SiC半導体素子の製造方法
【課題】薄板化に伴うSiC基板の反りを修正するSiC半導体素子の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板1を準備する工程と、(b)SiC基板1の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基板1の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、SiC基板内部に形成する工程とを備える。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板1を準備する工程と、(b)SiC基板1の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基板1の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、SiC基板内部に形成する工程とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、SiC半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
炭化珪素(SiC)は珪素(シリコン:Si)に比べてバンドギャップが大きく、Si半導体よりも高い耐電圧と高い使用温度を有する半導体装置を製作することが可能である。また、半導体自体の抵抗値もSi半導体と比べて小さいことから、半導体動作における接続時の抵抗値(オン抵抗値)の低抵抗化による低損失化が期待されている。
【0003】
しかし、SiC半導体でも更なる低損失化が求められている。ショットキーバリアダイオードの場合、オン抵抗はショットキー電極の接合抵抗、ショットキーバリア界面の抵抗、SiCエピタキシャル層内の導通抵抗、SiC基板の導通抵抗、オーミック電極とSiC基板の界面接合抵抗、および電極自体の抵抗からなる。このうち比較的大きな値をとるのが、SiC基板の抵抗値である。SiC基板の抵抗は、基板に対するn型不純物のドープ量で決まる値である。通常は窒素がドープされるが、抵抗値を下げるために標準値以上の高濃度にすると、結晶性が低下して、ショットキーバリアダイオードの特性が低下するため、それほど高濃度にすることは出来ない。そこで、基板結晶を薄板化することが検討されている。
【0004】
例えば特許文献1では、SiC基板を研削して厚さを250μmあるいは200μm以下とすることによって、縦型方向の基板結晶の抵抗成分を減らし、動作時のオン抵抗を大きく低減する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2004−22878号公報
【特許文献2】特許第4148105号公報
【特許文献3】特開平7−94408号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところが、特許文献1に示されているように基板を研削して薄板化を図れば、基板に残留する加工歪の影響によって基板に反りが発生してしまう。SiC結晶はSi結晶と異なり高脆性材料であるため、基板を薄くしても硬さを保ったまま、基板表面の歪に応じて球面上に反りが発生する。そのため、その後の写真製版工程において露光不能を招いたり、反りを無理に修正しようとしても力を加えると、容易に基板結晶に割れが生じるために基板の扱いが非常に困難になるという問題がある。なお、基板の反り解消を図る技術として、特許文献2(反りを発生させる加工変質層の少なくとも一部を除去)、特許文献3(格子不整合による反りをイオン打ち込みによって解消)がある。
【0007】
そこで、本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正するSiC半導体素子の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板を準備する工程と、(b)SiC基板の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基板の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、SiC基板内部に形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【0009】
本発明の半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板を準備する工程と、(b)SiC基板の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基板の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、SiC基板内部に形成する工程とを備える。これにより、SiC基板を薄板化してON抵抗を低減しつつ、SiC基板の反りを修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの構造を示す断面模式図である。
【図2】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図3】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図4】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図5】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図6】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図7】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図8】加工変質層による反りが生じたSiC基板の断面図である。
