電子装置及び電子装置の製造方法
【課題】フラックスを使用しない半田接合構造について、外観検査性と接合強度が改善して製造歩留りを向上させる。
【解決手段】 半田バンプ５４をプリコートしたＦＰＣ端子導体４６に対しＡｕ鍍金層を備えたサスペンション端子導体６０を向かい合わせた状態で、半田バンプ５４にサスペンション端子導体６０をヒータチップ７２で押圧しながら過熱溶融し、ＦＰＣ端子導体４６とサスペンション端子導体６０をフラックスを使用せずに半田５５で接合する。サスペンション端子導体６０には、半田バンプ５４による半田接合状態を絶縁層７０を介して外部より視認可能な半田接合観察窓として切欠やスリット等を形成している。
【解決手段】 半田バンプ５４をプリコートしたＦＰＣ端子導体４６に対しＡｕ鍍金層を備えたサスペンション端子導体６０を向かい合わせた状態で、半田バンプ５４にサスペンション端子導体６０をヒータチップ７２で押圧しながら過熱溶融し、ＦＰＣ端子導体４６とサスペンション端子導体６０をフラックスを使用せずに半田５５で接合する。サスペンション端子導体６０には、半田バンプ５４による半田接合状態を絶縁層７０を介して外部より視認可能な半田接合観察窓として切欠やスリット等を形成している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層上に複数の端子導体を配列した端子同士を半田接合した構造をもつ電子装置及び電子装置の製造方法に関し、特に、フラックスを使用することなく端子同士を半田接合する電子装置及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスクドライブの構成部品であるヘッドジンバルアセンブリィのサスペンション端子と、ヘッドＩＣを搭載したフレキシブルプリント基板の基盤端子の電気接続として、Ａｕ端子同士を超音波接合する方法が知られているが、近年にあっては、片方のＡｕ端子に半田バンプをプリコートしてフラックスを使用することなく熱圧着で半田接合する方法が用いられている。
【０００３】
このように磁気ディスクの読み書き用のスライダ(ヘッド)を搭載したサスペンションのテール部の接続端子と、プリアンプ機能のあるヘッドＩＣを搭載したフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の基盤端子との電気接続技術は、その構造を含めてハードディスクドライブの組立におけるコア技術となっている。
【０００４】
ここで、従来のＡｕ端子同士の超音波接合から半田接合へ移行するメリットとしては次の点が挙げられる。
【０００５】
第１に、Ａｕ端子同士の接合に必要な超音波印加装置が不要となり、設備が安価になる。
【０００６】
第２に、同じヘッドジンバルアセンブリィの端子及び隣接するヘッドジンバルアセンブリィの端子を一括して接合可能であり、タクトタイム（工程作業時間）の抑制が可能となる。
【０００７】
第３に、半田の再溶融により同一箇所での再取付け等の修理が可能となる。
【０００８】
第４に、半田接合の方が接合強度は高く安定しており、応力及び衝撃ストレスへの耐久性が向上し、信頼性が向上する。
【０００９】
第５に、外観観察による接合良否判定が可能であり、品質保証が簡易で不良品の流出を低減防止できる。
【００１０】
また、ハードディスクドライブの組立製造ではヘッドクラッシュを防止するために、媒体及びヘッド付近の塵埃等は除去しなくてはならない。一般的に半田付け接続は、半田濡れ性を確保するためにフラックスを使用するが、サスペンションテール端子とフレキシブルプリント基板端子との接合にフラックスを使用して半田接合すると、残留するフラックス残渣を除去する洗浄プロセスを追加しなくてはならない。洗浄が完全でないと、フラックス残渣が原因の障害に至る可能性があり、フラックスを使用する場合は十分なマージンのある洗浄プロセスの構築が必要となる。
【００１１】
この問題を解消するため、フラックスを使用しない半田接合方法が行われている。フラックスレスの半田接合方法は、フレキシブルプリント基板端子に半田バンプをプリコートし、サスペンションテール端子をＡｕ鍍金端子とし、フレキシブルプリント基板端子の半田バンプにサスペンション端子をヒータチップなどにより押圧した状態で加熱溶融して半田接合している。
【特許文献１】特開平１１−１９１２１０号公報
【特許文献２】特開２００６−０４９７５１号公報
【特許文献３】特開２００５−０１１５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、このような従来のフラックスを使用しない半田接合にあっては、半田接合時にサスペンション端子へ濡れ広がる十分なはんだ量が必要であり、同時に、加圧により半田が潰れて横にはみ出しても隣接端子とショートしないように半田バンプとしてプリコートする半田量を制御することが必要となる。
【００１３】
このように適切な半田量による半田接合であるかどうかを判断するためには、半田接合後の目視検査により、例えば図２７（Ａ）に示すように、サスペンション端子１１０を見て外側に半田のはみ出し部分１１８を観察できれば、外観良品とすることができる。
【００１４】
図２７（Ｂ）は半田接合の断面であり、フレキシブル基板端子１００は絶縁層となる可撓性フィルム１０２上に端子導体１０４を配置し、その上には半田バンプがプリコートされている。フレキシブル基板端子１００に対してはサスペンション端子１１０が半田接合される。サスペンション端子１１０は絶縁層１１２の下側にＡｕ鍍金層を備えた電極導体１１４を配置している。
【００１５】
フレキシブル基板端子１００にサスペンション端子１１０を位置合せし、電極導体１１４を端子導体１０４側にプリコートされた半田バンプに押圧加熱して溶融することで、図示の半田１１６による接合が得られる。この場合には、フレキシブル基板端子１００とサスペンション端子１１０との間に十分な量の半田１１６が介在し、はみ出し部分１１８をもつ半田接合としている。
【００１６】
しかし、図２８（Ａ）のように、サスペンション端子１１０を見ても半田のはみ出し部分が観測されない場合、実際には図２８（Ｂ）の断面に示すように、フレキシブル基板端子１００とサスペンション端子１１０との間に適切な量の半田１１６が介在して接合している状態であっても、これを確認できないために外観不良品と判断せざるを得ないという問題がある。
【００１７】
また従来のフラックスを使用しない半田接合にあっては、端子面に半田を二次元的（平面的）に接合する構造であり、接合面方向の接合強度は高いが、これに比べ接合面に直交する剥離方向の接合強度が低めとなり、特にヘッドを磁気ディスクに対し位置決め移動するために駆動されるロータリアクチュエータで使用されて振動等を受けるサスペンション端子としては、更なる接合強度の向上が望まれる。
【００１８】
本発明は、フラックスを使用しない半田接合構造について、外観検査性と接合強度を改善して製造歩留りを向上させる電子装置及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
（電子装置）
本発明はフラックスを使用しない半田接合構造を備えた電子装置を提供する。
【００２０】
本発明の電子装置は、
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部と、
第２絶縁層上に第１端子導体に相対して配列された複数の第２端子導体、及び第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部と、
第１端子部の第１端子導体に対し第２端子部の第２端子導体を向かい合わせた状態で半田バンプに第１端子導体を押圧しながら過熱溶融して第１端子導体と第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する半田接合構造と、
を備える。
【００２１】
このような電子装置に於いて、本発明は、第２端子導体に、半田バンプによる半田接合状態を第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けたことを特徴とする。
【００２２】
第２端子導体の半田接合観察窓は、第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、半田バンプによる半田接合状態を第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成する。
【００２３】
第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺中央に切欠を形成し、切欠に入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。切欠は、矩形、三角形又は半円形である。
【００２４】
第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の中央にスリットを開口し、スリットに入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。スリットは、矩形、楕円形、円形、又は複数の円形配列である。
【００２５】
第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成し、波形の谷部に入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００２６】
第２端子導体の半田接合観察窓は、長方形端子導体の長辺を波形に形成すると共に中央にスリットを開口し、波形の谷部及びスリットに入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００２７】
第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成し、櫛歯形状に入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００２８】
第２端子導体の半田接合観察窓は、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成すると共に中央にスリットを開口し、櫛歯形状及びスリットに入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００２９】
第１端子導体と前記第２端子導体は円形の平面形状であり、第２端子導体の半田接合観察窓として、円形端子導体の外周に１又は複数の切欠を形成し、切欠に入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００３０】
電子装置は、ロータリアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動してデータを記録又は再生する磁気ディスク装置であり、
第１端子部は、ロータリアクチュエータに一端を固定し他端を筐体固定側の回路部に接続したフレキシブルプリント基板に設けられ、
第２端子部は、ロータリアクチュエータにヘッドを支持するサスペンションのテール部に設けられ、
フレキシブルプリント基板の第１端子部にサスペンョンテール部の第２端子を半田接合する。
【００３１】
（製造方法）
本発明はフラックスを使用しない半田接合構造を備えた電子装置の製造方法を提供する。本発明による電子装置の製造方法は、
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部を有し、第１端子部を作業位置に固定配置する第１工程と、
第２絶縁層上に第１端子導体に相対して配列され、半田接合状態を第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けた複数の第２端子導体、及び第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部を有し、第２端子部の第２端子導体を第１端子部の第１端子導体に対し向かい合わせた作業位置に位置合わせする第２工程と、
第１端子部の半田バンプに第２端子部の第２端子導体を押圧しながら過熱溶融して第１端子導体と第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する第３工程と、
半田バンプによる半田接合状態を、第２絶縁層を介して第２端子導体の半田接合観察窓により外部から観察して検査する第４工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、第１端子の第１端子導体にプリコードした半田バンプに第２端子のＡｕ鍍金層を形成した第２端子導体を押圧加熱して溶融接合した際に、第２端子導体に切欠又はスリットとして形成した半田接合観察窓に半田が入り込んでフィレットを形成し、半田接合後の検査工程で外側の第２絶縁層を介して外部から第２端子導体の半田接合観察窓に対する半田フィレットの形成状態を確認することができ、第２端子導体から外側にはみ出さない適切な半田量による接合について、はみ出し部分が確認できずに従来外観不良品としていたものが外観良品と正しく判断でき、外観検査性の向上により製造歩留りを向上することができる。
【００３３】
また、第２端子導体に半田接合観察窓として形成した切欠又はスリットに半田が入り込んで半田フィレットを形成するため、従来、端子面に対する半田の二次元的な接合であったものが、切欠やスリットに対する半田フィレットの形成による接合で３次元的な接合が加わり、接合面方向の接合強度に加え、接合面に直交する剥離方向の接合強度が向上し、磁気ディスクのロータリアクチュエータのような振動等を受ける場所での接合品質と耐久性を更に向上することができる。
【００３４】
更に、第２端子導体に半田接合観察窓として切欠やスリット等を形成することにより、従来の端子導体から半田がはみ出すように半田バンプの半田量を多めにする制御が不要となり、隣接端子とのショートを確実に防止でき、また端子位置決めのアライメントの許容量を増加させることができ、その結果、端子構成部材や製造設備の大幅なコストダウンも期待することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図１は本発明の電子装置として、磁気ディスク装置を例にとって、筐体カバーを取り外して筐体ベース側の内部構造を示した説明図である。
【００３６】
図１において、磁気ディスク装置１０は筐体ベース１２内に、スピンドルモータにより一定速度で回転される磁気ディスク１４を設けている。磁気ディスク１４に対しては、ロータリアクチュエータ１６が設けられる。
【００３７】
ロータリアクチュエータ１６は軸部２０により筐体ベース１２に回転自在に支持され、アーム２２を介して先端側にヘッドジンバルアセンブリィ１８を装着してヘッド２６を支持し、後端側にはコイル３０を装着している。
【００３８】
ロータリアクチュエータ１６のコイル３０側には、筐体ベース１２に固定されて磁気回路部が設けられており、コイル３０と磁気回路部によりロータリアクチュエータ１６を駆動するボイスコイルモータを構成している。
【００３９】
筐体ベース１２側の磁気回路部は、筐体ベース１２に固定した下ヨーク３２の上部に磁石３４を配置し、磁石３４はロータリアクチュエータ１６によるコイル３０の回動範囲をカバーする形状を有する。
【００４０】
磁石３４の上にはロータリアクチュエータ１６の後部のコイル３０が軸部２０を中心に回動自在に位置し、コイル３０の上部には下ヨーク３２に対向して同一形状を持つ上ヨークが配置されているが、図１にあっては上ヨークは取り外して省略した状態で示している。
【００４１】
ロータリアクチュエータ１６の側面から固定側の回路実装部に対し、フレキシブルプリント基板（以下「ＦＰＣ」という）３６が引き出されている。ＦＰＣ３６には、ヘッド２６に対する信号線及びコイル３０に対する信号線がフレキシブルプリントパターンとして形成されると共に、ヘッド２６の記録素子と読取素子に対する信号処理を行うライトドライバやプリアンプを備えたヘッドＩＣが実装されており、筐体ベース１２側に配置している図示しないコントロールボードとの間で、制御信号、ライト信号、リード信号などのやり取りを行う。
【００４２】
