説明

Fターム[2G046BB08]の内容

Fターム[2G046BB08]に分類される特許

1 - 17 / 17


【課題】化学センサを具備する半導体装置の製造コストを低減し、あるいは、複数の測定原理によって精度の高い検出をする。
【解決手段】半導体装置は、第1のセンサ素子及び第2のセンサ素子を具備し、第1のセンサ素子は、第1の導電層と、第1の導電層上に形成された第1の感応膜とを有し、第2のセンサ素子は、第1の導電層とは異なる第2の導電層と、第2の導電層上に形成された第2の感応膜とを有する。センサ素子の製造方法は、センサ素子のうち導電層を半導体基板に又は半導体基板上に形成する工程(a)と、感応膜を構成する成分を含む液体を導電層上にインクジェット装置によって吐出して、感応膜を形成する工程(b)と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】複数のニオイ成分をニオイ成分の沸点が上昇する順にリアルタイムに測定し分析することが可能なニオイ分析装置を提供する
【解決手段】試料セル16と、試料セル16に収納された試料の温度を制御する試料温度制御部13と、試料から発生する複数のニオイ成分を蓄えて保温する保温容器12と、複数のニオイ成分の揮散を幇助する揮散幇助ガスを供給するガス供給ユニット14と、複数のニオイ成分を検知するニオイセンサ111a,111b,・・・111eとを備える。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成にて電気絶縁層と感知層との応力変化による影響を回避し、マイクロクラックの発生を抑止するようにした薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層14と感知層15bとの間に歪超格子と同様に機能する中間バッファ層16を設け、この中間バッファ層16により熱衝撃に起因する電気絶縁層14とガス感知層15bとの応力変化を吸収し、その結果マイクロクラックの発生を抑止するような薄膜ガスセンサ1とした。 (もっと読む)


【課題】低い濃度レベルでもNOxガスの定量的評価が可能であり、長い耐用年数を有するガスセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガスセンサー(100)は、ドープ酸素欠陥酸化タングステン並びにRe、Ni、Cr、V、W及びこれらの組合せからなる群から選択されるドーパントを含むガス感知層(118)、チタン層(114)内に位置する1以上の電極(112)、並びに応答調節層(116)を備える。1以上の電極(112)はガス感知層(118)と連通しており、ガス感知層(118)はNO、NO2、SOx、O2、H2O及びNH3からなる群から選択される1種以上のガスを検出することができる。 (もっと読む)


【課題】ガス・センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】センサは、MがW、Ti、Ta、Sr、Mo及びそれらの組合せより成る群から選択された少なくとも1種類の化学元素であり、且つα、β、γが自己無撞着であるとして、一般的化学式MαOβNγを持つ少なくとも1種類の化合物を含むガス検知層であって、NO、NO、SO、O、HO、CO、H及びNHより成る群から選択された少なくとも1種類のガスを検出することのできるガス検知層と、Ti、Cr及びそれらの組合せより成る群から選択された材料を含む接着層の中に配置された少なくとも1つの電極と、Mg、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Zn、Nb、Ru、Rh、Pd、Ta、W、Re、Pt及びそれらの組合せより成る群から選択された材料を含む応答修正層とを含む。少なくとも1つの電極はガス検知層と連通状態にある。 (もっと読む)


本発明は、上/下/左/右の4面において、バイオ感知が可能なバイオセンサ及びその製造方法と、このようなバイオセンサが複数に層状で配列されたバイオ感知装置が開示される。具体的に、本発明に係るバイオセンサは、バイオ物質を含む流体が流れる流体通路が形成された支持手段と、該支持手段に形成された前記流体通路において、3次元的に露出するよう前記支持手段の上部に配置され、前記流体通路を介して流入する前記バイオ物質と反応する反応物質が表面処理された感知手段とを備える。また、本発明に係るバイオ感知装置は、複数のバイオセンサを流体通路の方向に配列し、各々のバイオセンサは、相異なる反応物質を利用した化学的な表面処理を介して相異なるバイオ物質を吸着する。このようなバイオセンサ及び感知装置を介して高いバイオ物質に対する高い感知度及び選択性を獲得することができる。
(もっと読む)


