【課題】省サイズ化と低コスト化を実現できる多値光位相変調器を提供すること。
【解決手段】入力された光を分岐する光分岐器と、前記光分岐器に接続し、位相変調部を有する２つのアーム部を備え、前記分岐された光を強度変調して光信号として出力する２つ以上のマッハツェンダ型強度変調器と、前記各マッハツェンダ型強度変調器に接続し、該マッハツェンダ型強度変調器から出力した各光信号を合成して多値光信号として出力する光合成器と、前記光分岐器と、前記マッハツェンダ型強度変調器の少なくともいずれか１つの各位相変調部との間に設けられ、利得媒質を有し、該利得媒質の利得飽和特性を利用して、入力された光の強度を所定強度に調整して出力する少なくとも１つの光強度調整器と、を備える。 （もっと読む）

結合非対称量子閉じ込め構造（３００）は、量子井戸または量子ドットのような、第１の量子閉じ込め構造（３０２）および第２の量子閉じ込め構造（３２２）を含み、第１および第２の構造は、幅（３２０、３２４）のような少なくとも１つの物理的な寸法が異なり、連続して結合される。結合された構造（３００）は、光信号の遅延および／または周波数に影響を与えることができ、フォトニック集積回路のコンポーネントとして使用されうる。第１および第２の構造（３２０、３２２）は、共通の基板（３１１）上に形成されうる。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を有する導波路構造において、簡易かつ精度よく、コア層と上部クラッド層におけるメサ中心のずれを小さくする。
【解決手段】下部クラッド層１０３とコア層１０２と上部クラッド層１０１とを積層し、上部クラッド層１０１上に、互いに並行に配置される第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂと、第一のストライプ状マスク１０５ａと第二のストライプ状マスク１０５ｂとの間に配置される第三のストライプ状マスク１０６とからなる３本のストライプ状マスク１０７を形成し、第一、第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂ及び第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして第一メサを形成し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂをそれぞれ除去し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂを除去した後に、第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして、第一メサの上部に位置し、第一メサよりも幅の狭い第二メサを形成する。 （もっと読む）

【課題】広帯域で反射率のピーク波長が可変であり、かつ長さが短い波長可変光フィルタ、ならびに広帯域でレーザ光の波長が可変であり、かつレーザ光の強度が安定した波長可変レーザおよび波長可変レーザアレイを提供すること。
【解決手段】マルチモード干渉型導波路と、前記マルチモード干渉型導波路の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路の他の一端に設けられた反射手段と、前記マルチモード干渉型導波路の屈折率を変化させる手段と、を備え、前記マルチモード干渉型導波路の長さおよび幅は、前記第１光入出力部から入力した光を、前記反射手段により反射した後に、該第１光入出力部において所望の分岐比で結像させるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】高い消光比及び高いQ値が得られるマッハツェンダ干渉型光変調器の駆動方法を提供する。
【解決手段】MZ変調器10の駆動方法は、第1及び第2変調信号が、電圧振幅が第1レベルにある第１時間Toff1、Toff2と、第1レベルから第2レベルへ移行する第1移行時間Tr1、Tr2と、第2レベルにある第2時間Ton1、Ton2と、第2レベルから第1レベルへ移行する第2移行時間Tf1、Tf2とを有し、Tr1とTr2とは時間軸上で重なっており、且つTf1とTf2とは時間軸上で重なっており、第１及び前記第２変調信号が共に第２レベルにあるときに出力光がオンとなり、第2変調信号の第1レベルと第2レベルとの電圧振幅の差を、第1変調信号の第1レベルと第2レベルとの電圧振幅の差よりも小さくし、且つTr2<Tr1、且つ、Tf2<Tf1、且つ、Toff2がToff1+(Tr1-Tr2)+(Tf1-Tf2)>=Toff2>Toff1+(Tr1-Tr2)×0.5+(Tf1-Tf2)×0.5なる関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】本発明の光学素子ＷＧ１は、一端部がコア１の外周部に達する第１ギャップ部３１と、第１ギャップ部３１の他端部から前記光の光軸を挟んで互いに反対方向に分岐し、それぞれがコア１の外周部に達する第２ギャップ部２１ａ及び第３ギャップ部２１ｂと、を有し、第１ギャップ部３１を挟んで対向する２つの分離領域Ａ，Ｂの一方が第１導電型、他方が第２導電型の半導体コア領域３２，３３をそれぞれ部分領域として含み、この２つの半導体コア領域３２，３３に電圧印加用の電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】コアを光の導波方向に分割してそれぞれ独立に屈折率を調整しようとした場合に、分割されたコア間に発生する光の導波方向のリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】半導体のコア１をブロッキング領域１３，１４，１７，１８によって複数の領域に分離する。光の導波方向において対向配置された導電性コア１１，１２をそれぞれＰ型、Ｎ型とし、それとブロッキング領域を挟んで対向する導電性コア１５，１６をそれぞれＰ型、Ｎ型とする。導電性コア１１と導電性コア１５との間に配置するブロッキング領域１３をＮ型とし、導電性コア１２と導電性コア１６との間に配置するブロッキング領域１４をＰ型とする。 （もっと読む）