図２は図１のロータリアクチュエータを取り出して一部省略した状態で示した説明図である。図２において、ロータリアクチュエータ１６は軸部２０より延在したアーム２２にヘッドジンバルアセンブリィ１８をカシメ加工で固定しており、ヘッドジンバルアセンブリィ１８はサスペンション取付アーム２４とロングテールサスペンション４２で構成されている。
【００４３】
ロングテールサスペンション４２は、先端側をサスペンション取付アーム２４の下側に配置し、先端に記録素子、読取素子及びスライダを備えたヘッド２６を支持し、後端をアーム２２の側面に装着し、ロータリアクチュエータ１６の軸部２０の側面に支持固定しているＦＰＣ３６に電気的に接続するためのサスペンション端子部４４を設けている。
【００４４】
ロータリアクチュエータ１６の軸部２０の側面にはＦＰＣ３６の一端が固定され、ここにヘッドＩＣ３８を実装すると共に、ヘッドジンバルアセンブリィ１８に設けたロングテールサスペンション４２のサスペンション端子部４４を電気的に接続するためのＦＰＣ端子部４０−１〜４０−４を形成している。
【００４５】
ここでＦＰＣ３６に設けたＦＰＣ端子部４０−１~４０−４が本発明の第１端子部を構成し、一方、ロングテールサスペンション４２に設けたサスペンション端子部４４が本発明の第２端子部を構成している。
【００４６】
図３は図２のＦＰＣ３６を取り出してＦＰＣ端子部の拡大部と共に示した説明図である。図３（Ａ）はＦＰＣ３６のロータリアクチュエータ側を示しており、ＦＰＣ３６の先端に第１端子部を構成するＦＰＣ端子部４０−１〜４０−４を形成し、その背後にヘッドＩＣ３８を実装している。ＦＰＣ３６は、可撓性のベースフィルム上に回路及び線路を構成するＣｕパターンを形成し、更にＣｕパターンの非接続部分にはカバーフィルムをコートしている。
【００４７】
図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＦＰＣ端子部４０−１を拡大して示している。ＦＰＣ端子部４０−１には、本実施形態にあっては２つのＦＰＣ端子部４０−１１，４０−１２が設けられている。このうちＦＰＣ端子部４０−１１について示すように、本実施形態にあっては、一定間隔で矩形状の６つのＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６を一定間隔で配列している。
【００４８】
ＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６に対しては、破線で示すカバーフィルム開口４８が位置し、カバーフィルム開口４８の部分でＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６が導体面を外部に露出している。またＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６のそれぞれからは配線パターンが引き出され、配線パターン群４５として筐体ベース側に引き出されている。
【００４９】
図４は図３（Ｂ）のＸ−Ｘ断面を示した断面図である。ＦＰＣ端子部は、その断面構造に示すように、可撓性フィルム層５０の上にＣｕ鍍金などによりＦＰＣ端子導体４６−１及び、図示しないこれに続く配線パターンを形成し、ＦＰＣ端子導体４６−１における接続部を除いてカバーフィルム層５２を形成している。
【００５０】
ＦＰＣ端子導体４６−１の露出部分には半田バンプ５４がプリコートされている。ＦＰＣ端子導体４６−１にプリコートする半田バンプ５４としては、図２に示したロングテールサスペンション４２側のサスペンション端子部４４とのフラックスを使用しない半田接続に必要十分な半田量となるように制御している。
【００５１】
図５は図２のヘッドジンバルアセンブリィを取り出して示した説明図である。図５（Ａ）はヘッドジンバルアセンブリィ１８の平面図であり、図５（Ｂ）に裏側を示した背面図を示している。
【００５２】
ヘッドジンバルアセンブリィ１８は、サスペンション取付アーム２４の裏面側にロングテールサスペンション４２を接着などにより固定している。ロングテールサスペンション４２は先端にヘッド２６を装着し、テール側にサスペンション端子部４４を形成しており、その間を回路パターンで接続している。即ちロングテールサスペンション４２は、ヘッド２６と図２に示したＦＰＣ３６のヘッドＩＣ３８を電気的に接続する機能を果たしている。
【００５３】
ロングテールサスペンション４２上の伝送路は、金属箔として例えばステンレス箔の上に絶縁層をコートした後にＣｕ鍍金などにより回路層を形成し、更に回路層に保護層を形成した後に、ステンレス層のエッジングを行って製造されており、半導体製造プロセスによる薄膜回路として形成されている。
【００５４】
図６は図５のロングテールサスペンションのサスペンション端子部を拡大して示した説明図である。図６において、ロングテールサスペンション４２のテール側の端部には本発明の第２端子部を構成するサスペンション端子部４４が設けられている。
【００５５】
サスペンション端子部４４にはサスペンション端子導体６０−１〜６０−６が一定間隔で配列されており、サスペンション端子導体６０−１〜６０−６からは配線パターン６５が引き出され、図５に示すヘッド２６に接続している。また配線パターン６５については、サスペンション端子導体６０−１~６０−６の露出部分を除いて保護層が設けられている。
【００５６】
本実施形態のロングテールサスペンション４２にあっては、図５に示したヘッド２６に、記録素子、読取素子に加え、更に、ヘッド浮上量を熱膨張を利用して制御するためのヒータ素子が設けられていることから、記録素子、読取素子、ヒータ素子のそれぞれにつき２本ずつの配線パターンを必要とすることから、サスペンション端子部４４には６つのサスペンション端子導体６０−１〜６０−６が設けられている。
【００５７】
なお、ヘッド２６としてヒータ素子を持たない記録素子と読取素子だけを設けた場合には、サスペンション端子部４４のサスペンション端子導体は４つ配列すればよい。
【００５８】
図７は図６のサスペンション端子導体を拡大して示した説明図である。図７において、サスペンション端子導体６０は幅Ｄ２、高さＬ２の長方形の導体であり、長手方向の辺のほぼ中央の２箇所に、半田接合観察窓として機能する矩形切欠６２−１，６２−２を形成している。
【００５９】
図８は図７のサスペンション端子導体６０と図３に示したＦＰＣ端子導体４６を半田接合のために重ね合わせた場合の位置アライメントを示した説明図である。図８において、本実施形態によるフラックスを使用しない半田接合は、ＦＰＣ端子導体４６を固定配置した状態でサスペンション端子導体６０を図示のように位置決めして半田接合を行う。
【００６０】
ここで、ＦＰＣ端子導体４６側は、両側にカバーフィルムが位置するカバー部位６４−１，６４−２を形成している。ＦＰＣ端子導体４６は高さがＬ１、幅がＤ１であり、高さＬ１はサスペンション端子導体６０の高さＬ２より小さく、幅Ｄ１はサスペンション端子導体６０の幅Ｄ２より大きめとなっている。
【００６１】
例えばＦＰＣ端子導体４６の幅Ｄ１はＤ１＝０．２６ｍｍであり、一方、サスペンション端子導体６０の幅Ｄ２は例えばＤ２＝０．２４ｍｍであり、このため横方向の位置決めマージンΔＤはΔＤ＝Ｄ１−Ｄ２＝０．２６−０．２４＝０．０２ｍｍとなっている。
【００６２】
このような幅及び高さの寸法を持つＦＰＣ端子導体４６とサスペンション端子導体６０の位置アライメントについては、固定配置したＦＰＣ端子導体４６の露出部位６６に対し、サスペンション端子導体６０が横方向及び高さ方向につきセンタリングするように位置決めし、これによってサスペンション端子導体６０につき斜線で示すオーバーラップ部分６５を確保した状態で半田接合を行う。
【００６３】
図９は図６のサスペンション端子部のＹ−Ｙ断面を示した断面図である。図９において、サスペンション端子部４４は、ステンレス箔６８で支持したポリイミドを使用した絶縁層７０を有し、絶縁層７０上にＣｕ鍍金によりサスペンション端子導体６０を形成しており、更に、サスペンション端子導体６０にはＡｕ鍍金処理によるＡｕ鍍金層が形成されている。
【００６４】
図１０は本実施形態のＦＰＣ端子にサスペンション端子部を位置合せして重ね合わせた説明図である。図１０において、ＦＰＣ３６は、図２に示したようにロータリアクチュエータ１６の軸部２０の側面に固定されており、そのＦＰＣ端子部４０に対し、ヘッドジンバルアセンブリィ１８に設けているロングテールサスペンション４２のサスペンション端子部４４を上から重ね合わせて、サスペンション端子導体６０−１〜６０−６がＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６に重ね合わせるように配置され、このとき両者は図８に示したように位置アライメントを持つように位置決めされている。
【００６５】
なお、実際の半田接合の際には、ロングテールサスペンション４２のサスペンション端子部４４については、その連結部における折曲げ線６７により直角にサスペンション端子部４４を折り曲げた状態で、図２に示すようにＦＰＣ３６の端子部に位置決めしている。
【００６６】
図１１は本実施形態によるＦＰＣ端子部にサスペンション端子部をフラックスを使用せずに半田接合する作業工程を示した説明図である。
【００６７】
図１１（Ａ）は半田接合前の位置合せ状態であり、まずＦＰＣ端子部４０側を半田接合設備における固定側に位置決め配置し、この状態でサスペンション端子部４４側を固定配置したＦＰＣ端子部４０のＦＰＣ端子導体４６に相対するようにサスペンション端子導体６０を位置決めする。続いてサスペンション端子部４４に対し外側からヒータチップ７２を押し当て、加圧力７４を加えてＦＰＣ端子部４０側に移動する。
【００６８】
図１１（Ｂ）はヒータチップ７２の加圧移動でサスペンション端子部４４のサスペンション端子導体６０の導体面がＦＰＣ端子部４０のＦＰＣ端子導体４６にプリコートしている半田バンプ５４に接触した状態である。この状態でヒータチップ７２による熱がサスペンション端子部４４を介して半田バンプ５４に加えられる。
【００６９】
ヒータチップ７２による過熱で半田バンプ５４が溶融すると、加圧力７４により図１１（Ｃ）に示すようにサスペンション端子部４４が沈み込み、同時にサスペンション端子導体６０に鍍金しているＡｕが半田５５に拡散し、半田５５の内部の金属であるＣｕやＮｉなどと半田接合する。
【００７０】
また半田溶融時に加圧力７４に押されて沈み込んだサスペンション端子導体６０は、ＦＰＣ端子部４０側に設けているカバーフィルム層５２に突き当たり、それ以上、押し込まれないため、半田５５は過度に潰されることがなく、半田５５が横方向に漏れ出して、隣接する端子導体との間でショートを起こすことはない。
【００７１】
このような図１１のフラックスを使用しない半田接合作業において重要となるのは、半田バンプ５４の半田量の制御である。半田バンプ５４の半田量としては、半田接合時にサスペンション端子導体６０に半田が濡れ広がるに十分な半田量が必要であり、且つ半田を押し潰した際に横方向に漏れ出して隣接する端子導体とショートしない半田量とするように、半田バンプ５４の半田量を制御する必要がある。
【００７２】
図１２は図１１の作業工程により半田接合した端子部を外観検査する検査工程を示した説明図である。図１２において、半田接合が済んだ端子部につき、外観検査方向７６で示す方向、即ちサスペンション端子部４４の外側から、サスペンション端子部４４とＦＰＣ端子部４０の半田接合状態を観察して検査する。
【００７３】
このとき本実施形態にあっては、図７に取り出して示したように、サスペンション端子導体６０の矩形長辺のほぼ中央に、半田接合観察窓として機能する矩形切欠６２−１，６２−２を形成しているため、図１２で側面を表したサスペンション端子導体６０について示すように、半田５５がサスペンション端子導体６０の側面に形成した矩形切欠に入り込んで半田フィレット７８を形成している。
【００７４】
このため検査工程にあっては、外観検査方向７６よりサスペンション端子部４４の絶縁層７０を介して、サスペンション端子導体６０の矩形切欠の部分に半田フィレット７８がどのように表れているかを見ることで、外観良品か外観不良品かを適切に判断することができる。
【００７５】
図１３は図１２の外観検査で観察するサスペンション端子導体に形成した切欠における半田フィレットの形成状態を示した説明図である。図１３において、ロングテールサスペンション４２側のサスペンション端子部４４に設けているサスペンション端子導体６０−１〜６０−６は、その上部の絶縁層７０を介して透視的にサスペンション端子導体６０−１〜６０−６に形成した切欠に対する半田の入り込みによる半田フィレット７８−１１，７８−１２〜７８−６１，７８−６２の状態を、目視により観察することができる。
【００７６】
このとき半田フィレット７８−１１〜７８−６２が矩形切欠に対し図示のように十分に見えていれば、サスペンション端子導体６０−１〜６０−６とＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６の半田接合は半田潰れ状態が適切で良好に行われていることが確認できる。
【００７７】
これに対し半田フィレット７８−１１〜７８−６２の状態が矩形切欠に表れずに確認できない場合には、半田量が不足しているか、あるいは半田接合の際の加圧不足により半田が十分に潰されていないことから、外観不良品と判断することができる。
【００７８】
また半田フィレット７８−１１〜７８−６２が矩形切欠の内側にごく一部しか現れていないような場合には、同様に半田量が不足しているか半田を潰すための押込みが不足していることから、この場合にも外観不良品と判断する。
【００７９】
外観不良品については、図１１（Ｂ）（Ｃ）のように、再度ヒータチップ７２による加圧加熱を行い、再度検査して半田フィレットが十分に確認できるか否かで外観良品か外観不良品かを判断することができる。
【００８０】
更に、図１３の外観検査で半田フィレット７８−１１〜７８−６２が矩形切欠から外側に張り出しているような場合には、半田フィレットの半田量が多すぎることから、半田量を適正な量に減らすように制御する対応を取ることになる。
【００８１】
更に図１２の端子部の半田接合から明らかなように、本実施形態にあっては、半田接合による半田５５がサスペンション端子導体６０に形成した矩形切欠の部分に入り込んで半田フィレット７８を形成しており、この半田フィレット７８を形成する半田の入り込みにより、サスペンション端子導体６０を導体面に直交する厚さ方向で接合することができる。
【００８２】
このため、半田フィレット７８の形成による接合が加わることで３次元的な半田接合を実現し、半田フィレット７８による半田接合が加わった分、半田接合の強度を高め、ロータリアクチュエータなどの振動の加わる場所に使用した場合の長期信頼性と耐久性を向上することができる。
【００８３】
図１４は本発明におけるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、サスペンション端子導体６０として幅Ｄ２及び高さＬ２の矩形形状を持つ点は図７の実施形態と同じであるが、この実施形態にあっては長手方向の両側に半田接合観察窓として機能する三角切欠８０−１，８０−２を設けたことを特徴とする。
【００８４】
この図１４の実施形態にあっても、端子幅Ｄ２を変えることなく三角切欠８０−１，８０−２を設けているため、ＦＰＣ端子に対し重ね合わせた際のオーバーラップ量を適切に確保でき、また半田接合後の外観検査の際に三角切欠８０−１，８０−２に対する半田フィレットの状態から外観良品か外観不良品かを適切に判断でき、更に三角切欠８０−１，８０−２に対する半田フィレットの接合で接合強度を高めることもできる。
【００８５】
図１５は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の長手方向の両側に半田接合観察窓として機能する半円切欠８２−１，８２−２を設けたことを特徴とする。
【００８６】
