【課題】
レーザ光源と受光センサのみの簡易な装置で容易に極細のパイプ形状を含む丸棒の外周面の疵や汚れ等の表面欠陥を検出することができる丸棒検査装置及び丸棒検査方法を提供することにある。
【解決手段】
パイプ形状を含む丸棒の軸に略垂直に外周面に平行光であるレーザ光を照射するレーザ光源と、丸棒の軸断面視で、丸棒の軸におけるレーザ光の入射方向とのなす角度が９０度を超え１８０度未満になるように設けられた受光センサとを備え、レーザ光の外周面での反射光を受光センサで受光し、受光した光のレベルから外周面を検査することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光学素子の欠陥を精度よく確認することができる外観検査装置を提供すること
【解決手段】
本発明の外観検査装置は、基板７の欠陥を検出する外観検査装置であって、前記基板７の平面に対してそれぞれ斜めに光を照射するとともに前記基板７を挟んで配置された複数の低倍率カメラ用光源３と、これらの低倍率カメラ用光源３の光軸と交差する方向に光軸を有するとともに、前記低倍率カメラ用光源３から照射されて前記基板７から反射または透過する光を撮像する低倍率カメラ４と、前記基板７の平面に対して垂直に光を照射する高倍率カメラ用光源５と、この高倍率カメラ用光源５の光軸と同一の光軸を有するとともに前記高倍率カメラ用光源５から照射されて前記基板７で反射された光を撮像する高倍率カメラ６と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置で使用するために、基板の厚さ及び平坦さの通常の変動より大きい高さ範囲で確実な測定結果を提供するレベルセンサを提供する。
【解決手段】基板の高さレベルを決定するように構成され、周期的な光強度を有する測定ビームを基板に投影する投影ユニットと、基板で反射した測定ビームを受ける検出ユニットとを備える。検出ユニットが、反射した測定ビームを受けるように配置された検出格子１１を備え、検出格子１１が投影される前記投影ビームの周期の長さと実質的に等しい長さを有する３つ以上のセグメント１３ａ、１３ｂ、１３ｃを備え、反射した測定ビーム１４を３つ以上の反射測定ビーム部分１４ａ、１４ｂ、１４ｃに分割するように構成され、３つ以上の検出器がそれぞれ測定ビーム部分のうちの１つを受けるように配置され、さらに、検出器が受けた測定ビーム部分に基づいて高さレベルを計算する処理ユニットを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ表面や表面近傍に存在する異物や欠陥等に由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する異方性を有する場合であっても主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥等の検査が可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】光源１１からの光はビームスプリッタ１２で、略等しい仰角を有し、互いに略直交する２つの方位角からの２つの照明ビーム２１、２２となり、半導体ウェハ１００に照射され、照明スポット３、４となる。照明光２１、２２による散乱・回折・反射光の和を検出するとウェハ１００自身又はそこに存在する異物や欠陥が照明方向に関する異方性の影響を解消できる。これにより、異物や欠陥等に由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する場合であっても主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥等の検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の状態を光学的に観察して、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】本発明では、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板に光を照射し、光が照射された多結晶シリコン薄膜の表面から発生する１次回折光の像を撮像し、撮像して得た１次回折光の像の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査し、画像を処理して検査した１次回折光の像を検査した結果の情報と共に画面上に表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】従来の２次元画像処理装置と同様に、利用可能な処理項目を提示して３次元計測の処理のシーケンスを作成させるユーザインタフェースを持つ画像処理装置を提供する。
