【課題】荷電粒子線を高い効率で「水の窓」領域を含む０．６〜６ｎｍの波長領域の軟Ｘ線に変換すること及び荷電粒子線の試料内での拡散範囲を狭く抑えて試料へのダメージを抑制すること。
【解決手段】
本発明の試料支持部材（１１）は、窒化シリコン膜またはカーボン膜の試料支持膜（１１ａ）の一方主面に、電子線照射により０．６〜６．０ｎｍの波長領域の特性Ｘ線を放射する金属膜（１１ｂ）が設けられている。これは、電子線の照射を受けた金属膜（１１ｂ）から軟Ｘ領域の特性Ｘ線を高効率（高強度）で放射させるためであり、このような高強度の特性Ｘ線を試料（１０）に照射させることにより、観察画像のＳＮ比を向上させることができる。また、金属膜（１１ｂ）には、試料支持膜（１１ａ）内での電子の拡散範囲を抑制するという効果もあるため、入射電子線の加速電圧を高めることが可能となり、ＳＮ比の向上のみならず分解能の向上にも効果がある。 （もっと読む）

本発明は、(ａ)支持構造体(１０８)の第１の面上に配置されている第１の材料層(１１０)であって、この第１の材料層はこれに入射荷電粒子(１０４)が当るのに応答して二次電子を発生するように構成されているとともに、開口(１１２)を有しており、この開口は入射荷電粒子の一部がこの開口を通過するように構成されている当該第１の材料層と、(ｂ)支持構造体の第２の面上に前記第１の材料層から例えば、０．５cm以上の距離だけ離間されて配置されている第２の材料層であって、この第２の材料層は、荷電粒子が前記開口を通過してこの第２の材料層に当るのに応答して二次電子を発生するように構成されている当該第２の材料層とを具える装置、システム及び方法を提供するものであり、装置は荷電粒子検出器とする。
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【課題】位置ずれ補正に要する走査画像の取得回数を１回で済まし、また、ｙ軸方向の位置ずれ補正およびｘ軸方向の位置ずれ補正に要する演算を１回で済まして、位置ずれ補正に要する時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料上で二次元的に走査して走査画像を形成する走査ビーム照射装置において、試料を支持するステージ上に設けたマークと、このマークを含む走査画像を取得する走査画像取得手段と、走査画像取得手段で取得した走査画像に基づいて位置ずれを補正する位置ずれ補正手段とを備え、走査画像取得手段は、同一のマークを走査画像中に含む２つの異なる走査画像を取得し、この２つの走査画像の取得は同じ走査期間内で行う。２つの走査画像は同一のマークを走査画像中に含むため、２つの走査画像中のマークの位置を比較することによって、走査画像間に位置ずれを求めることができる。 （もっと読む）

【課題】試料表面の帯電現象を防止する為に複雑な形状を有する該試料のあらゆる面及び孔の内部にも出来るだけ均一に導電性薄膜微粒子を付着（コーティング）させる為の前処理装置。
【解決手段】スパッタされたターゲット２の原子がステージ１１上に載置された試料１０に付着することにより試料表面上に導電性薄膜が形成される。その際、該試料の表面ないしは側壁面上に存在する微細な突起の周囲や孔の内壁に出来るだけ均一な導電性薄膜を一様に形成せしめるべく該試料を載置するステージ１１を制御器７を用いて該ステージ面の中心から互いに離間した３つの保持位置の下部に取り付けられている３つのアクチュエータ１２を通して上下運動させることにより、該ステージ面上の試料を回転させることなく３６０度方位全域で該試料を一定傾斜状態のまま保持することで該ステージ上に載置された非導電性試料の表面ないしは側壁面に一様にコーティングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】走査方法をフレキシブルに設定することが可能なＳＥＭ式外観検査装置およびその画像信号処理方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳＥＭ式外観検査装置では、複数の走査を１つの単位の走査として取り扱う走査セット１０１の概念を利用する。走査セット１０１は、複数の走査を、例えば、走査ライン数「４」、走査ライン間の距離「２」で定義する。走査セット１０１の情報が定められると、ＳＥＭ式外観検査装置の走査制御部は、その走査セット１０１の情報に基づき、基準位置アドレスの走査ラインから走査ライン間距離「２」ごとに走査ライン数「４」本の走査ラインの走査を行う走査制御を行う。さらに、その走査セット１０１で定められた走査が終わったときには、走査制御部は、基準位置アドレスを１つずつインクリメントしながら、同様の走査セット１０１による走査制御を続けて行う。 （もっと読む）