【課題】
基本モードの損失を抑制しながら、効率的に高次モードを減衰させることが可能な光導波路、所謂、低損失かつ単一モードの光導波路を有する光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
高屈折率のコアと、該コアより低屈折率のクラッドからなり、少なくとも複数の導波モードを有する光導波路を備えた光導波路素子において、該光導波路の長手方向の一部もしくは全長に渡り、該光導波路の外側の片側もしくは両側に、該光導波路における基本モードと２番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段が配置され、該導波手段で高次モード光を除去し、該光導波路にシングルモード光を残すことを特徴とする。
好ましくは、該光導波路はリブ導波路構造２３であり、該導波手段は該リブ導波路構造のコア部の高さより低いスラブ導波路構造２４であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子ＷＧ１のコア１は、第１導電型の第１半導体コア領域３２と、第１半導体コア領域３２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第２導電型の第２半導体コア領域３３と、第１半導体コア領域３２と光の導波方向において隣接する第２導電型又は無極性の第３半導体コア領域２２と、第２半導体コア領域３３と光の導波方向において隣接し、第３半導体コア領域２２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第１導電型又は無極性の第４半導体コア領域２３と、を部分領域として含み、第１半導体コア領域３２と第２半導体コア領域３３とに電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】Ｉ相とＱ相の位相差をπ／２に保つＱＰＳＫ変調器を実現する。
【解決手段】ＱＰＳＫ変調器は、入力光を２分岐する手段と、分岐した一方の光を位相変調する第１の位相変調手段と、他方の光を位相変調する第２の位相変調手段と、第１／２の位相変調手段の前段／後段に設けられた位相シフト手段と、第１の位相変調手段と第２の位相変調手段を通過した光を結合し、光信号として出力する手段と、出力された光信号の一部を電気信号に変換する手段と、電気信号から光信号の振幅のピーク値を検出し、ピーク検出信号を出力する手段と、ディザ信号を生成する手段と、ピーク検出信号とディザ信号の位相を比較することにより、位相シフト手段での位相シフト量π／２からの偏差に応じた偏差信号を生成する位相比較手段と、偏差信号にディザ信号を重畳し、位相シフト量がπ／２となるよう位相シフト手段にフィードバック制御するフィードバック制御手段とを備える。 （もっと読む）

本発明は、コンパクト性が高く且つ光波及び電波の適合性に利するように改良された電気光学変調の素子、デバイス及びシステム、並びに製造方法に関する。本発明によれば、前記素子は、導波路（６９０）のアーキテクチャを備えており、そして、制御電気信号の進む経路の長さ（Ｌ６０９）に対して、光束の進む経路の長さ（Ｌ６１１）が、光束と電気信号との伝播速度（Ｖ６０９，Ｖ６１１）の差を低減又は補正するように決定された差を有するように、前記導波路を配置する。特に、変調領域は光束の経路を含み、前記光束は、これらの制御要素の少なくとも２つから出ている少なくとも２つの欠刻を連続的に通過し、そして、それ自体巻かれている。このようにして、前記光束経路は、例えば、この制御信号とこの光束との間の相互作用の第一領域（Ｒ１ａ）と第二領域（Ｒ２ａ）との間で、電気信号が進む長さより大きい長さを備えている。
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【課題】チャーピングを低減可能な、変調光を生成する方法、マッハツェンダ型光変調半導体素子、及び、光変調装置を提供する。
【解決手段】入射光Ｌ０を分波して第１及び第２の分岐光（Ｌ１、Ｌ２）を生成しそれぞれを第１及び第２の導波路（３、４）に提供し、第１及び第２の導波路に第１及び第２の信号電圧をそれぞれ印加して第３及び第４の分岐光（Ｌ３、Ｌ４）を生成し、第３及び第４の分岐光を合成して変調光Ｌ５を生成し、当該素子２０への印加電圧の範囲は、第１及び第２の電圧範囲を含み、第２の電圧範囲は、第１電圧範囲とゼロ電圧との間にあり、第１の信号電圧は第１の電圧範囲内にあり、第２の信号電圧は第１の信号電圧と同位相であり且つ第２の電圧範囲内にあり、第１及び第２の導波路の活性層３２の屈折率の電圧依存性は、第１の電圧範囲では負の傾きを有すると共に、第２の電圧範囲では正の傾きを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】
情報が符号化された光の波長を、感度を増倍しつつ変換する方法を提供する。
【解決手段】
第１の波長によって特徴付けられる光の空間的な強度変動中に符号化された情報を、第２の波長によって特徴付けられる光中に符号化する為の方法であって、第１の波長光の空間的な強度変動と相同の第１の電子密度分布を発生することと、第１の電子密度分布と相同の第２の追加電子密度を発生することと、材料中の電界に応じて該材料を通過する光の特性を変調する材料中において前記密度分布と相同の電界を発生する為に、捕獲領域内で、第１および第２の電子密度分布から電子を捕獲することと、第２の波長光を変調の材料に伝達させ、それにより、電界に応じて第２の波長光を変調し、前記情報で第２の波長光を符号化することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】クラッド層が薄くても電極等による光の吸収を回避でき、より一層の小型化が可能な光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板３１の上に、下部クラッド層３２、コア３３及び上部クラッド層３５が形成されており、光はコア３３とクラッド層３２，３５との屈折率の差によりコア３３内に閉じ込められてコア３３の長手方向に伝搬する。上部クラッド層３５には、コア３３の上部及び側部を囲むように空洞３６が形成されている。また、下部クラッド層３２の上にはコア３３の下部に接続した接続層３４が形成されており、上部クラッド層３５には接続層３４に到達するコンタクトホールが形成されている。コア３３の上方の上部クラッド層３５の上には電極２７ｂが形成されており、この電極２７ｂはコンタクトホールを介して接続層３４に接続されている。 （もっと読む）

