電気光学装置、駆動回路および電子機器
【課題】コモン電極１０８の電圧を変化させる構成において横方向に発生する表示むらを抑える。
【解決手段】画素１１０は、一端が画素電極に接続され他端がコモン電極１０８に接続された画素容量とを含み、コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられる。ある行に対する走査線１１２の選択期間において当該行に対応するコモン電極１０８の電圧を表示領域１００の他端側で検出する。当該行の画素に対して正極性書込（または負極性）が指定されるのであれば、表示領域１００の一端側のＴＦＴ１７１（または１７２）をオンさせて、検出した電圧がＶsl（またはＶsh）となるように制御する。
【解決手段】画素１１０は、一端が画素電極に接続され他端がコモン電極１０８に接続された画素容量とを含み、コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられる。ある行に対する走査線１１２の選択期間において当該行に対応するコモン電極１０８の電圧を表示領域１００の他端側で検出する。当該行の画素に対して正極性書込（または負極性）が指定されるのであれば、表示領域１００の一端側のＴＦＴ１７１（または１７２）をオンさせて、検出した電圧がＶsl（またはＶsh）となるように制御する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置においてコモン電極の電圧を変化させる場合に、横方向に発生する表示むらを抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容量）が設けられる。この画素容量を交流駆動するときに、データ線の電圧振幅を抑えるためにコモン電極を走査線毎に個別化するとともに、走査線を選択するときに当該選択走査線に対応するコモン電極を書込極性に応じた２値電圧のいずれかとする技術が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３００９４８号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この技術では、コモン電極を走査線毎に個別化したことに伴って、横方向の表示むらが発生しやすい。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、コモン電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑制する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を、前記複数の画素の配列領域に対する一端側および他端側のうち、前記他端側で検出するとともに、当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側とさせる正極性が指定されたときに、当該検出した電圧が第１電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加し、当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側とさせる負極性が指定されたときに、当該検出した電圧が前記第１電圧よりも高位の第２電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加するコモン電極駆動回路と、当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、画素容量に電圧を書き込むために走査線が選択される期間において、当該走査線に対応するコモン電極における他端側で電圧を検出する一方、一端側から目標となる第１または第２電圧となるように制御するので、コモン電極の配線抵抗成分も考慮して、コモン電極の電圧を制御することができる。
【０００５】
本発明において、前記コモン電極駆動回路は、コモン信号供給回路を有し、前記コモン電極駆動回路は、前記複数のコモン電極の各々に対応して、第１トランジスタ、第２トランジスタおよび他端側検出トランジスタの組とを有し、一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、第２トランジスタおよび他端側検出トランジスタのうち、前記第１トランジスタは、そのソース電極が第１給電線に接続され、前記第２トランジスタは、そのソース電極が第２給電線に接続され、前記第１トランジスタのドレイン電極および前記第２トランジスタのドレイン電極が前記複配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、前記他端側検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の他端側に接続され、そのドレイン電極が検出線に接続され、当該一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応する画素に対し、前記正極性が指定されたときに前記第１トランジスタがオンし、前記負極性が指定されたときに前記第２トランジスタがオンし、前記コモン信号供給回路は、前記一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されるとき、前記検出線を介して検出された前記コモン電極の電圧が前記第１電圧をなるように制御した電圧を前記第１給電線に給電し、前記一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されるとき、前記検出線を介して検出された前記コモン電極の電圧が前記第２電圧をなるように制御した電圧を前記第２給電線に給電する構成としても良い。この構成によれば、第１および第２トランジスタのサイズを小さく済ませることができる。
さらに、この構成において、前記コモン電極駆動回路は、前記複数のコモン電極の各々に対応して、それぞれ一端側検出トランジスタを有し、一のコモン電極に対応する前記他端側検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、そのドレイン電極が前記検出線に接続される構成とすれば、一端側および他端側の両側からコモン電極の電圧を検出するので、ノイズ等の電圧変化を左右の平均値で補償することができる。
【０００６】
また、本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極を、当該一の走査線の選択終了後においても前記第１給電線に接続し、前記一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極を、当該一の走査線の選択終了後においても前記第２給電線に接続する構成としても良い。この構成では、非選択期間におけるコモン電極がハイ・インピーダンス状態となることによる表示むらを抑えることができる。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂ、データ線駆動回路１９０が配置するとともに、制御回路２０が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。
【０００９】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１行目から３２０行目までの走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、１列目から２４０列目までのデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように設けられている。そして、１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれコモン電極１０８がＸ方向に延在して設けられている。このため、本実施形態においては、１〜３２０行目のコモン電極１０８が１〜３２０行目の走査線１１２に対応してそれぞれ設けられることになる。
【００１０】
画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６は、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極が画素容量１２０の一端である画素電極１１８と蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ接続されている。また、画素容量１２０の他端および蓄積容量１３０の他端は、それぞれｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の電圧を示している。
【００１２】
特に図示しないが、本実施形態は、素子基板と対向基板との間に液晶を封入した構成であって、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである。詳細に言えば、素子基板には、コモン電極が帯状に形成されるとともに、絶縁層を介して櫛歯状の画素電極が形成され、これにより、画素電極１１８とコモン電極１０８との間には、誘電体たる液晶を介した構造によって一種の容量となり、この容量成分によって保持される電圧の実効値に応じて、液晶にかかる電界の大きさが基板面に沿った方向で変化する構成となっている。
本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロに近い値となるときに、光の透過率が最大の白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過率が徐々に減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードであるとする。
また、蓄積容量１３０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが絶縁層を介した積層構造によって生じる容量成分である。
なお、画素１１０については、その電気的な等価回路が図２で示されるような回路であれば、ＦＦＳモード以外の他のモードであっても良い。
【００１３】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするものである。
例えば、制御回路２０は、図３に示されるように、デューティ比５０％のクロック信号Ｃlyや、当該クロック信号Ｃlyの半周期に相当するパルスを１フレームの期間に最初にスタートパルスＤyとして出力する。
【００１４】
表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂ、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間において走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、…、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyを、図３に示されるようにクロック信号Ｃlyの論理レベルが変化する毎に順次シフトして、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０として出力する。
【００１５】
なお、ある行の走査線にとってみれば、その走査線に供給される走査信号がＨレベルとなるときが選択期間であり、これが当該行に対する水平走査期間（Ｈ）に相当し、また、走査信号がＬレベルとなる期間が非選択期間である。本実施形態において１フレームの期間には、走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０が順番にＨレベルとなる有効走査期間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。なお、走査信号においてＨレベルは選択電圧Ｖddに相当し、Ｌレベルは非選択電圧Ｖssに相当する。
【００１６】
制御回路２０が出力する制御信号等のうち、スタートパルスＤy、クロック信号Ｃly以外の信号について説明する。
まず、ラッチパルスＬpは、図３に示されるように、クロック信号Ｃlyの論理レベルが変化するタイミングで出力される。上述したように、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすることによって走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０を出力するので、ラッチパルスＬpの出力タイミングは、いずれかの走査信号がＨレベルとなるタイミング、すなわち水平走査期間の開始タイミングである、と考えて良い。
【００１７】
