【課題】被検円錐面と球面測定用干渉計とのアライメント調整を高精度に行い、被検円錐面の径測定の精度を向上させることが可能な円錐面測定装置を得る。
【解決手段】平面測定用干渉計２０、２軸傾き調整ステージ３２、ＸＹステージ３４およびＺステージ３５により、被検円錐面９１と球面測定用干渉計１０とのアライメント調整を行うとともに、基準レンズ１２のキャッツアイポイントが被検円錐面９１上に位置する基準位置に、被検レンズ９０を配置する。球面測定用干渉計１０からの測定光の一部が被検円錐面９１上の円弧状の領域に対し垂直に入射する被検円錐面測定位置に、被検レンズ９０を移動させ、基準位置と被検円錐面測定位置との間の距離をレーザ測長機４１の検出値により求め、その距離に基づき被検円錐面９１の径の測定値を算出する。 （もっと読む）

【課題】回転対称な線織面で構成される被検面の形状等を短時間で測定することが可能な光波干渉測定装置を得る。
【解決手段】回転軸Ｒ_２回りに回転せしめられる被検レンズ９の被検面（コバ部表面９５、嵌合面９８、嵌合部底面９９）に対し、顕微干渉計１から測定光軸Ｌに沿って収束しながら進行する低可干渉性の測定光を照射し、被検面の回転位置毎に対応した各回転位置別干渉縞を第１撮像カメラ２４の１次元イメージセンサ２３により撮像する。この各回転位置別干渉縞の画像データに基づき被検面の形状が解析される。 （もっと読む）

【課題】電極パターンまたは配線パターンに安定的に焦点を合わせることができる画像取得装置、欠陥修正装置および画像取得方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、欠陥が生じている基板１１１の一部を拡大した画像を取得する欠陥修正装置１００であって、基板１１１の一部を撮像する撮像部１２１と、基板１１１を載置したステージを移動するステージ移動部１１３と、対物レンズ１２９の基板１１１に対する焦点合わせを行う合焦検出部１２３と、ステージ移動部１１３を制御して、合焦検出部１２３が焦点合わせを行う場合に合焦検出領域から基板１１１の画像取得対象領域内に含まれる欠陥を退避させるステージ制御部１５６と、合焦検出部１２３による焦点合わせ後の焦点条件を固定する合焦制御部１５５と、合焦制御部１５５による焦点条件の固定後に撮像部１２１に基板の一部を撮像させる撮像制御部１５３とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの回路パターンの測長輪郭線の位置を高精度に求める。
【解決手段】パターン計測装置は、転写された回路パターンの画像輪郭線を取得する（ステップＳ３０１）。そして、パターン計測装置は、デザインデータを基本形状に分解し（ステップＳ３０２）、基本形状ごとに法線ベクトルを算出する（ステップＳ３０３）。次に、画像輪郭線に基本形状をマッピングし（ステップＳ３０４）、画像輪郭線にマッピングされた基本形状に対応する法線ベクトルを用いて測長輪郭線の位置を求める（ステップＳ３０５）。なお、デザインデータは、ＯＰＣ（光近接効果補正）の処理が行われていてもいなくても、いずれの場合にも適用できる。 （もっと読む）

【課題】装置又は部品の加工誤差又は製作誤差や、流体固有の屈折率の影響等に起因する画像データ取得の困難性を解消し、マイクロスケールの微小流動場の流体速度等を解析するために有効な画像を単一の撮像装置によって取得する。
【解決手段】微小流動場撮影装置は、微小流動場(M)の可視化流体の粒子画像を撮像する撮像装置(11)と、撮像装置に光学的に連結した顕微鏡(12)とを備える。複数の第１反射面(17,17a)と、第１反射面の各々に対面し且つ顕微鏡の光路に配置された複数の第２反射面(16,16a)とが顕微鏡と微小流動場との間に配置される。微小流動場撮影装置は、第１又は第２反射面の角度を調整する角度調整機構と、第１又は第２反射面の位置を調整する位置調整機構とを備える。微小流動場の粒子の反射光が第１及び第２反射面によって反射して顕微鏡内の光路に入射し、異なる視点から得られた同一粒子の複数の像が撮像装置の単一の結像面に結像する。 （もっと読む）

