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Fターム[2G060EB07]の内容

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【課題】 回転側輪や転動体に対して非接触の状態で、転がり軸受における潤滑膜の状態を推定できる軸受状態検査装置を提供する。
【解決手段】 転がり軸受1の内輪3および外輪2のうちの回転側輪の表面に誘電体層を介して対向するリング状の電極10を設ける。前記転がり軸受1の内輪3および外輪2のうちの固定側輪と前記電極10との間には静電容量測定手段12を接続し、静電容量測定手段12の次段に判定手段13を設ける。前記静電容量測定手段12で、前記電極10と回転側輪(例えば内輪3)との間、回転側輪と転動体4との間、および転動体4と固定側輪(例えば外輪2)との間の各静電容量の合計値を測定する。判定手段13は、前記静電容量測定手段12の測定値から前記転がり軸受1の状態を判定する。 (もっと読む)


【課題】 共通プラットフォーム上の多数の近接場走査型の分離技術を提供する、故障分離及び測定システムを提供する。
【解決手段】 システムは、デバイス又は材料の領域内に配置された内部回路構造体に電気的バイアスを供給するための特殊ホルダの使用を含む。システムは、更にマルチ・プローブ組立体を用いる。各プローブは、共通基準点周囲の支持構造体に取り付けられ、異なる測定又は故障分離ツールの構成要素である。組立体は、各プローブがデバイス又は材料上の同じ固定位置から測定値を取得することができるように、移動する。支持構造体及び/又はホルダの相対的位置決めは、領域内の多数の同一の固定位置からの測定を取得するために変更することができる。更に、システムは、それぞれの信号と関連する積層画像を提供するため、及び、デバイス又は材料内の故障位置を特徴付け、又は分離するためにそれらの画像を設計データと正確に位置合わせするために、プロセッサを用いる。 (もっと読む)


【課題】
従来のひずみ測定装置位では、ひずみ印加治具の距離が近づく方向に移動させると超伝導線が座屈し、長手方向に均一な圧縮ひずみを印加することが不可能であった。
【解決手段】
弾性変形可能な材質でできた馬蹄形状したリングの外側面及び/又は内側面に超伝導線を取り付け、馬蹄形状の開口部に位置するお互いに向かい合う2点間の距離(a)を変化させる並進力により、長手方向に均一な圧縮又は引張りひずみを超伝導線に印加させることができる。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスにおいて、下地導電膜の上部表面の平坦性および極薄のトンネル絶縁膜の膜厚を、一度に、低コスト・短時間・簡便・非破壊で、それぞれ定量的に評価することが必要である。
【解決手段】導電性基板10上にトンネル絶縁膜30および上部電極40をその順に設けてなる第1評価用テスト素子50を形成し、同じ導電性基板10上に下地導電膜20、上記トンネル絶縁膜30、および上部電極40をその順に設けてなるMIMキャパシタ構造の第2評価用テスト素子60を形成し、これら評価用テスト素子50,60のインピーダンスをそれぞれ測定する。この測定結果に基づいて、下地導電膜20の上部表面の平坦性を推定するとともに、評価用テスト素子50,60におけるトンネル絶縁膜の膜厚を算出する。 (もっと読む)


【課題】 薄膜状試料のゼーべック係数や熱電特性等を簡便に測定することのできる薄膜状試料の測定方法を提供する。
【解決手段】 表面に複数の電極12A〜Dを露出させた基板10上に、電極12に接するように薄膜22を配置し、電極12間に通電することで、薄膜22の特性を測定する薄膜状試料の測定方法。 (もっと読む)


【課題】支持部材に接合しなくても、簡便な方法で正確な測定の可能な圧電アクチュエータの評価方法及び液滴吐出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】同一平面上に複数の変位素子が並設されてなる圧電アクチュエータの評価方法であって、前記複数の変位素子のうち特定の変位素子について所定の入力電圧に対して蓄積される電荷量Qを測定することにより、前記特定の変位素子の圧電特性を推定するとともに、前記複数の変位素子の圧電特性の分布を評価することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】回路欠陥の検査と補修を精密にかつ速やかに実行できるようにする。
【解決手段】ベース101、該ベース101上に取り付けられた基板支持プラットフォーム200、少なくとも一つの接触プローブと第1駆動システムを具えて該第1駆動システムが少なくとも一つの接触プローブを駆動してガラス基板上に形成された回路に接触させて回路欠陥を検査する接触検査モジュール300、少なくとも一つの非接触センサと第2駆動システムを具えて該第2駆動システムが少なくとも一つの非接触センサを駆動して非接触方式で該回路欠陥を検査し、接触検査モジュール300と共同で回路欠陥の位置を決定するのに供される非接触検査モジュール400、レーザーヘッドと第3駆動システムを具えて該第3駆動システムが該レーザーヘッドを駆動して回路欠陥の位置に至らせて回路欠陥を補修させるレーザー補修モジュール500、を包含する回路欠陥検査補修装置とその方法。 (もっと読む)


