【課題】
微小な欠陥を検出すること、検出した欠陥の寸法を高精度に計測することなどが求められる。
【解決手段】
光源から出射した光を、調整する照明光調整工程と、前記照明光調整工程により得られる光束を所望の照明強度分布に形成する照明強度分布制御工程と、前記照明強度分布の長手方向に対して実質的に垂直な方向に試料を変位させる試料走査工程と、照明光が照射される領域内の複数の小領域各々から出射される散乱光の光子数を計数して対応する複数の散乱光検出信号を出力する散乱光検出工程と、複数の散乱光検出信号を処理して欠陥の存在を判定する欠陥判定工程と、欠陥と判定される箇所各々について欠陥の寸法を判定する欠陥寸法判定工程と、前記欠陥と判定される箇所各々について、前記試料表面上における位置および前記欠陥の寸法を表示する表示工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【解決手段】光子検出器 光子検出システムはアバランシェフォトダイオードを具備し、アバランシェフォトダイオードは、第１導電型を有する第１半導体層と第２導電型を有する第２半導体層とから形成されたｐｎ接合を具備し、第１導電型はｎ型またはｐ型から選択され、第２導電型は第１導電型とは異なりかつｎ型またはｐ型から選択され、第１半導体層は第１導電型のドーパントでドープされるドープ層であり、低い場の複数ゾーンに囲まれた高い場の複数ゾーンの複数のアイランドを第１層が具備するように、第１導電型のドーパントの濃度に変化があり、高いおよび低い場の複数ゾーンは、ｐｎ接合の平面で横方向に分布していて、ドーパント濃度は、高い場の複数ゾーンでは低い場の複数ゾーンよりも高く、前記システムは、さらにバイアス部を具備し、前記バイアス部は、時間に関して静的である電圧、および時間変動する電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】赤外線吸収膜の裏面側から赤外線を受光するタイプの熱型赤外線センサーにおいて、赤外線吸収膜の裏面における赤外線の反射率を低減させる。
【解決手段】熱型赤外線センサーは、空洞部７によって半導体基板５とは熱的に分離された赤外線吸収膜９と、赤外線吸収膜９の温度変化を検出する温度センサー１１とを備えている。赤外線吸収膜９は半導体基板５と対向する面にサブ波長構造９ａからなる赤外線反射防止構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】表面プラズモンを誘起し、検出したい波長での感度を増大させた赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。上部電極２８には、表面プラズモンを誘起して検出すべき波長における感度を増大させるための周期的な孔２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサ装置の出力の個体差ばらつきを簡易に補正し、赤外線エネルギー量から測定温度を簡易かつ高精度に定量することが可能な赤外線センサ信号の補正方法及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供すること。
【解決手段】赤外線センサ装置から得られる赤外線センサ信号に赤外線センサ装置固有の補正係数Ａを乗算する第１補正工程を有し、補正係数Ａは、赤外線センサ装置を用いて所定のセンサ温度Ｔ_AMBXにおいて所定の温度Ｔ_OBJXの対象物を測定したときに得られる信号Ｓ_IRXを所定の値にするための係数である。 （もっと読む）

【課題】投影装置単体で投射光量を自動で調整することができる投影装置を提供する。
【解決手段】制御部７０は、メモリ７３内に記憶された投影輝度設定値を読み出して、撮像素子制御部及び撮像信号処理部５５が処理した実際の輝度値と比較する。制御部７０が、実際の輝度値が投影輝度設定値以上であると判断した場合、照明光源制御部１５が、照明光源１０への供給電流を−１０％減少させる。これにより、照明光源１０の照明光の強度が低下する。 （もっと読む）

【課題】断熱性能に優れた小型化可能な赤外線センサユニットを提供する。
【解決手段】熱型赤外線センサとこれに対応する半導体装置とが共通の半導体基材上に形成された赤外線センサユニット。絶縁上層が半導体基材上に被覆されて、半導体基材の表層部に形成した半導体装置を覆う。熱型センサは、断熱支持部によって半導体装置の上方に支持されるセンサ台座に搭載され、センサ台座及び断熱支持部材は絶縁上層に積層された多孔質材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】 赤外線を効率的に吸収して高精度に検出可能であると共に複数点測定では簡単な温度検出回路で構成可能な赤外線センサおよび温度センサ装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に設けられた感熱素子３と、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され感熱素子３に接続された一対の金属配線膜４と、を備え、金属配線膜４が、感熱素子３の周囲に該感熱素子３を囲うように配されている。また、温度センサ装置として、基板と、該基板に実装された一つの基準感熱素子と、基板に実装された複数の上記赤外線センサ１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】温度計測する微小領域より内径の大きな中空導波路を用いても微小領域のみの温度計測が正確に行える温度計測用中空導波路を提供する。
