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Fターム[2H092JA46]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 能動素子 (19,865) | 三端子素子 (19,408) | 構造 (10,751) | 素子と画素電極との接続 (3,242) | スルーホール (2,664)

Fターム[2H092JA46]に分類される特許

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【課題】視野角の広い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層と、複数の画素PXと、を備える。複数の画素PXは、1つ又は複数の主画素電極PAと、複数の主共通電極CAと、を有している。各画素PXは、第1方向Xに沿った主画素電極PA及び主共通電極CA間の隙間が互いに異なる複数の領域R3、R4を有している。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス基板上の電極と対向基板上のブラックマトリクスとの間に生じる電位に起因する光漏れを抑制する。
【解決手段】スイッチング素子が配置された一方の基板とブラックマトリクスが形成された他方の基板と液晶層とを少なくとも備える液晶表示装置において、ノーマリーブラックの第1の領域とノーマリーホワイトの第2の領域とを有し、第1の領域の一方の基板にはスイッチング素子に接続された第1画素電極と第1共通電極と第1共通電極に第1共通信号を供給する第1共通電極線を有し、第2の領域の一方又は他方の基板には第2共通電極を有し、第2の領域の一方の基板にはスイッチング素子に接続された第2画素電極と第2共通電極に第2共通信号を供給する第2共通電極線を有し、第1の領域に対向するブラックマトリクスと第2の領域に対向するブラックマトリクスが電気的に分離されている。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第1の透明導電膜6は、当該第1の透明導電膜6のコーナー部近傍では第2の導電膜5の端面を覆っておらず、コーナー部近傍以外において第2の導電膜5の端面を覆う部分を有している。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 製造工程を単純化して第1の金属膜上に第2の金属層が積層された積層構造を有する領域および第1の金属膜のみで形成されている領域からなるゲート配線を製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置の製造方法であって、第1の金属膜3b上に第2の金属膜3cが積層された積層構造を有する領域および第1の金属膜3bのみで形成されている領域からなるゲート配線3を、多階調マスクを用いて、感光性樹脂膜12を、積層構造となる領域では膜厚の厚い厚膜部12aになり、ゲート電極3aの少なくとも半導体層5と重なっている領域では厚膜部12aよりも膜厚の薄い薄膜部12bになるようにそれぞれ複数のゲート配線3のパターンにするとともに、隣接するゲート配線3のパターン間の領域では第2の金属膜3cが露出するようにパターニングする工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100においては、並列に電気的に接続された第1保持容量70aと第2保持容量70bとによって保持容量70が形成され、かつ、第1保持容量70aと第2保持容量70bとは積層された構造になっている。また、素子基板10の端部と画像表示領域との間には、第1保持容量70aと同一の層構造を備えた検査用第1容量と、第2保持容量70bと同一の層構造を備えた検査用第2容量が形成されているとともに、検査用第1容量に電気的に接続する第1容量検査用端子対と、検査用第2容量に電気的に接続する第2容量検査用端子対とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 (もっと読む)


【課題】各画素内に2つのSRAMを用いた画素に比べて画素小型化を可能にすると共に、各画素内に2つのSRAMを用意した場合においた構成でも安定な動作を行う。
【解決手段】画素12Aは、列データ線dに出力されるデータがスイッチSW11によりサンプリングされてSRAM121に書き込まれる。画像表示部11を構成する全ての画素12AのSRAM121にデータが書き込まれる。その後、トリガパルスにより、全ての画素12AのスイッチSW12がオンとされ、SRAM121のデータがDRAM122を構成する容量C1に一斉に転送されて保持されると共に、反射電極PEに印加される。画素12Aは、7個のトランジスタと1つの容量C1とから構成されるため、少ない数の構成素子により画素を構成できると共に、SRAM121とDRAM122と反射電極PEとを、素子の高さ方向に有効に配置することで、画素の小型化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】InMO(ZnO)(M=Ga、Fe、Ni、Mn、Co及びAlから
選ばれた一又は複数の元素、nは1以上50未満の非整数)でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Znの濃度がIn及びM(M=Fe、Ga、Ni及びAlから選ばれた
一又は複数の元素)よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでnの値は、好ましくは1以上50未満の非整数、より好ましくは10未満
の非整数とする。 (もっと読む)


