、金属電極層１０２中の奇数の金属電極層にそれぞれ接続され、第２スキャンライン１１０は、金属電極層１０２中の偶数の金属電極層にそれぞれ接続される。
前述のように、従来の有機電界発光素子において、スキャンライン１０８、１１０は図１に図示されるように、金属電極層１０２の外側に形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、基板には複数の有機電界発光素子が形成される。この場合、従来の有機電界発光素子と共にスキャンライン１０８、１１０が金属電極層１０２の外部に形成されると、スキャンライン１０８、１１０が占める空間だけ、前記基板の空間に余裕がなくなる。その結果、前記基板に形成され得る有機電界発光素子の数が、少なくなる。
したがって、スキャンラインが占める空間を減少できる有機電界発光素子及びその製造方法が求められるようになった。
【０００７】
本発明の第１の目的は、インジウム錫酸化物層間に形成されたスキャンラインを有する有機電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を有する有機電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、第１有機電界発光素子のデータライン接続部と第２有機電界発光素子のスキャンライン接続部とを、同一平面上に位置させる有機電界発光素子基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するために、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子は、複数のインジウム錫酸化物層、複数のスキャンライン、絶縁層、有機物層及び金属電極層を含む。前記インジウム錫酸化物層は、基板上に形成される。前記スキャンラインは、前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間に、それぞれ形成される。前記絶縁層は、前記インジウム錫酸化物層の発光領域、及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される。前記有機物層は、前記発光領域上に形成される。前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される。
【０００９】
本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子は、複数のインジウム錫酸化物層、複数のスキャンライン、絶縁層、有機物層、金属電極層及びスキャンライン接続部を含む。前記インジウム錫酸化物層は、基板上に形成される。前記スキャンラインは、前記基板上で、前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される。前記絶縁層は、前記インジウム錫酸化物層の発光領域、及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される。前記有機物層は、前記発光領域上に形成される。前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される。前記スキャンライン接続部は、前記スキャンラインを接続する。
【００１０】
また、本発明の好ましい他の実施例に係る有機電界発光素子は、複数のインジウム錫酸化物層、複数のスキャンライン、絶縁層、有機物層、複数の金属電極層及び複数のスキャンライン接続部を含む。前記インジウム錫酸化物層は、基板上に形成される。前記スキャンラインは、前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される。前記絶縁層は、前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される。前記有機物層は、前記発光領域上に形成される。前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される。前記スキャンライン接続部は、前記スキャンラインを所定単位で接続する。
【００１１】
また、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子は、インジウム錫酸化物層と、該インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層とを有し、さらに、複数のデータライン、複数のデータライン接続部、複数のスキャンライン及びスキャンライン接続部を含む。前記データラインは前記インジウム錫酸化物層にそれぞれ接続される。前記データライン接続部は、前記データラインを所定単位で接続する。前記スキャンラインは、前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される。前記スキャンライン接続部は、前記スキャンラインを接続する。
【００１２】
さらに、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子基板は、それぞれインジウム錫酸化物層と、該インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層とを持つ複数の有機電界発光素子を有し、さらに第１有機電界発光素子及び第２有機電界発光素子を含む。前記第１有機電界発光素子は、第１インジウム錫酸化物層に接続されたデータラインを所定単位で接続する１つ以上のデータライン接続部を含む。前記第２有機電界発光素子は、第２インジウム錫酸化物層間で、前記第２インジウム錫酸化物層と平行に形成される複数のスキャンラインを所定単位で接続する１つ以上のスキャンライン接続部を含む。ここで、前記データライン接続部と前記スキャンライン接続部は同一平面上で前記金属電極層と平行に配置する。
【００１３】
