説明

X線撮像装置およびX線撮像方法

【課題】 装置を小型化し、かつ、被検知物によるX線の吸収効果を考慮した微分位相像または位相像を得ることが可能なX線撮像装置およびX線撮像方法を提供する。
【解決手段】 X線を空間的に分割させ、被検知物に透過させた際に生じるX線の位置変化量に応じて、X線の透過量が連続的に変化するような減衰素子を用いる。一方の減衰素子と、この一方の減衰素子とは透過量の増減量が異なるか、または、増減傾向が異なる他方の減衰素子とを用いて透過率を算出する。この透過率を用いて、被検知物の微分位相像等を演算する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はX線を用いた撮像装置およびX線撮像方法に関する。
【背景技術】
【0002】
放射線を用いた非破壊検査法は工業利用から医療利用まで幅広い分野で用いられている。例えば、X線は波長が約1pm〜10nm(10−12〜10−8m)程度の電磁波であり、このうち波長の短いX線(約2keV〜)を硬X線、波長の長いX線(約0.1keV〜約2keV)を軟X線という。
【0003】
例えば、被検知物にX線を透過させた時の透過率の違いを用いた吸収コントラスト法で得られる吸収像はX線の透過能の高さを利用し、鉄鋼材料などの内部亀裂検査や手荷物検査などのセキュリティ分野の用途として実用化されている。
【0004】
一方、X線の吸収によるコントラストがつきにくい密度差の小さい物質で構成されている被検知物に対しては、被検知物によるX線の位相変化を検出するX線位相イメージングが有効である。例えば、高分子材料の相分離構造体のイメージングや医療応用が検討されている。
【0005】
各種X線位相イメージングにおいて特許文献1が示すX線の被検知物による位相変化による屈折効果を利用した方法は非常に簡便で効果的な方法である。具体的には、微小焦点のX線源を用い、被検知物と検出器の距離を離すことによってX線の被検知物による屈折効果から被検知物の輪郭が強調されて検出されることを利用している。また、この方法は屈折効果を利用するため、多くのX線位相イメージング手法の場合と異なりシンクロトロン放射光のような干渉性の高いX線を必ずしも必要としないといった特徴がある。
【0006】
一方、特許文献2では検出器の画素のエッヂ部分にX線を遮蔽するマスクを設置した撮像装置が開示されている。被検知物がない状態において、遮蔽マスクの一部にX線が照射するようにセッティングを行えば、被検知物による屈折効果により生じたX線の位置変化が強度変化として検知することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開2002−102215号公報
【特許文献2】国際公開第2008/029107号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、特許文献1に記載された方法では、X線の被検知物による屈折効果における屈折角が非常に小さいため、検出器の画素の大きさを考えると輪郭強調した像を得るには被検知物と検出器の距離を十分に離す必要がある。そのため、特許文献1の方法では、装置の大型化を招く。
【0009】
一方、特許文献2に記載の方法は、被検知物と検出器の距離を短くでき、装置の小型化が図られるというメリットがある。しかしながら、X線を遮蔽するマスクを設けているため、この遮光マスク内におけるX線の位置変化を検出することができないという問題点がある。すなわち、不感領域が存在するため、高精度の分析ができない。
【0010】
また、特許文献1、および特許文献2は、被検知物がX線に対して十分吸収する被検知物に対しては、X線の吸収による効果と位相による効果を分離することができないといった課題がある。
【0011】
そこで、本発明は、特許文献1の方法よりも装置を小型化し、特許文献2の方法よりも高精度の分析を可能とすると共に、被検知物によるX線の吸収効果を考慮した微分位相像または位相像を得るX線撮像装置およびX線撮像方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明に係るX線撮像装置は、X線発生手段から発生したX線を空間的に分割する分割素子と、前記分割素子により分割されたX線が入射する第1の減衰素子と、前記分割素子により分割されたX線が入射し、前記第1の減衰素子と隣接して配置されている第2の減衰素子と、前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子を透過したX線の強度を検出する検出手段と、を有し、前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子は、前記X線の入射位置に応じてX線の透過量が連続的に変化するように構成され、前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子は、前記X線の移動方向に対する透過量の増減量または増減傾向が異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、特許文献1よりも装置を小型化し、特許文献2よりも高精度の分析を可能とすると共に、被検知物によるX線の吸収効果を考慮した微分位相像または位相像を得ることが可能なX線撮像装置およびX線撮像方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】実施形態1、2で説明する装置の構成例
【図2】実施形態1で説明する減衰手段の構成例
【図3】実施形態1で説明する演算手段における処理フロー図
【図4】実施形態2で説明する減衰手段の構成例
