【課題】ユーザのパーティクル発生要因判定システムの利用に関するインセンティブを与えることができる課金方法を提供する。
【解決手段】ユーザがパーティクルマップを入力するユーザインターフェイス装置１１と、サーバ装置１３とを備えるパーティクル発生要因判定システム１０において、サーバ装置１３が、パーティクルマップに基づいて、複数のパーティクル発生要因の各々についての確度を算出し、ユーザインターフェイス装置１１が、算出された各確度や、該確度に対応する各パーティクル発生要因に関する発生要因関連情報２７の標題等を表示し、サーバ装置１３が、発生要因関連情報２７をユーザインターフェイス装置１１に提供するとともに、少なくとも提供される発生要因関連情報２７に対応するパーティクル発生要因の確度に基づいて決定された課金額を発生要因関連情報２７の提供に対して課金する。 （もっと読む）

【課題】直線を基調とした外周輪郭を有する被検査物に対して、精度よく輪郭形状欠陥を検出可能な欠陥検出方法、欠陥検出装置、および欠陥検出プログラムを提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、被検査物の外周輪郭部を検出する輪郭検出工程と、外周輪郭部を１周する輪郭追跡方向を設定する追跡方向設定工程と、輪郭追跡方向に沿って連続する２画素間の画素方向を検出する画素方向検出工程と、画素方向が変化する方向変化点を検出する方向変化点検出工程と、連続する３つの方向変化点から画素方向の差である第一および第二方向差を算出する方向差算出工程と、第一および第二方向差に基づいて形状変化点を抽出する形状変化点抽出工程と、形状変化点間の距離が欠陥閾値以下となる欠陥候補部を抽出する欠陥候補抽出工程と、欠陥候補部のサイズがサイズ閾値以上となる欠陥部位を検出する欠陥検出工程と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンの断面形状の非対称性を短時間で精度良く測定するパターン検査方法を提供すること。
【解決手段】基板上のパターンに光照射して得られた反射光画像上で、パターン方向に垂直な線を軸として線対称にある２点の反射光強度の差分を算出することによって検査パターンの強度差分を算出し、検査パターンの反射光画像の中から検査パターンの強度差分が最大値を示す第１の位置を抽出し、測定パターンの強度差分を算出して強度差分の最大値を抽出するとともに、測定パターンの断面形状を第１の位置で測定した場合の非対称性と、測定パターンの強度差分の最大値と、を対応付けした検量線を作成し、製品パターンの強度差分を算出して強度差分の最大値を抽出するとともに、製品パターンの強度差分の最大値および対応情報に基づいて、製品パターンの断面形状の非対称性を測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにおける欠陥の測定精度を向上させた欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】検査のため基準となる基板を欠陥検査装置内に設置する基準基板設置工程と、設置された前記検査のため基準となる基板に光を照射し、照射された前記光の散乱光の強度を測定する光強度測定工程と、前記散乱光の強度が設定した基準レベルよりも強い場合には前記光のパワーを弱め、前記散乱光の強度が前記基準レベルよりも弱い場合には前記光のパワーを強める補正を行う補正工程と、検査の対象となる基板を前記欠陥検査装置内に設置し、前記補正の行われたパワーの光を前記検査の対象となる基板に照射し、照射された前記光の散乱光を検出することにより前記検査の対象となる基板における欠陥を検査する検査工程とを有する欠陥検査方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】スジ状欠陥を精度よく検出する欠陥検出方法、欠陥検出装置、および欠陥検出プログラムを提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、被検査物の撮像画像に対して検査対象画素を順次選定する検査対象画素選定工程、比較対象画素群を設定する比較対象画素群設定工程、最小輝度差を求める最小輝度差算出工程、および欠陥強調値を求める欠陥強調値算出工程、を有する欠陥強調処理工程と、欠陥強調値から欠陥候補画素を抽出する欠陥候補抽出工程ＳＴ３１、欠陥候補画素群に外接する検査外接四角形を検出する外接四角形設定工程ＳＴ３３、検査外接四角形の長辺に対する短辺の寸法比を算出する寸法比算出工程ＳＴ３４、検査外接四角形に対する欠陥候補画素群の面積比を算出する面積比算出工程ＳＴ３５、および寸法比および面積比に基づいてスジ状欠陥を特定する欠陥特定工程ＳＴ３６を有する欠陥検出工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パターン形成前の検査段階において、基板コストの削減と歩留まりの向上を図ることができる基板検査装置および基板検査方法を提供する。
【解決手段】パターン形成前の基板検査において、設計データ３０３を利用して、検出された欠陥５０４がウェハ上の場所を示した検査マップ上のどの位置にあるを考慮して不良率５０６を計算する。また、不良率５０６に応じてパターンの位置を変更する情報を出力する。これにより、基板に欠陥があってもパターンに影響を与えなければ廃棄することなく、基板コストの削減を図ることができる。また、欠陥の位置を設計データ上で変更させることにより、不良率を下げて歩留まりの向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体などの回路パターンの検査は、高感度化と高速化が絶えず追求されているが、パターンの微細化に伴い、パターンのラフネス等の違いに起因して、欠陥と正常部の識別が困難となり、検査感度が大きく不足している。
【解決手段】正常事例からなる学習データを対象に、観測データと類似したデータを探索し、探索した正常データからの乖離度の大小によって、欠陥を認識するものであり、高感度検査を実現し得る。具体的には、（１）主に正常事例からなる学習データを準備、（２）観測データと類似する学習データの部分空間を生成、（３）観測データから部分空間までの距離を算出、（４）距離の大小により欠陥かどうか判定、からなる手順により実現され、画素ごとにラフネス等に対応した、適切な感度設定が可能となる。なお、上記部分空間以外の方法にても、類似性判断を行う。 （もっと読む）