細長い固体の被検製品(9)を試験するための装置は、測定部分電極(23)と、その測定部分電極から電気的に絶縁されたガード電極(24.1、24.2)とを備えた測定コンデンサ(2)を含む。装置は、測定コンデンサ(2)内に交流電場を発生させる目的で、測定コンデンサ(2)に交流電圧を印加するための手段(4)をさらに有する。ガード電極(24.1、24.2)は、交流電圧に対して測定部分電極(23)と同じポテンシャルに維持されるという点で、積極的なガード用に調整されている。積極的なガードのおかげで、同一の測定ヘッド(1)を用いて異なる厚さの被検製品(9)を検査することができる。信号対雑音が低減され、出力信号は被検製品(9)の横方向の位置とは大いに無関係となり、測定ヘッド(1)の幾何学寸法が小さくなる。 (もっと読む)


【課題】 点火プラグの金属デポジット汚損とカーボンデポジット汚損とを区別して検出することができるようにする。
【解決手段】 点火プラグの絶縁抵抗値を検出して、この絶縁抵抗値を所定のくすぶり判定値と比較して点火プラグのくすぶり汚損の有無を判定する。その結果、くすぶり汚損が検出された場合は、くすぶり汚損検出時のエンジン運転領域が、金属デポジット汚損が発生しやすい運転領域[A]であるか、カーボンデポジット汚損が発生しやすい運転領域[B]であるかを判定することで、金属デポジット汚損とカーボンデポジット汚損とを区別して検出する。この場合、金属デポジット汚損と判定する運転領域[A]を、カーボンデポジット汚損と判定する運転領域[B]よりも高回転・高負荷側に設定している。
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【課題】半導体ウエーハの熱処理工程に用いる部材または治具等のドーパント汚染を、簡便かつ確実な方法で測定できるドーパント汚染の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハの熱処理工程に用いる部材または治具のドーパント汚染の評価方法であって、合成樹脂からなる密閉袋中に前記部材または治具からなる試験片と半導体ウエーハと雰囲気となるガスとを封入し、該試験片と半導体ウエーハとガスを封入した密閉袋に第1の熱処理を施したのち、前記半導体ウエーハを密閉袋中から取り出し、該半導体ウエーハに第2の熱処理を施し、その後、前記半導体ウエーハの抵抗率を測定することにより前記部材または治具のドーパント汚染を評価することを特徴とするドーパント汚染の評価方法。 (もっと読む)


【課題】 物理現象または化学現象を電荷情報に変換することによって定量化を行い、高い測定精度および優れた応答性、さらに優れた直線性を有する測定方法および測定装置を提供すること。
【解決手段】 物理的または化学的な量の大きさに対応して電位が変化するセンシング部に対して電荷供給部から電荷を供給し、供給された電荷をセンシング部からフローティングディフュージョンを介して取出し、供給された電荷量を検出することによって該物理現象または化学現象を測定する方法であって、前記センシング部からフローティングディフュージョンへの電荷転送を、複数の電荷転送手段を介して直列的に行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 微細な粉末の導電材料を含む広範囲の導電性複合材料の傷、欠損等を精度良く測定する損傷測定方法を提供することにある。
【解決手段】 損傷測定方法として、基準となる試料と被測定試料を直列に接続した直列回路を周波数可変の高周波電源に接続し、該電源の周波数を変えながら前記基準となる試料と前記被測定試料のアドミッタンス値および位相を測定し、その測定した両試料のアドミッタンス値の比Aおよび位相差Bを求め、同じく基準となる試料同士を測定対象とした場合の両試料のアドミッタンス値の比Cおよび位相差Dを求め、前記アドミッタンス値の比Aと前記アドミッタンス値の比Cの偏差を比較して被測定試料の良否を判断すると共に、前記位相差Bと前記位相差Dの偏差を比較して被測定試料の良否を判断する。 (もっと読む)