【図5】実施形態3で説明するCT装置の概略図
【図6】実施形態3で説明する演算手段における処理フロー図
【図7】実施例で説明する装置の構成例
【発明を実施するための形態】
【0015】
本発明に係る実施形態では、X線の被検知物による位相変化を利用したX線撮像装置において、X線の吸収が大きい被検知物に対しても、より正確な微分位相像や位相像を得ることができる装置について説明する。
【0016】
具体的には、被検知物の屈折効果によるX線の入射位置の変化量をX線強度情報に変換して検出する。この際に、吸収能勾配(透過能勾配)を有する第1の減衰素子と、第1の減衰素子に隣接して配置されている第2の減衰素子とを用いる。
【0017】
ここで、吸収能勾配(透過能勾配)を有する減衰素子とは、X線の入射位置に応じて、X線の吸収量(透過量)が連続的に変化する素子のことをいう。この減衰素子は、連続的または段階的に形状を変化させることにより構成することができる。また、単位体積当たりのX線の吸収量(透過量)を連続的または段階的に変化させることにより構成することもできる。なお、本明細書では、「連続的」との用語は「段階的」の概念を含むものとして取り扱うこともある。
【0018】
また、第1の減衰素子と第2の減衰素子は、X線の移動方向に対する透過量の増減量や増減傾向が異なる。例えば、被検知物が存在しない状態と被検知物が存在する状態とでX線の入射位置が変化した場合、第1の減衰素子ではX線の透過量が少なくなるのに対して、第2の減衰素子ではX線の透過量が多くなるように構成されている。
【0019】
このような素子を用いることにより、吸収情報と位相情報を独立に得ることができる。そして、この吸収情報を利用することにより、より高精度な微分位相像や位相像を得ることができる。以下、具体的に説明する。
【0020】
(実施形態1)
実施形態1ではX線の吸収変化つまり透過率変化から透過率像、位相変化から微分位相像や位相像を得る装置について説明する。
【0021】
図1に本実施形態に関する装置構成を示す。X線発生源としてのX線源101から発生するX線の光路上には分割素子103と、被検知物104と、減衰手段105と、検出器106が配置されている。なお、分割素子103と、被検知物104と、減衰手段105を移動させるステッピングモータ等を用いた移動手段109、110、111を別途設けても良い。被検知物104は適宜移動することができるため、被検知物104の特定個所についての像を得ることができる。X線源101から発生されたX線は分割素子103により空間的に分割される。すなわち、分割素子103は、特許文献2に記載されている複数のアパーチャを有するサンプルマスクとして機能するものであって、この分割素子103を透過したX線はX線の束となる。分割素子103は、ラインアンドスペースによるスリットアレイ形状を備えたものであっても、2次元的に配列された穴を有しているものであっても良い。
【0022】
また、分割素子103に設けられたスリットは、X線を透過する形態であれば、光学素子の基板を貫通しなくとも良い。分割素子103を構成する材料としてはX線の吸収能が高いPt、Au、Pb、Ta、Wなどから選択される。
【0023】
分割素子103により分割されたX線の検出器106位置でのラインアンドスペースの周期は検出器106の画素サイズ以上である。すなわち、X線強度検出手段を構成する画素の大きさは、検出器106の位置におけるX線の空間的な周期以下である。
【0024】
分割素子103により空間的に分割されたシート状のX線は、被検知物104によって吸収されると共に位相が変化し、その結果、屈折する。屈折したそれぞれのX線は減衰手段105に入射する。減衰手段105を透過したX線は検出器106によりそれぞれのX線の強度を検出する。検出器106により得たX線に関する情報は演算手段107により数的処理がなされ、モニタ等の表示手段108に出力される。
【0025】
被検知物104としては、例えば人体、人体以外としては無機材料、無機有機複合材料が挙げられる。
【0026】
検出器106は、例えばX線フラットパネル検出器、X線CCDカメラや直接変換型X線2次元検出器などから選択される。検出器106は減衰手段105と近接していてもよいし、一定の間隔を隔てて配置してもよい。また、減衰手段105を検出器106の中に組み込んでも良い。
【0027】
なお、単色X線を用いる場合には、X線源101と分割素子103の間にスリットと組み合わせたモノクロメータやX線多層膜ミラーなどの単色化手段102を配置してもよい。また、減衰手段105からの散乱X線による像の不明瞭化を軽減するために、減衰手段105と検出器106の間にレントゲン撮影に用いられるグリッドを配置しても良い。
【0028】
図2に減衰手段105の一部分の模式図を示す。基準X線201は被検知物104のない状態での分割されたX線を示し、X線202は被検知物104によって屈折したX線を示している。
【0029】
図2の右側に示すように減衰手段105は、減衰素子204(第1の減衰素子)と減衰素子207(第2の減衰素子)が隣接して交互に配列されている。減衰素子204はX方向(入射するX線に対して垂直方向)に直線的な密度分布を有する。つまり、図中の減衰素子204の密度変化はX線の吸収の度合いを変化させ、密度が高いほうがよりX線を通さない。すなわち、減衰素子204は位置変化量に応じて、X線の吸収量(透過量)が変化するような吸収能勾配を有している。基準X線201、205は減衰素子204、207のX方向の中心に入射するのが好ましい。減衰素子204を透過した基準X線201の強度Iは式(1)によってあらわされる。
【0030】
【数1】

