【課題】半導体製造装置等に併設しあるいは組み込むことが可能な、小型の低速陽電子ビーム発生装置を得る。
【解決手段】真空チャンバー内に、陽電子源（２）で生成されモデレータによって低速化された陽電子ビームのうち所望のエネルギーを有する陽電子ビームを取り出すためのエネルギー弁別器（３）と、被測定試料（１１）を保持する試料保持部（９）と、エネルギー弁別器（３）を出射した陽電子ビームを加速して被測定試料（１１）に照射するための加速部（５）と、を備える低速陽電子ビーム発生装置（１）において、真空チャンバー内の被測定試料（１１）の周辺に、陽電子ビームを被測定試料（１１）上に輸送するための磁場を発生する第１の永久磁石（１２、１３）を配置する。 （もっと読む）

【課題】深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。
【解決手段】二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析を行なう際に、試料面における分析領域の周辺部位への一次イオンの付着を防止し、試料面の近接する複数箇所における高精度の分析を行なう。
【解決手段】試料１の試料面１ａにおける一次イオンが照射される分析領域の少なくとも一部を囲む部位、ここでは試料面１ａで並列する複数のストライプ状に、元素としてＳｉ⁺をイオン注入する。このイオン注入により、注入部位に体積膨張が生じ、ストライプ状の複数の障壁１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】深さ方向不純物元素濃度分析方法に関し、二次イオン質量分析に於いて、酸素一次イオンを低エネルギーで照射してトランジェント領域の影響を低減しようとする場合、どこまで低エネルギーにすればよいかの基準を明確化しようとする。
【解決手段】二次イオン質量分析法を用いてＳｉ基板中の表面近傍に含まれる微量元素の深さ方向分析を行う際、一次イオンに酸素を用い、一次イオンの照射条件として、エネルギーを装置限界である0.15ｋｅＶ以上、且つ、従来法である0.50ｋｅＶ以下とし、一次イオン入射角θを各エネルギーにあわせて選択する。 （もっと読む）

【課題】 マルチビーム型の半導体検査装置において、多様な特性を持つ試料に対して、高い欠陥検出感度と高い検査速度を両立させ得る荷電粒子線応用装置を提供する。
【解決手段】 試料上における一次ビームの配置を可変とし、さらに、試料の特性を元に、最適な検査仕様で高速に検査を行うためのビーム配置を抽出する。また、また、多数の光学パラメータおよび装置パラメータを最適化する。さらに、抽出された一次ビームの特性を測定し、調整する。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスク上の単体では組成分析不可能な微細な異物の組成分析方法を提供する。
【解決手段】 異物除去探針3に組成分析可能な量まで付着蓄積した異物1または異物の削り滓2をレーザーマイクロプローブ質量分析法で組成分析する。導電性の異物除去探針の場合にはオージェ電子分光法または二次イオン質量分析法で異物または異物の削り滓を組成分析する。異物除去探針3で異物1または異物の削り滓2を移動させ組成分析可能な量まで寄せ集めたものにレーザーマイクロプローブ質量分析法で組成分析する。異物除去探針で導電性のパターン上に集めた場合にはオージェ電子分光または二次イオン質量分析法で異物または異物の削り滓を組成分析する。 （もっと読む）

【課題】微量元素の定性分析を正確に行う。
【解決手段】本発明の微量元素評価方法は、二次イオン質量分析法を用いて、試料に含有する微量元素を検出する微量元素評価方法であり、前記試料にイオンを注入し、前記試料の体積を増加させるステップと、体積が増加した前記試料にイオンビームを照射させ、前記微量元素の二次イオン質量分析を行うステップと、を有することを特徴とする。これにより、極浅領域での微量元素の検出量が向上し、その定性分析をより正確に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】大きな面積を有する分析する試料に、一次イオンを入射して発生させた二次イオンを検出して、試料を構成する元素、存在する深さを二次イオン質量分析法で、測定位置に依存する測定誤差を測定位置に応じて補正する二次イオン質量分析法を提供する。
【解決手段】試料２０に一次イオンを入射して発生させた二次イオンを検出して、試料２０を構成する元素、存在する深さを分析する二次イオン質量分析法において、深さ方向に分布を持った不純物等の元素を含む試料２０における元素の測定プロファイルから、試料２０の中心から測定位置までの距離に応じて一次イオンの入射角度を補正して、その補正した角度で分析する試料の分析が行われ、そのプロファイルとしては、試料２０にドープされている不純物を測定したプロファイルで、その不純物のピーク濃度深さにより行われる。 （もっと読む）

【課題】ＳＩＭＳによるシリコン中のインジウムやガリウムの分布分析において、高精度な深さ方向分析を実現できる方法を提供する。
【解決手段】一次イオンとして酸素イオンを用い、スパッタ収率が、Ｏ₂⁺として１．０原子／イオン以上となる照射条件で分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーが同じである中性化ビームを発生し、かつ分子層が表面第１層〜第３層までの薄膜の表面を正確に分析することことができる表面分析装置を提供する。
【解決手段】 本発明の表面分析装置は、プラズマを生成し、イオン粒子を放出するイオン源と、イオンビームをパルス化するパルス化手段と、前記イオンビームから多価イオン粒子を除去する多価イオン粒子除去手段と、イオン粒子を中性化して中性粒子を生成する中性粒子生成手段と、前記中性粒子生成手段により生成された中性粒子に含まれる他の粒子を除去する除去手段と、前記他の粒子が除去された中性粒子ビームを分析試料の表面に入射させる中性粒子入射手段と、前記分析試料の表面から散乱された前記中性粒子あるいは前記分析試料から放出される原子を検出する検出手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】生体の組織や細胞中に存在する微量な生体分子の分布状態を、質量分析法によって同定することによって、診断デバイスや創薬デバイスの開発に寄与できる方法を提供することを目的とする。質量分析法において、検出が困難とされていた生体分子の分布状態に関しての情報を得るための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（１）反応基とイオン修飾構造とを含むイオン標識化剤を準備する工程と、（２）反応基を介して生体分子にイオン標識化剤を結合させる工程と、（３）質量分析により、生体分子に結合したイオン標識化剤中に含まれるイオン修飾構造を測定することにより生体分子の分布情報を得る工程と、を有することを特徴とする情報取得方法。 （もっと読む）

