発光装置および電子機器
【課題】補助配線が形成される構成において開口率を増加させる。
【解決手段】駆動トランジスタＴdrを覆う第２絶縁層４２の表面には第１電極６１が形成
される。第１電極６１は、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジ
スタＴdrのドレイン電極３４に接触する。第１電極６１とこれに対向する第２電極６２と
の間には発光層６６が形成される。発光層６６からの放射光の出射側には補助配線７０が
形成される。補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗率が低い導電材料によって形成さ
れて第２電極６２に電気的に接続される配線であり、第２絶縁層４２のコンタクトホール
ＣＨと重なり合う部分を含む。
【解決手段】駆動トランジスタＴdrを覆う第２絶縁層４２の表面には第１電極６１が形成
される。第１電極６１は、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジ
スタＴdrのドレイン電極３４に接触する。第１電極６１とこれに対向する第２電極６２と
の間には発光層６６が形成される。発光層６６からの放射光の出射側には補助配線７０が
形成される。補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗率が低い導電材料によって形成さ
れて第２電極６２に電気的に接続される配線であり、第２絶縁層４２のコンタクトホール
ＣＨと重なり合う部分を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）材料など各種の発光材料によって形成され
た発光層を有する発光装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の発光素子を面状または線状に配列した発光装置が従来から提案されている。各発
光素子は、相互に対向する第１電極と第２電極との間に発光層を介在させた素子である。
アクティブマトリクス方式の発光装置においては、発光素子の発光を制御するためのスイ
ッチング素子（典型的には薄膜トランジスタ）が発光素子ごとに形成される。各発光素子
は、スイッチング素子を覆う絶縁層の面上に形成され、その第１電極は絶縁層のコンタク
トホールを介してスイッチング素子に導通する。
【０００３】
第２電極は、複数の発光素子にわたって連続に分布する。この構成においては、第２電
極の面内の位置に応じて電圧降下の程度が相違するから、各発光素子に供給される電位（
さらには各発光素子の光量）がその位置に応じて相違する場合がある。第２電極がＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）など光透過性の導電材料によって形成されたトップエミッション型
の発光装置においては、第２電極が必然的に高抵抗となるから、第２電極の面内における
電圧降下の相違やこの相違に起因した各発光素子の光量（輝度）のバラツキは特に顕著で
ある。
【０００４】
以上のような電圧降下を抑制するために、例えば特許文献１には、第２電極よりも抵抗
率が低い導電材料によって形成された配線（以下「補助配線」という）を第２電極に対し
て電気的に接続した構成が開示されている。この構成によれば、第２電極の面内における
電圧降下を抑制して各発光素子の光量を均一化することが可能である。
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された構成においては、補助配線が配置されるスペー
スと絶縁層のコンタクトホールが形成されるスペースとが各発光素子の間隙に個別に確保
されるから、基板の表面のうち発光素子からの放射光が実際に出射する領域の割合（以下
「開口率」という）が制約されるという問題がある。以上の事情を背景として、本発明は
、補助配線と絶縁層のコンタクトホールとが形成される構成において開口率を増加させる
という課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板の面上に形成されたスイッ
チング素子（例えば図２の駆動トランジスタＴdr）と、スイッチング素子を覆う絶縁層（
例えば図３の第２絶縁層４２）と、絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホ
ール（例えば図２や図３のコンタクトホールＣＨ）を介してスイッチング素子に電気的に
接続される第１電極と、第１電極を挟んで基板とは反対側に形成された第２電極と、第１
電極と第２電極との間に介在する発光層と、第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によっ
て形成されて当該第２電極に電気的に接続される配線であって、基板に垂直な方向からみ
て絶縁層のコンタクトホールと重なり合う部分を含む補助配線（例えば各実施形態におけ
る補助配線７０）とを具備する。
【０００７】
この構成においては、絶縁層のコンタクトホールと重なり合うように補助配線が形成さ
れるから、コンタクトホールと補助配線とが重なり合わない従来の構成（すなわちコンタ
クトホールと補助配線とについて別個にスペースが確保される構成）と比較して、これら
の要素が配置されるスペースを削減することができる。したがって、本発明によれば開口
率を増加させることができる。また、開口率が増加するということは、所期の光量を発光
装置から出射するために発光層に供給されるべき電気エネルギが低減されることを意味す
る。発光層（特に有機ＥＬ材料）は高い電気エネルギが供給されるほど特性の劣化が進行
するから、発光層に供給される電気エネルギを低減できる本態様によれば、補助配線によ
って開口率が制約される構成と比較して、発光層の寿命（発光量や発光効率などの特性値
が所定値に低下するまでの時間長）を長期化することができるという利点がある。
【０００８】
さらに、コンタクトホールが補助配線と重なり合うから、補助配線によって覆われる領
域の範囲内であればコンタクトホールの面積を拡大しても開口率は低下しない。したがっ
て、本発明によれば、コンタクトホールと補助配線とが重なり合わない構成と比較してコ
ンタクトホールの面積が容易かつ充分に確保され、この結果として第１電極とスイッチン
グ素子との接触の抵抗を低減することができる。例えば、補助配線が所定の方向に延在す
る構成において、基板に垂直な方向からみて所定の方向（例えば図２のＸ方向）を長手と
する形状にコンタクトホールを形成すれば、コンタクトホールの面積を特に充分に確保す
ることができる。したがって、第１電極とスイッチング素子との接触部分での抵抗を低減
し、あるいは両者の導通の確実性を増進することができる。
【０００９】
ところで、絶縁層にコンタクトホールが形成された構成においては、太陽光や照明光な
どの外光が絶縁層のコンタクトホールを通過してスイッチング素子の電極に到達し、その
表面における反射光（以下「不要反射光」という）が観察側に出射する場合がある。この
不要反射光は、発光層からの出射光とは特性（例えば光量や分光特性）が相違するから、
発光装置の面内における光量（輝度）のバラツキの原因となる。また、例えば、絶縁層の
表面上だけでなくコンタクトホールの内側にも入り込むように発光層が形成された構成（
例えば図７から図１０の構成）においては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿
った部分からも光（以下「不要放射光」という）が出射する。しかしながら、発光層のう
ち絶縁層の表面上に位置する部分とコンタクトホールの内側に入り込んだ部分（例えば図
７から図１０の部分６６１）とでは膜厚が相違するから、前者の部分からの出射光と後者
の部分から出射する不要放射光とは光量や分光特性が相違する。したがって、この構成に
おける不要放射光も発光装置の面内における光量のバラツキ（ムラ）の原因となり得る。
【００１０】
そこで、本発明の好適な態様において、補助配線は、絶縁層に対して発光層による放射
光の出射側に遮光性の導電材料によって形成される。この構成によれば、太陽光や照明光
などの外光は補助配線によって遮断されるからコンタクトホールやスイッチング素子（特
にその電極）には到達しない。また、仮に外光がコンタクトホールを通過してスイッチン
グ素子に到達した場合であっても、その表面における不要反射光は補助配線によって遮断
される。さらに、発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成（例えば図７から図
１０の構成）において、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分からの不要
放射光は補助配線によって遮断される。以上のように本発明によれば不要反射光や不要放
射光が補助配線によって遮断されるから、コンタクトホールに起因した光量のムラを抑制
することができる。もっとも、本発明における補助配線は遮光性を持たない配線（例えば
光透過性の配線）であってもよい。
【００１１】
なお、以上の態様における「絶縁層に対して発光層による放射光の出射側」とは、発光
層からの放射光の出射が本来的に予定された側という意味である。例えば、第１電極が光
透過性を有するボトムエミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板側が「
発光層による放射光の出射側」に相当する。また、第２電極が光透過性を有するトップエ
ミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板とは反対側が「発光層による放
射光の出射側」に相当する。また、例えば発光装置の用途に着目すると、例えば発光装置
が表示装置として利用される場合には、絶縁層に対して観察側（すなわち発光装置によっ
て表示された画像を視認する観察者が位置する側）が「発光層による放射光の出射側」に
相当し、感光体ドラムなどの感光体を露光する露光装置（露光ヘッド）として発光装置が
利用される場合には、絶縁層に対して感光体側が「発光層による放射光の出射側」に相当
する。
【００１２】
補助配線の光反射率がスイッチング素子の電極の光反射率よりも高い場合、コンタクト
ホールに起因した発光の不均一性は確かに解消されるものの、今度は補助配線における外
光の反射光が発光の均一性に影響を与える可能性もある。そこで、本発明の好適な態様に
おいて、スイッチング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層から露出した部分が第１
電極に接触する電極（例えば図２や図３のドレイン電極３４）を含み、補助配線は、スイ
ッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によって形成される。この構成によれば、
スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によって補助配線が形成されるから、
コンタクトホールにおける反射光の影響と補助配線における反射光の影響とを双方とも解
消して発光の均一性を増進することができる。
【００１３】
本発明の好適な態様において、補助配線は、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホ
ールの内周縁に包囲された領域（開口領域）の全域と重なり合う。この態様によれば、コ
ンタクトホールに起因した不要反射光や不要放射光のうち補助配線によって遮断される割
合を増大させることができる。この態様の具体例は第１実施形態（図２・図３）および第
３実施形態（図７）として後述される。なお、マスクを利用した蒸着などの成膜技術によ
って遮光体（補助配線）が形成される場合には、たとえコンタクトホールの開口領域の全
域と重なり合うように遮光体を形成しようとしても、製造上のバラツキ（マスクのズレ）
に起因して遮光体の位置に誤差が生じる場合がある。このように誤差を原因として開口領
域の一部が遮光体と重なり合わない構成であっても、設計上において遮光体が開口領域の
全域と重なり合う以上は、本態様の「コンタクトホールの内周縁に包囲された領域の全域
と重なり合う」という要件を充足すると言える。
もっとも、補助配線が、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホールの内周縁に包囲
された領域の一部（例えば図６や図８における領域Ａ1）のみと重なり合う構成としても
よい。この構成において、より望ましくは、コンタクトホールの内周縁に包囲された領域
のうち補助配線と重なり合わない領域（例えば図６や図８における領域Ａ2）に重なり合
う部分を含む遮光層がさらに配置される。この構成によれば、補助配線によって遮断され
ない不要反射光や不要放射光が遮光層によって遮断される。したがって、コンタクトホー
ルの全域と重なるように補助配線が形成された態様と同様に、コンタクトホールに起因し
た不要反射光や不要放射光のうち補助配線によって遮断される割合を増大させることがで
きる。なお、この態様の具体例は、例えば第２実施形態（図５・図６）および第４実施形
態（図８）として後述される。
【００１４】
本発明の好適な態様において、絶縁材料によって形成されてコンタクトホールの内側の
空間に入り込む絶縁部（例えば図２や図３の絶縁部６４）が設けられ、発光層は、コンタ
クトホールの内側の空間には入り込まない。この構成によれば、コンタクトホールの内側
に発光層が存在しないから、この部分から出射する不要放射光に起因して発光の均一性が
損なわれることはない。なお、この態様の具体例は、例えば、第１実施形態（図２・図３
）および第２実施形態（図５・図６）として後述される。なお、発光層は、絶縁部を挟ん
で分断されるように分布してもよいし、絶縁部を覆うように連続に分布してもよい（例え
ば図１５参照）。
【００１５】
もっとも、コンタクトホールの内側に入り込む絶縁部は本発明において必ずしも必要で
はない。例えば、発光層がコンタクトホールの内側の空間に入り込む構成としてもよい。
より具体的には、基板の面上に複数の画素（各々がスイッチング素子と第１電極とを含む
）が配列され、発光層は、複数の画素にわたって連続に分布する。この態様の具体例は、
第３実施形態（図７）や第４実施形態（図８）として後述される。この態様によれば、発
光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成とされる。このように絶縁部が省略され
た構成によれば、発光装置の製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られるという利点
がある。一方、本発明のように発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成におい
ては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分から不要放射光が出射するが
、この不要放射光は補助配線によって遮断される。
【００１６】
本発明の発光装置は、トップエミッション型およびボトムエミッション型の何れにも適
用される。トップエミッション型の発光装置においては、第２電極が発光層からの出射光
を透過させる。ボトムエミッション型の発光装置においては、第１電極が発光層からの出
射光を透過させる。なお、ボトムエミッション型の発光装置の具体例は第５実施形態（図
９・図１０）として後述される。
【００１７】
本発明の好適な態様において、スイッチング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層
から露出した部分が第１電極に接触する電極を含み、補助配線は、スイッチング素子の電
極と基板との間に形成されて当該電極に対向し、かつ、絶縁層のコンタクトホール（例え
ば図１０のコンタクトホールＣＨ5）を介して第２電極に電気的に接続される。この態様
における補助配線は、例えば、スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によっ
て形成される。この態様によっても、スイッチング素子の電極における反射光が補助配線
によって遮断されるから、発光の均一性を維持することができる。
なお、補助配線がスイッチング素子の電極と基板との間に形成された態様において、補
助配線は、スイッチング素子を構成する要素（例えば図１０のゲート電極２４２）と同一
の材料によって形成されることが望ましい。この態様によれば、単一の導電膜のパターニ
ングによってスイッチング素子の電極と補助配線とをひとつの工程で一括的に形成するこ
とができるから、補助配線がスイッチング素子とは別個の工程で形成される場合と比較し
て、製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。
【００１８】
なお、以上の各態様における補助配線の具体的な形態は任意である。第１電極と第２電
極と発光層とを各々が含む複数の発光素子を第１方向（例えば図１１のＸ方向）に配列し
た複数の素子群（例えば各行に属する複数の発光素子の集合）が第１方向と交差する第２
方向に並列された態様において、補助配線は、例えば、複数の素子群のうち相互に隣接す
る第１の素子群（例えば図１１の第ｉ行）と第２の素子群（例えば図１１の第(i+1)行）
との間隙（例えば図１１の間隙Ｓ1）にて第１方向に延在する形状に形成され、第２の素
子群に対して第１の素子群とは反対側に隣接する第３の素子群（例えば図１１の第(i+2)
行）と第２の素子群との間隙（例えば図１１の間隙Ｓ2）には形成されない。この態様に
おいては、第２の素子群と第３の素子群との間隙に補助配線が形成されないから、総ての
素子群の間隙に補助配線が形成された構成と比較して、補助配線が形成される領域や補助
配線と発光素子との間隙に確保される領域（マージン領域）の面積を削減することが可能
である。したがって、開口率の向上と補助配線の低抵抗化との両立が容易となる。例えば
、補助配線の線幅を削減することなく開口率を向上させ、あるいは開口率（発光素子の面
積）を低下させることなく補助配線の線幅を拡大（低抵抗化）することができる。
【００１９】
以上のように２以上の素子群を単位として１本の補助配線が配置される構成において、
補助配線の形成にはマスクを利用した蒸着が好適に採用される。すなわち、発光装置を製
造する方法のうち補助配線を形成する工程は、所定の形状のマスクを用意する過程と、第
２電極よりも抵抗率が低い材料をマスクを介して蒸着することで補助配線を形成する過程
