発光装置の製造方法
【課題】
従来のＬＥＤ発光装置の製造方法においては、発光特性（色度）の揃ったＬＥＤ発光装置を簡単に量産することが困難だった。
【解決手段】
特性の揃ったＬＥＤ１を選別する工程Ｂと、前記特性の揃ったＬＥＤ１を所定の間隔で粘着シ−ト４０上に整列させる工程Ｃと、整列されたＬＥＤ１に蛍光体が分散されたセラミックインク３０を塗布し仮硬化させる工程Ｄと、ＬＥＤ１上のセラミックインク３０を研削してＬＥＤ発光装置１０の発光条件を調整する工程Ｅと、ＬＥＤ１の上面及び側面にセラミックインク３０が存在する状態でＬＥＤ１間を切断分離する工程Ｆと、分離された各発光素子を加熱してセラミックインク３０を本硬化させる工程Ｇとを有する。
従来のＬＥＤ発光装置の製造方法においては、発光特性（色度）の揃ったＬＥＤ発光装置を簡単に量産することが困難だった。
【解決手段】
特性の揃ったＬＥＤ１を選別する工程Ｂと、前記特性の揃ったＬＥＤ１を所定の間隔で粘着シ−ト４０上に整列させる工程Ｃと、整列されたＬＥＤ１に蛍光体が分散されたセラミックインク３０を塗布し仮硬化させる工程Ｄと、ＬＥＤ１上のセラミックインク３０を研削してＬＥＤ発光装置１０の発光条件を調整する工程Ｅと、ＬＥＤ１の上面及び側面にセラミックインク３０が存在する状態でＬＥＤ１間を切断分離する工程Ｆと、分離された各発光素子を加熱してセラミックインク３０を本硬化させる工程Ｇとを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＥＤ素子等の発光素子を備えた発光装置の製造方法に関するものであり、詳しくは発光素子周辺だけに蛍光体を局在化させ、蛍光体の無駄を省いた発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ素子（以下ＬＥＤと略記する）は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本発明においてもＬＥＤ発光装置を実施形態として説明する。
【０００３】
特に近年、ＬＥＤ周辺だけに蛍光体を局在させ、蛍光体を節約するとともに視野角に依存する色ムラを解消したＬＥＤ装置が提案されている。このＬＥＤ装置において蛍光体をＬＥＤ周辺に局在させる手法としては電気泳動法や噴霧法、印刷法がよく知られているが、ウェハー状態で蛍光体層を形成し、そのウェハーからＬＥＤを個片化する製造方法もある。（例えば引用文献１）
【０００４】
以下従来の封止部材付のＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図４は特許文献１における図１及び段落００９０〜００９８に開示されている従来のＬＥＤウェハーの平面図、図５は断面図である。ＬＥＤウェハー１２０は、大判のサフイアヤ基板１１０の上に複数の半導体層１００が形成されており、それぞれＰ電極１０２とＮ電極１０３が設けられている。半導体層１００の主な発光面はサファイヤ基板１１０側であり、図面では３個のＬＥＤ１００のみ示した。しかし実際の大判サファイヤ基板１１０上にはもっと多数の半導体層１００が形成されてＬＥＤウェハー１２０を構成している。
【０００５】
図６は特許文献１における従来のＬＥＤ発光装置を製造する工程図であり、趣旨を逸脱しない範囲で簡素化している。図６において工程ＡはＬＥＤウェハーを準備する工程である。-図５に対しＬＥＤウェハー１２０を反転させているので大判のサフイアヤ基板１１０の下側に半導体層１００が形成配置されている。工程Ｂはサフイアヤ基板１１０の上面において半導体層１００間に切削工具を使用し溝１１１を形成する溝加工工程である。この溝１１１は半導体層１００が含まれるＬＥＤ２００の発光面積を大きくしているもので、ＬＥＤ２００の発光面積が溝１１１によって形成される側面の分だけ大きくなっている。
【０００６】
工程Ｃ及び工程Ｄは溝１１１を含むサファイヤ基板１１０の上面に蛍光体ペースト（固化前の蛍光体層１３０）を流し込み、その蛍光体ペーストをスキージー１４０により平坦にならした後、加熱固化させて蛍光体層１３０を形成する蛍光体層形成工程である。なお、この蛍光体ペーストとしては青色ＬＥＤの場合にはエポキシ樹脂やシリコン樹脂に蛍光体を含有させたものを使用することが出来る。
【０００７】
工程Ｅはサファイヤ基板１１０の上面に形成された蛍光体層１３０の上面を目的の厚みになるように、研削具を用いて均一に研削する研削工程である。この研削工程の後に色度測定を行い目的の色度に正確に調整する。なお、この状態で目的の色度が得られていない場合は、前記工程Ｃ及び工程Ｄの蛍光体層形成工程及び、工程Ｅの研削工程をやり直すことによって、最終的に最適色度への調整を行う。
【０００８】
次に工程Ｆでは、ＬＥＤウェハー１２０を蛍光体層１３０が上になる向きで加工テーブルにセットし、半導体層１００の境界（溝１１１の中央）を切断治具（ブレード）１５０を用いて切断分離し、工程Ｇに示す個片化したＬＥＤ２００を量産する。
【０００９】
また引用文献１の図４及び段落０１１２〜０１２０には、他の実施形態として、前記図６と同様のＬＥＤ発光装置の製造方法が開示されている。図６と異なる部分は大判サファイヤ基板に含まれるＬＥＤが紫外線ＬＥＤであることと、ＬＥＤ上に形成される蛍光体層が紫外線ＬＥＤの発光によって劣化しないガラス系バインダーを用いて形成されていることである。そして前記図６の工程Ｃ，Ｄと同様に蛍光体層（ペースト状）を形成し加熱硬化させてから、同じく工程Ｅの研削及び工程Ｆの切断分離を行っている。
【００１０】
以上のように特許文献１の提案では、１枚の大判サファイヤ基板に複数のＬＥＤを形成し、この複数のＬＥＤ上にまとめて蛍光体層を設け、この蛍光体層を研削しながら色度調整をおこなっている。また所望の色度が得られない場合、特性測定後に形成した蛍光体層を剥がして再形成を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−２２１５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