【図9】内部応力層により反りを修正したSiC基板の断面図である。
【図10】内部応力層とダイシングラインを示すウエハ平面図である。
【図11】内部応力層と素子分離用内部応力層を形成したSiC基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
(実施の形態1)
<構成>
図1は、本発明の実施の形態1におけるSiCショットキーバリアダイオードの構成を示す断面図である。
【0012】
図1において、SiCショットキーバリアダイオードは、n型の4H−SiC基板10及びSiC基板10の第1主面上(表面側)に形成されたn型のSiCエピタキシャル層20からなるSiC基体11と、SiCエピタキシャル層20の表面側の所定幅だけ離間した部位に形成されたp型のイオン注入領域30と、SiCエピタキシャル層20の表面側に、端部がイオン注入領域30に重なるように形成されたショットキー電極40と、SiC基板10の第2主面上(裏面側)に形成されたオーミック電極50とを備えている。
【0013】
SiC基板10の第1主面は、(0001)シリコン面から8°オフしている。p型イオン注入領域30はアルミニウム(Al)をp型不純物として含有する。
【0014】
<製造方法>
図2〜図7を用いて、実施の形態1におけるSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す。図2〜図7は、SiCショットキーバリアダイオードの各製造工程における断面模式図である。
【0015】
初めに、SiC基体11を形成する。まず、n型のSiC基板10を準備し、SiC基板10上にドーピング濃度5×1015/cm3、膜厚10μmのSiCエピタキシャル層20を成長させる。そして、SiCエピタキシャル層20上に、犠牲酸化により酸化膜21を形成する(図2)。
【0016】
次に、p型終端構造を形成する。酸化膜21上にイオン注入マスク100を形成し、このイオン注入マスク100上からAlを選択的にイオン注入し、イオン注入領域30を形成する(図3)。例えばイオン注入条件は、注入量が5×1017/cm3、注入深さが0.8μmとなるようにAlイオンを室温で注入角度0°、40〜700keVのエネルギーで注入する。次に、イオン注入マスク100及び酸化膜21を除去した後、注入したAlイオンを活性化させるためにアルゴン雰囲気中で1700℃、30分間の熱処理を行う。この熱処理工程によりp型終端構造が形成されるが、膜質劣化層60および高さ30nm以上のバンチングステップによる凹凸が発生する(図4)。
【0017】
次に、膜質劣化層60を除去し凹凸を平坦化するために、表面の研磨を行う(図5)。例えば、粒径100nmのダイアモンドスラリーを用いて加重700gで10分間研磨すると、表面は約100nm研磨され、膜質劣化層60は除去され(図6)、凹凸は平坦化されるが、同時に研磨による傷も発生する。
【0018】
次に、研磨によって発生した傷を除去するために、SiC基体11の表面にドライエッチング処理を行う(図7)。以下では、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)を用いて除去する例を説明する。例えば、CF4:O2=4:1の混合ガスを用い、13Paの真空度、DCバイアス電界3×105V/cmの条件で5分間エッチングを行う。このRIEにより表面は約100nmエッチングされ、研磨による傷は消滅し、平坦な表面形状が得られる。なお、RIEの代わりに等方性のプラズマエッチングを行っても良い。
【0019】
この後、後述するSiC基板10の薄板化と内部応力層の形成を行った後、SiC基体11に硫酸過水、アンモニア過水、フッ酸の順でウェット処理を行う。ウェット処理後、SiC基体11の表面に例えばチタンによるショットキー電極40、SiC基体11の裏面にオーミック電極50を形成する。
【0020】
以上の工程により、SiC基体11の表面の凹凸を平坦化し、かつ傷のないSiCショットキーバリアダイオードを得ることが出来る。
【0021】
<薄板化と内部応力層の形成>
研磨による傷をRIE等で除去(図7)した後、SiC基板10の薄板化を行う。まず、SiC基体11の素子活性領域が形成された表面デバイス側をレジストなどで保護した上でテープやサファイア基板の平坦面に貼り付け、SiC基板10の底面を研削し、厚みを減少させる。
【0022】
SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度を有しているため研削は困難であるが、通常はダイヤモンド砥石を用いた平面研削盤で研削が行われる。まず、数100番程度の粗い番手の砥石でほぼ所要の厚さまで研削し、更に表面の粗さを細かくするために、数1000番の番手の仕上げ砥石で表面を鏡面に仕上げる。このように表面を鏡面に仕上げるのは、基板結晶において対向する2面の表面粗さが異なると、粗い面を凸面として大きく反りが発生するトワイマン効果が生じるためである。
【0023】
SiC基板10を薄板化することによってオン抵抗は小さくなるが、研削面を鏡面に研削し研磨仕上げを行っても、トワイマン効果以外の効果によって反りが発生する。それが、研削による加工変質層(加工歪層)効果である。図8に示すように、SiC基板10の研削面が加工変質層2となり、加工変質層2の面を凸面として反りが発生する。図8では、SiC基板10とSiCエピタキシャル層20を合わせてSiC基体11として示している。通常、パワーデバイス用素子として使用される厚さ380μmの4H−SiC基板結晶を200μmまで薄板化させた場合、薄板化後にそのままの状態で基板をフリーにすると、研削面が加工変質層2となり、この面を凸面として50μm以上反った状態になる。