とを含む。前者の過程にて用意されるマスクは、複数の素子群のうち相互に隣接する第１
の素子群と第２の素子群との間隙に対向する領域（例えば図１３の領域ＲＡ）が開口し、
第２の素子群に対して第１の素子群とは反対側に隣接する第３の素子群と第２の素子群と
の間隙に対向する領域（例えば図１３の領域ＲＢ2）を遮蔽する。以上の方法に使用され
るマスクは、第２の素子群と第３の素子群との間隙に対向する領域が遮蔽されているから
、総ての素子群の間隙に対向する領域が開口するマスクと比較して機械的な強度が高い。
したがって、マスクの変形に起因した補助配線の誤差やマスクの破損が抑制される。
【００２０】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光
装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコン
ピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示
に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成
するための露光装置（露光ヘッド）、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置
（バックライト）、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原稿を照明する
装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の発光装置を適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示すブロック図である
。この発光装置Ｄは、各種の電子機器に搭載されて画像を表示する表示装置であり、図１
に示すように、Ｘ方向に延在する複数の選択線１１と、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在す
る複数の信号線１３とを有する。選択線１１と信号線１３との各交差には画素Ｐが配置さ
れる。したがって、これらの画素Ｐは所定の領域（以下「発光領域」という）内にてＸ方
向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列する。
【００２２】
ひとつの画素Ｐは、電流の供給によって発光する発光素子Ｅと、この発光素子Ｅに供給
される電流を制御するための駆動トランジスタＴdrおよび選択トランジスタＴslとを含む
。発光素子Ｅは、有機ＥＬ材料からなる発光層６６を第１電極６１と第２電極６２との間
に介在させた素子である。発光層６６は、第１電極６１から第２電極６２に流れる電流に
応じた輝度（光量）で発光する。
【００２３】
駆動トランジスタＴdrは、発光素子Ｅに供給される電流量を制御するためのスイッチン
グ素子であり、ソース電極が電源線１５に接続される。電源線１５には高位側の電源電位
Ｖddが供給される。駆動トランジスタＴdrのゲート電極とソース電極との間には、駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極の電位を保持するための容量素子Ｃが介挿される。また、駆
動トランジスタＴdrのドレイン電極は発光素子Ｅの第１電極６１に接続される。発光素子
Ｅの第２電極６２には、補助配線７０を介して低位側の電源電位Ｇndが供給される。なお
、補助配線７０の作用やその具体的な形態については後述する。
【００２４】
一方、選択トランジスタＴslは、駆動トランジスタＴdrのゲート電極と信号線１３との
間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。この選択トランジ
スタＴslのゲート電極は選択線１１に接続される。なお、本実施形態においては駆動トラ
ンジスタＴdrがｐチャネル型で選択トランジスタＴslがｎチャネル型である構成を例示す
るが、各々の導電型は任意に変更され得る。
【００２５】
選択線１１に供給される選択信号がアクティブレベルに遷移して選択トランジスタＴsl
がオン状態に変化すると、画素Ｐに指定された階調に応じたデータ電位Ｖdataが信号線１
３から選択トランジスタＴslを経由して駆動トランジスタＴdrのゲート電極に供給される
。このときに容量素子Ｃにはデータ電位Ｖdataに応じた電荷が蓄積されるから、選択信号
が非アクティブレベルに遷移して選択トランジスタＴslがオフ状態に変化しても、駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極はデータ電位Ｖdataに維持される。発光素子Ｅには、駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極の電位に応じた電流（すなわちデータ電位Ｖdataに応じた電
流）が供給される。この電流の供給によって発光素子Ｅはデータ電位Ｖdataに応じた輝度
（光量）で発光する。
【００２６】
次に、図２は、ひとつの画素Ｐの具体的な構成を示す平面図であり、図３は、図２にお
けるIII−III線からみた断面図である。なお、図２は平面図であるが、各要素の把握を容
易化するために、図３と共通する各要素については図３と同じ態様のハッチングが施され
ている。以下の各実施形態に係る平面図（図５および図９）においても同様である。また
、図２においては、図１の発光層６６や第２電極６２の図示が便宜的に省略されている。
【００２７】
図３に示すように、駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅといった図１の各要素は基板１
０の表面上に形成される。基板１０は、ガラスやプラスチックなど各種の絶縁性材料を略
長方形状に成形した板状の部材である。なお、基板１０を覆う絶縁性の膜体（例えば酸化
珪素や窒化珪素などの膜体）を下地として各画素Ｐの要素を形成してもよい。以下では、
基板１０からみて駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅが形成された側（すなわち図３にお
ける上方）を「観察側」と表記する。すなわち、「観察側」とは、発光装置Ｄによって表
示された画像を視認する観察者の側である。
【００２８】
図２および図３に示すように、駆動トランジスタＴdrは、基板１０の面上に形成された
半導体層３１と、基板１０の全面に形成されて半導体層３１を覆うゲート絶縁層４０と、
ゲート絶縁層４０を挟んで半導体層３１に対向するゲート電極２４２と、ソース電極３３
およびドレイン電極３４とを含む。半導体層３１は、シリコンなどの半導体材料によって
略矩形に形成された膜体である。
【００２９】
図２に示すように、ゲート絶縁層４０の面上には中間導電体２４が形成される。この中
間導電体２４のうちＸ方向に延在して半導体層３１に重なり合う部分がゲート電極２４２
である。図３に示すように、半導体層３１は、ゲート絶縁層４０を挟んでゲート電極２４
２に対向するチャネル領域３１cと、このチャネル領域３１cを挟むソース領域３１sおよ
びドレイン領域３１dとを含む。
【００３０】
図３に示すように、半導体層３１やゲート電極２４２（中間導電体２４）が形成された
基板１０の表面はその全域にわたって第１絶縁層４１に覆われる。ソース電極３３やドレ
イン電極３４は第１絶縁層４１の面上に形成される。ソース電極３３は、図２に示すよう
に、Ｘ方向に延在する電源線１５の部分であり、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを
貫通するコンタクトホールＣＨ1aを介して半導体層３１のソース領域３１sに導通する。
【００３１】
ドレイン電極３４は、第１部分３４１と第２部分３４２とが連続する形状に成形される
。第１部分３４１は、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホール
ＣＨ1bを介して半導体層３１のドレイン領域３１dに導通する。第２部分３４２は、図２
に示すようにＸ方向に延在する部分である。
【００３２】
図２に示すように、中間導電体２４は、電源線１５に重なり合う電極部２４４とゲート
電極２４２からＹ方向に延在して電源線１５と交差する配線部２４６とを含む。電極部２
４４と電源線１５とが第１絶縁層４１を挟んで対向することによって図１の容量素子Ｃが
構成される。
【００３３】
一方、選択トランジスタＴslは、図２に示すように、基板１０の面上に形成された半導
体層５１と、ゲート絶縁層４０を挟んで半導体層５１のチャネル領域に対向するゲート電
極１１２と、ゲート電極１１２を覆う第１絶縁層４１の面上に形成されたドレイン電極５
３およびソース電極５４とを含む。ゲート電極１１２は、Ｘ方向に延在する選択線１１か
らＹ方向に分岐して半導体層５１に重なる部分である。選択線１１と中間導電体２４とは
共通の導電膜のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。同様に、ドレイ
ン電極５３およびソース電極５４と、駆動トランジスタＴdrのソース電極３３（電源線１
５）およびドレイン電極３４とは、単一の導電膜のパターニングによって同じ工程で形成
される。
【００３４】
ドレイン電極５３は、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホー
ルＣＨ2bを介して半導体層５１のドレイン領域に導通する。同様に、ソース電極５４は、
コンタクトホールＣＨ2aを介して半導体層５１のソース領域に導通する。また、ソース電
極５４は、第１絶縁層４１を貫通するコンタクトホールＣＨ3を介して中間導電体２４の
配線部２４６に導通する。これによって選択トランジスタＴslのソース電極５４と駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極２４２とが電気的に接続される。
【００３５】
図２に示すように、図１の信号線１３は、電源線１５の下層にてＹ方向に延在して電源
線１５と交差する交差部１３１と、各電源線１５の間隙にてＹ方向に延在する配線部１３
２とを含む。交差部１３１は、選択線１１や中間導電体２４と共通の導電膜から形成され
る。配線部１３２は、トランジスタＴdrのソース電極３３やドレイン電極３４と共通の導
電膜から形成される。配線部１３２の端部１３ａは第１絶縁層４１のコンタクトホールＣ
Ｈ4aを介して交差部１３１に導通する。同様に、配線部１３２の端部１３ｂは第１絶縁層
４１のコンタクトホールＣＨ4bを介して交差部１３１に導通する。以上のように各交差部
１３１と各配線部１３２との電気的な接続によって信号線１３が構成される。選択トラン
ジスタＴslのドレイン電極５３は、配線部１３２のうち半導体層５１と重なり合う部分で
ある。
【００３６】
図３に示すように、電源線１５やドレイン電極３４が形成された第１絶縁層４１の表面
はその全域にわたって第２絶縁層４２に覆われる。第１絶縁層４１や第２絶縁層４２は、
例えば酸化珪素や窒化珪素といった絶縁材料によって形成される。図２および図３に示す
ように、第２絶縁層４２のうち基板１０に垂直な方向からみてドレイン電極３４の第２部
分３４２と重なり合う部分には、第２絶縁層４２を厚さ方向に貫通するコンタクトホール
ＣＨが形成される。したがって、第２部分３４２はコンタクトホールＣＨを介して第２絶
縁層４２から露出する。図２のように基板１０に垂直な方向からみると、コンタクトホー
ルＣＨは、Ｘ方向を長手とする略長方形である。
【００３７】
第２絶縁層４２の面上（コンタクトホールＣＨ以外の表面）には略長方形の反射層４４
が画素Ｐごとに相互に離間して形成される。反射層４４は、アルミニウムや銀などの合金
またはこれらを主成分とする合金など光反射性を有する材料によって形成された膜体であ
り、発光層６６から基板１０側への出射光を観察側（図３の上方）に反射する。さらに、
第２絶縁層４２の表面上には、発光素子Ｅの陽極として機能する第１電極６１（図１参照
）が画素Ｐごとに相互に離間して形成される。第１電極６１は、反射層４４を覆う略長方
形の電極であり、例えばＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など光透過性の導電材料
によって形成される。図２および図３に示すように、第１電極６１は、第２絶縁層４２の
コンタクトホールＣＨに入り込んで駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４（第２部分
３４２）に接触する。この接触によって第１電極６１と駆動トランジスタＴdrとが電気的
に接続される。
【００３８】
第１電極６１は、スパッタリングや真空蒸着といった各種の成膜技術によって、コンタ
クトホールＣＨの外形の寸法に対して充分に薄い膜厚に形成される。したがって、図３に
示すように、第１電極６１には、第２絶縁層４２の膜厚とコンタクトホールＣＨの外形と
を反映した凹部（窪み）６１１が形成される。すなわち、第１電極６１のうちドレイン電
極３４に接触する部分が凹部６１１の底面部に相当し、第１電極６１のうちコンタクトホ
ールＣＨの内周面を覆う部分が凹部６１１の側面部に相当する。
【００３９】
図３に示すように、凹部６１１の内側（すなわちコンタクトホールＣＨの内側の空間）
には絶縁部６４が形成される。この絶縁部６４は、絶縁材料（例えばポリイミドなどの樹
脂材料）によって形成される。図３に示すように、絶縁部６４は、凹部６１１を埋めるよ
うにコンタクトホールＣＨの内側に入り込んで凹部６１１の底面および内周面に接触する
とともに、その上面は第１電極６１の表面から突出する。なお、絶縁部６４には、凹部６
１１の段差を平坦化するという作用もある。この作用を有効に発揮するという観点からす
ると、絶縁部６４の材料には樹脂材料が特に好適である。樹脂材料を採用した場合には、
第１に、液状の樹脂材料の塗布という低廉な方法によって絶縁部６４の表面を容易に平坦
化することができ、第２に、凹部６１１の平坦化に充分な膜厚の絶縁部６４をクラックの
発生なしに形成することができ、第３に、樹脂材料の硬化させるときの熱処理で樹脂材料
が溶融することによっても絶縁部６４の表面を平坦化できるからである。
【００４０】
図１の発光層６６は、第１電極６１の表面を覆うように画素Ｐごとに形成される。図３
に示すように、発光層６６は、絶縁部６４が形成された領域には分布しない（つまり発光
層６６は絶縁部６４によって仕切られる）。したがって、発光層６６はコンタクトホール
ＣＨの内側の空間（凹部６１１）には入り込まない。なお、発光層６６は高分子材料およ
び低分子材料の何れによって形成されてもよい。また、発光層６６による発光を促進ない
し効率化するための各種の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、
正孔ブロック層、電子ブロック層）が発光層６６に積層された構成も採用される。
【００４１】
図３に示すように、図１の第２電極６２は、絶縁部６４と発光層６６とを覆う電極であ
り、基板１０の全域を覆うように形成されて複数の画素Ｐにわたって連続に分布する。本
実施形態の第２電極６２は、ＩＴＯやＩＺＯなど光透過性の導電材料によって形成される
。したがって、発光層６６から基板１０とは反対側に出射した光と、発光層６６から基板
１０側に出射して反射層４４の表面で反射した光とは、第２電極６２を透過して観察側に
出射する。すなわち、本実施形態の発光装置Ｄは、発光素子Ｅによる放射光が基板１０と
は反対側に出射するトップエミッション型である。なお、絶縁部６４が形成された領域（
コンタクトホールＣＨ）には発光層６６が形成されないから（さらには第１電極６１と第
２電極６２とが絶縁部６４によって絶縁されるから）、この部分は発光に寄与しない領域
（いわゆるデッドスペース）となる。
【００４２】
光透過性を有する導電材料の多くは抵抗率が高いから、この種の材料によって形成され
た第２電極６２は高抵抗となってその面内における電圧降下が顕著となる。したがって、
各発光素子Ｅに供給される電位が第２電極６２の面内における位置に応じて相違し、この
結果として発光領域における光量のムラ（輝度や階調のムラ）が発生する場合がある。
【００４３】
この光量のバラツキを解消するために、本実施形態においては、第２電極６２の導電性
を補助するための補助配線７０が形成される。補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗
率が低い導電材料によって形成される。本実施形態の補助配線７０は、第２電極６２の表
面に接触するように形成されて第２電極６２と電気的に導通する。この構成によれば、電
流の大部分は低抵抗の補助配線７０を流れるから、第２電極６２における電圧降下は抑制
される。したがって、各発光素子Ｅに供給される電位が均一化され、この結果として電圧
降下に起因した光量のムラを有効に抑制することができる。本実施形態の補助配線７０は
遮光性の導電材料によって形成される。より好適には、ドレイン電極３４よりも光反射率
が低い材料によって補助配線７０が形成される。
【００４４】
図４は、本実施形態における補助配線７０の具体的な形態を例示する平面図である。同
図においては各第１電極６１の外形が破線で併記されている。図４に示すように、補助配
線７０は、画素Ｐの各行に対応してＸ方向に延在する複数の第１部分７１と、画素Ｐの各
列に対応してＹ方向に延在する複数の第２部分７２とが交差した格子状に成形される。も
っとも、補助配線７０の形状は図４の例示に限定されない。例えば、Ｘ方向に延在する複
数の第１部分７１のみを含む形状としてもよい。
【００４５】
補助配線７０の第１部分７１は、図２に示すように基板１０に垂直な方向からみると、
第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨと重なり合う。さらに詳述すると、本実施形態の
第１部分７１は、Ｘ方向に延在するコンタクトホールＣＨの幅（Ｙ方向の寸法）と略同一
の幅またはこれよりも幅広に形成される。したがって、図２および図３に示すように、第
１部分７１は、基板１０に垂直な方向からみてコンタクトホールＣＨの内周縁が包囲する
領域（以下「開口領域」という）の全域と重なり合う。
【００４６】
ところで、駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４の材料として採択され得る導電材
料の多くは光反射性を有する金属である。したがって、補助配線７０が形成されない従来
の構成においては、太陽光や照明光などの外光が観察側からドレイン電極３４の表面に到
