【課題】伝搬損失が小さく、しかも、効率的に屈折率を変化させ得る光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成され、第１導電型の第１の不純物領域１６と、第１導電型の反対の第２導電型の第２の不純物領域１８と、第１の不純物領域と第２の不純物領域との間に形成されたストライプ状の光導波路１５とを有する半導体光導波路層１４と、第１の不純物領域と光導波路の一方の側壁の上部とを接続する第１導電型の第１の半導体層２６と、第２の不純物領域１８と光導波路の他方の側壁の上部とを接続する第２導電型の第２の半導体層２８とを有している。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、変調信号生成器、重畳器、およびバイアス制御器を備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を前記光導波路に与える信号電極とを備える。変調信号生成器は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に所定の周波数の信号を重畳する。バイアス制御器は、変調器により生成される変調光信号から抽出される所定の周波数成分の位相に基づいて、変調器の変調方向のバイアス電圧および変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】光の通過損失が増大することを抑制しつつ、位相調整を行うことが可能な光変調装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路３８ａ及び第２出力光導波路３８ｂに第２ＭＭＩ３４を介して第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂが接続するマッハツェンダ型光変調器１０と、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂに設けられた位相調整用電極４０に対して位相制御信号を入力すると共に、位相制御信号を位相調整用電極夫々の間で切替える機能を有する位相調整回路１２と、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂを伝搬する光を変調させる変調信号を、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂに設けられた変調用電極４２に差動信号として入力する駆動回路１４と、駆動回路１４から出力される差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路５０と、を備える光変調装置である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を得ることができる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マッハツェンダ変調器１０をパッケージ７０内に固定する工程と、マッハツェンダ変調器１０を固定する工程の後、入力光を入力レンズ４６に入射する工程と、入力レンズ４６を介してマッハツェンダ変調器１０に入力する入力光を検知し、入力光の検知結果に基づいて、入力レンズ４６の位置合わせをする工程と、位置合わせをする工程の後、入力レンズ４６をパッケージ７０内に固定する工程と、を有する光学装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ変調器の制御装置は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、電流検出部が検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備える。マッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 導波路型のフォトダイオードにおける信頼性を向上させること。
【解決手段】 半導体からなり、メサ型構造を有する光導波路５０と、半導体からなり、光導波路５０に接続され、光導波路５０よりも広いメサ型構造を有する光導波路構造を備えたフォトダイオード５２と、を有する光半導体。フォトダイオード５２における導波路幅を広げることで、コア２０の側面付近に欠陥が生じた場合でも光の導波領域を保護することができるため、フォトダイオード５２の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層を持つ電界吸収型変調器の特性を向上させる。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層７が順に積層されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６は、組成が異なる３つのＩｎＧａＡｓＰ層６ａ，６ｂ，６ｃを有する。ＩｎＧａＡｓＰ層６ａ，６ｂ，６ｃの価電子帯間のエネルギー障壁は、ＩｎＧａＡｓＰ層が単層の場合に比べて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてダークチューニングで発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、波長可変半導体レーザとマッハツェンダ変調器との間に設けられ、波長可変半導体レーザから半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、半導体マッハツェンダ変調器を透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、波長検知部の検知結果に基づいて波長可変半導体レーザの出力波長を調整する。 （もっと読む）

【課題】小型化可能で、かつ良好な特性が得ることができる光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路２６ａと第２出力光導波路２６ｂとが接続された第２ＭＭＩ２５を備えたマッハツェンダ変調器１０と、第１出力光導波路２６ａから出力される第１出力光、及び第２出力光導波路２６ｂから出力される第２出力光の両方と光結合して設けられた光アイソレータ６０と、光アイソレータ６０を介して第１出力光と光結合し、第２出力光と光結合しない光ファイバ６４と、を具備する光学装置である。 （もっと読む）

