ICモジュール及びこのICモジュールを備えるICカード
【課題】複数のLSIを基板に重ね合わせて実装してもLSI実装部の厚さを薄くでき、ICカードの薄型化に対応できるようにする。
【解決手段】一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部C1〜C8を有し、他面側にデバイスホール7を有した基板2と、互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個がデバイスホール7内に収納されて実装され、コンタクト端子部C1〜C8に電気的に接続される複数のLSI3,4とを具備する。
【解決手段】一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部C1〜C8を有し、他面側にデバイスホール7を有した基板2と、互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個がデバイスホール7内に収納されて実装され、コンタクト端子部C1〜C8に電気的に接続される複数のLSI3,4とを具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板に複数個のLSIを重ね合わせた状態で実装するICモジュール及びこのICモジュールを備えるICカードに関する。
【背景技術】
【0002】
ICカードには複数のLSIを備え、接触方式、或いは非接触方式で外部とデータ通信できるようにしたものがある。
【0003】
複数のLSIは基板に実装されるが、その実装方法としては基板の平面方向に複数のLSIを並べる方法がある。
【0004】
しかしながら、LSIを平面方向へ並べる方法では、製品サイズが大きくなってしまう欠点がある。
【0005】
そこで、LSIを高さ方向に重ねてスタック実装することが考えられている(例えば、特許文献1、特許文献2参照。)。
【特許文献1】特開平11−338994号公報
【特許文献1】特開平11−288977号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、従来においては、単に、基板上に複数のLSIを積層していたため、LSI実装部の高さ寸法が大となり、ICカードの薄型化に対応できなくなるという問題があった。
【0007】
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的とするところは、複数のLSIを基板に重ね合わせて実装してもLSI実装部の厚さを薄くでき、ICカードの薄型化に対応できるようにしたICモジュール及びICカードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するため、請求項1記載の発明は、一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部を有し、他面側に凹部を有した基板と、互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個が前記凹部内に収納されて実装され、前記コンタクト端子部に電気的に接続される複数のLSIとを具備したことを特徴とする。
【0009】
請求項5記載の発明は、一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部を有し、他面側に凹部を有した基板と、互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個が前記凹部内に収納されて実装され、前記コンタクト端子部に電気的に接続される複数のLSIとを有して構成されるICモジュールと、このICモジュールを所定部位に埋設するカード基材とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、複数のLSIを基板に重ね合わせて実装してもLSI実装部の厚さを薄くでき、ICカードの薄型化に対応できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の一実施の形態であるICモジュール1をLSI側から示す平面図で、図2はそのLSIを透過して示す平面図、図3は図2中A−AA線に沿って示す断面図である。
【0012】
ICモジュール1は基板として厚さ100μmのガラスエポキシ基板2を備え、この基板2の下面側(一面側)には複数のコンタクト端子C1〜C8が配設されている。基板2の上面側(他面側)には厚さ120μmの第1及び第2のLSI3,4が重ね合わされた状態で実装されている。第1のLSI3はその外径寸法を大とし、第2のLSI4はその外形寸法を小としている。第1のLSI3の端子には高さ20μmの金製のバンプ12が突設され、第2のLSI4の端子には数μm厚の金製のバンプ(図示しない)が突設されている。第1のLSI3のバンプ12と第2のLSI4のバンプ(図示しない)とは熱と圧力とで接合されて電気的に接続されている。