達し、その表面における反射光（不要反射光）が観察側に出射する場合がある。そして、
この不要反射光の特性と発光層６６からの出射光の特性との相違に起因して、発光領域の
面内における光量の均一性が損なわれるという問題がある。これに対し、本実施形態にお
いては、遮光性の補助配線７０がコンタクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うよ
うに形成される。したがって、観察側からドレイン電極３４に向かう外光は補助配線７０
の観察側の表面にて遮断される。また、仮に外光がドレイン電極３４に到達したとしても
、その表面における不要反射光は補助配線７０の基板１０側の表面にて遮断される。以上
のように、本実施形態によれば不要反射光の観察側への出射が防止されるから、発光領域
の面内における光量（輝度または階調）を均一化することができる。
【００４７】
なお、本実施形態においては補助配線７０がコンタクトホールＣＨと重なり合う構成を
例示したが、以上の効果を実現するための構成としては、例えば、補助配線７０とは別個
の遮光性の物体（以下「遮光体」という）がコンタクトホールＣＨと重なり合うように形
成された構成も考えられる。この構成において、補助配線７０はコンタクトホールＣＨと
重なり合わないように形成される。しかしながら、この構成においては、コンタクトホー
ルＣＨおよび補助配線７０の双方の領域が発光に寄与しない領域（いわゆるデッドスペー
ス）となるから、発光装置Ｄの開口率（画素Ｐが分布する発光領域のうち実際に光が出射
する領域の占める比率）が制約されるという問題がある。これに対し、本実施形態におい
ては、補助配線７０がコンタクトホールＣＨの遮光体として兼用されるから、以上の構成
と比較して開口率を増加させることができる。なお、本実施形態において開口率を増加さ
せ得るということは、所期の光量を発光装置Ｄから放射するために発光層６６に供給され
るべき電気エネルギが低減されることを意味する。発光層６６は高い電気エネルギが供給
されるほど特性の劣化が促進されるから、本実施形態によれば、開口率の増加によって発
光層６６の寿命が長期化されると言うこともできる。
【００４８】
また、駆動トランジスタＴdrと第１電極６１とを確実に導通させるためには、コンタク
トホールＣＨの面積（すなわち第１電極６１とドレイン電極３４とが接触する面積）が充
分に確保されることが望ましい。しかしながら、補助配線７０とコンタクトホールＣＨと
が重なり合わない構成のもとでコンタクトホールＣＨの面積を拡大すると、その拡大分だ
け開口率が低下するという問題がある。これに対し、本実施形態においては、コンタクト
ホールＣＨと重なり合うように補助配線７０が形成されるから、補助配線７０によって覆
われる領域の範囲内であればコンタクトホールＣＨの面積を拡大しても開口率は低下しな
い。したがって、本実施形態によれば、図２に示すようにＸ方向に長尺の形状とすること
でコンタクトホールＣＨの面積を充分に確保することができ、この結果として駆動トラン
ジスタＴdrと第１電極６１との接触部分での抵抗を低減することができる。
【００４９】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、以下に示す各形態の発光装置Ｄ
のうち第１実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその詳細な説明を適宜に
省略する。
【００５０】
図５は、本実施形態における画素Ｐの構成を示す平面図であり、図６は、図５における
VI−VI線からみた断面図である。第１実施形態においては、コンタクトホールＣＨの開口
領域の全域と重なり合うように補助配線７０が形成された構成を例示した。これに対し、
本実施形態においては、図５および図６に示すように、コンタクトホールＣＨの開口領域
のうち領域Ａ1のみと重なり合うように補助配線７０（第１部分７１）が形成される。図
６の領域Ａ2は、開口領域のうち補助配線７０と重なり合わない領域である。
【００５１】
図６に示すように、本実施形態における発光装置Ｄは基板８０を具備する。この基板８
０は、発光素子Ｅに対する外気や水分の付着を防止するための光透過性の板材であり、基
板１０のうち発光素子Ｅが配置された表面と対向するように配置される。基板８０におけ
る基板１０との対向面には遮光層８１が形成される。この遮光層８１は、黒色に着色され
た樹脂やクロムなどの金属といった遮光性の材料によって形成された膜体である。なお、
遮光層８１が形成される位置は適宜に変更される。例えば、補助配線７０や第２電極６２
の表面上に遮光層８１が形成されてもよい。
【００５２】
図５および図６に示すように、遮光層８１は、基板１０と垂直な方向からみて、開口領
域のうち領域Ａ2と重なり合う部分を含む。本実施形態の遮光層８１は、図４に例示した
補助配線７０と同様に、各画素Ｐに対応した格子状に形成され、コンタクトホールＣＨの
開口領域の全域と重なり合うように寸法および形状が選定されている。したがって、遮光
層８１は補助配線７０の全域と重なり合う。さらに、本実施形態の遮光層８１は、ドレイ
ン電極３４や補助配線７０よりも光反射率が低い材料によって形成される。
【００５３】
この構成によれば、ドレイン電極３４の表面で反射して領域Ａ2内を進行する不要反射
光が遮光層８１によって遮断される。したがって、補助配線７０が領域Ａ1のみを覆うと
は言っても、第１実施形態と同様の作用および効果は確かに奏される。
【００５４】
さらに、本実施形態においては、補助配線７０よりも光反射率が低い材料によって形成
された遮光層８１が補助配線７０と重なり合う。この構成においては、観察側から補助配
線７０に向かう外光は遮光層８１によって遮断される。また、外光が補助配線７０に到達
したとしても、その表面における反射光は遮光層８１によって遮断される。したがって、
光反射率が高い材料によって補助配線７０が形成された場合であっても、この補助配線７
０の反射光に起因した発光領域内の光量のムラは抑制される。つまり、本実施形態によれ
ば、ドレイン電極３４および補助配線７０の双方からの反射光（不要反射光）が観察側に
出射するのを防止できる。
【００５５】
＜Ｃ：第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態における画素Ｐの構成を示す断面図である。本実施形態
に係る画素Ｐの平面的な構造は図２と同様である。すなわち、図７は、図２におけるIII
−III線からみた断面図に相当する。
【００５６】
図７に示すように、本実施形態の発光装置Ｄにおいては、コンタクトホールＣＨを埋め
る絶縁部６４が形成されない。そして、発光層６６は、複数の画素Ｐにわたって連続に分
布するように基板１０の全域に形成される。なお、第１電極６１は画素Ｐごとに相互に離
間して形成される。したがって、発光層６６が複数の画素Ｐにわたって連続するとは言っ
ても、発光層６６の光量は以上の各実施形態と同様に画素Ｐごとに個別に制御される。
【００５７】
なお、第１実施形態および第２実施形態のように画素Ｐごとに発光層６６が区分された
構成においては、各発光層６６の材料を適宜に選定することによって各画素Ｐによる発光
色を相違させることが可能である。しかしながら、本実施形態のように発光層６６が複数
の画素Ｐにわたって連続する構成においては、発光層６６自体からの放射光の特性は複数
の画素Ｐについて共通する。したがって、本実施形態の構成のもとで複数色からなる画像
の表示を実現する場合には、例えば各画素Ｐに対応するカラーフィルタを基板８０（図７
においては図示略）の表面に形成した構成が採用される。また、また、発光層６６からの
出射光を第１電極６１と第２電極６２との間で共振させる共振器構造を画素Ｐごとに形成
し、画素Ｐに割り当てられた表示色ごとに共振器構造の共振波長を相違させた構成によっ
ても、複数色からなる画像を表示することが可能である。
【００５８】
図７に示すように、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨと重なり合う部分は、第１
電極６１の凹部６１１の内側（コンタクトホールＣＨの内側の空間）に入り込み、この凹
部６１１の内周面と底面とに接触する。
【００５９】
第２電極６２の表面には、第１実施形態と同様に、基板１０と垂直な方向からみてコン
タクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うように補助配線７０（より詳細には第１
部分７１）が形成される。したがって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の作
用および効果が奏される。さらに、本実施形態のように発光層６６が複数の画素Ｐにわた
って連続に分布する構成によれば、各画素Ｐの発光層６６をひとつの工程で一括的に形成
することができる。また、発光層６６の形成には、スピンコート法に代表される印刷技術
など、それ以外の成膜技術と比較して低廉な方法を採用することができる。加えて、第１
実施形態および第２実施形態にて説明した絶縁部６４を形成する必要はないから、以上の
各形態と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現される。
【００６０】
ところで、図７に示すように、発光層６６のうち第１電極６１の凹部６１１の内周面を
覆う部分（図７にて符号「６６１」が付与された部分）は、それ以外の部分と同様に第１
電極６１と第２電極６２との間に介在する。したがって、各発光素子Ｅの駆動に際しては
部分６６１からも光（不要放射光）が出射する。しかしながら、この不要放射光の特性（
光量や分光特性）は、発光層６６のうち第２絶縁層４２の表面上に位置する平坦な部分か
らの出射光の特性とは相違するから、不要放射光を観察側に出射させた場合には発光装置
Ｄの発光の均一性が損なわれる。また、発光層６６のうち部分６６１以外の部分からの出
射光と部分６６１からの不要放射光とが相互に干渉し合い、この結果として観察側への出
射光が特定の色味を呈する可能性もある。本実施形態においては、コンタクトホールＣＨ
と重なり合うように補助配線７０が形成されるから、凹部６１１から観察側に向かう不要
放射光が補助配線７０によって遮断される。以上のように、本実施形態によれば、不要放
射光および不要反射光の双方を遮断して発光領域における光量を均一化することができる
。
【００６１】
＜Ｄ：第４実施形態＞
図８は、本発明の第４実施形態における画素Ｐの構成を示す断面図である。本実施形態
に係る画素Ｐの平面的な構造は図５と同様である。第３実施形態（図７）と同様に、本実
施形態における発光層６６は、複数の画素Ｐにわたって連続に分布するとともにコンタク
トホールＣＨの内側の空間に入り込む。また、第２実施形態（図５・図６）と同様に、補
助配線７０は開口領域の領域Ａ1のみと重なり合うように形成され、基板８０の表面には
開口領域の全域（領域Ａ1および領域Ａ2）と重なり合う遮光層８１が形成される。したが
って、本実施形態によれば、第２実施形態および第３実施形態と同様の作用および効果が
奏される。
【００６２】
なお、以上に説明したように、補助配線７０からみて観察側に遮光層８１が形成された
構成によれば、補助配線７０の表面で反射する外光の影響を低減することができる。もっ
とも、第３実施形態や第４実施形態のように発光層６６がコンタクトホールＣＨに入り込
む構成においては、例えば部分６６１からの不要放射光が、補助配線７０の裏面（基板１
０側の表面）とドレイン電極３４２や反射層４４との間で反射を繰返したうえで最終的に
は観察側に出射する可能性がある。この不要放射光の出射を防止するという観点からする
と、補助配線７０と発光層６６との間（例えば図７や図８の補助配線７０と第２電極６２
との間）に、補助配線７０よりも光反射率の低い遮光体（換言すると補助配線７０よりも
光吸収率が高い遮光体）を配置した構成が好適に採用される。この構成によれば、発光層
６６の部分６６１から出射した不要放射光は補助配線７０の裏面に到達しないから、補助
配線７０における不要放射光の反射に起因した発光のムラを確実に防止することができる
。
【００６３】
＜Ｅ：第５実施形態＞
図９は、本発明の第５実施形態に係る画素Ｐの構成を示す平面図であり、図１０は、図
９におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。以上の各形態においてはトップエミッション
型の発光装置Ｄを例示した。これに対し、本実施形態の発光装置Ｄはボトムエミッション
型である。すなわち、図１０に示すように、以上の各形態にて説明した反射層４４は形成
されず、その代わりに第２電極６２が光反射性の導電材料によって形成される。したがっ
て、発光層６６から基板１０側に出射した光と発光層６６から基板１０とは反対側に出射
して第２電極６２の表面で反射した光とは、第１電極６１や基板１０を透過して図１０の
下方に出射する。
【００６４】
本実施形態においても、第１実施形態や第２実施形態と同様に、ドレイン電極３４よる
反射光の出射を防止する遮光体として補助配線７０が利用される。ただし、本実施形態に
おいては発光層６６からみて基板１０側（図１０の下方）が観察側となるから、図１０に
示すように、補助配線７０はドレイン電極３４と基板１０との間に形成される。本実施形
態の補助配線７０は、基板１０の全域にわたって形成された単一の導電膜のパターニング
によって、ゲート電極２４２（さらには選択線１１や交差部１３１）と同一の工程にて形
成される。したがって、補助配線７０はゲート電極２４２と同一の材料によって形成され
る。
【００６５】
図９のように基板１０に垂直な方向からみると、補助配線７０はドレイン電極３４（よ
り詳細にはコンタクトホールＣＨの開口領域）と重なり合う。第２電極６２は、図９に示
すように、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とを貫通するコンタクトホールＣＨ5を介し
て補助配線７０に電気的に接続される。この構成によっても第１実施形態や第２実施形態
と同様の作用および効果が奏される。例えば、本実施形態においては、観察側（図１０の
下方）からドレイン電極３４に向かう外光やドレイン電極３４の表面で反射して観察側に
向かう不要反射光が補助配線７０によって遮断されるから、発光領域の面内における光量
を均一化することが可能となる。
【００６６】
また、本実施形態の補助配線７０はゲート電極２４２（さらには選択線１１や交差部１
３１）と同一の工程にて形成される。この構成によれば、補助配線７０の形成のみに利用
される導電膜の形成やそのパターニングが不要となるから、以上の各形態のように補助配
線７０が他の要素とは別個の工程にて形成される場合と比較して、製造工程の簡素化や製
造コストの低減が実現される。さらに、本実施形態においては、発光層６６や絶縁部６４
といった有機材料の面上に補助配線７０を形成する必要がなく、しかも、ゲート電極２４
２と共通の低抵抗な導電性材料によって補助配線７０が形成される。したがって、発光層
６６や絶縁部６４の面上に補助配線７０が形成された構成と比較して補助配線７０の低抵
抗化が容易であるという利点もある。
【００６７】
また、第１実施形態から第４実施形態のようにコンタクトホールＣＨの上層に補助配線
７０が形成された構成においては、補助配線７０の下地となる表面にコンタクトホールＣ
Ｈの形状を反映した凹凸が現れる場合がある。この場合には、補助配線７０の抵抗の増大
や断線といった不具合が発生する可能性もある。これに対し、本実施形態においては、平
坦面（基板１０やゲート絶縁層４０の表面）に補助配線７０が形成されるから、この観点
からしても補助配線７０の低抵抗化が図られる。また、補助配線７０の断線を防ぐことも
可能である。
【００６８】
なお、以上においてはボトムエミッション型の発光装置Ｄを例示したが、本実施形態は
トップエミッション型にも適用される。このトップエミッション型の発光装置Ｄにおいて
は、第１電極６１と基板１０との間に反射層４４が介挿され、第２電極６２は光透過性の
材料から形成される。この構成のもとでは、第１実施形態と同様に、補助配線７０と重な
り合う領域の範囲内であればコンタクトホールＣＨの面積を拡大しても開口率は低下しな
いから、コンタクトホールＣＨの面積を充分に確保して駆動トランジスタＴdrと第１電極
６１との接触部分での抵抗を低減することができる。さらに、補助配線７０が図９や図１
０のように第１電極６１の下層に形成されたトップエミッション型の発光装置Ｄにおいて
は、例えば補助配線７０が遮光性の材料によって形成された場合であっても、発光層６６
からの放射光が補助配線７０によって遮断されることはない。したがって、開口率を向上
することができるという利点がある。
【００６９】
＜Ｆ：第６実施形態＞
以上の各形態においては、画素Ｐの各行および各列に対応した格子状の補助配線７０（
図４）を例示したが、補助配線７０の具体的な形態は適宜に変更される。本実施形態にお
いては、複数行や複数列に１本の割合で補助配線７０が形成される。
【００７０】
図１１は、発光領域内に多数の発光素子Ｅが配列する様子を示す平面図であり、図１２
は、図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。なお、図１１や図１２においては
、選択トランジスタＴslや容量素子Ｃといった各要素の図示が適宜に省略されている。
【００７１】
以上の各形態と同様に、第２絶縁層４２の面上には、Ｙ方向を長辺とする略長方形状の
第１電極６１がＸ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に形成される。第１電極６１
は、第２電極６２よりも仕事関数が高い光反射性の導電材料によって形成される。この構
成においては以上の各形態に係る反射層４４が省略される。
【００７２】
第１電極６１が形成された第２絶縁層４２の表面には絶縁部６４が形成される。図１１
および図１２に示すように、絶縁部６４のうち第１電極６１と重なり合う各領域には開口
部６４１（絶縁部６４を厚さ方向に貫通する孔）が形成される。図１１に示すように、基
板１０に垂直な方向からみると開口部６４１の内周縁はその全周にわたって第１電極６１
の周縁（輪郭線）よりも内側に位置する。なお、以上のように第１電極６１の周縁は実際
には絶縁部６４に覆われるが、図１１においては第１電極６１の外形が便宜的に実線で図
示されている。
【００７３】
図１２に示すように、発光層６６は、絶縁部６４が形成された第２絶縁層４２の全面を