最近ではＬＥＤ発光素子の薄型化にともない、サファイヤ基板１１０の厚さも１００μｍ前後になっている。しかしながら依然としてサファイヤ基板１１０内における上面及び下面での全反射成分は減らないためサファイヤ基板１１０の側面から出射する光量が多い。ところがＬＥＤ２００にはサファイヤ基板１１０の側面に蛍光体層１３０のない部分があるため発光効率を落としている。とくにサファイヤ基板１１０の薄型化が進むにつれこの損失の影響が大きくなってくる。この対策としてサイファイヤ基板１１０の露出部を薄くしようとすると製造工程中でサファイヤ基板１１０が割れやすくなる。
【００１３】
そこで本発明の目的は、上記問題点を解決しようとするものであり、蛍光体層として高信頼性のセラミックインクを使用して一括生産を行うＬＥＤ発光装置の製造方法において、高価な蛍光体材料の使用量を節約し、発光効率の良いＬＥＤ発光素子を簡便に製造できる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため本発明における製造方法は、
回路基板上に半導体発光素子をフリップチップ実装し、該半導体発光素子の周辺に蛍光体を備える半導体発光素子の製造方法において、
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程と、
前記発光素子に前記蛍光体が分散されたセラミックインクを塗布し硬化させる工程と、
前記発光素子の上面に塗布されたセラミックインクの厚さと側面に残すセラミックインクの厚さとが略等しくなるように前記発光素子間の前記セラミックインクを切断分離する工程と、
該発光素子を回路基板にフリップチップ実装する工程と
を有することを特徴とする。
【００１５】
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程において、予め特性の揃った発光素子を選別しておき、該発光素子を前記所定の間隔で前記粘着シート上に整列させることが好ましい。
【００１６】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程において該セラミックインクを仮硬化させ、前記発光素子間のセラミックインクを切断分離する工程の後に、前記セラミックインクを本硬化させる工程を備えることが好ましい。
【００１７】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程の後に、前記発光素子上のセラミックインクを研削して発光素子の発光条件を調整する工程を備えることが好ましい。
【００１８】
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程の前に、ウェハー状態の発光素子にバンプ電極を形成する工程と、個別の発光素子に切断分離する工程と、該発光素子の特性を測定する工程とを有すると良い。
【００１９】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程と、前記発光素子間のセラミックインクを切断分離する工程との間に、前記発光素子にバンプ電極を形成する工程を有すると良い。
【発明の効果】
【００２０】
上記の如く本発明の製造方法によれば、粘着シート上に整列された発光素子に対し一括して蛍光体を含有したセラミックインクの塗布を行い、セラミックインクを硬化後、ＬＥＤ発光素子の上面及び側面のセラミックインク層を略同じ厚みとなるようにセラミックインクを切断している。この結果、高価な蛍光体材料をＬＥＤ発光素子周辺に局在化させ使用量を節約しながら、蛍光体を含有したセラミックインクで発光素子側面を覆い発光効率の低下を抑えたＬＥＤ発光装置を、塗布と切断をベースとした簡便な方法により製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】図１に示すＬＥＤ発光装置にレンズを構成した状態を示す断面図である。
【図４】従来のＬＥＤウェハーの平面図である。
【図５】図４に示すＬＥＤウェハーのＡ−Ａ断面図である。
【図６】従来のＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図１は本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。図１において工程Ａはウェハー状態のＬＥＤ（発光素子）にバンプを形成する工程である。粘着シート４０に接着されたＬＥＤウェハー２０に含まれる各ＬＥＤ領域のＰ電極２及びＮ電極３にメッキ法によりＰ電極バンプ２ａ及びＮ電極バンプ３ａを形成する。工程Ｂは個別のＬＥＤに切断分離する工程と各ＬＥＤの特性を測定する工程を示している。先ずＬＥＤウェハー２０の各ＬＥＤ領域をスクライブによって切断分離して複数のＬＥＤ１を形成する。次に粘着シート４０を引き伸ばして、操作性を良くした状態で、各ＬＥＤ１のＰ電極バンプ２ａ及びＮ電極バンプ３ａに検査用のプローブを当接して各ＬＥＤ１の発光特性を測定し、ランク毎に分別する。なお、必要に応じてスクライブの前にＬＥＤウェハー２０の裏面（サファイヤ基板）側を研削しても良い。
【００２３】
工程ＣはＬＥＤを所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程である。工程Ｂでランク分けられたＬＥＤ１の同一ランクのものを支持板５０（粘着シート）上に所定の間隔で整列配置する。工程Ｄはセラミックインクを塗布し硬化させる工程である。工程Ｃで支持板５０上に所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１の上面及び素子（ＬＥＤ１）の間に蛍光体が分散混入されたセラミックインク３０を塗布する。さらにこの塗布されたセラミックインクを約９０℃で加熱することによりセラミックインクの仮硬化を行う。セラミックインクとは架橋するとガラス状になるバインダ中に蛍光体等の粒子を触媒や溶媒とともに混練したものである。本実施形態ではバインダとしてオルガノポリシロキサンを使った。このセラミックインクは約９０℃（３０分）で仮硬化させ、約１６０℃（２時間３０分）で本硬化させる。
【００２４】
