【課題】集積回路のデバイス構造をナノプロービングするための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、デバイス構造の第１の領域全体にわたって、第１の領域に近接する少なくとも１つのプローブを使用して、１次荷電粒子ビームを走査することを含み、デバイス構造の第２の領域は１次荷電粒子ビームからマスクされる。この方法は、２次電子イメージを形成するために、デバイス構造の第１の領域および少なくとも１つのプローブから放出される２次電子を収集することをさらに含む。２次電子イメージは、結像部分としての第１の領域および少なくとも１つのプローブと、非結像部分としての第２の領域とを含む。別の方法として、第２の領域は、第１の領域よりも速い走査速度で荷電粒子ビームによって走査可能であるため、結果として第２の領域は２次電子イメージの結像部分でもある。 （もっと読む）

【課題】絶縁性試料の分析を正確に行う。
【解決手段】 試料２表面にＸ線３を照射すると同時に、中和用電子銃６からの電子ビームを試料２表面に照射し、試料２をセットしている試料ステージ４にバイアス電圧電源１４からバイアス電圧を印加することにより、試料表面上が一旦一様に帯電される様にしてから中和用電子銃６からの電子ビーム照射により試料表面上を一様に中和する様に成す分光分析装置において、その内部に試料ステージ４が配置される様に直方体状の容器３１を設ける。容器３１は試料２と電気的に絶縁されており、ステージ４の試料セット面に対向する容器３１の上壁中央部にはＸ線，中和用電子銃６からの電子ビーム，試料からの光電子が通過可能な孔３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】層界面領域に達する前に、照射面の層界面領域への近接を検出することが可能な電子分光分析方法を提供する。
【解決手段】試料に電子を励起させる励起線を照射し、試料から放出され、第１の層の構成元素に由来する第１の電子の信号強度を測定し、試料から第１の電子とともに放出され、第２の層の構成元素に由来する第２の電子の信号強度であって、前記第２の層が前記試料の表面を形成しているときに測定される運動エネルギーである第１の運動エネルギー（Ｅｋ（Ｓｉ２ｓ）、Ｅｋ（Ｓｉ２ｐ））よりも低い第２の運動エネルギー（Ｅｋ（１）、Ｅｋ（２）、Ｅｋ（３））を有する第２の電子の信号強度を測定し、第２の電子の信号強度の変化度合いが所定のレベルに達したときは、試料の分析条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】Ｈｅよりも重い入射イオンを用いて、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーで、軽元素を対象として被測定物深さ方向の濃度分布を、高感度かつ高精度で計測できるイオンエネルギーの分光方法と装置を提供することである。
【解決手段】イオンビームを被測定物に照射して散乱または反跳されるイオンのエネルギースペクトルを偏向電磁石およびイオン検出器を用いて計測するイオンエネルギーの分光方法で、イオンビームが、分光対象とする元素よりも質量が大きい元素のイオンであり、偏向電磁石の出側に偏向電極を設けて、散乱または反跳されたイオンの軌道を曲げて分離し、かつイオン検出器の前面にイオン分離用薄膜を設けて、イオン検出器に入射するイオンを分離して選別するようにした。それにより、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーの領域で、軽元素の濃度分布を高感度かつ高精度で計測することが可能となる。 （もっと読む）

