【課題】同一粒子線照射条件及び走査条件の下で試料上の所定の測定範囲の拡大画像の取得と同時に該範囲のスペクトル分析を行うことにより、測定時間の短縮を図るとともに測定の正確性を向上させる。
【解決手段】操作部２４から走査速度などの走査条件と測定範囲とが設定され測定開始指示が与えられると、同期制御部２２は、測定範囲内で電子線照射位置が走査されるように試料ステージ４の駆動を開始し、それと同時に、電子検出器１５による検出信号に基づく二次電子画像の作成と、Ｘ線検出器９によるＸ線パルスに基づくＸ線スペクトルの作成とを開始させる。走査の進行に伴って徐々に二次電子画像が現れ、徐々にＸ線スペクトル強度が上昇するから、表示部２５の画面上で同一ウインドウ内に両者をリアルタイムで表示する。これにより、１回の走査が終了した時点で、測定範囲の二次電子画像とＸ線スペクトルとを共に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
絶縁性の高い試料を帯電することなく、また、汚染無く測定できる前処理法を提供する。
【解決手段】
絶縁性の高い分析対象試料に電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射し、前記試料から放出される二次電子や二次イオン等のエネルギーを導いて前記試料表面を分析する表面分析方法において、前記絶縁性の高い分析対象試料上に導電性薄膜をメッシュ状に形成し、前記導電性薄膜が形成されていない前記試料上に前記電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射することを特徴とする表面分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板内部に生じる局所的帯電の定量的で詳細な大きさを把握でき、チャージングを低減することができる荷電粒子ビーム検査方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 荷電粒子ビーム検査方法及び装置において、荷電粒子ビーム光学鏡筒の下面と試料との間に、導電性を有し、かつ、荷電粒子光学系の光路に沿って開口を有し、かつ、試料の表面上のＥＢ照射点から見て、鏡筒の下部の一部を覆う板を設ける。複数枚のスキャン画像の各々、あるいは複数枚のスキャン画像を積算した積算画像と、設計データとの比較照合を行い、倍率を求め、当該倍率の変動または変動の傾向から、荷電粒子ビームが照射されている局所領域における倍率との相関量を求め、その値に応じてランディングエネルギーを変化させる。 （もっと読む）

【課題】散乱イオンのエネルギースペクトルを測定するにあたり、特定の散乱イオンを検出対象から除外するためのデフレクタに求められる必要電力を削減する。
【解決手段】散乱イオン１８をそのエネルギーに応じて第１の方向に偏向する磁気形成手段２４と、その偏向された散乱イオンの到達位置を検出するイオン検出器２８と、特定のイオンを検出対象から除外するデフレクタ２６とが用いられる。デフレクタ２６は、イオン検出器２８に向かう散乱イオン１８を第１の方向と直交する第２の方向に偏向する電場を形成して、当該第２の方向への偏向量が一定以上の散乱イオンを前記イオン検出器の散乱イオン検出可能領域から逸脱させる。その電場は、当該電場を通過する散乱イオンのエネルギーが大きいほどその偏向量を大きくするような強さ分布または形状を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁物の分析対象となる領域における帯電を補正することにより、正確かつ再現性良く質量分析を行うことが可能な絶縁物の二次イオン質量分析方法を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁物の二次イオン質量分析方法は、絶縁物である試料の表面に導電性の連続膜であるＰｔ−Ｐｄ合金薄膜を成膜し、このＰｔ−Ｐｄ合金薄膜付き試料に一次イオンビーム及び電子ビームを照射し、この試料から発生する二次イオンを引き出し、質量分析する。 （もっと読む）

【課題】散乱角の小さい散乱イオンを優先的に採取することによって高い測定精度を得る。
【解決手段】イオンビーム１５が照射された試料から散乱する散乱イオンのエネルギースペクトルを測定するための装置であって、磁場が形成された真空容器内で前記散乱イオンを検出するイオン検出器と、このイオン検出器と前記試料との間の位置に設けられるイオン選別用のアパーチャ１６とを備える。アパーチャ１６は、イオンビーム１５の通過を許容する開口３０を有し、特定の散乱角を有しかつ前記磁場により前記イオンビーム１５のビーム軸に特定の位置で収束するイオンのみが前記開口３０を通過する位置に設けられる。この開口３０の周縁部１６ａにはテーパー面３６やテーパー面３８が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。
【解決手段】他の光学式検査装置によって検出された、膜６６中に存在する欠陥の原因となる異物６５を他の光学式検査装置で取得された位置情報を基に光学式顕微鏡４３で検出し、電子顕微鏡画像やイオン顕微鏡画像による異物６５の観察やＥＤＸによる異物６５の元素分析ができるように非金属のイオンビーム２２で試料３１を加工する。 （もっと読む）