工程Ｅは発光素子上のセラミックインクを研削し発光素子の発光条件を調整する工程である。工程Ｄで仮硬化されたセラミックインク３０の一部３０ａを研削して、支持板５０上に所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１の特性（ピーク波長など）に合わせてセラミックインク３０の厚さを調整し、セラミックインク層３０を備えたＬＥＤ１の発光特性（色度）を希望の値に合わせ込む。この場合予め支持板５０上に整列配置された複数のＬＥＤ１の特性は一定のランク（ピーク波長など）内に収まっているので、所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１を覆うセラミックインク層３０の厚さを一定の厚さに揃えることによって、セラミックインク層３０を備えた全てのＬＥＤ１の発光特性（色度）は一定のランク（色度）内に収まった合格品とすることが可能となる。この場合、整列配置された複数のＬＥＤ１の発光特性（ピーク波長など）に合わせて予め計算（例えばピーク波長に対し目標とする色度とセラミックインク厚の関係を実験で確認しておく）された厚さにセラミックインク３０の研削をおこなっても良いし、また研削を行いながらＬＥＤ１の発光特性を測定し規格内に追い込んでいくことも可能である。
【００２５】
工程ＦはＬＥＤ間のセラミックインクを切断分離する工程である。所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１間を、ＬＥＤ１の上面を覆うセラミックインク３０の厚さと側面のセラミックインク３０の厚さが略同じ厚さで残るように、切断治具（ブレード）１５０を用いてセラミックインク３０を切断しＬＥＤ１を分離する。このとき支持板５０は切断しないようにする。工程Ｇはセラミックインクを本硬化させる工程である。高温（約１６０℃）で加熱処理を行うことによりセラミックインク３０をガラス化させる。これでＬＥＤ１０が完成する。
【００２６】
工程Ｈは発光素子を回路基板にフリップチップ実装する工程である。完成したＬＥＤ１をサブ基板６０（回路基板）にフリップチップ実装を行ってＬＥＤ発光装置１０を完成させる。実際には個別のサブ基板６０上にＬＥＤ１を実装するのではなく、切断分離すると複数のサブ基板６０が得られる集合基板（図示せず）に、複数のＬＥＤ１をフリップチップ実装してから集合基板を切断分離し個別のＬＥＤ発光装置１０を得ることが多い。蛍光体の加水分解や電極の腐食などを防止するためにも、集合基板状態でＬＥＤ１を透明樹脂（図示せず）で封止することが好ましい。
【００２７】
上記の如く本実施形態によれば、予め発光特性（ピーク波長等）の揃ったＬＥＤ１を支持板５０上に整列させていた。工程Ｅの研削を行なわなくてもＬＥＤ１上のセラミックインク層３０の厚さは、各ＬＥＤ装置１０で等しくなるから、各ＬＥＤ装置１０の発光特性（色度）も等しくなる。色度管理が厳しくない場合は、予め特性の揃った発光素子を選別しその発光素子を所定の間隔で前記粘着シート上に整列させる必要はない。
【００２８】
また本実施形態では、工程Ｅにおいて蛍光体混入セラミックインク３０を研削する厚さをロット（支持板５０）毎に決めることが出来る。このため、支持板が異なっても所望の発光特性（色度）のＬＥＤ発光装置１０が得られるため量産に適している。なおこの工程も色度管理が厳しくない場合は省くことができる。
【００２９】
本実施形態ではセラミックインク３０の研削及び切断を半硬化の柔らかい状態で行い、ＬＥＤ１間のセラミックインクを切断分離する工程の後に、セラミックインクを本硬化させる工程（工程Ｆ）を備えていた。このため、加工が容易で生産コストの低減及び歩留りの向上が可能となる。なお、セラミックインク３０を工程Ｄにおいて本硬化させても、セラミックインク３０の研削や切断が可能な製造装置を準備できれば工程Ｆを省略できる。
【００３０】
本実施形態では、発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程（工程Ｃ）の前に、ウェハー状態の発光素子にバンプ電極を形成する工程（工程Ａ）と、個別の発光素子に切断分離する工程（工程Ｂ）と、発光素子の特性を測定する工程（工程Ｂ）を備えていた。この工程Ａ，ＢはパッケージメーカーがＬＥＤの素子メーカーよりＬＥＤウェハーでの供給を受ける場合に適している。特性（ピーク波長等）が判明し、Ｐ及びＮ電極バンプ２ａ，３ａの付いた個別のＬＥＤ１を入手できる場合は、工程Ａ，Ｂを省略できる。
【００３１】
ふつうフリップチップ実装用のＬＥＤ１はＰ及びＮ電極バンプ２ａ，３ａ側に反射層を備えているので、ＬＥＤ１からサブ基板６０側に出射する光は少ない。このため、ここに蛍光体層がなくでも発光損失は大きくならない。
（第２実施形態）
【００３２】
次に図２により本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を説明する。図２は本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図であり、第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である図１と同一部材及び工程には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
【００３３】
工程ＡはＬＥＤ素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程である。予めランク分けされたＬＥＤ１の同一ランクのものを粘着シート４０上に所定の間隔で整列配置する。この時ＬＥＤ１の電極形成面、すなわちＰ電極及びＮ電極（図示せず）面側を下向きにして粘着シート４０に貼り付ける。工程Ｂはセラミックインクを塗布し硬化させる工程である。工程Ａで粘着シート４０上に所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１の上面と、素子間に蛍光体が分散混入されたセラミックインク３０を塗布する。さらにこの塗布されたセラミックインク３０を約９０℃で加熱することによりセラミックインク３０の仮硬化を行う。
【００３４】
工程ＣはＬＥＤ１上のセラミックインクを研削してＬＥＤ１の発光条件を調整する工程である。工程Ｂで仮硬化されたセラミックインク３０の一部３０ａを研削して、粘着シート４０上に所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１の特性（ピーク波長等）に合わせてセラミックインク３０の厚さを調整し、ＬＥＤ１の発光特性（色度）を希望の値に合わせ込む。この場合予め支持板５０上に整列配置された複数のＬＥＤ１の特性は一定のランク内に収まっているので、所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１を覆うセラミックインク３０の厚さを一定の厚さに揃えることによって、全てのＬＥＤ１の発光特性（色度）は一定のランク内に収まった合格品とすることが可能となる。