【課題】微小な欠陥であっても適切に撮影することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の管理方法を提供する。
【解決手段】基板の半導体素子が形成される素子形成面の裏側に位置する目盛形成面に物理目盛を形成する（Ｓ１）。前記物理目盛を用いて欠陥検査装置内での第１の座標系を作成する（Ｓ３）。前記欠陥検査装置により前記素子形成面に存在する欠陥を検出する（Ｓ４）。前記第１の座標系における前記欠陥の位置を示す欠陥位置座標を特定する（Ｓ５）。前記物理目盛を用いて欠陥撮影装置内での第２の座標系を作成する（Ｓ７）。前記欠陥撮影装置により前記素子形成面の前記第２の座標系上における前記欠陥位置座標を含む領域の撮影を行う（Ｓ８、Ｓ９）。 （もっと読む）

【課題】
従来技術によれば、試料に熱ダメージを与えることなく、短時間で高精度に欠陥検出・寸法算出することが困難であった。
【解決手段】
試料の表面におけるある一方向について照明強度分布が実質的に均一な照明光を、前記試料の表面に照射し、前記試料の表面からの散乱光のうち互いに異なる複数の方向に出射する複数の散乱光成分を検出して対応する複数の散乱光検出信号を得、前記複数の散乱光検出信号のうち少なくとも一つを処理して欠陥の存在を判定し、前記処理により欠陥と判定された箇所各々について対応する複数の散乱光検出信号のうち少なくとも一つを処理して欠陥の寸法を判定し、前記欠陥と判定された箇所各々について前記試料表面上における位置及び欠陥寸法を表示する欠陥検査方法を提案する。 （もっと読む）

【解決手段】時間的に変化する分類性能の監視のためのシステムおよび方法が開示される。方法は、１つまたは複数の走査型検査ツールからの１つまたは複数の標本の１つまたは複数の特性の指標となる、１つまたは複数の信号を受信することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記１つまたは複数の信号に、１つまたは複数の分類規則を適用して、前記１つまたは複数の標本における１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した１つまたは複数の信号に適用される１つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の１つまたは複数の相関を計算することと、を含みうるが、これに限定されるものではない。 （もっと読む）

