【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、バルク材料からなる活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が該導波路構造の上方に形成される上部電極２１と、を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、上部電極２１は、該導波路構造の少なくとも一部の上方に形成される主電極部２１ａと、ハイメサ導波路構造Ｉの導波方向の側方、かつ、半導体基板の上方に形成される電極パッド部２１ｂと、主電極部２１ａと電極パッド部２１ｂとを電気的に接続する接続部２１ｃと、を含む。 （もっと読む）

【課題】変調帯域を十分に拡大することができる光変調器を得る。
【解決手段】半導体チップ１０内に導波路１２が設けられている。進行波型電極１４の入力部１４ａに、第１のワイヤ１８を介して給電ライン２０が接続されている。進行波型電極１４の出力部１４ｂに、第２のワイヤ２２及び終端ライン２４を介して終端抵抗２６が接続されている。出力部１４ｂと接地点の間の電気容量は、入力部１４ａと接地点の間の電気容量よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】光変調器の入出力特性を線形に補正することを可能にする。
【解決手段】
ある消光特性を持つ光信号を出力する変調器と、変調器を駆動するための信号を出力する変調器ドライブ回路を有する光変調装置において、変調器の消光特性を線形の特性に変更するために、変調器ドライブ回路からの出力信号を所定の規則に従って変換するイコライザを有する。 （もっと読む）

【課題】小型化・集積化が可能で、その非線形屈折率変化が制御光に対して高速に応答する半導体素子を用いて光強度に応じて光の位相変調を起こし、そのときの干渉を利用する光ゲートスイッチ回路を提供する。
【解決手段】光ゲートスイッチ回路は、非対称マッハツェンダー干渉計１０の出力側に光バンドパスフィルタ３を接続した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、変調多値数の異なる複数の変調フォーマットを柔軟に切換えることのできる光変調器を提供することである。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明の光変調器は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の２値位相変調手段と、可変光分岐手段又は可変光結合手段を有し、Ｍ個（Ｍは１以上Ｎ未満の整数）の前記２値位相変調手段の各々ついて、その入力ポートと前記メイン入力ポートとを結ぶ光路、もしくはその出力ポートと前記メイン出力ポートを結ぶ光路のいずれかもしくは両方を、前記可変光分岐手段又は可変光結合手段を使用して必要に応じて遮断し、また、必要に応じて開通させることにより、出力光信号の変調多値数を２^N-Mから２^Nの間で切換える機能を有すること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電子装置を提供する。
【解決手段】光電子装置は、半導体基板内に形成されたｐドーピング領域とｎドーピング領域と、ｐドーピング領域とｎドーピング領域との間に形成された光導波路コア領域と、光導波路コア領域とｐドーピング領域との間に形成され、それぞれが第１距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第１スラブと、光導波路コア領域とｎドーピング領域との間に形成され、それぞれが第２距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第２スラブと、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定的な伝送を可能とする半導体ゲイン領域集積型ＭＺ変調器モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザと、半導体レーザから発せられた光を交流信号により変調して出力するマッハツェンダ変調器とがチップ上に集積された半導体レーザ集積型マッハツェンダ変調器であって、温度に変化が生じた場合に、チップ温度の変化に応じて交流信号を制御（交流信号の振幅の制御、及び交流信号のバイアス電圧の制御を含む）することで、マッハツェンダ変調器から出力される光の消光比を大きくすることを特徴とするレーザ集積マッハツェンダ変調器。 （もっと読む）