【００３５】
工程Ｄは新たな支持板（粘着シート）に取り付ける工程である。工程Ｃで研削されたセラミックインク３０の上面に支持板５０（粘着シート）を貼り付け、この状態から反転させて上面の粘着シート４０を剥離する。工程Ｅはメッキ電極を形成する工程である。粘着シート４０の剥離によって露出したＬＥＤ１の電極面に、全面を覆うメッキ電極膜５を形成する。工程Ｆはレジスト膜を形成する工程である。バンプ形成領域、すなわち各ＬＥＤ１のＰ電極及びＮ電極部分に開口を有するレジスト膜６を形成する。このレジスト膜６は、全面に塗布したレジスト膜６をフォトリソグラフィ法によりＰ電極２に対応して開口６Ｐ及びＮ電極３に対応した開口６Ｎを形成する
【００３６】
工程Ｇはバンプ電極を形成する工程である。工程Ｅで形成したメッキ電極膜５を共通電極としてレジスト膜６の開口６Ｐ及び６Ｎの部分に電解メッキ法によりバンプ電極を成長させることによって、それぞれ開口６Ｐ及び６Ｎの部分にＰ電極バンプ２ａ及びＮ電極バンプ３ａを形成する。工程Ｈはレジスト膜６を除去する工程である。処理液を用いてレジスト膜６を除去する。さらにＰ及びＮ電極バンプ２ａ，３ａをマスクとして露出しているメッキ電極５も除去する。
【００３７】
工程Ｉは支持板５０（新たに貼りなおした粘着シート）を切断しないように、且つＬＥＤ１の上面に塗布されたセラミックインクの厚さと側面に残すセラミックインクの厚さとが略等しくなるようにＬＥＤ１間のセラミックインクを切断分離する工程である。図１に示す工程Ｆのセラミックインクを切断分離する工程と同様、所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１間を、ＬＥＤ１の側面に残る蛍光体が混入されたセラミックインク３０が所定の厚さで残るように、切断治具（ブレード）１５０を用いてセラミックインク３０を切断分離し、ＬＥＤ１を量産する。工程Ｉは切断後セラミックインクを本硬化させる工程を含む。ここでは高温（約１６０℃）で加熱処理を行うことによりセラミックインク３０をガラス化させる。これでＬＥＤ１が完成する。工程ＪはＬＥＤ１をサブ基板１０（回路基板）にフリップチップ実装する工程である。完成したＬＥＤ１をサブ基板６０にフリップチップ実装してＬＥＤ発光装置１０を完成させる。
【００３８】
この第２実施形態における製造方法は、セラミックインクを塗布し硬化させる工程Ｂと、ＬＥＤ間のセラミックインクを切断分離する工程Ｉとの間に、ＬＥＤにバンプ電極を形成する工程（工程Ｄ〜Ｈ）を備えている。これはパッケージメーカーがＬＥＤの素子メーカーよりバンプを備えていないＬＥＤでの供給を受ける場合に適した製造方法である。
【００３９】
本発明における製造方法は蛍光体のバインダとして高熱に耐えるセラミックインクを用いることにより、フリップチップ実装時にＬＥＤや回路基板にかかる高温に対し耐熱性を保証している。またＬＥＤに反射層が備えられていない場合はメッキ電極５に高反射アルミ層を使うと、Ｐ及びＮ電極バンプ部の反射効率が上がりＬＥＤ装置１０の発光効率が改善する。
（第３実施形態）
【００４０】
次に図３により、本発明の第３実施形態のＬＥＤ発光装置について説明する。
図３は図１に示す製造方法により作成されたＬＥＤ発光装置１０にレンズ８０を設けたＬＥＤ発光装置の断面図である。すなわち図１の工程Ｈで作成されたＬＥＤ発光装置１０に透明樹脂の型成形により半球状のレンズ８０を形成したもので、ＬＥＤ発光装置１０の発光形状（光束分布）を改善している。第１実施形態で説明したように集合基板でＬＥＤ１を封止しながらレンズ８０を同時に形成すると製造効率がよくなる。
【符号の説明】
【００４１】
１、２００ ＬＥＤ
２、１０２ Ｐ電極
２ａ Ｐ電極バンプ
３、１０３ Ｎ電極
３ａ Ｎ電極バンプ
５ メッキ電極膜
６ レジスト膜
６Ｐ、６Ｎ 開口
１０、２００ ＬＥＤ発光装置
２０、１２０ ＬＥＤウェハー
３０、３０ａ セラミックインク
４０ 粘着シ−ト
５０ 支持板
６０ サブ基板
８０ レンズ
１００ 半導体層
１１０ サファイヤ基板
１１１ 溝
１３０ 蛍光体ペ−スト
１４０ スキ−ジ−
１５０ 切断治具
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＥＤ素子等の発光素子を備えた発光装置の製造方法に関するものであり、詳しくは発光素子周辺だけに蛍光体を局在化させ、蛍光体の無駄を省いた発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ素子（以下ＬＥＤと略記する）は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本発明においてもＬＥＤ発光装置を実施形態として説明する。
【０００３】
特に近年、ＬＥＤ周辺だけに蛍光体を局在させ、蛍光体を節約するとともに視野角に依存する色ムラを解消したＬＥＤ装置が提案されている。このＬＥＤ装置において蛍光体をＬＥＤ周辺に局在させる手法としては電気泳動法や噴霧法、印刷法がよく知られているが、ウェハー状態で蛍光体層を形成し、そのウェハーからＬＥＤを個片化する製造方法もある。（例えば引用文献１）
【０００４】
以下従来の封止部材付のＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図４は特許文献１における図１及び段落００９０〜００９８に開示されている従来のＬＥＤウェハーの平面図、図５は断面図である。ＬＥＤウェハー１２０は、大判のサフイアヤ基板１１０の上に複数の半導体層１００が形成されており、それぞれＰ電極１０２とＮ電極１０３が設けられている。半導体層１００の主な発光面はサファイヤ基板１１０側であり、図面では３個のＬＥＤ１００のみ示した。しかし実際の大判サファイヤ基板１１０上にはもっと多数の半導体層１００が形成されてＬＥＤウェハー１２０を構成している。
【０００５】