【課題】 センシング電極部や基板接続用の接続用電極といった電極部が、測定環境下に露出するのを防止し、かつ感湿部の開口度をあげることでセンサの応答性を高め、信頼性の高い湿度センサを提供する。
【解決手段】 センサチップの一面3側はその全面を測定環境下にさらし、一面5側には半導体膜6を形成後、センシング電極7,8、および該センシング電極からの信号を処理するための信号処理回路部9が形成されている。配線部材11によりターミナル基板1を通し、外部と電気的に接続されている。センシング電極7,8および信号処理回路部9は耐湿性材料よりなる保護膜10により被覆保護されている。 (もっと読む)


【課題】センサー対数線及び安定性の問題により、金属酸化物類型のようなセンサーが拡がっていない点を改善する湿度センサーを提供する。
【解決手段】少なくとも二本の長方形電極は、各々基板上に形成され、各長方形電極には各第一端子及び第二端子がある。また、少なくとも一対の櫛形電極は、それぞれ少なくとも二つの長方形電極の一端と接触する。湿度センサー膜は、親水性のイオン性高分子化合物を具え、且つ少なくとも一対の櫛形電極上に形成する。製造方法に於いて、(a)少なくとも二つの長方形電極は各々第一端子及び第二端子を含む。(b)この基板上には少なくとも一対の相互関係はあるが、相互に接触しない櫛形電極を形成し、且つその櫛形電極は基板上の二つの長方形電極の第一端子と接触する。(c)この櫛形電極を湿度センサー材溶液中に浸し、湿度センサー膜を形成する。そのうち、湿度センサー材は親水性のイオン性高分子化合物を具える。 (もっと読む)


【課題】不良品率を低減しつつ、低濃度から高濃度までCOを高分解能で検知し、感度の長期安定性を向上させ、製造コストを抑制する。
【解決手段】薄膜状の支持膜10c,20cと、その外周部またはその両端部を支持するSi基板10a,20aと、支持膜10c,20cの上側に形成された薄膜ヒーター10e,20eと、薄膜ヒーター10e,20eを覆う電気絶縁膜10f,20fと、ドーパントを含むSnO薄膜によって電気絶縁膜10f,20f上に形成されたガス感知膜10g,20gと、ガス感知膜10g,20gの抵抗を測定する電極10h,20hと、選択燃焼層10k,20kとを有する半導体式薄膜ガスセンサチップ10,20が複数設けられたガス警報器において、半導体式薄膜ガスセンサチップ10と半導体式薄膜ガスセンサチップ20とでガス感知膜10g,20gの抵抗のガス依存性を異ならせた。 (もっと読む)


【目的】熱応力によってガス感知部や支持薄膜にクラックが発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【構成】少なくとも、中央に貫通孔有する基板1と、
この基板面上に形成され、少なくとも、薄膜ヒータ3と、薄膜ヒータ3を被覆する層間絶縁膜4と、その上に形成された金属電極5を有する酸化物半導体を主成分とするガス感知膜6からなる構成部品が、貫通孔11を覆う部分に形成された支持薄膜とからなる薄膜ガスセンサにおいて、支持薄膜には、貫通孔の縁部に沿ってC字形のスリット2sを形成し、構成部品を有する部分の支持薄膜(センサ部2cという)をC字形の開口部に当たる支持薄膜(腕部2b)によってのみ支持するようにする。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成にて電気絶縁層と感知層との応力変化による影響を回避し、マイクロクラックの発生を抑止するようにした薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層14と感知層15bとの間に部分安定化ジルコニア薄膜中間層などの安定化層16を設け、この安定化層16の変形により電気絶縁層14とガス感知層15bとの応力変化を吸収するような薄膜ガスセンサ1とした。また、他にも電気絶縁層と感知層との間に設けられた安定化層を密着結合させることにより、電気絶縁層とガス感知層との応力変化を回避する薄膜ガスセンサとした。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、複数のガスに対するガス感知層を1チップ化することを目的とする。
【解決手段】 薄膜ガスセンサであって、外周部より薄いダイヤフラム部または開口部を中央部に有する基板1と、基板の上に設けられた支持層2と、支持層の上であって、前記中央部に対応する位置に設けられたヒーター5と、ヒーターの上に設けられた電気絶縁層6と、環境中のガスの組成に応じて抵抗値が変化する第1および第2のガス感知層10,20であって、電気絶縁層の上であって、前記中央部に対応する位置に、ヒーターにより温度が制御可能なように、間隙を隔てて設けられた第1および第2のガス感知層と、第1のガス感知層と電気的に接触して設けられた第1の電極対15,16と、第2のガス感知層と電気的に接触して設けられた第2の電極対25,26とを備えるセンサが提供される。 (もっと読む)