【解決手段】時間的に変化する分類性能の監視のためのシステムおよび方法が開示される。方法は、１つまたは複数の走査型検査ツールからの１つまたは複数の標本の１つまたは複数の特性の指標となる、１つまたは複数の信号を受信することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記１つまたは複数の信号に、１つまたは複数の分類規則を適用して、前記１つまたは複数の標本における１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した１つまたは複数の信号に適用される１つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の１つまたは複数の相関を計算することと、を含みうるが、これに限定されるものではない。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像では目視による識別が困難な欠陥を有するパターンを自動検出可能なパターン検査装置及びパターン検査方法を提供すること。
【解決手段】パターン検査装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの照射によって、パターンが形成された前記試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、電子量を基に当該パターンのＳＥＭ画像を生成する画像処理手段と、光学式欠陥検査装置から試料上に形成されたパターンの欠陥位置情報を取得する制御手段と、を有する。制御手段は、欠陥位置情報を基にＳＥＭ画像から欠陥候補パターンを特定し、欠陥候補パターンの欠陥がウエハに転写されるか否かを判定する。制御手段は、欠陥位置を基にＳＥＭ画像の視野を決定し、視野内のＳＥＭ画像に表示されているパターンの画像情報から欠陥候補パターンを特定する。 （もっと読む）

高エネルギー粒子検出器を有するデバイスを動作させる方法が開示され、粒子は、最初の入射横断イベント、デバイスから出て後方散乱し、近くの機械構造に当たり、デバイス内に戻るように散乱する、粒子によって生じる出射後方散乱イベント、高次入力および出力イベント、ならびに入射イベントを生成する。例示的な方法ステップは、別個のイベントがオーバラップしないことを保証するレベルに照射率を制限し、各イベントの総合エネルギーに基づいて、イベントとバックグラウンドおよび他のイベントとを弁別することによって、電子経路形状に基づいて、後方散乱イベントと入射横断イベントとを弁別することによって、または、最初のイベントおよび第２のイベントが互いに一致すると判定し、電子経路形状およびエネルギーレベルに基づいて入射イベントを後方散乱イベントから分離することによって、最初の入射横断イベントと、出射後方散乱イベント、高次入力および出力イベント、ならびに入射イベントとを弁別することを含む。
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【課題】下層パターンを上面パターン上から判別できない場合であっても、上下層の位置関係を高精度に測定可能なパターン検査方法を提供すること。
【解決手段】下層側の実パターンを撮像した下層画像パターンと下層設計パターンとの間の位置ずれ量を下層データとして下層のパターン毎に算出し、上層側の実パターンと下層側の実パターンとの間の所定範囲内でのグローバルな合わせずれ量を算出し、下層設計パターンと上層設計パターンとの間の位置関係を、グローバルな合わせずれ量に応じた位置関係に補正するとともに下層のパターン毎に下層データに応じた位置関係に補正し、補正された下層設計パターンの位置と上層側の実パターンを撮像した上層画像パターンの位置との間の合わせずれ量を上下層間の合わせずれ量として算出する算出ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】多孔質体、特に固体高分子形燃料電池の触媒層またはガス拡散層の細孔を簡便かつ定量的に測定する方法及び装置を提供する。
【解決手段】多孔質試料の表面または断面の電子顕微鏡画像を取得する工程と、該電子顕微鏡画像の細孔領域と細孔以外の領域を分離する工程とを含む細孔測定方法において、前記電子顕微鏡画像から前記試料の形状または組成分布あるいは前記試料と電子顕微鏡の組み合わせに起因する輝度ムラを除去する工程を含む細孔測定方法とすることで、高精度に細孔を測定できる。 （もっと読む）