図６は特許文献１における従来のＬＥＤ発光装置を製造する工程図であり、趣旨を逸脱しない範囲で簡素化している。図６において工程ＡはＬＥＤウェハーを準備する工程である。-図５に対しＬＥＤウェハー１２０を反転させているので大判のサフイアヤ基板１１０の下側に半導体層１００が形成配置されている。工程Ｂはサフイアヤ基板１１０の上面において半導体層１００間に切削工具を使用し溝１１１を形成する溝加工工程である。この溝１１１は半導体層１００が含まれるＬＥＤ２００の発光面積を大きくしているもので、ＬＥＤ２００の発光面積が溝１１１によって形成される側面の分だけ大きくなっている。
【０００６】
工程Ｃ及び工程Ｄは溝１１１を含むサファイヤ基板１１０の上面に蛍光体ペースト（固化前の蛍光体層１３０）を流し込み、その蛍光体ペーストをスキージー１４０により平坦にならした後、加熱固化させて蛍光体層１３０を形成する蛍光体層形成工程である。なお、この蛍光体ペーストとしては青色ＬＥＤの場合にはエポキシ樹脂やシリコン樹脂に蛍光体を含有させたものを使用することが出来る。
【０００７】
工程Ｅはサファイヤ基板１１０の上面に形成された蛍光体層１３０の上面を目的の厚みになるように、研削具を用いて均一に研削する研削工程である。この研削工程の後に色度測定を行い目的の色度に正確に調整する。なお、この状態で目的の色度が得られていない場合は、前記工程Ｃ及び工程Ｄの蛍光体層形成工程及び、工程Ｅの研削工程をやり直すことによって、最終的に最適色度への調整を行う。
【０００８】
次に工程Ｆでは、ＬＥＤウェハー１２０を蛍光体層１３０が上になる向きで加工テーブルにセットし、半導体層１００の境界（溝１１１の中央）を切断治具（ブレード）１５０を用いて切断分離し、工程Ｇに示す個片化したＬＥＤ２００を量産する。
【０００９】
また引用文献１の図４及び段落０１１２〜０１２０には、他の実施形態として、前記図６と同様のＬＥＤ発光装置の製造方法が開示されている。図６と異なる部分は大判サファイヤ基板に含まれるＬＥＤが紫外線ＬＥＤであることと、ＬＥＤ上に形成される蛍光体層が紫外線ＬＥＤの発光によって劣化しないガラス系バインダーを用いて形成されていることである。そして前記図６の工程Ｃ，Ｄと同様に蛍光体層（ペースト状）を形成し加熱硬化させてから、同じく工程Ｅの研削及び工程Ｆの切断分離を行っている。
【００１０】
以上のように特許文献１の提案では、１枚の大判サファイヤ基板に複数のＬＥＤを形成し、この複数のＬＥＤ上にまとめて蛍光体層を設け、この蛍光体層を研削しながら色度調整をおこなっている。また所望の色度が得られない場合、特性測定後に形成した蛍光体層を剥がして再形成を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−２２１５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
最近ではＬＥＤ発光素子の薄型化にともない、サファイヤ基板１１０の厚さも１００μｍ前後になっている。しかしながら依然としてサファイヤ基板１１０内における上面及び下面での全反射成分は減らないためサファイヤ基板１１０の側面から出射する光量が多い。ところがＬＥＤ２００にはサファイヤ基板１１０の側面に蛍光体層１３０のない部分があるため発光効率を落としている。とくにサファイヤ基板１１０の薄型化が進むにつれこの損失の影響が大きくなってくる。この対策としてサイファイヤ基板１１０の露出部を薄くしようとすると製造工程中でサファイヤ基板１１０が割れやすくなる。
【００１３】
そこで本発明の目的は、上記問題点を解決しようとするものであり、蛍光体層として高信頼性のセラミックインクを使用して一括生産を行うＬＥＤ発光装置の製造方法において、高価な蛍光体材料の使用量を節約し、発光効率の良いＬＥＤ発光素子を簡便に製造できる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため本発明における製造方法は、
回路基板上に半導体発光素子をフリップチップ実装し、該半導体発光素子の周辺に蛍光体を備える半導体発光素子の製造方法において、
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程と、
前記発光素子に前記蛍光体が分散されたセラミックインクを塗布し硬化させる工程と、
前記発光素子の上面に塗布されたセラミックインクの厚さと側面に残すセラミックインクの厚さとが略等しくなるように前記発光素子間の前記セラミックインクを切断分離する工程と、
該発光素子を回路基板にフリップチップ実装する工程と
を有することを特徴とする。
【００１５】
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程において、予め特性の揃った発光素子を選別しておき、該発光素子を前記所定の間隔で前記粘着シート上に整列させることが好ましい。
【００１６】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程において該セラミックインクを仮硬化させ、前記発光素子間のセラミックインクを切断分離する工程の後に、前記セラミックインクを本硬化させる工程を備えることが好ましい。
【００１７】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程の後に、前記発光素子上のセラミックインクを研削して発光素子の発光条件を調整する工程を備えることが好ましい。
【００１８】
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程の前に、ウェハー状態の発光素子にバンプ電極を形成する工程と、個別の発光素子に切断分離する工程と、該発光素子の特性を測定する工程とを有すると良い。
【００１９】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程と、前記発光素子間のセラミックインクを切断分離する工程との間に、前記発光素子にバンプ電極を形成する工程を有すると良い。
【発明の効果】
【００２０】