【解決手段】２次元画像処理の複数の項目、および３次元計測処理の少なくとも１つの項目が登録された画像処理装置において、ユーザによる処理項目の選択に応じて２つの画像Ａ０，Ａ１を用いた処理のシーケンスを設定して実行する。２次元画像処理の項目には、画像Ａ０に対し、あらかじめ登録されたモデル画像との一致の程度が高い領域７１の代表位置を特定する処理項目が含まれる。この処理項目を含むシーケンスに組み込まれる３次元計測用の項目は、画像Ａ１に対し、上記のモデル画像との一致の程度が高い領域８１の代表位置を特定する処理と、各領域７１，８１の代表位置を用いて３次元計測用の演算処理を実行する処理とを実行するように設計される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】複雑なシステムを採用することなく、簡単なシステム構成により、シーラーの塗布品質の管理を正確に行うことができるシーラー塗布形状監視装置を提供する。
【解決手段】ワークＷの表面に塗布されたシーラーの塗布品質を判定するシーラー塗布形状監視装置１であって、ワークＷ及びワークＷの表面に塗布されたシーラーＺに対してレーザ光Ｌを照射し、その照射したレーザ光の反射光Ｌ´を受光し、その受光した反射光からワークＷ及びシーラーＺの表面輪郭形状を検知する２次元変位センサ３と、２次元変位センサ３が検知した表面輪郭形状を用いて、ワークＷの表面に塗布されたシーラーＺの高さ及び幅を算出する制御装置１０と、制御装置１０が推定したシーラーＺの高さ及び幅と、所定の基準値とを比較し、ワークＷの表面に塗布されたシーラーＺの塗布品質の良否を判定する塗布設備制御盤２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】
被写体の三次元計測時に用いる投影パターンをより高い密度で投影できるようにした技術を提供する。
【解決手段】
情報処理装置は、複数の計測線パターンと、当該複数の計測線パターンに対して複数の交点を有するとともに交点間の形状が特徴付けられる基準線パターンとを含むパターンデータを生成し、当該生成されたパターンデータに基づく投影パターン光が投影された被写体を撮像した撮像画像を入力し、当該撮像画像から交点を抽出し、撮像画像における基準線パターン上の交点間に特徴付けられた形状の一次元的又は二次元的な配置を示す情報を同定情報として取得し、当該同定情報に基づいてパターンデータにおける基準線パターンと撮像画像における基準線パターンとを対応付け、当該対応付け結果に基づいてパターンデータにおける計測線パターンと撮像画像における計測線パターンとを対応付ける。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】 平面、円筒、自由形状を含む各種形状の基板の外面および内面上に施したＤＬＣ薄膜の膜厚と屈折率を近赤外光を用いて精度良く測定することを目的とする。
【解決手段】 グラファイト成分を含むダイアモンド状カーボン薄膜が半透明な波長域の近赤外光を光源として利用することを特徴として垂直反射干渉スペクトル計測によって膜厚と屈折率の積を求める。
また、干渉測定する対象試料の同一点の屈折率を同一光源を用いて、傾斜入反射測定計で反射物質の屈折率のみで決まるブリュースター角を測定することで、屈折率を決定する。結果として、正確な膜厚が求まる。 （もっと読む）

【課題】トナーパターンのトナー濃度や位置を、より高精度に検出できる反射型光学センサを提供する。
【解決手段】発光部Ｅ１〜Ｅ９を配列した照明系と、受光部Ｄ１〜Ｄ９を配列された受光系と、共に平凸形状の照射用マイクロレンズアレイＬＥ１〜ＬＥ９および受光用マイクロレンズアレイＬＤ１〜ＬＤ９とを有し、照射用マイクロレンズの光軸は、対応する発光部Ｅ１〜Ｅ９の中心を通り発光部に垂直な発光部軸に平行で、この発光部軸に対して受光系側へ所定距離ずれ、各受光用マイクロレンズＬＤ１〜ＬＤ９の光軸は、対応する受光部の中心を通り受光部に垂直な受光部軸に対して平行で、受光部軸に対して、照明系に近づく側もしくは遠ざかる側にずれており、照射用マイクロレンズと受光用マイクロレンズとは、レンズ面積、レンズ面曲率半径、レンズ肉厚が、何れも互いに異なり、受光用マイクロレンズのレンズ面積が照射用マイクロレンズのレンズ面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】欠陥検出に適した画像を取得することを目的とする。
【解決手段】被検査物の検査対象領域に照明光を照射し、検査対象領域の基準画像を基準となる基準撮像条件に従って取得し、基準画像をクラスタリング処理して複数のクラスタに分割し、各クラスタが所定の条件に合致するかを判定し、各クラスタが所定の条件に合致しない場合に、所定の条件に合致しないクラスタの撮像条件を変更し、所定の条件に合致しないクラスタの画像を変更された撮像条件に従って取得し、全てのクラスタが所定の条件に合致するまで撮像条件の変更及びクラスタの画像の取得を繰り返し、全てのクラスタが所定の条件に合致すると判定された場合に、所定の条件に合致した各クラスタの画像を合成して検査対象領域の合成画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】設定された精度の検査結果を得るのに要する時間の点で有利な検査装置を提供する。