次に、極性指定信号Ｐolは、本実施形態では、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極性書込を指定する信号である。極性指定信号Ｐolは、図３に示されるように、ｎフレームにおいて奇数行目の走査線が選択される（すなわち、その走査信号がＨレベルとなる）水平走査期間においてＨレベルとなり、偶数行目の走査線が選択される水平走査期間においてＬレベルとなるので、画素への書込極性が走査線毎に反転する走査線反転（ライン反転）方式となる。
なお、極性指示信号Ｐolは、次の（ｎ＋１）フレームでは、各行の水平走査期間に着目していみると、ｎフレームと比較して論理レベルが逆転し、書込極性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態において、極性とは、画素容量１２０に階調に応じた電圧を保持させる際に、画素電極１１８の電位をコモン電極１０８の電位よりも高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合を負極性という。また、電圧については、特に説明のない限り、図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
【００１８】
なお、制御回路２０は、極性指定信号Ｐolを、信号線１６４を介してコモン電極駆動回路１７０ａに供給する。また、極性指定信号Ｐolは、ＮＯＴ回路５０によって論理レベルが反転されて信号／Ｐolとなり、信号線１６５を介してコモン電極駆動回路１７０ａに供給される。
ここで、極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）のＨ、Ｌレベルは、後述するＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極にＴＦＴ１７３、１７４を介して印加されたとき、それぞれＴＦＴ１７１、１７２をオン、オフさせる電圧である。このため、極性指定信号Ｐolは、書込極性を指定する信号であるとともに、その論理レベルのうち、Ｈレベルがオン電圧として、Ｌレベルがオフ電圧として機能することになる。
【００１９】
続いて、信号Ｖc1refは、図３に示されるように電圧Ｖslで一定であり、信号Ｖc2refは電圧Ｖshで一定である。ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｖss≦）Ｖsl＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関係にあり、電圧Ｖsl（第１電圧）よりも電圧Ｖsh（第２電圧）が相対的に高い電圧となっている。
【００２０】
コモン電極駆動回路１７０ａは、表示領域１００に対して一端側に設けられ、１〜３２０行目のコモン電極１０８の各々に対応したｎチャネル型のＴＦＴ１７１〜１７４の組から構成される。
ここで、ｉ行目のコモン電極１０８に対応するＴＦＴ１７１〜１７４について説明すると、当該ｉ行目のＴＦＴ１７１（第１トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目のＴＦＴ１７３のドレイン電極に接続され、そのソース電極が給電線１６１に接続されている。また、当該ｉ行目のＴＦＴ１７２（第２トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目のＴＦＴ１７４のドレイン電極に接続され、そのソース電極が給電線１６２に接続されている。
次に、ｉ行目のＴＦＴ１７３については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が信号線１６４に接続され、また、ｉ行目のＴＦＴ１７４については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が信号線１６５に接続されている。
【００２１】
一方、コモン電極駆動回路１７０ｂは、表示領域１００に対してコモン電極駆動回路１７０ａとは反対の他端側に設けられ、各行のコモン電極１０８に対応したＴＦＴ１７９（他端側検出トランジスタ）から構成される。
ｉ行目のコモン電極１０８に対応するＴＦＴ１７９について説明すると、当該ｉ行目のＴＦＴ１７９については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され、そのドレイン電極が検出線１６７に接続されている。なお、検出線１６７は、各行のＴＦＴ１７７のドレイン電極に対して共通接続されている。
【００２２】
オペアンプ３１は、その反転入力端（−）が検出線１６７に接続され、その非反転入力端（＋）には制御回路２０による信号Ｖc1refが目標信号として供給され、その出力端が給電線１６１に接続されている。なお、オペアンプ３１によって給電線１６１に供給される信号をＶc1としている。また、抵抗素子が、給電線１６１と検出線１６７との間に介挿されて、オペアンプ３１の出力の一部が反転入力端（−）に負帰還する構成となっている。
同様にオペアンプ３２については、その反転入力端（−）が検出線１６７に接続され、その非反転入力端（＋）には制御回路２０による信号Ｖc2refが目標信号として供給され、その出力端が給電線１６２に接続されている。なお、オペアンプ３２によって給電線１６２に供給される信号をＶc2としている。また、抵抗素子が、給電線１６２と検出線１６７との間に介挿されて、オペアンプ３２の出力の一部が反転入力端（−）に負帰還する構成となっている。
【００２３】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０によって選択される走査線に位置する画素１１０に対し、階調に応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Ｐolで指定された極性に応じた電圧のデータ信号をデータ線１１４介して供給するものである。詳細には、本実施形態はノーマリーホワイトモードとしているから、データ線駆動回路１９０は、データ信号を、正極性書込が指定されていれば、指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖslを基準として徐々に高くなる電圧とし、負極性書込が指定されていれば、指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖshを基準として徐々に低くなる電圧とする。
【００２４】
データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。
ここで、データ線駆動回路１９０は、選択走査線に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から１行分読み出すとともに、当該読み出した表示データＤaで指定された階調および指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する
動作を、選択走査線に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
なお、表示内容に変更が生じると、制御回路２０が変更後の表示データＤaを供給して、記憶領域の内容を書き換える。また、データ線駆動回路１９０は、ラッチパルスＬpを１フレームの期間の最初からカウントすることによって何行目の走査信号がＨレベルとなるのか、および、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって走査線の選択開始のタイミングを知る。
【００２５】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
ｎフレームにおいて、走査線駆動回路１４０は、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を順番に選択して、選択した走査線への走査信号をＨレベルとする。そこでまず、これらの各行のうち、代表してｉ行目および（ｉ＋１）行目の動作について図４乃至図６を参照して説明する。
ここでは、ｉを奇数とし、（ｉ＋１）を偶数とする。したがって、ｎフレームにおいては、奇数ｉ行目の画素に対して正極性書込が指定され、偶数（ｉ＋１）行目の画素に対して負極性書込が指定されることになる。
【００２６】
まず、ｉ行目が選択されて、走査信号ＹｉがＨレベルとなる。
コモン電極駆動回路１７０ａにおいて走査信号ＹｉがＨレベルになると、図４に示されるように、ｉ行目に対応するＴＦＴ１７３、１７４がそれぞれオンする。奇数行目が選択されるとき、極性指定信号ＰolはＨレベルであり、信号／ＰolはＬレベルであるので、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極にそれぞれオン電圧、オフ電圧が印加される。このため、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオン、オフする。
また、コモン電極駆動回路１７０ｂでは、走査信号ＹｉがＨレベルになると、同図に示されるように、ｉ行目に対応するＴＦＴ１７９がオンする。このため、ｉ行目のコモン電極１０８は、ＴＦＴ１７９のオン抵抗および検出線１６７を介して、オペアンプ３１の反転入力端（−）に負帰還される。
このため、走査信号ＹｉがＨレベルであるときに、ｉ行目のコモン電極１０８が信号Ｖc1refの電圧Ｖslとなるように負帰還制御される。
【００２７】
一方、走査信号ＹｉがＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、ｉ行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖslを基準に高位側とした正極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。
【００２８】
したがって、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間において、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
【００２９】
次に、ｉ行目の選択終了によって走査信号ＹｉがＬレベルになるとともに、（ｉ＋１）行目の選択開始によって走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになる。
走査信号ＹｉがＬレベルになると、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂにあっては、図５に示されるように、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４、１７９がオフする。
ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４のオフにより、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極は電気的にどの部分にも接続されない状態（ハイ・インピーダンス状態）になるものの、寄生容量によって直前に印加されたオン電圧、オフ電圧をそれぞれ保持しているので、当該ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２は、それぞれオン状態、オフ状態を維持する。このため、ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＬレベルとなっても、給電線１６１への接続が維持されるので、ハイ・インピーダンス状態とならず、電圧が確定した状態となる。
なお、給電線１６１に供給される信号Ｖc1の電圧は、負帰還制御によって電圧Ｖslから変動する可能性があるが、走査信号ＹｉがＬレベルになると、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするので、走査信号ＹｉがＨレベルのときにｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に対して書き込まれた電圧が変動することはない。
【００３０】
また、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０ａでは、図５に示されるように、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４がそれぞれオンする。
ただし、ｎフレームにおいて偶数行目が選択されるとき、極性指定信号ＰolはＬレベルであり、信号／ＰolはＨレベルであるので、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極には、ｉ行目とは逆にそれぞれオフ電圧、オン電圧が印加される。このため、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオフ、オンする。
