発光体用金属ベース基板、発光光源、照明装置及び表示装置
【課題】 放熱特性を向上させることができる金属ベース基板等を提供する。
【解決手段】 本発明の金属ベース基板１５は、上部絶縁層２１と下部絶縁層２２の２層構造を有する絶縁基板２０と、前記下部絶縁層２２の裏面に取着された金属ベース２４とを備える。上部絶縁層２１、下部絶縁層２２の表面には配線パターンＢＥ７，ＢＯ７が形成されている。絶縁基板２０には、金属ベース２４が取着する下部絶縁層２２を残して、表層から金属ベース２４側へと絶縁層単位で凹入する凹入部Ｃ７３，Ｃ７４，Ｃ７５を備え、これらの凹入部Ｃ７３，Ｃ７４，Ｃ７５の底面となる下部絶縁層２２の配線パターンＢＥ７，ＢＯ７にＬＥＤベアチップＬ７３，Ｌ７４，Ｌ７５が接続されている。
【解決手段】 本発明の金属ベース基板１５は、上部絶縁層２１と下部絶縁層２２の２層構造を有する絶縁基板２０と、前記下部絶縁層２２の裏面に取着された金属ベース２４とを備える。上部絶縁層２１、下部絶縁層２２の表面には配線パターンＢＥ７，ＢＯ７が形成されている。絶縁基板２０には、金属ベース２４が取着する下部絶縁層２２を残して、表層から金属ベース２４側へと絶縁層単位で凹入する凹入部Ｃ７３，Ｃ７４，Ｃ７５を備え、これらの凹入部Ｃ７３，Ｃ７４，Ｃ７５の底面となる下部絶縁層２２の配線パターンＢＥ７，ＢＯ７にＬＥＤベアチップＬ７３，Ｌ７４，Ｌ７５が接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に発光体を実装するための発光体用金属ベース基板、この金属ベース基板に発光体を実装してなる発光光源、この発光光源を用いた照明装置又は表示装置に関するもので、特に発光体の発光時における放熱特性を改善する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（以下、単に「ＬＥＤ」という。）を用いたＬＥＤ光源は、ＬＥＤ単体の光出力が小さいために、多数のＬＥＤを絶縁基板の表面に実装している。このように多数のＬＥＤを絶縁基板に実装すると、ＬＥＤの発光時に発生する熱によりＬＥＤの温度が上昇してしまう。このＬＥＤの温度上昇は、その発光効率の低下や短寿命化を招く。
そこで、放熱特性を改善するために、放熱用の金属ベースを絶縁基板の裏面に取着した金属ベース基板が提案されている(例えば、特許文献１)。この金属ベース基板は、発光時の熱を、ＬＥＤを実装する絶縁基板から金属ベースへと伝え、金属ベースから放熱するようにしている。
【特許文献１】特開２００２−１８４２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の金属ベース基板は、実装するＬＥＤの数が少ない場合には、発光時の発熱量が少なく、その熱が金属ベースから放熱されるため問題ないが、例えば、ＬＥＤ光源の光出力をさらに高めるためにＬＥＤ素子をより多く金属ベース基板に実装すると、ＬＥＤの間隔が狭くなり、ＬＥＤの温度が上昇してしまう。つまり、従来の金属ベース基板では放熱対策が不十分なのである。
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、放熱特性を向上させることができる金属ベース基板、発光光源、照明装置又は表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）上記目的を達成するために、本発明に係る発光体用金属ベース基板は、発光体を実装するための配線パターンを備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏側に取着されている金属ベースとを備え、前記絶縁基板は、その表側に凹入部を複数備え、当該凹入部の底面が前記発光体の実装予定部位であることを特徴としている。
この構成によれば、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
【０００５】
（２）上記（１）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造であり、前記凹入部は、少なくとも前記金属ベースに接する絶縁層を残して形成されていることを特徴としている。
このため、複数の絶縁層からなる絶縁基板を用いても、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。特に、樹脂材料を主成分とする絶縁層を用いると、発光光源の放熱特性は、発光素子と金属ベースとの間の絶縁層の層数、厚みに大きく依存するので、上記構成のように、発光素子と金属ベースとの距離が近くなれば、放熱効果は格別である。
【０００６】
（３）上記（２）の金属ベース基板において、前記凹入部の底面は、いずれかの絶縁層の境界に設定されていることを特徴としている。
このため、凹入部は、底面に相当する絶縁層より表側の絶縁層に貫通孔を設ければ容易に形成できる。
（４）上記（３）の金属ベース基板において
しかも、前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層に形成されており、その一部が前記凹入部内に露出していることを特徴としている。
【０００７】
このため、例えば、凹入部の底面に相当する絶縁層の表層に配線パターンを形成して積層すれば、容易に凹入部の底面に配線パターンを形成できる。当然、凹入部内に配線パターンを露出させることも、配線パターンの形状を変えることで容易に行える。
（５）上記（２）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続するための発光体接続部を複数列有する第１の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続するための第２の配線パターンとを有し、前記第１の配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層上に形成され、前記第２の配線パターンは、第１の配線パターンが形成されている絶縁層よりも表側にある絶縁層に形成されていることを特徴としている。
【０００８】
（６）上記（２）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層よりも表側の絶縁層に形成されていることを特徴としている。
このため、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
（７）上記（１）の金属ベース基板において、前記凹入部は、前記絶縁基板を貫通して前記金属ベースにまで達していることを特徴としている。
【０００９】
この構成によれば、発光体を金属ベースに実装することができ、発光体発光時に発生する熱を発光体から金属ベースに伝えることができ、基板として放熱特性を向上させることができる。
（８）上記（７）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続する素子接続部を複数列備える第３の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続する第４の配線パターンとを有することを特徴としている。
【００１０】
（９）上記（８）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、２以上の絶縁層からなる多層構造を有し、前記第３の配線パターン及び前記第４の配線パターンは、別々の絶縁層に形成されていることを特徴としている。
このため、第３及び第４の配線パターンを２以上の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
【００１１】
（１０）上記（１）の金属ベース基板において、前記複数の凹入部は、等間隔で形成されていることを特徴としている。
このため、凹入部に同じ出力の発光体を実装すると、輝度むらの少ない光源が得られる。
（１１）上記（１）の金属ベース基板において、前記凹入部は、平面視略円形状に形成され、その穴径が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることを特徴としている。
【００１２】
（１２）上記（２）の金属ベース基板において、前記凹入部は、金属ベースに近い絶縁層ほど穴径が小さくなっており、層単位で段状に穴径が変化していることを特徴としている。
（１３）上記目的を達成するために、本発明に係る発光体用金属ベース基板は、発光体を実装するための配線パターンが表面に備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏面に取着されている金属ベースとを備え、前記絶縁基板よりも高い熱伝導率を有する伝熱部材が、前記絶縁基板における前記発光体の実装予定部位と前記金属ベースとの間に配設されていることを特徴としている。
【００１３】
この構成によると、絶縁基板に実装した発光体が発光した時に発生する熱を伝熱部材から絶縁基板の裏面の金属ベースに伝わる。これにより発光時の熱を効果的に放熱できる。
（１４）上記（１３）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は単数の絶縁層からなる単層構造であり、前記伝熱部材が前記絶縁基板の裏面側に埋設されていることを特徴としている。
【００１４】
（１５）上記（１３）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造を有し、前記伝熱部材は、少なくとも１つの絶縁層又は少なくとも１つの層間に配設されていることを特徴としている。
（１６）上記（１５）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、表層以外の少なくとも１つの絶縁層にも配線パターンが形成されていることを特徴としている。
【００１５】
このため、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
（１７）上記（１３）の金属ベース基板において、前記伝熱部材は、金属膜であることを特徴としている。
このため、熱伝導率が高いために、優れた放熱特性が得られる。
【００１６】
（１８）上記（１６）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、前記絶縁基板の各絶縁層に形成されており、前記伝導部材は、表層以外の絶縁層に形成されている配線パターンの一部であることを特徴としている。
（１９）上記（１３）の金属ベース基板において、前記伝導部材の厚さは、表面の配線パターンの厚さより厚いことを特徴としている。
【００１７】
このため、伝熱部材を容易に設けることができる。
（２０）上記（２）の金属ベース基板において、前記絶縁板層は、少なくとも無機フィラー及び樹脂組成物とから構成されていることを特徴としている。
（２１）上記（２０）の金属ベース基板において、前記無機フィラーは、シリカ、アルミナ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも１つを含むことを特徴としている。
【００１８】
このため、発光体の発光時の熱により金属ベース基板が熱膨張しても、絶縁基板の表面での熱膨張を小にすることができる。
（２２）上記（２０）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、転写法により前記絶縁層に形成されていることを特徴としている。
このため、配線パターンを容易に形成できる。
【００１９】
（２３）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（１）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴としている。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した発光光源に比べて、放熱特性を向上させることができる。
【００２０】
（２４）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（５）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体は、１対の給電端子を裏面に有し、前記第１の配線パターンに面実装されていることを特徴としている。
（２５）上記（２４）の発光光源において、前記発光体は、裏面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が裏面に形成されたサブマウントであることを特徴としている。
【００２１】
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。さらに、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
（２６）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（５）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体は、一対の給電端子を表裏の２面に有し、表側の給電端子が前記第２の配線パターンに、裏側の給電端子が前記第１の配線パターンにそれぞれ接続されていることを特徴としている。
【００２２】
（２７）上記（２６）の発光光源において、前記発光体は、両面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が表裏面に形成されたサブマウントであることを特徴としている。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。さらに、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
【００２３】
（２８）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（６）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体用金属ベース基板は発光体用金属ベース基板であり、前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、両給電端子がワイヤボンディングにより前記配線パターンに接続されていることを特徴としている。
【００２４】
（２９）上記（２８）の発光光源において、前記発光体は、表面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された一対の給電端子が表面に形成されたサブマウントであることを特徴としている。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
【００２５】
（３０）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（１）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が前記配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴としている。
（３１）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（７）発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光素子は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が、前記第３及び第４の配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴としている。
【００２６】
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
（３２）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（１３）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴としている。
【００２７】
この構成によると、絶縁基板に実装した発光体が発光した時に発生する熱を伝熱部材から絶縁基板の裏面の金属ベースに伝わる。これにより発光時の熱を効果的に放熱できる。
さらに、上記の発光光源を用いた照明装置或いは表示装置は、発光体が発光したときに発生した熱を効果的に放出することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る発光体用金属ベース基板は、発光体を実装するための配線パターンを備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏側に取着されている金属ベースとを備え、前記絶縁基板は、その表側に凹入部を複数備え、当該凹入部の底面が前記発光体の実装予定部位であることを特徴としている。
この構成によれば、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明に係る各実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施の形態＞
本実施の形態では、金属ベース基板の表面に凹入部が形成されており、この凹入部に発光体を実装してなるＬＥＤ光源について説明する。前記金属ベース基板は、複数の絶縁層からなる絶縁基板を備え、凹入部は、絶縁基板の厚み方向にその一部を残して形成されている。
【００３０】
１．ＬＥＤ光源の構成について
図１は本実施の形態におけるＬＥＤ光源の斜視図である。
ＬＥＤ光源１０（本発明の「発光光源」に相当する。）は、表面に平面視円形状に凹入する凹入部が複数形成された金属ベース基板１５（本発明の「発光体用金属ベース基板」に相当する。）と、この凹入部の底面に実装された発光ダイオードのベアチップ（以下、単に「ＬＥＤベアチップ」という。）とを備える。なお、金属ベース基板１５は、複数の絶縁層からなる絶縁基板２０の裏面に金属ベース２４が取着されたものをいう。
【００３１】
本実施の形態では、凹入部は、８行８列のマトリックス状に整然と、つまり、金属ベース基板１５に、行・列方向のそれぞれの方向に略等間隔を置いて独立して形成されており、これらの凹入部を符号Ｃｎｍ（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）で示し、また、これら凹入部Ｃｎｍ内の底面に実装されているＬＥＤベアチップを、凹入部Ｃｎｍに対応して符号Ｌｎｍ（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）で示す。
【００３２】
絶縁基板２０は、無機フィラー入りの熱硬化性樹脂からなる絶縁層２１、２２が積層された２層構造を有している。なお、絶縁基板２０を構成する２層の絶縁層の内、表側（上側）の層を上部絶縁層２１、裏側（下側）の層を下部絶縁層２２とそれぞれいう。
図２は、ＬＥＤ光源の平面図であり、図３は、下部絶縁層の平面図である。なお、図２では、絶縁基板２０の表層にある上部絶縁層２１のみが現れている。
【００３３】
上部絶縁層２１の表面には、図１及び図２に示すように、例えば、銅（Ｃｕ）からなる配線パターンＰＡ（本発明の「第２の配線パターン」に相当する。）が形成され、また、下部絶縁層２２の表面には、図３に示すように、例えば、銅（Ｃｕ）からなる配線パターンＰＢ（本発明の「第１の配線パターン」に相当する。）が形成されている。
配線パターンＰＡ、ＰＢは、ＬＥＤベアチップＬｎｍを、絶縁基板２０に８行８列のマトリックス状で実装するために、各行における奇数列目のＬＥＤベアチップと、偶数列目のＬＥＤベアチップとを直列に接続するように形成されている。
【００３４】
そして、配線パターンＰＡ、ＰＢのうち、下部絶縁層２２の表面に形成されている配線パターンＰＢにＬＥＤベアチップＬｎｍが電気的に接続される。
配線パターンＰＢは、図３に示すように、各行に対応して、偶数列の４個のＬＥＤベアチップ（例えば、１行目では、図１におけるＬ１２、Ｌ１４、Ｌ１６、Ｌ１８）のみを直列に接続するために行方向（図３において横方向）に形成された偶数列部ＢＥｎと、奇数列の４個のＬＥＤベアチップ（例えば、１行目では、図１におけるＬ１１、Ｌ１３、Ｌ１５、Ｌ１７）のみを直列に接続するために行（横）方向に形成された奇数列部ＢＯｎとを備えている（ｎは行数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）。
【００３５】
一方、上部絶縁層２１の配線パターンＰＡは、図２に示すように、下部絶縁層２２に形成されている各ｎ行内での奇数列部ＢＯｎと偶数列部ＢＥｎとを直列に接続するための列接続部ＡＲｎと、隣接する行同士を直列に接続するための行接続部ＡＬｎとを備え、これらは行方向に延びる帯状であって、列方向に複数行形成されている（ｎは行数を示し、１〜８の整数である。）。
【００３６】
また、配線パターンＰＡは、図外の給電部から給電を受けるための給電端子部ＡＳを備えている。この給電端子部ＡＳには、下部絶縁層２２の１行目の奇数列部ＢＯ１に接続される給電端子部ＡＳ１と、下部絶縁層２２の８行目の奇数列部ＢＯ８に接続されるＡＳ２とがある。
ここで、上部絶縁層２１の配線パターンＰＡと下部絶縁層２２の配線パターンＰＢとの接続関係について簡単に説明する。ここでは、１行目を例として、図２及び図３を用いて具体的に説明する。なお、本実施の形態では、給電端子部ＡＳ１、ＡＳ２が高電位側となっている。
【００３７】
まず、下部絶縁層２２の奇数列部ＢＯ１と偶数列部ＢＥ１とは、上部絶縁層２１の列接続部ＡＲ１を介して接続される。つまり、奇数列部ＢＯ１は、その低電位側の端部の位置Ｐ１で列接続部ＡＲ１にビアホール（図中○で示している。）を介して接続され、また、偶数列部ＢＥ１は、その高電位側の端部の位置Ｐ２で列接続部ＡＲ１にビアホールを介して接続される。
【００３８】
また、１行目の偶数列部ＢＥ１と、２行目の偶数列部ＢＥ２とは、上部絶縁層２１の行接続部ＡＬ１を介して接続される。つまり、偶数列部ＢＥ１は、その低電位側の端部の位置Ｐ３で行接続部ＡＬ１にビアホールを介して接続され、また、２行目の偶数列部ＢＥ２は、その高電位側の端部の位置Ｐ４で行接続部ＡＬ１にビアホールを介して接続されている。
【００３９】
給電端子ＡＳ１と１行目の奇数列部ＢＯ１との接続は、奇数列部ＢＯ１における高電位側の端部の位置Ｐ５でビアホールを介してなされている。これらの接続により、下部絶縁層２２における１行目から４行目まで各ＬＥＤベアチップＬｎｍ（ｎは、１〜４の整数）が直列に接続されることになる。なお、５行目から８行目のＬＥＤベアチップＬｎｍ（ｎは、５〜８の整数）の接続についても、１行目から４行目までの接続方法と略同様になされている。
【００４０】
図４は、図２及び図３におけるＡ部の詳細図で、下部絶縁層２２を見せるために、上部絶縁層２１の一部（図４における左側部分）を取り除いている。図５は、図４のＸ−Ｘ線を含む鉛直面で切断したときの矢印方向からみた断面図である。
金属ベース基板１５の表側に形成されている凹入部Ｃ７３、Ｃ７４、Ｃ７５は、図５に示すように、下部絶縁層２２を残して、上部絶縁層２１が平面視（図４）略円形状に層ごと除去されている。そして、凹入部Ｃ７３、Ｃ７４、Ｃ７５の底面がちょうど下部絶縁層２２の表面となっている。つまり、上部絶縁層２１と下部絶縁層２２との境界が凹入部の底面になっている。
【００４１】
図４に示す下部絶縁層２２には、配線パターンＰＢ（ＢＥ７、ＢＯ７、ＢＥ８、ＢＯ８）が形成されており、この配線パターンＰＢにおけるＬＥＤベアチップＬ７４、Ｌ７５、Ｌ８４、Ｌ８５Ｌｎｍを実装する部分が凹入部Ｃ７４、Ｃ７５、Ｃ８４、Ｃ８５内に露出している。
本実施の形態で使用しているＬＥＤベアチップＬｎｍは、ＡｌＩｎＧａＮを用いた、所謂、青色ＬＥＤベアチップであって、その下面にｐ電極とｎ電極との両極を備えた片面電極型であり、フリップチップ実装されている。なお、片面電極のうち、上（表）面に両電極を備えたものを、以下、上面電極型といい、下（裏）面に両電極を備えたものを、以下下面電極型という。
【００４２】
各ＬＥＤベアチップＬｎｍの発光面は、平面視において実装される凹入部Ｃｎｍの略中央になるように配されている。
なお、ＬＥＤベアチップＬｎｍは、そのｐ電極が凹入部Ｃｎｍ内に露出した配線パターンＰＢの高電位側に、ｎ電極が配線パターンＰＢの低電位側に、それぞれ接続される。
金属ベース２４は、各絶縁層２１、２２よりも高い熱伝導率を有し、ＬＥＤベアチップＬｎｍのそれぞれが発光した時に発生する熱を放熱する他、絶縁基板２０を補強している。
【００４３】
上記構成では、金属ベース基板１５は、裏側に金属ベース２４を備えると共に、下部絶縁層２２の表面がちょうど底面となるような凹入部Ｃｎｍを表側の上部絶縁層２１に備えている。そして、この凹入部Ｃｎｍの底面に相当する下部絶縁層２２上にＬＥＤベアチップＬｎｍを実装している。従って、ＬＥＤベアチップＬｎｍと金属ベース２４との間には、下部絶縁層２２の１層があるだけとなる。
【００４４】
このため、２層の絶縁層２１、２２からなる絶縁基板２０を用いた金属ベース基板１５を使用しているにも拘わらず、ＬＥＤベアチップＬｎｍが発光時に発生する熱は、下部絶縁層２２を介して金属ベース２４へと伝わって、金属ベース２４から放熱される。熱伝導率の低い絶縁層の厚みが、絶縁基板２０の略半分になることで、放熱効果は飛躍的に向上する。このため、ＬＥＤベアチップＬｎｍの発光効率が低下したり、短寿命になったりするのを防止することができる。
【００４５】
しかも、ＬＥＤベアチップＬｎｍは、凹入部Ｃｎｍの底面に、配線パターンＰＢとの電気的接続が直接行えるように、フリップチップ実装されるので容易に実施することができる。
さらに、ＬＥＤ光源１０は、上部絶縁層２１と下部絶縁層２２とから成る多層構造の絶縁基板２０と、下部絶縁層２２に貼着された金属ベース２４とを備える金属ベース基板１５を用いている。このため、例えば、ＬＥＤベアチップＬｎｍを絶縁基板２０に高密度実装する際に、配線パターンのルール上の制限から、１層の絶縁層の広さでは配線パターン全てが形成できないような場合でも、配線パターンを２層の絶縁層に分けてそれぞれ形成することができる。
【００４６】
この場合、２層の絶縁層からなる絶縁基板を用いるため、ＬＥＤベアチップＬｎｍと金属ベース２４とが厚み方向に離れる惧れがあるが、凹入部Ｃｎｍの底面が下部絶縁層２２の表面となるように凹入部Ｃｎｍを形成し、この凹入部Ｃｎｍ内の底面にＬＥＤベアチップＬｎｍを実装しているので、ＬＥＤベアチップＬｎｍと金属ベース２４との距離は、下部絶縁層２２の厚み分となる。従って、ＬＥＤベアチップＬｎｍの発光時に生じる熱は下部絶縁層２２を通って金属ベース２４から放熱され、その放熱性能は単層構造の金属ベース基板と略同等となる。
【００４７】
一方、ＬＥＤベアチップＬｎｍは、凹入部Ｃｎｍ内に実装されているので、ＬＥＤ光源１０の厚みを薄くすることができる。
２．ＬＥＤ光源の具体的構成について
上記のＬＥＤ光源１０について具体例について説明する。絶縁基板２０を構成する下部絶縁層２２及び上部絶縁層２１の厚みは、略０．１ｍｍである。この絶縁層２１、２２は、無機質フィラーとしてアルミナを、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂をそれぞれ使用した、所謂、アルミナコンポジット材料である。また、金属ベース２４には、厚みが略１ｍｍのアルミニウム板を用いた。
【００４８】
各ＬＥＤベアチップＬｎｍは、３００μｍ角、高さ１００μｍである。また、行方向及び列方向に隣接するＬＥＤベアチップ同士は、その中心間距離が略２．５ｍｍとなるように絶縁基板２０に高密度で実装されている。
凹入部Ｃｎｍの形状は、図４に示すように平面視円形状であり、図５に示すようにその穴径Ｄ１が０．５ｍｍである。この寸法は、使用しているＬＥＤベアチップＬｎｍの一辺の長さが３００μｍであることから、ＬＥＤベアチップＬｎｍの実装に最低でも穴径で０．５ｍｍは必要となる。しかしながら、穴径Ｄ１があまり大きくなると、隣接するＬＥＤベアチップＬｎｍの実装間隔が大きくなり、高密度実装できなくなる。なお、ＬＥＤベアチップＬｎｍのｎ電極及びｐ電極に接続される配線パターンＰＢの間隔Ｌ１は、略５０μｍである（図５参照）。
【００４９】
３．金属ベース基板の製造方法について
図６は、金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。この図６を参照しながら、ＬＥＤベアチップを実装する前の金属ベース基板１５の製造方法について簡単に説明する。
まず上部絶縁層２１について説明する。上部絶縁層２１用の半硬化状態の絶縁板１２を準備し[工程（ａ）]、この絶縁板１２の上面に配線パターンＰＡ用の銅箔を貼着した後、配線パターンに対応する部分を残し、他の不要な銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、絶縁板１２の上面に配線パターンＰＡが形成されることになる[工程（ｂ）]。
