【課題】 観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】 透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易に試料の薄片部を形成することができる加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の加工方法は、平坦化工程（ステップＳ１）および薄片部形成工程（ステップＳ２）を順に行うことで、試料１Ｂの薄片部１３を形成することができる。薄片部形成工程（ステップＳ２）では、試料の平坦面１１の下部に対して、集束イオンビーム装置から出力された集束イオンビームが平坦面１１に平行な方向に照射される。集束イオンビームの照射により試料がスパッタエッチングされて、平坦面１１に対向する対向面１２が形成される。これにより、平坦面１１と対向面１２とに挟まれた薄片部１３を有する試料１Ｂが作成される。 （もっと読む）

【課題】試料表面に一次イオンビームを照射して試料表面を除去しつつ、試料の深さ方向の分析を行うイオンビーム分析方法において、試料表面の汚染が少ない帯電防止方法を提供する。
【手段】試料１０表面に収束イオンビーム２４ａを照射して、試料１０表面に形成された絶縁層１２を貫通し、底面に試料１０の導電性基板１１を表出する凹部１０ａを形成する工程と、凹部１０ａの内部に金属イオンビーム２３ａを照射しつつ、同時に試料１０表面に一次イオンビーム２２ａを照射することを特徴とするイオンビーム分析方法。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析法によるシリコン母材上のシリコン酸化膜中の窒素の深さ方向濃度分布測定においては、既知の濃度の標準試料によってその信号強度との比較から、測定試料における窒素濃度の定量を行っている。窒素イオンに係わる分子イオンの検出信号は、試料測定時に試料室内真空度や試料最表面に汚染状態によって変化するため、測定試料が変わるたびに、毎回その状態における標準試料を測定して、それとの比較で定量を行う必要があり、時間と手間が非常にかかっていた。
【解決手段】予め、例えば二次イオン質量分析におけるＳｉＯ^＋の検出信号強度の一次イオン照射時間依存性において、信号強度極小値を示す照射時間と測定試料のピーク濃度との関係から、真空度や汚染に依存しない検量線を導出し、それから測定試料のピーク濃度を定量する。これにより短時間で従来法と同等の定量化された深さ方向濃度分布を得ることが可能となった。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を試料表面に対して、所望の領域に広範囲の角度で照射可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線に沿う方向の位置、直交する方向の位置）や傾斜角度（イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線と直交する面に対する傾斜角度）を調整可能な電極を有する電極部２０４を、試料室２０３内に配置し、電極等により、曲げられたイオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面に照射するように構成する。イオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面の所望の領域に、試料表面に対して広範囲の角度で照射可能となる。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法に関し、該方法は、荷電粒子のビームを用いた試料キャリアの観測を含み、その観測は、その試料キャリアの温度に関する情報を与える。本発明は、TEM、STEM、SEM又はFIBなどの荷電粒子光学装置が、試料キャリアの温度に関する変化を観測するために使用することができるという見識に基づく。その変化は、力学的変化（例えば、二次金属）、結晶学的変化（例えば、ぺロブスカイトの）、及び発光変化（強度又は減衰期間）であってよい。望ましい実施形態において、異なる熱膨張係数を持つ金属（208、210）を示す2つの二次金属（210a、210b）を示し、反対方向に湾曲する。その2つの二次金属間の距離は、温度計として使用され得る。 （もっと読む）

【課題】対象物をミリング加工及び検査する。
【解決手段】対象物の第一の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第一の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第一の表面ミリング加工期間の大部分において、第一及び第二の表面の間に置かれた関心要素（ＥＯＩ）から構成されうる対象物を、電子検出器により対象物の第二の表面の画像を取得する工程と、対象物の第二の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第二の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第二の表面ミリング加工期間の大部分において、電子検出器により対象物の第一の表面の画像を取得する工程とからなるシーケンスを、少なくとも一回反復する。 （もっと読む）

【課題】試料表面に１０ｎｍ以下の寸法のスポットサイズを有するイオンビームを発生することが可能な電界イオン源を有するシステムを提供する。
【解決手段】電子ビームを提供することが可能な走査電子顕微鏡と、気体と相互作用してイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源と集束イオンビーム機器とを具えるシステムであって、走査電子顕微鏡と気体電界イオン源が、使用時に電子ビーム及びイオンビームを用いて試料を調査できるように位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビームの角状変位を判断し、高い側壁角度均一性の側壁を含むテストオブジェクトの複数の測定値に基づく帯電粒子ビームシステムを較正する為のシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】帯電粒子ビームの経路は、複数のビーム制御パラメータにより制御される。方法は、角状変位を実質的に減少させるパラメータを判断し、これらを適用して帯電粒子ビームシステムを較正する。 （もっと読む）

【課題】コイル位置や磁場の調整を行うことない偏極ビームのスピン反転方法及びスピン反転装置を提供する。
【解決手段】空間部３１ｅに連通された開口部３１ｃ、３１ｄを備え、開口部３１ｃから入射させたスピンを有する粒子からなるビームを、開口部３１ｄから出射可能なスピン反転装置であって、開口部３１ｃ、３１ｄで、通過する粒子に次式（１）、（２）で表されるスピン非断熱遷移が起きる磁場を印加可能であるスピン反転装置３１を用いる。断熱ポテンシャルがＬａｎｄａｕ−Ｚｅｎｅｒ型交差の場合、[数１]