本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法は、インジウム錫酸化物層を形成する段階；前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階；前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階；前記発光領域に有機物層を蒸着する段階；及び前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階；を含む。
【００１４】
また、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法は、インジウム錫酸化物層を形成する段階；前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階；前記スキャンラインを接続させるスキャンライン接続部を前記スキャンラインに形成する段階；前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階；前記発光領域に有機物層を蒸着する段階；及び前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階；を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る有機電界発光素子及びその製造方法は、スキャンラインがＩＴＯ層間に形成されるので、同サイズの基板で輝度を向上させることができる。
また、本発明に係る有機電界発光素子及びその製造方法は、スキャンラインがＩＴＯ層間に形成されるので、前記有機電界発光素子のサイズを小さくすることができる。
【００１６】
さらに、本発明に係る有機電界発光素子及びその製造方法は、品質検査のときに、ライン接続部及びライン電源部を利用して所定の電圧をインジウム錫酸化物層及び金属電極層に印加するので、有機電界発光素子のラインは外部検査装置のピンによる損傷を受けない。
さらにまた、本発明に係る有機電界発光素子基板は、第２有機電界発光素子の第２スキャンライン接続部を第１有機電界発光素子の第１データライン接続部間に配置されるので、横方向には有機電界発光素子の数を増やしながら、縦方向には前記有機電界発光素子基板の空間を最大限活用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明に伴う有機電界発光素子及びその製造方法の好ましい実施形態を詳細に説明する。
図２は本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。但し、図２は説明の便宜のために３（横）×４（縦）サイズの有機電界発光素子を示した。
【００１８】
図２を参照すると、本発明の有機電界発光素子はインジウム錫酸化物層（ＩＴＯ層）２００、金属電極層２０２、データライン２０６及びスキャンライン２０８を含む。
ＩＴＯ層２００と金属電極層２０２とが交差する発光領域２０４に複数のサブピクセルが形成される。詳しくは、第１発光領域にはレッドサブピクセルが形成され、第２発光領域にはグリーンサブピクセルが形成され、第３発光領域にはブルーサブピクセルが形成される。ここで、前記レッドサブピクセル、グリーンサブピクセル及びブルーサブピクセルが一つのピクセルを構成する。
【００１９】
データライン２０６は図２に示されるように、ＩＴＯ層２００にそれぞれ接続され、集積回路チップ（未図示）から供給されるデータ信号をＩＴＯ層２００に伝送する。
スキャンライン２０８は図２に示されるように、ＩＴＯ層２００間で金属電極層２０２と交差して形成される。即ち、スキャンライン２０８は、ＩＴＯ層２００間でＩＴＯ層２００と平行に形成される。
スキャンライン２０８の全体領域中の一部領域２１０（以下、“接続領域”という）を除いた領域上に絶縁物質が蒸着される。即ち、接続領域２１０にはスキャンライン２０８のみが存在し、残りの領域にはスキャンライン２０８上に絶縁物質が蒸着されている。
【００２０】
したがって、前記集積回路チップからスキャンライン２０８にスキャン信号が供給される場合、スキャンライン２０８は前記スキャン信号を接続領域２１０を介して金属電極層２０２に供給する。
要するに、本発明の有機電界発光素子は、従来の有機電界発光素子とは違って、スキャンライン２０８がＩＴＯ層２００間に形成されるので、従来のスキャンラインが形成されていた空間だけ、空間に余裕がある。
【００２１】
したがって、本発明の有機電界発光素子は、前記空間に余裕がある分だけ、ピクセルの数を増やすことができ、ＩＴＯ層２００の幅を拡大、すなわち、発光領域２０４の大きさを拡大することができる。その結果、本発明の有機電界発光素子は従来の有機電界発光素子に比べて輝度がさらに向上された。
また、本発明の有機電界発光素子は前記余裕空間だけそのサイズを減少することができるので、小型化するこができる。
【００２２】
以下、本発明の有機電界発光素子の製造方法を詳述する。
先ず、基板上にＩＴＯ層が全面蒸着される。
次いで、前記ＩＴＯ層が全面蒸着された基板がパターニングされ、図２に示されるＩＴＯ層２００が前記基板上に形成される。
ＩＴＯ層２００にデータライン２０６が接続され、ＩＴＯ層２００間に金属電極層２０２と交差するスキャンライン２０８が形成される。
ＩＴＯ層２００、データライン２０６及びスキャンライン２０８が形成された基板の全面に絶縁物質が蒸着され、発光領域２０４及び接続領域２１０には絶縁物質が形成されない。
前記絶縁物質が蒸着された基板がパターニングされ、蒸着された絶縁物質が除去される。
前記発光領域２０４上に有機物層がそれぞれ蒸着される。
前記蒸着された有機物層を持つ基板上に金属電極層２０２が、ＩＴＯ層２００と交差するように形成される。
【００２３】
図３は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示す図２のＩ‐Ｉ´ラインに沿う断面図である。