【0013】
基板2の上面側には凹部としてのデバイスホール7が設けられ、第1及び第2のLSI3,4は第2のLSI4をデバイスホール7内に収納した状態で接着剤8によって基板2に接着されている。
【0014】
また、基板2の上面側には35μm厚の銅箔にニッケルメッキと金メッキを施してパターン10が形成され、上記したコンタクト端子C1〜C8も同様に構成されている。基板2にはスルーホール11が形成され、パターン10はスルーホール11を介してコンタクト端子C1〜C8に接続されている。
【0015】
第1のLSI3はそのバンプ12及びパターン10を介して図4にも示すようにコンタクト端子C1〜C3,C5,C7に接続されて接触式のICモジュールとして用いられ、第2のLSI4は、コンタクト端子C4,C6,C8を介して外部アンテナに接続されて非接触式のICモジュールとして用いられるようになっている。
【0016】
次に、上記したICモジュール1の製造方法について説明する。
【0017】
まず、図5に示すように第1のLSI3をそのバンプ12側を上向きにしてセットし、第2のLSI4を重ね合わせるエリアに異方性導電性接着剤14を塗布する。この塗布後、第2のLSI4をそのバンプ(図示しない)を下向きにして第1のLSI3に対向させてから下降させてそのバンプ(図示しない)を第1のLSI3のバンプ12に熱と圧力で接合して電気的に接続する。これにより、異方性導電性接着剤14が硬化されて図6に示すように第1及び第2のLSI3,4が一体化される。
【0018】
このように第1及び第2のLSI3,4を一体化させたのち、図7に示すように上下反転させて実装部へと搬送する。実装部には図8に示すように基板2がそのデバイスホール7を上向きにしてセットされ、デバイスホール7内には絶縁性の接着剤8が収容されている。このようにセットされる基板2のデバイスホール7に対し、第1及び第2のLSI3,4を図9に示すようにその第2のLSI4を下向きにして対向させる。このように対向させたのち、第1及び第2のLSI3,4を図示しない熱プレッシャヘッドにより下降させて第2のLSI4を図10に示すように基板2のデバイスホール7内に収納し、加熱、加圧する。これにより、第1のLSI3のバンプ12と基板のパターン10とが電気的に接続されるとともに、第1及び第2のLSI3,4と基板2とが接着剤8によって接着固定されてICモジュール1が構成されることになる。
【0019】
このように構成されたICモジュール1は、図11に示すようにカード基材19に埋設されてICカードKが構成される。
【0020】
上記したように、この実施の形態の形態によれば、基板2にデバイスホール7を形成し、このデバイスホール7内に第2のLSI4を嵌め込むため、その分、LSI実装部の厚さを薄くすることができ、ICカードKの薄型化に対応することが可能となる。
【0021】
図12及び図13は、本発明の第2の実施の形態を示すものである。
【0022】
なお、上記した第1の実施の形態で示した部分と同一部分については、同一番号を付してその詳細な説明は省略する。
【0023】
上記した第1の実施の形態では、第1のLSI3のバンプ12とコンタクト端子C1〜C8とをパターン10を介して電気的に接続したが、第2の実施の形態では、図12に示すように、基板2に外部コンタクト端子C1〜C8の一部が露出するように貫通穴21を設け、この貫通穴21に導電接着剤22を注入する。そして、重ね合わされた第1及び第2のLSI3,4をその第2のLSI4を下向きにして基板2のデバイスホール7に収納するとともに、第1のLSI3のバンプ12を貫通穴21内に挿入して加熱、加圧する。これにより、導電接着剤22が硬化されて第1のLSI3のバンプ12と外部コンタクト端子C1〜C8とが電気的に接続する。
【0024】
この第2の実施の形態によっても、上記した第1の実施の形態と同様に、LSI実装部の高さを低くすることができ、ICカードKの薄型化に対応することができる。
【0025】
なお、この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせても良い。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本発明の一実施の形態であるICモジュールを示す平面図。
【図2】図1のICモジュールのLSIを透過して示す図。
【図3】図2中のA−AA線に沿って示す断面図。
【図4】図1のLSIとコンタクト端子との接続状態を示す図。
【図5】図1のICモジュールの製造時において第1のLSI上に第2のLSIを重ね合わせようとする状態を示す図。
【図6】図5の第2のLSIが第1のLSI上に重ね合わされた状態を示す図。
【図7】図6の第1及び第2のLSIを上下反転させた状態を示す図。
【図8】図1のICモジュールの製造時において基板をそのデバイスホールを上向きにしてセットした状態を示す図。