【００５０】
そして、上記配線パターンＰＡが形成された絶縁板１２に凹入部を形成するための貫通孔Ｔと、配線パターンＰＡと下部絶縁層２２の配線パターンＰＢとを電気的に接続するビアホール用の貫通孔とを打ち抜き加工により形成する。そして、ビアホール用の貫通孔に導電性ペーストを充填してビアホールＶを形成する[工程（ｃ）]。
このとき、凹入部用の貫通孔Ｔとビア用の貫通孔とを同時に打ち抜き加工しているので、２種類の貫通孔を形成しているにも拘わらず、１回の工程で両貫通孔を形成することができる。
【００５１】
次に、下部絶縁層２２について説明する。下部絶縁層２２用の半硬化状態の絶縁板１４を準備し[工程（ｄ）]、この絶縁板１４の上面に配線パターンＰＢ用の銅箔を貼着した後、配線パターンに対応する部分を残し、他の不要な銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、絶縁板１４の上面に配線パターンＰＢが形成されることになる[工程（ｅ）]。
【００５２】
以上のように、上（表）面に配線パターンＰＡが形成された絶縁板１２と、上（表）面に配線パターンＰＢが形成された絶縁板１４とを、そのパターンが形成されている面が上側となるように、この順序で重ねあわせ、さらに、その重ね合わせた絶縁板１４の下（裏）面（下層の絶縁板１４における配線パターンが形成されていない面）に金属ベース用である、金属板１６を重ねあわせて[工程（ｆ）]、加圧及び加熱する。
【００５３】
これにより、上下の絶縁板１２、１４が硬化して、上下の絶縁層２１、２２からなる絶縁基板２０が完成し、また、下部絶縁層２２と金属板１６とが接合されて金属ベース基板１５が完成する。当然金属ベース基板１５の完成に合せて貫通孔Ｔのところに凹入部Ｃも形成される[工程（ｇ）]。
なお、上記のようにして製造された金属ベース基板１５の凹入部Ｃ内にＬＥＤベアチップが、公知の技術を用いてフリップチップ実装されて、ＬＥＤ光源が完成する。
【００５４】
なお、本明細書では、半硬化状態の絶縁板を硬化させたものを絶縁層としている。また、絶縁板１２、１４と金属板１６とを貼り合わせて加圧・加熱する際に、上部絶縁層２１用の絶縁板１２に設けた貫通孔Ｔが潰れる場合は、これらを加圧する加圧部に上記の貫通孔Ｔに対応して凸部を設ければ良い。
上記のように、配線パターンＰＡと凹入部用の貫通孔Ｔとが形成された上部絶縁層２１用の絶縁板１２と、配線パターンＰＢが形成された下部絶縁層２２用の絶縁板１４とを積み重ねて、加熱・加圧成形すれば、絶縁基板２０の表面側に凹入部Ｃが容易に形成され、しかも、凹入部Ｃの底に相当する面がちょうど下部絶縁層２２の表面となる。
【００５５】
さらに、図３に示すように、配線パターンＰＢは、下部絶縁層２２の上面の略全域に亘って形成されているが、奇数列部ＢＯｎと偶数列部ＢＥｎは互いに離れている。これにより下部絶縁層２２の表面と上部絶縁層２１の裏面とが、配線パターンＰＢが形成されていない部分で直接結合でき、両者を強固に固着できる。
なお、本実施の形態では、半硬化状態の絶縁板１２、１４を重ねて加熱・加圧しているが、例えば、下部絶縁層２２用の絶縁板１４と金属板１６とを先に加熱・加圧成形し、その後に、上部絶縁層２１用の半硬化状態の絶縁板１２を、上記先に成形した下部絶縁層２２上に重ねて加熱・加圧成形すると、配線パターンＰＢに凸凹が少なくなる。つまり、配線パターンＰＢにおけるＬＥＤベアチップを実装する面の平面度を向上させることができる。このため、この配線パターンＰＢに実装される各ＬＥＤベアチップＬｎｍの実装性が向上すると共にその発光層の向きを一定にすることができる。
【００５６】
４．その他
（１）ＬＥＤベアチップの実装方法について
上記の実施の形態では、ＬＥＤベアチップＬｎｍとして、電極を下（裏）面に有する下面電極型のものを使用したが、他のタイプのＬＥＤベアチップを用いてもよい。このような他のタイプとしては、電極を表裏両面に有する両面電極型、そして電極を上（表）面に有する上面電極型があり、それぞれについて説明する。
【００５７】
Ａ．両面電極型を実装する場合
両面電極型のＬＥＤベアチップが金属ベース基板に実装されてなるＬＥＤ光源について説明する。ここでは、ＬＥＤベアチップの裏面の電極が下部絶縁層の配線パターンに接続され、表面の電極が下部絶縁層（変形例１）又は上部絶縁層（変形例２）の配線パターンに接続される例について説明する。
【００５８】
なお、両面電極型のＬＥＤベアチップとしては、例えば、ＡｌＩｎＧａＰ系のものがある。
（ア）表面の電極を下部絶縁層に接続する例（本例を、「変形例１」とする。）
図７の（ａ）は、両面電極型のＬＥＤベアチップを用い、表面の電極を下部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
【００５９】
金属ベース基板３２は、同図に示すように、金属ベース３３と、金属ベース３３の表側に貼着された絶縁基板３４とを備えている。絶縁基板３４は、上記実施の形態と同様に、上部絶縁層３５と下部絶縁層３６とからなる多層（２層）構造を有し、金属ベース基板３２は、下部絶縁層３６を残して、絶縁基板３４の表面から金属ベース３３側へと凹入する凹入部Ｃ１を備えている。
【００６０】
上部絶縁板３５の表面に、上記実施の形態における配線パターンＰＡに相当する配線パターンが形成されている（図示省略）。また、下部絶縁板３６の表面にも、上記実施の形態における配線パターンＰＢに相当する配線パターンＰ１Ｂ１，Ｐ１Ｂ２が形成されている。なお、凹入部Ｃ１の形状も、上記実施の形態と同様に、平面視円形状をしている。
この配線パターンＰ１Ｂ１，Ｐ１Ｂ２は、その一部が凹入部Ｃ１内で露出し、この露出している部分にＬＥＤベアチップＬ１が接続されている。
【００６１】
ＬＥＤベアチップＬ１と配線パターンＰ１Ｂ１，Ｐ１Ｂ２との電気的接続は、その下面の電極が配線パターンＰ１Ｂ１に導電性のペーストを介してダイボンディングされることにより、また上面の電極が金線等のワイヤー３８を介して配線パターンＰ１Ｂ２にワイヤボンディングされることによりそれぞれ行われる。
ここでは、ＬＥＤベアチップＬ１の上面の電極を下部絶縁層３６上の配線パターンＰ１Ｂ２に接続しているため、凹入部Ｃ１内に露出している配線パターンＰ１Ｂ１とＰ１Ｂ２との間隔Ｌ２が０．２５ｍｍ程度必要となり、凹入部Ｃ１の平面視の穴径Ｄ２は、１．０ｍｍ程度必要となる（図７の（ａ）参照）。
【００６２】
（イ）表面の電極を上部絶縁層に接続する例（本例を、「変形例２」とする。）
図７の（ｂ）は、両面電極型のＬＥＤベアチップを用い、表面の電極を上部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板４２は、同図に示すように、上述の変形例１と略同様の構造を有し、絶縁基板４４の表側に凹入部Ｃ２を備えている。絶縁基板４４は、上記の実施の形態及び変形例１と同様に、上下の絶縁層４５、４６により構成される。
【００６３】
下部絶縁層４６の表面には、上記変形例１の配線パターンＰ１Ｂ１，Ｐ１Ｂ２に相当する配線パターンＰ２Ｂ１，Ｐ２Ｂ２が形成されている。これら配線パターンＰ２Ｂ１，Ｐ２Ｂ２のうち、一方の配線パターン、例えば、配線パターンＰ２Ｂ１の一部が凹入部Ｃ２内に露出している。
一方、上部絶縁層４５の表面には、上記実施の形態における配線パターンＰＡに相当する配線パターン（図示省略）の他、下部絶縁層４６の配線パターンＰ２Ｂ２にビアホールＶ２を介して接続されているパッドＰ２Ｃが形成されている。
【００６４】
両面電極型のＬＥＤベアチップＬ２は絶縁基板４４にダイボンディングされており、その下面の電極が配線パターンＰ２Ｂ１にダイボンド用の銀ペーストを介して接続され、また上面の電極が金線等のワイヤー４８を介してパッドＰ２Ｃにワイヤボンディングされることにより接続されている。
なお、ここでは、ＬＥＤベアチップＬ２の上面の電極を上部絶縁層４５上の配線パターンＰ２Ｃに接続しているため、凹入部Ｃ２の穴径Ｄ３は、０．５ｍｍ程度まで小さくすることができる（図７の（ｂ）参照）。
【００６５】
しかも、ＬＥＤベアチップＬ２を凹入部Ｃ２内の底面にダイボンディングする際に、ダイボンド用の銀ペーストが凹入部Ｃ２から流出することがなく、金属ベース基板４２の表面に銀ペーストが付着するのを防ぐことができる。
また、ＬＥＤベアチップＬ２の上面の電極と、上部絶縁層４５上のパッドＰ２Ｃとをワイヤー４８により接続する場合、ワイヤー４８の曲率を小さくできるので、ワイヤー４８が剥がれたり、折れたりするのを防止でき、また、効率良くボンディングできる。
【００６６】
Ｂ．上面電極型を実装する場合（変形例３、４）
上面電極型のＬＥＤベアチップが金属ベース基板に実装されてなるＬＥＤ光源について説明する。ここでは、ＬＥＤベアチップの表面の電極が下部絶縁層（変形例３）又は上部絶縁層（変形例４）の配線パターンに接続される例について説明する。
なお、上面電極型のＬＥＤベアチップとしては、例えば、ＡｌＩｎＧａＮ系のものがある。
【００６７】
（ア）両電極を下部絶縁層に接続する例（本例を、「変形例３」とする。）
図８の（ａ）は、上面電極型のＬＥＤベアチップを用い、上面の電極を下部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板５２は、同図に示すように、金属ベース５３と、金属ベース５３の表側に貼着された絶縁基板５４とを備えている。この絶縁基板５４は、実施の形態と同様に、上部絶縁層５５と下部絶縁層５６とからなる多層（２層）構造を有し、また、金属ベース基板５２は、下部絶縁層５６を残して、絶縁基板５４の表面から金属ベース５３側へと凹入する凹入部Ｃ３を備えている。
【００６８】
上部絶縁板５５の表面に、上記実施の形態における配線パターンＰＡに相当する配線パターンが形成されている（図示省略）。また、下部絶縁板５６の表面にも、上記実施の形態における配線パターンＰＢに相当する配線パターンＰ３Ｂ１，Ｐ３Ｂ２が形成されている。
この配線パターンＰ３Ｂ１，Ｐ３Ｂ２の一部は、凹入部Ｃ３内まで延伸し、その内部で露出している。そして、この露出している部分にＬＥＤベアチップＬ３の電極が接続されている。
【００６９】
具体的には、ＬＥＤベアチップＬ３は、一方の電極がワイヤー５９を介して配線パターンＰ３Ｂ１に、他方の電極がワイヤー５８を介して配線パターンＰ３Ｂ２にそれぞれ接続されている。
（イ）両電極を上部絶縁層に接続する例(本例を「変形例４」とする。)
図８の（ｂ）は、上面電極型のＬＥＤベアチップを用い、上面の両電極を上部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
【００７０】
金属ベース基板６２は、同図に示すように、上述の変形例３と略同様の構造を有し、絶縁基板６４の表側に凹入部Ｃ４を備えている。絶縁基板６４は、上記の実施の形態と同様に、上下の絶縁層６５、６６により構成される。
下部絶縁層６６の表面には、上記実施の形態における配線パターンＰＢに相当する配線パターンＰ４Ｂ１，Ｐ４Ｂ２が形成されている。なお、これら配線パターンＰ４Ｂ１，Ｐ４Ｂ２は、実施の形態及び上記変形例１〜３と異なり、凹入部Ｃ４内には露出していない。
【００７１】
一方、上部絶縁層６５の表面には、上記実施の形態における配線パターンＰＡに相当する配線パターン（図示省略）の他、下部絶縁層６６の配線パターンＰ４Ｂ１，Ｐ４Ｂ２とビアホールＶ４を介して接続するパッドＰ４Ｃ１，Ｐ４Ｃ２が形成されている。
上面電極型のＬＥＤベアチップＬ４は、その一方の電極がワイヤー６８を介してパッドＰ４Ｃ２に、他方の電極がワイヤー６９を介してパッドＰ４Ｃ１にそれぞれ接続されている。なお、本変形例においては、ＬＥＤベアチップＬ４が上部絶縁層６５にワイヤボンディングされるため、凹入部Ｃ４の穴径は、変形例３における凹入部Ｃ３の穴径よりも小さくできる。これにより上部絶縁層６５における配線パターンの形成可能な面積を広げることができる。
【００７２】
（ウ）その他
上記変形例３及び変形例４では、ＬＥＤベアチップＬ３，Ｌ４は、上部絶縁層又は下部絶縁層に形成された配線パターン又はパッドに接続されているが、例えば、ＬＥＤベアチップの一方の電極を下部絶縁層に、また他方の電極を上部絶縁層にそれぞれ接続してもよい。なお本明細書では、パッドを配線パターンに含まれるとして使用している。
【００７３】
＜第２の実施の形態＞
本実施の形態では、金属ベース基板の絶縁基板に、第１の実施の形態と同様に凹入部が形成されているが、当該凹入部は、絶縁基板を貫通して金属ベースにまで達している点で、第１の実施の形態と異なる。
１．ＬＥＤ光源の構成について
ここで、説明するＬＥＤ光源は、第１の実施の形態と同様に、金属ベース基板と、この金属ベース基板に実装された複数のＬＥＤベアチップとを備え、金属ベース基板の表面側には、凹入部が８行８列のマトリックス状に形成されており、この底にＬＥＤベアチップが実装されている。
【００７４】
なお、本実施の形態で、位置等に関係なく、単なる凹入部を指す場合は、第１の実施の形態における凹入部Ｃｎｍと区別するために、符号「２Ｃｎｍ」を用い、同様に、ＬＥＤベアチップも、第１の実施の形態と区別するために、符号「２Ｌｎｍ」を用いる。
上記の第１の実施の形態で説明した金属ベース基板１５では、凹入部Ｃｎｍが絶縁基板２０の下部絶縁層２２を残して形成されているの対し、本実施の形態における金属ベース基板は、凹入部２Ｃｎｍが絶縁層を残さずに形成されている点で異なる。本実施の形態における凹入部２Ｃｎｍの位置、金属ベース基板の構成等は、第１の実施の形態と同様であるため、これらの説明は省略する。
【００７５】
図９は、第１の実施の形態での図２におけるＡ部に相当する部分の詳細図である。図１０は、図９の２Ｘ−２Ｘ線を含む鉛直面で切断したときの矢印方向からみた断面図である。図１１は、図９に示す部分における下部絶縁層を示している。
なお、Ａ部は、凹入部２Ｃｎｍのうち、ｎが７と８、ｍが３〜５までの計６個が含まれる範囲であり、他の範囲における凹入部２Ｃｎｍ、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍ等の構造及び実装状態もＡ部と同じである。
【００７６】
それでは、本実施の形態を図９〜１１に基づいて以下に説明する。
金属ベース基板２１５は、図９〜図１１に示すように、上部絶縁層２２１と下部絶縁層２２２とからなる絶縁基板２２０と、金属ベース２２４とからなり、表面から金属ベース２２４側に凹入する凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５が形成されている。
凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５は、図１０に示すように、絶縁基板２２０を貫通しており、凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５の底がちょうど金属ベース２２４の絶縁基板２２０側の面となっている。
【００７７】
凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５は、図９〜図１１に示すように、上部絶縁層２２１に設けられた上部開口２Ｃ７３ａ〜２Ｃ７５ａ、２Ｃ８３ａ〜２Ｃ８５ａと、下部絶縁層２２２に設けられた下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂとからなる。
絶縁基板２２０には、第１の実施の形態における絶縁基板２０と同様に、各絶縁層２２１、２２２の表側の面に配線パターン２ＰＡ、２ＰＢが形成されている。なお、配線パターン２ＰＢが本発明の第３の配線パターンに相当し、配線パターン２ＰＡが第４の配線パターンに相当する。
【００７８】
下部絶縁層２２２は、第１の実施の形態の配線パターンＰＢと同様な、配線パターン２ＰＢを備えるが、ＬＥＤベアチップ２Ｌ７３〜２Ｌ７５、２Ｌ８３〜２Ｌ８５を実装する部分に下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂが設けられている点で、第１の実施の形態における下部絶縁層２２と異なる。
上部開口２Ｃ７３ａ〜２Ｃ７５ａ、２Ｃ８３ａ〜２Ｃ８５ａの穴径は、図９〜図１１に示すように、下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂの穴径よりも大となっている。
【００７９】
また、図９に示すように、下部絶縁層２２２上に形成された奇数列部２ＢＯ７、２ＢＯ８と偶数列部２ＢＥ７、２ＢＥ８とが、下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂ近傍まで形成されており、配線パターン２ＰＢにおける下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂ近傍部分が、凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５内に露出している。
【００８０】
ＬＥＤベアチップ２Ｌ７３〜２Ｌ７５、２Ｌ８３〜２Ｌ８５は、図９〜図１１に示すように、凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５の底、つまり、凹入部内の金属ベース２２４の表側の面に実装される。
このＬＥＤベアチップ２Ｌ７３〜２Ｌ７５、２Ｌ８３〜２Ｌ８５は、上面に両電極を有する上面電極型であって、下（裏）面が凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５の底に相当する金属ベース２２４の表面にダイボンディングされ、また、ＬＥＤベアチップ２Ｌ７３〜２Ｌ７５、２Ｌ８３〜２Ｌ８５の表面の電極が、ワイヤー２１８，２１９を介して配線パターン２ＰＢ（奇数列部２ＢＯ７、２ＢＯ８と偶数列部２ＢＥ７、２ＢＥ８）にワイヤボンディングされている。
【００８１】
なお、上面に両電極を有する上面電極型のＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍとしては、例えば、変形例３及び変形例４で説明したような、ＡｌＩｎＧａＮ系のものがある。
上記のＬＥＤ光源に用いている金属ベース基板２１５は、裏側に金属ベース２２４を備えると共に、絶縁基板２２０を厚さ方向に貫通する凹入部２Ｃｎｍを表側に備えている。そして、この凹入部２Ｃｎｍの底面に相当する金属ベース２２４にＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍが直接実装されている。
【００８２】
このため、２層の絶縁層２２１、２２２からなる絶縁基板２２０を用いた金属ベース基板２１５を使用しているにも拘わらず、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍが発光時に発生する熱は、直接金属ベース２２４へと伝わって、金属ベース２２４から放熱される。
したがって、本第２の実施の形態では、放熱経路において放熱特性を著しく低下させる絶縁層を経由しないため、第１の実施の形態を超える放熱効果を得ることができる。
【００８３】
２．ＬＥＤ光源の具体的構成について
上記のＬＥＤ光源１０について具体例について説明する。
各ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍは、３００μｍ角、高さ１００μｍである。
凹入部２Ｃｎｍの形状は、図９に示すように、略円形状であって、上部開口２Ｃｎｍａの穴径Ｄ４が１．０ｍｍであり、下部開口２Ｃｎｍｂの穴径Ｄ５が０．５ｍｍである（図１０参照）。
【００８４】
下部開口２Ｃｎｍｂの寸法は、使用しているＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍの一辺の長さが３００μｍであることから、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍの実装に最低でも穴径で０．４４ｍｍは必要となる。
しかしながら、穴径Ｄ５があまり大きくなると、隣接するＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍの実装間隔が大きくなり、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍを高密度実装できなくなる。
【００８５】
なお、下部絶縁層２２２及び上部絶縁層２２１の厚み、絶縁基板２２０の材料、金属ベース２２４の材料及び厚さについては、第１の実施の形態と同様である。
３．金属ベース基板の製造方法について
本実施の形態における金属ベース基板２１５は、第１の実施の形態で説明した製造方法を用いて製造できる。
【００８６】
つまり、第１の実施の形態では、上部絶縁層にのみ貫通孔が形成されていたが、本実施の形態では、上部貫通孔の穴径よりも小さい貫通孔を下部絶縁層用の絶縁板に形成し、これらを上部絶縁層用の絶縁板と、下部絶縁層用の絶縁板と、金属ベース用の金属板とを重ねて、加熱・加圧して一体化すればよい。
４．その他
（１）実装方法について
上記の第２の実施の形態では、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍの電極がワイヤボンディングにより下部絶縁層２２２の配線パターン２ＰＢ（２ＢＥｎ、２ＢＯｎ）に接続されている（図９〜図１１参照）が、他の絶縁層に電極を接続しても良い。
【００８７】
図１２は、表面の両電極を上部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。なお、表面の両電極を上部絶縁層に接続する本例を、変形例５とする。
金属ベース基板２５２は、同図に示すように、第２の実施の形態と略同様の構造を有し、絶縁基板２５４を貫通する凹入部２Ｃ１を備えている。なお、絶縁基板２５４は、上記の実施の形態と同様に、上下の絶縁層２５５，２５６により構成される。
【００８８】
下部絶縁層２５６の表面には、上記第２の実施の形態における配線パターン２ＰＢに相当する配線パターン２ＰＢ１，２ＰＢ２が形成されている。なお、これら配線パターン２ＰＢ１，２ＰＢ２は凹入部２Ｃ１内には露出していない。
一方、上部絶縁層２５５の表面には、上記第２の実施の形態における配線パターン２ＰＡに相当する配線パターン（図示省略）の他、下部絶縁層２５６の配線パターン２ＰＢ１、２ＰＢ２とビアホール２Ｖ１を介して接続するパッド２ＰＣ１，２ＰＣ２が形成されている。
【００８９】
上面電極型のＬＥＤベアチップ２Ｌ１は、その一方の電極がワイヤー２３９を介してパッド２ＰＣ１に、他方の電極がワイヤー２３８を介してパッド２ＰＣ２にそれぞれ接続されている。
＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態は、金属ベース基板の絶縁基板に表面に発光体を実装し、前記絶縁基板は、前記発光体と金属ベースとの間に伝熱部材を設けている。
【００９０】
１．ＬＥＤ光源の構成について
図１３は本実施の形態における金属ベース基板の平面図である。
金属ベース基板３１０は、第１及び第２の実施の形態と同様に、無機フィラー入りの熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁層（本実施の形態では２層）の表面に銅（Ｃｕ）製の配線パターンが形成された絶縁基板３２０（図１６参照）と、当該絶縁基板３２０の下層側の絶縁層に取着された金属ベース３２４（図１６参照）とからなる。
【００９１】
なお、後述の図１６に示すように、絶縁基板３２０を構成する２層の絶縁層の内、表面（上）側の層を上部絶縁層３２１、裏面（下）側の層を下部絶縁層３２２とそれぞれいう。図１３では、金属ベース基板３１０の表層にある上部絶縁層３２１のみが現れている。
金属ベース基板３１０には、第１及び第２の実施の形態と同様に、６４個のＬＥＤベアチップが８行８列のマトリックス状に整然と実装される。各ＬＥＤベアチップの実装位置を符号３Ｄｎｍ（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）で示す。
【００９２】
図１４は、上部絶縁層を取り除いた状態を平面視した下部絶縁層の平面図である。
図１３及び図１４に示す上部絶縁層３２１及び下部絶縁層３２２に設けられた配線パターン３ＰＡ，３ＰＢは、主に、各行における奇数列目のＬＥＤベアチップと、偶数列目のＬＥＤベアチップとをそれぞれを直列に接続する目的で形成されている。なお、配線パターン３ＰＡ、３ＰＢの順序は、４行目と５行目の間で、その順序が逆となっている。
【００９３】
このため、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡは、図１３に示すように、各行に対応して、偶数列の４個のＬＥＤベアチップ（例えば、１行目では、３Ｄ１２、３Ｄ１４、３Ｄ１６、３Ｄ１８の４箇所に実装されるＬＥＤベアチップ）のみを直列に接続するために行（横）方向に形成された偶数列部３ＡＥｎと、奇数列の４個のＬＥＤベアチップ（例えば、１行目では、３Ｄ１１、３Ｄ１３、３Ｄ１５、３Ｄ１７の４箇所に実装されるＬＥＤベアチップ）のみを直列に接続するために行（横）方向に形成された奇数列部３ＡＯｎと、各行のＬＥＤベアチップに給電するための給電端子部３ＡＳとを備えている（ｎは行数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）。
【００９４】
各行の奇数列部３ＡＯｎ及び偶数列部３ＡＥｎは、互い対向する側が列方向に凹凸する波形状をしており、一方の凹に他方の凸が入るように組み合わさって、ＬＥＤベアチップを略行方向に１列に実装するようになっている。なお、給電端子部３ＡＳは、所定の行のＬＥＤベアチップに給電できるように形成されている。
一方、下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢでは、図１４に示すように、上部絶縁層３２１の各行の奇数列部３ＡＯｎと偶数列部３ＡＥｎとに対応して、横方向に延伸する、奇数列部３ＢＯｎと３偶数列部３ＢＥｎがそれぞれ形成されている（ｎは行数を示し、１〜８の整数である。）。この奇数列部３ＢＯｎ及び偶数列部３ＢＥｎも、上記の奇数列部３ＡＯｎと偶数列部３ＡＥｎと同様に、互いに対向する側が列方向に凹凸する波形状をしており、一方の凹に他方の凸が入るように組み合わさっている。
【００９５】
次に、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡと下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢとの接続関係について説明する。ここでは、１行目を例として、図１３及び図１４を用いて具体的に説明する。
なお、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡの１行目の偶数列部３ＡＥ１に接続する給電端子部３ＡＳ１及び８行目の奇数列部３ＡＯ８に接続する給電端子部３ＡＳ２がそれぞれ高電位となっている。
【００９６】
まず、上部絶縁層３２１の偶数列部３ＡＥ１と奇数列部３ＡＯ１とは、偶数列部３ＡＥ１の低電位側３Ｐ１が下部絶縁層３２２の偶数列部３ＢＥ１の左側端部３Ｐ１に接続され、この偶数列部３ＢＥ１の右寄り部３Ｐ２が上部絶縁層３２１の奇数列部３ＡＯ１の高電位側３Ｐ２に接続されることで直列に接続される。
また、１行目の奇数列部３ＡＯ１と、次の行である２行目の奇数列部３ＡＯ２とは、奇数列部３ＡＯ１の低電位側３Ｐ３が下部絶縁層３２２の奇数列部３ＢＯ１の左側端部３Ｐ３に接続され、この奇数列部３ＢＯ１の右端寄り部３Ｐ４が上部絶縁層３２１の奇数列部３ＡＯ２の高電位側３Ｐ４に接続されることで直列に接続される。
【００９７】
このようにして、上部絶縁層３２１における、１行目から４行目までが直列に接続され、４行目の偶数列部３ＡＥ４の低電位側が、下部絶縁層３２２の偶数列部３ＢＥ４を介して給電端子部３ＡＳ３に接続される。なお、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡと、下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢとの接続は、例えばビアホールを介してなされている。
【００９８】
従って、１行目から４行目のＬＥＤベアチップを発光させる場合には、１行目の偶数列部３ＡＥ１の高電位側の給電端子部３ＡＳ１と低電位側の給電端子部３ＡＳ３とに印加すればよいことになる。なお、５行目から８行目も同様に、偶数列部３ＡＥ８の高電位側の給電端子部３ＡＳ２と低電位側の給電端子部３ＡＳ４とに印加すれば、５行目から８行目に実装されているＬＥＤベアチップを発光させることができる。
【００９９】
図１５は、図１３におけるＢ部の詳細図で、下部絶縁層３２２を見せるために、上部絶縁層３２１の一部を取り除いている。図１６は、図１５の３Ｘ−３Ｘ線を含む鉛直面で切断して矢印方向から見たときの断面図である。