さらに、コモン電極駆動回路１７０ｂでは、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、同図に示されるように、（ｉ＋１）行目に対応するＴＦＴ１７９がオンする。このため、ｉ行目のコモン電極１０８は、ＴＦＴ１７９のオン抵抗および検出線１６７を介して、オペアンプ３２の反転入力端（−）に負帰還される。
このため、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルであるときに、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、信号Ｖc2refの電圧Ｖshとなるように負帰還制御される。
【００３１】
一方、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、（ｉ＋１）行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖshを基準に低位側とした負極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。
【００３２】
したがって、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる水平走査期間において、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
【００３３】
そして、（ｉ＋１）行目の選択終了によって走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）がともにＬレベルになる。
走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂにあっては、図６に示されるように、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４、１７９もオフする。（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４のオフにより、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極はハイ・インピーダンス状態になるものの、寄生容量によって直前に印加されたオフ電圧、オン電圧を保持しているので、当該（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２は、それぞれオフ、オン状態を維持する。このため、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルとなっても、給電線１６２への接続が維持されるので、ハイ・インピーダンス状態とならず、電圧が確定した状態となる。
なお、給電線１６２に供給される信号Ｖc2の電圧は、負帰還制御によって電圧Ｖshから変動する可能性があるが、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするので、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルのときに（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に対して書き込まれた電圧が変動することはない。
なお、ｉ行目のコモン電極１０８については、同図に示されるように、引き続きｉ行目のＴＦＴ１７１のオン状態が継続して、給電線１６１への接続が維持される。
【００３４】
このようにｎフレームにおいて奇数ｉ行目が選択されたときに、ｉ行目のコモン電極１０８は、他端側で電圧が検出される一方、一端側で電圧Ｖslとなるように制御される。そして、当該ｉ行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれ、その後の非選択期間においても当該ｉ行目のコモン電極１０８の給電線１６１に対する接続が維持されて、上記並列容量に書き込まれた電圧が保持される。
一方、ｎフレームにおいて偶数（ｉ＋１）行目が選択されたときに、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、他端側で電圧が検出される一方、一端側で電圧Ｖshとなるように制御される。そして、当該（ｉ＋１）行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれ、その後の非選択期間においても当該（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の給電線１６２に対する接続が維持されて、上記並列容量に書き込まれた電圧が保持される。
なお、実際には、このような動作が１、２、３、４、…、３１９、３２０行目という順番で実行される。
【００３５】
次の（ｎ＋１）フレームでは、各走査線が選択される期間において極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）が論理反転した書き込み動作が実行される。
このため、（ｎ＋１）フレームにおいて奇数ｉ行目が選択されたときに、ｉ行目のコモン電極１０８は、他端側で電圧が検出される一方、一端側で電圧Ｖshとなるように制御された上で、当該ｉ行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれ、その後の非選択期間においても当該ｉ行目のコモン電極１０８の給電線１６２に対する接続が維持されて、上記並列容量に書き込まれた電圧が保持される。
一方、ｎフレームにおいて偶数（ｉ＋１）行目が選択されたときに、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、他端側で電圧が検出される一方、一端側で電圧Ｖslとなるように制御された上で、当該（ｉ＋１）行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれ、その後の非選択期間においても当該（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の給電線１６１に対する接続が維持されて、上記並列容量に書き込まれた電圧が保持される。
【００３６】
次に、このような電圧の書き込みについて図７を参照して説明する。図７は、ｉ行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i,j)と、（ｉ＋１）行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i+1,j)とを、それぞれ走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）との関係において示す図である。
【００３７】
ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslとなるように制御されて維持される。
一方、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｘｊは、正極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖslよりもｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧（図において↑で示される）となる。これにより、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖslとの差電圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書き込まれ、走査信号ＹｉがＬレベルとなって非択となっても、当該差電圧が保持されることになる。
【００３８】
次に、ｉ行目のコモン電極１０８は、次のフレームにおいて走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに負極性書込が指定されるので電圧Ｖshとなるように制御され、その後の非選択期間においても電圧Ｖshに維持される。
また、データ信号Ｘｊは、負極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖshよりもｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側の電圧（図において↓で示される）となる。これにより、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖshとの差電圧、すなわち、階調に応じた負極性電圧が書き込まれ、走査信号ＹｉがＬレベルとなって非選択となっても、当該差電圧が保持されることになる。
なお、図において、この差電圧の分がハッチングで示されている。
【００３９】
また、ｉ行目に対して正極性書込が指定されたとき、（ｉ＋１）行目に対し負極性書込が指定され、ｉ行目に対して負極性書込が指定されるとき、（ｉ＋１）行目に対し正極性書込が指定されるので、書込極性は走査線毎に反転することになる。
【００４０】
本実施形態によれば、正極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖslよりも階調に応じた電圧だけ高位側の電圧のデータ信号が供給される一方、負極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖshよりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧のデータ信号が供給されるので、データ信号の電圧振幅は、コモン電極１０８の電圧を一定とした場合と比較して狭くなる。このため、データ線駆動回路１９０の構成素子に要求される耐圧性が低く抑えられて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費される電力を抑えることも可能となる。
【００４１】
また、１〜３２０行目のコモン電極１０８の各々は、１〜２４０列のデータ線１１４とそれぞれ交差しているので、図２において破線で示されるような寄生容量を介して結合する。このため、データ線等が電圧変化すると、その変化に伴うノイズがコモン電極１０８に重畳される。
ノイズが重畳されたとき、選択された行のコモン電極が、各水平走査期間の終了時までに電圧Ｖsl、Ｖshに収束していないと、当該選択された行の画素容量に対して階調に応じた電圧を書き込むことができなくなるので、表示むらの原因となる。なお、この表示むらは、コモン電極を単位として発生するので、横方向に沿って現れる。
これに対して、本実施形態では、選択された行のコモン電極の電圧を検出して、電圧Ｖsl、Ｖshとなるように制御するので、ノイズ等が伝搬しても、その影響を少なく抑えることが可能となる。
【００４２】
一方、コモン電極１０８の各々は、少なからず配線抵抗を有するが、一端側から他端側までの全域にわたって１〜２４０列のデータ線１１４と交差しているために、信号Ｖc1、Ｖc2が供給される一端側と同じ側で電圧を検出しても、ノイズ等の影響を適切に反映した電圧を適切に検出することができない。
本実施形態では、当該コモン電極１０８の電圧検出ポイントを、信号Ｖc1、Ｖc2が供給される一端側とは表示領域１００に対して反対側である他端側とし、これにより、ノイズ等の影響を適切に反映した電圧を検出するとともに、検出した電圧が、信号Ｖc1refの電圧Ｖslまたは信号Ｖc2refの電圧Ｖshとなるように制御しているので、上述した横方向の表示むらの発生を抑えることができるのである。
なお、ノイズ等の影響を小さくするには、ＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗を小さくすれば良いが、大きなトランジスタサイズが要求されるので、周辺回路内蔵型では、表示領域１００の外側の、いわゆる額縁のスペースが広くなってしまうが、本実施形態では、ノイズ等の影響を小さくするために、ＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗を小さくしなくても良いので、額縁を狭くすることも可能である。
【００４３】
なお、本実施形態では、説明を簡略化しているが、選択行に対して正極性書込が指定されるとき、オペアンプ３２の非反転入力端（−）から検出線１６７を切り離すとともに、当該オペアンプ３２を、目標信号たる電圧Ｖshをバッファリングさせるボルテージフォロア回路として機能させる一方、選択行に対して負極性書込が指定されるとき、オペアンプ３１の非反転入力端（−）から検出線１６７を切り離すとともに、当該オペアンプ３１を、目標信号たる電圧Ｖslをバッファリングさせるボルテージフォロア回路として機能させて、非選択行に対するコモン電極１０８の電圧が負帰還制御によって変化しない構成としても良い。
