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Fターム[2G001BA14]の内容

放射線を利用した材料分析 (46,695) | 利用、言及された生起現象、分折手法 (5,017) | 散乱(回折を除く) (628)

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非弾性 (18)

Fターム[2G001BA14]に分類される特許

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【課題】 少なくとも1回の撮像から、被検体の微分位相像または位相像を取得することができるX線撮像装置およびX線撮像方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係るX線撮像装置は、位相格子130と吸収格子150と検出器170と演算装置180を有する。演算装置180は、検出器で取得したモアレの強度分布をフーリエ変換することにより、空間周波数スペクトルを取得するフーリエ変換工程を実行する。また、フーリエ変換工程により得られた空間周波数スペクトルから、キャリア周波数に対応したスペクトルを分離し、逆フーリエ変換を用いて微分位相像を取得する位相回復工程を実行する。 (もっと読む)


【課題】実際のゴム材料から精度良くシミュレーション用のゴム材料モデルを設定して精度の良い計算結果を得るのに役立つ方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料のシミュレーション方法であって、前記ゴム材料のX線及び/又は中性子の散乱データを測定する測定工程S1と、前記散乱データからリバースモンテカルロ法によりゴム中の充填材の3次元構造を特定する可視化工程S2と、前記充填材の3次元構造に基づいてゴム材料モデルを設定するモデル設定工程S3乃至S6と、前記ゴム材料モデルに基づいて変形シミュレーションを行う工程とを含み、前記測定工程において、散乱ベクトルqが10-4nm-1よりも大かつ10nm-1よりも小の範囲の散乱データを得ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 (もっと読む)


【課題】分析精度の高い分析装置を提供する。
【解決手段】イオンビームを試料10に照射するイオン照射部と、試料から第1の方向106に散乱する散乱イオンを通過させるための第1の開口部34aと、試料から第1の方向と異なる第2の方向114に散乱する散乱イオンを通過させるための第2の開口部34bとが形成された制限板24と、制限板の第1の開口部を通過した散乱イオンと、制限板の第2の開口部を通過した散乱イオンとに対して磁場を印加する磁場印加部28と、磁場印加部により偏向された各々の散乱イオンを検出するイオン検出部30とを有している。 (もっと読む)


【課題】ステージの正しい高さと実際の高さとのズレを割り出し、該ズレを補正することができるパターン計測装置、ステージ高さ調整方法およびパターン計測方法を提供する。
【解決手段】パターン計測方法は、計測対象である周期構造のパターンが形成された基体を支持するステージと、前記ステージの位置と高さを制御するステージ制御手段と、電磁波を生成し、任意の仰角で前記基体へ照射する電磁波照射手段と、前記基体で散乱された電磁波の強度を検出する検出手段と、データ処理手段と、ステージ高さ補正手段と、を持つ。前記データ処理手段は、周期が既知である周期構造の領域に、照射位置を変えながら前記電磁波を照射して得られた検出信号から散乱プロファイルを作成し、該散乱プロファイルから前記周期が既知である周期構造の周期を算出し、算出された周期と前記既知の周期とのズレ量を算出して前記ステージの高さの位置のズレ量を算出する。 (もっと読む)


【課題】高速プリアンプ回路、検出電子機器、および放射線検出システムを提供する。
【解決手段】プリアンプ回路は、放射線検出器から電流信号を受信して、増幅電圧信号を生成するトランスインピーダンス・アンプを備える。トランスインピーダンス・アンプの出力は、第2増幅ステージに接続される。検出電子機器は、検出器上の第1位置から電流信号を受信して第1電圧信号を生成する第1トランスインピーダンス・アンプと、検出器上の第2位置から電流信号を受信して第2電圧信号を生成する第2トランスインピーダンス・アンプとを有する。第2増幅ステージは、第1増幅電圧信号と第2増幅電圧信号とを与える。差動出力ステージは、第1増幅電圧信号と第2増幅電圧信号を受信し、各々から一対の出力を提供する。読取回路類は、一対の出力の各々を処理する処理構造を有する。処理構造は、タイムスタンプを有する単一のデジタル出力を提供する。 (もっと読む)


【課題】 位相シフト法より少ない周期パターンからでも、窓フーリエ変換法より正確に波面情報を算出することが可能な波面測定方法、プログラムとそれを用いた波面測定装置とX線撮像装置を提供すること。
【解決手段】 波面測定装置は、光源からの光で光周期パターンを形成する光学素子140,150と、光学素子からの光を検出する複数の画素を有する検出器160と、検出器の検出結果に基づいて被検体を透過した光の波面の複数の位置における波面情報を算出する算出手段170と、を備え、被検体の情報を取得する。算出手段は、第1の光周期パターンの検出時に第1の画素が検出した検出結果と、第1の光周期パターン検出時に第1の画素から3画素以内に配置されている第2の画素が検出した検出結果と、第2の光周期パターンの検出時に第1の画素が検出した検出結果と、を用いて、1つの位置における波面情報を算出する。 (もっと読む)