ここで、各ＬＥＤベアチップの実装位置３Ｄ１１〜３Ｄ８８に実装されているＬＥＤベアチップの符号を「３Ｌｎｍ」とし（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）、第１及び第２の実施の形態におけるＬＥＤベアチップと区別する。
【０１００】
下部絶縁層３２２には、図１５及び図１６に示すように、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡに実装されているＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装位置３Ｄ１１〜３Ｄ８８の裏側（つまり下部絶縁層３２２の表側の面）に、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発光時に発生する熱を、その裏側（下方）の金属ベース３２４へと伝えるための伝熱部材３Ａｎｍ（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）が設けられている。この伝熱部材３Ａｎｍは、下部絶縁層３２２上に形成されている配線パターン３ＰＢの一部により構成されている。
【０１０１】
上記構成によれば、下部絶縁層３２２の表側の面にＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装位置３Ｄｎｍに対応して伝熱部材３Ａｎｍ(配線パターン３ＰＢ)が配されているので、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発光時に発生する熱が、伝熱部材３Ａｎｍを介して金属ベース３２４に伝わって放出される。これにより、絶縁基板を多数の絶縁層からなる多層構造にしても、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発生した熱が伝熱部材３Ａｎｍを介して金属ベース３２４から放熱されるので、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発光効率が低下したり、短寿命になったりするのを防止することができる。
【０１０２】
さらに、金属ベース基板３１０は、上部絶縁層３２１と下部絶縁層３２２とから成る多層構造を有しているので、例えば、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍを高密度実装する際に、パターンルール上の制限から上部絶縁層３２１の広さでは配線パターンが全て形成できないような場合でも、下部絶縁層３２２に配線パターン３ＰＢを形成することができる。
この場合、表面のＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍと金属ベース３２４とが厚み方向に離れることになるが、上述のように、両者の間に位置する下部絶縁層３２２には伝熱部材３Ａｎｍが形成されているので、発光時に生じる熱は、その伝熱部材３Ａｎｍを通って金属ベース３２４に伝わり、金属ベース３２４から放熱される。
【０１０３】
２．ＬＥＤ光源の具体的構成について
上記の金属ベース基板３１０について具体例について説明する。
絶縁基板３２０を構成する上部絶縁層３２１及び下部絶縁層３２２の厚みは、略０．１ｍｍである。上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡの厚みは、部分的に狭ギャップのパターンを必要とするため約９μｍとしている。これに対し、下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢの厚みは、一般的な３５μｍの銅箔を用いており、下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢの方が配線パターン３ＰＡよりも厚くなっている。
【０１０４】
このように下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢが、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡよりも厚くなっているので、より多くの熱を金属ベース３２４へと伝えることができる。
ここで、伝熱部材３Ａｎｍの厚みは、上下の絶縁層３２１、３２２の厚みに対して１／４以上が好ましい。これは、伝熱部材３Ａｎｍの厚みが１／４未満だと金属ベース３２４に伝える熱量が少なく、放熱効果が小さいからである。
【０１０５】
なお、金属ベース３２４及びＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍも、第１の実施の形態で説明したものと同じであり、また、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装位置等についても、第１の実施の形態と同様である。
３．金属ベース基板の製造方法について
図１７は、金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
【０１０６】
この図１７を参照しながら、金属ベース基板３１５の製造方法について簡単に説明する。
まず、上部絶縁層３２１について説明する。上部絶縁層３２１用の半硬化状態の絶縁板３１２の所定位置にビア用の貫通孔を打ち抜き加工等により形成し、この貫通孔に導電性ペーストを充填する。これにより、所定位置にビアを有する絶縁板３１２が得られる。
【０１０７】
次に、この絶縁板３１２の両面に配線パターン３ＰＡ、３ＰＢ用の銅箔を貼着し[工程（ｂ）]、上面では銅箔における配線パターン３ＰＡに対応する部分を残し、また下面では配線パターン３ＰＢに対応する部分を残し、それぞれ不要な銅箔部分を、エッチングにより除去する。
これにより、絶縁板３１２の上面に上部絶縁層３２１に対応した配線パターン３ＰＡが、また下面に下部絶縁層３２２に対応した配線パターン３ＰＢがそれぞれ形成されることになる[工程（ｃ）]。
【０１０８】
次に、下部絶縁層３２２用の半硬化状態の絶縁板３１４を準備し[工程（ｄ）]、上記の絶縁板３１２、用意した絶縁板３１４及び金属ベース３２４用の金属板３１６とを、絶縁板３１２が表側となるようにその順序で重ねあわせて[工程（ｅ）]、加圧及び加熱する。これにより、上下の絶縁板３１２，３１４が接合されると共に下側の絶縁板３１４と金属板３１６とが接合されて、上下の絶縁層３２１、３２２と金属ベース３２４との３層からなる金属ベース基板３１５が完成する[工程（ｆ）]。
【０１０９】
なお、上記のようにして製造された金属ベース基板３１０の実装位置３ＤｎｍにＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍがフリップチップ実装されると、ＬＥＤ光源が完成する。また、本実施の形態においても、絶縁板３１２，３１４を重ねて硬化して層構造になったものを、上部絶縁層３２１、下部絶縁層３２２としている。
上記のように配線パターン３ＰＡ、３ＰＢをエッチングにより形成しているので、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装位置３Ｄｎｍに対応して伝熱部材３Ａｎｍを設ける際にも、配線パターン３ＰＢのパターン形成時に、伝熱部材も含めて行えば良く伝熱部材３Ａｎｍを容易に形成できる。
【０１１０】
また、表面に配線パターン３ＰＡ，３ＰＢが形成された半硬化状態の絶縁板３１２及び絶縁板３１４を重ねて加熱・加圧しているので、硬化後において、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡの表面と、上部絶縁層３２１の表面であって配線パターン３ＰＡが形成されていない部分とが略同じ高さにできる。
つまり、絶縁板３１２として、無機フィラーと樹脂材料とから構成されるコンポジット材料を用いているために加熱時に軟化し、配線パターン３ＰＡが略埋設されるために、加熱後の上部絶縁層３２１の表面を略面一状にできる。
【０１１１】
このため、絶縁基板の表面の凹凸が略無くなり、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装がより容易になり、また各ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発光層の向きを一定にした状態でそれを実装することが容易にできる。
さらに、図１４に示すように、配線パターン３ＰＢは、下部絶縁層３２２の表面の全体に亘って形成されているが、奇数列部３ＢＯｎと偶数列部３ＢＥｎは互いに離れている。これにより下部絶縁層３２２の上面（配線パターン側）と上部絶縁層３２１の下面（ＬＥＤベアチップ実装面と反対側）とが、配線パターン３ＰＢが形成されていない部分で直接結合できる。従って、放熱性能を上げるために配線パターン３ＰＢの面積を広くしても、上下の絶縁層３２１，３２２を強固に結合することができる。
【０１１２】
＜第４の実施の形態＞
第３の実施の形態における下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢは、伝熱部材３Ａｎｍを含むように形成されている。これに対して本第４の実施の形態では、配線パターンとは別に伝熱部材を設けたものである。なお、第４の実施の形態では、各部材部品等の符号に第３の実施の形態で用いた３００番台を４００番台に、また英字の前に付していた「３」を「４」に変更したものを使用する。
【０１１３】
図１８は、第４の実施の形態における金属ベース基板の平面視の拡大図であって、下部絶縁層を見せるために、上部絶縁層の一部を取り除いている。以下、同図を用いて説明する。
ＬＥＤベアチップ４Ｌ７４〜４Ｌ７６、４Ｌ８４〜４Ｌ８６は、第３の実施の形態と同様に、上部絶縁層４２１に形成された配線パターン４ＰＡ（７行目及び８行目の４ＡＥ７、４ＡＥ８、４ＡＯ７、４ＡＯ８）にフリップチップ実装されている。なお、図１８に示すＬＥＤベアチップ４Ｌ７４〜４Ｌ７６、４Ｌ８４〜４Ｌ８６以外のＬＥＤベアチップも、同様に金属ベース基板４１５の表面に実装されているが、図面の便宜上拡大図で説明する。
【０１１４】
下部絶縁層４２２には、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍ用の配線パターン４ＰＢ（７行目及び８行目の４ＢＥ７、４ＢＥ８、４ＢＯ７、４ＢＯ８）が形成されている。さらに、下部絶縁層４２２には、上部絶縁層４２１のＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍ（４Ｌ７４〜４Ｌ７６、４Ｌ８４〜４Ｌ８６）の実装位置に対応して、円形状の伝熱部材４Ａ７４〜４Ａ７６、４Ａ８４〜４Ａ８６）が形成されている。
【０１１５】
この伝熱部材４Ａｎｍは、第３の実施の形態と同様に、上部絶縁層４２１に実装されたＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍの発光時に発生した熱を金属ベースへと伝えるためのものである。従って、熱を伝えるために伝熱部材４Ａｎｍは、上部絶縁層４２１及び下部絶縁層４２２を構成する材料よりも熱伝導率が大きい材料が用いられている。具体的には、上部・下部絶縁層４２１、４２２は、上記第３の実施の形態で説明したコンポジット材料（主成分は樹脂材料）を用い、伝熱部材４Ａｎｍは、配線パターン４ＰＡ、４ＰＢの材料と同じ銅が用いられている。
【０１１６】
伝熱部材４Ａｎｍは、第３の実施の形態と同様に、下部絶縁層４２２上の配線パターン４ＰＢと同時に形成される。つまり、第３の実施の形態とは、伝熱部材が配線パターンに含まれているか否かの違いだけである。ここで、配線パターン４ＰＢは、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍの発光時に、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍに電流を給電するためのものであり、ここでの伝熱部材４Ａｎｍとは機能上異なる。
【０１１７】
本実施の形態における金属ベース基板も、第３の実施の形態と同様に、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍに対応して伝熱部材４Ａｎｍを有しているので、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍの発光時の熱を伝熱部材４Ａｎｍから金属ベースへと伝えることができる。
また、伝熱部材４Ａｎｍが、配線パターン４ＰＢと離れて独立して設けられているため、上部絶縁層４２１と下部絶縁層４２２とが直接接合する面積が、第３の実施の形態よりも広くなり、第３の実施の形態に比べて、上部・下部絶縁層４２２、４２１との接合力を高めることができる。
【０１１８】
なお、第３の実施の形態及び本実施の形態で説明した伝熱部材３Ａｎｍ、４Ａｎｍは、平面視円形状をしているが、多角形状、楕円形状等の他の形状であっても良い。伝熱部材３Ａｎｍ、４Ａｎｍの平面視の大きさは、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍ、４Ｌｎｍの平面視の大きさよりも大きい方が好ましく、第３及び第４の実施の形態では、伝熱部材３Ａｎｍ、４Ａｎｍの直径が５００μｍであった。
【０１１９】
さらに、第４の実施の形態では、１個のＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍに対応して、１個の伝熱部材４Ａｎｍが設けられているが、例えば、２個のＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍに対応して１個の伝熱部材が設けられても良い。さらに、伝熱部材は、複数（例えば、奇数列部の４個又は偶数列部の４個）のＬＥＤベアチップに対応するように、左右方向に帯状に設けても良い。
【０１２０】
４．その他
（１）絶縁基板について
上記の第４の各実施の形態では、上部絶縁層４２１と下部絶縁層４２１の２層から構成された絶縁基板４２０を用いているが、絶縁基板の層数は２層に限定するものではない。
Ａ．絶縁基板が単層の場合（変形例６）
図１９は、コンポジット材料を１層用いた場合のＬＥＤ光源の縦断面図を示す。
【０１２１】
金属ベース基板４３２は、同図に示すように、単層構造の絶縁基板４３４と、この絶縁基板４３４の裏面に取着された金属ベース４３３とからなる。ＬＥＤベアチップ４Ｌ１は、絶縁基板４３４の表面の配線パターン４Ｐ１１、４Ｐ１２にフリップチップ実装されている。
なお、コンポジット材料からなる絶縁層を１層有する金属ベース基板を用いた本例を変形例６とする。
【０１２２】
一方、絶縁基板４３４の裏面には、ＬＥＤベアチップ４Ｌ１の実装位置に対応した位置に伝熱部材４Ａ１が形成されている。なお、ここでの例では、絶縁基板の裏面に配線パターンを形成していないが、例えば裏面に配線パターンを形成する場合には、金属ベースとの間に絶縁層を設けたり、金属ベースに絶縁処理、例えば、アルマイト処理を施したりする必要がある。
【０１２３】
本構成によれば、絶縁基板４３４が単層であるので放熱特性にも優れるが、伝熱部材４Ａ１を裏面に備えているので、さらに放熱特性を向上させることができる。
なお、伝熱部材４Ａ１は、絶縁基板４３４の裏面に形成されているが、例えば、絶縁基板４３４にコンポジット材料を用いることで、図１９に示すように、伝熱部材４Ａ１と、絶縁基板４３４の裏面であって伝熱部材４Ａ１のない部分との高さが略一致すように、伝熱部材４Ａ１を形成することもできる。
【０１２４】
このように伝熱部材４Ａ１を絶縁基板４３４の裏面に埋設すると、伝熱部材４Ａ１は、表面のＬＥＤベアチップ４Ｌ１とも近くなり、さらに伝熱部材４Ａ１と金属ベース４３３とが接触することになり、さらに放熱特性を向上させることができる。
Ｂ．絶縁基板が３層以上の場合
本発明は、上記の第３及び第４の実施の形態や変形例６で説明したような２層構造の絶縁基板、或いは単層構造の絶縁基板を用いた金属ベース基板に限定するものではない。例えば、ＬＥＤベアチップが、その発光色が赤、青、緑の３種類からなり、各色の配線パターンを層ごとに形成する場合に、３層構造の絶縁基板、或いは４層構造の絶縁基板を用いることがある。このような場合にも、表層に実装されるＬＥＤベアチップに対応して各層、或いは、１層、複数層おきに伝熱部材を設けても良い。
【０１２５】
当然、放熱作用を考慮すると、各層に伝熱部材を形成するのが最も好ましいが、たとえ、複数層の内の１層でも伝熱部材を設けることで、全く伝熱部材を設けていない場合に比べて、放熱特性を改善させることができる。
（２）ＬＥＤベアチップについて
上記第４の実施の形態及び変形例６では、ＬＥＤベアチップに、両電極を下面に備える下面電極型を用いたが、他のタイプのＬＥＤベアチップを用いても良い。他のタイプとしては、第１の実施の形態の「４．その他」の欄で説明したように、両面電極型、上面電極型がある。以下、それぞれのＬＥＤベアチップを実装する場合について説明する。
【０１２６】
Ａ．両面電極型を実装する場合（変形例７）
図２０の（ａ）は、両面電極型のＬＥＤベアチップを用い、絶縁基板の表面に実装する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板４４２は、同図に示すように、金属ベース４４３と、金属ベース４４３の表側に貼着された絶縁基板４４４とを備えている。絶縁基板４４４は、上記変形例６と同様に、１層構造を有している。
【０１２７】
絶縁基板４４４の表面には、上記変形例６における配線パターン４Ｐ１１，４Ｐ１２に相当する配線パターン４Ｐ２１，４Ｐ２２が形成され、また、裏面には、ＬＥＤベアチップ４Ｌ２の実装位置の裏側に相当する位置に伝熱部材４Ａ２が形成されている。
ＬＥＤベアチップ４Ｌ２は、上述にように、両面電極型であり、裏面が配線パターン４Ｐ２２に、例えば、ＬＥＤベアチップ４Ｌ２のダイボンド用の銀ペーストにより接続され、表面の電極がワイヤー４４８にて配線パターン４Ｐ２１に接続されている。
【０１２８】
このようにＬＥＤベアチップ４Ｌ２に両面電極型のものを用いることができる。この場合においても、ＬＥＤベアチップ４Ｌ２の裏側に伝熱部材４Ａ２が形成されているので、ＬＥＤベアチップ４Ｌ２の発光時に発生する熱は、伝熱部材４Ａ２、金属ベース４４３から放出されることになる。
Ｂ．上面電極型を実装する場合（変形例８）
図２０の（ｂ）は、上面電極型のＬＥＤベアチップを用い、絶縁基板の表面に実装する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
【０１２９】
金属ベース基板４５２は、上記変形例７と同様に、金属ベース４５３と１層構造の絶縁基板４５４とを備え、絶縁基板４５４の表面には配線パターン４Ｐ３１、４Ｐ３２が、裏面には伝熱部材４Ａ３がそれぞれ形成されている。
ＬＥＤベアチップ４Ｌ３は、上述のように、上面電極型であり、一方の電極がワイヤー４５９を介して配線パターン４Ｐ３１に、また他方の電極がワイヤー４５８を介して配線パターン４Ｐ３２にそれぞれ接続されている。
【０１３０】
Ｃ．その他
上記の変形例７及び変形例８は変形例６を基にしているが、ＬＥＤベアチップとして、両面電極型、上面電極型であっても、第３の実施の形態及び第４の実施の形態に適用できるのは、言うまでもない。但し、これらのＬＥＤベアチップを用いる場合には、変形例７及び変形例８に示すようにワイヤボンディング等を用いる必要がある。
【０１３１】
＜他の変形例＞
以上、本発明にかかる発光体用金属ベース基板及びこの基板を用いたＬＥＤ光源について第１〜第４の実施の形態及び変形例１〜８に基づいて説明したが、本発明の内容が、上記の各実施の形態、さらには各変形例に示された具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例をさらに実施することができる。
【０１３２】
１．第１及び第２の実施の形態における凹入部について
上記の第１及び第２の実施の形態、さらには、変形例１〜変形例５では、凹入部を平面視円形状に形成しているが、他の形状、例えば、四角形、三角形等の多角形、楕円形状でも良い。さらに、凹入部を溝状（連続状）に形成し、この中に、複数のＬＥＤベアチップを実装するようにしても良い。
【０１３３】
また、上記の第１の実施の形態及び変形例１〜変形例４における凹入部は、金属ベースが取着している絶縁層を一層残してその表面側の絶縁層を貫通して、絶縁層１層分の厚さ分が凹入するよう設けられているが、このように絶縁層１層だけを残す構成に限定するものではない。例えば、絶縁基板が３層以上絶縁層を有する多層構造であれば、金属ベース側の絶縁層を層単位、例えば２層残して凹入部を形成しても良い。但し、残す絶縁層を１層にするのが一番放熱特性に優れる。
【０１３４】
或いは、絶縁基板の層数が、３層以上ある場合は、例えば、凹入部を段差状に形成しても良い。具体的は、表層の絶縁層に形成されている貫通孔の大きさが、中間層の絶縁層に形成されている貫通孔より大きくしてもよい。さらにその場合は、表層、中間層のそれぞれを貫通する孔の形状を異なるようにしても良い。このような構成にすれば、例えば、ＬＥＤベアチップの上面の電極を中間層の配線パターンにワイヤボンディングできたり、或いは表層の配線パターンにワイヤボンディングできたり、配線パターンの自由度が広がる。
【０１３５】
さらに、凹入部は、金属ベースが貼着する絶縁層も凹入するように形成されていても良い。この場合は、例えば、絶縁基板が２層構造であるとき、凹入部を段差状に形成して、金属ベース側の絶縁層の表面が露出するようにすれば、金属ベース側の絶縁層の表面に形成されている配線パターンに発光素子を接続することができる。
２．伝熱部材について
上記の第３及び第４の実施の形態では、伝熱部材に銅が用いられていたが、絶縁基板を構成する材料の熱伝導率よりも高い材料であれば、ＬＥＤベアチップが発光したときの熱を、伝熱部材を備えていないものに対して、効率良く金属ベースへと伝えることができる。但し、実際の使用における熱伝導性を考慮すると、伝熱部材に金属材料を用いる方が好ましい。このような材料には、例えば、アルミニウム、金、銀等がある
３．ＬＥＤ光源について
（ａ）他のＬＥＤ光源の例１（変形例９、１０）について
上記の各実施の形態及ぶ各変形例におけるＬＥＤ光源は、金属ベース基板とＬＥＤベアチップとを備える構造をしているが、本発明の発光光源は、この構成に限定するものではなく、例えば、ＬＥＤベアチップを覆うように各種のレンズ、反射板等を装着しても良く、以下、これらを装着したＬＥＤ光源について説明する。
【０１３６】
なお、ここで説明する例は、第１の実施の形態における金属ベース基板１５にＬＥＤベアチップＬｎｍを実装したものに、レンズ、反射板等を取着したものを利用するため、第１の実施の形態と同様な構成の部材等については同じ符号を用いることにする。
図２１は、レンズ板及び反射板を備えるＬＥＤ光源を示す斜視図である。図２２は、ＬＥＤベアチップの実装位置周辺を拡大した断面図である。なお、図２１及び図２２に示すＬＥＤ光源の例を変形例９とする。
【０１３７】
変形例９におけるＬＥＤ光源３０は、図２１及び図２２に示すように、ＬＥＤベアチップＬｎｍが実装されている金属ベース基板１５（上記第１の実施の形態での金属ベース基板と同じ構成）と、この金属ベース基板１５の表面に取着された反射板２６と、この反射板２６の表面に取着されたレンズ板２５とを備える。
反射板２６は、図２２に示すように、各ＬＥＤベアチップＬｎｍ（ここでは、Ｌ７３、Ｌ７４、Ｌ７５）に対応する位置に貫通孔２８が形成されている。つまり、８行８列のマトリックス状に貫通孔２８を６４個備えている。この貫通孔２８は、上部絶縁層２１側の径が小さいコーン状に形成されていると共に、上部絶縁層２１側における周縁が、金属ベース基板１５の凹入部Ｃｎｍの表（図２２における上）側における周縁と略一致するようになっている。
【０１３８】
この反射板２６には、例えば、アルミニウムの金属板が使用されており、上部絶縁層２１上の配線パターン（ＰＡ）との絶縁性を確保するために、アルマイト処理が施されている。なお、各貫通孔２８におけるコーン状に傾斜する部分は、ＬＥＤベアチップＬｎｍから発せられた光を反射させるために、鏡面状に仕上げられていたり、白色の反射膜等が塗布されたりしている。なお、反射板２６の貫通孔２８内には、内部のＬＥＤベアチップＬｎｍを封入する樹脂体２９が充填されている。
【０１３９】
レンズ板２５は、図２２にも示すように、反射板２６に重ねられ、反射板２６の貫通孔２８に対応する位置に、ＬＥＤベアチップＬｎｍと反対側（上側）に半球状に突出してなるレンズ部２７を備えている。ここではレンズ板２５は、例えば、透過性を有するエポキシ樹脂からなる。
ＬＥＤベアチップＬｎｍは、上記実施の形態と同様に、ＡｌＩｎＧａＮを用いている。このため、例えば、レンズ部２７、またはＬＥＤベアチップＬｎｍを封入する樹脂体２９に、蛍光体を設ける（樹脂体に蛍光体を混入することで設けることができる）と、ＬＥＤベアチップＬｎｍから発せられた光によって蛍光体を励起させて可視光を得ることができる。例えば、蛍光体に、ＹＡＧ系のものを用いると、青色光を白色光に変換できる。
【０１４０】
なお、本変形例９では、レンズ板２５は、平板形状をしており、ＬＥＤベアチップＬｎｍの実装位置に対応する位置にレンズ部２７が形成されたものであるが、各ＬＥＤベアチップＬｎｍの実装位置にレンズ部が形成されていれば、平板状でなくても良い。つまり、図２２では、各レンズ部２７は、板状部２５ａにより隣合うレンズ部２７同士が繋がっているが、図２３に示すように、反射板２６の各貫通孔２８に対応して独立したレンズ部２７Ａを設けても良い。なお、図２３に示すＬＥＤ光源の例を、「変形例１０」とする。
【０１４１】
この場合、変形例９で説明した、ＬＥＤベアチップＬｎｍを封入する樹脂体２９の代わりに、レンズ部２７ａを構成する樹脂を用いて反射板２６の貫通孔２８内に充填しても良い。なお、変形例９のように、反射板２６の貫通孔２８内に、ＬＥＤベアチップＬｎｍを封入する樹脂体２９が充填し、そのあと、レンズ用の樹脂（上記例では、エポキシ樹脂。）でレンズ部２７Ａを形成しても良いのは言うまでもない。このようにしても、ＬＥＤベアチップＬｎｍから発せられた光は、レンズ部２７Ａを通って表側へと射出される。
【０１４２】
また、ここでは、第１の実施の形態で説明した金属ベース基板１５及びＬＥＤベアチップＬｎｍを用いたが、第１の実施の形態以外、つまり、第２〜第４の実施の形態及び変形例１〜８で説明した金属ベース基板及びＬＥＤベアチップを用いて、レンズ、反射板等を取着しても良い。
（ｂ）他のＬＥＤ光源の例２（変形例１１）について
第１及び第２の実施の形態は、絶縁板におけるＬＥＤベアチップの実装位置に凹入部を設け、この凹入部の底面にＬＥＤベアチップを実装している。一方、第３及び第４の実施の形態は、絶縁基板において、絶縁基板に実装されるＬＥＤベアチップと金属ベースとの間に、少なくとも１つの伝熱部材を設けている。以上の実施の形態では、凹入部或いは伝熱部材により金属ベース基板としての放熱特性を向上させているが、本発明は、凹入部と伝熱部材との両方を備えた金属ベース基板及びこの金属ベース基板を備える発光光源であっても良い。
【０１４３】
図２４は、凹入部と伝熱部材を有するＬＥＤ光源を示すが概略図である。
図２４の（ａ）は、図８の（ａ）に示す変形例３で説明した金属ベース基板５２と同様の金属ベース基板５２ａに伝熱部材５Ａを設けた例を（以下、この例を「変形例１１」とする。）示す。
金属ベース基板５２ａは、上部絶縁層５５ａと下部絶縁層５６ａとを有する絶縁基板５４ａと、金属ベース５３ａとを備え、絶縁基板５４ａには、下部絶縁層５６ａを残して上部絶縁層５５ａを貫通してなる凹入部Ｃ３ａが形成されている。
【０１４４】
ＬＥＤベアチップＬ３ａは、凹入部Ｃ３ａの底面に実装され、このＬＥＤベアチップＬ３ａと金属ベース５３ａとの間、ここでは、下部絶縁層５６ａの裏面（金属ベース５３ａ側の面）に伝熱部材５Ａが形成されている。
ここで、下部絶縁層５６ａにコンポジット材料を用いると、伝熱部材５Ａが、その金属ベース側の面が下部絶縁層の金属ベース側の面と面一となるように下部絶縁層側に入り込み、ＬＥＤベアチップＬ３ａと伝熱部材５Ａとが近づき、良好な放熱特性が得られる。
【０１４５】
なお、凹入部と伝熱部材との両方を組合わせた変形例１１は、一例であり、本例以外に、例えば、第１及び第２の実施の形態、さらには変形例１、２及び４における絶縁基板に伝熱部材を設けても良い。具体的には、下部絶縁層におけるＬＥＤベアチップの実装位置に対応する金属ベース側の面に伝熱部材を設けても良い。
なお、ＬＥＤベアチップの電極の位置、絶縁基板の配線パターンとの接続方法等の違いにより、上述の例以外にも適宜適用できる。
【０１４６】
４．絶縁基板について
（ａ）絶縁層に材料について
上記の各実施の形態及び各変形例では、絶縁層として、コンポジット材料を用いたが、これ以外の材料、例えば、ガラスエポキシ材料を用いても良い。
また、第１、第３及び第４の実施形態のように、ＬＥＤベアチップを絶縁層の表面に実装する場合には、ＬＥＤベアチップから金属ベースへの熱伝導を考慮すると、薄い方が優位であり、その厚みが各種選択できるような材料が好ましい。