【課題】検査片の特性を検知し、分析してレベル情報を有する欠陥を識別する。
【解決手段】検査システムは、システム・パラメータの１組の初期閾値を用いてレベル情報を分析し、異常の初期部分を欠陥として捕らえる。捕らえた欠陥の概要を表示し、閾値パラメータに対する潜在的に捕らえられる欠陥の動作曲線も表示する。パラメータを選択的に変化させて修正閾値を形成し、この修正閾値を用いて、異常のレベル情報を分析する。レベル情報の直前の分析に基づいて、異常の更新部分を欠陥として捕らえ、捕らえた異常の概要を、再計算した動作曲線と共に表示する。閾値を選択的に変化させ、欠陥を捕らえ直すステップは、所望に応じて繰り返し、検査システムの処方に用いるために、修正した１組の閾値パラメータを記憶する。 （もっと読む）

【課題】不感領域の影響を小さくして検査精度を向上させた表面検査装置を提供する。
【解決手段】被検物を支持するステージ１０と、ステージ１０に支持されたウェハＷの表面に照明光を照射する照明部２０と、照明光が照射されて被検物の表面から反射されて出射される光を所定の撮像面上に結像させるとともに光軸をずらす撮像光学系３０と、撮像光学系３０により撮像面上に結像された像を受光する画素及び画素の周囲に設けられて像を受光しない不感部を備え像を撮像する撮像部材と、撮像部材により撮像された像に基づいて被検物の表面の画像を生成する画像処理部４５とを備え、撮像光学系３０が撮像部材６０の撮像面上に結像される像の位置が所定長さだけずれるようにウェハＷの表面からの光軸をずらしながら撮像部材６０が複数回撮像し、画像処理部４５が撮像された複数の像における各画素を合成して合成画像を生成する。 （もっと読む）

【課題】位置合わせミスによる擬似欠陥の発生を抑制し、効率の良い検査を行うこと。
【解決手段】試料のパターンを測定して測定画像を生成する測定画像生成部と、測定画像と基準画像とを比較して差異が閾値を超えたら欠陥と判定する比較部とを備える、試料検査装置において、測定画像と基準画像の一定エリアのエリア画像を切り出し、エリア画像同士の位置ずれ量を測定し、エリア画像同士の位置ずれ量の信頼度を示す信頼度情報を求める位置ずれ測定部と、信頼度情報と位置ずれ量を利用してエリア画像同士の位置合わせを行う位置合わせ部と、を備える試料検査装置。 （もっと読む）

【課題】感度の高い表面検査が可能な表面検査装置及び表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたウェハ２０の表面に直線偏光Ｌ１を照射する照明部１０と、ウェハ２０から出射される楕円偏光を受光し、直線偏光Ｌ１と振動方向が異なる第２の直線偏光成分のみを通過させる検光子３と、ウェハ２０の像の信号強度を検出し、信号強度に基づいて被検基板の表面におけるパターンが形成されている位置を検出する位置検出部８ｂと、パターンが形成されている位置の信号強度が最小となるように、楕円偏光及び検光子３のいずれか一方を他方に対して相対回転させ、上記位置の信号強度が最小となる楕円偏光に対する検光子３の相対位置を決定し、上記相対位置に相対回転させる回転駆動装置３０と、検光子３を通過した第２の直線偏光成分を検出し、パターンを検査する表面検査部とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

１つの実施形態は、画像処理装置（３０２）を用いて自動的に多重アレイ領域（１０２）を同時に検査する方法に関する。その方法は、多重アレイ領域における各アレイ領域が、サイズにおいて整数個の画素であるグレープ化されたセルを有するように、最適な画素サイズを選択するステップ（２１１または２１２）と、選択された最適な画素サイズになるように画像処理装置の画素サイズを調整するステップとを含む。画素サイズの有効な範囲内の最適な画素サイズは、セルサイズが整数で表現される場合に、多重アレイ領域のセルサイズの最大公約数を見出すことにより究明されてもよい（２０２）。事前設定された基準は、もしあれば、事前設定された基準に基づいて、最適な画素サイズのどれが容認できるのかを究明するために（２０８）適用されてもよい。最適な画素サイズのどれも容認できないならば、アレイ領域の１つは、デジタル補間のためにマークされてもよい（２１６を参照）。他の実施形態、態様、および特徴もまた開示される。 （もっと読む）

