【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたｐ型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧力センサにおいて、大型化を抑制しつつ、絶縁部材に圧力検出素子が接触する可能性を低減させる。
【解決手段】圧力センサは、軸線方向に延び、先端側が底面部を形成する有底筒状の筐体と、圧力検出素子と、貫通孔４０を有する台座３０と、隙間をあけて貫通孔に挿通され、ボンディングワイヤによって圧力検出素子と電気的に接続される配線部５０と、を備える。さらに圧力センサは、貫通孔内の隙間に充填され、台座と配線部を絶縁すると共に配線部を保持する絶縁部材３６を有する。台座は、貫通孔の先端側開口が形成された対向面を有する台座本体３２と、対向面から突出し、圧力検出素子と当接する凸部３４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術を改善する装置および方法を提供することである。
【解決手段】半導体本体（８０）の上側の面で垂直ベクトル方向に、プラスチック部材（３０）が開口部（２０）の外の領域では壁（１１０）よりも大きな高さを有し、壁（１１０）の基面と半導体本体（８０）の上側との間に固定層（１０５）が形成されており、壁（１１０）は開口部（２０）内に形成されたセンサ面から離間している。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの信号強度及び検出感度を向上することができると共に、長期に亘って高い作動信頼性を確保することができ、且つシンプルな構成で製造容易化及び低コスト化を図り易いセンサを提供すること。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板１１の一方の面に接合され、圧電性基板１１との間に気密封止されたキャビティＣを画成させる封止基板１２と、を具備するパッケージ１３と、圧電性基板１１の一方の面に形成され、圧電性基板１１と前記封止基板１２との接合部及びキャビティＣ内に配設されたＩＤＴ１６と、封止基板１２又は圧電性基板１１を厚み方向に貫通すると共にＩＤＴ１６に導通する貫通電極３３と、圧電性基板１１及び封止基板１２のうちの少なくとも一方に形成され、貫通電極３３に導通する外部接続電極１８と、を備え、圧電性基板１１は、パッケージ外部から作用する力学量に応じて変位する変位部２１を有し、圧電性基板１１には、変位部２１を圧電性基板１１の他方の面側に露出させる開放部Ｅが設けられているセンサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】流体配管の交換に伴うコストを低減することができる圧力検出器を提供すること。
【解決手段】圧力検出器１０のハウジングＨには冷媒配管Ｐが接続されるとともに、圧力検出器１０は、冷媒配管Ｐ内の圧力をハウジングＨ内に導入するステム２２を備える。また、圧力検出器１０において、ステム２２に支持された台座２９には圧力検出素子３０が支持されるとともに、冷媒配管Ｐ内の圧力をステム２２を介して圧力検出素子３０に導入するための圧力導入路３１が形成されている。そして、圧力導入路３１には、過大な圧力を減衰するための絞り３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】圧力検出素子と基板との安定した電気的接続を形成する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサは、有底筒状の第１のケースと、筒状の第２のケースと、第１と第２のケースとの間に配置され、第１と第２のケースを接続する筒状の接続部材であって、弾性を有する接続部材と、を備える。また、圧力センサは、圧力検出素子と、台座と、回路部が配置された基板と、圧力検出素子と回路部とを電気的に接続するための電気配線路と、を備える。接続部材には、接続部材の外側からワイヤボンディングによりボンディングワイヤを形成するための開口部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、振動梁の周辺に隙間が維持されるように振動梁を囲み基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、振動梁を励振する励振手段と、振動梁の振動を検出する振動検出手段とを具備する振動式トランスデューサにおいて、真空室内に設けられ基板に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有するシリコン単結晶の振動梁と、基板面に平行に設けられ振動梁に一端が接続される板状の第１の電極板と、基板面に平行に振動梁に対向して設けられ振動梁と第１の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第２電極板と、振動梁と第２の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部と、を具備したことを特徴とする振動式トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】水中で稼動する機器に防水構造で装着すること、低価格、正確な計測、良好な防水性及び小型化が可能な荷重センサを用いた圧力測定装置２を提供することが目的である。
【解決手段】防水シート１１で凹型の筐体５１の開口部を覆うことで防水性を得ると共に外部からの荷重を受けている。防水シート１１が低価格であり、そのシール面及び受圧面が広いことにより、低価格、良好な防水性、正確な計測及び小型化を可能とする荷重センサを用いた圧力測定装置２を提供することができた。 （もっと読む）

【課題】小型化することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】センサ部４を、測定媒体の圧力に応じたセンサ信号を出力するセンシング部３０と、第１ターミナル７ａを介して外部回路１１０からセンシング部３０を駆動させる所定の電圧が印加される入出力端子５０と、センサ信号が入力されてセンサ信号に応じたパルス信号を出力する周波数生成回路４３と、パルス信号によってオン、オフが制御されるスイッチング素子４４と、スイッチング素子４４に接続される抵抗４５と、を有するものとする。そして、パルス信号に応じてスイッチング素子４４がオンしたときに抵抗４５に電流が流れることにより、入出力端子５０の電圧がパルス信号に応じて変動し、第１ターミナル７ｂが外部回路１１０から入出力端子５０に所定の電圧を印加する入力ターミナルとされていると共に入出力端子５０の電圧変動を外部回路１１０に出力する出力ターミナルとされているものとする。 （もっと読む）