この図１５の実施形態にあっても、端子幅Ｄ２を変えることなく半円切欠８２−１，８２−２を形成することで、ＦＰＣ端子との重なり合うオーバーラップ量を確保でき、半田接合後の外観検査の際には、半円切欠８２−１，８２−２に対する半田フィレットの状態から外観良品と外観不良品を適切に判断でき、更に半円切欠８２−１，８２−２に対する半田フィレットの形成で接合強度を高めることもできる。
【００８７】
図１６は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、端子幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の中央に、半田接合観察窓として機能する楕円スリット８４を開口したことを特徴とする。
【００８８】
この実施形態にあっても、サスペンション端子導体６０の幅及び高さを変更せずに楕円スリット８４を形成することで、ＦＰＣ端子と重なり合うオーバーラップ量を確保でき、また半田接合後の外観検査にあっては、楕円スリット８４に対する半田フィレットを見ることで外観良品か外観不良品かが判断でき、更に楕円スリット８４に対する半田フィレットの形成で接合強度を高めることもできる。
【００８９】
図１７は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つサスペンション端子導体６０の中央に矩形スリット８６を設けたことを特徴とする。
【００９０】
このようにサスペンション端子導体６０に矩形スリット８６を設けることで半田接合による半田フィレットが矩形スリット８６の中に形成され、半田フィレットを外観検査で確認することで外観良品か外観不良品かを適切に判断でき、また半田フィレットの形成で接合強度を向上することもできる。
【００９１】
図１８は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２で高さＬ２を持つサスペンション端子導体６０の長手方向の両側に矩形切欠６２−１，６２−２を設けると共に、中央に楕円スリット８４を設けるようにしたことを特徴とする。即ち、この実施形態は図７の実施形態と図１６の実施形態を組み合わせた実施形態ということができる。
【００９２】
このようにサスペンション端子導体６０に矩形切欠６２−１，６２−２及び楕円スリット８４を設けたことで、半田接合を行った後の外観検査にあっては、楕円スリット８４及び矩形切欠６２−１，６２−２のそれぞれに対し半田フィレットの形成状態を観察することで、外観良品か外観不良品かを適切に判断できる。
【００９３】
即ち外観良品については、楕円スリット８４に半田フィレットが表れ、且つ矩形切欠６２−１，６２−２に対しても内側から外側にかけて十分に半田フィレットが表れていれば外観良品と判断できる。
【００９４】
また楕円スリット８４に半田フィレットが形成されているが、矩形切欠６２−１，６２−２に半田フィレットがないような場合には、これは図１６の楕円スリット８４のみの場合の外観検査で良品と判断されることから、この場合には外観良品と判断すればよい。
【００９５】
これに対し、矩形切欠６２−１，６２−２に半田フィレットが見えず、また楕円スリット８４にも半田フィレットが見えないか、その一部にしか半田フィレットが見えないような場合には、外観不良品と判断できる。
【００９６】
図１９は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、サスペンション端子導体６０の長手方向の両側を波形エッジ８８−１，８８−２に形成して半田観察窓を形成するようにしたことを特徴とする。
【００９７】
この波形エッジ８８−１，８８−２を形成したサスペンション端子導体６０にあっては、その４箇所のコーナー部を結ぶ破線で示す基本輪郭形状９０については、幅がＤ２で高さがＬ２と本来の導体形状に合致しており、この基本輪郭形状９０の範囲内で長手方向に波形エッジ８８−１，８８−２を形成している。
【００９８】
このため、ＦＰＣ端子導体にサスペンション端子導体６０を位置決めする際の位置アライメント及び位置決めした状態でのオーバーラップ量についても、適切に確保することができる。
【００９９】
またサスペンション端子導体６０をＦＰＣ端子導体に半田接合した後の外観検査にあっては、波形エッジ８８−１，８８−２の谷部に形成される半田フィレットを見ることで外観良品か外観不良品かを判断できる。即ち、波形エッジ８８−１，８８−２の谷部全体に半田フィレットが形成されていれば外観良品と判断でき、谷部に半田フィレットが形成されていないような場合には外観不良品と判断できる。
【０１００】
図２０は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態のサスペンション端子導体６０にあっては、矩形形状を持つ端子導体の長手方向の両側に波型エッジ８８−１，８８−２を形成すると同時に、中央に楕円スリット８４を開口するようにしたことを特徴とする。即ち図２０の実施形態は、図１６の実施形態と図１９の実施形態を組み合わせた実施形態と言うことができる。
【０１０１】
この図２０の実施形態のサスペンション端子導体６０にあっても、ＦＰＣ端子との半田接合後の外観検査にあっては、波形エッジ８８−１，８８−２の谷部に加え楕円スリット８４に表れる半田フィレットを見ることで外観良品か外観不良品かを判断できる。また波形エッジ８８−１，８８−２及び楕円スリット８４に対する半田フィレットの形成で接合強度を向上することもできる。
【０１０２】
図２１は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態のサスペンション端子導体６０にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の長手方向の両側に櫛歯エッジ９２−１，９２−２を形成するようにしたことを特徴とする。
【０１０３】
このような櫛歯エッジ９２−１，９２−２を形成したサスペンション端子導体６０について、ＦＰＣ端子導体に半田接合した後の外観検査にあっては、櫛歯エッジ９２の切込み部分に対する半田フィレットの状態を観察することで外観良品か外観不良品かを適切に判断できる。
【０１０４】
また櫛歯エッジ９２−１，９２−２に半田フィレットが形成されることで接合強度を向上することができる。特に、櫛歯エッジ９２−１，９２−２の形成により厚さ方向に半田が入り込む半田フィレットの形成部分が増加することで、厚さ方向の接合強度をかなり高めることができる。
【０１０５】
図２２は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態であり、横幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の長手方向の両側に櫛歯エッジ９２−１，９２−２を形成すると共に、その中央に矩形スリット８６を開口したことを特徴とする。即ち、この実施形態は図２１の実施形態と図１７の実施形態を組み合わせた実施形態と言うことができる。
【０１０６】
このように櫛歯エッジ９２−１，９２−２及び矩形スリット８６を形成したサスペンション端子導体６０にあっては、ＦＰＣ端子導体との半田接合後の外観検査の際に櫛歯エッジ９２−１，９２−２及び矩形スリット８６のそれぞれの半田フィレットの状態を見ることで外観良品または外観不良品を適切に判断できる。また櫛歯エッジ９２−１，９２−２及び矩形スリット８６に半田が入り込んで半田フィレットを形成することで接合強度をかなり向上することができる。
【０１０７】
図２３は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の中央の長手方向に４つの円形スリット９４−１〜９４−４を設けたことを特徴とする。
【０１０８】
このような円形スリット９４−１〜９４−４を設けたサスペンション端子導体６０にあっては、半田接合後の外観検査の際に、円形スリット９４−１〜９４−４に対する半田フィレットの形成状態で外観良品か外観不良品かを判断できる。
【０１０９】
例えば円形スリット９４−１〜９４−４のすべてに半田フィレットが形成されているか、あるいは中央の２つの円形スリット９４−２，９４−３に半田フィレットが形成されていれば、外観良品と判断できる。
【０１１０】
一方、円形スリット９４−１〜９４−４のいずれにも半田フィレットが形成されておらず、あるいはいずれか１つにしか半田フィレットが形成されていないような場合には、外観不良品と判断できる。また円形スリット９４−１〜９４−４に半田フィレットが形成されることで接合強度を向上することもできる。
【０１１１】
図２４は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態のサスペンション端子導体６０にあっては、矩形の長手方向両側に波形エッジ８８−１，８８−２を形成すると共に、その中央長手方向に４つの円形スリット９４−１〜９４−４を開口するようにしたことを特徴とする。この実施形態のサスペンション端子導体６０は、図１９の実施形態と図２３の実施形態を組み合わせた実施形態と言うことができる。
【０１１２】
この実施形態にあっても、半田接合後の外観検査において、波形エッジ８８−１，８８−２の谷部及び中央に配列した円形スリット９４−１〜９４−４に対する半田フィレットの形成状態を見ることで外観良品か外観不良品かを判断でき、更に半田フィレットの形成により接合強度を向上することができる。
【０１１３】
図２５は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つサスペンション端子導体６０の長手方向両側に櫛歯エッジ９２−１，９２−２を形成すると同時に、中央長手方向に円形スリット９４−１〜９４−４を設けるようにしたことを特徴とする。即ち、この実施形態は図２１の実施形態と図２３の実施形態を組み合わせた実施形態ということができる。
【０１１４】
この図２５の実施形態のサスペンション端子導体６０にあっても、半田接合後の検査工程において、櫛歯エッジ９２−１，９２−２及び円形スリット９４−１〜９４−４における半田フィレットを観察することで外観良品か外観不良品かを判断でき、更に半田フィレットの形成により接合強度を大幅に向上することができる。
【０１１５】
本実施形態のサスペンション端子導体としては、図７及び図１４〜図２５に示した矩形形状を持つ端子導体以外に、図２６のように円形形状を持つ端子導体を使用する場合がある。
【０１１６】
図２６（Ａ）は本発明におけるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、円形のサスペンション端子導体９５について、外周の４箇所に半田観察窓として切欠９８−１〜９８−４を形成するようにしたことを特徴とする。またサスペンション端子導体９５からは、ヘッド側に配線パターン９６が引き出されている。
【０１１７】
図２６（Ｂ）はサスペンション端子導体９５を半田接合するＦＰＣ端子導体に位置合わせした状態を示す。サスペンション端子導体９５を半田接合するＦＰＣ端子９７は、サスペンション端子導体９５の径Ｄ２に対し、それより大きな径Ｄ１を持っている。
【０１１８】
この図２６の実施形態にあっても、ＦＰＣ端子導体９７にサスペンション端子導体９５を重ね合わせて半田接合した後の外観検査において、切欠９８−１〜９８−４のそれぞれにおける半田フィレットの形成状態から外観良品か外観不良品かを適切に判断できる。
【０１１９】
また切欠９８−１〜９８−４に対する半田フィレットの形成で接合強度を向上することができる。更にまた、サスペンション端子導体９５に切欠９８−１〜９８−４を設けていても、その直径Ｄ２は基本的に変わらないことから、図２６（Ｂ）のようなＦＰＣ端子導体９７との位置合せの際の位置アライメント及びオーバーラップ量も適切に確保できる。
【０１２０】
なお、本実施形態で使用するサスペンション端子導体６０に形成する半田接合観察窓の形状としては、上記の実施形態に示した切欠、スリット、波形エッジ、櫛歯エッジに限定されず、サスペンション端子導体の幅Ｄ２と高さＬ２を損なうことのない図１９に示した基本輪郭形状の９０の範囲内で、端子導体の適宜の部分を切り欠き、変形、あるいは除去するなど、適宜の形状及びその組合せを含むものである。
【０１２１】
また上記の実施形態は本発明によるフラックスを使用しない半田接合による接合構造が適用される電子装置として磁気ディスク装置を例に取るものであったが、本発明はこれに限定されず、端子導体を複数備えた第１端子部と第２端子部をフラックスを使用せずに半田接合する適宜の電子装置につき、そのまま適用することができる。
【０１２２】
また上記の実施形態にあっては、ＦＰＣ端子に対しサスペンション端子をフラックスを使用せずに半田接合する際にヒータチップを押圧して加熱しているが、ガラス板などの透光部材でサスペンション端子部を加圧し、レーザ照射により加熱する接合構造としてもよい。
【０１２３】
また本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【０１２４】
ここで本発明の特徴をまとめて列挙すると次の付記のようになる。
（付記）
（付記１）（電子装置）
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、前記第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び前記第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部と、
第２絶縁層上に前記第１端子導体に相対して配列された複数の第２端子導体、及び前記第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部と、
前記第１端子部の第１端子導体に対し前記第２端子部の第２端子導体を向かい合わせた状態で、前記半田バンプに前記第１端子導体を押圧しながら過熱溶融して前記第１端子導体と前記第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する半田接合構造と、
を備えた電子装置に於いて、
前記第２端子導体に、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けたことを特徴とする電子装置。（１）
【０１２５】
（付記２）（半田接合観察窓の条件）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓は、前記第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成したことを特徴とする電子装置。（２）
【０１２６】
（付記３）（側辺の切欠）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺中央に切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（３）
【０１２７】
（付記４）（切欠の形状）
付記３記載の電子装置に於いて、前記切欠は、矩形、三角形又は半円形であることを特徴とする電子装置。
【０１２８】
（付記５）（スリット開口）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の中央にスリットを開口し、前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（４）
【０１２９】
（付記６）（スリットの形状）
付記５記載の電子装置に於いて、前記スリットは、矩形、楕円形、円形、又は複数の円形配列であることを特徴とする電子装置。
【０１３０】
（付記７）（側辺を波形）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成し、前記波形の谷部に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（５）
【０１３１】
（付記８）（波形＋スリット）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成すると共に中央にスリットを開口し、前記波形の谷部及び前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１３２】