【課題】試料保持用の膜により覆われた基板の開口部を、光学顕微鏡により効率良く探し出すことのできる試料保持体を提供する。
【解決手段】試料を保持するための膜１０により覆われた開口部２０を有する基板を備え、開口部２０を覆っている膜の部分１０ａに保持された試料のＳＥＭ観察・検査ができるように構成された試料保持体において、該基板上には、開口部２０の位置する方向を識別するためのパターン５０１，５０２が形成されている。 （もっと読む）

１つの実施形態は、画像処理装置（３０２）を用いて自動的に多重アレイ領域（１０２）を同時に検査する方法に関する。その方法は、多重アレイ領域における各アレイ領域が、サイズにおいて整数個の画素であるグレープ化されたセルを有するように、最適な画素サイズを選択するステップ（２１１または２１２）と、選択された最適な画素サイズになるように画像処理装置の画素サイズを調整するステップとを含む。画素サイズの有効な範囲内の最適な画素サイズは、セルサイズが整数で表現される場合に、多重アレイ領域のセルサイズの最大公約数を見出すことにより究明されてもよい（２０２）。事前設定された基準は、もしあれば、事前設定された基準に基づいて、最適な画素サイズのどれが容認できるのかを究明するために（２０８）適用されてもよい。最適な画素サイズのどれも容認できないならば、アレイ領域の１つは、デジタル補間のためにマークされてもよい（２１６を参照）。他の実施形態、態様、および特徴もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】観察試料作製時の細胞の破壊を抑制しつつ、様々の環境（病態）条件での細胞内状況（全生体物質で現される電顕像）を得るとともに、同視野での特定の物質の位置情報を相関させる技術を提供する。
【解決手段】細胞の解析装置であって、前記細胞の細胞構造に関する情報を有する第一画像と、前記第一画像を含み、かつ、前記細胞内に関する情報であって、前記細胞の細胞構造と関連付けられた物質に関する情報を有する第二画像と、を格納する記憶部と、前記第一画像から前記細胞構造を抽出し、前記第二画像から前記物質と関連付けられた細胞構造を抽出し、抽出した夫々の細胞構造を照合して、前記第二画像が前記第一画像のどの位置に対応するかを特定する位置特定部と、前記位置特定部による特定結果に基づいて、前記第二画像を前記第一画像の特定された位置に重ねる結合部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビュー装置などで取得された欠陥画像と設計データに基づくレイアウト画像とのマッチング処理の効率向上を図る。
【解決手段】欠陥画像処理装置は、設計データから得られるレイアウト画像５２と、欠陥画像５３から欠陥領域部分を除去した画像と、を正規化相互相関により画像マッチングし、そのマッチング結果として、レイアウト画像＆欠陥画像５４を表示装置に表示する。このとき、レイアウト画像＆欠陥画像５４には、欠陥画像５３と同じレイヤのレイアウト画像だけでなく、他のレイヤのレイアウト画像が欠陥画像５３に重ね合わせて表示される。従って、他のレイヤとの位置関係で発生するシステマティック欠陥の要因解析が容易になる。 （もっと読む）

【課題】試料にイオンビームを照射した際に生じる二次電子の総量のみならず、二次電子の詳細なエネルギー情報をも正確に得て、電子スペクトルとして検出することができ、試料の二次電子放出特性を正確に把握することが可能となる電子スペクトルの測定方法および測定装置を提供する。
【解決手段】被測定試料の表面状態を実質的に変化させないイオンビーム照射条件を選定する照射条件選定工程と、照射条件選定工程で選定されたイオンビーム照射条件に基づいて被測定試料にイオンビームを照射する照射工程と、イオンビームの照射により被測定試料から放出された二次電子スペクトルを、イオンビームの照射軸と異なる方向に設置された同軸円筒鏡型エネルギー分析器を用いて測定する測定工程とを有している電子スペクトルの測定方法およびそれに用いる測定装置。 （もっと読む）

