【課題】
レビューＳＥＭを用いて回路パターンを定点観察する場合に、観察する回路パターンのばらつきが大きい場合でも、虚報の発生を抑えて安定した検査を行えるようにする。
【解決手段】
レビューＳＥＭを用いて所定の回路パターンを順次撮像してえたＳＥＭ画像を記憶手段に記憶し、この記憶したＳＥＭ画像の中から設定した条件に適合する画像を選択し平均化して平均画像(ＧＰ画像)を作成し、このＧＰ画像を用いたＧＰ比較によりパターン検査を行うことにより、回路パターンのばらつきが大きい場合でも虚報の発生をおさえた検査を可能にした。 （もっと読む）

【課題】評価対象パターンの画像を高速で処理するとともに、コンピュータ資源の効率を向上させる。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ３００により撮像された評価対象パターンの一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｉの時間で取り込む画像取込装置１０と、一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｐの時間で処理して評価対象パターンの評価結果を出力するクラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭと、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭが接続されてこれらを制御するメインノードＭＮを備える分散コンピューティングシステム１において、時間ＴｉおよびＴｐを測定して一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎの取得時間とその処理時間とが一致するように、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮｍ（ｍ≦Ｍ）を推定して一連の画像処理に割り当てる。 （もっと読む）

【課題】試料観察面の帯電を簡易な手段で防止でき、生体試料等において、乾燥後も収縮等の変形を抑制でき、さらに収縮痕へのイオン液体の部分的な残留により試料本来の像が妨げられることを抑制できる電子顕微鏡による試料観察用の液状媒体とそれを用いた試料観察方法を提供する。
【解決手段】水への溶解度が550g/100g water以上または10重量%水溶液での浸透圧が0.7 Osmol/kg以上のイオン液体、特に下記式（I）：


（式中、R¹〜R⁴は炭素数1〜5のアルキル基、または−R⁵−Aで示される水溶性官能基（R⁵は炭素数1〜5のアルキレン基、Aは水酸基等を示す。）を示し、その少なくとも１つは水溶性官能基である。X^-は、アルキルスルホン酸イオン等のアニオンを示す。）で表されるイオン液体を必須成分として含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カソードルミネッセンスを用いた半導体基板中の結晶欠陥の評価において、半導体基板表面のクリーニングをせずに高精度に結晶欠陥を評価することを可能にする。
【解決手段】欠陥検査装置１００は、半導体基板２を支持するステージ３と、電子線照射部７と、ＣＬ検出器１４と、Ｘ線検出器１９と、データ処理部２２とを備える。電子線照射部７は、半導体基板２に電子線を照射する。ＣＬ検出器１４は、半導体基板２の検査箇所に電子線が照射されることによって検査箇所の結晶欠陥から発生したカソードルミネッセンス光を検出する。Ｘ線検出器１９は、検査箇所に電子線が照射されることによって検査箇所の表面に付着する有機化合物から発生した炭素の特性Ｘ線を検出する。データ処理部２２は、検出された炭素の特性Ｘ線の強度に基づいて、検出されたカソードルミネセンス光の有機化合物による減衰を補正する。 （もっと読む）

【課題】本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、試料パターンの輪郭線の余剰、重複またはヒゲだけでなく、輪郭線の途切れも解消することのできる技術を提供するものである。
【解決手段】検査対象試料を生成するためのデザインデータに対して細線化処理を行い、対象試料上に形成されたパターンの内側と外側を規定するパターン内外規定情報を生成する。そして、対象試料画像のエッジ強調画像の画素値を参照しながら、パターン内外規定情報で示される領域を膨張させることにより領域分割を行い、対象試料のパターン輪郭線を生成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の結晶欠陥を、高感度に検出し精度良く評価することのできる半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 （もっと読む）