（付記９）（櫛歯形状）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成し、前記櫛歯形状に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（６）
【０１３３】
（付記１０）（波形＋スリット）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成すると共に中央にスリットを開口し、前記櫛歯形状及び前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記前記絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とするたことを特徴とする電子装置。
【０１３４】
（付記１１）（円形の端子導体）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第１端子導体と前記第２端子導体は円形の平面形状であり、前記第２端子導体の半田接合観察形状として、円形端子導体の外周に１又は複数の切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（７）
（付記１２）（ＦＰＣ端子とサスペンション端子の半田接合）
付記１記載の電子装置に於いて、
前記電子装置は、ロータリアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動してデータを記録又は再生する磁気ディスク装置であり、
前記第１端子部は、前記ロータリアクチュエータに一端を固定し他端を筐体固定側の回路部に接続したフレキシブルプリント基板に設けられ、
前記第２端子部は、前記ロータリアクチュエータにヘッドを支持するサスペンションのテール部に設けられ、
前記フレキシブルプリント基板の第１端子部に前記サスペンョンテール部の第２端子を半田接合することを特徴とする電子装置。（８）
【０１３５】
（付記１３）（製造方法）
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、前記第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び前記第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部を有し、前記第１端子部を作業位置に固定配置する第１工程と、
第２絶縁層上に前記第１端子導体に相対して配列され、半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けた複数の第２端子導体、及び前記第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部を有し、前記第２端子部の第２端子導体を前記第１端子部の第１端子導体に対し向かい合わせた作業位置に位置合わせする第２工程と、
前記第１端子部の半田バンプに前記第２端子部の第２端子導体を押圧しながら過熱溶融して前記第１端子導体と前記第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する第３工程と、
前記半田バンプによる半田接合状態を、前記第２絶縁層を介して前記第２端子導体の半田接合視認形状により外部から観察して検査する第４工程と、
を備えたことを特徴とする電子装置の製造方法。（９）
【０１３６】
（付記１４）（半田接合観察窓の条件）
付記１３記載の電子装置の製造方法に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓は、前記第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成したことを特徴とする電子装置の製造方法。（１０）
【０１３７】
（付記１５）（側辺の切欠）
付記１３記載の電子装置の製造方法に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺中央に切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１３８】
（付記１６）（スリット開口）
付記１３記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の中央にスリットを開口し、前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１３９】
（付記１７）（側辺を波形）
付記１３記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成し、前記波形の谷部に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１４０】
（付記１８）（櫛歯形状）
付記１３記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形の長辺を櫛歯形状に形成し、前記櫛歯形状に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１４１】
（付記１９）（円形の端子導体）
付記１３記載の電子装置に於いて、前記第１端子導体と前記第２端子導体は円形の平面形状であり、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、円形端子導体の外周に１又は複数の切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１４２】
（付記２０）（ＦＰＣ端子とサスペンション端子の半田接合）
付記１３記載の電子装置の製造方法に於いて、
前記電子装置は、ロータリアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動してデータを記録又は再生する磁気ディスク装置であり、
前記第１端子部は、前記ロータリアクチュエータに一端を固定し他端を筐体固定側の回路部に接続したフレキシブルプリント基板に設けられ、
前記第２端子部は、前記ロータリアクチュエータにヘッドを支持するサスペンションのテール部に設けられ、
前記フレキシブルプリント基板の第１端子部に前記サスペンョンテール部の第２端子を半田接合することを特徴とする電子装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明が適用される磁気ディスク装置の内部構造を示した説明図
【図２】図１のロータリアクチュエータを取り出し一部省略した状態で示した説明図
【図３】図２のＦＰＣを取り出してＦＰＣ端子部の拡大部と共に示した説明図
【図４】図２のＦＰＣ端子部のＸ−Ｘ断面を示した断面図
【図５】図２のヘッドジンバルアセンブリィを取り出して示した説明図
【図６】図５のサスペンション端子導体を拡大して示した説明図
【図７】図５のサスペンション端子部を拡大して示した説明図
【図８】図７のサスペンション端子導体と図３のＦＰＣ端子導体の位置アライメントを示した説明図
【図９】図６のサスペンション端子部のＹ−Ｙ断面を示した断面図図
【図１０】ＦＰＣ端子部にサスペンション端子部を位置合わせして重ね合わせた説明図
【図１１】ＦＰＣ端子部にサスペンション端子部をフラックスを使用せずに半田接合する作業工程を示した説明図
【図１２】図１１の作業工程により半田接合した端子部を外観検査する検査工程を示した説明図
【図１３】図１２の外観検査で観察するサスペンション端子導体に形成した切欠における半田フィレットの形成状態を示した説明図
【図１４】半田接合観察窓として三角切欠を形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１５】半田接合観察窓として半円切欠を形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１６】半田接合観察窓として楕円スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１７】半田接合観察窓として矩形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１８】半田接合観察窓として矩形切欠と楕円スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１９】半田接合観察窓として波形エッジを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２０】半田接合観察窓として波形エッジと楕円スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２１】半田接合観察窓として櫛歯エッジを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２２】半田接合観察窓として櫛歯エッジと矩形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２３】半田接合観察窓として複数の円形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２４】半田接合観察窓として波形エッジと複数の円形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２５】半田接合観察窓として櫛歯エッジと複数の円形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２６】円形のサスペンション端子導体について外周の４箇所に半田観察窓としての切欠を形成した他の実施形態を示した説明図
【図２７】従来のフラックスレスの半田接合で外観良品と判定される半田はみ出し状態を示した説明図
【図２８】従来のフラックスレスの半田接合で外観不良品と判定される半田はみ出しのない状態を示した説明図
【符号の説明】
【０１４４】
１０：磁気ディスク装置
１２：筐体ベース
１４：磁気ディスク
１６：ロータリアクチュエータ
１８：ヘッドジンバルアセンブリィ
２０：軸部
２２：アーム
２４：サスペンション取付アーム
２６：ヘッド
２８：ランプロード機構
３０：コイル
３２：下ヨーク
３４：磁石
３６：フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）
３８：ヘッドＩＣ
４０，４０−１〜４０−４，４０−１１，４０−１２，９７：ＦＰＣ端子部
４２：ロングテールサスペンション
４４：サスペンション端子部
４６，４６−１〜４６−６：ＦＰＣ端子導体
４８：カバーフィルム開口
５０：可撓性フィルム層
５２：カバーフィルム層
５４：半田バンプ
６０，６０−１〜６０−６，９０：サスペンション端子導体
６２−１，６２−２：矩形切欠
６４−１，６４−２：カバー部位
６６：露出部位
６８：ステンレス層
７０：絶縁層
７２：ヒータチップ
７４：加圧力
７６：外観検査方向
７８，７８−１１〜７８−６２：半田フィレット
８０−１，８０−２：三角切欠
８２−１，８２−２：半円切欠
８４：楕円スリット
８６：矩形スリット
８８−１，８８−２：波形エッジ
９０：基本輪郭形状
９２−１，９２−２：櫛歯エッジ
９４−１〜９４−４：円形スリット
９６−１，９６−２：配線パターン
９８−１〜９８−４：切欠
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層上に複数の端子導体を配列した端子同士を半田接合した構造をもつ電子装置及び電子装置の製造方法に関し、特に、フラックスを使用することなく端子同士を半田接合する電子装置及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスクドライブの構成部品であるヘッドジンバルアセンブリィのサスペンション端子と、ヘッドＩＣを搭載したフレキシブルプリント基板の基盤端子の電気接続として、Ａｕ端子同士を超音波接合する方法が知られているが、近年にあっては、片方のＡｕ端子に半田バンプをプリコートしてフラックスを使用することなく熱圧着で半田接合する方法が用いられている。
【０００３】
このように磁気ディスクの読み書き用のスライダ(ヘッド)を搭載したサスペンションのテール部の接続端子と、プリアンプ機能のあるヘッドＩＣを搭載したフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の基盤端子との電気接続技術は、その構造を含めてハードディスクドライブの組立におけるコア技術となっている。
【０００４】
ここで、従来のＡｕ端子同士の超音波接合から半田接合へ移行するメリットとしては次の点が挙げられる。
【０００５】
第１に、Ａｕ端子同士の接合に必要な超音波印加装置が不要となり、設備が安価になる。
【０００６】
第２に、同じヘッドジンバルアセンブリィの端子及び隣接するヘッドジンバルアセンブリィの端子を一括して接合可能であり、タクトタイム（工程作業時間）の抑制が可能となる。
【０００７】
第３に、半田の再溶融により同一箇所での再取付け等の修理が可能となる。
【０００８】
第４に、半田接合の方が接合強度は高く安定しており、応力及び衝撃ストレスへの耐久性が向上し、信頼性が向上する。
【０００９】
第５に、外観観察による接合良否判定が可能であり、品質保証が簡易で不良品の流出を低減防止できる。
【００１０】
また、ハードディスクドライブの組立製造ではヘッドクラッシュを防止するために、媒体及びヘッド付近の塵埃等は除去しなくてはならない。一般的に半田付け接続は、半田濡れ性を確保するためにフラックスを使用するが、サスペンションテール端子とフレキシブルプリント基板端子との接合にフラックスを使用して半田接合すると、残留するフラックス残渣を除去する洗浄プロセスを追加しなくてはならない。洗浄が完全でないと、フラックス残渣が原因の障害に至る可能性があり、フラックスを使用する場合は十分なマージンのある洗浄プロセスの構築が必要となる。
【００１１】
この問題を解消するため、フラックスを使用しない半田接合方法が行われている。フラックスレスの半田接合方法は、フレキシブルプリント基板端子に半田バンプをプリコートし、サスペンションテール端子をＡｕ鍍金端子とし、フレキシブルプリント基板端子の半田バンプにサスペンション端子をヒータチップなどにより押圧した状態で加熱溶融して半田接合している。
【特許文献１】特開平１１−１９１２１０号公報
【特許文献２】特開２００６−０４９７５１号公報
【特許文献３】特開２００５−０１１５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、このような従来のフラックスを使用しない半田接合にあっては、半田接合時にサスペンション端子へ濡れ広がる十分なはんだ量が必要であり、同時に、加圧により半田が潰れて横にはみ出しても隣接端子とショートしないように半田バンプとしてプリコートする半田量を制御することが必要となる。
【００１３】
このように適切な半田量による半田接合であるかどうかを判断するためには、半田接合後の目視検査により、例えば図２７（Ａ）に示すように、サスペンション端子１１０を見て外側に半田のはみ出し部分１１８を観察できれば、外観良品とすることができる。
【００１４】
図２７（Ｂ）は半田接合の断面であり、フレキシブル基板端子１００は絶縁層となる可撓性フィルム１０２上に端子導体１０４を配置し、その上には半田バンプがプリコートされている。フレキシブル基板端子１００に対してはサスペンション端子１１０が半田接合される。サスペンション端子１１０は絶縁層１１２の下側にＡｕ鍍金層を備えた電極導体１１４を配置している。
【００１５】
フレキシブル基板端子１００にサスペンション端子１１０を位置合せし、電極導体１１４を端子導体１０４側にプリコートされた半田バンプに押圧加熱して溶融することで、図示の半田１１６による接合が得られる。この場合には、フレキシブル基板端子１００とサスペンション端子１１０との間に十分な量の半田１１６が介在し、はみ出し部分１１８をもつ半田接合としている。
【００１６】