【目的】故障箇所も特定可能な描画エラーの検証方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画エラーの検出方法は、複数のショットパターンが間に入らない間隔で、かかるショットパターンに成形された荷電粒子ビームを連続してショットする描画工程（Ｓ１０２）と、複数のショットパターンが間に入る間隔で、ショットパターンに成形された荷電粒子ビームをショットする描画工程（Ｓ１１４）と、両描画工程で同位置にショットされたはずのショットパターン同士の位置を比較し、結果を出力する工程（Ｓ２０２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＩＭＳ装置にＦＩＢ装置を設置させること無く、試料表面の大気汚染と帯電を低減し、かつ残存元素のスパッタを抑制する。
【解決手段】分析対象物１０の表面における所定領域１４から発生する二次イオン２５に基づいて所定領域１４における深さ方向の分析を行う質量分析法において、所定領域１４の周囲に、質量分析を行う深さよりも深く、一次イオンビームの照射範囲２３よりも広い凹部１５を形成する凹部形成工程と、所定領域１４および凹部１５を含む分析対象物１０の表面に導電膜１３を形成する導電膜形成工程により質量分析用の試料１６を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線光電子分光装置並びに全反射Ｘ線光電子分光装置に関し、試料表面を極めて平坦にすることにより、高精度の試料分析ができるようにしたＸ線光電子分光装置，全反射Ｘ線光電子分光装置を提供することを目的としている。
【解決手段】試料表面上を帯電液滴エッチング法を用いてエッチングするエッチング手段と、エッチングした試料表面に全反射条件を満たす全反射臨界角以下の角度でＸ線を照射するＸ線照射手段と、Ｘ線を照射した試料表面から放出される光電子を解析することにより試料の表面近傍の深さ方向分析を行なう解析手段と、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】電子分光法及び電子分光を行う装置に関する。特に、試料から表面層を選択的に除去するために用いることのできる電子分光用イオン源に関する。
【解決手段】電子分光装置２は内部に試料台６を設置した超高真空容器４を備える。イオン銃８は超高真空容器４内に伸びており、多環式芳香族炭化水素イオンビーム１０を供給する。イオンビームは使用の際、試料台の上の試料に向けられる。光子源１２は、使用時に試料上に投射する光子ビーム１４を供給するのに適合している。真空容器４の内部には光電子分光器１６が設置され、使用時に試料から放射される電子１８を検出する。 （もっと読む）

【課題】培養された細胞等からなる試料の観察又は検査を良好に行うことのできる試料保持体、試料検査装置及び試料検査方法を提供する。
【解決手段】試料保持体４０は、外部からアクセス可能なように開放された試料保持面３７ａを有する本体部３７と、第１の面３２ａを試料保持面とする膜３２とを備え、該膜３２の第１の面３２ａに配置された試料３８に、該膜３２を介して試料観察又は検査のための一次線７が照射可能であり、該本体部３７における試料保持面３７ａの反対側の面（下面３０５）に、導電性を有する領域（導電膜３０１により覆われた領域）が存在するとともに、光が透過可能な領域３０２が設けられている。ここで、光が透過可能な当該領域３０２は、導電膜３０１により覆われていない。当該領域３０２を利用すれば、光学顕微鏡による試料３８の観察・検査を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システムに関し、大気中を搬送しても試料表面が大気に曝されないようにすることができるイオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システムを提供することを目的としている。
【解決手段】イオンビーム加工装置等の真空中で試料２に加工処理を施し、加工処理が施された試料２にイオン液体を塗布し、イオン液体が塗布された試料２を電子顕微鏡等の予備排気室８に搬送し、該予備排気室８でイオン液体を除去し、該イオン液体が除去された試料２を電子顕微鏡本体で観察するように構成される。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化膜を有する溶融亜鉛系めっき鋼板、電気亜鉛系めっき鋼板及び冷延鋼板について、表面の酸化物厚さを、既存手法より簡便・迅速、かつ正確に評価できる品質管理方法及び前記鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】溶融亜鉛系めっき鋼板の表面に０．１〜５ｋＶのなかから選ばれる加速電圧で加速された電子ビームを照射し、表面から発生する２次電子量に対応した信号強度を測定して信号強度数値として数値化する数値化ステップと、得られた信号強度数値が所定範囲に入るか否かにより、前記溶融亜鉛系めっき鋼板がその表面に所定性状の酸化膜を有しているか否かを判定する判定ステップとを有することを特徴とする、表面に酸化膜を有する溶融亜鉛系めっき鋼板の品質管理方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の表面または内部において局所的に存在する金属不純物元素を現実的な時間内で検出、定量可能な元素分析方法を提供する。また、インラインで、できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プロトンを、０°より大きく９０°より小さいプロトン入射角で分析対象の基板へ入射させる。このとき、プロトンの入射により励起され、分析対象の基板から放射される特性Ｘ線は、エネルギー分散型のＸ線検出器等により計測される。分析対象の基板内部に存在する不純物元素は、計測された特性Ｘ線から特定される。プロトンビームを走査することで基板面内の分布を取得でき、異なるプロトン入射角でプロトンを入射することで深さ方向の分布を取得することができる。また、当該元素分析方法を、半導体装置の製造工程に適用することで、金属汚染の分析や導電型決定不純物量の定量をインラインでかつ高精度に実施できる。 （もっと読む）