【0031】
は分割素子103によって空間的に分割されたX線の強度、μ/ρは減衰素子204の実効的な質量吸収係数、ρは基準X線201が減衰素子204内を透過した部分おける減衰素子204の密度、Lは減衰素子204の厚さである。一方、被検知物104によって屈折したX線202の減衰素子204透過後の強度Iは式(2)で表される。
【0032】
【数2】

【0033】
Aは被検知物104のX線透過率を示し、ρはX線202が減衰素子204内の透過した部分における減衰素子204の密度を示している。式(1)と式(2)から基準X線201とX線202の減衰素子204内の密度差は式(3)により表される。
【0034】
【数3】

【0035】
また、減衰素子減衰素子204(第1の減衰素子)には、密度分布が対称の減衰素子207(第2の減衰素子)が隣接して配置されている。
【0036】
上記と同様に、減衰素子207(第2の減衰素子)においては、基準X線205とX線206の減衰素子207内の密度差は、式(4)により表される。
【0037】
【数4】

【0038】
ρ’は基準X線205が減衰素子207内の透過した部分おける減衰素子207の密度、ρ’はX線206が減衰素子207内の透過した部分における減衰素子207の密度を示している。I’は減衰素子207を透過した基準X線205の強度、I’は減衰素子207を透過したX線206の強度を示す。
【0039】
ここで、2つの減衰素子204、207が対称な密度分布を持つことを考慮し基準X線201−205間距離と屈折したX線202−206間距離が等しいと仮定すると式(5)が導き出される。
【0040】
【数5】

