【課題】光学的検査と電気的検査とを行う基板アレイ検査装置において、装置構成を小型化し、検査のスループットを向上させる。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置１は、電子線走査によって得られる二次電子を検出するメインチャンバー２０と、メインチャンバーとの間で基板２を搬出入するロードロックチャンバー１０と、基板の搬送方向と直交する方向の幅のライン状画像を撮像するライン撮像手段４０と、電気的検査画像を形成する検査画像形成手段５２と、光学画像を形成する光学画像形成手段４１と、検査画像および光学画像を用いて基板検出を行う基板検査手段６０とを備え、ライン撮像手段を、基板の搬送路上で、ロードロックチャンバーとメインチャンバーの境界近傍に配置する。メインチャンバーへの基板の搬入時に基板の光学画像を取得することで、光学画像を取得するスペースを不要として小型化し、検査のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】欠陥部分を拡大するなどして詳細に検査するときに、記録した参照画像の再利用率があがるように欠陥検出の処理手順などを改良することで、検出率を下げずに短時間に効率よく欠陥を観察することができるようにする。
【解決手段】欠陥画像と記録した参照画像を比較して欠陥を抽出できなかった場合に、新たに参照画像を撮像すること、複数の記録した参照画像やこれらを組み合わせて生成した参照画像と比較したり、異なる倍率の画像の倍率が同じになるように画像処理をしたり、機差による画像の視野を補正すること、記録した参照画像に対して、優先順やスクリーニングによる評価を行うことなどを特徴とする試料の観察方法とした。 （もっと読む）

【課題】
撮像する度に発生する異なる歪を算出し、画像毎に異なる歪補正をすることによって、高感度での欠陥検出を可能とし、かつ、歪の無い検査画像を出力する。
【解決手段】
検査画像をビーム走査方向に長い小領域に分割し，領域毎に参照画像と位置合せを行い，検査画像と参照画像の歪状態を補正し、歪補正した検査画像と参照画像の差分を演算して欠陥を検出し、欠陥箇所の歪補正した検査画像と参照画像とをＧＵＩ上に表示するようにした。 （もっと読む）

本発明は、α相およびβ相を有する２相タイプのチタニウム合金を検査する方法に関する。方法は、
ａ）合金から作られた部分の試料を切断するステップと、
ｂ）試料のエッジ（５０）の近傍に位置する試料の切断面の領域（４）を調製するステップであって、領域（４）が観察されることができるようにするために、エッジ（５０）が部分の外面（１）と共通であるステップと、
ｃ）５０００倍よりも大きな倍率で領域（４）のα相を観察するステップと、
ｄ）試料のエッジ（５０）に隣接する第１のゾーン（１１）のα相に粒状性があるかないかを決定するステップと、
ｅ）隣接するゾーン（１１）のα相に粒状性がないことが認められるが、隣接するゾーン（１１）の外側のα相に粒状性（２２）がある場合、合金が気体で汚染されたと結論付けるステップと
を含む。
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【課題】プローバフレームの面剛性を高め、歪みを少なくし、これにより、各プローブピンとＴＦＴパネル基板の電極との接触圧力を均一化する。
【解決手段】本発明の外フレームは、アルミニウム合金の板材を基材とし、このアルミニウム合金の板材に、ステンレス合金の板材と繊維強化樹脂の板材の少なくとも何れか一方の板材を層状に連結して層構造を構成する。この層構造とすることによって、外フレームの曲げ剛性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】粒子ビームを用いて試料の構造に関する情報を得るための検査方法において、試料から放出された電子およびｘ線から試料に関する情報を得ることができる検出方法および検査装置を提案する。
【解決手段】検査方法は、試料に粒子ビームを集束するステップと、試料に隣接して配置した少なくとも１つの検出器を作動するステップと、少なくとも１つの検出器によって生成した検出信号を異なった強度間隔に割り当てるステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射した電子に関連した少なくとも１つの第１信号成分を決定するステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射したＸ線に関連した少なくとも１つの第２信号成分を決定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はエネルギー分散型Ｘ線分析装置のスペクトルの分類方法及び装置に関し、スペクトル同士の相関関係を求める必要がなく、高速に処理が可能なエネルギー分散型Ｘ線分析装置のスペクトルの分類方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】試料に荷電粒子ビームを照射して試料から発生したＸ線を所定の区画毎に検出し、検出されたＸ線から、横軸にエネルギー、縦軸に発生したＸ線の数を表わすＸ線スペクトルを求めるスペクトル取得手段と、該スペクトル取得手段から得られたスペクトルを横軸をＭ分割、縦軸をＮ分割して、横軸のＭ分割区域毎に縦軸の数値を求め、求めた数値列を各区画毎に得る数値列算出手段と、同じ数値列の区画をまとめて、同一の数値列により同一の組成と判定された区画を同じ色で着色する着色手段と、各組成と判定された個別の分布を合成して分布図を得る分布図取得手段とにより構成される。 （もっと読む）