【課題】 複雑な圧力伝達機構を用いる必要がなく、簡単な構造のセンサを用いて感度よく測定することができる水圧測定装置を提供する。
【解決手段】 光ファイバ１０の片側に光源１１、他方側に光検出部１２とを備え、光ファイバ１０の中間領域に水圧を検出する水圧センサ部１３が設けられ、水圧センサ部１３は、光ファイバで形成される感圧部１０ａと、周期の溝面が形成され、溝面を感圧部の光ファイバに対し軸方向に沿って当接させる棒状の溝付き部材１５と、感圧部１０ａが溝付き部材１５の溝面に圧接されるように固定するファイバ圧接部材１６とからなる光透過型のＬＰＦＧにより構成されるようにすることで、ＬＰＦＧによる特定波長の減衰量を水圧に応じて変化させる。 （もっと読む）

【課題】低コスト化かつ小型化を実現できる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】圧力センサ１は、内部に基準圧室８が形成されたシリコン基板２と、シリコン基板２の一部からなり、基準圧室８を区画するようにシリコン基板２の表層部に形成されたダイヤフラム９と、ダイヤフラム９の周囲を取り囲んでダイヤフラム９をシリコン基板２の他の残余部分１１から分離する分離絶縁層１０とを含んでいる。ダイヤフラム９には、基準圧室８に連通した貫通孔１２が形成されていて、貫通孔１２内には、充填体１４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】軽量化および小型化が実現されるとともに組み立て作業の効率が向上しかつ分解が可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】パイプ部材２０内の下部フレーム８０の上端面が上部ケース１０内の上部フレーム５０の下端面に当接した状態で、複数のねじ１７ａにより下部フレーム８０が上部ケース１０に固定される。下部フレーム８０のフランジ上端面８２ａはパイプ部材２０の凸部下端面２４ｅに当接する。パイプ部材２０の上端部は、デザインリング９０の上端部を介して上部ケース１０の大径部１３の下端面により保持される。それにより、パイプ部材２０が上部ケース１０と下部フレーム８０とで挟持される。表示基板４０は上部ケース１０内に取り付けられる。パイプ部材２０内で電源基板６０およびメイン基板７０は上部フレーム５０および下部フレーム８０により軸方向に沿って保持される。 （もっと読む）

【課題】コストを増大することなく導入管の形状を容易に変更することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】薄膜のダイアフラム部１ａ及び該ダイアフラム部１ａの圧力による撓みを検出する検出素子が形成されたセンサチップ１と、センサチップ１を収納する一面を開口した略箱形のボディ１１並びにボディ１１に取り付けられて被圧力検出流体をボディ１１内部に導入する導入口１２ａを有する導入管１２から成るパッケージ１０とを備え、導入管１２には、その一端部の周方向に沿って外側に向けて突出する鍔部１２ｂが一体に設けられ、該鍔部１２ｂは、円形状に形成され、ボディ１１の上端の外周縁に係止され且つボディ１１の前記開口を塞ぐとともに、封止材６で封止されることでボディ１１に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】振動式トランスデューサの製造工程を簡略化するとともに、簡易にセンサ性能の向上を図れるようにする。
【解決手段】振動子が形成された第１のシリコン基板の振動子形成面側に、絶縁膜を挟んで第２のシリコン基板を接合させる工程と、第２のシリコン基板を、振動子を覆うとともに、振動子の励振または振動周波数検出のための電極として機能するシェルに加工する工程と、シェル内を真空封止する工程とを含む振動式トランスデューサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】構成の小型化、製造工程の簡略化を達成し得る半導体圧力センサを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１３のダイヤフラム部１２に形成された複数のｎ型半導体領域２１と、各ｎ型半導体領域２１のそれぞれに対応してｎ型半導体領域２１内に形成されたピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４と、絶縁体薄膜層２２を介して各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４上に形成された導電性のシールド薄膜層２３とを有し、複数のピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサ１１において、ｎ型半導体領域２１とピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４上に形成されたシールド薄膜層２３とは、ダイヤフラム部１２に形成されたコンタクト部２４によって電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さく、大量に効果的に生産できる高感度圧力センサを製造するための方法を提供する。
【解決手段】第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。架設された構造は、封鎖物５００によって封入される。 （もっと読む）

【課題】差圧発信器などの物品を姿勢調整する機能を備えた取付具を提供する。
【解決手段】差圧発信器３０を固定した回転部材２０の両端部分が、固定部材１０の一対の支柱１１，１２により回転自在に支持される。回転部材２０が自重により支軸２１，２２を通る回転軸を中心にして回転することで、差圧発信器３０の姿勢を重力方向に対して一定に調整する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＮ構造の半導体装置において、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができ、プロセスラインの汚染を防止することができて、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造９上部のシリコン層３２の段差１８をアライメントマーク２０として用いることによって、アライメントマーク２０の形状崩れが防止されて、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができるようになる。また、段差１８が小さいためにフォトリソグラフィー工程で凹部へのレジストの残留やプロセス途中で発生するゴミの残留が防止され、プロセスラインの汚染が防止できる。その結果、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサの小型化に伴う性能のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。そして、エッチング液を前記エッチング液導入孔１５に通じて、犠牲層１６をエッチングすることにより積層構造を真空室上で機能するダイヤフラム体１１として形成するとともに、シリコン基板１における第１絶縁膜２の第１開口２ａ下の表面をエッチングすることにより真空室となるべき空間１３と、当該空間１３中に配置され、ダイヤフラム体１１の中央付近に向かって突出するダイヤフラムストッパー１２とを形成する。 （もっと読む）