【０１４７】
（ｂ）コンポジット材料について
上記の各実施の形態では、絶縁層として、アルミナコンポジット材料を用いていたが、他のコンポジット材料であっても良い。他のコンポジット材料としては、例えば、無機フィラーとして、シリカ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも１つを使用したものがある。
【０１４８】
また、当該コンポジット材料は、無機フィラ−と合成樹脂（熱硬化性樹脂）との構成比率を適宜決定することができるため、例えば、熱伝導特性の良い無機フィラ−を使用することで、熱伝導性の良い絶縁層を得ることができる。なお、アルミナコンポジット材料は、ガラスエポキシ材料よりも優れた放熱特性を有する。
さらに、コンポジット材料は、無機フィラーの種類及びその構成比率を適宜変更することで、様々な弾性特性及び線膨張特性を得ることができる。このため、例えば、ガラスエポキシ材料よりも低弾性率で、低線膨張特性の絶縁層を得ることできる。
【０１４９】
例えば、ＬＥＤベアチップの電極をワイヤボンディングにより接続した後にＬＥＤベアチップをワイヤーごと樹脂により封止したような場合、つまり、変形例９及び１０のような場合においては、ＬＥＤベアチップの点灯時によってＬＥＤベアチップ周辺が温度上昇した時に、絶縁層は、金属ベースに追従して膨張する。この絶縁層の膨張は、ワイヤーと絶縁板に接続された配線パターンとの間に引っ張り応力を生じさせる。
【０１５０】
ところで、この絶縁層に弾性率を調整したコンポジット材料を用いると、絶縁層の裏面では金属ベースの膨張に追従するものの、コンポジット材料自体が低弾性であるため、金属ベースの膨張を吸収することができ、表面での膨張を少なくできる。従って、ワイヤーへの引張り応力を、絶縁層にガラスエポキシ材料を用いた場合よりも低減させることができる。
【０１５１】
５．金属ベースについて
実施の形態では、金属ベースとしてアルミニウム板を用いたが、例えば、鉄、ステンレス、銅等の金属板を使用しても良い。さらに、金属ベースの絶縁層が接合されていない面に、多数の凹入部を備えたフィン構造にしても良い。
６．金属ベース基板について
上記の各実施の形態で説明した金属ベース基板は、他の方法により製造することもできる。以下、例えば、配線パターンを転写シートに形成した後、絶縁層に用いるための半硬化状態の絶縁板に転写して、上記の第１の実施の形態と同様な金属ベース基板を製造する例（この例を、以下、「変形例１２」とする。）について説明する。
【０１５２】
図２５は、金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。この図２５を参照しながら、金属ベース基板の製造方法について簡単に説明する。また、ここでは、各部材部品等の符号として第１の実施の形態で用いた符号の前に「５」を付加したものを使用する。
先ず、下部絶縁層について説明する。転写シート５４４の一面に、たとえば、厚さ３５μｍの銅箔を接着し、続いて、当該銅箔における配線パターン５ＰＢに対応する部分を残して、他の銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、転写シート５４４の表面に下部絶縁層５２２に対応した配線パターン５ＰＢが形成されることになる[工程（ａ）]。
【０１５３】
次に、配線パターン５ＰＢが形成された転写シート５４４と、半硬化状態の絶縁板５１４と、金属ベース用に金属板５１６とをこの順で重ね合わせて、加圧及び加熱する。これにより、絶縁板５１４中に配線パターン５ＰＢが埋め込まれるようにして転写されると共に、絶縁板５１４の裏面に金属板５１６が取着される[工程（ｂ）]。その後、転写シート５４４を剥がすことにより、配線パターン５ＰＢが形成された下部絶縁層５２２が得られる[工程（ｃ）]。
【０１５４】
なお、このとき、配線パターン５ＰＢは、その厚み分が絶縁板５１４中に埋め込まれることとなり、絶縁板５１４における配線パターン５ＰＢが形成されていない表面と配線パターン５ＰＢの表面とが略同じ高さとなる。つまり、下部絶縁層５２２の表面が略面一の平坦となる。
次に、上部絶縁層５２０について説明する。先ず上述したように下部絶縁層５２２と同じように、転写シート５４４の一面に厚さ９μｍの銅箔を接着し、続いて、当該銅箔における配線パターン５ＰＡに対応する部分を残して、他の銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、転写シート５４４の表面に上部絶縁層５２０に対応した配線パターン５ＰＡが形成されることになる。
【０１５５】
一方、上部絶縁層５２２用の絶縁板５１２に対して、配線パターン５ＰＢとビアホールを介して接続すべき位置に対応して孔加工を行い、導電性ペーストをその孔に充填する。
そして、上記の工程（ｃ）で得られた金属板５１６付きの絶縁板５１４の表面上に、導電性ペーストが充填された絶縁板５１２を載置し、さらに、この絶縁板５１２上に転写シート５４４に形成された配線パターン５ＰＡが絶縁板５１２側となるように、絶縁板５１２上に重ね合わせ[工程（ｄ）]、加圧及び加熱する。その後、転写シート５４４を剥がすことにより、配線パターン５ＰＡが上部絶縁層５２０の上面に形成されると共に、上下の絶縁層５２０、５２２及び金属ベース５２４が接合されて、３層からなる金属ベース基板５１０が完成する[工程（ｅ）]。
【０１５６】
このとき、配線パターン５ＰＡは、その厚み分が絶縁板５１２中に埋め込まれることとなり、絶縁板５１２における５ＰＡが形成されていない表面と配線パターン５ＰＡの表面とが略同じ高さとなる。つまり、金属ベース基板の表面が略面一の平坦となる。
そして最後に上記のようにして製造された金属ベース基板に、そのＬＥＤベアチップの実装位置にＬＥＤベアチップをフリップチップ実装して、発光光源が得られる。
【０１５７】
上記のように、配線パターン５ＰＡ、５ＰＢがそれぞれ形成されている転写シート５４４を用いて半硬化状態の絶縁板５１２、５１４に転写しているので、配線パターン５ＰＡ，５ＰＢを有する金属ベース基板５１０を容易に形成することができる。さらに、伝熱部材は、配線パターン５ＰＢを利用しているので、わざわざ伝熱部材を設ける（形成する）必要がなく、容易且つ低コストで得られる。
【０１５８】
また、配線パターン５ＰＡ、５ＰＢは、半硬化状態の絶縁板５１２、５１４上に形成されるので、配線パターン５ＰＡの表面と、金属ベース基板５１０の表面であって配線パターン５ＰＡが形成されていない部分とを略同じ高さにできる。つまり、絶縁板として、無機フィラーと樹脂材料とから構成されるコンポジット材料を利用しているために、各絶縁層５２０、５２２の表面を略面一状にできる。このため、金属ベース基板５１０の表面の凹凸も少なくなり、ＬＥＤベアチップの実装が容易になると共に、各ＬＥＤベアチップの指向性を所望方向に合せることができる。
【０１５９】
７．発光体について
（ａ）発光素子について
上記の第１、第３及び第４の実施の形態、変形例６では、ＬＥＤベアチップをフリップチップ実装しているが、他の方式でＬＥＤベアチップを実装しても良い。例えば、ＳＭＤ（Surface Mounted Device）型のＬＥＤチップを使用しても良い。ＳＭＤ型のＬＥＤチップを使用する場合には、その側面の電極と配線パターンとを半田等により接続すれば良い。
【０１６０】
なお、本発明は、ＬＥＤベアチップを８行８列に実装しているが、その形態、個数等は特に限定するものではない。
（ｂ）発光色について
上記の実施の形態では、発光素子としてＬＥＤベアチップを用いている。このＬＥＤベアチップは、例えば、同じ発光色のものを用いても良いし、複数の異なる発光色のものを用いても良い。このような例としては、例えば、発光色が、赤、青、緑のいずれかのＬＥＤベアチップを複数組み合わせても良い。さらに、発光色が、赤、青、緑である３個のＬＥＤベアチップを１組として用い、各色の光出力を調整することで様々な発光色を発光するようにしても良い。但し、この場合は、各色のＬＥＤベアチップの印加電流を制御する必要があり、各色用に配線パターンを形成する必要があると共に、各ＬＥＤベアチップから発せられた各色の光を混色させるためのレンズ等が必要となる。
【０１６１】
（ｃ）発光体について
上記各実施の形態及び変形例では、発光体用金属ベース基板に搭載される発光体として、発光素子、具体的にはＬＥＤベアチップを用いたが、ＬＥＤベアチップ以外の発光素子を用いても良い。このようなＬＥＤベアチップ以外の発光素子としては、例えば、レーザダイオード（ＬＤ）等がある。但し、レーザダイオードから発せられる光は、指向性が強いために、例えば、その光を拡散するための拡散レンズ等が必要となる場合も生じる。
【０１６２】
さらに、本発明は、発光体として、発光素子が基板に予め実装された、所謂、サブマウントであっても良い。
図２６は、発光体としてサブマウントを用いた例を示す図である。
図２６の（ａ）は、変形例２（図７の（ｂ））で説明したＬＥＤ光源におけるＬＥＤベアチップＬ２の代わりのサブマウントを用いた例（この例を、以下、「変形例１３」とする。）を示す。
【０１６３】
先ず、金属ベース基板４２ａは、表面に凹入部Ｃ２ａを有する絶縁基板４４ａと、この絶縁基板４４ａの裏面に取着された金属ベース４３ａとを備える。凹入部Ｃ２ａの底面には、配線パターンＰ２Ｂ１ａが露出しており、また、絶縁基板４４ａにおける凹入部Ｃ２ａの周辺にパッドＰ２Ｃａが形成されている。
サブマウント６０は、例えば、シリコン基板（以下、「Ｓｉ基板」という。）６２と、このＳｉ基板６２の上面に実装された発光素子、例えば、ＬＥＤベアチップＬ１ａと、ＬＥＤベアチップＬ１ａを封止する封止樹脂６４とを備える。なお、Ｓｉ基板６２の下面には、ＬＥＤベアチップＬ１ａの一方の電極に電気的に接続された第１の端子が、一方、Ｓｉ基板の上面には、ＬＥＤベアチップの他方の電極に電気的に接続された第２の端子がそれぞれ形成されている。
【０１６４】
サブマント６０の金属ベース基板４２ａへの実装は、例えば、銀ペーストを利用したダイボンディングによりなされる。サブマウント６０と金属ベース基板４２ａとの電気的接続は、Ｓｉ基板６２の下面の第１の端子が凹入部Ｃ２ａの底面に形成されている配線パターンＰ２Ｂ１ａに、上記の銀ペースを介して接続され、また、Ｓｉ基板６２の上面の第２の端子がワイヤを介して絶縁基板４４ａの表面のパッドＰ２Ｃａに接続される。
【０１６５】
このような発光光源を点灯させても、ＬＥＤベアチップは発熱するが、凹入部を有しない発光光源に比べて、発光体６０と金属ベース４３ａとが近接しているため、良好な放熱特性が得られる。
また、ＬＥＤベアチップＬ１ａと絶縁基板４４ａとの間にＳｉ基板６２が存在するため、ＬＥＤベアチップを直接フリップチップ実装する場合に比べると放熱性能は若干下がるものの、シリコンは高い熱伝導率を持つため、ＬＥＤベアチップを直接実装した場合に近い放熱特性を得ることができる。
【０１６６】
なお、サブマウント６０は、Ｓｉ基板６２に予めＬＥＤベアチップＬ１ａを実装しているため、実装されたＬＥＤベアチップが正常に点灯するか等の検査をすることができる。このため、例えば、検査済みのサブマウントを金属ベース基板４２ａに実装することができ、発光光源としての製造歩留まりを向上させることができる等の効果が得られる。
図２６の（ｂ）は、第２の実施の形態（図１０）で説明したＬＥＤ光源におけるＬＥＤベアチップ２Ｌ７４の代わりのサブマウントを用いた例（この例を、以下、「変形例１４」とする。）をしめす。
【０１６７】
先ず、金属ベース基板２１５ａは、その表面に金属ベース２２４ａにまで達する凹入部２Ｃ７４ｃが形成されており、この凹入部２Ｃ７４ｃの底面にサブマウント７０が搭載されている。
このサブマウント７０は、変形例１３と同様に、Ｓｉ基板７２、ＬＥＤベアチップ２Ｌ７４ａ及び封止樹脂７４とを備えている。Ｓｉ基板７２の上面にはＬＥＤベアチップの電極に電気的に接続された端子が形成されている。
【０１６８】
そして、サブマウント７０が、金属ベース基板２１５ａの凹入部２Ｃ７４ｃの底面に、例えば、銀ペースト等によりダイボンディングされ、Ｓｉ基板７２の２つの端子が、ワイヤボンィングにより絶縁基板２２０ａに形成された電極パターン２ＢＯ７ａに接続される。
なお、変形例１３及び１４では、変形例２及び第２の実施の形態でのＬＥＤベアチップをサブマウントに置き換えた場合について説明したが、ＬＥＤベアチップとサブマウント、すなわち、発光素子とサブマウントとを混ぜて、発光光源を構成しても良い。
【０１６９】
８．照明装置について
上記の各実施の形態では、発光光源について主に説明したが、当然この発光光源に給電端子を介して給電することにより、照明装置として使用することも可能である。
図２７は、変形例９のＬＥＤ光源を用いた照明装置の一例を示す図である。
照明装置６００は、口金６５２と反射傘６５３とが設けられたケース６５１を有し、このケース６５１にＬＥＤ光源６１０が取着されている。口金６５２は、一般電球でも用いられている口金と同じ規格のものである。反射傘６５３は、ＬＥＤ光源６１０から発せられた光を前方に反射させるためのものである。なお、ＬＥＤ光源６１０は、変形例９で説明したＬＥＤ光源３０と同構造である。
【０１７０】
ＬＥＤ光源６１０は、ケース６５１における口金６５２と反対側に設けられた取り付け部６５４に取り付けられている。ケース６５１内には、給電端子を介してＬＥＤベアチップに給電するための回路、例えば、商業電源から供給された交流電力を直流電力に整流するための整流回路、この整流回路により整流された直流電力の電圧値を調整するための電圧調整回路等を備えた給電回路が収納されている。
【０１７１】
９．表示装置について
上記の各実施の形態では、金属ベース基板にＬＥＤベアチップを実装して、８行８列の表示装置として使用することも可能である。但し、この場合、各ＬＥＤベアチップを個別に点灯させるように配線パターンを変更すると共に、個別にＬＥＤベアチップを点灯させて文字、記号等を表示する公知の点灯制御回路等が必要となる。
【０１７２】
ここでは、８行８列の表示装置について説明したが、ＬＥＤベアチップの実装形態は８行８列の形態に限定するものではなく、また、実施の形態で説明した金属ベース基板に複数個（実施の形態では６４個）のＬＥＤベアチップを実装したものを表示装置の１つの発光源として利用しても良い。なお、上述のＬＥＤ光源における、８行８列状に配されたＬＥＤベアチップのそれぞれを独立して点灯可能に構成すると、例えば、数字等を表示することもできる。従って、上記発明を例えば表示装置として適用することも可能である。
【０１７３】
なお、照明装置として、変形例９で説明したＬＥＤ光源を用いて説明したが、当然、他の実施の形態或いは変形例で説明した発光光源を用いて照明装置或いは表示装置を構成してもよい。
９．最後に
上記各実施の形態及び各変形例の説明に用いた図面は、本発明を概念的に説明するためのものであり、その形状や寸法、配線パターンの厚み等の関係は、実際のものと異なっている。
【産業上の利用可能性】
【０１７４】
本発明に係る発光体用金属ベース基板、発光光源、照明装置及び表示装置は、放熱特性を向上させるのに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】第１の実施の形態におけるＬＥＤ光源の斜視図である。
【図２】第１の実施の形態におけるＬＥＤ光源の平面図である。
【図３】第１の実施の形態におけるＬＥＤ光源の下部絶縁層の平面図である。
【図４】図２及び図３におけるＡ部の詳細図で、下部絶縁層を見せるために、上部絶縁層の一部を取り除いた図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ線を含む鉛直面で切断したときの矢印方向からみた断面図である。
【図６】金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図７】（ａ）は、変形例１におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図であり、（ｂ）は、変形例２におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図８】（ａ）は、変形例３におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図であり、（ｂ）は、変形例４におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図９】第１の実施の形態での図２におけるＡ部に相当する第２の実施の形態における部分の詳細図である。
【図１０】図９の２Ｘ−２Ｘ線を含む鉛直面で切断したときの矢印方向からみた断面図である。
【図１１】図９に示す部分における下部絶縁層を示している。
【図１２】変形例５におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図１３】第３の実施の形態における金属ベース基板の平面図である。
【図１４】上部絶縁層を取り除いた状態を平面視した下部絶縁層の平面図である。
【図１５】図１３におけるＢ部の詳細図で、下部絶縁層を見せるために、上部絶縁層の一部を取り除いた図である。
【図１６】図１５の３Ｘ−３Ｘ線を含む鉛直面で切断して矢印方向から見たときの断面図である。
【図１７】金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図１８】第４の実施の形態における金属ベース基板の平面視の拡大図であって、下部絶縁層を見せるために、上部絶縁層の一部を取り除いた図である。
【図１９】コンポジット材料を１層用いた場合のＬＥＤ光源の縦断面図を示す。
【図２０】（ａ）は、変形例７におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図であり、（ｂ）は、変形例８におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図２１】レンズ板及び反射板を備えるＬＥＤ光源を示す斜視図である。
【図２２】ＬＥＤベアチップの実装位置周辺を拡大した断面図である。
【図２３】変形例１０におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図２４】変形例１１におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図２５】第１の実施の形態における金属ベース基板の製造方法と異なる金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図２６】（ａ）は、変形例１３におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図であり、（ｂ）は、変形例１４におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図２７】変形例９のＬＥＤ光源を用いた照明装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１７６】
１０ ＬＥＤ光源
１５ 金属ベース基板
２０ 絶縁基板
２１ 上部絶縁層
２２ 下部絶縁層
２４ 金属ベース
Ｃｎｍ 凹入部
Ｌｎｍ ＬＥＤベアチップ
ＰＡ，ＰＢ 配線パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に発光体を実装するための発光体用金属ベース基板、この金属ベース基板に発光体を実装してなる発光光源、この発光光源を用いた照明装置又は表示装置に関するもので、特に発光体の発光時における放熱特性を改善する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（以下、単に「ＬＥＤ」という。）を用いたＬＥＤ光源は、ＬＥＤ単体の光出力が小さいために、多数のＬＥＤを絶縁基板の表面に実装している。このように多数のＬＥＤを絶縁基板に実装すると、ＬＥＤの発光時に発生する熱によりＬＥＤの温度が上昇してしまう。このＬＥＤの温度上昇は、その発光効率の低下や短寿命化を招く。
そこで、放熱特性を改善するために、放熱用の金属ベースを絶縁基板の裏面に取着した金属ベース基板が提案されている(例えば、特許文献１)。この金属ベース基板は、発光時の熱を、ＬＥＤを実装する絶縁基板から金属ベースへと伝え、金属ベースから放熱するようにしている。
【特許文献１】特開２００２−１８４２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の金属ベース基板は、実装するＬＥＤの数が少ない場合には、発光時の発熱量が少なく、その熱が金属ベースから放熱されるため問題ないが、例えば、ＬＥＤ光源の光出力をさらに高めるためにＬＥＤ素子をより多く金属ベース基板に実装すると、ＬＥＤの間隔が狭くなり、ＬＥＤの温度が上昇してしまう。つまり、従来の金属ベース基板では放熱対策が不十分なのである。
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、放熱特性を向上させることができる金属ベース基板、発光光源、照明装置又は表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）上記目的を達成するために、本発明に係る発光体用金属ベース基板は、発光体を実装するための配線パターンを備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏側に取着されている金属ベースとを備え、前記絶縁基板は、その表側に凹入部を複数備え、当該凹入部の底面が前記発光体の実装予定部位であることを特徴としている。
この構成によれば、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
【０００５】
（２）上記（１）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造であり、前記凹入部は、少なくとも前記金属ベースに接する絶縁層を残して形成されていることを特徴としている。
このため、複数の絶縁層からなる絶縁基板を用いても、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。特に、樹脂材料を主成分とする絶縁層を用いると、発光光源の放熱特性は、発光素子と金属ベースとの間の絶縁層の層数、厚みに大きく依存するので、上記構成のように、発光素子と金属ベースとの距離が近くなれば、放熱効果は格別である。
【０００６】
（３）上記（２）の金属ベース基板において、前記凹入部の底面は、いずれかの絶縁層の境界に設定されていることを特徴としている。
このため、凹入部は、底面に相当する絶縁層より表側の絶縁層に貫通孔を設ければ容易に形成できる。
（４）上記（３）の金属ベース基板において
しかも、前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層に形成されており、その一部が前記凹入部内に露出していることを特徴としている。
【０００７】
このため、例えば、凹入部の底面に相当する絶縁層の表層に配線パターンを形成して積層すれば、容易に凹入部の底面に配線パターンを形成できる。当然、凹入部内に配線パターンを露出させることも、配線パターンの形状を変えることで容易に行える。
（５）上記（２）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続するための発光体接続部を複数列有する第１の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続するための第２の配線パターンとを有し、前記第１の配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層上に形成され、前記第２の配線パターンは、第１の配線パターンが形成されている絶縁層よりも表側にある絶縁層に形成されていることを特徴としている。
【０００８】
（６）上記（２）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層よりも表側の絶縁層に形成されていることを特徴としている。
このため、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
（７）上記（１）の金属ベース基板において、前記凹入部は、前記絶縁基板を貫通して前記金属ベースにまで達していることを特徴としている。
【０００９】
この構成によれば、発光体を金属ベースに実装することができ、発光体発光時に発生する熱を発光体から金属ベースに伝えることができ、基板として放熱特性を向上させることができる。
（８）上記（７）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続する素子接続部を複数列備える第３の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続する第４の配線パターンとを有することを特徴としている。
【００１０】
（９）上記（８）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、２以上の絶縁層からなる多層構造を有し、前記第３の配線パターン及び前記第４の配線パターンは、別々の絶縁層に形成されていることを特徴としている。
このため、第３及び第４の配線パターンを２以上の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
【００１１】
（１０）上記（１）の金属ベース基板において、前記複数の凹入部は、等間隔で形成されていることを特徴としている。
このため、凹入部に同じ出力の発光体を実装すると、輝度むらの少ない光源が得られる。
（１１）上記（１）の金属ベース基板において、前記凹入部は、平面視略円形状に形成され、その穴径が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることを特徴としている。
【００１２】
（１２）上記（２）の金属ベース基板において、前記凹入部は、金属ベースに近い絶縁層ほど穴径が小さくなっており、層単位で段状に穴径が変化していることを特徴としている。
（１３）上記目的を達成するために、本発明に係る発光体用金属ベース基板は、発光体を実装するための配線パターンが表面に備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏面に取着されている金属ベースとを備え、前記絶縁基板よりも高い熱伝導率を有する伝熱部材が、前記絶縁基板における前記発光体の実装予定部位と前記金属ベースとの間に配設されていることを特徴としている。
【００１３】
この構成によると、絶縁基板に実装した発光体が発光した時に発生する熱を伝熱部材から絶縁基板の裏面の金属ベースに伝わる。これにより発光時の熱を効果的に放熱できる。
（１４）上記（１３）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は単数の絶縁層からなる単層構造であり、前記伝熱部材が前記絶縁基板の裏面側に埋設されていることを特徴としている。
【００１４】
（１５）上記（１３）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造を有し、前記伝熱部材は、少なくとも１つの絶縁層又は少なくとも１つの層間に配設されていることを特徴としている。
（１６）上記（１５）の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、表層以外の少なくとも１つの絶縁層にも配線パターンが形成されていることを特徴としている。
【００１５】
このため、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
（１７）上記（１３）の金属ベース基板において、前記伝熱部材は、金属膜であることを特徴としている。
このため、熱伝導率が高いために、優れた放熱特性が得られる。
【００１６】
（１８）上記（１６）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、前記絶縁基板の各絶縁層に形成されており、前記伝導部材は、表層以外の絶縁層に形成されている配線パターンの一部であることを特徴としている。
（１９）上記（１３）の金属ベース基板において、前記伝導部材の厚さは、表面の配線パターンの厚さより厚いことを特徴としている。
【００１７】
このため、伝熱部材を容易に設けることができる。
（２０）上記（２）の金属ベース基板において、前記絶縁板層は、少なくとも無機フィラー及び樹脂組成物とから構成されていることを特徴としている。
（２１）上記（２０）の金属ベース基板において、前記無機フィラーは、シリカ、アルミナ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも１つを含むことを特徴としている。
