【課題】焼結鍛造体の粒界空孔部と粒界酸化部とからなる未焼結部の全体に対する比率、すなわち未焼結部面積率を正確に演算・測定すること。
【解決手段】測定ワーク（Ｓ１）の焼結鍛造体から走査型電子顕微鏡で撮像・取得される（Ｓ２）焼結鍛造面の画像を、二次電子像及び反射電子組成像によって表示する。そして、二次電子像及び反射電子組成像のそれぞれから、粒界空孔部と粒界酸化部とを判別する。これらは未焼結部である。このようにして判別された未焼結部を黒色に、その他の部分、即ち焼結部を白色にする（Ｓ３）。さらに、画像処理（Ｓ４）によって、黒色部分の面積が取得画像の面積を占める割合を演算する（Ｓ５）。この演算結果が、当該焼結鍛造体の未焼結部の面積率を指す。 （もっと読む）

【課題】欠陥の検出精度を下げることなく、欠陥検出に用いる信号を取得されるまでの時間を短縮する。
【解決手段】一ピクセル当たりに照射する荷電ビームの点数を減少させることによってサンプリングに要する時間を短縮すると共にサンプリング点を補間し、サンプリング点と補間点から検出強度を算出する。荷電ビーム照射によりパネル上のサンプリング点の信号強度を検出する検出工程と、検出したサンプリング点の信号強度を用いて、サンプリング点の近傍の補間点の信号強度を補間する補間工程と、パネルのピクセルに対してサンプリング点および補間点を対応付け、各ピクセルに対応付けられたサンプリング点および補間点の中から欠陥検出に用いる信号点を抽出する抽出工程と、抽出工程で抽出したサンプリング点の信号強度および補間点の信号強度を用いて各ピクセルについて一つの信号強度を算出する信号強度算出工程を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線顕微鏡及びＸ線を用いた顕微方法に関し、Ｘ線画像の分解能を向上させることができるＸ線顕微鏡及びＸ線を用いた顕微方法を提供することを目的としている。
【解決手段】電子ビームＥＢを集束して照射する電子ビーム照射手段と、該電子ビーム照射手段からの集束電子ビームの照射に応じてＸ線発生源となる薄膜１１と、該薄膜１１の第１の面に照射された集束電子ビームによって該薄膜１１から発生するＸ線１３を検出するＸ線検出手段８とを有し、前記薄膜１１の第２の面に接して配置された試料７を透過したＸ線１３を前記Ｘ線検出手段８により検出するように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。
【解決手段】集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ光または荷電粒子ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該第一のカラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて前記試料に荷電粒子ビームを照射し該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記欠陥を検出する検出器の検出面の方向は、それぞれのカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造工程における位置誤差を解消して、位置精度を高め、検査精度を高め、基板上の検査対象領域の正確な位置を取得する。
【解決手段】基板検査装置１は、荷電粒子ビームを基板上で二次元的に走査させて得られる走査画像に基づいて基板検査を行う基板検査装置において、走査画像から基板上の検査対象領域の特定部位の座標データを取得する座標データ取得手段７を備える。基板検査において、座標データ取得手段で取得した座標データに基づいて走査画像上の検査位置を特定することで、誤差によるずれに影響されることなく基板検査を行う。 （もっと読む）

【課題】微細パターン中の微小なオープン欠陥やショート欠陥を検出する手法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された基板に電子線を照射し、基板から発生する低エネルギーの二次電子および高エネルギーの反射電子を検出してそれぞれの電子から第１および第２のＳＥＭ像を生成する。第２のＳＥＭ像から輪郭を抽出してパターンの輪郭データを取得し、該輪郭データを第１のＳＥＭ像に適用して検査領域を決定し、該検査領域に対して二値化処理を行うことにより、パターンまたは基板の欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】生物試料のＸ線顕微鏡観察に好適なＸ線顕微鏡像観察用試料支持部材を提供すること。
【解決手段】試料支持部材（１０）は、窒化シリコン膜、カーボン膜、ポリイミド膜などの試料支持膜（１１）と、この試料支持膜の一方主面に設けられ荷電粒子の照射を受けて軟Ｘ線領域の特性Ｘ線を放射するＸ線放射膜（１３）と、試料支持膜（１１）の他方主面に設けられた金属膜であって吸着により観察対象試料（１）を固定する試料吸着膜（１２）とを備えている。生物試料の構成物質であるタンパク質は金属イオンに吸着し易い性質があるため、試料吸着膜（１２）を試料支持部膜（１１）の主面の一方に形成してこれに観察試料を吸着させるようにする。このような試料支持部材（１０）を用いれば、生物試料を含む溶液を試料吸着膜（１２）の上に滴下したり試料支持部材（１０）を収容したセル内に注入したりするだけで、観察試料を固定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを放出中であっても高真空を維持可能な小型荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の電子光学系の差動排気の上流に非蒸発ゲッター
ポンプを配し，下流に必要最小限のイオンポンプ配して，両者を併用することにより達成
される。さらに，取り外し可能なコイルを電子銃部に実装することにより，別の課題を解
決する。
【効果】カラム内の真空度を１０^−８Ｐａ台の高真空で維持できる小型荷電粒子線装置，例えば，小型の走査型電子顕微鏡，複数のカラムを有する荷電粒子ビーム装置を得ることができる。さらに，半導体の電気特性を直接計測するプローバ装置の探針の位置をモニタする小型ＳＥＭカラムを容易に内蔵できる。その他にも，半導体素子検査用のミラープロジェクション方式の電子線検査装置の電子線照射カラムの小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】所望の部分のみの画像データを高速に取得し、検査することにより短時間で効率良い検査を実施可能な外観検査装置を提供する。
【解決手段】ＲＯＩ検査機能を備えた外観検査装置において、設定された領域指定条件に基づき、半導体ウェーハ上に配置する走査ストライプの画像から参照画像形成用の画像データを位置合わせ用のマージンを含んで切り出す。切り出された複数枚の画像データを加算平均してＲＯＩ検査用の参照画像を合成する。更に、参照画像用の画像データの切出しの際に所定の禁則条件を設けて、誤判定を防止する。 （もっと読む）