図３に示されるように、ＩＴＯ層２００間で基板３００上にスキャンライン２０８が形成される。本発明の一実施例に係るスキャンライン２０８は金属層である。例えば、スキャンライン２０８は、モリブデン（ＭＯ）からなる。
絶縁層３０２がＩＴＯ層２００間に、図３に示されるように形成される。但し、スキャンライン２０８中の一つのスキャンライン上には絶縁層３０２が形成されないが、残りのスキャンライン上には絶縁層３０２が形成される。
【００２４】
その結果、絶縁層３０２が形成されないスキャンラインのみが、それに対応する金属電極層と接続される。これにより、前記集積回路チップから伝導されたスキャン信号が絶縁層３０２が形成されないスキャンラインを介して、それに対応する金属電極層に伝導される。
以後、ＩＴＯ層２００の発光領域２０４上に、有機物層３０４がそれぞれ形成される。
【００２５】
ここで、有機物層３０４は、それぞれ順に積層された正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）を含む。または、有機物層３０４は、それぞれ順に積層された正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層（ＥＩＬ）を含む。
金属電極層２０２は、有機物層３０４及び絶縁層３０２上に形成される。
【００２６】
図４は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示す図２のＩ−Ｉ´ラインに沿う断面図である。
図４に示されるように、スキャンライン２０８は、基板４００上に順に積層されたＩＴＯ層２０８Ａ及び金属層２０８Ｂを含む。
金属層２０８Ｂが基板４００に弱く結合されるので、本発明の有機電界発光素子は、基板４００と結合力の強いＩＴＯ層２０８Ａを基板４００上に形成し、その後、ＩＴＯ層２０８Ａ上に金属層２０８Ｂを形成する。
本発明の一実施例に係る金属層２０８Ｂは、モリブデン（ＭＯ）からなる。
【００２７】
図５は本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
図５を参照すると、一つの金属電極層と２つのスキャンラインが、２つの接続領域５１０でそれぞれ接続される。
したがって、前記集積回路チップは、２つの接続領域５１０中の一つの接続領域に該当するスキャンラインを介して、前記接続領域に該当する金属電極層にスキャン信号を供給することができる。
図３及び図５を参照すると、本発明の有機電界発光素子は、サイズが許容される限度内で一つの金属電極層と複数のスキャンラインを接続することができる。
【００２８】
図６は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
図６を参照すると、本発明の有機電界発光素子はＩＴＯ層６００、金属電極層６０２、データライン６０６、スキャンライン６０８、データライン接続部６１２及びスキャンライン接続部６１４を含む。
ライン接続部６１２及び６１４を除いた別の構成要素は、図２に示された有機電界発光素子の構成要素と同一なので、以下説明を省略する。
データライン接続部６１２は、導電体としてデータライン６０６を接続させ、スキャンライン接続部６１４は、導電体としてスキャンライン６０８を接続させる。
【００２９】
以下、前記有機電界発光素子の輝度検査を例に挙げて、データライン接続部６１２及びスキャンライン接続部６１４の機能を説明する。
前記有機電界発光素子の輝度検査のときに、外部検査装置は第１ピンをデータライン６０６中の一つのデータラインに接触させて前記データラインに所定の正の電圧を印加する。この場合、データライン６０６がデータライン接続部６１２によって接続されているので、接触されたデータラインに印加された前記正の電圧が、データライン接続部６１２を介して残りのデータラインに供給される。したがって、前記検査装置から印加された前記正の電圧が、データライン６０６を介してＩＴＯ層６００に供給される。
【００３０】
また、前記検査装置は、第２ピンをスキャンライン６０８中の一つのスキャンラインに接触させて、前記スキャンラインに所定の負の電圧を印加する。その結果、前記検査装置から印加された前記負の電圧が、スキャンライン６０８を介して金属電極層６０２に供給される。
即ち、前記検査装置からＩＴＯ層６００に前記正の電圧が印加され、金属電極層６０２に前記負の電圧が印加されるので、前記ピクセルが発光する。
前記検査装置は、前記発光する光を介して前記有機電界発光素子の輝度不良を検出する。
有機電界発光素子の輝度検査後、ライン接続部６１２及び６１４は、スクライブ刃によって切断される。
【００３１】
前述したように、本発明の有機電界発光素子で、前記検査装置からライン６０６及び６０８に接触されるピンの数は２つであり、全てのラインにピンを接触させなければならなかった従来の有機電界発光素子より、検査のために要求されるピンの数が顕著に少ない。したがって、本発明の有機電界発光素子のライン６０６及び６０８は従来の有機電界発光素子のラインよりも、前記ピンによって損傷を受ける可能性が顕著に少なくなる。
【００３２】
以下、本発明の有機電界発光素子の製造方法を詳述する。
先ず、基板上にＩＴＯ層が全面蒸着される。
次いで、前記ＩＴＯ層が全面蒸着された基板がパターニングされ、図６に示されるように、ＩＴＯ層６００が前記基板上に形成される。
ＩＴＯ層６００にデータライン６０６が接続され、ＩＴＯ層６００間に金属電極層６０２と交差するスキャンライン６０８が形成される。
データライン接続部６１２及びスキャンライン接続部６１４が、データライン６０６及びスキャンライン６０８にそれぞれ接続される。
ここで、データライン接続部６１２及びスキャンライン接続部６１４の形成は、ＩＴＯパターニング過程で共に形成され得る。
データライン６０６及びスキャンライン６０８が形成された基板の全面に、絶縁物質が蒸着され、発光領域６０４及び接続領域６１０には絶縁物質が形成されない。