【0041】
つまり式(3)、式(4)、式(5)から被検知物104のX線透過率Aは式(6)によって算出することができる。
【0042】
【数6】

【0043】
すなわち、減衰素子204を透過した基準X線201の強度IとX線202の強度I、減衰素子207を透過した基準X線205の強度I´とX線206の強度I´より、X線透過率Aが求まる。
【0044】
このX線透過率Aを式(3)または式(4)に代入すれば、ρ−ρまたはρ´−ρ´を求めることができる。ここで、減衰素子の密度分布は既知であるため、この密度差から、減衰手段104上での位置変化量(d)を得ることができる。あるいは、透過X線強度と位置変化量(d)の対応関係をデータテーブルとして演算手段107やメモリなどに格納しておき、測定強度からデータテーブルを参照して位置変化量(d)を求めても良い。このデータテーブルは、減衰素子204や減衰素子207について減衰手段105もしくは分割素子103を移動させ減衰素子204の各位置における透過X線強度を検出することにより作成することができる。また、データテーブルの作成にあたっては、分割素子103を移動させる代わりに分割素子103のスリット幅と同等の幅を持つ単スリットを用いて減衰素子204の各位置における透過X線強度を検出しても構わない。
【0045】
すなわち、検出された強度から、被検知物104での屈折による位置変化量を得ることができる。
【0046】
なお、ここでは減衰素子204、207が対称な密度分布を持つ例を示しているが、対称である必要性はない。式(5)で示したように、2つの減衰素子の密度勾配に関する関係が分かれば、X線透過率および位置変化量を得ることができる。すなわち、X線の移動方向に対する透過量の増減量が減衰素子204と207とで異なっていればよい。
【0047】
このような手法によれば、2つの減衰素子から透過率を算出した後に、位置変化量を得るため、被検知物がX線に対して十分吸収するような被検知物に対しても高精度の微分位相像または位相像を得ることができる。
【0048】
この場合、減衰素子204と減衰素子207の2つの領域におけるX線強度の情報を用いて微分位相像等を形成するため、空間分解能は1/2になる。
【0049】
そこで、空間分解能の低減を改善するために上記測定に加えて減衰手段105もしくは被検知物104をX方向に減衰素子204の長さ分移動させ測定することができる。これにより、先にX線位置変化量を測定した被検知物104の位置に相当するX線透過率Aの情報を得ることができる。
【0050】
この減衰手段105を用いることにより、X線の吸収の効果及び屈折の効果を独立した情報として得ることができる。また、減衰手段105により検出手段106の画素サイズ以下のX線位置変化量を検出できるため、被検知物−検出器間距離を短くすることができ、装置の小型化を達成できる。
【0051】
演算処理107のフロー図を図3に示す。まず減衰手段105を透過した各X線の強度情報を取得する(S100)。次に各X線の強度情報からX線透過率A、基準X線201に対する位置変化量dを算出する(S101)。位置変化量dと被検知物104−減衰手段105間の距離Zを用いて、各X線の屈折角(Δθ)は式(7)で表される。
【0052】
【数7】

【0053】
式(7)を用いて各X線の屈折角(Δθ)を算出する(S102)。屈折角度(Δθ)と微分位相(dφ/dx)とは式(8)の関係がある。
【0054】
【数8】

【0055】
λはX線の波長であり連続X線を用いる場合は実効波長を意味する。この式(8)を用いて各X線の微分位相(dφ/dx)を算出する(S103)。つぎに得られた各微分位相(dφ/dx)をX方向に積分することによって位相(φ)を算出する(S104)。
【0056】
この様に算出された微分位相(dφ/dx)および位相(φ)は表示手段108によって表示することができる(S105)。
【0057】
このような構成により、検出器106の1画素内の微小なX線の位置変化を検出できるため、被検知物104と検出器106の距離を長く取る必要性がなく装置の小型化ができる。また、X線の遮蔽領域の無い透過型の減衰手段105を用いるため不感領域が存在しない。
【0058】
なお、被検知物104と検出器106の距離を長くする構成を選択すれば、より微小な屈折によるX線位置変化を測定することが出来る。
【0059】
以上の構成によれば、位相変化の検出にX線の屈折効果を利用するため干渉性の高いX線を必ずしも用いる必要がなく、吸収の効果を考慮した微分位相像またはX線位相像を得ることができる。
【0060】
なお、上記では微分位相像または位相像を得ているが、吸収情報から得た透過率像を表示手段108に表示してもよい。
【0061】
また、図2においては、連続的に密度が変化する減衰素子について説明したが、このような素子としては、密度が段階的(ステップ状)に変化するものを用いてもよい。
【0062】
(実施形態2)
実施形態2では実施形態1の減衰手段の代わりに図4に示す減衰手段を用いた場合の装置について説明する。装置構成は実施形態1と同じである。分割素子103により空間的に分割されたX線は被検知物104に照射され、透過X線は減衰手段105に入射する。減衰手段105の一部分の模式図を図4に示す。
【0063】
基準X線501は被検知物104のない状態での分割されたX線を示し、X線502は被検知物104によって屈折したX線を示している。減衰素子504(第1の減衰素子)と減衰素子507(第2の減衰素子)は三角柱の構造体が対称になるように配置されている。なお、これらの減衰素子は、板状部材を加工することにより同様の形態を形成してもよい。
【0064】
減衰素子504は三角柱形状なのでX方向に減衰素子504内における透過X線の光路長が変化する。減衰素子504を透過した基準X線501の強度は式(9)によってあらわされる。
【0065】
【数9】

【0066】
は分割素子103によって空間的に分割されたX線の強度、μは減衰素子504の実効的な線吸収係数、lは基準X線501の減衰素子504内の光路長である。一方、被検知物104によって屈折したX線502の減衰素子504透過後の強度は式(10)で表される。
【0067】
【数10】