【課題】複数の外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置情報が大きな誤差をもつことが原因で、実施が困難な工程トレースを通常の自動撮像時に同時に実行する。
【解決手段】外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置を、ＳＥＭ式レビュー装置内の絶対座標として記憶し、工程が異なっても、ユーザーが指示した絶対座標の自動撮像を実施することによって工程トレースが容易に実施可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より理想的な荷電粒子線装置の分解能評価用の標準試料を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、荷電粒子線装置の試料作成方法であって、基板表面に微細な凹凸を形成するステップと、前記基板にコロイド金属又はイオン液体に分散した金属微粒子を滴下するステップと、前記基板に滴下した溶液を除去するステップと、を有することを特徴とする試料作成方法を提供する。また、荷電粒子線装置の試料作成方法であって、基板表面に微細な凹凸を形成するステップと、前記基板表面にスパッタにより金属微粒子を付着させるステップと、を有することを特徴とする試料作成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
デバイス等の不良原因となる１μmほどの微小絶縁物試料等の分析前処理として、帯電の支障を少なくし、周辺の基材を混合することなく目的物のみをサンプリングすることを目的とする。
【解決手段】
試料の観察、サンプリング領域に電位制御が可能で導電性により形成された端子を接触させる機構を考案した。本機構は前記観察、サンプリング領域の周囲に接触する導電性の端子とこの端子の移動を精密に制御する動作機構と端子に電圧を印加するための電位制御機構と端子をアースおよび電位制御機構に接続する機構とから成り、前記端子を試料の近傍に接触させることにより観察、サンプリングの過程で生じる電荷をアース線を通して逃がすものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等をはじめとする回路パターンを有する基板面に白色光、レーザ光、電子線を照射して検査し、検出された表面の凹凸や形状不良、異物、さらに電気的餡欠陥等を短時間に高精度に同一の装置で観察・検査し、区別する検査装置および検査方法を提供する。また、被観察位置への移動、画像取得、分類を自動的にできるようにする。
【解決手段】他の検査装置で検査され、検出された欠陥の位置情報をもとに、試料上の被観察位置を特定し、電子線を照射し画像を形成する際に、観察すべき欠陥の種類に応じて電子ビーム照射条件および検出器、検出条件等を指定することにより、電位コントラストで観察可能な電気的欠陥が可能になる。取得した画像は、画像処理部で自動的に分類され、結果を欠陥ファイルに追加して出力される。 （もっと読む）

【課題】複数台の画像処理装置を用いて欠陥レビューないし欠陥分類を実行する欠陥レビュー装置において、１台の画像処理装置が故障しても欠陥レビューを継続可能な欠陥レビュー装置を実現する。
【解決手段】複数台の画像処理装置間を統括制御する画像処理制御部を設け、複数台の画像処理装置間で常に生存信号を送受信する。生存信号に何らかの障害が検出された場合（タイムアウトなど）、複数台の画像処理装置間で実行している画像処理について、画像処理制御部が画像処理を実行する画像処理装置の再割り当てを行う。
【効果】障害が発生しても欠陥レビュー装置の動作を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】教示欠陥および教示欠陥の画像処理による理想出力を入力し、欠陥種の分類に必要な画像処理パラメタの設定作業を容易かつ高速に行うことができる欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】欠陥観察装置において、教示欠陥の情報、および教示欠陥の理想出力の情報を入力し、決定された画像処理パラメタセットによる処理結果を表示する入出力部１２３、全画像処理パラメタセットの中から全画像処理パラメタセットの総数よりも少ない数の画像処理パラメタセットを選択し、入力した欠陥画像について選択された画像処理パラメタセットによる画像処理結果を算出し、選択された画像処理パラメタセットについて一致度を算出し、選択された画像処理パラメタセットに対する一致度の分布から全画像処理パラメタセットにおける指標値の分布を推定し、全画像処理パラメタセットの中から高い一致度となる画像処理パラメタセットを決定する自動決定部１２４を備えた。 （もっと読む）