【図9】図8の基板に第1及び第2のLSIを実装する状態を示す図。
【図10】図9の第1及び第2のLSIが基板に実装された状態を示す図。
【図11】図10のICモジュールが埋設されたICカードを示す図。
【図12】本発明の第2の実施の形態であるICモジュールの製造時において基板に第1及び第2のLSIを実装する状態を示す図。
【図13】図12の第1及び第2のLSIが基板に実装された状態を示す図。
【符号の説明】
【0027】
1…ICモジュール、C1〜C8…コンタクト端子部、7…デバイスホール(凹部)、2…基板、3…第1のLSI、4…第2のLSI、10…パターン、11…スルーホール
、12…バンプ、21…貫通穴、22…導電接着剤、19…カード基材、K…ICカード。
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板に複数個のLSIを重ね合わせた状態で実装するICモジュール及びこのICモジュールを備えるICカードに関する。
【背景技術】
【0002】
ICカードには複数のLSIを備え、接触方式、或いは非接触方式で外部とデータ通信できるようにしたものがある。
【0003】
複数のLSIは基板に実装されるが、その実装方法としては基板の平面方向に複数のLSIを並べる方法がある。
【0004】
しかしながら、LSIを平面方向へ並べる方法では、製品サイズが大きくなってしまう欠点がある。
【0005】
そこで、LSIを高さ方向に重ねてスタック実装することが考えられている(例えば、特許文献1、特許文献2参照。)。
【特許文献1】特開平11−338994号公報
【特許文献1】特開平11−288977号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、従来においては、単に、基板上に複数のLSIを積層していたため、LSI実装部の高さ寸法が大となり、ICカードの薄型化に対応できなくなるという問題があった。
【0007】
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的とするところは、複数のLSIを基板に重ね合わせて実装してもLSI実装部の厚さを薄くでき、ICカードの薄型化に対応できるようにしたICモジュール及びICカードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するため、請求項1記載の発明は、一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部を有し、他面側に凹部を有した基板と、互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個が前記凹部内に収納されて実装され、前記コンタクト端子部に電気的に接続される複数のLSIとを具備したことを特徴とする。
【0009】
請求項5記載の発明は、一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部を有し、他面側に凹部を有した基板と、互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個が前記凹部内に収納されて実装され、前記コンタクト端子部に電気的に接続される複数のLSIとを有して構成されるICモジュールと、このICモジュールを所定部位に埋設するカード基材とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、複数のLSIを基板に重ね合わせて実装してもLSI実装部の厚さを薄くでき、ICカードの薄型化に対応できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の一実施の形態であるICモジュール1をLSI側から示す平面図で、図2はそのLSIを透過して示す平面図、図3は図2中A−AA線に沿って示す断面図である。
【0012】
ICモジュール1は基板として厚さ100μmのガラスエポキシ基板2を備え、この基板2の下面側(一面側)には複数のコンタクト端子C1〜C8が配設されている。基板2の上面側(他面側)には厚さ120μmの第1及び第2のLSI3,4が重ね合わされた状態で実装されている。第1のLSI3はその外径寸法を大とし、第2のLSI4はその外形寸法を小としている。第1のLSI3の端子には高さ20μmの金製のバンプ12が突設され、第2のLSI4の端子には数μm厚の金製のバンプ(図示しない)が突設されている。第1のLSI3のバンプ12と第2のLSI4のバンプ(図示しない)とは熱と圧力とで接合されて電気的に接続されている。
【0013】
基板2の上面側には凹部としてのデバイスホール7が設けられ、第1及び第2のLSI3,4は第2のLSI4をデバイスホール7内に収納した状態で接着剤8によって基板2に接着されている。
【0014】