【0024】
SiC基体11に生じた加工変質層2は、RIEや酸によるエッチングによって除去することが可能であるものの、最表面層に極薄の酸化層や表面あれが生じてしまい、そのままでは接触抵抗が増加するおそれがある。そこで、本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法では、加工変質層2を除去するのではなく、図9に示すように、SiC基体11の内部に、加工変質層2による反りとは反対方向の膨張応力を発生するアモルファス領域(内部応力層3)を形成することにより、加工変質層2による応力を相殺しSiC基板1を平坦化して、薄板化加工以降の加工プロセスを有効に働かせることとした。
【0025】
内部応力層3は、SiC基体11を透過するレーザ光線を内部応力層3を発生させる部分に集光させて形成する。結晶内部に光を集光させるためには、結晶自体がレーザ光に対して透明である必要がある。透明であると光が透過するだけであるが、強度がある値を超えると、多光子吸収が起こって光吸収が発生し、集光部に熱が発生して結晶格子がアモルファス化した、内部応力層3が発生する。この部分は結晶格子が乱れるため膨張するが、周囲の結晶はそのままであるため、膨張応力として結晶内部に閉じ込められた状態で残存する。勿論、このような応力は点状態で発生するが、内部応力層3を多数分布させることによって、面全体に応力が発生する。SiC基体11内部における内部応力層3の3次元的な位置及び分布を調節することによって、SiC基体11の反りをコントロールすることができ、加工変質層2による応力を相殺することができる。
【0026】
すなわち、本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基体11(SiC基板)を準備する工程と、(b)SiC基体11の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基体11の表面を平坦面に固定したまま、研削による反りを相殺する応力を付与する内部応力層3を、SiC基体11内部に形成する工程とを備える。これにより、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することができる。
【0027】
SiCは不純物がない状態では、紫外線領域から赤外線領域の5000nm程度の波長まで光を透過する。SiC基体11はn型で導電率を高めるために窒素がドープされているが、この状態では1000nmよりも長波長域の赤外光は透過しない。また、可視光領域にも460nmをピークとして大きな光吸収を行うので、改質のためのレーザ光の透過域は500nmから1000nmが適当である。
【0028】
なお、SiC基体11が反った状態でレーザ照射を行っては焦点深さが変動するため、研削後の平坦な状態で行うことが必要である。そのために、SiC基体11の表面デバイス側をサファイアなどの基板に貼り付けて研削した後、同じ真空吸着状態で平面度を保ったまま、レーザ照射を行って内部応力層3を形成する。
【0029】
例えば、YAGレーザを用いてレーザ照射を行う。2倍波(2ω)波長532nm、周波数を30kHz、パルス幅を40ns、照射点でのパルスエネルギー密度を約10GW/cm2として、研削面(加工変質層2)から150μm内部に、200μm間隔のドットで表面と平行な直線状に内部応力層3を形成する。形成位置の深さ調節は、表面に焦点を合わせた後、屈折率から計算した深さに焦点位置をずらすことによって行う。レーザの入射面の表面状態は、平面度が1μm以内、Raが1nm以下であることが望ましい。これは、表面でレーザ光が散乱してパワーが変動することを防ぐためである。内部応力層3のドットラインを後工程で素子を分離するためのダイシングライン4(図10)に沿って形成すると、分離後の素子には内部応力層3が残存せず、素子特性に影響を及ぼさない。なお、内部応力層3は、パルス波のレーザ光によって深さ方向に1点のみの分布で形成されるため、最終の分離工程までは割れを生じさせない。
【0030】
このようにして内部応力層3によって反りが修正されたSiC基体11の裏面にオーミック電極50を形成後、チップ分割を行う。レーザダイシングの場合はフォトリソグラフィでエッチングマスクを形成し、チップ分割部分のオーミック電極50を除去する。ウエハで各チップの特性検査を行った後、チップ分割を行う。
【0031】
さらに、レーザダイシングの場合は、より確実にダイシングライン4で割れが発生するように、図11に示すように、SiC基体11内部のなるべく表面に近い側に、ダイシングライン4に沿って縦方向に複数レーザを照射し、内部応力層3とは別の素子分離用内部応力層5を形成する。そして、素子分離用内部応力層5が起点となってチップ分離がなされる。もちろん、レーザダイシングだけでなく、砥石によるダイシングブレードを用いたダイシングにより素子分離を行っても良い。
【0032】
<効果>
本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法は、(a)表面側にイオン注入領域30(素子活性領域)が形成されたSiC基体11(SiC基板)を準備する工程と、(b)SiC基体11の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基体11の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基体11の反りを相殺する応力を付与する内部応力層3を、SiC基体11内部に形成する工程とを備える。これにより、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することが出来る。