【００４４】
＜第１実施形態の応用・変形＞
上述した第１実施形態では、次のような応用・変形が可能である。
第１実施形態では、走査線毎の極性反転とするために、極性指定信号Ｐolの論理レベルを水平走査期間毎に反転させたが、図８に示されるように、論理レベルを１フレームの期間にわたって保ち、フレーム毎に反転させて各画素の書込極性を揃えた面（フレーム）反転方式としても良い。
【００４５】
ここで、極性指定信号Ｐolの論理レベルを１フレームの期間にわたって保つとともに、フレーム毎に反転させる場合に、図９に示されるように、偶数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先と入れ替えることによって、第１実施形態と同様な走査線反転方式とすることもできる。
また、特に図示はしないが、ＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先ではなく、偶数行目におけるＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先と入れ替えることによっても、第１実施形態と同様な走査線反転方式とすることもできる。
【００４６】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１０は、第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図１０に示す構成が図１に示した第１実施形態と相違する部分は、コモン電極駆動回路１７０ａにおいて主に各行に対応してＴＦＴ１７７が設けられている点である。そこで、以下については、この相違点を中心に説明することにする。
【００４７】
各行のＴＦＴ１７７について、ｉ行目で代表して説明すると、ｉ行目のＴＦＴ１７７については、そのゲート電極がｉ行目の走査線に１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され、そのドレイン電極が検出線１６７に接続されている。
したがって、第２実施形態において、検出線１６７は、他端側のＴＦＴ１７９のドレイン電極にくわえて、一端側のＴＦＴ１７７のドレイン電極に対しても共通接続されることになる。
【００４８】
第２実施形態において、例えばｉ行目が選択されたときに、当該ｉ行目のコモン電極１０８は、一端側および他端側の両側で検出されるので、一端側で検出された電圧と他端側で検出された電圧との平均値がオペアンプ３１、３２の反転入力端（−）に供給される。このため、第２実施形態によれば、ノイズ等の影響が一端側と他端側とで平均化されて、その平均値が電圧Ｖslまたは電圧Ｖshとなるように制御するので、表示むらの発生をより抑えることが可能となる。
なお、第２実施形態においても、第１実施形態の応用・変形で述べたように、極性指定信号Ｐolの論理レベルを１フレームの期間にわたって保つとともに、フレーム毎に反転させて、面反転方式としても良いし、偶数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先と入れ替えて、走査線反転方式としても良い。
【００４９】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置について説明する。図１１は、第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
第２実施形態では、各行のコモン電極１０８の電圧を、一端側および他端側で検出して、信号Ｖc1、Ｖc2を一端側から供給する構成としたが、この図に示される第３実施形態では、各行のコモン電極１０８における電圧検出・電圧給電を、一端側と他端側とでそれぞれ独立して行う構成としたものである。
【００５０】
詳細には、コモン電極駆動回路１７０ｂにあっては各行に対応して、さらにＴＦＴ１７９に加えて、さらにＴＦＴ１７８が設けられている。また、他端側におけるＴＦＴ１７９のドレイン電極に供給された検出線１６９は、一端側におけるＴＦＴ１７７のドレイン電極に共通接続された検出線１６７とは独立している。
当該検出線１６９は、オペアンプ３３の反転入力端（−）に接続される一方、オペアンプ３３の出力端が他端側の給電線１６８に接続されるとともに、抵抗素子を介して反転入力端（−）に帰還されている。
なお、スイッチ６４は、選択行に対して正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslの信号Ｖc1refをセレクトし、選択行に対して負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshの信号Ｖc2refをセレクトして、オペアンプ３３の非反転入力端（＋）に供給する。
また、コモン電極駆動回路１７０ｂにおけるＴＦＴ１７８についてｉ行目で説明すると、ｉ行目のＴＦＴ１７８は、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が給電線１６８に接続され、そのドレイン電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
【００５１】
第３実施形態によれば、選択行に対応するコモン電極１０８の電圧を一端側および他端側でそれぞれ検出し、一端側で検出した電圧が目標信号となるように制御した電圧を当該コモン電極の一端側から給電する一方、他端側で検出した電圧が目標信号となるように制御した電圧を当該コモン電極の他端側から給電する。このため、第３実施形態では、第１および第２実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生や、特に当該表示むら程度が左右で異なる現象を、さらに確実に抑えることが可能となる。
【００５２】
＜第１乃至第３実施形態の関連事項＞
なお、上述した実施形態では、画素容量１２０をノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、画素容量１２０は透過型に限られず、反射型であっても良いし、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
くわえて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、例えばＧを、ＹＧ（黄緑）およびＥＧ（エメラルドグリーン）に分けて、これらの４色の画素で１ドットを構成して、広色帯化を図った構成としても良い。
【００５３】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器について説明する。図１２は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
【００５４】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１２に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、フォトストレージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図４】同電気光学装置においてコモン電極への検出・給電経路を示す図である。
【図５】同電気光学装置においてコモン電極への検出・給電経路を示す図である。
【図６】同電気光学装置においてコモン電極への検出・給電経路を示す図である。
【図７】同電気光学装置における電圧波形を示す図である。
【図８】第１実施形態の応用・変形例に係る動作を示す図である。
【図９】第１実施形態の応用・変形例に係る構成を示す図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１２】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、３１〜３３…オペアンプ、１００…表示領域、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１４０…走査線駆動回路、１７０ａ、１７０ｂ…コモン電極駆動回路、１６１、１６２…給電線、１６７、１６９…給電線、１７１〜１７４、１７７〜１７９…ＴＦＴ、１２００…携帯電話
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置においてコモン電極の電圧を変化させる場合に、横方向に発生する表示むらを抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容量）が設けられる。この画素容量を交流駆動するときに、データ線の電圧振幅を抑えるためにコモン電極を走査線毎に個別化するとともに、走査線を選択するときに当該選択走査線に対応するコモン電極を書込極性に応じた２値電圧のいずれかとする技術が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３００９４８号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この技術では、コモン電極を走査線毎に個別化したことに伴って、横方向の表示むらが発生しやすい。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、コモン電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑制する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を、前記複数の画素の配列領域に対する一端側および他端側のうち、前記他端側で検出するとともに、当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側とさせる正極性が指定されたときに、当該検出した電圧が第１電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加し、当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側とさせる負極性が指定されたときに、当該検出した電圧が前記第１電圧よりも高位の第２電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加するコモン電極駆動回路と、当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、画素容量に電圧を書き込むために走査線が選択される期間において、当該走査線に対応するコモン電極における他端側で電圧を検出する一方、一端側から目標となる第１または第２電圧となるように制御するので、コモン電極の配線抵抗成分も考慮して、コモン電極の電圧を制御することができる。
【０００５】
本発明において、前記コモン電極駆動回路は、コモン信号供給回路を有し、前記コモン電極駆動回路は、前記複数のコモン電極の各々に対応して、第１トランジスタ、第２トランジスタおよび他端側検出トランジスタの組とを有し、一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、第２トランジスタおよび他端側検出トランジスタのうち、前記第１トランジスタは、そのソース電極が第１給電線に接続され、前記第２トランジスタは、そのソース電極が第２給電線に接続され、前記第１トランジスタのドレイン電極および前記第２トランジスタのドレイン電極が前記複配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、前記他端側検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の他端側に接続され、そのドレイン電極が検出線に接続され、当該一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応する画素に対し、前記正極性が指定されたときに前記第１トランジスタがオンし、前記負極性が指定されたときに前記第２トランジスタがオンし、前記コモン信号供給回路は、前記一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されるとき、前記検出線を介して検出された前記コモン電極の電圧が前記第１電圧をなるように制御した電圧を前記第１給電線に給電し、前記一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されるとき、前記検出線を介して検出された前記コモン電極の電圧が前記第２電圧をなるように制御した電圧を前記第２給電線に給電する構成としても良い。この構成によれば、第１および第２トランジスタのサイズを小さく済ませることができる。