また、基板2の上面側には35μm厚の銅箔にニッケルメッキと金メッキを施してパターン10が形成され、上記したコンタクト端子C1〜C8も同様に構成されている。基板2にはスルーホール11が形成され、パターン10はスルーホール11を介してコンタクト端子C1〜C8に接続されている。
【0015】
第1のLSI3はそのバンプ12及びパターン10を介して図4にも示すようにコンタクト端子C1〜C3,C5,C7に接続されて接触式のICモジュールとして用いられ、第2のLSI4は、コンタクト端子C4,C6,C8を介して外部アンテナに接続されて非接触式のICモジュールとして用いられるようになっている。
【0016】
次に、上記したICモジュール1の製造方法について説明する。
【0017】
まず、図5に示すように第1のLSI3をそのバンプ12側を上向きにしてセットし、第2のLSI4を重ね合わせるエリアに異方性導電性接着剤14を塗布する。この塗布後、第2のLSI4をそのバンプ(図示しない)を下向きにして第1のLSI3に対向させてから下降させてそのバンプ(図示しない)を第1のLSI3のバンプ12に熱と圧力で接合して電気的に接続する。これにより、異方性導電性接着剤14が硬化されて図6に示すように第1及び第2のLSI3,4が一体化される。
【0018】
このように第1及び第2のLSI3,4を一体化させたのち、図7に示すように上下反転させて実装部へと搬送する。実装部には図8に示すように基板2がそのデバイスホール7を上向きにしてセットされ、デバイスホール7内には絶縁性の接着剤8が収容されている。このようにセットされる基板2のデバイスホール7に対し、第1及び第2のLSI3,4を図9に示すようにその第2のLSI4を下向きにして対向させる。このように対向させたのち、第1及び第2のLSI3,4を図示しない熱プレッシャヘッドにより下降させて第2のLSI4を図10に示すように基板2のデバイスホール7内に収納し、加熱、加圧する。これにより、第1のLSI3のバンプ12と基板のパターン10とが電気的に接続されるとともに、第1及び第2のLSI3,4と基板2とが接着剤8によって接着固定されてICモジュール1が構成されることになる。
【0019】
このように構成されたICモジュール1は、図11に示すようにカード基材19に埋設されてICカードKが構成される。
【0020】
上記したように、この実施の形態の形態によれば、基板2にデバイスホール7を形成し、このデバイスホール7内に第2のLSI4を嵌め込むため、その分、LSI実装部の厚さを薄くすることができ、ICカードKの薄型化に対応することが可能となる。
【0021】
図12及び図13は、本発明の第2の実施の形態を示すものである。
【0022】
なお、上記した第1の実施の形態で示した部分と同一部分については、同一番号を付してその詳細な説明は省略する。
【0023】
上記した第1の実施の形態では、第1のLSI3のバンプ12とコンタクト端子C1〜C8とをパターン10を介して電気的に接続したが、第2の実施の形態では、図12に示すように、基板2に外部コンタクト端子C1〜C8の一部が露出するように貫通穴21を設け、この貫通穴21に導電接着剤22を注入する。そして、重ね合わされた第1及び第2のLSI3,4をその第2のLSI4を下向きにして基板2のデバイスホール7に収納するとともに、第1のLSI3のバンプ12を貫通穴21内に挿入して加熱、加圧する。これにより、導電接着剤22が硬化されて第1のLSI3のバンプ12と外部コンタクト端子C1〜C8とが電気的に接続する。
【0024】
この第2の実施の形態によっても、上記した第1の実施の形態と同様に、LSI実装部の高さを低くすることができ、ICカードKの薄型化に対応することができる。
【0025】
なお、この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせても良い。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本発明の一実施の形態であるICモジュールを示す平面図。
【図2】図1のICモジュールのLSIを透過して示す図。
【図3】図2中のA−AA線に沿って示す断面図。
【図4】図1のLSIとコンタクト端子との接続状態を示す図。
【図5】図1のICモジュールの製造時において第1のLSI上に第2のLSIを重ね合わせようとする状態を示す図。
【図6】図5の第2のLSIが第1のLSI上に重ね合わされた状態を示す図。
【図7】図6の第1及び第2のLSIを上下反転させた状態を示す図。
【図8】図1のICモジュールの製造時において基板をそのデバイスホールを上向きにしてセットした状態を示す図。
【図9】図8の基板に第1及び第2のLSIを実装する状態を示す図。
【図10】図9の第1及び第2のLSIが基板に実装された状態を示す図。
【図11】図10のICモジュールが埋設されたICカードを示す図。