上記の如く本発明の製造方法によれば、粘着シート上に整列された発光素子に対し一括して蛍光体を含有したセラミックインクの塗布を行い、セラミックインクを硬化後、ＬＥＤ発光素子の上面及び側面のセラミックインク層を略同じ厚みとなるようにセラミックインクを切断している。この結果、高価な蛍光体材料をＬＥＤ発光素子周辺に局在化させ使用量を節約しながら、蛍光体を含有したセラミックインクで発光素子側面を覆い発光効率の低下を抑えたＬＥＤ発光装置を、塗布と切断をベースとした簡便な方法により製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】図１に示すＬＥＤ発光装置にレンズを構成した状態を示す断面図である。
【図４】従来のＬＥＤウェハーの平面図である。
【図５】図４に示すＬＥＤウェハーのＡ−Ａ断面図である。
【図６】従来のＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図１は本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。図１において工程Ａはウェハー状態のＬＥＤ（発光素子）にバンプを形成する工程である。粘着シート４０に接着されたＬＥＤウェハー２０に含まれる各ＬＥＤ領域のＰ電極２及びＮ電極３にメッキ法によりＰ電極バンプ２ａ及びＮ電極バンプ３ａを形成する。工程Ｂは個別のＬＥＤに切断分離する工程と各ＬＥＤの特性を測定する工程を示している。先ずＬＥＤウェハー２０の各ＬＥＤ領域をスクライブによって切断分離して複数のＬＥＤ１を形成する。次に粘着シート４０を引き伸ばして、操作性を良くした状態で、各ＬＥＤ１のＰ電極バンプ２ａ及びＮ電極バンプ３ａに検査用のプローブを当接して各ＬＥＤ１の発光特性を測定し、ランク毎に分別する。なお、必要に応じてスクライブの前にＬＥＤウェハー２０の裏面（サファイヤ基板）側を研削しても良い。
【００２３】
工程ＣはＬＥＤを所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程である。工程Ｂでランク分けられたＬＥＤ１の同一ランクのものを支持板５０（粘着シート）上に所定の間隔で整列配置する。工程Ｄはセラミックインクを塗布し硬化させる工程である。工程Ｃで支持板５０上に所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１の上面及び素子（ＬＥＤ１）の間に蛍光体が分散混入されたセラミックインク３０を塗布する。さらにこの塗布されたセラミックインクを約９０℃で加熱することによりセラミックインクの仮硬化を行う。セラミックインクとは架橋するとガラス状になるバインダ中に蛍光体等の粒子を触媒や溶媒とともに混練したものである。本実施形態ではバインダとしてオルガノポリシロキサンを使った。このセラミックインクは約９０℃（３０分）で仮硬化させ、約１６０℃（２時間３０分）で本硬化させる。
【００２４】
工程Ｅは発光素子上のセラミックインクを研削し発光素子の発光条件を調整する工程である。工程Ｄで仮硬化されたセラミックインク３０の一部３０ａを研削して、支持板５０上に所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１の特性（ピーク波長など）に合わせてセラミックインク３０の厚さを調整し、セラミックインク層３０を備えたＬＥＤ１の発光特性（色度）を希望の値に合わせ込む。この場合予め支持板５０上に整列配置された複数のＬＥＤ１の特性は一定のランク（ピーク波長など）内に収まっているので、所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１を覆うセラミックインク層３０の厚さを一定の厚さに揃えることによって、セラミックインク層３０を備えた全てのＬＥＤ１の発光特性（色度）は一定のランク（色度）内に収まった合格品とすることが可能となる。この場合、整列配置された複数のＬＥＤ１の発光特性（ピーク波長など）に合わせて予め計算（例えばピーク波長に対し目標とする色度とセラミックインク厚の関係を実験で確認しておく）された厚さにセラミックインク３０の研削をおこなっても良いし、また研削を行いながらＬＥＤ１の発光特性を測定し規格内に追い込んでいくことも可能である。
【００２５】
工程ＦはＬＥＤ間のセラミックインクを切断分離する工程である。所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１間を、ＬＥＤ１の上面を覆うセラミックインク３０の厚さと側面のセラミックインク３０の厚さが略同じ厚さで残るように、切断治具（ブレード）１５０を用いてセラミックインク３０を切断しＬＥＤ１を分離する。このとき支持板５０は切断しないようにする。工程Ｇはセラミックインクを本硬化させる工程である。高温（約１６０℃）で加熱処理を行うことによりセラミックインク３０をガラス化させる。これでＬＥＤ１０が完成する。
【００２６】
工程Ｈは発光素子を回路基板にフリップチップ実装する工程である。完成したＬＥＤ１をサブ基板６０（回路基板）にフリップチップ実装を行ってＬＥＤ発光装置１０を完成させる。実際には個別のサブ基板６０上にＬＥＤ１を実装するのではなく、切断分離すると複数のサブ基板６０が得られる集合基板（図示せず）に、複数のＬＥＤ１をフリップチップ実装してから集合基板を切断分離し個別のＬＥＤ発光装置１０を得ることが多い。蛍光体の加水分解や電極の腐食などを防止するためにも、集合基板状態でＬＥＤ１を透明樹脂（図示せず）で封止することが好ましい。
【００２７】
上記の如く本実施形態によれば、予め発光特性（ピーク波長等）の揃ったＬＥＤ１を支持板５０上に整列させていた。工程Ｅの研削を行なわなくてもＬＥＤ１上のセラミックインク層３０の厚さは、各ＬＥＤ装置１０で等しくなるから、各ＬＥＤ装置１０の発光特性（色度）も等しくなる。色度管理が厳しくない場合は、予め特性の揃った発光素子を選別しその発光素子を所定の間隔で前記粘着シート上に整列させる必要はない。
【００２８】
また本実施形態では、工程Ｅにおいて蛍光体混入セラミックインク３０を研削する厚さをロット（支持板５０）毎に決めることが出来る。このため、支持板が異なっても所望の発光特性（色度）のＬＥＤ発光装置１０が得られるため量産に適している。なおこの工程も色度管理が厳しくない場合は省くことができる。
【００２９】