【００１８】
このため、発光体の発光時の熱により金属ベース基板が熱膨張しても、絶縁基板の表面での熱膨張を小にすることができる。
（２２）上記（２０）の金属ベース基板において、前記配線パターンは、転写法により前記絶縁層に形成されていることを特徴としている。
このため、配線パターンを容易に形成できる。
【００１９】
（２３）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（１）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴としている。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した発光光源に比べて、放熱特性を向上させることができる。
【００２０】
（２４）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（５）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体は、１対の給電端子を裏面に有し、前記第１の配線パターンに面実装されていることを特徴としている。
（２５）上記（２４）の発光光源において、前記発光体は、裏面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が裏面に形成されたサブマウントであることを特徴としている。
【００２１】
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。さらに、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
（２６）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（５）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体は、一対の給電端子を表裏の２面に有し、表側の給電端子が前記第２の配線パターンに、裏側の給電端子が前記第１の配線パターンにそれぞれ接続されていることを特徴としている。
【００２２】
（２７）上記（２６）の発光光源において、前記発光体は、両面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が表裏面に形成されたサブマウントであることを特徴としている。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。さらに、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
【００２３】
（２８）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（６）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体用金属ベース基板は発光体用金属ベース基板であり、前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、両給電端子がワイヤボンディングにより前記配線パターンに接続されていることを特徴としている。
【００２４】
（２９）上記（２８）の発光光源において、前記発光体は、表面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された一対の給電端子が表面に形成されたサブマウントであることを特徴としている。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
【００２５】
（３０）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（１）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が前記配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴としている。
（３１）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（７）発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光素子は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が、前記第３及び第４の配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴としている。
【００２６】
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
（３２）上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記（１３）の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴としている。
【００２７】
この構成によると、絶縁基板に実装した発光体が発光した時に発生する熱を伝熱部材から絶縁基板の裏面の金属ベースに伝わる。これにより発光時の熱を効果的に放熱できる。
さらに、上記の発光光源を用いた照明装置或いは表示装置は、発光体が発光したときに発生した熱を効果的に放出することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る発光体用金属ベース基板は、発光体を実装するための配線パターンを備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏側に取着されている金属ベースとを備え、前記絶縁基板は、その表側に凹入部を複数備え、当該凹入部の底面が前記発光体の実装予定部位であることを特徴としている。
この構成によれば、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明に係る各実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施の形態＞
本実施の形態では、金属ベース基板の表面に凹入部が形成されており、この凹入部に発光体を実装してなるＬＥＤ光源について説明する。前記金属ベース基板は、複数の絶縁層からなる絶縁基板を備え、凹入部は、絶縁基板の厚み方向にその一部を残して形成されている。
【００３０】
１．ＬＥＤ光源の構成について
図１は本実施の形態におけるＬＥＤ光源の斜視図である。
ＬＥＤ光源１０（本発明の「発光光源」に相当する。）は、表面に平面視円形状に凹入する凹入部が複数形成された金属ベース基板１５（本発明の「発光体用金属ベース基板」に相当する。）と、この凹入部の底面に実装された発光ダイオードのベアチップ（以下、単に「ＬＥＤベアチップ」という。）とを備える。なお、金属ベース基板１５は、複数の絶縁層からなる絶縁基板２０の裏面に金属ベース２４が取着されたものをいう。
【００３１】
本実施の形態では、凹入部は、８行８列のマトリックス状に整然と、つまり、金属ベース基板１５に、行・列方向のそれぞれの方向に略等間隔を置いて独立して形成されており、これらの凹入部を符号Ｃｎｍ（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）で示し、また、これら凹入部Ｃｎｍ内の底面に実装されているＬＥＤベアチップを、凹入部Ｃｎｍに対応して符号Ｌｎｍ（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）で示す。
【００３２】
絶縁基板２０は、無機フィラー入りの熱硬化性樹脂からなる絶縁層２１、２２が積層された２層構造を有している。なお、絶縁基板２０を構成する２層の絶縁層の内、表側（上側）の層を上部絶縁層２１、裏側（下側）の層を下部絶縁層２２とそれぞれいう。
図２は、ＬＥＤ光源の平面図であり、図３は、下部絶縁層の平面図である。なお、図２では、絶縁基板２０の表層にある上部絶縁層２１のみが現れている。
【００３３】
上部絶縁層２１の表面には、図１及び図２に示すように、例えば、銅（Ｃｕ）からなる配線パターンＰＡ（本発明の「第２の配線パターン」に相当する。）が形成され、また、下部絶縁層２２の表面には、図３に示すように、例えば、銅（Ｃｕ）からなる配線パターンＰＢ（本発明の「第１の配線パターン」に相当する。）が形成されている。
配線パターンＰＡ、ＰＢは、ＬＥＤベアチップＬｎｍを、絶縁基板２０に８行８列のマトリックス状で実装するために、各行における奇数列目のＬＥＤベアチップと、偶数列目のＬＥＤベアチップとを直列に接続するように形成されている。
【００３４】
そして、配線パターンＰＡ、ＰＢのうち、下部絶縁層２２の表面に形成されている配線パターンＰＢにＬＥＤベアチップＬｎｍが電気的に接続される。
配線パターンＰＢは、図３に示すように、各行に対応して、偶数列の４個のＬＥＤベアチップ（例えば、１行目では、図１におけるＬ１２、Ｌ１４、Ｌ１６、Ｌ１８）のみを直列に接続するために行方向（図３において横方向）に形成された偶数列部ＢＥｎと、奇数列の４個のＬＥＤベアチップ（例えば、１行目では、図１におけるＬ１１、Ｌ１３、Ｌ１５、Ｌ１７）のみを直列に接続するために行（横）方向に形成された奇数列部ＢＯｎとを備えている（ｎは行数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）。
【００３５】
一方、上部絶縁層２１の配線パターンＰＡは、図２に示すように、下部絶縁層２２に形成されている各ｎ行内での奇数列部ＢＯｎと偶数列部ＢＥｎとを直列に接続するための列接続部ＡＲｎと、隣接する行同士を直列に接続するための行接続部ＡＬｎとを備え、これらは行方向に延びる帯状であって、列方向に複数行形成されている（ｎは行数を示し、１〜８の整数である。）。
【００３６】
また、配線パターンＰＡは、図外の給電部から給電を受けるための給電端子部ＡＳを備えている。この給電端子部ＡＳには、下部絶縁層２２の１行目の奇数列部ＢＯ１に接続される給電端子部ＡＳ１と、下部絶縁層２２の８行目の奇数列部ＢＯ８に接続されるＡＳ２とがある。
ここで、上部絶縁層２１の配線パターンＰＡと下部絶縁層２２の配線パターンＰＢとの接続関係について簡単に説明する。ここでは、１行目を例として、図２及び図３を用いて具体的に説明する。なお、本実施の形態では、給電端子部ＡＳ１、ＡＳ２が高電位側となっている。
【００３７】
まず、下部絶縁層２２の奇数列部ＢＯ１と偶数列部ＢＥ１とは、上部絶縁層２１の列接続部ＡＲ１を介して接続される。つまり、奇数列部ＢＯ１は、その低電位側の端部の位置Ｐ１で列接続部ＡＲ１にビアホール（図中○で示している。）を介して接続され、また、偶数列部ＢＥ１は、その高電位側の端部の位置Ｐ２で列接続部ＡＲ１にビアホールを介して接続される。
【００３８】
また、１行目の偶数列部ＢＥ１と、２行目の偶数列部ＢＥ２とは、上部絶縁層２１の行接続部ＡＬ１を介して接続される。つまり、偶数列部ＢＥ１は、その低電位側の端部の位置Ｐ３で行接続部ＡＬ１にビアホールを介して接続され、また、２行目の偶数列部ＢＥ２は、その高電位側の端部の位置Ｐ４で行接続部ＡＬ１にビアホールを介して接続されている。
【００３９】
給電端子ＡＳ１と１行目の奇数列部ＢＯ１との接続は、奇数列部ＢＯ１における高電位側の端部の位置Ｐ５でビアホールを介してなされている。これらの接続により、下部絶縁層２２における１行目から４行目まで各ＬＥＤベアチップＬｎｍ（ｎは、１〜４の整数）が直列に接続されることになる。なお、５行目から８行目のＬＥＤベアチップＬｎｍ（ｎは、５〜８の整数）の接続についても、１行目から４行目までの接続方法と略同様になされている。
【００４０】
図４は、図２及び図３におけるＡ部の詳細図で、下部絶縁層２２を見せるために、上部絶縁層２１の一部（図４における左側部分）を取り除いている。図５は、図４のＸ−Ｘ線を含む鉛直面で切断したときの矢印方向からみた断面図である。
金属ベース基板１５の表側に形成されている凹入部Ｃ７３、Ｃ７４、Ｃ７５は、図５に示すように、下部絶縁層２２を残して、上部絶縁層２１が平面視（図４）略円形状に層ごと除去されている。そして、凹入部Ｃ７３、Ｃ７４、Ｃ７５の底面がちょうど下部絶縁層２２の表面となっている。つまり、上部絶縁層２１と下部絶縁層２２との境界が凹入部の底面になっている。
【００４１】
図４に示す下部絶縁層２２には、配線パターンＰＢ（ＢＥ７、ＢＯ７、ＢＥ８、ＢＯ８）が形成されており、この配線パターンＰＢにおけるＬＥＤベアチップＬ７４、Ｌ７５、Ｌ８４、Ｌ８５Ｌｎｍを実装する部分が凹入部Ｃ７４、Ｃ７５、Ｃ８４、Ｃ８５内に露出している。
本実施の形態で使用しているＬＥＤベアチップＬｎｍは、ＡｌＩｎＧａＮを用いた、所謂、青色ＬＥＤベアチップであって、その下面にｐ電極とｎ電極との両極を備えた片面電極型であり、フリップチップ実装されている。なお、片面電極のうち、上（表）面に両電極を備えたものを、以下、上面電極型といい、下（裏）面に両電極を備えたものを、以下下面電極型という。
【００４２】
各ＬＥＤベアチップＬｎｍの発光面は、平面視において実装される凹入部Ｃｎｍの略中央になるように配されている。
なお、ＬＥＤベアチップＬｎｍは、そのｐ電極が凹入部Ｃｎｍ内に露出した配線パターンＰＢの高電位側に、ｎ電極が配線パターンＰＢの低電位側に、それぞれ接続される。
金属ベース２４は、各絶縁層２１、２２よりも高い熱伝導率を有し、ＬＥＤベアチップＬｎｍのそれぞれが発光した時に発生する熱を放熱する他、絶縁基板２０を補強している。
【００４３】
上記構成では、金属ベース基板１５は、裏側に金属ベース２４を備えると共に、下部絶縁層２２の表面がちょうど底面となるような凹入部Ｃｎｍを表側の上部絶縁層２１に備えている。そして、この凹入部Ｃｎｍの底面に相当する下部絶縁層２２上にＬＥＤベアチップＬｎｍを実装している。従って、ＬＥＤベアチップＬｎｍと金属ベース２４との間には、下部絶縁層２２の１層があるだけとなる。
【００４４】
このため、２層の絶縁層２１、２２からなる絶縁基板２０を用いた金属ベース基板１５を使用しているにも拘わらず、ＬＥＤベアチップＬｎｍが発光時に発生する熱は、下部絶縁層２２を介して金属ベース２４へと伝わって、金属ベース２４から放熱される。熱伝導率の低い絶縁層の厚みが、絶縁基板２０の略半分になることで、放熱効果は飛躍的に向上する。このため、ＬＥＤベアチップＬｎｍの発光効率が低下したり、短寿命になったりするのを防止することができる。
【００４５】
しかも、ＬＥＤベアチップＬｎｍは、凹入部Ｃｎｍの底面に、配線パターンＰＢとの電気的接続が直接行えるように、フリップチップ実装されるので容易に実施することができる。
さらに、ＬＥＤ光源１０は、上部絶縁層２１と下部絶縁層２２とから成る多層構造の絶縁基板２０と、下部絶縁層２２に貼着された金属ベース２４とを備える金属ベース基板１５を用いている。このため、例えば、ＬＥＤベアチップＬｎｍを絶縁基板２０に高密度実装する際に、配線パターンのルール上の制限から、１層の絶縁層の広さでは配線パターン全てが形成できないような場合でも、配線パターンを２層の絶縁層に分けてそれぞれ形成することができる。
【００４６】
この場合、２層の絶縁層からなる絶縁基板を用いるため、ＬＥＤベアチップＬｎｍと金属ベース２４とが厚み方向に離れる惧れがあるが、凹入部Ｃｎｍの底面が下部絶縁層２２の表面となるように凹入部Ｃｎｍを形成し、この凹入部Ｃｎｍ内の底面にＬＥＤベアチップＬｎｍを実装しているので、ＬＥＤベアチップＬｎｍと金属ベース２４との距離は、下部絶縁層２２の厚み分となる。従って、ＬＥＤベアチップＬｎｍの発光時に生じる熱は下部絶縁層２２を通って金属ベース２４から放熱され、その放熱性能は単層構造の金属ベース基板と略同等となる。
【００４７】
一方、ＬＥＤベアチップＬｎｍは、凹入部Ｃｎｍ内に実装されているので、ＬＥＤ光源１０の厚みを薄くすることができる。
２．ＬＥＤ光源の具体的構成について
上記のＬＥＤ光源１０について具体例について説明する。絶縁基板２０を構成する下部絶縁層２２及び上部絶縁層２１の厚みは、略０．１ｍｍである。この絶縁層２１、２２は、無機質フィラーとしてアルミナを、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂をそれぞれ使用した、所謂、アルミナコンポジット材料である。また、金属ベース２４には、厚みが略１ｍｍのアルミニウム板を用いた。
【００４８】
各ＬＥＤベアチップＬｎｍは、３００μｍ角、高さ１００μｍである。また、行方向及び列方向に隣接するＬＥＤベアチップ同士は、その中心間距離が略２．５ｍｍとなるように絶縁基板２０に高密度で実装されている。
凹入部Ｃｎｍの形状は、図４に示すように平面視円形状であり、図５に示すようにその穴径Ｄ１が０．５ｍｍである。この寸法は、使用しているＬＥＤベアチップＬｎｍの一辺の長さが３００μｍであることから、ＬＥＤベアチップＬｎｍの実装に最低でも穴径で０．５ｍｍは必要となる。しかしながら、穴径Ｄ１があまり大きくなると、隣接するＬＥＤベアチップＬｎｍの実装間隔が大きくなり、高密度実装できなくなる。なお、ＬＥＤベアチップＬｎｍのｎ電極及びｐ電極に接続される配線パターンＰＢの間隔Ｌ１は、略５０μｍである（図５参照）。
【００４９】
３．金属ベース基板の製造方法について
図６は、金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。この図６を参照しながら、ＬＥＤベアチップを実装する前の金属ベース基板１５の製造方法について簡単に説明する。
まず上部絶縁層２１について説明する。上部絶縁層２１用の半硬化状態の絶縁板１２を準備し[工程（ａ）]、この絶縁板１２の上面に配線パターンＰＡ用の銅箔を貼着した後、配線パターンに対応する部分を残し、他の不要な銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、絶縁板１２の上面に配線パターンＰＡが形成されることになる[工程（ｂ）]。
【００５０】
そして、上記配線パターンＰＡが形成された絶縁板１２に凹入部を形成するための貫通孔Ｔと、配線パターンＰＡと下部絶縁層２２の配線パターンＰＢとを電気的に接続するビアホール用の貫通孔とを打ち抜き加工により形成する。そして、ビアホール用の貫通孔に導電性ペーストを充填してビアホールＶを形成する[工程（ｃ）]。
このとき、凹入部用の貫通孔Ｔとビア用の貫通孔とを同時に打ち抜き加工しているので、２種類の貫通孔を形成しているにも拘わらず、１回の工程で両貫通孔を形成することができる。
【００５１】
次に、下部絶縁層２２について説明する。下部絶縁層２２用の半硬化状態の絶縁板１４を準備し[工程（ｄ）]、この絶縁板１４の上面に配線パターンＰＢ用の銅箔を貼着した後、配線パターンに対応する部分を残し、他の不要な銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、絶縁板１４の上面に配線パターンＰＢが形成されることになる[工程（ｅ）]。
【００５２】
以上のように、上（表）面に配線パターンＰＡが形成された絶縁板１２と、上（表）面に配線パターンＰＢが形成された絶縁板１４とを、そのパターンが形成されている面が上側となるように、この順序で重ねあわせ、さらに、その重ね合わせた絶縁板１４の下（裏）面（下層の絶縁板１４における配線パターンが形成されていない面）に金属ベース用である、金属板１６を重ねあわせて[工程（ｆ）]、加圧及び加熱する。
【００５３】
これにより、上下の絶縁板１２、１４が硬化して、上下の絶縁層２１、２２からなる絶縁基板２０が完成し、また、下部絶縁層２２と金属板１６とが接合されて金属ベース基板１５が完成する。当然金属ベース基板１５の完成に合せて貫通孔Ｔのところに凹入部Ｃも形成される[工程（ｇ）]。
なお、上記のようにして製造された金属ベース基板１５の凹入部Ｃ内にＬＥＤベアチップが、公知の技術を用いてフリップチップ実装されて、ＬＥＤ光源が完成する。
【００５４】
なお、本明細書では、半硬化状態の絶縁板を硬化させたものを絶縁層としている。また、絶縁板１２、１４と金属板１６とを貼り合わせて加圧・加熱する際に、上部絶縁層２１用の絶縁板１２に設けた貫通孔Ｔが潰れる場合は、これらを加圧する加圧部に上記の貫通孔Ｔに対応して凸部を設ければ良い。
上記のように、配線パターンＰＡと凹入部用の貫通孔Ｔとが形成された上部絶縁層２１用の絶縁板１２と、配線パターンＰＢが形成された下部絶縁層２２用の絶縁板１４とを積み重ねて、加熱・加圧成形すれば、絶縁基板２０の表面側に凹入部Ｃが容易に形成され、しかも、凹入部Ｃの底に相当する面がちょうど下部絶縁層２２の表面となる。
【００５５】
さらに、図３に示すように、配線パターンＰＢは、下部絶縁層２２の上面の略全域に亘って形成されているが、奇数列部ＢＯｎと偶数列部ＢＥｎは互いに離れている。これにより下部絶縁層２２の表面と上部絶縁層２１の裏面とが、配線パターンＰＢが形成されていない部分で直接結合でき、両者を強固に固着できる。
なお、本実施の形態では、半硬化状態の絶縁板１２、１４を重ねて加熱・加圧しているが、例えば、下部絶縁層２２用の絶縁板１４と金属板１６とを先に加熱・加圧成形し、その後に、上部絶縁層２１用の半硬化状態の絶縁板１２を、上記先に成形した下部絶縁層２２上に重ねて加熱・加圧成形すると、配線パターンＰＢに凸凹が少なくなる。つまり、配線パターンＰＢにおけるＬＥＤベアチップを実装する面の平面度を向上させることができる。このため、この配線パターンＰＢに実装される各ＬＥＤベアチップＬｎｍの実装性が向上すると共にその発光層の向きを一定にすることができる。
【００５６】
４．その他
（１）ＬＥＤベアチップの実装方法について
上記の実施の形態では、ＬＥＤベアチップＬｎｍとして、電極を下（裏）面に有する下面電極型のものを使用したが、他のタイプのＬＥＤベアチップを用いてもよい。このような他のタイプとしては、電極を表裏両面に有する両面電極型、そして電極を上（表）面に有する上面電極型があり、それぞれについて説明する。
【００５７】
Ａ．両面電極型を実装する場合
両面電極型のＬＥＤベアチップが金属ベース基板に実装されてなるＬＥＤ光源について説明する。ここでは、ＬＥＤベアチップの裏面の電極が下部絶縁層の配線パターンに接続され、表面の電極が下部絶縁層（変形例１）又は上部絶縁層（変形例２）の配線パターンに接続される例について説明する。
【００５８】
なお、両面電極型のＬＥＤベアチップとしては、例えば、ＡｌＩｎＧａＰ系のものがある。
（ア）表面の電極を下部絶縁層に接続する例（本例を、「変形例１」とする。）
図７の（ａ）は、両面電極型のＬＥＤベアチップを用い、表面の電極を下部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
【００５９】
金属ベース基板３２は、同図に示すように、金属ベース３３と、金属ベース３３の表側に貼着された絶縁基板３４とを備えている。絶縁基板３４は、上記実施の形態と同様に、上部絶縁層３５と下部絶縁層３６とからなる多層（２層）構造を有し、金属ベース基板３２は、下部絶縁層３６を残して、絶縁基板３４の表面から金属ベース３３側へと凹入する凹入部Ｃ１を備えている。
【００６０】
上部絶縁板３５の表面に、上記実施の形態における配線パターンＰＡに相当する配線パターンが形成されている（図示省略）。また、下部絶縁板３６の表面にも、上記実施の形態における配線パターンＰＢに相当する配線パターンＰ１Ｂ１，Ｐ１Ｂ２が形成されている。なお、凹入部Ｃ１の形状も、上記実施の形態と同様に、平面視円形状をしている。
この配線パターンＰ１Ｂ１，Ｐ１Ｂ２は、その一部が凹入部Ｃ１内で露出し、この露出している部分にＬＥＤベアチップＬ１が接続されている。
【００６１】
ＬＥＤベアチップＬ１と配線パターンＰ１Ｂ１，Ｐ１Ｂ２との電気的接続は、その下面の電極が配線パターンＰ１Ｂ１に導電性のペーストを介してダイボンディングされることにより、また上面の電極が金線等のワイヤー３８を介して配線パターンＰ１Ｂ２にワイヤボンディングされることによりそれぞれ行われる。
ここでは、ＬＥＤベアチップＬ１の上面の電極を下部絶縁層３６上の配線パターンＰ１Ｂ２に接続しているため、凹入部Ｃ１内に露出している配線パターンＰ１Ｂ１とＰ１Ｂ２との間隔Ｌ２が０．２５ｍｍ程度必要となり、凹入部Ｃ１の平面視の穴径Ｄ２は、１．０ｍｍ程度必要となる（図７の（ａ）参照）。
【００６２】
（イ）表面の電極を上部絶縁層に接続する例（本例を、「変形例２」とする。）
図７の（ｂ）は、両面電極型のＬＥＤベアチップを用い、表面の電極を上部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板４２は、同図に示すように、上述の変形例１と略同様の構造を有し、絶縁基板４４の表側に凹入部Ｃ２を備えている。絶縁基板４４は、上記の実施の形態及び変形例１と同様に、上下の絶縁層４５、４６により構成される。
【００６３】
下部絶縁層４６の表面には、上記変形例１の配線パターンＰ１Ｂ１，Ｐ１Ｂ２に相当する配線パターンＰ２Ｂ１，Ｐ２Ｂ２が形成されている。これら配線パターンＰ２Ｂ１，Ｐ２Ｂ２のうち、一方の配線パターン、例えば、配線パターンＰ２Ｂ１の一部が凹入部Ｃ２内に露出している。
一方、上部絶縁層４５の表面には、上記実施の形態における配線パターンＰＡに相当する配線パターン（図示省略）の他、下部絶縁層４６の配線パターンＰ２Ｂ２にビアホールＶ２を介して接続されているパッドＰ２Ｃが形成されている。
【００６４】
両面電極型のＬＥＤベアチップＬ２は絶縁基板４４にダイボンディングされており、その下面の電極が配線パターンＰ２Ｂ１にダイボンド用の銀ペーストを介して接続され、また上面の電極が金線等のワイヤー４８を介してパッドＰ２Ｃにワイヤボンディングされることにより接続されている。
なお、ここでは、ＬＥＤベアチップＬ２の上面の電極を上部絶縁層４５上の配線パターンＰ２Ｃに接続しているため、凹入部Ｃ２の穴径Ｄ３は、０．５ｍｍ程度まで小さくすることができる（図７の（ｂ）参照）。
【００６５】
しかも、ＬＥＤベアチップＬ２を凹入部Ｃ２内の底面にダイボンディングする際に、ダイボンド用の銀ペーストが凹入部Ｃ２から流出することがなく、金属ベース基板４２の表面に銀ペーストが付着するのを防ぐことができる。
また、ＬＥＤベアチップＬ２の上面の電極と、上部絶縁層４５上のパッドＰ２Ｃとをワイヤー４８により接続する場合、ワイヤー４８の曲率を小さくできるので、ワイヤー４８が剥がれたり、折れたりするのを防止でき、また、効率良くボンディングできる。
【００６６】
Ｂ．上面電極型を実装する場合（変形例３、４）
上面電極型のＬＥＤベアチップが金属ベース基板に実装されてなるＬＥＤ光源について説明する。ここでは、ＬＥＤベアチップの表面の電極が下部絶縁層（変形例３）又は上部絶縁層（変形例４）の配線パターンに接続される例について説明する。
なお、上面電極型のＬＥＤベアチップとしては、例えば、ＡｌＩｎＧａＮ系のものがある。
【００６７】
（ア）両電極を下部絶縁層に接続する例（本例を、「変形例３」とする。）
図８の（ａ）は、上面電極型のＬＥＤベアチップを用い、上面の電極を下部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板５２は、同図に示すように、金属ベース５３と、金属ベース５３の表側に貼着された絶縁基板５４とを備えている。この絶縁基板５４は、実施の形態と同様に、上部絶縁層５５と下部絶縁層５６とからなる多層（２層）構造を有し、また、金属ベース基板５２は、下部絶縁層５６を残して、絶縁基板５４の表面から金属ベース５３側へと凹入する凹入部Ｃ３を備えている。
【００６８】
上部絶縁板５５の表面に、上記実施の形態における配線パターンＰＡに相当する配線パターンが形成されている（図示省略）。また、下部絶縁板５６の表面にも、上記実施の形態における配線パターンＰＢに相当する配線パターンＰ３Ｂ１，Ｐ３Ｂ２が形成されている。
この配線パターンＰ３Ｂ１，Ｐ３Ｂ２の一部は、凹入部Ｃ３内まで延伸し、その内部で露出している。そして、この露出している部分にＬＥＤベアチップＬ３の電極が接続されている。
【００６９】
具体的には、ＬＥＤベアチップＬ３は、一方の電極がワイヤー５９を介して配線パターンＰ３Ｂ１に、他方の電極がワイヤー５８を介して配線パターンＰ３Ｂ２にそれぞれ接続されている。
（イ）両電極を上部絶縁層に接続する例(本例を「変形例４」とする。)
図８の（ｂ）は、上面電極型のＬＥＤベアチップを用い、上面の両電極を上部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
【００７０】
金属ベース基板６２は、同図に示すように、上述の変形例３と略同様の構造を有し、絶縁基板６４の表側に凹入部Ｃ４を備えている。絶縁基板６４は、上記の実施の形態と同様に、上下の絶縁層６５、６６により構成される。
下部絶縁層６６の表面には、上記実施の形態における配線パターンＰＢに相当する配線パターンＰ４Ｂ１，Ｐ４Ｂ２が形成されている。なお、これら配線パターンＰ４Ｂ１，Ｐ４Ｂ２は、実施の形態及び上記変形例１〜３と異なり、凹入部Ｃ４内には露出していない。