【課題】 出力光導波路に光強度検出電極を備えたマッハツェンダ型光変調器において、リーク電流を抑制すること。
【解決手段】 ２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂに合分波部３４を介して２つの光導波路３２ａ及び３２ｂが接続されたマッハツェンダ型光変調器であって、２つの光導波路３２ａ及び３２ｂのそれぞれに設けられたアーム電極４０及び４２と、２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂのそれぞれに設けられ、アーム電極４０及び４２よりも高い電圧が印加される光強度検出電極４４と、アーム電極４０及び４２と光強度検出電極４４との間の導波路に設けられ、アーム電極４０及び４２に印加される電圧よりも高いが印加されるリーク抑制電極６０と、を備えることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易な光変調器付き面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置１０は、ＶＣＳＥＬ１０Ａと光変調器１０Ｂとを含む。ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。光変調器１０Ｂは、上部ＤＢＲ１０６上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｐ型の第１の透明半導体膜１２０と、第１の透明半導体膜１２０上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｎ型の第２の透明半導体膜１２２と、第２の透明半導体膜１２２に電気的に接続された変調電極１３０とを含む。ｐ型電極１１０は、第１の透明半導体膜１２０にも電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】バイアス調整を行わない状態で使用しても、動作点のズレに伴う感度特性のばらつきが発生しない電界センサを提供する。
【解決手段】長さが異なる１対の光導波路と、１対の光導波路の光入射側と光出射側とのそれぞれに接続された２つの３ｄＢ光カプラと、２つの３ｄＢ光カプラのそれぞれに接続された光入力ポートおよび光出力ポートと、一方の光導波路に設けられた電気線路を有するＭＺ干渉回路と、１対の導波路に光を入力する光入力手段と、ＭＺ干渉回路の電気線路に入力するＲＦ信号受信手段と、ＭＺ干渉回路から出力された光出力を検出する光検出手段と、光入力手段からＭＺ干渉回路に入力する光を決定した波長に調整する調整手段とを備え、受信したＲＦ信号を電気光学効果を起こすことより１対の光導波路の出射光の位相差に変化を与え、光検出器は、１対の光導波路から出射された光の位相差を検出することにより、ＲＦ信号の出力を測定する。 （もっと読む）

【課題】光スイッチに供給される駆動電流をすばやく供給し、かつ、光スイッチに供給される駆動電流にオーバーシュートが発生することを抑制できる光スイッチ駆動回路、光スイッチ及び光切替スイッチを提供すること。
【解決手段】所定の電圧から一定電圧に立ち上がるパルス波を発生させる発生部と、定常電圧よりも高い電圧を印加した後、前記定常電圧よりも低い電圧まで低下し、さらに前記定常電圧を印加する電圧印加部とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数のナノ粒子を含む微小共振器を備える光スイッチを提供する。
【解決手段】微小共振器は、ある信号波長を有する信号光を受取り、かつある励起波長を有する励起パルスを受取るように構成される。当該信号波長において屈折率変化を経ることによって、微小共振器の少なくとも一部分が励起パルスに応答する。 （もっと読む）

【課題】広帯域にわたって入力電気信号の反射を低減することができる光変調装置を得ること。
【解決手段】アノード電極５を有する光変調器４と、整合抵抗８と、アノード電極５と接続され、光変調器４への入力電気信号をアノード電極５へ伝送する第１のワイヤ３と、第１のワイヤ３と接続されたキャパシタンスを有する第１の導体パッド２と、アノード電極５と整合抵抗８とを接続する第２のワイヤ６と、第２のワイヤ６に接続されたキャパシタンスを有する第２の導体パッド７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬ等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路１１７と、光導波路１１７の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路１１７を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器１２１と、複数の変調器１２１により変調された光を出力する光信号出力部１１３とを有する。複数の変調器１２１は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】光信号を適切に遮断する。
【解決手段】光送信器は、入力された光を変調することで光信号を出力し、且つ印加されるバイアス電圧に依存して光吸収の程度が変化する光吸収特性であって、第１の特性領域及び第１の特性領域よりも光吸収の程度が大きくなる第２の特性領域を含む光吸収特性を有するマッハツェンダ型光変調器と、マッハツェンダ型光変調器からの光信号の出力を所望量以下に遮断する場合に、第２の特性領域に対応する遮断バイアス電圧をマッハツェンダ型光変調器に形成された２つの干渉用光導波路の夫々に備えられた電極に印加することにより、発生する電界を前記干渉用光導波路に与える印加部とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の劣化を防ぎ、消費電力を低減し、光変調素子の故障を防ぐことができる光変調装置を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮに変調信号が入力される。光変調素子１０のアノードは入力端子ＩＮに接続され、光変調素子１０のカソードは接地されている。光変調素子１０に並列に整合抵抗Ｒ１及び整合コンデンサＣ１が接続されている。整合コンデンサＣ１は整合抵抗Ｒ１に直列に接続されている。保護抵抗Ｒ２が、光変調素子１０、整合抵抗Ｒ１、及び整合コンデンサＣ１に並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】変調部の材料として半導体が用いられた場合でも変調部から出力される光信号のパワーの低下を抑制すること。
【解決手段】光変調装置は、入力信号を用いて入力光を変調する変調部を備える。また、光変調装置は、変調部により入力光が変調されて得られた信号光の位相を入力電流に応じて補償する補償部を備える。また、光変調装置は、補償部により補償された信号光と変調部へ入力される入力信号との位相差を検出する検出部を備える。また、光変調装置は、検出部により検出された位相差に基づいて補償部へ入力される入力電流を調整する調整部を備える。 （もっと読む）