本実施形態ではセラミックインク３０の研削及び切断を半硬化の柔らかい状態で行い、ＬＥＤ１間のセラミックインクを切断分離する工程の後に、セラミックインクを本硬化させる工程（工程Ｆ）を備えていた。このため、加工が容易で生産コストの低減及び歩留りの向上が可能となる。なお、セラミックインク３０を工程Ｄにおいて本硬化させても、セラミックインク３０の研削や切断が可能な製造装置を準備できれば工程Ｆを省略できる。
【００３０】
本実施形態では、発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程（工程Ｃ）の前に、ウェハー状態の発光素子にバンプ電極を形成する工程（工程Ａ）と、個別の発光素子に切断分離する工程（工程Ｂ）と、発光素子の特性を測定する工程（工程Ｂ）を備えていた。この工程Ａ，ＢはパッケージメーカーがＬＥＤの素子メーカーよりＬＥＤウェハーでの供給を受ける場合に適している。特性（ピーク波長等）が判明し、Ｐ及びＮ電極バンプ２ａ，３ａの付いた個別のＬＥＤ１を入手できる場合は、工程Ａ，Ｂを省略できる。
【００３１】
ふつうフリップチップ実装用のＬＥＤ１はＰ及びＮ電極バンプ２ａ，３ａ側に反射層を備えているので、ＬＥＤ１からサブ基板６０側に出射する光は少ない。このため、ここに蛍光体層がなくでも発光損失は大きくならない。
（第２実施形態）
【００３２】
次に図２により本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を説明する。図２は本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図であり、第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である図１と同一部材及び工程には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
【００３３】
工程ＡはＬＥＤ素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程である。予めランク分けされたＬＥＤ１の同一ランクのものを粘着シート４０上に所定の間隔で整列配置する。この時ＬＥＤ１の電極形成面、すなわちＰ電極及びＮ電極（図示せず）面側を下向きにして粘着シート４０に貼り付ける。工程Ｂはセラミックインクを塗布し硬化させる工程である。工程Ａで粘着シート４０上に所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１の上面と、素子間に蛍光体が分散混入されたセラミックインク３０を塗布する。さらにこの塗布されたセラミックインク３０を約９０℃で加熱することによりセラミックインク３０の仮硬化を行う。
【００３４】
工程ＣはＬＥＤ１上のセラミックインクを研削してＬＥＤ１の発光条件を調整する工程である。工程Ｂで仮硬化されたセラミックインク３０の一部３０ａを研削して、粘着シート４０上に所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１の特性（ピーク波長等）に合わせてセラミックインク３０の厚さを調整し、ＬＥＤ１の発光特性（色度）を希望の値に合わせ込む。この場合予め支持板５０上に整列配置された複数のＬＥＤ１の特性は一定のランク内に収まっているので、所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１を覆うセラミックインク３０の厚さを一定の厚さに揃えることによって、全てのＬＥＤ１の発光特性（色度）は一定のランク内に収まった合格品とすることが可能となる。
【００３５】
工程Ｄは新たな支持板（粘着シート）に取り付ける工程である。工程Ｃで研削されたセラミックインク３０の上面に支持板５０（粘着シート）を貼り付け、この状態から反転させて上面の粘着シート４０を剥離する。工程Ｅはメッキ電極を形成する工程である。粘着シート４０の剥離によって露出したＬＥＤ１の電極面に、全面を覆うメッキ電極膜５を形成する。工程Ｆはレジスト膜を形成する工程である。バンプ形成領域、すなわち各ＬＥＤ１のＰ電極及びＮ電極部分に開口を有するレジスト膜６を形成する。このレジスト膜６は、全面に塗布したレジスト膜６をフォトリソグラフィ法によりＰ電極２に対応して開口６Ｐ及びＮ電極３に対応した開口６Ｎを形成する
【００３６】
工程Ｇはバンプ電極を形成する工程である。工程Ｅで形成したメッキ電極膜５を共通電極としてレジスト膜６の開口６Ｐ及び６Ｎの部分に電解メッキ法によりバンプ電極を成長させることによって、それぞれ開口６Ｐ及び６Ｎの部分にＰ電極バンプ２ａ及びＮ電極バンプ３ａを形成する。工程Ｈはレジスト膜６を除去する工程である。処理液を用いてレジスト膜６を除去する。さらにＰ及びＮ電極バンプ２ａ，３ａをマスクとして露出しているメッキ電極５も除去する。
【００３７】
工程Ｉは支持板５０（新たに貼りなおした粘着シート）を切断しないように、且つＬＥＤ１の上面に塗布されたセラミックインクの厚さと側面に残すセラミックインクの厚さとが略等しくなるようにＬＥＤ１間のセラミックインクを切断分離する工程である。図１に示す工程Ｆのセラミックインクを切断分離する工程と同様、所定の間隔で整列配置された複数のＬＥＤ１間を、ＬＥＤ１の側面に残る蛍光体が混入されたセラミックインク３０が所定の厚さで残るように、切断治具（ブレード）１５０を用いてセラミックインク３０を切断分離し、ＬＥＤ１を量産する。工程Ｉは切断後セラミックインクを本硬化させる工程を含む。ここでは高温（約１６０℃）で加熱処理を行うことによりセラミックインク３０をガラス化させる。これでＬＥＤ１が完成する。工程ＪはＬＥＤ１をサブ基板１０（回路基板）にフリップチップ実装する工程である。完成したＬＥＤ１をサブ基板６０にフリップチップ実装してＬＥＤ発光装置１０を完成させる。
【００３８】
この第２実施形態における製造方法は、セラミックインクを塗布し硬化させる工程Ｂと、ＬＥＤ間のセラミックインクを切断分離する工程Ｉとの間に、ＬＥＤにバンプ電極を形成する工程（工程Ｄ〜Ｈ）を備えている。これはパッケージメーカーがＬＥＤの素子メーカーよりバンプを備えていないＬＥＤでの供給を受ける場合に適した製造方法である。
【００３９】
本発明における製造方法は蛍光体のバインダとして高熱に耐えるセラミックインクを用いることにより、フリップチップ実装時にＬＥＤや回路基板にかかる高温に対し耐熱性を保証している。またＬＥＤに反射層が備えられていない場合はメッキ電極５に高反射アルミ層を使うと、Ｐ及びＮ電極バンプ部の反射効率が上がりＬＥＤ装置１０の発光効率が改善する。