【0033】
また、前記工程(c)では、レーザ照射によって内部応力層3を形成する。レーザ照射を用いて内部応力層3を形成することにより、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することが出来る。
【0034】
さらに、前記工程(c)では、内部応力層3としてアモルファス層を形成する。アモルファス層の膨張が、研削によるSiC基体11の反りを相殺する応力となり、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することが出来る。
【0035】
また、前記工程(c)では、内部応力層3をチップのダイシングライン4に沿って形成することにより、分離後の素子には内部応力層3が残存せず、素子特性に影響を及ぼさない。
【0036】
また、(d)ダイシングライン4に沿ってSiC基体11の表面側に素子分離用内部応力層5(別の内部応力層)を形成する工程をさらに備えるため、この素子分離用内部応力層5を起点としてチップ分離を行う事ができる。
【符号の説明】
【0037】
2 加工変質層、3 内部応力層、4 ダイシングライン、5 素子分離用内部応力層、10 SiC基板、11 SiC基体、20 SiCエピタキシャル層、21 酸化膜、30 イオン注入領域、40 ショットキー電極、50 オーミック電極、60 膜質劣化層、100 イオン注入マスク。
【技術分野】
【0001】
この発明は、SiC半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
炭化珪素(SiC)は珪素(シリコン:Si)に比べてバンドギャップが大きく、Si半導体よりも高い耐電圧と高い使用温度を有する半導体装置を製作することが可能である。また、半導体自体の抵抗値もSi半導体と比べて小さいことから、半導体動作における接続時の抵抗値(オン抵抗値)の低抵抗化による低損失化が期待されている。
【0003】
しかし、SiC半導体でも更なる低損失化が求められている。ショットキーバリアダイオードの場合、オン抵抗はショットキー電極の接合抵抗、ショットキーバリア界面の抵抗、SiCエピタキシャル層内の導通抵抗、SiC基板の導通抵抗、オーミック電極とSiC基板の界面接合抵抗、および電極自体の抵抗からなる。このうち比較的大きな値をとるのが、SiC基板の抵抗値である。SiC基板の抵抗は、基板に対するn型不純物のドープ量で決まる値である。通常は窒素がドープされるが、抵抗値を下げるために標準値以上の高濃度にすると、結晶性が低下して、ショットキーバリアダイオードの特性が低下するため、それほど高濃度にすることは出来ない。そこで、基板結晶を薄板化することが検討されている。
【0004】
例えば特許文献1では、SiC基板を研削して厚さを250μmあるいは200μm以下とすることによって、縦型方向の基板結晶の抵抗成分を減らし、動作時のオン抵抗を大きく低減する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2004−22878号公報
【特許文献2】特許第4148105号公報
【特許文献3】特開平7−94408号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところが、特許文献1に示されているように基板を研削して薄板化を図れば、基板に残留する加工歪の影響によって基板に反りが発生してしまう。SiC結晶はSi結晶と異なり高脆性材料であるため、基板を薄くしても硬さを保ったまま、基板表面の歪に応じて球面上に反りが発生する。そのため、その後の写真製版工程において露光不能を招いたり、反りを無理に修正しようとしても力を加えると、容易に基板結晶に割れが生じるために基板の扱いが非常に困難になるという問題がある。なお、基板の反り解消を図る技術として、特許文献2(反りを発生させる加工変質層の少なくとも一部を除去)、特許文献3(格子不整合による反りをイオン打ち込みによって解消)がある。
【0007】
そこで、本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正するSiC半導体素子の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板を準備する工程と、(b)SiC基板の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基板の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、SiC基板内部に形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【0009】
本発明の半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板を準備する工程と、(b)SiC基板の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基板の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、SiC基板内部に形成する工程とを備える。これにより、SiC基板を薄板化してON抵抗を低減しつつ、SiC基板の反りを修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの構造を示す断面模式図である。