【課題】 装置を小型化し、かつ、被検知物によるX線の吸収効果を考慮した微分位相像または位相像を得ることが可能なX線撮像装置およびX線撮像方法を提供する。
【解決手段】 X線を空間的に分割させ、被検知物に透過させた際に生じるX線の位置変化量に応じて、X線の透過量が連続的に変化するような減衰素子を用いる。一方の減衰素子と、この一方の減衰素子とは透過量の増減量が異なるか、または、増減傾向が異なる他方の減衰素子とを用いて透過率を算出する。この透過率を用いて、被検知物の微分位相像等を演算する。 (もっと読む)


【課題】試料を微細に加工することなく、容易に3次元イメージ画像を得る。
【解決手段】X線が発せられるX線源と、前記X線を遮蔽する基材に、前記X線が透過する透過窓と前記透過窓よりも小さく前記X線の可干渉となる位置に設けられた複数の参照穴を有するマスク部と、前記マスク部を透過したX線が照射される試料と、前記試料を支持する試料支持部材と、を有する観察用試料部と、前記X線が照射された試料により生じる散乱X線と前記参照穴を通過した参照X線との干渉により生じたホログラムと、前記複数の参照穴を通過した参照X線同士の干渉により生じたホログラムを検出する検出器と、前記検出器により得られた前記参照X線同士の干渉によるホログラムに基づき前記試料の3次元イメージ画像を得るための処理を行う処理部と、を備えることを特徴とするX線分析装置により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は隣接するスペクトルの重なりの影響を低減することができ、且つ、波数空間上のスペクトルをフィッティングして位相回復を行うよりも少ない計算量で位相回復を行うことができる計算方法、プログラムと、撮像装置を提供すること。
【解決手段】 撮像装置は、シアリング干渉計と、シアリング干渉計により得られる干渉パターンから被検体の情報を算出する算出手段を備える。
算出手段は、干渉パターンを窓フーリエ変換することにより得られる波数空間上の座標におけるフーリエ成分を表す式を3以上用い、それらのフーリエ成分を表す式を連立方程式として解くことで被検体の情報を算出する。 (もっと読む)


【課題】高い空間解像度が得られる暗視野画像を得る方法、暗視野画像撮影装置及び、角度分析板を提供する。
【解決手段】厚さが2cm以上、原子面の回折に係る指数が220又は440のシリコン単結晶の角度分析板12を用いて、平行な状態で被検体Saに照射され、該被検体を透過したビームXを、前方回折ビームFDと回折ビームDとに分離し、分離された前方回折ビームFD及び回折ビームDの両方または少なくとも一方により、被検体Saの暗視野画像を得る。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子顕微鏡を用いて試料を検査する方法を提供する。
【解決手段】試料を試料ホルダ上に載置する手順、粒子光学鏡筒を用いて、少なくとも1つの粒子放射線ビームを試料へ案内することによって、試料から放出される放射線を発生させる相互作用を生じさせる手順、第1検出器構成C1を用いて、放出される放射線の第1部分を検出して、第1部分に基づいて第1画像I1を生成する手順を有する。第1検出器構成C1とは異なる第2検出器構成C2を用いて、放出される放射線の第2部分を検出して、第2部分に基づいて第2画像I2を生成することで、検出器構成の組SD={C1,C2}と、対応する画像の組SI={I1,I2}をまとめる手順、コンピュータ処理装置を用いて、SIの各異なる画像を自動的に比較して、SDのうちの少なくとも1つに対する視線が閉塞された試料上の少なくとも1つの閉塞領域を数学的に特定する手順を有する。 (もっと読む)


【課題】分析対象試料に赤外線とX線とを同時に透過させて測定することができると共に、装置の小型化を図ることができる赤外透過スペクトル測定装置を提供する。
【解決手段】赤外線を照射するための赤外線発生器10と、赤外線発生器10からの赤外線を分析対象試料30に向けて反射させる第1反射鏡11と、分析対象試料30を透過した赤外線を赤外線検出器13に向けて反射させる第2反射鏡12とを備え、受光した赤外線をフーリエ変換分光法によって分光して分析対象試料を測定する赤外透過スペクトル測定装置において、分析対象試料30に照射するためのX線発生器20と、分析対象試料30を透過したX線を受光する小角散乱検出器21または広角散乱検出器22のいずれか一方または両方とを備え、X線を挟んだ一方の側に第1反射鏡11を配置し、X線を挟んだ他方の側に第2反射鏡12を配置した。 (もっと読む)