被覆するように複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成される。すなわち、発光層６６は
、開口部６４１の内側に入り込んで第１電極６１に対向する部分（すなわち実際に発光す
る部分）と絶縁部６４の面上に位置する部分とを含む。
【００７４】
図１２に示すように、第２電極６２は、複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成されて
発光層６６と絶縁部６４とを覆う導電膜である。すなわち、第２電極６２は、開口部６４
１の内側にて発光層６６を挟んで第１電極６１に対向する部分と絶縁部６４の面上に位置
する部分とを含む。図１１および図１２に示すように、第１電極６１と第２電極６２と発
光層６６との積層のうち基板１０に垂直な方向からみて開口部６４１の内周縁の内側に位
置する部分（すなわち第１電極６１から第２電極６２に電流が流れる領域）が発光素子Ｅ
である。発光層６６のうち絶縁部６４と重なり合う領域は、第１電極６１と第２電極６２
との間に介在する絶縁部６４によって電流が遮断されるから発光しない。すなわち、絶縁
部６４は、各発光素子Ｅの輪郭を画定する手段として機能する。
【００７５】
図１１および図１２に示すように、絶縁部６４（発光層６６）と第２電極６２との間に
はＸ方向に延在する複数の補助配線７０が形成される。本実施形態における補助配線７０
の具体的な態様は以下の通りである。なお、図１１には、第ｉ行から第(i+3)行までの各
行に属する３列分の発光素子Ｅが図示されている。第ｉ行および第(i+2)行は偶数行であ
り、第(i+1)行および第(i+3)行は奇数行である。
【００７６】
図１１に示すように、補助配線７０は、偶数行の各発光素子ＥとそのＹ方向の正側に隣
接する奇数行の各発光素子Ｅとの間隙Ｓ1（例えば第ｉ行と第(i+1)行との間隙Ｓ1や第(i+
2)行と第(i+3)行との間隙Ｓ1）に形成される。一方、奇数行の各発光素子ＥとそのＹ方向
の正側に隣接する偶数行の各発光素子Ｅとの間隙Ｓ2に補助配線７０は形成されない。す
なわち、奇数行とそのＹ方向の正側に隣接する偶数行の２行を単位として発光領域を区分
すると、Ｙ方向に隣接する各単位の間隙Ｓ1には補助配線７０が形成され、ひとつの単位
に属する各行の間隙Ｓ2には補助配線７０が存在しない。以上のように本実施形態におい
ては、複数行（２行）ごとに１本の割合で補助配線７０が形成される。
【００７７】
各発光素子Ｅの第１電極６１と駆動トランジスタＴdrとを導通させるコンタクトホール
ＣＨは、当該発光素子Ｅからみて補助配線７０側に形成される。したがって、発光素子Ｅ
とこれに対応したコンタクトホールＣＨとのＹ方向の配置は奇数行と偶数行とで反対とな
る。すなわち、偶数行においては発光素子ＥからみてＹ方向の正側にコンタクトホールＣ
Ｈが位置するのに対し、奇数行においては発光素子ＥからみてＹ方向の負側にコンタクト
ホールＣＨが位置する。
【００７８】
補助配線７０は、図１１や図１２に示すように絶縁部６４の略全幅にわたって形成され
て各発光素子Ｅの間隙Ｓ1を被覆し、第１実施形態や第２実施形態と同様にコンタクトホ
ールＣＨと重なり合う。すなわち、補助配線７０は、偶数行の各発光素子Ｅのコンタクト
ホールＣＨとそのＹ方向の正側に隣接する奇数行の各発光素子ＥのコンタクトホールＣＨ
とに重なり合う。換言すると、補助配線７０のうち幅方向におけるひとつの周縁（図１１
の上方の縁辺）は偶数行の各発光素子Ｅと各々に対応したコンタクトホールＣＨとの間隙
に位置し、他方の周縁は奇数行の各発光素子Ｅと各々に対応したコンタクトホールＣＨと
の間隙に位置する。
【００７９】
補助配線７０が形成される位置には製造技術上の理由から誤差が発生する場合がある。
例えば、マスクを介した蒸着（詳細は後述する）によって補助配線７０を形成する場合に
は、マスクの寸法の誤差や基板１０とマスクとの位置合わせの誤差に起因して補助配線７
０が所期の位置（設計上の位置）とは相違する位置に形成される場合がある。補助配線７
０の位置に誤差がある場合でも補助配線７０と発光素子Ｅとが基板１０に垂直な方向から
みて重複しない（すなわち開口率が低下しない）ように、補助配線７０の設計上の位置と
その幅方向の両側に隣接する発光素子Ｅとの各間隙にはスペース（以下「マージン領域」
という）が確保される。
【００８０】
以上に説明したように、本実施形態においては２行ごとに１本の補助配線７０が形成さ
れるから、第１実施形態のように全行および全列の間隙に補助配線７０が形成された構成
（例えば図４の構成である。以下「対比構成」という）と比較して、発光領域のうち補助
配線７０が形成される領域やマージン領域の総面積が削減される。したがって、本実施形
態によれば、開口率の維持と補助配線７０の低抵抗化との両立が容易化されるという利点
がある。すなわち、例えば開口率を対比構成と同等に維持するとすれば、補助配線７０の
本数や各々に対応するマージン領域の面積が削減された分だけ各補助配線７０の線幅が対
比構成よりも広く確保されるから、各補助配線７０の抵抗を低減することが可能となる。
さらに、本実施形態においては偶数行の各発光素子Ｅの配列とそのＹ方向の正側に隣接す
る奇数行の各発光素子Ｅの配列との間隙に両行に対応した多数のコンタクトホールＣＨが
集中的に配列するから、補助配線７０の線幅を増大させることによって補助配線７０と各
コンタクトホールＣＨとを容易に重ね合わせることができる。一方、各補助配線７０の線
幅を対比構成と同等に維持するとすれば、発光領域の全体に占める補助配線７０やマージ
ン領域の面積が削減される分だけ、各発光素子Ｅの面積を広く確保して対比構成よりも開
口率を増加させることができる。さらに、発光領域から所期の光量を出射させるために各
発光素子Ｅに供給すべき電気エネルギ（電流）は開口率の増加によって低減されるから、
電気エネルギの供給に起因した劣化を抑制して発光素子Ｅが長寿命化されるという利点も
ある。
【００８１】
次に、本実施形態に係る発光装置Ｄを製造する方法のうち補助配線７０を形成する工程
について説明する。本実施形態の補助配線７０はマスクを利用した蒸着（真空蒸着）によ
って形成される。なお、補助配線７０以外の要素の形成には公知である各種の技術が採用
される。
【００８２】
図１３は、補助配線７０を形成する工程を説明するための断面図（図１２に対応する断
面図）である。図１３に示すように、補助配線７０の形成に先立って蒸着用のマスク７５
が用意される。マスク７５は、領域ＲＡが開口するとともにそれ以外の領域ＲＢを遮蔽す
る形状に形成される。領域ＲＡは、補助配線７０が形成される領域と対向するようにＸ方
向に沿って延在するスリット状の領域である。すなわち、領域ＲＡは、偶数行（第ｉ行や
第(i+2)行）とそのＹ方向の正側に隣接する奇数行（第(i+1)行や第(i+3)行）との間隙Ｓ1
に対向する領域（より厳密には間隙Ｓ1からマージン領域を除外した領域）である。一方
、領域ＲＢは領域ＲＢ1と領域ＲＢ2とを含む。領域ＲＢ1は各発光素子Ｅに対向する領域
である。領域ＲＢ2は、奇数行（第(i+1)行）とそのＹ方向の正側の偶数行（第(i+2)行）
との間隙Ｓ2に対向する領域である。
【００８３】
以上のマスク７５を利用した蒸着によって補助配線７０が形成される。すなわち、図１
３に示すように、発光層６６が形成された段階（第２電極６２の形成前）の発光装置Ｄが
真空中に配置され、発光層６６と対向するようにマスク７５が配置される。そして、第２
電極６２よりも抵抗率が低い材料の蒸気Ｖを選択的に発光層６６の表面に付着・堆積させ
ることで補助配線７０が図１１の形状に形成される。
【００８４】
本実施形態の発光装置Ｄにおいては発光素子Ｅの２行ごとに１本の補助配線７０が形成
されるから、図１３に示すように、マスク７５の領域ＲＢ2は開口させる必要がない。す
なわち、対比構成のように全行の間隙に補助配線７０を形成する場合（マスク７５の領域
ＲＢ2も領域ＲＡと同等の幅寸法にわたって開口する場合）と比較して、マスク７５の機
械的な強度を維持することができる。したがって、マスク７５の変形（例えば自重による
撓み）に起因した補助配線７０の誤差やマスク７５の破損を有効に防止することができる
。また、補助配線７０の誤差が低減されるから、補助配線７０をコンタクトホールＣＨに
高精度かつ容易に重ね合わせることが可能となる。
【００８５】
なお、図１１においては補助配線７０が発光素子Ｅの短辺（Ｘ方向）に沿って延在する
構成を例示したが、図１４に示すように、補助配線７０が発光素子Ｅの長辺（Ｙ方向）に
沿って延在する構成も採用される。なお、図１４においては、第ｊ列から第(j+3)列まで
の各列に属する３行分の発光素子Ｅが図示されている。第ｊ列および第(j+2)列は偶数列
であり、第(j+1)列および第(j+3)列は奇数列である。
【００８６】
図１４に示すように、本実施形態においては複数列（２列）ごとに１本の補助配線７０
が形成される。すなわち、第ｊ列と第(j+1)列との間隙Ｓ1および第(j+2)列と第(j+3)列と
の間隙Ｓ1にはＹ方向に延在する補助配線７０が形成される一方、第(j+1)列と第(j+2)列
との間隙Ｓ2に補助配線７０は形成されない。また、各補助配線７０はその幅方向の両側
に位置する発光素子ＥのコンタクトホールＣＨと重なり合う。図１４の構成によっても図
１１の構成と同様の作用および効果が奏される。
【００８７】
各発光素子Ｅを経由した電流が補助配線７０に流れ込むまでの区間の抵抗値（以下「陰
極側抵抗」という）は、補助配線７０が延在する方向に沿った発光素子Ｅの寸法Ｗ（図１
１および図１４参照）に反比例する。図１４の構成においては発光素子Ｅの長辺に沿って
補助配線７０が延在するから、発光素子Ｅの短辺に沿って補助配線７０が延在する図１１
の構成と比較して寸法Ｗを拡大することができる。したがって、図１４の構成によれば図
１１の構成と比較して陰極側抵抗が低減される。これによって第２電極６２における電圧
降下が抑制されるから、陰極側抵抗が高い場合と比較して、発光素子Ｅの駆動に必要な電
源電位Ｖddを低下させることが可能となる。
【００８８】
＜Ｇ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００８９】
（１）第２実施形態（図５・図６）や第４実施形態（図８）においては、コンタクトホー
ルＣＨの開口領域のうち補助配線７０によって覆われない領域Ａ2に遮光層８１が重なり
合う構成を例示したが、この構成における遮光層８１は適宜に省略され得る。遮光層８１
が形成されない構成においては領域Ａ2から不要反射光（第４実施形態においてはさらに
不要放射光）が観察側に出射するが、領域Ａ1における不要反射光や不要放射光は補助配
線７０によって遮光されるから、如何なる遮光体もコンタクトホールＣＨと重なり合わな
い従来の構成と比較すれば、発光領域における光量のムラが抑制されるという所期の効果
は確かに奏される。
【００９０】
また、第１実施形態（図２・図３）や第３実施形態（図７）のようにコンタクトホール
ＣＨの開口領域の全域と重なり合うように補助配線７０が形成された構成であっても、不
要反射光や不要放射光をさらに確実に防止するために、コンタクトホールＣＨと重なり合
う部分を含む遮光層８１が配置されてもよい。以上のように、本発明においては、基板１
０に垂直な方向からみてコンタクトホールＣＨの一部または全部と重なり合うように補助
配線７０が配置された構成であれば足りる。もっとも、コンタクトホールＣＨに起因した
光量のムラを確実に防止するという観点からすると、コンタクトホールＣＨよりも広い範
囲にわたって補助配線７０を配置した構成が好適である。
【００９１】
（２）第１実施形態および第２実施形態においては、絶縁部６４と発光層６６とが重なり
合わない構成を例示したが、図１５に示すように、発光層６６が絶縁部６４を覆う構成も
採用される。この構成によれば、絶縁部６４によってコンタクトホールＣＨが埋められた
平坦面の面上に発光層６６や第２電極６２が形成されるから、コンタクトホールＣＨの段
差に起因した発光層６６や第２電極６２の欠損や断線を防止することができる。また、第
１実施形態および第２実施形態と同様に発光層６６は凹部６１１の内側に入り込まないか
ら、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨと重なり合う部分は絶縁部６４を挟んで第１
電極６１から離間する（すなわち電流が流れない）。したがって、図１５の構成によれば
、図７や図８の構成のもとで問題となる不要放射光の発生を回避することができる。
【００９２】
（３）以上の各形態においては発光層６６が有機ＥＬ材料によって形成される場合を例示
したが、発光層６６の材料は適宜に変更される。例えば無機ＥＬ材料によって発光層を形
成することもできる。本発明における発光層は、電気エネルギの付与によって発光する発
光材料によって形成されていれば足りる。
【００９３】
＜Ｈ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１６は、以上に
説明した何れかの形態に係る発光装置Ｄを表示装置として採用したモバイル型のパーソナ
ルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装
置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ
２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置Ｄは発光素子Ｅに有
機ＥＬ材料を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００９４】
図１７に、何れかの形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電
話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに
表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによっ
て、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００９５】
図１８に、何れかの形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal
Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４０
０１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源
スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置
Ｄに表示される。
【００９６】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１６から図１８に示し
たもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置
、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限
定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置において
は、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使
用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の発光装置は利用される。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図２】ひとつの画素の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】補助配線の形態を例示する平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図６】図５におけるVI−VI線からみた断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図１０】図９におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。
【図１１】本発明の第６実施形態における画素の配列を示す平面図である。
【図１２】図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。
【図１３】補助配線を形成する工程について説明するための断面図である。
【図１４】第６実施形態の別の態様に係る画素の配列を示す平面図である。
【図１５】各実施形態の変形例に係る画素の構成を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１８】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９８】
Ｄ……発光装置、Ｐ……画素、Ｅ……発光素子、１０……基板、１１……選択線、１３…
…信号線、１５……電源線、７０……補助配線、４０……ゲート絶縁層、４１……第１絶
縁層、４２……第２絶縁層、４４……反射層、６１……第１電極、６２……第２電極、６
６……発光層、６４……絶縁部、６４１……開口部、８０……基板、８１……遮光層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）材料など各種の発光材料によって形成され
た発光層を有する発光装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の発光素子を面状または線状に配列した発光装置が従来から提案されている。各発
光素子は、相互に対向する第１電極と第２電極との間に発光層を介在させた素子である。
アクティブマトリクス方式の発光装置においては、発光素子の発光を制御するためのスイ
ッチング素子（典型的には薄膜トランジスタ）が発光素子ごとに形成される。各発光素子
は、スイッチング素子を覆う絶縁層の面上に形成され、その第１電極は絶縁層のコンタク
トホールを介してスイッチング素子に導通する。
【０００３】
第２電極は、複数の発光素子にわたって連続に分布する。この構成においては、第２電
極の面内の位置に応じて電圧降下の程度が相違するから、各発光素子に供給される電位（
さらには各発光素子の光量）がその位置に応じて相違する場合がある。第２電極がＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）など光透過性の導電材料によって形成されたトップエミッション型