【課題】 数〜数十Ｇｂｐｓでもプリエンファシスをかけることなしに、低電圧のＣＭＯＳ駆動で十分な光変調をかけることができる、Ｓｉ系光変調器を実現する。
【解決手段】 ｐ型ａ−Ｓｉ層５、アンドープａ−Ｓｉ層６、ｎ型ａ−Ｓｉ層７からなるｐｉｎダイオード構造の外側に、アンドープ−ａ−Ｓｉ層４とｎ型ａ−Ｓｉ層３からなるｐ型ａ−Ｓｉ層５内の電子に対するドレイン１９と、アンドープａ−Ｓｉ層８とｐ型ａ−Ｓｉ層９からなるｎ型ａ−Ｓｉ層７内の正孔に対するドレイン２０が付加されている。ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる方法、この方法に用いられる表示セル、及びこの表示セルを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】透明セル１内に、基板２上の作用極３に接するように設けられた直径の大きさの揃った金属型又は半導体型単層カーボンナノチューブの薄膜４、電解液７、対極５、参照極６を収納した表示セルの作用極３と対極５間に電圧を印加して電気化学ドーピングを行い、単層カーボンナノチューブに電子又はキャリアの注入することにより単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる。例えば、単層カーボンナノチューブが金属型単層カーボンナノチューブであり、その直径が１．３〜１．４ｎｍであればシアン系（青）の色を呈しているが、電圧印加によりイエロー系（黄）に変化し、電圧印加を停止すれば元のシアン系の色に回復する。このとき、単層カーボンナノチューブとして、チューブ内にＣ６０分子又はβカロテン分子などのπ共役系分子を内包したものを用いれば、色の回復が改善される。 （もっと読む）

【課題】 高品質な多値の光信号を得ることができる。
【解決手段】 本発明は、Ｎチャネル（Ｎは２以上でＮ以下の整数）の電気２値信号を、１チャネルの光多値信号に変調する信号変調装置に関する。電気信号を光信号に変調する変調部をＮ段備え、第１段目の変調部は、第１の電気２値信号を光信号に変調して、第２段目の変調部に供給し、第２段目以降の変調部は、外部変調方式で電気信号を光信号に変調するものであり、第ｍ段目（ｍは２以上でＮ以下の整数）の変調部は、第ｍ−１段目の変調部から出力される光信号を光源として、第ｍの電気２値信号を光信号に変調して出力し、第Ｎ段目の変調部が出力する光信号を、光多値信号として出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光吸収型光変調素子の高速駆動を可能とする駆動回路を提供する。
【解決手段】駆動回路１０は、所定の特性インピ−ダンスを有する伝送線路４０を介して光吸収型光変調素子３２を駆動する回路であって、出力ドライバ回路１２、オフセット設定回路１４、及び直列回路１６を備える。出力ドライバ回路１２は、伝送線路４０に直流的に接続され、光変調素子３２を交流駆動する。オフセット設定回路１４は、光変調素子３２にオフセット電圧を与える。直列回路１６は、抵抗１６ａとインダクタ１６ｂを有し、伝送線路４０にオフセット設定回路１４を接続する。直列回路１６にインダクタンス１６ｂを設けることで、駆動回路１０の出力インピーダンスの周波数特性にピークを持たせ、光変調素子３２の駆動波形の高周波特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電極間における抵抗が低くすることができ、かつ、光の伝播損失を低くすることができる位相変調素子を提供する。
【解決手段】半導体材料により形成される光導波路と、前記光導波路の両側側面に各々接続される半導体材料により形成される接続構造部と、前記接続構造部の各々に接続される電極部と、を有し、前記接続構造部は、前記電極部との接続部分に不純物元素がドープされた不純物領域を有しており、前記不純物領域は、前記光導波路と前記接続構造部との接続部分における前記光導波路に対し垂直方向の延長線上とはならない部分に形成されていることを特徴とする位相変調素子により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】石英系光導波路素子とシリコン光導波路素子とをモノリシック集積し、これらの素子を低損失で接続する。
【解決手段】光導波路デバイスは、石英系光導波路１０３によって構成される光機能素子と、シリコン細線光導波路１０２によって構成される光機能素子と、石英系光導波路１０３によって構成される光機能素子とシリコン細線光導波路１０２によって構成される光機能素子を接続するスポットサイズ変換器１０１とを備える。石英系光導波路１０３によって構成される光機能素子とシリコン細線光導波路１０２によって構成される光機能素子とスポットサイズ変換器１０１とは、同一の基板上にモノリシック集積され、石英系光導波路１０３のコアとシリコン細線光導波路１０２の第１のオーバークラッドとは、基板上の同一層の膜からなる。 （もっと読む）

