【課題】高い電圧を有する入力信号に対して適切に動作するアナログスイッチを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】入力端子と出力端子との間にＰチャネルトランジスタとＮチャネルトランジスタとを並列に接続したアナログスイッチと，入力端子に印加される入力電圧に応じて，Ｐチャネルトランジスタの第１ゲート電圧及び第１バックゲート電圧と，Ｎチャネルトランジスタの第２ゲート電圧及び第２バックゲート電圧とのそれぞれの電位を可変生成する可変電圧回路と，アナログスイッチを導通または非導通に制御する制御信号を可変電圧回路に供給する制御回路とを有する。可変電圧回路は，導通に制御する制御信号に応答して，可変生成される第１ゲート電圧と第２ゲート電圧とをＰチャネルトランジスタとＮチャネルトランジスタのゲートにそれぞれ出力する。 （もっと読む）

【課題】半透明なオブジェクトの後ろに不透明なオブジェクトが配置されている場合，半透明なオブジェクトと不透明なオブジェクトとが重なる領域を適切にぼかす。
【解決手段】画像生成部111は，3次元仮想空間において，半透明なオブジェクトが，不透明なオブジェクトよりも所定の視点位置側に配置され，かつ，2次元表示用画像において半透明なオブジェクトと不透明なオブジェクトが重なる場合，半透明なオブジェクトの透明度に応じて，この重なる領域のぼけ度を，不透明なオブジェクトのぼけ度の割合で補正する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や電子機器の更なる微細化・高集積化の要請に応えるべく、隣接するバンプ間距離を短縮するも、当該バンプ間に短絡を生ぜしめることなく良好な所期のバンプリフローを実現し、信頼性の高い製品を実現する。
【解決手段】チャンバ１内の上部に設けられた、第１の加熱温度を制御する第１の加熱制御機構３と、チャンバ１内の下部に設けられた、第１の加熱制御機構３と独立して第２の加熱温度を制御する第２の加熱制御機構４と、第１の加熱制御機構３を上下方向に移動させる第１の移動機構５と、第２の加熱制御機構４を、第１の移動機構５とは独立して上下方向に移動させる第２の移動機構６とを含む。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作が可能なＳＲＡＭをそのセル面積の増加を抑えて実現する。
【解決手段】第１方向Ｓに並ぶＰ型ウェル領域２０、Ｎ型ウェル領域３０、Ｐ型ウェル領域４０に、第２方向Ｔに隣接するメモリセル１ａが形成される。各メモリセル１ａは、Ｐ型ウェル領域２０，４０に形成されたトランスファトランジスタＴｆ１，Ｔｆ２及びドライバトランジスタＤｒ１，Ｄｒ２、Ｎ型ウェル領域３０形成されたロードトランジスタＬｏ１，Ｌｏ２を備える。ＳＲＡＭ１では、第２方向Ｔに隣接するメモリセル１ａの、互いのトランスファトランジスタＴｆ１のゲート電極がワード線ＷＬ１に、互いのトランスファトランジスタＴｆ２のゲート電極がワード線ＷＬ２に、それぞれ電気的に接続される。ワード線ＷＬ１はＰ型ウェル領域２０に、ワード線ＷＬ２はＰ型ウェル領域４０に、それぞれ電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】配線層間に絶縁物が堆積しない配線の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、第１絶縁体層１４と、第１絶縁体層１４上に間隔を空けて配置された複数の配線層１８ａ、１８ｂと、配線層１８ａ、１８ｂの側面上に形成された水素を吸蔵及び放出する水素吸蔵層１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ、１９ｅと、複数の配線層１８ａ、１８ｂ上に、配線層間の溝２０ｂ上を跨ぐように形成された第２絶縁体層２３と、を備えた配線を備える。 （もっと読む）

【課題】電源線と機能回路の間に電源スイッチとして接続されるＭＯＳトランジスタのオン時のバックゲートの電圧を簡単な構造で調整することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の電源線２、３と、機能回路４ａ_０〜４ａ_ｎと、一対の電源線２、３との少なくとも一方と機能回路４ａ_０〜４ａ_ｎの間に接続されるスイッチング回路６ａ_０〜６ａ_ｎ、７ａ_０〜７ａ_ｎとを有し、スイッチング回路６ａ_０〜６ａ_ｎ、７ａ_０〜７ａ_ｎは、ソース／ドレインの一方が機能回路４ａ_０〜４ａ_ｎに接続され、他方が前記一対の電源線２、３の一方に接続される第１のＭＯＳトランジス１１と、第１のＭＯＳトランジスタ１１のゲートとバックゲートを接続する抵抗素子１２、２１と、第１のＭＯＳトランジスタ１１のゲートに接続されるゲート電圧制御回路１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基準チップ特定に用いる目印を半導体ウエハに形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、フォトレジスト膜の形成された半導体ウエハに、露光用マスクを介して第１、第２、第３露光を行う工程を有し、第１露光の第１ショット領域に対し、第２露光の第２ショット領域は第１方向に隣接し、第２ショット領域に対し第３露光の第３ショット領域は第１方向に隣接し、ショット領域は第１方向に交差し対向する第１、第２の辺と、第１方向に平行な第３、第４の辺を有する外周スクライブ領域を有し、第１の辺上に第１パターンが、第２の辺上で第１パターンと対向する位置に第１パターンを内包する透光領域の第２パターンが配置され、第１、第２露光は第１、第２パターンが重ならないように、第２、第３の露光は第１、第２パターンが重なるように行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の回路面積を小さくする。
【解決手段】被試験回路２の観測対象の複数の信号線ＴＡ１〜ＴＡ４上の観測点ＴＰ１〜ＴＰ４を複数の入力端子に接続し、複数の信号線ＴＡ１〜ＴＡ４を伝搬する値の、論理積、論理和、否定論理積、または否定論理和の何れかを演算し、複数の信号線ＴＡ１〜ＴＡ４の何れかを伝搬する値に応じた出力値を出力する論理回路（ＮＯＲ回路３，ＮＡＮＤ回路４）を設けることで、複数の観測点をＥＯＲ回路を用いて共用する半導体集積回路より回路面積を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】 複数のバッファに供給される信号が同時に同じレベルに変化するときに発生する電源ノイズを低減する。
【解決手段】 半導体集積回路は、動作モードに応じて信号を互いに同期してまたは非同期に出力する複数の第１バッファと、複数の第１バッファから出力される信号をそれぞれ受け、伝搬遅延時間が互いに異なる複数の第２バッファとを有している。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース／ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース／ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 （もっと読む）