しかし、図２８（Ａ）のように、サスペンション端子１１０を見ても半田のはみ出し部分が観測されない場合、実際には図２８（Ｂ）の断面に示すように、フレキシブル基板端子１００とサスペンション端子１１０との間に適切な量の半田１１６が介在して接合している状態であっても、これを確認できないために外観不良品と判断せざるを得ないという問題がある。
【００１７】
また従来のフラックスを使用しない半田接合にあっては、端子面に半田を二次元的（平面的）に接合する構造であり、接合面方向の接合強度は高いが、これに比べ接合面に直交する剥離方向の接合強度が低めとなり、特にヘッドを磁気ディスクに対し位置決め移動するために駆動されるロータリアクチュエータで使用されて振動等を受けるサスペンション端子としては、更なる接合強度の向上が望まれる。
【００１８】
本発明は、フラックスを使用しない半田接合構造について、外観検査性と接合強度を改善して製造歩留りを向上させる電子装置及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
（電子装置）
本発明はフラックスを使用しない半田接合構造を備えた電子装置を提供する。
【００２０】
本発明の電子装置は、
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部と、
第２絶縁層上に第１端子導体に相対して配列された複数の第２端子導体、及び第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部と、
第１端子部の第１端子導体に対し第２端子部の第２端子導体を向かい合わせた状態で半田バンプに第１端子導体を押圧しながら過熱溶融して第１端子導体と第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する半田接合構造と、
を備える。
【００２１】
このような電子装置に於いて、本発明は、第２端子導体に、半田バンプによる半田接合状態を第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けたことを特徴とする。
【００２２】
第２端子導体の半田接合観察窓は、第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、半田バンプによる半田接合状態を第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成する。
【００２３】
第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺中央に切欠を形成し、切欠に入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。切欠は、矩形、三角形又は半円形である。
【００２４】
第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の中央にスリットを開口し、スリットに入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。スリットは、矩形、楕円形、円形、又は複数の円形配列である。
【００２５】
第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成し、波形の谷部に入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００２６】
第２端子導体の半田接合観察窓は、長方形端子導体の長辺を波形に形成すると共に中央にスリットを開口し、波形の谷部及びスリットに入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００２７】
第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成し、櫛歯形状に入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００２８】
第２端子導体の半田接合観察窓は、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成すると共に中央にスリットを開口し、櫛歯形状及びスリットに入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００２９】
第１端子導体と前記第２端子導体は円形の平面形状であり、第２端子導体の半田接合観察窓として、円形端子導体の外周に１又は複数の切欠を形成し、切欠に入り込んだ半田フィレットを第２絶縁層を介して外部から視認可能とする。
【００３０】
電子装置は、ロータリアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動してデータを記録又は再生する磁気ディスク装置であり、
第１端子部は、ロータリアクチュエータに一端を固定し他端を筐体固定側の回路部に接続したフレキシブルプリント基板に設けられ、
第２端子部は、ロータリアクチュエータにヘッドを支持するサスペンションのテール部に設けられ、
フレキシブルプリント基板の第１端子部にサスペンョンテール部の第２端子を半田接合する。
【００３１】
（製造方法）
本発明はフラックスを使用しない半田接合構造を備えた電子装置の製造方法を提供する。本発明による電子装置の製造方法は、
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部を有し、第１端子部を作業位置に固定配置する第１工程と、
第２絶縁層上に第１端子導体に相対して配列され、半田接合状態を第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けた複数の第２端子導体、及び第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部を有し、第２端子部の第２端子導体を第１端子部の第１端子導体に対し向かい合わせた作業位置に位置合わせする第２工程と、
第１端子部の半田バンプに第２端子部の第２端子導体を押圧しながら過熱溶融して第１端子導体と第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する第３工程と、
半田バンプによる半田接合状態を、第２絶縁層を介して第２端子導体の半田接合観察窓により外部から観察して検査する第４工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、第１端子の第１端子導体にプリコードした半田バンプに第２端子のＡｕ鍍金層を形成した第２端子導体を押圧加熱して溶融接合した際に、第２端子導体に切欠又はスリットとして形成した半田接合観察窓に半田が入り込んでフィレットを形成し、半田接合後の検査工程で外側の第２絶縁層を介して外部から第２端子導体の半田接合観察窓に対する半田フィレットの形成状態を確認することができ、第２端子導体から外側にはみ出さない適切な半田量による接合について、はみ出し部分が確認できずに従来外観不良品としていたものが外観良品と正しく判断でき、外観検査性の向上により製造歩留りを向上することができる。
【００３３】
また、第２端子導体に半田接合観察窓として形成した切欠又はスリットに半田が入り込んで半田フィレットを形成するため、従来、端子面に対する半田の二次元的な接合であったものが、切欠やスリットに対する半田フィレットの形成による接合で３次元的な接合が加わり、接合面方向の接合強度に加え、接合面に直交する剥離方向の接合強度が向上し、磁気ディスクのロータリアクチュエータのような振動等を受ける場所での接合品質と耐久性を更に向上することができる。
【００３４】
更に、第２端子導体に半田接合観察窓として切欠やスリット等を形成することにより、従来の端子導体から半田がはみ出すように半田バンプの半田量を多めにする制御が不要となり、隣接端子とのショートを確実に防止でき、また端子位置決めのアライメントの許容量を増加させることができ、その結果、端子構成部材や製造設備の大幅なコストダウンも期待することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図１は本発明の電子装置として、磁気ディスク装置を例にとって、筐体カバーを取り外して筐体ベース側の内部構造を示した説明図である。
【００３６】
図１において、磁気ディスク装置１０は筐体ベース１２内に、スピンドルモータにより一定速度で回転される磁気ディスク１４を設けている。磁気ディスク１４に対しては、ロータリアクチュエータ１６が設けられる。
【００３７】
ロータリアクチュエータ１６は軸部２０により筐体ベース１２に回転自在に支持され、アーム２２を介して先端側にヘッドジンバルアセンブリィ１８を装着してヘッド２６を支持し、後端側にはコイル３０を装着している。
【００３８】
ロータリアクチュエータ１６のコイル３０側には、筐体ベース１２に固定されて磁気回路部が設けられており、コイル３０と磁気回路部によりロータリアクチュエータ１６を駆動するボイスコイルモータを構成している。
【００３９】
筐体ベース１２側の磁気回路部は、筐体ベース１２に固定した下ヨーク３２の上部に磁石３４を配置し、磁石３４はロータリアクチュエータ１６によるコイル３０の回動範囲をカバーする形状を有する。
【００４０】
磁石３４の上にはロータリアクチュエータ１６の後部のコイル３０が軸部２０を中心に回動自在に位置し、コイル３０の上部には下ヨーク３２に対向して同一形状を持つ上ヨークが配置されているが、図１にあっては上ヨークは取り外して省略した状態で示している。
【００４１】
ロータリアクチュエータ１６の側面から固定側の回路実装部に対し、フレキシブルプリント基板（以下「ＦＰＣ」という）３６が引き出されている。ＦＰＣ３６には、ヘッド２６に対する信号線及びコイル３０に対する信号線がフレキシブルプリントパターンとして形成されると共に、ヘッド２６の記録素子と読取素子に対する信号処理を行うライトドライバやプリアンプを備えたヘッドＩＣが実装されており、筐体ベース１２側に配置している図示しないコントロールボードとの間で、制御信号、ライト信号、リード信号などのやり取りを行う。
【００４２】
図２は図１のロータリアクチュエータを取り出して一部省略した状態で示した説明図である。図２において、ロータリアクチュエータ１６は軸部２０より延在したアーム２２にヘッドジンバルアセンブリィ１８をカシメ加工で固定しており、ヘッドジンバルアセンブリィ１８はサスペンション取付アーム２４とロングテールサスペンション４２で構成されている。
【００４３】
ロングテールサスペンション４２は、先端側をサスペンション取付アーム２４の下側に配置し、先端に記録素子、読取素子及びスライダを備えたヘッド２６を支持し、後端をアーム２２の側面に装着し、ロータリアクチュエータ１６の軸部２０の側面に支持固定しているＦＰＣ３６に電気的に接続するためのサスペンション端子部４４を設けている。
【００４４】
ロータリアクチュエータ１６の軸部２０の側面にはＦＰＣ３６の一端が固定され、ここにヘッドＩＣ３８を実装すると共に、ヘッドジンバルアセンブリィ１８に設けたロングテールサスペンション４２のサスペンション端子部４４を電気的に接続するためのＦＰＣ端子部４０−１〜４０−４を形成している。
【００４５】
ここでＦＰＣ３６に設けたＦＰＣ端子部４０−１~４０−４が本発明の第１端子部を構成し、一方、ロングテールサスペンション４２に設けたサスペンション端子部４４が本発明の第２端子部を構成している。
【００４６】
図３は図２のＦＰＣ３６を取り出してＦＰＣ端子部の拡大部と共に示した説明図である。図３（Ａ）はＦＰＣ３６のロータリアクチュエータ側を示しており、ＦＰＣ３６の先端に第１端子部を構成するＦＰＣ端子部４０−１〜４０−４を形成し、その背後にヘッドＩＣ３８を実装している。ＦＰＣ３６は、可撓性のベースフィルム上に回路及び線路を構成するＣｕパターンを形成し、更にＣｕパターンの非接続部分にはカバーフィルムをコートしている。
【００４７】
図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＦＰＣ端子部４０−１を拡大して示している。ＦＰＣ端子部４０−１には、本実施形態にあっては２つのＦＰＣ端子部４０−１１，４０−１２が設けられている。このうちＦＰＣ端子部４０−１１について示すように、本実施形態にあっては、一定間隔で矩形状の６つのＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６を一定間隔で配列している。
【００４８】
ＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６に対しては、破線で示すカバーフィルム開口４８が位置し、カバーフィルム開口４８の部分でＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６が導体面を外部に露出している。またＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６のそれぞれからは配線パターンが引き出され、配線パターン群４５として筐体ベース側に引き出されている。
【００４９】
図４は図３（Ｂ）のＸ−Ｘ断面を示した断面図である。ＦＰＣ端子部は、その断面構造に示すように、可撓性フィルム層５０の上にＣｕ鍍金などによりＦＰＣ端子導体４６−１及び、図示しないこれに続く配線パターンを形成し、ＦＰＣ端子導体４６−１における接続部を除いてカバーフィルム層５２を形成している。
【００５０】
ＦＰＣ端子導体４６−１の露出部分には半田バンプ５４がプリコートされている。ＦＰＣ端子導体４６−１にプリコートする半田バンプ５４としては、図２に示したロングテールサスペンション４２側のサスペンション端子部４４とのフラックスを使用しない半田接続に必要十分な半田量となるように制御している。
【００５１】
図５は図２のヘッドジンバルアセンブリィを取り出して示した説明図である。図５（Ａ）はヘッドジンバルアセンブリィ１８の平面図であり、図５（Ｂ）に裏側を示した背面図を示している。
【００５２】
ヘッドジンバルアセンブリィ１８は、サスペンション取付アーム２４の裏面側にロングテールサスペンション４２を接着などにより固定している。ロングテールサスペンション４２は先端にヘッド２６を装着し、テール側にサスペンション端子部４４を形成しており、その間を回路パターンで接続している。即ちロングテールサスペンション４２は、ヘッド２６と図２に示したＦＰＣ３６のヘッドＩＣ３８を電気的に接続する機能を果たしている。
【００５３】
ロングテールサスペンション４２上の伝送路は、金属箔として例えばステンレス箔の上に絶縁層をコートした後にＣｕ鍍金などにより回路層を形成し、更に回路層に保護層を形成した後に、ステンレス層のエッジングを行って製造されており、半導体製造プロセスによる薄膜回路として形成されている。
【００５４】
図６は図５のロングテールサスペンションのサスペンション端子部を拡大して示した説明図である。図６において、ロングテールサスペンション４２のテール側の端部には本発明の第２端子部を構成するサスペンション端子部４４が設けられている。
【００５５】
サスペンション端子部４４にはサスペンション端子導体６０−１〜６０−６が一定間隔で配列されており、サスペンション端子導体６０−１〜６０−６からは配線パターン６５が引き出され、図５に示すヘッド２６に接続している。また配線パターン６５については、サスペンション端子導体６０−１~６０−６の露出部分を除いて保護層が設けられている。
【００５６】
本実施形態のロングテールサスペンション４２にあっては、図５に示したヘッド２６に、記録素子、読取素子に加え、更に、ヘッド浮上量を熱膨張を利用して制御するためのヒータ素子が設けられていることから、記録素子、読取素子、ヒータ素子のそれぞれにつき２本ずつの配線パターンを必要とすることから、サスペンション端子部４４には６つのサスペンション端子導体６０−１〜６０−６が設けられている。
【００５７】
なお、ヘッド２６としてヒータ素子を持たない記録素子と読取素子だけを設けた場合には、サスペンション端子部４４のサスペンション端子導体は４つ配列すればよい。
【００５８】