【課題】複数の検出器からの検出信号をパターン配置に応じた適切な配分比を用いて合成して、多層レイヤにおける下層パターンのコントラストを向上する技術を提供する。
【解決手段】複数の検出器から得られた検出画像を用いて画質改善を図ることを可能とする荷電粒子線装置およびその画質改善方法において、配置場所の異なる各検出器の出力に対応する検出画像を用いて、１枚以上の出力画像を生成する方法を、設計データや検出画像から算出したパターン方向あるいはエッジ強度の情報等を用いて制御するものである。このように、複数の検出器を用いることで検出信号範囲を拡大し、設計データや検出画像から算出したパターン方向あるいはエッジ強度を用いて検出信号を合成することで、コントラスト等の画質の改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体プロセスの立ち上げ時期のように、検査すべき項目が多種多様であり、かつそれらが時間と共に頻繁に変化する場合であっても、簡易な操作で対応可能なウェハ検査技術を提供する。
【解決手段】
検査画像を収集した後に、検査画像の中からテンプレートを作成する。このテンプレート上に複数の領域を定義し、各領域に検査手法と出力指標を対応付けて登録する。検査時は、取得した検査画像に対応するテンプレート画像を参照し、そこに登録されている検査情報に基づいて検査実行し出力定量値を算出する。 （もっと読む）