【課題】 磁場偏向型エネルギー分析器及びイオン散乱分光装置に関し、簡単な機構によりエネルギースペクトルのノイズレベルを低減して、高分解能で分析試料の構成元素を分析する。
【解決手段】磁場偏向型エネルギー分析器の壁面に、壁面に入射したＨｅ或いはＨのいずれかの並進エネルギーを減衰させる突起を設ける。 （もっと読む）

【課題】
タンパク質等の高分子構造におけるカイラリティ分布や、磁区構造の解析を高分解能で行うことが可能な走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 （もっと読む）

【課題】培養された細胞等からなる試料に散布される薬品の使用量を低減することのできる試料保持体等を提供する。
【解決手段】試料保持体４０は、開放された試料保持面３７ａの少なくとも一部が膜３２と膜３２の周囲のテーパ部３７ｂで構成され、膜３２の試料保持面３２ａにおいて試料３８を培養可能である。テーパ部３７ｂがあるので、使用する試薬の量を少なくすることができる。試料３８には、膜３２を介して、試料観察又は検査のための一次線が照射可能となっている。これにより、細胞等の試料３８を培養させた状態で生きたままでの観察又は検査を良好に行うことができる。特に、一次線として電子線を用いれば、生きた状態での試料のＳＥＭ観察・検査を良好に行うことができる。 （もっと読む）

イオン顕微鏡およびシステムを開示する。一般に、本発明システムおよび方法は比較的軽い同位体、少数同位体、またはその両方を用いる。いくつかの実施形態においては、Ｈｅ−３を用いる。 （もっと読む）

本発明はイオンビーム顕微鏡を用いた試料検査に関するものである。幾つかの実施形態では、本発明は、各検出器は試料についての異なる情報を提供する複数の検出器を用いるものである。
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【課題】本発明は断面観察用走査電子顕微鏡に関し、観察断面が明るく見えるような断面観察用走査電子顕微鏡を提供することを目的としている。
【解決手段】観察試料１０３に近い位置に配置され、２次電子信号又は反射電子信号を検出する第１の信号検出器１０４と、該第１の信号検出器１０４の出力を記憶する第１の画像メモリ１１４と、観察試料１０３の上部に配置され、２次電子信号又は反射電子信号を検出する第２の信号検出器１０５と、該第２の信号検出器１０５の出力を記憶する第２の画像メモリ１２４と、前記第１の画像メモリ１１４の出力と前記第２の画像メモリ１２４の出力とを受けて、何れかの画像をマスクしてマスクした画像とマスクしない画像との論理演算を行ない、前記試料の試料断面の画像を強調した画像を得る画像演算装置１２１と、を具備して構成される。 （もっと読む）

１つ又は複数のサンプルからの電子を検出するシステム及び方法を開示する。いくつかの実施形態では、本システム及び方法は、サンプル表面からの二次電子を偏向させるための１つ又は複数の磁場源を含む。
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試料の画像データを処理する方法が開示されている。当該方法は、前記試料の少なくとも一部が重なっている複数の空間領域の第1画像と第2画像とのレジストレーションを行う手順、及び、前記のレジストレーションされた画像からのデータを処理することで、前記第1画像と第2画像から得られる画像に加えられる前記試料についての情報を有する合成画像データを取得する手順を有する。
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