（第３実施形態）
【００４０】
次に図３により、本発明の第３実施形態のＬＥＤ発光装置について説明する。
図３は図１に示す製造方法により作成されたＬＥＤ発光装置１０にレンズ８０を設けたＬＥＤ発光装置の断面図である。すなわち図１の工程Ｈで作成されたＬＥＤ発光装置１０に透明樹脂の型成形により半球状のレンズ８０を形成したもので、ＬＥＤ発光装置１０の発光形状（光束分布）を改善している。第１実施形態で説明したように集合基板でＬＥＤ１を封止しながらレンズ８０を同時に形成すると製造効率がよくなる。
【符号の説明】
【００４１】
１、２００ ＬＥＤ
２、１０２ Ｐ電極
２ａ Ｐ電極バンプ
３、１０３ Ｎ電極
３ａ Ｎ電極バンプ
５ メッキ電極膜
６ レジスト膜
６Ｐ、６Ｎ 開口
１０、２００ ＬＥＤ発光装置
２０、１２０ ＬＥＤウェハー
３０、３０ａ セラミックインク
４０ 粘着シ−ト
５０ 支持板
６０ サブ基板
８０ レンズ
１００ 半導体層
１１０ サファイヤ基板
１１１ 溝
１３０ 蛍光体ペ−スト
１４０ スキ−ジ−
１５０ 切断治具
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に半導体発光素子をフリップチップ実装し、該半導体発光素子の周辺に蛍光体を備える半導体発光素子の製造方法において、
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程と、
前記発光素子に前記蛍光体が分散されたセラミックインクを塗布し硬化させる工程と、
前記発光素子の上面に塗布されたセラミックインクの厚さと側面に残すセラミックインクの厚さとが略等しくなるように前記発光素子間の前記セラミックインクを切断分離する工程と、
該発光素子を回路基板にフリップチップ実装する工程と
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程において、予め特性の揃った発光素子を選別しておき、該発光素子を前記所定の間隔で前記粘着シート上に整列させることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程において該セラミックインクを仮硬化させ、前記発光素子間のセラミックインクを切断分離する工程の後に、前記セラミックインクを本硬化させる工程を備えることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程の後に、前記発光素子上のセラミックインクを研削して発光素子の発光条件を調整する工程を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程の前に、ウェハー状態の発光素子にバンプ電極を形成する工程と、個別の発光素子に切断分離する工程と、該発光素子の特性を測定する工程とを有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程と、前記発光素子間のセラミックインクを切断分離する工程との間に、前記発光素子にバンプ電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１】
回路基板上に半導体発光素子をフリップチップ実装し、該半導体発光素子の周辺に蛍光体を備える半導体発光素子の製造方法において、
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程と、
前記発光素子に前記蛍光体が分散されたセラミックインクを塗布し硬化させる工程と、
前記発光素子の上面に塗布されたセラミックインクの厚さと側面に残すセラミックインクの厚さとが略等しくなるように前記発光素子間の前記セラミックインクを切断分離する工程と、
該発光素子を回路基板にフリップチップ実装する工程と
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程において、予め特性の揃った発光素子を選別しておき、該発光素子を前記所定の間隔で前記粘着シート上に整列させることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程において該セラミックインクを仮硬化させ、前記発光素子間のセラミックインクを切断分離する工程の後に、前記セラミックインクを本硬化させる工程を備えることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程の後に、前記発光素子上のセラミックインクを研削して発光素子の発光条件を調整する工程を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記発光素子を所定の間隔で粘着シート上に整列させる工程の前に、ウェハー状態の発光素子にバンプ電極を形成する工程と、個別の発光素子に切断分離する工程と、該発光素子の特性を測定する工程とを有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記セラミックインクを塗布し硬化させる工程と、前記発光素子間のセラミックインクを切断分離する工程との間に、前記発光素子にバンプ電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−３９０１３（Ｐ２０１２−３９０１３Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７９７５９（Ｐ２０１０−１７９７５９）
【出願日】平成２２年８月１０日（２０１０．８．１０）
【出願人】（０００１３１４３０）シチズン電子株式会社 (798)
【出願人】（０００００１９６０）シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月１０日（２０１０．８．１０）
【出願人】（０００１３１４３０）シチズン電子株式会社 (798)
【出願人】（０００００１９６０）シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【Ｆターム（参考）】
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