発光領域６０４上に有機物層がそれぞれ蒸着され、前記蒸着された有機物層を持つ基板上に金属電極層６０２が、ＩＴＯ層６００と交差するように形成される。
【００３３】
図７は本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
図７を参照すると、一つの金属電極層と２つのスキャンラインが、２つの接続領域７１０でそれぞれ接続される。
したがって、前記集積回路チップは、２つの接続領域７１０中の一つの接続領域に該当するスキャンラインを介して、前記接続領域に該当する金属電極層にスキャン信号を供給することができる。
データライン接続部７１２は、データライン７０６を接続させ、スキャンライン接続部７１４は、スキャンライン７０８を接続させる。
【００３４】
図８は、本発明の好ましい他の実施例に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
図８を参照すると、本発明の有機電界発光素子は、ＩＴＯ層８００、金属電極層８０２、データライン８０６、スキャンライン８０８、データライン接続部８１２、スキャンライン接続部８１４、データライン電源部８１６及びスキャンライン電源部８１８を含む。
データライン電源部８１６及びスキャンライン電源部８１８を除いた別の構成要素は、図６の有機電界発光素子の構成要素と同じ機能であるので、以下、説明を省略する。
【００３５】
有機電界発光素子の輝度検査のときに、前記検査装置は第１ピンをデータライン電源部８１６に接触させ、所定の正の電圧をデータライン電源部８１６に印加する。
データライン電源部８１６は、前記印加された正の電圧をデータライン接続部８１２及びデータライン８０６を介してＩＴＯ層８００に供給する。
また、前記検査装置は、第２ピンをスキャンライン電源部８１８に接触させ、所定の負の電圧をスキャンライン電源部８１８に印加する。
スキャンライン電源部８１８は、前記印加された負の電圧をスキャンライン接続部８１４及びスキャンライン８０８を介して金属電極層８０２に供給する。
要するに、本発明の有機電界発光素子で、前記ピンはライン８０６、８０８に直接接触されずにライン電源部８１６及び８１８に接触されるので、ライン８０６及び８０８は前記ピンによって損傷を受けない。
【００３６】
図９は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子基板を示した平面図で、図１０は、図９のＢ部分を拡大して示した平面図である。
図９を参照すると、本発明の有機電界発光素子基板９００は複数の有機電界発光素子を含む。
図１０を参照すると、前記有機電界発光素子は、第１有機電界発光素子１０００及び第２有機電界発光素子１００２を含む。
以下、第１有機電界発光素子１０００を例に挙げて、前記有機電界発光素子等の動作を詳述し、その後、前記有機電界発光素子間の位置関係を詳述する。
第１有機電界発光素子１０００は、第１ＩＴＯ層１００４、第１金属電極層１００６、第１データライン１０１０、第１スキャンライン１０１２、第１データライン接続部１０１６及び第１スキャンライン接続部１０１８を含む。
ライン接続部１０１６、１０１８を除いた別の構成要素は、図２に示された有機電界発光素子の構成要素と同一なので、以下、説明を省略する。
【００３７】
第１データライン接続部１０１６は、導電体として所定単位で第１データライン１０１０を接続する。例えば、第１データライン接続部１０１６は、図１０に示されるように第１データライン１０１０を３つ単位でそれぞれ接続する。
また、第１データライン接続部１０１６は、前記第１有機電界発光素子の不良検査時、外部検査装置から印加される所定電圧を、第１データライン１０１０を介して第１ＩＴＯ層１００４に供給する。
第１スキャンライン接続部１０１８は、導電体として第１スキャンライン１０１２を接続する。
本発明の他の実施例に係る第１スキャンライン１０１２は、複数のスキャンライン接続部によって所定単位で接続され得る。
また、第１スキャンライン接続部１０１８は、前記第１有機電界発光素子の不良検査時、前記外部検査装置から印加される所定電圧を第１スキャンライン１０１２を介して金属電極層１００６に提供する。
【００３８】
以下、第１の有機電界発光素子１０００と第２の有機電界発光素子１００２との位置関係を詳述する。
図１０を参照すると、第１データライン１０１０は、３つ単位で第１データライン接続部１０１６に接続される。
第２スキャンライン１０２４は、１個の第２のスキャンライン接続部１０２６に接続される。
第２有機電界発光素子１００２の第２スキャンライン接続部１０２６は、第１のデータライン接続部１０１６間に位置する。もちろん、第２スキャンライン接続部１０２６が第１データライン接続部１０１６間に位置せずに、最も外側のデータライン接続部の外部に位置することもある。
即ち、第２スキャンライン接続部１０２６は、第１データライン接続部１０１６と同じ平面上に位置し、第１金属電極層１００６に平行に有機電界発光素子基板９００上に形成される。その結果、有機電界発光素子基板９００の空間が、最大限活用される。
【００３９】
本発明の他の実施例に係る第２のスキャンライン１０２４は、所定単位で複数個の第２スキャンライン接続部によって接続され得る。
この場合にも、前記第２スキャンライン接続部は、第１データライン接続部１０１６と同じ平面上に位置し、第１金属電極層１００６に平行に有機電界発光素子基板９００上に形成される。
要するに、本発明の有機電界発光素子基板９００は第２有機電界発光素子１００２の第２スキャンライン接続部１０２６を、第１有機電界発光素子１０００の第１データライン接続部１０１６間に位置させるので、横方向には従来のスキャン領域ほどの空間が節約され、縦方向には有機電界発光素子基板９００の空間を最大限活用することができる。
【００４０】