【課題】膜の水素透過率等を直接的に測定し得る手法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る評価方法は、互いに積層された複数の膜からなる試料について、水素共鳴核反応で発生するガンマ線の強度のイオンドーズに対する依存性のデータを取得するステップと、上記イオンドーズの関数式で上記データをフィッティングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 膜に保持された試料に一次線として電子線等の荷電粒子線を、該膜を介して試料に照射し、これによって試料検査を行う際に、該膜に保持された試料に刺激を与えることのできる試料検査装置、試料検査方法、及び試料検査システムを提供する。
【解決手段】 本発明における試料検査装置は、膜３２を介して試料２０に一次線７を照射する一次線照射手段１と、一次線７の照射に応じて試料２０から発生する二次的信号を検出する信号検出手段４とを備え、２０試料に接近又は接触可能な先端部を具備するマニピュレータ２６と、試料２０の光学像を取得する光学像取得手段２７と、一次線照射手段１、信号検出手段４、マニピュレータ２６及び光学像取得手段２７の各動作を制御する制御手段２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】濃度分析をより高精度に行うＳＩＭＳ分析法を提供する。
【解決手段】基板上に分析対象となる薄膜又は薄膜積層体を形成し、薄膜の最表面又は薄膜積層体の最上層の最表面に支持体を貼りあわせ、薄膜又は薄膜積層体を基板から剥離することで分析試料を作製する。基板と、薄膜又は薄膜積層体と、の間に剥離層を形成し、該剥離層をきっかけとすることが好ましい。更に好ましくは、剥離層と、薄膜又は薄膜積層体と、の間に緩和層を形成する。該分析試料はＳＩＭＳ分析に用いることができ、剥離した分析試料を裏面側からＳＩＭＳ分析することで、従来のＳＩＭＳ分析法では必要であった研磨工程を経ることなく、従来のＳＩＭＳ分析法と同様に高精度な濃度分析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング界面に形成された金属間化合物を直接Ｘ線回折により同定するための試料の調整方法を提供する。
【解決手段】 ボンディング済みの金属細線と下地パッド金属との間において、ボンディングされた金属細線を物理的な力で剥離して露出した剥離面に、表面から内部に向かって断続的にＡｒイオンビームを照射してイオンエッチングし、順次新しい観察面を露出させてＸ線回折試料とする。金属細線と下地パッド金属とを物理的な力で剥離するに際し、ボンディングパッド上にボンディング済みのボンディングワイヤを含むように中空の容器を立て、該中空の容器内に熱硬化性樹脂を流し込み、熱硬化性樹脂を硬化させて金属細線を樹脂で保護した後に、物理的な力で剥離することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】二次電子放出量を正確に測定できる表面分析装置を提供する。
【解決手段】赤外線ランプ３０によって裏面から加熱した試料２１に、グラウンド電極に電流が流れないように径を絞ったイオンビーム５を照射する。グラウンド電極１５とコレクタ電極１８の間に配置した制御電極に負電圧を印加し、試料２１から放出した二次電子だけをコレクタ電極１８で捕集するようにする。試料２１がチャージアップした場合、サプレッサ電極１２の電圧を調節し、試料２１に電子を照射し、正電荷を中和する。二次電子放出比を正確に求めることが可能になる。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、ＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるために、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するＳ／ＴＥＭベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバの外部からの外光を遮断しつつ、走査光学系の光ビームを真空チャンバ内部に導いて試料上を走査することが可能となる真空チャンバ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバの内部に設けられ、試料を載置し、任意の方向に移動可能とする真空試料ステージ部と、真空チャンバの外部に配置され、試料を走査するための走査ビームを出射、偏向する走査光学系と、真空チャンバと走査光学系とを連結するとともに、真空チャンバ内部へ入射する外光を遮光する外光遮光手段と、真空チャンバと外光遮光手段との連結部分に設けられ、走査ビームが透過可能な内部観察用手段と、走査光学系から出射された走査ビームを、外光遮光手段及び内部観察用手段を介して真空チャンバの内部に導く走査ビーム折り返し手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を実現し、かつ、真空容器内の圧力の増加や汚染が無く数μｍの試
料片が固着されるＴＥＭホルダの導入手段を備え、迅速な観察を可能とする試料室容積が
必要最小限の、占有面積の小さい、大口径ウエハ用の試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料を載置する試料ステージと、荷電粒子ビーム照射光学系と、荷電粒子ビ
ームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、該試料から試料片
を分離する試料片分離手段と、該試料を収納するカセットと、該カセットから該試料を該
試料ステージに移載する試料移載手段と、該試料片を固定する試料ホルダと該試料ホルダ
を固定する試料載置部と該試料載置部を保持し、試料ステージ本体部と脱着可能な構成か
ら成るカートリッジと、該カートリッジを収納するカートリッジステーションと、該カー
トリッジステーションから所望の該カートリッジを該試料ステージ上に、該容器の外部か
ら移載する移載手段を備える。 （もっと読む）