【図2】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図3】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図4】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図5】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図6】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図7】実施の形態1のSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す断面模式図である。
【図8】加工変質層による反りが生じたSiC基板の断面図である。
【図9】内部応力層により反りを修正したSiC基板の断面図である。
【図10】内部応力層とダイシングラインを示すウエハ平面図である。
【図11】内部応力層と素子分離用内部応力層を形成したSiC基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
(実施の形態1)
<構成>
図1は、本発明の実施の形態1におけるSiCショットキーバリアダイオードの構成を示す断面図である。
【0012】
図1において、SiCショットキーバリアダイオードは、n型の4H−SiC基板10及びSiC基板10の第1主面上(表面側)に形成されたn型のSiCエピタキシャル層20からなるSiC基体11と、SiCエピタキシャル層20の表面側の所定幅だけ離間した部位に形成されたp型のイオン注入領域30と、SiCエピタキシャル層20の表面側に、端部がイオン注入領域30に重なるように形成されたショットキー電極40と、SiC基板10の第2主面上(裏面側)に形成されたオーミック電極50とを備えている。
【0013】
SiC基板10の第1主面は、(0001)シリコン面から8°オフしている。p型イオン注入領域30はアルミニウム(Al)をp型不純物として含有する。
【0014】
<製造方法>
図2〜図7を用いて、実施の形態1におけるSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す。図2〜図7は、SiCショットキーバリアダイオードの各製造工程における断面模式図である。
【0015】
初めに、SiC基体11を形成する。まず、n型のSiC基板10を準備し、SiC基板10上にドーピング濃度5×1015/cm3、膜厚10μmのSiCエピタキシャル層20を成長させる。そして、SiCエピタキシャル層20上に、犠牲酸化により酸化膜21を形成する(図2)。
【0016】
次に、p型終端構造を形成する。酸化膜21上にイオン注入マスク100を形成し、このイオン注入マスク100上からAlを選択的にイオン注入し、イオン注入領域30を形成する(図3)。例えばイオン注入条件は、注入量が5×1017/cm3、注入深さが0.8μmとなるようにAlイオンを室温で注入角度0°、40〜700keVのエネルギーで注入する。次に、イオン注入マスク100及び酸化膜21を除去した後、注入したAlイオンを活性化させるためにアルゴン雰囲気中で1700℃、30分間の熱処理を行う。この熱処理工程によりp型終端構造が形成されるが、膜質劣化層60および高さ30nm以上のバンチングステップによる凹凸が発生する(図4)。
【0017】
次に、膜質劣化層60を除去し凹凸を平坦化するために、表面の研磨を行う(図5)。例えば、粒径100nmのダイアモンドスラリーを用いて加重700gで10分間研磨すると、表面は約100nm研磨され、膜質劣化層60は除去され(図6)、凹凸は平坦化されるが、同時に研磨による傷も発生する。
【0018】
次に、研磨によって発生した傷を除去するために、SiC基体11の表面にドライエッチング処理を行う(図7)。以下では、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)を用いて除去する例を説明する。例えば、CF4:O2=4:1の混合ガスを用い、13Paの真空度、DCバイアス電界3×105V/cmの条件で5分間エッチングを行う。このRIEにより表面は約100nmエッチングされ、研磨による傷は消滅し、平坦な表面形状が得られる。なお、RIEの代わりに等方性のプラズマエッチングを行っても良い。
【0019】
この後、後述するSiC基板10の薄板化と内部応力層の形成を行った後、SiC基体11に硫酸過水、アンモニア過水、フッ酸の順でウェット処理を行う。ウェット処理後、SiC基体11の表面に例えばチタンによるショットキー電極40、SiC基体11の裏面にオーミック電極50を形成する。
【0020】
以上の工程により、SiC基体11の表面の凹凸を平坦化し、かつ傷のないSiCショットキーバリアダイオードを得ることが出来る。
【0021】
<薄板化と内部応力層の形成>
研磨による傷をRIE等で除去(図7)した後、SiC基板10の薄板化を行う。まず、SiC基体11の素子活性領域が形成された表面デバイス側をレジストなどで保護した上でテープやサファイア基板の平坦面に貼り付け、SiC基板10の底面を研削し、厚みを減少させる。
【0022】
SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度を有しているため研削は困難であるが、通常はダイヤモンド砥石を用いた平面研削盤で研削が行われる。まず、数100番程度の粗い番手の砥石でほぼ所要の厚さまで研削し、更に表面の粗さを細かくするために、数1000番の番手の仕上げ砥石で表面を鏡面に仕上げる。このように表面を鏡面に仕上げるのは、基板結晶において対向する2面の表面粗さが異なると、粗い面を凸面として大きく反りが発生するトワイマン効果が生じるためである。
【0023】