【課題】特定物質の濃度を高感度に検出する、単純な構造のバイオセンサーを提供する。
【解決手段】液体試料中の基質または金属イオンを検出するバイオセンサーであって、基板11上に配置された一対の電極12と、一対の電極12間の基板11上に複数の微粒子13を配列形成してなる微粒子層14と、微粒子層14の表面に固定されるとともに基質に特異的に作用する酵素15と、一対の電極12に接続されるとともに、微粒子層14の電気伝導度を測定する測定器20とを備えたことを特徴とするバイオセンサー1である。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能で、電力対昇温効率の高い半導体式ガスセンサを提供すること。
【解決手段】半導体式ガスセンサは、支持部材(SOI基板)に梁状に支持されたシリコン単結晶からなるヒータ4と、ヒータ4上に形成されたショットキーダイオードを備えている。ヒータ4には第1及び第2の電極9及び10が形成されている。ショットキーダイオードは、ヒータ4上に直接的に形成されたSiC単結晶からなる半導体薄膜部11と、第3の電極12から構成される。第2の電極10はショットキーダイオードの半導体薄膜部11側の電極としても用いられる。 (もっと読む)


【課題】 十分に品質保証されたガスの製造が可能なオンサイト型ガス製造方法および装置を提供するとともに、これを用いたガス製造販売システムを提供する。
【解決手段】 ガス製造装置は、原料供給装置1、製造装置2、精製装置3、品質保証装置4とがこの順序で直列に配置され、製造したガスが消費装置5に供給可能となっている。まず、原料を原料供給装置1を介して、または原料供給装置1に貯蔵しておき、これを製造装置2に供給する。製造装置2にて発生させたガスは、精製装置3に送られ、不純物を取り除くことにより高純度化を実施する。高純度化されたガスは、品質保証装置4に送られ、ガス中の不純物濃度を分析することにより、必要に応じて分析結果を製造装置2などにフィードバックし、ガスの品質保証を行なう。品質保証されたガスは、ガスの消費装置5に供給される。 (もっと読む)


【課題】低コストで、処理回路と制御回路と変換回路とを一体的に集積することができ、余計なマスクや工程を必要としないガス検知半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス検知半導体装置1は、シリコン基板2上に形成され、当該シリコン基板2は、CMOS技術互換性のある高温金属からなるヒーター6が埋め込まれた酸化ケイ素絶縁薄膜3を有している。上記高温金属は、タングステンである。上記装置1は少なくとも、絶縁層4によってヒーター6から隔離されるガス感受性層を備える1つの検知領域を有している。最終製造過程工程の1つの工程として、検知領域内に薄い膜を形成するために、基板がエッチバックされる。当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター6を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたCMOSプロセスが利用される。 (もっと読む)


【課題】 インピーダンス変化式検出素子の加熱により感応膜の付着成分を除去した後、被検出ガス中のアンモニアガス成分に対する当該検出素子の検出出力を設定し、この設定出力に基づき検出素子の検出出力を補正することで、アンモニアガス成分を精度よく検出するようにしたアンモニアガス検出装置及びアンモニアガス検出方法を提供する。
【解決手段】 インピーダンス変化式検出素子70は、選択還元触媒14の下流側にて排気ガスに含まれるアンモニアガス成分に感応しプロトンのホッピング伝導を利用して、上記アンモニアガス成分を検出し出力電圧として発生する。マイクロコンピュータは、検出素子70の加熱処理後、検出素子70からの出力電圧を零点電圧として設定し、その後の検出素子70からの出力電圧を上記零点電圧に対する変化率を算出して補正する。 (もっと読む)


1 - 17 / 17