【解決手段】試料７の温度計測に用いられ、試料７から輻射される赤外線を伝搬させるための中空領域５を有する温度計測用中空導波路１において、試料側に位置する温度計測用中空導波路１の一端部分に、赤外線を透過しない材料で形成されたアパーチャ板６を、アパーチャ板６に形成された開口部６ａと温度計測用中空導波路１の中空領域５とが一致するように取り付けられているものである。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上が可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサ１００は、半導体基板１と、赤外線による熱エネルギを電気エネルギに変換する感温部（熱電変換部）３０を具備し半導体基板１の一表面側に形成されて半導体基板１に支持された熱型赤外線検出部３とを備え、半導体基板１において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成され、熱型赤外線検出部３に、空洞部１１に連通した複数のスリット１３，１４が形成されている。熱型赤外線検出部３は、複数のスリット１３，１４を通した異方性エッチングにより半導体基板１に空洞部１１を形成する際に半導体基板１において上記一表面からの異方性エッチングが最終的に開始される部位に重なる部分に、当該部分を補強する補強部３８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の照射光量に対する分光感度の非線形性を補償する。
【解決手段】太陽電池評価装置１におけるソーラシミュレータ（照明光源）３の光量校正を行う光源評価装置１０において、分光放射計１３によってソーラシミュレータ３の照射光を取込み、その分光放射照度Ｌ（λ）を求める。一方、分光感度測定装置５では、白色バイアス光の強度を複数ｉ段階に変化させ、都度、分光光源から輝線照射を行うＤＳＲ法によって、太陽電池２の分光感度Ｐｉ（λ）＝Ｐ（λ，Ｉｂ）＝Ｐ（λ，∫Ｌ（λ）ｄλ）を求める。そして演算部１４は、２つの分光放射照度Ｓ（λ）および分光放射照度Ｌ（λ）と分光感度Ｐｉ（λ）とから、基準太陽光で規定の短絡電流Ｉｓｔｃとなるときの照射光エネルギーＥｓｓおよび実際にソーラシミュレータ３による照射光エネルギーＥｓｓを求め、両者が一致するようにソーラシミュレータ３の光量をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】空間の背景温度と異なる温度をもつ熱源を検出し、その熱源が人であるかどうかを識別し、人と判断した熱源の位置座標、発熱体の大きさ、平均温度、最大温度、最小温度、熱源周辺の背景温度を出力する。
【解決手段】２次元に配置された赤外線検出素子を用い空間の温度分布を計測し、その背景温度と異なる温度をもつ発熱体が空間に存在した場合、その発熱体の重心を求め、重心の位置座標を記憶していき、順次検出した発熱体の重心座標を中心とする設定エリア内に記憶された重心座標の数が設定値を超えたとき、その発熱体は人である情報と共に、発熱体の位置座標、大きさ、平均温度、最大温度、最小温度、熱源周辺の背景温度を出力する。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルの抵抗のばらつきを小さくすることが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】サーモパイル３０ａにおけるｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４の基礎となるノンドープのポリシリコン層を形成した後、ｐ形不純物およびｎ形不純物それぞれを上記ポリシリコン層の互いに異なる所定部位にイオン注入してｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４を形成するようにし、ｐ形ポリシリコン層３５を形成するためのｐ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｐ形ポリシリコン層３５のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定し、かつ、ｎ形ポリシリコン層３４を形成するためのｎ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｎ形ポリシリコン層３４のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】温度分布を有する目標を継続して確実に捕捉・追跡できる目標捕捉追跡装置を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る目標捕捉追跡装置は、第１温度を検知する複数の第１赤外線検知素子と、第１温度より低い第２温度を検知する複数の第２赤外線検知素子とを市松状に配列し、第１及び第２赤外線検知素子の出力に基づいて画像情報を生成する赤外線カメラ１１と、赤外線カメラ１１により得られる画像情報をもとに、第１温度に対応する第１画像情報と、第２温度に対応する第２画像情報とを生成する赤外線カメラ用前処理回路２１と、第１及び第２画像情報のそれぞれから目標候補を検出する目標検出回路２２と、目標候補をもとに目標を判定する複合処理回路２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 