【課題】高速応答可能な半導体光変調素子の提供。
【解決手段】半導体光変調素子１は、第一及び第二半導体クラッド層３,７、並びにこれらの間に配置された光導波層Ｌを備える。光導波層Ｌは第一及び第二半導体光閉じ込め層４，６と絶縁層５とを含み、第一半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第一半導体クラッド層３との間に配置され、第二半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第二半導体クラッド層７との間に配置され、第一半導体クラッド層３は第一導電型を有し、第二半導体クラッド層７は第一導電型とは異なる第二導電型を有し、第一半導体クラッド層３の屈折率は第一半導体光閉じ込め層４の屈折率より低く、第二半導体クラッド層７の屈折率は第二半導体光閉じ込め層６の屈折率より低く、絶縁層５のバンドギャップは第一半導体クラッド層３、第二半導体クラッド層７、第一半導体光閉じ込め層４、及び第二半導体光閉じ込め層６のバンドギャップより大きい。 （もっと読む）

【課題】光パルス圧縮器を用いず、500フェムト秒以下のパルス幅を有し、かつ波形の整った1GHz以上の高繰り返し光パルスを能動モード同期ファイバレーザから直接発生させる。
【解決手段】光増幅器7と群速度分散の平均値が異常分散である単一モード光ファイバ2と光アイソレータ4と光変調器8と帯域通過型光フィルタ6をリング状に結合してリング共振器を形成し、リング共振器内で発生する光パルスを外部に取り出す光カプラ3を備えた能動モード同期ファイバレーザにおいて、前記光変調器8として半導体材料中における電気光学効果（ポッケルス効果）および電界吸収効果（量子閉じ込めシュタルク効果）に伴う屈折率および光吸収係数変化を同時に利用した進行波型半導体光位相・強度変調器を用いる。 （もっと読む）

【課題】 小型かつ簡単な構成の電磁波波長変換素子、前記電磁波波長変換素子を用いた波長分割多重光通信システム、波長可変光源および光発電システム、ならびに電磁波波長変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
入射電磁波２０２をエバネッセント波２０４に変換するエバネッセント波変換手段４０１と、
エバネッセント波２０４を表面プラズモンポラリトン２０５に変換する表面プラズモンポラリトン変換手段４０１と、
表面プラズモンポラリトン２０５の周波数を変調する表面プラズモンポラリトン周波数変調手段４１０と、
周波数変調手段４１０により周波数変調された表面プラズモンポラリトン２０５に結合したエバネッセント波２０６を出射電磁波２０８に変換する出射電磁波変換手段４０２とを有することを特徴とする波長変換素子１。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を損なうことなく、チップ単体又はウェハレベルでプローブ検査を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】ＥＡＭ領域１２に電界を印加又は電流を注入するＥＡＭ部電極１４と、ＥＡＭ部電極１４と接続されたワイヤボンディング用のパッド電極１５とを有するＥＡＭ付き半導体レーザにおいて、パッド電極１５を複数のメッシュ穴１６を有するメッシュ形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】損失を低減し、ＩチャネルとＱチャネルの光信号の振幅レベルの差を低減することができる光変調器を得ること。
【解決手段】第１ＭＺ光変調器５ａと、第２ＭＺ光変調器５ｂと、第１ＭＺ光変調器５ａの出力を第１のバイアス信号に基づいた増幅率で増幅する第１光増幅器６ａと、第２ＭＺ光変調器５ｂの出力を第２のバイアス信号に基づいた増幅率で増幅する第２光増幅器６ｂと、第２光増幅器６ｂの出力を位相回転させる光位相調整器７と、第１光増幅器６ａの出力と光位相調整器７の出力とを合波する光合波器８と、相補的な第１のパルス信号と第１のパルス信号を生成し、光合波器８の出力信号の強度変化に基づいて、第１のバイアス値と第２のバイアス値を求める第２ＤＣバイアス補正部１７と、を備え、第１のバイアス信号に第１のパルス信号を重畳し第２のバイアス信号に第２のパルス信号を重畳する。 （もっと読む）

【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）