前述した本発明の好ましい実施例は、例示の目的のために開示されたものであって、本発明に対する通常の知識を持つ当業者であるならば本発明の思想と範囲内で多様な修正、変更、付加が可能である。しかし、このような修正、変更及び付加は本発明の特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は、従来の有機電界発光素子を示した平面図である。
【図２】図２は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図３】図３は、本発明の好ましい一実施形態に係る図２のＩ−Ｉ´線に沿って切断した有機電界発光素子を示した断面図である。
【図４】図４は、本発明の好ましい他の実施形態に係る図２のＩ−Ｉ´線に沿って切断した有機電界発光素子を示した断面図である。
【図５】図５は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図６】図６は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図７】図７は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図８】図８は、本発明の好ましい他の実施形態に係る有機電界発光素子を示した平面図である。
【図９】図９は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子基板を図示した平面図である。
【図１０】図１０は、図９のＢ部分を拡大して示した平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
２００；ＩＴＯ層
２０２：金属電極層
２０４：発光領域
２０６：データライン
２０８：スキャンライン
２１０：接続領域
３００：基板
３０２：絶縁層
３０４：有機物層
１０００：第一有機電界発光素子
１００２：第２有機電界発光素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンラインと、
前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、及び
前記有機物層及び前記接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層を含む有機電界発光素子。
【請求項２】
前記スキャンラインは、金属を含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記スキャンラインは、第１インジウム錫酸化物層上に形成された第２インジウム錫酸化物層及び金属層を含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記接続領域は、前記スキャンラインにそれぞれ形成され、それぞれ一つの金属電極層に接続されている請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、
前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、
前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層、及び
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。
【請求項６】
前記スキャンライン接続部は、導電体である請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記スキャンライン接続部に接続され、有機電界発光素子の検査のときに、検査装置から印加される所定電圧を、前記スキャンライン接続部を介して前記スキャンラインに供給するスキャンライン電源部をさらに含む請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記データラインを接続するデータライン接続部をさらに含む請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記データライン接続部に接続され、有機電界発光素子の検査のときに、検査装置から印加される所定電圧を、前記データライン接続部を介して前記データラインに提供するデータライン電源部をさらに含む請求項８に記載の有機電界発光素子.
【請求項１０】
基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、
前記インジウム錫酸化物層間の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、
前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層、及び
前記スキャンラインを所定単位で接続する複数のスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記インジウム錫酸化物層にそれぞれ接続される複数のデータライン、及び
前記データラインを所定単位で接続する複数のデータライン接続部をさらに含む請求項１０に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ金属からなっている請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
インジウム錫酸化物層と、該インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層とを含む有機電界発光素子において、
前記インジウム錫酸化物層にそれぞれ接続される複数のデータライン、
前記データラインを所定単位で接続する複数のデータライン接続部、
前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、及び
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、及び
