【課題】温度調整型波長可変レーザの温度を変えた場合でも、同一集積素子内の半導体ＭＺ変調器素子の温度を簡単な構成で略一定に保つこと。
【解決手段】光送信装置１００は、半導体ＭＺ変調器素子１０１および温度調整型波長可変レーザ素子１０２を集積した集積素子１０３と、嵌通孔１０５を有するキャリア１０４と、ＴＥＣ１０６，１０７とを有しており、キャリア１０４の嵌通孔１０５上に集積素子１０３に含まれる半導体ＭＺ変調器素子１０１と温度調整型波長可変レーザ素子１０２とを結ぶ導波路が配置されるように集積素子１０３をキャリア１０４上に固定している。 （もっと読む）

【課題】
小型で高速、かつ信頼性について改善された吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】
半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層と該コア層の上方に形成された上部クラッド層とを含む光導波路を形成し、該光導波路は光入射端面を有しており、前記光入射端面から入射した光が前記光導波路を伝搬する過程で前記コア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、前記光導波路は、ストリップ装荷構造でなり、前記上部クラッド層は、前記生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、前記ジュール熱を前記コア層を経由して前記半導体基板に逃がすように、前記光入射端面側の幅が広く形成されているとともに前記光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、また、前記光入射端面側の前記光導波路がマルチモード光導波路を構成している。 （もっと読む）

本発明は、１０Ｇｂ／ｓより速いデータレートの優れた性能を有するように改良された電気光学変調素子、とりわけ、ＳＯＩ型の基板（５０，５１）上の電気光学変調素子に関する。この改良は、構造及びその環境の容量性効果の影響を低減することにより得られ、
そしてより詳細には：
ドープ領域内のアクセス抵抗の低減によって構造それ自体の容量の影響が抑制されること；又は、
活性領域（５２０）に垂直に位置する基板（５０，５１）の構造の改変によって、例えば、シリコン基板（５０）又は絶縁体（５１）の薄化によって環境の容量性効果の影響が低減されること；又は、
これらの特徴の組み合わせ；
により得られる。本発明は、更に、前記素子の製造方法に、及び前記素子を含む装置又はシステムに関する。この改良は、３Ｄ集積化によるアセンブリ方法に、並びに、オプティクス及びエレクトロニクスのハイブリッド回路に適用することができる。
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【課題】
小型で高速、かつ信頼性について改善された吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】
半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層を含む光導波路を形成し、該光導波路は光入射端面を有しており、前記光入射端面から入射した光が前記光導波路を伝搬する過程で前記コア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、前記コア層は、前記生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、前記ジュール熱を前記半導体基板に逃がすように、前記光入射端面側の幅が広く形成されているとともに前記光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、また、前記光入射端面側の前記光導波路がマルチモード光導波路を構成していることを特徴とする吸収型半導体光変調器。 （もっと読む）

【課題】
ＳＯＡの温度制御や補助光源のフィードバック制御を行わずに、温度変化による光利得の変動を抑制する光増幅装置を提供すること。
【解決手段】
半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器の光利得を制御する補助光を発生する補助光源と、前記補助光と信号光を合波し、前記半導体光増幅器に入射させる合波器を具備し、前記補助光源が、単一縦モードでレーザ発振する半導体レーザと、前記半導体レーザが発生するレーザ光を部分的に吸収し、前記レーザ光を前記補助光として出力する光吸収体とを有し、第１の温度に於いて前記光吸収体によって前記レーザ光が受ける第１の損失が、前記第１の温度より高い第２の温度に於いて前記光吸収体によって前記レーザ光が受ける第２の損失より小さい光増幅装置。 （もっと読む）

【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路（１８）の入射側と出射側に反射膜（２０，２２）を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ（２６）は、光導波路（１８）の出射光から、信号光（３２）と制御光（３４）を分離する。 （もっと読む）

【課題】高精度の微細加工をしなくても容易に作製することが可能な半導体光集積素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体光集積素子は、半導体基板上に下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がこの順に積層されており、第一領域、第二領域、及び第三領域に亘って、下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がそれぞれ形成されており、第一領域及び第三領域における中間クラッド層５の厚みＤ１が、第二領域における中間クラッド層５の厚みＤ２と異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン光導波路内の自由キャリアの応答時間による繰り返し周波数の制限という問題点を払拭し、自由キャリアの応答時間に依存しない新たな超高速全光型信号処理デバイスを提供する。
【解決手段】本発明は、入力信号光が入力されるシリコン光導波路の非線形光学効果を用いて、そこから出力される出力信号光を制御信号光によって制御する。この制御信号光として、シリコン光導波路内の自由キャリアの応答時間よりも速い繰り返し周波数の光信号を入射して、自由キャリアを定常状態にし、キャリア応答時間に左右されない光信号の強度に依存した非線形光学効果の非線形性を用いて全光信号処理を行う。 （もっと読む）

