【目的】 炭化珪素発光素子中のｐ型炭化珪素に対して、金属膜をオーミック電極とするための熱処理工程において消失せず、またその熱処理工程によって球形化しない電極を形成する。
【構成】 IV族元素又は立方晶ＢＮの光半導体素子のｐ型領域１３に隣接して形成されるｐ型炭化珪素の電極２２としてIII 族金属と該III 族金属との金属間化合物の融点が該III 族金属の融点以上となるＰｔ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｂから選ばれた一つの金属との金属間化合物を用いる。また、オーミック電極となり得る金属膜上に高い温度を融点として持つ物質を積層する。
【効果】 半導体素子製造工程に必要なボンディング工程を容易に行なえる。また、より高温で熱処理することができるため一層低抵抗の電極を形成できる。 （もっと読む）

【目的】 コンパクトで絶縁性能に優れた導体接続装置を得る。
【構成】 絶縁ブッシング２内の絶縁導体４のＣＶケーブル３が接続される側と反対側に金属板14を設け、さらに絶縁ブッシング２の端部にも金属板10を設け、これら金属板10，14の間に形成される空隙部にシリコーンゲル13を充填する。 （もっと読む）

【目的】バックプレーンでのクロストークノイズおよび反射ノイズの影響を緩和でき、データ転送速度が大きくなっても、受信側の論理回路基板に対するマージンが小さくならないようにする。
【構成】論理回路基板１１，１２間でデータ転送する際、データを送信側の論理回路基板１１からバックプレーン１３へ送信するときに、送信側の論理回路基板１１内のデマルチプレクサ回路１４で、バックプレーン１３上のデータバス１５のビット幅を送信側の論理回路基板１１上のデータバス１６のビット幅よりも広くし、また、受信側の論理回路基板１２でバックプレーン１３からのデータを受信するときに、受信側の論理回路基板１２内のマルチプレクサ回路１７で、バックプレーンデータバス１５のビット幅を送信側データバス１６のビット幅と同じビット幅に戻す。 （もっと読む）

【目的】ゴミの付着や静電気の発生を伴わずに液晶配向膜を製造できる方法を提供する。
【構成】電極が形成された基板上に高分子溶液を塗布し、せん断応力を加えながら薄層化して高分子溶液薄層を形成した後、この高分子溶液薄層を乾燥して固化することにより配向膜を形成する。 （もっと読む）

【目的】 初期化磁石を必要とせずに、ディスクの半径方向、周方向の両方向に対して高密度化を行うことができる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【構成】 磁性体からなる再生層１、記録層２、及びバイアス層４をレーザ入射側から再生層１、記録層２、バイアス層４の順に積層して光磁気記録媒体を構成する。再生層１と記録層２とは交換結合が主となるように積層され、記録層２とバイアス層４とは静磁結合が主となるように積層され、かつ、前記バイアス層が記録・消去・再生過程において到達する最高温度以下の温度において磁化反転しない。 （もっと読む）

【目的】優れたオン特性を維持しながら、ターンオフ能力の向上を図った絶縁ゲート型サイリスタを提供することを目的とする。
【構成】ｎ^- 型ベース層１の一方の面に少なくとも一対の溝４が形成され、この溝４内に絶縁ゲート電極５が埋込まれ、溝４に挟まれた領域の表面部にｎ⁺ 型カソード層７が形成され、ｎ^- 型ベース層１の他方の面にはｎ型バッファ層２を介してｐ⁺ 型アノード層３が形成されて、絶縁ゲート型サイリスタが構成されている。絶縁ゲート電極５の端部側面に接して、ｐ⁺ 型ソース層８，ｎ型チャネル層９およびｐ⁺ 型ドレイン層１０がｎ^- 型ベース層１に連続して形成されて、ターンオフ時にホールを排出するための縦型ＭＯＳトランジスタが構成されている。 （もっと読む）

【目的】 高速スイッチング動作時の電源ノイズの発生が抑制され、信頼性が高くかつ半導体集積回路や個別部品の高集積化、高密度実装化を実現した半導体集積回路実装基板を提供する。
【構成】 第１の導電体電極層２と第２の導電体電極層４とこれらの 2つの層間に挟持される誘電体層３とにより形成されるコンデンサが、基板１上に配設されており、基板の最上層の表面に実装された半導体集積回路チップ８とは接続ビア（ｖｉａ）９、１０によって接続され、チップコンデンサの表面実装およびその配線のための面積が不要でその分集積回路チップをより多く実装でき、またそれらの配置および結線の自由度も高くでき、半導体集積回路や個別部品の高集積化、高密度実装化が実現できる。 （もっと読む）

【目的】 通常の放射線量測定を中断することなく、検出器異常の早期発見および電極生成物の除去を可能にする放射線計測装置を得る。
【構成】 放射線検出器１は電極間に定電圧を印加して形成される電界に放射線を照射し、電極に流れる電流を検出する。可変電圧印加装置２は定電圧およびこれより所定値だけ高い高電圧をそれぞれ瞬時値に含むように周期的に変化する電圧を電極間に印加する。電流読み取り装置４は少なくとも定電圧および高電圧を含む複数の電圧値に対応する電極の電流を周期的に読み取る。判定装置５は定電圧に対する読み取り電流値から放射線量を測定すると共に、定電圧以外の電圧に対する読み取り電流値から放射線検出器１の異常を検出する。 （もっと読む）

【目的】分散処理システムを構成する各計算機からのメッセージを集中管理できるようにし、分散処理システムの運用性の向上、保守員の負荷軽減を図る。
【構成】計算機ネットワーク中に分散するコンピュータ群をある論理的な集合に形成させ、ドメイン中の各監視対象ノード１１〜１３中のプロセスから発行するメッセージをドメイン中に１つ存在する集中管理ノード１４に転送し、集中管理ノード１４においてメッセージを統一的に管理する。集中監視ノード１４でドメイン中の全監視ノードの状態を把握することができ、障害時、応答待ちプロセスへの迅速な対応が可能となり、また、保守員の人数および負荷の低減を実現できる。 （もっと読む）

【目的】 本発明は非水溶性液体と水との接触により氷を生成する製氷手段を備えた氷蓄熱装置において、冷凍機効率，氷の充填率，および解氷性能の向上をはかり、蓄熱槽内に連続的にシャーベット状の氷を製作できる非水溶性液中に直接水を噴射する方式の氷蓄熱装置を提供する。
【構成】 本発明において、蓄熱水槽１の底部に設けた水より重い非水溶性液体２を貯溜する貯溜部と該液体を０℃以下に冷却する冷凍機装置６とを備えた製氷部を有し、前記液体２内に蓄熱水槽１内の水を直接噴出し、前記液体を水との直接接触により氷を製造する手段を備えた氷蓄熱装置において、前記液体２貯溜部から非水溶性液体２を抽出し、冷凍機６で冷却した後再び前記液体貯溜部に戻す非水溶性液体循環系４からなる非水溶性液体冷却部と、水３貯溜部から水３を抽出し非水溶性液体１底部から水３を噴出させる水循環系５とを備えた構成とする。 （もっと読む）