【0068】
Aは被検知物104のX線透過率を示し、lはX線502の減衰素子504内の光路長を示している。式(9)、式(10)と減衰素子504の頂角αから減衰手段105上での位置変化量dは式(11)で表すことができる。
【0069】
【数11】

【0070】
上記と同様に、減衰素子507(第2の減衰素子)において、位置変化量dを考えると、被検知物104のX線透過率Aは式(12)を用いて算出することができる。
【0071】
【数12】

【0072】
すなわち、減衰素子504を透過した基準X線501の強度IとX線502の強度I、減衰素子507を透過した基準X線505の強度I´とX線506の強度I´より、X線透過率Aが求まる。
【0073】
このX線透過率Aを式(11)に代入すれば、位置変化量dを得ることができる。ここでは2つの減衰素子の頂角が同じで、対称になるように配置されている場合について述べたが、対称な構造でなく2つの減衰素子の頂角が同じでない場合も同様にX線透過率A、位置変化量dを得ることができる。
【0074】
このような手法によれば、2つの減衰素子から透過率を算出した後に、位置変化量を得るため、被検知物がX線に対して十分吸収するような被検知物に対しても高精度の微分位相像または位相像を得ることができる。
【0075】
この場合、減衰素子504と減衰素子507の2つの領域におけるX線強度の情報を用いて微分位相像を形成するため、空間分解能は1/2となる。
【0076】
そこで、空間分解能の低減を押さえるために上記測定に加えて減衰手段105もしくは被検知物104をX方向に減衰素子504の長さ分移動させ測定することができる。これにより、先にX線位置変化量を測定した被検知物104の位置に相当するX線透過率Aの情報を得ることができる。
【0077】
また、減衰素子504を三角柱にすることにより、位置変化量dは減衰素子504のどの位置を使用しても、基準X線501とX線502の比をもとに決めることができる。減衰手段105を透過したX線はX線検出器106により検出される。
【0078】
この検出されたデータを実施形態1と同様の演算手段107を用いて、図3に示すように、X線透過率A、微分位相(dφ/dx)および位相φを算出し、表示手段108によって表示することができる。
【0079】
このような構成により、検出器106の1画素内の微小なX線の位置変化を検出できるため、被検知物104と検出器106の距離を長く取る必要性がなく小型化ができる。また、X線の遮蔽領域の無い透過型の減衰手段105を用いるため不感領域が存在しない。
【0080】
なお、被検知物104と検出器106の距離を長くする構成を選択すれば、より微小な屈折によるX線の位置変化を検出することが出来る。
【0081】
以上の構成によれば、位相変化の検出にX線の屈折効果を利用するため干渉性の高いX線を必ずしも用いる必要がなく、吸収の効果を考慮した微分位相像またはX線位相像を測定することができる。
【0082】
なお、上記では微分位相像または位相像を得ているが、吸収情報から得た透過率像を表示手段108に表示してもよい。
【0083】
また、図4においては、連続的に形状が変化する減衰素子について説明したが、このような素子としては形状が段階的に変化するものを用いてもよい。
【0084】
(実施形態3)
実施形態3ではコンピューテッドトモグラフィー(CT)の原理を用いて、3次元的な吸収分布、位相分布を得る装置について説明する。
【0085】
図5に本実施形態に関する装置構成を示す。X線源401、分割素子403、減衰手段405とX線検出器406は、被検知物404のまわりを同期させて回転移動させる稼動手段により、移動可能に構成されている。また、分割素子403により空間的に分割されたX線は被検知物404に照射され、透過X線は減衰手段405に入射する。
【0086】
減衰手段405により、分割されたX線の被検知物404での吸収の効果による吸収量および屈折による微量の位置変化量を得ることができる。減衰手段405を透過したX線はX線検出器406により検出される。必要であれば実施形態1,2と同様に、被検知物404もしくは減衰手段405を移動させて撮像しても良い。この撮像をX線源401、分割素子403、減衰手段405とX線検出器406を、被検知物404を中心に同期させて移動させて行うことにより被検知物404の投影データを得る。なお、分割素子403、減衰手段405とX線検出器406を固定し、被検知物404を回転させて投影データを得ても構わない。
【0087】
演算処理407の方法を図6に示す。まず減衰素子405を透過した各X線の強度情報を取得する(S200)。
【0088】
次に各X線の強度情報からX線透過率Aを得ると共に基準X線501に対する位置変化量dを算出する(S201)。位置変化量dと被検知物404−減衰手段405間距離Zを用いて各X線の屈折角(Δθ)を求める(S202)。
【0089】
屈折角(Δθ)から各X線の微分位相(dφ/dx)を算出する(S203)。
【0090】
つぎに得られた各微分位相(dφ/dx)をX方向に積分することによって位相(φ)を算出する(S204)。