断熱ポテンシャルがＲｏｓｅｎ−Ｚｅｎｅｒ型非交差の場合、[数２]
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【課題】半導体デバイスやデバイスシステムの欠陥箇所や不良箇所を、３次元の電流像を用いて特定することができる３次元像測定装置を提供する。
【解決手段】３次元像測定装置１００は、走査信号を走査ミラー２３に出力する走査回路２４と、第２の対物レンズ２５を光軸に沿って移動させ、光軸方向における試料２００及び第２の対物レンズ２５間の相対距離を変化させる光軸方向移動機構２６と、制御信号を光軸方向移動機構２６に出力する光軸方向移動制御回路２７と、試料２００に流れる誘起電流を出力する導電性プローブ３１と、走査回路２４からの走査信号及び導電性プローブ３１からの電流値に基づいて試料２００の２次元電流像を構築し、光軸方向移動機構２６による各相対距離における各２次元電流像を重ね合わせた３次元電流像を構築する演算部４３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）研究に適した材料試料（ＴＥＭ「薄片」）、特にＨＲＴＥＭ薄片（ＨＲ＝高分解能）、その製造プロセス、及び当該プロセスを実行する装置。
【解決手段】ＴＥＭ薄片を製造するプロセスは、厚さを有する板状基板を支持体に取り付けるステップ（Ｓ１）と、第１ストリップ状凹部を基板の第１面に、支持体に対して第１角度で、粒子ビームを用いて製造するステップ（Ｓ３）と、第２ストリップ状凹部を基板の第２面に、支持体に対して第２角度で、粒子ビームを用いて製造するステップ（Ｓ５）であって、第１ストリップ状凹部第２ストリップ状凹部が、薄肉の重なり領域を形成するようにする。薄片は、厚肉のリム領域及び薄肉の中央領域を有し、第１ストリップ状凹部を薄片の第１の平坦面に、第２ストリップ状凹部を薄片の第２平坦面に有し、第１凹部及び第２凹部は、相互に鋭角又は直角を形成する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、ＳＥＭ画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。
【解決手段】試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第１の画像を取得する。次に、試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第２の画像を取得する。次に、第２の画像に第１の画像データを組み込むことによって、第２の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する。プローブが検査対象における目標位置に近接するまで、粗寄せ観察用画像の生成を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 速やかにかつ簡便に絶縁性無機材料の焼結体の組織観察を行うことができる組織観察方法を提供する。
【解決手段】 本発明の組織観察方法は、鏡面研磨された焼結体である試料の表面に導電性コーティング層を形成する第一ステップ（ステップＳ４）と、集束イオンビームによって、前記表面に形成された前記導電性コーティング層の一部を除去することで前記試料の表面の一部が露出した観察面を形成する第二ステップ（ステップＳ５）と、走査型イオン顕微鏡による二次電子像で、前記観察面を観察する第三ステップ（ステップＳ６）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】試料表面の分析部位における元素の挙動を解析するに際し、試料表面の分析部位の温度を簡便に素早く、精度良く測定する。
【解決手段】集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、イオン種がGaのGa集束イオンビーム３の前照射によって試料４の表面に注入されたGaを、試料４の表面温度の測定のための参照元素とし、分析時の試料４の表面の微細部位の温度を決定する。予め適当な試料４の表面温度毎にGa集束イオンビーム３を一定量試料４に前照射することにより試料４から放出された２次Gaイオンの収量を測定して、試料４の表面温度に対する２次Gaイオンの収量の関係を得る。この関係を一度調べれば、複数の試料４の分析時に、２次Gaイオンの収量を測定することで、試料４の表面の微細部位における温度を決定することができる。 （もっと読む）

【課題】非破壊かつ高空間分解能で、試料の表面付近に存在する軽元素の面内分布を測定する。
【解決手段】試料１０にイオンビーム１３を間欠的に入射させ、試料から放出されるイオン・粒子をその入射に同期して検出１４する、すなわち飛行時間分析することによって、試料表面に存在する軽元素（特に水素、リチウム）の分析を行う。また、試料表面の各点での分析結果をマッピングすることで、試料表面における注目元素の空間分布を可視化して表示することができる。 （もっと読む）

【課題】試料台とその上に被せられる蓋体を有する試料導入用ホルダーであって、分析の際に、分析装置の外部からの操作を要せずに、蓋を取外して試料を開放することができる試料導入用ホルダーを提供する。
【解決手段】分析用試料を保持する試料台及びこの試料台に被せられる蓋体を有し、前記試料台と蓋体により試料及びガスを包含する空間を形成し、前記空間内と蓋体外部との圧力差が所定値以下では、前記空間内と蓋体外部間が雰囲気遮断状態となるように、試料台と蓋体がかん合しており、かつ前記かん合における試料台と蓋体間の接着力が、前記圧力差が前記所定値を超えたとき前記圧力差により蓋体が試料台上から除去される大きさであることを特徴とする試料導入用ホルダー。 （もっと読む）