SiC基板10を薄板化することによってオン抵抗は小さくなるが、研削面を鏡面に研削し研磨仕上げを行っても、トワイマン効果以外の効果によって反りが発生する。それが、研削による加工変質層(加工歪層)効果である。図8に示すように、SiC基板10の研削面が加工変質層2となり、加工変質層2の面を凸面として反りが発生する。図8では、SiC基板10とSiCエピタキシャル層20を合わせてSiC基体11として示している。通常、パワーデバイス用素子として使用される厚さ380μmの4H−SiC基板結晶を200μmまで薄板化させた場合、薄板化後にそのままの状態で基板をフリーにすると、研削面が加工変質層2となり、この面を凸面として50μm以上反った状態になる。
【0024】
SiC基体11に生じた加工変質層2は、RIEや酸によるエッチングによって除去することが可能であるものの、最表面層に極薄の酸化層や表面あれが生じてしまい、そのままでは接触抵抗が増加するおそれがある。そこで、本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法では、加工変質層2を除去するのではなく、図9に示すように、SiC基体11の内部に、加工変質層2による反りとは反対方向の膨張応力を発生するアモルファス領域(内部応力層3)を形成することにより、加工変質層2による応力を相殺しSiC基板1を平坦化して、薄板化加工以降の加工プロセスを有効に働かせることとした。
【0025】
内部応力層3は、SiC基体11を透過するレーザ光線を内部応力層3を発生させる部分に集光させて形成する。結晶内部に光を集光させるためには、結晶自体がレーザ光に対して透明である必要がある。透明であると光が透過するだけであるが、強度がある値を超えると、多光子吸収が起こって光吸収が発生し、集光部に熱が発生して結晶格子がアモルファス化した、内部応力層3が発生する。この部分は結晶格子が乱れるため膨張するが、周囲の結晶はそのままであるため、膨張応力として結晶内部に閉じ込められた状態で残存する。勿論、このような応力は点状態で発生するが、内部応力層3を多数分布させることによって、面全体に応力が発生する。SiC基体11内部における内部応力層3の3次元的な位置及び分布を調節することによって、SiC基体11の反りをコントロールすることができ、加工変質層2による応力を相殺することができる。
【0026】
すなわち、本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法は、(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基体11(SiC基板)を準備する工程と、(b)SiC基体11の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基体11の表面を平坦面に固定したまま、研削による反りを相殺する応力を付与する内部応力層3を、SiC基体11内部に形成する工程とを備える。これにより、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することができる。
【0027】
SiCは不純物がない状態では、紫外線領域から赤外線領域の5000nm程度の波長まで光を透過する。SiC基体11はn型で導電率を高めるために窒素がドープされているが、この状態では1000nmよりも長波長域の赤外光は透過しない。また、可視光領域にも460nmをピークとして大きな光吸収を行うので、改質のためのレーザ光の透過域は500nmから1000nmが適当である。
【0028】
なお、SiC基体11が反った状態でレーザ照射を行っては焦点深さが変動するため、研削後の平坦な状態で行うことが必要である。そのために、SiC基体11の表面デバイス側をサファイアなどの基板に貼り付けて研削した後、同じ真空吸着状態で平面度を保ったまま、レーザ照射を行って内部応力層3を形成する。
【0029】
例えば、YAGレーザを用いてレーザ照射を行う。2倍波(2ω)波長532nm、周波数を30kHz、パルス幅を40ns、照射点でのパルスエネルギー密度を約10GW/cm2として、研削面(加工変質層2)から150μm内部に、200μm間隔のドットで表面と平行な直線状に内部応力層3を形成する。形成位置の深さ調節は、表面に焦点を合わせた後、屈折率から計算した深さに焦点位置をずらすことによって行う。レーザの入射面の表面状態は、平面度が1μm以内、Raが1nm以下であることが望ましい。これは、表面でレーザ光が散乱してパワーが変動することを防ぐためである。内部応力層3のドットラインを後工程で素子を分離するためのダイシングライン4(図10)に沿って形成すると、分離後の素子には内部応力層3が残存せず、素子特性に影響を及ぼさない。なお、内部応力層3は、パルス波のレーザ光によって深さ方向に1点のみの分布で形成されるため、最終の分離工程までは割れを生じさせない。
【0030】
このようにして内部応力層3によって反りが修正されたSiC基体11の裏面にオーミック電極50を形成後、チップ分割を行う。レーザダイシングの場合はフォトリソグラフィでエッチングマスクを形成し、チップ分割部分のオーミック電極50を除去する。ウエハで各チップの特性検査を行った後、チップ分割を行う。
【0031】
さらに、レーザダイシングの場合は、より確実にダイシングライン4で割れが発生するように、図11に示すように、SiC基体11内部のなるべく表面に近い側に、ダイシングライン4に沿って縦方向に複数レーザを照射し、内部応力層3とは別の素子分離用内部応力層5を形成する。そして、素子分離用内部応力層5が起点となってチップ分離がなされる。もちろん、レーザダイシングだけでなく、砥石によるダイシングブレードを用いたダイシングにより素子分離を行っても良い。
【0032】
<効果>