【0091】
これらの一連の作業(S201からS204)を全投影データについて繰り返し処理する。全投影データにおける吸収像及び位相像からコンピューテッドトモグラフィーにおける画像再構成法(たとえばフィルタ逆投影法など)により、断層像を得る(S206)。断層像は表示手段408によって表示することができる(S205)。
【0092】
このような構成により、装置の小型化ができ、かつ、X線の屈折効果を利用するため干渉性の高いX線を必ずしも用いる必要がなく、このCT装置を利用することにより、非破壊的に被検知物の3次元線吸収係数像や位相像を得ることができる。
【0093】
(その他の実施形態)
上記実施形態では、一方向に吸収能勾配(透過能勾配)を有する減衰素子について説明したが、この吸収能勾配(透過能勾配)の方向は一方向以上であっても構わない。例えば、同一の減衰素子において、X方向とY方向に吸収能勾配を有するように構成すれば、2次元方向の位相勾配を計測することも可能である。このような形状としては、例えばピラミッド型や円錐型などがある。
【0094】
また、X方向の勾配を有した減衰素子と、Y方向の勾配を有した減衰素子を面内に有した減衰手段を用いて2次元方向の位相勾配を検出することも可能である。
【0095】
また、X方向の勾配とY方向の勾配を有した減衰素子を積層化してもよい。
【0096】
以上のように、本願発明に係るX線撮像装置は、第1の強度データを取得する第1の素子と、第1の素子の隣に配置され、第2の強度データを取得する第2の素子とを有する。また、第1の強度データと第2の強度データを用いて、被検知物のX線透過率を取得する演算を行なう演算手段とを有する。また、演算手段は、該演算手段により取得された前記X線透過率に基づいて、第1の強度データまたは第2の強度データから被検知物によるX線の位相変化量を取得する。
【0097】
また、本願発明に係るX線撮像方法は、第1の素子から、第1の強度データを取得する工程と、第1の素子の隣に配置された第2の素子から、第2の強度データを取得する工程と、第1の強度データと第2の強度データを用いて、被検知物のX線透過率を取得する工程とを有する。さらに、取得されたX線透過率に基づいて、第1の強度データまたは第2の強度データから被検知物によるX線位相変化量を取得する工程を有する。
【実施例】
【0098】
図7に本実施例の装置構成を示す。
【0099】
X線発生手段としてはX線源701に示すMoターゲットの回転対陰極型のX線発生装置を用いる。X線の単色化手段としては高配向性熱分解黒鉛(HOPG)のモノクロメータ702を用いMoの特性X線部分を抽出する。
【0100】
モノクロメータ702により単色化されたX線はX線源から100cm離れた位置に配置した分割素子703により空間的に分割される。この分割素子703としては、厚さ100μmのWにスリット幅40μmを並べたものを用いた。スリット周期は減衰手段705上で150μmである。なお、W以外にも、Au、Pb、Ta、Ptなどの材料を使用することも可能である。
【0101】
分割素子703により分割されたX線を被検知物704に照射する。被検知物704を透過したX線は被検知物704から50cm離れた位置にある、減衰手段705に入射する。なお分割素子703、被検知物704、減衰手段705にはそれぞれステッピングモータによる移動手段709、710、711が設けられている。
【0102】
減衰手段705はNiの三角柱を厚さ1mmのカーボン基板上に並べた構造をもち三角柱の断面である三角形は2等辺三角形で底辺の長さは300μmで高さは75μmである。減衰手段705の直後に配置した検出手段としてのX線検出器706により、減衰手段705を透過したX線強度を検出する。その後、減衰手段705を三角柱の周期方向に移動手段711を用いて150μm動かした後に同様の測定を行う。X線検出器706は画素サイズ50μm×50μmのフラットパネル検出器を用い、三角柱の周期方向3画素のX線強度値を足し合わせて1つの減衰素子に対するX線強度とした。
【0103】
被検知物704のない状態での同様の撮影を行ったときの各X線の強度との変化から、演算手段707を用いて各X線の被検知物704でのX線透過率(A)を求め透過率像を得て、位置変化量(d)を式(8)を用いて算出し、式(4)を用いて屈折角(Δθ)を算出する。
【0104】
屈折角(Δθ)から式(5)を用いて微分位相量を算出し、各X線から求めた微分位相量を空間的に積分することにより位相分布像を求める。
【0105】
演算手段707によって得られたX線透過率像、X線微分位相像、X線位相像は表示手段708としてのPCモニタに表示される。
【符号の説明】
【0106】
101 X線源
102 単色化手段
103 分割素子
104 被検知物
105 減衰手段
106 検出器
107 演算手段
108 表示手段
109 移動手段
110 移動手段
111 移動手段
201 基準X線
202 X線
203 減衰手段
204 減衰素子
205 基準X線
206 X線
207 減衰素子