【課題】 測定対象が変わっても測定対象の反射率などの光学特性、あるいは形状や機械的特性に依存せずに検出感度やノイズの割合が調整可能で、測定対象への照射光による測定対象の熱変形の影響が小さくでき、最適な条件下で測定精度を確保することが可能な光学式変位検出方法を提供する。
【解決手段】 測定対象となるカンチレバー６に光を照射する光源１０と、光源１０を駆動する光源駆動回路２１と、光源１０からカンチレバー６に照射した後の光を受光し、光強度を検出する光検出器１６と、光検出器１６の検出信号を所定の増幅率で増幅する増幅器２２から構成される光学式変位検出機構において、光強度調整器２８と増幅率調整器２７を設けカンチレバー６への照射光強度や光検出器１６の増幅率を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 光源からの光を測定対象や光検出器の受光面へ位置合わせを行う際に、位置合わせを容易に、かつ確実に行うことが可能な光学式変位検出機構のスポット光の位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】 測定対象となるカンチレバー６に光を照射する光源１０と、光源１０を駆動する光源駆動回路２１と、光源１０からカンチレバー６に照射した後の光を受光し、光強度を検出する光検出器１６と、光検出器１６の検出信号を所定の利得で増幅する増幅器２２から構成される光学式変位検出機構において、光検出器１６で検出される検出感度を利得（増幅率）調整器を用いて実際に測定対象を測定する時よりも小さい値に設定して、光検出器１６の所定の位置に光検出器用位置決め機構１８により光のスポット２０の位置決めを行うようにした。 （もっと読む）

【課題】測定対象膜に照明光を照射して測定される表面形状データ及び界面形状データから、この測定対象膜の屈折率を得ることができる膜構造測定方法及び表面形状測定装置を提供する。
【解決手段】表面形状測定装置の制御用プロセッサで実行される膜構造測定方法は、撮像装置により、物体に形成された測定対象膜に光を照射し、当該光の反射光からこの測定対象膜の表面の形状である表面形状データ及び測定対象膜と物体との界面の形状である界面形状データを測定するステップ２２０と、平均値がほぼ０となるように表面形状データ及び界面形状データの各々を基準面を用いて補正することにより、補正された表面形状データ及び補正された界面形状データを算出するステップ２３０と、補正された表面形状データ及び補正された界面形状データから、測定対象膜の屈折率を算出するステップ２４０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を高精度に検出でき、他の欠陥から区別できる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用いて、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する。共焦点微分干渉画像は、試料表面の数ｎｍ程度の凹凸変化を輝度分布として表すので、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面に出現した結晶欠陥を、輝度分布に基づいて検出することができる。欠陥の種類に応じて、輝度分布が相違するので、欠陥画像の形状及び輝度分布の観点より欠陥を分類する。特に、本発明による分類方法を用いることにより、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別することが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】可視光、近赤外光または赤外光が透過する材料に設けられた高アスペクト比の穴の深さ等の段差構造の形状を正確且つ高速に測定する。
【解決手段】可視光、近赤外光または赤外光の測定用光Ｌを未貫通ビア１０４が形成されたシリコンウェーハ１０１の裏面１０３側から照射し、共焦点測定法により、測定用光Ｌがシリコンウェーハ１０１の表面１０２及び未貫通ビア１０４の底面１０５に焦点を結ぶ位置を測定することによって未貫通ビア１０４の見かけ上の形状を測定し、予め取得したシリコンウェーハ１０１の屈折率または屈折率を測定する屈折率測定手段によって測定したシリコンウェーハ１０１の屈折率を用いて、前記測定した形状を換算することにより未貫通ビア１０４の実際の形状を算出する。 （もっと読む）

【課題】試料の三次元位置と該試料の蛍光スペクトルとの計測を行うための顕微鏡システムの提供。
【解決手段】光学顕微鏡を用いて、試料の三次元位置と該試料の蛍光スペクトルとの計測を行うための顕微鏡システムであって、試料の明視野像を得るための光源と、試料の蛍光像を得るための光源と、結像側の光路を明視野像の光路と蛍光像の光路とに分けるためのダイクロイックミラーと、明視野像及び蛍光像を取得する画像取得部と、磁場を発生させることにより試料に張力を与える磁場発生部と、画像取得部にて得られた明視野像から試料の三次元位置を算出する解析部とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクなどに形成されたホールパターンのラフネスを定量化する際に定量化すべき箇所を人為的に指定したりすることなくラフネスを迅速かつ正確に定量化することのできるホールラフネス定量化装置及びホールラフネス定量化方法を提供する。
【解決手段】計測対象パターンとリファレンスパターンの輪郭線から計測対象パターンのラフネスを定量化する際に、計測対象パターンの輪郭線上に位置する複数点の位置座標とリファレンスパターンの輪郭線上に位置する複数点の位置座標との差分距離を算出し、算出された差分距離に基づいて計測対象パターンのラフネス値を算出する。 （もっと読む）