本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法は、(a)表面側にイオン注入領域30(素子活性領域)が形成されたSiC基体11(SiC基板)を準備する工程と、(b)SiC基体11の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基体11の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基体11の反りを相殺する応力を付与する内部応力層3を、SiC基体11内部に形成する工程とを備える。これにより、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することが出来る。
【0033】
また、前記工程(c)では、レーザ照射によって内部応力層3を形成する。レーザ照射を用いて内部応力層3を形成することにより、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することが出来る。
【0034】
さらに、前記工程(c)では、内部応力層3としてアモルファス層を形成する。アモルファス層の膨張が、研削によるSiC基体11の反りを相殺する応力となり、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することが出来る。
【0035】
また、前記工程(c)では、内部応力層3をチップのダイシングライン4に沿って形成することにより、分離後の素子には内部応力層3が残存せず、素子特性に影響を及ぼさない。
【0036】
また、(d)ダイシングライン4に沿ってSiC基体11の表面側に素子分離用内部応力層5(別の内部応力層)を形成する工程をさらに備えるため、この素子分離用内部応力層5を起点としてチップ分離を行う事ができる。
【符号の説明】
【0037】
2 加工変質層、3 内部応力層、4 ダイシングライン、5 素子分離用内部応力層、10 SiC基板、11 SiC基体、20 SiCエピタキシャル層、21 酸化膜、30 イオン注入領域、40 ショットキー電極、50 オーミック電極、60 膜質劣化層、100 イオン注入マスク。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板を準備する工程と、
(b)前記SiC基板の前記表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、
(c)前記SiC基板の前記表面を前記平坦面に固定したまま、前記研削による前記SiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、前記SiC基板内部に形成する工程とを備える、SiC半導体素子の製造方法。
【請求項2】
前記工程(c)は、レーザ照射によって前記内部応力層を形成することを特徴とする、請求項1に記載のSiC半導体素子の製造方法。
【請求項3】
前記工程(c)は、前記内部応力層としてアモルファス層を形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載のSiC半導体素子の製造方法。
【請求項4】
前記工程(c)は、前記内部応力層をチップのダイシングラインに沿って形成する工程である、請求項1〜3のいずれかに記載のSiC半導体素子の製造方法。
【請求項5】
(d)前記ダイシングラインに沿って前記表面側に別の内部応力層を形成する工程をさらに備えた、請求項4に記載のSiC半導体素子の製造方法。
【請求項1】
(a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板を準備する工程と、
(b)前記SiC基板の前記表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、
(c)前記SiC基板の前記表面を前記平坦面に固定したまま、前記研削による前記SiC基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、前記SiC基板内部に形成する工程とを備える、SiC半導体素子の製造方法。
【請求項2】
前記工程(c)は、レーザ照射によって前記内部応力層を形成することを特徴とする、請求項1に記載のSiC半導体素子の製造方法。
【請求項3】
前記工程(c)は、前記内部応力層としてアモルファス層を形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載のSiC半導体素子の製造方法。
【請求項4】
前記工程(c)は、前記内部応力層をチップのダイシングラインに沿って形成する工程である、請求項1〜3のいずれかに記載のSiC半導体素子の製造方法。
【請求項5】
(d)前記ダイシングラインに沿って前記表面側に別の内部応力層を形成する工程をさらに備えた、請求項4に記載のSiC半導体素子の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2011−222607(P2011−222607A)
【公開日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−87522(P2010−87522)
【出願日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【出願人】(000006013)三菱電機株式会社 (33,312)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【出願人】(000006013)三菱電機株式会社 (33,312)
【Fターム(参考)】
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