【００７１】
一方、上部絶縁層６５の表面には、上記実施の形態における配線パターンＰＡに相当する配線パターン（図示省略）の他、下部絶縁層６６の配線パターンＰ４Ｂ１，Ｐ４Ｂ２とビアホールＶ４を介して接続するパッドＰ４Ｃ１，Ｐ４Ｃ２が形成されている。
上面電極型のＬＥＤベアチップＬ４は、その一方の電極がワイヤー６８を介してパッドＰ４Ｃ２に、他方の電極がワイヤー６９を介してパッドＰ４Ｃ１にそれぞれ接続されている。なお、本変形例においては、ＬＥＤベアチップＬ４が上部絶縁層６５にワイヤボンディングされるため、凹入部Ｃ４の穴径は、変形例３における凹入部Ｃ３の穴径よりも小さくできる。これにより上部絶縁層６５における配線パターンの形成可能な面積を広げることができる。
【００７２】
（ウ）その他
上記変形例３及び変形例４では、ＬＥＤベアチップＬ３，Ｌ４は、上部絶縁層又は下部絶縁層に形成された配線パターン又はパッドに接続されているが、例えば、ＬＥＤベアチップの一方の電極を下部絶縁層に、また他方の電極を上部絶縁層にそれぞれ接続してもよい。なお本明細書では、パッドを配線パターンに含まれるとして使用している。
【００７３】
＜第２の実施の形態＞
本実施の形態では、金属ベース基板の絶縁基板に、第１の実施の形態と同様に凹入部が形成されているが、当該凹入部は、絶縁基板を貫通して金属ベースにまで達している点で、第１の実施の形態と異なる。
１．ＬＥＤ光源の構成について
ここで、説明するＬＥＤ光源は、第１の実施の形態と同様に、金属ベース基板と、この金属ベース基板に実装された複数のＬＥＤベアチップとを備え、金属ベース基板の表面側には、凹入部が８行８列のマトリックス状に形成されており、この底にＬＥＤベアチップが実装されている。
【００７４】
なお、本実施の形態で、位置等に関係なく、単なる凹入部を指す場合は、第１の実施の形態における凹入部Ｃｎｍと区別するために、符号「２Ｃｎｍ」を用い、同様に、ＬＥＤベアチップも、第１の実施の形態と区別するために、符号「２Ｌｎｍ」を用いる。
上記の第１の実施の形態で説明した金属ベース基板１５では、凹入部Ｃｎｍが絶縁基板２０の下部絶縁層２２を残して形成されているの対し、本実施の形態における金属ベース基板は、凹入部２Ｃｎｍが絶縁層を残さずに形成されている点で異なる。本実施の形態における凹入部２Ｃｎｍの位置、金属ベース基板の構成等は、第１の実施の形態と同様であるため、これらの説明は省略する。
【００７５】
図９は、第１の実施の形態での図２におけるＡ部に相当する部分の詳細図である。図１０は、図９の２Ｘ−２Ｘ線を含む鉛直面で切断したときの矢印方向からみた断面図である。図１１は、図９に示す部分における下部絶縁層を示している。
なお、Ａ部は、凹入部２Ｃｎｍのうち、ｎが７と８、ｍが３〜５までの計６個が含まれる範囲であり、他の範囲における凹入部２Ｃｎｍ、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍ等の構造及び実装状態もＡ部と同じである。
【００７６】
それでは、本実施の形態を図９〜１１に基づいて以下に説明する。
金属ベース基板２１５は、図９〜図１１に示すように、上部絶縁層２２１と下部絶縁層２２２とからなる絶縁基板２２０と、金属ベース２２４とからなり、表面から金属ベース２２４側に凹入する凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５が形成されている。
凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５は、図１０に示すように、絶縁基板２２０を貫通しており、凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５の底がちょうど金属ベース２２４の絶縁基板２２０側の面となっている。
【００７７】
凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５は、図９〜図１１に示すように、上部絶縁層２２１に設けられた上部開口２Ｃ７３ａ〜２Ｃ７５ａ、２Ｃ８３ａ〜２Ｃ８５ａと、下部絶縁層２２２に設けられた下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂとからなる。
絶縁基板２２０には、第１の実施の形態における絶縁基板２０と同様に、各絶縁層２２１、２２２の表側の面に配線パターン２ＰＡ、２ＰＢが形成されている。なお、配線パターン２ＰＢが本発明の第３の配線パターンに相当し、配線パターン２ＰＡが第４の配線パターンに相当する。
【００７８】
下部絶縁層２２２は、第１の実施の形態の配線パターンＰＢと同様な、配線パターン２ＰＢを備えるが、ＬＥＤベアチップ２Ｌ７３〜２Ｌ７５、２Ｌ８３〜２Ｌ８５を実装する部分に下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂが設けられている点で、第１の実施の形態における下部絶縁層２２と異なる。
上部開口２Ｃ７３ａ〜２Ｃ７５ａ、２Ｃ８３ａ〜２Ｃ８５ａの穴径は、図９〜図１１に示すように、下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂの穴径よりも大となっている。
【００７９】
また、図９に示すように、下部絶縁層２２２上に形成された奇数列部２ＢＯ７、２ＢＯ８と偶数列部２ＢＥ７、２ＢＥ８とが、下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂ近傍まで形成されており、配線パターン２ＰＢにおける下部開口２Ｃ７３ｂ〜２Ｃ７５ｂ、２Ｃ８３ｂ〜２Ｃ８５ｂ近傍部分が、凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５内に露出している。
【００８０】
ＬＥＤベアチップ２Ｌ７３〜２Ｌ７５、２Ｌ８３〜２Ｌ８５は、図９〜図１１に示すように、凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５の底、つまり、凹入部内の金属ベース２２４の表側の面に実装される。
このＬＥＤベアチップ２Ｌ７３〜２Ｌ７５、２Ｌ８３〜２Ｌ８５は、上面に両電極を有する上面電極型であって、下（裏）面が凹入部２Ｃ７３〜２Ｃ７５、２Ｃ８３〜２Ｃ８５の底に相当する金属ベース２２４の表面にダイボンディングされ、また、ＬＥＤベアチップ２Ｌ７３〜２Ｌ７５、２Ｌ８３〜２Ｌ８５の表面の電極が、ワイヤー２１８，２１９を介して配線パターン２ＰＢ（奇数列部２ＢＯ７、２ＢＯ８と偶数列部２ＢＥ７、２ＢＥ８）にワイヤボンディングされている。
【００８１】
なお、上面に両電極を有する上面電極型のＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍとしては、例えば、変形例３及び変形例４で説明したような、ＡｌＩｎＧａＮ系のものがある。
上記のＬＥＤ光源に用いている金属ベース基板２１５は、裏側に金属ベース２２４を備えると共に、絶縁基板２２０を厚さ方向に貫通する凹入部２Ｃｎｍを表側に備えている。そして、この凹入部２Ｃｎｍの底面に相当する金属ベース２２４にＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍが直接実装されている。
【００８２】
このため、２層の絶縁層２２１、２２２からなる絶縁基板２２０を用いた金属ベース基板２１５を使用しているにも拘わらず、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍが発光時に発生する熱は、直接金属ベース２２４へと伝わって、金属ベース２２４から放熱される。
したがって、本第２の実施の形態では、放熱経路において放熱特性を著しく低下させる絶縁層を経由しないため、第１の実施の形態を超える放熱効果を得ることができる。
【００８３】
２．ＬＥＤ光源の具体的構成について
上記のＬＥＤ光源１０について具体例について説明する。
各ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍは、３００μｍ角、高さ１００μｍである。
凹入部２Ｃｎｍの形状は、図９に示すように、略円形状であって、上部開口２Ｃｎｍａの穴径Ｄ４が１．０ｍｍであり、下部開口２Ｃｎｍｂの穴径Ｄ５が０．５ｍｍである（図１０参照）。
【００８４】
下部開口２Ｃｎｍｂの寸法は、使用しているＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍの一辺の長さが３００μｍであることから、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍの実装に最低でも穴径で０．４４ｍｍは必要となる。
しかしながら、穴径Ｄ５があまり大きくなると、隣接するＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍの実装間隔が大きくなり、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍを高密度実装できなくなる。
【００８５】
なお、下部絶縁層２２２及び上部絶縁層２２１の厚み、絶縁基板２２０の材料、金属ベース２２４の材料及び厚さについては、第１の実施の形態と同様である。
３．金属ベース基板の製造方法について
本実施の形態における金属ベース基板２１５は、第１の実施の形態で説明した製造方法を用いて製造できる。
【００８６】
つまり、第１の実施の形態では、上部絶縁層にのみ貫通孔が形成されていたが、本実施の形態では、上部貫通孔の穴径よりも小さい貫通孔を下部絶縁層用の絶縁板に形成し、これらを上部絶縁層用の絶縁板と、下部絶縁層用の絶縁板と、金属ベース用の金属板とを重ねて、加熱・加圧して一体化すればよい。
４．その他
（１）実装方法について
上記の第２の実施の形態では、ＬＥＤベアチップ２Ｌｎｍの電極がワイヤボンディングにより下部絶縁層２２２の配線パターン２ＰＢ（２ＢＥｎ、２ＢＯｎ）に接続されている（図９〜図１１参照）が、他の絶縁層に電極を接続しても良い。
【００８７】
図１２は、表面の両電極を上部絶縁層に接続する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。なお、表面の両電極を上部絶縁層に接続する本例を、変形例５とする。
金属ベース基板２５２は、同図に示すように、第２の実施の形態と略同様の構造を有し、絶縁基板２５４を貫通する凹入部２Ｃ１を備えている。なお、絶縁基板２５４は、上記の実施の形態と同様に、上下の絶縁層２５５，２５６により構成される。
【００８８】
下部絶縁層２５６の表面には、上記第２の実施の形態における配線パターン２ＰＢに相当する配線パターン２ＰＢ１，２ＰＢ２が形成されている。なお、これら配線パターン２ＰＢ１，２ＰＢ２は凹入部２Ｃ１内には露出していない。
一方、上部絶縁層２５５の表面には、上記第２の実施の形態における配線パターン２ＰＡに相当する配線パターン（図示省略）の他、下部絶縁層２５６の配線パターン２ＰＢ１、２ＰＢ２とビアホール２Ｖ１を介して接続するパッド２ＰＣ１，２ＰＣ２が形成されている。
【００８９】
上面電極型のＬＥＤベアチップ２Ｌ１は、その一方の電極がワイヤー２３９を介してパッド２ＰＣ１に、他方の電極がワイヤー２３８を介してパッド２ＰＣ２にそれぞれ接続されている。
＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態は、金属ベース基板の絶縁基板に表面に発光体を実装し、前記絶縁基板は、前記発光体と金属ベースとの間に伝熱部材を設けている。
【００９０】
１．ＬＥＤ光源の構成について
図１３は本実施の形態における金属ベース基板の平面図である。
金属ベース基板３１０は、第１及び第２の実施の形態と同様に、無機フィラー入りの熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁層（本実施の形態では２層）の表面に銅（Ｃｕ）製の配線パターンが形成された絶縁基板３２０（図１６参照）と、当該絶縁基板３２０の下層側の絶縁層に取着された金属ベース３２４（図１６参照）とからなる。
【００９１】
なお、後述の図１６に示すように、絶縁基板３２０を構成する２層の絶縁層の内、表面（上）側の層を上部絶縁層３２１、裏面（下）側の層を下部絶縁層３２２とそれぞれいう。図１３では、金属ベース基板３１０の表層にある上部絶縁層３２１のみが現れている。
金属ベース基板３１０には、第１及び第２の実施の形態と同様に、６４個のＬＥＤベアチップが８行８列のマトリックス状に整然と実装される。各ＬＥＤベアチップの実装位置を符号３Ｄｎｍ（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）で示す。
【００９２】
図１４は、上部絶縁層を取り除いた状態を平面視した下部絶縁層の平面図である。
図１３及び図１４に示す上部絶縁層３２１及び下部絶縁層３２２に設けられた配線パターン３ＰＡ，３ＰＢは、主に、各行における奇数列目のＬＥＤベアチップと、偶数列目のＬＥＤベアチップとをそれぞれを直列に接続する目的で形成されている。なお、配線パターン３ＰＡ、３ＰＢの順序は、４行目と５行目の間で、その順序が逆となっている。
【００９３】
このため、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡは、図１３に示すように、各行に対応して、偶数列の４個のＬＥＤベアチップ（例えば、１行目では、３Ｄ１２、３Ｄ１４、３Ｄ１６、３Ｄ１８の４箇所に実装されるＬＥＤベアチップ）のみを直列に接続するために行（横）方向に形成された偶数列部３ＡＥｎと、奇数列の４個のＬＥＤベアチップ（例えば、１行目では、３Ｄ１１、３Ｄ１３、３Ｄ１５、３Ｄ１７の４箇所に実装されるＬＥＤベアチップ）のみを直列に接続するために行（横）方向に形成された奇数列部３ＡＯｎと、各行のＬＥＤベアチップに給電するための給電端子部３ＡＳとを備えている（ｎは行数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）。
【００９４】
各行の奇数列部３ＡＯｎ及び偶数列部３ＡＥｎは、互い対向する側が列方向に凹凸する波形状をしており、一方の凹に他方の凸が入るように組み合わさって、ＬＥＤベアチップを略行方向に１列に実装するようになっている。なお、給電端子部３ＡＳは、所定の行のＬＥＤベアチップに給電できるように形成されている。
一方、下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢでは、図１４に示すように、上部絶縁層３２１の各行の奇数列部３ＡＯｎと偶数列部３ＡＥｎとに対応して、横方向に延伸する、奇数列部３ＢＯｎと３偶数列部３ＢＥｎがそれぞれ形成されている（ｎは行数を示し、１〜８の整数である。）。この奇数列部３ＢＯｎ及び偶数列部３ＢＥｎも、上記の奇数列部３ＡＯｎと偶数列部３ＡＥｎと同様に、互いに対向する側が列方向に凹凸する波形状をしており、一方の凹に他方の凸が入るように組み合わさっている。
【００９５】
次に、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡと下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢとの接続関係について説明する。ここでは、１行目を例として、図１３及び図１４を用いて具体的に説明する。
なお、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡの１行目の偶数列部３ＡＥ１に接続する給電端子部３ＡＳ１及び８行目の奇数列部３ＡＯ８に接続する給電端子部３ＡＳ２がそれぞれ高電位となっている。
【００９６】
まず、上部絶縁層３２１の偶数列部３ＡＥ１と奇数列部３ＡＯ１とは、偶数列部３ＡＥ１の低電位側３Ｐ１が下部絶縁層３２２の偶数列部３ＢＥ１の左側端部３Ｐ１に接続され、この偶数列部３ＢＥ１の右寄り部３Ｐ２が上部絶縁層３２１の奇数列部３ＡＯ１の高電位側３Ｐ２に接続されることで直列に接続される。
また、１行目の奇数列部３ＡＯ１と、次の行である２行目の奇数列部３ＡＯ２とは、奇数列部３ＡＯ１の低電位側３Ｐ３が下部絶縁層３２２の奇数列部３ＢＯ１の左側端部３Ｐ３に接続され、この奇数列部３ＢＯ１の右端寄り部３Ｐ４が上部絶縁層３２１の奇数列部３ＡＯ２の高電位側３Ｐ４に接続されることで直列に接続される。
【００９７】
このようにして、上部絶縁層３２１における、１行目から４行目までが直列に接続され、４行目の偶数列部３ＡＥ４の低電位側が、下部絶縁層３２２の偶数列部３ＢＥ４を介して給電端子部３ＡＳ３に接続される。なお、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡと、下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢとの接続は、例えばビアホールを介してなされている。
【００９８】
従って、１行目から４行目のＬＥＤベアチップを発光させる場合には、１行目の偶数列部３ＡＥ１の高電位側の給電端子部３ＡＳ１と低電位側の給電端子部３ＡＳ３とに印加すればよいことになる。なお、５行目から８行目も同様に、偶数列部３ＡＥ８の高電位側の給電端子部３ＡＳ２と低電位側の給電端子部３ＡＳ４とに印加すれば、５行目から８行目に実装されているＬＥＤベアチップを発光させることができる。
【００９９】
図１５は、図１３におけるＢ部の詳細図で、下部絶縁層３２２を見せるために、上部絶縁層３２１の一部を取り除いている。図１６は、図１５の３Ｘ−３Ｘ線を含む鉛直面で切断して矢印方向から見たときの断面図である。
ここで、各ＬＥＤベアチップの実装位置３Ｄ１１〜３Ｄ８８に実装されているＬＥＤベアチップの符号を「３Ｌｎｍ」とし（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）、第１及び第２の実施の形態におけるＬＥＤベアチップと区別する。
【０１００】
下部絶縁層３２２には、図１５及び図１６に示すように、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡに実装されているＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装位置３Ｄ１１〜３Ｄ８８の裏側（つまり下部絶縁層３２２の表側の面）に、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発光時に発生する熱を、その裏側（下方）の金属ベース３２４へと伝えるための伝熱部材３Ａｎｍ（ｎは行数を、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。）が設けられている。この伝熱部材３Ａｎｍは、下部絶縁層３２２上に形成されている配線パターン３ＰＢの一部により構成されている。
【０１０１】
上記構成によれば、下部絶縁層３２２の表側の面にＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装位置３Ｄｎｍに対応して伝熱部材３Ａｎｍ(配線パターン３ＰＢ)が配されているので、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発光時に発生する熱が、伝熱部材３Ａｎｍを介して金属ベース３２４に伝わって放出される。これにより、絶縁基板を多数の絶縁層からなる多層構造にしても、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発生した熱が伝熱部材３Ａｎｍを介して金属ベース３２４から放熱されるので、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発光効率が低下したり、短寿命になったりするのを防止することができる。
【０１０２】
さらに、金属ベース基板３１０は、上部絶縁層３２１と下部絶縁層３２２とから成る多層構造を有しているので、例えば、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍを高密度実装する際に、パターンルール上の制限から上部絶縁層３２１の広さでは配線パターンが全て形成できないような場合でも、下部絶縁層３２２に配線パターン３ＰＢを形成することができる。
この場合、表面のＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍと金属ベース３２４とが厚み方向に離れることになるが、上述のように、両者の間に位置する下部絶縁層３２２には伝熱部材３Ａｎｍが形成されているので、発光時に生じる熱は、その伝熱部材３Ａｎｍを通って金属ベース３２４に伝わり、金属ベース３２４から放熱される。
【０１０３】
２．ＬＥＤ光源の具体的構成について
上記の金属ベース基板３１０について具体例について説明する。
絶縁基板３２０を構成する上部絶縁層３２１及び下部絶縁層３２２の厚みは、略０．１ｍｍである。上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡの厚みは、部分的に狭ギャップのパターンを必要とするため約９μｍとしている。これに対し、下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢの厚みは、一般的な３５μｍの銅箔を用いており、下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢの方が配線パターン３ＰＡよりも厚くなっている。
【０１０４】
このように下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢが、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡよりも厚くなっているので、より多くの熱を金属ベース３２４へと伝えることができる。
ここで、伝熱部材３Ａｎｍの厚みは、上下の絶縁層３２１、３２２の厚みに対して１／４以上が好ましい。これは、伝熱部材３Ａｎｍの厚みが１／４未満だと金属ベース３２４に伝える熱量が少なく、放熱効果が小さいからである。
【０１０５】
なお、金属ベース３２４及びＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍも、第１の実施の形態で説明したものと同じであり、また、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装位置等についても、第１の実施の形態と同様である。
３．金属ベース基板の製造方法について
図１７は、金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
【０１０６】
この図１７を参照しながら、金属ベース基板３１５の製造方法について簡単に説明する。
まず、上部絶縁層３２１について説明する。上部絶縁層３２１用の半硬化状態の絶縁板３１２の所定位置にビア用の貫通孔を打ち抜き加工等により形成し、この貫通孔に導電性ペーストを充填する。これにより、所定位置にビアを有する絶縁板３１２が得られる。
【０１０７】
次に、この絶縁板３１２の両面に配線パターン３ＰＡ、３ＰＢ用の銅箔を貼着し[工程（ｂ）]、上面では銅箔における配線パターン３ＰＡに対応する部分を残し、また下面では配線パターン３ＰＢに対応する部分を残し、それぞれ不要な銅箔部分を、エッチングにより除去する。
これにより、絶縁板３１２の上面に上部絶縁層３２１に対応した配線パターン３ＰＡが、また下面に下部絶縁層３２２に対応した配線パターン３ＰＢがそれぞれ形成されることになる[工程（ｃ）]。
【０１０８】
次に、下部絶縁層３２２用の半硬化状態の絶縁板３１４を準備し[工程（ｄ）]、上記の絶縁板３１２、用意した絶縁板３１４及び金属ベース３２４用の金属板３１６とを、絶縁板３１２が表側となるようにその順序で重ねあわせて[工程（ｅ）]、加圧及び加熱する。これにより、上下の絶縁板３１２，３１４が接合されると共に下側の絶縁板３１４と金属板３１６とが接合されて、上下の絶縁層３２１、３２２と金属ベース３２４との３層からなる金属ベース基板３１５が完成する[工程（ｆ）]。
【０１０９】
なお、上記のようにして製造された金属ベース基板３１０の実装位置３ＤｎｍにＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍがフリップチップ実装されると、ＬＥＤ光源が完成する。また、本実施の形態においても、絶縁板３１２，３１４を重ねて硬化して層構造になったものを、上部絶縁層３２１、下部絶縁層３２２としている。
上記のように配線パターン３ＰＡ、３ＰＢをエッチングにより形成しているので、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装位置３Ｄｎｍに対応して伝熱部材３Ａｎｍを設ける際にも、配線パターン３ＰＢのパターン形成時に、伝熱部材も含めて行えば良く伝熱部材３Ａｎｍを容易に形成できる。
【０１１０】
また、表面に配線パターン３ＰＡ，３ＰＢが形成された半硬化状態の絶縁板３１２及び絶縁板３１４を重ねて加熱・加圧しているので、硬化後において、上部絶縁層３２１の配線パターン３ＰＡの表面と、上部絶縁層３２１の表面であって配線パターン３ＰＡが形成されていない部分とが略同じ高さにできる。
つまり、絶縁板３１２として、無機フィラーと樹脂材料とから構成されるコンポジット材料を用いているために加熱時に軟化し、配線パターン３ＰＡが略埋設されるために、加熱後の上部絶縁層３２１の表面を略面一状にできる。
【０１１１】
このため、絶縁基板の表面の凹凸が略無くなり、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの実装がより容易になり、また各ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍの発光層の向きを一定にした状態でそれを実装することが容易にできる。
さらに、図１４に示すように、配線パターン３ＰＢは、下部絶縁層３２２の表面の全体に亘って形成されているが、奇数列部３ＢＯｎと偶数列部３ＢＥｎは互いに離れている。これにより下部絶縁層３２２の上面（配線パターン側）と上部絶縁層３２１の下面（ＬＥＤベアチップ実装面と反対側）とが、配線パターン３ＰＢが形成されていない部分で直接結合できる。従って、放熱性能を上げるために配線パターン３ＰＢの面積を広くしても、上下の絶縁層３２１，３２２を強固に結合することができる。
【０１１２】
＜第４の実施の形態＞
第３の実施の形態における下部絶縁層３２２の配線パターン３ＰＢは、伝熱部材３Ａｎｍを含むように形成されている。これに対して本第４の実施の形態では、配線パターンとは別に伝熱部材を設けたものである。なお、第４の実施の形態では、各部材部品等の符号に第３の実施の形態で用いた３００番台を４００番台に、また英字の前に付していた「３」を「４」に変更したものを使用する。
【０１１３】
図１８は、第４の実施の形態における金属ベース基板の平面視の拡大図であって、下部絶縁層を見せるために、上部絶縁層の一部を取り除いている。以下、同図を用いて説明する。
ＬＥＤベアチップ４Ｌ７４〜４Ｌ７６、４Ｌ８４〜４Ｌ８６は、第３の実施の形態と同様に、上部絶縁層４２１に形成された配線パターン４ＰＡ（７行目及び８行目の４ＡＥ７、４ＡＥ８、４ＡＯ７、４ＡＯ８）にフリップチップ実装されている。なお、図１８に示すＬＥＤベアチップ４Ｌ７４〜４Ｌ７６、４Ｌ８４〜４Ｌ８６以外のＬＥＤベアチップも、同様に金属ベース基板４１５の表面に実装されているが、図面の便宜上拡大図で説明する。
【０１１４】
下部絶縁層４２２には、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍ用の配線パターン４ＰＢ（７行目及び８行目の４ＢＥ７、４ＢＥ８、４ＢＯ７、４ＢＯ８）が形成されている。さらに、下部絶縁層４２２には、上部絶縁層４２１のＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍ（４Ｌ７４〜４Ｌ７６、４Ｌ８４〜４Ｌ８６）の実装位置に対応して、円形状の伝熱部材４Ａ７４〜４Ａ７６、４Ａ８４〜４Ａ８６）が形成されている。
【０１１５】
この伝熱部材４Ａｎｍは、第３の実施の形態と同様に、上部絶縁層４２１に実装されたＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍの発光時に発生した熱を金属ベースへと伝えるためのものである。従って、熱を伝えるために伝熱部材４Ａｎｍは、上部絶縁層４２１及び下部絶縁層４２２を構成する材料よりも熱伝導率が大きい材料が用いられている。具体的には、上部・下部絶縁層４２１、４２２は、上記第３の実施の形態で説明したコンポジット材料（主成分は樹脂材料）を用い、伝熱部材４Ａｎｍは、配線パターン４ＰＡ、４ＰＢの材料と同じ銅が用いられている。
【０１１６】