【課題】従来の技術においては、設計データを用いることにより、ウェーハ上の配線等の構成物との相対関係を考慮し、欠陥の重要度の判定は可能であるが、設計データが無い場合は、判定ができなかったので、設計データが入手できない場合についても欠陥検出の実施を可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスにおいて、製造するための設計データの代わりに、実際のウェーハ上の画像を取得することにより、半導体デバイス上の構成物との相対位置を検出し、欠陥の重要度を判定することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】
レビューＳＥＭにおいて、目標とする欠陥を間違いなく検査する。
【解決手段】
欠陥検査装置が検出した欠陥から目的とする欠陥を選定し、その座標を取得し、レビューＳＥＭの視野を目的とする欠陥の座標に合わせてＳＥＭ像を撮像し、ＳＥＭ像中の欠陥を画面内の座標と共に検出し、欠陥検査装置が検出した欠陥と対応するＳＥＭ像中の欠陥を重ねるための座標調整値を求め、目的とする欠陥の調整した座標に合わせて、拡大ＳＥＭ像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】性能指標が向上したスピン検出器、及び当該スピン検出器を用いた表面分析装置を提供する。
【解決手段】スピン検出器５は、電子線が照射される面に、面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部５２が形成されたターゲット５１と、突起部５２の傾斜面で電子線が電子線のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出器ＤＲｙ，ＤＬｙと、を有する。また、表面分析装置１は、試料Ｓ表面に１次電子線を照射する電子線鏡筒３と、上記スピン検出器５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微小試料を加工する際のユーザの負担を効果的に低減できる微小試料の加工方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る微小試料の加工方法は、微小試料の断面のＳＥＭ画像を取得するステップと、取得したＳＥＭ画像の一部の領域を指定するステップと、指定した領域の濃淡度を指定するステップと、集束イオンビームを照射して、微小試料を加工するステップと、加工した微小試料の断面のＳＥＭ画像を取得するステップと、取得したＳＥＭ画像の指定した領域の濃淡度を算出するステップと、算出した濃淡度が、指定した濃淡度を満たすかどうかを判定するステップとを具備し、算出した濃淡度が指定した濃淡度を満たすまで、微小試料を加工するステップから濃淡度を算出するステップまでを繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
観察座標を算出するのに不適当な，観察装置で検出するのが困難な欠陥(例えば，膜下欠陥など)が多発する品種・工程のウェーハにおいて，安定かつ高スループットに検査装置と観察装置の座標系のずれを補正する。
【解決手段】
観察装置を，座標変換情報を記憶する記憶手段と、検査装置で検出した複数の欠陥の座標情報を記憶手段に記憶しておいた座標変換情報を用いてそれぞれの欠陥に対応する観察装置上の座標情報に変換する座標情報変換手段と、座標情報変換手段で変換した観察装置上の座標情報に基づいてそれぞれの欠陥を撮像する撮像手段と、撮像手段で取得した画像から抽出した欠陥の座標情報と座標変換手段で変換したそれぞれの欠陥の座標情報とから記憶手段に記憶しておいた座標変換情報を修正する座標情報修正手段とを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】
多層レイヤにおける下層パターンやホールパターンの穴底などの鮮明度の低い領域に対して高画質化が行える，高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】
設計データの高さ情報または画像から求めた試料の高さ情報の推定値を用いて鮮明化強度を計算し，該鮮明化強度を用いて撮像画像の画質改善処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
チルト像には立体的なパターンの様々な輪郭線が存在し、またパターン表面のラフネス等により計測対象外の形状変化に伴うエッジも含まれるため形状認識は複雑になり画像処理による形状計測は容易でない。さらに，パターンの形状評価に適した観察方向を判断することが困難であった。
【解決手段】
評価対象となるパターンの撮像方向と撮像領域内に含まれる回路パターンの設計データから撮像画像上でのパターンの輪郭線の予想位置（予想輪郭線）を推定し，予想輪郭線と実際の輪郭線との位置ずれ予想範囲を設定し，前記位置ずれ予想範囲を基に画像処理範囲あるいは画像処理方法を設定してパターンの寸法，輪郭線，画像特徴量，三次元形状を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】光ファイバーを用いずに伝送する光検出装置及び光伝送装置を提供する。
【解決手段】チャンバ２内の試料台５に試料４が載置される。電子線照射部１から楕円面鏡３の孔部３０を通過して試料４の試料面に電子線が照射される。照射スポットに位置する試料４の試料面の一部が励起して散乱光を発する。散乱光は、楕円面鏡３の内面での反射により楕円面鏡３の２焦点と異なる位置に集光されて非散乱光に変換される。非散乱光は、チャンバ２の開口部２４を気密封止しているコリメートレンズ２１を通過して平行化され、チャンバ２外の分光部７へ伝送される。分光部７は、伝送された光を検出する。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ短時間で結晶格子像と相似のモアレパターンを得ることを可能にする。
【解決手段】走査型顕微鏡を用いて、結晶構造の結晶格子モアレパターンを取得する方法であって、前記結晶構造の走査面において、前記結晶構造と方位に対応して、複数の仮想格子点を周期的に配置する工程と、入射プローブを用いて複数の前記仮想格子点からの信号を検出する工程と、検出した前記信号に基づいて、前記結晶構造の結晶格子モアレパターンを生成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】電子顕微鏡において温度制御デバイスを用いる方法。デバイス構造の温度を制御して、以前は取得することができなかった反応及びプロセスに関する情報を抽出することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】試料表面のスピン状態分布を高精度に分析するための電子スピン分析器を提供する。
【解決手段】試料Ｗから放出される二次電子を入射方向に対して横方向に走査する走査偏向器５ａ、５ｂを通してパルス化された二次電子を放出するパルスゲートユニット４と、パルスゲートユニット４から出る二次電子を加速させる加速ユニット７と、加速ユニット７から出た二次電子を照射するターゲット８と、ターゲット８の周囲に配置される電子スピン検出器１５ａ〜１５ｄと、電子スピン検出器１５ａ〜１５ｄから出る二次電子を受けるコレクタ１０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビューのレポート作成に要する時間を短縮し、欠陥レビュー装置あるいは検査システムユーザの利便性を向上する。
【解決手段】被検査試料に存在する複数の欠陥のレビュー機能を有する欠陥レビュー装置に接続されて使用されるレビュー支援装置１３において、外観検査装置３などによって取り込まれた欠陥の位置情報と画像情報とを処理する演算手段と、欠陥レビューの結果を要約したレビューレポートを作成するための操作画面が表示されるモニタとを有し、レビューレポートのレイアウト編集機能を持ったレビューレポート作成ツール１０〜１２を構成することにより上記の課題を解決する。 （もっと読む）