【解決手段】ＥＵＶパターン化用マスク、ブランクマスク、及び、ＥＵＶパターン化用マスクにより生成されるパターンウェーハの検査は、高い倍率と、像平面での広い視野とを必要とする。ＥＵＶ検査システムは、検査表面に向く光源と、検査表面から偏向された光を検出する検出器と、検査表面から検出器へ光を誘導する光学配置とを含む。特に、検出器は、複数のセンサモジュールを含み得る。加えて、光学配置は、長さが５メートル未満の光学経路内に少なくとも１００倍の倍率を与える複数の鏡を含み得る。一実施形態では、光学経路は、長さが約２〜３メートルである。 （もっと読む）

【課題】オーバレイ測定を向上させる。
【解決手段】生成物マーカ格子の非対称性などの生成物マーカ格子の横プロファイルに関する情報が測定結果から判定される。オーバレイマーカ格子がレジスト膜に印刷された後、生成物マーカ格子に対するオーバレイマーカ格子の横オーバレイがスキャトロメータによって、且つ適宜の処理モデルと組み合わせた判定済みの非対称情報を使用して測定される。アライメントセンサの情報を使用して、先ず生成物格子を再構築してもよく、この情報はスキャトロメータに送られ、スキャトロメータは生成物とレジスト格子との積層を測定し、積層によって散乱された光は、オーバレイを計算するために積層のモデルを再構築するために利用される。 （もっと読む）

【課題】撮像を行う際、分解能を僅かに変化させて、正確に繰り返しパターンを除去し、欠陥パターンを検出する撮像検査方法の構成および手法を提供する。
【解決手段】繰り返しパターンを持つ被検査物を検査する際、撮像した画像から正常な繰り返しパターンを除去するために、被検査物の繰り返し周期と撮像画像の分解能が整数比となるような分解能で撮像を行う。繰り返しパターンの被検査物の一部分１０１’をカメラで撮像し、撮像画像１５１を得るように、カメラの撮像するタイミングを不等間隔に行えるように、そのタイミングを適切に決定する。これにより、被検査物の繰り返し周期と撮像画像の分解能が整数比となる分解能で撮像を行って、正常な繰り返しパターンを除去でき、欠陥パターンを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】微小なパーティクルであっても高い確実性をもって検出することができ、信頼性の高い計測を行うことができるパーティクルの検出方法を提供すること。
【解決手段】基板である半導体ウエハＷの上にダミー膜１１を成膜し、次いでウエハＷの表面に真上から光を照射しながら照射位置を移動させ、その反射光を受光し、この受光した光の強度と光の照射位置とを対応付けたデータを取得して、ウエハＷ上のパーティクルを検出する。ここでダミー膜１１の膜厚をダミー膜１１の表面で反射された反射光と、ダミー膜１１とウエハＷとの界面で反射された反射光とが同位相になるかまたは逆位相になるように設定することにより、可干渉状態あるいは不干渉状態を形成しておく。パーティクルがダミー膜１１の表面あるいは前記界面のいずれかに存在すると、上記の状態が崩れるため、受光する光の強度が変化し、これにより高感度でパーティクルを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動等に依らず、高いマッチング精度を安定して確保することが可能なテンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、予め記憶されたテンプレートと、顕微鏡によって取得された画像を比較することによって、所望の位置を特定するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置において、テンプレートマッチングによって、特定された個所の画像を複数取得し、当該複数画像を加算平均することによって、新たなテンプレートを作成するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）