【課題】改良型の微量熱量計型エネルギー分散型Ｘ線分光計を提供すること。
【解決手段】改良型の微量熱量計型エネルギー分散型Ｘ線分光計は、低電子ビーム・エネルギーで試料の高空間分解能Ｘ線マッピングを実用的に実行するのに十分なエネルギー分解能およびスループットを提供する。エッチングによって試料から層を除去する能力を提供するデュアル・ビーム・システムとともに使用すると、本発明のシステムを、３次元Ｘ線マッピングに使用することができる。好ましいシステムは、試料を出たＸ線のうち検出器に衝突するＸ線の割合を増大させるため、広角の開口を有するＸ線光学部品を使用し、パルス・パイルアップを回避するため、複数の検出器を使用する。 （もっと読む）

【課題】欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法において、欠陥観察装置と基板との位置合わせ精度を向上させること。
【解決手段】基板Wの表面の欠陥D_iのそれぞれの欠陥座標を取得するステップＳ１と、欠陥D_iのそれぞれに所定領域Rを設定し、その中に含まれる欠陥の総個数N_iを計数するステップと、ステージ座標を一番目の欠陥D₁の欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野２２ｆ内に第１の欠陥D₁を導入するステップと、視野中心２２ｃと第１の欠陥D₁とのズレ量を取得するステップと、上記ズレ量に基づいて、第１の欠陥D₁よりも上記総個数が多い第２の欠陥D₂の欠陥座標を補正するステップと、補正後の第２の欠陥D₂の欠陥座標にステージ座標を合わせることにより、顕微鏡の視野２２ｆ内に第２の欠陥D₂を導入するステップとを有する欠陥観察方法による。 （もっと読む）

【課題】不具合箇所を容易に特定することのできる半導体装置の解析装置及び解析方法の提供。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、荷電粒子ビームを試料に照射し、検出した２次電子強度に応じた２次電子像を表示する機能を備える。解析対象の半導体装置に対し、第１の照射パターンで、荷電粒子ビームを照射して、電荷を注入する。次に、前記解析対象の半導体装置の電荷の蓄積状態を観測する。電荷の蓄積状態が正常でない箇所を、半導体装置の不具合箇所として検出することができる。 （もっと読む）