前記発光領域上に形成される有機物層をさらに含み、
前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上で前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される請求項１３に記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ金属からなっている請求項１３に記載の有機電界発光素子。
【請求項１６】
第１インジウム錫酸化物層に結合されたデータラインを、所定単位で接続する１つ以上のデータライン接続部を含む第１有機電界発光素子、及び
第２インジウム錫酸化物層間で、前記第２インジウム錫酸化物層と平行に形成される複数のスキャンラインを、所定単位で接続する１つ以上のスキャンライン接続部を含む第２有機電界発光素子を含み、
前記データライン接続部と前記スキャンライン接続部は、同一平面上に位置する、有機電界発光素子基板。
【請求項１７】
前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ導電体である請求項１６に記載の有機電界発光素子基板。
【請求項１８】
インジウム錫酸化物層を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階、
前記発光領域に有機物層をそれぞれ蒸着する段階、及び
前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階を含む、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記スキャンラインを形成する段階は、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行する金属層を形成する段階を含む請求項１８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記スキャンラインを形成する段階は、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行するインジウム錫酸化物層を形成する段階、及び
前記インジウム錫酸化物層間に形成されたインジウム錫酸化物層上に金属層を形成する段階を含む請求項１８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記接続領域は、前記スキャンラインにそれぞれ形成され、それぞれ一つの金属電極層に接続されている請求項１８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２２】
インジウム錫酸化物層を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階、
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階、
前記発光領域にそれぞれ有機物層を蒸着する段階、及び
前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階を含む、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記スキャンライン接続部の終端に、スキャンライン電源部を形成する段階をさらに含む請求項２２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１】
基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンラインと、
前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、及び
前記有機物層及び前記接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層を含む有機電界発光素子。
【請求項２】
前記スキャンラインは、金属を含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記スキャンラインは、第１インジウム錫酸化物層上に形成された第２インジウム錫酸化物層及び金属層を含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記接続領域は、前記スキャンラインにそれぞれ形成され、それぞれ一つの金属電極層に接続されている請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、
前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、
前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層、及び
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。
【請求項６】
前記スキャンライン接続部は、導電体である請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記スキャンライン接続部に接続され、有機電界発光素子の検査のときに、検査装置から印加される所定電圧を、前記スキャンライン接続部を介して前記スキャンラインに供給するスキャンライン電源部をさらに含む請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記データラインを接続するデータライン接続部をさらに含む請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記データライン接続部に接続され、有機電界発光素子の検査のときに、検査装置から印加される所定電圧を、前記データライン接続部を介して前記データラインに提供するデータライン電源部をさらに含む請求項８に記載の有機電界発光素子.