伝熱部材４Ａｎｍは、第３の実施の形態と同様に、下部絶縁層４２２上の配線パターン４ＰＢと同時に形成される。つまり、第３の実施の形態とは、伝熱部材が配線パターンに含まれているか否かの違いだけである。ここで、配線パターン４ＰＢは、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍの発光時に、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍに電流を給電するためのものであり、ここでの伝熱部材４Ａｎｍとは機能上異なる。
【０１１７】
本実施の形態における金属ベース基板も、第３の実施の形態と同様に、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍに対応して伝熱部材４Ａｎｍを有しているので、ＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍの発光時の熱を伝熱部材４Ａｎｍから金属ベースへと伝えることができる。
また、伝熱部材４Ａｎｍが、配線パターン４ＰＢと離れて独立して設けられているため、上部絶縁層４２１と下部絶縁層４２２とが直接接合する面積が、第３の実施の形態よりも広くなり、第３の実施の形態に比べて、上部・下部絶縁層４２２、４２１との接合力を高めることができる。
【０１１８】
なお、第３の実施の形態及び本実施の形態で説明した伝熱部材３Ａｎｍ、４Ａｎｍは、平面視円形状をしているが、多角形状、楕円形状等の他の形状であっても良い。伝熱部材３Ａｎｍ、４Ａｎｍの平面視の大きさは、ＬＥＤベアチップ３Ｌｎｍ、４Ｌｎｍの平面視の大きさよりも大きい方が好ましく、第３及び第４の実施の形態では、伝熱部材３Ａｎｍ、４Ａｎｍの直径が５００μｍであった。
【０１１９】
さらに、第４の実施の形態では、１個のＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍに対応して、１個の伝熱部材４Ａｎｍが設けられているが、例えば、２個のＬＥＤベアチップ４Ｌｎｍに対応して１個の伝熱部材が設けられても良い。さらに、伝熱部材は、複数（例えば、奇数列部の４個又は偶数列部の４個）のＬＥＤベアチップに対応するように、左右方向に帯状に設けても良い。
【０１２０】
４．その他
（１）絶縁基板について
上記の第４の各実施の形態では、上部絶縁層４２１と下部絶縁層４２１の２層から構成された絶縁基板４２０を用いているが、絶縁基板の層数は２層に限定するものではない。
Ａ．絶縁基板が単層の場合（変形例６）
図１９は、コンポジット材料を１層用いた場合のＬＥＤ光源の縦断面図を示す。
【０１２１】
金属ベース基板４３２は、同図に示すように、単層構造の絶縁基板４３４と、この絶縁基板４３４の裏面に取着された金属ベース４３３とからなる。ＬＥＤベアチップ４Ｌ１は、絶縁基板４３４の表面の配線パターン４Ｐ１１、４Ｐ１２にフリップチップ実装されている。
なお、コンポジット材料からなる絶縁層を１層有する金属ベース基板を用いた本例を変形例６とする。
【０１２２】
一方、絶縁基板４３４の裏面には、ＬＥＤベアチップ４Ｌ１の実装位置に対応した位置に伝熱部材４Ａ１が形成されている。なお、ここでの例では、絶縁基板の裏面に配線パターンを形成していないが、例えば裏面に配線パターンを形成する場合には、金属ベースとの間に絶縁層を設けたり、金属ベースに絶縁処理、例えば、アルマイト処理を施したりする必要がある。
【０１２３】
本構成によれば、絶縁基板４３４が単層であるので放熱特性にも優れるが、伝熱部材４Ａ１を裏面に備えているので、さらに放熱特性を向上させることができる。
なお、伝熱部材４Ａ１は、絶縁基板４３４の裏面に形成されているが、例えば、絶縁基板４３４にコンポジット材料を用いることで、図１９に示すように、伝熱部材４Ａ１と、絶縁基板４３４の裏面であって伝熱部材４Ａ１のない部分との高さが略一致すように、伝熱部材４Ａ１を形成することもできる。
【０１２４】
このように伝熱部材４Ａ１を絶縁基板４３４の裏面に埋設すると、伝熱部材４Ａ１は、表面のＬＥＤベアチップ４Ｌ１とも近くなり、さらに伝熱部材４Ａ１と金属ベース４３３とが接触することになり、さらに放熱特性を向上させることができる。
Ｂ．絶縁基板が３層以上の場合
本発明は、上記の第３及び第４の実施の形態や変形例６で説明したような２層構造の絶縁基板、或いは単層構造の絶縁基板を用いた金属ベース基板に限定するものではない。例えば、ＬＥＤベアチップが、その発光色が赤、青、緑の３種類からなり、各色の配線パターンを層ごとに形成する場合に、３層構造の絶縁基板、或いは４層構造の絶縁基板を用いることがある。このような場合にも、表層に実装されるＬＥＤベアチップに対応して各層、或いは、１層、複数層おきに伝熱部材を設けても良い。
【０１２５】
当然、放熱作用を考慮すると、各層に伝熱部材を形成するのが最も好ましいが、たとえ、複数層の内の１層でも伝熱部材を設けることで、全く伝熱部材を設けていない場合に比べて、放熱特性を改善させることができる。
（２）ＬＥＤベアチップについて
上記第４の実施の形態及び変形例６では、ＬＥＤベアチップに、両電極を下面に備える下面電極型を用いたが、他のタイプのＬＥＤベアチップを用いても良い。他のタイプとしては、第１の実施の形態の「４．その他」の欄で説明したように、両面電極型、上面電極型がある。以下、それぞれのＬＥＤベアチップを実装する場合について説明する。
【０１２６】
Ａ．両面電極型を実装する場合（変形例７）
図２０の（ａ）は、両面電極型のＬＥＤベアチップを用い、絶縁基板の表面に実装する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板４４２は、同図に示すように、金属ベース４４３と、金属ベース４４３の表側に貼着された絶縁基板４４４とを備えている。絶縁基板４４４は、上記変形例６と同様に、１層構造を有している。
【０１２７】
絶縁基板４４４の表面には、上記変形例６における配線パターン４Ｐ１１，４Ｐ１２に相当する配線パターン４Ｐ２１，４Ｐ２２が形成され、また、裏面には、ＬＥＤベアチップ４Ｌ２の実装位置の裏側に相当する位置に伝熱部材４Ａ２が形成されている。
ＬＥＤベアチップ４Ｌ２は、上述にように、両面電極型であり、裏面が配線パターン４Ｐ２２に、例えば、ＬＥＤベアチップ４Ｌ２のダイボンド用の銀ペーストにより接続され、表面の電極がワイヤー４４８にて配線パターン４Ｐ２１に接続されている。
【０１２８】
このようにＬＥＤベアチップ４Ｌ２に両面電極型のものを用いることができる。この場合においても、ＬＥＤベアチップ４Ｌ２の裏側に伝熱部材４Ａ２が形成されているので、ＬＥＤベアチップ４Ｌ２の発光時に発生する熱は、伝熱部材４Ａ２、金属ベース４４３から放出されることになる。
Ｂ．上面電極型を実装する場合（変形例８）
図２０の（ｂ）は、上面電極型のＬＥＤベアチップを用い、絶縁基板の表面に実装する例におけるＬＥＤベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
【０１２９】
金属ベース基板４５２は、上記変形例７と同様に、金属ベース４５３と１層構造の絶縁基板４５４とを備え、絶縁基板４５４の表面には配線パターン４Ｐ３１、４Ｐ３２が、裏面には伝熱部材４Ａ３がそれぞれ形成されている。
ＬＥＤベアチップ４Ｌ３は、上述のように、上面電極型であり、一方の電極がワイヤー４５９を介して配線パターン４Ｐ３１に、また他方の電極がワイヤー４５８を介して配線パターン４Ｐ３２にそれぞれ接続されている。
【０１３０】
Ｃ．その他
上記の変形例７及び変形例８は変形例６を基にしているが、ＬＥＤベアチップとして、両面電極型、上面電極型であっても、第３の実施の形態及び第４の実施の形態に適用できるのは、言うまでもない。但し、これらのＬＥＤベアチップを用いる場合には、変形例７及び変形例８に示すようにワイヤボンディング等を用いる必要がある。
【０１３１】
＜他の変形例＞
以上、本発明にかかる発光体用金属ベース基板及びこの基板を用いたＬＥＤ光源について第１〜第４の実施の形態及び変形例１〜８に基づいて説明したが、本発明の内容が、上記の各実施の形態、さらには各変形例に示された具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例をさらに実施することができる。
【０１３２】
１．第１及び第２の実施の形態における凹入部について
上記の第１及び第２の実施の形態、さらには、変形例１〜変形例５では、凹入部を平面視円形状に形成しているが、他の形状、例えば、四角形、三角形等の多角形、楕円形状でも良い。さらに、凹入部を溝状（連続状）に形成し、この中に、複数のＬＥＤベアチップを実装するようにしても良い。
【０１３３】
また、上記の第１の実施の形態及び変形例１〜変形例４における凹入部は、金属ベースが取着している絶縁層を一層残してその表面側の絶縁層を貫通して、絶縁層１層分の厚さ分が凹入するよう設けられているが、このように絶縁層１層だけを残す構成に限定するものではない。例えば、絶縁基板が３層以上絶縁層を有する多層構造であれば、金属ベース側の絶縁層を層単位、例えば２層残して凹入部を形成しても良い。但し、残す絶縁層を１層にするのが一番放熱特性に優れる。
【０１３４】
或いは、絶縁基板の層数が、３層以上ある場合は、例えば、凹入部を段差状に形成しても良い。具体的は、表層の絶縁層に形成されている貫通孔の大きさが、中間層の絶縁層に形成されている貫通孔より大きくしてもよい。さらにその場合は、表層、中間層のそれぞれを貫通する孔の形状を異なるようにしても良い。このような構成にすれば、例えば、ＬＥＤベアチップの上面の電極を中間層の配線パターンにワイヤボンディングできたり、或いは表層の配線パターンにワイヤボンディングできたり、配線パターンの自由度が広がる。
【０１３５】
さらに、凹入部は、金属ベースが貼着する絶縁層も凹入するように形成されていても良い。この場合は、例えば、絶縁基板が２層構造であるとき、凹入部を段差状に形成して、金属ベース側の絶縁層の表面が露出するようにすれば、金属ベース側の絶縁層の表面に形成されている配線パターンに発光素子を接続することができる。
２．伝熱部材について
上記の第３及び第４の実施の形態では、伝熱部材に銅が用いられていたが、絶縁基板を構成する材料の熱伝導率よりも高い材料であれば、ＬＥＤベアチップが発光したときの熱を、伝熱部材を備えていないものに対して、効率良く金属ベースへと伝えることができる。但し、実際の使用における熱伝導性を考慮すると、伝熱部材に金属材料を用いる方が好ましい。このような材料には、例えば、アルミニウム、金、銀等がある
３．ＬＥＤ光源について
（ａ）他のＬＥＤ光源の例１（変形例９、１０）について
上記の各実施の形態及ぶ各変形例におけるＬＥＤ光源は、金属ベース基板とＬＥＤベアチップとを備える構造をしているが、本発明の発光光源は、この構成に限定するものではなく、例えば、ＬＥＤベアチップを覆うように各種のレンズ、反射板等を装着しても良く、以下、これらを装着したＬＥＤ光源について説明する。
【０１３６】
なお、ここで説明する例は、第１の実施の形態における金属ベース基板１５にＬＥＤベアチップＬｎｍを実装したものに、レンズ、反射板等を取着したものを利用するため、第１の実施の形態と同様な構成の部材等については同じ符号を用いることにする。
図２１は、レンズ板及び反射板を備えるＬＥＤ光源を示す斜視図である。図２２は、ＬＥＤベアチップの実装位置周辺を拡大した断面図である。なお、図２１及び図２２に示すＬＥＤ光源の例を変形例９とする。
【０１３７】
変形例９におけるＬＥＤ光源３０は、図２１及び図２２に示すように、ＬＥＤベアチップＬｎｍが実装されている金属ベース基板１５（上記第１の実施の形態での金属ベース基板と同じ構成）と、この金属ベース基板１５の表面に取着された反射板２６と、この反射板２６の表面に取着されたレンズ板２５とを備える。
反射板２６は、図２２に示すように、各ＬＥＤベアチップＬｎｍ（ここでは、Ｌ７３、Ｌ７４、Ｌ７５）に対応する位置に貫通孔２８が形成されている。つまり、８行８列のマトリックス状に貫通孔２８を６４個備えている。この貫通孔２８は、上部絶縁層２１側の径が小さいコーン状に形成されていると共に、上部絶縁層２１側における周縁が、金属ベース基板１５の凹入部Ｃｎｍの表（図２２における上）側における周縁と略一致するようになっている。
【０１３８】
この反射板２６には、例えば、アルミニウムの金属板が使用されており、上部絶縁層２１上の配線パターン（ＰＡ）との絶縁性を確保するために、アルマイト処理が施されている。なお、各貫通孔２８におけるコーン状に傾斜する部分は、ＬＥＤベアチップＬｎｍから発せられた光を反射させるために、鏡面状に仕上げられていたり、白色の反射膜等が塗布されたりしている。なお、反射板２６の貫通孔２８内には、内部のＬＥＤベアチップＬｎｍを封入する樹脂体２９が充填されている。
【０１３９】
レンズ板２５は、図２２にも示すように、反射板２６に重ねられ、反射板２６の貫通孔２８に対応する位置に、ＬＥＤベアチップＬｎｍと反対側（上側）に半球状に突出してなるレンズ部２７を備えている。ここではレンズ板２５は、例えば、透過性を有するエポキシ樹脂からなる。
ＬＥＤベアチップＬｎｍは、上記実施の形態と同様に、ＡｌＩｎＧａＮを用いている。このため、例えば、レンズ部２７、またはＬＥＤベアチップＬｎｍを封入する樹脂体２９に、蛍光体を設ける（樹脂体に蛍光体を混入することで設けることができる）と、ＬＥＤベアチップＬｎｍから発せられた光によって蛍光体を励起させて可視光を得ることができる。例えば、蛍光体に、ＹＡＧ系のものを用いると、青色光を白色光に変換できる。
【０１４０】
なお、本変形例９では、レンズ板２５は、平板形状をしており、ＬＥＤベアチップＬｎｍの実装位置に対応する位置にレンズ部２７が形成されたものであるが、各ＬＥＤベアチップＬｎｍの実装位置にレンズ部が形成されていれば、平板状でなくても良い。つまり、図２２では、各レンズ部２７は、板状部２５ａにより隣合うレンズ部２７同士が繋がっているが、図２３に示すように、反射板２６の各貫通孔２８に対応して独立したレンズ部２７Ａを設けても良い。なお、図２３に示すＬＥＤ光源の例を、「変形例１０」とする。
【０１４１】
この場合、変形例９で説明した、ＬＥＤベアチップＬｎｍを封入する樹脂体２９の代わりに、レンズ部２７ａを構成する樹脂を用いて反射板２６の貫通孔２８内に充填しても良い。なお、変形例９のように、反射板２６の貫通孔２８内に、ＬＥＤベアチップＬｎｍを封入する樹脂体２９が充填し、そのあと、レンズ用の樹脂（上記例では、エポキシ樹脂。）でレンズ部２７Ａを形成しても良いのは言うまでもない。このようにしても、ＬＥＤベアチップＬｎｍから発せられた光は、レンズ部２７Ａを通って表側へと射出される。
【０１４２】
また、ここでは、第１の実施の形態で説明した金属ベース基板１５及びＬＥＤベアチップＬｎｍを用いたが、第１の実施の形態以外、つまり、第２〜第４の実施の形態及び変形例１〜８で説明した金属ベース基板及びＬＥＤベアチップを用いて、レンズ、反射板等を取着しても良い。
（ｂ）他のＬＥＤ光源の例２（変形例１１）について
第１及び第２の実施の形態は、絶縁板におけるＬＥＤベアチップの実装位置に凹入部を設け、この凹入部の底面にＬＥＤベアチップを実装している。一方、第３及び第４の実施の形態は、絶縁基板において、絶縁基板に実装されるＬＥＤベアチップと金属ベースとの間に、少なくとも１つの伝熱部材を設けている。以上の実施の形態では、凹入部或いは伝熱部材により金属ベース基板としての放熱特性を向上させているが、本発明は、凹入部と伝熱部材との両方を備えた金属ベース基板及びこの金属ベース基板を備える発光光源であっても良い。
【０１４３】
図２４は、凹入部と伝熱部材を有するＬＥＤ光源を示すが概略図である。
図２４の（ａ）は、図８の（ａ）に示す変形例３で説明した金属ベース基板５２と同様の金属ベース基板５２ａに伝熱部材５Ａを設けた例を（以下、この例を「変形例１１」とする。）示す。
金属ベース基板５２ａは、上部絶縁層５５ａと下部絶縁層５６ａとを有する絶縁基板５４ａと、金属ベース５３ａとを備え、絶縁基板５４ａには、下部絶縁層５６ａを残して上部絶縁層５５ａを貫通してなる凹入部Ｃ３ａが形成されている。
【０１４４】
ＬＥＤベアチップＬ３ａは、凹入部Ｃ３ａの底面に実装され、このＬＥＤベアチップＬ３ａと金属ベース５３ａとの間、ここでは、下部絶縁層５６ａの裏面（金属ベース５３ａ側の面）に伝熱部材５Ａが形成されている。
ここで、下部絶縁層５６ａにコンポジット材料を用いると、伝熱部材５Ａが、その金属ベース側の面が下部絶縁層の金属ベース側の面と面一となるように下部絶縁層側に入り込み、ＬＥＤベアチップＬ３ａと伝熱部材５Ａとが近づき、良好な放熱特性が得られる。
【０１４５】
なお、凹入部と伝熱部材との両方を組合わせた変形例１１は、一例であり、本例以外に、例えば、第１及び第２の実施の形態、さらには変形例１、２及び４における絶縁基板に伝熱部材を設けても良い。具体的には、下部絶縁層におけるＬＥＤベアチップの実装位置に対応する金属ベース側の面に伝熱部材を設けても良い。
なお、ＬＥＤベアチップの電極の位置、絶縁基板の配線パターンとの接続方法等の違いにより、上述の例以外にも適宜適用できる。
【０１４６】
４．絶縁基板について
（ａ）絶縁層に材料について
上記の各実施の形態及び各変形例では、絶縁層として、コンポジット材料を用いたが、これ以外の材料、例えば、ガラスエポキシ材料を用いても良い。
また、第１、第３及び第４の実施形態のように、ＬＥＤベアチップを絶縁層の表面に実装する場合には、ＬＥＤベアチップから金属ベースへの熱伝導を考慮すると、薄い方が優位であり、その厚みが各種選択できるような材料が好ましい。
【０１４７】
（ｂ）コンポジット材料について
上記の各実施の形態では、絶縁層として、アルミナコンポジット材料を用いていたが、他のコンポジット材料であっても良い。他のコンポジット材料としては、例えば、無機フィラーとして、シリカ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも１つを使用したものがある。
【０１４８】
また、当該コンポジット材料は、無機フィラ−と合成樹脂（熱硬化性樹脂）との構成比率を適宜決定することができるため、例えば、熱伝導特性の良い無機フィラ−を使用することで、熱伝導性の良い絶縁層を得ることができる。なお、アルミナコンポジット材料は、ガラスエポキシ材料よりも優れた放熱特性を有する。
さらに、コンポジット材料は、無機フィラーの種類及びその構成比率を適宜変更することで、様々な弾性特性及び線膨張特性を得ることができる。このため、例えば、ガラスエポキシ材料よりも低弾性率で、低線膨張特性の絶縁層を得ることできる。
【０１４９】
例えば、ＬＥＤベアチップの電極をワイヤボンディングにより接続した後にＬＥＤベアチップをワイヤーごと樹脂により封止したような場合、つまり、変形例９及び１０のような場合においては、ＬＥＤベアチップの点灯時によってＬＥＤベアチップ周辺が温度上昇した時に、絶縁層は、金属ベースに追従して膨張する。この絶縁層の膨張は、ワイヤーと絶縁板に接続された配線パターンとの間に引っ張り応力を生じさせる。
【０１５０】
ところで、この絶縁層に弾性率を調整したコンポジット材料を用いると、絶縁層の裏面では金属ベースの膨張に追従するものの、コンポジット材料自体が低弾性であるため、金属ベースの膨張を吸収することができ、表面での膨張を少なくできる。従って、ワイヤーへの引張り応力を、絶縁層にガラスエポキシ材料を用いた場合よりも低減させることができる。
【０１５１】
５．金属ベースについて
実施の形態では、金属ベースとしてアルミニウム板を用いたが、例えば、鉄、ステンレス、銅等の金属板を使用しても良い。さらに、金属ベースの絶縁層が接合されていない面に、多数の凹入部を備えたフィン構造にしても良い。
６．金属ベース基板について
上記の各実施の形態で説明した金属ベース基板は、他の方法により製造することもできる。以下、例えば、配線パターンを転写シートに形成した後、絶縁層に用いるための半硬化状態の絶縁板に転写して、上記の第１の実施の形態と同様な金属ベース基板を製造する例（この例を、以下、「変形例１２」とする。）について説明する。
【０１５２】
図２５は、金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。この図２５を参照しながら、金属ベース基板の製造方法について簡単に説明する。また、ここでは、各部材部品等の符号として第１の実施の形態で用いた符号の前に「５」を付加したものを使用する。
先ず、下部絶縁層について説明する。転写シート５４４の一面に、たとえば、厚さ３５μｍの銅箔を接着し、続いて、当該銅箔における配線パターン５ＰＢに対応する部分を残して、他の銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、転写シート５４４の表面に下部絶縁層５２２に対応した配線パターン５ＰＢが形成されることになる[工程（ａ）]。
【０１５３】
次に、配線パターン５ＰＢが形成された転写シート５４４と、半硬化状態の絶縁板５１４と、金属ベース用に金属板５１６とをこの順で重ね合わせて、加圧及び加熱する。これにより、絶縁板５１４中に配線パターン５ＰＢが埋め込まれるようにして転写されると共に、絶縁板５１４の裏面に金属板５１６が取着される[工程（ｂ）]。その後、転写シート５４４を剥がすことにより、配線パターン５ＰＢが形成された下部絶縁層５２２が得られる[工程（ｃ）]。
【０１５４】
なお、このとき、配線パターン５ＰＢは、その厚み分が絶縁板５１４中に埋め込まれることとなり、絶縁板５１４における配線パターン５ＰＢが形成されていない表面と配線パターン５ＰＢの表面とが略同じ高さとなる。つまり、下部絶縁層５２２の表面が略面一の平坦となる。
次に、上部絶縁層５２０について説明する。先ず上述したように下部絶縁層５２２と同じように、転写シート５４４の一面に厚さ９μｍの銅箔を接着し、続いて、当該銅箔における配線パターン５ＰＡに対応する部分を残して、他の銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、転写シート５４４の表面に上部絶縁層５２０に対応した配線パターン５ＰＡが形成されることになる。
【０１５５】
一方、上部絶縁層５２２用の絶縁板５１２に対して、配線パターン５ＰＢとビアホールを介して接続すべき位置に対応して孔加工を行い、導電性ペーストをその孔に充填する。
そして、上記の工程（ｃ）で得られた金属板５１６付きの絶縁板５１４の表面上に、導電性ペーストが充填された絶縁板５１２を載置し、さらに、この絶縁板５１２上に転写シート５４４に形成された配線パターン５ＰＡが絶縁板５１２側となるように、絶縁板５１２上に重ね合わせ[工程（ｄ）]、加圧及び加熱する。その後、転写シート５４４を剥がすことにより、配線パターン５ＰＡが上部絶縁層５２０の上面に形成されると共に、上下の絶縁層５２０、５２２及び金属ベース５２４が接合されて、３層からなる金属ベース基板５１０が完成する[工程（ｅ）]。
【０１５６】
このとき、配線パターン５ＰＡは、その厚み分が絶縁板５１２中に埋め込まれることとなり、絶縁板５１２における５ＰＡが形成されていない表面と配線パターン５ＰＡの表面とが略同じ高さとなる。つまり、金属ベース基板の表面が略面一の平坦となる。
そして最後に上記のようにして製造された金属ベース基板に、そのＬＥＤベアチップの実装位置にＬＥＤベアチップをフリップチップ実装して、発光光源が得られる。
【０１５７】
上記のように、配線パターン５ＰＡ、５ＰＢがそれぞれ形成されている転写シート５４４を用いて半硬化状態の絶縁板５１２、５１４に転写しているので、配線パターン５ＰＡ，５ＰＢを有する金属ベース基板５１０を容易に形成することができる。さらに、伝熱部材は、配線パターン５ＰＢを利用しているので、わざわざ伝熱部材を設ける（形成する）必要がなく、容易且つ低コストで得られる。
【０１５８】
また、配線パターン５ＰＡ、５ＰＢは、半硬化状態の絶縁板５１２、５１４上に形成されるので、配線パターン５ＰＡの表面と、金属ベース基板５１０の表面であって配線パターン５ＰＡが形成されていない部分とを略同じ高さにできる。つまり、絶縁板として、無機フィラーと樹脂材料とから構成されるコンポジット材料を利用しているために、各絶縁層５２０、５２２の表面を略面一状にできる。このため、金属ベース基板５１０の表面の凹凸も少なくなり、ＬＥＤベアチップの実装が容易になると共に、各ＬＥＤベアチップの指向性を所望方向に合せることができる。
【０１５９】
７．発光体について
（ａ）発光素子について
上記の第１、第３及び第４の実施の形態、変形例６では、ＬＥＤベアチップをフリップチップ実装しているが、他の方式でＬＥＤベアチップを実装しても良い。例えば、ＳＭＤ（Surface Mounted Device）型のＬＥＤチップを使用しても良い。ＳＭＤ型のＬＥＤチップを使用する場合には、その側面の電極と配線パターンとを半田等により接続すれば良い。
【０１６０】
なお、本発明は、ＬＥＤベアチップを８行８列に実装しているが、その形態、個数等は特に限定するものではない。
（ｂ）発光色について
上記の実施の形態では、発光素子としてＬＥＤベアチップを用いている。このＬＥＤベアチップは、例えば、同じ発光色のものを用いても良いし、複数の異なる発光色のものを用いても良い。このような例としては、例えば、発光色が、赤、青、緑のいずれかのＬＥＤベアチップを複数組み合わせても良い。さらに、発光色が、赤、青、緑である３個のＬＥＤベアチップを１組として用い、各色の光出力を調整することで様々な発光色を発光するようにしても良い。但し、この場合は、各色のＬＥＤベアチップの印加電流を制御する必要があり、各色用に配線パターンを形成する必要があると共に、各ＬＥＤベアチップから発せられた各色の光を混色させるためのレンズ等が必要となる。
【０１６１】
（ｃ）発光体について
上記各実施の形態及び変形例では、発光体用金属ベース基板に搭載される発光体として、発光素子、具体的にはＬＥＤベアチップを用いたが、ＬＥＤベアチップ以外の発光素子を用いても良い。このようなＬＥＤベアチップ以外の発光素子としては、例えば、レーザダイオード（ＬＤ）等がある。但し、レーザダイオードから発せられる光は、指向性が強いために、例えば、その光を拡散するための拡散レンズ等が必要となる場合も生じる。
【０１６２】
さらに、本発明は、発光体として、発光素子が基板に予め実装された、所謂、サブマウントであっても良い。
図２６は、発光体としてサブマウントを用いた例を示す図である。
図２６の（ａ）は、変形例２（図７の（ｂ））で説明したＬＥＤ光源におけるＬＥＤベアチップＬ２の代わりのサブマウントを用いた例（この例を、以下、「変形例１３」とする。）を示す。
【０１６３】
先ず、金属ベース基板４２ａは、表面に凹入部Ｃ２ａを有する絶縁基板４４ａと、この絶縁基板４４ａの裏面に取着された金属ベース４３ａとを備える。凹入部Ｃ２ａの底面には、配線パターンＰ２Ｂ１ａが露出しており、また、絶縁基板４４ａにおける凹入部Ｃ２ａの周辺にパッドＰ２Ｃａが形成されている。
サブマウント６０は、例えば、シリコン基板（以下、「Ｓｉ基板」という。）６２と、このＳｉ基板６２の上面に実装された発光素子、例えば、ＬＥＤベアチップＬ１ａと、ＬＥＤベアチップＬ１ａを封止する封止樹脂６４とを備える。なお、Ｓｉ基板６２の下面には、ＬＥＤベアチップＬ１ａの一方の電極に電気的に接続された第１の端子が、一方、Ｓｉ基板の上面には、ＬＥＤベアチップの他方の電極に電気的に接続された第２の端子がそれぞれ形成されている。
【０１６４】
サブマント６０の金属ベース基板４２ａへの実装は、例えば、銀ペーストを利用したダイボンディングによりなされる。サブマウント６０と金属ベース基板４２ａとの電気的接続は、Ｓｉ基板６２の下面の第１の端子が凹入部Ｃ２ａの底面に形成されている配線パターンＰ２Ｂ１ａに、上記の銀ペースを介して接続され、また、Ｓｉ基板６２の上面の第２の端子がワイヤを介して絶縁基板４４ａの表面のパッドＰ２Ｃａに接続される。
【０１６５】
このような発光光源を点灯させても、ＬＥＤベアチップは発熱するが、凹入部を有しない発光光源に比べて、発光体６０と金属ベース４３ａとが近接しているため、良好な放熱特性が得られる。
また、ＬＥＤベアチップＬ１ａと絶縁基板４４ａとの間にＳｉ基板６２が存在するため、ＬＥＤベアチップを直接フリップチップ実装する場合に比べると放熱性能は若干下がるものの、シリコンは高い熱伝導率を持つため、ＬＥＤベアチップを直接実装した場合に近い放熱特性を得ることができる。
【０１６６】
なお、サブマウント６０は、Ｓｉ基板６２に予めＬＥＤベアチップＬ１ａを実装しているため、実装されたＬＥＤベアチップが正常に点灯するか等の検査をすることができる。このため、例えば、検査済みのサブマウントを金属ベース基板４２ａに実装することができ、発光光源としての製造歩留まりを向上させることができる等の効果が得られる。
図２６の（ｂ）は、第２の実施の形態（図１０）で説明したＬＥＤ光源におけるＬＥＤベアチップ２Ｌ７４の代わりのサブマウントを用いた例（この例を、以下、「変形例１４」とする。）をしめす。
【０１６７】
先ず、金属ベース基板２１５ａは、その表面に金属ベース２２４ａにまで達する凹入部２Ｃ７４ｃが形成されており、この凹入部２Ｃ７４ｃの底面にサブマウント７０が搭載されている。