さらに、この構成において、前記コモン電極駆動回路は、前記複数のコモン電極の各々に対応して、それぞれ一端側検出トランジスタを有し、一のコモン電極に対応する前記他端側検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、そのドレイン電極が前記検出線に接続される構成とすれば、一端側および他端側の両側からコモン電極の電圧を検出するので、ノイズ等の電圧変化を左右の平均値で補償することができる。
【０００６】
また、本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極を、当該一の走査線の選択終了後においても前記第１給電線に接続し、前記一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極を、当該一の走査線の選択終了後においても前記第２給電線に接続する構成としても良い。この構成では、非選択期間におけるコモン電極がハイ・インピーダンス状態となることによる表示むらを抑えることができる。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂ、データ線駆動回路１９０が配置するとともに、制御回路２０が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。
【０００９】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１行目から３２０行目までの走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、１列目から２４０列目までのデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように設けられている。そして、１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれコモン電極１０８がＸ方向に延在して設けられている。このため、本実施形態においては、１〜３２０行目のコモン電極１０８が１〜３２０行目の走査線１１２に対応してそれぞれ設けられることになる。
【００１０】
画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６は、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極が画素容量１２０の一端である画素電極１１８と蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ接続されている。また、画素容量１２０の他端および蓄積容量１３０の他端は、それぞれｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の電圧を示している。
【００１２】
特に図示しないが、本実施形態は、素子基板と対向基板との間に液晶を封入した構成であって、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである。詳細に言えば、素子基板には、コモン電極が帯状に形成されるとともに、絶縁層を介して櫛歯状の画素電極が形成され、これにより、画素電極１１８とコモン電極１０８との間には、誘電体たる液晶を介した構造によって一種の容量となり、この容量成分によって保持される電圧の実効値に応じて、液晶にかかる電界の大きさが基板面に沿った方向で変化する構成となっている。
本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロに近い値となるときに、光の透過率が最大の白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過率が徐々に減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードであるとする。
また、蓄積容量１３０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが絶縁層を介した積層構造によって生じる容量成分である。
なお、画素１１０については、その電気的な等価回路が図２で示されるような回路であれば、ＦＦＳモード以外の他のモードであっても良い。
【００１３】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするものである。
例えば、制御回路２０は、図３に示されるように、デューティ比５０％のクロック信号Ｃlyや、当該クロック信号Ｃlyの半周期に相当するパルスを１フレームの期間に最初にスタートパルスＤyとして出力する。
【００１４】
表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂ、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間において走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、…、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyを、図３に示されるようにクロック信号Ｃlyの論理レベルが変化する毎に順次シフトして、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０として出力する。
【００１５】
なお、ある行の走査線にとってみれば、その走査線に供給される走査信号がＨレベルとなるときが選択期間であり、これが当該行に対する水平走査期間（Ｈ）に相当し、また、走査信号がＬレベルとなる期間が非選択期間である。本実施形態において１フレームの期間には、走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０が順番にＨレベルとなる有効走査期間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。なお、走査信号においてＨレベルは選択電圧Ｖddに相当し、Ｌレベルは非選択電圧Ｖssに相当する。
【００１６】
制御回路２０が出力する制御信号等のうち、スタートパルスＤy、クロック信号Ｃly以外の信号について説明する。
まず、ラッチパルスＬpは、図３に示されるように、クロック信号Ｃlyの論理レベルが変化するタイミングで出力される。上述したように、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすることによって走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０を出力するので、ラッチパルスＬpの出力タイミングは、いずれかの走査信号がＨレベルとなるタイミング、すなわち水平走査期間の開始タイミングである、と考えて良い。
【００１７】
次に、極性指定信号Ｐolは、本実施形態では、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極性書込を指定する信号である。極性指定信号Ｐolは、図３に示されるように、ｎフレームにおいて奇数行目の走査線が選択される（すなわち、その走査信号がＨレベルとなる）水平走査期間においてＨレベルとなり、偶数行目の走査線が選択される水平走査期間においてＬレベルとなるので、画素への書込極性が走査線毎に反転する走査線反転（ライン反転）方式となる。
なお、極性指示信号Ｐolは、次の（ｎ＋１）フレームでは、各行の水平走査期間に着目していみると、ｎフレームと比較して論理レベルが逆転し、書込極性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態において、極性とは、画素容量１２０に階調に応じた電圧を保持させる際に、画素電極１１８の電位をコモン電極１０８の電位よりも高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合を負極性という。また、電圧については、特に説明のない限り、図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
【００１８】
なお、制御回路２０は、極性指定信号Ｐolを、信号線１６４を介してコモン電極駆動回路１７０ａに供給する。また、極性指定信号Ｐolは、ＮＯＴ回路５０によって論理レベルが反転されて信号／Ｐolとなり、信号線１６５を介してコモン電極駆動回路１７０ａに供給される。
ここで、極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）のＨ、Ｌレベルは、後述するＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極にＴＦＴ１７３、１７４を介して印加されたとき、それぞれＴＦＴ１７１、１７２をオン、オフさせる電圧である。このため、極性指定信号Ｐolは、書込極性を指定する信号であるとともに、その論理レベルのうち、Ｈレベルがオン電圧として、Ｌレベルがオフ電圧として機能することになる。
【００１９】
続いて、信号Ｖc1refは、図３に示されるように電圧Ｖslで一定であり、信号Ｖc2refは電圧Ｖshで一定である。ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｖss≦）Ｖsl＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関係にあり、電圧Ｖsl（第１電圧）よりも電圧Ｖsh（第２電圧）が相対的に高い電圧となっている。
【００２０】
コモン電極駆動回路１７０ａは、表示領域１００に対して一端側に設けられ、１〜３２０行目のコモン電極１０８の各々に対応したｎチャネル型のＴＦＴ１７１〜１７４の組から構成される。
ここで、ｉ行目のコモン電極１０８に対応するＴＦＴ１７１〜１７４について説明すると、当該ｉ行目のＴＦＴ１７１（第１トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目のＴＦＴ１７３のドレイン電極に接続され、そのソース電極が給電線１６１に接続されている。また、当該ｉ行目のＴＦＴ１７２（第２トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目のＴＦＴ１７４のドレイン電極に接続され、そのソース電極が給電線１６２に接続されている。
次に、ｉ行目のＴＦＴ１７３については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が信号線１６４に接続され、また、ｉ行目のＴＦＴ１７４については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が信号線１６５に接続されている。
【００２１】
一方、コモン電極駆動回路１７０ｂは、表示領域１００に対してコモン電極駆動回路１７０ａとは反対の他端側に設けられ、各行のコモン電極１０８に対応したＴＦＴ１７９（他端側検出トランジスタ）から構成される。
ｉ行目のコモン電極１０８に対応するＴＦＴ１７９について説明すると、当該ｉ行目のＴＦＴ１７９については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され、そのドレイン電極が検出線１６７に接続されている。なお、検出線１６７は、各行のＴＦＴ１７７のドレイン電極に対して共通接続されている。
【００２２】
オペアンプ３１は、その反転入力端（−）が検出線１６７に接続され、その非反転入力端（＋）には制御回路２０による信号Ｖc1refが目標信号として供給され、その出力端が給電線１６１に接続されている。なお、オペアンプ３１によって給電線１６１に供給される信号をＶc1としている。また、抵抗素子が、給電線１６１と検出線１６７との間に介挿されて、オペアンプ３１の出力の一部が反転入力端（−）に負帰還する構成となっている。
同様にオペアンプ３２については、その反転入力端（−）が検出線１６７に接続され、その非反転入力端（＋）には制御回路２０による信号Ｖc2refが目標信号として供給され、その出力端が給電線１６２に接続されている。なお、オペアンプ３２によって給電線１６２に供給される信号をＶc2としている。また、抵抗素子が、給電線１６２と検出線１６７との間に介挿されて、オペアンプ３２の出力の一部が反転入力端（−）に負帰還する構成となっている。