の発光装置においては、第２電極が必然的に高抵抗となるから、第２電極の面内における
電圧降下の相違やこの相違に起因した各発光素子の光量（輝度）のバラツキは特に顕著で
ある。
【０００４】
以上のような電圧降下を抑制するために、例えば特許文献１には、第２電極よりも抵抗
率が低い導電材料によって形成された配線（以下「補助配線」という）を第２電極に対し
て電気的に接続した構成が開示されている。この構成によれば、第２電極の面内における
電圧降下を抑制して各発光素子の光量を均一化することが可能である。
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された構成においては、補助配線が配置されるスペー
スと絶縁層のコンタクトホールが形成されるスペースとが各発光素子の間隙に個別に確保
されるから、基板の表面のうち発光素子からの放射光が実際に出射する領域の割合（以下
「開口率」という）が制約されるという問題がある。以上の事情を背景として、本発明は
、補助配線と絶縁層のコンタクトホールとが形成される構成において開口率を増加させる
という課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板の面上に形成されたスイッ
チング素子（例えば図２の駆動トランジスタＴdr）と、スイッチング素子を覆う絶縁層（
例えば図３の第２絶縁層４２）と、絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホ
ール（例えば図２や図３のコンタクトホールＣＨ）を介してスイッチング素子に電気的に
接続される第１電極と、第１電極を挟んで基板とは反対側に形成された第２電極と、第１
電極と第２電極との間に介在する発光層と、第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によっ
て形成されて当該第２電極に電気的に接続される配線であって、基板に垂直な方向からみ
て絶縁層のコンタクトホールと重なり合う部分を含む補助配線（例えば各実施形態におけ
る補助配線７０）とを具備する。
【０００７】
この構成においては、絶縁層のコンタクトホールと重なり合うように補助配線が形成さ
れるから、コンタクトホールと補助配線とが重なり合わない従来の構成（すなわちコンタ
クトホールと補助配線とについて別個にスペースが確保される構成）と比較して、これら
の要素が配置されるスペースを削減することができる。したがって、本発明によれば開口
率を増加させることができる。また、開口率が増加するということは、所期の光量を発光
装置から出射するために発光層に供給されるべき電気エネルギが低減されることを意味す
る。発光層（特に有機ＥＬ材料）は高い電気エネルギが供給されるほど特性の劣化が進行
するから、発光層に供給される電気エネルギを低減できる本態様によれば、補助配線によ
って開口率が制約される構成と比較して、発光層の寿命（発光量や発光効率などの特性値
が所定値に低下するまでの時間長）を長期化することができるという利点がある。
【０００８】
さらに、コンタクトホールが補助配線と重なり合うから、補助配線によって覆われる領
域の範囲内であればコンタクトホールの面積を拡大しても開口率は低下しない。したがっ
て、本発明によれば、コンタクトホールと補助配線とが重なり合わない構成と比較してコ
ンタクトホールの面積が容易かつ充分に確保され、この結果として第１電極とスイッチン
グ素子との接触の抵抗を低減することができる。例えば、補助配線が所定の方向に延在す
る構成において、基板に垂直な方向からみて所定の方向（例えば図２のＸ方向）を長手と
する形状にコンタクトホールを形成すれば、コンタクトホールの面積を特に充分に確保す
ることができる。したがって、第１電極とスイッチング素子との接触部分での抵抗を低減
し、あるいは両者の導通の確実性を増進することができる。
【０００９】
ところで、絶縁層にコンタクトホールが形成された構成においては、太陽光や照明光な
どの外光が絶縁層のコンタクトホールを通過してスイッチング素子の電極に到達し、その
表面における反射光（以下「不要反射光」という）が観察側に出射する場合がある。この
不要反射光は、発光層からの出射光とは特性（例えば光量や分光特性）が相違するから、
発光装置の面内における光量（輝度）のバラツキの原因となる。また、例えば、絶縁層の
表面上だけでなくコンタクトホールの内側にも入り込むように発光層が形成された構成（
例えば図７から図１０の構成）においては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿
った部分からも光（以下「不要放射光」という）が出射する。しかしながら、発光層のう
ち絶縁層の表面上に位置する部分とコンタクトホールの内側に入り込んだ部分（例えば図
７から図１０の部分６６１）とでは膜厚が相違するから、前者の部分からの出射光と後者
の部分から出射する不要放射光とは光量や分光特性が相違する。したがって、この構成に
おける不要放射光も発光装置の面内における光量のバラツキ（ムラ）の原因となり得る。
【００１０】
そこで、本発明の好適な態様において、補助配線は、絶縁層に対して発光層による放射
光の出射側に遮光性の導電材料によって形成される。この構成によれば、太陽光や照明光
などの外光は補助配線によって遮断されるからコンタクトホールやスイッチング素子（特
にその電極）には到達しない。また、仮に外光がコンタクトホールを通過してスイッチン
グ素子に到達した場合であっても、その表面における不要反射光は補助配線によって遮断
される。さらに、発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成（例えば図７から図
１０の構成）において、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分からの不要
放射光は補助配線によって遮断される。以上のように本発明によれば不要反射光や不要放
射光が補助配線によって遮断されるから、コンタクトホールに起因した光量のムラを抑制
することができる。もっとも、本発明における補助配線は遮光性を持たない配線（例えば
光透過性の配線）であってもよい。
【００１１】
なお、以上の態様における「絶縁層に対して発光層による放射光の出射側」とは、発光
層からの放射光の出射が本来的に予定された側という意味である。例えば、第１電極が光
透過性を有するボトムエミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板側が「
発光層による放射光の出射側」に相当する。また、第２電極が光透過性を有するトップエ
ミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板とは反対側が「発光層による放
射光の出射側」に相当する。また、例えば発光装置の用途に着目すると、例えば発光装置
が表示装置として利用される場合には、絶縁層に対して観察側（すなわち発光装置によっ
て表示された画像を視認する観察者が位置する側）が「発光層による放射光の出射側」に
相当し、感光体ドラムなどの感光体を露光する露光装置（露光ヘッド）として発光装置が
利用される場合には、絶縁層に対して感光体側が「発光層による放射光の出射側」に相当
する。
【００１２】
補助配線の光反射率がスイッチング素子の電極の光反射率よりも高い場合、コンタクト
ホールに起因した発光の不均一性は確かに解消されるものの、今度は補助配線における外
光の反射光が発光の均一性に影響を与える可能性もある。そこで、本発明の好適な態様に
おいて、スイッチング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層から露出した部分が第１
電極に接触する電極（例えば図２や図３のドレイン電極３４）を含み、補助配線は、スイ
ッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によって形成される。この構成によれば、
スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によって補助配線が形成されるから、
コンタクトホールにおける反射光の影響と補助配線における反射光の影響とを双方とも解
消して発光の均一性を増進することができる。
【００１３】
本発明の好適な態様において、補助配線は、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホ
ールの内周縁に包囲された領域（開口領域）の全域と重なり合う。この態様によれば、コ
ンタクトホールに起因した不要反射光や不要放射光のうち補助配線によって遮断される割
合を増大させることができる。この態様の具体例は第１実施形態（図２・図３）および第
３実施形態（図７）として後述される。なお、マスクを利用した蒸着などの成膜技術によ
って遮光体（補助配線）が形成される場合には、たとえコンタクトホールの開口領域の全
域と重なり合うように遮光体を形成しようとしても、製造上のバラツキ（マスクのズレ）
に起因して遮光体の位置に誤差が生じる場合がある。このように誤差を原因として開口領
域の一部が遮光体と重なり合わない構成であっても、設計上において遮光体が開口領域の
全域と重なり合う以上は、本態様の「コンタクトホールの内周縁に包囲された領域の全域
と重なり合う」という要件を充足すると言える。
もっとも、補助配線が、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホールの内周縁に包囲
された領域の一部（例えば図６や図８における領域Ａ1）のみと重なり合う構成としても
よい。この構成において、より望ましくは、コンタクトホールの内周縁に包囲された領域
のうち補助配線と重なり合わない領域（例えば図６や図８における領域Ａ2）に重なり合
う部分を含む遮光層がさらに配置される。この構成によれば、補助配線によって遮断され
ない不要反射光や不要放射光が遮光層によって遮断される。したがって、コンタクトホー
ルの全域と重なるように補助配線が形成された態様と同様に、コンタクトホールに起因し
た不要反射光や不要放射光のうち補助配線によって遮断される割合を増大させることがで
きる。なお、この態様の具体例は、例えば第２実施形態（図５・図６）および第４実施形
態（図８）として後述される。
【００１４】
本発明の好適な態様において、絶縁材料によって形成されてコンタクトホールの内側の
空間に入り込む絶縁部（例えば図２や図３の絶縁部６４）が設けられ、発光層は、コンタ
クトホールの内側の空間には入り込まない。この構成によれば、コンタクトホールの内側
に発光層が存在しないから、この部分から出射する不要放射光に起因して発光の均一性が
損なわれることはない。なお、この態様の具体例は、例えば、第１実施形態（図２・図３
）および第２実施形態（図５・図６）として後述される。なお、発光層は、絶縁部を挟ん
で分断されるように分布してもよいし、絶縁部を覆うように連続に分布してもよい（例え
ば図１５参照）。
【００１５】
もっとも、コンタクトホールの内側に入り込む絶縁部は本発明において必ずしも必要で
はない。例えば、発光層がコンタクトホールの内側の空間に入り込む構成としてもよい。
より具体的には、基板の面上に複数の画素（各々がスイッチング素子と第１電極とを含む
）が配列され、発光層は、複数の画素にわたって連続に分布する。この態様の具体例は、
第３実施形態（図７）や第４実施形態（図８）として後述される。この態様によれば、発
光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成とされる。このように絶縁部が省略され
た構成によれば、発光装置の製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られるという利点
がある。一方、本発明のように発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成におい
ては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分から不要放射光が出射するが
、この不要放射光は補助配線によって遮断される。
【００１６】
本発明の発光装置は、トップエミッション型およびボトムエミッション型の何れにも適
用される。トップエミッション型の発光装置においては、第２電極が発光層からの出射光
を透過させる。ボトムエミッション型の発光装置においては、第１電極が発光層からの出
射光を透過させる。なお、ボトムエミッション型の発光装置の具体例は第５実施形態（図
９・図１０）として後述される。
【００１７】
本発明の好適な態様において、スイッチング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層
から露出した部分が第１電極に接触する電極を含み、補助配線は、スイッチング素子の電
極と基板との間に形成されて当該電極に対向し、かつ、絶縁層のコンタクトホール（例え
ば図１０のコンタクトホールＣＨ5）を介して第２電極に電気的に接続される。この態様
における補助配線は、例えば、スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によっ
て形成される。この態様によっても、スイッチング素子の電極における反射光が補助配線
によって遮断されるから、発光の均一性を維持することができる。
なお、補助配線がスイッチング素子の電極と基板との間に形成された態様において、補
助配線は、スイッチング素子を構成する要素（例えば図１０のゲート電極２４２）と同一
の材料によって形成されることが望ましい。この態様によれば、単一の導電膜のパターニ
ングによってスイッチング素子の電極と補助配線とをひとつの工程で一括的に形成するこ
とができるから、補助配線がスイッチング素子とは別個の工程で形成される場合と比較し
て、製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。
【００１８】
なお、以上の各態様における補助配線の具体的な形態は任意である。第１電極と第２電
極と発光層とを各々が含む複数の発光素子を第１方向（例えば図１１のＸ方向）に配列し
た複数の素子群（例えば各行に属する複数の発光素子の集合）が第１方向と交差する第２
方向に並列された態様において、補助配線は、例えば、複数の素子群のうち相互に隣接す
る第１の素子群（例えば図１１の第ｉ行）と第２の素子群（例えば図１１の第(i+1)行）
との間隙（例えば図１１の間隙Ｓ1）にて第１方向に延在する形状に形成され、第２の素
子群に対して第１の素子群とは反対側に隣接する第３の素子群（例えば図１１の第(i+2)
行）と第２の素子群との間隙（例えば図１１の間隙Ｓ2）には形成されない。この態様に
おいては、第２の素子群と第３の素子群との間隙に補助配線が形成されないから、総ての
素子群の間隙に補助配線が形成された構成と比較して、補助配線が形成される領域や補助
配線と発光素子との間隙に確保される領域（マージン領域）の面積を削減することが可能
である。したがって、開口率の向上と補助配線の低抵抗化との両立が容易となる。例えば
、補助配線の線幅を削減することなく開口率を向上させ、あるいは開口率（発光素子の面
積）を低下させることなく補助配線の線幅を拡大（低抵抗化）することができる。
【００１９】
以上のように２以上の素子群を単位として１本の補助配線が配置される構成において、
補助配線の形成にはマスクを利用した蒸着が好適に採用される。すなわち、発光装置を製
造する方法のうち補助配線を形成する工程は、所定の形状のマスクを用意する過程と、第
２電極よりも抵抗率が低い材料をマスクを介して蒸着することで補助配線を形成する過程
とを含む。前者の過程にて用意されるマスクは、複数の素子群のうち相互に隣接する第１
の素子群と第２の素子群との間隙に対向する領域（例えば図１３の領域ＲＡ）が開口し、
第２の素子群に対して第１の素子群とは反対側に隣接する第３の素子群と第２の素子群と
の間隙に対向する領域（例えば図１３の領域ＲＢ2）を遮蔽する。以上の方法に使用され
るマスクは、第２の素子群と第３の素子群との間隙に対向する領域が遮蔽されているから
、総ての素子群の間隙に対向する領域が開口するマスクと比較して機械的な強度が高い。
したがって、マスクの変形に起因した補助配線の誤差やマスクの破損が抑制される。
【００２０】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光
装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコン
ピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示
に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成
するための露光装置（露光ヘッド）、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置
（バックライト）、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原稿を照明する
装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の発光装置を適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示すブロック図である
。この発光装置Ｄは、各種の電子機器に搭載されて画像を表示する表示装置であり、図１
に示すように、Ｘ方向に延在する複数の選択線１１と、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在す
る複数の信号線１３とを有する。選択線１１と信号線１３との各交差には画素Ｐが配置さ
れる。したがって、これらの画素Ｐは所定の領域（以下「発光領域」という）内にてＸ方
向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列する。
【００２２】
ひとつの画素Ｐは、電流の供給によって発光する発光素子Ｅと、この発光素子Ｅに供給
される電流を制御するための駆動トランジスタＴdrおよび選択トランジスタＴslとを含む
。発光素子Ｅは、有機ＥＬ材料からなる発光層６６を第１電極６１と第２電極６２との間
に介在させた素子である。発光層６６は、第１電極６１から第２電極６２に流れる電流に
応じた輝度（光量）で発光する。
【００２３】
駆動トランジスタＴdrは、発光素子Ｅに供給される電流量を制御するためのスイッチン