【課題】 中性粒子ビームの強度を測定することができる、中性粒子ビーム形成装置、それを用いた表面分析装置、中性粒子ビーム形成方法、および表面分析方法を提供する。
【解決手段】 中性ガスを導入してイオンビームを該中性ガスにより中性化して中性粒子ビームに変換する中性化室3と、中性粒子ビームの強度をモニタする中性粒子ビーム強度モニタ機構とを備え、中性粒子ビーム強度モニタ機構は、中性ガスとイオンビームとの電荷交換反応によって中性ガスが帯電して生じる帯電粒子の電荷を計測する機構であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 反射電子像と光学像とを同時に取得することができる電子線分析装置の提供。
【解決手段】 試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源20と、試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する反射電子検出器40と、試料表面上の分析位置を含む領域に前記所定方向から可視光を照射する落射光用光源部60と、試料表面上の分析位置を含む領域から前記所定方向と逆方向に反射した可視光が入射して、試料表面上の分析位置を含む領域の光学像を取得する画像取得部51b、71と、試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器40で信号を収集し、信号の強度に基づいて試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部51とを備える電子線分析装置1であって、落射光用光源部60は、赤色領域の光を出射しないものとする。 (もっと読む)


【課題】 金属部材の化成処理膜中に含まれる六価クロムを重量濃度で定量する分析方法を提供する。
【解決手段】
分析対象となる検体を研磨シート上に採取した分析試料に励起X線を照射し、弾性散乱X線強度を測定する手順と、散乱X線強度に基づいて分析試料の重量を算出する手順と、研磨シートの接着剤層を有機溶媒中で溶解した溶液をろ過し、ろ過残渣として分析試料を分離する手順と、ろ過した残渣をアルカリ分解液に溶解させた溶液中の六価クロム量を測定する手順と、分析試料の重量に対する六価クロム量の比を六価クロムの重量濃度として算出する手順とを有することを特徴とする六価クロムの分析方法に関する。 (もっと読む)


【課題】走査型電子顕微鏡により高分子材料の相分離構造、ラメラ構造および結晶の配向状態を解析することが可能な高分子材料の微細構造の観察方法を提供する。
【解決手段】本発明の高分子材料の微細構造の観察方法は、高分子材料を所定の大きさに成形して、観察用の試料とする工程Aと、前記試料を液状の透明樹脂で包埋する工程Bと、前記透明樹脂が硬化した後、クロスセクションポリッシャーにより、前記透明樹脂および前記試料を研磨し、前記試料の観察面の面出しを行う工程Cと、前記面出しされた観察面に、導電膜を形成する工程Dと、前記導電膜が形成された観察面を、走査型電子顕微鏡により観察する工程Eと、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】被写体を、眼の疲労が少ない立体像で表示しつつ、同一の視線上に被写体の断層画像を表示することが可能な撮影画像合成表示装置を提供する。
【解決手段】撮影画像合成表示装置3は、インテグラル方式の立体画像撮影装置1で撮影された要素画像群である被写体要素画像群と断層画像記憶装置2に予め記憶されている被写体の断層画像とを入力する画像入力手段30と、被写体要素画像群をインテグラル方式の立体像として表示する立体像表示手段330と、断層画像を表示する断層画像表示手段331と、立体像表示手段330が表示する映像光と断層画像表示手段331が表示する映像光とを光路上で合成する合成手段332と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】測定者が必要とする試料上の領域のみを、必要最小限の動作で測定することで、マッピング分析に要する測定時間を短縮するX線分析装置を提供する。
【解決手段】マッピング像と試料の画像データとを重畳処理し、照射ポイントに相当する位置を決定し、その結果に基づき画像表示し、該表示された画像において測定実施領域を指定して、試料移動機構が指定された領域以外を高速で移動するようにした。 (もっと読む)


【課題】X線反射率法および中性子反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布および核散乱長密度分布を画像化する方法及びその装置を提供する。
【解決手段】本発明では、微小ビームを作製してXYスキャンを行う方法によらず、通常のX線反射率法および中性子反射率法において用いられるものと同じサイズのビームを用い、数学的な画像再構成のアルゴリズムによって、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布および核散乱長密度分布の画像が得られる装置を開発した。 (もっと読む)


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