【００２３】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０によって選択される走査線に位置する画素１１０に対し、階調に応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Ｐolで指定された極性に応じた電圧のデータ信号をデータ線１１４介して供給するものである。詳細には、本実施形態はノーマリーホワイトモードとしているから、データ線駆動回路１９０は、データ信号を、正極性書込が指定されていれば、指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖslを基準として徐々に高くなる電圧とし、負極性書込が指定されていれば、指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖshを基準として徐々に低くなる電圧とする。
【００２４】
データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。
ここで、データ線駆動回路１９０は、選択走査線に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から１行分読み出すとともに、当該読み出した表示データＤaで指定された階調および指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する
動作を、選択走査線に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
なお、表示内容に変更が生じると、制御回路２０が変更後の表示データＤaを供給して、記憶領域の内容を書き換える。また、データ線駆動回路１９０は、ラッチパルスＬpを１フレームの期間の最初からカウントすることによって何行目の走査信号がＨレベルとなるのか、および、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって走査線の選択開始のタイミングを知る。
【００２５】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
ｎフレームにおいて、走査線駆動回路１４０は、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を順番に選択して、選択した走査線への走査信号をＨレベルとする。そこでまず、これらの各行のうち、代表してｉ行目および（ｉ＋１）行目の動作について図４乃至図６を参照して説明する。
ここでは、ｉを奇数とし、（ｉ＋１）を偶数とする。したがって、ｎフレームにおいては、奇数ｉ行目の画素に対して正極性書込が指定され、偶数（ｉ＋１）行目の画素に対して負極性書込が指定されることになる。
【００２６】
まず、ｉ行目が選択されて、走査信号ＹｉがＨレベルとなる。
コモン電極駆動回路１７０ａにおいて走査信号ＹｉがＨレベルになると、図４に示されるように、ｉ行目に対応するＴＦＴ１７３、１７４がそれぞれオンする。奇数行目が選択されるとき、極性指定信号ＰolはＨレベルであり、信号／ＰolはＬレベルであるので、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極にそれぞれオン電圧、オフ電圧が印加される。このため、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオン、オフする。
また、コモン電極駆動回路１７０ｂでは、走査信号ＹｉがＨレベルになると、同図に示されるように、ｉ行目に対応するＴＦＴ１７９がオンする。このため、ｉ行目のコモン電極１０８は、ＴＦＴ１７９のオン抵抗および検出線１６７を介して、オペアンプ３１の反転入力端（−）に負帰還される。
このため、走査信号ＹｉがＨレベルであるときに、ｉ行目のコモン電極１０８が信号Ｖc1refの電圧Ｖslとなるように負帰還制御される。
【００２７】
一方、走査信号ＹｉがＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、ｉ行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖslを基準に高位側とした正極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。
【００２８】
したがって、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間において、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
【００２９】
次に、ｉ行目の選択終了によって走査信号ＹｉがＬレベルになるとともに、（ｉ＋１）行目の選択開始によって走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになる。
走査信号ＹｉがＬレベルになると、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂにあっては、図５に示されるように、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４、１７９がオフする。
ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４のオフにより、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極は電気的にどの部分にも接続されない状態（ハイ・インピーダンス状態）になるものの、寄生容量によって直前に印加されたオン電圧、オフ電圧をそれぞれ保持しているので、当該ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２は、それぞれオン状態、オフ状態を維持する。このため、ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＬレベルとなっても、給電線１６１への接続が維持されるので、ハイ・インピーダンス状態とならず、電圧が確定した状態となる。
なお、給電線１６１に供給される信号Ｖc1の電圧は、負帰還制御によって電圧Ｖslから変動する可能性があるが、走査信号ＹｉがＬレベルになると、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするので、走査信号ＹｉがＨレベルのときにｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に対して書き込まれた電圧が変動することはない。
【００３０】
また、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０ａでは、図５に示されるように、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４がそれぞれオンする。
ただし、ｎフレームにおいて偶数行目が選択されるとき、極性指定信号ＰolはＬレベルであり、信号／ＰolはＨレベルであるので、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極には、ｉ行目とは逆にそれぞれオフ電圧、オン電圧が印加される。このため、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオフ、オンする。
さらに、コモン電極駆動回路１７０ｂでは、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、同図に示されるように、（ｉ＋１）行目に対応するＴＦＴ１７９がオンする。このため、ｉ行目のコモン電極１０８は、ＴＦＴ１７９のオン抵抗および検出線１６７を介して、オペアンプ３２の反転入力端（−）に負帰還される。
このため、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルであるときに、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、信号Ｖc2refの電圧Ｖshとなるように負帰還制御される。
【００３１】
一方、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、（ｉ＋１）行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖshを基準に低位側とした負極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。
【００３２】
したがって、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる水平走査期間において、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
【００３３】
そして、（ｉ＋１）行目の選択終了によって走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）がともにＬレベルになる。
走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂにあっては、図６に示されるように、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４、１７９もオフする。（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４のオフにより、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極はハイ・インピーダンス状態になるものの、寄生容量によって直前に印加されたオフ電圧、オン電圧を保持しているので、当該（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２は、それぞれオフ、オン状態を維持する。このため、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルとなっても、給電線１６２への接続が維持されるので、ハイ・インピーダンス状態とならず、電圧が確定した状態となる。
なお、給電線１６２に供給される信号Ｖc2の電圧は、負帰還制御によって電圧Ｖshから変動する可能性があるが、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするので、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルのときに（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に対して書き込まれた電圧が変動することはない。
なお、ｉ行目のコモン電極１０８については、同図に示されるように、引き続きｉ行目のＴＦＴ１７１のオン状態が継続して、給電線１６１への接続が維持される。
【００３４】
このようにｎフレームにおいて奇数ｉ行目が選択されたときに、ｉ行目のコモン電極１０８は、他端側で電圧が検出される一方、一端側で電圧Ｖslとなるように制御される。そして、当該ｉ行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれ、その後の非選択期間においても当該ｉ行目のコモン電極１０８の給電線１６１に対する接続が維持されて、上記並列容量に書き込まれた電圧が保持される。
一方、ｎフレームにおいて偶数（ｉ＋１）行目が選択されたときに、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、他端側で電圧が検出される一方、一端側で電圧Ｖshとなるように制御される。そして、当該（ｉ＋１）行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれ、その後の非選択期間においても当該（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の給電線１６２に対する接続が維持されて、上記並列容量に書き込まれた電圧が保持される。
なお、実際には、このような動作が１、２、３、４、…、３１９、３２０行目という順番で実行される。
【００３５】
次の（ｎ＋１）フレームでは、各走査線が選択される期間において極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）が論理反転した書き込み動作が実行される。
このため、（ｎ＋１）フレームにおいて奇数ｉ行目が選択されたときに、ｉ行目のコモン電極１０８は、他端側で電圧が検出される一方、一端側で電圧Ｖshとなるように制御された上で、当該ｉ行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれ、その後の非選択期間においても当該ｉ行目のコモン電極１０８の給電線１６２に対する接続が維持されて、上記並列容量に書き込まれた電圧が保持される。