グ素子であり、ソース電極が電源線１５に接続される。電源線１５には高位側の電源電位
Ｖddが供給される。駆動トランジスタＴdrのゲート電極とソース電極との間には、駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極の電位を保持するための容量素子Ｃが介挿される。また、駆
動トランジスタＴdrのドレイン電極は発光素子Ｅの第１電極６１に接続される。発光素子
Ｅの第２電極６２には、補助配線７０を介して低位側の電源電位Ｇndが供給される。なお
、補助配線７０の作用やその具体的な形態については後述する。
【００２４】
一方、選択トランジスタＴslは、駆動トランジスタＴdrのゲート電極と信号線１３との
間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。この選択トランジ
スタＴslのゲート電極は選択線１１に接続される。なお、本実施形態においては駆動トラ
ンジスタＴdrがｐチャネル型で選択トランジスタＴslがｎチャネル型である構成を例示す
るが、各々の導電型は任意に変更され得る。
【００２５】
選択線１１に供給される選択信号がアクティブレベルに遷移して選択トランジスタＴsl
がオン状態に変化すると、画素Ｐに指定された階調に応じたデータ電位Ｖdataが信号線１
３から選択トランジスタＴslを経由して駆動トランジスタＴdrのゲート電極に供給される
。このときに容量素子Ｃにはデータ電位Ｖdataに応じた電荷が蓄積されるから、選択信号
が非アクティブレベルに遷移して選択トランジスタＴslがオフ状態に変化しても、駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極はデータ電位Ｖdataに維持される。発光素子Ｅには、駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極の電位に応じた電流（すなわちデータ電位Ｖdataに応じた電
流）が供給される。この電流の供給によって発光素子Ｅはデータ電位Ｖdataに応じた輝度
（光量）で発光する。
【００２６】
次に、図２は、ひとつの画素Ｐの具体的な構成を示す平面図であり、図３は、図２にお
けるIII−III線からみた断面図である。なお、図２は平面図であるが、各要素の把握を容
易化するために、図３と共通する各要素については図３と同じ態様のハッチングが施され
ている。以下の各実施形態に係る平面図（図５および図９）においても同様である。また
、図２においては、図１の発光層６６や第２電極６２の図示が便宜的に省略されている。
【００２７】
図３に示すように、駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅといった図１の各要素は基板１
０の表面上に形成される。基板１０は、ガラスやプラスチックなど各種の絶縁性材料を略
長方形状に成形した板状の部材である。なお、基板１０を覆う絶縁性の膜体（例えば酸化
珪素や窒化珪素などの膜体）を下地として各画素Ｐの要素を形成してもよい。以下では、
基板１０からみて駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅが形成された側（すなわち図３にお
ける上方）を「観察側」と表記する。すなわち、「観察側」とは、発光装置Ｄによって表
示された画像を視認する観察者の側である。
【００２８】
図２および図３に示すように、駆動トランジスタＴdrは、基板１０の面上に形成された
半導体層３１と、基板１０の全面に形成されて半導体層３１を覆うゲート絶縁層４０と、
ゲート絶縁層４０を挟んで半導体層３１に対向するゲート電極２４２と、ソース電極３３
およびドレイン電極３４とを含む。半導体層３１は、シリコンなどの半導体材料によって
略矩形に形成された膜体である。
【００２９】
図２に示すように、ゲート絶縁層４０の面上には中間導電体２４が形成される。この中
間導電体２４のうちＸ方向に延在して半導体層３１に重なり合う部分がゲート電極２４２
である。図３に示すように、半導体層３１は、ゲート絶縁層４０を挟んでゲート電極２４
２に対向するチャネル領域３１cと、このチャネル領域３１cを挟むソース領域３１sおよ
びドレイン領域３１dとを含む。
【００３０】
図３に示すように、半導体層３１やゲート電極２４２（中間導電体２４）が形成された
基板１０の表面はその全域にわたって第１絶縁層４１に覆われる。ソース電極３３やドレ
イン電極３４は第１絶縁層４１の面上に形成される。ソース電極３３は、図２に示すよう
に、Ｘ方向に延在する電源線１５の部分であり、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを
貫通するコンタクトホールＣＨ1aを介して半導体層３１のソース領域３１sに導通する。
【００３１】
ドレイン電極３４は、第１部分３４１と第２部分３４２とが連続する形状に成形される
。第１部分３４１は、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホール
ＣＨ1bを介して半導体層３１のドレイン領域３１dに導通する。第２部分３４２は、図２
に示すようにＸ方向に延在する部分である。
【００３２】
図２に示すように、中間導電体２４は、電源線１５に重なり合う電極部２４４とゲート
電極２４２からＹ方向に延在して電源線１５と交差する配線部２４６とを含む。電極部２
４４と電源線１５とが第１絶縁層４１を挟んで対向することによって図１の容量素子Ｃが
構成される。
【００３３】
一方、選択トランジスタＴslは、図２に示すように、基板１０の面上に形成された半導
体層５１と、ゲート絶縁層４０を挟んで半導体層５１のチャネル領域に対向するゲート電
極１１２と、ゲート電極１１２を覆う第１絶縁層４１の面上に形成されたドレイン電極５
３およびソース電極５４とを含む。ゲート電極１１２は、Ｘ方向に延在する選択線１１か
らＹ方向に分岐して半導体層５１に重なる部分である。選択線１１と中間導電体２４とは
共通の導電膜のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。同様に、ドレイ
ン電極５３およびソース電極５４と、駆動トランジスタＴdrのソース電極３３（電源線１
５）およびドレイン電極３４とは、単一の導電膜のパターニングによって同じ工程で形成
される。
【００３４】
ドレイン電極５３は、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホー
ルＣＨ2bを介して半導体層５１のドレイン領域に導通する。同様に、ソース電極５４は、
コンタクトホールＣＨ2aを介して半導体層５１のソース領域に導通する。また、ソース電
極５４は、第１絶縁層４１を貫通するコンタクトホールＣＨ3を介して中間導電体２４の
配線部２４６に導通する。これによって選択トランジスタＴslのソース電極５４と駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極２４２とが電気的に接続される。
【００３５】
図２に示すように、図１の信号線１３は、電源線１５の下層にてＹ方向に延在して電源
線１５と交差する交差部１３１と、各電源線１５の間隙にてＹ方向に延在する配線部１３
２とを含む。交差部１３１は、選択線１１や中間導電体２４と共通の導電膜から形成され
る。配線部１３２は、トランジスタＴdrのソース電極３３やドレイン電極３４と共通の導
電膜から形成される。配線部１３２の端部１３ａは第１絶縁層４１のコンタクトホールＣ
Ｈ4aを介して交差部１３１に導通する。同様に、配線部１３２の端部１３ｂは第１絶縁層
４１のコンタクトホールＣＨ4bを介して交差部１３１に導通する。以上のように各交差部
１３１と各配線部１３２との電気的な接続によって信号線１３が構成される。選択トラン
ジスタＴslのドレイン電極５３は、配線部１３２のうち半導体層５１と重なり合う部分で
ある。
【００３６】
図３に示すように、電源線１５やドレイン電極３４が形成された第１絶縁層４１の表面
はその全域にわたって第２絶縁層４２に覆われる。第１絶縁層４１や第２絶縁層４２は、
例えば酸化珪素や窒化珪素といった絶縁材料によって形成される。図２および図３に示す
ように、第２絶縁層４２のうち基板１０に垂直な方向からみてドレイン電極３４の第２部
分３４２と重なり合う部分には、第２絶縁層４２を厚さ方向に貫通するコンタクトホール
ＣＨが形成される。したがって、第２部分３４２はコンタクトホールＣＨを介して第２絶
縁層４２から露出する。図２のように基板１０に垂直な方向からみると、コンタクトホー
ルＣＨは、Ｘ方向を長手とする略長方形である。
【００３７】
第２絶縁層４２の面上（コンタクトホールＣＨ以外の表面）には略長方形の反射層４４
が画素Ｐごとに相互に離間して形成される。反射層４４は、アルミニウムや銀などの合金
またはこれらを主成分とする合金など光反射性を有する材料によって形成された膜体であ
り、発光層６６から基板１０側への出射光を観察側（図３の上方）に反射する。さらに、
第２絶縁層４２の表面上には、発光素子Ｅの陽極として機能する第１電極６１（図１参照
）が画素Ｐごとに相互に離間して形成される。第１電極６１は、反射層４４を覆う略長方
形の電極であり、例えばＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など光透過性の導電材料
によって形成される。図２および図３に示すように、第１電極６１は、第２絶縁層４２の
コンタクトホールＣＨに入り込んで駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４（第２部分
３４２）に接触する。この接触によって第１電極６１と駆動トランジスタＴdrとが電気的
に接続される。
【００３８】
第１電極６１は、スパッタリングや真空蒸着といった各種の成膜技術によって、コンタ
クトホールＣＨの外形の寸法に対して充分に薄い膜厚に形成される。したがって、図３に
示すように、第１電極６１には、第２絶縁層４２の膜厚とコンタクトホールＣＨの外形と
を反映した凹部（窪み）６１１が形成される。すなわち、第１電極６１のうちドレイン電
極３４に接触する部分が凹部６１１の底面部に相当し、第１電極６１のうちコンタクトホ
ールＣＨの内周面を覆う部分が凹部６１１の側面部に相当する。
【００３９】
図３に示すように、凹部６１１の内側（すなわちコンタクトホールＣＨの内側の空間）
には絶縁部６４が形成される。この絶縁部６４は、絶縁材料（例えばポリイミドなどの樹
脂材料）によって形成される。図３に示すように、絶縁部６４は、凹部６１１を埋めるよ
うにコンタクトホールＣＨの内側に入り込んで凹部６１１の底面および内周面に接触する
とともに、その上面は第１電極６１の表面から突出する。なお、絶縁部６４には、凹部６
１１の段差を平坦化するという作用もある。この作用を有効に発揮するという観点からす
ると、絶縁部６４の材料には樹脂材料が特に好適である。樹脂材料を採用した場合には、
第１に、液状の樹脂材料の塗布という低廉な方法によって絶縁部６４の表面を容易に平坦
化することができ、第２に、凹部６１１の平坦化に充分な膜厚の絶縁部６４をクラックの
発生なしに形成することができ、第３に、樹脂材料の硬化させるときの熱処理で樹脂材料
が溶融することによっても絶縁部６４の表面を平坦化できるからである。
【００４０】
図１の発光層６６は、第１電極６１の表面を覆うように画素Ｐごとに形成される。図３
に示すように、発光層６６は、絶縁部６４が形成された領域には分布しない（つまり発光
層６６は絶縁部６４によって仕切られる）。したがって、発光層６６はコンタクトホール
ＣＨの内側の空間（凹部６１１）には入り込まない。なお、発光層６６は高分子材料およ
び低分子材料の何れによって形成されてもよい。また、発光層６６による発光を促進ない
し効率化するための各種の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、
正孔ブロック層、電子ブロック層）が発光層６６に積層された構成も採用される。
【００４１】
図３に示すように、図１の第２電極６２は、絶縁部６４と発光層６６とを覆う電極であ
り、基板１０の全域を覆うように形成されて複数の画素Ｐにわたって連続に分布する。本
実施形態の第２電極６２は、ＩＴＯやＩＺＯなど光透過性の導電材料によって形成される
。したがって、発光層６６から基板１０とは反対側に出射した光と、発光層６６から基板
１０側に出射して反射層４４の表面で反射した光とは、第２電極６２を透過して観察側に
出射する。すなわち、本実施形態の発光装置Ｄは、発光素子Ｅによる放射光が基板１０と
は反対側に出射するトップエミッション型である。なお、絶縁部６４が形成された領域（
コンタクトホールＣＨ）には発光層６６が形成されないから（さらには第１電極６１と第
２電極６２とが絶縁部６４によって絶縁されるから）、この部分は発光に寄与しない領域
（いわゆるデッドスペース）となる。
【００４２】
光透過性を有する導電材料の多くは抵抗率が高いから、この種の材料によって形成され
た第２電極６２は高抵抗となってその面内における電圧降下が顕著となる。したがって、
各発光素子Ｅに供給される電位が第２電極６２の面内における位置に応じて相違し、この
結果として発光領域における光量のムラ（輝度や階調のムラ）が発生する場合がある。
【００４３】
この光量のバラツキを解消するために、本実施形態においては、第２電極６２の導電性
を補助するための補助配線７０が形成される。補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗
率が低い導電材料によって形成される。本実施形態の補助配線７０は、第２電極６２の表
面に接触するように形成されて第２電極６２と電気的に導通する。この構成によれば、電
流の大部分は低抵抗の補助配線７０を流れるから、第２電極６２における電圧降下は抑制
される。したがって、各発光素子Ｅに供給される電位が均一化され、この結果として電圧
降下に起因した光量のムラを有効に抑制することができる。本実施形態の補助配線７０は
遮光性の導電材料によって形成される。より好適には、ドレイン電極３４よりも光反射率
が低い材料によって補助配線７０が形成される。
【００４４】
図４は、本実施形態における補助配線７０の具体的な形態を例示する平面図である。同
図においては各第１電極６１の外形が破線で併記されている。図４に示すように、補助配
線７０は、画素Ｐの各行に対応してＸ方向に延在する複数の第１部分７１と、画素Ｐの各
列に対応してＹ方向に延在する複数の第２部分７２とが交差した格子状に成形される。も
っとも、補助配線７０の形状は図４の例示に限定されない。例えば、Ｘ方向に延在する複
数の第１部分７１のみを含む形状としてもよい。
【００４５】
補助配線７０の第１部分７１は、図２に示すように基板１０に垂直な方向からみると、
第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨと重なり合う。さらに詳述すると、本実施形態の
第１部分７１は、Ｘ方向に延在するコンタクトホールＣＨの幅（Ｙ方向の寸法）と略同一
の幅またはこれよりも幅広に形成される。したがって、図２および図３に示すように、第
１部分７１は、基板１０に垂直な方向からみてコンタクトホールＣＨの内周縁が包囲する
領域（以下「開口領域」という）の全域と重なり合う。
【００４６】
ところで、駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４の材料として採択され得る導電材
料の多くは光反射性を有する金属である。したがって、補助配線７０が形成されない従来
の構成においては、太陽光や照明光などの外光が観察側からドレイン電極３４の表面に到
達し、その表面における反射光（不要反射光）が観察側に出射する場合がある。そして、
この不要反射光の特性と発光層６６からの出射光の特性との相違に起因して、発光領域の
面内における光量の均一性が損なわれるという問題がある。これに対し、本実施形態にお
いては、遮光性の補助配線７０がコンタクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うよ
うに形成される。したがって、観察側からドレイン電極３４に向かう外光は補助配線７０
の観察側の表面にて遮断される。また、仮に外光がドレイン電極３４に到達したとしても
、その表面における不要反射光は補助配線７０の基板１０側の表面にて遮断される。以上
のように、本実施形態によれば不要反射光の観察側への出射が防止されるから、発光領域
の面内における光量（輝度または階調）を均一化することができる。
【００４７】
なお、本実施形態においては補助配線７０がコンタクトホールＣＨと重なり合う構成を
例示したが、以上の効果を実現するための構成としては、例えば、補助配線７０とは別個
の遮光性の物体（以下「遮光体」という）がコンタクトホールＣＨと重なり合うように形
成された構成も考えられる。この構成において、補助配線７０はコンタクトホールＣＨと
重なり合わないように形成される。しかしながら、この構成においては、コンタクトホー
ルＣＨおよび補助配線７０の双方の領域が発光に寄与しない領域（いわゆるデッドスペー
ス）となるから、発光装置Ｄの開口率（画素Ｐが分布する発光領域のうち実際に光が出射
する領域の占める比率）が制約されるという問題がある。これに対し、本実施形態におい
ては、補助配線７０がコンタクトホールＣＨの遮光体として兼用されるから、以上の構成
と比較して開口率を増加させることができる。なお、本実施形態において開口率を増加さ
せ得るということは、所期の光量を発光装置Ｄから放射するために発光層６６に供給され
るべき電気エネルギが低減されることを意味する。発光層６６は高い電気エネルギが供給
されるほど特性の劣化が促進されるから、本実施形態によれば、開口率の増加によって発
光層６６の寿命が長期化されると言うこともできる。
【００４８】
また、駆動トランジスタＴdrと第１電極６１とを確実に導通させるためには、コンタク
トホールＣＨの面積（すなわち第１電極６１とドレイン電極３４とが接触する面積）が充
分に確保されることが望ましい。しかしながら、補助配線７０とコンタクトホールＣＨと
が重なり合わない構成のもとでコンタクトホールＣＨの面積を拡大すると、その拡大分だ
け開口率が低下するという問題がある。これに対し、本実施形態においては、コンタクト
ホールＣＨと重なり合うように補助配線７０が形成されるから、補助配線７０によって覆
われる領域の範囲内であればコンタクトホールＣＨの面積を拡大しても開口率は低下しな