【課題】充分に長い共振器長を確保できるとともに、作成を容易とすること。
【解決手段】共通の平面１２ａ内において１個の交差領域Ｃで交差して配置された線分状の３本の光導波路Ｗ１〜Ｗ３と、 交差領域から外側に向かって延在する光導波路の部分のそれぞれを、時計回りに第１〜第６光導波路部分とするとき、第２ｉ−１及び第２ｉ光導波路部分（ｉは１〜３の整数）の交差領域とは反対側の端部同士を接続する湾曲光導波路Ｐｉと、平面に垂直に入出力される光を光導波路に結合するととともに、光導波路が接続されていて交差領域を含む領域に形成された光カプラＫとを備える （もっと読む）

光チップ（平面光波回路）からなる光デバイスが開示され、この光デバイスは、光学的に対称か、もしくは一致する設計および特性、ならびに光デバイス内に非対称性を作り出す光学素子を有する。このデバイスは、コヒーレント光通信システムおよび非コヒーレント光通信システムにおける検出に用途を見出す。 （もっと読む）

本発明は、光学ディスプレイデバイス、および画像を表示することに用いる方法を提供する。光学ディスプレイデバイスは、光学活性媒体として動作可能なナノ構造の少なくとも1つの領域であって、それによって、前記ナノ構造は、入力電磁放射に応答して出力電磁放射を放出する、ナノ構造の少なくとも1つの領域と、ナノ構造の前記少なくとも1つの領域に対する外部電場を生成するために、選択的にアドレス可能であるように構成され、動作可能である電極の配列であって、ナノ構造の前記領域および電極の前記配列は、前記ディスプレイデバイスの画素配列をともに規定する、電極の配列とを備え、前記外部電場は、前記出力電磁放射の放出を選択的に変調するために、ナノ構造の前記少なくとも1つの領域に影響を与え、前記出力電磁放射は、ディスプレイデバイスの少なくとも1つの画素素子の出力である、光学ディスプレイデバイスを備える。
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【課題】波長可変機能を有する外部共振器と光変調器の間の光学結合損失を低減すると共に、外部共振器の導波路ミラー反射率を容易に設定可能な送信光源を提供する。
【解決手段】送信光源１は、（ｉ）透過光波長を変更可能な波長可変フィルター１３１、（ｉｉ）波長可変フィルター１３１の一端に光学的に接続される閉ループ状の光導波路を含むループミラー１３２、（ｉｉｉ）ループミラー１３２に光学的に結合され、ループミラー１３２を伝搬する光波の一部を２つのポートから取り出すことのできる２×２光カプラ１１２、（ｉｖ）光カプラ１１２の２つのポートの各々に接続され、導波光の位相を変調することができる第１及び第２の位相変調器として動作する導波路１０６及び１１０、及び（ｖ）導波路１０６及び１１０の出力を合波する３ｄＢ光合波器１０９を有する。 （もっと読む）

【課題】電流制御を容易にすることが可能な波長可変レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】一端Ｓ１に設けられた高反射膜ＨＲと、一端Ｓ１側に設けられ、電流注入により光が生成される２以上の並列された光素子Ｌ１〜Ｌ４を有する利得領域３と、利得領域３で生成された光を合波する合波器５と、一端Ｓ１と対向する他端Ｓ２側に設けられ、当該合波された光に対して周期的な反射ピークを有する反射器７と、を備え、合波器５は利得領域３と反射器７との間に設けられている波長可変レーザ１。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型レーザのモードホップノイズを小さくして、精密な温度制御を必要としない、低価格且つ低ノイズの光送信装置を提供すること。
【解決手段】光増幅ユニットと、回折格子が設けられた第２のコア層を含み、前記光増幅ユニットに光学的に結合した光導波路を備えた光導波路ユニットとを有するレーザ光生成装置と、前記光増幅ユニットに電気信号を印加して、前記電流を前記半導体層に注入する電気信号源を具備し、前記レーザ光生成装置は、前記電気信号に従って、前記光反射面と前記回折格子が形成する光共振器の複数の共振器モードでレーザ発振する第１の状態と、前記第１の状態より発光強度が小さい第２の状態の間を往復して光信号を発生し、更に、前記共振器モードの間隔に相当する周波数が、前記電気信号のビットレートに対応する周波数より高いこと。 （もっと読む）

