【課題】半導体基板上の配線の良否を高精度で検査することが可能な半導体基板の検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１４に電子ビーム１３を照射し二次電子１６を検出する。信号処理装置１８は、二次電子１６の信号強度に応じて半導体基板１４の被検査面の状態を示す電位コントラスト画像を作成する。制御用計算機１９は、欠陥検査においてノイズ源となる非検査対象の配線の画像を自己生成画像で置き換え、置換処理後のコントラスト画像に基づいて検査対象の配線の欠陥を検査する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に荷電粒子ビームを照射することなく、帯電等の影響が反映された画像を形成する画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体デバイスの設計データから、荷電粒子ビームを照射する範囲を含む領域の情報を取得し、当該情報に基づいて、前記荷電粒子ビームの照射範囲について画素単位で、試料に荷電粒子ビームを照射したときの前記画素部分にて検出される電子の量を計算し、当該電子量に基づいて求められる輝度情報を配列して、画像を形成する画像形成装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】試料の設計情報を用いて形成される回路パターンの配置や上下関係などの構造を解析し、解析結果をもとに欠陥画像から良品画像を作成し、比較検査により欠陥を検出することができる欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】欠陥観察装置において、観察対象の試料１０６の設計情報を記憶部１１４から入力し、１つ以上のレイヤを含む設計情報に基づいて、観察対象の試料に対して予め設定された観察可能なレイヤ情報を記憶部１１４から入力し、他の検査装置により検出された試料上の欠陥座標を記憶部１１４から入力し、欠陥座標に基づいた観察対象の試料１０６上の欠陥について、欠陥座標の周辺領域における回路パターンの構造を、設計情報およびレイヤ情報に基づいて解析し、回路パターンの構造の解析結果を用いて良品画像を推定し、良品画像および画像取得部からの画像情報の比較検査により欠陥を検出する演算部１２０を備えた。 （もっと読む）

マスク検査装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの照射によって、パターンが形成された試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、電子量を基に当該パターンの画像データを生成する画像処理手段と、照射手段、電子検出手段及び画像処理手段を制御する制御手段と、を有する。制御手段は、指定された試料の観察領域のサイズから全体の合成画像を形成する分割画像の分割数を算出し、隣接する分割領域が相互に重なるように分割領域を決定し、各分割領域のＳＥＭ画像を取得し、各分割領域の座標データ及び相互に重なる領域に含まれるパターンのエッジ情報を基に、分割領域のＳＥＭ画像を合成して観察領域の広視野のＳＥＭ画像を形成する。
（もっと読む）

【課題】保護対象に作用する磁場の変化を簡単な構成で確実に抑えることが可能な磁場変化抑制機能付き電子機器システムを提供する。
【解決手段】試料分析システム１００は、磁場を形成する超電導マグネット２に対してその磁場の影響を受ける位置に設置される保護対象としての分析装置１と、この分析装置１に作用する磁場の変化を抑える磁場変化抑制装置３とを備えている。磁場変化抑制装置３は、分析装置１を通過する超電導マグネット２からの漏れ磁場２１の磁束を囲むように分析装置１の近傍に配置されて、漏れ磁場２１が変化することに起因してその変化を打消す向きの補正磁場４１ａ，４１ｂを分析装置１に作用させるような誘導電流を発生させる補正コイル４ａ，４ｂを含んでいる。そして、補正コイル４ａ，４ｂは、漏れ磁場２１の磁束を囲むように巻回された超電導線材を有する超電導コイルである。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査部１２とを備え、データに基づいて製造された半導体デバイスから欠陥情報を得て、得られた欠陥情報から、データを構成する同じ幾何学情報に関連する繰り返し発生する欠陥を認識する繰り返し欠陥認識部２５を備えた。 （もっと読む）