図７は図６のサスペンション端子導体を拡大して示した説明図である。図７において、サスペンション端子導体６０は幅Ｄ２、高さＬ２の長方形の導体であり、長手方向の辺のほぼ中央の２箇所に、半田接合観察窓として機能する矩形切欠６２−１，６２−２を形成している。
【００５９】
図８は図７のサスペンション端子導体６０と図３に示したＦＰＣ端子導体４６を半田接合のために重ね合わせた場合の位置アライメントを示した説明図である。図８において、本実施形態によるフラックスを使用しない半田接合は、ＦＰＣ端子導体４６を固定配置した状態でサスペンション端子導体６０を図示のように位置決めして半田接合を行う。
【００６０】
ここで、ＦＰＣ端子導体４６側は、両側にカバーフィルムが位置するカバー部位６４−１，６４−２を形成している。ＦＰＣ端子導体４６は高さがＬ１、幅がＤ１であり、高さＬ１はサスペンション端子導体６０の高さＬ２より小さく、幅Ｄ１はサスペンション端子導体６０の幅Ｄ２より大きめとなっている。
【００６１】
例えばＦＰＣ端子導体４６の幅Ｄ１はＤ１＝０．２６ｍｍであり、一方、サスペンション端子導体６０の幅Ｄ２は例えばＤ２＝０．２４ｍｍであり、このため横方向の位置決めマージンΔＤはΔＤ＝Ｄ１−Ｄ２＝０．２６−０．２４＝０．０２ｍｍとなっている。
【００６２】
このような幅及び高さの寸法を持つＦＰＣ端子導体４６とサスペンション端子導体６０の位置アライメントについては、固定配置したＦＰＣ端子導体４６の露出部位６６に対し、サスペンション端子導体６０が横方向及び高さ方向につきセンタリングするように位置決めし、これによってサスペンション端子導体６０につき斜線で示すオーバーラップ部分６５を確保した状態で半田接合を行う。
【００６３】
図９は図６のサスペンション端子部のＹ−Ｙ断面を示した断面図である。図９において、サスペンション端子部４４は、ステンレス箔６８で支持したポリイミドを使用した絶縁層７０を有し、絶縁層７０上にＣｕ鍍金によりサスペンション端子導体６０を形成しており、更に、サスペンション端子導体６０にはＡｕ鍍金処理によるＡｕ鍍金層が形成されている。
【００６４】
図１０は本実施形態のＦＰＣ端子にサスペンション端子部を位置合せして重ね合わせた説明図である。図１０において、ＦＰＣ３６は、図２に示したようにロータリアクチュエータ１６の軸部２０の側面に固定されており、そのＦＰＣ端子部４０に対し、ヘッドジンバルアセンブリィ１８に設けているロングテールサスペンション４２のサスペンション端子部４４を上から重ね合わせて、サスペンション端子導体６０−１〜６０−６がＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６に重ね合わせるように配置され、このとき両者は図８に示したように位置アライメントを持つように位置決めされている。
【００６５】
なお、実際の半田接合の際には、ロングテールサスペンション４２のサスペンション端子部４４については、その連結部における折曲げ線６７により直角にサスペンション端子部４４を折り曲げた状態で、図２に示すようにＦＰＣ３６の端子部に位置決めしている。
【００６６】
図１１は本実施形態によるＦＰＣ端子部にサスペンション端子部をフラックスを使用せずに半田接合する作業工程を示した説明図である。
【００６７】
図１１（Ａ）は半田接合前の位置合せ状態であり、まずＦＰＣ端子部４０側を半田接合設備における固定側に位置決め配置し、この状態でサスペンション端子部４４側を固定配置したＦＰＣ端子部４０のＦＰＣ端子導体４６に相対するようにサスペンション端子導体６０を位置決めする。続いてサスペンション端子部４４に対し外側からヒータチップ７２を押し当て、加圧力７４を加えてＦＰＣ端子部４０側に移動する。
【００６８】
図１１（Ｂ）はヒータチップ７２の加圧移動でサスペンション端子部４４のサスペンション端子導体６０の導体面がＦＰＣ端子部４０のＦＰＣ端子導体４６にプリコートしている半田バンプ５４に接触した状態である。この状態でヒータチップ７２による熱がサスペンション端子部４４を介して半田バンプ５４に加えられる。
【００６９】
ヒータチップ７２による過熱で半田バンプ５４が溶融すると、加圧力７４により図１１（Ｃ）に示すようにサスペンション端子部４４が沈み込み、同時にサスペンション端子導体６０に鍍金しているＡｕが半田５５に拡散し、半田５５の内部の金属であるＣｕやＮｉなどと半田接合する。
【００７０】
また半田溶融時に加圧力７４に押されて沈み込んだサスペンション端子導体６０は、ＦＰＣ端子部４０側に設けているカバーフィルム層５２に突き当たり、それ以上、押し込まれないため、半田５５は過度に潰されることがなく、半田５５が横方向に漏れ出して、隣接する端子導体との間でショートを起こすことはない。
【００７１】
このような図１１のフラックスを使用しない半田接合作業において重要となるのは、半田バンプ５４の半田量の制御である。半田バンプ５４の半田量としては、半田接合時にサスペンション端子導体６０に半田が濡れ広がるに十分な半田量が必要であり、且つ半田を押し潰した際に横方向に漏れ出して隣接する端子導体とショートしない半田量とするように、半田バンプ５４の半田量を制御する必要がある。
【００７２】
図１２は図１１の作業工程により半田接合した端子部を外観検査する検査工程を示した説明図である。図１２において、半田接合が済んだ端子部につき、外観検査方向７６で示す方向、即ちサスペンション端子部４４の外側から、サスペンション端子部４４とＦＰＣ端子部４０の半田接合状態を観察して検査する。
【００７３】
このとき本実施形態にあっては、図７に取り出して示したように、サスペンション端子導体６０の矩形長辺のほぼ中央に、半田接合観察窓として機能する矩形切欠６２−１，６２−２を形成しているため、図１２で側面を表したサスペンション端子導体６０について示すように、半田５５がサスペンション端子導体６０の側面に形成した矩形切欠に入り込んで半田フィレット７８を形成している。
【００７４】
このため検査工程にあっては、外観検査方向７６よりサスペンション端子部４４の絶縁層７０を介して、サスペンション端子導体６０の矩形切欠の部分に半田フィレット７８がどのように表れているかを見ることで、外観良品か外観不良品かを適切に判断することができる。
【００７５】
図１３は図１２の外観検査で観察するサスペンション端子導体に形成した切欠における半田フィレットの形成状態を示した説明図である。図１３において、ロングテールサスペンション４２側のサスペンション端子部４４に設けているサスペンション端子導体６０−１〜６０−６は、その上部の絶縁層７０を介して透視的にサスペンション端子導体６０−１〜６０−６に形成した切欠に対する半田の入り込みによる半田フィレット７８−１１，７８−１２〜７８−６１，７８−６２の状態を、目視により観察することができる。
【００７６】
このとき半田フィレット７８−１１〜７８−６２が矩形切欠に対し図示のように十分に見えていれば、サスペンション端子導体６０−１〜６０−６とＦＰＣ端子導体４６−１〜４６−６の半田接合は半田潰れ状態が適切で良好に行われていることが確認できる。
【００７７】
これに対し半田フィレット７８−１１〜７８−６２の状態が矩形切欠に表れずに確認できない場合には、半田量が不足しているか、あるいは半田接合の際の加圧不足により半田が十分に潰されていないことから、外観不良品と判断することができる。
【００７８】
また半田フィレット７８−１１〜７８−６２が矩形切欠の内側にごく一部しか現れていないような場合には、同様に半田量が不足しているか半田を潰すための押込みが不足していることから、この場合にも外観不良品と判断する。
【００７９】
外観不良品については、図１１（Ｂ）（Ｃ）のように、再度ヒータチップ７２による加圧加熱を行い、再度検査して半田フィレットが十分に確認できるか否かで外観良品か外観不良品かを判断することができる。
【００８０】
更に、図１３の外観検査で半田フィレット７８−１１〜７８−６２が矩形切欠から外側に張り出しているような場合には、半田フィレットの半田量が多すぎることから、半田量を適正な量に減らすように制御する対応を取ることになる。
【００８１】
更に図１２の端子部の半田接合から明らかなように、本実施形態にあっては、半田接合による半田５５がサスペンション端子導体６０に形成した矩形切欠の部分に入り込んで半田フィレット７８を形成しており、この半田フィレット７８を形成する半田の入り込みにより、サスペンション端子導体６０を導体面に直交する厚さ方向で接合することができる。
【００８２】
このため、半田フィレット７８の形成による接合が加わることで３次元的な半田接合を実現し、半田フィレット７８による半田接合が加わった分、半田接合の強度を高め、ロータリアクチュエータなどの振動の加わる場所に使用した場合の長期信頼性と耐久性を向上することができる。
【００８３】
図１４は本発明におけるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、サスペンション端子導体６０として幅Ｄ２及び高さＬ２の矩形形状を持つ点は図７の実施形態と同じであるが、この実施形態にあっては長手方向の両側に半田接合観察窓として機能する三角切欠８０−１，８０−２を設けたことを特徴とする。
【００８４】
この図１４の実施形態にあっても、端子幅Ｄ２を変えることなく三角切欠８０−１，８０−２を設けているため、ＦＰＣ端子に対し重ね合わせた際のオーバーラップ量を適切に確保でき、また半田接合後の外観検査の際に三角切欠８０−１，８０−２に対する半田フィレットの状態から外観良品か外観不良品かを適切に判断でき、更に三角切欠８０−１，８０−２に対する半田フィレットの接合で接合強度を高めることもできる。
【００８５】
図１５は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の長手方向の両側に半田接合観察窓として機能する半円切欠８２−１，８２−２を設けたことを特徴とする。
【００８６】
この図１５の実施形態にあっても、端子幅Ｄ２を変えることなく半円切欠８２−１，８２−２を形成することで、ＦＰＣ端子との重なり合うオーバーラップ量を確保でき、半田接合後の外観検査の際には、半円切欠８２−１，８２−２に対する半田フィレットの状態から外観良品と外観不良品を適切に判断でき、更に半円切欠８２−１，８２−２に対する半田フィレットの形成で接合強度を高めることもできる。
【００８７】
図１６は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、端子幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の中央に、半田接合観察窓として機能する楕円スリット８４を開口したことを特徴とする。
【００８８】
この実施形態にあっても、サスペンション端子導体６０の幅及び高さを変更せずに楕円スリット８４を形成することで、ＦＰＣ端子と重なり合うオーバーラップ量を確保でき、また半田接合後の外観検査にあっては、楕円スリット８４に対する半田フィレットを見ることで外観良品か外観不良品かが判断でき、更に楕円スリット８４に対する半田フィレットの形成で接合強度を高めることもできる。
【００８９】
図１７は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つサスペンション端子導体６０の中央に矩形スリット８６を設けたことを特徴とする。
【００９０】
このようにサスペンション端子導体６０に矩形スリット８６を設けることで半田接合による半田フィレットが矩形スリット８６の中に形成され、半田フィレットを外観検査で確認することで外観良品か外観不良品かを適切に判断でき、また半田フィレットの形成で接合強度を向上することもできる。
【００９１】
図１８は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２で高さＬ２を持つサスペンション端子導体６０の長手方向の両側に矩形切欠６２−１，６２−２を設けると共に、中央に楕円スリット８４を設けるようにしたことを特徴とする。即ち、この実施形態は図７の実施形態と図１６の実施形態を組み合わせた実施形態ということができる。
【００９２】
このようにサスペンション端子導体６０に矩形切欠６２−１，６２−２及び楕円スリット８４を設けたことで、半田接合を行った後の外観検査にあっては、楕円スリット８４及び矩形切欠６２−１，６２−２のそれぞれに対し半田フィレットの形成状態を観察することで、外観良品か外観不良品かを適切に判断できる。
【００９３】
即ち外観良品については、楕円スリット８４に半田フィレットが表れ、且つ矩形切欠６２−１，６２−２に対しても内側から外側にかけて十分に半田フィレットが表れていれば外観良品と判断できる。
【００９４】
また楕円スリット８４に半田フィレットが形成されているが、矩形切欠６２−１，６２−２に半田フィレットがないような場合には、これは図１６の楕円スリット８４のみの場合の外観検査で良品と判断されることから、この場合には外観良品と判断すればよい。
【００９５】
これに対し、矩形切欠６２−１，６２−２に半田フィレットが見えず、また楕円スリット８４にも半田フィレットが見えないか、その一部にしか半田フィレットが見えないような場合には、外観不良品と判断できる。
【００９６】
図１９は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、サスペンション端子導体６０の長手方向の両側を波形エッジ８８−１，８８−２に形成して半田観察窓を形成するようにしたことを特徴とする。
【００９７】
この波形エッジ８８−１，８８−２を形成したサスペンション端子導体６０にあっては、その４箇所のコーナー部を結ぶ破線で示す基本輪郭形状９０については、幅がＤ２で高さがＬ２と本来の導体形状に合致しており、この基本輪郭形状９０の範囲内で長手方向に波形エッジ８８−１，８８−２を形成している。
【００９８】
このため、ＦＰＣ端子導体にサスペンション端子導体６０を位置決めする際の位置アライメント及び位置決めした状態でのオーバーラップ量についても、適切に確保することができる。
【００９９】
またサスペンション端子導体６０をＦＰＣ端子導体に半田接合した後の外観検査にあっては、波形エッジ８８−１，８８−２の谷部に形成される半田フィレットを見ることで外観良品か外観不良品かを判断できる。即ち、波形エッジ８８−１，８８−２の谷部全体に半田フィレットが形成されていれば外観良品と判断でき、谷部に半田フィレットが形成されていないような場合には外観不良品と判断できる。
【０１００】
図２０は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態のサスペンション端子導体６０にあっては、矩形形状を持つ端子導体の長手方向の両側に波型エッジ８８−１，８８−２を形成すると同時に、中央に楕円スリット８４を開口するようにしたことを特徴とする。即ち図２０の実施形態は、図１６の実施形態と図１９の実施形態を組み合わせた実施形態と言うことができる。
【０１０１】
この図２０の実施形態のサスペンション端子導体６０にあっても、ＦＰＣ端子との半田接合後の外観検査にあっては、波形エッジ８８−１，８８−２の谷部に加え楕円スリット８４に表れる半田フィレットを見ることで外観良品か外観不良品かを判断できる。また波形エッジ８８−１，８８−２及び楕円スリット８４に対する半田フィレットの形成で接合強度を向上することもできる。
【０１０２】
図２１は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態のサスペンション端子導体６０にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の長手方向の両側に櫛歯エッジ９２−１，９２−２を形成するようにしたことを特徴とする。
【０１０３】
このような櫛歯エッジ９２−１，９２−２を形成したサスペンション端子導体６０について、ＦＰＣ端子導体に半田接合した後の外観検査にあっては、櫛歯エッジ９２の切込み部分に対する半田フィレットの状態を観察することで外観良品か外観不良品かを適切に判断できる。
【０１０４】
