【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、ｎ型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がＣ面方向とされている第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第１半導体層１０１の上に形成された第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２とは格子定数が異なるｎ型の窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第２半導体層１０２の上に形成された第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の層厚を増加させることなく、消光比の偏波依存性の低減と、光閉じ込め係数の向上とを同時に図ることが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、第１のクラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、第２のクラッド層１４が順次積層された導波路構造を備え、前記導波路構造は、光吸収層１３と第１のクラッド層１２との間、および、光吸収層１３と第２のクラッド層１４との間に光閉じ込め層１５、１６をさらに有し、光閉じ込め層１５、１６の屈折率が、第１および第２のクラッド層１２、１４の屈折率よりも大であるとともに、光吸収層１３の屈折率よりも小であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ基板とTO-CANパッケージの接続部における特性インピーダンスを整合させて、40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供する安。
【解決手段】TO-CANパッケージ１３と、FPC基板１２とを有し、FPC基板１２の表面に高周波信号線２６と接地電極２８が配され、TO-CANパッケージ１３に配された同軸ピン２２が記高周波信号線２６に接続され、高周波信号線２６から、同軸ピン２２を介して、TO-CANパッケージ１３の内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、高周波信号線２６と接地電極２８との間の距離が0.1mm以上0.3mm以下である構成の光送信モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】半導体光スイッチモジュールの組立コストを低減させる。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ系材料によって形成された光導波路２、３、４、５、６が形成され、光導波路２、３、４上に電極７、８、９をそれぞれ設けている。電極７、８、９に流す電流を制御することによって光スイッチ動作及び光増幅動作を実現している。直線状の光導波路２、３と曲線状の光導波路５はＵ字型の光導波路をなしており、また、直線状の光導波路３、４と曲線上の光導波路６は別のＵ字型の光導波路をなしている。ふたつのＵ字型光導波路の組み合わせによりＷ字型の光導波路ネットワークが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＤとモノリシックに集積容易な高速・高効率な半導体光変調素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の面上に、上層から基板面に向かって順に少なくともｎ型クラッド層１１３ａ，１１３ｂ、ｉ―コア層１１５ａ，１１５ｂ、ｐ型クラッド層１１７ａ，１１７ｂを含む半導体多層構造でなる光変調素子を備え、光変調素子の光変調導波路が基板上の逆メサ方向に形成されている。信号電極１１１ａ，１１１ｂには正の電圧をバイアス電圧として用いる。 （もっと読む）

【課題】容易に他のデバイスに組み込むことが可能なＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。
【解決手段】互いに導波路を結合したＰＬＣ−ＰＢＳチップとＳＯＡ−ＣＯＳとを備えるＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。ＰＬＣ−ＰＢＳチップは、第１および第２の光導波路と、マッハツェンダー干渉計回路と、ＴＭモードの光が伝播する第１の石英系光導波路中に形成された半波長板とを含む。ＳＯＡ−ＣＯＳは、第１の光導波路に接続された第３の光導波路と、第２の光導波路に接続された第４の光導波路と、少なくとも一方の第３および第４の光導波路に形成されたＳＯＡとを含む。第３と第４の光導波路のそれぞれ第１および第２の光導波路と接続しないもう一端同士は、Ｕターン部光導波路で接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。
【解決手段】波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。加えて、本実施形態に係る光集積回路では、半導体レーザの共振器構造を、その両端における光出力が等しくなるように対称に構成し、一方からの光出力を破棄することなく、ともに半導体マッハツェンダ変調器に入力する。 （もっと読む）

【課題】 分散チューニングによる波長掃引では共振器内の分散が必須なため、光の周回時間と変調周波数のＦＭ変調を同期させた高速波長掃引の達成が難しかった。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する変調手段と、を備え、該変調手段の変調周波数に応じて光パルスの発振波長を掃引変化させる光源装置であって、
前記光共振器内を周回する光の前記波長分散に起因する遅延を含んだ光パルス列の時間的推移に呼応して、前記変調周波数の変化割合を推移させ、前記発振波長を掃引変化させることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で低コスト、かつ制御が容易で低損失な光変調器を提供する。
【解決手段】入力された電気信号を多値光信号に変換する光変調器であって、入射信号光を分岐する光分岐回路１０２と、光分岐回路１０２の出力側に接続され、電気信号に応じて伝搬光の位相を変調する位相変調器１０４ａ，１０４ｂと、位相変調器１０４ａ，１０４ｂからの出力を合流させる光合流回路１０６とを備え、さらに、光分岐回路１０２と光合流回路１０６のうち少なくとも一方が非対称な分岐比又は合流比を有し、位相変調器１０４ａ，１０４ｂから光合流回路１０６を経て出力側に導かれる信号光の強度が互いに異なるように設定した。 （もっと読む）