【課題】円形標本の観察位置を高精度に再現する。
【解決手段】顕微鏡装置は、円形標本１０３の撮像画像に基づいて当該円形標本１０３の中心位置の座標を算出する中心位置算出部２０１と、円形標本１０３の撮像画像から、当該円形標本１０３の中心位置の座標に基づいて所定領域のパターン画像を認識するパターン認識部２０２と、第１の期間に得られた円形標本１０３の撮像画像からパターン認識部２０２により認識された第１のパターン画像と第１の期間よりも後の第２の期間に得られた円形標本１０３の撮像画像からパターン認識部２０２により認識された第２のパターン画像との間の回転ずれ角を算出する回転ずれ角算出部２０４と、回転ずれ角に基づいて円形標本１０３の回転ずれを補正し、第１の期間における円形標本１０３の位置を再現する位置再現部２０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】より単純な構造で基板を保持できる基板保持装置と、その基板保持装置を適用した欠陥修正装置とを提供する。
【解決手段】欠陥修正装置１では、ガラス基板９９が載置される１対の基板端支持台３が配設されている。１対の基板端支持台３によって挟まれた領域には、ガラス基板９９を下方から支持する複数の基板支持用コロ機構４が配設されている。基板支持用コロ機構４には、載置されたガラス基板９９の下面を吸着して保持する基板吸着台２６が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】より簡単に画像測定機の校正を行うことができるようにする。
【解決手段】標準尺５１は、被検物を撮像して得られた観察画像に基づいて被検物の部位間の距離を測定する画像測定機の校正に用いられる校正器である。標準尺５１には、原点からの長さを示す目盛１０１と、目盛１０１の真値を得るための器差が内包されているコード１０２が設けられている。画像測定機の校正時には、画像測定機によりコード１０２の読み込みとデコードがされ、これにより得られた器差から目盛１０１の真値が算出される。そして、画像測定機により各目盛１０１を対象とした距離測定がされ、その測定結果と、コード１０２から得られた真値とから、画像測定機の測定誤差が求められる。目盛１０１の真値を得るためのコード１０２を標準尺５１に設けることで、より簡単に校正を行うことができるようになる。本発明は、観察システムに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のマーク検出率を向上させる。
【解決手段】検出マークの位置を検出する位置検出方法は、検出マークのエッジ位置を特定するためのテンプレートを保持し、検出マークを含む画像に対して、テンプレートを用いたマッチング処理を実行する。ここで、テンプレートにおいて、同一の方向を向くエッジに対応する全てのエッジ位置を当該方向またはその反対方向へ移動することにより当該テンプレートを変更し、上記マッチング処理において算出される相関度が予め定められた判定閾値外の場合に、上記方法でテンプレートを変更しながらマッチング処理を繰り返し、マッチング処理の結果に基づいて位置検出を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的安価で狭視野なテレセントリックレンズなどの光学系レンズを使用して高精度、かつ全体を見渡した測定を行うことが可能となる測定顕微鏡に関するものである。
【解決手段】本発明は、ステージ１上に載置された被検物Ｂを撮影するために光学系レンズ５を装着した被検物撮影カメラ２と、前記被検物Ｂ周辺を含んで撮影する周辺撮影カメラ４とを設置し、前記周辺撮影カメラ４で撮影した映像内に前記被検物撮影カメラ２で撮影した映像を出力した測定顕微鏡Ａである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サンプルの厚み情報を短時間で精度よく取得する。
【解決手段】本発明は、取得した位相差像の基準像に対する相関状態を算出し、該相関状態に応じて組織切片ＴＳの厚み情報を取得するようにしたことにより、１つの位相差像から組織切片ＴＳの厚み情報が取得でき、またサンプルの厚み方向の分布を反映した厚み情報を取得することができ、かくして厚み情報を短時間で精度よく取得することができる。 （もっと読む）