【課題】微細な試料を無用に変質させることなく高精度に微細部位の断面の分析が可能な微細部位解析装置を提供する。
【解決手段】試料を断面加工して解析する微細部位解析装置は、試料台１と集束イオンビーム装置２と回転機構３と電子ビーム装置４と補正部５と分析装置６とからなる。集束イオンビーム装置２は、試料が置かれた試料台に向かって斜め方向の視線を有するよう配置され、試料台に対して斜め方向にターゲットを切断する。回転機構３は、ターゲットを中心に試料台を着眼位置中心回転させる。電子ビーム装置４は、切断するターゲットを探索すると共に回転中のターゲットを観察する。補正部５は、電子ビーム装置により観察されるターゲットの位置を補正する。分析装置６は、集束イオンビーム装置からターゲットの断面に照射される集束イオンビームにより放出される二次イオンを分析する。 （もっと読む）

【課題】 従来の飛行時間型二次イオン質量分析を利用した表面構造の解析方法では、試料が固体表面の有機化合物や分子結合性化合物の単層膜の場合に、試料表面から削っていくことが困難なために、厚さ方向の組成プロファイルを求めることが困難である。
【解決手段】 試料表面にサイズの異なる少なくとも２種類のイオンをそれぞれ照射する手段、前記試料表面から放出されるイオンの質量スペクトルを飛行時間型二次イオン質量分析器により計測する計測器、および計測された質量スペクトルから異なる種類のイオン照射で計測された２つの質量スペクトルの差を出力する情報処理装置を有することを特徴とする表面解析装置。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビーム操作のためにサンプルを配向させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サンプルが、サンプルの主表面がプローブ・シャフトに対して垂直ではない角度にある状態で、プローブに付着され、プローブ・シャフトは、サンプルを再配向させるために回転される。一実施形態では、サンプル・ステージに対して４５度などのある角度に配向されたプローブは、平坦領域がプローブの軸に対して４５度で平行に配向された、すなわち、平坦領域がサンプル・ステージに平行であるプローブの先端を有する。プローブ先端の平坦領域は、サンプルに付着され、プローブが１８０度回転されるとき、サンプルの配向は、水平から垂直に９０度変化する。次いで、サンプルは、ＴＥＭ格子をサンプル・ステージ上で垂直配向ＴＥＭ格子に付着される。サンプル・ステージは、薄くするためにサンプルの背面をイオン・ビームに向けるように回転および傾斜される。 （もっと読む）

原子力発電所の伝熱面の表面から物質の試料を摘出し、試料の高解像度走査電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分光法と、試料の走査透過電子顕微鏡/制限視野電子線回折/スポット分析および元素マッピング分析との少なくとも1つを行うことをも含む、原子力発電所の伝熱面の表面上の堆積物中の結晶を分析する方法。
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【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）