【課題】 基板11上の絶縁性薄膜12の微小欠陥18を、確実且つ簡便に検出することのできる絶縁性薄膜の欠陥検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 導電性を有する基板11の上に形成された絶縁性薄膜12の欠陥を検出する方法であって、絶縁性薄膜12の表面に導電性溶液14を配し、導電性溶液14と基板11との間の電気抵抗を測定する。導電性溶液14は微少欠陥18内に容易に侵入する。微少欠陥18が存在すると電気抵抗が低く表れるので、微少欠陥18を検知できる。しかも検査後は、導電性溶液14の除去が容易であるから、基板11や絶縁性薄膜12への悪影響の虞も殆どない。 (もっと読む)


【課題】封止されたMEMSデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法
【解決手段】一実施形態は、複数のインターフェロメトリック変調器を取り囲むデバイスの特性を測定することと、上記測定した特性に少なくとも部分的に基づいて、このデバイスの内部の相対湿度の値又は相対湿度の程度を判断することとを備える、湿度を検査する方法を提供する。一実施形態において、このデバイスの特性は、次のもの、すなわち、i)このデバイスの重量、ii)このデバイス内に封入された乾燥剤の色変化、iii)このデバイスの内部の抵抗、iv)冷たいフィンガデバイスが接触している、このデバイスの内部領域に霜が形成されたか否か、v)このデバイス内に水蒸気が供給された場合に、このデバイス内に封入された乾燥剤が的確に作用しているか否か、vi)i)〜v)のうちの少なくとも2つの組み合わせ、のうちの少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】薄膜の2次電子放出能を複雑な機構を用いることなく、感度よく、さらには成膜装置内でも測定して評価できる表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】検査対象物としての、基板8の表面に形成された薄膜8aに高周波プラズマ13を接触させて、高周波プラズマ発生手段の回路に接続させたインピーダンス測定器14で高周波プラズマ13のインピーダンスを測定し、そのインピーダンスの測定値より、予め求めたインピーダンスと薄膜からの2次電子の放出数との相関に基づいて、薄膜8aの2次電子放出能を評価する。従来用いられていたイオンビームに代えて高周波プラズマ13を使用するので、2次電子の放出量が多くなり、2次電子を高感度に測定できる。イオンビームを用いる従来法に必要であった基板8と電極とを覆うコレコタは不要なので、測定系をシンプルにすることができ、成膜装置内での2次電子の測定が可能となり、成膜工程の安定化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】劣化を受けやすい部品の構造上の欠陥がないことを監視する監視方法およびその監視装置を提供する。
【解決手段】本発明の監視方法は、漸進的な劣化を受けやすい部品の故障モードおよび故障位置を特定するステップ11と、電圧降下の測定を可能にするように部品を計測器にセットするステップ12と、既定の限度を設定するステップ13と、劣化していない状態での部品にわたる電圧降下を測定するステップ14と、部品の電圧降下を監視するステップ16と、測定値を既定の限度と比較するステップ17と、上記限度に達したときには部品を修理/交換するステップ18を含む。 (もっと読む)


【課題】 測定が短時間で済み、装置が小型でよく且つ三次元的立体物をも容易に測定することができる測定装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 測定装置10は、三次元形状の複合成形品11を囲うドーム型の絶縁性基板13と、この絶縁性基板13の内側の面に取付ける複数個のコイル14と、これらのコイル14から引き出した回路15と、これらの回路15を集約し、選択した1個のコイルの情報を出力するスイッチ手段16と、選択した1個のコイル14の情報からそのコイル14のインピーダンス変化量を測定する電気的変化量測定手段18とからなる。
【効果】 複数個のコイルを複合成形品に沿って臨ませ、1個の電気的変化量測定手段とスイッチング手段とにより、複数個の情報を得ることができ、分布を知ることができる。コイルを走査する必要がないので、短時間で測定を実施することができ、生産性を高めることができる。コイルを精密に走査させる必要がないので、装置を小型にすることができる。 (もっと読む)


自動車のパティキュレートフィルタ(13)の状態を判定する装置であって、電気測定装置をすすの堆積を測定するすすセンサとして備えた装置が開示される。この測定装置は、回路構造(22、23)を有する電気的構成要素と、測定手段(24)とを含んでおり、回路構造(22、23)は、構成要素の電気的又は磁気的パラメータを特性化する電界又は磁界を励起するために用いられ、この電界又は磁界はすすの堆積によって変化する。測定手段(24)は、構成要素の電気的又は磁気的パラメータをすす堆積の尺度として記録するために用いられる。本発明によれば、電界がパティキュレートフィルタ(13)の部分容積領域を貫通しかつその部分容積領域が構成要素の一部分となるように、回路構造(22、23)が配置される。
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