また櫛歯エッジ９２−１，９２−２に半田フィレットが形成されることで接合強度を向上することができる。特に、櫛歯エッジ９２−１，９２−２の形成により厚さ方向に半田が入り込む半田フィレットの形成部分が増加することで、厚さ方向の接合強度をかなり高めることができる。
【０１０５】
図２２は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態であり、横幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の長手方向の両側に櫛歯エッジ９２−１，９２−２を形成すると共に、その中央に矩形スリット８６を開口したことを特徴とする。即ち、この実施形態は図２１の実施形態と図１７の実施形態を組み合わせた実施形態と言うことができる。
【０１０６】
このように櫛歯エッジ９２−１，９２−２及び矩形スリット８６を形成したサスペンション端子導体６０にあっては、ＦＰＣ端子導体との半田接合後の外観検査の際に櫛歯エッジ９２−１，９２−２及び矩形スリット８６のそれぞれの半田フィレットの状態を見ることで外観良品または外観不良品を適切に判断できる。また櫛歯エッジ９２−１，９２−２及び矩形スリット８６に半田が入り込んで半田フィレットを形成することで接合強度をかなり向上することができる。
【０１０７】
図２３は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つ矩形のサスペンション端子導体６０の中央の長手方向に４つの円形スリット９４−１〜９４−４を設けたことを特徴とする。
【０１０８】
このような円形スリット９４−１〜９４−４を設けたサスペンション端子導体６０にあっては、半田接合後の外観検査の際に、円形スリット９４−１〜９４−４に対する半田フィレットの形成状態で外観良品か外観不良品かを判断できる。
【０１０９】
例えば円形スリット９４−１〜９４−４のすべてに半田フィレットが形成されているか、あるいは中央の２つの円形スリット９４−２，９４−３に半田フィレットが形成されていれば、外観良品と判断できる。
【０１１０】
一方、円形スリット９４−１〜９４−４のいずれにも半田フィレットが形成されておらず、あるいはいずれか１つにしか半田フィレットが形成されていないような場合には、外観不良品と判断できる。また円形スリット９４−１〜９４−４に半田フィレットが形成されることで接合強度を向上することもできる。
【０１１１】
図２４は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態のサスペンション端子導体６０にあっては、矩形の長手方向両側に波形エッジ８８−１，８８−２を形成すると共に、その中央長手方向に４つの円形スリット９４−１〜９４−４を開口するようにしたことを特徴とする。この実施形態のサスペンション端子導体６０は、図１９の実施形態と図２３の実施形態を組み合わせた実施形態と言うことができる。
【０１１２】
この実施形態にあっても、半田接合後の外観検査において、波形エッジ８８−１，８８−２の谷部及び中央に配列した円形スリット９４−１〜９４−４に対する半田フィレットの形成状態を見ることで外観良品か外観不良品かを判断でき、更に半田フィレットの形成により接合強度を向上することができる。
【０１１３】
図２５は本発明によるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、幅Ｄ２、高さＬ２を持つサスペンション端子導体６０の長手方向両側に櫛歯エッジ９２−１，９２−２を形成すると同時に、中央長手方向に円形スリット９４−１〜９４−４を設けるようにしたことを特徴とする。即ち、この実施形態は図２１の実施形態と図２３の実施形態を組み合わせた実施形態ということができる。
【０１１４】
この図２５の実施形態のサスペンション端子導体６０にあっても、半田接合後の検査工程において、櫛歯エッジ９２−１，９２−２及び円形スリット９４−１〜９４−４における半田フィレットを観察することで外観良品か外観不良品かを判断でき、更に半田フィレットの形成により接合強度を大幅に向上することができる。
【０１１５】
本実施形態のサスペンション端子導体としては、図７及び図１４〜図２５に示した矩形形状を持つ端子導体以外に、図２６のように円形形状を持つ端子導体を使用する場合がある。
【０１１６】
図２６（Ａ）は本発明におけるサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、円形のサスペンション端子導体９５について、外周の４箇所に半田観察窓として切欠９８−１〜９８−４を形成するようにしたことを特徴とする。またサスペンション端子導体９５からは、ヘッド側に配線パターン９６が引き出されている。
【０１１７】
図２６（Ｂ）はサスペンション端子導体９５を半田接合するＦＰＣ端子導体に位置合わせした状態を示す。サスペンション端子導体９５を半田接合するＦＰＣ端子９７は、サスペンション端子導体９５の径Ｄ２に対し、それより大きな径Ｄ１を持っている。
【０１１８】
この図２６の実施形態にあっても、ＦＰＣ端子導体９７にサスペンション端子導体９５を重ね合わせて半田接合した後の外観検査において、切欠９８−１〜９８−４のそれぞれにおける半田フィレットの形成状態から外観良品か外観不良品かを適切に判断できる。
【０１１９】
また切欠９８−１〜９８−４に対する半田フィレットの形成で接合強度を向上することができる。更にまた、サスペンション端子導体９５に切欠９８−１〜９８−４を設けていても、その直径Ｄ２は基本的に変わらないことから、図２６（Ｂ）のようなＦＰＣ端子導体９７との位置合せの際の位置アライメント及びオーバーラップ量も適切に確保できる。
【０１２０】
なお、本実施形態で使用するサスペンション端子導体６０に形成する半田接合観察窓の形状としては、上記の実施形態に示した切欠、スリット、波形エッジ、櫛歯エッジに限定されず、サスペンション端子導体の幅Ｄ２と高さＬ２を損なうことのない図１９に示した基本輪郭形状の９０の範囲内で、端子導体の適宜の部分を切り欠き、変形、あるいは除去するなど、適宜の形状及びその組合せを含むものである。
【０１２１】
また上記の実施形態は本発明によるフラックスを使用しない半田接合による接合構造が適用される電子装置として磁気ディスク装置を例に取るものであったが、本発明はこれに限定されず、端子導体を複数備えた第１端子部と第２端子部をフラックスを使用せずに半田接合する適宜の電子装置につき、そのまま適用することができる。
【０１２２】
また上記の実施形態にあっては、ＦＰＣ端子に対しサスペンション端子をフラックスを使用せずに半田接合する際にヒータチップを押圧して加熱しているが、ガラス板などの透光部材でサスペンション端子部を加圧し、レーザ照射により加熱する接合構造としてもよい。
【０１２３】
また本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【０１２４】
ここで本発明の特徴をまとめて列挙すると次の付記のようになる。
（付記）
（付記１）（電子装置）
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、前記第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び前記第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部と、
第２絶縁層上に前記第１端子導体に相対して配列された複数の第２端子導体、及び前記第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部と、
前記第１端子部の第１端子導体に対し前記第２端子部の第２端子導体を向かい合わせた状態で、前記半田バンプに前記第１端子導体を押圧しながら過熱溶融して前記第１端子導体と前記第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する半田接合構造と、
を備えた電子装置に於いて、
前記第２端子導体に、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けたことを特徴とする電子装置。（１）
【０１２５】
（付記２）（半田接合観察窓の条件）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓は、前記第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成したことを特徴とする電子装置。（２）
【０１２６】
（付記３）（側辺の切欠）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺中央に切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（３）
【０１２７】
（付記４）（切欠の形状）
付記３記載の電子装置に於いて、前記切欠は、矩形、三角形又は半円形であることを特徴とする電子装置。
【０１２８】
（付記５）（スリット開口）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の中央にスリットを開口し、前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（４）
【０１２９】
（付記６）（スリットの形状）
付記５記載の電子装置に於いて、前記スリットは、矩形、楕円形、円形、又は複数の円形配列であることを特徴とする電子装置。
【０１３０】
（付記７）（側辺を波形）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成し、前記波形の谷部に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（５）
【０１３１】
（付記８）（波形＋スリット）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成すると共に中央にスリットを開口し、前記波形の谷部及び前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１３２】
（付記９）（櫛歯形状）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成し、前記櫛歯形状に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（６）
【０１３３】
（付記１０）（波形＋スリット）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成すると共に中央にスリットを開口し、前記櫛歯形状及び前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記前記絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とするたことを特徴とする電子装置。
【０１３４】
（付記１１）（円形の端子導体）
付記１記載の電子装置に於いて、前記第１端子導体と前記第２端子導体は円形の平面形状であり、前記第２端子導体の半田接合観察形状として、円形端子導体の外周に１又は複数の切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。（７）
（付記１２）（ＦＰＣ端子とサスペンション端子の半田接合）
付記１記載の電子装置に於いて、
前記電子装置は、ロータリアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動してデータを記録又は再生する磁気ディスク装置であり、
前記第１端子部は、前記ロータリアクチュエータに一端を固定し他端を筐体固定側の回路部に接続したフレキシブルプリント基板に設けられ、
前記第２端子部は、前記ロータリアクチュエータにヘッドを支持するサスペンションのテール部に設けられ、
前記フレキシブルプリント基板の第１端子部に前記サスペンョンテール部の第２端子を半田接合することを特徴とする電子装置。（８）
【０１３５】
（付記１３）（製造方法）
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、前記第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び前記第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部を有し、前記第１端子部を作業位置に固定配置する第１工程と、
第２絶縁層上に前記第１端子導体に相対して配列され、半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けた複数の第２端子導体、及び前記第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部を有し、前記第２端子部の第２端子導体を前記第１端子部の第１端子導体に対し向かい合わせた作業位置に位置合わせする第２工程と、
前記第１端子部の半田バンプに前記第２端子部の第２端子導体を押圧しながら過熱溶融して前記第１端子導体と前記第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する第３工程と、
前記半田バンプによる半田接合状態を、前記第２絶縁層を介して前記第２端子導体の半田接合視認形状により外部から観察して検査する第４工程と、
を備えたことを特徴とする電子装置の製造方法。（９）
【０１３６】
（付記１４）（半田接合観察窓の条件）
付記１３記載の電子装置の製造方法に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓は、前記第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成したことを特徴とする電子装置の製造方法。（１０）
【０１３７】
（付記１５）（側辺の切欠）
付記１３記載の電子装置の製造方法に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺中央に切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１３８】
（付記１６）（スリット開口）
付記１３記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の中央にスリットを開口し、前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１３９】
（付記１７）（側辺を波形）
付記１３記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成し、前記波形の谷部に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１４０】
（付記１８）（櫛歯形状）
付記１３記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形の長辺を櫛歯形状に形成し、前記櫛歯形状に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１４１】
（付記１９）（円形の端子導体）
付記１３記載の電子装置に於いて、前記第１端子導体と前記第２端子導体は円形の平面形状であり、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、円形端子導体の外周に１又は複数の切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【０１４２】
（付記２０）（ＦＰＣ端子とサスペンション端子の半田接合）
付記１３記載の電子装置の製造方法に於いて、
前記電子装置は、ロータリアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動してデータを記録又は再生する磁気ディスク装置であり、
前記第１端子部は、前記ロータリアクチュエータに一端を固定し他端を筐体固定側の回路部に接続したフレキシブルプリント基板に設けられ、