い。したがって、本実施形態によれば、図２に示すようにＸ方向に長尺の形状とすること
でコンタクトホールＣＨの面積を充分に確保することができ、この結果として駆動トラン
ジスタＴdrと第１電極６１との接触部分での抵抗を低減することができる。
【００４９】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、以下に示す各形態の発光装置Ｄ
のうち第１実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその詳細な説明を適宜に
省略する。
【００５０】
図５は、本実施形態における画素Ｐの構成を示す平面図であり、図６は、図５における
VI−VI線からみた断面図である。第１実施形態においては、コンタクトホールＣＨの開口
領域の全域と重なり合うように補助配線７０が形成された構成を例示した。これに対し、
本実施形態においては、図５および図６に示すように、コンタクトホールＣＨの開口領域
のうち領域Ａ1のみと重なり合うように補助配線７０（第１部分７１）が形成される。図
６の領域Ａ2は、開口領域のうち補助配線７０と重なり合わない領域である。
【００５１】
図６に示すように、本実施形態における発光装置Ｄは基板８０を具備する。この基板８
０は、発光素子Ｅに対する外気や水分の付着を防止するための光透過性の板材であり、基
板１０のうち発光素子Ｅが配置された表面と対向するように配置される。基板８０におけ
る基板１０との対向面には遮光層８１が形成される。この遮光層８１は、黒色に着色され
た樹脂やクロムなどの金属といった遮光性の材料によって形成された膜体である。なお、
遮光層８１が形成される位置は適宜に変更される。例えば、補助配線７０や第２電極６２
の表面上に遮光層８１が形成されてもよい。
【００５２】
図５および図６に示すように、遮光層８１は、基板１０と垂直な方向からみて、開口領
域のうち領域Ａ2と重なり合う部分を含む。本実施形態の遮光層８１は、図４に例示した
補助配線７０と同様に、各画素Ｐに対応した格子状に形成され、コンタクトホールＣＨの
開口領域の全域と重なり合うように寸法および形状が選定されている。したがって、遮光
層８１は補助配線７０の全域と重なり合う。さらに、本実施形態の遮光層８１は、ドレイ
ン電極３４や補助配線７０よりも光反射率が低い材料によって形成される。
【００５３】
この構成によれば、ドレイン電極３４の表面で反射して領域Ａ2内を進行する不要反射
光が遮光層８１によって遮断される。したがって、補助配線７０が領域Ａ1のみを覆うと
は言っても、第１実施形態と同様の作用および効果は確かに奏される。
【００５４】
さらに、本実施形態においては、補助配線７０よりも光反射率が低い材料によって形成
された遮光層８１が補助配線７０と重なり合う。この構成においては、観察側から補助配
線７０に向かう外光は遮光層８１によって遮断される。また、外光が補助配線７０に到達
したとしても、その表面における反射光は遮光層８１によって遮断される。したがって、
光反射率が高い材料によって補助配線７０が形成された場合であっても、この補助配線７
０の反射光に起因した発光領域内の光量のムラは抑制される。つまり、本実施形態によれ
ば、ドレイン電極３４および補助配線７０の双方からの反射光（不要反射光）が観察側に
出射するのを防止できる。
【００５５】
＜Ｃ：第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態における画素Ｐの構成を示す断面図である。本実施形態
に係る画素Ｐの平面的な構造は図２と同様である。すなわち、図７は、図２におけるIII
−III線からみた断面図に相当する。
【００５６】
図７に示すように、本実施形態の発光装置Ｄにおいては、コンタクトホールＣＨを埋め
る絶縁部６４が形成されない。そして、発光層６６は、複数の画素Ｐにわたって連続に分
布するように基板１０の全域に形成される。なお、第１電極６１は画素Ｐごとに相互に離
間して形成される。したがって、発光層６６が複数の画素Ｐにわたって連続するとは言っ
ても、発光層６６の光量は以上の各実施形態と同様に画素Ｐごとに個別に制御される。
【００５７】
なお、第１実施形態および第２実施形態のように画素Ｐごとに発光層６６が区分された
構成においては、各発光層６６の材料を適宜に選定することによって各画素Ｐによる発光
色を相違させることが可能である。しかしながら、本実施形態のように発光層６６が複数
の画素Ｐにわたって連続する構成においては、発光層６６自体からの放射光の特性は複数
の画素Ｐについて共通する。したがって、本実施形態の構成のもとで複数色からなる画像
の表示を実現する場合には、例えば各画素Ｐに対応するカラーフィルタを基板８０（図７
においては図示略）の表面に形成した構成が採用される。また、また、発光層６６からの
出射光を第１電極６１と第２電極６２との間で共振させる共振器構造を画素Ｐごとに形成
し、画素Ｐに割り当てられた表示色ごとに共振器構造の共振波長を相違させた構成によっ
ても、複数色からなる画像を表示することが可能である。
【００５８】
図７に示すように、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨと重なり合う部分は、第１
電極６１の凹部６１１の内側（コンタクトホールＣＨの内側の空間）に入り込み、この凹
部６１１の内周面と底面とに接触する。
【００５９】
第２電極６２の表面には、第１実施形態と同様に、基板１０と垂直な方向からみてコン
タクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うように補助配線７０（より詳細には第１
部分７１）が形成される。したがって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の作
用および効果が奏される。さらに、本実施形態のように発光層６６が複数の画素Ｐにわた
って連続に分布する構成によれば、各画素Ｐの発光層６６をひとつの工程で一括的に形成
することができる。また、発光層６６の形成には、スピンコート法に代表される印刷技術
など、それ以外の成膜技術と比較して低廉な方法を採用することができる。加えて、第１
実施形態および第２実施形態にて説明した絶縁部６４を形成する必要はないから、以上の
各形態と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現される。
【００６０】
ところで、図７に示すように、発光層６６のうち第１電極６１の凹部６１１の内周面を
覆う部分（図７にて符号「６６１」が付与された部分）は、それ以外の部分と同様に第１
電極６１と第２電極６２との間に介在する。したがって、各発光素子Ｅの駆動に際しては
部分６６１からも光（不要放射光）が出射する。しかしながら、この不要放射光の特性（
光量や分光特性）は、発光層６６のうち第２絶縁層４２の表面上に位置する平坦な部分か
らの出射光の特性とは相違するから、不要放射光を観察側に出射させた場合には発光装置
Ｄの発光の均一性が損なわれる。また、発光層６６のうち部分６６１以外の部分からの出
射光と部分６６１からの不要放射光とが相互に干渉し合い、この結果として観察側への出
射光が特定の色味を呈する可能性もある。本実施形態においては、コンタクトホールＣＨ
と重なり合うように補助配線７０が形成されるから、凹部６１１から観察側に向かう不要
放射光が補助配線７０によって遮断される。以上のように、本実施形態によれば、不要放
射光および不要反射光の双方を遮断して発光領域における光量を均一化することができる
。
【００６１】
＜Ｄ：第４実施形態＞
図８は、本発明の第４実施形態における画素Ｐの構成を示す断面図である。本実施形態
に係る画素Ｐの平面的な構造は図５と同様である。第３実施形態（図７）と同様に、本実
施形態における発光層６６は、複数の画素Ｐにわたって連続に分布するとともにコンタク
トホールＣＨの内側の空間に入り込む。また、第２実施形態（図５・図６）と同様に、補
助配線７０は開口領域の領域Ａ1のみと重なり合うように形成され、基板８０の表面には
開口領域の全域（領域Ａ1および領域Ａ2）と重なり合う遮光層８１が形成される。したが
って、本実施形態によれば、第２実施形態および第３実施形態と同様の作用および効果が
奏される。
【００６２】
なお、以上に説明したように、補助配線７０からみて観察側に遮光層８１が形成された
構成によれば、補助配線７０の表面で反射する外光の影響を低減することができる。もっ
とも、第３実施形態や第４実施形態のように発光層６６がコンタクトホールＣＨに入り込
む構成においては、例えば部分６６１からの不要放射光が、補助配線７０の裏面（基板１
０側の表面）とドレイン電極３４２や反射層４４との間で反射を繰返したうえで最終的に
は観察側に出射する可能性がある。この不要放射光の出射を防止するという観点からする
と、補助配線７０と発光層６６との間（例えば図７や図８の補助配線７０と第２電極６２
との間）に、補助配線７０よりも光反射率の低い遮光体（換言すると補助配線７０よりも
光吸収率が高い遮光体）を配置した構成が好適に採用される。この構成によれば、発光層
６６の部分６６１から出射した不要放射光は補助配線７０の裏面に到達しないから、補助
配線７０における不要放射光の反射に起因した発光のムラを確実に防止することができる
。
【００６３】
＜Ｅ：第５実施形態＞
図９は、本発明の第５実施形態に係る画素Ｐの構成を示す平面図であり、図１０は、図
９におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。以上の各形態においてはトップエミッション
型の発光装置Ｄを例示した。これに対し、本実施形態の発光装置Ｄはボトムエミッション
型である。すなわち、図１０に示すように、以上の各形態にて説明した反射層４４は形成
されず、その代わりに第２電極６２が光反射性の導電材料によって形成される。したがっ
て、発光層６６から基板１０側に出射した光と発光層６６から基板１０とは反対側に出射
して第２電極６２の表面で反射した光とは、第１電極６１や基板１０を透過して図１０の
下方に出射する。
【００６４】
本実施形態においても、第１実施形態や第２実施形態と同様に、ドレイン電極３４よる
反射光の出射を防止する遮光体として補助配線７０が利用される。ただし、本実施形態に
おいては発光層６６からみて基板１０側（図１０の下方）が観察側となるから、図１０に
示すように、補助配線７０はドレイン電極３４と基板１０との間に形成される。本実施形
態の補助配線７０は、基板１０の全域にわたって形成された単一の導電膜のパターニング
によって、ゲート電極２４２（さらには選択線１１や交差部１３１）と同一の工程にて形
成される。したがって、補助配線７０はゲート電極２４２と同一の材料によって形成され
る。
【００６５】
図９のように基板１０に垂直な方向からみると、補助配線７０はドレイン電極３４（よ
り詳細にはコンタクトホールＣＨの開口領域）と重なり合う。第２電極６２は、図９に示
すように、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とを貫通するコンタクトホールＣＨ5を介し
て補助配線７０に電気的に接続される。この構成によっても第１実施形態や第２実施形態
と同様の作用および効果が奏される。例えば、本実施形態においては、観察側（図１０の
下方）からドレイン電極３４に向かう外光やドレイン電極３４の表面で反射して観察側に
向かう不要反射光が補助配線７０によって遮断されるから、発光領域の面内における光量
を均一化することが可能となる。
【００６６】
また、本実施形態の補助配線７０はゲート電極２４２（さらには選択線１１や交差部１
３１）と同一の工程にて形成される。この構成によれば、補助配線７０の形成のみに利用
される導電膜の形成やそのパターニングが不要となるから、以上の各形態のように補助配
線７０が他の要素とは別個の工程にて形成される場合と比較して、製造工程の簡素化や製
造コストの低減が実現される。さらに、本実施形態においては、発光層６６や絶縁部６４
といった有機材料の面上に補助配線７０を形成する必要がなく、しかも、ゲート電極２４
２と共通の低抵抗な導電性材料によって補助配線７０が形成される。したがって、発光層
６６や絶縁部６４の面上に補助配線７０が形成された構成と比較して補助配線７０の低抵
抗化が容易であるという利点もある。
【００６７】
また、第１実施形態から第４実施形態のようにコンタクトホールＣＨの上層に補助配線
７０が形成された構成においては、補助配線７０の下地となる表面にコンタクトホールＣ
Ｈの形状を反映した凹凸が現れる場合がある。この場合には、補助配線７０の抵抗の増大
や断線といった不具合が発生する可能性もある。これに対し、本実施形態においては、平
坦面（基板１０やゲート絶縁層４０の表面）に補助配線７０が形成されるから、この観点
からしても補助配線７０の低抵抗化が図られる。また、補助配線７０の断線を防ぐことも
可能である。
【００６８】
なお、以上においてはボトムエミッション型の発光装置Ｄを例示したが、本実施形態は
トップエミッション型にも適用される。このトップエミッション型の発光装置Ｄにおいて
は、第１電極６１と基板１０との間に反射層４４が介挿され、第２電極６２は光透過性の
材料から形成される。この構成のもとでは、第１実施形態と同様に、補助配線７０と重な
り合う領域の範囲内であればコンタクトホールＣＨの面積を拡大しても開口率は低下しな
いから、コンタクトホールＣＨの面積を充分に確保して駆動トランジスタＴdrと第１電極
６１との接触部分での抵抗を低減することができる。さらに、補助配線７０が図９や図１
０のように第１電極６１の下層に形成されたトップエミッション型の発光装置Ｄにおいて
は、例えば補助配線７０が遮光性の材料によって形成された場合であっても、発光層６６
からの放射光が補助配線７０によって遮断されることはない。したがって、開口率を向上
することができるという利点がある。
【００６９】
＜Ｆ：第６実施形態＞
以上の各形態においては、画素Ｐの各行および各列に対応した格子状の補助配線７０（
図４）を例示したが、補助配線７０の具体的な形態は適宜に変更される。本実施形態にお
いては、複数行や複数列に１本の割合で補助配線７０が形成される。
【００７０】
図１１は、発光領域内に多数の発光素子Ｅが配列する様子を示す平面図であり、図１２
は、図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。なお、図１１や図１２においては
、選択トランジスタＴslや容量素子Ｃといった各要素の図示が適宜に省略されている。
【００７１】
以上の各形態と同様に、第２絶縁層４２の面上には、Ｙ方向を長辺とする略長方形状の
第１電極６１がＸ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に形成される。第１電極６１
は、第２電極６２よりも仕事関数が高い光反射性の導電材料によって形成される。この構
成においては以上の各形態に係る反射層４４が省略される。
【００７２】
第１電極６１が形成された第２絶縁層４２の表面には絶縁部６４が形成される。図１１
および図１２に示すように、絶縁部６４のうち第１電極６１と重なり合う各領域には開口
部６４１（絶縁部６４を厚さ方向に貫通する孔）が形成される。図１１に示すように、基
板１０に垂直な方向からみると開口部６４１の内周縁はその全周にわたって第１電極６１
の周縁（輪郭線）よりも内側に位置する。なお、以上のように第１電極６１の周縁は実際
には絶縁部６４に覆われるが、図１１においては第１電極６１の外形が便宜的に実線で図
示されている。
【００７３】
図１２に示すように、発光層６６は、絶縁部６４が形成された第２絶縁層４２の全面を
被覆するように複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成される。すなわち、発光層６６は
、開口部６４１の内側に入り込んで第１電極６１に対向する部分（すなわち実際に発光す
る部分）と絶縁部６４の面上に位置する部分とを含む。
【００７４】
図１２に示すように、第２電極６２は、複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成されて
発光層６６と絶縁部６４とを覆う導電膜である。すなわち、第２電極６２は、開口部６４
１の内側にて発光層６６を挟んで第１電極６１に対向する部分と絶縁部６４の面上に位置
する部分とを含む。図１１および図１２に示すように、第１電極６１と第２電極６２と発
光層６６との積層のうち基板１０に垂直な方向からみて開口部６４１の内周縁の内側に位
置する部分（すなわち第１電極６１から第２電極６２に電流が流れる領域）が発光素子Ｅ
である。発光層６６のうち絶縁部６４と重なり合う領域は、第１電極６１と第２電極６２
との間に介在する絶縁部６４によって電流が遮断されるから発光しない。すなわち、絶縁
部６４は、各発光素子Ｅの輪郭を画定する手段として機能する。
【００７５】
図１１および図１２に示すように、絶縁部６４（発光層６６）と第２電極６２との間に
はＸ方向に延在する複数の補助配線７０が形成される。本実施形態における補助配線７０
の具体的な態様は以下の通りである。なお、図１１には、第ｉ行から第(i+3)行までの各
行に属する３列分の発光素子Ｅが図示されている。第ｉ行および第(i+2)行は偶数行であ
り、第(i+1)行および第(i+3)行は奇数行である。
【００７６】
図１１に示すように、補助配線７０は、偶数行の各発光素子ＥとそのＹ方向の正側に隣
接する奇数行の各発光素子Ｅとの間隙Ｓ1（例えば第ｉ行と第(i+1)行との間隙Ｓ1や第(i+
2)行と第(i+3)行との間隙Ｓ1）に形成される。一方、奇数行の各発光素子ＥとそのＹ方向
の正側に隣接する偶数行の各発光素子Ｅとの間隙Ｓ2に補助配線７０は形成されない。す
なわち、奇数行とそのＹ方向の正側に隣接する偶数行の２行を単位として発光領域を区分
すると、Ｙ方向に隣接する各単位の間隙Ｓ1には補助配線７０が形成され、ひとつの単位
に属する各行の間隙Ｓ2には補助配線７０が存在しない。以上のように本実施形態におい
ては、複数行（２行）ごとに１本の割合で補助配線７０が形成される。
【００７７】
各発光素子Ｅの第１電極６１と駆動トランジスタＴdrとを導通させるコンタクトホール
ＣＨは、当該発光素子Ｅからみて補助配線７０側に形成される。したがって、発光素子Ｅ
とこれに対応したコンタクトホールＣＨとのＹ方向の配置は奇数行と偶数行とで反対とな
る。すなわち、偶数行においては発光素子ＥからみてＹ方向の正側にコンタクトホールＣ
Ｈが位置するのに対し、奇数行においては発光素子ＥからみてＹ方向の負側にコンタクト