【課題】多層パターンに対してテンプレート・マッチングを短時間で且つ正確に行うことができる画像処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】上層パターンと下層パターンをそれぞれSEM画像の間でパターン・マッチングを行ない、上層相関マップと下層相関マップを生成する。上層相関マップと下層相関マップを合成して合成相関マップを生成する。合成相関マップより、相関値が極大値を取る点を、マッチング位置とする。このような予備マッチングの結果を利用して、再度、高精度マッチングを行う。高精度マッチングでは、上層パターンと下層パターンを合成し、合成画像を生成する。この合成画像は層間ズレ情報が含まれている。この層間ズレ付き合成画像とＳＥＭ画像の間でテンプレート・マッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実波形とライブラリとの比較に基づいて、形状を推定するに際し、適正な形状推定を行うことができるパターン形状選択方法、及び装置の提案を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、取得された波形をライブラリに参照することによって、パターンの形状を選択する方法、及び装置であって、試料に対する荷電粒子線の照射に基づいて、複数の波形取得条件にて波形情報を取得し、当該複数の波形情報を、複数のパターン形状毎に、異なる波形取得条件で取得された波形情報が記憶されたライブラリに参照することによって、前記ライブラリに記憶されたパターン形状を選択する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】 自動分類の信用性を高めるために調整をしなければならない対象を容易に特定することのできる技術を提供すること。
【解決手段】 分類調整装置１４０は、電子顕微鏡１１０から得られた画像データよりより得られる欠陥の特徴量より、当該欠陥を第一のクラス群に分類し、当該第一のクラス群に分類された前記欠陥の前記特徴量より、前記欠陥を第二のクラス群に分類する。そして、前記第二のクラス群に分類された欠陥と、第二のクラス群に分類されるべき欠陥と、を比較することにより分類性能を算出し、算出した分類性能を予め定められた表示形式にして出力部１８０に出力する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて分解能をより一層向上させることができる荷電粒子顕微鏡及び解析方法を提供する。
【解決手段】試料２０内で広がった電子線プローブをＣＣＤカメラ２３で撮影し、電子線プローブ（実効的プローブ）の形状、大きさ及び強度分布のデータを取得する。その後、ＣＣＤカメラ２３を電子線の通過域から退避させ、ＳＴＥＭ検出器２２により観察像を取得するとともに、ＥＥＬＳ検出器２４によりＥＥＬＳスペクトルを取得する。次いで、電子線プローブ（実効的プローブ）の形状、大きさ及び強度分布のデータを使用し、分析目的位置毎に分析目的位置に照射される電子線量（強度）とその周囲に照射される電子線量とを演算し、その結果に基づいてＳＴＥＭ検出器２２又はＥＥＬＳ検出器２４により得た測定値を演算処理して、周囲の影響を排除した真の測定値を得る。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像を記憶するメモリのオーバフローが発生した場合でも基板の全面についての欠陥分布を早期に得ることができる基板の検査装置、および、基板の検査装置における基板の欠陥分布を得る方法を提供する。
【解決手段】基板の画像を取得し、画像比較により差のある画素を抽出し、該画素の信号量が予め設定された閾値を超えた場合に欠陥候補と判定し、欠陥候補の代表画素の座標を記憶装置へ記憶し、記憶装置の容量がオーバフローした場合、またはオーバフローの前に、閾値の値を変更して欠陥候補の判定を継続し、基板の欠陥分布をディスプレイへ表示する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、観察対象である試料の伸縮の変化を抑えることにより、観察対象の位置ずれを解消し、大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料を保持する試料保持手段と、前記試料の温度の調整が可能な温度調節手段と、各種条件に基づき前記温度調節手段の制御が可能な温度調整手段制御手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と基準パターンとの比較検査を実時間で行うこと等である。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する基準パターン生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する検査対象パターン画像生成手段と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出するエッジ検出手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記基準パターンの前記線分もしくは曲線とを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】材料の二次電子放出特性についての正確な評価を容易に行うことが可能な評価方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気中に設置された材料にイオンビームを照射した際に発生する二次電子スペクトルを用いた材料の評価方法であって、被測定試料および基準試料のそれぞれにイオンビームを照射することにより放出される二次電子を測定することにより得られた各電子スペクトルに基づき、電子スペクトルの各々を所定の二次電子エネルギーの範囲で積分して、被測定試料積分強度および基準試料積分強度を測定する積分強度測定工程と、被測定試料積分強度の基準試料積分強度に対する相対比を求める積分強度相対比算出工程と、相対比により被測定試料における二次電子放出性能を評価する評価工程とを有している材料の評価方法。 （もっと読む）

【課題】黒鉛粒が分散した金属組織と破断との具体的な関連付けが可能で、検査に手間がかからないダクタイル鋳鉄の組織評価方法を提供することである。
【解決手段】検査面を引張試験における引張試験片１の破断面１ａとすることにより、黒鉛粒が分散した金属組織と破断との具体的な関連付けができるようにするとともに、検査面の研磨等を不要として、検査に手間がかからないようにした。 （もっと読む）

【課題】被検査試料の外周部と中心部とで帯電特性が異なることから、被検査試料外周部と中心部とで同等の検査感度を得ることができない。
【解決手段】被検査試料を載置する試料ホルダの外周部に試料カバーを設け、被検査試料の帯電特性にあわせて試料カバーの帯電特性を変更する。これにより、試料外周部と中心部とで均質な帯電状態を形成でき、試料外周部の検査・観察が従来よりも高感度に実現可能となる。 （もっと読む）