【図12】本発明の第2の実施の形態であるICモジュールの製造時において基板に第1及び第2のLSIを実装する状態を示す図。
【図13】図12の第1及び第2のLSIが基板に実装された状態を示す図。
【符号の説明】
【0027】
1…ICモジュール、C1〜C8…コンタクト端子部、7…デバイスホール(凹部)、2…基板、3…第1のLSI、4…第2のLSI、10…パターン、11…スルーホール
、12…バンプ、21…貫通穴、22…導電接着剤、19…カード基材、K…ICカード。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部を有し、他面側に凹部を有した基板と、
互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個が前記凹部内に収納されて実装され、前記コンタクト端子部に電気的に接続される複数のLSIと
を具備したことを特徴とするICモジュール。
【請求項2】
前記複数のLSIは、外形寸法を大とする第1のLSIと、外形寸法を小とする第2のLSIで、これら第1及び第2のLSIを互いのバンプを介して電気的に接続して前記第2のLSIを前記基板の凹部内に収納することを特徴とする請求項1記載のICモジュール。
【請求項3】
前記基板の他面側にパターンを形成し、
前記パターンを前記基板に穿設されたスルーホールを介して前記コンタクト端子部に電気的に接続し、
前記第1のLSIのバンプを前記パターンに接続したことを特徴とする請求項2記載のICモジュール。
【請求項4】
前記基板に前記コンタクト端子部を露出させる貫通穴を設け、
この貫通穴に導電接着剤を充填し、
前記第1のLSIのバンプを前記導電接着剤を介して前記コンタクト端子部に電気的に接続したことを特徴とする請求項2記載のICモジュール。
【請求項5】
一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部を有し、他面側に凹部を有した基板と、互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個が前記凹部内に収納されて実装され、前記コンタクト端子部に電気的に接続される複数のLSIとを有して構成されるICモジュールと、
このICモジュールを所定部位に埋設するカード基材と
を具備することを特徴とするICカード。
【請求項1】
一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部を有し、他面側に凹部を有した基板と、
互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個が前記凹部内に収納されて実装され、前記コンタクト端子部に電気的に接続される複数のLSIと
を具備したことを特徴とするICモジュール。
【請求項2】
前記複数のLSIは、外形寸法を大とする第1のLSIと、外形寸法を小とする第2のLSIで、これら第1及び第2のLSIを互いのバンプを介して電気的に接続して前記第2のLSIを前記基板の凹部内に収納することを特徴とする請求項1記載のICモジュール。
【請求項3】
前記基板の他面側にパターンを形成し、
前記パターンを前記基板に穿設されたスルーホールを介して前記コンタクト端子部に電気的に接続し、
前記第1のLSIのバンプを前記パターンに接続したことを特徴とする請求項2記載のICモジュール。
【請求項4】
前記基板に前記コンタクト端子部を露出させる貫通穴を設け、
この貫通穴に導電接着剤を充填し、
前記第1のLSIのバンプを前記導電接着剤を介して前記コンタクト端子部に電気的に接続したことを特徴とする請求項2記載のICモジュール。
【請求項5】
一面側に外部とのデータ通信に使用する複数のコンタクト端子部を有し、他面側に凹部を有した基板と、互いに重ね合わされた状態で、少なくとも重ね方向一端側の一個が前記凹部内に収納されて実装され、前記コンタクト端子部に電気的に接続される複数のLSIとを有して構成されるICモジュールと、
このICモジュールを所定部位に埋設するカード基材と
を具備することを特徴とするICカード。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【公開番号】特開2010−170203(P2010−170203A)
【公開日】平成22年8月5日(2010.8.5)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−10047(P2009−10047)
【出願日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年8月5日(2010.8.5)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
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