【解決手段】 ウェハ貼り合わせ技術を用いる光変調器を提供する。ある実施形態に係る方法は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハにエッチングを実施して、ＳＯＩウェハの第１の表面にシリコン導波路構造の第１の部分を形成する段階と、結晶質シリコン層を含む第２のウェハであって、結晶質シリコンの第１の表面を持つ第２のウェハを用意する段階とを備える。当該方法はさらに、ウェハ貼り合わせ技術を用いて、薄い酸化物を介して、第２のウェハの第１の表面を、ＳＯＩウェハの第１の表面に、貼り合わせる段階を備える。尚、シリコン導波路構造の第２の部分は、結晶質シリコン層にエッチングで形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結合量子井戸構造において、結合量子井戸の二つの井戸層の組成x及び厚さの範囲、結合層の組成y及び厚さの範囲を提供することを課題とする。
【解決手段】結合量子井戸に形成される第１〜第４準位のサブバンド間遷移エネルギー及びバンド間遷移の第１バンド準位エネルギーが通信波長帯のエネルギー（0.8eV:1550nm帯）に制御された結合量子井戸構造であって、上記結合量子井戸構造の量子井戸層及び結合層はそれぞれIn_xGa_1-xAs及びAl_ｙGa_1-ｙAsからなり、量子井戸層・結合層の組成x、yの範囲は0.205≦x≦0.85、0≦y≦0.6であり、量子井戸層の膜厚は2nm以上4nm以下、結合層の膜厚は２原子層以上５原子層以下であることを特徴とする結合量子井戸構造。 （もっと読む）

【課題】伝送特性の良好な偏波多重光信号を送信する偏波多重光送信器を提供する。
【解決手段】第１および第２の変調器は、それぞれ、第１および第２のデータに応じて位相変調および強度変調を行って第１および第２の光変調信号を生成する。結合部は、第１および第２の光変調信号を結合して偏波多重光信号を生成する。位相制御部は、第１の変調器が備えるマッハツェンダ干渉計の位相差を目標値に制御すると共に、第２の変調器が備えるマッハツェンダ干渉計の位相差を上記目標値からπだけシフトした値に制御する。第１および第２のデータは、互いに同じデータパターンである。信号制御部は、偏波多重光信号の光強度波形に基づいて、第１および第２の変調部の少なくとも一方の動作状態を制御する。 （もっと読む）

自由キャリア分散ベースの変調に伴う位相変調非線形及び減衰の問題を解決するように変形した電気データ入力信号フォーマットを用いたマルチセグメント装置として構成したシリコンベースの光学変調器。この変調器は、Ｍ個の分離セグメントを具えるように形成されており、デジタル信号エンコーダを用いて、Ｎビットの入力データ信号をＭ個の変調セグメント用の複数のＭ駆動信号に 変換する。ここで、Ｍ≧２^Ｎ／２である。変調器セグメントの長さを調整して、非線形と減衰の問題を解決することができる。追加の位相調整を、変調器の出力に（組み合わせた導波路を超えて）用いることができる。 （もっと読む）

【課題】再成長が不要である分離溝を形成する光変調器において、分離溝部で損失の増大を抑制することができる光変調器を提供することにある。
【解決手段】導波路構造の活性領域１６ａに接続して形成され、キャリアバリア層１４より上層にある層１５の少なくとも一部の幅が、導波路内光伝搬方向にて徐々に狭くなる第１のテーパ部１８と、第１のテーパ部に対向し、前記導波路構造の非活性領域に接続して形成され、キャリアバリア層１４より上層にある層１５の少なくとも一部の幅が、徐々に広くなる第２のテーパ部１９とを具備する。 （もっと読む）