【課題】複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを抽出するパターン検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン検査方法は、画像中に含まれる複数の画像パターン同士を各々すべて比較し、相関値マトリックスを生成して合計相関値を比較する。これにより、複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを自動的に抽出することが可能となり、欠陥パターンの測定を効率良く、高精度に実施することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射により試料から発生するＸ線を検出する分析方法において、試料が電子線照射により損傷を受ける前に測定を自動的に停止させる。
【解決手段】 電子線照射により試料から発生したＸ線、二次電子等をそれぞれＸ線検出器２４、電子検出器２３で検出し経過時間情報、座標位置とともに時系列的に組み合わせた時系列データとして記憶部３４に格納する。測定しながら、測定開始から一定の時間間隔で記憶部３４からＸ線信号を抽出しＸ線スペクトルを再生する。スペクトル全体又は任意に指定したエネルギー範囲のＸ線強度の時間経過に伴う変動をモニタし、異常を検知したら手動又は自動的に測定を中止する。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試料上の欠陥を観察する装置において、高倍率の欠陥画像と比較するための高倍率の参照画像を、欠陥画像を取得した後にステージを移動させることなく、かつ画像の解像度を低下させることなく高スループットで取得できるようにする。
【解決手段】
欠陥部位を低倍率で撮像した位置からステージ移動なしに低倍率の視野内で撮像できる高倍参照画像の撮像領域を探索し，探索できた場合には該領域を撮像して高倍参照画像を得、探索できなかった場合には欠陥部位の隣接チップから高倍参照画像を取得する方式に切り替えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 従来の有機物顕在化方法では、被検査物表面の異物を識別するためには、薄膜を堆積させる時間を多く必要とし、異物を識別させるための作業等が煩雑であった。また、被検査物表面の異物を識別する際には、被検査物を不活性ガスが封入された特別な環境下に置く必要があるため、異物の存在を容易に確認することができなかった。
【解決手段】 基板１の表面に金属薄膜１９を成膜し、金属薄膜１９が成膜された基板１表面に光を照射して、光の干渉により生じる、有機物１４が存在している部分と存在していない部分とのコントラスト差を識別する。 （もっと読む）

【課題】分類基準を改善することを目的とする。
【解決手段】画像データを分類する際の基準となる画像データの情報が登録されている分類基準データ１２１と、新規に入力された画像データを分類基準データ１２１を使用して分類した結果としての画像データの情報が登録されている分類データ１２２と、が記憶部１２に格納されており、画像分類装置１が、入力部１３を介して、分類データに登録されている画像データのうちの任意の画像データの情報が選択され、入力部１３を介して、選択された画像データの情報を分類基準データ１２１に追加登録する旨の指示が入力されると、選択された画像データの情報を分類基準データ１２１に追加登録することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】着磁した永久磁石の磁区構造等を示す観察像が得られる磁性試料の観察方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁性試料の観察方法は、磁化された磁性試料に放射光等の入射ビームを照射し、磁性試料から放出された放出電子を検出して、磁性試料の微細状況を示す観察像を形成する磁性試料の観察方法であって、磁性試料の磁化方向の両端が磁性試料の配置される雰囲気の透磁率よりも高い透磁率を有する連結具により磁気的に連結された状態で磁性試料が観察されることを特徴とする。この連結具により、磁性試料の両端には磁気閉回路が形成され、磁性試料からの漏洩磁場が抑制される。その結果、放出電子の軌跡が歪められることが少なくなり、磁性試料の磁区構造等を示す鮮明な観察像を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】集積回路のデバイス構造をナノプロービングするための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、デバイス構造の第１の領域全体にわたって、第１の領域に近接する少なくとも１つのプローブを使用して、１次荷電粒子ビームを走査することを含み、デバイス構造の第２の領域は１次荷電粒子ビームからマスクされる。この方法は、２次電子イメージを形成するために、デバイス構造の第１の領域および少なくとも１つのプローブから放出される２次電子を収集することをさらに含む。２次電子イメージは、結像部分としての第１の領域および少なくとも１つのプローブと、非結像部分としての第２の領域とを含む。別の方法として、第２の領域は、第１の領域よりも速い走査速度で荷電粒子ビームによって走査可能であるため、結果として第２の領域は２次電子イメージの結像部分でもある。 （もっと読む）