【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】 小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶基板中に、光を閉じ込める共振器と、共振器部位を挟んで対向する２つの領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に対向する２つの電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、駆動回路、重畳器、コントローラを備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を光導波路に与える信号電極を備える。駆動回路は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に低周波信号を重畳する。コントローラは、変調器により生成される変調光信号から抽出される低周波信号の成分に基づいて、変調器の変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】変調電圧を大きくしなくても周波数特性の劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１からの光をマッハツェンダ型光変調器２が変調する。マッハツェンダ型光変調器２の出力光をマッハツェンダ型光変調器３が変調する。マッハツェンダ型光変調器２，３の各々は、活性層１２を含むアンドープ層２０と、アンドープ層２０を挟むｎ型ＩｎＰクラッド層１１及びｐ型ＩｎＰクラッド層１４とを有する。マッハツェンダ型光変調器２の活性層１２のバンドギャップ波長が、マッハツェンダ型光変調器３の活性層１２のバンドギャップ波長よりも短い。 （もっと読む）

【課題】消費電力増大の抑制、サイズの小型化、プロセスばらつきによる特性変動の抑制およびシステム構成の複雑化を回避可能とする電気光学変調器の提供。
【解決手段】信号光源１０１１から出力された信号光を信号光源側偏光方向調整部１０２１にて偏光方向を調整し、変調部１０３１は、ＥＯ効果により変調を与え、参照光源１０４１から出力され参照光源側偏光方向調整部１０２２で信号光と同方向に偏光を調整した参照光を信号光と干渉した強度変調光を受光部１０５１に入力する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成により、光変調信号の平均強度を一定に保つように電界吸収型光変調器のバイアス電圧を正確に制御することができる非冷却光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１はレーザ光を出力する。電界吸収型光変調器２がレーザ光を吸収する光量は、電界吸収型光変調器２に印加される電圧により変化する。電界吸収型光変調器２がレーザ光を吸収した時に光吸収電流が発生する。モニタフォトダイオード４は、半導体レーザ１の背面光をモニタする。ＡＰＣ（Auto Power Control）回路５は、モニタフォトダイオード４の受光電流を、半導体レーザ１に供給するバイアス電流にフィードバックする。バイアス回路６は、電界吸収型光変調器２の光吸収電流の平均値を、電界吸収型光変調器２に印加するバイアス電圧にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】小型光変調器及びそれを含む光送信器を提供する。
【解決手段】光変調器は、変調されていない入力光信号を受信して、第１光信号と第２光信号とに分けて光導波路の第１及び第２経路にそれぞれ伝送する光入出力部と、第１及び第２経路のうち少なくとも１つに位置して、電気信号によって、第１経路に伝送される第１光信号及び第２経路に伝送される第２光信号のうち少なくとも１つの位相を変調して位相変調信号を出力する位相遷移器と、第１経路に伝送された信号及び第２経路に伝送された信号をそれぞれ同じ経路に反射させる反射型グレーティングカプラと、を含み、安定性の確保及び小型化が可能な効果がある。 （もっと読む）

【課題】分子一個であっても動作可能で、同時多波長処理および広帯域動作が可能な小型の高速光フィルターを提供する。
【解決手段】光フィルターは、入射する光に共鳴する２準位を有する半導体１１と、制御光である第１光パルス３および第２光パルス４を半導体１１に照射して、半導体１１の２準位を選択的に共鳴励起する制御光発生装置１と、信号光である第３光パルス５を半導体１１に照射する信号光発生装置２を備える。制御光発生装置１と信号光発生装置２とは、第３光パルスが半導体１１に入射する時間において、ブロッホ空間における第３光パルスのトルクベクトルと、第１光パルスおよび第２光パルスによって共鳴励起された２準位系半導体１１の量子状態を表すブロッホベクトルとが、平行か反平行である状態となる条件を満たすように、第１、第２、第３光パルスを制御する。 （もっと読む）