【請求項１０】
基板上に形成された複数のインジウム錫酸化物層、
前記基板上で前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、
前記インジウム錫酸化物層間の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、
前記発光領域上に形成される有機物層、
前記有機物層及び前記接続領域上に、前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される金属電極層、及び
前記スキャンラインを所定単位で接続する複数のスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記インジウム錫酸化物層にそれぞれ接続される複数のデータライン、及び
前記データラインを所定単位で接続する複数のデータライン接続部をさらに含む請求項１０に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ金属からなっている請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
インジウム錫酸化物層と、該インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層とを含む有機電界発光素子において、
前記インジウム錫酸化物層にそれぞれ接続される複数のデータライン、
前記データラインを所定単位で接続する複数のデータライン接続部、
前記インジウム錫酸化物層間にそれぞれ形成される複数のスキャンライン、及び
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を含む有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記インジウム錫酸化物層の発光領域及びスキャンラインの接続領域を除いた領域に形成される絶縁層、及び
前記発光領域上に形成される有機物層をさらに含み、
前記金属電極層は、前記有機物層及び前記接続領域上で前記インジウム錫酸化物層と交差するように形成される請求項１３に記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ金属からなっている請求項１３に記載の有機電界発光素子。
【請求項１６】
第１インジウム錫酸化物層に結合されたデータラインを、所定単位で接続する１つ以上のデータライン接続部を含む第１有機電界発光素子、及び
第２インジウム錫酸化物層間で、前記第２インジウム錫酸化物層と平行に形成される複数のスキャンラインを、所定単位で接続する１つ以上のスキャンライン接続部を含む第２有機電界発光素子を含み、
前記データライン接続部と前記スキャンライン接続部は、同一平面上に位置する、有機電界発光素子基板。
【請求項１７】
前記データライン接続部及び前記スキャンライン接続部は、それぞれ導電体である請求項１６に記載の有機電界発光素子基板。
【請求項１８】
インジウム錫酸化物層を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階、
前記発光領域に有機物層をそれぞれ蒸着する段階、及び
前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階を含む、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記スキャンラインを形成する段階は、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行する金属層を形成する段階を含む請求項１８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記スキャンラインを形成する段階は、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行するインジウム錫酸化物層を形成する段階、及び
前記インジウム錫酸化物層間に形成されたインジウム錫酸化物層上に金属層を形成する段階を含む請求項１８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記接続領域は、前記スキャンラインにそれぞれ形成され、それぞれ一つの金属電極層に接続されている請求項１８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２２】
インジウム錫酸化物層を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層間に前記インジウム錫酸化物層と平行にスキャンラインを形成する段階、
前記スキャンラインを接続するスキャンライン接続部を形成する段階、
前記インジウム錫酸化物層及びスキャンラインが形成された基板の全面に発光領域及び接続領域を除いて絶縁物質を蒸着する段階、
前記発光領域にそれぞれ有機物層を蒸着する段階、及び
前記発光領域及び接続領域上に前記インジウム錫酸化物層と交差する金属電極層を形成する段階を含む、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記スキャンライン接続部の終端に、スキャンライン電源部を形成する段階をさらに含む請求項２２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００６−１９０６３０（Ｐ２００６−１９０６３０Ａ）
【公開日】平成１８年７月２０日（２００６．７．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−７７６７５（Ｐ２００５−７７６７５）
【出願日】平成１７年３月１７日（２００５．３．１７）
【出願人】（５９６０６６７７０）エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド (384)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年７月２０日（２００６．７．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月１７日（２００５．３．１７）
【出願人】（５９６０６６７７０）エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド (384)
【Ｆターム（参考）】
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