外光の光源の発光特性に応じてバックライトの光量を調整する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この発明によれば，画像を表示する液晶表示部と、前記液晶表示部の背面から光を照射するバックライト部と、前記液晶表示部の前面の可視光線強度及び紫外線強度を検出する可視光線センサ及び紫外線センサと、前記可視光線センサ及び前記紫外線センサで検出された可視光線強度及び紫外線強度を用いて可視光線強度に対する紫外線強度の割合を演算し、演算されたその割合が大きい程、前記バックライト部が照射する光の量を小さくする制御部とを備えることを特徴とする液晶表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電流電圧変換部の出力への不要な低周波成分の影響を抑制しながらも、電流電圧変換部のＳＮ比を向上させることができる赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】電流電圧変換部３は、反転入力端に焦電素子２が接続された第１の演算増幅器３１を有している。演算増幅器３１の出力端−反転入力端間には、交流帰還用の容量素子としてのコンデンサＣ１が接続されている。演算増幅器３１の出力端−反転入力端間には、コンデンサＣ１と並列にリセットスイッチ３３が接続されている。リセットスイッチ３３は、制御部６からのリセット信号によってオンオフ制御され、オン時には、コンデンサに蓄積されている電荷を放電するための放電経路を形成する放電部として機能する。制御部６は、所定周波数以下の低周波成分を除去するように予め決められている周期でクロック信号を発生する発振器を有し、クロック信号に基づいてリセット信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】高感度化が可能な赤外線撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、赤外線検出基板１０１と、対向基板２０１と、を備えた赤外線撮像素子が提供される。赤外線検出基板は、検出素子基板１０５と、検出素子基板の第１主面１０１ａの側に設けられ検出素子基板と離間し赤外線を検出する複数の赤外線検出画素部１１０と、第１主面上において赤外線検出画素部どうしの間に設けられた第１突出部１２０と、を含む。対向基板は、第１主面に対向する第２主面２０１ａを有する。対向基板は、第２主面上に設けられ赤外線検出画素部と離間し赤外線検出画素部に対向する複数のレンズ部２１０と、第２主面上において複数のレンズ部どうしの間に設けられ、第１突出部と当接する第２突出部２２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比の向上を図れる赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】第１のパッドＶout1〜Ｖout8の電位をＶout、第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位をＶs、第３のパッドＶchの電位をＶwell、第４のパッドの電位ＶrefinをＶref、感温部（熱電変換部）３０の出力電圧をＶo、ウェル領域（チャネル形成用領域）４１とソース領域４４とで構成される第１の寄生ダイオードおよびウェル領域４１とドレイン領域４３とで構成される第２の寄生ダイオードのしきい値電圧をＶthとするとき、制御手段が、ｎＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳトランジスタ４をオン状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶonとしたときに、−Ｖth＜｛Ｖwell−（Ｖref＋Ｖｏ）｝＜Ｖthの関係を満たすように設定されたＶref、Ｖwellの条件で赤外線アレイセンサ１００を制御する。 （もっと読む）

【課題】光センサーの受光面積の割合を大きくし、感度を向上させる。
【解決手段】第一電極１１Ａと、第一電極１１Ａの表面に成膜され、所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜１２Ａと、光導電性膜１２Ａの表面に成膜され、所定の波長の光を透過する第二電極１３Ａとを備える光センサー１Ａである。 （もっと読む）