一方、ｎフレームにおいて偶数（ｉ＋１）行目が選択されたときに、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、他端側で電圧が検出される一方、一端側で電圧Ｖslとなるように制御された上で、当該（ｉ＋１）行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれ、その後の非選択期間においても当該（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の給電線１６１に対する接続が維持されて、上記並列容量に書き込まれた電圧が保持される。
【００３６】
次に、このような電圧の書き込みについて図７を参照して説明する。図７は、ｉ行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i,j)と、（ｉ＋１）行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i+1,j)とを、それぞれ走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）との関係において示す図である。
【００３７】
ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslとなるように制御されて維持される。
一方、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｘｊは、正極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖslよりもｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧（図において↑で示される）となる。これにより、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖslとの差電圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書き込まれ、走査信号ＹｉがＬレベルとなって非択となっても、当該差電圧が保持されることになる。
【００３８】
次に、ｉ行目のコモン電極１０８は、次のフレームにおいて走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに負極性書込が指定されるので電圧Ｖshとなるように制御され、その後の非選択期間においても電圧Ｖshに維持される。
また、データ信号Ｘｊは、負極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖshよりもｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側の電圧（図において↓で示される）となる。これにより、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖshとの差電圧、すなわち、階調に応じた負極性電圧が書き込まれ、走査信号ＹｉがＬレベルとなって非選択となっても、当該差電圧が保持されることになる。
なお、図において、この差電圧の分がハッチングで示されている。
【００３９】
また、ｉ行目に対して正極性書込が指定されたとき、（ｉ＋１）行目に対し負極性書込が指定され、ｉ行目に対して負極性書込が指定されるとき、（ｉ＋１）行目に対し正極性書込が指定されるので、書込極性は走査線毎に反転することになる。
【００４０】
本実施形態によれば、正極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖslよりも階調に応じた電圧だけ高位側の電圧のデータ信号が供給される一方、負極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖshよりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧のデータ信号が供給されるので、データ信号の電圧振幅は、コモン電極１０８の電圧を一定とした場合と比較して狭くなる。このため、データ線駆動回路１９０の構成素子に要求される耐圧性が低く抑えられて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費される電力を抑えることも可能となる。
【００４１】
また、１〜３２０行目のコモン電極１０８の各々は、１〜２４０列のデータ線１１４とそれぞれ交差しているので、図２において破線で示されるような寄生容量を介して結合する。このため、データ線等が電圧変化すると、その変化に伴うノイズがコモン電極１０８に重畳される。
ノイズが重畳されたとき、選択された行のコモン電極が、各水平走査期間の終了時までに電圧Ｖsl、Ｖshに収束していないと、当該選択された行の画素容量に対して階調に応じた電圧を書き込むことができなくなるので、表示むらの原因となる。なお、この表示むらは、コモン電極を単位として発生するので、横方向に沿って現れる。
これに対して、本実施形態では、選択された行のコモン電極の電圧を検出して、電圧Ｖsl、Ｖshとなるように制御するので、ノイズ等が伝搬しても、その影響を少なく抑えることが可能となる。
【００４２】
一方、コモン電極１０８の各々は、少なからず配線抵抗を有するが、一端側から他端側までの全域にわたって１〜２４０列のデータ線１１４と交差しているために、信号Ｖc1、Ｖc2が供給される一端側と同じ側で電圧を検出しても、ノイズ等の影響を適切に反映した電圧を適切に検出することができない。
本実施形態では、当該コモン電極１０８の電圧検出ポイントを、信号Ｖc1、Ｖc2が供給される一端側とは表示領域１００に対して反対側である他端側とし、これにより、ノイズ等の影響を適切に反映した電圧を検出するとともに、検出した電圧が、信号Ｖc1refの電圧Ｖslまたは信号Ｖc2refの電圧Ｖshとなるように制御しているので、上述した横方向の表示むらの発生を抑えることができるのである。
なお、ノイズ等の影響を小さくするには、ＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗を小さくすれば良いが、大きなトランジスタサイズが要求されるので、周辺回路内蔵型では、表示領域１００の外側の、いわゆる額縁のスペースが広くなってしまうが、本実施形態では、ノイズ等の影響を小さくするために、ＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗を小さくしなくても良いので、額縁を狭くすることも可能である。
【００４３】
なお、本実施形態では、説明を簡略化しているが、選択行に対して正極性書込が指定されるとき、オペアンプ３２の非反転入力端（−）から検出線１６７を切り離すとともに、当該オペアンプ３２を、目標信号たる電圧Ｖshをバッファリングさせるボルテージフォロア回路として機能させる一方、選択行に対して負極性書込が指定されるとき、オペアンプ３１の非反転入力端（−）から検出線１６７を切り離すとともに、当該オペアンプ３１を、目標信号たる電圧Ｖslをバッファリングさせるボルテージフォロア回路として機能させて、非選択行に対するコモン電極１０８の電圧が負帰還制御によって変化しない構成としても良い。
【００４４】
＜第１実施形態の応用・変形＞
上述した第１実施形態では、次のような応用・変形が可能である。
第１実施形態では、走査線毎の極性反転とするために、極性指定信号Ｐolの論理レベルを水平走査期間毎に反転させたが、図８に示されるように、論理レベルを１フレームの期間にわたって保ち、フレーム毎に反転させて各画素の書込極性を揃えた面（フレーム）反転方式としても良い。
【００４５】
ここで、極性指定信号Ｐolの論理レベルを１フレームの期間にわたって保つとともに、フレーム毎に反転させる場合に、図９に示されるように、偶数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先と入れ替えることによって、第１実施形態と同様な走査線反転方式とすることもできる。
また、特に図示はしないが、ＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先ではなく、偶数行目におけるＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先と入れ替えることによっても、第１実施形態と同様な走査線反転方式とすることもできる。
【００４６】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１０は、第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図１０に示す構成が図１に示した第１実施形態と相違する部分は、コモン電極駆動回路１７０ａにおいて主に各行に対応してＴＦＴ１７７が設けられている点である。そこで、以下については、この相違点を中心に説明することにする。
【００４７】
各行のＴＦＴ１７７について、ｉ行目で代表して説明すると、ｉ行目のＴＦＴ１７７については、そのゲート電極がｉ行目の走査線に１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され、そのドレイン電極が検出線１６７に接続されている。
したがって、第２実施形態において、検出線１６７は、他端側のＴＦＴ１７９のドレイン電極にくわえて、一端側のＴＦＴ１７７のドレイン電極に対しても共通接続されることになる。
【００４８】
第２実施形態において、例えばｉ行目が選択されたときに、当該ｉ行目のコモン電極１０８は、一端側および他端側の両側で検出されるので、一端側で検出された電圧と他端側で検出された電圧との平均値がオペアンプ３１、３２の反転入力端（−）に供給される。このため、第２実施形態によれば、ノイズ等の影響が一端側と他端側とで平均化されて、その平均値が電圧Ｖslまたは電圧Ｖshとなるように制御するので、表示むらの発生をより抑えることが可能となる。
なお、第２実施形態においても、第１実施形態の応用・変形で述べたように、極性指定信号Ｐolの論理レベルを１フレームの期間にわたって保つとともに、フレーム毎に反転させて、面反転方式としても良いし、偶数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先と入れ替えて、走査線反転方式としても良い。
【００４９】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置について説明する。図１１は、第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
第２実施形態では、各行のコモン電極１０８の電圧を、一端側および他端側で検出して、信号Ｖc1、Ｖc2を一端側から供給する構成としたが、この図に示される第３実施形態では、各行のコモン電極１０８における電圧検出・電圧給電を、一端側と他端側とでそれぞれ独立して行う構成としたものである。
【００５０】
詳細には、コモン電極駆動回路１７０ｂにあっては各行に対応して、さらにＴＦＴ１７９に加えて、さらにＴＦＴ１７８が設けられている。また、他端側におけるＴＦＴ１７９のドレイン電極に供給された検出線１６９は、一端側におけるＴＦＴ１７７のドレイン電極に共通接続された検出線１６７とは独立している。
当該検出線１６９は、オペアンプ３３の反転入力端（−）に接続される一方、オペアンプ３３の出力端が他端側の給電線１６８に接続されるとともに、抵抗素子を介して反転入力端（−）に帰還されている。
なお、スイッチ６４は、選択行に対して正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslの信号Ｖc1refをセレクトし、選択行に対して負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshの信号Ｖc2refをセレクトして、オペアンプ３３の非反転入力端（＋）に供給する。
また、コモン電極駆動回路１７０ｂにおけるＴＦＴ１７８についてｉ行目で説明すると、ｉ行目のＴＦＴ１７８は、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が給電線１６８に接続され、そのドレイン電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
【００５１】
第３実施形態によれば、選択行に対応するコモン電極１０８の電圧を一端側および他端側でそれぞれ検出し、一端側で検出した電圧が目標信号となるように制御した電圧を当該コモン電極の一端側から給電する一方、他端側で検出した電圧が目標信号となるように制御した電圧を当該コモン電極の他端側から給電する。このため、第３実施形態では、第１および第２実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生や、特に当該表示むら程度が左右で異なる現象を、さらに確実に抑えることが可能となる。