【課題】 1つの表示領域を2つの領域に分割し、当該2つの領域に並行して映像や画像を表示する液晶表示装置におけるドライバ回路の発熱を抑え、かつ、画質の低下を防ぐ。
【解決手段】 液晶表示パネルの1つの表示領域は、走査信号線の延在方向と一致する境界線により第1の表示領域と第2の表示領域に分割されており、前記第1の表示領域の画素のTFT素子が接続している映像信号線と、前記第2の表示領域の画素のTFT素子が接続している映像信号線とは、電気的に絶縁されており、前記第1の表示領域および前記第2の表示領域のそれぞれの表示領域において、前記映像信号線の延在方向に沿って並んだ複数個の画素の列には、それぞれ、2本の隣接する映像信号線のうちの一方の映像信号線にTFT素子が接続している画素と、前記2本の隣接する映像信号線のうちの他方の映像信号線にTFT素子が接続している画素とが、交互に並んでいる液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】画素電極に光反射防止構造が採用され、明るい表示が可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、第1基板としての素子基板10と、第2基板としての対向基板20と、素子基板10と対向基板20とにより挟持された液晶層50と、画素電極層15と、画素電極層15に対応したトランジスター30と、トランジスター30と画素電極層15との間に設けられ、コンタクトホールCNT2が形成された層間絶縁膜12とを備え、画素電極層15は、第2層間絶縁膜12側から順に形成された、導電性の第1透光性層15aと、第1透光性層15aよりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性層15bと、第2透光性層15bよりも屈折率が大きく導電性の第3透光性層15cとを含み、コンタクトホールCNT2内において第1透光性層15aと第3透光性層15cとが電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置及び配向膜、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】配向膜は、基板上のポリシロキサンに結合した第1プレチルト官能基、第2プレチルト官能基及び第1垂直配向性官能基を含む。環状化合物を含む前記第1垂直配向性官能基33は、前記基板191に対して実質的に垂直方向に配列する。前記第2プレチルト官能基と架橋した前記第1プレチルト官能基35aは、前記基板に対して傾くように配列する。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線G2と、ゲート配線G2と交差するように延びたソース配線S1と、ソース配線S1と略平行に延びた主画素電極PAを備えた画素電極PEと、ゲート配線G2とソース配線S1とが交差した位置に配置されたスイッチング素子SWと、を備えた第1基板ARと、主画素電極PAを挟んだ両側で主画素電極PAと略平行に延びた共通電極CEを有する第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に保持された液晶分子LMを含む液晶層LQと、を備え、スイッチング素子SWは、前記画素電極と電気的に接続され前記ゲート線と重なるように配置されたドレイン配線EDを含む、液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】保護膜溶液組成物を提供すること。
【解決手段】下記の化学式1で表わされる有機シロキサン樹脂を含む保護膜溶液組成物:



・・・化学式1
(式中、Rは1乃至25個の炭素を有する飽和炭化水素または不飽和炭化水素から選ばれた少なくとも一つの置換基であり、x、yはそれぞれ1乃至200であり、各波線は水素原子、xシロキサン単位またはyシロキサン単位との結合を示すか、あるいは、xシロキサン単位、yシロキサン単位またはこれらの組み合わせを含む他の有機シロキサン鎖のxシロキサン単位またはyシロキサン単位との結合を示す)。 (もっと読む)


【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板60に形成された薄膜トランジスタ200であって、周面の一部又は全部が導電性材料20により覆われたワイヤー10と、前記導電性材料を覆う絶縁膜30と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体40と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部50を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第1及び第2の電極70、80が接続されて形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極30gと電気的に接続された走査線3aと、データ線側ソースドレイン領域30sと電気的に接続されたデータ線6aと、画素電極側ソースドレイン領域30dと電気的に接続された画素電極27と、容量線3bに電気的に接続された第1容量電極16aと、第1容量電極16aと対向して設けられた第2容量電極16cと、第1容量電極16aと第2容量電極16cとに挟持された誘電体層16bと、を有する容量素子16と、を備え、層間絶縁膜11eに設けられた複数の第1コンタクトホールCNT4を介して第1容量電極16aと容量線3bとは電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍(及びソース電極層の端部近傍)に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、0.3μm以下、好ましくは5nm以上0.1μm以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを60°以下、好ましくは45°以下、さらに好ましくは30°以下とする。 (もっと読む)


【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 (もっと読む)


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