【特許請求の範囲】
【請求項1】
X線発生手段から発生したX線を空間的に分割する分割素子と、
前記分割素子により分割されたX線が入射する第1の減衰素子と、
前記分割素子により分割されたX線が入射し、前記第1の減衰素子と隣接して配置されている第2の減衰素子と、
前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子を透過したX線の強度を検出する検出手段と、を有し、
前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子は、前記X線の入射位置に応じてX線の透過量が連続的に変化するように構成され、
前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子は、前記X線の移動方向に対する透過量の増減量または増減傾向が異なることを特徴とするX線撮像装置。
【請求項2】
前記検出手段により得られたX線の強度から算出したX線透過率を用いて、被検知物の微分位相像または位相像を演算する演算手段を有することを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。
【請求項3】
前記演算手段は、前記検出手段により得られたX線の強度から被検知物の透過率像を演算することを特徴とする請求項2に記載のX線撮像装置。
【請求項4】
前記第1の減衰素子または前記第2の減衰素子は、入射するX線に対して垂直方向に厚みが連続的に変化していることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のX線撮像装置。
【請求項5】
前記第1の減衰素子または前記第2の減衰素子は三角柱の構造体であることを特徴とする請求項4に記載のX線撮像装置。
【請求項6】
前記第1の減衰素子または前記第2の減衰素子は、入射するX線に対して垂直方向に密度が連続的に変化していることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のX線撮像装置。
【請求項7】
X線撮像装置に用いるX線撮像方法において、
X線を発生する工程と、
前記X線を空間的に分割する工程と、
前記空間的に分割されたX線を、第1の減衰素子と、該第1の減衰素子と隣接して配置されている第2の減衰素子に入射する工程と、
前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子を透過したX線の強度を検出する工程と、
前記検出する工程により得られたX線の強度から算出したX線透過率を用いて、被検知物の微分位相像または位相像を演算する工程と、を有し、
前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子は、前記X線の入射位置に応じてX線の透過量が連続的に変化するように構成され、
前記第1の減衰素子と前記第2の減衰素子は、前記X線の移動方向に対する透過量の増減量または増減傾向が異なることを特徴とするX線撮像方法。
【請求項8】
第1の強度データを取得する第1の素子と、
前記第1の素子の隣に配置され、第2の強度データを取得する第2の素子と、
前記第1の強度データと前記第2の強度データを用いて、被検知物のX線透過率を取得する演算を行なう演算手段とを有することを特徴とするX線撮像装置。
【請求項9】
前記演算手段は、該演算手段により取得された前記X線透過率に基づいて、前記第1の強度データまたは前記第2の強度データから被検知物によるX線の位相変化量を取得することを特徴とする請求項8に記載のX線撮像装置。
【請求項10】
第1の素子から、第1の強度データを取得する工程と、
前記第1の素子の隣に配置された第2の素子から、第2の強度データを取得する工程と、
前記第1の強度データと前記第2の強度データを用いて、被検知物のX線透過率を取得する工程とを有することを特徴とするX線撮像方法。
【請求項11】
前記X線透過率に基づいて、前記第1の強度データまたは前記第2の強度データから被検知物によるX線位相変化量を取得する工程を有することを特徴とする請求項10に記載のX線撮像方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2013−31784(P2013−31784A)
【公開日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−256500(P2012−256500)
【出願日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【分割の表示】特願2010−6772(P2010−6772)の分割
【原出願日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【出願人】(000001007)キヤノン株式会社 (59,756)
【Fターム(参考)】