【課題】周知の構成の限界を部分的にせよ少なくとも克服するような、ＷＤＭ用の信号フォーマットを提供すること。
【解決手段】複数ｎ本のデータ・ストリームを伝送するための方法により、差分Ｍ位相偏移変調（ＤＭＰＳＫ）信号（Ｍ＝２^ｎ）を用いて光搬送波を変調する。本発明により、好適にｎ＝２のとき差分４位相偏移変調を用いる。本発明の主な長所は、データが位相の絶対値によってではなく位相変化の形で差分的に符号化されるため、位相同期した局地的なオシレータを必要とすることなく変調された光搬送波が直接検出によって復調される点にある。本発明は、特にＷＤＭ通信システムに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】同調可能性が向上したマイクロ波、ミリ波及び／又はサブミリ波長で動作可能な同調可能な移相器及び／又は減衰器を提供すること。
【解決手段】チャネルを有する導波路と、前記導波路内に配置され、前記チャネルの内壁から間隔を隔てて配置された一片の光応答性材料と、前記一片の光応答性材料の少なくとも一部に当たるように光を放射する光源とを備え、
前記光源が、前記光応答性材料の誘電率の実数部分と虚数部分とを修正するために、前記一片の光応答性材料内に１０^１２ｃｍ^−３及び１０^１６ｃｍ^−３の間のキャリヤ密度を生成し、これによって前記一片の光応答性材料内に電界の一部を有し且つ前記導波路内に電界の一部を有する、少なくとも１つのモードを生成することによって、光の照射に依存する移相器及び／又は減衰器が１つの周波数範囲にわたって生成されることとなる、同調可能な移相器及び／又は減衰器。 （もっと読む）

【課題】 プロセス誤差による特性変動の少ない同方向性光結合器型の波長可変フィルタ、および波長可変レーザを提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体層で構成された半導体基板上に、半導体基板の第１辺から対向する第２辺に向って並行して伸びる第１の光導波路と第２の光導波路とを備え、第１光導波路は周期的な凹凸のある平面レイアウトを備えた第１コア層と前記第１コア層を上下に挟み込む一対の電極を備え、第２光導波路は第１コア層よりも低屈折率の第２コア層を備え、第１光導波路を構成する第１コア層の下に第２コア層と同じ組成、同じ膜厚の層を備えさせる。 （もっと読む）

【課題】０チャープ動作及び正又は負チャープ動作を行なう光モジュールを、同じ構造のＭＺ型変調素子を用いて実現する。
【解決手段】光モジュールを、マッハツェンダ干渉計を構成する第１光カプラ１６、第２光カプラ１７、第１光導波路１２及び第２光導波路１３と、第１光導波路１２及び第２光導波路１３のそれぞれに設けられた電極１４，１５と、第１光導波路１２及び第２光導波路１３の少なくとも一方に設けられ、電極１４，１５よりも短い短電極１８，１９とを備えるマッハツェンダ型変調素子７と、第１及び第２の高周波コネクタ１，２とを備えるものとし、一方の第２光導波路１３に設けられた短電極１９を、一方の第２高周波コネクタ２に接続し、他方の第１光導波路１２に設けられた電極１４を、他方の第１高周波コネクタ１に接続する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、所望の群遅延特性を備えた、電界吸収型の光変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】図１において、符号１は、半導体光変調器を指す。実施の形態１の半導体光変調器１は、電界吸収型（ＥＡ変調器とも称される）の光変調器である。符号２は、電極１ａと、入力側線路２０の間に接続されるワイヤを指す。符号３は、半導体光変調器１の電極１ａと出力側線路４の間に接続されるワイヤを指す。符号４は出力側線路、符号５は出力側線路４に直列に接続された抵抗である。出力側線路４と抵抗５は、異なるインピーダンスを備えている。 （もっと読む）

【課題】数多くの波長が含まれる光信号の波長に依存する経路指定のための装置および方法の提供。
【解決手段】装置は、入力および出力を備える経路指定デバイス５からなる、入力および出力導波管を備える光アッド−ドロップ多重化装置からなる。経路指定デバイス５には、多数の入力を備える分割手段および多数の出力を備える結合手段が含まれる。前記入力１３_Ｎおよび出力１４_Ｎそれぞれの一つは、多重波長入力のために用いられ、一方、別の入力１３_Ｎ−１および別の出力１４_Ｎ−１それぞれは、アッド／ドロップ波長のためにそれぞれ用いられ、またその他の入力および出力１３_１−１３_Ｎ−２；１４_１−１４_Ｎ−２は、残りの波長をループバックするのに用いられる。分割および結合手段の間に数多くの分岐導波管が配置され、波長デマルチプレクシング／マルチプレクシングおよびスイッチングの双方が経路指定デバイス５によって提供される。 （もっと読む）