ホールＣＨが位置する。
【００７８】
補助配線７０は、図１１や図１２に示すように絶縁部６４の略全幅にわたって形成され
て各発光素子Ｅの間隙Ｓ1を被覆し、第１実施形態や第２実施形態と同様にコンタクトホ
ールＣＨと重なり合う。すなわち、補助配線７０は、偶数行の各発光素子Ｅのコンタクト
ホールＣＨとそのＹ方向の正側に隣接する奇数行の各発光素子ＥのコンタクトホールＣＨ
とに重なり合う。換言すると、補助配線７０のうち幅方向におけるひとつの周縁（図１１
の上方の縁辺）は偶数行の各発光素子Ｅと各々に対応したコンタクトホールＣＨとの間隙
に位置し、他方の周縁は奇数行の各発光素子Ｅと各々に対応したコンタクトホールＣＨと
の間隙に位置する。
【００７９】
補助配線７０が形成される位置には製造技術上の理由から誤差が発生する場合がある。
例えば、マスクを介した蒸着（詳細は後述する）によって補助配線７０を形成する場合に
は、マスクの寸法の誤差や基板１０とマスクとの位置合わせの誤差に起因して補助配線７
０が所期の位置（設計上の位置）とは相違する位置に形成される場合がある。補助配線７
０の位置に誤差がある場合でも補助配線７０と発光素子Ｅとが基板１０に垂直な方向から
みて重複しない（すなわち開口率が低下しない）ように、補助配線７０の設計上の位置と
その幅方向の両側に隣接する発光素子Ｅとの各間隙にはスペース（以下「マージン領域」
という）が確保される。
【００８０】
以上に説明したように、本実施形態においては２行ごとに１本の補助配線７０が形成さ
れるから、第１実施形態のように全行および全列の間隙に補助配線７０が形成された構成
（例えば図４の構成である。以下「対比構成」という）と比較して、発光領域のうち補助
配線７０が形成される領域やマージン領域の総面積が削減される。したがって、本実施形
態によれば、開口率の維持と補助配線７０の低抵抗化との両立が容易化されるという利点
がある。すなわち、例えば開口率を対比構成と同等に維持するとすれば、補助配線７０の
本数や各々に対応するマージン領域の面積が削減された分だけ各補助配線７０の線幅が対
比構成よりも広く確保されるから、各補助配線７０の抵抗を低減することが可能となる。
さらに、本実施形態においては偶数行の各発光素子Ｅの配列とそのＹ方向の正側に隣接す
る奇数行の各発光素子Ｅの配列との間隙に両行に対応した多数のコンタクトホールＣＨが
集中的に配列するから、補助配線７０の線幅を増大させることによって補助配線７０と各
コンタクトホールＣＨとを容易に重ね合わせることができる。一方、各補助配線７０の線
幅を対比構成と同等に維持するとすれば、発光領域の全体に占める補助配線７０やマージ
ン領域の面積が削減される分だけ、各発光素子Ｅの面積を広く確保して対比構成よりも開
口率を増加させることができる。さらに、発光領域から所期の光量を出射させるために各
発光素子Ｅに供給すべき電気エネルギ（電流）は開口率の増加によって低減されるから、
電気エネルギの供給に起因した劣化を抑制して発光素子Ｅが長寿命化されるという利点も
ある。
【００８１】
次に、本実施形態に係る発光装置Ｄを製造する方法のうち補助配線７０を形成する工程
について説明する。本実施形態の補助配線７０はマスクを利用した蒸着（真空蒸着）によ
って形成される。なお、補助配線７０以外の要素の形成には公知である各種の技術が採用
される。
【００８２】
図１３は、補助配線７０を形成する工程を説明するための断面図（図１２に対応する断
面図）である。図１３に示すように、補助配線７０の形成に先立って蒸着用のマスク７５
が用意される。マスク７５は、領域ＲＡが開口するとともにそれ以外の領域ＲＢを遮蔽す
る形状に形成される。領域ＲＡは、補助配線７０が形成される領域と対向するようにＸ方
向に沿って延在するスリット状の領域である。すなわち、領域ＲＡは、偶数行（第ｉ行や
第(i+2)行）とそのＹ方向の正側に隣接する奇数行（第(i+1)行や第(i+3)行）との間隙Ｓ1
に対向する領域（より厳密には間隙Ｓ1からマージン領域を除外した領域）である。一方
、領域ＲＢは領域ＲＢ1と領域ＲＢ2とを含む。領域ＲＢ1は各発光素子Ｅに対向する領域
である。領域ＲＢ2は、奇数行（第(i+1)行）とそのＹ方向の正側の偶数行（第(i+2)行）
との間隙Ｓ2に対向する領域である。
【００８３】
以上のマスク７５を利用した蒸着によって補助配線７０が形成される。すなわち、図１
３に示すように、発光層６６が形成された段階（第２電極６２の形成前）の発光装置Ｄが
真空中に配置され、発光層６６と対向するようにマスク７５が配置される。そして、第２
電極６２よりも抵抗率が低い材料の蒸気Ｖを選択的に発光層６６の表面に付着・堆積させ
ることで補助配線７０が図１１の形状に形成される。
【００８４】
本実施形態の発光装置Ｄにおいては発光素子Ｅの２行ごとに１本の補助配線７０が形成
されるから、図１３に示すように、マスク７５の領域ＲＢ2は開口させる必要がない。す
なわち、対比構成のように全行の間隙に補助配線７０を形成する場合（マスク７５の領域
ＲＢ2も領域ＲＡと同等の幅寸法にわたって開口する場合）と比較して、マスク７５の機
械的な強度を維持することができる。したがって、マスク７５の変形（例えば自重による
撓み）に起因した補助配線７０の誤差やマスク７５の破損を有効に防止することができる
。また、補助配線７０の誤差が低減されるから、補助配線７０をコンタクトホールＣＨに
高精度かつ容易に重ね合わせることが可能となる。
【００８５】
なお、図１１においては補助配線７０が発光素子Ｅの短辺（Ｘ方向）に沿って延在する
構成を例示したが、図１４に示すように、補助配線７０が発光素子Ｅの長辺（Ｙ方向）に
沿って延在する構成も採用される。なお、図１４においては、第ｊ列から第(j+3)列まで
の各列に属する３行分の発光素子Ｅが図示されている。第ｊ列および第(j+2)列は偶数列
であり、第(j+1)列および第(j+3)列は奇数列である。
【００８６】
図１４に示すように、本実施形態においては複数列（２列）ごとに１本の補助配線７０
が形成される。すなわち、第ｊ列と第(j+1)列との間隙Ｓ1および第(j+2)列と第(j+3)列と
の間隙Ｓ1にはＹ方向に延在する補助配線７０が形成される一方、第(j+1)列と第(j+2)列
との間隙Ｓ2に補助配線７０は形成されない。また、各補助配線７０はその幅方向の両側
に位置する発光素子ＥのコンタクトホールＣＨと重なり合う。図１４の構成によっても図
１１の構成と同様の作用および効果が奏される。
【００８７】
各発光素子Ｅを経由した電流が補助配線７０に流れ込むまでの区間の抵抗値（以下「陰
極側抵抗」という）は、補助配線７０が延在する方向に沿った発光素子Ｅの寸法Ｗ（図１
１および図１４参照）に反比例する。図１４の構成においては発光素子Ｅの長辺に沿って
補助配線７０が延在するから、発光素子Ｅの短辺に沿って補助配線７０が延在する図１１
の構成と比較して寸法Ｗを拡大することができる。したがって、図１４の構成によれば図
１１の構成と比較して陰極側抵抗が低減される。これによって第２電極６２における電圧
降下が抑制されるから、陰極側抵抗が高い場合と比較して、発光素子Ｅの駆動に必要な電
源電位Ｖddを低下させることが可能となる。
【００８８】
＜Ｇ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００８９】
（１）第２実施形態（図５・図６）や第４実施形態（図８）においては、コンタクトホー
ルＣＨの開口領域のうち補助配線７０によって覆われない領域Ａ2に遮光層８１が重なり
合う構成を例示したが、この構成における遮光層８１は適宜に省略され得る。遮光層８１
が形成されない構成においては領域Ａ2から不要反射光（第４実施形態においてはさらに
不要放射光）が観察側に出射するが、領域Ａ1における不要反射光や不要放射光は補助配
線７０によって遮光されるから、如何なる遮光体もコンタクトホールＣＨと重なり合わな
い従来の構成と比較すれば、発光領域における光量のムラが抑制されるという所期の効果
は確かに奏される。
【００９０】
また、第１実施形態（図２・図３）や第３実施形態（図７）のようにコンタクトホール
ＣＨの開口領域の全域と重なり合うように補助配線７０が形成された構成であっても、不
要反射光や不要放射光をさらに確実に防止するために、コンタクトホールＣＨと重なり合
う部分を含む遮光層８１が配置されてもよい。以上のように、本発明においては、基板１
０に垂直な方向からみてコンタクトホールＣＨの一部または全部と重なり合うように補助
配線７０が配置された構成であれば足りる。もっとも、コンタクトホールＣＨに起因した
光量のムラを確実に防止するという観点からすると、コンタクトホールＣＨよりも広い範
囲にわたって補助配線７０を配置した構成が好適である。
【００９１】
（２）第１実施形態および第２実施形態においては、絶縁部６４と発光層６６とが重なり
合わない構成を例示したが、図１５に示すように、発光層６６が絶縁部６４を覆う構成も
採用される。この構成によれば、絶縁部６４によってコンタクトホールＣＨが埋められた
平坦面の面上に発光層６６や第２電極６２が形成されるから、コンタクトホールＣＨの段
差に起因した発光層６６や第２電極６２の欠損や断線を防止することができる。また、第
１実施形態および第２実施形態と同様に発光層６６は凹部６１１の内側に入り込まないか
ら、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨと重なり合う部分は絶縁部６４を挟んで第１
電極６１から離間する（すなわち電流が流れない）。したがって、図１５の構成によれば
、図７や図８の構成のもとで問題となる不要放射光の発生を回避することができる。
【００９２】
（３）以上の各形態においては発光層６６が有機ＥＬ材料によって形成される場合を例示
したが、発光層６６の材料は適宜に変更される。例えば無機ＥＬ材料によって発光層を形
成することもできる。本発明における発光層は、電気エネルギの付与によって発光する発
光材料によって形成されていれば足りる。
【００９３】
＜Ｈ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１６は、以上に
説明した何れかの形態に係る発光装置Ｄを表示装置として採用したモバイル型のパーソナ
ルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装
置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ
２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置Ｄは発光素子Ｅに有
機ＥＬ材料を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００９４】
図１７に、何れかの形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電
話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに
表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによっ
て、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００９５】
図１８に、何れかの形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal
Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４０
０１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源
スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置
Ｄに表示される。
【００９６】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１６から図１８に示し
たもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置
、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限
定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置において
は、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使
用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の発光装置は利用される。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図２】ひとつの画素の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】補助配線の形態を例示する平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図６】図５におけるVI−VI線からみた断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図１０】図９におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。
【図１１】本発明の第６実施形態における画素の配列を示す平面図である。
【図１２】図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。
【図１３】補助配線を形成する工程について説明するための断面図である。
【図１４】第６実施形態の別の態様に係る画素の配列を示す平面図である。
【図１５】各実施形態の変形例に係る画素の構成を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１８】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９８】
Ｄ……発光装置、Ｐ……画素、Ｅ……発光素子、１０……基板、１１……選択線、１３…
…信号線、１５……電源線、７０……補助配線、４０……ゲート絶縁層、４１……第１絶
縁層、４２……第２絶縁層、４４……反射層、６１……第１電極、６２……第２電極、６
６……発光層、６４……絶縁部、６４１……開口部、８０……基板、８１……遮光層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面上に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う絶縁層と、
前記絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホールを介して前記スイッチン
グ素子に電気的に接続される第１電極と、
前記第１電極を挟んで前記基板とは反対側に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に介在する発光層と、
前記第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第２電極に電気的に
接続される配線であって、前記基板に垂直な方向からみて前記絶縁層の前記コンタクトホ
ールと重なり合う部分を含む補助配線と
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極と前記発光層とを各々が含む複数の発光素子を第１方向に
配列した複数の素子群が前記第１方向と交差する第２方向に並列され、
前記補助配線は、前記複数の素子群のうち相互に隣接する第１の素子群と第２の素子群
との間隙にて前記第１方向に延在し、前記第２の素子群に対して前記第１の素子群とは反
対側に隣接する第３の素子群と前記第２の素子群との間隙には形成されない
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光装置を具備する電子機器。
【請求項１】
基板の面上に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う絶縁層と、
前記絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホールを介して前記スイッチン
グ素子に電気的に接続される第１電極と、
前記第１電極を挟んで前記基板とは反対側に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に介在する発光層と、
前記第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第２電極に電気的に
接続される配線であって、前記基板に垂直な方向からみて前記絶縁層の前記コンタクトホ
ールと重なり合う部分を含む補助配線と
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極と前記発光層とを各々が含む複数の発光素子を第１方向に
配列した複数の素子群が前記第１方向と交差する第２方向に並列され、
前記補助配線は、前記複数の素子群のうち相互に隣接する第１の素子群と第２の素子群
との間隙にて前記第１方向に延在し、前記第２の素子群に対して前記第１の素子群とは反
対側に隣接する第３の素子群と前記第２の素子群との間隙には形成されない
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光装置を具備する電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００７−１５６３８８（Ｐ２００７−１５６３８８Ａ）
【公開日】平成１９年６月２１日（２００７．６．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−８８２８８（Ｐ２００６−８８２８８）
【出願日】平成１８年３月２８日（２００６．３．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月２１日（２００７．６．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月２８日（２００６．３．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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