このサブマウント７０は、変形例１３と同様に、Ｓｉ基板７２、ＬＥＤベアチップ２Ｌ７４ａ及び封止樹脂７４とを備えている。Ｓｉ基板７２の上面にはＬＥＤベアチップの電極に電気的に接続された端子が形成されている。
【０１６８】
そして、サブマウント７０が、金属ベース基板２１５ａの凹入部２Ｃ７４ｃの底面に、例えば、銀ペースト等によりダイボンディングされ、Ｓｉ基板７２の２つの端子が、ワイヤボンィングにより絶縁基板２２０ａに形成された電極パターン２ＢＯ７ａに接続される。
なお、変形例１３及び１４では、変形例２及び第２の実施の形態でのＬＥＤベアチップをサブマウントに置き換えた場合について説明したが、ＬＥＤベアチップとサブマウント、すなわち、発光素子とサブマウントとを混ぜて、発光光源を構成しても良い。
【０１６９】
８．照明装置について
上記の各実施の形態では、発光光源について主に説明したが、当然この発光光源に給電端子を介して給電することにより、照明装置として使用することも可能である。
図２７は、変形例９のＬＥＤ光源を用いた照明装置の一例を示す図である。
照明装置６００は、口金６５２と反射傘６５３とが設けられたケース６５１を有し、このケース６５１にＬＥＤ光源６１０が取着されている。口金６５２は、一般電球でも用いられている口金と同じ規格のものである。反射傘６５３は、ＬＥＤ光源６１０から発せられた光を前方に反射させるためのものである。なお、ＬＥＤ光源６１０は、変形例９で説明したＬＥＤ光源３０と同構造である。
【０１７０】
ＬＥＤ光源６１０は、ケース６５１における口金６５２と反対側に設けられた取り付け部６５４に取り付けられている。ケース６５１内には、給電端子を介してＬＥＤベアチップに給電するための回路、例えば、商業電源から供給された交流電力を直流電力に整流するための整流回路、この整流回路により整流された直流電力の電圧値を調整するための電圧調整回路等を備えた給電回路が収納されている。
【０１７１】
９．表示装置について
上記の各実施の形態では、金属ベース基板にＬＥＤベアチップを実装して、８行８列の表示装置として使用することも可能である。但し、この場合、各ＬＥＤベアチップを個別に点灯させるように配線パターンを変更すると共に、個別にＬＥＤベアチップを点灯させて文字、記号等を表示する公知の点灯制御回路等が必要となる。
【０１７２】
ここでは、８行８列の表示装置について説明したが、ＬＥＤベアチップの実装形態は８行８列の形態に限定するものではなく、また、実施の形態で説明した金属ベース基板に複数個（実施の形態では６４個）のＬＥＤベアチップを実装したものを表示装置の１つの発光源として利用しても良い。なお、上述のＬＥＤ光源における、８行８列状に配されたＬＥＤベアチップのそれぞれを独立して点灯可能に構成すると、例えば、数字等を表示することもできる。従って、上記発明を例えば表示装置として適用することも可能である。
【０１７３】
なお、照明装置として、変形例９で説明したＬＥＤ光源を用いて説明したが、当然、他の実施の形態或いは変形例で説明した発光光源を用いて照明装置或いは表示装置を構成してもよい。
９．最後に
上記各実施の形態及び各変形例の説明に用いた図面は、本発明を概念的に説明するためのものであり、その形状や寸法、配線パターンの厚み等の関係は、実際のものと異なっている。
【産業上の利用可能性】
【０１７４】
本発明に係る発光体用金属ベース基板、発光光源、照明装置及び表示装置は、放熱特性を向上させるのに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】第１の実施の形態におけるＬＥＤ光源の斜視図である。
【図２】第１の実施の形態におけるＬＥＤ光源の平面図である。
【図３】第１の実施の形態におけるＬＥＤ光源の下部絶縁層の平面図である。
【図４】図２及び図３におけるＡ部の詳細図で、下部絶縁層を見せるために、上部絶縁層の一部を取り除いた図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ線を含む鉛直面で切断したときの矢印方向からみた断面図である。
【図６】金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図７】（ａ）は、変形例１におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図であり、（ｂ）は、変形例２におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図８】（ａ）は、変形例３におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図であり、（ｂ）は、変形例４におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図９】第１の実施の形態での図２におけるＡ部に相当する第２の実施の形態における部分の詳細図である。
【図１０】図９の２Ｘ−２Ｘ線を含む鉛直面で切断したときの矢印方向からみた断面図である。
【図１１】図９に示す部分における下部絶縁層を示している。
【図１２】変形例５におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図１３】第３の実施の形態における金属ベース基板の平面図である。
【図１４】上部絶縁層を取り除いた状態を平面視した下部絶縁層の平面図である。
【図１５】図１３におけるＢ部の詳細図で、下部絶縁層を見せるために、上部絶縁層の一部を取り除いた図である。
【図１６】図１５の３Ｘ−３Ｘ線を含む鉛直面で切断して矢印方向から見たときの断面図である。
【図１７】金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図１８】第４の実施の形態における金属ベース基板の平面視の拡大図であって、下部絶縁層を見せるために、上部絶縁層の一部を取り除いた図である。
【図１９】コンポジット材料を１層用いた場合のＬＥＤ光源の縦断面図を示す。
【図２０】（ａ）は、変形例７におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図であり、（ｂ）は、変形例８におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図２１】レンズ板及び反射板を備えるＬＥＤ光源を示す斜視図である。
【図２２】ＬＥＤベアチップの実装位置周辺を拡大した断面図である。
【図２３】変形例１０におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図２４】変形例１１におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図２５】第１の実施の形態における金属ベース基板の製造方法と異なる金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図２６】（ａ）は、変形例１３におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図であり、（ｂ）は、変形例１４におけるＬＥＤ光源の断面を拡大した図である。
【図２７】変形例９のＬＥＤ光源を用いた照明装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１７６】
１０ ＬＥＤ光源
１５ 金属ベース基板
２０ 絶縁基板
２１ 上部絶縁層
２２ 下部絶縁層
２４ 金属ベース
Ｃｎｍ 凹入部
Ｌｎｍ ＬＥＤベアチップ
ＰＡ，ＰＢ 配線パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光体を実装するための配線パターンを備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏側に取着されている金属ベースとを備える発光体用金属ベース基板であって、
前記絶縁基板は、その表側に凹入部を複数備え、当該凹入部の底面が前記発光体の実装予定部位であることを特徴とする発光体用金属ベース基板。
【請求項２】
前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造であり、
前記凹入部は、少なくとも前記金属ベースに接する絶縁層を残して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項３】
前記凹入部の底面は、いずれかの絶縁層の境界に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項４】
前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層に形成されており、その一部が前記凹入部内に露出していることを特徴とする請求項３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項５】
前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続するための発光体接続部を複数列有する第１の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続するための第２の配線パターンとを有し、
前記第１の配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層上に形成され、前記第２の配線パターンは、第１の配線パターンが形成されている絶縁層よりも表側にある絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項６】
前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層よりも表側の絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項７】
前記凹入部は、前記絶縁基板を貫通して前記金属ベースにまで達していることを特徴とする請求項１に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項８】
前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続する素子接続部を複数列備える第３の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続する第４の配線パターンとを有することを特徴とする請求項７に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項９】
前記絶縁基板は、２以上の絶縁層からなる多層構造を有し、
前記第３の配線パターン及び前記第４の配線パターンは、別々の絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１０】
前記複数の凹入部は、等間隔で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１１】
前記凹入部は、平面視略円形状に形成され、その穴径が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１２】
前記凹入部は、金属ベースに近い絶縁層ほど穴径が小さくなっており、層単位で段状に穴径が変化していることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１３】
発光体を実装するための配線パターンが表面に備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏面に取着されている金属ベースとを備える発光体金属ベース基板であって、
前記絶縁基板よりも高い熱伝導率を有する伝熱部材が、前記絶縁基板における前記発光体の実装予定部位と前記金属ベースとの間に配設されていることを特徴とする発光体用金属ベース基板。
【請求項１４】
前記絶縁基板は単数の絶縁層からなる単層構造であり、前記伝熱部材が前記絶縁基板の裏面側に埋設されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１５】
前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造を有し、前記伝熱部材は、少なくとも１つの絶縁層又は少なくとも１つの層間に配設されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１６】
前記絶縁基板は、表層以外の少なくとも１つの絶縁層にも配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１７】
前記伝熱部材は、金属膜であることを特徴とする請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１８】
前記配線パターンは、前記絶縁基板の各絶縁層に形成されており、前記伝導部材は、表層以外の絶縁層に形成されている配線パターンの一部であることを特徴とする請求項１６に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１９】
前記伝導部材の厚さは、表面の配線パターンの厚さより厚いことを特徴とする請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項２０】
前記絶縁板層は、少なくとも無機フィラー及び樹脂組成物とから構成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項２１】
前記無機フィラーは、シリカ、アルミナ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２０に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項２２】
前記配線パターンは、転写法により前記絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項２０に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項２３】
請求項１に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴とする発光光源。
【請求項２４】
請求項５に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、１対の給電端子を裏面に有し、前記第１の配線パターンに面実装されていることを特徴とする発光光源。
【請求項２５】
前記発光体は、裏面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が裏面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項２４に記載の発光光源。
【請求項２６】
請求項５に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、一対の給電端子を表裏の２面に有し、表側の給電端子が前記第２の配線パターンに、裏側の給電端子が前記第１の配線パターンにそれぞれ接続されていることを特徴とする発光光源。
【請求項２７】
前記発光体は、両面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が表裏面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項２６に記載の発光光源。
【請求項２８】
請求項６に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体用金属ベース基板は発光体用金属ベース基板であり、
前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、両給電端子がワイヤボンディングにより前記配線パターンに接続されていることを特徴とする発光光源。
【請求項２９】
前記発光体は、表面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された一対の給電端子が表面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項２８に記載の発光光源。
【請求項３０】
請求項１に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が前記配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする発光光源。
【請求項３１】
請求項７に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光素子は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が、前記第３及び第４の配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする発光光源。
【請求項３２】
請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴とする発光光源。
【請求項３３】
請求項２３〜３１のいずれか１項に記載の発光光源を用いていることを特徴とする照明装置。
【請求項３４】
請求項２３〜３１のいずれか１項に記載の発光光源を用いていることを特徴とする表示装置。
【請求項１】
発光体を実装するための配線パターンを備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏側に取着されている金属ベースとを備える発光体用金属ベース基板であって、
前記絶縁基板は、その表側に凹入部を複数備え、当該凹入部の底面が前記発光体の実装予定部位であることを特徴とする発光体用金属ベース基板。
【請求項２】
前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造であり、
前記凹入部は、少なくとも前記金属ベースに接する絶縁層を残して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項３】
前記凹入部の底面は、いずれかの絶縁層の境界に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項４】
前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層に形成されており、その一部が前記凹入部内に露出していることを特徴とする請求項３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項５】
前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続するための発光体接続部を複数列有する第１の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続するための第２の配線パターンとを有し、
前記第１の配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層上に形成され、前記第２の配線パターンは、第１の配線パターンが形成されている絶縁層よりも表側にある絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項６】
前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層よりも表側の絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項７】
前記凹入部は、前記絶縁基板を貫通して前記金属ベースにまで達していることを特徴とする請求項１に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項８】
前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続する素子接続部を複数列備える第３の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続する第４の配線パターンとを有することを特徴とする請求項７に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項９】
前記絶縁基板は、２以上の絶縁層からなる多層構造を有し、
前記第３の配線パターン及び前記第４の配線パターンは、別々の絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１０】
前記複数の凹入部は、等間隔で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１１】
前記凹入部は、平面視略円形状に形成され、その穴径が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１２】
前記凹入部は、金属ベースに近い絶縁層ほど穴径が小さくなっており、層単位で段状に穴径が変化していることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１３】
発光体を実装するための配線パターンが表面に備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏面に取着されている金属ベースとを備える発光体金属ベース基板であって、
前記絶縁基板よりも高い熱伝導率を有する伝熱部材が、前記絶縁基板における前記発光体の実装予定部位と前記金属ベースとの間に配設されていることを特徴とする発光体用金属ベース基板。
【請求項１４】
前記絶縁基板は単数の絶縁層からなる単層構造であり、前記伝熱部材が前記絶縁基板の裏面側に埋設されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１５】
前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造を有し、前記伝熱部材は、少なくとも１つの絶縁層又は少なくとも１つの層間に配設されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１６】
前記絶縁基板は、表層以外の少なくとも１つの絶縁層にも配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１７】
前記伝熱部材は、金属膜であることを特徴とする請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１８】
前記配線パターンは、前記絶縁基板の各絶縁層に形成されており、前記伝導部材は、表層以外の絶縁層に形成されている配線パターンの一部であることを特徴とする請求項１６に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項１９】
前記伝導部材の厚さは、表面の配線パターンの厚さより厚いことを特徴とする請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項２０】
前記絶縁板層は、少なくとも無機フィラー及び樹脂組成物とから構成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項２１】
前記無機フィラーは、シリカ、アルミナ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２０に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項２２】
前記配線パターンは、転写法により前記絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項２０に記載の発光体用金属ベース基板。
【請求項２３】
請求項１に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴とする発光光源。
【請求項２４】
請求項５に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、１対の給電端子を裏面に有し、前記第１の配線パターンに面実装されていることを特徴とする発光光源。
【請求項２５】
前記発光体は、裏面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が裏面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項２４に記載の発光光源。
【請求項２６】
請求項５に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、一対の給電端子を表裏の２面に有し、表側の給電端子が前記第２の配線パターンに、裏側の給電端子が前記第１の配線パターンにそれぞれ接続されていることを特徴とする発光光源。
【請求項２７】
前記発光体は、両面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が表裏面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項２６に記載の発光光源。
【請求項２８】
請求項６に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体用金属ベース基板は発光体用金属ベース基板であり、
前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、両給電端子がワイヤボンディングにより前記配線パターンに接続されていることを特徴とする発光光源。
【請求項２９】
前記発光体は、表面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び／又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された一対の給電端子が表面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項２８に記載の発光光源。
【請求項３０】
請求項１に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が前記配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする発光光源。
【請求項３１】
請求項７に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光素子は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が、前記第３及び第４の配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする発光光源。
【請求項３２】
請求項１３に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴とする発光光源。
【請求項３３】
請求項２３〜３１のいずれか１項に記載の発光光源を用いていることを特徴とする照明装置。
【請求項３４】
請求項２３〜３１のいずれか１項に記載の発光光源を用いていることを特徴とする表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【公表番号】特表２００６−５１７７３８（Ｐ２００６−５１７７３８Ａ）
【公表日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５０２６６０（Ｐ２００６−５０２６６０）
【出願日】平成１６年２月５日（２００４．２．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／００１１９５
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０７１１４１
【国際公開日】平成１６年８月１９日（２００４．８．１９）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年２月５日（２００４．２．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／００１１９５
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０７１１４１
【国際公開日】平成１６年８月１９日（２００４．８．１９）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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