【解決手段】異物または欠陥としての不具合に関して物体を検査する検査装置は、光を照射された物体からの光を検出し、当該光の強度が閾値を超えた前記物体上の位置を示す信号を出力する検出部と、前記物体上の位置に異物または欠陥としての不具合が存在することを示す情報を出力する制御部と、前記物体上の位置に前記不具合が存在する確率を示す情報を記憶する記憶部と、前記不具合の検査漏れの数に対する上限値を示す情報を入力する操作部と、を備える。前記制御部は、前記検出部に既定回数（少なくとも１回）前記検出を行わせ、推定された総数と前記記憶部に記憶された情報が示す前記確率とに基づいて、決定された全回数から前記既定回数を減じた残り回数の前記検出を前記検出部に行わせる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の半導体チップ接合傾きを効率的かつ正確に測定する装置及び方法を提供すること。
【解決手段】基板に半導体チップを実装した半導体装置の接合部傾き測定装置であって、該半導体装置を測定のために搭載する検査ステージ部と、該半導体装置に可視光線を照射するための照明部と、該基板と該半導体チップの接合部を側面から撮像するためのカメラと、端面検出部と配置計測部とを含む画像計測部と、を含み、該端面検出部は該カメラにより撮像された入力画像から半導体チップ側面部分および該基板のレジスト面に反射された該半導体チップ側面部分の反射画像を画像処理にて検出し、該配置計測部は該端面検出部により検出された該半導体チップ側面部分及び該半導体チップ側面部分の反射画像をもとに該半導体チップ側面部分の下端部の該基板レジスト面に対する傾きを測定する。 （もっと読む）

【課題】サンプルに形成された薄膜の除去工程中に該薄膜に関する情報を、渦電流プローブを使用して実状態で取得する方法を開示する。
【解決手段】渦電流プローブに検出コイルを設ける。渦電流プローブの検出コイルに交流電圧を印加する。渦電流プルーブの検出コイルがサンプルの薄膜に近接したときには、該検出コイルで第１の信号を測定する。該検出コイルが、既知の組成を有しおよび／または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第２の信号を測定する。第１の信号に含まれる利得及び／又は位相の歪みを第２の信号に基づいて校正する。校正した第１の信号に基づいて薄膜の特性値を決定する。上述の方法を実行する装置を更に開示する。加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨（ＣＭＰ）システムを開示する。このＣＭＰシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。 （もっと読む）

【課題】太陽電ウエハの３次元形状を正確かつ高速に算出する。
【解決手段】第１及び第２形状算出部２４，３４は、撮像部２０により所定のフレームレートで連続的に撮像された複数枚の光切断線画像の画像データを基に、ウエハ５０の表面の３次元形状データを算出する。ここで、第１形状算出部２４は、カメラ２１〜２３が現フレームの光切断線画像を撮像する期間に、１つ前のフレームに探索処理を行うと同時に、２つ前のフレームの光切断線画像に重心算出処理を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の液滴吐出装置では、描画にかかる時間を短縮することが困難である。
【解決手段】ワークＷに対向した状態で、液状体をワークＷに向けて液滴として吐出する吐出ヘッド３３と、吐出ヘッド３３の駆動を制御するヘッド制御部と、ワークＷと吐出ヘッド３３との間の隙間量Ｇを検出する変位測定装置１５と、を含み、ヘッド制御部は、変位測定装置１５からの前記隙間量Ｇの検出結果に基づいて、吐出ヘッド３３における前記液滴の吐出タイミングを補正する、ことを特徴とする液滴吐出装置。 （もっと読む）

【課題】作業スペースと設備投資との問題を解決し、外観検査の自動化を行うことが可能な検査システム及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明の検査システムは、固定されておらず、不確定な位置で検査対象の外観を撮像し撮像画像とする撮像装置と、予め検査対象を撮像した参照画像を記憶する記憶部と、撮像装置の撮像座標上の撮像画像を、参照画像を撮像した際の参照撮像座標上に座標変換し、変換した結果を比較画像として出力する画像処理部と、参照画像と比較画像とを比較するマッチング処理部とを備える。 （もっと読む）