【課題】
プロセッサエレメント（ＰＥ）に対する耐故障性を有する外観検査装置を提供すること。また、検査を中断することなく故障状況が表示される外観検査装置を提供すること。
【解決手段】
接続されたＰＥの状態に応じてＰＥへの画像分配制御を行う画像分配制御部３２を有し、画像分配制御部３２は、ＰＥの接続状態を監視するＰＥ状態監視部３８と、接続されたＰＥの数に応じて処理負荷値を各ＰＥに割振るテーブル設定部３６と、処理負荷値に応じて画像検出速度を設定する検出速度設定部３１とを備える外観検査装置。また、検査状態や処理速度、接続されているＰＥ数を表示するモニタを備えた外観検査装置。 （もっと読む）

【課題】
本発明は電子検出器に関し、任意のエネルギーをもつ信号電子を選択的に弁別し検出することを目的とする装置である。任意のエネルギーをもつ信号電子を弁別し選択することで、そのエネルギー特有の情報を反映した像を得ることができる。
【解決手段】
信号検出器として、信号電子の入射位置の特定できる検出器を用いる。荷電粒子線の照射位置ごとに、信号電子が信号検出器に入射する入射位置の分布を取得する。入射位置の分布は、信号電子のエネルギー分布に対応する。信号電子のエネルギー分布像を取得しているので、画像処理等により考慮すべき信号電子のエネルギーを任意に変えることができる。信号電子のエネルギー領域により得られる情報が異なることから、エネルギー領域を任意に選択することで、試料の様々な特性情報を取得することができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェハを検査する検査システムにおいて、取得した画像の検査方向を考慮した回路を追加しなくても、画像の比較検査を行うことができる検査システムを提供する。
【解決手段】
検査対象を電子ビームまたは光で走査して画像データを生成する検出部，画像データを格納する検査処理用メモリ，検査処理用メモリに格納された画像データを読み出して検査処理を行う検査処理部，画像データに制御情報を付加する制御情報付加部を備え、検査処理部は、付加された制御情報に基づいて画像データを読み出す構成とした。 （もっと読む）

【課題】検査装置で検出された半導体装置の欠陥に関する検査データに基づいて、欠陥の分類精度の向上が可能な観察条件決定支援装置を提供する。
【解決手段】検査装置４で検出された半導体装置の欠陥に関する検査データに基づいて、詳細観察装置５において予め設定した複数の観察条件で同一の欠陥を撮影した複数の欠陥画像を取得する詳細観察条件の詳細観察結果ＤＢ２６と、それぞれの欠陥画像に基づいて、複数の同一の欠陥の分類を行い、分類の結果として観察条件毎に同一の欠陥の属する第１カテゴリを決定する欠陥分類手段１２と、詳細観察装置５のユーザが同一の欠陥の分類を行い決定した第２カテゴリに、第１カテゴリが一致する比率に基づいて、複数の観察条件の中から半導体装置の製造時に使用する詳細観察条件決定・登録手段１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＥＭレビューを、より効率的に行う技術が望まれている。
【解決手段】 記憶装置に、異なる条件で欠陥検出が行われた２種類の欠陥検出データが記憶される。撮像装置が、指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する。制御装置が、欠陥検出データの各々に登録されている欠陥の位置情報に基づいて、同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥と認定する。欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を、撮像装置により取得する際に、重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しない制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェハの評価の良い部分の領域や悪い部分の領域が分かる半導体検査装置のデータ処理方法とデータ表示方法と半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況を評価する半導体検査装置において、電子銃１０によって所定の電子ビームサイズでコンタクトホールを照射し、その際に測定される吸収電流値をコンタクトホールサイズで正規化した値をグラフ化し、そのグラフから任意の領域を指定して、表示装置１５０に表示されるウェハ上のマップにその測定点を表示する。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置製造プロセスで形成されるパターンの検査前に実行されるプリチャージの最適な条件を簡易に設定できるようにし、プリチャージの良否を自動判定し、その後の動作にフィードバックするようにして、検査結果の信頼性の低下を防ぎ、常に安定した検査ができるようにする。
【解決手段】
電子ビームを照射する前に、電子ビームを発生させる電子源とは別の第二の電子源から電子を発生させて基板の表面に帯電を形成させる帯電形成手段と、該帯電形成手段により基板の表面に帯電が形成された状態で、基板に流れる電流の値を計測する電流計測手段と、該電流計測手段により計測された電流の値が予め定められた目標値になるように帯電形成手段により形成される帯電を調整する調整手段とを備える。 （もっと読む）