【００５２】
＜第１乃至第３実施形態の関連事項＞
なお、上述した実施形態では、画素容量１２０をノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、画素容量１２０は透過型に限られず、反射型であっても良いし、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
くわえて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、例えばＧを、ＹＧ（黄緑）およびＥＧ（エメラルドグリーン）に分けて、これらの４色の画素で１ドットを構成して、広色帯化を図った構成としても良い。
【００５３】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器について説明する。図１２は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
【００５４】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１２に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、フォトストレージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図４】同電気光学装置においてコモン電極への検出・給電経路を示す図である。
【図５】同電気光学装置においてコモン電極への検出・給電経路を示す図である。
【図６】同電気光学装置においてコモン電極への検出・給電経路を示す図である。
【図７】同電気光学装置における電圧波形を示す図である。
【図８】第１実施形態の応用・変形例に係る動作を示す図である。
【図９】第１実施形態の応用・変形例に係る構成を示す図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１２】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、３１〜３３…オペアンプ、１００…表示領域、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１４０…走査線駆動回路、１７０ａ、１７０ｂ…コモン電極駆動回路、１６１、１６２…給電線、１６７、１６９…給電線、１７１〜１７４、１７７〜１７９…ＴＦＴ、１２００…携帯電話
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を、前記複数の画素の配列領域に対する一端側および他端側のうち、前記他端側で検出するとともに、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側とさせる正極性が指定されたときに、当該検出した電圧が第１電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加し、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側とさせる負極性が指定されたときに、当該検出した電圧が前記第１電圧よりも高位の第２電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加する
コモン電極駆動回路と、
当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
コモン信号供給回路を有し、
前記コモン電極駆動回路は、
前記複数のコモン電極の各々に対応して、第１トランジスタ、第２トランジスタおよび他端側検出トランジスタの組とを有し、
一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、第２トランジスタおよび他端側検出トランジスタのうち、
前記第１トランジスタは、そのソース電極が第１給電線に接続され、前記第２トランジスタは、そのソース電極が第２給電線に接続され、
前記第１トランジスタのドレイン電極および前記第２トランジスタのドレイン電極が前記複配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、
前記他端側検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の他端側に接続され、そのドレイン電極が検出線に接続され、
当該一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応する画素に対し、
前記正極性が指定されたときに前記第１トランジスタがオンし、
前記負極性が指定されたときに前記第２トランジスタがオンし、
前記コモン信号供給回路は、
前記一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されるとき、前記検出線を介して検出された前記コモン電極の電圧が前記第１電圧をなるように制御した電圧を前記第１給電線に給電し、
前記一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されるとき、前記検出線を介して検出された前記コモン電極の電圧が前記第２電圧をなるように制御した電圧を前記第２給電線に給電する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記コモン電極駆動回路は、
前記複数のコモン電極の各々に対応して、それぞれ一端側検出トランジスタを有し、
一のコモン電極に対応する前記他端側検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、そのドレイン電極が前記検出線に接続される
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記コモン電極駆動回路は、
前記一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極を、当該一の走査線の選択終了後においても前記第１給電線に接続し、
前記一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極を、当該一の走査線の選択終了後においても前記第２給電線に接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を、前記複数の画素の配列領域に対する一端側および他端側のうち、前記他端側で検出するとともに、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側とさせる正極性が指定されたときに、当該検出した電圧が第１電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加し、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側とさせる負極性が指定されたときに、当該検出した電圧が前記第１電圧よりも高位の第２電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加する
コモン電極駆動回路と、
当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を、前記複数の画素の配列領域に対する一端側および他端側のうち、前記他端側で検出するとともに、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側とさせる正極性が指定されたときに、当該検出した電圧が第１電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加し、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側とさせる負極性が指定されたときに、当該検出した電圧が前記第１電圧よりも高位の第２電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加する
コモン電極駆動回路と、
当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
コモン信号供給回路を有し、
前記コモン電極駆動回路は、
前記複数のコモン電極の各々に対応して、第１トランジスタ、第２トランジスタおよび他端側検出トランジスタの組とを有し、
一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、第２トランジスタおよび他端側検出トランジスタのうち、
前記第１トランジスタは、そのソース電極が第１給電線に接続され、前記第２トランジスタは、そのソース電極が第２給電線に接続され、
前記第１トランジスタのドレイン電極および前記第２トランジスタのドレイン電極が前記複配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、
前記他端側検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の他端側に接続され、そのドレイン電極が検出線に接続され、
当該一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応する画素に対し、
前記正極性が指定されたときに前記第１トランジスタがオンし、
前記負極性が指定されたときに前記第２トランジスタがオンし、
前記コモン信号供給回路は、
前記一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されるとき、前記検出線を介して検出された前記コモン電極の電圧が前記第１電圧をなるように制御した電圧を前記第１給電線に給電し、
前記一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されるとき、前記検出線を介して検出された前記コモン電極の電圧が前記第２電圧をなるように制御した電圧を前記第２給電線に給電する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記コモン電極駆動回路は、
前記複数のコモン電極の各々に対応して、それぞれ一端側検出トランジスタを有し、
一のコモン電極に対応する前記他端側検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、そのドレイン電極が前記検出線に接続される
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記コモン電極駆動回路は、
前記一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極を、当該一の走査線の選択終了後においても前記第１給電線に接続し、
前記一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極を、当該一の走査線の選択終了後においても前記第２給電線に接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を、前記複数の画素の配列領域に対する一端側および他端側のうち、前記他端側で検出するとともに、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側とさせる正極性が指定されたときに、当該検出した電圧が第１電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加し、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側とさせる負極性が指定されたときに、当該検出した電圧が前記第１電圧よりも高位の第２電圧となるように制御された電圧を前記一端側から印加する
コモン電極駆動回路と、
当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−２２３１７４（Ｐ２００９−２２３１７４Ａ）
【公開日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−６９６１７（Ｐ２００８−６９６１７）
【出願日】平成２０年３月１８日（２００８．３．１８）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月１８日（２００８．３．１８）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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