【課題】 既存技術よりはるかに安価に、かつ簡便に平面観察を行ってから観察後に断面を加工することができる試料作製方法を提供する。
【解決手段】 集束イオンビーム装置のチャンバ内で試料１をブロック状に切り出し、その試料ブロック（バルク）４を真空外に取り出して、マニピュレータの先端にセットしたガラスプローブ５に接触させて支持する。次に、バルク４を試料台である円筒状のピン６の先端にエポキシ樹脂で固定する。次に、平面観察用の薄膜試料をＦＩＢ加工により作製する。次に、内部の欠陥位置を２次元的にＴＥＭ／ＳＴＥＭで観察し同定する。その後、ピン６を手動で９０°回転させてから、欠陥部位を含む位置を断面加工する。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ膜を形成した後大気中に晒すことで大気中の水素を吸着させ、更にＴａ膜露出面に大気中の酸素等と反応して得られたＴａＯｘ膜が寄生的に形成された試料に対してＣｓ⁺を用いたＳＩＭＳ分析により得られた結果と、ＨＦＳ分析により得られた結果とを比較するとＳＩＭＳ分析ではＴａＯｘとＴａとの界面で水素濃度ピークが見られるが、ＨＦＳ分析ではＴａ内部で水素濃度はほぼ一定の値で分布している。分析方法により分析結果が異なり金属内気相物質の分布を分析することは困難であった。
【解決手段】ＳＩＭＳ分析用に一次イオンとして酸素イオンを用い水素を検出する。スパッタによりＴａ膜が露出すると同時に酸素イオンによるＴａ膜表面の酸化が生じるためＴａ膜内部からの水素ガス離脱が抑制され水素の偽ピークが消失する。そのためＨＦＳ分析よりも１００倍程度高い検出能を有するＳＩＭＳ分析を用いて試料中の水素量検出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ膜に大気中の水素を吸着させ、更に大気中の酸素等と反応して得られたＴａＯｘ膜を有する試料に対してＳＩＭＳ分析を行い得られた結果と、ＨＦＳ分析を行い得られた結果とを比較するとＳＩＭＳ分析ではＴａＯｘとＴａとの界面で水素濃度ピークが見られるが、ＨＦＳ分析ではＴａ内部で水素濃度はほぼ一定の値で分布している。分析方法により分析結果が異なり金属内気相物質の分布を分析することは困難であった。
【解決手段】重水素をＴａ膜中に一様に分布するようイオン注入を行う。またＳＩＭＳ分析を行う際に酸素を真空装置中にリークさせて水素を検出する。スパッタによりＴａ膜が露出すると同時に酸素雰囲気によるＴａ膜表面の酸化が生じるためＴａ膜内部からの水素ガス離脱が抑制され水素の偽ピークが消失する。更に重水素の信号強度が一定になるよう制御することでより精密な水素の定量分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料中の６価クロムの有無を精度良く検出することが可能な技術を提供する。
【解決手段】試料１と、６価クロムと反応する試薬を含む有機酸溶液２とを所定時間接触させる。そして、測定基板６の表面上に有機酸溶液２を載置する。次に、有機酸溶液２を乾燥させる。その後、評価基板６の表面を分析して、試料１中における６価クロムの有無を判定する。試料１中に６価クロムが含まれる場合、有機酸溶液２を乾燥させた後の測定基板６の表面上には６価クロムと試料との反応物４が存在することから、測定基板６の表面を分析することによって、当該反応物４を分析することができる。６価クロムと試薬との反応物４を分析することによって、試料中における６価クロムの有無を高精度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームと遮蔽材を用いる断面試料作製装置において、断面加工の進行状態を素早く簡単に判断し、断面作製位置の変更や修正を短時間に行えると共に、試料の内部構造を知ることができるようにする。
【解決手段】 イオンビームによって加工される試料６の断面を観察するための光学観察装置４０（断面観察手段）備え、イオンビームを照射中若しくは照射を中断した時にシャッタ４１を開けて、加工室１８内の真空を保持したまま試料６の断面を観察できる。また、試料６と遮蔽材１２の相対位置変更するための調整手段を備え、一回の断面加工が終了する毎に断面画像の取り込みと断面位置の微小移動を繰り返し、得られた複数の画像から試料６の立体画像を構成する。 （もっと読む）

【課題】高精度の位置決めを短時間で行え、測定対象物の像逃げが発生しないステージを提供する。
【解決手段】案内部２６を備えたベース２５と、案内部２６に沿った移動方向３８に移動するテーブル２７と、テーブル２７を移動させるために移動方向３８に運動をする運動部２９と、この運動をテーブル２７に伝達させる伝達部３１とを有する試料載置用のステージにおいて、伝達部３１は、テーブル２７に固定されたテーブルブロック３３と、運動部２９に固定された運動ブロック３２とを有し、テーブルブロック３３と運動ブロック３２とは、運動をする際には移動方向３８の前後２箇所で接し、運動をしない際には離れている。 （もっと読む）

【課題】規則的な配列パターンのピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスなどにおける配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することができる、微小な規則的パターンの配列の乱れを検出測定する方法を提供する。
【解決手段】微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射し、エネルギー線を照射したときに生ずる二次電子発生量、反射粒子量、二次イオン発生量あるいはＸ線量の違いによりモアレ縞を形成させて、そのモアレ縞に基づいて被検出対象物が有する規則的パターンの変形の様子を一度に所定範囲で観察し、局部的な配列の乱れを検出または測定する。 （もっと読む）

【課題】画像が一方向に殆ど一様なパターンである場合でも、ドリフトによる補正用画像のずれを正確に検出して特性Ｘ線画像の位置ずれの補正を適切に行う。
【解決手段】時間を隔てた２枚のＳＥＭ画像が得られると、画像の並進対称性の有無の検出を行い（Ｓ１）、並進対称性がある場合には（Ｓ２でＹＥＳ）、２枚のＳＥＭ画像に対し相互相関法による二次元的な画像マッチングを行って位置ずれの量及び方向を算出した（Ｓ３）後に、変動量が小さい方向に限定した一次元的な画像マッチングを実行することで位置のずれ量を算出する（Ｓ４）。その結果を用いて二次元画像マッチングの結果を修正してずれ量及び方向を求め（Ｓ５）、二次元／一次元マッチングを規定の回数に達するまで繰り返す（Ｓ６）。こうした求めた位置ずれ情報に基づいて二次元走査時のレーザ照射位置を微調整することで特性Ｘ線画像のずれを補正する。 （もっと読む）