【課題】初心者であっても、試行錯誤することなく、様々な評価対象パターンに対して、最適な評価指標を容易に選択可能な表面観察装置を実現する技術の提供。
【解決手段】画像処理部から評価画像入力部に複数の評価画像が入力される（ステップ９０１）。入力された評価画像はディスプレイ１１５に表示され、ユーザはディスプレイを参照しながらユーザの評価基準で画像を並べ替えて評価基準を定義する（ステップ９０２）。入力された評価画像に対して複数の評価指標で評価値を算出する（ステップ９０３）。各評価指標における評価値と、ユーザが定義した評価基準とを比較して、相関係数を算出して（ステップ９０４）、ユーザが定義した評価基準に対して、相関係数の絶対値が最大の評価指標を、最も近い評価基準として自動選択する（ステップ９０５）。相関係数順に、画像が並びけられ、ディスプレイに評価値順に一覧表示される（ステップ９０６）。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線イメージングにおける解像度を改善する技術を提供すること。
【解決手段】Ｘ線撮像装置１は、スピン固定層１１と、非磁性中間層１２と、スピンフリー層１３とが積層されたスピン注入磁化反転素子６を画素として備え、２次元アレイ上に設けられた複数の画素と、上部電極９と、下部電極８とを有して、スピンフリー層１３側から単色円偏光Ｘ線ビームを受光する受光画素部２と、磁化反転させるスピン注入磁化反転素子６を選択すると共に、受光画素部２の受光面に亘って画素を走査する画素選択手段と、上部電極９および下部電極８を介してスピン注入磁化反転素子６に流れる電流の方向とその大きさを制御して、スピンフリー層１３にスピン注入することで、スピンフリー層１３の磁化方向を反転させる磁化反転電流注入手段と、選択されたスピン注入磁化反転素子６がＸ線を吸収することによって発生する電流の値を検出する信号電流検出処理部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動等に依らず、高いマッチング精度を安定して確保することが可能なテンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、予め記憶されたテンプレートと、顕微鏡によって取得された画像を比較することによって、所望の位置を特定するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置において、テンプレートマッチングによって、特定された個所の画像を複数取得し、当該複数画像を加算平均することによって、新たなテンプレートを作成するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ検査装置において、ピクセルの仕様やピクセルの検出点数等の検査条件を変更する場合に、データテーブルの作成を不要として、テーブル作成に要する時間を省いて作業時間を短縮する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ基板に荷電粒子ビームを照射し、この荷電粒子ビーム照射によりＴＦＴ基板の画素電極から発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置であり、荷電粒子ビームのフォーカスを定めるフォーカスパラメータを荷電粒子ビームのサンプリングピッチに基づいて算出するフォーカスパラメータ算出手段と、算出したフォーカスパラメータに基づいて荷電粒子ビームのフォーカスを制御するフォーカス制御手段とを備え、ビーム径やビーム形状等の設定データをデータテーブルに格納する構成に代えて演算によって求める。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイの検査において、パネルの内部での位置誤差を補正し、ピクセル座標の位置精度の向上を図る。
【解決手段】パネルのピクセルを、パネルの縦方向および横方向の両方向に対して交互に異なる電位状態とし、この電位状態のパネルを電子線走査して走査画像を取得し、得られた走査画像のチェッカパターンを用いることによって、検出信号データをピクセルに割り付ける際の位置ずれを防いで、ピクセル位置の座標精度を向上させる。ピクセル位置検出工程において、チェッカパターンの電位分布で得られる走査画像のチェッカパターンとピクセル配列との対応関係から両者の位置関係を求め、この位置関係に基づいて走査画像の走査位置をピクセルの座標に割り付ける。 （もっと読む）