前記第２端子部は、前記ロータリアクチュエータにヘッドを支持するサスペンションのテール部に設けられ、
前記フレキシブルプリント基板の第１端子部に前記サスペンョンテール部の第２端子を半田接合することを特徴とする電子装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明が適用される磁気ディスク装置の内部構造を示した説明図
【図２】図１のロータリアクチュエータを取り出し一部省略した状態で示した説明図
【図３】図２のＦＰＣを取り出してＦＰＣ端子部の拡大部と共に示した説明図
【図４】図２のＦＰＣ端子部のＸ−Ｘ断面を示した断面図
【図５】図２のヘッドジンバルアセンブリィを取り出して示した説明図
【図６】図５のサスペンション端子導体を拡大して示した説明図
【図７】図５のサスペンション端子部を拡大して示した説明図
【図８】図７のサスペンション端子導体と図３のＦＰＣ端子導体の位置アライメントを示した説明図
【図９】図６のサスペンション端子部のＹ−Ｙ断面を示した断面図図
【図１０】ＦＰＣ端子部にサスペンション端子部を位置合わせして重ね合わせた説明図
【図１１】ＦＰＣ端子部にサスペンション端子部をフラックスを使用せずに半田接合する作業工程を示した説明図
【図１２】図１１の作業工程により半田接合した端子部を外観検査する検査工程を示した説明図
【図１３】図１２の外観検査で観察するサスペンション端子導体に形成した切欠における半田フィレットの形成状態を示した説明図
【図１４】半田接合観察窓として三角切欠を形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１５】半田接合観察窓として半円切欠を形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１６】半田接合観察窓として楕円スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１７】半田接合観察窓として矩形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１８】半田接合観察窓として矩形切欠と楕円スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図１９】半田接合観察窓として波形エッジを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２０】半田接合観察窓として波形エッジと楕円スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２１】半田接合観察窓として櫛歯エッジを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２２】半田接合観察窓として櫛歯エッジと矩形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２３】半田接合観察窓として複数の円形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２４】半田接合観察窓として波形エッジと複数の円形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２５】半田接合観察窓として櫛歯エッジと複数の円形スリットを形成したサスペンション端子導体の他の実施形態を示した説明図
【図２６】円形のサスペンション端子導体について外周の４箇所に半田観察窓としての切欠を形成した他の実施形態を示した説明図
【図２７】従来のフラックスレスの半田接合で外観良品と判定される半田はみ出し状態を示した説明図
【図２８】従来のフラックスレスの半田接合で外観不良品と判定される半田はみ出しのない状態を示した説明図
【符号の説明】
【０１４４】
１０：磁気ディスク装置
１２：筐体ベース
１４：磁気ディスク
１６：ロータリアクチュエータ
１８：ヘッドジンバルアセンブリィ
２０：軸部
２２：アーム
２４：サスペンション取付アーム
２６：ヘッド
２８：ランプロード機構
３０：コイル
３２：下ヨーク
３４：磁石
３６：フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）
３８：ヘッドＩＣ
４０，４０−１〜４０−４，４０−１１，４０−１２，９７：ＦＰＣ端子部
４２：ロングテールサスペンション
４４：サスペンション端子部
４６，４６−１〜４６−６：ＦＰＣ端子導体
４８：カバーフィルム開口
５０：可撓性フィルム層
５２：カバーフィルム層
５４：半田バンプ
６０，６０−１〜６０−６，９０：サスペンション端子導体
６２−１，６２−２：矩形切欠
６４−１，６４−２：カバー部位
６６：露出部位
６８：ステンレス層
７０：絶縁層
７２：ヒータチップ
７４：加圧力
７６：外観検査方向
７８，７８−１１〜７８−６２：半田フィレット
８０−１，８０−２：三角切欠
８２−１，８２−２：半円切欠
８４：楕円スリット
８６：矩形スリット
８８−１，８８−２：波形エッジ
９０：基本輪郭形状
９２−１，９２−２：櫛歯エッジ
９４−１〜９４−４：円形スリット
９６−１，９６−２：配線パターン
９８−１〜９８−４：切欠
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、前記第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び前記第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部と、
第２絶縁層上に前記第１端子導体に相対して配列された複数の第２端子導体、及び前記第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部と、
前記第１端子部の第１端子導体に対し前記第２端子部の第２端子導体を向かい合わせた状態で、前記半田バンプに前記第１端子導体を押圧しながら過熱溶融して前記第１端子導体と前記第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する半田接合構造と、
を備えた電子装置に於いて、
前記第２端子導体に、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けたことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓は、前記第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成したことを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺中央に切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の中央にスリットを開口し、前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成し、前記波形の谷部に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とするたことを特徴とする電子装置。
【請求項６】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成し、前記櫛歯形状に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第１端子導体と前記第２端子導体は円形の平面形状であり、前記第２端子導体の半田接合観察形状として、円形端子導体の外周に１又は複数の切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項１記載の電子装置に於いて、
前記電子装置は、ロータリアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動してデータを記録又は再生する磁気ディスク装置であり、
前記第１端子部は、前記ロータリアクチュエータに一端を固定し他端を筐体固定側の回路部に接続したフレキシブルプリント基板に設けられ、
前記第２端子部は、前記ロータリアクチュエータにヘッドを支持するサスペンションのテール部に設けられ、
前記フレキシブルプリント基板の第１端子部に前記サスペンョンテール部の第２端子を半田接合することを特徴とする電子装置。
【請求項９】
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、前記第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び前記第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部を有し、前記第１端子部を作業位置に固定配置する第１工程と、
第２絶縁層上に前記第１端子導体に相対して配列され、半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けた複数の第２端子導体、及び前記第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部を有し、前記第２端子部の第２端子導体を前記第１端子部の第１端子導体に対し向かい合わせた作業位置に位置合わせする第２工程と、
前記第１端子部の半田バンプに前記第２端子部の第２端子導体を押圧しながら過熱溶融して前記第１端子導体と前記第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する第３工程と、
前記半田バンプによる半田接合状態を、前記第２絶縁層を介して前記第２端子導体の半田接合視認形状により外部から観察して検査する第４工程と、
を備えたことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の電子装置の製造方法に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓は、前記第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成したことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１】
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、前記第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び前記第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部と、
第２絶縁層上に前記第１端子導体に相対して配列された複数の第２端子導体、及び前記第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部と、
前記第１端子部の第１端子導体に対し前記第２端子部の第２端子導体を向かい合わせた状態で、前記半田バンプに前記第１端子導体を押圧しながら過熱溶融して前記第１端子導体と前記第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する半田接合構造と、
を備えた電子装置に於いて、
前記第２端子導体に、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けたことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓は、前記第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成したことを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺中央に切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の中央にスリットを開口し、前記スリットに入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を波形に形成し、前記波形の谷部に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とするたことを特徴とする電子装置。
【請求項６】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓として、長方形端子導体の長辺を櫛歯形状に形成し、前記櫛歯形状に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項１記載の電子装置に於いて、前記第１端子導体と前記第２端子導体は円形の平面形状であり、前記第２端子導体の半田接合観察形状として、円形端子導体の外周に１又は複数の切欠を形成し、前記切欠に入り込んだ半田フィレットを前記第２絶縁層を介して外部から視認可能としたことを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項１記載の電子装置に於いて、
前記電子装置は、ロータリアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動してデータを記録又は再生する磁気ディスク装置であり、
前記第１端子部は、前記ロータリアクチュエータに一端を固定し他端を筐体固定側の回路部に接続したフレキシブルプリント基板に設けられ、
前記第２端子部は、前記ロータリアクチュエータにヘッドを支持するサスペンションのテール部に設けられ、
前記フレキシブルプリント基板の第１端子部に前記サスペンョンテール部の第２端子を半田接合することを特徴とする電子装置。
【請求項９】
第１絶縁層上に配列された複数の第１端子導体、前記第１端子導体の表面両端を被覆するカバー層、及び前記第１端子導体の露出表面にプリコートされた半田バンプを備えた第１端子部を有し、前記第１端子部を作業位置に固定配置する第１工程と、
第２絶縁層上に前記第１端子導体に相対して配列され、半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な半田接合観察窓を設けた複数の第２端子導体、及び前記第２端子導体の表面に鍍金されたＡｕ鍍金層を備えた第２端子部を有し、前記第２端子部の第２端子導体を前記第１端子部の第１端子導体に対し向かい合わせた作業位置に位置合わせする第２工程と、
前記第１端子部の半田バンプに前記第２端子部の第２端子導体を押圧しながら過熱溶融して前記第１端子導体と前記第２端子導体をフラックスを使用せずに半田接合する第３工程と、
前記半田バンプによる半田接合状態を、前記第２絶縁層を介して前記第２端子導体の半田接合視認形状により外部から観察して検査する第４工程と、
を備えたことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の電子装置の製造方法に於いて、前記第２端子導体の半田接合観察窓は、前記第１端子導体の輪郭形状に相対する範囲内で、前記半田バンプによる半田接合状態を前記第２絶縁層を介して外部より視認可能な切欠又はスリットを形成したことを特徴とする電子装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【公開番号】特開２００８−３００５９４（Ｐ２００８−３００５９４Ａ）
【公開日】平成２０年１２月１１日（２００８．１２．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１４４５６２（Ｐ２００７−１４４５６２）
【出願日】平成１９年５月３１日（２００７．５．３１）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１２月１１日（２００８．１２．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月３１日（２００７．５．３１）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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